CN116581226A - 显示装置 - Google Patents

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CN116581226A CN202310050960.8A CN202310050960A CN116581226A CN 116581226 A CN116581226 A CN 116581226A CN 202310050960 A CN202310050960 A CN 202310050960A CN 116581226 A CN116581226 A CN 116581226A
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color
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全栢均
金昤究
朴志奫
徐奉成
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Abstract

一实施例涉及的显示装置包括具备多个像素的显示部以及与所述显示部重叠的色变换部，所述色变换部包括第一色变换部、第二色变换部、透过部和遮光部，所述第一色变换部包括具备第一半导体纳米结晶的第一色变换层以及与所述第一色变换层重叠的第一滤色器，所述第二色变换部包括具备第二半导体纳米结晶的第二色变换层以及与所述第二色变换层重叠的第二滤色器，所述透过部包括透过层，所述色变换部包括位于所述第一色变换层与所述第一滤色器之间的绝缘层，所述绝缘层与所述第一色变换层及所述第一滤色器同时接触。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
为了实现减少在滤色器等中产生的光损失且具有高的色再现率的显示装置，提出了包括使用如量子点这样的半导体纳米结晶的色变换层的显示装置。
发明内容
实施例用于提供一种简化制造工序且阻隔特性出色的显示装置。
一实施例涉及的显示装置包括：显示部，包括多个像素；以及色变换部，与所述显示部重叠，所述色变换部包括第一色变换部、第二色变换部、透过部和遮光部，所述第一色变换部包括：第一色变换层，包括第一半导体纳米结晶；以及第一滤色器，与所述第一色变换层重叠，所述第二色变换部包括：第二色变换层，包括第二半导体纳米结晶；以及第二滤色器，与所述第二色变换层重叠，所述透过部包括透过层，所述色变换部包括位于所述第一色变换层与所述第一滤色器之间的绝缘层，所述绝缘层与所述第一色变换层及所述第一滤色器同时接触。
可以是，所述绝缘层经由所述第一色变换部、所述第二色变换部和所述透过部被连续地配置。
可以是，所述绝缘层与所述第一色变换层、所述第二色变换层及所述透过层接触。
可以是，所述绝缘层与所述第一滤色器及所述第二滤色器接触。
可以是，所述绝缘层是单一层(single layer)。
可以是，所述绝缘层包括聚硅氮烷系化合物。
可以是，所述聚硅氮烷系化合物包括由下述化学式1表示的化合物，化学式1：
在所述化学式1中，所述R1和所述R2彼此独立地包括氢、氧、氮、烷基、环氧基和丙烯酸酯基中的至少一种，所述R3和所述R4分别独立地包括碳数为1至5的烷基或丙烯酸酯基，所述R5包括烷基、甲氧基、烯基中的任一种，在所述x、所述y、所述z中，所述x、所述y、所述z分别为1至10中的任意的数。
可以是，在所述化学式1中，所述x与所述z之和小于或等于所述y。
可以是，在所述化学式1中，所述R1和所述R2与所述第一色变换层、所述第二色变换层及所述透过层结合。
可以是，所述绝缘层通过喷墨工序形成。
可以是，所述绝缘层的厚度是约50纳米至5微米。
一实施例涉及的显示装置可以包括：显示部，包括多个像素；以及色变换部，与所述显示部重叠，所述色变换部包括第一色变换部、第二色变换部和透过部，所述第一色变换部包括：第一色变换层，包括第一半导体纳米结晶；以及第一滤色器，与所述第一色变换层重叠，所述第二色变换部包括：第二色变换层，包括第二半导体纳米结晶；以及第二滤色器，与所述第二色变换层重叠，所述透过部包括：透过层；以及第三滤色器，与所述透过层重叠，所述色变换部包括位于所述第一色变换层与所述第一滤色器之间的绝缘层，所述绝缘层与所述第一色变换层及所述第一滤色器同时接触，所述绝缘层包括有机-无机混合物质。
(发明效果)
根据实施例，可以提供简化制造工序且阻隔特性出色的显示装置。
附图说明
图1是一实施例涉及的显示装置的示意性分解立体图。
图2是示出一实施例涉及的显示面板的部分区域的平面图。
图3是一实施例涉及的显示面板的示意性剖视图。
图4是一实施例涉及的显示面板的剖视图。
图5是一实施例涉及的显示面板的剖视图。
符号说明：
PP：显示部；CC：色变换部；CC1：第一色变换部；CC2：第二色变换部；CC3：透过部；BM：遮光部；CCL1：第一色变换层；CCL2：第二色变换层；CCL3：透过层；BM1：第一遮光部件；CF1：第一滤色器；CF2：第二滤色器；CF3：第三滤色器。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的各种实施例，以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的实施例。
为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。
