CN114497141A - 显示面板和电子装置 - Google Patents

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金镇奭
沈承辅
吴浩吉
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Abstract

公开了一种显示面板和一种包括所述显示面板的电子装置，所述显示面板包括发光面板和面对发光面板的颜色转换面板，其中，颜色转换面板转换从发光面板发射的光的发射光谱，其中，颜色转换面板可以包括具有多个区域的颜色转换层和限定颜色转换层的每个区域的堤，多个区域包括颜色转换区域，颜色转换区域可以包括多个量子点，并且堤的折射率低于量子点的折射率。

Description

显示面板和电子装置
本申请要求于2020年11月13日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0151746号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示面板和一种电子装置。
背景技术
包括诸如液晶显示面板、等离子体显示面板或者有机发光二极管显示面板的显示面板的电子装置是市面上可以得到的。
同时，近来已经进行了关于包括被称为量子点的半导体纳米晶体的显示面板的研究。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例提供了一种显示面板，所述显示面板能够通过减少包括量子点的显示面板中的光损失来改善光转换效率。
本公开的一个或更多个实施例提供了一种包括所述显示面板的电子装置。
根据一个或更多个实施例，显示面板可以包括发光面板和面对发光面板的颜色转换面板，其中，颜色转换面板转换从发光面板发射的光的发射光谱，其中，颜色转换面板可以包括包含多个区域的颜色转换层和限定颜色转换层的每个区域的堤，所述多个区域包括颜色转换区域，颜色转换区域可以包括多个量子点，并且堤的折射率可以低于多个量子点的折射率。
多个量子点在约460nm、约550nm和约630nm的波长处的折射率中的每个可以是约1.6至约2.0，并且堤在约460nm、约550nm和约630nm的波长处的折射率可以是约1.1至约1.4。
多个量子点的折射率与堤的折射率之间的差可以是约0.2至约0.8。
颜色转换区域和堤可以直接接触。
堤可以具有约10％至小于约80％(例如，约10％至约70％)的透射率。
堤可以包括多种颜料和多个散射体，并且所述多种颜料可以具有不同的吸收光谱。
所述多种颜料可以包括从第一颜料、第二颜料和第三颜料中选择的至少两种，第一颜料具有在大于或等于约380nm且小于约500nm的范围内的最大吸收波长，第二颜料具有在约500nm至约600nm的范围内的最大吸收波长，第三颜料具有在大于约600nm且小于或等于约780nm的范围内的最大吸收波长。
所述多个散射体可以包括氧化硅、氧化锌、氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锡、氧化镁、纳米硅酸盐、碳酸钙、氟化钙、致孔剂或它们的组合。
在约460nm、约550nm和约630nm的波长处，堤可以同时(例如，并发地)满足约1.1至约1.4的折射率和约10％至小于约80％(例如，约10％至约70％)的透射率。
堤可以包括在相邻的颜色转换区域之间的第一堤和连接到第一堤或与第一堤分离并朝向发光面板突出的第二堤。
第一堤的表面可以是亲水的，并且第二堤的表面可以是疏水的。
第二堤可以连接到第一堤并且可以包括与第一堤的材料相同的材料。
发光面板可以包括发光元件以发射第一发射光谱的光，并且颜色转换层可以包括第一颜色转换区域、第二颜色转换区域和透光区域，第一颜色转换区域包括第一量子点以将第一发射光谱的光转换为第二发射光谱的光，第二颜色转换区域包括第二量子点以将第一发射光谱的光转换为第三发射光谱的光，第一发射光谱的光穿过透光区域。堤在第一发射光谱、第二发射光谱和第三发射光谱的波长处的折射率可以分别低于第一量子点和第二量子点在第一发射光谱、第二发射光谱和第三发射光谱的波长处的折射率。
第一发射光谱可以是蓝色发射光谱，第二发射光谱可以是红色发射光谱，并且第三发射光谱可以是绿色发射光谱。
颜色转换面板还可以在穿过颜色转换层的光发射所沿的方向上包括滤色器层。
显示面板还可以包括在发光面板与颜色转换面板之间的透光层。
发光面板可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管、钙钛矿发光二极管、微型发光二极管、无机纳米发光二极管或它们的组合。
发光面板可以发射蓝色发射光谱的光。
无机纳米发光二极管可以包括纳米结构，该纳米结构包括氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或它们的组合。
根据一个或更多个实施例，提供了一种包括所述显示面板的电子装置。
可以减少包括量子点的显示面板中的光损失，从而可以改善光转换效率，并最终可以改善显示面板的光效率。
附图说明
图1是示出根据一个或更多个实施例的显示面板的示例的透视图；
图2是图1的显示面板的剖视图；
图3是示出图1的显示面板的像素布置的示例的平面图；
图4是沿着线IV-IV截取的图3的显示面板的剖视图；
图5至图8分别是示出发光元件的示例的剖视图；
图9是示出图1至图3中所示的显示面板的另一示例的剖视图；以及
图10是示出图1至图3中所示的显示面板的另一示例的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本公开的各种实施例，使得本领域的普通技术人员可以容易地实现本公开的实施例。本公开的主题可以以各种不同的形式实施，而不限于在此所描述的实施例。
附图和描述本质上被认为是说明性的而不是限制性的。在整个说明书中，同样的附图标记表示同样的元件。
此外，为了更好地理解和便于描述，在附图中，每个元件的尺寸和厚度可以是任意示出的，但本公开不限于此。在附图中，为了清楚起见，层、膜、面板、区域等的厚度可能被夸大。此外，在附图中，为了更好地理解和便于描述，一些层和区域的厚度可能被夸大。
将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接在所述另一元件上或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。词语“在……上”或“在……上方”意味着在对象部分上或下方，并且不必意味着位于对象部分的基于重力方向的上侧上。
此外，除非明确地做出相反的描述，否则词语“包括”及诸如“包含”或“具有”的变型将被理解为暗示包含所陈述的元件但不排除任何其它元件。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“在平面中”意味着从顶部观察目标部分，并且短语“在剖面上”或“在剖面中”意味着从侧面观察通过竖直切割目标部分所形成的剖面。
在下文中，术语“组合”包括两种或更多种的化学组合、混合物和层叠结构。
在下文中，将描述根据一个或更多个实施例的显示面板。
