CN116387528A - 抑制锌枝晶生长的铜集流体材料及其制备方法、应用 - Google Patents
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Abstract
本公开提出了一种抑制锌枝晶生长的铜集流体，包括：铜基底、以及焊接于所述铜基底上的人造凸起网络。人造凸起网络具有由纳米线形成的外凸结构，适用于在通电的情况下于表面聚集电荷，具有电子传输能力。其中，人造凸起网络的表面聚集的电荷适用于在电沉积金属锌的情况下形成微电场以诱导金属锌在人造凸起网络表面均匀形核生长，从而抑制锌枝晶生长。本公开还提出了上述抑制锌枝晶生长的铜集流体的制备方法及应用。
Description
技术领域
本公开属于电化学储能领域，具体涉及一种抑制锌枝晶生长的铜集流体材料及其制备方法、应用。
背景技术
适应于新型能源的快速发展和国家能源发展战略，电化学储能装置以其灵活性和稳定性的特点而成为研究发展的热点。其中，水系锌金属电池具有高比容量(Zn：820mAh g-1/5851mAh mL-1)、环境友好、易处理以及价格低廉等优点，在储能领域显示出了极大的应用潜力。
但是，水系锌金属电池在实际使用中，存在使用寿命短等问题。这是由于金属锌负极在电池工作过程中存在不可控的枝晶生长问题，造成负极活性材料失活、电极形变加剧、甚至严重时枝晶会穿破隔膜导致电池内部短路等一系列问题。
在相关技术中，已经在电池结构、电极液体系配置等方面进行改进和尝试，但目前依然不能妥善解决水系锌金属电池的枝晶生长导致的电池寿命短、循环稳定差等问题。因此，探究抑制锌负极在充放电过程中的枝晶生长的问题是推动锌金属电池发展的关键技术之一。
发明内容
有鉴于此，为解决相关技术中的所述以及其他方面的至少一种技术问题，本公开提出了一种抑制锌枝晶生长的铜集流体材料(下称HC-Cu集流体)及其制备方法、应用。通过构建具有微电场的人造凸起网络诱导金属锌在HC-Cu集流体表面进行均匀形核与生长，从而避免不可控的金属锌枝晶形核与生长。
在本公开的一个方面，提出了一种抑制锌枝晶生长的铜集流体，包括：铜基底、以及焊接于铜基底上的人造凸起网络。人造凸起网络具有由纳米线形成的外凸结构，适用于在通电的情况下于表面聚集电荷，具有电子传输能力。其中，人造凸起网络的表面聚集的电荷适用于在电沉积金属锌的情况下形成微电场以诱导金属锌在人造凸起网络均匀形核生长，从而抑制锌枝晶生长。
根据本公开实施例，铜集流体还包括：亲锌位点，亲锌位点沉积于人造凸起网络和铜基底表面，以降低金属锌的形核能。
根据本公开实施例，人造凸起网络的材料是导电纳米线材料，其中，导电纳米线材料的直径范围为10～500nm。
根据本公开实施例，人造凸起网络在铜基底表面的负载量范围为1～50mg cm-2。
根据本公开实施例，亲锌位点的材料为能够降低锌金属形核能的亲锌金属，亲锌金属包括Ag、Sn、Cu、In、Sb中的一种或多种。
在本公开的另一方面，提出了一种制备上述抑制锌枝晶生长的铜集流体的方法，包括：将导电纳米线的悬浊液均匀分散在铜基底表面，通过快速热处理使导电纳米线焊接于铜基底表面，得到负载人造凸起网络的铜集流体。
根据本公开实施例，制备上述抑制锌枝晶生长的铜集流体的方法还包括：将负载人造凸起网络的铜集流体浸入亲锌金属溶液中，通过电化学沉积构建亲锌位点，得到抑制锌枝晶生长的铜集流体，其中，亲锌金属能够降低金属锌的形核能。
根据本公开实施例，导电纳米线悬浊液的浓度范围为1～50mg mL-1；快速热处理的条件包括：温度范围为1000～2000℃，处理时间范围为1～20s，热处理气氛环境为空气、氮气、氩气、氢气中的一种或多种。
根据本公开实施例，亲锌金属溶液包括氯化银溶液、氯化锡溶液、氯化铜溶液、氯化铟溶液和氯化锑溶液中的一种，亲锌金属溶液的浓度范围为0.01～5M；电化学沉积的沉积容量范围为0.01～100mAh cm-2，电化学沉积模式为恒电流沉积、脉冲沉积和恒压沉积中的一种或多种。
