CN116403825A - 一种软磁铁基纳米晶合金带材及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明属于非晶纳米晶合金技术领域，具体涉及一种软磁铁基纳米晶合金带材及其制备方法和应用。一种软磁铁基纳米晶合金带材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：一次熔炼：将合金原料进行真空熔炼，得到合金铸锭；非晶条带的制备：将合金铸锭进行二次熔炼并通过单辊甩带法制备得到非晶条带；退火处理：将非晶条带进行退火处理、空冷，得到软磁铁基纳米晶合金带材；在退火处理步骤中，退火处理的温度为420‑480℃；本发明通过调整退火处理的温度，在不恶化带材其他软磁性能的前提下，降低合金的相对磁导率，并且可以在不加外场及外应力的作用下得到中低磁导率纳米晶合金带材，减少了因应力退火导致的合金矫顽力恶化的情况。

Description

一种软磁铁基纳米晶合金带材及其制备方法和应用
技术领域
本发明属于非晶纳米晶合金技术领域，具体涉及一种软磁铁基纳米晶合金带材及其制备方法和应用。
背景技术
软磁材料是磁性材料中重要组成部分，在磁场作用下易被磁化，撤去外磁场后也易于退磁化，具有较高的磁导率、较高的饱和磁感应强度、较小的矫顽力，磁滞损耗小，可以应用于变压器、继电器、电感铁芯、继电器等电力电子器件中。软磁材料的发展过程主要经历了钢铁材料－硅钢－铁氧体－非晶材料－纳米晶材料几个阶段。上世纪80年代末期，新型纳米晶软磁材料的发现，推动软磁材料新一轮发展。纳米晶软磁材料以其优异的软磁性能和较低的生产成本，成为综合性能较为优异的金属软磁材料。铁基非晶纳米晶材料应用电力电子器件，可以有效提高能量传输、转换效率，减少损耗，降低温升进而延长电子器件使用寿命。此外，铁基纳米晶材料还有较低的磁各向异性和磁致伸缩系数，在外加磁场的作用下，晶粒磁化过程中，形状和尺寸变化较小，能够有效降低电磁噪声。因此开发新型铁基非晶纳米晶材料对于推动新能源汽车、高铁、光伏、家电、无线充电等领域的电子器件的升级换代具有重要意义。
在电子电力领域中，铁基非晶纳米晶合金的应用广泛。Finemet等具有高磁导率的铁基纳米晶合金，在光伏发电和电力传动行业中用到的滤波器、变压器、精密电流互感器、高频变压器以及共模电感等电子器件，可能因为工作环境中存在的直流成分，在磁场作用下迅速达到饱和，有效磁导率将快速下降，以及直流成分导致的铁芯损耗增加、产生设备局部过热等问题。某些共模电感还要求在较宽的频率范围内保持恒磁导的特性。因此在上述器件中使用的铁芯需要具有较低的初始磁导率、良好的磁滞回线的线性度、尽可能低的矫顽力，以及在外部电流的磁场作用下能保持稳定的磁导率，以实现电力变换或电力测量仪器的需求。
目前主流的低磁导软磁合金以Co基合金或是掺杂大量Co元素的Fe基合金为主。Co基非晶合金具有低矫顽力、低损耗、较好的抗直流能力、良好的高温磁性能以及巨磁阻抗效应等优点，但是Co元素的大量使用会极大地提高合金的生产成本。而成本相对较低的Fe基纳米晶合金的磁导率较高且线性度较差。
发明内容
本发明提供一种软磁铁基纳米晶合金带材及其制备方法和应用，其目的是为了解决现有技术中，Fe基纳米晶合金的磁导率较高且线性度较差的问题。
针对上述技术缺陷，本发明的目的之一是提供一种软磁铁基纳米晶合金带材的制备方法，本发明的目的之二是提供所述制备方法制备的软磁铁基纳米晶合金带材，本发明的目的之三是提供一种铁芯，本发明的目的之四是提供所述软磁铁基纳米晶合金带材的应用。
为了实现上述目的，本发明提供以下技术方案：
第一方面，本发明提供了一种软磁铁基纳米晶合金带材的制备方法，包括以下步骤：
一次熔炼：将合金原料进行真空熔炼，得到合金铸锭；
非晶条带的制备：将所述合金铸锭进行二次熔炼并通过单辊甩带法制备得到非晶条带；
退火处理：将所述非晶条带进行退火处理、空冷，得到所述软磁铁基纳米晶合金带材；
其中，在所述退火处理步骤中，退火处理的温度为420-480℃；
所述软磁铁基纳米晶合金带材的成分表达式为FeaNibSicBdPeMfCugXh，M为Mo或M为Mo和Nb，X为C和/或Ge；
