CN115472644A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

根据一实施例的显示装置包括位于基板上的像素部、与所述像素部重叠的颜色转换部以及与所述颜色转换部接触的功能层，所述功能层包括第一物质和散射体，所述第一物质包括POSS(polyhedral oligomericsilsequioxane，笼型聚倍半硅氧烷)系化合物，所述功能层为所述显示装置的最外层。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及显示装置。
背景技术
为了实现降低在滤色器等中产生的光损失且具有高的色彩再现率的显示装置，提出了包括使用量子点等半导体纳米晶体的颜色转换层的显示装置。
另一方面，近年来使用了将多个显示装置进行连接从而将显示面积大型化的瓦片式显示装置(tiling display device)。
发明内容
实施例用于提供简化了制造工序且显示品质优异的显示装置。此外，实施例提供降低显示装置之间的边界区域在视觉上被辨认出的显示装置，从而用于提供显示品质得到提高的瓦片式显示装置。
根据一实施例的显示装置包括位于基板上的像素部、与上述像素部重叠的颜色转换部以及与上述颜色转换部接触的功能层，上述功能层包括第一物质和散射体，上述第一物质包括POSS(polyhedral oligomeric silsequioxane，笼型聚倍半硅氧烷)系化合物，上述功能层为显示装置的最外层。
上述第一物质可以包括由下述化学式1至化学式14表示的化合物中的至少一种。
Figure BDA0003506612420000011
Figure BDA0003506612420000021
Figure BDA0003506612420000031
在上述化学式1至化学式9中，上述A、B、D、E由下述化学式A、化学式B、化学式D、化学式E表示，
Figure BDA0003506612420000041
在上述化学式1至14以及化学式A、B、D、E中，
Y各自独立地为O、NR或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
X各自独立地为R或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
R各自独立地为取代或未取代的氢、氘、卤素、胺基、环氧基、环己基环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、异氰酸酯基、腈基、硝基、苯基、C1至C12的烷基、C2至C12的烯基、C1至C40的烷氧基、C3至C12环烷基、C3至C12的杂环烷基、C6至C12的芳基、C3至C12的杂芳基、C3至C12的芳烷基、C3至C12的芳氧基、C3至C12的芳基巯基，a和d各自独立地为1至100000的整数，b各自独立地为1至500的整数，e各自独立地为1或2，n各自独立地为1至20的整数，
在上述化学式10和12中，上述R包括由下述化学式R-1、R-2和R-3表示的化合物中的至少一种，
Figure BDA0003506612420000051
在上述化学式10、11、14、R-1、R-2、R-3中，n为1至20之间的自然数。
上述散射体可以包括二氧化硅、多孔二氧化硅、TiO2、ZrO、银(Ag)颗粒、金(Au)颗粒、有机聚合物颗粒和无机聚合物颗粒中的至少一种。
上述散射体的直径可以为约0.2微米至约6微米。
上述散射体与上述第一物质之间的折射率之差可以为约0.1以上。
上述散射体的折射率可以比上述第一物质的折射率大。
上述功能层的厚度可以为约3微米至约15微米。
上述颜色转换部可以包括位于上述像素部上的第一绝缘层、位于上述第一绝缘层上并包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层、位于上述颜色转换层和上述透射层上的第二绝缘层、位于上述第二绝缘层上的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
上述功能层可以与上述第一滤色器至上述第三滤色器接触。
包括位于上述第一滤色器、上述第二滤色器和上述第三滤色器之间的遮光层，上述遮光层可以是上述第一滤色器、上述第二滤色器和上述第三滤色器中的至少两者重叠而形成的。
上述颜色转换层包括第一颜色转换层和第二颜色转换层，上述显示装置包括位于上述第一颜色转换层、上述第二颜色转换层和上述透射层之间的第一遮光层，上述遮光层可以为第二遮光层。
上述功能层可以与上述第二遮光层接触。
上述显示装置还可以包括位于上述第二绝缘层与上述第一至第三滤色器之间的低折射率层。
根据一实施例的显示装置包括位于基板上的像素部、与上述像素部重叠的颜色转换部以及与上述颜色转换部接触的功能层，上述功能层包含第一物质，上述第一物质包括由下述化学式1至化学式14表示的化合物中的至少一种。
Figure BDA0003506612420000061
Figure BDA0003506612420000071
Figure BDA0003506612420000081
在上述化学式1至化学式9中，上述A、B、D、E由下述化学式A、化学式B、化学式D、化学式E表示，
Figure BDA0003506612420000082
Figure BDA0003506612420000091
在上述化学式1至14以及化学式A、B、D、E中，
Y各自独立地为O、NR或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
X各自独立地为R或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
R各自独立地为取代或未取代的氢、氘、卤素、胺基、环氧基、环己基环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、异氰酸酯基、腈基、硝基、苯基、C1至C12的烷基、C2至C12的烯基、C1至C40的烷氧基、C3至C12环烷基、C3至C12的杂环烷基、C6至C12的芳基、C3至C12的杂芳基、C3至C12的芳烷基、C3至C12的芳氧基、C3至C12的芳基巯基，a和d各自独立地为1至100000的整数，b各自独立地为1至500的整数，e各自独立地为1或2，n各自独立地为1至20的整数，
在上述化学式10和12中，上述R包括由下述化学式R-1、R-2和R-3表示的化合物中的至少一种，
Figure BDA0003506612420000092