在本公开的另一方面，提出了一种上述抑制锌枝晶生长的铜集流体在水系锌金属电池中作为负极材料的应用。
根据本公开实施例，本公开通过构建稳定的人造凸起网络以在电化学过程中在人造凸起网络表面周围形成相较平坦基体表面更强的微电场，从而诱导金属锌在本公开提出的人造凸起网络表面上进行均匀形核、生长以及后续沉积，避免了不可控的形核，从而有效避免了锌枝晶的产生。同时，人造凸起网络稳定焊接于铜基底对本公开提出的铜集流体作为电极应用时的稳定性和一致性起到了非常重要的作用。
附图说明
图1(a)是本公开中抑制锌枝晶生长的铜集流体材料(下称HC-Cu集流体)的扫描电镜图；
图1(b)是本公开中HC-Cu集流体的扫描电镜局部放大图；
图1(c)是本公开中HC-Cu集流体的扫描电镜侧视图；
图2(a)是常规铜集流体(下称Cu集流体)上的金属锌沉积过程示意图；
图2(b)是本公开中HC-Cu集流体的金属锌沉积过程示意图；
图3是本公开提出的抑制锌枝晶生长的铜集流体的结构示意图；
图4(a)是本公开中经过高温快速热处理的HC-Cu集流体在超声清洗后的实物图；
图4(b)是本公开中未经过高温快速热处理的HC-Cu集流体在超声清洗后的实物图；
图5(a)是本公开测试例中Cu集流体在锌的沉积面容量为0.0278mAh cm-2下的表面形貌扫描电镜图；
图5(b)是本公开测试例中Cu集流体在锌的沉积面容量为1mAh cm-2下的表面形貌扫描电镜图；
图5(c)是本公开测试例中Cu集流体在锌的沉积面容量为5mAh cm-2下的表面形貌扫描电镜图；
图5(d)是本公开测试例中HC-Cu集流体在锌的沉积面容量为0.0278mAh cm-2下的表面形貌扫描电镜图；
图5(e)是本公开测试例中HC-Cu集流体在锌的沉积面容量为1mAh cm-2下的表面形貌扫描电镜图；
图5(f)是本公开测试例中HC-Cu集流体在锌的沉积面容量为5mAh cm-2下的表面形貌扫描电镜图；
图6是本公开测试例中金属锌分别与HC-Cu集流体和Cu集流体组装得到的半对称电池(简称HC-Cu||Zn和Cu||Zn)的循环性能对比图；
图7是本公开测试例中溴分别与HC-Cu集流体和Cu集流体组装得到的全电池(简称HC-Cu||Br2和Cu||Br2)的循环性能对比图；
图8(a)是本公开测试例中在用于全电池构建的Cu集流体上预沉积2mAh锌金属后的形貌图；
图8(b)是本公开测试例中在用于全电池构建的HC-Cu集流体上预沉积2mAh锌金属后的形貌图；
图9是本公开测试例中五氧化二钒分别与进行预沉积的HC-Cu集流体和Cu集流体组装得到的全电池的循环性能对比图；
图10(a)是本公开测试例中以Sb作为亲锌位点的HC-Cu集流体在半对称电池中循环20圈后再沉积5mAh cm-2的形貌扫描电镜图；
图10(b)是本公开测试例中Cu集流体在半对称电池中循环20圈后再沉积5mAh cm-2的形貌扫描电镜图。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开作进一步的详细说明。
在本公开中所公开的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本公开中具体公开。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
在水系锌金属电池中，金属锌的沉积过程大致可以分为形核、晶核生长以及锌金属的后续沉积三个阶段。其中，形核过程的均匀性对后续锌沉积的均匀性起着关键性的作用。
图1(a)是本公开中抑制锌枝晶生长的铜集流体材料(下称HC-Cu集流体)的扫描电镜图。
图1(b)是本公开中HC-Cu集流体的扫描电镜局部放大图。
图1(c)是本公开中HC-Cu集流体的扫描电镜侧视图。
