CN220711948U - 发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了发光显示装置。发光显示装置包括：传输公共电压的公共电压线、布置在公共电压线上并且其中限定了第一开口的第一有机绝缘层、布置在第一有机绝缘层上并且连接到公共电压线的连接电极、布置在第一有机绝缘层上并且其中限定了与第一开口重叠的第二开口的第二有机绝缘层、布置在连接电极和第二有机绝缘层上并且其中限定了与第一开口和第二开口重叠的接触孔的发光层以及布置在发光层上并且通过接触孔连接到连接电极的公共电极。

Description

发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年1月28日提交的韩国专利申请第10-2022-0013641号的优先权，以及从中获得的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其全部并入本文。
技术领域
本公开涉及显示装置，并且更具体地，涉及包括发光二极管的发光显示装置。
背景技术
作为显示装置，通过控制发光元件的亮度来显示图像的发光显示装置和通过控制液晶层的透射率来显示图像的液晶显示器被广泛使用。与液晶显示器不同，在发光显示装置中，不需要诸如背光源的单独光源，使得可以减少显示装置的厚度和重量。此外，发光显示装置具有诸如低功耗、高亮度和高响应速度的高质量特性。
发光显示装置可以包括与显示图像的屏幕相对应的显示区，并且可以在显示区中布置像素。像素可以用发光二极管实现。发光二极管可以包括两个电极和布置在其间的发光层。两个电极中的一个可以是为每个像素单独提供的像素电极，而其中的另一个可以是为多个像素共同提供的公共电极。
实用新型内容
公共电极可以连接到在显示区中传输公共电压的公共电压线，使得通过公共电极传输的公共电压可以完全并且均匀地施加到显示区中。为了连接公共电极和公共电压线，可以执行在发光层中限定开口的激光钻孔工艺。在激光钻孔工艺期间，由于施加到发光显示装置的热，气体可能从包括有机材料的绝缘层产生，并且气体可能使发光层劣化。
实施方式提供可以防止发光层的劣化的发光显示装置。
实施方式提供了发光显示装置，该发光显示装置包括：传输公共电压的公共电压线、布置在公共电压线上并且其中限定了第一开口的第一有机绝缘层、布置在第一有机绝缘层上并且连接到公共电压线的连接电极、布置在第一有机绝缘层上并且其中限定了与第一开口重叠的第二开口的第二有机绝缘层、布置在连接电极和第二有机绝缘层上并且其中限定了与第一开口和第二开口重叠的接触孔的发光层以及布置在发光层上并且通过接触孔连接到连接电极的公共电极。
在实施方式中，接触孔可以限定在第一开口内，并且可以具有比第一开口的宽度窄的宽度。
在实施方式中，第二开口可以围绕第一开口，并且可以具有比第一开口的宽度宽的宽度。
在实施方式中，连接电极可以与第一有机绝缘层的限定第一开口的侧表面接触。
在实施方式中，第一开口、第二开口和接触孔可以与公共电压线重叠。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括其上布置有公共电压线的衬底以及布置在公共电压线与连接电极之间的绝缘层。连接电极可以在与第一开口重叠的区中接触绝缘层。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括第一辅助图案，该第一辅助图案布置在公共电压线与绝缘层之间并且连接到公共电压线。连接电极可以通过在第一有机绝缘层和绝缘层中限定的接触孔而连接到第一辅助图案。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括布置在公共电压线与第一辅助图案之间的第二辅助图案。第一辅助图案可以连接到第二辅助图案。
在实施方式中，第一开口和第二开口可以与第一辅助图案和第二辅助图案重叠。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括辅助公共电压线，该辅助公共电压线布置在公共电压线与绝缘层之间并且连接到公共电压线。第一开口、第二开口和接触孔可以与辅助公共电压线重叠。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括布置在公共电压线与辅助公共电压线之间的一个或多个无机绝缘层。辅助公共电压线可以通过在一个或多个无机绝缘层中限定并且与第一开口重叠的接触孔而连接到公共电压线。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括布置在衬底与绝缘层之间并且传输驱动电压的驱动电压线，以及布置在驱动电压线与绝缘层之间并且连接到驱动电压线的辅助驱动电压线。第一开口、第二开口和接触孔可以与辅助驱动电压线重叠。
在实施方式中，第二有机绝缘层可以覆盖连接电极的边缘。
另一实施方式提供了发光显示装置，该发光显示装置包括：传输公共电压的公共电压线、布置在公共电压线上的缓冲层、布置在缓冲层上并且连接到公共电压线的辅助图案、布置在辅助图案上的第一无机绝缘层、布置在第一无机绝缘层上并且其中限定了第一开口的第一有机绝缘层、布置在第一有机绝缘层上并且连接到辅助图案的连接电极、布置在第一有机绝缘层上并且覆盖连接电极的边缘的第二有机绝缘层、布置在连接电极和第二有机绝缘层上并且其中限定了与第一开口重叠的接触孔的发光层以及布置在发光层上并且通过接触孔连接到连接电极的公共电极。
在实施方式中，接触孔可以被第一开口围绕。
在实施方式中，第一开口可以与公共电压线重叠。
在实施方式中，连接电极可以覆盖第一有机绝缘层的限定第一开口的侧表面。
在实施方式中，连接电极可以通过在第一有机绝缘层和第一无机绝缘层中限定的接触孔而连接到辅助图案。在第一有机绝缘层和第一无机绝缘层中限定的接触孔可以与第一开口间隔开。
在实施方式中，可以在第二有机绝缘层中限定与第一开口重叠并且具有比第一开口的宽度宽的宽度的第二开口。
在实施方式中，发光显示装置还可以包括布置在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间的像素电极。像素电极可以与发光层和公共电极一起构成发光二极管。
通过实施方式，可以防止在激光钻孔工艺期间从激光照射区中的有机绝缘层产生气体，并且因此，可以在发光显示装置中防止由于激光钻孔工艺而导致的发光层的劣化。此外，在实施方式中，存在可以在整个说明书中识别的有利效果。
附图说明
通过参考附图进一步详细描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他示例性实施方式、优点和特征将变得更加明确。
图1图示了发光显示装置的实施方式的示意性平面图。
图2图示了发光显示装置的实施方式的一个像素的电路图。
图3图示了发光显示装置的实施方式的像素区的平面图。
图4图示了沿图3的线A-A′截取的剖视图。
图5图示了沿图3的线B-B′截取的剖视图。
图6、图7、图8、图9和图10图示了根据图3中所示的发光显示装置的制造顺序的平面图。
图11图示了发光显示装置的像素区的实施方式的平面图。
图12图示了沿图11的线C-C′截取的剖视图。
图13、图14、图15和图16各自图示了其中在发光显示装置中的发光层中限定了接触孔的区的实施方式的剖视图。
图17图示了发光显示装置中的显示区的实施方式的示意性剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了实施方式。
将理解，当诸如层、膜、区、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，其能够直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。另外，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
在说明书中，除非有明确相反的描述，否则词语“包括”和诸如“包含”或“包括有”的变体将被理解为暗示包含所述的元件，但不排除任何其他元件。
在说明书中，“连接”不仅意味着当两个或更多个元件直接连接时，还意味着当两个或更多个元件通过其他元件间接连接时，以及当两个或更多个元件物理连接或电连接时，并且此外，“连接”可以根据位置或功能而用不同元件名称来指代，并且也可以称为其中实质上集成的各个部分彼此链接的情况。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、组件、区域、层和/或段，但是这些元件、组件，区域、层或段不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或段与另一个元件、组件、区域、层或段区分开。因此，在不脱离本文教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一段”可以称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二段。