此外，图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层以及区域，有所夸张地示出了厚度。此外，在附图中，为了便于说明，有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间具有其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，是指其间不存在其他部分。此外，位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的上或下方，并不一定指在重力方向侧位于上或上方的情况。
此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成要素时，在没有特别相反的记载的情况下，并不是排除包括其他构成要素，而是指还可以包括其他构成要素。
此外，在整个说明书中，“平面上”是指从上观察对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
以下，参照图1，观察一实施例涉及的显示装置。图1是一实施例涉及的显示装置的示意性分解立体图。
参照图1，一实施例涉及的显示装置1000可以包括覆盖窗CW、显示面板DP和壳体HM。
覆盖窗CW可以包括绝缘面板。例如，覆盖窗CW可以由玻璃、塑料或它们的组合构成。
覆盖窗CW的前表面可以定义显示装置1000的前表面。透过区域TA可以是光学上透明的区域。例如，透过区域TA可以是具有约90％以上的可见光透过率的区域。
阻断区域CBA可以定义透过区域TA的形状。阻断区域CBA可以与透过区域TA相邻且包围透过区域TA。阻断区域CBA可以是光透过率比透过区域TA相对低的区域。阻断区域CBA可以包括阻断光的不透明的物质。阻断区域CBA可以具有预定的颜色。阻断区域CBA可以通过与定义透过区域TA的透明基板分开提供的边框层来进行定义，或者可以通过插入到透明基板或对透明基板进行着色而形成的墨层来进行定义。
在显示面板DP中显示图像的一面平行于第一方向DR1和第二方向DR2所定义的面。显示图像的一面的法线方向(即，显示面板DP的厚度方向)指代第三方向DR3。各部件的前表面(或者，上表面)和背面(或者，下表面)通过第三方向DR3来进行区分。然而，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3所指代的方向是相对的概念，可以变换为其他方向。
显示面板DP可以是平坦的刚性显示面板，但是并不限于此，也可以是柔性显示面板。另一方面，显示面板DP可以由有机发光显示面板形成。然而，显示面板DP的种类并不限于此，可以构成为各种种类的面板。例如，显示面板DP也可以由液晶显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板等形成。此外，显示面板DP也可以构成为微型发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、量子点有机发光二极管显示面板等下一代显示面板。
微型发光二极管(Micro LED)显示面板通过10至100微米大小的发光二极管构成各像素的方式形成。这种微型发光二极管显示面板使用无机物且可以省略背光单元，因此具有如下的优点，即，响应速度块，可以以低电力实现高亮度，被弯曲时不会破碎等。量子点发光二极管显示面板通过附着包括量子点的膜或者由包括量子点的物质形成的方式形成。量子点表示由如铟、镉等这样的无机物形成、自身发光且直径形成为在几纳米以下的粒子。通过调节量子点的粒子大小，可以表现出期望颜色的光。量子点有机发光二极管显示面板通过使用蓝色有机发光二极管作为光源且在其上附着包括红色和绿色的量子点的膜或者沉积包括红色和绿色的量子点的物质来实现颜色的方式形成。除此之外，一实施例涉及的显示面板DP也可以由各种显示面板形成。
如图1所示，显示面板DP包括显示图像的显示区域DA以及与显示区域DA相邻的非显示区域PA。非显示区域PA是不显示图像的区域。作为一例，显示区域DA可以是四边形状，非显示区域PA可以具有包围显示区域DA的形状。然而，并不限于此，显示区域DA和非显示区域PA的形状可以相对地进行设计。
壳体HM提供预定的内部空间。显示面板DP被安装在壳体HM的内部。除了显示面板DP以外，在壳体HM的内部还可以安装各种电子部件(例如，电源供给部、存储装置、音响输入输出模块等)。
以下，参照图2，观察一实施例涉及的显示面板。图2是示出一实施例涉及的显示面板的部分区域的平面图。
参照图2，显示面板DP包括显示区域DA和非显示区域PA。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边缘来定义。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以配置在基板SUB上的显示区域DA内。各个像素PX包括有机发光二极管以及与其连接的像素驱动电路。
各像素PX例如可以发出红色、绿色、蓝色或白色的光，作为一例可以包括有机发光元件(organic light emitting diode)。显示面板DP通过从像素PX发出的光来提供预定的图像，通过像素PX定义显示区域DA。在本说明书中，非显示区域PA是未配置像素PX的区域，表示不提供图像的区域。
显示面板DP可以包括多个信号线和焊盘部。多个信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、在第二方向DR2上延伸的数据线DL和驱动电压线PL等。
扫描驱动部20位于基板SUB上的非显示区域PA中。扫描驱动部20生成扫描信号并通过扫描线SL而将扫描信号传递到各像素PX。根据一实施例，扫描驱动部20可以配置在显示区域DA的左侧和右侧。本说明书示出了扫描驱动部20配置在显示区域DA的两侧的结构，但是作为其他实施例，扫描驱动部20也可以仅配置在显示区域DA的一侧。