如图1(a)～1(c)所示，该人造凸起网络相较于常规平面的铜集流体表面具有更高的曲率。对于带电导体而言，导体表面突出尖端的地方(曲率较大)，则面电荷密度大，表面较平缓的地方(曲率较小)，则面电荷密度小。因此，本公开中构建的人造凸起网络表面聚集了大量表面电荷，使得在实际应用过程中，本公开中提出的HC-Cu集流体上的人造凸起网络周围生成与常规Cu集流体表面相比更强的微电场。
图2(a)是常规铜集流体(下称Cu集流体)上的金属锌沉积过程示意图。
如图2(a)所示，在常规Cu集流体表面，由于受到电极的极化、离子的扩散、界面层及晶体生长和溶解环境等复杂因素影响，容易造成金属锌不均匀形核，进而不利于后续均匀沉积。
图2(b)是本公开中HC-Cu集流体的金属锌沉积过程示意图。
如图2(b)所示，在本公开中，对可作为负极集流体材料进行了形貌设计，在铜集流体上沉积焊接了一层人造凸起网络。在电化学过程中，锌离子受人造凸起网络表面的微电场吸引进行有序、均匀的形核生长以及后续的均匀沉积，避免不可控的金属锌枝晶生成。
由图2(a)、2(b)对比，本公开中提出的铜集流体制锌枝晶产生的原理是提高金属锌在沉积初期的形核均匀性，从而有利于改善金属锌后续沉积的均匀性。
图3是本公开提出的抑制锌枝晶生长的铜集流体的结构示意图。
在本公开的一个方面，提出了一种抑制锌枝晶生长的铜集流体，如图1所示，包括：铜基底；以及焊接于铜基底上的人造凸起网络。人造凸起网络具有由纳米线形成的外凸结构，适用于在通电的情况下于表面聚集电荷，具有电子传输能力。其中，人造凸起网络的表面聚集的电荷适用于在电沉积金属锌的情况下形成微电场以诱导金属锌在人造凸起网络表面均匀形核生长，从而抑制锌枝晶生长。
根据本公开实施例，本公开通过构建稳定的人造凸起网络以在电化学过程中在人造凸起网络表面周围形成较平坦基体表面更强的微电场，从而诱导金属锌主要在本公开提出的人造凸起网络表面上进行均匀形核、生长以及后续沉积，避免了不可控的形核，从而有效避免了锌枝晶的产生。同时，人造凸起网络稳定焊接于铜基底，对本公开提出的铜集流体作为电极应用时的稳定性和一致性起到了非常重要的作用。
图4(a)是本公开中经过高温快速热处理的HC-Cu集流体在超声清洗后的实物图。
图4(b)是本公开中未经过高温快速热处理的HC-Cu集流体在超声清洗后的实物图。
如图4(a)、4(b)所示，高温快速热处理技术使得人造凸起网络焊接于铜基底上，起到了稳定人造凸起网络结构的作用。将高温快速热处理前后的两块HC-Cu集流体进行超声清洗发现，图4(a)中，经过高温快速热处理的HC-Cu集流体表面形貌在超声清洗后依然保持着较好的一致性；图4(b)中，没有经过高温快速热处理的HC-Cu集流体表面，人造凸起网络几乎完全脱落，表现出较差的结构稳定性。因此，高温快速热处理技术保证了本公开提出的HC-Cu集流体在电化学过程中的结构稳定性和工作稳定性。
根据本公开实施例，铜集流体还包括：亲锌位点，亲锌位点沉积于人造凸起网络和铜基底表面，以降低金属锌的形核能。
根据本公开实施例，亲锌位点是由能够降低金属锌形核能的一类金属形成。在本公开提出的铜集流体上引入亲锌位点的方式有利于金属锌均匀沉积，抑制枝晶生长，并提高铜集流体的电化学性能。
根据本公开实施例，人造凸起网络的材料是导电纳米线材料，其中，导电纳米线材料的直径范围为10～500nm，例如10nm、20nm、50nm、80nm、100nm、250nm、400nm、500nm等。
根据本公开实施例，申请人经过大量的实验测试，人造凸起网络的材料选用导电金属材料即可，优选为铜。同时申请人验证了铜纳米线材料的直径范围在100～500nm内具有最好的诱导金属锌形核性质。
根据本公开实施例，人造凸起网络在铜基底表面的负载量范围为1～50mg cm-2，例如可设置为1mg cm-2、5mg cm-2、20mg cm-2、35mg cm-2、50mg cm-2等。
根据本公开实施例，亲锌位点为能够降低锌金属形核能的亲锌金属，亲锌金属包括Ag、Sn、Cu、In、Sb中的一种或多种。
在本公开的另一方面，提出了一种制备上述抑制锌枝晶生长的铜集流体的方法，包括：将导电纳米线的悬浊液均匀分散在铜基底表面，通过快速热处理使导电纳米线焊接于铜基底表面，得到负载人造凸起网络的铜集流体。