Figure BDA0003506612420000101
在上述化学式10、11、14、R-1、R-2、R-3中，n为1至20之间的自然数。
上述功能层还包含散射体，上述散射体可以包括二氧化硅、多孔二氧化硅、TiO2、ZrO、银(Ag)颗粒、金(Au)颗粒、有机聚合物颗粒和无机聚合物颗粒中的至少一种。
上述散射体的折射率可以比上述第一物质的折射率大。
上述颜色转换部可以包括位于上述像素部上的第一绝缘层、位于上述第一绝缘层上并包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层、位于上述颜色转换层和上述透射层上的第二绝缘层、位于上述第二绝缘层上的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
上述功能层可以与上述第一滤色器至上述第三滤色器接触。
包括位于上述第一滤色器、上述第二滤色器和上述第三滤色器之间的遮光层，上述遮光层可以是上述第一滤色器、上述第二滤色器和上述第三滤色器中的至少两者重叠而形成的。
上述功能层可以与上述遮光层接触。
(发明效果)
根据实施例，可以提供简化了制造工序且显示品质优异的显示装置。此外，实施例可以降低显示装置之间的边界区域在视觉上被辨认出的情况，因此可以提供显示品质得到提高的瓦片式显示装置。
附图说明
图1a为根据一实施例的显示装置的示意性分解立体图。
图1b为根据一实施例的瓦片式显示装置的平面图。
图2为具体示出根据一实施例的显示面板的部分区域的平面图。
图3为根据一实施例的显示面板的示意性剖面图。
图4为根据一实施例的显示面板的剖面图。
图5为关于根据一实施例的显示面板的部分构成要素的剖面图。
图6为根据一实施例的显示面板的剖面图。
图7为关于包含单独的防眩光膜的比较例的图像。
图8为关于功能层包含由化学式1表示的化合物和6微米大小的二氧化硅珠的实施例的图像。
符号说明：
SUB：基板；PP：像素部；CC：颜色转换部；AGL：功能层；A1：第一物质；A2：散射体。
具体实施方式
下面，将参照附图，对本发明的多个实施例以本领域技术人员可以容易地实施的方式详细地进行说明。本发明可以实现为各种不同的形态，不限定于在此说明的实施例。
为了清楚地说明本发明而省略了与说明无关的部分，贯穿整个说明书，对相同或类似的构成要素赋予了相同的符号。
另外，附图中显示的各构成的大小和厚度是为了便于说明而任意显示的，因此本发明不一定限定于所图示的内容。为了清楚地表示附图中的各个层和区域而将厚度放大进行显示。并且，为了便于说明，在附图中将部分层和区域的厚度夸大进行显示。
另外，当指出层、膜、区域、板等部分在其它部分的“上方”或“上”时，其不仅包括在其它部分的“正上方”的情况，还包括它们中间还存在其它部分的情况。相反，当指出某部分在其它部分的“正上方”时，意思是中间没有其它部分。此外，在成为基准的部分“上方”或“上”是位于成为基准的部分的上方或下方，并不表示一定位于重力相反方向的“上方”或“上”。
另外，在整个说明书中，当指出某一部分“包括/包含”某一构成要素时，只要没有特别相反的记载，则意味着可以进一步包括其它构成要素，而不是将其它构成要素排除。
另外，在整个说明书中，当指出“平面上”时，其是指从上方观察目标部分的情况，当指出“剖面上”时，其是指从侧方观察将目标部分垂直切割的剖面的情况。
在下文中，参照图1a和图1b来对根据一实施例的显示装置进行说明。图1a为根据一实施例的显示装置的示意性分解立体图，图1b为根据一实施例的瓦片式显示装置的平面图。
参照图1a，根据一实施例的显示装置1000可以包括显示面板DP和壳HM。
在显示面板DP中，显示图像的一面平行于第一方向DR1和第二方向DR2所定义的面。显示图像的一面的法线方向(即显示面板DP的厚度方向)指示第三方向DR3。由第三方向DR3划分各构件的正面(或上面)和背面(或下面)。但是，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3指示的方向为相对的概念，可以转换为其它方向。
显示面板DP可以为平面刚性显示面板，但是并不限定于此，也可以为柔性显示面板。
另一方面，显示面板DP可以由有机发光显示面板构成。但是，显示面板DP的种类并不限定于此，可以由各式种类的面板构成。例如，显示面板DP也可以由液晶显示面板、电泳显示面板、电润湿显示面板等构成。此外，显示面板DP也可以由微型发光二极管显示面板、量子点发光二极管显示面板、量子点有机发光二极管显示面板等第二代显示面板构成。
微型发光二极管(Micro LED)显示面板以10至100微米大小的发光二极管构成各像素的方式构成。这样的微型发光二极管显示面板使用无机物，并且可以省略背光单元，反应速度快，可以用低的电力实现高的亮度，具有弯曲时不断裂等优点。量子点发光二极管显示面板以附着含有量子点的膜或者由含有量子点的物质形成的方式构成。量子点是指由铟、镉等无机物构成且自身发光且直径以数纳米以下形成的颗粒。通过调节量子点的颗粒大小，从而可以显示出所需颜色的光。量子点有机发光二极管显示面板使用蓝色有机发光二极管作为光源，以在其上方附着含有红色和绿色的量子点的膜或者蒸镀含有红色和绿色的量子点的物质而实现颜色的方式构成。根据一实施例的显示面板DP除此以外也可以由各种显示面板构成。
如图1a所示的那样，显示面板DP包括显示图像的显示区域DA以及与显示区域DA相邻的非显示区域PA。非显示区域PA为不显示图像的区域。作为一例，显示区域DA可以为四边形，非显示区域PA可以具有包围显示区域DA的形状。但是，并不限定于此，显示区域DA和非显示区域PA的形状可以相对地进行设计。
壳HM提供预定的内部空间。显示面板DP安装在壳HM内部。壳HM的内部可以安装除了显示面板DP以外的各种电子部件(例如，电源供给部、储存装置、声音输入输出模块等)。
参照图1b，根据一实施例的瓦片式显示装置1包括多个显示装置1000。瓦片式显示装置1由多个显示装置1000构成，从而可以将显示图像的面积大型化。
根据一实施例的显示装置1000可以具有经防眩光处理的表面。作为一例，可以是雾度(Haze)约在25％以上、SCE(镜面反射成分除外，Specular Component Excluded)在2％以上以及单膜透射率在85％以上的显示装置1000。由此可以降低多个显示装置1000之间的间隙在视觉上被辨认出的情况，可以使多个显示装置1000看起来像是一个显示装置。
在下文中，参照图2，对根据一实施例的显示装置进行说明。图2为示出了根据一实施例的显示面板的部分区域的平面图。
参照图2，显示面板DP包括显示区域DA和非显示区域PA。非显示区域PA可以沿着显示区域DA的边缘来定义。
