CN118317622A - 发光装置、电子设备、电子装备和有机金属化合物 - Google Patents

Abstract

实施例提供了有机金属化合物、包括有机金属化合物的发光装置以及包括发光装置的电子设备和电子装备。所述发光装置包括第一电极、面向所述第一电极的第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的中间层以及所述有机金属化合物。所述有机金属化合物由在说明书中说明的式1表示：[式1]

Description

发光装置、电子设备、电子装备和有机金属化合物

相关申请的交叉引用

本申请要求于2023年1月6日在韩国知识产权局提交的第10-2023-0002506号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

实施例涉及包括有机金属化合物的发光装置、包括该发光装置的电子设备以及该有机金属化合物。

背景技术

发光装置是具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性的自发射装置。

发光装置可以包括在基底上的第一电极以及顺序地堆叠在第一电极上的空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，由此产生光。

应当理解的是，该背景技术节段部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景。然而，该背景技术节段还可以包括不是在本文中公开的主题的相应有效递交日期之前的由相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、概念或认识。

发明内容

实施例包括包含有机金属化合物的发光装置、包括所述发光装置的电子设备以及所述有机金属化合物。

另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地根据描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的实施例来获知。

根据实施例，一种发光装置可以包括：

第一电极，

第二电极，面向所述第一电极，以及

中间层，在所述第一电极和所述第二电极之间，所述中间层包括发射层，以及

由式1表示的有机金属化合物：

[式1]

在式1中，

M可以是铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)，

X₁可以是碳烯部分中的碳原子，

X₂至X₄、X₅₁和X₅₂可以各自独立地是C或N，

环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄和环CY₅可以各自独立地是C₅-C₃₀碳环基或C₁-C₃₀杂环基，

L₁至L₃可以各自独立地是单键、*-C(R_1a)(R_1b)-*'、*-C(R_1a)＝*'、*＝C(R_1a)-*'、*-C(R_1a)＝C(R_1b)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R_1a)-*'、*-N(R_1a)-*'、*-O-*'、*-P(R_1a)-*'、*-Al(R_1a)-*'、*-Si(R_1a)(R_1b)-*'、*-P(＝O)(R_1a)-*'、*-S-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'或*-Ge(R_1a)(R_1b)-*'，其中，*和*'可以各自指示与相邻原子的结合位点，

n1至n3可以各自独立地是1至5的整数，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄、R₅、R_1a和R_1b可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1、a2、a31、a32、a4和a5可以各自独立地是1至20的整数，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅中的至少两个基团可以可选地彼此键合(即，彼此键合或彼此不键合)以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基，并且

R_10a可以是：

氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合取代；

C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合取代；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

根据实施例，所述发射层可以包括主体和掺杂剂，并且所述掺杂剂可以包括所述有机金属化合物。

根据实施例，所述发光装置还可以包括：第二化合物，包括至少一个缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基；第三化合物，包括由式3表示的基团；第四化合物，是延迟荧光化合物；或它们的任何组合，其中，

所述有机金属化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物可以彼此不同，其中，下面对式3进行说明。

根据实施例，所述第二化合物可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或它们的任何组合，并且

所述第四化合物可以是包括包含硼(B)和氮(N)作为成环原子的至少一个环基的化合物。

根据实施例，所述发射层可以包括：所述有机金属化合物；以及所述第二化合物、所述第三化合物、所述第四化合物或它们的任何组合；并且所述发射层可以发射蓝光。

根据实施例，一种电子设备可以包括所述发光装置。

根据实施例，所述电子设备还可以包括薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管可以包括源极电极和漏极电极，并且所述发光装置的所述第一电极可以电连接到所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者。

根据实施例，所述电子设备还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏幕层、偏振层或它们的任何组合。

根据实施例，一种电子装备可以包括所述发光装置。

根据实施例，所述电子装备可以是平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告板、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、完全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器(诸如可卷曲显示器、可折叠显示器或可拉伸显示器)、激光打印机、电话(诸如移动电话或平板电话)、平板计算机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、三维(3D)显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗装置或标牌。

实施例提供了一种可以由在下文中描述的式1表示的有机金属化合物。

根据实施例，X₂和X₃可以各自是C，并且X₄可以是N。

根据实施例，X₁与M之间的键以及X₄与M之间的键可以各自是配位键；并且X₂与M之间的键以及X₃与M之间的键可以各自是共价键。

根据实施例，环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄、环CY₅₁和环CY₅₂可以各自独立地是苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、基、环戊二烯基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、茚基、芴基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并噁西林基、二苯并噻西林基、二苯并二氢氮杂西林基、二苯并二氢二西林基、二苯并二氢西林基、二苯并二噁烷基、二苯并噁噻吩基、二苯并噁嗪基、二苯并吡喃基、二苯并噻英基、二苯并噻嗪基、二苯并噻喃基、二苯并环己二烯基、二苯并二氢吡啶基或二苯并二氢吡嗪基。

根据实施例，L₁和L₃可以各自是单键；L₂可以是*-O-*'或*-S-*'；并且n2可以是1。

根据实施例，R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基或C₁-C₂₀烷基；

C₁-C₂₀烷基，被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₁₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或它们的任何组合取代；

环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基或氮杂芴基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₂₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-N(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；氰基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

根据实施例，所述有机金属化合物可以由下面说明的式1-1或式1-2表示。

根据实施例，在式1中，由表示的部分可以是由下面说明的式CY1-1至式CY1-7中的一者表示的部分。

根据实施例，在式CY1-5至式CY1-7中，R₁₁和R₁₄可以可选地彼此键合，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基。

根据实施例，在式1中，

由表示的部分可以是由下面说明的式CY3-1至式CY3-4中的一者表示的部分，并且

由表示的部分可以是由下面说明的式CY5-1至式CY5-2中的一者表示的部分。

应当理解的是，上面的实施例仅在一般性和解释性意义上进行描述，而不是出于限制的目的，并且本公开不限于上面描述的实施例。

附图说明

参考附图详细描述本公开的实施例，本公开的以上以及其他方面和特征将更加明显，在附图中：

图1是根据实施例的发光装置的示意性截面图；

图2是根据实施例的电子设备的示意性截面图；

图3是根据另一实施例的电子设备的示意性截面图；

图4是包括根据实施例的发光装置的电子装备的示意性透视图；

图5是示出根据实施例的作为包括发光装置的电子设备的车辆的外部的示意性透视图；并且

图6A至图6C各自是根据实施例的作为电子设备的车辆的内部的示意图。

具体实施方式

现在将在下文中参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。

在附图中，为了便于描述和清楚起见，元件的大小、厚度、比例和尺寸可能被夸大。同样的参考数字和/或同样的参考字母始终指代同样的元件。

在描述中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，其可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或多个居间元件。在类似的意义上，当元件(或区域、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件时，其可以直接覆盖所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或多个居间元件。

在描述中，当元件“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在……上”可以意指设置了两个层或两个元件而在它们之间没有诸如粘合元件的附加元件。

将理解的是，术语“连接到”或“耦接到”可以指在存在或不存在居间元件的情况下的物理、电气和/或流体连接或耦接。

除非上下文另外明确指出，否则如在本文中使用的，以诸如“一个”、“一种”和“所述(该)”的单数形式使用的表述也意图包括复数形式。

如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个关联的所列项的任何组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”和“或”可以以合取或析取的意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指“A、B或A和B”。当术语“……中的至少一个(种/者)”在一列元件(元素/要素)之后时，修饰整列元件(元素/要素)，而不是修饰该列的个别元件(元素/要素)。

将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不脱离本公开的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。

为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……下面”、“下(下部)”、“在……上方”或“上(上部)”等来描述如图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在还涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如，在附图中所示的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下方”或“下面”的装置可以位于另一装置“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其他方向上定向，并且因此，空间相对术语可以依据取向而进行不同地解释。

考虑到讨论中的测量和与列举的量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如在本文中使用的术语“大约”或“近似”包括陈述的值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的列举的值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在陈述的值的±20％、±10％或±5％内。

应当理解的是，术语“包括(comprises/comprising)”、“包含(includes/including)”、“具有(have/having)”和“含(contains/containing)”等旨在说明在本公开中存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。

除非在本文中另有定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术和科学术语)与由本公开所属领域的技术人员所通常理解的具有相同的含义。将进一步理解的是，除非在说明书中明确地定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应被解释为理想的或过于形式化的意思。

根据实施例，一种发光装置可以包括：

第一电极；

第二电极，面向第一电极；

中间层，在第一电极和第二电极之间，中间层包括发射层；以及

由式1表示的有机金属化合物：

[式1]

式1可以通过参考在本文中提供的式1的描述来理解。

在实施例中，

发光装置的第一电极可以是阳极，

发光装置的第二电极可以是阴极，

中间层还可以包括：空穴传输区域，在第一电极和发射层之间；以及电子传输区域，在发射层和第二电极之间，

空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，并且

电子传输区域可以包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。

在实施例中，发光装置的中间层可以包括由式1表示的有机金属化合物。

在实施例中，发光装置的发射层可以包括由式1表示的有机金属化合物。

在实施例中，发光装置中的发射层可以包括掺杂剂和主体，并且掺杂剂可以包括由式1表示的有机金属化合物。例如，有机金属化合物可以用作掺杂剂。在实施例中，发射层可以发射蓝光。蓝光可以具有在大约430纳米(nm)至大约470nm的范围内的最大发射波长。

在实施例中，发光装置中的电子传输区域可以包括空穴阻挡层，并且空穴阻挡层可以包括含氧化膦的化合物、含硅的化合物或它们的任何组合。在实施例中，空穴阻挡层可以直接接触发射层。

在实施例中，发光装置还可以包括：包含至少一个缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基的第二化合物；包含由式3表示的基团的第三化合物；能够发射延迟荧光的第四化合物(例如，延迟荧光化合物)；或它们的任何组合，并且

发光装置中的有机金属化合物、第二化合物、第三化合物和第四化合物可以各自彼此不同：

[式3]

在式3中，

环CY₇₁和环CY₇₂可以各自独立地是富π电子的C₃-C₆₀环基、或者吡啶基，

X₇₁可以是：单键；或者含O、S、N、B、C、Si或它们的任何组合的连接基团，并且

*指示与化合物3中的除了由式3表示的基团之外的部分中的任何原子的结合位点。

在实施例中，有机金属化合物可以包括至少一个氘。

在实施例中，第二化合物、第三化合物和第四化合物可以各自包括至少一个氘。

在实施例中，第二化合物可以包括至少一个硅。

在实施例中，第三化合物可以包括至少一个硅。

在实施例中，除了由式1表示的有机金属化合物之外，发光装置还可以包括第二化合物和第三化合物，并且第二化合物和第三化合物中的至少一者可以包括至少一个氘、至少一个硅或它们的任何组合。

在实施例中，除了有机金属化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第二化合物。有机金属化合物和第二化合物中的至少一者可以包括至少一个氘。例如，除了有机金属化合物和第二化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第三化合物、第四化合物或它们的任何组合。

在实施例中，除了有机金属化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第三化合物。有机金属化合物和第三化合物中的至少一者可以包括至少一个氘。例如，除了有机金属化合物和第三化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第二化合物、第四化合物或它们的任何组合。

在实施例中，除了有机金属化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第四化合物。有机金属化合物和第四化合物中的至少一者可以包括至少一个氘。第四化合物可以提高发光装置的比色纯度、发光效率和寿命特性。例如，除了有机金属化合物和第四化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第二化合物、第三化合物或它们的任何组合。

在实施例中，除了有机金属化合物之外，发光装置(例如，发光装置的发射层)还可以包括第二化合物和第三化合物。第二化合物和第三化合物可以形成激基复合物。有机金属化合物、第二化合物和第三化合物中的至少一者可以包括至少一个氘。

在实施例中，发光装置的发射层可以包括：有机金属化合物；以及第二化合物、第三化合物、第四化合物或它们的任何组合，并且发射层可以发射蓝光。

在实施例中，蓝光的最大发射波长可以在大约430nm至大约475nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约440nm至大约475nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约450nm至大约475nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约430nm至大约470nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约440nm至大约470nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约450nm至大约470nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约430nm至大约465nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约440nm至大约465nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约450nm至大约465nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约430nm至大约460nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约440nm至大约460nm的范围内。例如，蓝光的最大发射波长可以在大约450nm至大约460nm的范围内。

在实施例中，第二化合物可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或它们的任何组合。

在实施例中，第三化合物可以不包括CBP和mCBP：

在实施例中，第四化合物的三重态能级(电子伏特，eV)与单重态能级(eV)之间的差可以在大约0eV至大约0.5eV的范围内(或者第四化合物的三重态能级与单重态能级之间的差可以在大约0eV至大约0.3eV的范围内)。

在实施例中，第四化合物可以是包括包含硼(B)和氮(N)作为成环原子的至少一个环基的化合物。

在实施例中，第四化合物可以是包括共享硼原子(B)的至少两个稠合的环基的含C₈-C₆₀多环基的化合物。

在实施例中，第四化合物可以包括其中至少一个第三环可以与至少一个第四环稠合的稠合环，其中，

第三环可以是环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、环辛烯基、金刚烷基、降冰片烯基、降冰片烷基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基、苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基，并且

第四环可以是1,2-氮杂硼杂己环基(1,2-azaborinine group)、1,3-氮杂硼杂己环基、1,4-氮杂硼杂己环基、1,2-二氢-1,2-氮杂硼杂己环基、1,4-氧杂硼杂己环基、1,4-硫杂硼杂己环基或1,4-二氢硼杂己环基。

