CN117998923A - 发光显示装置 - Google Patents

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金炳喆
柳长炜
成在民
吴根灿
李相宪
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Abstract

本申请涉及发光显示装置。根据实施方式，发光显示装置包括发射蓝光和绿光的发光二极管、发光二极管上的颜色转换层、以及设置在颜色转换层和发光二极管之间并透射蓝光和绿光的散射吸收层。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年11月3日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0145392号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
所描述的技术总体上涉及发光显示装置。
背景技术
显示装置是显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。显示装置已经用于各种类型的电子装置，诸如蜂窝电话、导航系统、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种类型的终端。
OLED具有自发光特性，并且不同于LCD，其不需要光源，因此有助于减小其厚度和重量。OLED具有诸如低功耗、高亮度和高响应速率的高质量特性。
在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景技术的理解，并且因此其可以包含不形成可能对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开致力于提供一种具有减少外部光的反射的优点的发光显示装置。
本公开的实施方式提供一种发光显示装置，其能够减少外部光的反射并防止反射的光的颜色的变化，以防止显示质量的劣化，并最小化光效率的降低。
实施方式提供了一种发光显示装置，其包括：发光二极管，发射蓝光和绿光；颜色转换层，在发光二极管上；以及散射吸收层，设置在颜色转换层和发光二极管之间并且透射蓝光和绿光。
发光二极管可以包括阳极、阴极以及发射蓝光的三个发射层和发射绿光的发射层，发射蓝光的三个发射层和发射绿光的发射层设置在阳极和阴极之间。
散射吸收层可以对可见光波长带中的光具有约50％或更高的透射率。
发光二极管可以包括第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，颜色转换层可以包括与第一发光二极管重叠的红色转换层和与第二发光二极管重叠的绿色转换层，以及发光显示装置还可以包括与第三发光二极管重叠的透射层。
散射吸收层可以与红色转换层重叠并且包括蓝绿色滤色器。
散射吸收层可以与绿色转换层重叠并且包括蓝绿色滤色器。
散射吸收层可以与红色转换层、绿色转换层和透射层重叠。
散射吸收层可以包括蓝绿色滤色器。
散射吸收层可以是膜。
发光显示装置还可以包括堤部分，所述堤部分设置在红色转换层、绿色转换层和透射层之间，并且包括黑色颜料。
发光显示装置还可以包括：上衬底；红色滤色器，设置在上衬底和红色转换层之间；绿色滤色器，设置在上衬底和绿色转换层之间；以及蓝色滤色器，设置在上衬底和透射层之间。
发光显示装置还可以包括光阻挡区域，在光阻挡区域中，红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器彼此重叠，其中，光阻挡区域中的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之中的蓝色滤色器可以最靠近上衬底。
光阻挡区域可以对应于红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的重叠部分，以及发光显示装置还可以包括设置在红色滤色器和红色转换层之间、绿色滤色器和绿色转换层之间、以及蓝色滤色器和透射层之间的低折射率层。
发光显示装置还可以包括光阻挡构件，所述光阻挡构件设置在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器之间。
发光显示装置可以包括：下显示面板，包括发光二极管；以及上显示面板，包括颜色转换层和散射吸收层，其中，上显示面板还可以包括间隔件，间隔件配置成保持下显示面板和上显示面板之间的恒定间隙，并且由与散射吸收层相同的材料形成。
实施方式提供了一种发光显示装置，其包括：发光二极管，发射蓝光；颜色转换层，设置在发光二极管上；以及散射吸收层，设置在颜色转换层和发光二极管之间，并且包括蓝色滤色器，其中，发光二极管可以包括阳极、阴极、以及发射蓝光并且设置在阳极和阴极之间的三个发射层。
散射吸收层可以对可见光波长带中的光具有约50％或更高的透射率。
发光二极管可以包括第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，颜色转换层可以包括与第一发光二极管重叠的红色转换层和与第二发光二极管重叠的绿色转换层，发光显示装置还可以包括与第三发光二极管重叠的透射层，以及散射吸收层可以与红色转换层重叠。
发光显示装置还可以包括：上衬底；红色滤色器，设置在上衬底和红色转换层之间；绿色滤色器，设置在上衬底和绿色转换层之间；以及另一蓝色滤色器，设置在上衬底和透射层之间。
发光显示装置可以包括：下显示面板，包括发光二极管；以及上显示面板，包括颜色转换层和散射吸收层，其中，上显示面板还可以包括间隔件，所述间隔件保持下显示面板和上显示面板之间的恒定间隙，并且由与散射吸收层相同的材料形成。
根据实施方式，可以提供与至少一些颜色转换层重叠的散射吸收层，以吸收在被颜色转换层散射之后反射的光，从而减少外部光的反射。
根据实施方式，通过另外地形成散射吸收层而不调整外部光之中的红光、绿光和蓝光的透射率，可以防止在减小外部光的反射的同时任意改变反射的光的颜色坐标值，从而防止显示质量的劣化并且最小化光效率的降低。
附图说明
通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见。
图1是根据实施方式的发光显示装置的整体的示意性剖视图。
图2是根据实施方式的发光二极管(LED)的示意性剖视图。
图3和图4是示出根据实施方式的散射吸收层的特性的曲线图。
图5和图6是用于描述漫反射的特性的示意图。
图7是示出根据实施方式的发光显示装置的颜色坐标特性的示意图。
图8是示出根据实施方式的发光显示装置的光效率比率的曲线图。
图9是根据实施方式的LED的示意性剖视图。
图10是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
图11至图16是根据其它实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
图17是示出根据实施方式的下显示面板的示意性剖面结构的示意图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述各种实施方式，以便本领域普通技术人员可以容易地实现这些实施方式。本公开可以以许多不同的形式来实施，并且不限于本文中阐述的实施方式。
为了清楚，本文可以省略与解释本公开无关的部分，并且在整个说明书中将相同的附图标记分配给相同或类似的部件。
为了便于描述，在附图中任意地示出了每个部件的尺寸和厚度，并且因此本公开不一定限于此。在附图中，为了清楚，层和区域的厚度被扩大。在附图中，为了便于描述，放大了一些层和区域的厚度。
如本文中所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”和“或”可以以连接词或反义连接词的含义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。
将理解，当诸如层、膜、区域、板或部件的元件被称为在另一元件“上”或“上方”时，该元件“直接”在另一元件“上”，或其它元件在该元件和另一元件之间。相反，将理解，当一元件被称为“直接”在另一元件“上”时，在它们之间没有中间元件。当一元件被称为在参考元件“上”或在参考元件“上方”时，该元件可以被理解为定位在参考元件上或参考元件下方，但不应必须被理解为在与重力方向相反的方向上定位在参考元件上或上方。
将理解，在整个说明书中，当一元件被称为“包括”另一元件时，该元件还可以包括其它元件，除非另有说明。
在整个说明书中，表述“在平面上”应理解为意指当从上方观察时对象的一部分，并且术语“在剖面上”应理解为意指当从侧面观察时被竖直切割的对象的一部分。
