CN117119821A - 发光元件、包括该发光元件的电子装置以及电子设备 - Google Patents

Abstract

提供一种发光元件、包括该发光元件的电子装置以及电子设备，包括：第一电极；第二电极，与第一电极对向；以及中间层，布置于第一电极与第二电极之间，其中，中间层包括空穴传输区域以及发光层，空穴传输区域布置于第一电极与发光层之间，空穴传输区域包括第一层，第一层与发光层直接接触，发光层包括第一主体以及第一发射体，第一发射体发射具有第一发光光谱的第一光，第一层包括第一物质，第一物质的HOMO能级与第一主体的HOMO能级之差的绝对值为0eV至0.2eV，第一发射体的HOMO能级的绝对值大于第一主体的HOMO能级的绝对值，第一物质、第一主体及第一发射体中的每一个的HOMO能级为通过循环伏安法测量的负值。

Description

发光元件、包括该发光元件的电子装置以及电子设备

技术领域

涉及一种发光元件、包括该发光元件的电子装置以及电子设备。

背景技术

在发光元件中，自发光型元件(例如，有机发光元件等)不仅视角广、对比度优异，而且响应速度快，亮度特性、驱动电压特性以及响应速度特性优异。

所述发光元件可以具有如下结构：在基板上部布置有第一电极，在所述第一电极上部依次形成有空穴传输区域(hole transport region)、发光层、电子传输区域(electron transport region)以及第二电极。从所述第一电极注入的空穴经由空穴传输区域移动到发光层，从第二电极注入的电子经由电子传输区域移动到发光层。诸如所述空穴和电子之类的载流子在发光层区域中再结合而生成激子(exciton)。该激子从激发状态变为基态并生成光。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有低驱动电压以及高功率效率的发光元件、包括该发光元件的电子装置以及电子设备。

根据一方面，提供一种发光元件，包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述中间层包括空穴传输区域以及发光层，所述空穴传输区域布置于所述第一电极与所述发光层之间，所述空穴传输区域包括第一层，所述第一层与所述发光层直接(directly)接触，所述发光层包括第一主体以及第一发射体，所述第一发射体发射具有第一发光光谱的第一光，所述第一层包括第一物质，所述第一物质的HOMO能级与所述第一主体的HOMO能级之差的绝对值为0eV至0.2eV，所述第一发射体的HOMO能级的绝对值大于所述第一主体的HOMO能级的绝对值，所述第一物质、第一主体及第一发射体中的每一个的HOMO能级为通过循环伏安法(CV：Cyclicvoltammetry)测量的负值。

根据另一方向，提供一种包括所述发光元件的电子装置。

根据又一方面，提供一种包括所述发光元件的电子设备。

由于所述发光元件具有低驱动电压及高功率效率，因此能够利用此来制造高品质的电子装置及电子设备。

附图说明

图1是示意性地示出根据一实现例的发光元件的结构的图。

图2及图3是分别示意性地示出作为根据一实现例的电子装置中的一个的发光装置的结构的图。

图4、图5、图6a、图6b及图6c是分别示意性地示出根据一实现例的电子设备的结构的图。

附图标记说明

10：发光元件 110：第一电极

130：中间层 150：第二电极

具体实施方式

所述发光元件可以包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极对向；以及中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间。

所述中间层可以包括空穴传输区域以及发光层，其中，所述空穴传输区域可以布置于所述第一电极与所述发光层之间。

所述空穴传输区域可以包括第一层，其中，所述第一层可以与所述发光层直接(directly)接触。

即，在所述发光元件中，第一电极、第一层、发光层及第二电极可以依次堆叠。

所述发光层可以包括第一主体以及第一发射体，其中，所述第一发射体可以发射具有第一发光光谱的第一光。

所述第一层可以包括第一物质。

所述第一物质的HOMO能级与所述第一主体的HOMO能级之差的绝对值可以是0eV至0.20eV、0eV至0.15eV、0eV至0.10eV、0.01eV至0.20eV、0.01eV至0.15eV、0.01eV至0.10eV、0.03eV至0.20eV、0.03eV至0.15eV或者0.03eV至0.10eV。

根据一实现例，所述第一物质的HOMO能级可以是-5.60eV至-4.80eV。例如，所述第一物质的HOMO能级可以是-5.40eV至-4.80eV、-5.20eV至-4.80eV、-5.00eV至-4.80eV、-5.60eV至-4.90eV、-5.40eV至-4.90eV、-5.20eV至-4.90eV或者-5.00eV至-4.90eV。

根据另一实现例，所述第一物质的空穴迁移率可以是6.80×10^-5cm²/Vs至1.85×10^-3cm²/Vs或者1.00×10^-4cm²/Vs至1.70×10^-3cm²/Vs。

本说明书中的第三物质、第二物质、第一物质、第一主体、缓冲层材料、电子传输层材料等的空穴迁移率以及电子迁移率分别利用“用空间电荷限制电流研究N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)联苯胺的空穴迁移率(Hole mobility of N,N'-bis(naphtanlen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine investigated by using space-charge-limitedcurrents)，应用物理快报('Appl.Phys.Lett.)90,203512(2007))”中记载的空间电荷限制电流(SCLC：Space-charge-limited current)方法进行了评价。

根据另一实现例，所述第一主体的HOMO能级可以是-5.10eV至-4.50eV。例如，所述第一主体的HOMO能级可以是-5.10eV至-4.60eV、-5.10eV至-4.70eV、-5.10eV至-4.80eV、-5.00eV至-4.50eV、-5.00eV至-4.60eV、-5.00eV至-4.70eV或者-5.00eV至-4.80eV。

根据又一实现例，所述第一主体的空穴迁移率可以是5.01×10^-5cm²/Vs至5.60×10^-3cm²/Vs或者2.00×10^-4cm²/Vs至3.00×10^-3cm²/Vs。

根据又一实现例，所述第一主体的LUMO能级可以是-2.20eV至-2.00eV或者-2.15eV至-2.00eV。

根据又一实现例，所述第一主体的电子迁移率可以是1.97×10^-7cm²/Vs至2.30×10^-4cm²/Vs或者3.00×10^-7cm²/Vs至1.00×10^-4cm²/Vs。

另外，所述第一发射体的HOMO能级的绝对值可以大于所述第一主体的HOMO能级的绝对值。

例如，所述第一发射体的HOMO能级与所述第一主体的HOMO能级之差的绝对值可以是0.01eV至1.00eV或者0.01eV至0.7eV。

在所述发光元件中，1)所述第一物质的HOMO能级与第一主体的HOMO能级之差的绝对值可以是0eV至0.20eV，2)所述第一发射体的HOMO能级的绝对值大于所述第一主体的HOMO能级的绝对值。由此，可以顺利地完成从第一电极到发光层的空穴注入，并且可以有效地在发光层中形成激子，从而能够提高所述发光元件的驱动电压特性以及功率效率特性。

根据另一实现例，所述空穴传输区域还可以包括第二层以及第三层，其中，所述第二层可以布置于所述第一电极与所述第一层之间，所述第三层可以布置于所述第一电极与所述第二层之间，所述第二层可以包括第二物质，所述第三层可以包括第三物质。即，所述发光元件还可以包括第二层以及第三层，并且可以具有第一电极、第三层、第二层、第一层及第二电极依次堆叠的结构。其中，所述第一物质、所述第二物质及所述第三物质中的每一个可以彼此不同。

所述发光元件可以满足如下条件：

第三物质的HOMO能级＞第二物质的HOMO能级＞第一物质的HOMO能级，或者

第三物质的HOMO能级＞第一物质的HOMO能级＞第二物质的HOMO能级。

根据一实现例，所述第二物质的HOMO能级可以是-5.40eV至-4.70eV。例如，所述第二物质的HOMO能级可以是-5.30eV至-4.70eV、-5.20eV至-4.70eV、-5.10eV至-4.70eV、-5.40eV至-4.80eV、-5.30eV至-4.80eV、-5.20eV至-4.80eV或者-5.10eV至-4.80eV。

根据另一实现例，所述第二物质的空穴迁移率可以是6.80×10^-5cm²/Vs至1.85×10^-3cm²/Vs或者1.00×10^-4cm²/Vs至3.00×10^-3cm²/Vs。

根据又一实现例，所述第二物质的LUMO能级可以是-1.70eV至-0.90eV或者-1.51eV至-1.01eV。

根据又一实现例，所述第三物质的HOMO能级可以是-5.25eV至-4.50eV。例如，所述第三物质的HOMO能级可以是-5.15eV至-4.50eV、-5.05eV至-4.50eV、-4.95eV至-4.50eV、-4.85eV至-4.50eV、-4.75eV至-4.50eV、-5.25eV至-4.60eV、-5.15eV至-4.60eV、-5.05eV至-4.60eV、-4.95eV至-4.60eV、-4.85eV至-4.60eV或者-4.75eV至-4.60eV。

根据又一实现例，所述第三物质的空穴迁移率可以是6.20×10^-5cm²/Vs至1.25×10^-3cm²/Vs或者7.00×10^-4cm²/Vs至8.00×10^-4cm²/Vs。

根据又一实现例，所述第三物质的LUMO能级可以是-1.30eV至-0.90eV或者-1.28eV至-1.03eV。

根据又一实现例，所述第三物质的HOMO能级与所述第二物质的HOMO能级之差的绝对值可以是0.10eV至0.70eV或者0.137eV至0.686eV。

根据又一实现例，所述第二物质的HOMO能级与所述第一物质的HOMO能级之差的绝对值可以是0.40eV至0.70eV或者0.412eV至0.686eV。

在本说明书中，HOMO能级可以是通过循环伏安法(CV：Cyclic voltammetry)测量的负值。例如，所述HOMO能级的测量方法的一示例可以参照下述评价例1。

如上所述，包括第一层且选择性地包括第二层和/或第三层的空穴传输区域还可以包括p-掺杂剂。针对所述p-掺杂剂的说明参照后述的内容。

所述发光层中的第一发射体的HOMO能级可以是-5.50eV至-4.00eV。例如，所述第一发射体的HOMO能级可以是-5.50eV至-4.80eV、-5.45eV至-4.80eV、-5.50eV至-4.85eV、-5.45eV至-4.85eV、-5.50eV至-4.90eV或者-5.45eV至-4.90eV。

作为另一示例，所述发光层中的第一发射体的LUMO能级可以是-2.40eV至-2.00eV或者-2.20eV至-2.00eV。

所述第一发射体的三重态(T₁)能级可以是2.10eV至2.60eV或者2.20eV至2.50eV。

例如，所述第一发射体的三重态能级的评价方法参照本申请的评价例1。

所述第一光的发光峰值波长(最大发光波长或最大发光峰值波长)可以是510nm至610nm。

例如，所述第一光的发光峰值波长可以是510nm至565nm、510nm至560nm、510nm至555nm、510nm至550nm、510nm至545nm、510nm至540nm、515nm至570nm、515nm至565nm、515nm至560nm、515nm至555nm、515nm至550nm、515nm至545nm、515nm至540nm、520nm至570nm、520nm至565nm、520nm至560nm、520nm至555nm、520nm至550nm、520nm至545nm、520nm至540nm、525nm至570nm、525nm至565nm、525nm至560nm、525nm至555nm、525nm至550nm、525nm至545nm或者525nm至540nm。

所述第一光的半峰全宽(FWHM)可以是15nm至85nm。

例如，所述第一光的半峰全宽可以是20nm至85nm、25nm至85nm、30nm至85nm、35nm至85nm、40nm至85nm、45nm至85nm、50nm至85nm、15nm至80nm、20nm至80nm、25nm至80nm、30nm至80nm、35nm至80nm、40nm至80nm、45nm至80nm、50nm至80nm、15nm至75nm、20nm至75nm、25nm至75nm、30nm至75nm、35nm至75nm、40nm至75nm、45nm至75nm、50nm至75nm、15nm至70nm、20nm至70nm、25nm至70nm、30nm至70nm、35nm至70nm、40nm至70nm、45nm至70nm、50nm至70nm、15nm至65nm、20nm至65nm、25nm至65nm、30nm至65nm、35nm至65nm、40nm至65nm、45nm至65nm、50nm至65nm、15nm至60nm、20nm至60nm、25nm至60nm、30nm至60nm、35nm至60nm、40nm至60nm、45nm至60nm或者50nm至60nm。

本说明书中记载的第一光的发光峰值波长(或者，最大发光波长)以及半峰全宽可以是借由针对包括所述第一发射体的膜的发光光谱而进行评价的(例如，参照评价例2)。在本说明书中，发光峰值波长指的是发光光谱或电致发光光谱中具有最大发光强度的峰值波长。

所述第一光可以是绿色光。

所述第一发射体可以是含过渡金属的有机金属化合物。

所述第一发射体可以是含铂有机金属化合物。其中，所述第一发射体可以是中性(neutral)，可以包括一个铂，并且可以不包括除了铂之外的其他过渡金属。

所述含铂有机金属化合物的三重态金属-配体电荷转移态(³MLCT：tripletmetal-to-ligand charge transfer state)可以是7％以上。

例如，所述含铂有机金属化合物的三重态金属-配体电荷转移态可以是7％至30％、7％至25％、7％至20％、7％至18％、7％至16％、8％至30％、8％至25％、8％至20％、8％至18％、8％至16％、9％至30％、9％至25％、9％至20％、9％至18％或者9％至16％。

