CN116387296A - 显示面板、其制造方法和包括其的显示设备 - Google Patents

显示面板、其制造方法和包括其的显示设备 Download PDF

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金智荣
权秀暻
张银珠
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Abstract

公开显示面板、其制造方法和包括其的显示设备。所述显示面板包括发光面板和颜色转换面板。所述颜色转换面板中包括的颜色转换层发射预定的光。所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的约0.26‑约0.35的Cx和约0.27‑约0.35的Cy的第一区域，并且在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第一面积百分比小于或等于约65％，其中所述第一面积百分比由下式定义：[A/B]×100％，其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。

Description

显示面板、其制造方法和包括其的显示设备
对相关申请的交叉引用
本申请要求2021年12月30日提交的韩国专利申请No.10-2021-0193409的优先权、以及由其产生的所有权益，将其内容全部通过引用引入本文中。
技术领域
本公开内容涉及显示面板以及包括所述显示面板的电子设备。
背景技术
显示面板可被包括在各种电子设备中。纳米结构体例如量子点可用作这样的显示面板中的发光材料并且可对显示品质的改善作贡献。
发明内容
一种实施方式提供显示面板。
一种实施方式提供包括所述显示面板的电子设备(例如显示设备)。
根据实施方式，显示面板包括发光面板和颜色转换面板，
在这样的实施方式中，所述颜色转换面板包括颜色转换层，所述颜色转换层包括多个颜色区域、和限定所述多个颜色区域的分隔壁(间隔壁)，
在这样的实施方式中，所述发光面板向所述多个颜色区域的每一个提供入射光，
在这样的实施方式中，所述多个颜色区域包括第一颜色区域、第二颜色区域、第三颜色区域、和第四颜色区域，
在这样的实施方式中，所述第一颜色区域包括第一复合物，所述第一复合物包括第一基体和分散在所述第一基体中的第一半导体纳米颗粒，其中所述第一半导体纳米颗粒将所述入射光转换为第一种光，
在这样的实施方式中，所述第二颜色区域包括第二复合物，所述第二复合物包括第二基体和分散在所述第二基体中的第二半导体纳米颗粒，其中所述第二半导体纳米颗粒将所述入射光转换为第二种光，
在这样的实施方式中，所述第三颜色区域包括第三复合物，所述第三复合物包括第三基体和分散在所述第三基体中的第三半导体纳米颗粒，其中所述第三半导体纳米颗粒将所述入射光转换为第三种光，
在这样的实施方式中，所述第四颜色区域发射第四种光，
在这样的实施方式中，所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒不包括镉、铅、或其组合，
在这样的实施方式中，所述第一种光的发射峰波长大于或等于约600nm且小于或等于约650nm，
在这样的实施方式中，所述第二种光的发射峰波长大于或等于约500nm且小于或等于约560nm，
在这样的实施方式中，所述第三种光的发射峰波长大于约470nm且小于约500nm，
在这样的实施方式中，所述第四种光的发射峰波长大于或等于约440nm且小于或等于约470nm，
在这样的实施方式中，所述颜色转换层发射预定的光，
在这样的实施方式中，所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的约0.26-约0.35的Cx和约0.27-约0.35的Cy的第一区域，和
在这样的实施方式中，在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第一面积百分比小于或等于约65％，其中所述第一面积百分比由下式定义：[A/B]×100％，其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。
在实施方式中，所述第一面积百分比可小于或等于约55％、小于或等于约53％、或者小于或等于约50％。
在实施方式中，在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第二面积百分比可小于或等于约19％，其中所述第二面积百分比由下式定义：[A/C]×100％，其中A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且C表示所述发射光谱的总面积。
在实施方式中，所述第二面积百分比可小于或等于约18％、小于或等于约17％、小于或等于约16％、小于或等于约15％、或者小于或等于约14％。
在实施方式中，所述第二面积百分比可大于或等于约0.1％、大于或等于约1％、大于或等于约2％、大于或等于约3％、大于或等于约4％、或者大于等于约5％。
在实施方式中，所述分隔壁设置在相邻颜色区域之间。
在这样的实施方式中，所述分隔壁可将相邻颜色区域在光学上分离(或隔离)。
在实施方式中，所述第三种光的发射峰波长可大于或等于约475nm、或者大于或等于约479nm。
在实施方式中，所述第三种光的发射峰波长可小于或等于约485nm或者小于或等于约482nm。
在实施方式中，所述第四种光的发射峰波长可小于或等于约468nm、或者小于或等于约465nm。
在实施方式中，所述第四种光的发射峰波长可大于或等于约450nm、或者大于或等于约455nm。
在实施方式中，所述第三种光的发射峰波长和所述第四种光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约39nm、小于或等于约35nm、或者小于或等于约30nm。
在实施方式中，所述第三种光的发射峰波长可大于或等于约475nm且小于或等于约485nm，所述第四种光的发射峰波长可大于或等于约455nm且小于或等于约465nm，且所述第三种光的发射峰波长和所述第四种光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约30nm。
在实施方式中，所述第三种光的发射峰波长和所述第四种光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约25nm。
在实施方式中，所述第四种光的发射峰波长和所述入射光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约10nm。在这样的实施方式中，所述第四种光的发射峰波长和所述入射光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约5nm。
在实施方式中，所述第四种光的发射峰波长可与所述入射光的发射峰波长基本上相同。
在实施方式中，在所述第一区域中，Cx可为约0.27-约0.32或约0.28-约0.31，且Cy可为约0.28-约0.33或约0.29-约0.32。
在实施方式中，所述第一种光的半宽度可大于或等于约5nm且小于或等于约45nm。在这样的实施方式中，所述第二种光的半宽度可大于或等于约5nm且小于或等于约45nm。在这样的实施方式中，所述第三种光的半宽度可大于或等于约5nm且小于或等于约45nm。
在实施方式中，在所述第三种光的标准化发射光谱和所述第二种光的标准化发射光谱的交点处的发光强度可小于或等于约0.5。
在实施方式中，在所述第三种光的标准化发射光谱和所述第二种光的标准化发射光谱的交点处的发光强度可小于或等于约0.4。
在这样的实施方式中，所述颜色转换层的发射光谱可未呈现出另外的发射峰(例如第五种光的发射峰)，例如具有大于或等于约5nm且小于或等于约50nm的半宽度的另外的发射峰，且所述另外的发射峰的发射峰波长在大于约580nm且小于约600nm的范围内。
在实施方式中，所述颜色转换层的所述预定的光的颜色可包括CIE 1931色坐标中的约0.18(或约0.19)-约0.20的Cx和约0.38-约0.41的Cy的第二区域(例如，蓝绿色)。
在具有在所述第二区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第一面积百分比可小于或等于约65％、或者小于或等于约60％、或者小于或等于约55％并且大于或等于约1％或者大于或等于约5％。在具有在所述第二区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第二面积百分比可小于或等于约18％、小于或等于约15％、或者小于或等于约11％并且大于或等于约1％、或者大于或等于约5％。
在实施方式中，所述颜色转换层的所述预定的光的颜色可包括CIE 1931色坐标中的约0.39-约0.41的Cx和约0.19-约0.21的Cy的第三区域(例如，品红色)。在具有在所述第三区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第一面积百分比可小于或等于约80％、小于或等于约75％、或者小于或等于约70％并且大于或等于约10％或者大于或等于约15％。在具有在所述第三区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第二面积百分比可小于或等于约18％、小于或等于约15.5％、或者小于或等于约14％并且大于或等于约1％、大于或等于约5％、或者大于等于约10％。
在实施方式中，所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒可各自独立地包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。
在实施方式中，所述第四区域可包括第四复合物。
在实施方式中，所述第四复合物可包括或可不包括发光性纳米颗粒。
在实施方式中，所述第一复合物、所述第二复合物、所述第三复合物、所述第四复合物、或其组合可进一步包括金属氧化物粒子(本文中有时也称作“金属氧化物颗粒”)。
在实施方式中，所述金属氧化物粒子可为非发光性的。
在实施方式中，所述发光面板可包括多个发光单元。
在实施方式中，所述多个发光单元可包括第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、第四发光单元、或其组合。在这样的实施方式中，所述第一发光单元、所述第二发光单元、所述第三发光单元、或所述第四发光单元可分别向所述第一颜色区域、所述第二颜色区域、所述第三颜色区域、或所述第四颜色区域提供入射光。在这样的实施方式中，所述多个发光单元可彼此间隔开。
在实施方式中，所述发光面板可任选地进一步包括设置在所述多个发光单元之间的分隔壁。
在实施方式中，所述多个发光单元可包括有机发光二极管(OLED)、微发光二极管、无机纳米发光二极管、或其组合。
在实施方式中，电子设备(例如，显示设备)包括所述显示面板。所述电子设备(或显示设备)可包括便携式终端设备、监视器、笔记本PC、电视机、电信号板、相机、用于车辆的电子部件、或其组合。
根据实施方式的显示面板可在使用对于人眼更安全的光的同时提供改善的图画品质或高品质屏幕图像。
附图说明
图1A为说明根据实施方式的显示面板的透视图，
图1B为显示根据实施方式的显示面板的分解透视图，
图2为图1A的显示面板的横截面图，
图3为说明图1A的显示面板的像素布置的实施方式的平面(俯视)图，
图4A为图3的显示面板的沿着线IV-IV所截取的横截面图，
图4B为更详细地显示图4A中的背面的实施方式的横截面图，
图4C为更详细地显示图4A的颜色转换面板的示意性横截面图，
图4D为说明图4A中的其中发光面板包括有机发光二极管的情况的示意性横截面图，
图5-6为各自显示发光单元的实施方式的横截面图，
图7为根据实施方式的显示面板的示意性横截面图，
图8为制造根据实施方式的显示面板的方法的示意性流程图，
图9为用于说明根据CIE 1931的色坐标和色域的图，
图10显示实施例1-4中使用的红色光、绿色光、青色光、和蓝色光的发射光谱，
图11A-11D分别显示实施例1-4的显示面板的发射光谱，
图12A-12D分别显示对比例1-4的显示面板的发射光谱，
图13A-13B分别显示实施例5-6的显示面板的发射光谱，和
图14A-14B和15分别显示对比例5-6和附加实施例7的显示面板的发射光谱。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细地描述本公开内容的多种实施方式，使得本领域普通技术人员可容易地实施本公开内容。本公开内容可以多种不同的形式实施并且不限于本文中描述的实施方式。附图和说明书将被认为本质上是说明性的并且不是限制性的。在说明书中相同的附图标记始终表示相同的元件。