本文使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，并非旨在限制。除非内容另有明确说明，否则如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或”是指“和/或”。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。将进一步理解，术语“包含”和/或“包含有”或“包括”和/或“包括有”当在本说明书中使用时指定存在所述及的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。
此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如图中所示的一个元件与另一个元件的关系。将理解，除了图中描绘的取向外，相对术语还旨在涵盖装置的不同取向。在实施方式中，当图之一中的装置翻转时，被描述为位于其他元件的“下”侧上的元件将随后被取向为在其他元件的“上”侧上。因此，示例性术语“下”能够涵盖“下”取向和“上”取向两者，这取决于图的特定取向。类似地，当图之一中的装置翻转时，被描述为在其他元件“下方”或“之下”的元件将随后被取向为在其他元件“上方”。因此，示例性术语“下方”或“之下”能够涵盖上方取向和下方取向两者。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且是指在如由本领域普通技术人员确定的针对特定值的可接受偏差范围内。例如，术语“大约”能够表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
在附图中，作为用于指示方向的符号x、y和z，‘x’是第一方向，‘y’是垂直于第一方向的第二方向，以及z是垂直于第一方向和第二方向的第三方向。第一方向x、第二方向y和第三方向z可以分别对应于显示装置的水平方向、垂直方向和厚度方向。
图1图示了发光显示装置的实施方式的示意性平面图。
参考图1，发光显示装置1(在下文中，还简称为“显示装置”)包括显示面板10、柔性印刷电路膜20、驱动集成电路(“IC”)芯片30、印刷电路板40、电源模块50等。
显示面板10可以包括与显示图像的屏幕相对应的显示区DA，以及其中布置有用于生成和/或传输施加到显示区DA的各种信号的电路和/或布线的非显示区NA。非显示区NA可以与显示区DA相邻，并且可以围绕显示区DA。在图1中，边界线B的内部区和外部区可以分别是显示区DA和非显示区NA。
显示面板10可以包括显示部100和颜色转换部200。显示部100和颜色转换部200可以通过密封剂300接合，密封剂300在显示面板10的边缘周围布置在显示部100与颜色转换部200之间。颜色转换部200可以与整个显示部100重叠，但是显示部100可以包括未被颜色转换部200覆盖的用于连接或接合柔性印刷电路膜20的区。显示部100可以包括用于连接或接合柔性印刷电路膜20的焊盘部(未示出)，并且在其中布置有焊盘部使得焊盘部可以暴露于外部的区中，例如，在显示面板10的下端部中，颜色转换部200可以形成或设置为比显示部100短。显示部100和颜色转换部200可以分别包括与显示面板10的显示区DA和非显示区NA相对应的区。
在显示面板10的显示区DA中，像素PX可以以矩阵形式布置。然而，本公开不限于此，并且像素PX也可以以各种其他形式布置。此外，用于传输数据电压VDATA(参考图2)的数据线DL、用于传输驱动电压ELVDD(参考图2)的驱动电压线VL1、用于传输公共电压ELVSS(参考图2)的公共电压线VL2以及用于传输初始化电压VINT(参考图2)的初始化电压线VL3可以布置在显示区DA中。驱动电压线VL1、公共电压线VL2和初始化电压线VL3可以在第二方向y上延伸。驱动电压线VL1、公共电压线VL2和/或初始化电压线VL3可以连接到在第一方向x上延伸的辅助电压线。每个像素PX可以从这些电压线DL、VL1、VL2和VL3中接收数据电压VDATA、驱动电压ELVDD、公共电压ELVSS和初始化电压VINT。驱动电压ELVDD和公共电压ELVSS是施加到每个像素PX的电源电压，并且传输电源电压的驱动电压线VL1和公共电压线VL2也可以称为电源电压线。驱动电压ELVDD的电压电平可以高于公共电压ELVSS的电压电平。驱动电压ELVDD也可以称为第一电源电压或高电位电源电压。公共电压ELVSS也可以称为第二电源电压或低电位电源电压。
在显示面板10的非显示区NA中，栅极驱动器(未显示)可以布置在显示区DA的相对侧处。栅极驱动器可以集成在非显示区NA中。像素PX可以接收由栅极驱动器生成的栅极信号(也称为扫描信号)，以在预定时序处接收数据电压VDATA。
连接到驱动电压线VL1的驱动电压传输线DVL和连接到公共电压线VL2的公共电压传输线CVL可以布置在显示面板10的非显示区NA中。驱动电压传输线DVL和公共电压传输线CVL可以各自包括实质上在第二方向y上延伸的部分和实质上在第一方向x上延伸的部分。公共电压传输线CVL可以布置为围绕显示区DA。公共电压线VL2可以在显示区DA的下侧和上侧处连接到公共电压传输线CVL，从而均匀地向整个显示区DA提供公共电压ELVSS。
柔性印刷电路膜20的一端可以连接或接合到显示面板10的显示部100，并且其另一端可以连接或接合到印刷电路板40。包括用于将数据电压VDATA施加到数据线DL的数据驱动器的驱动IC芯片30可以布置在柔性印刷电路膜20中。
生成诸如驱动电压ELVDD和公共电压ELVSS的电源电压的电源模块50可以布置在印刷电路板40中。电源模块50可以以IC芯片的形式提供。控制数据驱动器和栅极驱动器的信号控制器(未示出)可以布置在印刷电路板40上。
图2图示了发光显示装置的一个像素的实施方式的电路图。
参考图2，一个像素PX包括第一晶体管T1至第三晶体管T3、存储电容器CST和发光二极管LED。发光二极管LED可以是有机或无机发光二极管。第一晶体管T1至第三晶体管T3可以是N型晶体管，但是本公开不限于此，并且第一晶体管T1至第三晶体管T3中的至少一些可以是P型晶体管。
第一晶体管T1的栅电极可以连接到存储电容器CST的第一电极。第一晶体管T1的第一电极可以连接到传输驱动电压ELVDD的驱动电压线VL1，并且第一晶体管T1的第二电极可以连接到发光二极管LED的阳极和存储电容器CST的第二电极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作接收数据电压VDATA，以根据存储电容器CST中存储的电压向发光二极管LED供给驱动电流。
第二晶体管T2的栅电极可以连接到传输第一扫描信号SC的第一栅极线GL1。第二晶体管T2的第一电极可以连接到可以传输数据电压VDATA或参考电压VREF的数据线DL。第二晶体管T2的第二电极可以连接到存储电容器CST的第一电极和第一晶体管T1的栅电极。第二晶体管T2可以根据第一扫描信号SC而导通，以将参考电压VREF或数据电压VDATA传输到第一晶体管T1的栅电极。
第三晶体管T3的栅电极可以连接到传输第二扫描信号SS的第二栅极线GL2。第三晶体管T3的第一电极可以连接到传输初始化电压VINT的初始化电压线VL3。第三晶体管T3的第二电极可以连接到存储电容器CST的第二电极、第一晶体管T1的第二电极和阳极。第三晶体管T3可以根据第二扫描信号SS而导通，以将初始化电压VINT传输至阳极来初始化阳极的电压。
存储电容器CST的第一电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极，并且存储电容器CST的第二电极可以连接到第三晶体管T3的第二电极和阳极。发光二极管LED的阴极可以连接到传输公共电压ELVSS的公共电压线VL2。每个发光二极管LED可以配置一个像素PX，并且发光二极管LED的阳极和阴极也可以分别称为像素电极和公共电极。
发光二极管LED可以发射根据由第一晶体管T1生成的驱动电流的亮度(灰色)的光。
将在其中所有的晶体管T1至T3为N型晶体管的情况下描述图2中所示的电路的操作(尤其是在一帧期间的操作)的实施方式。
当一帧开始时，在初始化时段中，可以在第一扫描信号SC和第二扫描信号SS处于低电平的同时施加高电平的公共电压ELVSS。这防止了电流流过发光二极管LED，从而防止发光二极管LED发射光。此外，通过初始化电压线VL3，可以施加初始化电压VINT来使初始化电压线VL3初始化。随后，供给高电平的第一扫描信号SC和高电平的第二扫描信号SS，使得第二晶体管T2和第三晶体管T3可以导通。来自数据线DL的参考电压VREF可以通过导通的第二晶体管T2而供给到第一晶体管T1的栅电极和存储电容器CST的第一电极，并且初始化电压VINT可以通过导通的第三晶体管T3而供给到第一晶体管T1的第二电极和阳极。因此，在初始化时段期间，可以用初始化电压VINT来使阳极初始化。参考电压VREF与初始化电压VINT之间的电压差(VREF-VINT)可以存储在存储电容器CST中。
