CN218959392U - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了显示装置。根据实施方式的显示装置包括衬底、布置在衬底上的晶体管、电连接到晶体管的发光器件、布置在发光器件上的封装层、布置在封装层上并且包括与发光器件重叠的开口的分隔壁以及在开口中彼此顺序地堆叠的颜色转换层、低折射率层和滤色器。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月16日提交到韩国知识产权局(KIPO)的第10-2021-0180602号韩国专利申请的优先权及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置和显示装置的制造方法。
背景技术
显示装置为用于显示图像的装置。实例可包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和类似物。显示装置可用于诸如移动电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏机和各种终端机的各种电子装置中。
有机发光装置可包括两个电极和定位在两个电极之间的有机发射层，并且从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴可在有机发射层上结合以生成激子。在激子从激发态改变到基态的情况下，激子输出能量并且发射光。
近来，出于减少光损失和实现具有高颜色再现性的显示装置的目的，已提出了还包括颜色转换面板的显示装置。颜色转换面板可包括诸如量子点的半导体纳米晶体，并且可将入射光转换为不同颜色。颜色转换面板还可包括散射体。
有机发光装置可通过将可形成有发光器件的显示面板与颜色转换面板组合来形成。由于部件可分别形成在两个衬底上，并且它们可彼此接合以实现显示装置，因此显示装置可能变厚，可能生成光损失，并且可能增加制造成本。
在本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此这部分可包含不形成在本国对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
实用新型内容
所描述的技术致力于提供用于减小显示装置的厚度、减少显示装置的光损失和制造成本的显示装置以及显示装置的制造方法。
所描述的技术又致力于提供用于平坦化显示装置的上侧并且防止在表面上产生漫反射的显示装置和显示装置的制造方法。
实施方式提供显示装置，该显示装置包括衬底、布置在衬底上的晶体管、电连接到晶体管的发光器件、布置在发光器件上的封装层、布置在封装层上并且包括与发光器件重叠的开口的分隔壁以及在开口中彼此顺序地堆叠的颜色转换层、低折射率层和滤色器。
分隔壁可包括与第一像素的发光器件重叠的第一开口、与第二像素的发光器件重叠的第二开口以及与第三像素的发光器件重叠的第三开口。
第一颜色转换层、低折射率层和第一滤色器可布置在第一开口中，第二颜色转换层、低折射率层和第二滤色器可布置在第二开口中，并且透射层、低折射率层和第三滤色器可布置在第三开口中。
低折射率层可布置在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上，并且低折射率层可布置在分隔壁的侧面上。
低折射率层可不布置在分隔壁的上侧(在本文中可是指上表面)上。
第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器可不彼此重叠。
第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器可不布置在分隔壁的上侧上。
显示装置还可包括布置在第一开口、第二开口和第三开口中的第一覆盖层和第二覆盖层。第一覆盖层可布置在第一颜色转换层与低折射率层之间、第二颜色转换层与低折射率层之间以及透射层与低折射率层之间，并且第二覆盖层可布置在低折射率层与第一滤色器之间、低折射率层与第二滤色器之间以及低折射率层与第三滤色器之间。
第一覆盖层和第二覆盖层可布置在分隔壁的上侧上。
显示装置还可包括布置在第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器和分隔壁上的外覆层。
另一实施方式提供用于制造显示装置的方法。该方法可包括：在衬底上形成晶体管和与晶体管电连接的发光器件；在发光器件上形成封装层；在封装层上形成用于形成分隔壁的层；通过图案化用于形成分隔壁的层来形成与发光器件重叠的开口；在开口中形成颜色转换层；在开口中形成低折射率层；以及在开口中形成滤色器。
形成颜色转换层、形成低折射率层以及形成滤色器可通过使用喷墨印刷工艺来执行。
图案化用于形成分隔壁的层可包括形成与第一像素的发光器件重叠的第一开口、与第二像素的发光器件重叠的第二开口以及与第三像素的发光器件重叠的第三开口。
形成颜色转换层可包括：通过将不同的墨水材料滴落在第一开口、第二开口和第三开口中，在第一开口中形成第一颜色转换层、在第二开口中形成第二颜色转换层以及在第三开口中形成透射层。
形成低折射率层可包括：通过将相同的墨水材料滴落在第一开口、第二开口和第三开口中，在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上形成低折射率层。
低折射率层可布置在分隔壁的侧面上，并且低折射率层可不布置在分隔壁的上侧上。
形成滤色器可包括：通过将不同的墨水材料滴落在第一开口、第二开口和第三开口中，在第一开口中形成第一滤色器、在第二开口中形成第二滤色器以及在第三开口中形成第三滤色器。第一滤色器、第二滤色器和第三滤色可布置在低折射率层上。
第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器可不彼此重叠，并且第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器可不布置在分隔壁的上侧上。
该方法还可包括：在形成低折射率层之前，在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上形成第一覆盖层；以及在形成低折射率层之后，在低折射率层上形成第二覆盖层。
该方法还可包括：在第一滤色器、第二滤色器、第三滤色器和分隔壁上形成外覆层。
实施方式提供显示装置，该显示装置可包括：发光器件；封装层，封装层布置在发光器件上；分隔壁，分隔壁布置在封装层上并且包括与发光器件重叠的开口；以及颜色转换层、低折射率层和滤色器，颜色转换层、低折射率层和滤色器在开口中彼此顺序地堆叠。
根据实施方式，诸如发光器件和颜色转换层的部件可形成在一个衬底上，从而减小显示装置的厚度、减少显示装置的光损失和制造成本。
此外，显示装置的上侧可被平坦化，从而防止在表面上产生漫反射。
附图说明
图1示意性地示出了根据实施方式的显示装置的剖视图。
图2至图5、图10和图11示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的工艺的顺序的剖视图。
图6和图8示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的工艺中的层的平坦表面。
图7和图9示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的工艺中的层的剖视图。
图12示意性地示出了根据实施方式的显示装置的剖视图。
图13示意性地示出了根据实施方式的显示装置的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照示出了本公开的实施方式的附图对本公开更全面地描述。如本领域普通技术人员将意识到的是，所描述的实施方式可在所有不背离本公开的精神或范围的情况下以各种不同的方式进行修改。