图1是示出根据一个或更多个实施例的显示面板的示例的透视图，图2是图1的显示面板的剖视图，图3是示出图1的显示面板的像素布置的示例的平面图，图4是沿着线IV-IV截取的图3的显示面板的剖视图。
参照图1和图2，根据一个或更多个实施例的显示面板1000可以包括发光面板100、颜色转换面板200、发光面板100与颜色转换面板200之间的透光层300以及用于将发光面板100和颜色转换面板200结合的结合元件400。
发光面板100和颜色转换面板200可以彼此面对且透光层300在它们之间，并且颜色转换面板200可以在光从发光面板100发射所沿的方向上。结合元件400可以沿着发光面板100和颜色转换面板200的边缘，并且可以是例如密封剂。
参照图3，根据一个或更多个实施例的显示面板1000可以包括用于显示图像的显示区域1000D和在显示区域1000D周围且结合元件400可以位于其中的非显示区域1000P。
显示区域1000D可以包括沿着行(例如，x方向)和/或列(例如，y方向)布置的多个像素PX，并且每个像素PX可以包括多个子像素PX1、PX2和PX3以显示不同的颜色。在此，作为示例，示出了其中三个子像素PX1、PX2和PX3构成一个像素PX的构造，但所述构造不限于此。还可以包括诸如白色子像素的附加子像素，并且可以包括显示相同颜色的一个或更多个子像素。多个像素PX可以被布置为例如拜耳(Bayer)矩阵、
Figure BDA0003333326310000042
矩阵或排列结构(例如，RGBG矩阵、RGBG结构或RGBG矩阵结构)和/或菱形矩阵，但是本公开的实施例不限于此。
Figure BDA0003333326310000041
是三星显示有限公司的正式注册商标。
子像素PX1、PX2和PX3中的每个可以显示三原色中的颜色或者三原色的组合，例如，红色、绿色、蓝色或它们的组合。例如，第一子像素PX1可以显示红色，第二子像素PX2可以显示绿色，第三子像素PX3可以显示蓝色。
在附图中，示出了其中所有子像素具有相同尺寸的示例，但是本公开不限于此。子像素中的至少一个子像素可以比其它子像素大或小。在附图中，示出了其中所有子像素具有相同形状的示例，但本公开不限于此。子像素中的至少一个子像素可以具有与其它子像素的形状不同的形状。
参照图4，依次描述发光面板100和颜色转换面板200。
发光面板100可以包括用于发射设定或预定波长光谱的光的发光元件和用于开关和/或驱动发光元件的电路元件。例如，发光面板100可以包括下基底110、缓冲层111、薄膜晶体管TFT、发光元件180和封装层190。
下基底110可以是玻璃基底和/或聚合物基底。聚合物基底可以包括例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、它们的共聚物或它们的组合，但不限于此。
缓冲层111可以包括有机材料、无机材料、有机-无机材料或它们的组合。缓冲层111可以包括例如氧化物、氮化物和/或氮氧化物，并且可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它们的组合，但不限于此。缓冲层111可以是一层或者两层或更多层，并且可以覆盖下基底110的整个表面。在一些实施例中，可以省略缓冲层111。
薄膜晶体管TFT可以是用于开关和/或驱动发光元件180(下面将进一步描述)的三端子元件，并且对于每个子像素，可以包括一个或者两个或更多个薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以包括栅电极124、与栅电极124叠置的半导体层154、在栅电极124与半导体层154之间的栅极绝缘层140以及电结合到半导体层154的源电极173和漏电极175。在附图中，可以示出共平面顶栅结构作为示例，但是该结构不限于此并且可以具有各种结构。
栅电极124可以电结合到栅极线，并且可以包括例如诸如铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、它们的合金或它们的组合的低电阻金属，但不限于此。
半导体层154可以是无机半导体(诸如非晶硅、多晶硅和/或氧化物半导体)、有机半导体、有机-无机半导体或它们的组合。例如，半导体层154可以包括包含从铟(In)、锌(Zn)、锡(Sn)和镓(Ga)中选择的至少一种的氧化物半导体，并且氧化物半导体可以包括例如铟-镓-锌氧化物、锌-锡氧化物或它们的组合，但它们不限于此。半导体层154可以包括沟道区和在沟道区两侧上的掺杂区，掺杂区可以分别电结合到源电极173和漏电极175。
栅极绝缘层140可以包括有机材料、无机材料或者有机-无机材料，并且可以包括例如氧化物、氮化物和/或氮氧化物，并且可以包括例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它们的组合，但不限于此。在附图中，可以示出其中栅极绝缘层140可形成在下基底110的整个表面上的示例，但本公开不限于此，并且栅极绝缘层140可以选择性地形成在栅电极124与半导体层154之间。栅极绝缘层140可以由一层、两层或更多层形成。
源电极173和漏电极175可以包括例如诸如铝(Al)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)、银(Ag)、金(Au)、它们的合金或它们的组合的低电阻金属，但不限于此。源电极173和漏电极175可以分别电结合到半导体层154的掺杂区。源电极173可以电结合到数据线，漏电极175可以电结合到下面将进一步描述的发光元件180。
可以在栅电极124与源电极173/漏电极175之间另外地形成层间绝缘层145。层间绝缘层145可以包括有机材料、无机材料、有机-无机材料或它们的组合，例如，可以包括氧化物、氮化物和/或氮氧化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它们的组合，但不限于此。层间绝缘层145可以由一层、两层或更多层形成。
保护层160可以形成在薄膜晶体管TFT上。保护层160可以是例如钝化层。保护层160可以包括有机材料、无机材料、有机-无机材料或它们的组合，例如，聚丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺或它们的组合，但不限于此。保护层160可以由一层、两层或更多层形成。
发光元件180可以在每个子像素PX1、PX2和PX3中，并且在每个子像素PX1、PX2和PX3中的发光元件180可以独立地驱动。发光元件180可以是例如发光二极管，并且可以包括一对电极和在该对电极之间的发光层。发光层可以包括发光体以发射设定或预定波长光谱的光，并且例如，可以包括发光体以发射属于可见波长光谱的第一发射光谱的光。发光体可以包括有机发光体、无机发光体、有机-无机发光体或它们的组合，并且可以是一种类型或者两种或更多种类型。
发光元件180可以是例如有机发光二极管、无机发光二极管或它们的组合。无机发光二极管可以是例如量子点发光二极管、钙钛矿发光二极管、微型发光二极管、无机纳米发光二极管或它们的组合，但不限于此。