焊盘部40配置在显示面板DP的一端部处，包括多个端子41、42、44、45。焊盘部40可以不被绝缘层覆盖而是被露出，从而与如柔性印刷电路基板或IC芯片这样的控制部(未图示)电连接。
控制部将从外部传递的多个图像信号变更为多个图像数据信号，通过端子41而将变更的信号传递到数据驱动部50。此外，控制部可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号来生成用于控制扫描驱动部20和数据驱动部50的驱动的控制信号，从而通过端子44、41来将其分别传递到扫描驱动部20和数据驱动部50。控制部通过端子42而向驱动电压供给线60传递驱动电压。此外，控制部通过端子45而向公共电压供给线VSSL传递公共电压。
数据驱动部50配置在非显示区域PA上，生成数据信号并通过数据线DL而将数据信号传递到各像素PX。数据驱动部50可以配置在显示面板DP的一侧，例如可以配置在焊盘部40与显示区域DA之间。
驱动电压供给线60配置在非显示区域PA上。例如，驱动电压供给线60可以配置在数据驱动部50和显示区域DA之间。驱动电压供给线60将驱动电压提供给像素PX。驱动电压供给线60可以配置在第一方向DR1上，并且可以与配置在第二方向DR2上的多个驱动电压线PL连接。
公共电压供给线VSSL配置在非显示区域PA上，向像素PX的有机发光元件的公共电极提供公共电压。公共电压供给线VSSL可以形成从基板SUB的一侧面延伸而沿着基板SUB的边缘位置包围三个面的闭环。公共电压供给线VSSL可以包括主供给线70和子供给线71等。
以下，参照图3和图4，观察一实施例涉及的显示面板的显示区域。图3是一实施例涉及的显示面板的示意性剖视图，图4是一实施例涉及的显示面板的剖视图。
首先，参照图3，在相当于显示区域DA的基板SUB上可以形成多个像素PA1、PA2、PA3。各个像素PA1、PA2、PA3可以包括多个晶体管以及与其连接的发光元件。以下，也可以将各个像素PA1、PA2、PA3称为第一像素PA1、第二像素PA2和第三像素PA3。
封装层ENC可以位于多个像素PA1、PA2、PA3上。可以通过封装层ENC保护显示区域DA免受外部气体或水分等的影响。封装层ENC可以被设置成一体使得与显示区域DA的整个面重叠，封装层ENC的一部分还可以配置在非显示区域PA上。
第一色变换部CC1、第二色变换部CC2和透过部CC3可以位于封装层ENC上。第一色变换部CC1可以与第一像素PA1重叠，第二色变换部CC2可以与第二像素PA2重叠，透过部CC3可以与第三像素PA3重叠。
从第一像素PA1发出的光可以通过第一色变换部CC1而提供红色光LR。从第二像素PA2发出的光可以通过第二色变换部CC2而提供绿色光LG。从第三像素PA3发出的光可以通过透过部CC3而提供蓝色光LB。
以下，观察第一像素PA1、第二像素PA2和第三像素PA3的层叠结构以及第一色变换部CC1、第二色变换部CC2和透过部CC3的层叠结构。参照图4，色变换部CC可以位于包括第一像素PA1、第二像素PA2和第三像素PA3的显示部PP上。
参照图4，第一绝缘层P1可以位于显示部PP与色变换部CC之间。第一绝缘层P1可以包括有机物质或无机物质。在第一绝缘层P1包括无机物质的情况下，所述无机物质可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。根据实施例，可以省略第一绝缘层P1。
色变换部CC包括第一色变换部CC1、第二色变换部CC2、透过部CC3和位于它们之间的遮光部BM。遮光部BM可以位于第一色变换部CC1和第二色变换部CC2之间、第二色变换部CC2和透过部CC3之间以及透过部CC3和第一色变换部CC1之间。
与遮光部BM重叠的第一遮光部件BM1可以位于第一绝缘层P1上。第一遮光部件BM1可以定义第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3所处的区域。
第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3可以位于由第一遮光部件BM1定义的区域内。第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3可以通过喷墨工序形成，但是并不限于此，也可以使用任意的制造方法来形成。
第一色变换部CC1可以包括第一色变换层CCL1，第二色变换部CC2可以包括第二色变换层CCL2，透过部CC3可以包括透过层CCL3。
透过层CCL3可以使从显示部PP入射的第一波长的光透过，可以包括多个散射体SC。此时，第一波长的光可以是最大发光峰值波长为约380nm至约480nm(例如，约在420nm以上、约在430nm以上、约在440nm以上或约在445nm以上，且约在470nm以下、约在460nm以下或约在455nm以下)的蓝色光。
第一色变换层CCL1可以将从显示部PP入射的第一波长的光色变换成红色光，可以包括多个散射体SC和多个第一量子点SN1。此时，红色光可以是最大发光峰值波长为约600nm至约650nm(例如，约620nm至约650nm)。
第二色变换层CCL2可以将从显示部PP入射的第一波长的光色变换成绿色光，可以包括多个散射体SC和多个第二量子点SN2。绿色光可以是最大发光峰值波长为约500nm至约550nm(例如，约510nm至约550nm)。
多个散射体SC可以散射入射到第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3的光来提高光的效率。