根据本公开实施例，本公开通过在常规铜集流体的表面以导电纳米线作为人造凸起网络的材料，构建结构稳定、能够在电化学过程中有效诱导了锌离子在本公开提出的集流体表面进行均匀稳定形核生长以及后续沉积，改善了金属锌的沉积形貌，提升了以本公开提出的集流体为电极的电池循环寿命。
根据本公开实施例，制备上述抑制锌枝晶生长的铜集流体的方法还包括：将负载人造凸起网络的铜集流体浸入亲锌金属溶液中，通过电化学沉积构建亲锌位点，得到抑制锌枝晶生长的铜集流体，其中亲锌金属能够降低金属锌的形核能。
根据本公开实施例，导电纳米线悬浊液的浓度范围为1～50mg mL-1，例如可选为1mg mL-1、20mg mL-1、35mg mL-1、40mg mL-1、50mg mL-1等。快速热处理的条件包括：温度范围为1000～2000℃，例如可选为1000℃、1200℃、1400℃、1600℃、1800℃、2000℃等，处理时间范围为1～20s，例如可选为1s、5s、10s、15s、20s等。热处理气氛环境为空气、氮气、氩气、氢气中的一种或多种。
根据本公开实施例，以导电纳米线悬浊液的浓度控制人造凸起网络在铜基底表面的负载量，以构建人造凸起网络。
根据本公开实施例，亲锌金属溶液包括氯化银溶液、氯化锡溶液、氯化铜溶液、氯化铟溶液和氯化锑溶液中的一种，亲锌金属溶液的浓度范围为0.01～5M(即mol/L)，例如可选为0.01M、0.15M、0.2M、0.25M、0.3M、0.45M、0.5M等；电化学沉积的沉积容量范围为0.01～100mAh cm-2，例如可选为0.01mAh cm-2、5mAh cm-2、30mAh cm-2、50mAh cm-2、78mAh cm-2、100mAh cm-2，电化学沉积模式为恒电流沉积、脉冲沉积和恒压沉积中的一种或多种。
在本公开的另一方面，提出了一种上述抑制锌枝晶生长的铜集流体在水系锌金属电池中作为负极材料的应用。
根据本公开实施例，本公开还提出了以上述抑制锌枝晶生长的铜集流体作为电极材料组装得到全电池、半电池的应用。
需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的其他实施例，都属于本公开保护的范围。
实施例1
S1：制备人造凸起网络
在温度为80℃的条件下，将20mL浓度为0.2M的Cu(NO3)2溶液加入到670mL浓度为15M的NaOH溶液中充分搅拌。然后将10mL乙二胺和342μL的水合肼加入到上述溶液中再混合搅拌80min，得到铜纳米线。
将铜纳米线进行清洗烘干，然后将其分散在酒精溶液中，其中，铜纳米线在酒精中的浓度为1.5mg mL-1。
S2：制备HC-Cu集流体
将步骤S1制备得到的铜纳米线作为人造凸起，通过喷洒分散的方式，在铜箔表面均匀沉积分散，得到沉积有人造凸起网络的铜箔，保证铜纳米线在铜箔表面的负载量在1～5mg cm-2。
然后将沉积有人造凸起网络的铜箔在温度为1500℃的条件下，进行快速热处理4s，以使人造凸起网络稳定焊接于铜箔，得到HC-Cu集流体。其中，热处理气氛环境为氩气。
实施例2
将实施例1中制备得到HC-Cu集流体浸入浓度为0.3M SbCl3和4MH2SO4混合溶液中，通过脉冲电流沉积模式在HC-Cu集流体表面构建亲锌位点，得到以Sb作为亲锌位点的HC-Cu集流体(以下记作Sb@HC-Cu)。其中，电化学沉积容量为0.02mAh cm-2。
测试例1
在电流密度为10mA cm-2的恒电流沉积条件下，观察对比不同沉积面容量下本公开实施例1中制备得到的HC-Cu集流体与常规Cu集流体的锌沉积形貌。
图5(a)、(b)、(c)是本公开测试例中Cu集流体在锌的沉积面容量为0.0278mAh cm-2、1mAh cm-2、5mAh cm-2的条件下的表面形貌扫描电镜图。