接下来，在感测时段中可以保持高电平的第一扫描信号SC和高电平的第二扫描信号SS。在这种情况下，初始化电压线VL3可以与初始化电压VINT的供给源断开，并且可以用作感测线。第一晶体管T1的栅电极和存储电容器CST的第一电极可以通过第二晶体管T2保持参考电压VREF。因此，当电流从第一晶体管T1的第一电极流到其第二电极，并且第二电极的电压变为参考电压VREF与阈值电压VTH之间的电压差(VREF-VTH)时，第一晶体管T1可以关断，并且初始化电压线VL3可以被充电直到参考电压VREF与阈值电压VTH之间的电压差(VREF-VTH)。这里，阈值电压VTH表示第一晶体管T1的阈值电压VTH。被充电有参考电压VREF与阈值电压VTH之间的电压差(VREF-VTH)的初始化电压线VL3可以连接到外部电路，并且外部电路可以感测初始化电压线VL3的电压以提取第一晶体管T1的阈值电压VTH。通过反映在感测时段期间感测的特性信息来生成补偿数据信号，可以补偿第一晶体管T1的对于每个像素PX可以不同的特性偏差。
接下来，在数据输入时段中，可以供给高电平的第一扫描信号SC，并且可以供给低电平的第二扫描信号SS，并且来自数据线DL的数据电压VDATA可以通过导通的第二晶体管T2而供给到第一晶体管T1的栅电极和存储电容器CST的第一电极。数据电压VDATA可以具有基于第一晶体管T1的阈值电压VTH的感测的补偿值，从而校正第一晶体管T1的特性偏差。当施加数据电压VDATA时，第一晶体管T1的第二电极和阳极可以因第一晶体管T1处于关断状态而实质上保持其感测时段的电位。
接下来，在发光时段中通过传输到第一晶体管T1的栅电极的数据电压VDATA而导通的第一晶体管T1可以根据数据电压VDATA生成驱动电流，并且发光二极管LED可以通过驱动电流发射光。即，通过根据施加到像素PX的数据电压VDATA的电平来调整施加到发光二极管LED的驱动电流，可以调整发光二极管LED的亮度。
图3图示了实施方式中的发光显示装置的实施方式的像素区的平面图，图4图示了沿图3的线A-A′截取的剖视图，并且图5图示了沿图3的线B-B′截取的剖视图。图6、图7、图8、图9和图10图示了根据图3中图示的发光显示装置的制造顺序的平面图。
图3图示了包括在显示装置中的显示面板10中的三个相邻像素PX1、PX2和PX3以及与其连接的布线的实施方式。像素PX1、PX2和PX3可以以矩阵格式重复布置。将主要描述显示面板10的显示部100，并且稍后将参考图17描述显示面板10的颜色转换部200。
参考图3至图10，显示部100可以包括与像素PX1、PX2和PX3中的每个相对应的发光二极管LED。像素PX1、PX2和PX3可以包括发射不同颜色的第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。在实施方式中，例如，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的一个可以显示红色，其中的另一个可以显示绿色，并且其中的另一个可以显示蓝色。然而，本公开并不限于此，并且第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以显示各种其他颜色。
显示部100可以基本上包括衬底110、形成或布置在衬底110上的第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3和存储电容器CST以及连接到第一晶体管T1的发光二极管LED。
衬底110可以包括诸如玻璃的具有刚性特性的材料或诸如塑料的具有柔性特性的材料。在实施方式中，例如，衬底110可以是玻璃衬底。衬底110可以包括聚合物材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
可以包括数据线DL1、DL2和DL3、驱动电压线VL1、公共电压线VL2、初始化电压线VL3和阻光图案LB的第一导电层可以布置在衬底110上。第一导电层中包括的组成元件可以在相同工艺中包括相同的材料。在实施方式中，通过在衬底110上沉积导电层并且图案化导电层，例如，可以形成或提供数据线DL1、DL2和DL3、驱动电压线VL1、公共电压线VL2、初始化电压线VL3和阻光图案LB。图6图示了第一导电层。
数据线DL1、DL2和DL3可以包括将数据电压VDATA传输到第一像素PX1的第一数据线DL1、将数据电压VDATA传输到第二像素PX2的第二数据线DL2以及将数据电压VDATA传输到第三像素PX3的第三数据线DL3。第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3可以在第一方向x上彼此相邻地布置，并且可以在第二方向y上延伸。
驱动电压线VL1可以传输驱动电压ELVDD，公共电压线VL2可以传输公共电压ELVSS，并且初始化电压线VL3可以传输初始化电压VINT。驱动电压线VL1、公共电压线VL2和初始化电压线VL3中的每个可以在第二方向y上延伸。
公共电压线VL2、初始化电压线VL3、驱动电压线VL1以及数据线DL1、DL2和DL3可以沿第一方向x重复布置。因此，在第一方向x上，驱动电压线VL1可以布置在初始化电压线VL3与一组数据线DL1、DL2和DL3之间，公共电压线VL2可以布置在一组数据线DL1、DL2和DL3与初始化电压线VL3之间，并且初始化电压线VL3可以布置在公共电压线VL2与驱动电压线VL1之间。电压线VL1、VL2和VL3与数据线DL1、DL2和DL3之间的相对布置可以不同地改变。
阻光图案LB可以布置在驱动电压线VL1与数据线DL1、DL2和DL3之间。阻光图案LB可以防止外部光到达第一晶体管T1的半导体层A1，从而防止半导体层A1的特性劣化。其电流特性在发光显示装置中是重要的第一晶体管T1(特别是驱动晶体管)的漏电流可以由阻光图案LB控制。阻光图案LB可以用作接收预定电压的电极。在这种情况下，电流变化率在第一晶体管T1的电压-电流特性曲线图的饱和区域中减小，从而可以改善驱动晶体管的特性。
第一导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)的金属，并且可以是单层或多层。例如，在实施方式中，第一导电层可以具有双层结构，诸如钛(Ti)/铜(Cu)。
缓冲层120可以布置在第一导电层上。缓冲层120阻挡当形成或提供半导体层A1、A2和A3时来自衬底110的杂质，以改善半导体层A1、A2和A3的特性，并且使衬底110的表面平坦，从而降低半导体层A1、A2和A3的应力。缓冲层120可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)。缓冲层120可以包括非晶硅。
半导体层A1、A2和A3可以布置在缓冲层120上。图7图示了第一导电层以及半导体层A1、A2和A3。
半导体层A1、A2和A3可以包括第一晶体管T1的半导体层A1、第二晶体管T2的半导体层A2和第三晶体管T3的半导体层A3。半导体层A1、A2和A3可以各自包括第一区、第二区以及第一区与第二区之间的沟道区。半导体层A1、A2和A3可以在第一方向x上比在第二方向y上具有更长的平面形状。半导体层A1的第一区可以与驱动电压线VL1重叠，并且可以连接到驱动电压线VL1。半导体层A1的第二区和沟道区可以与阻光图案LB重叠。半导体层A2的第一区可以连接到数据线DL1、DL2和DL3之中的对应的数据线。即，第一像素PX1的半导体层A2的第一区可以连接到第一数据线DL1，第二像素PX2的半导体层A2的第一区可以连接到第二数据线DL2，并且第三像素PX3的半导体层A2的第一区可以连接到第三数据线DL3。半导体层A2的第二区可以连接到存储电容器CST的第一电极C1。半导体层A3的第一区可以连接到初始化电压线VL3。半导体层A3的第二区可以连接到存储电容器CST的第二电极C2。
半导体层A1、A2和A3可以包括氧化物半导体。在实施方式中，半导体层A1、A2和A3可以包括包含锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)及其任何组合中的至少一种的氧化物半导体，诸如铟镓锌氧化物(“IGZO”)。半导体层A1、A2和A3可以包括多晶硅或非晶硅，例如，低温多晶硅(“LTPS”)。
第一绝缘层140可以布置在半导体层A1、A2和A3上。第一绝缘层140也可以称为栅极绝缘层。第一绝缘层140可以形成或布置在与栅电极G1、G2和G3、第一电极C1以及辅助图案AP1b和AP2b重叠的区中。这种结构可以通过在用于形成栅电极G1、G2和G3、第一电极C1以及辅助图案AP1b和AP2b的光刻工艺期间蚀刻第一绝缘层140来形成。第一绝缘层140可以形成或提供为实质上覆盖整个衬底110。第一绝缘层140可以是包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料的无机绝缘层，并且可以是单层或多层。
包括第一晶体管T1的栅电极G1、第二晶体管T2的栅电极G2、第三晶体管T3的栅电极G3、存储电容器CST的第一电极C1、驱动电压线VL1的辅助图案AP1b和公共电压线VL2的辅助图案AP2b的第二导电层可以布置在第一绝缘层140上。包括在第二导电层中的组成元件可以在相同的工艺中包括相同的材料。图8图示了第一导电层、半导体层A1、A2和A3以及第二导电层。