显示面板DP包括多个像素PX。多个像素PX可以配置在基板SUB上的显示区域DA内。各个像素PX包括发光元件以及与其连接的像素驱动电路。
各像素PX例如发出红色、绿色、蓝色或白色的光，作为所述发光元件的一例，可以包括有机发光元件(organic light emitting diode)。显示面板DP通过从像素PX发出的光而提供预定的图像，通过像素PX定义显示区域DA。在本说明书中，非显示区域PA为没有配置像素PX的区域，表示不提供图像的区域。
显示面板DP可以包括多个信号线和焊盘部。多个信号线可以包括在第一方向DR1上延伸的扫描线SL、在第二方向DR2上延伸的数据线DL以及驱动电压线PL等。
扫描驱动部20位于基板SUB上的非显示区域PA。扫描驱动部20生成扫描信号，并且通过扫描线SL而将其传递到各像素PX。根据一实施例，扫描驱动部20可以配置在显示区域DA的左侧和右侧。本说明书示出了扫描驱动部20配置在显示区域DA的两侧的结构，但通过其它实施例，扫描驱动部20也可以只配置在显示区域DA的一侧。
焊盘部40配置在显示面板DP的一个端部，包括多个端子41、42、44、45。焊盘部40未被绝缘层覆盖而是暴露，从而可以与柔性印刷电路基板或IC芯片等控制部(未图示)电连接。
控制部将从外部传递的多个图像信号改变为多个图像数据信号，将经改变的信号通过端子41而传递到数据驱动部50。此外，控制部接收垂直同步信号、水平同步信号以及时钟信号，从而生成用于控制扫描驱动部20和数据驱动部50的驱动的控制信号并通过端子44、41而传递到扫描驱动部20和数据驱动部50。控制部通过端子42而将驱动电压传递到驱动电压供给线60。此外，控制部通过端子45将公共电压传递到各个公共电压供给线VSSL。
数据驱动部50配置在非显示区域PA上，生成数据信号并通过数据线DL而将其传递到各像素PX。数据驱动部50可以配置在显示面板DP的一侧，例如，可以配置在焊盘部40与显示区域DA之间。
驱动电压供给线60配置在非显示区域PA上。例如，驱动电压供给线60可以配置在数据驱动部50和显示区域DA之间。驱动电压供给线60将驱动电压提供给像素PX。驱动电压供给线60配置在第一方向DR1上，可以与配置在第二方向DR2上的多个驱动电压线PL连接。
公共电压供给线VSSL配置在非显示区域PA上，向像素PX的发光元件的公共电极提供公共电压。公共电压供给线VSSL可以从基板SUB的一侧面延伸而沿着基板SUB的边缘形成包围3个面的闭环。
公共电压供给线VSSL可以包括主供给线70和子供给线71等。
在下文中，参照图3至图6而对根据一实施例的显示面板的显示区域进行说明。图3为根据一实施例的显示面板的示意性剖面图，图4为根据一实施例的显示面板的剖面图，图5为关于根据一实施例的显示面板的部分构成要素的剖面图，图6为根据一实施例的显示面板的剖面图。
首先，参照图3，在相当于显示区域DA的基板SUB上可以形成有多个像素PX1、PX2、PX3。各个像素PX1、PX2、PX3可以包括多个晶体管以及与其连接的发光元件。具体的结构将在下面的图6中进行说明。
封装层ENC可以位于多个像素PX1、PX2、PX3上。可以通过封装层ENC保护显示区域DA免受外部空气或水分等的影响。封装层ENC可以以与显示区域DA的整面重叠的方式形成为一体，也可以部分配置在非显示区域PA上。
第一颜色转换部CC1、第二颜色转换部CC2和第三颜色转换部CC3可以位于封装层ENC上。从第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3发出的光通过第一颜色转换部CC1、第二颜色转换部CC2和第三颜色转换部CC3，从而分别可以发出红色光LR、绿色光LG和蓝色光LB。
功能层AGL可以位于第一颜色转换部CC1、第二颜色转换部CC2和第三颜色转换部CC3上。根据一实施例的功能层AGL的厚度可以约在3微米以上且在15微米以下。
根据一实施例的功能层AGL可以包括第一物质A1和散射体A2。
作为一例，第一物质A1可以包括POSS系化合物。通过POSS系化合物，具有高硬度特性的功能层AGL可以包括由下述化学式1至化学式14表示的化合物中的至少一种。
Figure BDA0003506612420000151
Figure BDA0003506612420000161
Figure BDA0003506612420000171
在上述化学式1至化学式9中，上述A、B、D和E可以由下述化学式A、化学式B、化学式D和化学式E表示。
Figure BDA0003506612420000172
Figure BDA0003506612420000181
在上述化学式1至14以及化学式A、B、D和E中，
Y各自独立地为O、NR或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
X各自独立地为R或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
R各自独立地为取代或未取代的氢、氘、卤素、胺基、环氧基、环己基环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、异氰酸酯基、腈基、硝基、苯基、C1至C12的烷基、C2至C12的烯基、C1至C40的烷氧基、C3至C12环烷基、C3至C12的杂环烷基、C6至C12的芳基、C3至C12的杂芳基、C3至C12的芳烷基、C3至C12的芳氧基、C3至C12的芳基巯基，a和d各自独立地为1至100000的整数，b各自独立地为1至500的整数，e各自独立地为1或2，n各自独立地为1至20的整数。
另外，在化学式10、12中，上述R可以包括由下述化学式R-1、R-2和R-3表示的化合物中的至少一种。
Figure BDA0003506612420000182
Figure BDA0003506612420000191
另外，在化学式10、11、14、R-1、R-2和R-3中，n为1至20之间的自然数。
散射体A2可以为分散在第一物质A1内的形态。散射体A2可以包括二氧化硅、多孔二氧化硅、TiO2、ZrO、银(Ag)颗粒、金(Au)颗粒、有机聚合物颗粒和无机聚合物颗粒中的至少一种。散射体A2的直径可以为约0.2微米至约6微米。散射体A2与第一物质A1之间的折射率之差可以约在0.1以上，作为一例，散射体A2的折射率可以比第一物质A1的折射率大。
由于功能层AGL包括散射体A2，所以可以如图5所示的那样散射外部光。因此，功能层AGL可以具有防眩光效果。通过具有防眩光效果的功能层AGL，用于形成显示装置的工序得到简化，从而能够节约成本。