图5至图8分别是示出发光元件的示例的剖视图。
参照图5，发光元件180可以包括：彼此面对的第一电极181和第二电极182；发光层183，在第一电极181与第二电极182之间；以及可选的辅助层184和辅助层185，分别在第一电极181与发光层183之间和第二电极182与发光层183之间。
第一电极181和第二电极182可以沿着厚度方向(例如，z方向)彼此面对，并且从第一电极181和第二电极182中选择的任意一个可以是阳极，另一个可以是阴极。第一电极181可以是透光电极、透反射电极或反射电极，第二电极182可以是透光电极或透反射电极。透光电极或透反射电极可以例如由单层或多层金属薄膜制成，所述金属薄膜包括导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铝锡(AlTO)和/或氟掺杂的氧化锡(FTO))以及/或者银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、镁(Mg)、镁-银(Mg-Ag)、镁-铝(Mg-Al)或它们的组合。反射电极可以包括金属、金属氮化物或它们的组合，例如，银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、它们的合金、它们的氮化物(例如TiN)或它们的组合，但不限于此。
发光层183可以包括发光体以发射第一发射光谱的光。第一发射光谱可以属于可见光波长光谱中相对短的波长区域，并且可以是例如蓝色发射光谱。蓝色发射光谱的最大发射波长可以属于大于或等于约400nm且小于约500nm的波长范围，并且在上述范围内，可以属于约410nm至约490nm或约420nm至约480nm的波长范围。发光体可以是一种、两种或更多种。
例如，发光层183可以包括主体材料和掺杂剂材料。
例如，发光层183可以包括磷光材料、荧光材料或它们的组合。
例如，发光体可以包括有机发光体，并且有机发光体可以是低分子量化合物、聚合物或它们的组合。当发光体可以包括有机发光体时，发光元件180可以是有机发光二极管。
例如，发光体可以包括无机发光体，并且无机发光体可以是无机半导体、量子点、钙钛矿或它们的组合。当发光体可以包括无机发光体时，发光元件180可以是量子点发光二极管、钙钛矿发光二极管和/或微型发光二极管。
辅助层184和辅助层185可以分别在第一电极181与发光层183之间以及第二电极182与发光层183之间，并且可以分别是用于控制电荷载流子的注入和/或迁移率的电荷辅助层。辅助层184和辅助层185中的每个可以是一层或者两层或更多层，并且可以是例如空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层或它们的组合。在一些实施例中，可以省略辅助层184和辅助层185中的一者或两者。
子像素PX1、PX2和PX3中的每个中的发光元件180可以彼此相同或彼此不同。子像素PX1、PX2和PX3中的每个中的发光元件180可以发射相同发射光谱的光，例如，均可以发射蓝色发射光谱的光，例如，具有在大于或等于约400nm且小于约500nm、约410nm至约490nm或约420nm至约480nm的波长区域中的最大发射波长的蓝色发射光谱的光。子像素PX1、PX2和PX3中的每个中的发光元件180可以通过像素限定层分离。
参照图6，发光元件180可以具有级联(tandem)结构，并且可以包括：彼此面对的第一电极181与第二电极182；第一发光层183a和第二发光层183b，在第一电极181与第二电极182之间；电荷产生层186，在第一发光层183a与第二发光层183b之间；以及可选的辅助层184和辅助层185，分别在第一电极181与第一发光层183a之间和第二电极182与第二发光层183b之间。
第一电极181、第二电极182以及辅助层184和辅助层185可以与上述的第一电极181、第二电极182以及辅助层184和辅助层185相似。
第一发光层183a和第二发光层183b可以发射具有相同或不同发射光谱的光，并且例如，均可以发射蓝色发射光谱的光。详细描述可以与上述发光层183相似。
电荷产生层186可以将电荷注入到第一发光层183a和/或第二发光层183b中，并且可以控制第一发光层183a与第二发光层183b之间的电荷平衡。电荷产生层186可以包括例如n型层和p型层，并且可以包括例如包括n型掺杂剂和/或p型掺杂剂的电子传输材料和/或空穴传输材料。电荷产生层186可以是一层或者两层或更多层。
参照图7，发光元件180可以具有级联结构，并且可以包括：彼此面对的第一电极181和第二电极182；第一发光层183a、第二发光层183b和第三发光层183c，在第一电极181与第二电极182之间；第一电荷产生层186a，在第一发光层183a与第二发光层183b之间；第二电荷产生层186b，在第二发光层183b与第三发光层183c之间；以及可选的辅助层184和辅助层185，分别在第一电极181与第一发光层183a之间和第二电极182与第三发光层183c之间。
第一电极181、第二电极182以及辅助层184和辅助层185可以与上述的第一电极181、第二电极182以及辅助层184和辅助层185相似。
第一发光层183a、第二发光层183b和第三发光层183c可以发射相同或不同的发射光谱的光，并且例如，均可以发射蓝色发射光谱的光。详细描述可以与上述发光层183相似。
第一电荷产生层186a可以将电荷注入到第一发光层183a和/或第二发光层183b中，并且可以控制第一发光层183a与第二发光层183b之间的电荷平衡。第二电荷产生层186b可以将电荷注入到第二发光层183b和/或第三发光层183c中，并且可以控制第二发光层183b与第三发光层183c之间的电荷平衡。第一电荷产生层186a和第二电荷产生层186b中的每个可以是一层或者两层或更多层。
参照图8，发光元件180可以包括第一电极181、第二电极182和包括多个纳米结构187的发光层183。
从第一电极181和第二电极182中选择的一个可以是阳极，另一个可以是阴极。第一电极181和第二电极182可以是根据多个纳米结构187的布置方向图案化的电极，并且可以包括例如导电氧化物(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铝锡(AlTO)以及氟掺杂的氧化锡(FTO))、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、它们的合金、它们的氮化物(例，TiN)或它们的组合，但不限于此。
发光层183可以包括多个纳米结构187，并且子像素PX1、PX2和PX3中的每个可以包括多个纳米结构187。多个纳米结构187可以沿着一个方向布置，但本公开不限于此。纳米结构187可以是化合物半导体以在施加电流时发射设定或预定波长光谱的光，并且可以是例如线性纳米结构(诸如纳米棒和/或纳米针)。纳米结构187的直径或长直径可以是例如几纳米至几百纳米，并且纳米结构187的长径比可以大于约1、大于或等于约1.5、大于或等于约2.0、大于或等于约3.0、大于或等于约4.0、大于或等于约4.5、大于或等于约5.0；可以是约1至约20、约1.5至约20、约2.0至约20、约3.0至约20、约4.0至约20、约4.5至约20或约5.0至约20。