在实施例中，第三化合物可以不包括由式3-1表示的化合物。

在实施例中，第二化合物可以包括由式2表示的化合物：

[式2]

在式2中，

L₅₁至L₅₃可以各自独立地是单键、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

b51至b53可以各自独立地是1至5的整数，

X₅₄可以是N或C(R₅₄)，X₅₅可以是N或C(R₅₅)，X₅₆可以是N或C(R₅₆)，并且X₅₄至X₅₆中的至少一者可以各自是N，

R₅₁至R₅₆和R_10a可以分别通过参考在本文中提供的对R₅₁至R₅₆和R_10a的描述来理解。

在实施例中，第三化合物可以包括由式3-1表示的化合物、由式3-2表示的化合物、由式3-3表示的化合物、由式3-4表示的化合物、由式3-5表示的化合物或它们的任何组合：

[式3-1]

[式3-2]

[式3-3]

[式3-4]

[式3-5]

在式3-1至式3-5中，

环CY₇₁至环CY₇₄可以各自独立地是富π电子的C₃-C₆₀环基、或者吡啶基，

X₈₂可以是单键、O、S、N-[(L₈₂)_b82-R₈₂]、C(R_82a)(R_82b)或Si(R_82a)(R_82b)，

X₈₃可以是单键、O、S、N-[(L₈₃)_b83-R₈₃]、C(R_83a)(R_83b)或Si(R_83a)(R_83b)，

X₈₄可以是O、S、N-[(L₈₄)_b84-R₈₄]、C(R_84a)(R_84b)或Si(R_84a)(R_84b)，

X₈₅可以是C或Si，

L₈₁至L₈₅可以各自独立地是单键、*-C(Q₄)(Q₅)-*'、*-Si(Q₄)(Q₅)-*'、未被取代的或被至少一个R_10a取代的富π电子的C₃-C₆₀环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的吡啶基，其中，Q₄和Q₅可以各自独立地与在本文中描述的Q₁相同，

b81至b85可以各自独立地是1至5的整数，

R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b可以分别通过参考在本文中提供的R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b的描述来理解，

a71至a74可以各自独立地是0至20的整数，并且

R_10a可以与在本文中描述的相同。

在实施例中，第四化合物可以是由式502表示的化合物、由式503表示的化合物或它们的任何组合：

[式502]

[式503]

在式502和式503中，

环A₅₀₁至环A₅₀₄可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

Y₅₀₅可以是O、S、N(R₅₀₅)、B(R₅₀₅)、C(R_505a)(R_505b)或Si(R_505a)(R_505b)，

Y₅₀₆可以是O、S、N(R₅₀₆)、B(R₅₀₆)、C(R_506a)(R_506b)或Si(R_506a)(R_506b)，

Y₅₀₇可以是O、S、N(R₅₀₇)、B(R₅₀₇)、C(R_507a)(R_507b)或Si(R_507a)(R_507b)，

Y₅₀₈可以是O、S、N(R₅₀₈)、B(R₅₀₈)、C(R_508a)(R_508b)或Si(R_508a)(R_508b)，Y₅₁和Y₅₂可以各自独立地是B、P(＝O)或S(＝O)，

可以参考在本文中提供的R_500a、R_500b、R₅₀₁至R₅₀₈、R_505a、R_505b、R_506a、R_506b、R_507a、R_507b、R_508a和R_508b的描述来分别理解R_500a、R_500b、R₅₀₁至R₅₀₈、R_505a、R_505b、R_506a、R_506b、R_507a、R_507b、R_508a和R_508b，并且

a501至a504可以各自独立地是0至20的整数。

在实施例中，发光装置可以满足条件1至条件4中的一者：

[条件1]

第三化合物的最低未占分子轨道(LUMO)能级(eV)>有机金属化合物的LUMO能级(eV)

[条件2]

有机金属化合物的LUMO能级(eV)>第二化合物的LUMO能级(eV)

[条件3]

有机金属化合物的最高占据分子轨道(HOMO)能级(eV)>第三化合物的HOMO能级(eV)

[条件4]

第三化合物的HOMO能级(eV)>第二化合物的HOMO能级(eV)

有机金属化合物、第二化合物和第三化合物的HOMO和LUMO能级可以各自是负值，并且HOMO和LUMO能级可以各自是实际测量值。

在实施例中，有机金属化合物的LUMO能级与第二化合物的LUMO能级之间的差的绝对值可以在大约0.1eV至大约1.0eV的范围内，第一化合物的LUMO能级与第三化合物的LUMO能级之间的差的绝对值可以在大约0.1eV至大约1.0eV的范围内，有机金属化合物的HOMO能级与第二化合物的HOMO能级之间的差的绝对值可以小于或等于1.25eV(例如，在大约0.2eV至大约1.25eV的范围内)，并且有机金属化合物的HOMO能级与第三化合物的HOMO能级之间的差的绝对值可以小于或等于1.25eV(例如，在大约0.2eV至大约1.25eV的范围内)。

当LUMO能级和HOMO能级之间的关系满足如上描述的条件时，可以使得注入到发射层的空穴和电子平衡。

发光装置可以具有第一实施例或第二实施例的结构：

[第一实施例]

根据实施例，有机金属化合物可以包括在发光装置的中间层中的发射层中，其中，发射层还可以包括主体，第一化合物可以不同于主体，并且发射层可以从有机金属化合物发射磷光或荧光。例如，根据第一实施例，有机金属化合物可以是掺杂剂或发射体。在实施例中，有机金属化合物可以是磷光掺杂剂或磷光发射体。

从有机金属化合物发射的磷光或荧光可以是蓝光。

发射层还可以包括辅助掺杂剂。辅助掺杂剂可以通过有效地将能量从有机金属化合物传递到作为发射体的掺杂剂或第一化合物来提高发光效率。

辅助掺杂剂可以与有机金属化合物和主体不同。

在实施例中，辅助掺杂剂可以是发射延迟荧光的化合物。

在实施例中，辅助掺杂剂可以是包括包含硼(B)和氮(N)作为成环原子的至少一个环基的化合物。

[第二实施例]

根据第二实施例，有机金属化合物可以包括在发光装置的中间层中的发射层中，其中，发射层还可以包括主体和掺杂剂，有机金属化合物、主体和掺杂剂可以彼此不同，并且发射层可以从掺杂剂发射磷光或荧光(例如，延迟荧光)。

例如，第二实施例中的有机金属化合物可以用作将能量传递到掺杂剂(或传递到发射体)的辅助掺杂剂，并且可以不用作掺杂剂。

在实施例中，第二实施例中的有机金属化合物可以用作发射体并且用作将能量传递到掺杂剂(或发射体)的辅助掺杂剂。

例如，从第二实施例中的掺杂剂(或发射体)发射的磷光或荧光可以是蓝色磷光或荧光(例如，蓝色延迟荧光)。

第二实施例中的掺杂剂(或发射体)可以是磷光掺杂剂材料(例如，由式1表示的有机金属化合物、由式401表示的有机金属化合物或它们的任何组合)或任何荧光掺杂剂材料(例如，由式501表示的化合物、由式502表示的化合物、由式503表示的化合物或它们的任何组合)。

在第一实施例和第二实施例中，蓝光可以是具有在大约390纳米(nm)至大约500nm的范围内的最大发射波长的蓝光。例如，蓝光可以是具有大约410nm至大约490nm的最大发射波长的蓝光。例如，蓝光可以是具有大约430nm至大约480nm的最大发射波长的蓝光。例如，蓝光可以是具有大约440nm至大约475nm的最大发射波长的蓝光。例如，蓝光可以是具有大约455nm至大约470nm的最大发射波长的蓝光。

第一实施例中的辅助掺杂剂可以包括例如由式502或式503表示的第四化合物。

第一实施例和第二实施例中的主体可以是任何主体材料(例如，由式301表示的化合物、由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合)。

在实施例中，第一实施例和第二实施例中的主体可以是第二化合物、第三化合物或它们的任何组合。

在实施例中，发光装置可以包括位于第一电极和/或第二电极外部的覆盖层。

在实施例中，发光装置还可以包括位于第一电极外部的第一覆盖层和位于第二电极外部的第二覆盖层中的至少一者，并且第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一者可以包括由式1表示的有机金属化合物。第一覆盖层和第二覆盖层可以分别通过参考在本文中提供的第一覆盖层和第二覆盖层的描述来理解。

在实施例中，发光装置可以包括：

第一覆盖层，位于第一电极外部并且包括由式1表示的有机金属化合物；

第二覆盖层，位于第二电极外部并且包括由式1表示的有机金属化合物；或者

第一覆盖层和第二覆盖层。

在本文中使用的表述“(中间层和/或覆盖层)包括由式1表示的至少一种有机金属化合物”可以被解释为意指“(中间层和/或覆盖层)可以包括式1的一种有机金属化合物或式1的两种不同的有机金属化合物”。

例如，中间层和/或覆盖层可以仅包括化合物1作为有机金属化合物。在该实施例中，可以在发光装置的发射层中包括化合物1。在一些实施例中，可以在中间层中包括化合物1和化合物2作为有机金属化合物。在该实施例中，化合物1和化合物2可以包括在同一层中(例如，化合物1和化合物2二者可以包括在发射层中)或包括在不同的层中(例如，化合物1可以包括在发射层中，并且化合物2可以包括在电子传输区域中)。

如在本文中使用的术语“中间层”是指位于发光装置中的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有层。

根据实施例，电子设备可以包括发光装置。电子设备还可以包括薄膜晶体管。在实施例中，电子设备还可以包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括源极电极和漏极电极，并且发光装置的第一电极可以电连接到源极电极或漏极电极。电子设备还可以包括滤色器、颜色转换层、触摸屏幕层、偏振层或它们的任何组合。电子设备可以与在本文中描述的电子设备相同。

根据实施例，电子装备可以包括该发光装置。

电子装备的示例可以包括平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告板、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、完全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器(诸如可卷曲显示器、可折叠显示器或可拉伸显示器)、激光打印机、电话(诸如移动电话或平板电话)、平板计算机、个人数字助理(PDA)、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗装置或标牌。

根据实施例，有机金属化合物可以由在本文中定义的式1表示。

通过参考在本文中描述的合成示例和示例，本领域普通技术人员可以容易地理解合成有机金属化合物的方法。

[对式1的描述]

[式1]

在式1中，M可以是铂(Pt)、钯(Pd)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铑(Rh)、钌(Ru)、锇(Os)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)。

在实施例中，M可以是铂(Pt)或钯(Pd)。

在式1中，X₁至X₄、X₅₁和X₅₂可以各自独立地是C或N。

在实施例中，X₁可以是碳烯部分中的碳原子。

在实施例中，X₂和X₃可以各自是C，并且X₄可以是N。

在实施例中，X₅₁和X₅₂中的一者可以是C，并且X₅₁和X₅₂中的另一者可以是N。

在实施例中，X₅₁可以是C，并且X₅₂可以是N。

在实施例中，X₅₁可以是N，并且X₅₂可以是C。

在实施例中，X₁与M之间的键可以是配位键；并且X₂与M之间的键、X₃与M之间的键以及X₄与M之间的键中的一个键可以是配位键，并且其中的其余键可以各自是共价键。

在实施例中，X₁与M之间的键以及X₄与M之间的键可以各自是配位键，并且X₂与M之间的键以及X₃与M之间的键可以各自是共价键。

在式1中，环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄和环CY₅可以各自独立地是C₅-C₃₀碳环基或C₁-C₃₀杂环基。

在实施例中，环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄、环CY₅₁和环CY₅₂可以各自独立地是：

苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、基、环戊二烯基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、茚基、芴基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并噁西林基、二苯并噻西林基二苯并二氢氮杂西林基、二苯并二氢二西林基、二苯并二氢西林基、二苯并二噁烷基、二苯并噁噻吩基、二苯并噁嗪基、二苯并吡喃基、二苯并噻英基、二苯并噻嗪基、二苯并噻喃基、二苯并环己二烯基、二苯并二氢吡啶基或二苯并二氢吡嗪基。

在实施例中，环CY₁可以是含X₁的5元环、与至少一个6元环稠合的含X₁的5元环、或者含X₁的6元环，

含X₁的5元环可以是吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基或噻二唑基，并且

与至少一个6元环稠合的含X₁的5元环、或者含X₁的6元环可以是苯基、吡啶基或嘧啶基。

在实施例中，环CY₁可以是咪唑基、三唑基、苯并咪唑基、萘并咪唑基或咪唑并吡啶基。

在实施例中，环CY₂可以是苯基、吡啶基、嘧啶基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基、二苯并噻咯基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、苯并咔唑基、苯并芴基、萘并苯并噻咯基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二苯并咔唑基、二苯并芴基、二萘并噻咯基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂萘并苯并呋喃基、氮杂萘并苯并噻吩基、氮杂苯并咔唑基、氮杂苯并芴基、氮杂萘并苯并噻咯基、氮杂二萘并呋喃基、氮杂二萘并噻吩基、氮杂二苯并咔唑基、氮杂二苯并芴基或氮杂二萘并噻咯基。

在实施例中，环CY₂可以是苯基、吡啶基、嘧啶基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基或二苯并噻咯基。

在实施例中，环CY₃₁和环CY₃₂可以各自独立地是苯基、吡啶基、嘧啶基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基、二苯并噻咯基、萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、苯并咔唑基、苯并芴基、萘并苯并噻咯基、二萘并呋喃基、二萘并噻吩基、二苯并咔唑基、二苯并芴基、二萘并噻咯基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂萘并苯并呋喃基、氮杂萘并苯并噻吩基、氮杂苯并咔唑基、氮杂苯并芴基、氮杂萘并苯并噻咯基、氮杂二萘并呋喃基、氮杂二萘并噻吩基、氮杂二苯并咔唑基、氮杂二苯并芴基或氮杂二萘并噻咯基。