在整个说明书中，将理解，当两个或更多个元件被称为彼此“连接”时，两个或更多个元件彼此直接连接，或通过另一元件彼此间接连接，或彼此物理连接，或彼此电连接，或在尽管其根据其位置或功能被称为不同的名称但是基本上整体形成的情况下的彼此连接。
在整个说明书中，当诸如布线、层、膜、区域、板或部件的元件被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，该元件应被理解为不仅包括在第一方向或第二方向上延伸的直的形状，而且包括大致在第一方向或第二方向上延伸的结构，例如弯曲的、锯齿状的或曲形的结构。
包括本文中描述的显示装置、显示面板等的电子装置(例如，移动电话、TV、监视器、膝上型计算机等)或包括通过本文中描述的制造方法制造的显示装置、显示面板等的电子装置不排除在本公开的范围之外。
出于本公开的目的，短语“A和B中的至少一个”可以被解释为仅A、仅B、或A和B的任何组合。此外，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自X、Y和Z的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。
术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象的上方或下方，或在第二对象的一侧，或者意指第二对象可以在第一对象的上方或下方，或在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面向或面对、延伸遍及…、覆盖或部分地覆盖、或者如本领域普通技术人员将理解和领会的任何其它合适的术语。表述“不重叠”可以包括诸如“与…分离”或“设定在…旁边”或“从…偏移”的含义以及如本领域普通技术人员将理解和领会的任何其它合适的等同。术语“面对”和“面向”可以意指第一对象可以直接或间接地与第二对象相对。在第三对象插置在第一对象和第二对象之间的情况下，第一对象和第二对象可以被理解为彼此间接相对，但仍彼此面对。
如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非本文另有限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解，术语，例如在常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关技术和公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应当被解释为理想的或过于形式的含义，除非本文中清楚地如此限定。
下面将参考图1描述整个发光显示装置的示意性剖面结构。
图1是根据实施方式的发光显示装置的整体的示意性剖视图。
图1是发光显示装置的部件之中的三色像素PXr、PXg和PXb的示意性剖视图，其中省略了将电流传输到发光二极管(LED)的像素电路单元的结构，并且示意性地示出了LED的阳极Anode等。
如图1所示，对于像素PXr、PXg和PXb中的每个，在第一衬底110(也称为下衬底)上形成阳极Anode。省略了位于第一衬底110和阳极Anode之间的像素电路单元(诸如，晶体管、绝缘层等)的结构，并且所述像素电路单元(诸如，晶体管、绝缘层等)的结构例如如图17所示。
像素限定膜380设置在阳极Anode上，并且可以包括暴露阳极Anode的一部分的开口OP。
在实施方式中，发射层EML可以设置在阳极Anode和像素限定膜380上，并且定位在阳极Anode和像素限定膜380的整个区域上。发射层EML可以是发射包括蓝光的光的发射层，并且可以具有包括图2所示的发射层和与其相邻的中间层的结构。中间层(参见图17的FL)可以进一步设置在阳极Anode和像素限定膜380上，并且设置在发射层EML下方和发射层EML上。在实施方式中，发射层EML可以形成为相对于各个像素的开口OP彼此分离，并且各个像素的发射层可以发射不同颜色的光。阴极Cathode可以设置在整个发射层EML上。这里，阳极Anode、发射层EML和阴极Cathode形成LED，并且中间层也可以包括在LED中。
包括在像素PXr、PXg和PXb中的LED可以是第一LED、第二LED和第三LED，并且第一LED至第三LED可以包括发射相同波长的光的相同发射层EML。
在阴极Cathode上可以设置有包括绝缘层410、420和430的封装层400。绝缘层410和绝缘层430可以包括无机绝缘材料，并且设置在绝缘层410和绝缘层430之间的绝缘层420可以包括有机绝缘材料。根据实施方式，封装层400可以包括包含无机绝缘材料的绝缘层和包含有机绝缘材料的绝缘层。
第一衬底110到封装层400一起被称为第一显示面板或下显示面板。
包括填充剂的填充层450可以设置在封装层400上。填充层450上的部件可以一起称为第二显示面板或上显示面板，并且可以通过形成下显示面板和上显示面板并通过填充层450将它们彼此附接来形成发光显示装置。
在填充层450上设置包括颜色转换层QDr和QDg以及滤色器230R、230G和230B的上显示面板。
将基于制造上显示面板的顺序从第二衬底210(下文中，也称为上衬底)开始描述上显示面板。
第二衬底210类似于第一衬底110可以由玻璃形成。
滤色器230R、230G和230B定位在第二衬底210下方。
红色滤色器230R可以透射红光，绿色滤色器230G可以透射绿光，并且蓝色滤色器230B可以透射蓝光。红色滤色器230R、绿色滤色器230G和蓝色滤色器230B中的至少两个在其中彼此重叠的区域可以是不透射光的区域(下文中，称为光阻挡区域)，并且其中定位有一个滤色器230R、230G或230B并且透射光并显示图像的区域可以是透射区域。光阻挡区域可以被配置成划分透射区域并且定位在相邻的透射区域之间。在图1的实施方式中，在不形成光阻挡构件的情况下通过将三个滤色器230R、230G和230B布置成彼此重叠来形成不透射光的光阻挡区域。在图1的实施方式中，蓝色滤色器230B定位在光阻挡区域的靠近第二衬底210的最上部分上。蓝色滤色器230B的位置基于蓝色滤色器230B的相对低的外部光反射率来确定。例如，蓝色滤色器230B在第二衬底210下方或直接在第二衬底210下方形成在大的区域中，使得在外部光入射的情况下外部光的反射率可以是低的。外部光的反射可以分成镜面反射(参见图5的(A))和漫反射(参见图5的(B))，并且镜面反射可以由于蓝色滤色器230B的反射率的减小而减小。在实施方式中，可以在滤色器230R、230G和230B在其中彼此重叠的光阻挡区域中在滤色器230R、230G和230B上附加地设置光阻挡构件，并且蓝色滤色器230B可以定位成最靠近第二衬底210而非最靠近光阻挡构件。
因为滤色器230R、230G和230B在光阻挡区域中彼此重叠，所以光阻挡区域的高度是高的，并且因为只有一个滤色器位于透射区域中，所以透射区域的高度是低的。在滤色器230R、230G和230B的透射区域下方设置低折射率层232。低折射率层232是具有比与其相邻的层的折射率低的折射率的层，并且可以包括有机材料。在从发射层EML发射的光向外部行进的情况下，由于低折射率层232，光行进的同时其相对于低折射率层232的法线的角度减小，从而改善了前向亮度。低折射率层232可以使滤色器230R、230G和230B的透射区域和光阻挡区域之间的台阶差被去除或减小。在实施方式中，低折射率层232也可以设置在由于滤色器230R、230G和230B的重叠而形成的光阻挡区域下方。
第一钝化层240设置在滤色器230R、230G和230B以及低折射率层232下方。第一钝化层240可以是绝缘层，其允许在滤色器230R、230G、230B和低折射率层232下方容易地形成附加层(堤部分BB、颜色转换层QDr和QDg、以及透射层TL)。
堤部分BB定位在第一钝化层240的与光阻挡区域对应的部分下方，颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL中的一个定位在堤部分BB之间，并且颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL对应于透射区域。
堤部分BB可以由包括不透射光的黑色颜料的有机材料形成。堤部分BB可以类似于光阻挡区域配置成划分其中定位有颜色转换层QDr和QDg或透射层TL的透射区域，并且可以位于相邻的透射区域之间。尽管图1示出了堤部分BB具有均匀的宽度，但是堤部分BB可以是具有较宽的上部分或下部分的锥形部分。