栅电极G1、G2和G3可以与对应的半导体层A1、A2和A3的沟道区重叠。栅电极G1可以延伸到第一电极C1。栅电极G1和第一电极C1可以是一体的。栅电极G1和第一电极C1可以与阻光图案LB重叠。第一电极C1可以连接到半导体层A2的第二区。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第二晶体管T2的栅电极G2可以延伸到彼此并且是一体的。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第二晶体管T2的栅电极G2可以实质上在第二方向y上延伸。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第二晶体管T2可以接收相同的第一扫描信号SC。
第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第三晶体管T3的栅电极G3可以延伸到彼此并且是一体的。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第三晶体管T3的栅电极G3可以实质上在第二方向y上延伸。第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3的第三晶体管T3可以接收相同的第二扫描信号SS。
驱动电压线VL1的辅助图案AP1b可以与驱动电压线VL1重叠。辅助图案AP1b可以在第一方向x上布置在栅电极G3与半导体层A1之间。多个辅助图案AP1b可以布置为在第二方向y上彼此间隔开。辅助图案AP1b可以连接到驱动电压线VL1，以减小驱动电压线VL1的电阻，并且减小驱动电压ELVDD的阻容(“RC”)延迟。
公共电压线VL2的辅助图案AP2b可以与公共电压线VL2重叠。在平面图中，辅助图案AP2b可以与公共电压线VL2重叠，使得辅助图案AP2b的全部布置在公共电压线LV2内。辅助图案AP2b可以形成或提供为在第二方向y上是长的，并且可以布置在第一栅极线GL1与第二栅极线GL2之间。辅助图案AP2b可以在第二方向y上重复布置。辅助图案AP2b可以连接到公共电压线VL2，以减小公共电压线VL2的电阻，并且减小公共电压ELVSS的RC延迟。
第二导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)的金属，并且可以是单层或多层。例如，在实施方式中，第二导电层可以具有诸如钛(Ti)/铜(Cu)的双层结构。
第二绝缘层150可以布置在第二导电层上。第二绝缘层150也可以称为层间绝缘层。第二绝缘层150可以是包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料的无机绝缘层，并且可以是单层或多层。
包括第一栅极线GL1、第二栅极线GL2、存储电容器CST的第二电极C2、辅助驱动电压线VL1′、辅助公共电压线VL2′、驱动电压线VL1的辅助图案AP1a、公共电压线VL2的辅助图案AP2a和初始化电压线VL3的辅助图案AP3a的第三导电层可以布置在第二绝缘层150上。包括在第三导电层中的组成元件可以在相同的工艺中包括相同的材料。图9图示了第一导电层、半导体层A1、A2和A3、第二导电层以及第三导电层。
第一栅极线GL1和第二栅极线GL2可以在第一方向x上延伸。第一栅极线GL1可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到栅电极G2，并且可以施加第一扫描信号SC。第二栅极线GL2可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到栅电极G3，并且可以施加第二扫描信号SS。
存储电容器CST的第二电极C2可以与第一电极C1重叠，并且可以与第一电极C1一起配置存储电容器CST。第二电极C2可以与半导体层A1的第二区重叠，并且与半导体层A1的第二区重叠的开口可以限定在第一电极C1中。第二电极C2可以通过第二绝缘层150的接触孔和第一电极C1的开口而连接到半导体层A1的第二区。第二电极C2可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到阻光图案LB。因此，阻光图案LB、第一电极C1和第二电极C2可以配置双存储电容器CST。第二电极C2可以包括在第一方向x上延伸横跨驱动电压线VL1以与半导体层A3的第二区重叠的延伸部，并且延伸部可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A3的第二区。
辅助驱动电压线VL1′和辅助公共电压线VL2′可以在第一方向x上延伸。辅助驱动电压线VL1′可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到驱动电压线VL1。辅助公共电压线VL2′可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到公共电压线VL2。因此，传输驱动电压ELVDD的布线可以在显示区DA中以网格格式连接，并且可以向整个显示区DA提供均匀的驱动电压ELVDD。此外，传输公共电压ELVSS的布线可以在显示区DA中以网格格式连接，并且可以向整个显示区DA提供均匀的公共电压ELVSS。
驱动电压线VL1的辅助图案AP1a可以与驱动电压线VL1和辅助图案AP1b重叠。辅助图案AP1a可以在第一方向x上布置在栅电极G3与半导体层A1之间。多个辅助图案AP1a可以布置为在第二方向y上彼此间隔开。辅助图案AP1a可以连接到驱动电压线VL1，以减小驱动电压线VL1的电阻，并且减少驱动电压ELVDD的RC延迟。辅助图案AP1a可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到辅助图案AP1b，可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到驱动电压线VL1，并且可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A1的第一区。因此，辅助图案AP1b和第一晶体管T1可以分别通过辅助图案AP1a而连接到驱动电压线VL1。
公共电压线VL2的辅助图案AP2a可以与公共电压线VL2和辅助图案AP2b重叠。在平面图中，辅助图案AP2a可以与公共电压线VL2重叠，使得辅助图案AP2b的全部布置在公共电压线VL2内。辅助图案AP2a可以与辅助图案AP2b重叠，以覆盖整个辅助图案AP2b。辅助图案AP2a可以形成或提供为在第二方向y上是长的，并且可以布置在第一栅极线GL1与第二栅极线GL2之间。辅助图案AP2a可以在第二方向y上重复布置。辅助图案AP2a可以连接到公共电压线VL2，以减小公共电压线VL2的电阻，并且减少公共电压ELVSS的RC延迟。辅助图案AP2a可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到辅助图案AP2b，并且可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到公共电压线VL2。因此，辅助图案AP2b可以通过辅助图案AP2a连接到公共电压线VL2。
初始化电压线VL3的辅助图案AP3a可以与初始化电压线VL3重叠。辅助图案AP3a可以形成或提供为在第二方向y上是长的，并且可以布置在第一栅极线GL1与第二栅极线GL2之间。辅助图案AP3a可以在第二方向y上重复布置。辅助图案AP3a可以连接到初始化电压线VL3，以减小初始化电压线VL3的电阻，并且减少初始化电压VINT的RC延迟。辅助图案AP3a可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到初始化电压线VL3，并且可以通过在第二绝缘层150中定义的接触孔而连接到半导体层A3的第一区。因此，第三晶体管T3可以通过辅助图案AP3a而连接到初始化电压线VL3。
第三导电层还可以包括将数据线DL1、DL2和DL3连接到半导体层A2的第一区的连接构件CM1以及连接存储电容器CST的第一电极C1和半导体层A2的第二区的连接构件CM2。连接构件CM1可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到数据线DL1、DL2和DL3，并且可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A2的第一区。连接构件CM2可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到第一电极C1，并且可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A2的第二区。因此，第二晶体管T2可以通过连接构件CM1连接到数据线DL1、DL2和DL3，并且可以通过连接构件CM2连接到第一电极C1。
第三导电层可以包括诸如铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)或钨(W)的金属，并且可以是单层或多层。第三导电层可以包括透明导电材料，诸如氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)。例如，在实施方式中，第三导电层可以具有三层结构，诸如钛(Ti)/铜(Cu)/ITO。