第一量子点SN1和第二量子点SN2(以下，称为半导体纳米结晶)可以分别独立地包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或它们的组合。第一量子点SN1和第二量子点SN2可以不包括镉。对于第一量子点SN1和第二量子点SN2，以下简称为量子点。
所述II-VI族化合物可以从由：选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组中的三元化合物；以及选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组中的四元化合物所组成的组中选择。所述II-VI族化合物还可以进一步包括III族金属。
所述III-V族化合物可以从由：选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InZnP、InPSb及其混合物组成的组中的三元化合物；以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、InZnP及其混合物组成的组中的四元化合物所组成的组中选择。所述III-V族化合物还可以进一步包括II族金属(例如，InZnP)。
所述IV-VI族化合物可以从由：选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组中的二元化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组中的三元化合物；以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组中的四元化合物所组成的组中选择。
所述IV族元素或化合物可以从由：选自由Si、Ge及其组合组成的组中的单元素；以及选自由SiC、SiGe及其组合组成的组中的二元化合物所组成的组中选择，但是并不限于此。
所述I-III-VI族化合物的例包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS，但是并不限于此。
所述II-III-VI族化合物可以选自由ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnGaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe及其组合组成的组中，但是并不限于此。
所述I-II-IV-VI族化合物可以选自CuZnSnSe和CuZnSnS，但是并不限于此。
在一实现例中，量子点可以不包括镉。量子点可以包括含铟和磷的III-V族化合物基半导体纳米结晶。所述III-V族化合物还可以包括锌。量子点可以包括含硫属元素(例如，硫、硒、碲或它们的组合)和锌的II-VI族化合物基半导体纳米结晶。
在量子点中，前述的二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀的浓度存在于粒子内，或者可以分成浓度分布部分不同的状态而存在于同一粒子内。此外，也可以具有一个量子点包围其他量子点的核/壳结构。核与壳的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度越朝向中心越变低的浓度梯度(gradient)。
在一些实施例中，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括含前述的纳米结晶的核和包围所述核的壳。所述量子点的壳可以执行用于防止所述核的化学变性来维持半导体特性的保护层作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳可以是单层或多层。核与壳的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度越朝向中心越变低的浓度梯度(gradient)。作为所述量子点的壳的例，可以列举金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合等。
例如，所述金属或非金属的氧化物可以例示SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等二元化合物或者MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等三元化合物，但是本发明并不限于此。
此外，所述半导体化合物可以例示CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本发明并不限于此。
核与壳的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度越朝向中心越变低的浓度梯度(gradient)。此外，所述半导体纳米结晶也可以具有包括一个半导体纳米结晶核和包围其的多层壳的结构。在一实现例中，所述多层壳可以具有2个以上的层，例如可以具有2个、3个、4个、5个或其以上的层。所述多层壳的相邻的两个层可以具有单一组成或不同的组成。所述多层壳中的各个层可以具有根据半径而变化的组成。
量子点可以具有约在45nm以下、优选约在40nm以下并且更优选约在30nm以下的发光波长光谱的半宽(full width of half maximum，FWHM)，在该范围中可以提高色纯度或色再现性。此外，通过这种量子点发出的光朝向所有方向被射出，因此可以提高宽视角。
所述量子点可以具有壳物质和核物质彼此不同的能带隙。例如，壳物质的能带隙可以比核物质还大。在其他实现例中，壳物质的能带隙可以比核物质还小。所述量子点可以具有多层的壳。在多层的壳中，外侧层的能带隙可以比内侧层(即，靠近核的层)的能带隙还大。在多层的壳中，外侧层的能带隙也可以比内侧层的能带隙还小。