如附图中所示的各构成元件的尺寸和厚度是为了更好的理解和易于描述而随意地表示的，并且本公开内容不必限于如所显示的。在附图中，为了清楚，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。另外，在附图中，为了更好的理解和易于描述，放大了一些层和区域的厚度。
将理解，当一个元件例如层、膜、区域、或基板被称为“在”另外的元件“上”时，其可直接在所述另外的元件上或者还可存在中间元件。相反，当一个元件被称作“直接在”另外的元件“上”时，不存在中间元件。措辞“在……上”或“在……上方”意指设置在目标部分上或设置在目标部分下方，并且未必意指设置在目标部分的基于重力方向的上部侧上。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可在本文中用来描述各种元件、组分、区域、层和/或部分，但这些元件、组分、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用来使一个元件、组分、区域、层或部分区别于另外的元件、组分、区域、层或部分。因此，在不背离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“组分”、“区域”、“层”或“部分”可称为第二元件、组分、区域、层或部分。
本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的并且不意图为限制性的。如本文中使用的，“一种(个)(a，an)”、“所述(该)”和“至少一种(个)”不表示量的限制，并且意图包括单数和复数两者，除非上下文清楚地另外说明。例如，“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文清楚地另外说明。“至少一种(个)”不应被解释为限于“一种”或“一个”。“或”意味着“和/或”。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关列举项目的一个或多个的任意和全部组合。将进一步理解，术语“包含”或“包括”当用在本说明书中时，表明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分，但不排除存在或添加一种或多种另外的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分、和/或其集合。
此外，在本文中可使用相对术语例如“下部”或“底部”和“上部”或“顶部”来描述如图中所示的一个元件与另外的元件的关系。将理解，除图中所描绘的方位之外，相对术语还意图涵盖设备的不同方位。例如，如果将图之一中的设备翻转，被描述为“在”其它元件的“下部”侧上的元件则将定向“在”所述其它元件的“上部”侧上。因此，取决于图的具体方位，术语“下部”可涵盖“下部”和“上部”两种方位。类似地，如果将图之一中的设备翻转，被描述为“在”其它元件“下方”或“下面”的元件则将定向“在”所述其它元件“上方”。因此，术语“在……下方”或“在……下面”可涵盖在……上方和在……下方两种方位。
在实施方式中，当称作“平面(的)”时，可意指此时从上方观察目标部分。在实施方式中，“横截面(的)”可意指与目标部分的参考平面(例如，面板的底部表面)基本上或大致垂直的横截面。除非另外说明，否则本文中陈述的数值范围包括端点。
除非另外说明，否则在本文中具体说明的数值范围中的值之前省略了措辞“基本上”或“大约”或“约”。如本文中使用的，“基本上”或“大约”或“约”不仅意指所陈述的值，而且意指在考虑到与相应测量有关的误差以及测量值的测量结果的可接受的偏差范围内。例如，“基本上”或“大约”可意指相对于所陈述的值在±10％、5％、3％、或1％的范围内或者在标准偏差的范围内。
本文中，纳米结构体指的是具有至少一个拥有纳米级尺度的区域或特征尺度的结构体。在实施方式中，纳米颗粒的尺度可小于约300nm、小于约250nm、小于约150nm、小于约100nm、小于约50nm、或小于约30nm。这些结构体可具有任何形状。除非本文中另外说明，否则纳米颗粒或半导体纳米颗粒可具有任何形状，例如纳米线、纳米棒、纳米管、具有两个或更多个脚的多脚型形状、纳米点(或量子点)等并且没有特别限制。所述纳米颗粒可为，例如，基本上结晶的、基本上单晶的、多晶的、非晶的、或其组合。例如，半导体纳米颗粒例如量子点可呈现出量子限制或激子限制。在本说明书中，术语“纳米颗粒或量子点”就它们的形状而言没有限制，除非具体定义。半导体纳米颗粒例如量子点可具有比在相同材料的块状晶体中的玻尔激发的直径小的尺寸，并且可呈现出量子限制效应。半导体纳米颗粒可通过控制纳米晶体的发射中心的尺寸而发射与它们的带隙能量对应的光。在实施方式中，“横截面图像”可通过跨越在目标部分的平面上的长轴或短轴进行切割而获得。
“开口率(％)”可意指像素设计中的透明区域(例如，像素的光敏感(感光)面积对相应像素的总面积的比率)。发光单元的光提取表面指的是发光单元的配置成发射光的表面(参见图1B和4A)。当从根据实施方式的面板的横截面观察时，光提取表面可基本上垂直于光的传播方向和/或可与所述面板的底部表面基本上水平或平行，但是不限于此。
在实施方式中，颜色转换区域的宽度可为在构成分隔壁的侧壁之间的间隔。
如本文中使用的，“组合”可包括(例如，均匀的(均相的)或不均匀的(多相的))混合物、合金、或者两个或更多个堆叠的结构。
如本文中使用的，发射峰波长可指的是在其处给定的光或给定的光源的发射光谱(例如，辐射发射光谱)达到其最大值(顶峰)的波长。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本公开内容所属领域的普通技术人员通常理解的相同。将进一步理解，术语，例如在常用字典中定义的那些，应被解释为其含义与它们在本公开内容和相关领域的背景中的含义一致，并且将不在理想化或过于形式的意义上进行解释，除非在本文中清楚地如此定义。
在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述实施方式。这样，将预料到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图的形状的偏差。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于如本文中所图示的区域的具体形状，而是包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，图示的尖锐的角可为圆化的。因此，图中图示的区域在本质上是示意性的并且它们的形状不意图说明区域的精确形状且不意图限制本权利要求的范围。
下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施方式。
图1A和1B为根据实施方式的显示面板的透视图和透视分解图，图2为图1A的显示面板的横截面图，图3为说明图1A的显示面板的像素布置的实施方式的平面图，图4A为示意性地说明图3的显示面板的沿着线IV-IV所截取的横截面的图，图4B为更详细地显示图4A中的背面的实施方式的横截面图，图4C为更详细地显示图4A中的颜色转换面板的示意性横截面图，且图4D为说明图4A中的其中发光面板包括有机发光二极管的情况的示意性横截面图。
参照图1A、1B、和2，根据实施方式的显示面板1000包括发光面板100和颜色转换面板200。在实施方式中，如图2中所示，所述显示面板包括在发光面板100和颜色转换面板200之间的光透射层300、将发光面板100和颜色转换面板200彼此结合的粘结剂400、或其组合。在实施方式中，光透射层300可为例如填料，并且可包括例如有机材料、无机材料、有机-无机材料、或其组合，例如环氧树脂、有机硅化合物、聚有机硅氧烷、或其组合。然而，本公开内容不限于此。在实施方式中，发光面板100和颜色转换面板200彼此面对(并且光透射层300设置在其间)，并且颜色转换面板200被设置在光从发光面板100发射的方向上(或者在光传播的方向上)。在根据实施方式的显示面板中，所述粘结剂的布置方法没有特别限制。在实施方式中，粘结剂400可沿着发光面板100和颜色转换面板200的边缘设置。粘结剂400可为例如密封材料。在根据实施方式的显示面板中，粘结剂400可通过设置在所述发光面板的表面的至少一部分和所述颜色转换面板的表面的至少一部分上的胶粘剂例如光学透明胶粘剂(OCA)结合。
参照图3，根据实施方式的显示面板1000包括用于显示图像的显示区域1000D和围绕显示区域1000D并且其中设置粘结剂400的非显示区域1000P。显示区域1000D包括沿着行(例如，x方向)和/或列(例如，y方向)布置的多个像素PX或颜色转换层，并且各像素PX或颜色转换层包括显示彼此不同的颜色的多个颜色区域或子像素PX1、PX2、PX3、和PX4。在本说明书中，术语像素和颜色转换层是可互换地使用的。在实施方式中，如图3中所示，四个子像素PX1、PX2、PX3、和PX4可形成或共同限定一个像素PX，但是本公开内容不限于此。替代地，所述颜色转换层可进一步包括另外的子像素例如白色子像素，或者用于显示相同的颜色的一个或多个子像素。所述多个像素PX可例如以拜尔矩阵形式、
Figure BDA0004030565110000101
矩阵形式、和/或钻石矩阵形式布置，但是不限于此。
可在所述多个颜色区域之间设置分隔壁。所述分隔壁可限定颜色区域。在实施方式的显示面板中，(例如，通过这样的分隔壁的存在)可基本上抑制或者有效地防止在所述颜色转换层中在多个颜色区域之间的光耦合(例如，如下光耦合：其使得所述第二种光或所述第三种光入射在所述第一颜色区域上并且被转换为具有不同发射光谱的光，或者反过来)。所述分隔壁可向相邻颜色区域提供实质的光学隔离。所述分隔壁的细节与本文中描述的相同。
所述多个颜色区域可包括第一颜色区域或第一子像素PX1、第二颜色区域或第二子像素PX2、第三颜色区域或第三子像素PX3、和第四颜色区域或第四子像素PX4。在实施方式中，所述第一颜色区域可显示红色，所述第二颜色区域可显示绿色，所述第三颜色区域可显示青色，且所述第四颜色区域可显示蓝色。在本说明书中，子像素为与颜色区域可互换地使用的术语。在所述颜色转换面板的实施方式中，从各颜色区域发射的第一种、第二种、第三种、和第四种光作为所述颜色转换层的发射光从所述面板发射，而未被相邻区域中存在的半导体纳米颗粒进一步转换。
虽然该图说明了其中所有子像素具有相同的尺寸的实施方式，但是本公开内容不限于此，并且选自所述子像素的至少一个可大于或小于其它子像素。
虽然该图说明了其中所有子像素具有相同的形状的实施方式，但是本公开内容不限于此，并且所述子像素的至少一个可具有与其它子像素不同的形状。
像素PX的尺寸可适当地选择并且没有特别限制。像素的尺度(像素宽度和/或长度)可大于或等于约100μm、大于或等于约150μm、大于或等于约200μm、大于或等于约250μm、大于或等于约300μm、大于或等于约350μm、大于或等于约400μm、大于或等于约450μm、大于或等于约500μm、大于或等于约550μm、大于或等于约600μm、大于或等于约650μm、大于或等于约700μm、大于或等于约750μm、大于或等于约800μm、或者大于或等于约850μm。所述像素的尺度(像素宽度和/或长度)可小于或等于约2000μm、小于或等于约1500μm、小于或等于约1000μm、或者小于或等于约500μm。
在实施方式中，所述发光面板可包括多个发光单元。所述多个发光单元可包括第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、第四发光单元、或其组合。所述第一发光单元、所述第二发光单元、所述第三发光单元、或所述第四发光单元可配置成分别向所述第一颜色区域、所述第二颜色区域、所述第三颜色区域、或所述第四颜色区域提供入射光。所述多个发光单元可彼此间隔开。
下文中将参照图4A、4B、和5顺序地描述发光面板100和颜色转换面板200。
在实施方式中，发光面板100可包括多个发射预定的波长区域的光的发光单元180。所述发光单元(第一发光单元180a、第二发光单元180b、第三发光单元180c、和第四发光单元180d)可布置成与各颜色区域PX1、PX2、PX3、和PX4对应。在实施方式中，如图4A中所示，所述多个发光单元可设置在所述发光面板的发光表面上(例如，在背面上或在正面中)。所述发光面板的发光表面或正面面对所述颜色转换面板。在实施方式中，所述发光面板可包括与所述正面相反的背面。从所述发光单元的光提取表面(有时也称作光提取面)发射光，并且发射的光可在z方向上传播(参见图4A、4B、和4D)。
所述多个发光单元180a、180b、180c、和180d各自可彼此相同或不同。在实施方式中，与颜色区域PX1、PX2、PX3、和PX4对应地设置的发光单元180a、180b、180c、和180d可分别发射不同发射光谱的光。在实施方式中，与子像素PX1、PX2、PX3和PX4对应地设置的发光单元180a、180b、180c、和180d可发射具有彼此相同的发射光谱的光。