在实施例中，环CY₃₁和环CY₃₂可以各自独立地是苯基、吡啶基、嘧啶基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基或二苯并噻咯基。

在实施例中，环CY₄可以是吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基或苯并噻唑基。

在实施例中，环CY₅可以是：C₂-C₈单环基；或者其中两个或三个C₂-C₈单环基彼此稠合的C₄-C₂₀多环基。

如在本文中使用的C₂-C₈单环基是指非稠合环基团，例如环戊二烯基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、环庚二烯基或环辛二烯基。

在实施例中，环CY₅可以是吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、咔唑基、氮杂咔唑基或氮杂芴基。

在式1中，L₁至L₃可以各自独立地是单键、*-C(R_1a)(R_1b)-*'、*-C(R_1a)＝*'、*＝C(R_1a)-*'、*-C(R_1a)＝C(R_1b)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R_1a)-*'、*-N(R_1a)-*'、*-O-*'、*-P(R_1a)-*'、*-Al(R_1a)-*'、*-Si(R_1a)(R_1b)-*'、*-P(＝O)(R_1a)-*'、*-S-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'或*-Ge(R_1a)(R_1b)-*'，其中，*和*'可以各自指示与相邻原子的结合位点。

在式1中，R_1a和R_1b可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。

R_10a和Q₁至Q₃可以分别与如在本文中描述的R_10a和Q₁至Q₃相同。

在式1中，n1至n3可以分别指示L₁至L₃的数目，并且n1至n3可以各自独立地是1至5的整数。

在实施例中，L₁和L₃可以各自是单键。

在实施例中，L₂可以是*-O-*'或*-S-*'，并且n2可以是1。

在式1中，R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q1)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。

R_10a和Q₁至Q₃可以分别与在本文中描述的R_10a和Q₁至Q₃相同。

在式1中，a1、a2、a31、a32、a4和a5可以分别指示R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅的数目，a1、a2、a31、a32、a4和a5可以各自独立地是1至20的整数。

在实施例中，R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅中的至少两个基团可以可选地彼此键合以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基。

R_10a可以与如在本文中描述的R_10a相同。

在实施例中，R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基，各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₁₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或它们的任何组合取代；

环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基或氮杂二苯并噻咯基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以分别通过参考在本文中提供的Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃的描述来理解。

在实施例中，R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基或C₁-C₂₀烷基；

被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₁₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或它们的任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；

环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基或氮杂芴基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₂₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)，

其中，Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；氰基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

在实施例中，有机金属化合物可以由式1-1或式1-2表示：

[式1-1]

[式1-2]

在式1-1和式1-2中，

M、X₁至X₄、CY₁、CY₂、CY₃₁、CY₃₂、CY₄、L₁至L₃、n1至n3、R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R4、a1、a2、a31、a32和a4可以分别与在式1中所定义的相同，

环CY₅₁和环CY₅₂可以各自独立地与关于式1中的环CY₅所定义的相同，

R₅₁和R₅₂可以各自独立地与关于式1中的R₅所定义的相同，并且

a51和a52可以各自独立地与关于式1中的a5所定义的相同。

在实施例中，环CY₅₁和环CY₅₂可以各自独立地是苯基、吡啶基、嘧啶基、萘基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、芴基或二苯并噻咯基。

在实施例中，在式1中，由表示的部分可以是由式CY1-1至式CY1-7中的一者表示的部分：

在式CY1-1至式CY1-7中，

R₁₁至R₁₇可以各自独立地与关于式1中的R₁所定义的相同，

*指示与式1中的M的结合位点，并且

*指示与式1中的L₁的结合位点。

在实施例中，在式CY1-5至式CY1-7中，R₁₁和R₁₄可以可选地彼此键合以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基。

R_10a可以与在本文中定义的相同。

在实施例中，在式CY1-5至式CY1-7中，R₁₇可以可选地键合到式1中的至少一个R₂，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基。

R_10a可以与在本文中定义的相同。

在实施例中，在式1中，由表示的部分可以是由式CY2-1至式CY2-6中的一者表示的部分：

在式CY2-1至式CY2-6中，

R₂₁至R₂₇可以各自独立地与关于式1中的R₂所定义的相同，

*指示与式1中的M的结合位点，

*指示与式1中的L₁的结合位点，

*”指示与式1中的L₂的结合位点，并且

在实施例中，在式CY2-1、式CY2-2和式CY2-4中，R₂₁可以可选地键合到式1中的至少一个R_10a，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基。

R_10a可以与在本文中定义的相同。

在实施例中，在式1中，由表示的部分可以是由式CY3-1至式CY3-4中的一者表示的部分：

在式CY3-1至式CY3-4中，

R₃₁₁至R₃₁₆可以各自独立地与关于式1中的R₃₁所定义的相同，

R₃₂₁至R₃₂₇可以各自独立地与关于式1中的R₃₂所定义的相同，

*指示与式1中的M的结合位点，

*'指示与式1中的L₃的结合位点，

*”指示与式1中的L₂的结合位点，并且

*”'指示与式1中的X₅₂的结合位点。

在实施例中，在式1中，由表示的部分可以是由式CY4-1至式CY4-5中的一者表示的部分：

在式CY4-1至式CY4-5中，

R₄₁至R₄₃可以各自独立地与关于式1中的R₄所定义的相同，

*指示与式1中的M的结合位点，

*'指示与式1中中的L₃的结合位点，并且

*”指示与式1中的X₅₁的结合位点。

在实施例中，在式1中，由表示的部分可以是由式CY5-1至式CY5-2中的一者表示的部分：

在式CY5-1至式CY5-2中，

R₅₁₁至R₅₁₄可以各自独立地与关于式1中的R₅所定义的相同，

R₅₂₁至R₅₂₄可以各自独立地与关于式1中的R₅所定义的相同，

*”指示与式1中的CY₄的结合位点，并且

*”'指示与式1中的CY₃₂的结合位点。

除非另外定义，否则式1中的R_10a可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合取代；

C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合取代；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

除非另外定义，否则式1中的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

在由式1表示的有机金属化合物中，环CY₃₂、环CY₄和环CY₅可以彼此连接以形成稠环结构。因此，可以改善空穴迁移率，并且可以改善装置驱动电压。分子稳健性可以通过化学键合来改善。通过环的三维结构，可以抑制分子间相互作用，从而可以改善比色纯度。因此，通过将由式1表示的有机金属化合物应用于发光装置的发射层，可以提高发光效率并且改善装置的寿命。因此，通过使用有机金属化合物，可以实现具有低驱动电压、高效率和长寿命的特性的电子设备(例如，有机发光设备)。

[其他式的描述]

[式2]

在式2中，b51至b53可以分别指示L₅₁至L₅₃的数目，并且b51至b53可以各自独立地是1至5的整数。当b51是2或更大时，至少两个L₅₁可以彼此相同或不同，当b52是2或更大时，至少两个L₅₂可以彼此相同或不同，并且当b53是2或更大时，至少两个L₅₃可以彼此相同或不同。在实施例中，b51至b53可以各自独立地是1或2。

在式2中，L₅₁至L₅₃可以各自独立地是：

单键；或者

苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、基、环戊二烯基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、茚基、芴基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并异噁唑基、二苯并噻西林基、二苯并二氢氮杂西林基、二苯并二氢二西林基、二苯并二氢西林基、二苯并二噁烷基、二苯并噁噻吩基、二苯并噁嗪基、二苯并吡喃基、二苯并噻英基、二苯并噻嗪基、二苯并噻喃基、二苯并环己二烯基、二苯并二氢吡啶基或二苯并二氢吡嗪基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、咔唑基、苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代，

其中，Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。

在实施例中，在式2中，L₅₁与R₅₁之间的键、L₅₂与R₅₂之间的键、L₅₃与R₅₃之间的键、两个或更多个L₅₁之间的键、两个或更多个L₅₂之间的键、两个或更多个L₅₃之间的键、式2中的L₅₁与在X₅₄和X₅₅之间的碳之间的键、式2中的L₅₂与在X₅₄和X₅₆之间的碳之间的键以及式2中的L₅₃与在X₅₅和X₅₆之间的碳之间的键可以各自是“碳-碳单键”。

在式2中，X₅₄可以是N或C(R₅₄)，X₅₅可以是N或C(R₅₅)，X₅₆可以是N或C(R₅₆)，并且X₅₄至X₅₆中的至少一者可以是N。R₅₄至R₅₆可以分别与在本文中描述的相同。例如，X₅₄至X₅₆中的两者或三者可以各自是N。

在式2、式3-1至式3-5、式502和式503中，R₅₁至R₅₆、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b、R_500a、R_500b、R₅₀₁至R₅₀₈、R_505a、R_505b、R_506a、R_506b、R_507a、R_507b、R_508a和R_508b可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳烷基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，其中，Q₁至Q₃可以分别与在本文中描述的相同。

例如，在式1中的R₁至R₃、R₄₁、R₄₂、R₄₄、Z_51a、Z_51b、Z_52a、Z_52b和T₁至T₃、在式2、式3-1至式3-5、式502和式503中的R₅₁至R₅₆、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b、R_500a、R_500b、R₅₀₁至R₅₀₈、R_505a、R_505b、R_506a、R_506b、R_507a、R_507b、R_508a和R_508b、以及R_10a可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基；

C₁-C₂₀烷基或C₁-C₂₀烷氧基，各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₁₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或它们的任何组合取代；

环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基或由式91表示的基团，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并异噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

其中，Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：

-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或者

正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基，各自未被取代或者被氘、C₁-C₁₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或它们的任何组合取代：

[式91]

在式91中，

环CY₉₁和环CY₉₂可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₃₀杂环基，

X₉₁可以是单键、O、S、N(R₉₁)、B(R₉₁)、C(R_91a)(R_91b)或Si(R_91a)(R_91b)，

R₉₁、R_91a和R_91b可以通过参考在本文中提供的R₈₂、R_82a和R_82b的描述来理解，

R_10a可以与在本文中描述的相同，并且

*指示与相邻原子的结合位点。

在实施例中，在式91中，

环CY₉₁和环CY₉₂可以各自独立地是苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基，各自未被取代或者被至少一个R_10a取代，

R₉₁、R_91a和R_91b可以各自独立地是：

氢或C₁-C₁₀烷基；或者

苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基，各自未被取代或者被氘、C₁-C₁₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或它们的任何组合取代。

在实施例中，在式1中的R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅；在式2、式3-1至式3-5、式502和式503中的R₅₁至R₅₆、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b、R_500a、R_500b、R₅₀₁至R₅₀₈、R_505a、R_505b、R_506a、R_506b、R_507a、R_507b、R_508a和R_508b；以及R_10a，可以各自独立地是氢、氘、-F、氰基、硝基、-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、由式9-1至式9-19中的一者表示的基团、由式10-1至式10-246中的一者表示的基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)(其中，Q1至Q3可以分别与在本文中描述的相同)：

在式9-1至式9-19和式10-1至式10-246中，*指示与相邻原子的结合位点，“Ph”表示苯基，并且“TMS”表示三甲基甲硅烷基。

在式3-1至式3-5、式502和式503中，a71至a74和a501至a504可以分别指示R₇₁至R₇₄的数目和R₅₀₁至R₅₀₄的数目，并且a71至a74和a501至a504可以各自独立地是0至20的整数。当a71是2或更大时，至少两个R₇₁可以彼此相同或不同，当a72是2或更大时，至少两个R₇₂可以彼此相同或不同，当a73是2或更大时，至少两个R₇₃可以彼此相同或不同，当a74是2或更大时，至少两个R₇₄可以彼此相同或不同，当a501是2或更大时，至少两个R₅₀₁可以彼此相同或不同，当a502是2或更大时，至少两个R₅₀₂可以彼此相同或不同，当a503是2或更大时，至少两个R₅₀₃可以彼此相同或不同，并且当a504是2或更大时，至少两个R₅₀₄可以彼此相同或不同。在实施例中，a71至a74和a501至a504可以各自独立地是0至8的整数。

在实施例中，在式2中，由*-(L₅₁)_b51-R₅₁表示的基团和由*-(L₅₂)_b52-R₅₂表示的基团可以各自不是苯基。

在实施例中，在式2中，由*-(L₅₁)_b51-R₅₁表示的基团可以与由*-(L₅₂)_b52-R₅₂表示的基团相同。

在实施例中，在式2中，由*-(L₅₁)_b51-R₅₁表示的基团可以不同于由*-(L₅₂)_b52-R₅₂表示的基团。

在实施例中，在式2中，b51和b52可以各自独立地是1、2或3；并且L₅₁和L₅₂可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。

在实施例中，在式2中，R₅₁和R₅₂可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-Si(Q₁)(Q₂₎(Q₃)，

其中，Q₁至Q₃可以各自独立地是：各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代的C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

在实施例中，在式2中，

由*-(L₅₁)_b51-R₅₁表示的基团可以是由式CY51-1至式CY51-26中的一者表示的基团，和/或

由*-(L₅₂)_b52-R₅₂表示的基团可以是由式CY52-1至式CY52-26中的一者表示的基团，和/或

由式*-(L₅₃)_b53-R₅₃表示的基团可以是由式CY53-1至式CY53-27中的一者、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)表示的基团：