根据一实施例的功能层AGL可以相当于显示装置的最外层。通过预定的防眩光效果，即使在将多个显示面板进行连接的情况下，也可以降低显示面板之间的间隙在视觉上被辨认出的情况，从而可以容易提供瓦片式显示装置。
另外，不需要单独的防眩光膜，因此可以节约显示装置的制造工序和制造费用。
下面，参照图4，对根据一实施例的颜色转换部的层叠结构具体地进行说明。省略对于与上述的内容重复的内容的说明。参照图4，颜色转换部CC可以位于包括第一像素PX1至第三像素PX3的像素部PP上。
颜色转换部CC可以包括第一颜色转换部CC1、第二颜色转换部CC2和第三颜色转换部CC3以及位于它们之间的遮光区域BM。
颜色转换部CC包括位于像素部PP上的第一绝缘层P1。第一绝缘层P1可以以与整个显示区域DA重叠的方式一体地形成。第一绝缘层P1可以为包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
划分第一颜色转换部CC1、第二颜色转换部CC2和第三颜色转换部CC3的第一遮光层BM1可以位于第一绝缘层P1上。第一遮光层BM1可以定义第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3所处的区域。
第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3位于由第一遮光层BM1定义的区域内。第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3可以通过喷墨工序形成，并且不限定于此，还可以使用任何制造方法而形成。
透射层CCL3透射从像素部PP入射的第一波长的光，可以包括多个散射体SC。此时，第一波长的光可以为最大发光峰值波长为约380nm至约480nm(例如，约在420nm以上、约在430nm以上、约在440nm以上、或者约在445nm以上，并且约在470nm以下、约在460nm以下、或者约在455nm以下)的蓝色光。
第一颜色转换层CCL1对从像素部PP入射的第一波长的光进行色转换而形成红色光，可以包括多个散射体SC和多个第一量子点SN1。此时，红色光的最大发光峰值波长为约600nm至约650nm(例如，可以为约620nm至约650nm)。
第二颜色转换层CCL2对从像素部PP入射的第一波长的光进行色转换而形成绿色光，可以包括多个散射体SC和多个第二量子点SN2。绿色光的最大发光峰值波长为约500nm至约550nm(例如，可以为约510nm至约550nm)。
多个散射体SC使入射到第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3的光散射，从而可以提高光的效率。
第一量子点SN1和第二量子点SN2(以下也称为半导体纳米晶体)可以分别独立地包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或者它们的组合。上述量子点(即，第一量子点SN1和第二量子点SN2，下同)可以不包括镉。
上述II-VI族化合物可以从由选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组中的二元素化合物；选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组中的三元素化合物；以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物组成的组中的四元素化合物组成的组中进行选择。上述II-VI族化合物也可以进一步包括III族金属。
上述III-V族化合物可以从由选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组中的二元素化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InZnP、InPSb和它们的混合物组成的组中的三元素化合物；以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、InZnP和它们的混合物组成的组中的四元素化合物组成的组中进行选择。上述III-V族化合物还可以进一步包括II族金属(例如，InZnP)。
上述IV-VI族化合物可以从由选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组中的二元素化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组中的三元素化合物；以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组中的四元素化合物组成的组中进行选择。
上述I-III-VI族化合物的例子包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe以及CuInGaS，但是并不限定于此。上述I-II-IV-VI族化合物的例子包括CuZnSnSe和CuZnSnS，但是并不限定于此。上述IV族元素或化合物可以从由选自由Si、Ge和它们的混合物组成的组中的单元素；以及选自由SiC、SiGe和它们的混合物组成的组中的二元素化合物组成的组中进行选择。
上述II-III-VI族化合物可以选自由ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnGaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe和它们的组合组成的组中，但是并不限定于此。
在一实现例中，量子点可以不包括镉。量子点可以包括基于含有铟和磷的III-V族化合物的半导体纳米晶体。上述III-V族化合物还可以包括锌。量子点可以包括基于含有硫属元素(例如，硫、硒、碲或它们的组合)和锌的II-VI族化合物的半导体纳米晶体。
在量子点中，上述的二元素化合物、三元素化合物和/或四元素化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒内，或者可以以浓度分布部分不同的状态分开存在于同一颗粒内。此外，也可以具有一个量子点包围其它量子点的核/壳结构。核和壳的界面可以具有越朝向中心则壳中存在的元素的浓度越低的浓度梯度(gradient)。