第三绝缘层160可以布置在第三导电层上。第三绝缘层160也可以称为钝化层。第三绝缘层160可以是包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料的无机绝缘层，并且可以是单层或多层。
第一有机绝缘层170可以布置在第三绝缘层160上。第一有机绝缘层170也可以称为平坦化层。第一有机绝缘层170可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如聚(甲基丙烯酸甲酯)和聚苯乙烯)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物(例如，聚酰亚胺)或硅氧烷基聚合物。
可以在第一有机绝缘层170中限定与公共电压线VL2重叠的开口OP1。开口OP1可以是其中在第三方向z(其厚度方向)上移除第一有机绝缘层170的区域。开口OP1可以穿过第一有机绝缘层170。开口OP1可以与辅助图案AP2a和AP2b重叠。开口OP1可以具有实质上八边形的平面形状，但不限于此。开口OP1可以通过在第三绝缘层160上涂布有机绝缘材料，并且然后对其进行图案化来限定。在图案化期间，开口OP1可以与接触孔H1和H2一起来限定。因此，可以不需要用于限定开口OP1的附加工艺或掩模的使用。
可以包括发光二极管LED的像素电极E1、其连接电极CE等的第四导电层可以布置在第一有机绝缘层170上。第四导电层中包括的组成元件可以在相同工艺中包括相同的材料。图10图示了第一导电层、半导体层A1、A2和A3、第二导电层、第三导电层以及第四导电层。
像素电极E1可以通过在第一有机绝缘层170中限定的接触孔H1而连接到第二电极C2。像素电极E1可以通过第二电极C2连接到半导体层A1的第二区。
连接电极CE可以与公共电压线VL2以及辅助图形AP2a和AP2b重叠。连接电极CE可以通过在第一有机绝缘层170和第三绝缘层160中限定的接触孔H2而连接到公共电压线VL2的辅助图案AP2a。接触孔H2可以在第二方向y上与开口OP1间隔开。连接电极CE可以布置在第一有机绝缘层170的开口OP1中，并且可以接触第三绝缘层160。连接电极CE可以接触第一有机绝缘层170的限定开口OP1的侧表面，并且可以覆盖第一有机绝缘层170的限定开口OP1的侧表面。在平面图中，连接电极CE可以包括以实质上八边形形状形成或提供的部分和从八边形形状的一侧朝向接触孔H2突出的部分。
第四导电层可以包括反射导电材料或半透射导电材料，或者可以包括透明导电材料。像素电极E1可以包括诸如ITO或IZO的透明导电材料。像素电极E1可以包括金属，诸如锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或金(Au)。像素电极E1可以具有多层结构，并且例如可以具有三层结构，诸如ITO/银(Ag)/ITO。
第二有机绝缘层180可以布置在第四导电层上。第二有机绝缘层180也可以称为像素限定层。第二有机绝缘层180可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物或酰胺基聚合物。第二有机绝缘层180可以包括黑色颜料。例如，在实施方式中，第二有机绝缘层180可以包括聚酰亚胺粘合剂和与红色、绿色和蓝色混合的颜料。第二有机绝缘层180可以包括cardo粘合剂树脂和内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的组合。第二有机绝缘层180可以包括碳黑。包括黑色颜料的第二有机绝缘层180可以提高对比度，并且可以防止由布置在其下的金属层产生的反射。
第二有机绝缘层180可以覆盖像素电极E1的边缘和连接电极CE的边缘。可以在除了覆盖像素电极E1边缘和连接电极CE边缘的区之外的区中移除第二有机绝缘层180。可以在第二有机绝缘层180中限定与像素电极E1重叠的开口OP和与开口OP1重叠的开口OP2。开口OP和OP2可以是其中在第三方向z上移除第二有机绝缘层180的区，第三方向z为其厚度方向。开口OP可以与像素电极E1重叠。开口OP2可以与公共电压线VL2以及辅助图案AP2a和AP2b重叠。在平面图中，开口OP2可以具有大于开口OP1的面积的面积，并且可以围绕开口OP1，并且开口OP1可以限定在开口OP2内。开口OP2可以具有比开口OP1的宽度宽的宽度。开口OP1可以具有实质上八边形的平面形状，但不限于此。
发光层EL可以布置在第四导电层上。发光层EL可以布置在全部的像素PX1、PX2和PX3上。发光层EL可以连续布置在整个显示区DA上。发光层EL可以通过第二有机绝缘层180的开口OP与像素电极E1接触。可以在发光层EL中限定与开口OP1和OP2重叠的接触孔H3。接触孔H3可以与公共电压线VL2以及辅助图案AP2a和AP2b重叠。在平面图中，接触孔H3可以被开口OP1和OP2围绕，并且可以限定在开口OP1或OP2内。接触孔H3可以具有比开口OP1的宽度窄的宽度。接触孔H3可以具有圆形或椭圆形的平面形状，但不限于此。
发光层EL可以包括发射蓝色光的发光材料。发光层EL可以包括除了发射蓝色光外还发射红色光或绿色光的发光材料。发光层EL可以包括多个发光层，并且多个发光层可以包括发射相同颜色的光的发光层或发射不同颜色的光的发光层。在实施方式中，例如，发光层EL可以具有其中堆叠三个蓝色发光层的结构。在另一实施方式中，发光层EL可以具有其中堆叠三个蓝色发光层和一个绿色发光层的结构。除了发光层EL之外，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个可以布置在像素电极E1上。
公共电极E2可以布置在发光层EL上。公共电极E2可以布置在全部的像素PX1、PX2和PX3上。公共电极E2可以连续布置在整个显示区DA上。公共电极E2可以通过在发光层EL中限定的接触孔H3而连接到连接电极CE。由于连接电极CE连接到公共电压线VL2，因此公共电极E2可以通过连接电极CE连接到公共电压线VL2以接收公共电压ELVSS。因此，公共电极E2可以在整个显示区DA中均匀地接收公共电压ELVSS，因此可以改善由于公共电极E2的电阻引起的电压降，并且可以防止在显示区DA中发生亮度偏差。
在发光层EL中限定的用于将公共电极E2连接到连接电极CE的接触孔H3可以通过激光钻孔工艺形成。具体地，在形成发光层EL后，通过将激光照射到发光层EL的与开口OP1和OP2重叠的一部分上以移除该部分，可以限定在第三方向z上穿过发光层EL的接触孔H3，第三方向z为发光层EL的厚度方向。因此，与接触孔H3重叠的连接电极CE可以被暴露。然后，当形成或提供公共电极E2时，公共电极E2可以通过接触孔H3连接到连接电极CE。在激光钻孔工艺期间，激光照射的区的温度可以增加，并且特别地，接触孔H3下的连接电极CE和与其接触的层的温度可以增加。当其温度增加的层是有机绝缘层时，可能从有机绝缘层产生气体。产生的气体可以扩散到周围并且传播到发光层EL以使发光层EL变形或劣化。当发光层EL变形或劣化时，可能发生其中像素PX1、PX2和PX3的发光面积减小的收缩。根据实施方式，由于第一有机绝缘层170已经在激光钻孔工艺期间被移除，即，限定了围绕接触孔H3的开口OP1，因此防止了从激光照射的区中的第一有机绝缘层170产生气体。
公共电极E2可以包括诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和锂(Li)的金属。公共电极E2可以包括透明导电氧化物，诸如ITO或IZO。公共电极E2可以具有多层结构，并且例如可以具有双层结构，诸如镁(Mg)/银(Ag)。
像素电极E1、发光层EL和公共电极E2可以配置发光二极管LED，发光二极管LED可以是有机发光二极管。可以为像素PX1、PX2和PX3中的每个单独提供像素电极E1以接收驱动电流。可以为像素PX1、PX2和PX3共同提供公共电极E2以接收公共电压。像素电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且公共电极E2可以是作为电子注入电极的阴极，并且反之亦然。第二有机绝缘层180的开口OP可以对应于发光二极管LED的发光区。
封装层190可以布置在公共电极E2上。封装层190可以密封发光二极管LED，并且可以防止从外部渗透湿气或氧气。封装层190可以覆盖整个显示区DA，并且封装层190的边缘可以布置在非显示区NA中。
封装层190可以是包括第一无机层191、有机层192和第二无机层193的薄膜封装层。第一无机层191和第二无机层193可以主要防止湿气等的渗透，并且有机层192可以主要使封装层190的表面，特别是显示区DA中的第二无机层193的表面平坦化。第一无机层191和第二无机层193可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅或氮化硅。有机层192可以包括有机材料，诸如丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨酯基树脂、纤维素基树脂或苝基树脂。
第一无机层191和第二无机层193可以形成或提供为比有机层192宽，并且第一无机层191和第二无机层193可以在封装层190的边缘附近彼此接触。第一无机层191的边缘和第二无机层193的边缘可以实质上重合。通过宽地形成第一无机层191和第二无机层193，可以防止从显示区DA的侧表面渗透湿气或氧气，并且可以通过将湿气或氧气的渗透路径形成为长且复杂来延迟渗透。