在式CY51-1至式CY51-26、式CY52-1至式CY52-26和式CY53-1至式CY53-27中，

Y₆₃可以是单键、O、S、N(R₆₃)、B(R₆₃)、C(R_63a)(R_63b)或Si(R_63a)(R_63b)，

Y₆₄可以是单键、O、S、N(R₆₄)、B(R₆₄)、C(R_64a)(R_64b)或Si(R_64a)(R_64b)，

Y₆₇可以是单键、O、S、N(R₆₇)、B(R₆₇)、C(R_67a)(R_67b)或Si(R_67a)(R_67b)，Y₆₈可以是单键、O、S、N(R₆₈)、B(R₆₈)、C(R_68a)(R_68b)或Si(R_68a)(R_68b)，

在式CY51-16和式CY51-17中，Y₆₃和Y₆₄可以各自不同时是单键，

在式CY52-16和式CY52-17中，Y₆₇和Y₆₈可以各自不同时是单键，

除了R_51a至R_51e可以各自不是氢之外，R_51a至R_51e、R₆₁至R₆₄、R_63a、R_63b、R_64a和R_64b可以各自独立地与关于在本文中定义的R₅₁所定义的相同，

除了R_52a至R_52e可以各自不是氢之外，R_52a至R_52e、R₆₅至R₆₈、R_67a、R_67b、R_68a和R_68b可以各自独立地与关于在本文中定义的R₅₂所定义的相同，

除了R_53a至R_53e可以各自不是氢之外，R_53a至R_53e、R_69a和R_69b可以各自独立地与关于在本文中定义的R₅₃所定义的相同，并且

*指示与相邻原子的结合位点。

在实施例中，

在式CY51-1至式CY51-26和式CY52-1至式52-26中，R_51a至R_51e和R_52a至R_52e可以各自独立地是：

环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基或由式91表示的基团，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基或它们的任何组合取代；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)，

其中，Q₁至Q₃可以各自独立地是苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基，各自未被取代或者被氘、C₁-C₁₀烷基、苯基、联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、三嗪基或它们的任何组合取代，

在式CY51-16和式CY51-17中，Y₆₃可以是O或S，并且Y₆₄可以是Si(R_64a)(R_64b)；或者Y₆₃可以是Si(R_63a)(R_63b)，并且Y₆₄可以是O或S，并且

在式CY52-16和式CY52-17中，Y₆₇可以是O或S，并且Y₆₈可以是Si(R_68a)(R_68b)；或者Y₆₇可以是Si(R_67a)(R_67b)，并且Y₆₈可以是O或S。

在式3-1至式3-5中，L₈₁至L₈₅可以各自独立地是：

单键；或者

*-C(Q₄)(Q₅)-*'或*-Si(Q₄₎(Q₅)-*'；或者

苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、基、环戊二烯基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、茚基、芴基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基或苯并噻二唑基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、芴基、二甲基芴基、二苯基芴基、咔唑基、苯基咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、二甲基二苯并噻咯基、二苯基二苯并噻咯基、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代，

其中，Q₄、Q₅和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基或三嗪基。

在实施例中，在式3-1和式3-2中，由表示的部分可以是由式CY71-1(1)至式CY71-1(8)中的一者表示的部分，

在式3-1和式3-3中，由表示的部分可以是由式CY71-2(1)至式CY71-2(8)中的一者表示的部分，

在式3-2和式3-4中，由表示的部分可以是由式CY71-3(1)至式CY71-3(32)中的一者表示的部分，

在式3-3至式3-5中，由表示的部分可以是由式CY71-4(1)至式CY71-4(32)中的一者表示的部分，和/或

在式3-5中，由表示的部分可以是由式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中的一者表示的部分：

在式CY71-1(1)至式CY71-1(8)、式CY71-2(1)至式CY71-2(8)、式CY71-3(1)至式CY71-3(32)、式CY71-4(1)至式CY71-4(32)和式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中，

X₈₁至X₈₅、L₈₁、b81、R₈₁和R₈₅可以分别通过参考在本文中提供的X₈₁至X₈₅、L₈₁、b81、R₈₁和R₈₅的描述来理解，

X₈₆可以是单键、O、S、N(R₈₆)、B(R₈₆)、C(R_86a)(R_86b)或Si(R_86a)(R_86b)，X₈₇可以是单键、O、S、N(R₈₇)、B(R₈₇)、C(R_87a)(R_87b)或Si(R_87a)(R_87b)，

在式CY71-1(1)至式CY71-1(8)和式CY71-4(1)至式CY71-4(32)中，X₈₆和X₈₇可以各自不同时是单键，

X₈₈可以是单键、O、S、N(R₈₈)、B(R₈₈)、C(R_88a)(R_88b)或Si(R_88a)(R_88b)，X₈₉可以是单键、O、S、N(R₈₉)、B(R₈₉)、C(R_89a)(R_89b)或Si(R_89a)(R_89b)，

在式CY71-2(1)至式CY71-2(8)、式CY71-3(1)至式CY71-3(32)和式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中，X₈₈和X₈₉可以各自不同时是单键，

R₈₆至R₈₉、R_86a、R_86b、R_87a、R_87b、R_88a、R_88b、R_89a和R_89b可以各自独立地与关于在本文中定义的R₈₁所定义的相同。

[化合物的示例]

在实施例中，由式1表示的有机金属化合物可以是化合物1至化合物103中的一者：

在实施例中，第二化合物可以是化合物ETH1至化合物ETH100中的一者：

在实施例中，第三化合物可以是化合物HTH1至化合物HTH40中的一者：

在实施例中，第四化合物可以是化合物DFD1至化合物DFD29中的一者：

在化合物1至化合物103、化合物ETH1至化合物ETH100、化合物HTH1至化合物HTH40和化合物DFD1至化合物DFD29中，“Ph”表示苯基，“D₅”表示被5个氘原子取代，并且“D₄”表示被4个氘原子取代。例如，由表示的部分可以与由表示的部分相同。

[图1的描述]

图1是根据实施例的发光装置10的示意性截面图。发光装置10可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

在下文中，将结合图1描述根据实施例的发光装置10的结构和根据实施例的制造发光装置10的方法。

[第一电极110]

在图1中，可以在第一电极110下方或第二电极150上方进一步包括基底。基底可以是玻璃基底或塑料基底。基底可以是柔性基底，该柔性基底包括具有优异的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或它们的任何组合。

可以通过在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，可以使用可以容易地注入空穴的高功函数材料作为用于第一电极的材料。

第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或它们的任何组合。在一些实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，可以使用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或它们的任何组合作为用于形成第一电极110的材料。

第一电极110可以具有由单层组成的结构或者包括两层或更多层的结构。在实施例中，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

[中间层130]

中间层130可以在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。

中间层130还可以包括在第一电极110和发射层之间的空穴传输区域以及在发射层和第二电极150之间的电子传输区域。

除了各种有机材料之外，中间层130还可以包括诸如有机金属化合物的含金属的化合物和诸如量子点的无机材料等。

中间层130可以包括：堆叠在第一电极110和第二电极150之间的至少两个发射单元；以及在至少两个发射单元之间的至少一个电荷产生层。当中间层130包括至少两个发射单元和至少一个电荷产生层时，发光装置10可以是串联(tandem)发光装置。

[中间层130中的空穴传输区域]

空穴传输区域可以具有由包括单一材料的层组成的结构、由包括不同材料的层组成的结构或包括包含不同材料的多个层的结构。

空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。

在实施例中，空穴传输区域可以具有多层结构，例如空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，每个结构的各层可以以其各自的陈述次序堆叠在第一电极110上，但是空穴传输区域的结构不限于此。

空穴传输区域可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合：

[式201]

[式202]

在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

R₂₀₁和R₂₀₂可以可选地经由单键、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅烯基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此键合，以形成未被取代的或被至少一个R_10a(例如，在本文中描述的化合物HT16)取代的C₈-C₆₀多环基(例如，咔唑基等)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以可选地经由单键、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅烯基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基彼此键合，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基，并且

na1可以是1至4的整数。

在实施例中，式201和式202可以各自包括由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一个：

在式CY201至式CY217中，R_10b和R_10c可以各自独立地与关于在本文中描述的R_10a所描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基或C₁-C₂₀杂环基，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以未被取代或被R_10a取代。

在实施例中，在式CY201至式CY217中，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基、萘基、菲基或蒽基。

在实施例中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可以各自独立地包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个。

在实施例中，由式201表示的化合物可以包括由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一个和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施例中，在式201中，xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一者表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以由式CY204至式CY207中的一者表示。

在实施例中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可以各自不包括由式CY201至式CY203表示的基团。

在实施例中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可以各自不包括由式CY201至式CY203表示的基团，并且可以各自独立地包括由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一个。

在实施例中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可以各自不包括由式CY201至式CY217表示的基团。

在实施例中，空穴传输区域可以包括化合物HT1至化合物HT46中的一者以及m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化的NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)或它们的任何组合：

空穴传输区域的厚度可以在大约50埃至大约的范围内。例如，空穴传输区域的厚度可以在大约至大约的范围内。当空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层和它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可以在大约至大约的范围内，空穴传输层的厚度可以在大约至大约的范围内。例如，空穴注入层的厚度可以在大约至大约的范围内。例如，空穴传输层的厚度可以在大约至大约的范围内。当空穴传输区域、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围中的任何范围内时，可以获得优异的空穴传输特性而不显著增加驱动电压。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来提高光发射效率。电子阻挡层可以防止电子从发射层泄漏到空穴传输区域。可以包括在空穴传输区域中的材料也可以包括在发射辅助层和电子阻挡层中。

[p-掺杂剂]

空穴传输区域可以包括电荷产生材料以及前述材料，以改善空穴传输区域的导电性质。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域中(例如，作为由电荷产生材料组成的单层)。

电荷产生材料可以包括例如p-掺杂剂。

在实施例中，p-掺杂剂的最低未占分子轨道(LUMO)能级可以等于或小于大约-3.5eV。

在实施例中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基的化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或它们的任何组合。

醌衍生物的示例可以包括TCNQ和F4-TCNQ等：

含氰基的化合物的示例可以包括HAT-CN和由式221表示的化合物等：

[式221]

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，并且

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一者可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，该C₃-C₆₀碳环基或该C₁-C₆₀杂环基被以下基团取代：氰基；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基、-F、-Cl、-Br、-I或它们的任何组合取代的C₁-C₂₀烷基；或它们的任何组合。

在含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或它们的任何组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或它们的任何组合。

金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)或铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)或钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)或金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)或锡(Sn)等)；和镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)或镥(Lu)等)；等等。

准金属的示例可以包括硅(Si)、锑(Sb)和碲(Te)等。

非金属的示例可以包括氧(O)和卤素(例如，F、Cl、Br和I等)等。

例如，含元素EL1和元素EL2的化合物可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和金属碘化物等)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和准金属碘化物等)、金属碲化物或它们的任何组合。

金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃和W₂O₅等)、氧化钒(例如，VO、V₂O₃、VO₂和V₂O₅等)、氧化钼(MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃和Mo₂O₅等)和氧化铼(例如，ReO₃等)等。

金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物等。

碱金属卤化物的示例可以包括LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和CsI等。

碱土金属卤化物的示例可以包括BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和BaI₂等。

过渡金属卤化物的示例可以包括卤化钛(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄和TiI₄等)、卤化锆(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄和ZrI₄等)、卤化铪(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄和HfI₄等)、卤化钒(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃和VI₃等)、卤化铌(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃和NbI₃等)、卤化钽(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃和TaI₃等)、卤化铬(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃和CrI₃等)、卤化钼(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃和MoI₃等)、卤化钨(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃和WI₃等)、卤化锰(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂和MnI₂等)、卤化锝(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂和TcI₂等)、卤化铼(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂和ReI₂等)、卤化铁(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂和FeI₂等)、卤化钌(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂和RuI₂等)、卤化锇(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂和OsI₂等)、卤化钴(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂和CoI₂等)、卤化铑(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂和RhI₂等)、卤化铱(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂和IrI₂等)、卤化镍(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂和NiI₂等)、卤化钯(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂和PdI₂等)、卤化铂(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂和PtI₂等)、卤化铜(例如，CuF、CuCl、CuBr和CuI等)、卤化银(例如，AgF、AgCl、AgBr和AgI等)和卤化金(例如，AuF、AuCl、AuBr和AuI等)等。

后过渡金属卤化物的示例可以包括卤化锌(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂和ZnI₂等)、卤化铟(例如，InI₃等)和卤化锡(例如，SnI₂等)等。

镧系金属卤化物的示例可以包括YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃和SmI₃等。

准金属卤化物的示例可以包括卤化锑(例如，SbCl₅等)等。

金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te和Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe和BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe和Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe和LuTe等)等。

[中间层130中的发射层]

当发光装置10是全色发光装置时，可以根据子像素将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在实施例中，发射层可以具有堆叠结构。堆叠结构可以包括选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的两个或更多个层。该两个或更多个层可以彼此接触(例如，直接接触)或者可以彼此分离以发射白光。在实施例中，发射层可以包括两种或更多种材料。该两种或更多种材料可以包括红色发光材料、绿色发光材料或蓝色发光材料。该两种或更多种材料可以在单层中彼此混合以发射白光。

在实施例中，发射层可以包括主体和掺杂剂(或发射体)。在实施例中，除了主体和掺杂剂(或发射体)之外，发射层还可以包括促进能量转移到掺杂剂(或发射体)的辅助掺杂剂。当发射层包括掺杂剂(或发射体)和辅助掺杂剂时，掺杂剂(或发射体)可以不同于辅助掺杂剂。