其中，a、b、c、d、e、f、g和h分别表示各对应成分的原子百分含量，且0＜b≤20，6≤c≤15，6≤d≤10，0≤e≤6，1≤f≤5，0.5≤g≤2，0≤h≤0.5，a=100-b-c-d-e-f-h。
在上述制备方法中，作为一种优选实施方式，6≤b≤15，11≤c≤13.5，7≤d≤9，0≤e≤3，1.5≤f≤3.5，0.8≤g≤1.2，0≤h≤0.5，c+d+e≤20。
在上述制备方法中，作为一种优选实施方式，所述带材具有非晶纳米晶双相结构；
所述纳米晶的平均晶粒尺寸不大于10nm；
和/或，所述带材的厚度小于35μm。
在上述制备方法中，作为一种优选实施方式，所述带材的厚度20-35μm；
和/或，所述带材的矫顽力小于10A/m；
和/或，所述带材的相对初始磁导率大于6000且小于16000。
在上述制备方法中，作为一种优选实施方式，所述带材的最大磁通密度在0.9T-1.1T之间；
和/或，所述带材的剩磁小于150mT；
和/或，所述带材的矩形比小于10%。
在上述制备方法中，作为一种优选实施方式，在所述一次熔炼步骤中，所述真空熔炼的设备为高频真空感应冶炼炉；
和/或，在所述真空熔炼前，将合金原料放入坩埚中，将坩埚放在冶炼炉的感应线圈内；
和/或，所述真空熔炼的温度为1400-1500℃；
和/或，所述真空熔炼的真空度在10Pa以下。
在上述制备方法中，作为一种优选实施方式，在所述退火处理步骤中，所述退火处理的时间为5-20分钟，优选的，所述退火处理的温度为440-460℃，时间为10-15分钟；
和/或，所述退火处理时从室温升温至退火处理的温度的升温速率为10-20K/min；
和/或，所述退火处理在惰性气体或真空环境中进行。
第二方面，本发明还提供了一种上述制备方法制备的软磁铁基纳米晶合金带材。
第三方面，本发明还提供了一种铁芯，所述铁芯由上述软磁铁基纳米晶合金带材或者由上述方法制备的合金带材制成。
第四方面，本发明还提供了一种上述软磁铁基纳米晶合金带材或者上述方法制备的合金带材在制备电子器件中的应用，其中，所述电子器件选自变压器、继电器、共模电感、滤波器、电流互感器。
本发明与现有技术相比，至少具有如下有益效果之一：
1.本发明通过调整退火处理的温度，使退火处理的温度低于合金一次晶化的起始温度或刚达到一次晶化的起始温度，使合金形成平均晶粒尺寸≤10nm、更优选＜5nm的纳米晶显微结构，从而在不恶化带材其他软磁性能的前提下，降低合金的相对磁导率，并且可以在不加外场及外应力的作用下得到中低磁导率纳米晶合金带材，减少了因应力退火导致的合金矫顽力恶化的情况。
2.本发明通过在合金中加入Mo元素和Nb元素，可以有效降低软磁铁基纳米晶合金带材的磁导率。通过控制合金中B元素和Si元素的含量，降低了合金的磁导率。通过在合金中加入少量的Ni元素，增大了合金的磁晶各向异性，能有效降低带材的磁导率，同时也能降低带材使用过程中的交流损耗，少量添加Ni元素的Fe基纳米晶合金的抗直流特性明显加强。
3.经本发明所描述热处理工艺生产的带材在降低磁导率的同时，保持矫顽力处在较低的范围小于10A/m；降低了合金的剩磁以及剩磁比，剩磁Br小于150mT。矩形比Br/Bm小于10%，简化了生产工艺，使本发明在制备中低磁导率合金的工作中具有一定优势。
附图说明
图1为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8非晶带材前驱体（即退火前的非晶带材）的XRD图谱；
图2为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8合金经460℃退火后的XRD图谱；
图3为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Nb1.7Mo1Cu0.8合金经440℃退火后的磁滞回线；
图4为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Nb0.7Mo2Cu0.8合金经440℃退火后的磁滞回线；