图11图示了实施方式中的发光显示装置的像素区的实施方式的平面图，并且图12图示了沿图11的线C-C′截取的剖视图。
在图11和图12中所示的显示装置中，组成元件的布置和形状与上述实施方式的组成元件的布置和形状不同，但组成元件之间的连接关系可以与上述实施方式的显示装置的组成元件之间的连接关系实质上相同。
更详细地，可以包括数据线DL1、DL2和DL3、驱动电压线VL1、公共电压线VL2、初始化电压线VL3和阻光图案LB的第一导电层可以布置在衬底110上。数据线DL1、DL2和DL3、驱动电压线VL1、公共电压线VL2和初始化电压线VL3可以在第二方向y上延伸。
缓冲层120可以布置在第一导电层上。晶体管T1、T2和T3的半导体层A1、A2和A3可以布置在缓冲层120上。第一绝缘层140可以布置在半导体层A1、A2和A3上。可以包括晶体管T1、T2和T3的栅极G1、G2和G3、存储电容器CST的第一电极C1以及公共电压线VL2的辅助图案AP2b的第二导电层可以布置在第一绝缘层140上。
第二绝缘层150可以布置在第二导电层上。包括第一栅极线GL1、第二栅极线GL2、存储电容器CST的第二电极C2、辅助驱动电压线VL1′、辅助公共电压线VL2′、驱动电压线VL1的辅助图案AP1a、公共电压线VL2的辅助图案AP2a以及连接构件CM1和CM2的第三导电层可以布置在第二绝缘层150上。第一栅极线GL1、第二栅极线GL2、辅助驱动电压线VL1′和辅助公共电压线VL2′可以在第一方向x上延伸。第一栅极线GL1可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到栅电极G2。第二栅极线GL2可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到栅电极G3。第二电极C2可以与第一电极C1一起配置存储电容器CST。辅助驱动电压线VL1′可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到驱动电压线VL1。辅助公共电压线VL2′可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔H4而连接到公共电压线VL2。接触孔H4可以与开口OP1重叠。辅助图案AP1a可以通过在第三绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到驱动电压线VL1，并且可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A1的第一区。辅助图案AP2a可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到辅助图案AP2b，并且可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到公共电压线VL2。连接构件CM1可以通过在第二绝缘层150和缓冲层120中限定的接触孔而连接到数据线DL1、DL2和DL3，并且可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A2的第一区。连接构件CM2可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到第一电极C1，并且可以通过在第二绝缘层150中限定的接触孔而连接到半导体层A2的第二区。
第三绝缘层160可以布置在第三导电层上。其中限定了与公共电压线VL2和辅助公共电压线VL2′重叠的开口OP1的第一有机绝缘层170可以布置在第三绝缘层160上。可以包括发光二极管LED的像素电极E1及其连接电极CE等的第四导电层可以布置在第一有机绝缘层170上。像素电极E1可以通过在第一有机绝缘层170中限定的接触孔H1而连接到第二电极C2。连接电极CE可以通过在第一有机绝缘层170和第三绝缘层160中限定的接触孔H2而连接到公共电压线VL2的辅助图案AP2a。连接电极CE可以布置在第一有机绝缘层170的开口OP1中，并且可以接触第三绝缘层板160。
其中限定了与像素电极E1重叠的开口OP和与开口OP1重叠的开口OP2的第二有机绝缘层180可以布置在第四导电层上。开口OP2可以与公共电压线VL2和辅助公共电压线VL2′重叠。开口OP2可以具有大于开口OP1的面积的面积，并且可以围绕开口OP1，并且开口OP1可以限定在开口OP2内。开口OP2可以具有比开口OP1的宽度宽的宽度。
其中限定了与开口OP1和OP2重叠的接触孔H3的发光层EL可以布置在第四导电层上。在平面图中，接触孔H3可以被开口OP1和OP2围绕，并且可以限定在开口OP1和OP2内。接触孔H3可以与公共电压线VL2和辅助公共电压线VL2′重叠。如上所述，发光层EL的接触孔H3可以通过激光钻孔工艺来限定。由于在第一有机绝缘层170中限定了开口OP1，因此第一有机绝缘层170可以不布置在激光钻孔工艺期间用激光照射的区中。因此，即使其中照射激光的区的温度增加，也可以防止从第一有机绝缘层170产生气体，并且因此，可以防止由于在激光钻孔工艺期间来自第一有机绝缘层170的气体而导致的发光层的劣化。可以在其中公共电压线VL2和辅助驱动电压线VL1′交叉的(例如，在图11中的下部的相对侧处的)区中限定开口OP1、开口OP2和接触孔H3。
公共电极E2可以布置在发光层EL上。公共电极E2可以通过在发光层EL中限定的接触孔H3而连接到连接电极CE，并且可以通过连接电极CE而施加有公共电压ELVSS。包括第一无机层191、有机层192和第二无机层193的封装层190可以布置在发光层EL上。
图13、图14、图15和图16分别图示了其中在发光显示装置中的发光层中限定了接触孔的区的实施方式的剖视图。
其中通过激光钻孔工艺在发光层EL中限定接触孔H3的区可以进行各种改变。参考图13，接触孔H3可以限定在其中第一导电层CL1、第二导电层CL2和第三导电层CL3重叠的区中。第一导电层CL1可以是公共电压线VL2，并且可以是包括在第一导电层CL1中的另一布线或电极，诸如驱动电压线VL1、初始化电压线VL3以及数据线DL1、DL2和DL3。第二导电层CL2可以是公共电压线VL2的辅助图案AP2b，并且可以是包括在第二导电层CL2中的另一布线或电极，诸如驱动电压线VL1的辅助图案AP1b、栅电极G1、G2和G3以及存储电容器CST的第一电极C1。第三导电层CL3可以是公共电压线VL2的辅助图案AP2a，并且可以是包括在第三导体层CL3中的另一布线或电极，诸如第一栅极线GL1、第二栅极线GL2、存储电容器CST的第二电极C2、辅助驱动电压线VL1′、辅助公共电压线VL2′、驱动电压线VL1的辅助图案AP1a和初始化电压线VL3的辅助图案AP3a。参考图14，接触孔H3可以限定在其中第一导电层CL1和第二导电层CL2重叠的区中。参考图15，接触孔H3可以限定在其中第二导电层CL2和第三导电层CL3重叠的区中。参考图16，接触孔H3可以限定在其中第一导电层CL1和第三导电层CL3重叠的区中。
在任一情况下，可以在接触孔H3的下部中移除第一有机绝缘层170，并且接触孔H3可以限定在第一有机绝缘膜170的开口OP1内。因此，可以防止发光层EL因由于在激光钻孔工艺期间的热导致的从第一有机绝缘层170产生气体而劣化。
图17图示了发光显示装置中的显示区的实施方式的示意性剖视图。
参考图17，显示面板10可以包括显示部100、颜色转换部200和布置在显示部100与颜色转换部200之间的填充物400。
显示部100可以基本上包括衬底110、形成或布置在衬底110上的晶体管TR以及连接到晶体管TR的发光二极管LED。晶体管TR可以包括半导体层AL、栅电极GE、第一电极SE和第二电极DE。第一电极SE可以连接到半导体层AL的第一区和阻光图案LB，并且第二电极DE可以连接到导体层AL的第二区。图示的晶体管TR可以是第一晶体管T1。由于上面已经详细描述了显示部100，因此现在将描述颜色转换部200和填充物400。
颜色转换部200可以布置在显示部100的封装层190上。
颜色转换部200可以包括衬底210。衬底210可以包括诸如玻璃或塑料的绝缘材料，例如，衬底210可以是玻璃衬底。
滤色器230a、230b和230c可以在朝向显示部100的方向上布置在衬底210上。在显示区DA中，滤色器230a、230b和230c可以与第二有机绝缘层180的开口OP重叠。滤色器230a、230b和230c可以包括透射第一波长的光并且吸收剩余波长的光的第一滤色器230a、透射第二波长的光并且吸收剩余波长的光的第二滤色器230b以及透射第三波长的光并且吸收剩余波长的光的第三滤色器230c。第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可以分别与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3重叠。因此，发射到显示面板10的外部的第一波长的光(对应于第一像素PX1)、第二波长的光(对应于第二像素PX2)和第三波长的光(对应于第三像素PX3)的纯度可以提高。第一波长的光、第二波长的光和第三波长的光可以分别为红色光、绿色光和蓝色光。