量子点可以通过调节组成和大小来调节吸收/发光波长。量子点的最大发光峰值波长可以具有紫外线至红外线波长或其以上的波长范围。
量子点可以包括(例如，具有疏水性残基和/或亲水性残基的)有机配体。所述有机配体的残基可以键合到所述量子点的表面。所述有机配体可以包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或它们的组合，在此R可以分别独立地为C3至C40(例如，C5以上且C24以下)的取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基等C3至C40的取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的C6至C40的芳基等C6至C40(例如，C6以上且C20以下)的取代或未取代的芳香族烃基或者它们的组合。
作为所述有机配体的例，可以列举：甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇、苄硫醇等硫醇化合物；甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二烷胺、十六烷胺、十八烷胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺、三辛胺等胺类；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、十八烷酸、油酸(oleic acid)、苯甲酸等羧酸化合物；甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦、三辛基膦等膦化合物；甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化膦、三辛基氧化膦等膦化合物或其氧化物化合物；二苯基膦、三苯基膦化合物或其氧化物化合物；己基次膦酸、辛基次膦酸、十二烷次膦酸、十四烷次膦酸、十六烷次膦酸、十八烷次膦酸等C5至C20的烷基次膦酸、C5至C20的烷基膦酸等，但是并不限于此。量子点可以单独包括疏水性有机配体或者包括疏水性有机配体作为一种以上的混合物。所述疏水性有机配体可以不包括(例如，丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基等)光聚合性残基。
第二绝缘层P2可以位于第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3上。第二绝缘层P2覆盖第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3来对它们进行保护，从而防止异物质流入第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3的情况。第二绝缘层P2可以包括有机-无机混合物质。对于所述有机-无机混合物质将后述。
第二绝缘层P2可以是单一层(single layer)。第二绝缘层P2可以与第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2及透过层CCL3接触。此外，第二绝缘层P2可以与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2及第三滤色器CF3接触。第二绝缘层P2可以与第一色变换层CCL1及第一滤色器CF1同时接触。第二绝缘层P2可以与第二色变换层CCL2及第二滤色器CF2同时接触。第二绝缘层P2可以与透过层CCL3及第三滤色器CF3同时接触。第二绝缘层P2可以经由第一色变换部CC1、第二色变换部CC2和透过部CC3连续地形成。
一实施例涉及的第二绝缘层P2可以包括有机-无机混合物质。作为一例，第二绝缘层P2可以包括聚硅氮烷系化合物。作为一例，第二绝缘层P2可以包括由下述化学式1表示的化合物。有机-无机混合物质可以在如下述化学式1那样包括如Si-O键合或Si-N键合这样的无机物质的同时通过R1、R2、R3、R4、R5中的任一个来包括有机物质。
在所述化学式1中，R1和R2彼此独立地包括氢、氧、氮、烷基、环氧基和丙烯酸酯基中的至少一种，所述R3和R4分别独立地包括碳数为1至5的烷基或丙烯酸酯基，所述R5包括烷基、甲氧基、烯基中的任一种，在所述x、y、z中，x、y、z分别为1至10中的任意的数。在所述化学式1中，x与z之和可以小于或等于y。
在所述化学式1中，R1和R2可以提高与其他层的紧贴力。此外，R5可以包括电子供体基团(electron donor group)，由此可以增加由化学式1表示的化合物的反应性。反应性增加的由化学式1表示的化合物可以在低温下(作为一例，在180度以下)固化。此外，在R3、R4中可以产生光固化，可以提高第二绝缘层P2的膜质密度。
此外，一实施例涉及的第二绝缘层P2可以通过具有约5至15cP的粘度的溶液形成。可以通过具有这种粘度的溶液来利用喷墨工序。此外，所述溶液可以包括不含溶剂的无溶剂方式的材料。第二绝缘层P2可以通过喷墨工序形成，但并不限于此，也可以通过狭缝工序等形成。
第二绝缘层P2可以具有约50纳米至约5微米的厚度。在第二绝缘层P2的厚度小于50纳米的情况下，第二绝缘层P2的透湿效果可能会降低。此外，在第二绝缘层P2的厚度大于约5微米的情况下，可能会产生装置的厚度变厚的问题。