图5为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Mo2.7Cu0.8合金经440℃退火后的磁滞回线；
图6为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Nb1.7Mo1Cu0.8合金经460℃退火后的磁滞回线；
图7为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Nb0.7Mo2Cu0.8合金经460℃退火后的磁滞回线；
图8为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si11.5B8Mo2.7Cu0.8合金经460℃退火后的磁滞回线；
图9为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si7.5B8P4Mo2.7Cu0.8合金经440℃退火后的磁滞回线；
图10为本发明实施例制备的Fe68Ni9Si6.5B8P5Mo2.7Cu0.8合金经440℃退火后的磁滞回线。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明的实施例，对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例，下列实施例中未注明具体条件的工艺参数，通常按照常规条件。
在本发明中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本发明中具体公开。
本发明的具体实施方式提供软磁铁基纳米晶合金带材，该软磁铁基纳米晶合金带材的成分表达式为FeaNibSicBdPeMfCugXh，M为Mo或M为Mo和Nb，X为C和/或Ge；其中，a、b、c、d、e、f、g和h分别表示各对应成分的原子百分含量，且0＜b≤20，6≤c≤15，6≤d≤10，0≤e≤6，1≤f≤5，0.5≤g≤2，0≤h≤0.50＜h≤0.5，a=100-b-c-d-e-f-h。
本发明合金带材中还可以包括不可避免的杂质，这些杂质主要来源于原料，杂质的含量不超过合金表达式中成分总质量的0.35%。
在本发明的优选实施方案中，合金成分的含量为6≤b≤15，11≤c≤13.5，7≤d≤9，0≤e≤3，1.5≤f≤3.5，0.8≤g≤1.2，0≤h≤0.5，c+d+e≤20。
进一步优选地，合金成分的含量为8≤b≤10，11≤c≤12，7≤d≤9，e=0，2≤f≤3，0.8≤g≤1.0，h=0，c+d+e≤20。
更优选地，合金带材的成分表达式为Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8，其中，x=1-2.7。
本发明带材具有非晶纳米晶双相结构；
在本发明的优选实施方案中，所述纳米晶的平均晶粒尺寸不大于10nm（例如：9nm、8nm、7nm、6nm、4nm、3nm、2nm、1nm）；进一步地，所述纳米晶的平均晶粒尺寸不大于5nm。
在本发明的具体实施方案中，所述带材的厚度小于35μm（例如：30μm、25μm、15μm、10μm、5μm）；进一步地，所述带材的厚度20-35μm（例如：22μm、24μm、26μm、28μm、32μm、34μm）；
进一步地，本发明方法制备的带材的矫顽力小于10A/m（例如：9A/m、8A/m、7A/m、6A/m、4A/m、3A/m、2A/m、1A/m），优选的，带材的矫顽力小于6A/m；带材的相对初始磁导率大于6000且小于16000（例如：7000、8000、9000、10000、11000、12000、13000、14000、15000），带材的最大磁通密度在0.9T-1.1T之间（例如：0.92T、0.94T、0.96T、0.98T、1.0T、1.2T、1.4T、1.6T、1.8T）；带材的剩磁小于150mT（例如：140mT、130mT、120mT、110mT、100mT、90mT、80mT、70mT、60mT、50mT）；带材的矩形比小于10%。