在像素PX1、PX2和PX3的边界处，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可以相互重叠以形成阻光区域。如所示的，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c全部可以重叠以形成阻光区域，但是两个滤色器可以重叠以形成阻光区域。在实施方式中，例如，第一滤色器230a和第二滤色器230b可以在第一像素PX1与第二像素PX2之间的边界处重叠，第二滤色器230b和第三滤色器230c可以在第二像素PX2与第三像素PX3之间的边界处重叠，并且第三滤色器230c和第一滤色器230a可以在第三像素PX3与第一像素PX1之间的边界处重叠。在非显示区NA中，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可以相互重叠以形成阻光区域。第三滤色器230c、第一滤色器230a和第二滤色器230b按此顺序堆叠在衬底210上，但它们可以以不同的顺序堆叠。代替滤色器230a、230b和230c的重叠，可以通过形成阻光构件来提供阻光区域。
低折射率层240可以布置在滤色器230a、230b和230c上。低折射率层240可以布置在整个衬底210上。低折射率层240可以包括具有低折射率的有机材料或无机材料。低折射率层240的折射率可以为约1.1至约1.3。低折射率层240可以布置在与图示实施方式不同的位置处。在实施方式中，例如，低折射率层240可以布置在颜色转换层270a和270b以及透射层270c与第二覆盖层280之间。颜色转换部200可以包括多个低折射率层。在实施方式中，例如，除了如所示的布置在滤色器230a、230b和230c与第一覆盖层250之间的低折射率层240之外，颜色转换部200还可以包括布置在颜色转换层270a和270b以及透射层270c与第二覆盖层280之间的低折射率层。
第一覆盖层250可以布置在低折射率层240上。第一覆盖层250可以布置为覆盖整个低折射率层240，并且可以保护低折射率层240。第一覆盖层250可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
堤260可以布置在第一覆盖层250上。堤260可以布置在显示区DA中，并且可以与第二有机绝缘层180重叠。堤260可以与其中第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c彼此重叠的阻光区域重叠。堤260可以布置在像素PX1、PX2和PX3的边界处。堤260可以划分像素区。堤260可以包括诸如丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物或酰胺基聚合物的有机绝缘材料。堤260可以是包含诸如黑色颜料的有色颜料的黑色堤，但也可以是透明的。
第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c可以布置在第一覆盖层250上。第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c可以布置在由堤260限定的空间中(即，在堤260的开口中)。第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c可以由堤260分割或分开。第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c可以通过喷墨印刷工艺形成。
第一颜色转换层270a可以与第一滤色器230a重叠。第一颜色转换层270a可以与对应于第一像素PX1的发光二极管LED重叠，并且可以将从发光二极管LED入射的光转换为第一波长的光。第一波长的光可以是具有约600纳米(nm)至约650nm(例如，约620nm至约650nm)的最大发光峰值波长的红色光。
第二颜色转换层270b可以与第二滤色器230b重叠。第二颜色转换层270b可以与对应于第二像素PX2的发光二极管LED重叠，并且可以将从发光二极管LED入射的光转换为第二波长的光。第二波长的光可以是具有约500nm至约550nm(例如，约510nm至约550nm)的最大发光峰值波长的绿色光。
透射层270c可以与第三滤色器230c重叠。透射层270c可以与对应于第三像素PX3的发光二极管LED重叠，并且可以透射从发光二极管LED入射的光。通过透射层270c透射的光可以是第三波长的光。第三波长的光可以是具有约380nm至约480nm(例如，约420nm或更大、约430nm或更大、约440nm或更大或者约445nm或更大且约470nm或更小、约460nm或更小或者约455nm或更小)的最大发光峰值波长的蓝色光。
第一颜色转换层270a和第二颜色转换层270b可以分别包括第一量子点和第二量子点。在实施方式中，例如，入射到第一颜色转换层270a的光可以通过第一量子点转换为第一波长的光并且发射。入射到第二颜色转换层270b的光可以通过第二量子点转换为第二波长的光并且发射。第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c可以包括散射器。散射器可以通过散射入射到第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c的光来提高光效率。
第一量子点和第二量子点(在下文中，量子点也称为半导体纳米晶体)中的每个可以独立地包括H-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其任何组合。
II-VI族化合物可以选自：从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其任何组合中选择的二元素化合物，从AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其任何组合中选择的三元素化合物，以及从CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其任何组合中选择的四元素化合物。II-VI族化合物还可以包括III族金属。
III-V族化合物可以选自：从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其任何组合中选择的二元素化合物，从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InZnP、InPSb及其任何组合中选择的三元素化合物，以及从GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其任何组合中选择的四元素化合物。III-V族化合物还可以包括II族金属(例如，InZnP)。
IV-VI族化合物可以选自：从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其任何组合中选择的二元素化合物，从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其任何组合中选择的三元素化合物，以及从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其任何组合中选择的四元素化合物。
IV族元素或化合物可以选自：从Si、Ge及其任何组合中选择的单元素化合物，以及从SiC、SiGe及其任何组合中选择的二元素化合物。
I-III-VI族化合物可以选自：CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS。
II-III-VI族化合物可以选自：ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnCaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe及其任何组合。
I-II-IV-VI族化合物可以选自CuZnSnSe和CuZnSnS。
量子点可以不包括镉。量子点可以包括基于包括铟和磷的III-V族化合物的半导体纳米晶体。III-V族化合物还可以包括锌。量子点可以包括基于包括硫属元素(例如，硫、硒、碲或其任何组合)和锌的II-VI族化合物的半导体纳米晶体。
在量子点中，上述的二元素化合物、三元素化合物和/或四元素化合物可以以均匀浓度位于粒子中，或者它们可以分别被划分为在同一粒子中具有部分不同浓度的状态。此外，其中一些量子点包围一些其他量子点的核/壳结构是可能的。核与壳之间的界面可以具有其中壳的元素的浓度更靠近其中心而降低的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可以具有包括核和壳的核/壳结构，核包括上述纳米晶体，壳围绕核。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学改性来保持半导体特性的钝化层和/或用作用于向量子点施加电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中壳的元素的浓度更靠近其中心而降低的浓度梯度。量子点的壳的实施方式可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其任何组合。