在一些实施例中，量子点可以具有包括上述的包含纳米晶体的核和包围上述核的壳的核-壳结构。上述量子点的壳可以起到防止上述核的化学改性而用于维持半导体特性的保护层作用和/或用于对量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。上述壳可以为单层或多层。核和壳的界面可以具有越朝向中心则壳中存在的元素的浓度越低的浓度梯度(gradient)。作为上述量子点的壳的例子，可以列举金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合等。
例如，上述金属或非金属的氧化物可以例示出SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等二元素化合物；或者MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等三元素化合物，但是本发明并不限定于此。
另外，上述半导体化合物可以例示出CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是本发明并不限定于此。
核和壳的界面可以具有越朝向中心则壳中存在的元素的浓度越低的浓度梯度(gradient)。此外，上述半导体纳米晶体也可以具有包括一个半导体纳米晶体核和包围其的多层的壳的结构。在一实现例中，上述多层壳可以具有2个以上的层，例如，2个、3个、4个、5个或其以上的层。上述壳的相邻的2个层可以具有单一组成或者不同的组成。多层壳中的各自的层可以具有根据半径而变化的组成。
量子点可以具有约45nm以下、优选约40nm以下、更优选约30nm以下的发光波长光谱的半宽度(full width of half maximum，FWHM)，在此范围中可以提高色纯度或色彩再现性。此外，通过这样的量子点而发出的光朝向所有方向发射，因此可以提高光视角。
在上述量子点中，壳物质和核物质可以具有彼此不同的能带隙。例如，壳物质的能带隙可以比核物质更大。在另一实现例中，壳物质的能带隙可以比核物质更小。上述量子点可以具有多层的壳。在多层的壳中，外层的能带隙可以比内层(即，靠近核的层)的能带隙更大。在多层的壳中，外层的能带隙也可以比内层的能带隙更小。
量子点可以调整组成和大小来调节吸收/发光波长。量子点的最大发光峰值波长可以具有紫外线至红外线波长或者其以上的波长范围。
量子点可以包括(例如，具有疏水性残基和/或亲水性残基的)有机配体。上述有机配体残基可以结合在上述量子点的表面。上述有机配体包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH、或它们的组合，在此，R可以各自独立地为C3至C40(例如，C5以上和C24以下)的取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基等的C3至C40的取代或未取代的脂肪族烃基、取代或未取代的C6至C40的芳基等的C6至C40(例如，C6以上且C20以下)的取代或未取代的芳香族烃基、或它们的组合。
作为上述有机配体的例子，可以列举甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇、苄硫醇等硫醇化合物；甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、十六胺、十八胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺、三辛胺等胺类；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、十八烷酸、油酸(oleic acid)、苯甲酸等羧酸化合物；甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦、三辛基膦等膦化合物；甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化膦、三辛基氧化膦等膦化合物或其氧化合物；二苯基膦、三苯基膦化合物或其氧化物；己基次膦酸、辛基次膦酸、十二烷次膦酸、十四烷次膦酸、十六烷次膦酸、十八烷次膦酸等C5至C20的烷基次膦酸、C5至C20的烷基膦酸等，但是并不限定于此。量子点可以单独包含疏水性有机配体或者包含1种以上的混合物。上述疏水性有机配体可以不包括(例如，丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基等)光聚合性残基。
第二绝缘层P2可以位于第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3上。第二绝缘层P2通过覆盖第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3来保护第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3，从而防止异物流入第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2和透射层CCL3。
低折射率层P3可以位于第二绝缘层P2上。低折射率层P3可以以与像素部PP的整面重叠的方式形成。低折射率层P3可以与第一颜色转换层CCL1、第二颜色转换层CCL2、透射层CCL3以及第一遮光层BM1重叠。
低折射率层P3可以具有约1.1至1.3的折射率。低折射率层P3还可以包括满足上述折射率的任何有机物质或无机物质。
第三绝缘层P4可以位于低折射率层P3上。可以为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
第四绝缘层P5可以位于第三绝缘层P4上。第四绝缘层P5可以包括有机物质。第四绝缘层P5的上面可以是平坦的。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以位于平坦的第四绝缘层P5的上部面上。
第一滤色器CF1可以使通过了第一颜色转换层CCL1的红色光透过，并吸收其余波长的光，从而可以提高向显示装置1000的外侧发射的红色光的纯度。
第二滤色器CF2可以使通过了第二颜色转换层CCL2的绿色光透过，并吸收其余波长的光，从而可以提高向显示装置1000的外侧发射的绿色光的纯度。
第三滤色器CF3可以使通过了透射层CCL3的蓝色光透过，并吸收其余波长的光，从而可以提高向显示装置1000的外侧发射的蓝色光的纯度。
第二遮光层BM2可以位于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。第二遮光层BM2可以是第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的至少2个重叠的形态。根据一实施例的颜色转换部CC即使没有单独的遮光构件，也可以通过重叠多个滤色器而提供遮光区域BM。