所述多个发光单元180a、180b、180c、和180d可发射入射光。在实施方式中，所述入射光的发射峰波长可大于或等于约360nm、大于或等于约400nm、大于或等于约440nm、大于或等于约445nm、大于或等于约450nm、大于或等于约455nm、或者大于或等于约458nm。所述入射光的发射峰波长可小于或等于约490nm、小于或等于约485nm、小于或等于约480nm、小于或等于约475nm、小于或等于约470nm、小于或等于约465nm、小于或等于约460nm、小于或等于约455nm、小于或等于约450nm、或者小于或等于约445nm。
在实施方式中，所述发光单元各自可发射具有蓝色发射光谱的光，并且所述蓝色发射光谱的发射峰波长可为约410nm-约495nm、约420nm-约490m、约425nm-约485m、约430nm-约480nm、约440nm-约470nm、或其组合。
所述入射光的发射峰波长可考虑所述发射单元的期望发射强度、包括在所述颜色转换面板中的半导体纳米颗粒、开口率等而适当地选择。在实施方式中，所述入射光可与从所述第四颜色区域发射的第四种光基本上相同。在实施方式中，所述发光面板中的所述多个发光单元可以阵列形式布置。(参见图1B)
在实施方式中，所述发光单元(例如，第一发光单元180a、第二发光单元180b、第三发光单元180c、第四发光单元180d，下文中缩写为发光单元)的光提取表面的尺度(或宽度或长度)L11、L21、L31、和L41(例如，当从所述面板的横截面观察时)可大于或等于约500nm、大于或等于约900nm、大于或等于约1微米(μm)、大于或等于约1.5μm、大于或等于约2μm、大于或等于约2.5μm、大于或等于约3μm、大于或等于约3.5μm、大于或等于约4μm、大于或等于约4.5μm、大于或等于约5μm、大于或等于约5.5μm、大于或等于约6μm、大于或等于约6.5μm、大于或等于约7μm、大于或等于约7.5μm、大于或等于约8μm、大于或等于约8.5μm、大于或等于约9μm、大于或等于约9.5μm、大于或等于约10μm、大于或等于约13μm、大于或等于约15μm、大于或等于约17μm、大于或等于约19μm、大于或等于约20μm、大于或等于约21μm、大于或等于约24μm、大于或等于约25μm、大于或等于约27μm、大于或等于约29μm、大于或等于约30μm、大于或等于约31μm、大于或等于约33μm、大于或等于约35μm、大于或等于约37μm、大于或等于约39μm、大于或等于约40μm、大于或等于约41μm、大于或等于约43μm、大于或等于约45μm、大于或等于约47μm、大于或等于约49μm、大于或等于约50μm、大于或等于约70μm、大于或等于约100μm、大于或等于约200μm、大于或等于约300μm、大于或等于约500μm、大于或等于约700μm、大于或等于约900μm、或者大于或等于约1000μm。
在实施方式中，光提取表面的长度可为在相应横截面中与所述面板的底部表面平行(或水平)的直线的最长长度，但是不限于此。所述光提取表面的长度可为相应发光单元的发光表面的尺度(例如，发光表面的直径或者一侧(一个边)的长度)。在其中所述发光单元为微发光二极管(LED)或量子纳米发射二极管(QNED)的实施方式中，所述发光表面的尺寸可考虑所述显示面板的期望分辨率(每英寸的像素，PPI)而确定。
在实施方式中，所述发光单元中的光提取表面的长度或所述发光单元的光发射表面的尺寸(下文中称作单独光源尺度)，例如，光提取表面的尺度L11、L21、L31、和L41可小于或等于约2000微米(μm)、例如小于或等于约1500μm、小于或等于约1000μm、小于或等于约500μm、小于或等于约100微米、小于或等于约90μm、小于或等于约85μm、小于或等于约80μm、小于或等于约75μm、小于或等于约70μm、小于或等于约65μm、小于或等于约60μm、小于或等于约55μm、小于或等于约50μm、小于或等于约45μm、小于或等于约40μm、小于或等于约35μm、小于或等于约30μm、小于或等于约25μm、小于或等于约20μm、小于或等于约15μm、小于或等于约10μm、或者小于或等于约5μm。
所述发光单元可彼此间隔开，并且相邻发光单元之间的间隔可考虑像素尺寸、子像素尺寸等而调节，并且没有特别限制。
所述发光单元的光提取表面(例如，单独光源的平面图或顶视图)可具有任何形状并且没有特别限制。所述光提取表面可具有多边形形状，例如三角形、四边形、五边形、圆、椭圆、或任何其它形状。
所述发光单元的竖向横截面可具有任何形状并且没有特别限制。所述发光单元的横截面形状可为，但是不限于，正方形、矩形、梯形、菱形、平行四边形等。
在实施方式中，所述发光面板中包括的发光单元(例如，所述第一发光单元和所述第二发光单元)各自可彼此间隔开。
可在所述第一发光单元和所述第二发光单元之间设置分隔壁(例如，钝化层或堤岸(bank)层)或像素限定层。所述分隔壁可布置成当从所述面板的横截面观察时，与设置在所述颜色转换面板上的分隔壁的至少一部分重叠，如将稍后描述的。所述分隔壁、所述钝化层、或所述堤岸层的材料可包括有机材料、无机材料、或其组合，并且没有特别限制。对于所述分隔壁的材料，可参考本说明书中的描述。
参照图4B，所述发光面板的背面可包括例如下部基板110和用于开关和/或驱动所述发光单元的电路元件。在实施方式中，所述发光单元可被单独地(例如，独立地)控制。
下部基板110可为玻璃基板、有机-无机混杂基板、金属基板、聚合物基板、或其组合。所述基板可包括绝缘材料。所述基板可包括玻璃；多种聚合物例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚酯例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯、或聚丙烯酸酯；聚硅氧烷(例如，PDMS)；无机材料例如Al2O3和ZnO；或其组合，但是不限于此。所述基板的厚度可考虑基板材料等而适当地选择，并且没有特别限制。所述基板可为柔性的。
可在下部基板110上设置缓冲层111。缓冲层111可包括有机材料、无机材料、或有机-无机材料。缓冲层111可包括例如氧化物、氮化物、氮氧化物，并且可包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合，但是不限于此。缓冲层111可为一个层或者两个或更多个层，并且可覆盖下部基板110的整个表面。可省略缓冲层111。
可在缓冲层111上设置薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可为用于开关和/或驱动将稍后描述的发光单元180的三端子元件，并且对于各子像素可包括一个或两个或更多个。薄膜晶体管TFT可包括栅电极124、与栅电极124重叠(或设置成与栅电极124重叠)的半导体层154、在栅电极124和半导体层154之间的栅绝缘层140、以及电连接至半导体层154的源电极173和漏电极75。
在实施方式中，如图4B中所示，薄膜晶体管TFT可具有共平面顶栅结构，但是结构不限于此并且可具有各种结构。栅电极124电连接至栅极线(未示出)，并且可包括例如低电阻金属例如铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、其合金、或其组合，但是不限于此。
半导体层154可为无机半导体例如非晶硅、多晶硅、或氧化物半导体；有机半导体；有机-无机半导体；或其组合。在实施方式中，例如，半导体层154可包括包含选自如下的至少一种的氧化物半导体：铟(In)、锌(Zn)、锡(Sn)、和镓(Ga)，并且所述氧化物半导体可包括，例如，铟-镓-锌氧化物、锌-锡氧化物、或其组合，但是它们不限于此。半导体层154可包括沟道区域和设置在所述沟道区域的两侧上并且分别电连接至源电极173和漏电极75的掺杂区域。
可在缓冲层111上设置栅绝缘层140以覆盖半导体层154。栅绝缘层140可包括有机材料、无机材料、或有机-无机材料，并且可包括例如氧化物、氮化物、或氮氧化物，并且可包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合，但是不限于此。在实施方式中，如图4B中所示，栅绝缘层140形成于下部基板110的整个表面上，但是本公开内容不限于此，并且替代地，可任选地或部分地形成于栅电极124和半导体层154之间。栅绝缘层140可由一个或两个或更多个层形成(或限定)。
源电极173和漏电极75可包括例如低电阻金属例如铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、其合金、或其组合，但是不限于此。源电极173和漏电极75可分别电连接至半导体层154的掺杂区域。源电极173电连接至数据线(未示出)，且漏电极175电连接至将稍后描述的发光单元180。另外在栅电极124和源/漏电极173和175之间形成层间绝缘层145。
层间绝缘层145可包括有机材料、无机材料、或有机-无机材料，例如氧化物、氮化物、或氮氧化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合，但是不限于此。层间绝缘层145可由一个或两个或更多个层形成。
保护层160可设置在薄膜晶体管TFT上。保护层160可为例如钝化层。保护层160可包括有机材料、无机材料、或有机-无机材料，例如聚丙烯酸类、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、或其组合，但是不限于此。保护层160可由一个或两个或更多个层形成。
在实施方式中，所述多个发光单元可对应于子像素PX1、PX2、PX3、和PX4各自设置，并且对应于子像素PX1、PX2、PX3、和PX4各自设置的发光单元被独立地驱动。所述发光单元可包括有机发光二极管(OLED)。所述发光单元可包括无机发光二极管。所述无机发光二极管可包括，但是不限于，微LED、无机纳米发光二极管、或其组合。在实施方式中，各发光单元180可为OLED、量子点发光二极管、钙钛矿发光二极管、或微LED。
图5和6为示意性地说明发光单元的实施方式的横截面图。
在实施方式中，参照图5，发光单元180包括彼此间隔开的第一电极181和第二电极182；发光层183电连接至第一电极181和第二电极182的每一个。在实施方式中，所述第一电极和所述第二电极可设置成彼此面对。在实施方式中，可在(例如，彼此面对的)第一电极181和第二电极182之间设置发光层183。在实施方式中，第一电极181和第二电极182可设置成沿着厚度方向(例如，z方向)彼此面对，但是本公开内容不限于此。第一电极181和第二电极182之一可为阳极并且另一个可为阴极。第一电极181可为光透射电极、半透明电极、或反射性电极，并且第二电极182可为光透射电极或半透明电极。所述光透射电极或半透明电极可例如由包括如下的金属薄膜的薄的单个层或多个层制成：导电氧化物例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铝锡(AlTO)、和氟掺杂氧化锡(FTO)或银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镁-银(Mg-Ag)、镁-铝(Mg-Al)、或其组合。所述反射性电极可包括金属、金属氮化物、或其组合，例如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、其合金、其氮化物(例如，TiN)、或其组合，但是不限于此。在实施方式中，发光层183可包括无机发光体或材料，并且所述无机发光体或材料可包括无机半导体、量子点、钙钛矿、或其组合。在实施方式中，所述发光层或所述无机发光材料可为包括n-掺杂层、p-掺杂层、和设置在所述n-掺杂层和p-掺杂层之间的活性层(例如，量子阱层)的p-n二极管。在实施方式中，所述p-n二极管层的前表面(或顶部表面)可对应于前述光提取表面。所述p-n二极管层可包括一个或多个基于II-VI族材料(例如，ZnSe)或III-V族材料的层。所述III-V族材料可包括III-V族氮化物材料(例如，GaN、AlN、InN、InGaN、及其合金)、III-V族磷化物材料(例如，GaP、AlGaInP、及其合金)、和III-V族砷化物合金(AlGaAs)。所述p-n二极管层可包括氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)、氮化铝镓、磷化镓(GaP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、磷化铝镓(AlGaP)、硒化锌(ZnSe)、或其组合，其可分别为p-掺杂的或n-掺杂的。在实施方式中，所述p-n二极管层被设计成发射蓝色光，并且所述材料可包括氮化物系列。在实施方式中，形成所述p-n二极管层的材料可包括GaN、AlGaN、InGaN、或其组合。在实施方式中，所述n-掺杂层可包括n-GaN、n-AlGaN、n-InGaN、n-AlGaInP、或其组合，且所述p-掺杂层可包括p-AlGaN、p-GaN、p-InGaN、p-AlGaInP、或其组合，但是它们不限于此。所述量子阱层可包括多种材料。所述量子阱层可为单量子阱(SQW)或多量子阱(MQW)层。量子阱层的数量可为1个或更多并且10个或更少、或者3个或更多且8个或更少。各层的厚度可适当地选择并且没有特别限制。所述发光单元可进一步包括分别在第一电极181与发光层183之间和在第二电极182与发光层183之间的辅助层184和185。辅助层184和185可包括用于控制迁移率的电荷注入层和/或电荷传输层。辅助层184和185各自可为一个或两个或更多个层，并且可为例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、或其组合。可省略选自辅助层184和185的至少一个。在另一实施方式中，所述发光层可包括能够发射入射光的发光体(例如，有机化合物)。