下面将描述位于透射区域中的颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL。
首先，透射层TL可以使入射到其上的光通过。例如，透射层TL可以直接透射从发射层EML发射的光。从发射层EML发射的光可以包括蓝光，并且当光顺序地通过透射层TL和透射层TL上方的蓝色滤色器230B时，向外部提供蓝光。透射层TL可以包括透射从发射层EML发射的光的聚合物材料。其中定位有透射层TL的区域可以对应于发射蓝光的发射区域，并且透射层TL不包括半导体纳米晶体，而是可以包括折射和散射光的散射构件部分par。在实施方式中，散射构件部分par可以由TiO2形成，并且可以允许光在各个方向上散射。
颜色转换层QDr和QDg可以包括不同的半导体纳米晶体par-r和par-g。例如，从发射层EML发射并入射在红色转换层QDr上的光可以在被包括在红色转换层QDr中的半导体纳米晶体par-r转换成红光之后发射。从发射层EML发射并入射在绿色转换层QDg上的光可以在被包括在绿色转换层QDg中的半导体纳米晶体par-g转换成绿光之后发射。
半导体纳米晶体par-r和par-g可以包括将从发射层EML发射的入射光转换成红光或绿光的磷光体和量子点材料中的至少一种。
如本文中所使用的，量子点表示半导体化合物的晶体，并且可以包括根据晶体的尺寸或通过调节量子点化合物的元素的比率而发射各种发射波长的光的材料。
量子点的直径可以例如在约1nm至约10nm的范围内。
在本公开的精神和范围内，量子点可以通过湿法化学工艺、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)工艺、分子束外延(MBE)工艺等来合成。
湿法化学工艺是在混合有机溶剂和前体材料之后生长量子点颗粒晶体的方法。在湿法化学工艺中，有机溶剂用作分散剂，其在晶体生长的情况下在量子点晶体的表面上自然配位并且控制晶体的生长，并且因此，量子点颗粒的生长可以以比诸如MOCVD或MBE的汽相沉积方法低的成本进行控制，且可以比其容易地控制。
量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或其组合。
II-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe或MgS；三元化合物，诸如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe或MgZnS；四元化合物，诸如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe或HgZnSTe；及其组合。
III-V族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs或InSb；三元化合物，诸如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs或InPSb；四元化合物，诸如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、GaAlNP或InAlPSb；及其组合。III-V族半导体化合物还可以包括II族元素。包括II族元素的III-V族半导体化合物的示例可以包括在本公开的精神和范围内的InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。
III-VI族半导体化合物的示例包括：二元化合物，诸如GaS、Ga2S3、GaSe、Ga2Se3、GaTe、InS、InSe、In2Se3或InTe；三元化合物，诸如InGaS3或InGaSe3；及其组合。
I-III-VI族半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如AgInS、AgInS2、AgInSe2、AgGaS、AgGaS2、AgGaSe2、CuInS、CuInS2、CuInSe2、CuGaS2、CuGaSe2、CuGaO2、AgGaO2或AgAlO2；四元化合物，诸如AgInGaS2或AgInGaSe2；及其组合。
IV-VI族半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe或PbTe；三元化合物，诸如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe或SnPbTe；四元化合物，诸如SnPbSSe、SnPbSeTe或SnPbSTe；及其组合。
IV族元素或化合物可以包括诸如Si或Ge的单一元素、诸如SiC或SiGe的二元化合物或其组合。
包括在诸如二元化合物、三元化合物或四元化合物的多元化合物中的每种元素可以以均匀浓度或非均匀浓度处于颗粒中。例如，化学式表示化合物中所包括的元素的类型，并且化合物的元素的比率可以变化。例如，AgInGaS2可以是AgInxGa1-xS2(x是0和1之间的实数)。
量子点可以具有单个结构或核-壳双结构，其中量子点中所包括的每个元素的浓度是均匀的。例如，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
量子点的壳可以用作用于防止核的化学变形以保持半导体特性的保护层，和/或用作用于向量子点提供电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，使得壳中的元素的浓度朝向界面的中心降低。
量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物及其组合。金属或非金属氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO；三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4；及其组合。半导体化合物的示例可以包括如上所述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物及其组合。半导体化合物的示例可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaS、GaSe、AgGaS、AgGaS2、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb及其组合。
包括在诸如二元化合物或三元化合物的多元化合物中的每种元素可以以均匀的浓度或不均匀的浓度存在于颗粒中。例如，化学式表示化合物中所包括的元素的类型，并且化合物的元素的比率可以变化。
量子点可以具有小于约45nm、例如小于约40nm、或例如小于约30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在以上范围内可以改善颜色纯度或颜色再现性。光在所有方向上从量子点发射，从而改善光学视角。
例如，量子点可以具有球形形状、棱锥形状、多臂形状、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状或纳米板形状。
通过调节量子点的尺寸或量子点化合物的元素的比率来调节能带隙，可以从量子点发射层获得各种波长带中的光。因此，通过使用如上所述的量子点(不同尺寸的量子点、或量子点化合物的元素的比率在其中改变的量子点)，可以实现发射各种波长的光的发光装置。例如，可以选择量子点的尺寸或量子点化合物的元素的比率的调节来发射红光、绿光和/或蓝光。量子点可以配置成通过组合各种颜色的光来发射白光。
除了半导体纳米晶体par-r和par-g之外，颜色转换层QDr和QDg类似于透射层TL还可以包括散射构件部分par。从颜色转换层QDr和QDg发射的光可以被散射构件部分par折射和散射。在实施方式中，散射构件部分par可以由TiO2形成。
第二钝化层250设置在堤部分BB、颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL下方。第二钝化层250是绝缘层，其在随后的工艺中保护堤部分BB、颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL，并且有助于在随后的工艺中容易地形成多个层(散射吸收层RCC和间隔件SPC)。
散射吸收层RCC和间隔件SPC设置在第二钝化层250下方。散射吸收层RCC和间隔件SPC可以通过相同的工艺由相同的材料或类似的材料形成。在图1的实施方式中，散射吸收层RCC和间隔件SPC可以形成为透射蓝光和绿光的蓝绿色滤色器。然而，在实施方式中，散射吸收层RCC和间隔件SPC可以由不同的材料形成，并且间隔件SPC可以不是蓝绿色滤色器。然而，在使用相同材料或类似材料以及相同工艺的情况下，可以简化工艺，从而减少制造时间。