在本发明中，为了实现降低带材生产的成本、同时满足抗直流的要求，向合金成分中加入少量Ni元素。Ni具有负的磁致伸缩系数，且Ni元素添加会增大合金的磁晶各向异性，能有效降低材料的磁导率，同时也能降低材料使用过程中的交流损耗，少量添加Ni元素的Fe基纳米晶合金的抗直流特性明显加强。
小原子半径的Si、B、C、P等类金属元素能有效提高合金的非晶形成能力。在退火阶段α-Fe晶粒形核长大的过程中，原子尺寸较小的类金属元素被排出晶粒在非晶基体中富集，阻碍α-Fe晶粒的长大。
B是非晶/纳米晶合金最主要添加的元素，B元素在α-Fe中溶解度较低，纳米晶形成过程中，B会被排出纳米晶晶粒在残余非晶相中富集，易形成Fe2B硬磁相恶化软磁性能，因此需要控制B元素含量在本发明的范围内。Si元素则会固溶形成α-Fe(Si)相，降低纳米晶结构的磁致伸缩系数，有利于提高合金的磁导率，Si元素与B元素的含量比会对合金的磁各向异性和非晶形成能力产生影响，高含量的Si元素会恶化合金的饱和磁感应强度。为了降低合金的磁导率，需要控制合金成分中Si元素的含量在本发明的范围内。
Mo作为大原子半径的金属元素添加至纳米晶合金中，抑制退火过程中α-Fe晶粒的过度生长。Nb元素原子半径略大于Mo元素，对于纳米晶生长的抑制作用会强于Mo元素，但同时考虑生产成本等因素，Mo元素价格更加便宜。另外，用Mo元素替换Nb元素，替换后能够降低合金的初始磁导率，因此在元素选择上选择更加合适的Mo元素来部分或全部替换Nb。
在本发明中采用的低温退火过程中，由于温度略低于晶化温度，延缓了退火时纳米晶的形核和生长过程。
本发明的具体实施方式还提供了一种上述软磁铁基纳米晶合金带材的制备方法，包括以下步骤：
（1）一次熔炼：将合金原料进行真空熔炼，得到合金铸锭；
具体地，将合金原料放入坩埚中，将坩埚放在冶炼炉的感应线圈内，然后于高频真空感应冶炼炉进行真空熔炼； 真空熔炼的温度为1400-1500℃；所述真空熔炼的真空度在10Pa以下。
（2）非晶条带的制备：将所述合金铸锭进行二次熔炼并通过单辊甩带法制备得到非晶条带；
具体地，二次熔炼和制带的设备为喷带设备；即将合金铸锭粉碎后进行二次熔炼，熔炼后的合金液经喷嘴喷至旋转的冷却辊上，其中，二次熔炼的温度为1400-1450℃；冷却辊的旋转速率为30m/s；所述铜辊的辊嘴间距为0.2-0.25mm；由此得到厚度为20-35μm的非晶条带；
（3）退火处理：将所述非晶条带进行退火处理、空冷，得到所述软磁铁基纳米晶合金带材；
具体地，退火处理的温度为420-480℃（例如：425℃、430℃、435℃、445℃、450℃、455℃、465℃、470℃、475℃），所述退火处理的时间为5-20分钟（例如：7分钟、9分钟、11分钟、13分钟、15分钟、17分钟、19分钟），优选的，所述退火处理的温度为440-460℃，时间为10-15分钟；退火处理时从室温升温至退火处理的温度的升温速率为10-20K/min（例如：12K/min、14K/min、16K/min、18K/min）；所述退火处理在惰性气体或真空环境中进行。惰性气体可以为氩气、氮气等。
在本发明中，采用高频真空感应炉可以提高合金的熔炼速率，减少了合金熔炼过程中由于加热时间长产生的氧化、成分偏析等问题，防止合金的软磁性能的恶化。
在本发明中，退火处理的温度低于合金一次晶化起始温度或一次晶化起始温度左右，可以形成纳米晶平均晶粒尺寸≤10nm的显微结构，从而在不恶化带材其他软磁性能的前提下，降低合金的相对磁导率。退火处理的时间需要控制在5-20分钟内，如果退火处理的时间较长，虽然同样会促进纳米晶化的形成，导致合金内纳米晶晶粒形核生长，但是由于退火处理的温度较低，合金的形核速率较低，会导致形核出的少量晶核过度生长，破坏合金的显微结构，影响合金的软磁性能。
在本发明中，矫顽力的符号表示为Hc，相对初始磁导率的符号表示为μi，最大磁通密度的符号表示为Bm，剩磁的符号表示为Br，矩形比为Br/Bm。
本发明的带材可以用于制作铁芯。
本发明的软磁铁基纳米晶合金带材还可以用于制备电子器件，电子器件选自变压器、继电器、共模电感、滤波器、电流互感器等。