由式1表示的有机金属化合物可以用作掺杂剂(或发射体)或用作辅助掺杂剂。

基于100重量份的主体，发射层中的掺杂剂(或发射体)的含量(量)可以在大约0.01重量份至大约15重量份的范围内。

可以在发射层中包括由式1表示的有机金属化合物。基于100重量份的发射层，有机金属化合物在发射层中的含量(量)可以在大约0.01重量份至大约30重量份的范围内。例如，基于100重量份的发射层，有机金属化合物在发射层中的含量(量)可以在大约0.1重量份至大约20重量份的范围内。例如，基于100重量份的发射层，有机金属化合物在发射层中的含量(量)可以在大约0.1重量份至大约15重量份的范围内。

发射层的厚度可以在大约至大约的范围内。例如，发射层的厚度可以在大约至大约的范围内。当发射层的厚度在这些范围中的任何范围内时，可以获得改善的发光特性而不显著增加驱动电压。

[主体]

发射层中的主体可以包括第二化合物、第三化合物或它们的任何组合。

在实施例中，主体还可以包括由式301表示的化合物：

[式301]

[Ar₃₀₁]_xb11-[(L₃₀₁)_xb1-R₃₀₁]_xb21

在式301中，

Ar₃₀₁和L₃₀₁可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xb11可以是1、2或3，

xb1可以是0至5的整数，

R₃₀₁可以是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)(Q₃₀₃)、-N(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-B(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)、-C(＝O)(Q₃₀₁)、-S(＝O)₂(Q₃₀₁)或-P(＝O)(Q₃₀₁)(Q₃₀₂)，

xb21可以是1至5的整数，并且

Q₃₀₁至Q₃₀₃可以各自独立地与在本文中关于Q₁所描述的相同。

在实施例中，在式301中，当xb11是2或更大时，至少两个Ar₃₀₁可以经由单键键合。

在实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合：

[式301-1]

[式301-2]

在式301-1至式301-2中，

环A₃₀₁至环A₃₀₄可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

X₃₀₁可以是O、S、N-[(L₃₀₄)_xb4-R₃₀₄]、C(R₃₀₄)(R₃₀₅)或Si(R₃₀₄)(R₃₀₅)，

xb22和xb23可以各自独立地是0、1或2，

L₃₀₁、xb1和R₃₀₁可以分别通过参考在本文中提供的L₃₀₁、xb1和R₃₀₁的描述来理解，

L₃₀₂至L₃₀₄可以各自独立地与关于L₃₀₁描述的相同，

xb2至xb4可以各自独立地与关于xb1所描述的相同，并且

R₃₀₂至R₃₀₅和R₃₁₁至R₃₁₄可以各自独立地与在本文中提供的关于R₃₀₁所描述的相同。

在实施例中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或它们的任何组合。例如，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或它们的任何组合。

在一些实施例中，主体可以包括化合物H1至化合物H130、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二-9-咔唑基苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)和它们的任何组合中的一者：

在实施例中，主体可以包括含硅的化合物、含氧化膦的化合物或它们的任何组合。

主体可以包括一种类型的化合物或者两种或更多种不同类型的化合物。这样，可以以各种方式修改实施例。

[磷光掺杂剂]

发射层可以包括在本文中描述的由式1表示的有机金属化合物作为磷光掺杂剂。

在实施例中，当在发射层中包括由式1表示的有机金属化合物并且由式1表示的有机金属化合物用作辅助掺杂剂时，发射层可以包括磷光掺杂剂。

磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。

磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任何组合。

磷光掺杂剂可以是电中性的。

在实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属络合物：

[式401]

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

[式402]

在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，并且当xc1是2或更大时，至少两个L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0至4的整数，并且当xc2是2或更大时，至少两个L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

其中，Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各地独立地与关于Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

其中，Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自独立地与关于Q₁描述的相同，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，并且

式402中的*和*'各自指示与式401中的M的结合位点。

在实施例中，在式402中，X₄₀₁可以是氮并且X₄₀₂可以是碳，或者X₄₀₁和X₄₀₂可以各自是氮。

在实施例中，在式401中，当xc1是2或更大时，至少两个L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以可选地经由作为连接基团的T₄₀₂键合，或者两个环A₄₀₂可以可选地经由作为连接基团的T₄₀₃键合(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可以各自独立地通过参考在本文中提供的T₄₀₁的描述来理解。

在式401中，L₄₀₂可以是任何合适的有机配体。例如，L₄₀₂可以是卤素基、二酮基(例如，乙酰丙酮化物基)、羧酸基(例如，吡啶甲酸酯基)、-C(＝O)、异腈基、-CN、含磷基(例如，膦基或亚磷酸酯基)或它们的任何组合。

磷光掺杂剂可以是例如化合物PD1至化合物PD25和它们的任何组合中的一者：

[荧光掺杂剂]

在实施例中，当发射层包括由式1表示的有机金属化合物并且由式1表示的有机金属化合物用作辅助掺杂剂时，发射层可以包括荧光掺杂剂。

在实施例中，当发射层包括由式1表示的有机金属化合物并且由式1表示的有机金属化合物用作磷光掺杂剂时，发射层可以包括辅助掺杂剂。

荧光掺杂剂和辅助掺杂剂可以各自独立地包括芳基胺化合物、苯乙烯胺化合物、含硼的化合物或它们的任何组合。

在实施例中，荧光掺杂剂和辅助掺杂剂可以各自独立地包括由式501表示的化合物：

[式501]

在式501中，

Ar₅₀₁、L₅₀₁至L₅₀₃、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，并且

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

在实施例中，在式501中，Ar₅₀₁可以包括其中至少三个单环基稠合的稠环基(例如，蒽基、基或芘基)。

在实施例中，在式501中，xd4可以是2。

在实施例中，荧光掺杂剂和辅助掺杂剂可以各自包括化合物FD1至化合物FD36、DPVBi、DPAVBi和它们的任何组合中的一者：

在实施例中，荧光掺杂剂和辅助掺杂剂可以各自独立地包括由式502或式503表示的第四化合物。

[中间层130中的电子传输区域]

电子传输区域可以具有由包括单一材料的层组成的结构、由包括多种不同材料的层组成的结构或包括包含不同材料的多个层的结构。

电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。

在实施例中，电子传输区域可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，每个结构的各层可以以其各自陈述的顺序堆叠在发射层上，但是空穴传输区域的结构不限于此。

电子传输区域(例如，电子传输区域中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括不含金属的化合物，该不含金属的化合物包括至少一个缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基。

在实施例中，电子传输区域可以包括由式601表示的化合物：

[式601]

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

在式601中，

Ar₆₀₁和L₆₀₁可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

其中，Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自独立地与关于在本文中描述的Q₁所描述的相同，

xe21可以是1、2、3、4或5，并且

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一者可以各自独立地是未被取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基。

在实施例中，在式601中，当xe11是2或更大时，至少两个Ar₆₀₁可以经由单键彼此键合。

在实施例中，在式601中，Ar₆₀₁可以是被取代的或未被取代的蒽基。

在实施例中，电子传输区域可以包括由式601-1表示的化合物：

[式601-1]

在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一者可以各自是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自独立地与在本文中描述的L₆₀₁相同，

xe611至xe613可以各自独立地与在本文中描述的xe1相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自独立地与在本文中描述的R₆₀₁相同，并且

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₂₀烷基、C₁-C₂₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基。

在实施例中，在式601和式601-1中，xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区域可以包括化合物ET1至化合物ET46、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ和它们的任何组合中的一者：

电子传输区域的厚度可以在大约100埃至大约的范围内。例如，电子传输区域的厚度可以在大约至大约的范围内。当电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地在大约至大约的范围内，并且电子传输层的厚度可以在大约至大约的范围内。例如，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地在大约至大约的范围内。例如，电子传输层的厚度可以在大约至大约的范围内。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区域的厚度各自在这些范围内时，可以获得优异的电子传输特性而不显著增加驱动电压。

除了上述材料之外，电子传输区域(例如，电子传输区域中的电子传输层)还可以包括含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任何组合。碱金属络合物的金属离子可以是锂(Li)离子、钠(Na)离子、钾(K)离子、铷(Rb)离子或铯(Cs)离子。碱土金属络合物的金属离子可以是铍(Be)离子、镁(Mg)离子、钙(Ca)离子、锶(Sr)离子或钡(Ba)离子。

与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以各自独立地包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。

在实施例中，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区域可以包括促进从第二电极150注入电子的电子注入层。电子注入层可以接触(例如，直接接触)第二电极150。

电子注入层可以具有由包括单一材料的层组成的结构、由包括不同材料的层组成的结构或包括包含不同材料的多个层的结构。

电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或它们的任何组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或它们的任何组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或它们的任何组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或它们的任何组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和含稀土金属的化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属中的每一者的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)、碲化物或它们的任何组合。

含碱金属的化合物可以包括：碱金属氧化物，诸如Li₂O、Cs₂O或K₂O；碱金属卤化物，诸如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI或KI、RbI；或它们的任何组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，诸如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x是满足0<x<1的实数)或Ba_xCa_{1- x}O(其中x是满足0<x<1的实数)。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或它们的任何组合。在实施例中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可以包括LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和Lu₂Te₃等。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包括：碱金属离子、碱土金属离子或稀土金属离子；以及与金属离子键合的配体(例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合)。

电子注入层可以由如上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或它们的任何组合组成。在实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在实施例中，电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)组成；或者电子注入层可以由含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)和碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合组成。在实施例中，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层和LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。

电子注入层的厚度可以在大约至大约的范围内。例如，电子注入层的厚度可以在大约至大约的范围内。当电子注入层的厚度在这些范围中的任何范围内时，可以获得优异的电子注入特性而不显著增加驱动电压。

[第二电极150]

第二电极150可以在中间层130上。在实施例中，第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极。当第二电极150是阴极时，用于形成第二电极150的材料可以是具有低功函数的材料，例如金属、合金、导电化合物或它们的任何组合。

第二电极150可以包括锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或它们的任何组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或多层结构。

[覆盖层]

在实施例中，发光装置10可以包括在第一电极110外部的第一覆盖层和/或在第二电极150外部的第二覆盖层。在实施例中，发光装置10可以具有：其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以该陈述的顺序堆叠的结构；其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以该陈述的顺序堆叠的结构；或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以该陈述的顺序堆叠的结构。

在发光装置10中，从中间层130中的发射层发射的光可以穿过第一电极110(其可以是半透射电极或透射电极)并穿过第一覆盖层到达外部。在发光装置10中，从中间层130中的发射层发射的光可以穿过第二电极150(其可以是半透射电极或透射电极)并穿过第二覆盖层到达外部。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自基于相长干涉原理改善外部发光效率。因此，可以提高发光装置10的光学提取效率，从而改善发光装置10的发光效率。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自包括具有等于或大于大约1.6(相对于大约589nm的波长)的折射率的材料。

第一覆盖层和第二覆盖层可以各自独立地是包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层、或者包括有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一者可以各自独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基的化合物、卟吩衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以可选地被包括O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I或它们的任何组合的取代基取代。

在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一者可以各自独立地包括含胺基的化合物。

在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一者可以各自独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。

在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一者可以各自独立地包括化合物HT28至化合物HT33、化合物CP1至化合物CP6中的一者、β-NPB和它们的任何组合中的一者：

[电子设备]

发光装置(例如图1中的发光装置10)可以包括在各种电子设备中。在实施例中，包括发光装置的电子设备可以是发光设备或认证设备。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)还可以包括滤色器、颜色转换层、或者滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以设置在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝光、绿光或白光。发光装置可以与在本文中描述的相同。在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。

电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括子像素，滤色器可以包括分别对应于子像素的滤色器区，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素的颜色转换区。

像素限定膜可以位于多个子像素之间以限定每个子像素。

滤色器还可以包括多个滤色器区和在多个滤色器区之间的光阻挡图案，并且颜色转换层还可以包括多个颜色转换区和在多个颜色转换区之间的光阻挡图案。

滤色器区(或颜色转换区)可以包括：发射第一颜色光的第一区；发射第二颜色光的第二区；和/或发射第三颜色光的第三区，并且第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以各自具有彼此不同的最大发射波长。在实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，并且第三颜色光可以是蓝光。在实施例中，滤色器区(或颜色转换区)可以各自包括量子点。在实施例中，第一区可以包括红色量子点，第二区可以包括绿色量子点，并且第三区可以不包括量子点。量子点可以与在本文中描述的相同。第一区、第二区和/或第三区可以各自进一步包括散射体。

在实施例中，发光装置可以发射第一光，第一区可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在该实施例中，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以各自具有不同的最大发射波长。在实施例中，第一光可以是蓝光，第一-第一颜色光可以是红光，第二-第一颜色光可以是绿光，并且第三-第一光可以是蓝光。

除了发光装置之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源极电极、漏极电极和有源层，其中，源极电极和漏极电极中的一者可以电连接到发光装置的第一电极和第二电极中的相应一者。

薄膜晶体管还可以包括栅极电极或栅极绝缘膜等。

有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体和氧化物半导体。

电子设备还可以包括用于密封发光装置的封装单元。封装单元可以位于滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。封装单元可以允许光从发光装置传递到外部，并且防止空气和湿气渗透到发光装置中。封装单元可以是包括透明玻璃或塑料基底的密封基底。封装单元可以是包括有机层和无机层中的至少一者的薄膜封装层。当封装单元是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

除了滤色器和/或颜色转换层之外，可以依据电子设备的用途在封装单元上设置各种功能层。功能层的示例可以包括触摸屏幕层或偏振层等。触摸屏幕层可以是电阻触摸屏幕层、电容触摸屏幕层或红外光束触摸屏幕层。认证设备可以是例如根据生物特征信息(例如，指尖或瞳孔等)识别个体的生物特征认证设备。