在图1的实施方式中，包括蓝绿色滤色器的散射吸收层RCC仅位于与红色像素PXr重叠的区域中，并且因此仅在与红色滤色器230R和红色转换层QDr重叠的位置处形成。散射吸收层RCC可以定位在红色转换层QDr和LED的阳极Anode之间，并且可以透射蓝光和绿光，并且吸收或阻挡红光。
间隔件SPC可以形成在与光阻挡区域对应且比散射吸收层RCC远离第二衬底210的位置处。因此，间隔件SPC可以与堤部分BB以及彼此重叠的滤色器230R、230G和230B重叠，但是可以不与颜色转换层QDr和QDg或透射层TL重叠，并且可以不与彼此不重叠的滤色器230R、230G和230B重叠。第二衬底210到第二钝化层250、散射吸收层RCC和间隔件SPC可以形成上显示面板。间隔件SPC可以保持上显示面板和下显示面板之间的恒定间隔。
填充层450可以定位在上显示面板和下显示面板之间，围绕间隔件SPC的周围，定位在第二钝化层250和散射吸收层RCC下方，并且定位在封装层400上。
以上已经参考图1描述了整个发光显示装置的示意性剖面结构。下面将参考图2描述可应用在图1的实施方式中的具有发射层EML和功能层FL的LED的堆叠结构。
图2是根据实施方式的LED的示意性剖视图。
尽管在图1的实施方式中，图1仅示意性地示出了LED的阴极Cathode和阳极Anode之间的发射层EML，但是实际上，如图2所示，可以在LED的阴极Cathode和阳极Anode之间设置包括发射层EML、功能层FL等的堆叠结构。
图2示出了具有包括多个发射层EML的串联结构的LED的堆叠结构。在图2的实施方式中，在阳极Anode和阴极Cathode之间包括总共四个发射层EML。功能层FLa、FLb、FLc和FLd中的每个设置在发射层EMLb1、EMLb2、EMLb3和EMLg中的一个上或下方，并且中间连接层INC1、INC2和INC3定位在相邻的功能层之间。例如，在具有图2的串联结构的LED中，阳极Anode、用于第一发射层EMLb1的第一功能层FLa-1、第一发射层EMLb1、用于第一发射层EMLb1的第二功能层FLa-2、第一中间连接层INC1、用于第二发射层EMLb2的第一功能层FLb-1、第二发射层EMLb2、用于第二发射层EMLb2的第二功能层FLb-2、第二中间连接层INC2、用于第三发射层EMLb3的第一功能层FLc-1、第三发射层EMLb3、用于第三发射层EMLb3的第二功能层FLc-2、第三中间连接层INC3、用于第四发射层EMLg的第一功能层FLd-1、第四发射层EMLg、用于第四发射层EMLg的第二功能层FLd-2和阴极Cathode可以彼此顺序地堆叠。
这里，发射层EMLb1、EMLb2、EMLb3和EMLg中的至少一个可以发射不同波长的光。在图2的实施方式中，发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3发射蓝色波长的光，并且发射层EMLg发射绿色波长的光。因此，图2的LED可以发射蓝光和绿光。这里，发射蓝色波长的光的发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3可以由相同的材料或类似的材料形成，以发射相同波长的光，或者可以由不同的材料形成，以发射蓝光的区段之中的不同波长带的光。在如图2的实施方式中所进一步设置发射绿光的发射层EMLg的情况下，发光显示装置可以进一步包括绿光分量以允许用户感测更多的绿光并且容易识别绿光，从而改善显示质量。然而，即使在包括四个发射层EMLb1、EMLb2、EMLb3和EMLg的LED进一步发射绿光的情况下，除了颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL之外还设置滤色器230R、230G和230B以显示各种颜色，并且因此，在显示纯红色、纯绿色和/或纯蓝色方面没有问题。
第一功能层FLa-1、FLb-1、FLc-1和FLd-1中的每个可以包括空穴注入层和空穴传输层，并且第二功能层FLa-2、FLb-2、FLc-2和FLd-2中的每个可以包括电子传输层和电子注入层。在实施方式中，第一功能层FLa-1、FLb-1、FLc-1和FLd-1中的一些可以不包括空穴注入层或空穴传输层，并且第二功能层FLa-2、FLb-2、FLc-2和FLd-2中的一些可以不包括电子传输层或电子注入层。在实施方式中，空穴注入层和电子注入层可以仅被包括在靠近阳极Anode或阴极Cathode的第一功能层FLa-1和第二功能层FLd-2中，空穴注入层可以与阳极Anode接触，并且电子注入层可以与阴极Cathode接触。中间连接层INC1、INC2和INC3可以位于电子传输层和空穴传输层之间，并且也可以被称为电荷生成层。中间连接层INC1、INC2和INC3可以减小两个相邻的功能层之间的费米(Fermi)势垒。具有串联结构的LED发射绿光和蓝光，但是由于LED上方的颜色转换层QDr和QDg、透射层TL以及滤色器230R、230G和230B，发光显示装置可以显示出各种色彩和白颜色。在实施方式中，与图2中不同的是，可以改变四个发射层EMLb1、EMLb2、EMLb3和EMLg的位置，并且例如，发射绿光的发射层EMLg可以定位在比发射蓝色波长的光的发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3低的高度处或定位在发射蓝色波长的光的发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3之间。
在实施方式中，串联结构可以包括至少两个发射层，并且在各种修改的示例中，串联结构可以仅包括一个发射层。
在图1和图2彼此组合的情况下，在根据实施方式的发光显示装置中，LED发射绿光和蓝光，并且仅在与红色像素PXr重叠的区域中设置具有蓝绿色滤色器的散射吸收层RCC。
下面将参考图3和图4详细描述这种散射吸收层的特性。
图3和图4是示出根据实施方式的散射吸收层的特性的曲线图。
首先，图3示出了从LED发射的光的根据波长范围的分布EV(BBBG)以及具有蓝绿色滤色器的散射吸收层RCC的根据其厚度的透射率。图3示出了散射吸收层RCC具有约4.0μm的厚度的示例(Cyan 4.0μm)和散射吸收层RCC具有约2.5μm的厚度的示例(Cyan2.5μm)。
参考图3的EV(BBBG)线，可以看出，从LED发射的光可以包括最大量的蓝色波长带中的光和少量的绿色波长带中的光，但是不包括红色波长带中的光。这是因为在可包括四个发射层EMLb1、EMLb2、EMLb3和EMLg的LED中，如图2所示，发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3发射蓝光，并且发射层EMLg发射绿光。
图3的Cyan 4.0μm线和Cyan 2.5μm线示出了，随着散射吸收层RCC的厚度增加，其透射率降低。散射吸收层RCC对于蓝色波长带和绿色波长带中的光的透射率相对高，但是对于红色波长带中的光的透射率相对低。大致地，散射吸收层RCC对可见光波长带中的光的透射率为约50％或更高。因此，红色波长带中的光也被透射，尽管其透射率相对低。例如，根据实施方式，散射吸收层RCC可以由与蓝绿色滤色器相同的材料或类似的材料形成，但是可以具有高的透射率，例如，约50％或更高，这与常规的滤色器不同。因此，散射吸收层RCC可以透射蓝色波长带和绿色波长带中的光，透射红色波长带中的光中的一些，并且阻挡或吸收红色波长带中的剩余光中的一些。相反，常规的蓝绿色滤色器与散射吸收层RCC的不同之处在于，它具有小于约50％的透射率(在约30至约40％的范围内的透射率)并且吸收或阻挡红色波长带中的光以防止其透射。根据具有以上特性的散射吸收层RCC，光的透射率不是非常低，从而防止发光显示装置的光效率的过度降低。蓝绿色滤色器可以形成为小厚度，使得散射吸收层RCC可以具有约50％或更高的透射率。
图4示出了针对每个波长带的漫反射(SCE)比率，其中如图3所示，示出了散射吸收层RCC具有约4.0μm的厚度的示例(Cyan 4.0μm)和散射吸收层RCC具有约2.5μm的厚度的示例(Cyan 2.5μm)，并且另外示出了不设置散射吸收层RCC的比较性示例。
在图4的比较性示例中，针对每个波长带的漫反射(SCE)的程度表明，在红色波长带中的漫反射(SCE)比率高，并且是蓝色波长带和绿色波长带中的漫反射(SCE)比率的两倍或更多倍，例如，在红色波长带中在很大程度上会发生漫反射(SCE)。