金属或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mg2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等的二元素化合物，或者是诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等的三元素化合物。
半导体化合物可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或约30nm或更小的发光波长谱的半峰全宽，并且在此范围内，颜色纯度或颜色再现性可以被提高。此外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此视角可以得到改善。
在量子点中，壳材料和核材料可以具有不同的能带隙。在实施方式中，例如，壳材料的能带隙可以大于或小于核材料的能带隙。量子点可以具有多层壳。在多层壳中，其外层的能带隙可以大于其内层(即，更靠近核的层)的能带隙。在多层壳中，外层的能带隙可以小于内层的能带隙。
量子点的形状并没有特别地限制。在实施方式中，例如，量子点的形状可以是球体、多面体、棱锥体、多角体、正方体、长方体、纳米管、纳米棒、纳米线、纳米片或其任何组合。
量子点可以包括有机配体(例如，具有疏水部分和/或亲水部分)。有机配体部分可以结合到量子点的表面。有机配体部分可以包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或其任何组合。这里，R独立地是：C3到C40经取代或未经取代的脂肪烃基，诸如C3到C40(例如，C5或更大且C24或更小)经取代或未经取代的烷基或经取代或未经取代的烯基；C6到C40(例如，C6或更大且C20或更小)经取代或未经取代的芳香烃基，诸如经取代或未经取代的C6到C40芳基)；或其任何组合。
有机配体的示例可以是硫醇化合物，诸如甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二硫醇、十六硫醇、十八硫醇或者苄基硫醇；胺，诸如甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、十六胺、十八胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺或三辛胺；羧酸化合物，诸如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二酸、十六酸、十八酸、油酸或苯甲酸；磷化合物，诸如甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦或三辛基膦；磷化合物或其氧化物，诸如甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化磷或三辛基氧化膦；二苯基膦、三苯基膦化合物或其氧化物；C5至C20烷基次膦酸或C5至C20烷基膦酸，诸如己基次膦酸、辛基次膦酸、十二次膦酸、十四次膦酸、十六次膦酸、十八次磷酸等。量子点可以仅包括疏水性有机配体或至少一种类型的组合。疏水性有机配体可以不包括光聚合部分(例如，丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基等)。
第二覆盖层280可以布置在堤260上。第二覆盖层280可以布置为覆盖整个衬底210。第二覆盖层280可以覆盖第一颜色转换层270a、第二颜色转换层270b和透射层270c。第二覆盖层280可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是单层或多层。
低折射率层240、第一覆盖层250和第二覆盖层280可以在颜色转换部200的边缘处覆盖滤色器230a、230b和230c的侧表面。低折射率层240、第一覆盖层250和第二覆盖层280可以形成或提供为直到衬底210的边缘，并且低折射率层240可以在颜色转换部200的边缘处接触衬底210。低折射率层240、第一覆盖层250和第二覆盖层280可以形成防止湿气、氧气等从颜色转换部200的边缘渗透的阻挡构件。
填充物400可以布置在颜色转换部200与显示部100之间。填充物400可以填充显示部100与颜色转换部200之间的空间，以增加显示部100与颜色转换部200m之间的挤压抵抗力。填充物400的一个表面可以接触第二覆盖层280，并且填充物400的另一表面可以接触封装层190。填充物400可以通过在第二覆盖层280上涂布填充物材料、与显示部100重叠并且然后固化填充物材料来形成。填充物400可以包括有机材料，诸如环氧树脂。
虽然已结合目前被视为实际实施方式的内容描述了本公开，但是应理解，本实用新型概念并不限于所公开的实施方式，而是相反，本实用新型概念旨在涵盖随附的权利要求书的精神和范围内包括的各种修改和等同安排。

Claims (10)

1.一种发光显示装置，其特征在于，包括：
公共电压线，所述公共电压线传输公共电压；
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层布置在所述公共电压线上并且在所述第一有机绝缘层中限定了第一开口；
连接电极，所述连接电极布置在所述第一有机绝缘层上并且连接到所述公共电压线；
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层布置在所述第一有机绝缘层上并且在所述第二有机绝缘层中限定了与所述第一开口重叠的第二开口；
发光层，所述发光层布置在所述连接电极和所述第二有机绝缘层上并且在所述发光层中限定了与所述第一开口和所述第二开口重叠的接触孔；以及
公共电极，所述公共电极布置在所述发光层上并且通过所述接触孔连接到所述连接电极。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述接触孔限定在所述第一开口内，并且具有比所述第一开口的宽度窄的宽度。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第二开口围绕所述第一开口，并且具有比所述第一开口的宽度宽的宽度。
4.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述连接电极与所述第一有机绝缘层的限定所述第一开口的侧表面接触。
5.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第一开口、所述第二开口和所述接触孔与所述公共电压线重叠。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其特征在于，还包括：
衬底，所述公共电压线布置在所述衬底上；以及
绝缘层，所述绝缘层布置在所述公共电压线与所述连接电极之间，
其中，所述连接电极在与所述第一开口重叠的区中接触所述绝缘层。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其特征在于，还包括：
第一辅助图案，所述第一辅助图案布置在所述公共电压线与所述绝缘层之间，并且连接到所述公共电压线，
其中，所述连接电极通过在所述第一有机绝缘层和所述绝缘层中限定的接触孔而连接到所述第一辅助图案。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其特征在于，还包括：
第二辅助图案，所述第二辅助图案布置在所述公共电压线与所述第一辅助图案之间，
其中，所述第一辅助图案连接到所述第二辅助图案。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其特征在于，
所述第一开口和所述第二开口与所述第一辅助图案和所述第二辅助图案重叠。
10.一种发光显示装置，其特征在于，包括：
公共电压线，所述公共电压线传输公共电压；
缓冲层，所述缓冲层布置在所述公共电压线上；
辅助图案，所述辅助图案布置在所述缓冲层上并且连接到所述公共电压线；
第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层布置在所述辅助图案上；
第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层布置在所述第一无机绝缘层上并且在所述第一有机绝缘层中限定了第一开口；
连接电极，所述连接电极布置在所述第一有机绝缘层上并且连接到所述辅助图案；
第二有机绝缘层，所述第二有机绝缘层布置在所述第一有机绝缘层上并且覆盖所述连接电极的边缘；
发光层，所述发光层布置在所述连接电极和所述第二有机绝缘层上并且在所述发光层中限定了与所述第一开口重叠的接触孔；以及
公共电极，所述公共电极布置在所述发光层上并且通过所述接触孔连接到所述连接电极。
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