实施例1-6
实施例1-6中的合金成分为Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8。
其中，实施例1和实施例4中的x为1，实施例2和实施例5中的x为2，实施例3和实施例6中的x为2.7。
实施例1-6均采用以下制备方法，得到中低磁导软磁铁基纳米晶合金带材，具体的制备方法包括以下步骤：
步骤1：按照合金元素原子百分比进行配料，将配比好的合金原料将合金原料放入坩埚中，将坩埚放在冶炼炉的感应线圈内，在1450℃条件下进行高频真空熔炼；
步骤2：将第一次熔炼得到的母合金锭破碎后再次放入真空感应熔炼炉中进行二次重熔（二次重熔的温度为1400-1450℃），将合金加热熔化，调节石英管内外压力差到合适数值后，通过外加氩气，将熔化后的钢水喷到高速旋转的铜辊上，通过铜辊的转动使熔体快速冷却，形成非晶条带。制得宽度约为35mm，厚度约为25μm的淬态非晶合金薄带，辊嘴间距为0.2-0.25mm，制带过程中铜辊转速为30m/s；
对制备出的非晶带材进行XRD测试，结果如图1所示，各成分的前驱体带材都具有典型的非晶衍射馒头峰，不存在晶态相衍射峰，为完全的非晶态。证明带材都处于非晶态；
步骤3：将非晶带材剪成8 cm的条段，将带材放入热处理炉的石英管中，石英管持续抽真空至5×10-3Pa。从室温开始以10 K/min的升温速率，将炉体升温至退火温度（实施例1-3的退火温度为440℃，实施例4-6的退火温度为460℃），随后将石英管推入炉体，使样品处于炉体中央温度较均匀的部分保温10min后，将石英管从炉体中推出使带材空冷至室温，冷却过程中仍要保持抽真空状态，避免热处理工艺中样品发生氧化；
对经过低温晶化热处理后得到的Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8合金带材进行XRD测试，460℃退火后合金的XRD图谱如图2所示。热处理后的Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8合金中析出了平均晶粒尺寸＜5nm的纳米晶相，形成了纳米晶非晶的双相结构。
对退火后的Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8带材进-行直流软磁性能检测，主要测量数据为最大磁感应强度、剩磁、矫顽力、相对初始磁导率等。将选取好的带材样品放入直流B-H磁滞回线仪测试仪的螺线管内，通过添加平行外加磁场800A/m，测量带材的磁化曲线与磁滞回线，结果如图3-8所示。
实施例7
实施例7中的合金成分为Fe68Ni9Si7.5B8P4Nb2.7-xMoxCu0.8，其中，实施例7中的x为2.7。该实施例合金带材的制备方法同实施例1。
采用与实施例1-6相同的方法对带材性能进行测试，其中磁滞回线结果如图9所示。
实施例8
实施例8中的合金成分为Fe68Ni9Si6.5B8P5Nb2.7-xMoxCu0.8，其中，实施例8中的x为2.7。该实施例合金带材的制备方法同实施例1。
采用与实施例1-6相同的方法对带材性能进行测试，其中磁滞回线结果如图10所示。
对比例1-3
对比例1-3中的合金成分为Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8。
其中，对比例1-3中的x分别为1、2、2.7。
本对比例采用的制备方法和实施例1的区别在于，退火处理温度为530℃，其余步骤均和实施例1相同。
将对比例1-3制备的样品在和实施例1-6相同的条件下进行检测，530℃退火后的Fe68Ni9Si11.5B8Nb1.7Mo1Cu0.8、Fe68Ni9Si11.5B8Nb0.7Mo2Cu0.8和Fe68Ni9Si11.5B8Mo2.7Cu0.8合金平均晶粒尺寸Dc分别为14nm、14.8nm和16nm，相对初始磁导率μi为16.64 k、16.07 k、13.04k。
对比例4
对比例4中的合金成分为Fe68Ni9Si11.5B8Nb2.7-xMoxCu0.8，其中，对比例4中的x为0。该对比例合金带材的制备方法同实施例1。