因此，在图1的实施方式中，散射吸收层RCC被用于实现针对蓝绿色的光的高透射率并降低针对红色波长的光的透射率，如图3所示。因此，如图4的Cyan 4.0μm线和Cyan 2.5μm线所指示的，红色波长带中的漫反射(SCE)比率降低，以对应于蓝色波长带和绿色波长带中的漫反射(SCE)比率。结果，发光显示装置中的总漫反射(SCE)比率降低。
参考图4，随着散射吸收层RCC的厚度增加，漫反射(SCE)比率降低。因此，待形成的散射吸收层RCC的厚度可以根据漫反射(SCE)比率应减小到的目标值来调整。
以上已经针对漫反射(SCE)描述了图4，并且将参考下面的图5和图6更详细地描述在发光显示装置中出现的反射。
图5和图6是用于描述漫反射的特性的示意图。
首先，下面将参考图5分别描述在发光显示装置中出现的两种类型的反射。
图5的(A)示出了镜面反射，并且图5的(B)示出了漫反射。大致地，反射主要分成镜面反射(SCI)和漫反射(SCE)，在镜面反射(SCI)中，光如图5的(A)所示相对于入射光对称地反射，并且在漫反射(SCE)中，光如图5的(B)所示在所有方向上反射，而不管入射光如何。
表1示出了在仅包括上显示面板的发光显示装置和包括彼此结合的上显示面板和下显示面板的发光显示装置中的每个中测量镜面反射(SCI)和漫反射(SCE)的结果。
(表1)
参考上表1，可以看出，镜面反射(SCI)和漫反射(SCE)在仅包括上显示面板的发光显示装置中以很小的程度出现，但是在包括彼此结合的上显示面板和下显示面板的发光显示装置中以很大的程度出现。
看来，上显示面板和下显示面板彼此结合之前和之后的反射率差异是由于漫反射的增加，其是在上显示面板和下显示面板彼此结合之后由从阳极Anode反射且在向上方向上提供的光导致的。
尽管在发光显示装置中出现的镜面反射(SCI)比率和漫反射(SCE)比率之和被确定为总反射率，但是用户可感知的反射率很大程度上受到漫反射(SCE)的影响，并且因此有必要减小漫反射(SCE)。
下面将参考图6描述在如上所述的发光显示装置中出现的漫反射(SCE)的原因。
图6是示出图1的绿色像素PXg的绿色转换层QDg和绿色滤色器230G的示意图，其中示出了光向发光显示装置的前表面发射同时在各个方向上被绿色转换层QDg的一个散射构件部分par(其以放大图示出)散射的路径。
参考图6，在发光显示装置中的漫反射(SCE)的情况下，从外部入射的光从阳极Anode反射并被包括在颜色转换层QDr和QDg中的散射构件部分par以及半导体纳米晶体par-r和par-g散射或转换，并且在路径循环的同时重复地执行入射光的反射和散射，从而大大增加了反射率。为了减小入射光的散射，可以减少颜色转换层QDr和QDg中的散射构件部分par以及半导体纳米晶体par-r和par-g，但是发光显示装置的光效率可能会降低，并且因此这种方法难以直接使用。因此，在实施方式中，在发光显示装置上设置散射吸收层RCC以减少漫反射。例如，在图1中，在红色转换层QDr中散射的红光中的一些可以被与红色转换层QDr重叠的散射吸收层RCC吸收，以减小通过漫反射(SCE)散射的红光的量，从而减小总漫反射(SCE)比率。
下面将参考图7和图8描述包括散射吸收层RCC的发光显示装置的另外的特性。
在图7和图8中，将比较性示例1、比较性示例2和实施例彼此比较。在比较性示例1中，在上显示面板中，在外部光之中的红光、绿光和蓝光的透射率同时降低，以保持反射的光的颜色。在比较性示例2中，在上显示面板中降低绿光的透射率以改变反射的光的颜色。相反，在实施例中，散射吸收层RCC如图1所示另外设置在上显示面板中。
首先，将参考图7描述颜色坐标的特征。
图7是示出根据实施方式的发光显示装置的颜色坐标特性的示意图。
图7示出了在其上示出了参考值的颜色坐标的黑体(black body)曲线。
在比较性示例1中，红光、绿光和蓝光的所有透射率都降低，因此实际颜色坐标值的变化率不高，但是在比较性示例2中，只有绿光的透射率降低，因此会发红，并且因此，颜色坐标值沿着纵轴方向降低，并且远离为标准的黑体曲线。
相反，在实施例中，另外设置散射吸收层RCC而不调整红光、绿光和蓝光的透射率，使得通过散射吸收层RCC可以从根本上减少沿着黑体曲线在内部出现的漫反射(SCE)。
下面将参考图8描述发光显示装置在向其施加电压的情况下的光效率比率，例如显示效率(亮度效率)。
图8是示出根据实施方式的发光显示装置的光效率比率的曲线图。
参考图8，在比较性示例1中，红光、绿光和蓝光的所有透射率都被降低，从而导致光效率比率的急剧降低，并且在比较性示例2中，仅绿光的透射率被降低，从而导致了光效率比率的降低，但是降低的比率小于比较性示例1中的比率。
相反，在实施例中，仅另外设置散射吸收层RCC而不调整红光、绿光和蓝光的透射率，并且因此从根本上，光效率比率的降低小于比较性示例1和比较性示例2中的光效率比率的降低。
在图8中，随着光效率比率的降低，漫反射(SCE)降低，因为显示亮度越高，漫反射(SCE)比率越高。
在图7和图8彼此组合的情况下，在实施方式中，因为外部光之中的红光、绿光和蓝光的透射率没有被调节并且另外设置散射吸收层RCC，所以反射的光的颜色坐标值不会被任意改变，从而防止显示质量的降低，光效率的降低可以被最小化，并且漫反射(SCE)可以由于散射吸收层RCC而降低。
因此，在实施方式的发光显示装置中，可以最小化光效率的降低，可以降低反射率，并且例如，可以降低漫反射(SCE)比率，并且可以通过使用散射吸收层RCC来使反射的光的颜色保持恒定。
下面将详细描述可能与图1和图2的实施方式不同的图9和图10的实施方式。首先，将参考图9描述根据实施方式的LED的示意性剖面结构。
图9是根据实施方式的发光二极管的示意性剖视图。
图9示出了具有包括发射层EML的串联结构的LED的堆叠结构，并且在图9的实施方式中，在阳极Anode和阴极Cathode之间包括总共三个发射层EML。功能层FLa、FLb和FLc中的每个设置在发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3中的一个上或下方，并且中间连接层INC1和INC2定位在相邻的功能层之间。例如，在具有图9的串联结构的LED中，阳极Anode、用于第一发射层EMLb1的第一功能层FLa-1、第一发射层EMLb1、用于第一发射层EMLb1的第二功能层FLa-2、第一中间连接层INC1、用于第二发射层EMLb2的第一功能层FLb-1、第二发射层EMLb2、用于第二发射层EMLb2的第二功能层FLb-2、第二中间连接层INC2、用于第三发射层EMLb3的第一功能层FLc-1、第三发射层EMLb3、用于第三发射层EMLb3的第二功能层FLc-2和阴极Cathode可以彼此顺序地堆叠。
在图9的实施方式中，发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3发射蓝色波长的光，并且与图2不同，不设置发射绿色波长的光的发射层。这里，发射蓝色波长的光的发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3可以由相同的材料或类似的材料形成，以发射相同波长的光，或者可以由不同的材料形成，以发射蓝光区段之中的不同波长带的光。在包括三个发射层EMLb1、EMLb2和EMLb3的LED发射蓝光的情况下，不仅可以通过包括在上显示面板中的颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL，而且可以通过滤色器230R、230G和230B来显示纯红色、纯绿色和/或纯蓝色。
第一功能层FLa-1、FLb-1和FLc-1中的每个可以包括空穴注入层和空穴传输层，并且第二功能层FLa-2、FLb-2和FLc-2中的每个可以包括电子传输层和电子注入层。在实施方式中，第一功能层FLa-1、FLb-1和FLc-1中的一些可以不包括空穴注入层或空穴传输层，并且第二功能层FLa-2、FLb-2和FLc-2中的一些可以不包括电子传输层或电子注入层。在实施方式中，空穴注入层和电子注入层可以仅被包括在靠近阳极Anode或阴极Cathode的第一功能层FLa-1和第二功能层FLd-2中，空穴注入层可以与阳极Anode接触，并且电子注入层可以与阴极Cathode接触。中间连接层INC1和INC2可以定位在电子传输层和空穴传输层之间并且也可以被称为电荷生成层。中间连接层INC1和INC2可以减小两个相邻的功能层之间的费米势垒。具有串联结构的LED发射蓝光，但是由于LED上方的颜色转换层QDr和QDg、透射层TL以及滤色器230R、230G和230B，发光显示装置可以显示出各种色彩和白颜色。
在实施方式中，串联结构可以包括至少两个发射层，并且在各种修改的示例中，串联结构可以仅包括一个发射层。
包括具有图9的串联结构的LED的发光显示装置可以具有如图10所示的示意性剖面结构。