除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。
出于其含义和解释的目的，在说明书和权利要求书中，短语“至少一个”旨在包括“选自......的集群中的至少一个”。例如，“A和B中的至少一个”可被理解为意味着“A、B、或者A和B”。出于其含义和解释的目的，在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可被理解为意味着“A、B、或者A和B”。术语“和”和“或”可以结合或分离的方式来使用，并且可被理解为等同于“和/或”。
对描述可能不太有帮助的部分将被省略以更清楚地描述本公开，并且在整个说明书中，相同的元件将由相同的附图标记来指定。
为了更好地理解和易于描述，附图中所示的每个配置的尺寸和厚度可被任意地示出，但本公开不限于此。
将理解的是，当诸如层、膜、区或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，该元件能够直接在另一元件上，或者也可存在居中元件。相反，当元件被称为“直接”在另一元件“上”时，则可不存在居中元件。术语诸如“上(on)”、“上方”、“上(upper)”、“下”、“侧”和类似词为空间相对概念，并且仅为了易于描述而使用。例如，术语“上(on)”或“上方(above)”意味着定位在对象部上或下方，并且不必意味着基于重力方向定位在对象部的上侧上。
将理解的是，术语“连接到(connected to)”或“联接到(coupled to)”可包括物理或电的连接或联接。
术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可在第二对象上方或下方、或者向着第二对象的一侧，并且反之亦然。附加地，术语“重叠”可包括层叠、堆叠、面对(face)或面对(facing)、在……上方延伸、覆盖或部分覆盖、或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被描述为与另一元件“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(notoverlap)”时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开、或者如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
除非明确相反地描述，否则术语诸如“包括(comprise)”、“具有(has)”、“具有(having)”和“包括(includes)”以及其变体将被理解为意图包括所陈述的元件，而不排除任何其它元件。
短语“在平面视图中”意味着从一位置观察对象部，例如，从顶部位置观察。短语“在剖视图中”意味着从一位置观察对象部被切割的剖面，例如，从一侧观察竖直切割视图。
考虑到有关测量和与特定数量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)，如本文中所使用的“约(about)”或者“近似(approximately)”或者“基本上(substantially)”包括所陈述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约(about)”可意味着在一个或者多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在本文中明确地如此限定，否则术语(诸如常用词典中限定的那些)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或者过于正式的意义来解释。
现在将参照图1对根据实施方式的显示装置进行描述。
图1示意性地示出了根据实施方式的显示装置的剖视图。
如图1中所示，根据实施方式的显示装置可包括衬底110、定位(布置)在衬底110上的晶体管TFT以及连接到晶体管TFT的发光器件ED。
衬底110可包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素和醋酸丙酸纤维素中的至少一种。衬底110可为刚性衬底或可弯折、折叠或卷曲的柔性衬底。衬底110可为单层或多层。衬底110可通过将包括顺序地堆叠的聚合物树脂的至少一个基础层和至少一个有机层交替地堆叠来制成。
衬底110的表面可制成平坦的。缓冲层111可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。缓冲层111可具有该材料的单层结构或多层结构。衬底110上还可定位有阻挡层(未示出)。阻挡层可定位在衬底110与缓冲层111之间。阻挡层可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。阻挡层可具有该材料的单层结构或多层结构。
阻光层177可定位在缓冲层111上。阻光层177可阻挡向半导体131输入的光。阻光层177可与半导体131重叠，并且可具有比半导体131更大的宽度。
绝缘层113可定位在阻光层177上。绝缘层113可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。绝缘层113可通过阻挡杂质从衬底110流入半导体131来改善半导体131的特性。
半导体131可定位在绝缘层113上。半导体131可包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一个。例如，半导体131可包括低温多晶硅(LTPS)和/或包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)或其组合中的至少一种的氧化物半导体材料。例如，半导体131可包括氧化铟镓锌(IGZO)。半导体131可包括通过是否可掺杂杂质来区分的沟道区、源区和漏区。源区和漏区可具有与导体对应的导电特性。
栅极绝缘层120可定位在半导体131上。栅极绝缘层120可具有单层结构或多层结构。栅极绝缘层120可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。栅极绝缘层120可覆盖半导体131的至少一部分。例如，栅极绝缘层120可与半导体131的沟道区重叠。栅极绝缘层120可不与半导体131的源区和漏区重叠。然而，不限于此，栅极绝缘层120可大面积覆盖半导体131。栅极绝缘层120可在衬底110上大面积定位。
栅电极124可定位在栅极绝缘层120上。栅电极124可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)的金属或其金属合金。栅电极124可配置为单层或多层。在平面视图中半导体131的与栅电极124重叠的区可为沟道区。在形成栅电极124的情况下，可执行掺杂工艺或等离子体工艺。半导体131的由栅电极124覆盖的部分可不被掺杂或不被等离子体处理，并且半导体131的未由栅电极124覆盖的部分可被掺杂或被等离子体处理从而具有与导体相同的特性。例如，半导体131的源区和漏区可不与栅电极124重叠，并且可被掺杂或被等离子体处理为具有与导体相同的特性。
第一层间绝缘层160可定位在栅电极124上。第一层间绝缘层160可在衬底110上大面积形成。例如，第一层间绝缘层160可覆盖栅极绝缘层120、半导体131和绝缘层113。第一层间绝缘层160可具有单层结构或多层结构。第一层间绝缘层160可包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。