第二绝缘层P2的透湿度可以在约10-3g/m2/day以下。与具有相同厚度的其他层相比，可以具有相当低的透湿度。例如，具有1000埃的厚度的氮化硅材质的绝缘层可以具有约17.3g/m2/day的透湿度。具有3000埃的厚度的氮化硅材质的绝缘层可以具有约1.1g/m2/day的透湿度。具有6000埃的厚度的氮化硅材质的绝缘层可以具有约0.4g/m2/day的透湿度。
一实施例涉及的显示装置1000(参照图1)包括由单一层形成的第二绝缘层P2，从而可以提供通过简单的工序制造的显示装置1000。此外，第二绝缘层P2包括有机-无机混合物质，从而可以平坦化第一色变换部CC1至透过部CC3的高低差。此外，由于可以省略用于形成第二绝缘层P2的单独的蚀刻工序，因此可以简化制造工序。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以位于第二绝缘层P2上。
第一滤色器CF1可以与第一色变换部CC1重叠。第一滤色器CF1可以使通过了第一色变换层CCL1的红色光透过且吸收剩余波长的光，由此可以提高向显示装置1000的外侧射出的红色光的纯度。
第二滤色器CF2可以与第二色变换部CC2重叠。第二滤色器CF2可以使通过了第二色变换层CCL2的绿色光透过且吸收剩余波长的光，由此可以提高向显示装置1000的外侧射出的绿色光的纯度。
第三滤色器CF3可以与透过部CC3重叠。第三滤色器CF3可以使通过了透过层CCL3的蓝色光透过且吸收剩余波长的光，由此可以提高向显示装置1000的外侧射出的蓝色光的纯度。
第二遮光部件BM2可以位于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。第二遮光部件BM2可以通过第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的两个以上彼此重叠而形成。一实施例涉及的色变换部CC也可以在没有单独的遮光部件的情况下使多个滤色器重叠，从而提供阻断光的遮光区域。
以下，参照图5，观察一实施例涉及的显示面板。图5是一实施例涉及的显示面板的剖视图。省略对于与前述内容相同的构成要素的说明。
第一绝缘层P1可以位于显示部PP上。第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3可以位于第一绝缘层P1上。
第一遮光部件BM1可以位于第一绝缘层P1上。第一遮光部件BM1可以定义第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3所处的区域。
第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3位于由第一遮光部件BM1定义的区域内。第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3可以通过喷墨工序形成，但是并不限于此，也可以使用任意的制造方法来形成。
第二绝缘层P2可以位于第一色变换层CCL1、第二色变换层CCL2和透过层CCL3上。第二绝缘层P2可以通过喷墨工序形成。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以位于第二绝缘层P2的上部面上。
第二遮光部件BM2可以是第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少两个彼此重叠的形态。即使没有单独的遮光部件，一实施例涉及的色变换部CC也可以通过多个滤色器重叠来提供阻断光的遮光区域。
以下，观察显示部PP。
一实施例涉及的显示部PP包括基板SUB。基板SUB可以包括玻璃等无机绝缘物质或者如聚酰亚胺(PI)这样的塑料等有机绝缘物质。基板SUB可以是单层或多层。基板SUB可以具有包括高分子树脂的至少一个基底层与至少一个无机层交替地层叠的结构。
基板SUB可以具有各种程度的柔性(flexibility)。基板SUB可以是刚性(rigid)基板或者可以是可弯曲(bending)、可折叠(folding)、可卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。
缓冲层BF可以位于基板SUB上。缓冲层BF可以阻断杂质从基板SUB传递到缓冲层BF的上部层(特别是，半导体层ACT)的情况，从而防止半导体层ACT的特性劣化且缓和压力。缓冲层BF可以包括氮化硅或氧化硅等无机绝缘物质或有机绝缘物质。也可以省略缓冲层BF的一部分或全部。
半导体层ACT位于缓冲层BF上。半导体层ACT可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层ACT包括沟道区域C、第一区域P和第二区域Q。第一区域P和第二区域Q分别配置在沟道区域C的两侧。沟道区域C可以包括掺杂了少量杂质或者未掺杂杂质的半导体，第一区域P和第二区域Q可以包括与沟道区域C相比掺杂了大量的杂质的半导体。半导体层ACT也可以由氧化物半导体形成，在该情况下，可以为了保护容易受高温等外部环境影响的氧化物半导体物质而追加单独的保护层(未图示)。
第一栅极绝缘层GI1位于半导体层ACT上。
栅电极GE和下部电极LE位于第一栅极绝缘层GI1上。根据实施例，栅电极GE和下部电极LE可以形成为一体。
栅电极GE和下部电极LE可以是包括铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的任一种的金属膜被层叠的单层膜或多层膜。栅电极GE可以与半导体层ACT的沟道区域C重叠。
第二栅极绝缘层GI2可以位于栅电极GE和第一栅极绝缘层GI1上。第一栅极绝缘层GI1和第二栅极绝缘层GI2可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