功能层AGL可以位于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第二遮光层BM2上。功能层AGL可以与显示区域DA的整面重叠。
功能层AGL可以防止杂质流入第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3等，并且可以提供平坦的上部面。功能层AGL可以与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第二遮光层BM2接触。
在前面，在关于图3的说明中已说明了根据一实施例的功能层AGL，因此在下文中将省略说明。
在下文中，参照图6，对像素部PP的层叠结构进行更具体的说明。对于上述颜色转换部CC和功能层AGL的说明将省略。
参照图6，根据一实施例的基板SUB可以包括玻璃等无机绝缘物质或者聚酰亚胺(PI)之类的塑料等有机绝缘物质。基板SUB可以为单层或多层。基板SUB可以具有交替地层叠了包括依次层叠的高分子树脂的至少一个基底层和至少一个无机层的结构。
基板SUB可以具有各种程度的柔软性(flexibility)。基板SUB可以为刚性(rigid)基板或者能够弯曲(bending)、折叠(folding)、卷曲(rolling)等的柔性(flexible)基板。
缓冲层BF可以位于基板SUB上。缓冲层BF可以阻挡杂质从基板SUB传递到缓冲层BF的上部层(尤其是半导体层ACT)，从而阻止半导体层ACT的特性劣化，并且缓解应力。缓冲层BF可以包括氮化硅或氧化硅等无机绝缘物质或者有机绝缘物质。缓冲层BF的部分或者整体也可以被省略。
半导体层ACT位于缓冲层BF上。半导体层ACT可以包括多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。半导体层ACT包括沟道区域C、第一区域P和第二区域Q。第一区域P和第二区域Q分别配置在沟道区域C的两边。沟道区域C包括掺杂有少量的杂质或者未掺杂杂质的半导体，第一区域P和第二区域Q可以包括相对于沟道区域C掺杂有大量的杂质的半导体。半导体层ACT也可以由氧化物半导体构成，在该情况下，为了保护易受高温等外部环境影响的氧化物半导体物质，可以追加单独的保护层(未图示)。
第一栅绝缘层GI1位于半导体层ACT上。
栅电极GE和下部电极LE位于第一栅绝缘层GI1上。根据实施例，栅电极GE和下部电极LE可以一体地形成。栅电极GE和下部电极LE可以是层叠了含铜(Cu)、铜合金、铝(Al)、铝合金、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)和钛合金中的任一种的金属膜的单层或多层膜。栅电极GE可以与半导体层ACT的沟道区域C重叠。
第二栅绝缘层GI2可以位于栅电极GE和第一栅绝缘层GI1上。第一栅绝缘层GI1和第二栅绝缘层GI2可以为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
上部电极UE可以位于第二栅绝缘层GI2上。上部电极UE与下部电极LE重叠的同时可以形成维持电容器。
第一层间绝缘层IL1位于上部电极UE上。第一层间绝缘层IL1可以为包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的单层或多层。
源电极SE和漏电极DE位于第一层间绝缘层IL1上。源电极SE和漏电极DE通过形成于绝缘层(例如，第一层间绝缘层IL1、第二栅绝缘层GI2和第一栅绝缘层GI1)的接触孔而与半导体层ACT的第一区域P和第二区域Q分别连接。
源电极SE和漏电极DE可以包括铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)等，可以为包括其的单层或多层结构。
第二层间绝缘层IL2位于第一层间绝缘层IL1、源电极SE和漏电极DE上。第二层间绝缘层IL2可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)等一般通用的高分子；具有酚系基团的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
第一电极E1可以位于第二层间绝缘层IL2上。第一电极E1可以通过第二层间绝缘层IL2的接触孔而与漏电极DE连接。
第一电极E1也可以包括银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)等金属；氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电性氧化物(TCO)。第一电极E1可以由包括金属物质或透明导电性氧化物的单层或者包括它们的多层构成。例如，第一电极E1可以具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)的三重膜结构。
由栅电极GE、半导体层ACT、源电极SE和漏电极DE构成的晶体管与第一电极E1连接，从而对发光元件供给电流。
间隔壁IL3位于第二层间绝缘层IL2和第一电极E1上。虽然未图示，但间隔物(未图示)可以位于间隔壁IL3上。间隔壁IL3与第一电极E1的至少一部分重叠，具有定义发光区域的间隔壁开口部。
间隔壁IL3可以包含聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethylmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)等一般通用的高分子；具有酚系基团的高分子衍生物、丙烯酸系高分子、酰亚胺系高分子、聚酰亚胺、丙烯酸系聚合物、硅氧烷系聚合物等有机绝缘物质。
发光层EL位于第一电极E1上。功能层FL1、FL2可以位于发光层EL的上部和下部。第一功能层FL1可以为包括空穴注入层(hole injection layer，HIL)和空穴传输层(holetransporting layer，HTL)中的至少一者的多重膜，并且第二功能层FL2可以为包括电子传输层(electron transporting layer，ETL)和电子注入层(electron injection layer，EIL)中的至少一者的多重膜。功能层FL1、FL2可以与基板SUB的整面重叠。