源电极173和漏电极175可定位在第一层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175可包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)或钽(Ta)的金属或其金属合金。源电极173和漏电极175可配置为单层或多层。源电极173和漏电极175可配置成包括上层、中间层和下层的三层，并且上层和下层可包括钛(Ti)，并且中间层可包括铝(Al)。
第一层间绝缘层160可包括与源电极173和半导体131的源区重叠的开口。源电极173可通过形成在第一层间绝缘层160中的开口而连接到半导体131的源区。第一层间绝缘层160可包括与漏电极175和半导体131的漏区重叠的开口。漏电极175可通过形成在第一层间绝缘层160中的开口而连接到半导体131的漏区。第一层间绝缘层160还可包括与漏电极175和阻光层177重叠的开口。开口可在绝缘层113中制成。漏电极175可通过在第一层间绝缘层160和绝缘层113中制成的开口而连接到阻光层177。
以上提到的半导体131、栅电极124、源电极173和漏电极175可配置一个晶体管TFT。根据实施方式，晶体管TFT可包括半导体131的源区和漏区，而不是源电极173和漏电极175。
根据实施方式的显示装置可包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。示出了一个第一像素PX1、一个第二像素PX2和一个第三像素PX3，并且在不限于此的情况下，根据实施方式的显示装置可包括多个第一像素PX1、多个第二像素PX2和多个第三像素PX3。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以各种方式布置。一个晶体管TFT示出为布置在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个中，并且在不限于此的情况下，多个晶体管TFT可定位在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个中。例如，开关晶体管和驱动晶体管可定位在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个中。虽未示出，但至少一个电容器可定位在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个中。
第二层间绝缘层180可定位在源电极173和漏电极175上。第二层间绝缘层180可覆盖源电极173、漏电极175和第一层间绝缘层160。第二层间绝缘层180可平坦化衬底110的可安装有晶体管TFT的表面，可为有机绝缘体，并且可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚树脂中的至少一种材料。
像素电极191可定位在第二层间绝缘层180上。像素电极191也可被称为阳极，并且可为包括透明导电氧化物膜或金属材料的单层、或者包括透明导电氧化物膜或金属材料的多层。透明导电氧化物膜可包括氧化铟锡(ITO)、聚ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)。金属材料可包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和/或铝(Al)。
第二层间绝缘层180可包括与像素电极191和漏电极175重叠的开口。像素电极191可通过第二层间绝缘层180的开口而连接到漏电极175。相应地，像素电极191可从漏电极175接收待传输到发射层370的输出电流。
坝层350可定位在像素电极191和第二层间绝缘层180上。坝层350也可被称为像素限定层(PDL)，并且包括与像素电极191的至少一部分重叠的像素开口351。像素开口351可与像素电极191的中心部重叠，并且可不与像素电极191的边缘重叠。因此，像素开口351可小于像素电极191。坝层350可将发射层370的形成位置分隔，以使得发射层370可定位在像素电极191的上侧可被暴露的部分上。坝层350可为包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚树脂中的至少一种材料的有机绝缘体。根据实施方式，坝层350可用包括黑色颜料的黑色像素限定层(BPDL)来形成。
坝层350可定位在第一像素PX1与第二像素PX2之间、第二像素PX2与第三像素PX3之间以及第三像素PX3与第一像素PX1之间的边界上。例如，坝层350可定位在像素之中的边界上。
多个像素开口351可在平面视图中各自具有与像素电极191相似的形状。例如，像素开口351和像素电极191可在平面视图中基本上具有多边形形状。像素开口351和像素电极191的拐角可被倒圆。像素开口351和像素电极191的形状不限于此，并且可以许多方式修改。
在这种情况下，与相应的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3对应的多个像素电极191可在平面视图中具有不同的尺寸。以类似的方式，与相应的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3对应的多个像素开口351可在平面视图中具有不同的尺寸。例如，与第一像素PX1对应的像素开口351和像素电极191可在平面视图中具有比与第二像素PX2对应的像素开口351和像素电极191更大的尺寸。与第一像素PX1对应的像素开口351和像素电极191可在平面视图中具有比与第三像素PX3对应的像素开口351和像素电极191更小的尺寸或者相似于与第三像素PX3对应的像素开口351和像素电极191的尺寸。然而，不限于此，相应的像素开口351和像素电极191可设置为具有各种尺寸。
发射层370可定位在由坝层350分隔的像素开口351中。然而，不限于此，发射层370可定位在坝层350上以及像素开口351中。例如，发射层370可在衬底110上大面积形成。发射层370可凭借通过使用与显示区域对应的部分可开放的开口掩模执行沉积工艺来形成。发射层370可包括低分子或聚合物有机材料。发射层370示出为单层，并且实际上，在发射层370上方/下方可包括诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层。空穴注入层和空穴传输层可定位在发射层370的下部上，并且电子传输层和电子注入层可定位在发射层370的上部上。在发射层370上还可定位有另一发射层。例如，至少两个发射层370可彼此堆叠。
虽未示出，但在坝层350上还可定位有间隔件。间隔件可包括与坝层350相同的材料。然而，不限于此，间隔件可由可与坝层350的材料不同的材料制成。间隔件可为包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酰树脂、苯并环丁烯和酚树脂中的至少一种材料的有机绝缘体。
公共电极270可定位在坝层350和发射层370上。相应的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的公共电极270可彼此连接。公共电极270可在衬底110上形成为大体彼此连接。公共电极270也可被称为阴极，并且可由包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层制成。公共电极270可由诸如银(Ag)、镁(Mg)或其混合物的金属材料制成。公共电极270的厚度可调节成形成为透明导电层。公共电极270可具有半透明特性，并且可与像素电极191一起配置微腔。
像素电极191、发射层370和公共电极270可配置发光器件ED。在第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中，与像素电极191、发射层370和公共电极270重叠的部分可成为相应的发光器件ED的发光区。