根据另一实现例，除了所述铂之外，所述含铂有机金属化合物还可以包括与所述铂结合的第一配体。

根据又一实现例，所述含铂有机金属化合物可以满足下述<条件A>至<条件C>中的至少一个。

<条件A>

所述第一配体为四齿(tetradentate)配体，

通过所述铂与所述第一配体之间的化学键形成的环金属化环(cyclometallatedring)为三个。

<条件B>

所述第一配体的碳、氮及氧中的每一个与所述铂彼此化学结合。

<条件C>

所述第一配体包括咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团或其任意组合。

根据又一实现例，所述含铂有机金属化合物可以将所述<条件A>至<条件C>全部满足。

针对所述含铂有机金属化合物的更加详细的说明参照本说明书中记载的内容。

根据又一实现例，所述第一发射体可以是含铱有机金属化合物。其中，所述第一发射体可以是中性(neutral)，可以包括一个铱，并且可以不包括除了铱之外的其他过渡金属。

例如，所述含铱有机金属化合物可以包括与所述铱结合的第一配体、第二配体及第三配体。其中，所述第一配体可以是包括含Y₁的环B₁以及含Y₂的环B₂的双齿(bidentate)配体，所述第二配体可以是包括含Y₃的环B₃以及含Y₄的环B₄的双齿(bidentate)配体，所述第三配体可以是包括含Y₅的环B₅以及含Y₆的环B₆的双齿(bidentate)配体，所述Y₁、所述Y₃及所述Y₅可以分别为氮(N)，所述Y₂、所述Y₄及所述Y₆可以分别为碳(C)。

根据又一实现例，所述含Y₂的环B₂与含Y₄的环B₄可以彼此不同。

根据又一实现例，所述含Y₂的环B₂可以是多环基团。例如，所述含Y₂的环B₂可以是由三个以上的单环基团(例如，三个至十五个单环基团)彼此缩合的多环基团。例如，所述单环基团可以是呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或者哒嗪基团。或者，所述含Y₂的环B₂可以是如上所述的单环基团。

根据又一实现例，所述含Y₂的环B₂可以是一个五元单环基团(5-memberedmonocyclic group)(例如，呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团等)与至少两个六元单环基团(例如，苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团等)彼此缩合的多环基团。

根据又一实现例，所述含Y₄的环B₄可以是单环基团。例如，所述含Y₄的环B₄可以是六元单环基团(例如，苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团等)。

根据又一实现例，所述含Y₄的环B₄可以是萘基团、菲基团或者蒽基团。

根据又一实现例，所述含铱有机金属化合物可以是均配物(homoleptic)络合物。例如，所述第一配体、第二配体及第三配体中的每一个可以彼此不同。

根据又一实现例，所述含铱有机金属化合物可以是杂配物(heteroleptic)络合物。

根据又一实现例，所述第三配体可以与所述第二配体相同。

根据又一实现例，所述第三配体可以与所述第一配体相同。

根据又一实现例，所述第三配体可以与所述第一配体及所述第二配体中的每一个彼此不同。

针对所述含铱有机金属化合物的详细说明参照本说明书中记载的内容。

根据又一实现例，所述第一发射体可以包括至少一个氘。

根据又一实现例，所述第一主体可以包括至少一个氘。

根据又一实现例，所述第一主体可以包括螺[芴-9,9'-呫吨](spiro[fluorene-9,9'-xanthene])基团、螺[芴-9,9'-噻吨](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene])基团、吩噁嗪(phenoxazine)基团、吩噻嗪(phenothiazine)基团、吲哚啉(indoline)基团、1,2,3,3a,4,8b-六氢环戊二烯并[b]吲哚(1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole)基团、2,3,4,4a,9,9a-六氢-1H-咔唑(2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole)基团、C₁-C₃₀烷氧基、二[(C₁-C₃₀烷氧基)苯基]氨基或其任意组合。

根据又一实现例，所述第一主体可以是电子传输性化合物、空穴传输性化合物、双极性(bipolar)化合物或其任意组合。所述第一主体可以不包括金属。所述电子传输性化合物、空穴传输性化合物及双极性化合物中的每一个彼此不同。

例如，所述电子传输性化合物可以包括至少一个贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团。例如，所述电子传输性化合物可以包括吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或其任意组合。

根据又一实现例，所述第一主体可以是所述电子传输性化合物，或者包括所述电子传输性化合物，其中，所述电子传输性化合物可以包括：

i)至少一个贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团；以及

ii)螺[芴-9,9'-呫吨](spiro[fluorene-9,9'-xanthene])基团、螺[芴-9,9'-噻吨](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene])基团、吩噁嗪(phenoxazine)基团、吩噻嗪(phenothiazine)基团、C₁-C₃₀烷氧基或其任意组合。

例如，所述第一主体(或者，所述电子传输性化合物)可以包括：

i)嘧啶基团、吡嗪基团、吡啶基团、三嗪基团或其任意组合；以及

ii)螺[芴-9,9'-呫吨]基团、螺[芴-9,9'-噻吨]基团、吩噁嗪基团、吩噻嗪基团、吲哚啉基团、1,2,3,3a,4,8b-六氢环戊二烯并[b]吲哚(1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole)基团、2,3,4,4a,9,9a-六氢-1H-咔唑(2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole)基团、咔唑基团、被二[(C₁-C₃₀烷氧基)苯基]氨基取代的咔唑基团或其任意组合。

作为又一示例，由于所述空穴传输性化合物包括至少一个富π电子的C₃-C₆₀环基团(πelectron-rich C₃-C₆₀ cyclic group)、吡啶基团或其任意组合，因此可以不包括电子传输性基团(例如，除了吡啶基团之外的贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团、氰基、亚砜基团、氧化膦基团等)。

根据一实现例，在所述空穴传输性化合物中，可以排除下述化合物。

例如，所述第一主体可以是所述空穴传输性化合物，或者可以包括所述空穴传输性化合物，其中，所述空穴传输性化合物可以包括：

i)至少一个贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(例如，蒽基团、菲基团、芘基团、苯并[9,10]菲基团或其任意组合)；以及

ii)吩噁嗪基团、吩噻嗪基团、吲哚啉基团、1,2,3,3a,4,8b-六氢环戊二烯并吲哚(1,2,3,3a,4,8b-hexahydrocyclopenta[b]indole)基团、2,3,4,4A,9,9A-六氢-1H-咔唑(2,3,4,4a,9,9a-hexahydro-1H-carbazole)基团、咔唑基团、二[(C1-C30烷氧基)苯基]氨基、吡啶基团或其任意组合。

根据一实现例，所述电子传输性化合物可以包括由下述化学式2-1表示的化合物。

<化学式2-1>

在所述化学式2-1中，

L₅₁至L₅₃彼此独立地为单键、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

b51至b53彼此独立地为1至5的整数中的一个，

X₅₄为N或C(R₅₄)，X₅₅为N或C(R₅₅)，X₅₆为N或C(R₅₆)，X₅₄至X₅₆中的至少两个为N，

关于R₅₁至R₅₆及R_10a中的每一个的说明参照本说明书中记载的内容。

例如，所述R₅₁至R₅₃中的至少一个可以是螺[芴-9,9'-呫吨](spiro[fluorene-9,9'-xanthene])基团、螺[芴-9,9'-噻吨](spiro[fluorene-9,9'-thioxanthene])基团、吩噁嗪(phenoxazine)基团、吩噻嗪(phenothiazine)基团，或者可以是-N(Q₁)(Q₂)(其中，Q₁及Q₂彼此独立地为被至少一个C₁-C₃₀烷氧基取代的C₆-C₂₀芳基(例如，被至少一个C₁-C₃₀烷氧基取代的苯基))。

根据另一实现例，所述空穴传输性化合物可以包括由下述化学式3-1表示的化合物、由下述化学式3-2表示的化合物、由下述化学式3-3表示的化合物、由下述化学式3-4表示的化合物、由下述化学式3-5表示的化合物、由下述化学式3-6表示的化合物或其任意组合。

<化学式3-1>

<化学式3-2>

<化学式3-3>

<化学式3-4>

<化学式3-5>

<化学式3-6>

在所述化学式3-1至化学式3-6中，

环CY₇₁至环CY₇₄彼此独立地为富π电子的C₃-C₆₀环基团(例如，苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团等)或者吡啶基团，

X₈₂为单键、O、S、N-[(L₈₂)_b82-R₈₂]、C(R_82a)(R_82b)或者Si(R_82a)(R_82b)，

X₈₃为单键、O、S、N-[(L₈₃)_b83-R₈₃]、C(R_83a)(R_83b)或者Si(R_83a)(R_83b)，

X₈₄为O、S、N-[(L₈₄)_b84-R₈₄]、C(R_84a)(R_84b)或者Si(R_84a)(R_84b)，

X₈₅为C或者Si，

L₈₁至L₈₅彼此独立地为单键、*-C(Q₄)(Q₅)-*'、*-Si(Q₄)(Q₅)-*'、被至少一个R_10a取代或未被取代的富π电子的C₃-C₆₀环基团(例如，被至少一个R_10a取代或未被取代的苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团等)或者被至少一个R_10a取代或未被取代的吡啶基团，关于所述Q₄至Q₅的说明分别参照本说明书中对Q₁的说明。

b81至b85彼此独立地为1至5中的整数中的一个，

关于R₇₁至R₇₆、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a及R_84b中的每一个的说明参照本说明书中记载的内容，

a71至a74彼此独立地为0至20的整数中的一个，

a75及a76彼此独立地为0至4的整数中的一个，

关于所述R_10a的说明参照本说明书中记载的内容。

根据一实现例，所述空穴传输性化合物可以是由所述化学式3-1表示的化合物或者由所述化学式3-6表示的化合物。在所述化学式3-1至化学式3-6中，L₈₁可以是被至少一个R_10a取代或未被取代的富π电子的C₃-C₆₀环基团(例如，被至少一个R_10a取代或未被取代的苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团等)，a81可以是1或2，环CY₇₁及环CY₇₃可以彼此独立地为环戊烷基团或环己烷基团，环CY₇₂及环CY₇₄可以分别为苯基团。

除了如上所述的第一发射体及第一主体之外，所述发光层还可以包括辅助掺杂剂、光敏剂、延迟荧光物质或其任意组合。所述辅助掺杂剂、光敏剂、延迟荧光物质或其任意组合中的每一个可以包括至少一个氘。

在本说明书中，“中间层”是指在所述发光元件中布置在第一电极与第二电极之间的单一层和/或多个层中的所有层的术语。

根据又一方面，提供一种包括如上所述的发光元件的电子装置。所述电子装置还可以包括薄膜晶体管。例如，所述电子装置还可以包括包含源极电极和漏极电极的薄膜晶体管，所述发光元件的第一电极可以与所述源极电极或漏极电极电连接。另外，所述电子装置还可以包括滤色器、颜色变换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。关于所述电子装置的更加详细的说明参照本说明书中记载的内容。

根据又一方面，提供一种包括如上所述的发光元件的电子设备。通过采用配备如本说明书中记载的内容的发光层及第一层的发光元件，从而能够改善所述电子设备的显示品质、耗电、耐久性等。

例如，包括所述发光元件的电子设备可以是平面面板显示器、曲面显示器、计算机显示器、医疗用显示器、电视、广告板、室内照明、室外照明、信号用灯、平视显示器、完全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲(rollable)显示器、可折叠(foldable)显示器、可拉伸(stretchable)显示器、激光打印机、电话、便携电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴式设备、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括一同拼接(tiled)的多重显示器的视频墙、剧场屏幕、运动场屏幕、光疗设备以及牌匾中的一种。

关于化学式的说明

例如，所述含铂有机金属化合物可以是由下述化学式10表示的有机金属化合物。

<化学式10>

在化学式10中，

M为铂(Pt)，

X₁至X₄彼此独立地为N或C，

T₁₁至T₁₄彼此独立地为化学键、O、S、B(R')、N(R')、P(R')、C(R')(R”)、Si(R')(R”)、Ge(R')(R”)、C(＝O)、B(R')(R”)、N(R')(R”)或者P(R')(R”)，

在T₁₁为化学键的情况下，X₁与M直接(directly)结合，在T₁₂为化学键的情况下，X₂与M直接结合，在T₁₃为化学键的情况下，X₃与M直接结合，在T₁₄为化学键的情况下，X₄与M直接结合，

X₁或T₁₁与M之间的化学键、X₂或T₁₂与M之间的化学键、X₃或T₁₃与M之间的化学键及X₄或T₁₄与M之间的化学键中的两个化学键为配位键，其余的两个化学键为共价键，

T₁为单键、双键、*-N(R₅)-*'、*-B(R₅)-*'、*-P(R₅)-*'、*-C(R_5a)(R_5b)-*'、*-Si(R_5a)(R_5b)-*'、*-Ge(R_5a)(R_5b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(R₅)＝*'、*＝C(R₅)-*'、*-C(R_5a)＝C(R_5b)-*'、*-C(＝S)-*'或者*-C≡C-*'，

T₂为单键、双键、*-N(R₆)-*'、*-B(R₆)-*'、*-P(R₆)-*'、*-C(R_6a)(R_6b)-*'、*-Si(R_6a)(R_6b)-*'、*-Ge(R_6a)(R_6b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(R₆)＝*'、*＝C(R₆)-*'、*-C(R_6a)＝C(R_6b)-*'、*-C(＝S)-*'或者*-C≡C-*'，

T₃为单键、双键、*-N(R₇)-*'、*-B(R₇)-*'、*-P(R₇)-*'、*-C(R_7a)(R_7b)-*'、*-Si(R_7a)(R_7b)-*'、*-Ge(R_7a)(R_7b)-*'、*-S-*'、*-Se-*'、*-O-*'、*-C(＝O)-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'、*-C(R₇)＝*'、*＝C(R₇)-*'、*-C(R_7a)＝C(R_7b)-*'、*-C(＝S)-*'或者*-C≡C-*'，

环CY₁至环CY₄彼此独立地为C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'及R”彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀烯基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀炔基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₇-C₆₀芳烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或者-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1至a4彼此独立地为0至20的整数中的一个，