除了上面描述的发光装置之外，认证设备还可以包括生物特征信息收集单元。

电子设备可以适用于各种显示器、光源、照明装置、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数字相机、电子笔记、电子词典、电子游戏机、医疗装置(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图记录器、超声诊断装置或内窥镜显示装置)、寻鱼器、各种测量装置、仪表(例如，汽车、飞机或船舶的仪表)和投影仪。

[图2和图3的描述]

图2是根据实施例的电子设备的示意性截面图。

图2中的电子设备可以包括基底100、薄膜晶体管、发光装置和密封发光装置的封装单元300。

基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以在基底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过基底100，并且可以在基底100上提供平坦表面。

薄膜晶体管可以在缓冲层210上。薄膜晶体管可以包括有源层220、栅极电极240、源极电极260和漏极电极270。

有源层220可以包括包含硅或多晶硅的无机半导体、有机半导体或氧化物半导体，并且包括源极区、漏极区和沟道区。

用于使有源层220和栅极电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅极电极240可以在栅极绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以在栅极电极240上。层间绝缘膜250可以在栅极电极240和源极电极260之间以及在栅极电极240和漏极电极270之间，以在它们之间提供绝缘。

源极电极260和漏极电极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源极区和漏极区，并且源极电极260和漏极电极270可以分别接触有源层220的暴露的源极区和暴露的漏极区。

这样的薄膜晶体管可以电连接到发光装置以驱动发光装置，并且可以由钝化层280保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的任何组合。发光装置可以在钝化层280上。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280可以不完全覆盖漏极电极270并且可以暴露漏极电极270的区。第一电极110可以电连接到漏极电极270的暴露的区。

像素限定膜290可以在第一电极110上。像素限定膜290可以暴露第一电极110的区，并且中间层130可以形成在第一电极110的暴露的区中。像素限定膜290可以是聚酰亚胺或聚丙烯酰有机膜。尽管在图2中未示出，但是中间层130的至少一些层可以延伸到像素限定膜290的上部，从而以公共层的形式提供。

第二电极150可以在中间层130上，并且第二覆盖层170可以进一步包括在第二电极150上。第二覆盖层170可以形成为覆盖第二电极150。

封装单元300可以在第二覆盖层170上。封装单元300可以在发光装置上以保护发光装置免受湿气或氧气的影响。封装单元300可以包括：无机膜，包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，包括PET、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯(polyethylene sulfonate)、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸等)、环氧树脂(例如，脂族缩水甘油醚(AGE)等)或它们的任何组合；或者无机膜和有机膜的任何组合。

图3是根据另一实施例的电子设备的示意性截面图。

图3中所示的电子设备可以与图2中所示的电子设备的不同之处至少在于，在封装单元300上还包括遮光图案500和功能区400。功能区400可以是滤色器区、颜色转换区、或者滤色器区和颜色转换区的组合。在实施例中，图3中所示的电子设备可以是串联发光装置。

[图4的描述]

图4是包括根据实施例的发光装置的电子装备1的示意性透视图。

电子装备1可以是用于显示运动图像或静止图像的设备，并且可以是诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IOT)装置以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子笔记本、电子书和便携式多媒体播放器(PMP)或导航仪、超移动PC(UMPC)的便携式电子装置的任何产品，或者可以是这些产品的一部分。

电子装备1可以是诸如智能手表、手表电话、眼镜显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置或其一部分，但是实施例不限于此。例如，电子装备1可以是车辆的仪表面板和中控仪表盘或仪表板上的中心信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器、用于汽车后座的娱乐显示器或位于前座的后部上的显示器、安装在车辆前方或投影在前窗玻璃上的平视显示器(HUD)或计算机生成的全息图增强现实平视显示器(CG HAR HUD)。为了便于描述，图4示出了电子装备1是智能电话的实施例。

电子装备1可以包括显示区DA和在显示区DA外部的非显示区NDA。显示设备可以通过布置在显示区DA中的二维像素阵列来实现图像。

非显示区NDA可以是可以不显示图像的区，并且可以完全围绕显示区DA。在非显示区NDA中，可以布置用于向布置在显示区DA中的显示装置提供电信号或电力的驱动器。在非显示区NDA中，可以布置作为电子装置或印刷电路板可以电连接到的区的焊盘。

电子装备1可以在x轴方向上和在y轴方向上具有不同的长度。例如，如图4中所示，在x轴方向上的长度可以比在y轴方向上的长度短。作为另一示例，在x轴方向上的长度可以与在y轴方向上的长度相同。作为另一示例，在x轴方向上的长度可以比在y轴方向上的长度长。

[图5和图6A至图6C的描述]

图5是示出根据实施例的作为包括发光装置的电子设备的车辆1000的外部的示意性透视图。图6A至图6C各自是示出根据实施例的作为电子设备的车辆1000的内部的示意图。

在图5和图6A至图6C中，车辆1000可以指将诸如人、物体或动物的待运输对象从出发点移动到目的地的各种设备。车辆1000的示例可以包括在道路或轨道上行驶的车辆、在海洋或河流上移动的船舶以及使用空气的作用在天空中飞行的飞机。

车辆1000可以在道路或轨道上行驶。车辆1000可以根据至少一个车轮的旋转在一个方向(例如，预定或可选择的方向)上移动。车辆1000的示例可以包括三轮或四轮车辆、建筑机器、两轮车辆、摩托车、自行车和在轨道上运行的火车。

车辆1000可以包括具有内部和外部的车身，以及作为除了车身之外的安装有驾驶所需的机械设备的部分的底盘。车辆的车身的外部可以包括前面板、发动机罩、车顶面板、后面板、行李箱和设置在门之间的边界处的柱。车辆1000的底盘可以包括发电设备、动力传递设备、行驶设备、转向设备、制动设备、悬架设备、变速器设备、燃料设备和前后左右车轮等。

车辆1000可以包括侧窗玻璃1100、前窗玻璃1200、侧视镜1300、集群1400、中控仪表盘1500、乘客座椅仪表板1600和显示设备2。

侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200可以由位于侧窗玻璃1100和前窗玻璃1200之间的柱分隔。

侧窗玻璃1100可以安装在车辆1000的一侧。在实施例中，侧窗玻璃1100可以安装在车辆1000的门上。可以提供多个侧窗玻璃1100，并且多个侧窗玻璃1100可以彼此面对。在实施例中，侧窗玻璃1100可以包括第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120。在实施例中，第一侧窗玻璃1110可以布置为与集群1400邻近。在实施例中，第二侧窗玻璃1120可以布置为与乘客座椅仪表板1600邻近。

在实施例中，侧窗玻璃1100可以在x轴方向或-x轴方向上彼此间隔开。例如，第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120可以在x轴方向或-x轴方向上彼此间隔开。例如，连接侧窗眼镜1100的假想直线L可以在x轴方向或-x轴方向上延伸。例如，将第一侧窗玻璃1110和第二侧窗玻璃1120彼此连接的假想直线L可以在x轴方向或-x轴方向上延伸。

前窗玻璃1200可以安装在车辆1000的前部。前窗玻璃1200可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。

侧视镜1300可以提供车辆1000的后部的视图。侧视镜1300可以安装在车辆的车身的外部。在实施例中，可以提供多个侧视镜1300。侧视镜1300中的任何一个可以位于第一侧窗玻璃1110的外部。侧视镜1300中的另一个可以位于第二侧窗玻璃1120的外部。

集群1400可以位于方向盘的前方。集群1400可以包括转速计、速度计、冷却剂温度计、燃料计转弯指示器、远光指示器、警告指示器、安全带警告指示器、里程表、里程计、自动换档选择指示器、门打开警告指示器、发动机油警告指示器和/或低燃料警告指示器。

中控仪表盘1500可以包括控制面板，用于调节音频设备、空调设备和座椅加热器的按钮设置在该控制面板上。中控仪表盘1500可以在集群1400的一侧。

乘客座椅仪表板1600可以与集群1400间隔开，且中控仪表盘1500介于在它们之间。在实施例中，集群1400可以设置为对应于驾驶员(未示出)的座椅，并且乘客座椅仪表板1600可以设置为对应于乘客(未示出)的座椅。在实施例中，集群1400可以与第一侧窗玻璃1110邻近，并且乘客座椅仪表板1600可以与第二侧窗玻璃1120邻近。

在实施例中，显示设备2可以包括显示面板3，并且显示面板3可以显示图像。显示设备2可以在车辆1000内部。在一些实施例中，显示设备2可以布置在彼此面对的侧窗玻璃1100之间。显示设备2可以在集群1400、中控仪表盘1500和乘客座椅仪表板1600中的至少一者上。

显示设备2可以包括有机发光显示设备、无机电致发光(EL)显示设备和量子点显示设备等。在下文中，作为根据实施例的显示设备2，将以包括根据实施例的发光装置的有机发光显示设备为例进行描述，然而，实施例可以包括各种类型的显示设备。

如图6A中所示，显示设备2可以设置在中控仪表盘1500上。在实施例中，显示设备2可以显示导航信息。在实施例中，显示设备2可以显示关于音频设置、视频设置或车辆设置的信息。

如图6B中所示，显示设备2可以设置在集群1400上。在该实施例中，集群1400可以通过显示设备2显示驾驶信息等。例如，集群1400可以数字地实现驾驶信息。数字集群1400可以将车辆信息和驾驶信息显示为图像。例如，可以通过数字信号显示转速计的针和仪表以及各种警告指示器。

如图6C中所示，显示设备2可以设置在乘客座椅仪表板1600上。显示设备2可以嵌入在乘客座椅仪表板1600中或位于乘客座椅仪表板1600上。在实施例中，设置在乘客座椅仪表板1600上的显示设备2可以显示与在集群1400上显示的信息和/或在中控仪表盘1500上显示的信息相关的图像。在实施例中，设置在乘客座椅仪表板1600上的显示设备2可以显示与在集群1400上显示的信息和/或在中控仪表盘1500上显示的信息不同的信息。

[制造方法]

构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层可以通过使用诸如真空沉积、旋涂、浇铸、Langmuir-Blodgett(LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像的一种或多种合适的方法形成在特定区域中。

当构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层各自通过真空沉积独立地形成时，依据要包括在每个层中的材料和要形成的每个层的结构，真空沉积可以在大约100℃至大约500℃的范围内的沉积温度下、在大约10^-8托至大约10^-3托的范围内的真空度下和在大约0.01埃/秒至大约的范围内的沉积速率下执行。

[术语的定义]

如在本文中使用的术语“C₃-C₆₀碳环基”可以是仅由碳原子组成并且具有3至60个碳原子作为成环原子的环基。如在本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂环基”可以是除了杂原子作为除碳原子之外的成环原子之外还具有1至60个碳原子的环基。C₃-C₆₀碳环基和C₁-C₆₀杂环基可以各自是由一个环组成的单环基或其中至少两个环稠合的多环基。例如，C₁-C₆₀杂环基中的成环原子的数目可以在3至61的范围内。

如在本文中使用的术语“环基”可以是C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基。

术语“富π电子的C₃-C₆₀环基”可以是具有3至60个碳原子的环基，并且可以不包括作为成环部分的*-N＝*'。如在本文中使用的术语“缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基”可以是具有1至60个碳原子和作为成环部分的*-N＝*'的杂环基。

在实施例中，

C₃-C₆₀碳环基可以是T1基团或其中至少两个T1基团彼此稠合的基团(例如，环戊二烯基、金刚烷基、降冰片烷基、苯基、戊搭烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基、卵苯基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基或茚并蒽基)，

C₁-C₆₀杂环基可以是T2基团、其中至少两个T2基团彼此稠合的基团或者其中至少一个T2基团与至少一个T1基团稠合的基团(例如，吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基、苯并噻吩并二苯并噻吩基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和氮杂二苯并呋喃基等)，

富π电子的C₃-C₆₀环基可以是T1基团、其中至少两个T1基团彼此稠合的基团、T3基团、其中至少两个T3基团彼此稠合的基团或其中至少一个T3基团与至少一个T1基团稠合的基团(例如，C₃-C₆₀碳环基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基等)，并且

缺π电子的含氮的C₁-C₆₀环基可以是T4基团、其中至少两个T4基团彼此稠合的基团、其中至少一个T4基团与至少一个T1基团稠合的基团、其中至少一个T4基团与至少一个T3基团稠合的基团或其中至少一个T4基团、至少一个T1基团和至少一个T3基团彼此稠合的基团(例如，吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、菲咯啉基、噌啉基、酞嗪基、萘啶基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基和氮杂二苯并呋喃基等)，

其中，T1基团可以是环丙烷基、环丁烷基、环戊烷基、环己烷基、环庚烷基、环辛烷基、环丁烯基、环戊烯基、环戊二烯基、环己烯基、环己二烯基、环庚烯基、金刚烷基、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基、降冰片烯基、双环[1.1.1]戊烷基、双环[2.1.1]己烷基、双环[2.2.2]辛烷基或苯基，

T2基团可以是呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基、硼杂环戊二烯基、2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、吡咯烷基、咪唑烷基、二氢吡咯基、哌啶基、四氢吡啶基、二氢吡啶基、六氢嘧啶基、四氢嘧啶基、二氢嘧啶基、哌嗪基、四氢吡嗪基、二氢吡嗪基、四氢哒嗪基或二氢哒嗪基，

T3基团可以是呋喃基、噻吩基、1H-吡咯基、噻咯基或硼杂环戊二烯基，并且

T4基团可以是2H-吡咯基、3H-吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噁二唑基、噻唑基、异噻唑基、噻二唑基、氮杂噻咯基、氮杂硼杂环戊二烯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或四嗪基。