第二电极E2位于功能层FL1、FL2上。第二电极E2可以包括含钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)、银(Ag)、金(Au)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)和钙(Ca)等的反射性金属、或者如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电性氧化物(TCO)。
第一电极E1、发光层EL、功能层FL1、FL2和第二电极E2可以构成发光元件。在此，第一电极E1可以是作为空穴注入电极的阳极，并且第二电极E2可以是作为电子注入电极的阴极。但是，实施例并不一定限定于此，根据显示装置的驱动方法，也可以是第一电极E1为阴极，并且第二电极E2为阳极。
分别来自第一电极E1和第二电极E2的空穴和电子被注入到发光层EL的内部，所注入的空穴和电子结合而成的激子(exciton)从激发态迁移到基态时实现发光。
封装层ENC位于第二电极E2上。封装层ENC不仅覆盖发光元件的上部面，而且还可以覆盖到侧面，从而进行密封。发光元件非常容易受到水分和氧气的影响，因此封装层ENC对发光元件进行密封，从而阻挡外部的水分和氧气的流入。
封装层ENC可以包括多个层，其中，可以形成为将无机层和有机层全部包括的复合膜，作为一例，可以形成为依次形成有第一封装无机层EIL1、封装有机层EOL和第二封装无机层EIL2的三重层。
第一封装无机层EIL1可以覆盖第二电极E2。第一封装无机层EIL1可以防止外部水分或氧气渗透到发光元件。例如，第一封装无机层EIL1可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或组合了它们的化合物。第一封装无机层EIL1可以通过蒸镀工序形成。
封装有机层EOL可以配置在第一封装无机层EIL1上，从而与第一封装无机层EIL1接触。在第一封装无机层EIL1的上面形成的弯曲或者在第一封装无机层EIL1上存在的粒子(particle)等被封装有机层EOL覆盖，从而可以阻挡第一封装无机层EIL1的上面的表面状态对形成在封装有机层EOL上的构件造成的影响。此外，封装有机层EOL可以缓解接触的层之间的应力。封装有机层EOL可以包含有机物，可以通过旋涂、狭缝涂布、喷墨工序等溶液工序形成。
第二封装无机层EIL2配置在封装有机层EOL上，从而覆盖封装有机层EOL。与配置在第一封装无机层EIL1上的情况相比，第二封装无机层EIL2可以相对稳定地形成在平坦的面上。第二封装无机层EIL2将从封装有机层EOL释放的水分等进行封装，从而防止其流入到外部。第二封装无机层EIL2可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或组合了它们的化合物。第二封装无机层EIL2可以通过蒸镀工序形成。
本说明书虽然未图示，但是还可以包括位于第二电极E2与封装层ENC之间的覆盖层(capping layer)。覆盖层可以包括有机物质。覆盖层保护第二电极E2免受后续工序(例如溅射工序)的影响，并且提高发光元件的光输出效率。覆盖层可以具有比第一封装无机层EIL1大的折射率。
在下文中，参照图7和图8，对根据比较例和实施例的显示装置的图片进行说明。图7是涉及包含单独的防眩光膜的比较例的图片，图8是涉及功能层包含由化学式1表示的化合物和6微米大小的硅珠的实施例的图片。
参照图7和图8，根据实施例确认出在不包含单独的防眩光膜的情况下，通过包含散射体的功能层，也如包含防眩光膜的比较例那样，显示出了类似的表面特性。
特别是，如表1所示，确认出实施例1至3与比较例相比其硬度可以得到提高，可以表现出与比较例相比类似或提高了的雾度，具有与比较例相比类似水准的透光率。
[表1]
比较例 实施例1 实施例2 实施例3
包含防眩光膜 包含5μm的硅珠 包含6μm的硅珠 包含0.5μm的硅珠
铅笔硬度(500g) 2H 6H 9H 7H
雾度 25％ 25％ 50％ 33％
透光率 88.3％ 89.5％ 89.9％ 88.9％
根据一实施例的显示装置包括位于颜色转换部上的功能层，上述功能层可以具有高硬度特性和散射外部光的特性。因此，通过显示装置的最外层保护显示装置同时用作瓦片式显示装置时，可以降低相邻的显示面板之间的间隙在视觉上被辨认出的情况。
在上文中，对本发明的实施例进行了详细的说明，但是本发明的权利范围并不限定于此，本领域技术人员利用权利要求书中定义的本发明的基本概念实施的各种变形和改进的形态也属于本发明的权利范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，其包括：
位于基板上的像素部，
与所述像素部重叠的颜色转换部，以及
与所述颜色转换部接触的功能层，
所述功能层包括第一物质和散射体，
所述第一物质包括笼型聚倍半硅氧烷即POSS系化合物，
所述功能层为所述显示装置的最外层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一物质包括由下述化学式1至化学式14表示的化合物中的至少一种：
Figure FDA0003506612410000011
Figure FDA0003506612410000021
Figure FDA0003506612410000031
在所述化学式1至化学式9中，所述A、B、D、E由下述化学式A、化学式B、化学式D、化学式E表示，
Figure FDA0003506612410000032
Figure FDA0003506612410000041
在所述化学式1至14以及化学式A、B、D、E中，
Y各自独立地为O、NR或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
X各自独立地为R或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
R各自独立地为取代或未取代的氢、氘、卤素、胺基、环氧基、环己基环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、异氰酸酯基、腈基、硝基、苯基、C1至C12的烷基、C2至C12的烯基、C1至C40的烷氧基、C3至C12环烷基、C3至C12的杂环烷基、C6至C12的芳基、C3至C12的杂芳基、C3至C12的芳烷基、C3至C12的芳氧基、C3至C12的芳基巯基，a和d各自独立地为1至100000的整数，b各自独立地为1至500的整数，e各自独立地为1或2，n各自独立地为1至20的整数，