纳米结构187中的每个可以包括p型区域187p、n型区域187n和多量子阱区域187i，并且可以从多量子阱区域187i发光。纳米结构187可以包括例如氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)或它们的组合，并且可以具有例如核-壳结构。
多个纳米结构187可以发射彼此相同的发射光谱的光，并且可以发射蓝色发射光谱的光，例如，具有在大于或等于约400nm且小于约500nm、约410nm至约490nm或约420nm至约480nm的波长区域中的最大发射波长的蓝色发射光谱的光。
参照图1至图4，封装层190可以覆盖发光元件180并且包括例如玻璃板、金属薄膜、有机膜、无机膜、有机-无机膜或它们的组合。有机膜可以包括例如丙烯酸树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、苝树脂或它们的组合，但不限于此。无机膜可以包括例如氧化物、氮化物、氮氧化物和/或氟化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化铪、氮化铪、氮氧化铪、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、氟化锂或它们的组合，但不限于此。有机-无机膜可以包括例如聚有机硅氧烷，但不限于此。封装层190可以是一层或者两层或更多层。
颜色转换面板200可以将从发光面板100提供的第一发射光谱的光转换为与第一发射光谱不同的第二发射光谱或第三发射光谱的光，并将转换后的光发射给观察者。例如，颜色转换面板200可以包括上基底210、光阻挡图案220、滤色器层230、平坦化层240、堤(bank)250、颜色转换层270和封装层290。
上基底210可以是玻璃基底和/或聚合物基底。聚合物基底可以包括例如聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、它们的共聚物或它们的组合，但不限于此。
颜色转换层270可以面对发光面板100的发光元件180。颜色转换层270可以包括至少一个颜色转换区域以将从发光面板100提供的光的发射光谱转换为其它发射光谱，并且颜色转换区域可以例如将从发光面板100提供的所述发射光谱的光转换为由子像素PX1、PX2和PX3中的每个显示的颜色的发射光谱的光。
颜色转换区域可以包括颜色转换元件以将从发光面板100提供的光的发射光谱转换为其它发射光谱，并且可以包括例如量子点、磷光体或它们的组合作为颜色转换元件。例如，颜色转换元件可以是量子点。
量子点广义上可以指半导体纳米晶体，并且可以具有接收设定或预定发射光谱的光然后发射更长波长光谱的光的光致发光特性。因为量子点可以具有各向同性的发光特性，所以它们可以在所有方向(例如，基本上所有方向)上发光，从而表现出改善的宽视角。
量子点可以具有各种形状，诸如球形、角锥形、多臂形和/或立方体形，并且可以是量子棒和/或量子板。在此，量子棒可以意味着具有大于1的长径比的量子点，例如，长径比大于或等于约2、大于或等于约3或者大于或等于约5。例如，量子棒的长径比可以小于或等于约50、小于或等于约30或者小于或等于约20。量子点可以具有例如约1nm至约100nm，例如约1nm至约80nm，例如约1nm至约50nm，例如约1nm至约20nm的粒径(对于非球形形状，指平均最大粒径)。
量子点的能带隙可以根据尺寸和/或组成来调节，并且可以相应地调节发射波长。例如，随着量子点的尺寸越大，能带隙可以越窄，因此可以发射相对长的波长光谱的光。例如，量子点的粒径可以是约1nm至约10nm。
例如，量子点可以根据尺寸和/或组成发射例如可见波长光谱之中的设定或预定波长光谱的光。例如，量子点可以选择性地发射红色发射光谱的光、绿色发射光谱的光和蓝色发射光谱的光中的一种。红色发射光谱的光可以具有在例如约520nm至约560nm中的最大发射波长，蓝色发射光谱的光可以具有在例如约420nm至约480nm中的最大发射波长。例如，通过包括具有不同尺寸和/或组成的两种或更多种类型的量子点，可以发射具有多个波长光谱的光。例如，可以混合或堆叠不同尺寸和/或组成的两种或更多种类型的量子点以发射白光。
量子点可以具有相对窄的半峰全宽(FWHM)。在此，FWHM可以是与峰值吸收点的一半对应的波长宽度，并且随着FWHM越窄，可以发射越窄的波长区域的光并且可以获得高的色纯度。量子点可以具有例如小于或等于约50nm的FWHM，在该范围内，可以具有小于或等于约45nm、小于或等于约40nm、小于或等于约35nm、小于或等于约30nm或者小于或等于约28nm的FWHM，并且可以具有约3nm至约50nm的FWHM，在该范围内，可以具有约3nm至约45nm、约3nm至约40nm、约3nm至约35nm、约3nm至约30nm或约3nm至约28nm的FWHM。如此，量子点可以具有相对窄的FWHM，从而可以实现良好的色纯度和/或颜色再现性。
量子点可以通过例如湿化学工艺、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)和/或相似工艺合成。
湿化学工艺是例如在混合有机溶剂和前驱体材料之后生长量子点颗粒晶体的方法。湿化学工艺可以是廉价的，并且可以比诸如金属有机化学气相沉积或分子束外延的气相沉积法更有效地使用，因为当量子点颗粒晶体生长时有机溶剂自然地充当配位在量子点颗粒晶体的表面上的分散剂并且控制晶体生长。
例如，量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物或它们的组合。
II-VI族半导体化合物可以包括例如：二元素化合物，选自于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物；三元素化合物，选自于CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe和它们的混合物；四元素化合物，选自于CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnTeS、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物；或者它们的组合，但不限于此。
III-V族半导体化合物可以包括例如：二元素化合物，选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物；三元素化合物，选自于GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物；以及四元素化合物，选自于GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物，但不限于此。III-V族半导体化合物可以进一步包括II族元素。进一步包括II族元素的III-V族半导体化合物可以包括例如InZnP、InGaZnP、InAlZnP或它们的组合。