如在本文中使用的术语“环基”、“C₃-C₆₀碳环基”、“C₁-C₆₀杂环基”、“富π电子的C₃-C₆₀环基”或“缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基”可以各自是与任何合适的环基稠合的基团、一价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团或四价基团等)，这取决于应用该术语的式的结构。例如，“苯基”可以是苯环、苯基或亚苯基等，并且这可以被本领域普通技术人员理解，这取决于包括“苯基”的式的结构。

在实施例中，一价C₃-C₆₀碳环基或一价C₁-C₆₀杂环基的示例可以包括C₃-C₁₀环烷基、C₁-C₁₀杂环烷基、C₃-C₁₀环烯基、C₁-C₁₀杂环烯基、C₆-C₆₀芳基、C₁-C₆₀杂芳基、一价非芳族稠合多环基和一价非芳族稠合杂多环基。二价C₃-C₆₀碳环基或二价C₁-C₆₀杂环基的示例可以包括C₃-C₁₀亚环烷基、C₁-C₁₀亚杂环烷基、C₃-C₁₀亚环烯基、C₁-C₁₀亚杂环烯基、C₆-C₆₀亚芳基、C₁-C₆₀亚杂芳基、二价非芳族稠合多环基和二价非芳族稠合杂多环基。

如在本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷基”可以是具有1至60个碳原子的直链或支链脂族烃一价基团，并且其示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基”可以是与C₁-C₆₀烷基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₂-C₆₀烯基”可以是在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳双键的烃基。其示例可以包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基”可以是与C₂-C₆₀烯基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₂-C₆₀炔基”可以是在C₂-C₆₀烷基的中间或末端具有至少一个碳-碳三键的一价烃基。其示例可以包括乙炔基和丙炔基。如在本文中使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基”可以是与C₂-C₆₀炔基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基”可以是由-O(A₁₀₁)表示的一价基团(其中A₁₀₁可以是C₁-C₆₀烷基)。其示例可以包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。

如在本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烷基”可以是包括3至10个碳原子的一价饱和烃单环基。C₃-C₁₀环烷基的示例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基或双环[2.2.2]辛基。如在本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基”可以是与C₃-C₁₀环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基”可以是包括至少一个除碳原子之外的杂原子作为成环原子并且具有1至10个碳原子的一价环基。其示例可以包括1,2,3,4-氧杂三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基”可以是与C₁-C₁₀杂环烷基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₃-C₁₀环烯基”可以是在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且非芳族的一价环基。其示例可以包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在本文中使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基”可以是与C₃-C₁₀环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基”可以是在其环中包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子、1至10个碳原子和至少一个双键的一价环基。C₁-C₁₀杂环烯基的示例可以包括4,5-二氢-1,2,3,4-氧杂三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在本文中使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基”可以是与C₁-C₁₀杂环烯基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳基”可以是具有含6至60个碳原子的碳环芳族体系的一价基团。如在本文中使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基”可以是具有含6至60个碳原子的碳环芳族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基的示例可以包括苯基、戊搭烯基、萘基、薁基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并环戊二烯基、玉红省基、蒄基和卵苯基。当C₆-C₆₀芳基和C₆-C₆₀亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各个环可以彼此稠合。

如在本文中使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基”可以是具有还包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子和1至60个碳原子的杂环芳族体系的一价基团。如在本文中使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基”可以是具有还包括至少一个除碳原子以外的杂原子作为成环原子和1至60个碳原子的杂环芳族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基的示例可以包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当C₁-C₆₀杂芳基和C₁-C₆₀亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，各个环可以彼此稠合。

如在本文中使用的术语“一价非芳族稠合多环基”可以是具有两个或更多个稠合环和仅碳原子(例如，8至60个碳原子)作为成环原子的一价基团，其中当作为整体考虑时，分子结构可以是非芳族的。一价非芳族稠合多环基的示例可以包括茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在本文中使用的术语“二价非芳族稠合多环基”可以是与一价非芳族稠合多环基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“一价非芳族稠合杂多环基”可以是具有两个或更多个稠合环和至少一个除碳原子(例如，1至60个碳原子)之外的杂原子作为成环原子的一价基团，其中当作为整体考虑时，分子结构可以是非芳族的。一价非芳族稠合杂多环基的示例可以包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在本文中使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基”可以是与一价非芳族稠合杂多环基具有基本上相同的结构的二价基团。

如在本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基”可以是由-O(A₁₀₂)表示的基团(其中A₁₀₂可以是C₆-C₆₀芳基)。如在本文中使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基”可以是由-S(A₁₀₃)表示的基团(其中A₁₀₃可以是C₆-C₆₀芳基)。

如在本文中使用的术语“C₇-C₆₀芳烷基”可以是由-(A₁₀₄)(A₁₀₅)表示的基团(其中A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基，并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基)。如在本文中使用的术语“C₂-C₆₀杂芳烷基”可以是由-(A₁₀₆)(A₁₀₇)表示的基团(其中A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基，并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基)。

在本说明书中，基团“R_10a”可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合取代；

C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基或C₂-C₆₀杂芳烷基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、C₇-C₆₀芳烷基、C₂-C₆₀杂芳烷基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合取代；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

在本说明书中，Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

如在本文中使用的术语“杂原子”可以是除碳原子或氢原子之外的任何原子。杂原子的示例可以包括O、S、N、P、Si、B、Ge、Se或它们的任何组合。

在本说明书中，第三行过渡金属的示例可以包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)或金(Au)。

在本说明书中，“Ph”是指苯基，“Me”是指甲基，“Et”是指乙基，“t-Bu”或“Bu^t”各自是指叔丁基，并且“OMe”是指甲氧基。

如在本文中使用的术语“联苯基”可以是被苯基取代的苯基。例如，“联苯基”可以是具有“C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。

如在本文中使用的术语“三联苯基”可以是被联苯基取代的苯基。例如，“三联苯基”可以是具有“被C₆-C₆₀芳基取代的C₆-C₆₀芳基”作为取代基的“被取代的苯基”。

除非另有定义，否则如在本文中使用的符号*、*'、*”和*”'各自是指与相应式或部分中的相邻原子的结合位点。

在下文中，将参考合成示例和示例更详细地描述根据实施例的化合物和发光装置。在描述合成示例中使用的措辞“使用B代替A”是指使用相同摩尔当量的B代替A。

[示例]

合成示例1：化合物6的合成

1)、中间体[6-A]的合成

将(3-溴苯基)硼酸10.0g(50.0mmol)、1-溴-4-甲氧基-2-硝基苯23.2g(100mmol)、四(三苯基膦)钯2.9g(2.5mmol)和碳酸钾13.8g(100.0mmol)加入到反应容器，并且悬浮在500mL四氢呋喃:水3:1(体积比)的混合液体中。将反应混合物加热并且在回流下搅拌24小时。一旦反应完成，就将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得12.2g(39.5mmol)的期望化合物。

2)、中间体[6-B]的合成

将中间体[6-A]12.2g(39.5mmol)和三苯基膦31.1g(118.5mmol)加入到反应容器并且悬浮在400mL o-DCB中。加热反应混合物并且在回流下搅拌12小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得6.9g(24.9mmol)的期望化合物。

3)、中间体[6-C]的合成

将中间体[6-B]6.9g(24.9mmol)、2-溴-3-氟吡啶13.1g(74.7mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯1.1g(1.2mmol)、Sphos 1.0g(2.5mmol)和叔丁醇钠7.2g(74.7mmol)添加到反应容器，并且悬浮在250mL甲苯中。将反应温度升至110℃，然后搅拌12小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得6.5g(17.4mmol)的期望化合物。

4)、中间体[6-D]的合成

将中间体[6-C]6.5g(17.4mmol)、(9H-咔唑-1-基)硼酸3.1g(14.5mmol)、四(三苯基膦)钯1.0g(0.9mmol)和碳酸钾4.8g(34.8mmol)加入到反应容器并且悬浮在150mL四氢呋喃:水3:1(体积比)的混合液体中。加热反应混合物并且在回流下搅拌24小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得4.5g(9.9mmol)期望化合物。

5)、中间体[6-E]的合成

将中间体[6-D]5.3g(11.6mmol)和碳酸铯7.6g(23.2mmol)添加至反应容器并且悬浮在120mL DMSO中。将混合物在100℃下搅拌24小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得4.3g(9.9mmol)的期望化合物。

6)、中间体[6-F]的合成

将中间体[6-E]4.3g(9.9mmol)悬浮在过量溴酸中。将反应混合物加热至120℃的温度并且搅拌12小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，向其中加入碳酸氢钠水溶液用于中和，然后使用乙酸乙酯萃取。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得2.9g(6.9mmol)的期望化合物。

7)、中间体[6-G]的合成

将中间体[6-F]2.9g(6.9mmol)、1-(3-溴苯基)-1H-苯并[d]咪唑2.3g(8.3mmol)、磷酸三钾2.9g(13.8mmol)、碘化铜130mg(0.7mmol)和吡啶甲酸170mg(1.4mmol)加入到反应容器并且悬浮在70mL二甲基亚砜中。将反应混合物加热至160℃的温度并且搅拌12小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温。向其中加入100mL蒸馏水，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得3.0g(4.8mmol)的期望化合物。

8)、中间体[6-H]的合成

将中间体[6-G]3.0g(4.8mmol)和碘甲烷2.0g(14.4mmol)添加到反应容器并且悬浮在50mL甲苯中。将反应混合物加热至110℃的温度并且搅拌3小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，从其中除去一部分溶剂，并且向其中加入蒸馏水以过滤所得固体。将过滤的固体重结晶以进行纯化，由此获得2.8g(3.7mmol)的期望化合物。

9)、中间体[6-I]的合成

将中间体[6-H]2.8g(3.7mmol)和六氟磷酸铵1.8g(11.1mmol)加入到反应容器并且悬浮在比例为2:1的甲醇和水的溶液中。将反应混合物在室温下搅拌12小时。将所得固体重结晶以进行纯化，由此获得2.2g(2.9mmol)的期望化合物。

10)、化合物6的合成

将中间体[6-I]2.2g(2.9mmol)、二氯(1,5-环辛二烯)铂1.2g(3.2mmol)和乙酸钠700mg(8.7mmol)悬浮在12mL二噁烷中。将反应混合物加热至110℃的温度并且搅拌24小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温。向其中加入100mL蒸馏水，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得250mg(0.3mmol)的期望化合物。

合成示例2：化合物11的合成

除了在合成中间体[6-G]之后使用碘甲烷-D3代替碘甲烷-H3之外，以与合成示例1中的方式相同的方式获得250mg(0.3mmol)的期望化合物。

合成示例3：化合物13的合成

1)、中间体[6-F]的合成

中间体[6-F]的工艺与合成示例1相同。

2)、中间体[13-A]的合成

将中间体[6-F]3.0g(4.8mmol)、1-溴-3-氟苯1.7g(9.6mmol)和磷酸三钾2.0g(9.6mmol)添加至反应容器并且悬浮在50mL二甲基亚砜中。将反应混合物加热至160℃的温度并且搅拌12小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温。向其中加入100mL蒸馏水，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得2.1g(3.7mmol)的期望化合物。

3)、中间体[13-B]的合成

将中间体[13-A]2.1g(3.7mmol)、N1-([1,1':3',1”-三联苯]-2'-基)苯-1,2-二胺1.5g(4.4mmol)、三(二亚苄基丙酮)二钯0.2g(0.2mmol)、Sphos 0.2g(0.4mmol)和叔丁醇钠710mg(7.4mmol)加入到反应容器并且悬浮在40mL甲苯中。将反应温度升至110℃，然后搅拌3小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得2.3g(2.7mmol)的期望化合物。

4)、中间体[13-C]的合成

将中间体[13-B]2.3g(2.7mmol)、原甲酸三乙酯20.0g(135.0mmol)和HCl 35wt％溶液1.3mL(14.9mmol)加入到反应容器并且加热至80℃，然后搅拌12小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得1.8g(2.1mmol)的期望化合物。

5)、化合物13的合成

将中间体[13-C]1.8g(2.1mmol)、二氯(1,5-环辛二烯)铂860mg(2.3mmol)和乙酸钠340mg(4.2mmol)悬浮在80mL二噁烷中。将反应混合物加热至110℃的温度并且搅拌24小时。一旦反应完成，将混合物冷却至室温，并且使用乙酸乙酯萃取有机层。用饱和氯化钠水溶液洗涤萃取的有机层，然后用硫酸钠干燥。通过柱色谱分离从其中除去了溶剂的残余物，由此获得210mg(0.2mmol)的期望化合物。

合成示例4：化合物28的合成

除了在合成中间体[6-G]之后分别使用1-(3-溴-5-(叔丁基)苯基)-1H-苯并[d]咪唑和碘甲烷-D3代替1-(3-溴苯基)-1H-苯并[d]咪唑和碘甲烷-H3之外，以与合成示例1中的方式相同的方式获得180mg(0.2mmol)的期望化合物。

通过¹H核磁共振(NMR)和质谱/快原子轰击(MS/FAB)鉴定在合成示例中合成的化合物。其结果示出在表1中。通过参考上面描述的合成途径和原料，本领域技术人员可以容易地理解合成除了在合成示例中合成的化合物之外的化合物的方法。

[表1]

[评价示例1]

根据表2中的方法评价化合物6、化合物11、化合物13、化合物28和化合物CE1至化合物CE3中的每一者的HOMO能级和LUMO能级。其结果示出在表3中。

[表2]

[表3]