*及*'分别为与相邻原子的结合位，

i)a1个R₁中的两个基团，ii)a2个R₂中的两个基团，iii)a3个R₃中的两个基团，iv)a4个R₄中的两个基团，v)R_5a及R_5b，vi)R_6a及R_6b以及vii)R_7a及R_7b可以分别选择性地(optionally)通过单键、双键或第一连接基而彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

所述R_10a为，

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或者硝基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或者C₁-C₆₀烷氧基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或者C₂-C₆₀杂芳烷基；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或者-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

所述Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃及Q₃₁至Q₃₃可以彼此独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者可以是被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团。

根据一实现例，在所述化学式10中，

i)X₁及X₃可以是C，X₂及X₄可以是N，

ii)X₁及X₄可以是C，X₂及X₃可以是N，或者

iii)X₁、X₂及X₃可以是C，X₄可以是N。

根据另一实现例，在所述化学式10中，

T₁₁可以是O或S，

T₁₂至T₁₄中的每一个可以是化学键。

根据又一实现例，在所述化学式10中，

T₁₁可以是O或S，

T₁₂至T₁₄中的每一个可以是化学键，

i)T₁₁与M之间的化学键以及X₃与M之间的化学键可以分别为共价键，X₂与M之间的化学键以及X₄与M之间的化学键可以分别为配位键，或者ii)T₁₁与M之间的化学键以及X₄与M之间的化学键可以分别为共价键，X₂与M之间的化学键以及X₃与M之间的化学键可以分别为配位键。

根据又一实现例，所述化学式10中的T₁至T₃中的每一个可以是单键。

根据又一实现例，所述化学式10中的环CY₁可以是苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团或者二苯并噻咯基团。

根据又一实现例，所述化学式10中的环CY₂可以是咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团或者喹喔啉基团。

根据又一实现例，所述化学式10中的环CY₃可以是苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团或者氮杂二苯并噻咯基团。

根据又一实现例，所述化学式10中的环CY₄可以是苯基团、萘基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、咪唑基团、苯并咪唑基团或者萘并咪唑基团。

根据又一实现例，所述化学式10的环CY₂及环CY₄中的至少一个可以是咪唑基团、苯并咪唑基团或者萘并咪唑基团。

根据又一实现例，所述化学式10中的R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'及R”可以彼此独立地为，

氢、氘、-F或者氰基；

被氘、-F、氰基或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₂₀烷基或者C₃-C₁₀环烷基；或者

被氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基、氘化C₁-C₂₀烷基、氟化C₁-C₂₀烷基、苯基、氘化苯基、氟化苯基、(C₁-C₂₀烷基)苯基、联苯基、氘化联苯基、氟化联苯基、(C₁-C₂₀烷基)联苯基、或其任意组合取代或未被取代的苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基或者二苯并噻吩基(或者，噻吩基)。

在所述化学式10中，a1至a4可以分别表示R₁至R₄的数量，例如，可以彼此独立地为0、1、2、3、4、5或6。

根据又一实现例，在所述化学式10中，由表示的基团可以是由下述化学式CY1(1)至化学式CY1(16)中的一个表示的基团。

在所述化学式CY1(1)至化学式CY1(16)中，

关于X₁的说明参照本说明书中记载的内容，

关于R₁₁至R₁₄中的每一个的说明与本说明书中对R₁的说明相同，但是R₁₁至R₁₄中的每一个不是氢，

*为与化学式10中的T₁₁的结合位，

*'为与化学式10中的T₁的结合位。

根据又一实现例，在所述化学式10中，由表示的基团可以是由下述化学式CY2(1)至化学式CY2(21)中的一种表示的基团。

在所述化学式CY2(1)至化学式CY2(21)中，

关于X₂的说明参照本说明书中记载的内容，

X₂₉为O、S、N(R₂₉)、C(R_29a)(R_29b)或者Si(R_29a)(R_29b)，

关于R₂₁至R₂₄、R₂₉、R_29a及R_29b中的每一个的说明与本说明书中对R₂的说明相同，但是R₂₁至R₂₄中的每一个不是氢，

*为与化学式10中的T₁₂的结合位，

*'为与化学式10中的T₁的结合位，

*”为与化学式10中的T₂的结合位。

所述化学式CY2(1)至化学式CY2(4)属于X₂为氮的由表示的基团，所述化学式CY2(5)至化学式CY2(13)属于X₂为碳(例如，碳烯(carbene)部分的碳)的由表示的基团。

根据又一实现例，在所述化学式10中，由表示的基团可以是由下述化学式CY3(1)至化学式CY3(12)中的一种表示的基团。

在所述化学式CY3(1)至化学式CY3(21)中，

关于X₃的说明参照本说明书中记载的内容，

X₃₉为O、S、N(R₃₉)、C(R_39a)(R_39b)或者Si(R_39a)(R_39b)，

关于R₃₁至R₃₃、R₃₉、R_39a及R_39b中的每一个的说明与本说明书中对R₃的说明相同，但是R₃₁至R₃₃中的每一个不是氢，

*为与化学式10中的T₁₃的结合位，

*'为与化学式10中的T₃的结合位，

*”为与化学式10中的T₂的结合位。

根据又一实现例，在所述化学式10中，由表示的基团可以是由下述化学式CY4(1)至化学式CY4(27)中的一种表示的基团。

在所述化学式CY4(1)至化学式CY4(27)中，

关于X₄的说明参照本说明书中记载的内容，

X₄₉为O、S、N(R₄₉)、C(R_49a)(R_49b)或者Si(R_49a)(R_49b)，

关于R₄₁至R₄₄、R₄₉、R_49a及R_49b中的每一个的说明与本说明书中对R₄的说明相同，但是R₄₁至R₄₄中的每一个不是氢，

*为与化学式10中的T₁₄的结合位，

*'为与化学式10中的T₃的结合位。

另外，所述含铱有机金属化合物可以是由下述化学式1表示的有机金属化合物。

<化学式1>

Ir(L₁)(L₂)(L₃)

在所述化学式1中，

L₁为与所述化学式1的Ir结合且由下述化学式1-1表示的第一配体，

L₂为与所述化学式1的Ir结合且由下述化学式1-2表示的第二配体，

L₃为与所述化学式1的Ir结合且由下述化学式1-3表示的第三配体。

在化学式1-1至化学式1-3中，

Y₁、Y₃及Y₅分别为氮(N)，

Y₂、Y₄及Y₆分别为碳(C)，

环B₁至环B₆彼此独立地为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

W₁至W₆彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀烯基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀炔基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₇-C₆₀芳烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或者-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

b1至b6彼此独立地为0至20的整数中的一个，

化学式1-1至化学式1-3的*及*'分别为与化学式1中的Ir的结合位，

i)b1个W₁中的两个基团，ii)b2个W₂中的两个基团，iii)b3个W₃中的两个基团，iv)b4个W₄中的两个基团，v)b5个W₅中的两个基团以及vi)b6个W₆中的两个基团可以分别选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

关于所述R_10a的说明与本说明书中记载的内容相同。

根据一实现例，由所述化学式1表示的有机金属化合物可以是杂配物络合物。

根据另一实现例，在所述化学式1中，

i)L₃可以与L₂相同，或者

ii)L₃可以与L₁相同，或者

iii)L₃可以分别与L₁及L₂彼此不同，或者

iv)L₁、L₂及L₃中的每一个可以全部彼此相同。

根据另一实现例，所述环B₁、环B₃及环B₅可以彼此独立地为，

吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团；或者

环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷(norbornane)基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团或其任意组合缩合的吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或者三嗪基团。

根据又一实现例，所述环B₁、环B₃及环B₅中的每一个可以是吡啶基团。

根据又一实现例，所述环B₂、环B₄及环B₆可以彼此独立地为，

苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或者哒嗪基团；或者

环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷(norbornane)基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团或其任意组合缩合的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或者哒嗪基团。

根据又一实现例，所述环B₂可以是环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷(norbornane)基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团或其任意组合缩合的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或者哒嗪基团。

根据又一实现例，所述环B₂可以是由呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团及噻咯基团中的一个；以及苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团及哒嗪基团中的至少两个彼此缩合的多环基团。

根据又一实现例，所述环B₂可以是二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、萘并苯并呋喃基团、萘并苯并噻吩基团、萘并苯并硒吩基团、苯并咔唑基团、苯并芴基团、苯并二苯并噻咯基团、二萘并呋喃基团、二萘并噻吩基团、二萘并硒吩基团、二苯并咔唑基团、二苯并芴基团、二萘并噻咯基团、菲并苯并呋喃基团、菲并苯并噻吩基团、菲并苯并硒吩基团、萘并咔唑基团、萘并芴基团、菲并苯并噻咯基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂萘并苯并呋喃基团、氮杂萘并苯并噻吩基团、氮杂萘并苯并硒吩基团、氮杂苯并咔唑基团、氮杂苯并芴基团、氮杂苯并二苯并噻咯基团、氮杂二萘并呋喃基团、氮杂二萘并噻吩基团、氮杂二萘并硒吩基团、氮杂二苯并咔唑基团、氮杂二苯并芴基团、氮杂二萘并噻咯基团、氮杂菲并苯并呋喃基团、氮杂菲并苯并噻吩基团、氮杂菲并苯并硒吩基团、氮杂萘并咔唑基团、氮杂萘并芴基团或者氮杂菲并苯并噻咯基团。

根据又一实现例，所述环B₂可以是二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、萘并苯并呋喃基团、萘并苯并噻吩基团、萘并苯并硒吩基团、二萘并呋喃基团、二萘并噻吩基团、二萘并硒吩基团、菲并苯并呋喃基团、菲并苯并噻吩基团、菲并苯并硒吩基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂萘并苯并呋喃基团、氮杂萘并苯并噻吩基团、氮杂萘并苯并硒吩基团、氮杂二萘并呋喃基团、氮杂二萘并噻吩基团、氮杂二萘并硒吩基团、氮杂菲并苯并呋喃基团、氮杂菲并苯并噻吩基团或者氮杂菲并苯并硒吩基团。

根据又一实现例，所述环B₄可以是苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或者哒嗪基团。

根据又一实现例，所述环B₆可以是苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒吩基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、萘并苯并呋喃基团、萘并苯并噻吩基团、萘并苯并硒吩基团、苯并咔唑基团、苯并芴基团、苯并二苯并噻咯基团、二萘并呋喃基团、二萘并噻吩基团、二萘并硒吩基团、二苯并咔唑基团、二苯并芴基团、二萘并噻咯基团、菲并苯并呋喃基团、菲并苯并噻吩基团、菲并苯并硒吩基团、萘并咔唑基团、萘并芴基团、菲并苯并噻咯基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒吩基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂萘并苯并呋喃基团、氮杂萘并苯并噻吩基团、氮杂萘并苯并硒吩基团、氮杂苯并咔唑基团、氮杂苯并芴基团、氮杂苯并二苯并噻咯基团、氮杂二萘并呋喃基团、氮杂二萘并噻吩基团、氮杂二萘并硒吩基团、氮杂二苯并咔唑基团、氮杂二苯并芴基团、氮杂二萘并噻咯基团、氮杂菲并苯并呋喃基团、氮杂菲并苯并噻吩基团、氮杂菲并苯并硒吩基团、氮杂萘并咔唑基团、氮杂萘并芴基团或者氮杂菲并苯并噻咯基团。

根据又一实现例，所述化学式1-1的含Y₂的环B₂与所述化学式1-2的含Y₄的环B₄可以彼此不同。

根据又一实现例，在所述化学式1中，W₁至W₆可以彼此独立地为，

氢、氘、-F或者氰基；

被氘、-F、氰基或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₂₀烷基或者C₃-C₁₀环烷基；

被氘、-F、氰基、C₁-C₂₀烷基、氘化C₁-C₂₀烷基、氟化C₁-C₂₀烷基、苯基、氘化苯基、氟化苯基、(C₁-C₂₀烷基)苯基、联苯基、氘化联苯基、氟化联苯基、(C₁-C₂₀烷基)联苯基或其任意组合取代或未被取代的苯基、联苯基、萘基、二苯并呋喃基或者二苯并噻吩基(或者，噻吩基)；或者

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)。

其中，关于Q₁至Q₃中的每一个的说明参照本说明书中记载的内容。

根据又一实现例，所述W₁至W₆中的至少一个可以包括至少一个氘。

根据又一实现例，所述W₁至W₆中的至少一个可以是氘化C₁-C₂₀烷基或者氘化C₃-C₁₀环烷基。

在本说明书中，“联苯基”是指具有两个苯基团通过单键彼此连接的结构的一价取代基。

在本说明书中，C₃-C₁₀环烷基的示例可以包括环戊基、环己基、环庚基、金刚烷(admantanyl)基、降冰片烷(norbornanyl)基等。

在本说明书中，“氘化”既包括完全(fully)氘化，也包括部分(partially)氘化。

在本说明书中，“氟化”既包括完全(fully)氟化，也包括部分(partially)氟化。

在所述化学式1中，b1至b6中的每一个表示了W₁至W₆的数量，例如，可以彼此独立地为0、1、2、3或者4。在所述b1为2以上的情况下，两个以上的W₁可以彼此相同或不同，在所述b2为2以上的情况下，两个以上的W₂可以彼此相同或不同，在所述b3为2以上的情况下，两个以上的W₃可以彼此相同或不同，在所述b4为2以上的情况下，两个以上的W₄可以彼此相同或不同，在所述b5为2以上的情况下，两个以上的W₅可以彼此相同或不同，在所述b6为2以上的情况下，两个以上的W₆可以彼此相同或不同。