图4D为包括有机发光二极管的实施方式的发光面板的示意性横截面图。
参照图4D，所述发光面板的实施方式可包括形成于基板上的两个或更多个像素电极、在相邻像素电极之间的像素限定层、在各像素电极上的有机发光层、和在所述有机发光层上的公共电极层。可在所述有机发光二极管下面设置薄膜晶体管和基板。所述基板与以上描述的基板基本上相同。
在所述基板上形成包括薄膜晶体管等的布线层。所述布线层可进一步包括栅极线、维持电压线、栅绝缘层、数据线、源电极、漏电极、半导体层、保护层等。所述布线层的详细结构可根据实施方式而变化。所述栅极线和所述维持电压线彼此电隔离，并且所述数据线与所述栅极线以及所述维持电压线绝缘且交叉。
所述栅电极、所述源电极、和所述漏电极分别构成所述薄膜晶体管的控制端、输入端、和输出端。所述漏电极电连接至将稍后描述的像素电极。
所述像素电极可用作所述显示设备的电极(例如，阳极)。所述像素电极可包括如下或者由如下形成：透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。所述像素电极可包括如下或者由如下形成：具有光阻挡性质的材料例如金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、或钛(Ti)。所述像素电极可具有其中前述透明导电材料和前述光阻挡材料顺序地堆叠的双层结构。
可在两个相邻像素电极之间形成像素限定层，其与所述像素电极的末端重叠以将所述像素电极划分成像素的单元。所述像素限定层可为绝缘层并且可电阻挡所述两个或更多个像素电极。所述像素限定层可覆盖所述像素电极的上部表面的仅一部分，并且所述像素电极的未被所述像素限定层覆盖的剩余部分可形成开口。
可在由所述开口限定的区域上形成将稍后描述的有机发光层。通过前述像素电极和所述像素限定层，所述有机发光层被限定为各像素区域。即，包括与被所述像素限定层划分的一个像素电极接触的一个有机发光单元层的区域可被定义为一个像素区域。在根据该实施方式的显示设备的发光面板中，所述有机发光层可对应于第一发光单元、第二发光单元、第三发光单元、和第四发光单元，并且各发光单元通过像素限定层被间隔开预定的间隔。所述有机发光层可发射前述入射光。所述有机发光层可包括用于各像素区域的有机发光单元层，并且各有机发光单元层除了所述发光层之外可进一步包括辅助层(例如，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等)。
所述公共电极可充当所述显示设备的阴极。所述公共电极可由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)形成。所述公共电极可一体地形成于所述有机发光层上。
可在所述公共电极上形成平坦化层或钝化层(未示出)。所述平坦化层可包括绝缘材料(例如，透明的)以保证与所述公共电极的电绝缘。
参照图6，发光单元180包括包含第一电极181、第二电极182、和多个纳米结构体187的发光层183。第一电极181和第二电极182之一可为阳极并且另一个可为阴极。第一电极181和第二电极182可为根据所述多个纳米结构体187的布置方向而图案化的电极。所述第一电极和所述第二电极的细节与本文中描述的那些相同。
发光层183可包括多个纳米结构体187，并且每一个可对应于子像素PX1、PX2、PX3、和PX4布置。所述多个纳米结构体187可布置在一个方向上，但是不限于此。纳米结构体187可为当施加电流时发射预定波长的光的化合物半导体，并且可为，例如，线型纳米结构体例如纳米棒或纳米针。纳米结构体187的直径或长轴可为例如几至几百纳米，并且纳米结构体187的长径比可为大于约1、大于或等于约1.5、大于或等于约2.0、大于或等于约3.0、大于或等于约3.5、大于或等于约4.0、大于或等于约4.5、大于或等于约5.0、大于约1且小于或等于约20、约1.5-约20、约2.0-约20、约3.0-约20、约4.0-约20、约4.5-约20、或约5.0-约20。各纳米结构体187可包括p-型区域187p、n-型区域187n、和多量子阱区域187i，并且可从多量子阱区域187i发射光。纳米结构体187可包括例如氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、或其组合，但是不限于此。所述多个纳米结构体187可发射入射光，并且所述入射光的细节与以上描述的相同。
在实施方式的显示面板中，所述颜色转换面板可包括配置成发射第一种光的第一颜色区域、配置成发射第二种光的第二颜色区域、和配置成发射第三种光的第三颜色区域、和配置成发射第四种光的第四颜色区域。
图7为根据实施方式的显示面板的示意性横截面图。
参照图4A和7，颜色转换面板200的实施方式可将从发光面板100提供的入射光(图7中的B)转换为不同光谱的光(例如，第一种光、第二种光、第三种光、和任选地第四种光)，并且将其朝着观察者(未示出)发射。在实施方式中，所述入射光(或第四种光)可被原样朝着观察者(未示出)发射。
所述多个颜色转换区域可进一步包括设置在相邻颜色区域之间的分隔壁250或BM。分隔壁250或BM可将相邻颜色区域在光学上分离(或隔离)。光学分离或隔离如本文中所描述的。分隔壁250或BM可包括阻止相应颜色转换区域中的光传播至另一区域的材料。在实施方式中，分隔壁250或BM可包括吸收或反射光的一部分的材料。分隔壁250或BM可包括光阻挡构件。在实施方式中，分隔壁250或BM可包括(能够阻挡例如吸收或反射光的)材料。分隔壁250或BM的材料可包括染料、颜料、反射性材料、吸收材料、或其组合。分隔壁250或BM的材料没有特别限制，只要其为能够阻挡期望的光的材料。分隔壁250或BM的材料可包括作为用于发光二极管中的堤岸的材料使用的材料。在多种实施方式中，所述颜料可包括，但是不限于，白色颜料、黑色颜料、灰色颜料、或其组合。在实施方式中，分隔壁250或BM可由包括期望的颜料的光刻胶组合物(例如，用于黑色矩阵的组合物、用于灰色矩阵的组合物、用于白色矩阵的组合物等等)制备。包括颜料的用于光刻胶的组合物可为可商购获得的或者可使用已知组合物。
参照图4A和4C，所述颜色转换层可设置在上部基板210上。可在上部基板210上设置与所述分隔壁对应的光阻挡图案220。可进一步在颜色转换层270和基板210之间提供滤色器层230a、230b、230c、和230d。上部基板210可为包括绝缘材料的基板。上部基板210可包括玻璃；多种聚合物例如聚酯例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯、或聚丙烯酸酯；聚硅氧烷(例如，PDMS)；无机材料例如Al2O3和ZnO；或其组合，但是不限于此。上部基板210的厚度可考虑基板材料等而适当地选择，并且没有特别限制。上部基板210可为柔性的。上部基板210可配置成对于从将稍后描述的半导体纳米颗粒发射的光具有大于或等于约50％、大于或等于约60％、大于或等于约70％、大于或等于约80％、或者大于等于约90％的透射率。
所述第一种光的发射峰波长可大于或等于约600nm、大于或等于约605nm、大于或等于约610nm、或者大于或等于约615nm且小于或等于约670nm、小于或等于约655nm、小于或等于约650nm、小于或等于约645nm、小于或等于约640nm、小于或等于约635nm、或者小于或等于约630nm。
所述第二种光的发射峰波长可大于或等于约500nm、大于或等于约505nm、大于或等于约510nm、大于或等于约515nm、或者大于或等于约520nm且小于或等于约565nm、小于或等于约560nm、小于或等于约550nm、小于或等于约545nm、小于或等于约540nm、小于或等于约535nm、小于或等于约530nm、小于或等于约525nm、小于或等于约515nm、或者小于或等于约510nm。
所述第三种光的发射峰波长可大于约470nm、大于或等于约473nm、大于或等于约475nm、大于或等于约477nm、大于或等于约479nm、大于或等于约480nm、大于或等于约482nm、或者大于或等于约485nm且小于约500nm、小于或等于约499nm、小于或等于约495nm、小于或等于约490nm、或者小于或等于约487nm。
所述第四种光的发射峰波长可大于约440nm、大于或等于约445nm、大于或等于约450nm、大于或等于约455nm、大于或等于约460nm、或者大于或等于约465nm且小于或等于约470nm、小于或等于约468nm、小于或等于约466nm、小于或等于约464nm、小于或等于约462nm、小于或等于约460m、或者小于或等于约458m。
所述入射光可为蓝色光(B)或第四种光。所述蓝色光的详细特征与本文中描述的那些相同。词语“颜色区域”可与“颜色转换区域”可互换地使用。
第一颜色(转换)区域270a可包括第一复合物，所述第一复合物包括第一基体和分散在所述第一基体中的第一半导体纳米颗粒，其中所述第一半导体纳米颗粒配置成将所述入射光转换为所述第一种光。第二颜色(转换)区域270b可包括第二复合物，所述第二复合物包括第二基体和分散在所述第二基体中的第二半导体纳米颗粒，其中所述第二半导体纳米颗粒配置成将所述入射光转换为所述第二种光。第三颜色(转换)区域270c可包括第三复合物，所述第三复合物包括第三基体和分散在所述第三基体中的第三半导体纳米颗粒，其中所述第三半导体纳米颗粒配置成将所述入射光转换为所述第三种光。在实施方式中，所述第四颜色区域可任选地包括第四基体并且配置成(例如，经由使所述入射光通过)发射第四种光。所述第四颜色区域可进一步包括分散在所述第四基体中的第四半导体纳米颗粒。提供至所述第四颜色区域的入射光可包括蓝色光或者具有在紫外区域中的波长的光。所述第四颜色区域可配置成使作为蓝色光的入射光通过。所述第一、第二、第三和第四基体可包括聚合物基体。
所述第一颜色(转换)区域(例如，第一半导体纳米颗粒-聚合物复合物)的宽度L13、所述第二颜色(转换)区域(例如，第二半导体纳米颗粒-聚合物复合物)的宽度L23、所述第三颜色(转换)区域(例如，所述第三半导体纳米颗粒-聚合物复合物)的宽度L33、或者所述第四颜色区域(或光透射区域)的宽度L43没有特别限制并且可适当地选择。
在实施方式中，所述颜色区域的宽度可大于或等于约1μm、大于或等于约3μm、大于或等于约5μm、大于或等于约7μm、大于或等于约9μm、大于或等于约11μm、大于或等于约15μm、大于或等于约20μm、大于或等于约25μm、大于或等于约30μm、大于或等于约35μm、大于或等于约40μm、大于或等于约45μm、大于或等于约50μm、大于或等于约60μm、大于或等于约70μm、大于或等于约80μm、大于或等于约90μm、大于或等于约100μm、大于或等于约130μm、大于或等于约150μm、大于或等于约170μm、大于或等于约190μm、大于或等于约200μm、大于或等于约230μm、大于或等于约250μm、大于或等于约270μm、大于或等于约290μm、大于或等于约300μm、大于或等于约330μm、大于或等于约350μm、大于或等于约370μm、大于或等于约390μm、或者大于或等于约450μm。在实施方式中，所述颜色区域的宽度可小于或等于约2000μm、小于或等于约1000μm、小于或等于约700μm、小于或等于约650μm、小于或等于约600μm、小于或等于约550μm、小于或等于约500μm、小于或等于约450μm、小于或等于约400μm、小于或等于约350μm、小于或等于约300μm、小于或等于约250μm、小于或等于约200μm、小于或等于约180μm、小于或等于约150μm、小于或等于约130μm、小于或等于约100μm、小于或等于约90μm、小于或等于约80μm、小于或等于约70μm、小于或等于约60μm、小于或等于约50μm、或者小于或等于约40μm。
在所述显示面板的横截面中，所述第一颜色区域、所述第二颜色区域、所述第三颜色区域、或所述第四颜色区域(或者其中包括的复合物)的厚度H13、H23、H33和H43没有特别限制，并且可适当地选择。在所述显示面板的横截面中，所述颜色区域的厚度H13、H23、H33和H43可各自独立地为大于或等于约1μm、大于或等于约3μm、大于或等于约5μm、大于或等于约7μm、大于或等于约9μm、大于或等于约11μm、大于或等于约13μm、大于或等于约15μm、大于或等于约17μm、或者大于或等于约19μm。所述颜色转换区域的厚度可小于或等于约30μm、小于或等于约25μm、或者小于或等于约20μm。