封装层400可定位在公共电极270上。封装层400可包括至少一个无机膜和/或至少一个有机膜。在实施方式中，封装层400可包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。然而，配置封装层400的无机膜和有机膜的数量可以许多方式修改。根据实施方式的显示装置可包括用于显示画面的显示区域和用于围绕显示区域的外围区域。第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430可定位在显示区域和外围区域的一部分中。根据实施方式，有机封装层420可形成在显示区域周围，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430可形成直到外围区域。封装层400可保护发光器件ED免受可从外部输入的湿气或氧的影响，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430的端部可形成为彼此直接接触。
分隔壁265可定位在封装层400上。分隔壁265可与坝层350重叠。分隔壁265可定位在相应的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的边界上。分隔壁265可由感光树脂制成。分隔壁265可包括着色颜料，诸如黑色颜料或蓝色颜料。分隔壁265的厚度可等于或大于约10μm并且等于或小于约20μm。分隔壁265的宽度可随着远离封装层400而逐渐减小。分隔壁265的宽度可随着远离衬底110而逐渐减小。然而，不限于此，分隔壁265的宽度可为恒定的。在又一实施方式中，分隔壁265的宽度可随着远离衬底110而逐渐增加。
分隔壁265可包括开口267a、267b和267c。开口267a、267b和267c可包括第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c。第一开口267a可与第一像素PX1的发光器件ED的发光区重叠，第二开口267b可与第二像素PX2的发光器件ED的发光区重叠，并且第三开口267c可与第三像素PX3的发光器件ED的发光区重叠。分隔壁265的开口267a、267b和267c可与坝层350的像素开口351重叠。第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c可通过分隔壁265彼此分离。例如，第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c可由分隔壁265围绕。
第一颜色转换层520a可定位在第一开口267a中，第二颜色转换层520b可定位在第二开口267b中，并且透射层520c可定位在第三开口267c中。
第一颜色转换层520a可将从第一像素PX1的发光器件ED输入的光转换为具有第一波长的光。具有第一波长的光可为具有约600nm至约650nm(例如，约620nm至约650nm)的最大发光峰值波长的红色光。第一颜色转换层520a可包括第一量子点521a和散射体530。
第二颜色转换层520b可将从第二像素PX2的发光器件ED输入的光转换为具有第二波长的光。具有第二波长的光可为具有约500nm至约550nm(例如，约510nm至约550nm)的最大发光峰值波长的绿色光。第二颜色转换层520b可包括第二量子点521b和散射体530。
透射层520c可透射从第三像素PX3的发光器件ED输入的光。透射过透射层520c的光可为具有第三波长的光。具有第三波长的光可为具有约380nm至约480nm(例如，等于或大于约420nm、等于或大于约430nm、等于或大于约440nm、或者等于或大于约445nm并且等于或小于约470nm、等于或小于约460nm、或者等于或小于约455nm)的最大发光峰值波长的蓝色光。透射层520c可包括散射体530。
散射体530可通过散射输入到第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c的光来增加光效率。
第一量子点521a和第二量子点521b(也被称为半导体纳米晶体)可独立地包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。量子点(例如，第一量子点521a和第二量子点521b中的至少一个，下文中类似于此)可不包括镉。
II-VI族化合物可从选自CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS或其组合之中的二元化合物、选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS或其组合之中的三元化合物以及选自CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe或其组合之中的四元化合物选择。II-VI族化合物还可包括III族金属。
III-V族化合物可从选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb或其组合之中的二元化合物、选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb或其组合之中的三元化合物以及选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb或其组合之中的四元化合物选择。III-V族化合物还可包括II族金属(例如，InZnP)。
IV-VI族化合物可从选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe或其组合之中的二元化合物、选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe或其组合之中的三元化合物以及选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe或其组合之中的四元化合物选择。
IV族元素或化合物可从选自Si、Ge或其组合之中的单一元素材料以及选自SiC、SiGe或其组合之中的二元化合物选择，并且不限于此。
I-III-VI族化合物的实例包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS，但不限于此。
I-II-IV-VI族化合物的实例包括CuZnSnSe和CuZnSnS，但不限于此。IV族元素或化合物可为选自Si、Ge或其组合之中的单一元素、或者选自SiC、SiGe或其组合之中的二元化合物。
II-III-VI族化合物可选自ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnGaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe及其组合之中，但不限于此。
I-II-IV-VI族化合物可选自CuZnSnSe和CuZnSnS之中，但不限于此。
在实施方式中，量子点可不包括镉。量子点可包括基于包括铟和磷的III-V族化合物的半导体纳米晶体。III-V族化合物还可包括锌。量子点可包括基于包括硫族元素(例如，硫、硒、碲或其组合)和锌的II-VI族化合物的半导体纳米晶体。