III-VI族半导体化合物可以包括例如：二元素化合物，选自于GaS、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2Se3、InTe和它们的混合物；三元素化合物，选自于InGaS3、InGaSe3和它们的混合物；或它们的组合。
IV-VI族半导体化合物可以包括例如：二元素化合物，选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物；三元素化合物，选自于SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物；以及四元素化合物，选自于SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物，但不限于此。
IV族元素或半导体化合物可以包括例如：单元素，选自于Si、Ge和它们的混合物；二元素化合物，选自于SiC、SiGe和它们的混合物；或这些的组合，但不限于此。
I-III-VI族半导体化合物可以例如选自于AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、CuInSe2、CuInGaSe、CuInGaS、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的混合物，但不限于此。
I-II-IV-VI族半导体化合物可以是例如CuZnSnSe、CuZnSnS或它们的组合，但不限于此。
II-III-V族半导体化合物可以包括例如InZnP，但不限于此。
量子点可以包括以基本均匀的浓度或部分不同的浓度分布的单元素、二元素化合物、三元素化合物或四元素化合物。
例如，量子点可以是包括铟(In)以及锌(Zn)和磷(P)中的至少一种的半导体化合物，例如In-P半导体化合物和/或In-Zn-P半导体化合物。例如，量子点可以是包括锌(Zn)以及从碲(Te)和硒(Se)中选择的至少一种的半导体化合物，例如，Zn-Te半导体化合物、Zn-Se半导体化合物和/或Zn-Te-Se半导体化合物。
量子点可以具有其中相应量子点中包括的每种元素的浓度是均匀的(例如，基本上均匀的)单一结构或核-壳结构。
例如，量子点可以具有核-壳结构，在核-壳结构中，一个量子点围绕另一量子点。量子点的壳可以是例如用于防止或减少量子点核的化学变性的保护层或者用于向量子点赋予电泳性质的荷电层。
量子点的壳可以包括例如金属或非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。金属或非金属氧化物的示例可以包括：二元素化合物，选自于SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO和它们的混合物；三元素化合物，选自于MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4和它们的混合物；或它们的组合。半导体化合物的示例可以包括上述II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、I-II-IV-VI族半导体化合物、II-III-V族半导体化合物或它们的组合，例如，CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或它们的组合。
例如，量子点的核与壳之间界面可以具有其中壳中存在的元素的浓度沿着朝向中心的方向减小的浓度梯度。例如，构成量子点的壳的材料组成可以具有比构成量子点的核的材料组成高的能带隙，因此，可以具有量子限制效应。量子点可以包括一个量子点核和围绕量子点核的多层量子点壳。在这种情况下，多层量子点壳具有两个或更多个壳，并且每层可以独立地具有单一组成、合金和/或浓度梯度。例如，在多层量子点壳之中，离核较远的壳可以具有比离核较近的壳高的能带隙，从而具有量子限制效应。
作为示例，量子点可以包括无镉量子点。无镉量子点是不包含镉(Cd)的量子点。镉(Cd)会导致严重的环境/健康问题，并且在多个国家中是被危害物质禁限用指令(RoHS)限制的元素，因此可以有效地使用非镉基量子点。
颜色转换区域可以将从发光面板100提供的光转换为由子像素PX1、PX2和PX3中的每个显示的颜色的波长光谱的光，然后可以发射由子像素PX1、PX2和PX3中的每个显示的颜色的光，因此，每个颜色转换区域中包括的量子点可以是彼此不同的。
参照图4，颜色转换层270的至少一部分可以包括多个量子点。例如，颜色转换层270可以包括：第一颜色转换区域270a，包括在第一子像素PX1中且包括第一量子点271a；第二颜色转换区域270b，包括在第二子像素PX2中且包括第二量子点271b；以及透光区域270c。
包括在第一颜色转换区域270a中的第一量子点271a可以将从发光面板100发射的第一发射光谱的光转换为可以与由第一子像素PX1显示的颜色的波长光谱相同的第二发射光谱的光。第二发射光谱可以与第一发射光谱不同，并且可以是比第一发射光谱长的波长光谱。
包括在第二颜色转换区域270b中的第二量子点271b可以将从发光面板100发射的第一发射光谱的光转换为可以与由第二子像素PX2显示的颜色的波长光谱相同的第三发射光谱的光。第三发射光谱可以分别与第一发射光谱和第二发射光谱不同，并且可以是比第一发射光谱长的波长光谱。
例如，当发光面板100的发光元件180可以发射蓝色发射光谱的光，并且第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3分别显示红色、绿色和蓝色时，包括在第一颜色转换区域270a中的第一量子点271a可以将蓝色发射光谱的光转换为红色发射光谱的光，并且包括在第二颜色转换区域270b中的第二量子点271b可以将蓝色发射光谱的光转换为绿色发射光谱的光。在此，因为第一量子点271a可以发射比第二量子点271b的波长光谱长的波长光谱的光，所以第一量子点271a可以具有比第二量子点271b的尺寸大的尺寸。显示在第三子像素PX3中的蓝色可以由从发光面板100的发光元件180发射的蓝色发射光谱的光显示，因此在第三子像素PX3中穿过没有单独的颜色转换元件(例如，量子点)的透光区域270c而显示。然而，在一些实施例中，第三子像素PX3可以进一步包括诸如量子点的颜色转换元件以发射蓝色发射光谱的光。
第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c可以进一步分别包括散射颗粒272a、272b和272c。散射颗粒272a、272b和272c可以散射和/或反射从量子点271a和量子点271b和/或发光面板100的发光元件180发射的光，从而将其引导至滤色器层230。例如，散射颗粒272a、272b和272c可以在各种合适的方向上散射和/或反射光，而不管入射角如何，且基本上不改变从量子点271a和量子点271b和/或发光面板100的发光元件180发射的光的波长，从而改善显示面板的侧面可视性。散射颗粒272a、272b和272c可以是低折射率的纳米颗粒，并且例如包括金属和/或半金属氧化物(诸如氧化硅、氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化铟、氧化锌、氧化锡或它们的组合)、有机材料(诸如丙烯酸树脂、聚氨酯树脂和/或它们的组合)或它们的组合，但不限于此。