根据又一实现例，所述含铱有机金属化合物可以是由下述化学式1A表示的有机金属化合物或者由下述化学式1B表示的有机金属化合物。

<化学式1A>

<化学式1B>

根据又一实现例，所述含铱有机金属化合物可以是由下述化学式1A-1表示的有机金属化合物或者由下述化学式1B-1表示的有机金属化合物。

<化学式1A-1>

<化学式1B-1>

在所述化学式1A、化学式1B、化学式1A-1及化学式1B-1中，

n为1或2，

环B₂₁为C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

Y₁₁为C(W₁₁)或N，Y₁₂为C(W₁₂)或N，Y₁₃为C(W₁₃)或N，Y₁₄为C(W₁₄)或N，Y₂₁为C(W₂₁)或N，Y₂₂为C(W₂₂)或N，Y₂₃为C(W₂₃)或N，Y₂₄为C(W₂₄)或N，Y₂₅为C(W₂₅)或N，Y₂₆为C(W₂₆)或N，Y₃₁为C(W₃₁)或N，Y₃₂为C(W₃₂)或N，Y₃₃为C(W₃₃)或N，Y₃₄为C(W₃₄)或N，Y₄₁为C(W₄₁)或N，Y₄₂为C(W₄₂)或N，Y₄₃为C(W₄₃)或N，Y₄₄为C(W₄₄)或N，Y₅₁为C(W₅₁)或N，Y₅₂为C(W₅₂)或N，Y₅₃为C(W₅₃)或N，Y₅₄为C(W₅₄)或N，Y₆₁为C(W₆₁)或N，Y₆₂为C(W₆₂)或N，Y₆₃为C(W₆₃)或N，Y₆₄为C(W₆₄)或N，

Y₂₇为O、S、Se、N(W₂₇)、C(W_27a)(W_27b)或Si(W_27a)(W_27b)，

关于所述W₁₁至W₁₄中的每一个的说明参照本说明书中对W₁的说明，

关于所述W₂₁至W₂₇、W_27a及W_27b中的每一个的说明参照本说明书中对W₂的说明，

b23为0至20的整数中的一个，

关于所述W₃₁至W₃₄中的每一个的说明参照本说明书中对W₃的说明，

关于所述W₄₁至W₄₄中的每一个的说明参照本说明书中对W₄的说明，

关于所述W₅₁至W₅₄中的每一个的说明参照本说明书中对W₅的说明，

关于所述W₆₁至W₆₄中的每一个的说明参照本说明书中对W₆的说明，

W₁₁至W₁₄中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

W₂₁至W₂₇、W_27a及W_27b中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

W₃₁至W₃₄中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

W₄₁至W₄₄中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团。

W₅₁至W₅₄中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

W₆₁至W₆₄中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团。

由于所述化学式1A及化学式1A-1中的n为1或2，因此在所述化学式1A及化学式1A-1中，第三配体可以相当于与所述化学式1中的第二配体或第一配体相同的有机金属化合物。

由所述化学式1B或化学式1B-1表示的有机金属化合物是具有三个彼此不同的双齿配体的有机金属化合物，第三配体可以相当于分别与所述化学式1中的第一配体及第二配体彼此不同的化合物。

根据一实现例，所述化学式1A及化学式1B中的环B₂₁可以是苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、苯并喹喔啉基团或者苯并喹唑啉基团。

根据另一实现例，所述化学式1A及化学式1B中的环B₂₁可以是吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、苯并喹喔啉基团或者苯并喹唑啉基团。

根据又一实现例，所述化学式1A-1及化学式1B-1的Y₂₁至Y₂₆中的至少一个可以是N。

根据又一实现例，所述化学式1A-1及化学式1B-1的Y₂₃至Y₂₆中的至少一个可以是N。

根据又一实现例，所述化学式1A-1及化学式1B-1中的Y₂₆可以是N。

根据又一实现例，所述化学式1A-1及化学式1B-1中的Y₂₁至Y₂₅可以不是N，并且Y₂₆可以是N。

根据又一实现例，所述化学式1A、化学式1B、化学式1A-1及化学式1B-1中的Y₁₁至Y₁₄、Y₂₁、Y₂₂、Y₃₁至Y₃₄及Y₄₁至Y₄₄中的每一个可以不是N。

根据又一实现例，所述化学式1-1中的由表示的基团、所述化学式1-2中的由表示的基团、所述化学式1-3中的由表示的基团、所述化学式1A、化学式1B、化学式1A-1及化学式1B-1中的由表示的基团以及所述化学式1B及化学式1B-1中的由表示的基团可以彼此独立地为由下述化学式BN-1至化学式BN-16表示的基团中的一种。

在所述化学式BN-1至化学式BN-16中，

关于W₇₁至W₇₄中的每一个的说明参照本说明书中对W₁、W₃或W₅的说明，但是W₇₁至W₇₄中的每一个不是氢，

*为与化学式1、化学式1A、化学式1B、化学式1A-1及化学式1B-1中的铱的结合位，

*”为与化学式1、化学式1A、化学式1B、化学式1A-1及化学式1B-1中的相邻原子的结合位。

根据又一实现例，所述化学式1-1中的由表示的基团、所述化学式1-2中的由表示的基团以及所述化学式1-3中的由表示的基团可以彼此独立地为由下述化学式BC-1至化学式BC-47表示的基团中的一种。

在化学式BC-1至化学式BC-47中，

Y₈₀为O、S、Se、N(W₈₀)、C(W_80a)(W_80b)或者Si(W_80a)(W_80b)，

关于W₈₀、W_80a及W_80b中的每一个的说明参照本说明书中对W₂、W₄或W₆的说明，

*'为与化学式1中的铱的结合位，

*”为与化学式1中的相邻原子的结合位。

所述化学式BC-1至化学式BC-47可以被如本说明书中记载的W₂、W₄或W₆取代或未被取代，并且这可以从化学式1-1、化学式1-2及化学式1-3的结构容易地理解。

根据又一实现例，所述化学式1-1中的由表示的基团可以是由所述化学式BC-6至化学式BC-47表示的基团中的一种。

根据又一实现例，所述化学式1-2中的由表示的基团可以是由所述化学式BC-1至化学式BC-5表示的基团中的一种。

所述化学式2-1中的b51至b53分别表示L₅₁至L₅₃的数量，可以是1至5的整数中的一个。在所述b51为2以上的情况下，两个以上的L₅₁可以彼此相同或不同，在所述b52为2以上的情况下，两个以上的L₅₂可以彼此相同或不同，在所述b53为2以上的情况下，两个以上的L₅₃可以彼此相同或不同。例如，所述b51至b53可以彼此独立地为1或2。

所述化学式2-1中的L₅₁至L₅₃可以彼此独立地为，

单键；或者

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、咔唑基、苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代或未被取代的苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、二苯并氧硅杂环己二烯基团、二苯并硫硅杂环己二烯基团、二苯并二氢氮硅杂环己二烯基团、二苯并二氢二硅杂环己二烯基团、二苯并二氢硅杂环己二烯基团、二苯并二噁烯基团、二苯并氧硫杂环己二烯基团、二苯并噁嗪基团、二苯并吡喃基团、二苯并二硫杂环己二烯基团、二苯并噻嗪基团、二苯并噻喃基团、二苯并环己二烯基团、二苯并二氢吡啶基团、二苯并二氢吡嗪基团、吲哚并咔唑基团、吲哚并二苯并呋喃基团或者吲哚并二苯并噻吩基团，

Q₃₁至Q₃₃可以彼此独立地为氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基。

所述化学式2-1中的X₅₄可以是N或C(R₅₄)，X₅₅可以是N或C(R₅₅)，X₅₆可以是N或C(R₅₆)，并且X₅₄至X₅₆中的至少两个可以是N。关于所述R₅₄至R₅₆的说明参照本说明书中记载的内容。例如，所述X₅₄至X₅₆中的两个或三个可以是N。

在本说明书中，R₅₁至R₅₆、R₇₁至R₇₆、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a及R_84b可以彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀烯基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀炔基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₆-C₆₀芳氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₆-C₆₀芳硫基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₇-C₆₀芳烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或者-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。关于所述Q₁至Q₃的说明分别参照本说明书中记载的内容。

例如，i)所述化学式10中的R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'及R”、ii)所述化学式1、化学式1A、化学式1B、化学式1A-1、化学式1B-1、化学式BN-1至化学式BN-16及化学式BC-1至化学式BC-47中的W₁至W₆、W₁₁至W₁₄、W₂₁至W₂₇、W_27a、W_27b、W₃₁至W₃₄、W₄₁至W₄₄、W₇₁至W₇₄、W₈₀、W_80a及W_80b、iii)化学式2-1以及化学式3-1至化学式3-6中的R₅₁至R₅₆、R₇₁至R₇₆、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a及R_84b以及iv)R_10a彼此独立地为，

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基或者C₁-C₂₀烷氧基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₁₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)、降冰片烯基(norborn enyl)、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₂₀烷基或者C₁-C₂₀烷氧基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)、降冰片烯基(norbornenyl)、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代或未被取代的环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)、降冰片烯基(norbornenyl)、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基或由化学式91表示的基团；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或者-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

Q₁至Q₃及Q₃₁至Q₃₃可以彼此独立地为，

-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或者-CD₂CDH₂；或者

被氘、C₁-C₁₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合取代或未被取代的正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基。

<化学式91>

在所述化学式91中，

环CY₉₁及环CY₉₂彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₅-C₃₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₃₀杂环基团，

X₉₁为单键、O、S、N(R₉₁)、B(R₉₁)、C(R_91a)(R_91b)或者Si(R_91a)(R_91b)，

关于R₉₁、R_91a及R_91b的说明分别参照本说明书中对R₈₂、R_82a及R_82b的说明，

关于R_10a的说明参照本说明书中记载的内容，

*为与相邻原子的结合位。但是，R_10a可以不是氢。

例如，在所述化学式91中，

环CY₉₁及环CY₉₂彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或者三嗪基团，

R₉₁、R_91a及R_91b可以彼此独立地为，

氢或C₁-C₁₀烷基；或者

被氘、C₁-C₁₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或其任意组合取代或未被取代的苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基。

根据又一实现例，i)所述化学式10中的R₁至R₇、R_5a、R_5b、R_6a、R_6b、R_7a、R_7b、R'及R”、ii)所述化学式1、化学式1A、化学式1B、化学式1A-1、化学式1B-1、化学式BN-1至化学式BN-16以及化学式BC-1至化学式BC-47中的W₁至W₆、W₁₁至W₁₄、W₂₁至W₂₇、W_27a、W_27b、W₃₁至W₃₄、W₄₁至W₄₄、W₇₁至W₇₄、W₈₀、W_80a及W_80b、iii)化学式2-1及化学式3-1至化学式3-6中的R₅₁至R₅₆、R₇₁至R₇₆、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a及R_84b以及iv)R_10a可以彼此独立地为氢、氘、-F、氰基、硝基、-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、由下述化学式9-1至化学式9-19中的一种表示的基团、由下述化学式10-1至化学式10-246中的一种表示的基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或者-P(＝O)(Q₁)(Q₂)(其中，关于Q₁至Q₃的说明参照本说明书中记载的内容)(但是，R_10a及W₇₁至W₇₄中的每一个不是氢)。

在所述化学式9-1至化学式9-19以及化学式10-1至化学式10-246中的*为与相邻原子的结合位，Ph为苯基，TMS为三甲基甲硅烷基。

所述化学式3-1至化学式3-5中的a71至a74分别表示R₇₁至R₇₄的数量，可以彼此独立地为0至20的整数中的一个。在所述a71为2以上的情况下，两个以上的R₇₁可以彼此相同或不同，在所述a72为2以上的情况下，两个以上的R₇₂可以彼此相同或不同，在所述a73为2以上的情况下，两个以上的R₇₃可以彼此相同或不同，在所述a74为2以上的情况下，两个以上的R₇₄可以彼此相同或不同。所述a71至a74可以彼此独立地为0至8的整数。所述化学式3-6中的a75及a76分别表示R₇₅及R₇₆的数量，并且彼此独立地为0至4的整数。

在所述化学式1中，i)b1个W₁中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，ii)b2个W₂中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，iii)b3个W₃中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，iv)b4个W₄中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，v)b5个W₅中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，vi)b6个W₆中的两个以上可以选择性地(optionally)彼此结合，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团。

另外，所述化学式3-1至化学式3-6中的L₈₁至L₈₅彼此独立地为，

单键；

*-C(Q₄)(Q₅)-*'或*-Si(Q₄)(Q₅)-*'；或者

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、芴基、二甲基芴基、二苯芴基、咔唑基、苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其任意组合取代或未被取代的苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团或者苯并噻二唑基团，

Q₄、Q₅、Q₃₁至Q₃₃可以彼此独立地为氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或者三嗪基。

化合物的具体例

根据一实现例，所述第一发射体可以是下述化合物GD01至化合物GD25中的一种。

根据另一实现例，所述第一主体可以是下述化合物Host1至化合物Host4中的一种。

根据又一实现例，所述第一物质可以是下述化合物GI01至化合物GI09中的一种。

[关于图1的说明]

图1示意性地示出根据本发明的一实现例的发光元件10的图。所述发光元件10包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。

以下，参照图1说明根据本发明的一实现例的发光元件10的结构和制造方法则如下。

[第一电极110]

在图1的第一电极110的下部或者第二电极150的上部可以额外布置有基板。可以使用玻璃基板或者塑料基板作为所述基板。或者，所述基板可以是柔性基板，例如，可以包括诸如聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：polyethyleneterephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphtalate)、聚芳酯(PAR：polyarylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)或其任意组合等具有优异的耐热性和耐久性的塑料。

所述第一电极110例如可以通过在所述基板上部利用沉积法或者溅射法等提供第一电极用物质而形成。在所述第一电极110为阳极的情况下，可以利用易于注入空穴的高功函数的物质作为第一电极用物质。