上部电极UE可以位于第二栅极绝缘层GI2上。上部电极UE可以在与下部电极LE重叠的同时形成维持电容器。
第一层间绝缘层IL1位于上部电极UE上。第一层间绝缘层IL1可以是包括硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和硅氮氧化物(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE位于第一层间绝缘层IL1上。源电极SE和漏电极DE分别通过形成在绝缘层中的接触孔而与半导体层ACT的第一区域P及第二区域Q连接。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，可以是包括这种物质的单一层结构或多层结构。
第二层间绝缘层IL2位于第一层间绝缘层IL1、源电极SE和漏电极DE上。第二层间绝缘层IL2可以包括如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
第一电极E1可以位于第二层间绝缘层IL2上。第一电极E1可以通过第二层间绝缘层IL2的接触孔而与漏电极DE连接。
第一电极E1可以包括如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)这样的金属，也可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属物质或透明导电性氧化物的单一层或包括它们的多层形成。例如，第一电极E1可以具有铟锡氧化物(ITO)/银(Ag)/铟锡氧化物(ITO)的三重膜结构。
由栅电极GE、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE形成的晶体管与第一电极E1连接而向发光元件供给电流。
像素定义层IL3位于第二层间绝缘层IL2和第一电极E1上。虽然未图示，但是间隔件(未图示)可以位于像素定义层IL3上。像素定义层IL3具有与第一电极E1的至少一部分重叠且定义发光区域的像素定义层开口部。
像素定义层IL3可以包括如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)这样的一般通用高分子、具有酚基的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
像素定义层IL3可以与前述的第一遮光部件BM1及第二遮光部件BM2重叠。像素定义层IL3可以与遮光部BM重叠。
发光层EL位于第一电极E1上。功能层FL1、FL2位于发光层EL的下部和上部。第一功能层FL1可以包括空穴注入层(hole injection layer，HIL)和空穴传输层(holetransporting layer，HTL)中的至少一个，第二功能层FL2可以是包括电子传输层(electron transporting layer，ETL)和电子注入层(electron injection layer，EIL)中的至少一个的多重膜。功能层FL1、FL2可以与基板SUB的整个面重叠。
第二电极E2位于功能层FL1、FL2上。第二电极E2可以包括含钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)等的反射性金属或者如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)。
第一电极E1、发光层EL、功能层FL1、FL2和第二电极E2可以构成发光元件。在此，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。然而，实施例并不一定限于此，根据显示装置1000(参照图1)的驱动方法，也可以是第一电极E1为阴极并且第二电极E2为阳极。
空穴和电子分别从第一电极E1和第二电极E2被注入到发光层EL的内部，注入的空穴和电子结合的激子(exciton)从激发态跃迁至基态时实现发光。
封装层ENC位于第二电极E2上。封装层ENC不仅可以覆盖发光元件的上部面而且还覆盖至发光元件的侧面，从而进行密封。由于发光元件非常容易受水分和氧的影响，因此封装层ENC密封发光元件来阻断外部的水分和氧的流入。
封装层ENC可以包括多个层，可以由包括无机层和有机层这两者的复合膜形成，作为一例可以由依次形成有第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2的三重层形成。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部的水分或氧渗透到发光元件的情况。例如，第一封装无机层EIL1可以包括硅氮化物、硅氧化物、氮硅氧化物或由它们组合而成的化合物。第一封装无机层EIL1可以通过沉积工序形成。
封装有机层EOL可以配置在第一封装无机层EIL1上，从而与第一封装无机层EIL1接触。形成在第一封装无机层EIL1的上表面的凹凸或存在于第一封装无机层EIL1上的粒子(particle)等可以被封装有机层EOL覆盖，从而可以阻断第一封装无机层EIL1的上表面的表面状态对形成在封装有机层EOL上的构成带来的影响。此外，封装有机层EOL可以缓和接触的层之间的应力。封装有机层EOL可以包括有机物，可以通过如旋涂、狭缝涂、喷墨工序这样的溶液工序形成。
第二封装无机层EIL2配置在封装有机层EOL上，从而覆盖封装有机层EOL。与配置在第一封装无机层EIL1上的情况相比，第二封装无机层EIL2可以稳定地形成在相对平坦的面上。第二封装无机层EIL2可以对从封装有机层EOL散发出的水分等进行封装来防止其流入外部。第二封装无机层EIL2可以包括硅氮化物、硅氧化物、氮硅氧化物或由它们组合而成的化合物。第二封装无机层EIL2可以通过沉积工序形成。