图10是根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
图10的发光显示装置在结构上与图1的发光显示装置相同。然而，图10的发光显示装置可以包括不同于图1的散射吸收层RCC的散射吸收层RCB。例如，在图1中，设置了具有蓝绿色滤色器的散射吸收层RCC，并且在图10中，设置了具有蓝色滤色器的散射吸收层RCB。间隔件SPC'也被形成为与图1中不同的蓝色滤色器。
例如，各自包括蓝色滤色器的散射吸收层RCB和间隔件SPC'定位在第二钝化层250下方。散射吸收层RCB和间隔件SPC'可以通过相同的工艺由相同的材料或类似的材料形成。在图10的实施方式中，散射吸收层RCB和间隔件SPC'可以各自实施为透射蓝光的蓝色滤色器。然而，在实施方式中，散射吸收层RCB和间隔件SPC'可以由不同的材料形成，并且间隔件SPC'可以不形成为蓝色滤色器。然而，在使用相同材料或类似材料以及相同工艺的情况下，可以简化工艺，从而减少制造时间。
类似于图1的散射吸收层RCC，散射吸收层RCB对可见光波长带中的光具有大于约50％的总透射率。例如，根据实施方式，散射吸收层RCB可以由与蓝色滤色器相同的材料或类似的材料形成，但是可以具有高的透射率，例如，约50％或更高，这与常规的滤色器不同。结果，散射吸收层RCB透射蓝光并且透射红色波长带或绿色波长带中的光中的一些，但阻挡或吸收红色波长带或绿色波长带中的光中的一些。相反，常规的蓝色滤色器与散射吸收层RCB的不同之处在于，其具有小于约50％的透射率(约33％的透射率)并且吸收或阻挡红色波长带和绿色波长带中的光以防止其透射。根据具有以上特性的散射吸收层RCB，光的透射率不是非常低，从而防止发光显示装置的光效率的过度降低。蓝色滤色器可以形成为小厚度，使得散射吸收层RCB可以具有约50％或更高的透射率。
图10的实施方式的包括蓝色滤色器的散射吸收层RCB仅位于与红色像素PXr重叠的区域中。例如，散射吸收层RCB仅形成在与红色滤色器230R和红色转换层QDr重叠的位置处。散射吸收层RCB可以定位在红色转换层QDr和LED的阳极Anode之间，并且可以透射蓝光并吸收或阻挡红光和绿光。
间隔件SPC'可以形成在与光阻挡区域对应且比散射吸收层RCB远离第二衬底210的位置处。因此，间隔件SPC'可以与堤部分BB以及彼此重叠的滤色器230R、230G和230B重叠，但可以不与颜色转换层QDr和QDg或透射层TL重叠，并且可以不与彼此不重叠的滤色器230R、230G和230B重叠。间隔件SPC'可以保持上显示面板和下显示面板之间的恒定间隔。
在图9和图10彼此组合的情况下，在根据实施方式的发光显示装置中，LED发射蓝光，并且仅在与红色像素PXr重叠的区域中设置具有蓝色滤色器的散射吸收层RCB。
基于图1和图2，在实施方式的发光显示装置中，LED发射绿光和蓝光，并且设置具有透射绿光和蓝光的蓝绿色滤色器的散射吸收层RCC。
根据前面的实施方式，发光显示装置可以包括散射吸收层，其透射从LED发射的光，并且散射吸收层防止漫反射(SCE)如图4所示在很大程度上出现在红色波长带中，从而降低了总漫反射(SCE)比率。
图1和图10示出了散射吸收层RCC和RCB仅定位在与红色像素PXr重叠的区域中的实施方式。然而，散射吸收层可以设置在除了与红色像素PXr重叠的区域之外的区域中，并且将在下面在图11至图16中描述散射吸收层的位置变化的各种修改示例。
图11至图16是根据其它实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
图11至图16示出了对LED可如图2所示包括发射绿光和蓝光的四个发射层EMLb1、EMLb2、EMLb3和EMLg并且散射吸收层RCC可如图1所示形成为蓝绿色滤色器的实施方式的修改示例。下面描述的修改示例可应用于图9和图10的实施方式，但是可以与图9和图10的LED发射蓝光并且散射吸收层RCB可形成为蓝色滤色器的实施方式不同。
首先，将描述图11的实施方式。
与图1不同，散射吸收层RCC形成在整个LED上，并且与间隔件SPC一体地形成。图11的散射吸收层RCC与所有的堤部分BB、颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL重叠，并且也与透射区域和光阻挡区域二者中的滤色器230R、230G和230B重叠。
散射吸收层RCC的与堤部分BB重叠并具有大厚度的部分可以是间隔件SPC。在实施方式中，间隔件SPC和散射吸收层RCC可以由不同的材料形成，并且间隔件SPC可以由不同于蓝绿色滤色器的材料形成。
在图11的实施方式中，在红色转换层QDr中散射的红光中的一些可以被与红色像素PXr的红色转换层QDr重叠的散射吸收层RCC吸收，以减少通过漫反射(SCE)散射的红光的量，从而降低总漫反射(SCE)比率。在图11的实施方式中，由与绿色像素PXg和蓝色像素PXb重叠的散射吸收层RCC吸收的红光的量可能不大，但是参考图4，红光通过漫反射(SCE)以很大程度散射，并且因此可以通过吸收散射的红光中的一些来降低总漫反射(SCE)比率。
下面将描述图12的实施方式。
在图12的实施方式中，不同于图1中那样，散射吸收层RCC仅位于与绿色像素PXg重叠的区域中。例如，在图12的实施方式中，包括蓝绿色滤色器的散射吸收层RCC仅位于与绿色像素PXg重叠的区域中，并且仅形成在与绿色滤色器230G和绿色转换层QDg重叠的位置处。在图12的实施方式中，可以一体地形成间隔件SPC和散射吸收层RCC。
在图12的实施方式中，与图1和图11的实施方式相比，由与绿色像素PXg重叠的散射吸收层RCC吸收的红光的量可能不大，但是参考图4，红光通过漫反射(SCE)以很大程度散射，并且因此可以通过吸收散射的红光中的一些来降低总漫反射(SCE)比率。
下面将描述图13的实施方式。
在图13中，散射吸收层RCC仅位于与红色像素PXr和绿色像素PXg重叠的区域中。在图13的实施方式中，间隔件SPC和散射吸收层RCC可以一体地形成。
在图13的实施方式中，在红色转换层QDr中散射的红光中的一些可以被与红色像素PXr的红色转换层QDr重叠的散射吸收层RCC吸收，以减少通过漫反射(SCE)散射的红光的量，从而降低总漫反射(SCE)比率。在图13的实施方式中，尽管由与绿色像素PXg重叠的散射吸收层RCC吸收的红光的量可能不大，参考图4，红光通过漫反射(SCE)以很大程度散射，并且因此可以通过吸收散射的红光中的一些来降低总漫反射(SCE)比率。
与图1和图11至图13不同，散射吸收层RCC可以与各个像素重叠，并且红色像素PXr、绿色像素PXg和蓝色像素PXb中的至少一个可以与散射吸收层RCC重叠。然而，在需要显著降低漫反射(SCE)比率的情况下，散射吸收层RCC可以与红色像素PXr的红色转换层QDr重叠。
以上已经描述了对散射吸收层RCC的位置的修改。下面将参考图14和图15描述其它修改的示例。
首先，图14示出了散射吸收层不形成为滤色器而是使用膜形成的实施方式。
在图14中，散射吸收膜RCF形成在整个发光显示装置上。图14的散射吸收膜RCF与所有的堤部分BB、颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL重叠，并且也与透射区域和光阻挡区域二者中的滤色器230R、230G和230B重叠。这里，散射吸收膜RCF可以透射蓝色波长带和绿色波长带中的光并吸收红色波长带中的光。散射吸收膜RCF可以具有约50％或更高的透射率。
在图14中，可以在散射吸收膜RCF下方形成间隔件SPC，并且间隔件SPC位于与堤部分BB重叠的位置处。
在图14的实施方式中，类似于图11的散射吸收层RCC，散射吸收膜RCF可以吸收在红色转换层QDr中散射的红光中的一些，以减少通过漫反射(SCE)散射的红光的量，从而降低总漫反射(SCE)比率。在图14的实施方式中，由与绿色像素PXg和蓝色像素PXb重叠的散射吸收膜RCF吸收的红光的量可能不大，但是参考图4，红光通过漫反射(SCE)以很大程度散射，并且因此可以通过吸收散射的红光中的一些来降低总漫反射(SCE)比率。
图15是图1的修改示例，在该修改示例中，通过形成光阻挡构件220而不是通过将滤色器230R、230G和230B形成为在彼此重叠的同时具有高的高度来形成光阻挡区域。
类似于堤部分BB，光阻挡构件220可以由包括不透射光的黑色颜料的有机材料形成。光阻挡构件220可以配置成划分其中定位有滤色器230R、230G和230B的透射区域，并且位于相邻的滤色器230R、230G和230B之间。