在所述化学式10、12中，所述R包括由下述化学式R-1、R-2和R-3表示的化合物中的至少一种，
Figure FDA0003506612410000042
Figure FDA0003506612410000051
在所述化学式10、11、14、R-1、R-2、R-3中，n为1至20之间的自然数。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述散射体包括二氧化硅、多孔二氧化硅、TiO2、ZrO、银颗粒、金颗粒、有机聚合物颗粒和无机聚合物颗粒中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述散射体的直径为约0.2微米至约6微米。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述散射体与所述第一物质之间的折射率之差为约0.1以上。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，
所述散射体的折射率比所述第一物质的折射率大。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述功能层的厚度为约3微米至约15微米。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述颜色转换部包括：
位于所述像素部上的第一绝缘层，
位于所述第一绝缘层上并包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层，
位于所述颜色转换层和所述透射层上的第二绝缘层，
位于所述第二绝缘层上的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述功能层与所述第一滤色器至所述第三滤色器接触。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
包括位于所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器之间的遮光层，
所述遮光层是所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的至少两者重叠而形成的。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述颜色转换层包括第一颜色转换层和第二颜色转换层，
所述显示装置包括位于所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层之间的第一遮光层，
所述遮光层为第二遮光层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，
所述功能层与所述第二遮光层接触。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
所述显示装置还包括位于所述第二绝缘层与所述第一至第三滤色器之间的低折射率层。
14.一种显示装置，其包括：
位于基板上的像素部，
与所述像素部重叠的颜色转换部，以及
与所述颜色转换部接触的功能层，
所述功能层包括第一物质，
所述第一物质包括由下述化学式1至化学式14表示的化合物中的至少一种：
Figure FDA0003506612410000061
Figure FDA0003506612410000071
Figure FDA0003506612410000081
在所述化学式1至化学式9中，所述A、B、D、E由下述化学式A、化学式B、化学式D、化学式E表示，
Figure FDA0003506612410000091
在所述化学式1至14以及化学式A、B、D、E中，
Y各自独立地为O、NR或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
X各自独立地为R或[(SiO3/2R)4+2nO]，且至少一个为[(SiO3/2R)4+2nO]，
R各自独立地为取代或未取代的氢、氘、卤素、胺基、环氧基、环己基环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、异氰酸酯基、腈基、硝基、苯基、C1至C12的烷基、C2至C12的烯基、C1至C40的烷氧基、C3至C12环烷基、C3至C12的杂环烷基、C6至C12的芳基、C3至C12的杂芳基、C3至C12的芳烷基、C3至C12的芳氧基、C3至C12的芳基巯基，a和d各自独立地为1至100000的整数，b各自独立地为1至500的整数，e各自独立地为1或2，n各自独立地为1至20的整数，
在所述化学式10和12中，所述R包括由下述化学式R-1、R-2和R-3表示的化合物中的至少一种，
Figure FDA0003506612410000101
在所述化学式10、11、14、R-1、R-2、R-3中，n为1至20之间的自然数。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述功能层还包括散射体，
所述散射体包括二氧化硅、多孔二氧化硅、TiO2、ZrO、银颗粒、金颗粒、有机聚合物颗粒和无机聚合物颗粒中的至少一种。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述散射体的折射率比所述第一物质的折射率大。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述颜色转换部包括：
位于所述像素部上的第一绝缘层，
位于所述第一绝缘层上并包含半导体纳米晶体的颜色转换层和透射层，
位于所述颜色转换层和所述透射层上的第二绝缘层，
位于所述第二绝缘层上的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
所述功能层与所述第一滤色器至所述第三滤色器接触。
19.根据权利要求17所述的显示装置，其中，
包括位于所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器之间的遮光层，
所述遮光层是所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的至少两者重叠而形成的。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述功能层与所述遮光层接触。
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