在所述颜色转换面板中，所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒不含有镉、铅、或其组合。在所述颜色转换区域中，所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒配置成将从发光面板100供应的入射光的发射光谱分别转换为所述第一种光、所述第二种光、和所述第三种光。所述颜色转换层配置成(例如，通过从所述第一颜色区域、所述第二颜色区域、所述第三颜色区域、和/或所述第四颜色区域发射的光的任何组合)发射预定的光。与基于RGB三种子像素的颜色转换面板相比，实施方式的颜色转换层可实现增加的颜色区域。
在实施方式中，所述颜色转换面板可具有在BT2020下大于或等于约90％、大于或等于约92％、大于或等于约94％、或者大于等于约95％的颜色区域。色域可在如下范围内：约100-约90％、约99-约92％、约98-约93％、约97-约94％、或约96-约95％、或其组合。
配置成由实施方式的颜色转换层发射的预定的光的颜色可包括在CIE1931色坐标中具有约0.26-约0.35的Cx和约0.27-约0.35的Cy的第一区域。
在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，由下式(1)定义的第一面积百分比小于或等于约65％。
式(1)：[A/B]×100％
在式(1)中，A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且B表示所述发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积。
所述第一面积百分比可小于或等于约64％、小于或等于约63％、小于或等于约62％、小于或等于约61％、小于或等于约60％、小于或等于约59％、小于或等于约58％、小于或等于约57％、小于或等于约56％、小于或等于约55％、小于或等于约54％、小于或等于约53％、小于或等于约52％、小于或等于约51％、小于或等于约50％、小于或等于约49％、小于或等于约48％、小于或等于约47％、小于或等于约46％、小于或等于约45％、小于或等于约44％、小于或等于约43％、小于或等于约42％、小于或等于约41％、或者小于或等于约40％。所述第一面积百分比可大于或等于约0.1％、大于或等于约0.5％、大于或等于约1％、大于或等于约2％、大于或等于约3％、大于或等于约4％、大于或等于约5％、大于或等于约6％、大于或等于约7％、大于或等于约8％、或者大于等于约9％。
在所述第一区域中，Cx可大于或等于约0.27、大于或等于约0.28、大于或等于约0.29、大于或等于约0.30、大于或等于约0.31、或者大于或等于约0.32。在所述第一区域中，Cx可小于或等于约0.34、小于或等于约0.33、小于或等于约0.32、或者小于或等于约0.31。在所述第一区域中，Cy可大于或等于约0.28、大于或等于约0.29、大于或等于约0.30、大于或等于约0.31、或者大于或等于约0.32。Cy可小于或等于约0.34、小于或等于约0.33、小于或等于约0.32、小于或等于约0.31、或者小于或等于约0.30。
所述第一区域可具有大于或等于约6400K、大于或等于约6450K、大于或等于约6500K、大于或等于约6550K、大于或等于约6600K、大于或等于约6650K、大于或等于约6700K、大于或等于约6750K、或者大于或等于约6800K的色温。所述第一区域可具有小于或等于约12000K、小于或等于约11,000K、小于或等于约10,000K、小于或等于约9500K、小于或等于约9000K、小于或等于约8500K、小于或等于约8000K、小于或等于约7500K、或者小于或等于约7000K的色温。
在实施方式中，在属于所述第一区域的所述预定的光的发射光谱中，由下式(2)定义的第二面积百分比可小于或等于约19％。
式(2)：[A/C]×100％
在式(2)中，A表示所述发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积，且C表示所述发射光谱的总面积。
所述第二面积百分比可小于或等于约18％、小于或等于约17％、小于或等于约16％、小于或等于约15％、或者小于或等于约14％。所述第二面积百分比可大于或等于约0.1％、大于或等于约0.5％、大于或等于约1％、大于或等于约2％、大于或等于约3％、或者大于等于约4％。
所述颜色转换层的所述预定的光的颜色可包括在CIE 1931色坐标中的约0.18(或约0.19)-约0.20的Cx和约0.38-约0.41的Cy的第二区域(例如，蓝绿色)。在具有在所述第二区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第一面积百分比可小于或等于约65％、或者小于或等于约60％、小于或等于约55％、或者小于或等于约45％并且大于或等于约1％或者大于或等于约5％。在具有在所述第二区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第二面积百分比小于或等于约18％、小于或等于约15％、小于或等于约13％、或者小于或等于约10％并且大于或等于约1％、大于或等于约3％、大于或等于约5％、或者大于等于约7％。
所述颜色转换层的所述预定的光的颜色可包括在CIE 1931色坐标中的约0.39-约0.41的Cx和约0.19-约0.21的Cy的第三区域(例如，品红色)。在具有在所述第三区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第一面积百分比可小于或等于约80％、小于或等于约78％、小于或等于约75％、小于或等于约70％、或者小于或等于约69.5％并且大于或等于约10％或者大于或等于约15％。在具有在所述第三区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，所述第二面积百分比可小于或等于约18％、小于或等于约15％、小于或等于约13％、或者小于或等于约10％并且大于或等于约1％、大于或等于约3％、大于或等于约5％、或者大于等于约7％。
使用包括多个发光单元例如OLED、微LED、或QNED的光源的显示器可提供在亮度、效率、视角、和寿命方面的改善，并且作为下一代显示器正引起关注。目前，许多显示器通过将红色、绿色、和蓝色的三原色的光组合而实现颜色。例如，显示器的一个像素可包括多个(三个或更多个)发射蓝色光的微LED，各LED可向包括在所述像素中并且在光学上分离的子像素(颜色区域)各自提供蓝色光，并且通过例如调节从所述子像素发射的具有预定波长的各单独光的亮度，可实现期望的颜色。随着使用显示器例如TV、监视器、智能电话、和平板电脑所花费的时间增加，用户在显示器的视觉安全性方面的兴趣也在增加。从发光面板发射的入射光可为蓝色光，并且其波长可通常在约450nm-约470nm的范围内。LED器件(例如，无机LED器件)可以提高的发光效率发射在这样的范围内的蓝色光。而且，这样的波长可为适合于显示设备表现出深蓝色的波长。然而，已知具有在该范围内的波长的光(例如，蓝色光)是在视觉上不安全的，因为具有在该范围内的波长的光导致由于褪黑素的减少所致的睡眠障碍、唤醒效应、和眩光。调节(例如，降低)由显示面板发射的光的色温或者将蓝色光用另外的波长替换的尝试可提高显示设备的视觉稳定性。然而，如本发明人已经证实的，这样的尝试可改变由人眼所察觉的颜色，或者因仍然包括期望程度的(例如，如由商业认证机构所要求的)高比例的蓝色波长而未提供视觉安全性。因此，期望开发如下技术：其能够在显示设备中实现与目标物体基本上相同的颜色的同时，降低在视觉上有害的范围内的光的比率(例如，实现改善的色域而基本上不改变在视觉上察觉的颜色)。例如，根据对视觉健康进行认证的商业机构，可期望在全部蓝色光发射中的有害蓝色光的分数小于预定的值(例如，为50％或更小)。
通过包括如本文中描述的颜色转换面板和发光面板，根据实施方式的显示面板可以改善的视觉稳定性实现期望的图像而没有显示器的不想要的颜色变化。实施方式的显示面板可在实现在前述范围内的色坐标或其它颜色时将蓝色光比率降低至期望水平(例如，50％或更小)并且为用户提供在视觉上安全的屏幕图像。在实施方式的颜色转换面板中，所述第三颜色区域的发射波长或者所述第三种光的发射峰波长可大于或等于约475nm、大于或等于约476nm、大于或等于约477nm、大于或等于约478nm、大于或等于约479nm、或者大于或等于约480nm。所述第三种光的发射峰波长可小于约490nm、小于或等于约489nm、小于或等于约488nm、小于或等于约487nm、小于或等于约486nm、或者小于或等于约485nm。所述第四颜色区域或所述第四种光的发射峰波长可大于或等于约450nm、大于或等于约455nm、或者大于或等于约460nm。所述第四种光的发射峰波长可小于或等于约469nm、小于或等于约468nm、小于或等于约467nm、小于或等于约466nm、小于或等于约465nm、小于或等于约463nm、小于或等于约462nm、小于或等于约461nm、或者小于或等于约460nm。
所述第三种光和所述第四种光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约39nm、小于或等于约38nm、小于或等于约37nm、小于或等于约36nm、小于或等于约35nm、小于或等于约34nm、小于或等于约33nm、小于或等于约32nm、小于或等于约31nm、小于或等于约30nm、小于或等于约29nm、小于或等于约28nm、小于或等于约27nm、小于或等于约26nm、或者小于或等于约25nm。所述第三种光和所述第四种光的发射峰波长之间的差值可大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、或者大于或等于约20nm。在实施方式中，所述第三种光的峰发射波长可大于或等于约475nm且小于或等于约485nm，所述第四种光的发射峰波长可大于或等于约455nm且小于或等于约465nm，并且所述第三种光和所述第四种光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约30nm、小于或等于约25nm、或者小于或等于约22nm。
令人惊讶地，本发明人已经发现，包括具有在如本文中所描述的范围内和以如本文中所描述的强度的发射峰波长的颜色区域(例如，第三颜色区域和第四颜色区域)可显著降低有害的蓝色光分数(例如，低于由认证机构所要求的水平)并且同时可提供改善的图像品质而不引起颜色变化。在所述第四种光和所述入射光的发射峰波长之间的差值可小于或等于约10nm、小于或等于约9nm、小于或等于约8nm、小于或等于约7nm、小于或等于约6nm、小于或等于约5nm、小于或等于约4nm、小于或等于约3nm、或者小于或等于约2nm。所述第四种光可具有与所述入射光基本上相同的发射峰波长。
所述第一种光可具有大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、大于或等于约20nm、大于或等于约25nm、大于或等于约26nm、大于或等于约28nm、大于或等于约30nm、大于或等于约33nm、大于或等于约35nm、或者大于或等于约38nm的半宽度。所述第一种光可具有小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约38nm、小于或等于约36nm、小于或等于约34nm、小于或等于约32nm、小于或等于约30nm、小于或等于约28nm、或者小于或等于约25nm的半宽度。
所述第二种光可具有大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、大于或等于约20nm、大于或等于约25nm、大于或等于约26nm、大于或等于约28nm、大于或等于约30nm、大于或等于约33nm、大于或等于约35nm、或者大于或等于约38nm的半宽度。所述第二种光可具有小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约38nm、小于或等于约36nm、小于或等于约34nm、小于或等于约32nm、小于或等于约30nm、小于或等于约28nm、或者小于或等于约25nm的半宽度。
所述第三种光可具有大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、大于或等于约20nm、大于或等于约25nm、大于或等于约26nm、大于或等于约28nm、大于或等于约30nm、大于或等于约33nm、大于或等于约35nm、或者大于或等于约38nm的半宽度。所述第三种光可具有小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约38nm、小于或等于约36nm、小于或等于约34nm、小于或等于约32nm、小于或等于约30nm、小于或等于约28nm、或者小于或等于约25nm的半宽度。