第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c可以进一步分别包括透光树脂273a、273b和273c。透光树脂273a、273b和273c可以是用于分散量子点271a和271b和/或散射颗粒272a、272b和272c的分散介质，并且例如可以包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、环氧树脂、cardo(卡多)类树脂、酰亚胺树脂、它们的衍生物或它们的组合，但不限于此。
堤250可以限定颜色转换层270的每个区域并且位于相邻的区域之间。例如，堤250可以分别限定上述的第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c，并且可以位于相邻的第一颜色转换区域270a与第二颜色转换区域270b之间、位于可以彼此相邻(例如，彼此邻近或彼此紧邻)的第二颜色转换区域270b与透光区域270c之间，并且可以位于在一些实施例中可以彼此相邻(例如，邻近或紧邻)(或者另外，如果省略第二颜色转换区域270b，则将彼此相邻、邻近或紧邻)的第一颜色转换区域270a与透光区域270c之间。堤250可以提供可以向其供应用于颜色转换层270的组合物的空间，并且同时(例如，并发地)防止用于第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c的每种组合物在形成第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c的工艺期间溢出到每个相邻的第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c中(或减少这种溢出)。
堤250可以与第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c直接接触(例如，物理地接触)，且在堤250与第一颜色转换区域270a之间、堤250与第二颜色转换区域270b之间以及堤250与透光区域270c之间没有单独的层。
另一方面，如上所述，因为量子点由于各向同性的发光特性而可以在所有方向(例如，基本上所有方向)上发光，所以从第一量子点271a和第二量子点271b发射的光可以在所有方向(例如，基本上所有方向)上传播并且到达限定第一颜色转换区域270a和第二颜色转换区域270b的堤250。相应地，到达堤250的光可以不被吸收在堤250中，而是可以被堤250散射和/或反射以将光朝向上基底210引导，从而增大光效率和/或光转换效率而没有光损失(例如，减少了光损失)。堤250的折射率可以小于量子点271a和271b的折射率，因此，到达堤250的光可以被完全反射(例如，更完全地反射)。
同样地，从发光面板100的发光元件180发射的光和穿过透光区域270c的光也可以不被吸收在堤250中，而是可以被堤250散射和/或反射，随后被朝向上基底210引导，从而增大光效率而没有光损失(例如，减少了光损失)。堤250的折射率可以小于包括在发光元件180中的发光体的折射率，因此，到达堤250的光可以被完全反射(例如，更完全地反射)。
在一个或更多个实施例中，堤250在属于第一发射光谱、第二发射光谱和第三发射光谱的波长处的折射率可以小于量子点在每个相同波长处的折射率。因此，可以分别防止从第一颜色转换区域270a中的第一量子点271a发射的第二发射光谱的光、从第二颜色转换区域270b中的第二量子点271b发射的第三发射光谱的光以及从发光面板100的发光元件180发射的第一发射光谱的光损失(或者可以减少这样的损失)，而是可以通过堤250有效地朝向上基底210散射和/或反射这些光。
例如，堤250在属于第一发射光谱、第二发射光谱和第三发射光谱的波长处的每个折射率可以比量子点在每个相同波长处的折射率小大于或等于约0.2、大于或等于约0.3、大于或等于约0.4或者大于或等于约0.5的量，或者约0.2至约0.8、约0.3至约0.8、约0.4至约0.8或约0.5至约0.8的量。
例如，第一颜色转换区域270a中的第一量子点271a的在属于第二发射光谱的波长处的折射率可以是约1.6至约2.0、约1.6至约1.9或约1.6至约1.8。
例如，第二颜色转换区域270b中的第二量子点271b的在属于第三发射光谱的波长处的折射率可以是约1.6至约2.0、约1.6至约1.9或约1.6至约1.8。
例如，包括在发光面板100中的发光元件180中的发光体的在属于第一发射光谱的波长处的折射率可以是约1.6至约2.0、约1.6至约1.9或约1.6至约1.8。
例如，当第一发射光谱、第二发射光谱和第三发射光谱分别是蓝色发射光谱、红色发射光谱和绿色发射光谱时，第一量子点271a在约630nm的波长处的折射率、第二量子点271b在约550nm的波长处的折射率以及发光元件180的发光体在约460nm的波长处的折射率可以均是约1.6至约2.0、约1.6至约1.9或约1.6至约1.8。
例如，堤250在属于第一发射光谱、第二发射光谱和第三发射光谱的每个波长处的折射率可以是约1.1至约1.4，并且在该范围内，可以是约1.2至约1.4。
例如，堤250在约460nm、约550nm和约630nm的波长处的每个折射率可以是约1.1至约1.4，并且在该范围内，可以是约1.2至约1.4。
堤250可以是具有上述折射率特性的透反射堤。
堤250可以具有小于约80％(参照约1μm的厚度)、小于或等于约75％、小于或等于约70％、小于或等于约65％、小于或等于约60％、小于或等于约55％且大于或等于约10％、大于或等于约20％、大于或等于约30％、大于或等于约40％或者大于或等于约45％的透光率。堤250可以具有例如约10％至约75％、约10％至约70％、约20％至约70％、约30％至约70％、约40％至约60％或约45％至约55％的透光率。
堤250可以包括混合颜料和散射体，以满足透反射特性。
混合颜料可以包括在可见波长区域中具有不同吸收光谱的两种或更多种颜料，例如，从第一颜料、第二颜料和第三颜料之中选择的至少两种颜料，第一颜料具有在大于或等于约380nm且小于约500nm的范围内的最大吸收波长，第二颜料具有在约500nm至约600nm的范围内的最大吸收波长，第三颜料具有在大于约600nm且小于或等于约780nm的范围内的最大吸收波长。第一颜料、第二颜料和第三颜料分别可以包括一种、两种或更多种。例如，混合颜料可以是第一颜料与第二颜料的混合物。例如，混合颜料可以是第一颜料与第三颜料的混合物。例如，混合颜料可以是第二颜料与第三颜料的混合物。例如，混合颜料可以是第一颜料、第二颜料和第三颜料的混合物。混合颜料可以以相对于堤250约1wt％至约50wt％(重量百分数)(基于固含量)、约5wt％至约40wt％或约5wt％至约30wt％的量被包括。