图5(d)、(e)、(f)是本公开测试例中HC-Cu集流体在锌的沉积面容量为0.0278mAhcm-2、1mAh cm-2、5mAh cm-2的条件下的表面形貌扫描电镜图。
如图5(a)～(f)所示，在本公开提出的HC-Cu集流体上，金属锌的形核、晶核生长以及后续沉积始终保持着较好的均匀性，而在常规Cu集流体上则表现出不均匀形核与生长过程，后续沉积不均匀。
测试例2
将金属锌分别与本公开实施例1中制备得到的HC-Cu集流体和常规Cu集流体组装得到的半对称电池(以下简称HC-Cu||Zn和Cu||Zn)进行恒电流充放电循环测试。其中，测试过程的面容量为1.77mAh cm-2、电流密度为2C。
图6是本公开测试例中金属锌分别与HC-Cu集流体和Cu集流体组装得到的半对称电池的循环性能对比图；
如图6所示，对照组的Cu||Zn半对称电池在循环了500h左右出现短路现象，与对照组相比，以本公开提出的铜集流体为电极材料组装而成的HC-Cu||Zn半对称电池保证了近3000h的稳定循环，半电池的循环寿命提升近6倍。
测试例3
将溴正极分别与本公开实施例1中制备得到的HC-Cu集流体和常规Cu集流体组装得到的全电池(以下简称HC-Cu||Br2和Cu||Br2)进行循环测试。其中，采用1.9V恒压充电，充电面容量为2mAh cm-2、采用恒流放电至0.5V，电流密度为5C。
图7是本公开测试例中溴分别与HC-Cu集流体和Cu集流体组装得到的全电池的循环性能对比图。
如图7所示，Cu||Br2全电池在循环300圈后电池的能量保持率开始下降，申请人分析，Cu||Br2全电池能量保持率下降的原因是由于工作过程中，金属锌的不均匀沉积导致的负极活性材料失活导致的。与对照组相比，以本公开提出的铜集流体为电极材料组装而成的HC-Cu||Br2全电池保证了稳定工作循环超过900圈，电池循环寿命提升超过3倍。
测试例4
S1：将本公开实施例1中制备得到的HC-Cu集流体和常规Cu集流体预沉积2mAh的金属锌。
图8(a)是本公开测试例中在用于全电池构建的Cu集流体上预沉积2mAh锌金属后的形貌图。
图8(b)是本公开测试例中在用于全电池构建的HC-Cu集流体上预沉积2mAh锌金属后的形貌图。
如图8(a)、图8(b)所示，本公开实施例中制备得到的HC-Cu集流体与常规Cu集流体相比，其表面形貌均匀性有着明显的提升。
S2：将五氧化二钒正极分别与步骤S1中预沉积2mAh的金属锌的HC-Cu集流体和常规Cu集流体组装得到的全电池(以下简称Zn|HC-Cu||V2O5和Zn|Cu||V2O5)进行循环测试。其中，测试条件为恒电流充放电测试。
图9是本公开测试例中五氧化二钒分别与进行预沉积的HC-Cu集流体和Cu集流体组装得到的全电池的循环性能对比图。
如图9所示，以本公开提出的铜集流体为电极材料组装而成的Zn|HC-Cu||V2O5电池较Zn|Cu||V2O5具有更好的循环性能。其中，在循环1500圈后，Zn|HC-Cu||V2O5电池保留的容量是Zn|Cu||V2O5电池的近2倍。
测试例5
将本公开实施例2中制备得到的Sb@HC-Cu集流体和常规Cu集流体分别与金属锌箔组装得到半对称电极(以下简称Sb@HC-Cu||Zn和Cu||Zn)进行循环测试。在循环20圈后再进行5mAh cm-2的沉积，对沉积后的集流体表面形貌进行SEM表征。其中，测试过程的面容量为5mAh cm-2、电荷量为1C。
图10(a)是本公开测试例中Sb@HC-Cu集流体在半对称电池中循环20圈后再沉积5mAh cm-2的形貌扫描电镜图。
图10(b)是本公开测试例Cu集流体在半对称电池中循环20圈后再沉积5mAh cm-2的形貌扫描电镜图。
如图10(a)、图10(b)所示，锌金属在Sb@HC-Cu集流体上进行了均匀的沉积，而在常规铜集流体上的沉积均匀性很差。
以上所述的具体实施例，对本公开的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本公开的具体实施例而已，并不用于限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种抑制锌枝晶生长的铜集流体，包括：