所述第一电极110可以是反射型电极、半透射型电极或者透射型电极。为了形成作为透射型电极的第一电极110，可以利用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其任意组合作为第一电极用物质。或者，为了形成作为半透射型电极或者反射型电极的第一电极110，可以利用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其任意组合作为第一电极用物质。

所述第一电极110可以具有由单一层构成(consist of)的单层结构或者具有包括多个层的多层结构。例如，所述第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[中间层130]

在所述第一电极110上部布置有中间层130。所述中间层130包括发光层。

所述中间层130还可以包括：空穴传输区域(hole transport region)，布置在所述第一电极110与所述发光层之间；以及电子传输区域(electron transport region)，布置在所述发光层与所述第二电极150之间。

除了各种有机物以外，所述中间层130还可以包括诸如有机金属化合物等的含金属化合物、诸如量子点等的无机物等。

另外，所述中间层130可以包括：i)依次堆叠在所述第一电极110与所述第二电极150之间的两个以上的发光单元(emitting unit)；以及ii)布置在相邻的两个发光单元之间的电荷生成层(charge generation layer)。在所述中间层130包括如上所述的发光单元以及电荷生成层的情况下，所述发光元件10可以是串式(tandem)发光元件。

[中间层130中的空穴传输区域]

所述空穴传输区域可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。

所述空穴传输区域可以包括如本说明书中记载的第一层。除了所述第一层之外，所述空穴传输区域还可以选择性地包括第二层及第三层中的至少一个。

在所述空穴传输区域包括第三层、第二层及第一层的情况下，所述第三层、第二层及第一层可以具有从所述第一电极110依次堆叠的结构。所述第一层与所述发光层直接(directly)接触。

除了所述第一层等之外，所述空穴传输区域还可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光辅助层、电子阻挡层或其任意组合。

所述空穴传输区域可以包括由下述化学式201表示的化合物、由下述化学式202表示的化合物或其任意组合(any combination thereof)。

<化学式201>

<化学式202>

在所述化学式201以及化学式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅为*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₂₀亚烷基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₂₀亚烯基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xa1至xa4彼此独立地为0至5的整数中的一个，

xa5是1至10的整数中的一个，

R₂₀₁至R₂₀₄及Q₂₀₁彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₅亚烷基或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₅亚烯基而彼此连接，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参照下述化合物HT16等)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以选择性地(optionally)通过单键、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₅亚烷基或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₂-C₅亚烯基彼此连接，从而形成被至少一个R_10a取代或未被取代的C₈-C₆₀多环基团，na1可以是1至4的整数中的一个。

例如，本说明书中记载的第一物质、第二物质及第三物质中的每一个可以是在由所述化学式201表示的化合物及由所述化学式202表示的化合物中满足如本说明书中记载的条件(例如，HOMO能级条件等)的化合物。

例如，所述化学式201及化学式202中的每一个可以包括由下述化学式CY201至化学式CY217表示的基团中的至少一种。

在所述化学式CY201至化学式CY217中，关于R_10b及R_10c的说明分别参照本说明书中对R_10a的说明，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄彼此独立地为C₃-C₂₀碳环基团或者C₁-C₂₀杂环基团，所述化学式CY201至化学式CY217中的至少一个氢可以被如本说明书中记载的R_10a取代或未被取代。

根据一实现例，所述化学式CY201至化学式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以彼此独立地为苯基团、萘基团、菲基团或者蒽基团。

根据另一实现例，所述化学式201和化学式202中的每一个可以包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团中的至少一个。

根据又一实现例，所述化学式201可以分别包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团中的至少一个以及由所述化学式CY204至所述化学式CY217表示的基团中的至少一个。

根据又一实现例，所述化学式201中的xa1可以是1，R₂₀₁可以是由所述化学式CY201至化学式CY203中的一个表示的基团，xa2可以是0，R₂₀₂可以是由所述化学式CY204至化学式CY207中的一个表示的基团。

根据又一实现例，所述化学式201和化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团。

根据又一实现例，所述化学式201及化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至化学式CY203表示的基团，并且可以包括由所述化学式CY204至化学式CY217表示的基团中的至少一个。

作为又一示例，所述化学式201及化学式202中的每一个可以不包括由所述化学式CY201至化学式CY217表示的基团。

所述空穴传输区域的厚度可以为约至约例如，可以为约至约其中，第三层的厚度可以为约至约第二层的厚度可以为约至约第一层的厚度可以为约至约在所述空穴传输区域、第三层、第二层及第一层的厚度满足如上所述的范围的情况下，可以在没有实质性的驱动电压上升的情况下获得令人满意的程度的空穴传输特性。

可以包含在所述空穴传输区域的化合物(例如，可以分别包含在第一层、第二层及第三层的化合物)的示例可以包括本说明书中记载的化合物HT01至化合物HT10、化合物G'01至化合物G'10、化合物GI01至化合物GI09等。

[p-掺杂剂]

所述空穴传输区域除了如上所述的物质外，为了提高导电性可以包括电荷生成物质。所述电荷生成物质可以均匀或者不均匀地分散(例如，由电荷生成物质构成(consistof)的单一层形态)在所述空穴传输区域内。

例如，所述电荷生成物质可以是p-掺杂剂。

例如，所述p-掺杂剂的LUMO能级可以是-3.5eV以下。

根据一实现例，所述p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或其任意组合。

所述醌衍生物的示例可以包括TCNQ、F4-TCNQ等。

所述含氰基化合物的示例可以包括HAT-CN(或者，HAT)、由下述化学

式221表示的化合物等。

<化学式221>

在所述化学式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

所述R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以彼此独立地为氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或其任意组合取代的C₁-C₂₀烷基；或者被上述物质的任意组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团。

在所述含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其组合，元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。

所述金属的示例可以包括碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、铕(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)等。

所述准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)、碲(Te)等。

所述非金属的示例可以包括氧(O)、卤素(例如，F、Cl、Br、I等)等。

例如，所述含元素EL1和元素EL2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物、金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物、准金属碘化物等)、金属碲化物或其任意组合。

所述金属氧化物的示例可以包括钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)、铼氧化物(例如，ReO₃等)等。

所述金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物、镧系金属卤化物等。

所述碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI、CsI等。

所述碱土金属卤化物的示例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂、BaI₂等。

所述过渡金属卤化物的示例可以包括钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)、金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)等。

所述后过渡金属卤化物的示例可以包括锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)、锡卤化物(例如，SnI₂等)等。

所述镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃等。

所述准金属卤化物的示例可以包括锑卤化物(例如，SbCl₅等)等。

所述金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)、镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)等。

[中间层130中的发光层]

在所述发光元件10为全颜色发光元件的情况下，发光层可以按照独立的子像素图案化为红色发光层、绿色发光层和/或蓝色发光层。或者，所述发光层可以具有红色发光层、绿色发光层以及蓝色发光层中的两个以上的层接触或者相隔而堆叠的结构，或者可以具有红色发光物质、绿色发光物质以及蓝色发光物质中的两种以上的物质以不区分层的方式混合的结构，从而发出白色光。

根据一实现例，除了如本说明书中记载的内容所示的第一发射体及第一主体之外，所述发光层还可以包括辅助掺杂剂、光敏剂、延迟荧光物质或其任意组合。

相对于100重量份的所述发光层，所述发光层中的所述第一发射体的含量可以是约0.01重量份至约15重量份。在所述第一发射体的含量满足如上所述的范围的情况下，可以在没有驱动电压的情况下实现优异的发光效率。

所述发光层的厚度可以是约至约例如，可以为约至约在所述发光层的厚度满足如前所述的范围的情况下，可以在没有实质性的驱动电压上升的情况下表现出优异的发光特性。

关于所述发光层中的第一发射体及第一主体中的每一个的说明参照本说明书中记载的内容。

[荧光掺杂剂]

除了如本说明书中记载的内容所述的第一发射体及第一主体之外，所述发光层还可以包括荧光掺杂剂。

所述荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物、苯乙烯基胺化合物、含硼化合物或其任意组合。

例如，所述荧光掺杂剂可以包括由下述化学式501表示的化合物。

<化学式501>

在所述化学式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁及R₅₀₂彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xd1至xd3彼此独立地为0、1、2或3，

xd4可以为1、2、3、4、5或6。

例如，在所述化学式501中，Ar₅₀₁可以包括三个以上的单环基团彼此缩合的缩合环基团(例如，蒽基团、基团、芘基团等)。

作为另一示例，所述化学式501中的xd4可以是2。

例如，所述荧光掺杂剂可以包括下述化合物FD1至化合物FD36中的一种、DPVBi、DPAVBi或其任意组合。

[延迟荧光物质]

除了第一发射体及第一主体之外，所述发光层还可以包括延迟荧光物质。

本说明书中的延迟荧光物质可以选自能够借由延迟荧光发出机制发出延迟荧光的任意化合物。

包括在所述发光层的延迟荧光物质可以根据包括在所述发光层的其他物质的种类而起到主体或者掺杂剂的作用。

根据一实现例，所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差异可以为0eV以上且0.5eV以下。通过使所述延迟荧光物质的三重态能级(eV)与所述延迟荧光物质的单重态能级(eV)之间的差异满足如上所述的范围，可以有效实现所述延迟荧光物质中从三重态状态到单重态状态的反向能级转移(up-conversion)，从而有效提高所述发光元件10的发光效率等。

例如，所述延迟荧光物质可以包括：i)包括至少一个电子给体(例如，如咔唑基团的富π电子的C₃-C₆₀环基团(πelectron-rich C₃-C₆₀ cyclic group)等)以及至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基团、贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(πelectron-deficientnitrogen-containing C₁-C₆₀ cyclic group)等)的物质；ii)在共用硼(B)的同时包括包括缩合的两个以上的环基团的C₈-C₆₀多环基团的物质等。

所述延迟荧光物质的示例可以包括下述化合物DF1至化合物DF14中的至少一种。

[中间层130中的电子传输区域]

所述电子传输区域可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consist of)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。

所述电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层、电子注入层或其任意组合。

例如，所述电子传输区域可以具有从发光层依次堆叠的电子传输层/电子注入层、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层、电子调节层/电子传输层/电子注入层或者缓冲层/电子传输层/电子注入层等的结构。

根据一实现例，所述电子传输区域可以包括缓冲层以及电子传输层，所述缓冲层可以布置在所述发光层与所述第二电极150之间，所述电子传输层可以布置在所述缓冲层与所述第二电极150之间。即，所述发光元件可以具有所述缓冲层及所述电子传输层从发光层依次堆叠的结构。

根据一实现例，包括在所述缓冲层的缓冲层材料的LUMO能级可以是-2.50eV至-2.10eV或者-2.40eV至-2.20eV。

根据另一实现例，包括在所述缓冲层的缓冲层材料的电子迁移率可以是4.38×10^-5cm²/Vs至7.00×10^-3cm²/Vs或者5.00×10^-4cm²/Vs至4.58×10^-4cm²/Vs。

根据又一实现例，包括在所述电子传输层的电子传输层材料的LUMO能级可以是-2.50eV至-2.10eV或者-2.40eV至-2.20eV。

根据又一实现例，包括在所述电子传输层的电子传输层材料的电子迁移率可以是6.95×10^-5cm²/Vs至1.39×10^-3cm²/Vs或者9.00×10^-4cm²/Vs至1.20×10^-3cm²/Vs。

根据又一实现例，所述缓冲层材料的LUMO能级的绝对值可以大于所述第一主体的LUMO能级的绝对值。

根据又一实现例，所述第一主体的LUMO能级与所述缓冲层材料的LUMO能级之差的绝对值可以是0eV至0.60eV或者0eV至0.54eV。

根据又一实现例，所述电子传输层材料的LUMO能级的绝对值可以大于所述缓冲层材料的LUMO能级的绝对值。

根据又一实现例，所述电子传输层材料的LUMO能级的绝对值可以小于所述缓冲层材料的LUMO能级的绝对值。

根据又一实现例，所述缓冲层材料的LUMO能级与所述电子传输层材料的LUMO能级之差的绝对值可以是0eV至0.30eV。

所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层或者电子传输层)可以包含包括至少一个贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C₁-C₆₀ cyclic group)的非含金属(metal-free)化合物。

例如，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601表示的化合物。

<化学式601>

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在所述化学式601中，

Ar₆₀₁及L₆₀₁彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团，

xe11为1、2或3，

xe1为0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁为被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或者-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

关于所述Q₆₀₁至Q₆₀₃的说明分别参照本说明书中对Q₁的说明，

xe21为1、2、3、4或5，

所述Ar₆₀₁、L₆₀₁及R₆₀₁中的至少一个可以彼此独立地为被至少一个R_10a取代或未被取代的贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(例如，被至少一个R_10a取代或未被取代的吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、噁二唑基团、噻二唑基团、咪唑基团、苯并咪唑基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团等)。

例如，在所述化学式601中的xe11为2以上的情况下，两个以上的Ar₆₀₁可以通过单键而彼此连接。

作为另一示例，所述化学式601中，Ar₆₀₁可以是被取代或未被取代的蒽基团。

根据一实现例，所述电子传输区域可以包括从发光层依次堆叠的缓冲层及电子传输层，所述缓冲层材料及所述电子传输层材料中的每一个可以是在由所述化学式601表示的化合物中满足如在本说明书中记载的内容所述的条件(例如，LUMO能级等)的化合物。

作为又一示例，所述电子传输区域可以包括由下述化学式601-1表示的化合物。

<化学式601-1>

在所述化学式601-1中，

X₆₁₄为N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅为N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆为N或C(R₆₁₆)，X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个是N，