化合物编号	HOMO(eV)	LUMO(eV)
			6	-5.33	-1.98
11	-5.34	-1.99
			13	-5.37	-2.04
28	-5.29	-1.95
			CE1	-5.28	-2.00
CE2	-5.34	-1.99
			CE3	-5.65	-2.31

[评价示例2]

将CH₂Cl₂溶液与PMMA和4wt％的化合物6混合在一起。通过使用旋涂机将所得产物涂覆在石英基底上，在烘箱中在80℃的温度下热处理，并且冷却至室温，由此制备具有40nm的厚度的膜。除了分别使用化合物11、化合物13、化合物28和化合物CE1至化合物CE3代替化合物D6之外，分别以与膜BD01的合成中的方式相同的方式制备膜2至膜7。

通过使用配备有氙光源、单色器、光子多通道分析仪和积分球的HamamatsuQuantaurus-QY绝对PL量子产率测量系统，并且利用PLQY测量软件(Hamamatsu Photonics,Ltd.，Shizuoka，Japan)测量膜1至膜7中的每一者的发射光谱。在测量时，通过以10nm的间隔从320nm扫描至380nm来测量激发波长，其中取得在340nm的激发波长下测量的光谱，并且获得包括在每个膜中的有机金属化合物的最大发射波长(发射峰值波长)和半峰全宽(FWHM)。结果示出在表4中。

关于发射量子产率，通过使用Quantaurus-QY绝对PL光谱仪(Hamamatsu)以10nm的间隔从300nm扫描至380nm来测量膜1至膜7的激发波长，其中取得在340nm的激发波长下的光谱以获得发射量子产率(PLQY)。包括在每个膜中的有机金属化合物的发射量子产率示出在表4中。

[表4]

如表4的结果中所示，与化合物CE1、化合物CE2和化合物CE3相比，发现化合物6、化合物11、化合物13和化合物28发射具有优异的PLQY的蓝光。

[示例1]

将Corning 15欧姆/平方厘米(Ω/cm²)ITO玻璃基底切割成50毫米(mm)×50mm×0.7mm的尺寸，在异丙醇和纯水中在每种溶剂中超声处理5分钟，并且通过暴露于具有臭氧的紫外线来清洁，以使用玻璃基底作为阳极。将玻璃基底安装到真空沉积设备上。

在玻璃基底上真空沉积作为现有技术中的化合物的2-TNATA，以形成具有的厚度的空穴注入层。将作为空穴传输化合物的4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)真空沉积在空穴注入层上，以形成具有大约的厚度的空穴传输层。

将作为蓝色荧光发射层中的磷光掺杂剂的重量比例为13％的化合物6和重量比例为3.5:6.5的ETH2:HTH29的混合主体共沉积在空穴传输层上以形成具有的厚度的发射层。

将HBL-1真空沉积至的厚度以形成空穴阻挡层。在发射层上沉积重量比为4.0:6.0的CNNPTRZ:LiQ的混合层至的厚度作为电子传输层。在电子传输层上沉积Yb作为具有的厚度的电子注入层。在其上真空沉积Mg以形成具有的厚度的阴极，由此制造有机电致发光装置。

[示例2至示例6和比较示例1至比较示例3]

除了在发射层的形成中使用磷光掺杂剂代替如表4中所示的化合物6之外，以与示例1中的方式相同的方式制造有机发光装置。

[表5]

[评价示例3]

通过使用Keithley SMU 236和亮度计PR650测量示例1至示例6和比较示例1至比较示例3的有机发光装置在1,000cd/m²下的驱动电压(V)、颜色转换效率(cd/A/y)、最大发射波长(nm)和寿命(T₉₅)。其结果示出在表6中。在表2中，寿命(T₉₅)指示每个发光装置的亮度下降到其初始亮度的95％的时间(小时)。

[表6]

参考表6的结果，发现与比较示例1至比较示例3的有机发光装置相比，示例1至示例4的有机发光装置具有改善的装置寿命。根据前面的描述，明显的是，当使用有机金属化合物时，可以降低驱动电压，并且可以制造具有改善的效率和寿命的发光装置和高质量电子设备。

在本文中已经公开了实施例，并且尽管采用了术语，但是它们仅在一般性和描述性意义上使用和解释，而不是出于限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将显而易见的，结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有具体说明。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种发光装置，其中，所述发光装置包括：

第一电极；

第二电极，面向所述第一电极；

中间层，在所述第一电极和所述第二电极之间，所述中间层包括发射层；以及

由式1表示的有机金属化合物：

[式1]

其中，在式1中，

M是铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，

X₁是碳烯部分中的碳原子，

X₂至X₄、X₅₁和X₅₂各自独立地是C或N，

环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄和环CY₅各自独立地是C₅-C₃₀碳环基或C₁-C₃₀杂环基，

L₁至L₃各自独立地是单键、*-C(R_1a)(R_1b)-*'、*-C(R_1a)＝*'、*＝C(R_1a)-*'、*-C(R_1a)＝C(R_1b)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R_1a)-*'、*-N(R_1a)-*'、*-O-*'、*-P(R_1a)-*'、*-Al(R_1a)-*'、*-Si(R_1a)(R_1b)-*'、*-P(＝O)(R_1a)-*'、*-S-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'或*-Ge(R_1a)(R_1b)-*'，其中，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，

n1至n3各自独立地是1至5的整数，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄、R₅、R_1a和R_1b各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1、a2、a31、a32、a4和a5各自独立地是1至20的整数，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅中的至少两个基团可选地彼此键合，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基，并且

R_10a是：

氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合取代；

C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合取代；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，并且

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

2.根据权利要求1所述的发光装置，其中，

所述发射层包括主体和掺杂剂，并且

所述掺杂剂包括所述有机金属化合物。

3.根据权利要求1所述的发光装置，其中，所述发光装置还包括：

第二化合物，包括至少一个缺π电子的含氮的C₁-C₆₀杂环基；第三化合物，包括由式3表示的基团；第四化合物，是延迟荧光化合物；或它们的任何组合，其中，

所述有机金属化合物、所述第二化合物、所述第三化合物和所述第四化合物彼此不同，

[式3]

其中，在式3中，

环CY₇₁和环CY₇₂各自独立地是富π电子的C₃-C₆₀环基、或者吡啶基，

X₇₁是：单键；或者包括O、S、N、B、C、Si或它们的任何组合的连接基团，并且

*指示与包括在所述第三化合物的除了由式3表示的基团之外的部分中的原子的结合位点。

4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

所述第二化合物包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基或它们的任何组合，并且

所述第四化合物是包括包含硼和氮作为成环原子的至少一个环基的化合物。

5.根据权利要求3所述的发光装置，其中，

所述发射层包括：

所述有机金属化合物；以及

所述第二化合物、所述第三化合物、所述第四化合物或它们的任何组合，并且

所述发射层发射蓝光。

6.一种电子设备，其中，所述电子设备包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括：

薄膜晶体管，其中，

所述薄膜晶体管包括源极电极和漏极电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接到所述源极电极和所述漏极电极中的至少一者。

8.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述电子设备还包括：

滤色器、颜色转换层、触摸屏幕层、偏振层或它们的任何组合。

9.一种电子装备，其中，所述电子装备包括根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置。

10.根据权利要求9所述的电子装备，其中，所述电子装备是平板显示器、弯曲显示器、计算机监视器、医疗监视器、电视、广告板、室内灯、室外灯、信号灯、平视显示器、完全透明显示器、部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、移动电话、平板计算机、平板电话、个人数字助理、可穿戴装置、膝上型计算机、数字相机、摄像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟现实显示器、增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧院屏幕、体育场屏幕、光疗装置或标牌。

11.一种有机金属化合物，其中，所述有机金属化合物由式1表示：

[式1]

其中，在式1中，

M是铂、钯、铜、银、金、铑、钌、锇、钛、锆、铪、铕、铽或铥，

X₁是碳烯部分中的碳原子，

X₂至X₄、X₅₁和X₅₂各自独立地是C或N，

环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄和环CY₅各自独立地是C₅-C₃₀碳环基或C₁-C₃₀杂环基，

L₁至L₃各自独立地是单键、*-C(R_1a)(R_1b)-*'、*-C(R_1a)＝*'、*＝C(R_1a)-*'、*-C(R_1a)＝C(R_1b)-*'、*-C(＝O)-*'、*-C(＝S)-*'、*-C≡C-*'、*-B(R_1a)-*'、*-N(R_1a)-*'、*-O-*'、*-P(R_1a)-*'、*-Al(R_1a)-*'、*-Si(R_1a)(R_1b)-*'、*-P(＝O)(R_1a)-*'、*-S-*'、*-S(＝O)-*'、*-S(＝O)₂-*'或*-Ge(R_1a)(R_1b)-*'，其中，*和*'各自指示与相邻原子的结合位点，

n1至n3各自独立地是1至5的整数，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄、R₅、R_1a和R_1b各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷硫基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基、未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

a1、a2、a31、a32、a4和a5各自独立地是1至20的整数，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅中的至少两个基团可选地彼此键合，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基，并且

R_10a是：

氢、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基或硝基；

C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基或C₁-C₆₀烷氧基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或它们的任何组合取代；

C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基或C₆-C₆₀芳硫基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、C₁-C₆₀烷基、C₂-C₆₀烯基、C₂-C₆₀炔基、C₁-C₆₀烷氧基、C₃-C₆₀碳环基、C₁-C₆₀杂环基、C₆-C₆₀芳氧基、C₆-C₆₀芳硫基、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或它们的任何组合取代；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基；氰基；硝基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；C₁-C₆₀烷氧基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、C₁-C₆₀烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

12.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，

X₂和X₃各自是C，并且

X₄是N。

13.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，

X₁与M之间的键以及X₄与M之间的键各自是配位键，并且

X₂与M之间的键以及X₃与M之间的键各自是共价键。

14.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄、环CY₅₁和环CY₅₂各自独立地是：

苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、芘基、基、环戊二烯基、呋喃基、噻吩基、噻咯基、茚基、芴基、吲哚基、咔唑基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、氮杂芴基、氮杂咔唑基、氮杂二苯并呋喃基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并噻咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲咯啉基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、三唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、二苯并噁西林基、二苯并噻西林基二苯并二氢氮杂西林基、二苯并二氢二西林基、二苯并二氢西林基、二苯并二噁烷基、二苯并噁噻吩基、二苯并噁嗪基、二苯并吡喃基、二苯并噻英基、二苯并噻嗪基、二苯并噻喃基、二苯并环己二烯基、二苯并二氢吡啶基或二苯并二氢吡嗪基。

15.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，

L₁和L₃各自是单键，

L₂是*-O-*'或*-S-*'，并且

n2是1。

16.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，

R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄和R₅各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基或C₁-C₂₀烷基；

C₁-C₂₀烷基，被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₁₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基或它们的任何组合取代；

环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基或氮杂芴基，各自未被取代或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、氰基、C₁-C₂₀烷基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、环庚烯基、苯基、联苯基、C₁-C₁₀烷基苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、菲咯啉基、苯并咪唑基、三唑基、四唑基、三嗪基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)或它们的任何组合取代；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-N(Q₁)(Q₂)，并且

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；氰基；C₁-C₆₀烷基；C₂-C₆₀烯基；C₂-C₆₀炔基；或者C₃-C₆₀碳环基或C₁-C₆₀杂环基，各自未被取代或者被氘、-F、氰基、C₁-C₆₀烷基、苯基、联苯基或它们的任何组合取代。

17.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，所述有机金属化合物由式1-1或式1-2表示：

[式1-1]

[式1-2]

其中，在式1-1和式1-2中，

M、X₁至X₄、环CY₁、环CY₂、环CY₃₁、环CY₃₂、环CY₄、L₁至L₃、n1至n3、R₁、R₂、R₃₁、R₃₂、R₄、a1、a2、a31、a32和a4分别与在式1中所描述的相同，

CY₅₁和CY₅₂各自独立地与关于式1中的CY₅所描述的相同，

R₅₁和R₅₂各自独立地与关于式1中的R₅所描述的相同，并且

a51和a52各自独立地与关于式1中的a5所描述的相同。

18.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，在式1中，由表示的部分是由式CY1-1至式CY1-7中的一者表示的部分：

其中，在式CY1-1至式CY1-7中，

R₁₁至R₁₇各自独立地与关于式1中的R₁所描述的相同，

*指示与式1中的M的结合位点，并且

*指示与式1中的L₁的结合位点。

19.根据权利要求18所述的有机金属化合物，其中，在式CY1-5至式CY1-7中，R₁₁和R₁₄可选地彼此键合，以形成未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基、或者未被取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₃₀杂环基。

20.根据权利要求11所述的有机金属化合物，其中，在式1中，

由表示的部分是由式CY3-1至式CY3-4中的一者表示的部分，并且

由表示的部分是由式CY5-1和式CY5-2中的一者表示的部分：

其中，在式CY3-1至式CY3-4中，

R₃₁₁至R₃₁₆各自独立地与关于式1中的R₃₁所描述的相同，R₃₂₁至R₃₂₇各自独立地与关于式1中的R₃₂所描述的相同，*指示与式1中的M的结合位点，

*'指示与式1中的L₃的结合位点，

*”指示与式1中的L₂的结合位点，并且

*”'指示与式1中的X₅₂的结合位点，

其中，在式CY5-1至式CY5-2中，

R₅₁₁至R₅₁₄各自独立地与关于式1中的R₅所描述的相同，R₅₂₁至R₅₂₄各自独立地与关于式1中的R₅所描述的相同，*”指示与式1中的CY₄的结合位点，并且

*”'指示与式1中的CY₃₂的结合位点。