铜基底；以及
人造凸起网络，焊接于所述铜基底上，所述人造凸起网络具有由纳米线形成的外凸结构，适用于在通电的情况下于表面聚集电荷，具有电子传输能力；其中，
所述人造凸起网络的表面聚集的电荷适用于在电沉积金属锌的情况下形成微电场以诱导金属锌在人造凸起网络表面均匀形核生长，从而抑制锌枝晶生长。
2.根据权利要求1所述的铜集流体，还包括：亲锌位点，所述亲锌位点沉积于所述人造凸起网络和所述铜基底表面，以降低金属锌的形核能。
3.根据权利要求1所述的铜集流体，其中，所述人造凸起网络的材料是导电纳米线材料，其中，所述导电纳米线材料的直径范围为10～500nm。
4.根据权利要求1所述的铜集流体，其中，所述人造凸起网络在所述铜基底表面的负载量范围为1～50mgcm-2。
5.根据权利要求1或2所述的铜集流体，其中，所述亲锌位点的材料为能够降低锌金属形核能的亲锌金属，所述亲锌金属包括Ag、Sn、Cu、In、Sb中的一种或多种。
6.一种制备如权利要求1至5中任意一项所述的抑制锌枝晶生长的铜集流体的方法，包括：
将导电纳米线的悬浊液均匀分散在铜基底表面，通过快速热处理使所述导电纳米线焊接于所述铜基底表面，得到负载人造凸起网络的铜集流体。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：将所述负载人造凸起网络的铜集流体浸入亲锌金属溶液中，通过电化学沉积构建亲锌位点，得到抑制锌枝晶生长的铜集流体，其中所述亲锌金属能够降低金属锌的形核能。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述导电纳米线悬浊液的浓度范围为1～50mgmL-1；
所述快速热处理的条件包括：温度范围为1000～2000℃，处理时间范围为1～20s，热处理气氛环境为空气、氮气、氩气、氢气中的一种或多种。
9.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述亲锌金属溶液包括氯化银溶液、氯化锡溶液、氯化铜溶液、氯化铟溶液和氯化锑溶液中的一种，所述亲锌金属溶液的浓度范围为0.01～5M；
所述电化学沉积的沉积容量范围为0.01～100mAhcm-2，所述电化学沉积模式为恒电流沉积、脉冲沉积和恒压沉积中的一种或多种。
10.一种如权利要求1至5中任意一项所述的抑制锌枝晶生长的铜集流体在水系锌金属电池中作为负极材料的应用。
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|---|---|---|---|
| CN202310476484.6A CN116387528A (zh) | 2023-04-28 | 2023-04-28 | 抑制锌枝晶生长的铜集流体材料及其制备方法、应用 |
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|---|---|
| CN (1) | CN116387528A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117637975A (zh) * | 2023-12-04 | 2024-03-01 | 山东省科学院新材料研究所 | 一种三维多级锌负极片、水系锌离子电池电解液、水系锌离子电池 |
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2023
- 2023-04-28 CN CN202310476484.6A patent/CN116387528A/zh active Pending
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