关于量子点，上述的二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以均匀的浓度存在于粒子中，或者可以部分地划分为一些状态的浓度分布存在于相同的粒子中。此外，颜色转换介质层(例如，可包括第一颜色转换层520a和第二颜色转换层520b)可具有一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核与壳之间的界面可具有使得存在于壳中的元素的浓度可在其中心附近逐渐降低的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可具有包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳的核-壳结构。量子点的壳可用作用于通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层和/或用于向量子点提供电泳特性的充电层。壳可为单层或多层。核与壳之间的界面可具有使得存在于壳中的元素的浓度可在其中心附近逐渐降低的浓度梯度。量子点的壳的实例包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可包括诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和/或NiO的二元化合物、或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和/或CoMn2O4的三元化合物，但本公开不限于此。
半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb，并且本公开不限于此。
核与壳之间的界面可具有使得存在于壳中的元素的浓度可在其中心附近逐渐降低的浓度梯度。半导体纳米晶体可具有包括半导体纳米晶体核和围绕半导体纳米晶体核的多层的壳的结构。在实施方式中，多层的壳可具有两层或更多层，例如，两层、三层、四层、五层或更多层。壳的两个相邻层可具有单一成分或不同成分。在多层的壳中，每个层可具有沿半径变化的成分。
量子点可具有可小于约45nm、小于约40nm或小于约30nm的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且颜色纯度或颜色再现性可在这个范围内改善。此外，通过量子点发射的光可在所有方向上输出，从而改善光视角。
关于量子点，壳材料和核材料可具有不同的能带隙。例如，壳材料的能带隙可大于核材料的能带隙。在另一实施方式中，壳材料的能带隙可小于核材料的能带隙。量子点可具有多层的壳。关于多层的壳，外层的能带隙可大于内层(即，可靠近核的层)的能带隙。关于多层的壳，外层的能带隙可小于内层的能带隙。
量子点可通过调节其成分和大小来调节吸收/发射波长。量子点的最大发光峰值波长可具有从紫外到红外或更高的波长范围。
量子点可包括有机配体(例如，具有疏水残基和/或亲水残基)。有机配体残基可结合到量子点的表面。有机配体可包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或其组合，并且此处，R可独立地为C3至C40取代或未取代的脂肪烃基团(诸如C3至C40(例如，C5至C24)取代或未取代的烷基基团或取代或未取代的烯基基团)、C6至C40(例如，C6至C20)取代或未取代的芳香烃基团(诸如C6至C40取代或未取代的芳基基团)、或其组合。
有机配体的实例可包括诸如甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇和/或苄硫醇的硫醇化合物、诸如甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二烷胺、十六烷胺、十八烷胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺和/或三辛胺的胺、诸如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、十八烷酸、油酸和/或苯甲酸的羧酸化合物、诸如甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦和/或三辛基膦的膦化合物、诸如甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化膦和/或三辛基氧化膦的膦化合物或其氧化物化合物、二苯基膦或三苯基膦化合物或其氧化物化合物、诸如己基次膦酸、辛基次膦酸、十二烷次膦酸、十四烷次膦酸、十六烷次膦酸和/或十八烷次膦酸的C5至C20烷基次膦酸以及C5至C20烷基膦酸。量子点可包括单独的有机配体或作为至少一种的混合物的有机配体。疏水有机配体可不包括可光聚合的残基(例如，丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯)。
低折射率层240可定位在第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c上。低折射率层240可定位在第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中。低折射率层240可在第一开口267a中定位在第一颜色转换层520a上，并且可覆盖分隔壁265的侧面。低折射率层240可在第二开口267b中定位在第二颜色转换层520b上，并且可覆盖分隔壁265的侧面。低折射率层240可在第三开口267c中定位在透射层520c上，并且可覆盖分隔壁265的侧面。低折射率层240可包括具有低折射率的有机材料或无机材料。例如，低折射率层240的折射率可等于或大于约1.1并且等于或小于约1.3。
第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可定位在低折射率层240上。第一滤色器230a可定位在第一开口267a中，第二滤色器230b可定位在第二开口267b中，并且第三滤色器230c可定位在第三开口267c中。
第一滤色器230a可透射具有第一波长的光并且可吸收具有其它波长的光，因此第一滤色器230a可增加排到显示装置的外部的具有第一波长的光的纯度。第一滤色器230a可在第一开口267a中由低折射率层240围绕。第一滤色器230a的底面和侧面可与低折射率层240接触。第一滤色器230a可不与分隔壁265接触。第一滤色器230a可与第一颜色转换层520a重叠。低折射率层240可定位在第一滤色器230a与第一颜色转换层520a之间。
第二滤色器230b可透射具有第二波长的光并且可吸收具有其它波长的光，因此第二滤色器230b可增加排到显示装置的外部的具有第二波长的光的纯度。第二滤色器230b可在第二开口267b中由低折射率层240围绕。第二滤色器230b的底面和侧面可与低折射率层240接触。第二滤色器230b可不与分隔壁265接触。第二滤色器230b可与第二颜色转换层520b重叠。低折射率层240可定位在第二滤色器230b与第二颜色转换层520b之间。
第三滤色器230c可透射具有第三波长的光并且可吸收具有其它波长的光，因此第三滤色器230c可增加排到显示装置的外部的具有第三波长的光的纯度。第三滤色器230c可在第三开口267c中由低折射率层240围绕。第三滤色器230c的底面和侧面可与低折射率层240接触。第三滤色器230c可不与分隔壁265接触。第三滤色器230c可与透射层520c重叠。低折射率层240可定位在第三滤色器230c与透射层520c之间。
第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c已被描述为不与分隔壁265接触，但不限于此。根据情况，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少一些可与分隔壁265接触。