关于L₆₁₁至L₆₁₃的说明分别参照对所述L₆₀₁的说明，

关于xe611至xe613的说明分别参照对所述xe1的说明，

关于R₆₁₁至R₆₁₃的说明分别参照对所述R₆₀₁的说明，

R₆₁₄至R₆₁₆可以彼此独立地为氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、被至少一个R_10a取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团或者被至少一个R_10a取代或未被取代的C₁-C₆₀杂环基团。

例如，所述化学式601及化学式601-1中的xe1以及xe611至xe613可以彼此独立地为0、1或2。

根据一实现例，所述电子传输区域可以包括缓冲层，所述缓冲层材料可以选自BF01至BF10。

根据另一实现例，所述电子传输区域可以包括电子传输层，所述电子传输层材料可以选自ET01至ET10。

所述电子传输区域的厚度可以为约至约例如，可以为约至约在所述电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层或其任意组合的情况下，所述缓冲层、空穴阻挡层或电子调节层的厚度中的每一个可以彼此独立地为约至约例如，可以为约至约所述电子传输层的厚度可以为约至约例如，可以为约至约在所述缓冲层、空穴阻挡层、电子调节层、电子传输层和/或电子传输区域的厚度满足如上所述的范围的情况下，可以在没有实质性的驱动电压上升的情况下获得令人满意的电子传输特性。

除了如上所述的物质之外，所述电子传输区域(例如，所述电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属物质。

所述含金属物质可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。所述碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或者Cs离子，所述碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或者Ba离子。与所述碱金属络合物和碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以彼此独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

例如，所述含金属物质可以包括Li络合物。所述Li络合物例如可以包括下述化合物ET-D1(LiQ)或化合物ET-D2。

所述电子传输区域可以包括使来自第二电极150的电子注入变得容易的电子注入层。所述电子注入层可以与所述第二电极150直接(directly)接触。

所述电子注入层可以具有：i)单层结构，由利用单一物质构成(consist of)的单一层构成(consist of)；ii)单层结构，由包括多个彼此不同的物质的单一层构成(consistof)；或者iii)多层结构，包括包含多个彼此不同的物质的多个层。

所述电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土类金属络合物或其任意组合。

所述碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其任意组合。所述碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其任意组合。所述稀土类金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其任意组合。

所述含碱金属化合物、含碱土金属化合物以及所述含稀土类金属化合物可以包括所述碱金属、所述碱土金属以及稀土类金属中的每一个的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物、碘化物等)、碲化物或其任意组合。

所述含碱金属化合物可以包括以下化合物或其任意组合：碱金属氧化物，诸如Li₂O、Cs₂O、K₂O等；碱金属卤化物，诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI、RbI等。所述含碱土金属化合物可以包括诸如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(x是满足0<x<1的实数)、Ba_xCa_1-xO(x是满足0<x<1的实数)等的碱土金属氧化物。所述含稀土类金属化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其任意组合。或者，所述含稀土类金属化合物可以包括镧系金属碲化物。所述镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃、Lu₂Te₃等。

所述碱金属络合物、碱土金属络合物以及稀土类金属络合物可以包括：i)如上所述的碱金属、碱土金属和稀土类金属的金属离子中的一个；以及ii)与所述金属离子结合的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其任意组合。

所述电子注入层可以仅由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土类金属络合物或其任意组合构成，或者还可以包括有机物(例如，由所述化学式601表示的化合物)。

根据一实现例，所述电子注入层可以i)由含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)构成(consist of)，或者ii)由a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；以及b)碱金属、碱土金属、稀土类金属或其任意组合构成。例如，所述电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。

在所述电子注入层还包括有机物的情况下，所述碱金属、碱土金属、稀土类金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土类金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土类金属络合物或其任意组合可以均匀地或非均匀地分散在包括所述有机物的基质。

所述电子注入层的厚度可以为约至约例如，可以为约至约在所述电子注入层的厚度满足前述范围的情况下，可以在没有实质性的驱动电压上升的情况下获得令人满意的电子注入特性。

[第二电极150]

在如上所述的中间层130上部布置有第二电极150。所述第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极(cathode)，此时，可以使用具有低的功函数的金属、合金、导电性化合物或其任意组合作为所述第二电极150用物质。

所述第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其任意组合。所述第二电极150可以为透射型电极、半透射型电极或者反射型电极。

所述第二电极150可以具有作为单一层的单层结构或者具有多个层的多层结构。

[覆盖层]

在第一电极110的外侧可以布置有第一覆盖层，和/或者在第二电极150外侧可以布置有第二覆盖层。具体地，所述发光元件10可以具有：第一覆盖层、第一电极110、中间层130以及第二电极150依次堆叠的结构；第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二覆盖层依次堆叠的结构；或者第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150以及第二覆盖层依次堆叠的结构。

发光元件10的中间层130中从发光层生成的光可以经过作为半透射型电极或者透射型电极的第一电极110以及第一覆盖层而被提取到外部，发光元件10的中间层130中从发光层生成的光可以经过作为半透射型电极或者透射型电极的第二电极150及第二覆盖层而被提取到外部。

所述第一覆盖层以及第二覆盖层可以根据相长干涉的原理而起到提高外部发光效率的作用。因此可以提高所述发光元件10的光提取效率，从而提高所述发光元件10的发光效率。

例如，所述第一覆盖层及第二覆盖层中的至少一个可以包括在589nm波长下具有1.6以上、1.8以上或者2.0以上的折射率的物质。

所述第一覆盖层和第二覆盖层可以彼此独立地为包括有机物的有机覆盖层、包括无机物的无机覆盖层或者包括有机物和无机物的有机无机复合覆盖层。

所述第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以彼此独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基团化合物、卟吩衍生物(porphine derivatives)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivatives)、萘酞菁衍生物(naphthalocyanine derivatives)、碱金属络合物、碱土金属络合物或其任意组合。所述碳环化合物、杂环化合物以及含胺基团化合物可以选择性地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或其任意组合的取代基取代。根据一实现例，所述第一覆盖层以及第二覆盖层中的至少一个可以彼此独立地包括含胺基团化合物。

例如，所述第一覆盖层及第二覆盖层中的至少一个可以彼此独立地包括由所述化学式201表示的化合物、由所述化学式202表示的化合物或其任何组合。

根据又一实现例，所述第一覆盖层及第二覆盖层中的至少一个可以彼此独立地包括所述化合物HT28至化合物HT33中的一种、下述化合物CP1至化合物CP8中的一种、β-NPB或其任意组合。

[电子装置]

所述发光元件可以包括于各种电子装置。例如，包括所述发光元件的电子装置可以是发光装置、认证装置等。

所述电子装置(例如，发光装置)除了所述发光元件以外还可以包括i)滤色器、ii)颜色变换层或者iii)滤色器和颜色变换层。所述滤色器和/或颜色变换层可以布置在从发光元件发出的光的至少一个行进方向上。例如，从所述发光元件发出的光可以是蓝色光、绿色光或者白色光。针对所述发光元件的说明参照上述内容。根据一实现例，所述颜色变换层可以包括量子点。

所述电子装置可以包括第一基板。所述第一基板可以包括多个子像素区域，所述滤色器可以包括与所述多个子像素区域中的每一个对应的多个滤色器区域，所述颜色变换层可以包括与所述多个子像素区域中的每一个对应的多个颜色变换区域。

像素定义膜布置在所述多个子像素区域之间而定义每个子像素区域。

所述滤色器还可以包括多个滤色器区域以及布置在多个滤色器区域之间的遮光图案，所述颜色变换层还可以包括多个颜色变换区域以及布置在多个颜色变换区域之间的遮光图案。

所述多个滤色器区域(或者多个颜色变换区域)包括：第一区域，发出第一色光；第二区域，发出第二色光；和/或第三区域，发出第三色光，其中，所述第一色光、所述第二色光和/或所述第三色光可以具有彼此不同的最大发光波长。例如，所述第一色光可以是红色光，所述第二色光可以是绿色光，所述第三色光可以是蓝色光。例如，所述多个滤色器区域(或者多个颜色变换区域)可以包括量子点。具体地，所述第一区域可以包括红色量子点，所述第二区域可以包括绿色量子点，所述第三区域可以不包括量子点。针对量子点的说明参照本说明书中记载的内容。所述第一区域、所述第二区域和/或所述第三区域分别还可以包括散射体。

例如，所述发光元件可以发出第一光，所述第一区域可以吸收所述第一光而发出第1-1色光，所述第二区域可以吸收所述第一光而发出第2-1色光，所述第三区域可以吸收所述第一光而发出第3-1色光。此时，所述第1-1色光、所述第2-1色光以及所述第3-1色光可以具有彼此不同的最大发光波长。具体地，所述第一光可以是蓝色光，所述第1-1色光可以是红色光，所述第2-1色光可以是绿色光，所述第3-1色光可以是蓝色光。

所述电子装置除了如上所述的发光元件以外还可以包括薄膜晶体管。所述薄膜晶体管可以包括源极电极、漏极电极以及活性层，所述源极电极和所述漏极电极中的任意一个可以电连接到所述发光元件的第一电极和第二电极中的任意一个。

所述薄膜晶体管还可以包括栅极电极、栅极绝缘膜等。

所述活性层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

所述电子装置还可以包括密封发光元件的密封部。所述密封部可以布置在所述滤色器和/或颜色变换层与所述发光元件之间。所述密封部使来自所述发光元件的光能够被提取到外部的同时阻断外部气体及水分渗透到所述发光元件。所述密封部可以是包括透明玻璃基板或者塑料基板的密封基板。所述密封部可以是包括一层以上的有机层和/或无机层的薄膜封装层。在所述密封部为薄膜封装层的情况下，所述电子装置可以是柔性的。

在所述密封部上，除了所述滤色器和/或颜色变换层以外，还可以根据所述电子装置的用途而额外布置有多种功能层。所述功能层的示例可以包括触摸屏层、偏振层等。所述触摸屏层可以是压敏式触摸屏层、电容式触摸屏层或者红外线式触摸屏层。所述认证装置例如可以是利用生物体(例如，指尖、瞳孔等)的生物体信息认证个人的生物体认证装置。

所述认证装置除了如上所述的发光元件以外还可以包括生物信息收集单元。

所述电子装置可以应用为各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动型个人计算机)、便携电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗设备(例如，电子体温计、血压计、血糖计、脉搏测量装置、脉动波测量装置、心电图显示设备、超声诊断装置、内视镜用显示装置)、鱼群探测器、各种测量设备、仪表类(例如，车辆、飞机、船舶的仪表类)、投影仪等。

[电子设备]

所述发光元件可以包括在各种电子设备中。

例如，包括所述发光元件的电子设备可以是平面面板显示器、曲面显示器、计算机显示器、医疗用显示器、电视、广告板、室内照明、室外照明、信号用灯、平视显示器、完全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲(rollable)显示器、可折叠(foldable)显示器、可拉伸(stretchable)显示器、激光打印机、电话、便携电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理(PDA)、可穿戴式设备、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括一同拼接(tiled)的多重显示器的视频墙、剧场屏幕、运动场屏幕、光疗设备以及牌匾中的一种。

由于所述发光元件具有优异的发光效率、长寿命效果等，因此包括所述发光元件的所述电子设备可以具有高亮度、高分辨率、低功耗等特性。

[针对图2及图3的说明]

图2是作为根据本发明的一实现例的电子装置中的一个的发光装置的剖面图。

图2的发光装置包括基板100、薄膜晶体管(TFT)、发光元件以及密封发光元件的封装部300。

所述基板100可以是柔性基板、玻璃基板或者金属基板。在所述基板100上可以布置有缓冲层210。所述缓冲层210可以防止杂质通过基板100渗透，并且可以起到在基板100的上部提供平坦的表面的作用。

在所述缓冲层210上可以布置有薄膜晶体管(TFT)。所述薄膜晶体管(TFT)可以包括活性层220、栅极电极240、源极电极260以及漏极电极270。

所述活性层220可以包括诸如硅或者多晶硅等的无机半导体、有机半导体或者氧化物半导体，并且包括源极区域、漏极区域以及沟道区域。

在所述活性层220的上部可以布置有用于使活性层220与栅极电极240绝缘的栅极绝缘膜230，在栅极绝缘膜230上部可以布置有栅极电极240。

在所述栅极电极240的上部可以布置有层间绝缘膜250。所述层间绝缘膜250布置在栅极电极240与源极电极260之间以及栅极电极240与漏极电极270之间，从而起到使它们绝缘的作用。

在所述层间绝缘膜250上可以布置有源极电极260和漏极电极270。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露活性层220的源极区域和漏极区域，并且源极电极260和漏极电极270可以布置为与这种活性层220的暴露的源极区域和漏极区域接触。

这种薄膜晶体管(TFT)可以电连接于发光元件而驱动发光元件，并且被钝化层280覆盖而受到保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上配备有发光元件。所述发光元件包括第一电极110、中间层130以及第二电极150。

所述第一电极110可以布置在钝化层280上。钝化层280可以布置为暴露漏极电极270的预定区域而不覆盖整个漏极电极270，并且第一电极110可以布置为与暴露的漏极电极270连接。

在所述第一电极110上可以布置有包括绝缘物的像素定义膜290。像素定义膜290可以暴露第一电极110的预定区域，在暴露的区域可以形成有中间层130。像素定义膜290可以是聚酰亚胺系或者聚丙烯酸系的有机膜。虽然未在图2示出，但中间层130中的一部分以上的层可以延伸到像素定义膜290的上部而布置为公共层的形态。

在所述中间层130上可以布置有第二电极150，并且在第二电极150上可以额外形成有第二覆盖层170。第二覆盖层170可以形成为覆盖第二电极150。

在所述第二覆盖层170上可以布置有封装部300。封装部300可以布置在发光元件上而起到使发光元件免受水分或者氧气的影响的作用。封装部300可以包括：无机膜，包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、铟锡氧化物、铟锌氧化物或其任意组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸系树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧系树脂(例如，脂肪烃缩水甘油醚(AGE：aliphatic glycidyl ether)等)或其任意组合；或者无机膜和有机膜的组合。