所述第四种光可具有大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、大于或等于约20nm、大于或等于约25nm、大于或等于约26nm、大于或等于约28nm、大于或等于约30nm、大于或等于约33nm、大于或等于约35nm、或者大于或等于约38nm的半宽度。所述第四种光可具有小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约38nm、小于或等于约36nm、小于或等于约34nm、小于或等于约32nm、小于或等于约30nm、小于或等于约28nm、或者小于或等于约25nm的半宽度。
在所述第三种光的标准化发射光谱和所述第二种光的标准化发射光谱的交点处，发光强度可小于或等于约0.5、小于或等于约0.45、小于或等于约0.4、小于或等于约0.35、小于或等于约0.3、或者小于或等于约0.25。在所述第三种光的标准化发射光谱和所述第二种光的标准化发射光谱的交点处，发光强度可大于或等于约0.1、大于或等于约0.15、大于或等于约0.2、大于或等于约0.25、大于或等于约0.3、大于或等于约0.35、大于或等于约0.4、或者大于或等于约0.45。
所述颜色转换层的发射光谱可呈现出或可不呈现出在如下的波长范围内的发射峰(下文中，称作第五发射峰)：大于约580nm、大于或等于约585nm、或者大于或等于约587nm且小于约600nm，例如，小于或等于约595nm、小于或等于约590nm、或者小于或等于约585nm。
所述第五发射峰可具有大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、或者大于或等于约20nm的半宽度。所述第五发射峰可具有小于或等于约50nm、小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约35nm、小于或等于约30nm、或者小于或等于约25nm的半宽度。
所述颜色转换层中包括的所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒(下文中称作半导体纳米颗粒)可不含有有害的重金属(例如，镉、铅、汞等)。所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、所述第三半导体纳米颗粒、所述第四半导体纳米颗粒、或其组合可具有包括(半导体纳米晶体)芯和设置在所述芯上的(半导体纳米晶体)壳的芯-壳结构。所述第一/第二/第三/第四半导体纳米颗粒、所述半导体纳米晶体芯、和/或所述半导体纳米晶体壳可包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。所述第一/第二/第三/第四半导体纳米颗粒可不含有镉、铅、汞、或其组合。
所述II-VI族化合物可选自：选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS、及其混合物的二元化合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、及其混合物的三元化合物；和选自CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe、及其混合物的四元化合物。
所述III-V族化合物可选自：选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb、及其混合物的二元化合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb、及其混合物的三元化合物；和选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、及其混合物的四元化合物。
所述IV-VI族化合物可选自：选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe、及其混合物的二元化合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe、及其混合物的三元化合物；和选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe、及其混合物的四元化合物。
所述I-III-VI族化合物的实例可包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe、和CuInGaS，但是不限于此。所述I-II-IV-VI族化合物的实例包括CuZnSnSe、和CuZnSnS，但是不限于此。
所述IV族元素或化合物可为选自Si、Ge、及其混合物的单质；和选自SiC、SiGe、及其混合物的二元化合物。所述III-V族化合物可进一步包括II族金属(例如，InZnP等)
所述二元化合物、所述三元化合物或所述四元化合物分别以均匀的浓度存在于所述颗粒中或者以局部不同的浓度存在于相同的颗粒中。在实施方式中，当所述半导体纳米颗粒具有芯-壳结构时，所述壳的半导体纳米晶体可具有比所述芯的半导体纳米晶体大的能带隙。
在实施方式中，当所述半导体纳米颗粒具有芯-壳结构时，所述壳的半导体纳米晶体可具有比所述芯的半导体纳米晶体小的能带隙。在其中具有芯-壳结构的所述半导体纳米颗粒包括多层壳的实施方式中，外部壳可具有比靠近所述芯的壳大的能带隙，但是不限于此。在所述包括多层壳的芯-壳结构中，所述纳米颗粒的外部壳可具有比靠近所述芯的壳小的能带隙。在实施方式中，所述半导体纳米颗粒可包括基于磷化铟的化合物(例如，InP、InZnP、InGaP、或其组合)作为发光中心(例如，芯)。在实施方式中，所述半导体纳米颗粒可包括基于硒碲化锌的化合物(例如，ZnTeSe)作为发光中心(例如，芯)。所述半导体纳米颗粒可包括设置在所述芯上的基于锌硫属化物的壳(例如，含有锌、硒、硫、或其组合)。所述壳可为多层壳。所述壳可包括：包括硒化锌的第一层和设置在所述第一层上并且包括硫化锌的第二层。
所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、所述第三半导体纳米颗粒、如果存在的所述第四半导体纳米颗粒、或其组合可具有约1nm-约100nm的(平均)尺寸。在实施方式中，所述半导体纳米颗粒的(平均)尺寸可大于或等于约2nm、大于或等于约2.5nm、大于或等于约3nm、大于或等于约3.5nm、大于或等于约4nm、大于或等于约4.5nm、大于或等于约5nm、大于或等于约5.5nm、大于或等于约6nm、大于或等于约6.5nm、大于或等于约7nm、大于或等于约7.5nm、大于或等于约8nm、大于或等于约8.5nm、大于或等于约9nm、大于或等于约9.5nm、或者大于或等于约10nm。在实施方式中，所述半导体纳米颗粒的(平均)颗粒尺寸可小于或等于约50nm，例如，小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约35nm、小于或等于约30nm、小于或等于约25nm、小于或等于约24nm、小于或等于约23nm、小于或等于约22nm、小于或等于约21nm、小于或等于约20nm、小于或等于约19nm、小于或等于约18nm、小于或等于约17nm、小于或等于约16nm、小于或等于约15nm、小于或等于约14nm、小于或等于约13nm、小于或等于约12nm、小于或等于约11nm、或者小于或等于约10nm、小于或等于约9nm、小于或等于约8nm、小于或等于约7nm、小于或等于约6.5nm、小于或等于约6nm、小于或等于约5.5nm、或者小于或等于约5nm。此处，所述纳米颗粒的(平均)尺寸可参见直径(或者，如果不是球形的，由所述纳米颗粒的电子显微镜二维图像，假设球形形状而计算的直径)。此处，所述尺寸可为单个颗粒的尺寸或者纳米颗粒群的平均尺寸。所述纳米颗粒的尺寸可例如对于透射电子显微镜图像使用图像分析程序(例如，Image J)而获得。
所述纳米颗粒可具有任何形状。在实施方式中，所述纳米颗粒可包括球形、棱锥形、多臂、或立方形纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片、或其组合。所述半导体纳米颗粒是可商购获得的或者可通过任何方法合成。
所述半导体纳米颗粒可进一步在其表面上包括有机材料例如有机配体和有机溶剂。在实施方式中，所述有机配体可为RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR'、RPO(OH)2、R2POOH(其中R和R'各自独立地为取代或未取代的C1-C40(或C3-C24)脂族烃基团，例如，取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、或C3-C40(或C6-C20)芳族烃基团，例如，芳基)、或其组合。
所述半导体纳米颗粒(或如将稍后描述的半导体纳米颗粒-聚合物复合物)可具有大于或等于约40％、大于或等于约45％、大于或等于约50％、大于或等于约55％、大于或等于约60％、大于或等于约65％、大于或等于约70％、大于或等于约75％、大于或等于约80％、大于或等于约85％、大于或等于约90％、大于或等于约95％、或者大于或等于约100％的量子效率(量子产率)。所述量子效率可对于量子点分散体或量子点-聚合物复合物使用合适的设备(QE-2100(制造商：Otsuka Electronics))测量，但是本公开内容不限于此。实施方式的半导体纳米颗粒(或实施方式的半导体纳米颗粒-聚合物复合物)可具有小于或等于约50nm、小于或等于约45nm、小于或等于约41nm、小于或等于约40nm、小于或等于约39nm、小于或等于约38nm、小于或等于约37nm、小于或等于约36nm、小于或等于约35nm、例如小于或等于约34nm、小于或等于约33nm、小于或等于约32nm、小于或等于约31nm、小于或等于约30nm、小于或等于约29nm、小于或等于约28nm、小于或等于约27nm、小于或等于约26nm、或者小于或等于约25nm的半宽度。所述半宽度可大于或等于约10nm、大于或等于约15nm、或者大于或等于约20nm。
此处，量子效率可为相对或绝对量子产率，其可通过可商购获得的设备(例如，来自Hitachi或Hamamatsu等)容易地测量。所述量子效率(或量子产率)可在溶液中或者在固体状态下(在复合物中)测量。在实施方式中，量子效率(或量子产率)为由所述纳米结构体或其群发射的光子对被所述纳米结构体或其群吸收的光子的比率。在实施方式中，量子效率可通过任何方法测量。例如，可使用两种方法例如绝对方法和相对方法来测量荧光量子产率或效率。在所述绝对方法中，量子效率是经由通过积分球检测所有样品的荧光而获得的。在所述相对方法中，通过将标准染料(标准样品)的荧光强度与未知样品的荧光强度比较而计算该未知样品的量子效率。香豆素(Coumarin)153、香豆素545、若丹明(Rhodamine)101内盐、蒽和若丹明6G可根据它们的PL波长而用作标准染料，但是本公开内容不限于此。QY或量子效率可通过使用来自Hitachi Co.,Ltd.或Hamamatsu Co.Ltd.的可商购获得的设备、Otsuka QE2100等和通过参照由设备制造商提供的手册而容易和可再现地测定。
半宽度和最大PL峰波长可例如通过经由分光光度计例如荧光分光光度计等获得的光致发光光谱测量。
根据实施方式，所述第一颜色区域中(或所述第二颜色区域中、或者所述第三或第四颜色区域中)的、或其中包括的复合物中的所述第一半导体纳米颗粒(或所述第二半导体纳米颗粒或所述第三半导体纳米颗粒或第四半导体纳米颗粒)的量可大于或等于约1重量％，例如，大于或等于约2重量％、大于或等于约3重量％、大于或等于约4重量％、大于或等于约5重量％、大于或等于约6重量％、大于或等于约7重量％、大于或等于约8重量％、大于或等于约9重量％、大于或等于约10重量％、大于或等于约15重量％、大于或等于约20重量％、大于或等于约25重量％、大于或等于约30重量％、大于或等于约35重量％、大于或等于约40重量％、或者大于等于约45重量％，基于所述复合物的总重量。所述量可小于或等于约70重量％，例如，小于或等于约65重量％、小于或等于约60重量％、小于或等于约55重量％、或者小于或等于约50重量％，基于颜色区域中包括的复合物的总重量。