图15的实施方式与图1的实施方式的相同之处在于，漫反射(SCE)比率减小，但是由于光阻挡构件220中的镜面反射而引起的反射率可以高于由于图1的蓝色滤色器230B中的镜面反射而引起的反射率。因此，图1的实施方式中的总反射率可以低于图15的实施方式中的总反射率。
在以上修改的示例中，散射吸收层RCC或RCB在示意性剖视图中位于第二钝化层250下方。然而，可以进行各种修改，只要散射吸收层RCC或RCB位于阳极Anode上并且位于颜色转换层QDr和QDg以及透射层TL下方。例如，如在图16的实施方式中，可以不形成散射吸收层RCC或RCB，并且填充层450'可以形成为具有散射吸收层RCC或RCB的特性。例如，填充层450'可以包括蓝绿色滤色器或蓝色滤色器，以具有散射吸收层RCC或RCB的光学特性。因此，在图16的实施方式中，可以不形成散射吸收层RCC或RCB。
在实施方式中，散射吸收层RCC或RCB可以包括聚合物或树脂，尽管上面描述了散射吸收层RCC或RCB可以包括滤色器。即使在散射吸收层RCC或RCB可以包括聚合物或树脂的情况下，散射吸收层RCC或RCB也应具有以上参考图1和图10描述的透射特性。
在以上描述的示意性剖视图中，省略了阳极Anode和第一衬底110之间的结构。下面将通过图17的实施方式来描述阳极Anode和第一衬底110之间的示意性剖面结构之一。
图17是示出根据实施方式的下显示面板的示意性剖面结构的示意图。
图17示出了包括多晶晶体管(LTPS TFT)和氧化物晶体管(氧化物TFT)的实施方式。在实施方式中，可以仅设置多晶晶体管或氧化物晶体管。
下面将更详细地描述根据实施方式的发光显示装置的下显示面板的整体结构。
参考图17，金属层BML设置在第一衬底110上。
第一衬底110可以包括具有刚性特性并且因此不可弯曲的材料(例如，玻璃)，或者可弯曲的柔性材料(例如，塑料或聚酰亚胺)。在第一衬底110是柔性衬底的情况下，可以双层地形成聚酰亚胺和无机绝缘材料在其中顺序地形成的双层阻挡层。
金属层BML在平面上可以形成在与随后形成的第一半导体层ACT1的驱动晶体管的沟道重叠的位置处，并且也被称为下密封层。金属层BML可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或其金属合金。这里，驱动晶体管可以是生成待传输到LED的电流的晶体管。
缓冲层111设置在第一衬底110和金属层BML上以覆盖第一衬底110和金属层BML。缓冲层111可以阻挡杂质元素渗透到第一半导体层ACT1中，并且在本公开的精神和范围内，可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机绝缘膜。
由硅半导体(例如，多晶半导体P-Si)形成的第一半导体层ACT1定位在缓冲层111上。第一半导体层ACT1可以包括多晶晶体管(其包括驱动晶体管)的沟道、以及位于其两侧处的第一区域和第二区域。这里，多晶晶体管不仅可以包括驱动晶体管，还可以包括多晶开关晶体管。可以通过等离子体处理或掺杂而在第一半导体层ACT1的沟道的两侧处形成具有导电特性的区域，以用作多晶晶体管的第一电极和第二电极。
第一栅极绝缘膜141可以设置在第一半导体层ACT1上。在本公开的精神和范围内，第一栅极绝缘膜141可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机绝缘膜。
包括多晶晶体管的栅电极GE1的第一栅极导电层可以设置在第一栅极绝缘膜141上。除了多晶晶体管的栅电极GE1之外，第一栅极导电层可以设置成还具有扫描线或发射控制线。在实施方式中，由不同材料形成的第一栅极导电层可以被分成第一-第一栅极导电层和第一-第二栅极导电层。
在形成第一栅极导电层之后，可以执行等离子体处理或掺杂工艺以使得第一半导体层ACT1的暴露区域具有导电特性。例如，第一半导体层ACT1的被第一栅极导电层遮挡的部分可以不具有导电特性，并且第一半导体层ACT1的未被第一栅极导电层覆盖的部分可以具有与导电层相同的特性。
第二栅极绝缘膜142可以设置在第一栅极导电层和第一栅极绝缘膜141上。在本公开的精神和范围内，第二栅极绝缘膜142可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机绝缘膜。
包括存储电容器的电极CE的第二栅极导电层可以设置在第二栅极绝缘膜142上。存储电容器的电极CE与驱动晶体管的栅电极GE1重叠以形成存储电容器。
在实施方式中，第二栅极导电层还可以包括氧化物晶体管的下屏蔽层BML-1。在实施方式中，氧化物晶体管的下屏蔽层BML-1可以形成为附加导电层。氧化物晶体管的下屏蔽层BML-1可以位于氧化物晶体管的沟道下方，以防止所述沟道免受在氧化物晶体管的沟道下方产生的光、电磁干扰等的影响。
在实施方式中，第二栅极导电层还可以包括扫描线、控制线或电压线。第二栅极导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可以形成为单层或多层。
第一层间绝缘膜161可以设置在第二栅极导电层上。第一层间绝缘膜161可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机绝缘膜，并且在实施方式中，无机绝缘材料可以形成为大的厚度。
包括第二半导体ACT2的第二半导体层(氧化物半导体层)可以设置在第一层间绝缘膜161上，其中第二半导体ACT2可以包括氧化物晶体管的沟道、第一区域和第二区域。
第三栅极绝缘膜143可以设置在第二半导体层上。第三栅极绝缘膜143可以设置在整个第二半导体层和第一层间绝缘膜161上。在本公开的精神和范围内，第三栅极绝缘膜143可以包括包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)等的无机绝缘膜。
包括氧化物晶体管的栅电极GE3的第三栅极导电层可以设置在第三栅极绝缘膜143上。氧化物晶体管的栅电极GE3可以与氧化物晶体管的沟道重叠。第三栅极导电层还可以包括扫描线或控制线。第三栅极导电层可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可以形成为单层或多层。
第二层间绝缘膜162可以设置在第三栅极导电层上。第二层间绝缘膜162可以具有单层或多层结构。第二层间绝缘膜162可以包括诸如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料，并且根据实施方式可以包括有机材料。
第一数据导电层可以设置在第二层间绝缘膜162上，所述第一数据导电层包括待连接到多晶晶体管的第一区域和氧化物晶体管的第二区域的连接构件。第一数据导电层可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可以形成为单层或多层。
第一有机膜181可以设置在第一数据导电层上。第一有机膜181可以是包括有机材料的有机绝缘膜，并且所述有机材料可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂组成的组中的至少一种材料。
包括阳极连接构件ACM2的第二数据导电层可以设置在第一有机膜181上。第二数据导电层可以包括数据线或驱动电压线。第二数据导电层可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)或钛(Ti)的金属或其金属合金，并且可以形成为单层或多层。阳极连接构件ACM2通过第一有机膜181中的开口OP3连接到第一数据导电层。
第二有机膜182和第三有机膜183设置在第二数据导电层上，并且在第二有机膜182和第三有机膜183中形成阳极连接开口OP4。阳极连接构件ACM2通过阳极连接开口OP4电连接到阳极Anode。第二有机膜182和第三有机膜183可以是有机绝缘膜，并且可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和苯酚树脂组成的组中的至少一种材料。在实施方式中，可以省略第三有机膜183。
可以在阳极Anode上设置具有暴露阳极Anode的开口OP且覆盖阳极Anode的至少一部分的像素限定膜380。像素限定膜380可以是由黑色有机材料形成的黑色像素限定膜，以防止从外部提供的光反射到外部，或者在实施方式中，可以由透明有机材料形成。
间隔件385设置在像素限定膜380上。间隔件385可以由透明有机绝缘材料形成。在实施方式中，间隔件385可以由正性透明有机材料形成。间隔件385可以包括具有不同高度的两个部分385-1和385-2，使得高部分385-1可以用作间隔件，并且低部分385-2可以改善间隔件385和像素限定膜380之间的粘附特性。