图3是作为根据本发明的另一实现例的电子装置中的一个的发光装置的剖面图。

除了在封装部300上部额外布置有遮光图案500以及功能性区域400这一点以外，图3的发光装置是与图2的发光装置相同的发光装置。所述功能性区域400可以是i)滤色器区域、ii)颜色变换区域、或者iii)滤色器区域和颜色变换区域的组合。根据一实现例，包括于图3的发光装置的发光元件可以是串式发光元件。

[针对图4的说明]

图4是示例性地示出包括根据本发明的一实现例的发光元件的电子设备1的立体图。所述电子设备1作为显示视频或静止图像的装置，不仅可是诸如移动电话(mobilephone)、智能电话(smart phone)、平板个人计算机(tablet personal computer)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP：portable multimedia player)或导航仪、超移动个人计算机(UMPC：Ultra Mobile PC)等的便携式电子设备，而且还可以是诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT：internet of things)装置等的各种产品或其一部分。并且，所述电子设备1可以是诸如智能手表(watch phone)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器及头戴式显示器(HMD：head mounted display)之类的可穿戴式装置(wearable device)或其一部分。当然，本发明并不限于此。例如，电子设备1可以是车辆的仪表板以及布置在车辆的中控台(center fascia)或仪表盘上的中央信息显示器(CID：Center Information Display)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器(room mirrordisplay)、布置在车辆的后座用娱乐位置或前座的背面上的显示器、安装在车辆前方或投影到前窗玻璃的平视显示器(HUD：Head Up Display)、全息增强现实平视显示器(CGH ARHUD：Computer Generated Hologram Augmented Reality Head Up Display)。为了便于描述，图4示出了所述电子设备1为智能电话的情况。

所述电子设备1可以包括显示区域DA和显示区域DA外侧的非显示区域NDA。显示装置可以通过二维地排列在显示区域DA的多个像素的阵列来实现图像。

非显示区域NDA作为不显示图像的区域，可以整体地包围显示区域DA。非显示区域NDA中可以布置有用于向布置在显示区域DA的显示元件提供电信号或电源的驱动器等。非显示区域NDA中可以布置有垫，该垫是电子元件或印刷电路板等能够被电连接的区域。

所述电子设备1在x轴方向上的长度与在y轴方向上的长度可以彼此不同。例如，如图4所示，在所述x轴方向上的长度可以短于在y轴方向上的长度。又例如，在所述x轴方向上的长度与在y轴方向上的长度可以相同。又例如，在所述x轴方向上的长度可以长于在y轴方向上的长度。

[针对图5和图6a至图6c的说明]

图5是示意性地示出作为包括根据本发明的一实现例的发光元件的电子设备的车辆1000的外部的图。图6a至图6c是示意性地示出根据本发明的各种实现例的车辆1000的内部的图。

参照图5、图6a、图6b以及图6c，车辆1000可以意味着诸如人、物体或动物等的将被运送体从始发地移动到目的地的各种装置。车辆1000可以包括在道路或轨道上行驶的车辆、在大海或江上移动的船舶以及利用空气的作用在天空中飞行的飞机等。

车辆1000可以在道路或轨道上行驶。车辆1000可以根据至少一个车轮的旋转而沿预定方向移动。例如，车辆1000可以包括三轮或四轮汽车、工程机械、两轮汽车、原动机装置、自行车以及在轨道上行驶的列车。

车辆1000可以包括具有内装件和外装件的车体(body)以及作为除了车体之外的剩余部分的设置行驶所需的机械装置的底盘(chassis)。车体的外装件可以包括设置在前面板、车盖、顶板、后面板、后备箱和门之间的边界的填充物。车辆1000的底盘可以包括动力发生装置、动力传递装置、行驶装置、转向装置、制动装置、悬架装置、变速装置、燃料装置、前后左右车轮等。

车辆1000可以包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、组合仪表1400、中控台1500、副驾驶席仪表盘1600以及显示装置2。

侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可以借由布置在侧窗玻璃1100与前窗玻璃1200之间的填充物而划分。

侧窗玻璃1100可以设置在车辆1000的侧面。在一实施例中，侧窗玻璃1100可以设置于车辆1000的门。侧窗玻璃1100可以配备为多个，并且侧窗玻璃1100可以彼此面对。在一实施例中，侧窗玻璃1100可以包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在一实施例中，第一侧窗玻璃1110可以相邻于组合仪表1400而布置。第二侧窗玻璃1120可以相邻于副驾驶席仪表盘1600而布置。

在一实施例中，侧窗玻璃1100可以在x轴方向或-x轴方向上彼此相隔。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可以在x轴方向或-x轴方向上彼此相隔。换句话说，连接侧窗玻璃1100的虚拟的直线L可以沿x轴方向或-x轴方向延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120彼此连接的虚拟的直线L可以沿x轴方向或-x轴方向延伸。

前窗玻璃1200可以设置在车辆1000的前方。前窗玻璃1200可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。

侧视镜1300可以提供车辆1000的后方的视野。侧视镜1300可以设置在车体的外装件。在一实现例中，侧视镜1300可以配备为多个。多个侧视镜1300中的任意一个可以布置在第一侧窗玻璃1110的外侧。多个侧视镜1300中的另一个可以布置在第二侧窗玻璃1120的外侧。

组合仪表1400可以位于方向盘的前方。组合仪表1400可以布置有转速计、速度计、冷却水温度计、燃料计、方向转换指示灯、远光灯指示灯、警告灯、安全带警告灯、里程表、行车记录仪、自动变速选择杆指示灯、门开启警告灯、机油警告灯和/或燃料不足警告灯。

中控台1500可以包括控制面板，该控制面板上可以布置有用于调节音频装置、空调装置和座椅的加热器的多个按钮。中控台1500可以布置在组合仪表1400的一侧。

副驾驶席仪表盘1600可以将中控台1500置于副驾驶席仪表盘1600与组合仪表1400之间而与组合仪表1400相隔。在一实施例中，组合仪表1400可以与驾驶座椅(未示出)相对应地布置，并且副驾驶席仪表盘1600可以与副驾驶席(未示出)相对应地布置。在一实现例中，组合仪表1400可以与第一侧窗玻璃1110相邻，并且副驾驶席仪表盘1600可以与第二侧窗玻璃1120相邻。

在一实施例中，显示装置2可以包括显示面板3，并且所述显示面板3可以显示图像。显示装置2可以布置在车辆1000的内部。在一实施例中，显示装置2可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。显示装置2可以布置于组合仪表1400、中控台1500和副驾驶席仪表盘1600中的至少一个。

显示装置2可以包括有机发光显示装置(Organic Light Emitting Display)、无机发光显示装置(Inorganic Light Emitting Display)、量子点显示装置(Quantumdotdisplay)等。以下，作为根据本发明的一实现例的显示装置2，以包括根据本发明的发光元件的有机发光显示装置为例进行说明，但本发明的实施例可以使用如上所述的各种方式的显示装置。

参照图6a，显示装置2可以布置于中控台1500。在一实现例中，显示装置2可以显示导航信息。在一实现例中，显示装置2可以显示音频、视频或关于车辆设置的信息。

参照图6b，显示装置2可以布置于组合仪表1400。在这种情况下，组合仪表1400可以通过显示装置2显示运行信息等。即，组合仪表1400可以以数字方式实现。数字方式的组合仪表1400可以将车辆信息和行驶信息显示为图像。例如，转速计的针和测量仪以及各种警告灯图标可以通过数字信号来显示。

参照图6c，显示装置2可以布置于副驾驶席仪表盘1600。显示装置2可以埋设于副驾驶席仪表盘1600或位于副驾驶席仪表盘1600上。在一实现例中，布置于副驾驶席仪表盘1600的显示装置2可以显示关于显示在组合仪表1400的信息和/或显示在中控台1500的信息的图像。在另一实现例中，布置于副驾驶席仪表盘1600的显示装置2可以显示与显示于组合仪表1400的信息和/或显示于中控台1500的信息不同的信息。

[制造方法]

包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层分别可以利用真空沉积法、旋涂法、铸造法、朗缪尔-布洛节塔(LB：Langmuir-Blodgett)法、喷墨印刷法、激光印刷法、激光热转印法(LITI：Laser Induced Thermal Imaging)等多种方法而形成在预定区域。

在通过真空沉积法而分别形成包括于所述空穴传输区域的各层、发光层以及包括于电子传输区域的各层的情况下，沉积条件可以在约100℃至约500℃的沉积温度，且约10^-8托(torr)至10^-3托(torr)的真空度以及约/秒(sec)至约/秒(sec)的沉积速度范围内，考虑待包括于希望形成的层的材料以及希望形成的层的结构而选择。

[术语的定义]

本说明书中，C₃-C₆₀碳环基团表示仅利用作为成环原子的碳构成的碳原子数为3至60的环基团，C₁-C₆₀杂环基团表示除了碳以外，还包括作为成环原子的杂原子的碳原子数为1至60的环基团。所述C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团分别可以是由一个环构成的单环基团或者两个以上的环彼此缩合的多环基团。例如，所述C₁-C₆₀杂环基团的成环原子数可以是3至61个。

本说明书中，环基团包括所述C₃-C₆₀碳环基团以及C₁-C₆₀杂环基团两者。

本说明书中，富π电子的C₃-C₆₀环基团(πelectron-rich C₃-C₆₀ cyclic group)表示不包括*-N＝*'的碳原子数为3至60的环基团作为成环部分，贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团(πelectron-deficient nitrogen-containing C₁-C₆₀ cyclic group)表示包括*-N＝*'的碳原子数为1至60的杂环基团作为成环部分。

例如，

所述C₃-C₆₀碳环基团可以是：i)基团T1；或者ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或者茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以为：i)基团T2；ii)两个以上的基团T2彼此缩合的缩合环基团；或者iii)一个以上的基团T2和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二并苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

所述富π电子的C₃-C₆₀环基团可以为：i)基团T1；ii)两个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iii)基团T3；iv)两个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T3和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团(例如，所述C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二并苯并噻吩基团等)，

所述贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团可以为：i)基团T4；ii)两个以上的基团T4彼此缩合的缩合环基团；iii)一个以上的基团T4和一个以上的基团T1彼此缩合的缩合环基团；iv)一个以上的基团T4和一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团；或者v)一个以上的基团T4、一个以上的基团T1以及一个以上的基团T3彼此缩合的缩合环基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

所述基团T1是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷(adamantane)基团，降冰片烷(norbornane)(或者，双环[2.2.1]庚烷(bicyclo[2.2.1]heptane))基团、降冰片烯(norbornene)基团、双环[1.1.1]戊烷(bicyclo[1.1.1]pentane)基团、双环[2.1.1]己烷(bicyclo[2.1.1]hexane)、双环[2.2.2]辛烷基团或者苯基团，

所述基团T2是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯(borole)基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂嘧啶基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、四氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或者二氢吡啶基团，

所述基团T3是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或者硼杂环戊二烯(borole)基团，

所述基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑(isoxazole)基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂嘧啶基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或者四嗪基团。

本说明书中，对环基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、富π电子的C₃-C₆₀环基团或者贫π电子的含氮C₁-C₆₀环基团这样的术语而言，其根据相应术语被使用的化学式的结构而可以是缩合到任意的环基团的基团、单价基团或者多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基、亚苯基等，本领域技术人员可以根据包括“苯基团”的化学式的结构而容易地理解。

例如，单价C₃-C₆₀碳环基团以及单价C₁-C₆₀杂环基团的示例可以包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、单价非芳香缩合多环基团以及单价非芳香缩合杂多环基团，二价C₃-C₆₀碳环基团以及二价C₁-C₆₀杂环基团的示例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳香缩合多环基团以及二价非芳香缩合杂多环基团。

本说明书中，C₁-C₆₀烷基表示碳原子数为1至60的直链或支链的脂肪族烃单价(monovalent)基团，其具体示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基、叔癸基等。本说明书中，C₁-C₆₀亚烷基表示与所述C₁-C₆₀烷基具有相同结构的二价(divalent)基团。

本说明书中，C₂-C₆₀烯基表示在C₂-C₆₀烷基的中间或末端包括一个以上的碳-碳双键的单价烃基团，其具体示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基等。本说明书中，C₂-C₆₀亚烯基表示与所述C₂-C₆₀烯基具有相同结构的二价基团。

本说明书中，C₂-C₆₀炔基表示在C₂-C₆₀烷基的中间或末端包括一个以上的碳-碳三键的单价烃基团，其具体示例包括乙炔基和丙炔基等。本说明书中，C₂-C₆₀亚炔基表示与所述C₂-C₆₀炔基具有相同结构的二价基团。

本说明书中，C₁-C₆₀烷氧基表示具有-OA₁₀₁(此处，A₁₀₁为所述C₁-C₆₀烷基)的化学式的单价基团，其具体示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基等。

本说明书中，C₃-C₁₀环烷基表示碳原子数为3至10的单价饱和烃环基团，其具体示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基(adamantanyl)、降冰片烷基(norbornanyl)(或者双环[2.2.1]庚基(bicyclo[2.2.1]heptyl))、双环[1.1.1]戊基(bicyclo[1.1.1]pentyl)、双环[2.1.1]己基(bicyclo[2.1.1]hexyl)、双环[2.2.2]辛基等。本说明书中，C₃-C₁₀亚环烷基表示与所述C₃-C₁₀环烷基具有相同的结构的二价基团。

本说明书中，C₁-C₁₀杂环烷基表示除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，其具体示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基(1,2,3,4-oxatriazolidinyl)、四氢呋喃基(tetrahydrofuranyl)和四氢噻吩基等。本说明书中，C₁-C₁₀亚杂环烷基表示与所述C₁-C₁₀杂环烷基具有相同结构的二价基团。