所述复合物的总重量可基本上对应于本文中描述的墨组合物中的固体物重量。在实施方式中，所述聚合物基体可包括线型(共)聚合物、交联(共)聚合物、或其组合。所述线型(共)聚合物可包括(取代或未取代的)乙烯或丙烯重复单元。所述交联(共)聚合物可包括硫醇烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨基甲酸酯、交联环氧树脂、交联乙烯基聚合物、交联有机硅树脂、或其组合。所述聚合物可为丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂、有机硅树脂、环氧树脂、基于cardo的树脂、酰亚胺树脂、其衍生物、或其组合，但是不限于此。所述(聚合物)基体可包括交联聚合物和/或线型聚合物。所述交联聚合物可包括硫醇烯树脂、交联聚(甲基)丙烯酸酯、交联聚氨基甲酸酯、交联环氧树脂、交联乙烯基聚合物、交联有机硅树脂、或其组合。所述线型聚合物可包括含有羧酸的重复单元。所述聚合物基体可进一步包括为了在将稍后描述的墨组合物中保证可图案化性而添加的碱溶性粘结剂聚合物。可使用所述具有羧酸基团的线型聚合物作为分散剂。所述交联聚合物可包括选自如下的至少一种：具有碳-碳双键(至少一个，例如至少两个、至少三个、至少四个、或至少五个)的可聚合单体的聚合产物(例如，绝缘聚合物)，以及所述可聚合单体和任选的在末端处具有至少两个硫醇基团的多硫醇化合物的聚合产物。所述聚合物基体可包括光透射聚合物(例如，绝缘聚合物)。在实施方式中，所述颜色区域或其中包括的半导体纳米颗粒-聚合物复合物可任选地进一步包括金属氧化物颗粒。在这样的实施方式中，所述金属氧化物颗粒可分散在所述基体内。
所述第四颜色/光透射区域可进一步包括第四基体和任选地金属氧化物颗粒。所述第四颜色/光透射区域可进一步包括或不包括能转换颜色的半导体纳米颗粒(例如，第四半导体纳米颗粒例如发射蓝色光的量子点等)。所述金属氧化物粒子可包括TiO2、SiO2、BaTiO3、Ba2TiO4、ZnO、或其组合。所述金属氧化物粒子可为非发光性的。此处，术语金属氧化物可包括金属或半金属的氧化物。
所述金属氧化物粒子的直径没有特别限制，而是适当地选择的。所述金属氧化物粒子的直径可大于或等于约100nm，例如大于或等于约150nm、或者大于或等于约200nm且小于或等于约1000nm或者小于或等于约800nm。
在其中所述第四颜色区域/光透射区域进一步包括所述金属氧化物颗粒的实施方式中，所述金属氧化物粒子的量可为，基于所述复合物的总重量，大于或等于约1重量％、大于或等于约5重量％、或者大于等于约10重量％且小于或等于约50重量％、小于或等于约30重量％、或者小于或等于约15重量％。在所述复合物中，基于所述复合物的总重量，所述聚合物基体的量可在约1重量％-约99重量％、约10重量％-约90重量％、约20重量％-约80重量％、约30重量％-约70重量％、约40重量％-约60重量％、约45重量％-约55重量％、或其组合的范围内。所述金属氧化物粒子可将从所述半导体纳米颗粒和/或发光面板100的发光单元180发射的光散射和/或反射至上部基板(或者当存在时，滤色器层230a、230b、和230c)(参见图4C)。在所述第一颜色区域、所述第二颜色区域、所述第三颜色区域、或所述第四颜色区域中，当存在时，所述金属氧化物的量可为，基于设置在所述颜色转换区域中的所述复合物的总重量，大于或等于约0.1重量％、大于或等于约0.5重量％、大于或等于约1重量％、大于或等于约1.5重量％、大于或等于约2重量％、大于或等于约2.5重量％、大于或等于约3重量％、大于或等于约3.5重量％、大于或等于约4重量％、大于或等于约4.5重量％、大于或等于约5重量％、或者大于等于约10重量％。所述金属氧化物的量可小于或等于约50重量％、小于或等于约40重量％、小于或等于约30重量％、小于或等于约25重量％、小于或等于约20重量％、小于或等于约15重量％、小于或等于约10重量％、或者小于或等于约5重量％。
参照图4C，可进一步在上部基板210和所述颜色转换层之间设置滤色器层230a、230b、230c、和230d。所述滤色器层设置在通过颜色转换层270的光被发射的方向上。所述滤色器层分别可包括与各子像素或颜色区域PX1、PX2、PX3、和PX4重叠地设置的滤色器，其选择性地透射不同波长光谱的光。所述滤色器可选择性地透射与各子像素或颜色区域PX1、PX2、PX3、和PX4中显示的颜色相同的波长光谱的光并且选择性地透射颜色转换层270的各区域中转换的发射光谱的光。在实施方式中，第一子像素PX1、第二子像素PX2、第三子像素PX3、和第四子像素PX4各自分别显示红色、绿色、青色、和蓝色，并且分别从第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b、第三颜色转换区域270c、和光透射区域270d发射红色发射光谱、绿色发射光谱、青色发射光谱、和蓝色发射光谱的光。在这样的实施方式中，与第一颜色转换区域270a重叠的第一滤色器230a可为红色过滤器，与第二颜色转换区域270b重叠的第二滤色器230b可为绿色过滤器，与第三颜色转换区域270c重叠的第三滤色器230c可为青色过滤器，和与光透射区域270d重叠的第四滤色器230d可为蓝色过滤器。所述第一滤色器、所述第二滤色器、所述第三滤色器、和所述第四滤色器可分别包括用于选择性地透射所述红色波长光谱、所述绿色波长光谱、所述青色波长光谱、或所述蓝色波长光谱的光，但是吸收和/或反射其它波长光谱的光的颜料或染料。
可进一步在所述滤色器和所述上部基板之间提供光阻挡图案。所述光阻挡图案可分隔各子像素PX1、PX2、PX3、和PX4并且被设置在相邻子像素PX1、PX2、PX3和PX4之间。所述光阻挡图案可为例如黑色矩阵。所述光阻挡图案220可与相邻滤色器的边缘重叠。
所述颜色转换面板可进一步包括设置在滤色器和颜色转换层之间的平坦化层240。平坦化层240可减小或者消除由所述滤色器导致的水平(高度)差异。平坦化层240可包括有机材料、无机材料、有机-无机材料、或其组合，例如氧化物、氮化物或氮氧化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其组合，但是不限于此。平坦化层240可为一个或两个或更多个层并且覆盖所述上部基板的整个区域。
所述颜色转换面板可进一步包括覆盖颜色转换层270和分隔壁250的封装层290。封装层290可包括玻璃板、薄金属膜、有机膜、无机膜、有机-无机膜、或其组合。所述有机膜可包括例如丙烯酸类树脂、(甲基)丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂、苝树脂、或其组合，但是不限于此。所述无机膜可包括例如氧化物、氮化物和/或氮氧化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化铪、氮化铪、氮氧化铪、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、氟化锂、或其组合，但是不限于此。所述有机-无机膜可包括例如聚有机硅氧烷，但是不限于此。封装层290可具有单层结构或包括两个或更多个层的多层结构。
在实施方式的颜色转换面板或显示面板中，开口率可为约1％-约100％％、约2％-约95％、约3％-约90％、约4％-约85％、约5％-约80％％、约6％-约75％、约7％-约70％、约8％-约65％、约9％-约60％、约10％-约55％、约11％-约50％、约12％-约45％、约13％-约40％、约14％-约35％、约15％-约30％、约16％-约25％、约17％-约20％、或其组合。
在实施方式的颜色转换面板或显示面板中，所述开口率可小于或等于约15％、小于或等于约14％、小于或等于约13％、小于或等于约12％、小于或等于约11％、小于或等于约10％、小于或等于约9％、小于或等于约8％、或者小于或等于约7％。
制造根据实施方式的显示面板的方法可包括在所述发光面板上提供所述颜色转换面板，其中提供所述颜色转换面板包括通过使用墨组合物在具有分隔壁的基础结构上的多个颜色区域的每一个中形成半导体纳米颗粒-聚合物复合物以限定所述多个颜色区域(下文中，称作复合物图案的形成)(见图8)。所述发光面板的制备可取决于可以已知方法制造的发光单元(例如，QNED或微LED)的类型而变化。复合物图案的形成可以合适的方法进行。在实施方式中，复合物图案的形成可通过喷墨工艺进行。所述喷墨工艺可包括将所述墨组合物沉积在所限定的颜色区域的每一个中并且使其聚合。在实施方式中，复合物图案的形成可通过光刻工艺进行。所述光刻工艺可包括将所述墨组合物施加在基板(任选地，包括分隔壁例如黑色矩阵等)上，任选地将其预烘烤，将其在掩模图案下曝光，将其在显影溶液(例如，碱性水溶液)中显影，和任选地，将其后烘烤。
在替代性实施方式中，所述颜色转换面板的制备可需要电流体动力学(EHD)图案化。在所述EHD图案化中，可通过在喷嘴和其下方的下部电极之间施加强的电场以形成微滴而将含有纳米颗粒的墨组合物图案化。
使用含有半导体纳米颗粒的墨组合物的所述喷墨工艺和所述光刻工艺可适当地选择，但是本公开内容不特别地局限于此。所述组合物可包括半导体纳米颗粒，(例如，能够提供交联的)可聚合单体的组合，和任选地，有机溶剂，聚合物(例如，线型共聚物)；引发剂等。所述组合物可根据其图案形成方法而进一步包括多种组分。在实施方式中，所述可聚合单体的组合可包括包含碳-碳双键的可聚合(例如，可光聚合)单体和任选地硫醇化合物(例如，单硫醇或多硫醇化合物)。所述可聚合单体可包括丙烯酸类单体。所述可聚合单体可包括(甲基)丙烯酸烷基酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二缩三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、一缩二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、一缩二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、双酚A二(甲基)丙烯酸酯、双酚A环氧丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、乙二醇单甲基醚(甲基)丙烯酸酯、线型酚醛环氧(甲基)丙烯酸酯、一缩二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二缩三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、磷酸三(甲基)丙烯酰氧基乙酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(A-DCP)、1,3,5-三烯丙基-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)三酮、或其组合。所述硫醇化合物可为二硫醇化合物、三硫醇化合物、四硫醇化合物、或其组合。例如，所述硫醇化合物可包括二醇二-3-巯基丙酸酯、二醇二巯基乙酸酯、三羟甲基丙烷三(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(3-巯基丙酸酯)、季戊四醇四(2-巯基乙酸酯)、1,6-己二硫醇、1,3-丙二硫醇、1,2-乙二硫醇、包括1-10个乙二醇重复单元的聚乙二醇二硫醇、或其组合。
在其中使用所述光刻工艺的实施方式中，所述组合物可进一步包括粘结剂。所述粘结剂可为具有-COOH的碱溶性化合物。所述粘结剂可用于光刻工艺中的碱性水溶液的显影。所述粘结剂可用于所述墨组合物中的半导体纳米颗粒的分散。所述粘结剂可包括：包括包含羧酸基团和碳-碳双键的第一单体、包括碳-碳双键和疏水性部分并且不包括羧酸基团的第二单体、和任选的包括碳-碳双键和亲水性部分并且不包括羧酸基团的第三单体的单体组合，或者其共聚物；具有其中两个芳族环结合至作为主链中的另一环状部分的构成原子的季碳原子的骨架结构并且包括羧酸基团(-COOH)的含有多个芳族环的聚合物(下文中，cardo粘结剂)；或其组合。所述粘结剂聚合物可具有任何酸值和分子量并且不特别地局限于此。
所述组合物中包括的引发剂用于单体的前述聚合。所述引发剂为能够通过在温和条件下(例如，通过热或光)产生自由基化学物种而催化自由基反应(例如，单体的自由基聚合)的化合物。所述引发剂可包括热引发剂或光引发剂。所述热引发剂可包括，但是不限于，偶氮二异丁腈、过氧化苯甲酰等。所述光引发剂可包括基于三嗪的化合物、乙酰苯化合物、二苯甲酮化合物、噻吨酮化合物、安息香化合物、肟酯化合物、氨基酮化合物、膦或膦氧化物化合物、基于咔唑的化合物、二酮化合物、基于硼酸锍的化合物、基于重氮的化合物、基于联咪唑的化合物、或其组合，但是不限于此。所述引发剂可包括Igacure 754、羟基环己基苯基酮(Irgacure 184，CAS 947-19-3)、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基膦氧化物(IrgacureTPO，CAS 75980-60-8)、苯氧基-乙酸2[2-氧代-2-苯基-乙酰氧基-乙氧基]-乙基酯、或其组合。