分隔壁265的厚度可对应于第一颜色转换层520a、低折射率层240和第一滤色器230a的厚度。例如，分隔壁265的厚度可等于或大于第一颜色转换层520a、低折射率层240和第一滤色器230a的厚度之和。分隔壁265的厚度可对应于第二颜色转换层520b、低折射率层240和第二滤色器230b的厚度。例如，分隔壁265的厚度可等于或大于第二颜色转换层520b、低折射率层240和第二滤色器230b的厚度之和。分隔壁265的厚度可对应于透射层520c、低折射率层240和第三滤色器230c的厚度。例如，分隔壁265的厚度可等于或大于透射层520c、低折射率层240和第三滤色器230c的厚度之和。
外覆层290可定位在第一滤色器230a、第二滤色器230b、第三滤色器230c和分隔壁265上。外覆层290可包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。外覆层290可具有材料的单层结构或多层结构。外覆层290可平坦化第一滤色器230a、第二滤色器230b、第三滤色器230c和分隔壁265的上侧。
关于根据实施方式的显示装置，晶体管TFT、发光器件ED、颜色转换层520a和520b(即，第一颜色转换层520a和第二颜色转换层520b，下文中类似于此)、透射层520c以及滤色器230a、230b和230c(即，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c，下文中类似于此)可形成在一个衬底110上。根据实施方式的显示装置可不通过在附加衬底上形成颜色转换层520a和520b、透射层520c以及滤色器230a、230b和230c并且通过使用填充层将其接合来制成。因此，在封装层400与颜色转换层之间可以不定位有另一填充层。在滤色器230a、230b和230c上可不定位有附加衬底。由于如上所述可不使用用于形成颜色转换层520a和520b的附加衬底，因此可减小显示装置的整体厚度。光损失可通过减小发光器件ED与颜色转换层520a和520b之间的距离以及发光器件ED与透射层520c之间的距离来减少。用于制造显示装置的工艺也可被简化，并且制造成本可被降低。
滤色器230a、230b和230c可形成在分隔壁265的开口267a、267b和267c中，因此滤色器230a、230b和230c可在相应的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的边界上不彼此重叠。因此，滤色器230a、230b和230c的上侧可为平坦的。滤色器230a、230b和230c的上侧以及分隔壁265的上侧可为平坦的。因此，外覆层290的上侧可为平坦的，并且可防止在显示装置的表面上产生漫反射。
低折射率层240可覆盖开口267a、267b和267c中的分隔壁265的侧面，因此向分隔壁265的侧面输入的光可被全反射并且可被排到前面。因此，向显示装置的前面发射光的效率可增加。
现在将参照图2至图11连同图1对根据实施方式的用于制造显示装置的方法进行描述。
图2至图5、图10和图11示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的工艺的顺序的剖视图。图6和图8示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的工艺中的层的平坦表面，并且图7和图9示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的工艺中的层的剖视图。
如图2中所示，可在衬底110上形成晶体管TFT，并且可形成连接到晶体管TFT的发光器件ED。
可在衬底110上沉积诸如金属材料的导电材料，并且可执行光刻工艺从而形成阻光层177、栅电极124、源电极173、漏电极175、像素电极191和公共电极270。可通过形成半导体材料层并且执行光刻工艺来形成半导体131。可通过使用无机绝缘材料或有机绝缘材料来形成缓冲层111、绝缘层113、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层160和第二层间绝缘层180。可通过使用发光材料来形成发射层370。
在形成公共电极270的情况下可在衬底110上大面积形成封装层400。可顺序地形成第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
如图3中所示，可通过使用包括诸如黑色颜料或蓝色颜料的着色颜料的光敏树脂在封装层400上形成分隔壁265。用于形成分隔壁265的层可在封装层400上大面积形成并且可被图案化以形成开口267a、267b和267c，并且可执行固化工艺。可形成与第一像素PX1的发光器件ED重叠的第一开口267a、与第二像素PX2的发光器件ED重叠的第二开口267b和与第三像素PX3的发光器件ED重叠的第三开口267c。第一开口267a可与第一像素PX1的像素开口351重叠，第二开口267b可与第二像素PX2的像素开口351重叠，并且第三开口267c可与第三像素PX3的像素开口351重叠。
分隔壁265的侧面可具有锥形形状。例如，分隔壁265的侧面可相对于封装层400的上侧具有倾斜角。分隔壁265的宽度可随着远离封装层400而逐渐减小。开口267a、267b和267c的宽度可随着远离封装层400而逐渐增加。
如图4中所示，通过执行喷墨印刷工艺，可在第一开口267a中形成第一颜色转换层520a，可在第二开口267b中形成第二颜色转换层520b，并且可在第三开口267c中形成透射层520c。
不同的墨水材料可滴落到第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中。可通过使用包括喷嘴的喷墨印刷装置来执行喷墨印刷工艺，并且可在移动喷嘴的同时将墨水材料滴落到开口267a、267b和267c中。根据情况，在喷嘴的位置上可能存在误差，并且墨水材料可能滴落到开口267a、267b和267c的外部。墨水材料可滴落在分隔壁265的上侧上。分隔壁265的上侧可为排斥性的以便具有疏水性能。因此，滴落在分隔壁265的上侧上的墨水材料可移动到开口267a、267b和267c中。
第一颜色转换层520a可包括第一量子点521a和散射体530。第二颜色转换层520b可包括第二量子点521b和散射体530。透射层520c可包括散射体530。
如图5中所示，可通过执行喷墨印刷工艺在第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中形成低折射率层240。低折射率层240可由具有低折射率的材料制成。低折射率层240可包括具有等于或大于约1.1并且等于或小于约1.3的低折射率的有机材料和/或无机材料。
可在第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中滴落相同的墨水材料。可通过使用包括喷嘴的喷墨印刷装置来执行喷墨印刷工艺，并且可在移动喷嘴的同时将墨水材料滴落到开口267a、267b和267c中。在第一开口267a中，低折射率层240可定位在第一颜色转换层520a上并且可覆盖分隔壁265的侧面。在第二开口267b中，低折射率层240可定位在第二颜色转换层520b上并且可覆盖分隔壁265的侧面。在第三开口267c中，低折射率层240可定位在透射层520c上并且可覆盖分隔壁265的侧面。低折射率层240可不形成在分隔壁265的上侧上。
现在将参照图6至图9对第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中的低折射率层240的形状进行描述。图6示出了在平面视图中开口的形状，并且图7示出了开口的剖面形状。图8示出了形成在开口中的低折射率层的平面形状，并且图9示出了形成在开口中的低折射率层的剖面形状。
如图6中所示，开口的平面形状可基本上为矩形。如图7中所示，开口的剖面形状可具有分隔壁的侧面具有陡峭斜面的形式。