散射体可以是无机散射体、有机散射体、有机/无机散射体或它们的组合，例如散射颗粒。散射体可以包括例如氧化硅、氧化锌、氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锡、氧化镁、纳米硅酸盐、碳酸钙、氟化钙、致孔剂或它们的组合。散射体可以以相对于堤250约1wt％至约20wt％(基于固含量)、约3wt％至约15wt％或约5wt％至约10wt％的量被包括。
堤250可以在大于或等于约380nm且小于约500nm、约500nm至约600nm以及大于约600nm且小于或等于约780nm的波长区域中的至少两个区域中具有相对高的光密度；例如，在所述波长区域中的至少两个区域中，光密度可以大于或等于约0.1、大于或等于约0.2或者大于或等于约0.3且小于或等于约0.8、小于或等于约0.7或者小于或等于约0.6；例如，可以为约0.1至约0.8、约0.1至约0.7、约0.1至约0.6、约0.2至约0.8、约0.2至约0.7、约0.2至约0.6、约0.3至约0.8、约0.3至约0.7或约0.3至约0.6。例如，堤250可以在每个波长区域中具有所公开的光密度。
除了混合颜料和散射体之外，堤250还可以包括透光树脂。透光树脂可以是分散混合颜料和散射体的分散介质，例如可以包括丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、硅树脂、环氧树脂、cardo(卡多)类树脂、酰亚胺树脂、它们的衍生物或它们的组合，但不限于此。可以以除了混合颜料和散射体之外的量包括透光树脂。
在附图中，堤250可以示例性地示出为具有相同宽度的柱形，但不限于此，并且可以具有各种尺寸和形状。例如，堤250可以具有梯形剖面形状。
滤色器层230可以设置在穿过颜色转换层270的光可以沿其发射的方向上。滤色器层230可以在每个子像素PX1、PX2和PX3中包括滤色器230a、230b和230c，并且选择性地透射不同波长光谱的光。滤色器230a、230b和230c可以选择性地透射与在每个子像素PX1、PX2和PX3中显示的颜色相同的每个波长光谱的光，并且还可以选择性地透射在颜色转换区域270a和270b的每个中转换的发射光谱的光和穿过透光区域270c的光。
例如，第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3可以分别显示红色、绿色和蓝色，并且当可以从第一颜色转换区域270a、第二颜色转换区域270b和透光区域270c发射各自的红色发射光谱的光、绿色发射光谱的光和蓝色发射光谱的光时，与第一颜色转换区域270a叠置的第一滤色器230a可以是红色滤色器，与第二颜色转换区域270b叠置的第二滤色器230b可以是绿色滤色器，并且与透光区域270c叠置的第三滤色器230c可以是蓝色滤色器。第一滤色器230a、第二滤色器230b或第三滤色器230c可以包括颜料和/或染料，以选择性地透过红色波长光谱的光、绿色波长光谱的光或蓝色波长光谱的光，但吸收和/或反射其它波长光谱的光。
滤色器层230可以更精确地过滤从颜色转换层270发射的光，从而提高朝向上基底210发射的光的色纯度。例如，与第一颜色转换区域270a叠置的第一滤色器230a可以阻挡未被第一颜色转换区域270a的第一量子点271a转换而被透射的光(或减少未被第一颜色转换区域270a的第一量子点271a转换而被透射的光的透射)，并且例如提高红色发射光谱的光的色纯度。例如，与第二颜色转换区域270b叠置的第二滤色器230b可以阻挡未被第二颜色转换区域270b的第二量子点271b转换而被透射的光(或减少未被第二颜色转换区域270b的第二量子点271b转换而被透射的光的透射)，并且例如提高绿色发射光谱的光的色纯度。例如，与透光区域270c叠置的第三滤色器230c可以被配置为阻挡除了蓝色发射光谱的光之外的光(或减少除了蓝色发射光谱的光之外的光的透射)，并且例如提高蓝色发射光谱的光的色纯度。例如，可以省略第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少一些，例如，可以省略与透光区域270c叠置的第三滤色器230c。
光阻挡图案220可以限定每个子像素PX1、PX2和PX3并且位于相邻的子像素PX1、PX2和PX3之间。光阻挡图案220可以是例如黑矩阵。光阻挡图案220可以与相邻的滤色器230a、230b和230c的边缘叠置。
平坦化层240可以在滤色器层230与颜色转换层270之间，并且可以减小或消除由滤色器层230引起的台阶差。平坦化层240可以包括有机材料、无机材料、有机-无机材料或它们的组合。平坦化层240可以包括例如氧化物、氮化物和/或氮氧化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或它们的组合，但不限于此。平坦化层240可以是一层或者两层或更多层，并且可以覆盖上基底210的整个表面。
封装层290可以覆盖颜色转换层270和堤250，并且可以包括玻璃板、金属薄膜、有机膜、无机膜、有机-无机膜或它们的组合。有机膜可以包括例如丙烯酸树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂、苝树脂和/或它们的组合，但不限于此。无机膜可以包括例如氧化物、氮化物、氮氧化物和/或氟化物，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化锆、氮化锆、氮氧化锆、氧化钛、氮化钛、氮氧化钛、氧化铪、氮化铪、氮氧化铪、氧化钽、氮化钽、氮氧化钽、氟化锂或它们的组合，但不限于此。有机-无机膜可以包括例如聚有机硅氧烷，但不限于此。封装层290可以是一层、两层或更多层。
透光层300可以位于发光面板100与颜色转换面板200之间。透光层300可以包括例如填充材料。透光层300可以包括有机材料、无机材料、有机-无机材料或它们的组合，并且可以包括例如环氧树脂、硅树脂化合物、聚有机硅氧烷或它们的组合。
在下文中，描述了根据一个或更多个实施例的显示面板。
图9是示出图1至图3中所示的显示面板的另一示例的剖视图。
参照图9，根据本实施例的显示面板1000可以包括发光面板100、颜色转换面板200、在发光面板100与颜色转换面板200之间的透光层300以及将发光面板100和颜色转换面板200结合的结合元件400(见图2)。发光面板100可以包括下基底110、缓冲层111、薄膜晶体管TFT、发光元件180和封装层190，颜色转换面板200可以包括上基底210、光阻挡图案220、滤色器层230、平坦化层240、堤250、颜色转换层270和封装层290。
然而，根据一个或更多个实施例的显示面板1000可以包括第一堤250a和第二堤250b。
第一堤250a可以与上述实施例中的堤250相同，并且限定颜色转换层270的多个区域，例如，在相邻的第一颜色转换区域270a与第二颜色转换区域270b之间、在相邻的第二颜色转换区域270b与透光区域270c之间，并且在一些实施例中，在相邻的(或者另外，如果省略第二颜色转换区域270b，则将彼此相邻、邻近或紧邻的)第一颜色转换区域270a与透光区域270c之间。