实施方式的墨组合物可不含溶剂或者进一步包括有机溶剂。可用的有机溶剂的类型没有特别限制。所述有机溶剂的类型和量可考虑前述主要组分(即，量子点、分散用试剂、可聚合单体、引发剂、硫醇化合物(如果存在的话))和将稍后描述的添加剂的类型和量而适当地确定。所述组合物以在排除期望的固体(非挥发性)内容物之后的余量包括所述溶剂。所述溶剂的实例可包括乙二醇类例如乙二醇、一缩二乙二醇、和聚乙二醇；二醇醚类例如乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、一缩二乙二醇单甲基醚、乙二醇二乙基醚、和一缩二乙二醇二甲基醚；二醇醚乙酸酯类例如乙二醇乙酸酯、乙二醇单乙基醚乙酸酯、一缩二乙二醇单乙基醚乙酸酯、和一缩二乙二醇单丁基醚乙酸酯；丙二醇类例如丙二醇；丙二醇醚类例如丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、丙二醇二甲基醚、一缩二丙二醇二甲基醚、丙二醇二乙基醚、和一缩二丙二醇二乙基醚；丙二醇醚乙酸酯类例如丙二醇单甲基醚乙酸酯、和一缩二丙二醇单乙基醚乙酸酯；酰胺例如N-甲基吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、和二甲基乙酰胺；酮例如甲基乙基酮(MEK)、甲基异丁基酮(MIBK)、和环己酮；石油例如甲苯、二甲苯、和溶剂石脑油；酯例如乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、和3-乙氧基丙酸乙酯；醚例如二乙基醚、二丙基醚、和二丁基醚；脂族、脂环族、或芳族烃；及其混合物。
如果期望，除了前述组分之外，所述组合物可进一步包括多种添加剂例如流平剂、偶联剂等。所述添加剂的量没有特别限制，而是如果期望的话，可适当地调节，除非其负面地影响所述组合物的制备、所述量子点-聚合物复合物的制备、和所述复合物的图案化。
所述组合物可以包括如下的方法制备：制备包括所述量子点、所述分散用试剂、和所述有机溶剂的量子点分散体；和将所述量子点分散体与如下混合：引发剂；可聚合单体(例如，丙烯酸类单体)；任选地硫醇化合物；任选地金属氧化物粒子；和任选地前述添加剂。
可将各前述组分顺序地或同时混合，但是混合次序可没有特别限制。所述组合物可通过例如自由基聚合提供前述复合物。在所述组合物中，各组分的量可适当地选择而没有特别限制。
所述显示面板可应用于多种电子设备例如显示设备等，例如TV、监视器、计算机、平板电脑PC、移动设备等或者照明设备例如光源。因此，实施方式的电子设备包括所述显示面板。所述电子设备可包括便携式终端设备、监视器、笔记本PC、电视机、电信号板、相机、用于车辆的电子部件、或其组合。
下文中，将参照实施例更详细地描述实施方式。然而，它们仅是本公开内容的实例，并且本公开内容不限于此。
实施例1-4
通过使用表1中所示的半导体纳米晶体颗粒、包括丙烯酸酯聚合物的聚合物基体、以及发射蓝色光的LED制备具有如图7中所示的结构的显示面板。由此制备的显示面板包括：发射第四种光的发光面板；和颜色转换面板，其包括半导体纳米颗粒，使得第一颜色区域、第二颜色区域、和第三颜色区域可分别发射表1和图10中所示的光谱的光，并且第四颜色区域可使入射光通过。对于显示面板，例如，通过改变来自发光面板的光的强度或量，调节蓝色、青色、绿色、和红色光谱之间的比率，使得从颜色转换层发射的光呈现出如表2中总结的预定的色温和预定的色坐标，其中从颜色转换层发射的光谱分别提供于图11A-11D中。
表1
Figure BDA0004030565110000381
根据下式，计算第一面积百分比和第二面积百分比并且其示于表2中。
[A/B]×100％：第一面积百分比
[A/C]×100％：第二面积百分比
A：发射光谱中的具有小于或等于约470nm的波长的区域的面积
B：发射光谱中的具有小于或等于约480nm的波长的区域的面积
C：发射光谱的总面积。
表2
Figure BDA0004030565110000382
参照表2和图11A-11D的结果，实施例1-4的显示面板发射具有在Cx和Cy范围内的期望色坐标的光并且呈现出显著低于65％、甚至50％的第一面积百分比和在整个光谱中的小于或等于470nm的蓝色光的显著低的百分比(例如，第二面积百分比)。
对比例1-4
以与实施例1中相同的方式制造显示面板，除了不包括第三颜色区域之外。对于显示面板，例如，通过改变来自发光面板的光的强度(或量)，调节蓝色、绿色、和红色光谱之间的比率，使得从颜色转换层发射的光显示出如表3中总结的预定的色温和色坐标，其中从颜色转换层发射的光的光谱分别提供于图12A-12D中。
表3
Figure BDA0004030565110000391
参照表3和图12A-12D的结果，对比例1-4的显示面板在Cx和Cy范围内的期望色坐标处呈现出远远超过65％或50％的第一面积百分比、以及在整个光谱中在大于或等于19％的范围内的小于或等于470nm的蓝色光的百分比(例如，第二面积百分比)。
实施例5-6
以与实施例1中基本上相同的方式制造显示面板，并且例如通过改变蓝色、青色、绿色和红色光谱之间的比率来控制颜色转换面板和发光面板，由此，发射的光的颜色具有如下的色坐标：(Cx 0.18，Cy 0.40)(蓝绿色，实施例5)和(Cx 0.40，Cy 0.20)(品红色，实施例6)。从颜色转换层发射的光的光谱分别示于图13A-13B中。另外，由所述光谱的每一个，计算第一面积百分比和第二面积百分比并且将其示于表4中。
对比例5-6
以与实施例1中基本上相同的方式制造显示面板，除了不使用第三颜色区域之外。控制颜色转换面板和发光面板以改变蓝色、绿色和红色光谱之间的比率，由此，发射的光的颜色具有如下的色坐标：(Cx 0.18，Cy 0.40)(蓝绿色，对比例5)和(Cx 0.40，Cy 0.20)(品红色，对比例6)，其中从颜色转换层发射的光的光谱示于图14A-14B中。另外，由所述光谱的每一个，计算其第一面积百分比和第二面积百分比并且将其示于表4中。
附加实施例7
以与实施例1中相同的方式制造显示面板，除了将第三种光的发射峰波长改变为490nm之外。控制所制造的显示面板，使得从颜色转换层发射的光表现出如下的色坐标：(Cx0.40，Cy 0.20)(品红色)，其中从颜色转换层发射的光的光谱示于图15中，且使用它计算第一和第二面积百分比，其提供于表4中。
表4
第一面积百分比 第二面积百分比
实施例5 43.7％ 约9％
实施例6 69.3％ 约13％
对比例5 84.2％ 约29％
对比例6 84.2％ 约20％
附加实施例7 78.8％ 约16％
参照表4的结果，实施例的显示面板可表现出期望色坐标的颜色以及具有与对比例的显示面板相比显著更低的蓝色光分数。
本发明不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开内容将是彻底和完整的并且将本发明的构思充分地传达给本领域技术人员。
虽然已经参照本发明的实施方式具体展示和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如由所附权利要求所限定的本发明的精神或范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的多种变化。

Claims (20)

1.显示面板，其包括发光面板和颜色转换面板，
其中所述颜色转换面板包括颜色转换层，所述颜色转换层包括多个颜色区域、和限定所述多个颜色区域的分隔壁，
所述发光面板向所述多个颜色区域的每一个提供入射光，
所述多个颜色区域包括第一颜色区域、第二颜色区域、第三颜色区域、和第四颜色区域，
所述第一颜色区域包括第一复合物，所述第一复合物包括第一基体和分散在所述第一基体中的第一半导体纳米颗粒，
所述第一半导体纳米颗粒将所述入射光转换为第一种光，
所述第二颜色区域包括第二复合物，所述第二复合物包括第二基体和分散在所述第二基体中的第二半导体纳米颗粒，
所述第二半导体纳米颗粒将所述入射光转换为第二种光，
所述第三颜色区域包括第三复合物，所述第三复合物包括第三基体和分散在所述第三基体中的第三半导体纳米颗粒，
所述第三半导体纳米颗粒将所述入射光转换为第三种光，
所述第四颜色区域发射第四种光，
所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒不包括镉、铅、或其组合，
所述第一种光的发射峰波长大于或等于600nm且小于或等于650nm，
所述第二种光的发射峰波长大于或等于500nm且小于或等于560nm，
所述第三种光的发射峰波长大于470nm且小于500nm，
所述第四种光的发射峰波长大于或等于440nm且小于或等于470nm，
所述颜色转换层配置成发射预定的光，
所述预定的光的颜色包括CIE 1931色坐标中的0.26-0.35的Cx和0.27-0.35的Cy的第一区域，和
在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第一面积百分比小于或等于65％，其中所述第一面积百分比由下式定义：[A/B]×100％，
其中
A表示所述发射光谱中的具有小于或等于470nm的波长的区域的面积，和
B表示所述发射光谱中的具有小于或等于480nm的波长的区域的面积。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中
在具有在所述第一区域中的颜色的所述预定的光的发射光谱中，第二面积百分比小于或等于19％，其中所述第二面积百分比由下式定义：[A/C]×100％，
其中
A表示所述发射光谱中的具有小于或等于470nm的波长的区域的面积，和
C表示所述发射光谱的总面积。
3.如权利要求2所述的显示面板，其中
所述第二面积百分比小于或等于15％。
4.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述多个颜色区域各自被所述分隔壁在光学上隔离。
5.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第三种光的发射峰波长大于或等于475nm且小于或等于485nm。
6.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第四种光的发射峰波长大于或等于450nm且小于或等于465nm。
7.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第三种光的发射峰波长和所述第四种光的发射峰波长之间的差值小于或等于39nm。
8.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第三种光的发射峰波长大于或等于475nm且小于或等于485nm，
所述第四种光的发射峰波长大于或等于455nm且小于或等于465nm，以及
所述第三种光的发射峰波长和所述第四种光的发射峰波长之间的差值小于或等于30nm。
9.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第四种光的发射峰波长与所述入射光的发射峰波长基本上相同。
10.如权利要求1所述的显示面板，其中
在所述第一区域中，Cx在0.28-0.32的范围内且Cy在0.28-0.33的范围内。
11.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第一种光的半宽度大于或等于5nm且小于或等于45nm，
所述第二种光的半宽度大于或等于5nm且小于或等于45nm，和
所述第三种光的半宽度大于或等于5nm且小于或等于45nm。
12.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第三种光的半宽度大于或等于26nm。
13.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第一面积百分比小于或等于55％。
14.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第一面积百分比小于或等于50％。
15.如权利要求1所述的显示面板，其中
在所述第三种光的标准化发射光谱和所述第二种光的标准化发射光谱的交点处的发光强度小于或等于0.5。
16.如权利要求1所述的显示面板，其中
在所述第三种光的标准化发射光谱和所述第二种光的标准化发射光谱的交点处的发光强度小于或等于0.4。
17.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述颜色转换层的发射光谱未呈现出具有大于580nm且小于600nm的发射峰波长的另外的发射峰，和其中所述另外的发射峰具有大于或等于5nm且小于或等于50nm的半宽度。
18.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第一半导体纳米颗粒、所述第二半导体纳米颗粒、和所述第三半导体纳米颗粒各自独立地包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物、或其组合。
19.如权利要求1所述的显示面板，其中
所述第四区域包括第四复合物，所述第四复合物任选地包括金属氧化物粒子，和
所述第一复合物、所述第二复合物、所述第三复合物、或其组合进一步包括金属氧化物粒子。
20.显示设备，其包括如权利要求1-19任一项所述的显示面板。
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