如图8和图9中所示，低折射率层可形成在开口中的地面侧上以及分隔壁的侧面SS上。这可能是因为用于形成低折射率层的墨水材料可通过毛细管现象填充在具有强表面张力的分隔壁的边缘和侧面SS上。由此，定位在分隔壁的侧面SS上的低折射率层的倾斜度可低于分隔壁的侧面SS的倾斜度。
通过由喷墨印刷方案形成低折射率层240，低折射率层240可定位在分隔壁265的侧面上。因此，向分隔壁265的侧面输入的光可由低折射率层240全反射并且可被排到前面，并且向显示装置的前面发射光的效率可增加。
如图10中所示，通过执行喷墨印刷工艺，可在第一开口267a中形成第一滤色器230a，可在第二开口267b中形成第二滤色器230b，并且可在第三开口267c中形成第三滤色器230c。
不同的墨水材料可滴落到第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中。可通过使用包括喷嘴的喷墨印刷装置来执行喷墨印刷工艺，并且可在移动喷嘴的同时将墨水材料滴落到开口267a、267b和267c中。
第一滤色器230a可在第一开口267a中定位在低折射率层240上。第一滤色器230a的底面和侧面可与低折射率层240接触。第一滤色器230a可与第一颜色转换层520a重叠。第一滤色器230a可由用于透射具有第一波长的光并且吸收具有其它波长的光的墨水材料制成。
第二滤色器230b可在第二开口267b中定位在低折射率层240上。第二滤色器230b的底面和侧面可与低折射率层240接触。第二滤色器230b可与第二颜色转换层520b重叠。第二滤色器230b可由用于透射具有第二波长的光并且吸收具有其它波长的光的墨水材料制成。
第三滤色器230c可在第三开口267c中定位在低折射率层240上。第三滤色器230c的底面和侧面可与低折射率层240接触。第三滤色器230c可与透射层520c重叠。第三滤色器230c可由用于透射具有第三波长的光并且吸收具有其它波长的光的墨水材料制成。
第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可不彼此重叠。第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可不与分隔壁265重叠。第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可不形成在分隔壁265的上侧上。第一滤色器230a可定位在第一开口267a中并且可不定位在第一开口267a的外侧上。第二滤色器230b可定位在第二开口267b中并且可不定位在第二开口267b的外侧上。第三滤色器230c可定位在第三开口267c中并且可不定位在第三开口267c的外侧上。分隔壁265可定位在第一滤色器230a与第二滤色器230b之间、第二滤色器230b与第三滤色器230c之间以及第三滤色器230c与第一滤色器230a之间。分隔壁265可用作阻光构件。低折射率层240可定位在第一滤色器230a的侧面与分隔壁265的侧面之间。低折射率层240可定位在第二滤色器230b的侧面与分隔壁265的侧面之间。低折射率层240可定位在第三滤色器230c的侧面与分隔壁265的侧面之间。
低折射率层240、第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可通过使用喷墨印刷工艺形成在开口267a、267b和267c中，而不是通过使用光刻工艺。因此，可降低用于形成低折射率层240、第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c的材料成本和加工成本。例如，在以为33％的开口267a、267b和267c的面积比和为67％的分隔壁265的面积比来执行喷墨印刷工艺的情况下，低折射率层240的材料成本可降低约66％，并且滤色器230a、230b和230c的材料成本可降低约90％。
通过不允许第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c彼此重叠，可不产生在相邻的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之中的台阶，并且根据实施方式的显示装置的上侧可制成平坦的。
如图11中所示，可在第一滤色器230a、第二滤色器230b、第三滤色器230c和分隔壁265上形成外覆层290。外覆层290可通过使用无机绝缘材料或有机绝缘材料形成，并且外覆层290可在衬底110上大面积形成。外覆层290可大面积覆盖第一滤色器230a、第二滤色器230b、第三滤色器230c和分隔壁265并且可使它们平坦。定位在外覆层290下方的第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可不彼此重叠，因此可增加外覆层290的上侧的平坦度。因此，可防止在显示装置的表面上产生漫反射。
现在将参照图12对根据实施方式的显示装置和显示装置的制造方法进行描述。
根据参照图12描述的实施方式的显示装置和显示装置的制造方法可对应于根据参照图1至图11描述的实施方式的显示装置和显示装置的制造方法，因此可省略冗余描述。在实施方式中还可形成有第一覆盖层和第二覆盖层，这可与前述实施方式不同，并且现在将对其进行描述。
图12示意性地示出了根据实施方式的显示装置的剖视图。
显示装置可以与前述实施方式类似的方式包括衬底110、定位在衬底110上的晶体管TFT以及连接到晶体管TFT的发光器件ED。封装层400可定位在发光器件ED上，并且包括第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c的分隔壁265可定位在封装层400上。第一颜色转换层520a、低折射率层240和第一滤色器230a可定位在第一开口267a中。第二颜色转换层520b、低折射率层240和第二滤色器230b可定位在第二开口267b中。透射层520c、低折射率层240和第三滤色器230c可定位在第三开口267c中。
在前述实施方式中，低折射率层240可定位在第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c上，并且在实施方式中，第一覆盖层251可定位在第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c上，并且低折射率层240可定位在第一覆盖层251上。第一覆盖层251可定位在第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中，并且可不定位在分隔壁265的上侧上。
可先形成第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c，然后可沉积并且可图案化诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料，从而形成第一覆盖层251。第一覆盖层251可具有该材料的单层结构或多层结构。
第一覆盖层251可在第一开口267a中定位在第一颜色转换层520a与低折射率层240之间。第一覆盖层251可定位在分隔壁265的侧面上。低折射率层240可不与第一开口267a中的分隔壁265接触。第一覆盖层251可定位在低折射率层240与分隔壁265之间。
第一覆盖层251可在第二开口267b中定位在第二颜色转换层520b与低折射率层240之间。第一覆盖层251可定位在分隔壁265的侧面上。低折射率层240可不与第二开口267b中的分隔壁265接触。第一覆盖层251可定位在低折射率层240与分隔壁265之间。
第一覆盖层251可在第三开口267c中定位在透射层520c与低折射率层240之间。第一覆盖层251可定位在分隔壁265的侧面上。低折射率层240可不与第三开口267c中的分隔壁265接触。第一覆盖层251可定位在低折射率层240与分隔壁265之间。