功能层FL和阴极Cathode可以在阳极Anode、间隔件385和像素限定膜380上顺序地形成，并且可以位于阳极Anode、间隔件385和像素限定膜380的整个区域上。发射层EML可以设置在功能层FL的部分之间，并且可以仅位于像素限定膜380的开口OP中。在下文中，功能层FL和发射层EML可以一起被称为中间层。功能层FL可以包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层的辅助层中的至少一个，并且空穴注入层和空穴传输层可以位于发射层EML下方，并且电子传输层和电子注入层可以位于发射层EML上。
封装层400设置在阴极Cathode上。封装层400可以包括至少一个无机膜和至少一个有机膜，并且可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可以保护发射层EML免受可能从外部引入的湿气、氧气等的影响。在实施方式中，封装层400可以包括无机层和有机层可在其中进一步彼此顺序堆叠的结构。
在封装层400上设置感测绝缘层501、510和511以及感测电极540和541以感测触摸。在图17的实施方式中，可以通过使用两个感测电极540和541的电容方法来感测触摸。
例如，第一感测绝缘层501形成在封装层400上，并且感测电极540和541形成在第一感测绝缘层501上。感测电极540和541可以与插入其间的第二感测绝缘层510绝缘，并且其中的一些可以通过第二感测绝缘层510中的开口电连接。这里，感测电极540和541可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、钼(Mo)、钛(Ti)或钽(Ta)或其金属合金的金属，并且形成为单层或多层。第三感测绝缘层511形成在感测电极540上。
尽管图17示出了没有部件定位在第三感测绝缘层511上，但是可以附接具有偏振板的膜以减少外部光的反射，或者可以进一步形成滤色器或颜色转换层以改善颜色质量。光阻挡构件可以定位在滤色器或颜色转换层之间。在实施方式中，可以进一步设置包括吸收外部光之中的一些波长的光的材料(也称为反射调节材料)的层。在实施方式中，可以进一步设置另外的有机膜(也称为平坦化膜)来平坦化发光显示装置的前表面。
上面已经参考图17描述了总共形成三个有机膜181、182和183并且在第二有机膜和第三有机膜中形成阳极连接开口的实施方式。然而，可以形成至少两个有机膜，并且可以在远离衬底的上有机膜中形成阳极连接开口，并且可以在下有机膜中形成下有机膜开口。
图1和图10至图15中的上显示面板中的一个可以用作图17中的下显示面板的结构上的上显示面板。下显示面板的结构可以不同于图17的结构。
虽然上面已经详细描述了实施方式，但是本公开的范围不限于此，并且本领域普通技术人员使用在所附权利要求书中限定的本公开的概念进行的各种修改和改进应该被理解为在本公开的范围内。
尽管已经结合被认为是实际实施方式的内容描述了本公开，但是将理解，本发明不限于所公开的实施方式。相反，本公开旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

Claims (20)

1.发光显示装置，包括：
发光二极管，发射蓝光和绿光；
颜色转换层，在所述发光二极管上；以及
散射吸收层，透射蓝光和绿光并且设置在所述颜色转换层和所述发光二极管之间。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述发光二极管包括：
阳极；
阴极；以及
发射蓝光的三个发射层和发射绿光的发射层，发射蓝光的所述三个发射层和发射绿光的所述发射层设置在所述阳极和所述阴极之间。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层对可见光波长带中的光具有50％或更高的透射率。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，
所述发光二极管包括第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，
所述颜色转换层包括与所述第一发光二极管重叠的红色转换层和与所述第二发光二极管重叠的绿色转换层，以及
所述发光显示装置还包括与所述第三发光二极管重叠的透射层。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层与所述红色转换层重叠，并且包括蓝绿色滤色器。
6.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层与所述绿色转换层重叠，并且包括蓝绿色滤色器。
7.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层与所述红色转换层、所述绿色转换层和所述透射层重叠。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层包括蓝绿色滤色器。
9.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层是膜。
10.根据权利要求4所述的发光显示装置，还包括：
堤部分，设置在所述红色转换层、所述绿色转换层和所述透射层之间，并且包括黑色颜料。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置，还包括：
上衬底；
红色滤色器，设置在所述上衬底和所述红色转换层之间；
绿色滤色器，设置在所述上衬底和所述绿色转换层之间；以及
蓝色滤色器，设置在所述上衬底和所述透射层之间。
12.根据权利要求11所述的发光显示装置，还包括：
光阻挡区域，在所述光阻挡区域中，所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器彼此重叠，
其中，所述光阻挡区域中的所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器之中的所述蓝色滤色器最靠近所述上衬底。
13.根据权利要求12所述的发光显示装置，其中，
所述光阻挡区域对应于所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器的重叠部分，以及
所述发光显示装置还包括设置在所述红色滤色器和所述红色转换层之间、所述绿色滤色器和所述绿色转换层之间、以及所述蓝色滤色器和所述透射层之间的低折射率层。
14.根据权利要求11所述的发光显示装置，还包括：
光阻挡构件，设置在所述红色滤色器、所述绿色滤色器和所述蓝色滤色器之间。
15.根据权利要求1所述的发光显示装置，包括：
下显示面板，包括所述发光二极管；以及
上显示面板，包括所述颜色转换层和所述散射吸收层，其中，
所述上显示面板还包括间隔件，所述间隔件保持所述下显示面板和所述上显示面板之间的恒定间隙，并且由与所述散射吸收层相同的材料形成。
16.发光显示装置，包括：
发光二极管，发射蓝光；
颜色转换层，在所述发光二极管上；以及
散射吸收层，设置在所述颜色转换层和所述发光二极管之间，并且包括蓝色滤色器，
其中，所述发光二极管包括：
阳极；
阴极；以及
三个发射层，发射蓝光并且设置在所述阳极和所述阴极之间。
17.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述散射吸收层对可见光波长带中的光具有50％或更高的透射率。
18.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，
所述发光二极管包括第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管，
所述颜色转换层包括与所述第一发光二极管重叠的红色转换层和与所述第二发光二极管重叠的绿色转换层，
所述发光显示装置还包括与所述第三发光二极管重叠的透射层，以及
所述散射吸收层与所述红色转换层重叠。
19.根据权利要求18所述的发光显示装置，还包括：
上衬底；
红色滤色器，设置在所述上衬底和所述红色转换层之间；
绿色滤色器，设置在所述上衬底和所述绿色转换层之间；以及
另一蓝色滤色器，设置在所述上衬底和所述透射层之间。
20.根据权利要求16所述的发光显示装置，包括：
下显示面板，包括所述发光二极管；以及
上显示面板，包括所述颜色转换层和所述散射吸收层，其中，
所述上显示面板还包括间隔件，所述间隔件保持所述下显示面板和所述上显示面板之间的恒定间隙，并且由与所述散射吸收层相同的材料形成。
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