第二堤250b可以朝向发光面板100突出，例如，在发光面板100与颜色转换面板200之间。第二堤250b可以在发光面板100与颜色转换面板200之间，并且可以用作保持发光面板100与颜色转换面板200之间的间隙的间隔件。间隔件的高度可以等于或小于发光面板100与颜色转换面板200之间的间隙。第二堤250b的宽度可以小于第一堤250a的宽度，因此，第一堤250a和第二堤250b可以具有阶梯形状。
第二堤250b可以连接到第一堤250a或与第一堤250a分隔开。在附图中，第一堤250a和第二堤250b可以彼此连接，并且封装层290可以形成在第二堤250b下方，但本公开不限于此，并且第一堤250a和第二堤250b可以通过封装层290分隔开。
例如，第一堤250a和第二堤250b可以由不同的材料制成。
第一堤250a和第二堤250b可以具有不同的表面特性，例如，第一堤250a的表面可以是亲水的，而第二堤250b的表面可以是疏水的。因此，当颜色转换层270例如通过诸如喷墨工艺的溶液工艺形成时，可以补充堤250的液体排斥特性，以有效地防止用于第一颜色转换区域270a的组合物、用于第二颜色转换区域270b的组合物以及用于透光区域270c的组合物流入相邻的隔间(或者可以有效地减少这种流动)。例如，第二堤250b可以包括含氟化合物、含氟聚合物或它们的组合，但不限于此。
在下文中，描述了根据一个或更多个实施例的显示面板。
图10是示出图1至图3中所示的显示面板的另一示例的剖视图。
参照图10，根据本实施例的显示面板1000可以包括发光面板100、颜色转换面板200、在发光面板100与颜色转换面板200之间的透光层300以及用于将发光面板100和颜色转换面板200彼此结合的结合元件400(见图2)。发光面板100可以包括下基底110、缓冲层111、薄膜晶体管TFT、发光元件180和封装层190，颜色转换面板200可以包括上基底210、光阻挡图案220、滤色器层230、平坦化层240、第一堤250a和第二堤250b、颜色转换层270以及封装层290。
在此所述的一个或更多个实施例中，显示面板1000可以包括可以通过单个工艺形成的第一堤250a和第二堤250b。第一堤250a和第二堤250b可以由相同的材料形成，例如，通过使用一个掩模经光刻工艺一次形成。因此，可以同时形成限定颜色转换层270的每个区域的第一堤250a和起到保持发光面板100与颜色转换面板200之间的间隙的间隔件的作用的第二堤250b，从而简化工艺。另外，第一堤250a和第二堤250b可以具有上述折射率特性和透反射特性，因此可以有效地将从发光面板100的发光元件180发射的光朝向上基底210散射和/或反射，并提高光效率。
上述显示面板1000可以应用于包括显示装置的各种合适的电子装置，并且可以应用于诸如TV、监视器、计算机、平板PC或移动电话的显示装置和/或诸如光源的照明装置。
虽然已经结合目前被认为是实际的实施例的内容描述了本公开的主题，但将理解的是，本公开不限于所公开的实施例，而是相反地，旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置以及它们的等同物。

Claims (10)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
发光面板；以及
颜色转换面板，面对所述发光面板，其中，所述颜色转换面板转换从所述发光面板发射的光的发射光谱，
其中，所述颜色转换面板包括：颜色转换层，包括多个区域，所述多个区域包括颜色转换区域；以及堤，限定所述颜色转换层的每个区域，
其中，所述颜色转换区域包括多个量子点，并且
其中，所述堤的折射率低于所述多个量子点的折射率。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中：
所述多个量子点在460nm、550nm和630nm的波长处的所述折射率中的每个为1.6至2.0，
所述堤在460nm、550nm和630nm的波长处的所述折射率为1.1至1.4，并且
所述多个量子点的所述折射率与所述堤的所述折射率之间的差为0.2至0.8。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述堤是具有10％至小于80％的透射率的透反射堤。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述堤包括多种颜料和多个散射体，其中，所述多种颜料具有不同的吸收光谱，
其中，所述多种颜料包括从第一颜料、第二颜料和第三颜料中选择的至少两种，所述第一颜料具有在大于或等于380nm且小于500nm的范围内的最大吸收波长，所述第二颜料具有在500nm至600nm的范围内的最大吸收波长，所述第三颜料具有在大于600nm且小于或等于780nm的范围内的最大吸收波长，并且
其中，所述多个散射体包括氧化硅、氧化锌、氧化钛、氧化钽、氧化铌、氧化锡、氧化镁、纳米硅酸盐、碳酸钙、氟化钙、致孔剂或它们的组合。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，在460nm、550nm和630nm的波长处，所述堤同时满足1.1至1.4的折射率和10％至小于80％的透射率。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中：
所述堤包括：
第一堤，在相邻的所述颜色转换区域之间；以及
第二堤，连接到所述第一堤或与所述第一堤分离，并朝向所述发光面板突出，
其中：
所述第一堤的表面是亲水的，并且
所述第二堤的表面是疏水的。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中：
所述发光面板包括发射第一发射光谱的光的发光元件，
所述颜色转换层包括：
包括第一量子点的第一颜色转换区域，其中，所述第一颜色转换区域将所述第一发射光谱的光转换为第二发射光谱的光；
包括第二量子点的第二颜色转换区域，其中，所述第二颜色转换区域将所述第一发射光谱的光转换为第三发射光谱的光；以及
透光区域，所述第一发射光谱的光穿过所述透光区域，并且
所述堤在所述第一发射光谱、所述第二发射光谱和所述第三发射光谱的波长处的所述折射率分别低于所述第一量子点和所述第二量子点在所述第一发射光谱、所述第二发射光谱和所述第三发射光谱的波长处的所述折射率。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述颜色转换面板还包括滤色器层，所述滤色器层位于穿过所述颜色转换层的光发射所沿的方向上。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述发光面板包括有机发光二极管、量子点发光二极管、钙钛矿发光二极管、微型发光二极管、无机纳米发光二极管或它们的组合。
10.一种电子装置，所述电子装置包括根据权利要求1至权利要求9中的任一项所述的显示面板。
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