在前述实施方式中，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可定位在低折射率层240上，并且在实施方式中，第二覆盖层253可定位在低折射率层240上，并且第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可定位在第二覆盖层253上。第二覆盖层253可定位在第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中，并且可不定位在分隔壁265的上侧上。
在形成低折射率层240的情况下，可沉积并且可图案化诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和/或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料，从而形成第二覆盖层253。第二覆盖层253可具有该材料的单层结构或多层结构。
第二覆盖层253可在第一开口267a中定位在低折射率层240与第一滤色器230a之间。第二覆盖层253可与第一滤色器230a的底面和侧面接触。
第二覆盖层253可在第二开口267b中定位在低折射率层240与第二滤色器230b之间。第二覆盖层253可与第二滤色器230b的底面和侧面接触。
第二覆盖层253可在第三开口267c中定位在低折射率层240与第三滤色器230c之间。第二覆盖层253可与第三滤色器230c的底面和侧面接触。
第一覆盖层251可定位在低折射率层240的下部分上，并且第二覆盖层253可定位在低折射率层240的上部分上。低折射率层240可由第一覆盖层251和第二覆盖层253保护。
现在将参照图13对根据实施方式的显示装置进行描述。
根据参照图13描述的实施方式的显示装置和显示装置的制造方法可对应于根据参照图12描述的实施方式的显示装置和显示装置的制造方法，因此可省略冗余描述。在实施方式中可大面积形成第一覆盖层和第二覆盖层，这可与前述实施方式不同，并且现在将对其进行描述。
图13示意性地示出了根据实施方式的显示装置的剖视图。
显示装置可以与前述实施方式类似的方式包括衬底110、定位在衬底110上的晶体管TFT以及连接到晶体管TFT的发光器件ED。封装层400可定位在发光器件ED上，并且包括第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c的分隔壁265可定位在封装层400上。第一颜色转换层520a、第一覆盖层251、低折射率层240、第二覆盖层253和第一滤色器230a可定位在第一开口267a中。第二颜色转换层520b、第一覆盖层251、低折射率层240、第二覆盖层253和第二滤色器230b可定位在第二开口267b中。透射层520c、第一覆盖层251、低折射率层240、第二覆盖层253和第三滤色器230c可定位在第三开口267c中。
在前述实施方式中，用于形成第一覆盖层251的层可被图案化为使得第一覆盖层251可不定位在分隔壁265的上侧上，并且在实施方式中，可大面积形成第一覆盖层251。例如，可不附加地执行用于图案化用于形成第一覆盖层251的层的工艺。第一覆盖层251也可定位在分隔壁265的上侧上。
在前述实施方式中，用于形成第二覆盖层253的层可被图案化为使得第二覆盖层253可不定位在分隔壁265的上侧上，并且在实施方式中，可大面积形成第二覆盖层253。例如，可不附加地执行用于图案化用于形成第二覆盖层253的层的工艺。第二覆盖层253也可定位在分隔壁265的上侧上。
第一覆盖层251和第二覆盖层253可定位在分隔壁265的上侧上。低折射率层240可在第一开口267a、第二开口267b和第三开口267c中定位在第一覆盖层251与第二覆盖层253之间。第二覆盖层253可在分隔壁265的上侧上定位在第一覆盖层251上。第一覆盖层251和第二覆盖层253可由相同材料或不同材料制成。第一覆盖层251和第二覆盖层253的厚度可各自为约
Figure BDA0003987215830000241
并且对外覆层290的上侧的平坦度的影响可不大。因此，在第一覆盖层251和第二覆盖层253可形成在分隔壁265的上侧上的情况下，外覆层290的上侧可制成平坦的。在根据实施方式的显示装置中，可不附加地执行用于图案化用于分别形成第一覆盖层251和第二覆盖层253的层的工艺，因此可减少加工时间和成本。
虽然已结合被认为是实际实施方式的内容对本公开进行描述，但将理解的是，本公开不限于所公开的实施方式，而是相反，旨在涵盖包括在本公开的精神和范围内的各种修改和等同排列。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
发光器件；
封装层，所述封装层布置在所述发光器件上；
分隔壁，所述分隔壁布置在所述封装层上并且包括与所述发光器件重叠的开口；以及
颜色转换层、低折射率层和滤色器，所述颜色转换层、所述低折射率层和所述滤色器在所述开口中彼此顺序地堆叠。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述分隔壁包括：
与第一像素的所述发光器件重叠的第一开口；
与第二像素的所述发光器件重叠的第二开口；以及
与第三像素的所述发光器件重叠的第三开口。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，第一颜色转换层、所述低折射率层和第一滤色器布置在所述第一开口中，
第二颜色转换层、所述低折射率层和第二滤色器布置在所述第二开口中，并且
透射层、所述低折射率层和第三滤色器布置在所述第三开口中。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述低折射率层布置在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层上，并且
所述低折射率层布置在所述分隔壁的侧面上。
5.如权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述低折射率层不布置在所述分隔壁的上侧上。
6.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器不彼此重叠。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器不布置在所述分隔壁的上侧上。
8.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，还包括：
第一覆盖层和第二覆盖层，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层布置在所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口中，
其中，所述第一覆盖层布置在所述第一颜色转换层与所述低折射率层之间、所述第二颜色转换层与所述低折射率层之间以及所述透射层与所述低折射率层之间，并且
所述第二覆盖层布置在所述低折射率层与所述第一滤色器之间、所述低折射率层与所述第二滤色器之间以及所述低折射率层与所述第三滤色器之间，和/或
所述显示装置还包括外覆层，所述外覆层布置在所述第一滤色器、所述第二滤色器、所述第三滤色器和所述分隔壁上。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述第一覆盖层和所述第二覆盖层布置在所述分隔壁的上侧上。
10.如权利要求1至9中任何一项所述的显示装置，其特征在于，还包括：
衬底；以及
晶体管，所述晶体管布置在所述衬底上，
其中，所述发光器件电连接到所述晶体管。
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