本说明书中，C₃-C₁₀环烯基为碳原子数为3至10的单价环基团，其表示在环内具有至少一个碳-碳双键，但不具有芳香族性(aromaticity)的基团，其具体示例包括环戊烯基、环己烯基以及环庚烯基等。本说明书中C₃-C₁₀亚环烯基表示与所述C₃-C₁₀环烯基具有相同结构的二价基团。

本说明书中，C₁-C₁₀杂环烯基表示除了碳原子之外，还包括至少一个杂原子作为成环原子的碳原子数为1至10的单价环基团，在环内具有至少一个双键。所述C₁-C₁₀杂环烯基的具体示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基等。本说明书中，C₁-C₁₀亚杂环烯基表示与所述C₁-C₁₀杂环烯基具有相同结构的二价基团。

本说明书中，C₆-C₆₀芳基表示具有碳原子数为6至60的碳环芳香体系的单价(monovalent)基团，C₆-C₆₀亚芳基表示具有碳原子数为6至60的碳环芳香体系的二价(divalent)基团。所述C₆-C₆₀芳基的具体示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基等。在所述C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基包括两个以上的环的情况下，所述两个以上的环可以彼此缩合。

本说明书中，C₁-C₆₀杂芳基表示除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香体系的单价基团，C₁-C₆₀亚杂芳基表示除了碳原子以外，还包括至少一个杂原子作为成环原子且具有碳原子数为1至60的杂环芳香体系的二价基团。所述C₁-C₆₀杂芳基的具体示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基、萘啶基等。在所述C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基包括两个以上的环的情况下，两个以上的环可以彼此缩合。

本说明书中，单价非芳香缩合多环基团(non-aromatic condensed polycyclicgroup)表示两个以上的环彼此缩合，且作为成环原子仅包括碳原子，且整个分子具有非芳香性(non-aromaticity)的单价基团(例如，具有8至60的碳原子数)。所述单价非芳香缩合多环基团的具体示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基、茚并蒽基等。本说明书中，二价非芳香缩合多环基团表示与所述单价非芳香缩合多环基团具有相同结构的二价基团。

本说明书中，单价非芳香缩合杂多环基团(non-aromatic condensedheteropolycyclic group)表示两个以上的环彼此缩合，并且除了碳原子以外还包括至少一个杂原子作为成环原子，且整个分子具有非芳香性的单价基团(例如，具有1至60的碳原子数)。所述单价非芳香缩合杂多环基团的具体示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二并苯并噻吩基等。本说明书中，二价非芳香缩合杂多环基团表示与所述单价非芳香缩合杂多环基团具有相同结构的二价基团。

本说明书中，C₆-C₆₀芳氧基表示-OA₁₀₂(其中，A₁₀₂为所述C₆-C₆₀芳基)，所述C₆-C₆₀芳硫基(arylthio)表示-SA₁₀₃(其中，A₁₀₃为所述C₆-C₆₀芳基)。

在本说明书中，C₇-C₆₀芳烷基表示-A₁₀₄A₁₀₅(其中，A₁₀₄为C₁-C₅₄亚烷基，A₁₀₅为C₆-C₅₉芳基)，在本说明书中，C₂-C₆₀杂芳烷基表示-A₁₀₆A₁₀₇(其中，A₁₀₆为C₁-C₅₉亚烷基，A₁₀₇为C₁-C₅₉杂芳基)。

在本说明说中，“R_10a”为，

氘(-D)、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或者硝基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或者C₁-C₆₀烷氧基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其任意组合取代或未被取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基；或者

-O(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或者-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

本说明书中，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃及Q₃₁至Q₃₃可以彼此独立地为氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或其任意组合取代或未被取代的C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团。

本说明书中的杂原子表示除了碳原子以外的任意原子。所述杂原子的示例包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或其任意组合。

在本说明书中，第三行过渡金属(third-row transition metal)包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)以及金(Au)等。

本说明书中，“Ph”表示苯基，“Me”表示甲基，“Et”表示乙基，“tert-Bu”或者“Bu^t”表示叔丁基，“OMe”表示甲氧基。

本说明书中，“联苯基”表示“被苯基取代的苯基”。所述“联苯基”属于取代基为“C₆-C₆₀芳基”的“被取代的苯基”。

本说明书中，“三联苯基”表示“被联苯基取代的苯基”。所述“三联苯基”属于取代基为“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”的“被取代的苯基”。

本说明书中，除非另外定义，否则*、*'和*”表示在对应的化学式或部分中与相邻原子的结合位。

以下，例举实施例，对根据本发明的一实现例的发光元件进行更加具体的说明。

[实施例]

评价例1

根据表1的方法，评价了在表2至表8中记载的化合物的各个HOMO能级、LUMO能级、空穴迁移率、电子迁移率和/或三重态(T₁)能级，其结果分别示于表2至表8中。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

[表6]

[表7]

[表8]

评价例2

将PMMA及化合物GD01(相对于PMMA为4wt％)在CH₂Cl₂溶液中混合，然后利用旋转涂布机将由此获得的产物涂覆在石英基板上，在80℃的烘箱中热处理后，冷却至室温并制备了厚度为40nm的膜GD01。随后，除了分别使用化合物GD02至化合物GD05、化合物R-GD1、化合物GD24及化合物GD25代替化合物GD01这一点不同以外，使用与所述膜GD01相同的制备方法制备了膜GD02至膜GD05、膜R-GD1、膜GD24及膜GD25。

利用Hamamatsu公司的绝对量子产率测试仪(Quantaurus-QY Absolute PLquantum yield spectrometer)(安装有氙光源(xenon light source)、单色仪(monochromator)、光子多通道光谱分析仪(photonic multichannel analyzer)及积分球(integrating sphere)，并且采用了光致发光量子产率测量软件(PLQY measurementsoftware)(Hamamatsu Photonics，Ltd.,Shizuoka，Japan))测量了上述膜GD01至膜GD05、膜R-GD1、膜GD24及膜GD25中的每一个的发光光谱。测量时，以10nm的间隔扫描从320nm至380nm的激发波长来测量激发波长，且从其中取出在340nm的激发波长下测量的光谱，由此求出了包含于各个膜的化合物的最大发光波长(发光峰值波长)，并总结在下表9中。

[表9]

实施例1

将作为阳极而形成有15Ω/cm² ITO的玻璃基板(康宁(corning)公司产品)切割成50mm×50mm×0.7mm的大小，并用异丙醇和纯水分别超声波清洗5分钟之后，照射紫外线30分钟并暴露于臭氧进行清洗，然后安装在真空沉积装置。

在所述阳极上真空沉积第三物质(HT01)而形成厚度为的第三层，在所述第三层上真空沉积第二物质(G'01)而形成厚度为的第二层，然后在所述第二层上真空沉积第一物质(GI01)而形成了厚度为的第一层。

通过在所述第一层上以93:7的重量比真空沉积第一主体(Host1)及第一发射体(GD01)而形成了厚度为的发光层。

在所述发光层上真空沉积缓冲层材料(BF03)而形成厚度为的缓冲层，在所述缓冲层上真空沉积电子传输层材料(ET02)而形成了厚度为的电子传输层。随后，在所述电子传输层上真空沉积Yb形成厚度为的电子注入层之后，真空沉积Ag及Mg而形成厚度为的阴极，然后在所述阴极上真空沉积下述化合物CP7而形成了厚度为的覆盖层。

实施例2至实施例10、比较例1、比较例2以及比较例4

除了使用记载于表10中的化合物作为第三物质、第二物质、第一物质、第一主体、第一发射体、缓冲层材料以及电子传输层材料这一点以外，利用与上述实施例1相同的方法制造了有机发光元件。

比较例3

除了在形成发光层时使用记载于表10中的化合物的混合物(1:1的重量比)作为第一主体这一点以外，利用与比较例2相同的方法制造了有机发光元件。

比较例5

除了在形成发光层时使用记载于表10中的化合物的混合物(1:1的重量比)作为第一主体这一点以外，利用与比较例4相同的方法制造了有机发光元件。

比较例6

除了利用真空沉积法依次形成厚度为的2-TNATA层以及厚度为的NPB层作为第三层，且使用记载于表10中的第二物质、第一物质、第一主体、第一发射体、缓冲层材料及电子传输层材料这两点以外，利用与上述实施例1相同的方法制造了有机发光元件。

评价例3

利用Keithley MU 236及亮度计(Minolta Cs-1000A)评价了在上述实施例1至实施例10以及比较例1至比较例6中制造的有机发光元件的驱动电压、最大功率效率以及EL光谱的最大发光波长，并将其结果分别总结在表11中。另外，表10中的括号里的数字为总结了相关化合物的HOMO能级(eV)值的数字。

[表10]

[表11]

从上述表11可以确认，实施例1至实施例10的驱动电压及最大功率效率相比于比较例1至比较例6的驱动电压及最大功率效率得到了提高。

Claims (20)

1.一种发光元件，包括：

第一电极；

第二电极，与所述第一电极对向；以及

中间层，布置于所述第一电极与所述第二电极之间，

其中，所述中间层包括空穴传输区域以及发光层，

所述空穴传输区域布置于所述第一电极与所述发光层之间，

所述空穴传输区域包括第一层，

所述第一层与所述发光层直接接触，

所述发光层包括第一主体以及第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发光光谱的第一光，

所述第一层包括第一物质，

所述第一物质的HOMO能级与所述第一主体的HOMO能级之差的绝对值为0eV至0.2eV，

所述第一发射体的HOMO能级的绝对值大于所述第一主体的HOMO能级的绝对值，

所述第一物质、所述第一主体及所述第一发射体中的每一个的HOMO能级为通过循环伏安法测量的负值。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一物质的HOMO能级为-5.60eV至-4.80eV。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一主体的HOMO能级为-5.10eV至-4.50eV。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一发射体的HOMO能级与所述第一主体的HOMO能级之差的绝对值可以是0.01eV至1.0eV。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述空穴传输区域还包括第二层以及第三层，

其中，所述第二层布置于所述第一电极与所述第一层之间，

所述第三层布置于所述第一电极与所述第二层之间，

所述第二层包括第二物质，

所述第三层包括第三物质，

所述第一物质、所述第二物质及所述第三物质中的每一个彼此不同。

6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，

满足如下条件：

第三物质的HOMO能级＞第二物质的HOMO能级＞第一物质的HOMO能级，或者

第三物质的HOMO能级＞第一物质的HOMO能级＞第二物质的HOMO能级，

所述第二物质及所述第三物质中的每一个的HOMO能级为通过循环伏安法测量的负值。

7.根据权利要求5所述的发光元件，其中，

所述第二物质的HOMO能级为-5.40eV至-4.70eV，

所述第二物质的HOMO能级为通过循环伏安法测量的负值。

8.根据权利要求5所述的发光元件，其中，

所述第三物质的HOMO能级为-5.25eV至-4.50eV，

所述第三物质的HOMO能级为通过循环伏安法测量的负值。

9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述空穴传输区域还包括p-掺杂剂。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一发射体的HOMO能级为-5.50eV至-4.00eV。

11.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一光的发光峰值波长为510nm至610nm。

12.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一光的半峰全宽为15nm至85nm。

13.根据权利要求1所述的发光元件，还包括：

布置于所述第一电极的外侧的第一覆盖层及布置于所述第二电极的外侧的第二覆盖层中的至少一个，

所述第一覆盖层及所述第二覆盖层中的至少一个包括在589nm波长下具有1.6以上的折射率的物质。

14.根据权利要求13所述的发光元件，其中，

所述第一覆盖层及所述第二覆盖层中的至少一个包括在589nm波长下具有1.8以上的折射率的物质。

15.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一发射体为含铂有机金属化合物，

所述第一发射体还包括与所述铂结合的第一配体，

所述第一发射体满足下述<条件A>至<条件C>中的至少一个：

<条件A>

所述第一配体为四齿配体，

通过所述铂与所述第一配体之间的化学键形成的环金属化环为三个；

<条件B>

所述第一配体的碳、氮及氧中的每一个与所述铂彼此化学结合；

<条件C>

所述第一配体包括咪唑基团、苯并咪唑基团、萘并咪唑基团或其任意组合。

16.根据权利要求1所述的发光元件，其中，

所述第一发射体为含铱有机金属化合物，

所述第一发射体包括与所述铱结合的第一配体、第二配体及第三配体，

所述第一配体为包括含Y₁的环B₁以及含Y₂的环B₂的双齿配体，

所述第二配体为包括含Y₃的环B₃以及含Y₄的环B₄的双齿配体，

所述第三配体为包括含Y₅的环B₅以及含Y₆的环B₆的双齿配体，

所述环B₁至所述环B₆彼此独立地为C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

所述Y₁、所述Y₃及所述Y₅分别为氮，

所述Y₂、所述Y₄及所述Y₆分别为碳，

所述含Y₂的环B₂与所述含Y₄的环B₄彼此不同。

17.一种电子装置，包括：

根据权利要求1至16中的任意一项所述的发光元件。

18.根据权利要求17所述的电子装置，还包括：

滤色器、颜色变换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

19.一种电子设备，包括：

根据权利要求1至16中的任意一项所述的发光元件。

20.根据权利要求19所述的电子设备，其中，

所述电子设备为平面面板显示器、曲面显示器、计算机显示器、医疗用显示器、电视、广告板、室内照明、室外照明、信号用灯、平视显示器、完全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、便携电话、平板计算机、平板手机、个人数字助理、可穿戴式设备、膝上型计算机、数码相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括一同拼接的多重显示器的视频墙、剧场屏幕、运动场屏幕、光疗设备以及牌匾中的一种。