虽然在本说明书中未图示，但是还可以包括位于第二电极E2与封装层ENC之间的盖层(capping layer)。盖层可以包括有机物质。盖层从后续的工序(例如，溅射工序)保护第二电极E2，提高发光元件的出光效率。盖层可以具有比第一封装无机层EIL1大的折射率。
以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书中定义的本发明的基本概念进行的各种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
显示部，包括多个像素；以及
色变换部，与所述显示部重叠，
所述色变换部包括第一色变换部、第二色变换部、透过部和遮光部，
所述第一色变换部包括：
第一色变换层，包括第一半导体纳米结晶；以及
第一滤色器，与所述第一色变换层重叠，
所述第二色变换部包括：
第二色变换层，包括第二半导体纳米结晶；以及
第二滤色器，与所述第二色变换层重叠，
所述透过部包括透过层，
所述色变换部包括位于所述第一色变换层与所述第一滤色器之间的绝缘层，
所述绝缘层与所述第一色变换层及所述第一滤色器同时接触。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述绝缘层经由所述第一色变换部、所述第二色变换部和所述透过部被连续地配置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述绝缘层与所述第一色变换层、所述第二色变换层及所述透过层接触。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述绝缘层与所述第一滤色器及所述第二滤色器接触。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述绝缘层是单一层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述绝缘层包括聚硅氮烷系化合物。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述聚硅氮烷系化合物包括由下述化学式1表示的化合物，
化学式1：
在所述化学式1中，所述R1和所述R2彼此独立地包括氢、氧、氮、烷基、环氧基和丙烯酸酯基中的至少一种，所述R3和所述R4分别独立地包括碳数为1至5的烷基或丙烯酸酯基，所述R5包括烷基、甲氧基、烯基中的任一种，在所述x、所述y、所述z中，所述x、所述y、所述z分别为1至10中的任意的数。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
在所述化学式1中，所述x与所述z之和小于或等于所述y。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
在所述化学式1中，所述R1和所述R2与所述第一色变换层、所述第二色变换层及所述透过层结合。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述绝缘层通过喷墨工序形成。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述绝缘层的厚度是50纳米至5微米。
12.一种显示装置，包括：
显示部，包括多个像素；以及
色变换部，与所述显示部重叠，
所述色变换部包括第一色变换部、第二色变换部和透过部，
所述第一色变换部包括：
第一色变换层，包括第一半导体纳米结晶；以及
第一滤色器，与所述第一色变换层重叠，
所述第二色变换部包括：
第二色变换层，包括第二半导体纳米结晶；以及
第二滤色器，与所述第二色变换层重叠，
所述透过部包括：
透过层；以及
第三滤色器，与所述透过层重叠，
所述色变换部包括位于所述第一色变换层与所述第一滤色器之间的绝缘层，
所述绝缘层与所述第一色变换层及所述第一滤色器同时接触，所述绝缘层包括有机-无机混合物质。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述绝缘层经由所述第一色变换部、所述第二色变换部和所述透过部被连续地配置。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述绝缘层与所述第一色变换层、所述第二色变换层及所述透过层接触。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述绝缘层与所述第一滤色器、所述第二滤色器及所述第三滤色器接触。
16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述绝缘层为单一层。
17.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述绝缘层包括聚硅氮烷系化合物。
18.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述绝缘层通过喷墨工序形成。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述绝缘层的厚度是50纳米至5微米。
20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述绝缘层的透湿度在10-3g/m2/day以下。
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