测试结果
实施例1-8和对比例1-4热处理后的合金软磁性能数据统计结果如表1所示：
表1
Figure SMS_1
Figure SMS_2
综合上述数据可知，本发明低温微晶化退火的优势在于，合金相对初始磁导率能有效降低至15000以下，同时合金的矫顽力也能维持在较低的范围内，相较于常用的应力退火，合金矫顽力性能有了极大的改善。同时在生产过程中的优势在于不用在退火过程中施加外应力或外磁场，降低生产成本，简化生产流程。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均在本发明待批权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种软磁铁基纳米晶合金带材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
一次熔炼：将合金原料进行真空熔炼，得到合金铸锭；
非晶条带的制备：将所述合金铸锭进行二次熔炼并通过单辊甩带法制备得到非晶条带；
退火处理：将所述非晶条带进行退火处理、空冷，得到所述软磁铁基纳米晶合金带材；
其中，在所述退火处理步骤中，退火处理的温度为420-480℃；
所述软磁铁基纳米晶合金带材的成分表达式为FeaNibSicBdPeMfCugXh，M为Mo或M为Mo和Nb，X为C和/或Ge；
其中，a、b、c、d、e、f、g和h分别表示各对应成分的原子百分含量，且0＜b≤20，6≤c≤15，6≤d≤10，0≤e≤6，1≤f≤5，0.5≤g≤2，0≤h≤0.5，a=100-b-c-d-e-f-h。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，6≤b≤15，11≤c≤13.5，7≤d≤9，0≤e≤3，1.5≤f≤3.5，0.8≤g≤1.2，0≤h≤0.5，c+d+e≤20。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述带材具有非晶纳米晶双相结构；
所述纳米晶的平均晶粒尺寸不大于10nm；
和/或，所述带材的厚度小于35μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述带材的厚度20-35μm；
和/或，所述带材的矫顽力小于10A/m；
和/或，所述带材的相对初始磁导率大于6000且小于16000。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述带材的最大磁通密度在0.9T-1.1T之间；
和/或，所述带材的剩磁小于150mT；
和/或，所述带材的矩形比小于10%。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述一次熔炼步骤中，所述真空熔炼的设备为高频真空感应冶炼炉；
和/或，在所述真空熔炼前，将合金原料放入坩埚中，将坩埚放在冶炼炉的感应线圈内；
和/或，所述真空熔炼的温度为1400-1500℃；
和/或，所述真空熔炼的真空度在10Pa以下。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述退火处理步骤中，所述退火处理的时间为5-20分钟；
和/或，所述退火处理时从室温升温至退火处理的温度的升温速率为10-20K/min；
和/或，所述退火处理在惰性气体或真空环境中进行。
8.一种权利要求1-7任一项所述制备方法制备的软磁铁基纳米晶合金带材。
9.一种铁芯，其特征在于，所述铁芯由权利要求1-7任一项所述方法制备的合金带材或者由权利要求8软磁铁基纳米晶合金带材制成。
10.权利要求1-7任一项所述方法制备的合金带材或者权利要求8所述软磁铁基纳米晶合金带材在制备电子器件中的应用，其中，所述电子器件选自变压器、继电器、共模电感、滤波器、电流互感器。
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