CN115720473A - 显示装置和该显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN115720473A CN202211017432.4A CN202211017432A CN115720473A CN 115720473 A CN115720473 A CN 115720473A CN 202211017432 A CN202211017432 A CN 202211017432A CN 115720473 A CN115720473 A CN 115720473A
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洪锡埈
金暲镒
鱼庆恩
李松伊
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Abstract

一种显示装置和该显示装置的制造方法被提供。显示装置包括：第一基板；在第一基板上的第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器；多个顶层，覆盖分别与第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器重叠的空间；第一颜色转换层，位于与第一滤色器重叠的空间中；第二颜色转换层，位于与第二滤色器重叠的空间中；透射层，位于与第三滤色器重叠的空间中；以及封盖层，位于多个顶层上。

Description

显示装置和该显示装置的制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2021年8月23日提交至韩国知识产权局的第10-2021-0111063号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开的实施例涉及显示装置和该显示装置的制造方法。
背景技术
显示装置是显示图像的装置，并且包括液晶显示器(LCD)和/或有机发光二极管(OLED)显示器等。这样的显示装置在诸如例如便携式电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端的各种电子装置中被使用。
有机发光二极管显示器包括两个电极和位于两个电极之间的有机发射层，并且从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发射层中复合，从而形成激子。当激子从激发态改变成基态时，激子发射能量并发光。
近来，已经提出了包括颜色转换面板的显示装置，以降低光损失并实现具有高颜色再现性的显示装置。颜色转换面板可以包含诸如量子点的半导体纳米晶体，并且可以将入射光转换成不同的颜色。
颜色转换面板的颜色转换层可以通过喷墨工艺被处理，并且在这种情况下，颜色转换层可以基于位置具有不同厚度的图案。例如，颜色转换层可以通过在由分隔壁分开的区中排出墨水而形成，并且靠近分隔壁的部分的厚度和位于分隔壁之间的部分的厚度可能是不同的。相应地，可能出现与识别到斑点和改变光学特性相关联的问题。
本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解，并且因此，以上信息可以包含不形成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的实施例涉及一种包括具有均匀的(例如，基本均匀的)厚度的颜色转换层的显示装置和该显示装置的制造方法。
根据实施例的显示装置包括：第一基板；第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，在第一基板上；多个顶层，覆盖分别与第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器重叠的空间；第一颜色转换层，位于与第一滤色器重叠的空间中；第二颜色转换层，位于与第二滤色器重叠的空间中；透射层，位于与第三滤色器重叠的空间中；以及封盖层，位于多个顶层上。
第一颜色转换层包括多个第一量子点和多个散射体，第二颜色转换层包括多个第二量子点和多个散射体，并且透射层包括多个散射体。
根据实施例的显示装置进一步包括：分隔壁，位于多个顶层之间，其中，封盖层可以位于分隔壁上。
分隔壁的上表面可以具有疏水性。
根据实施例的显示装置进一步包括：低折射率层，位于第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器上，其中，低折射率层可以位于第一滤色器与第一色转换层之间、第二滤色器与第二色转换层之间以及第三滤色器与透射层之间。
根据实施例的显示装置进一步包括：低折射率层，位于第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上，其中，第一颜色转换层可以在第一滤色器与低折射率层之间，第二颜色转换层可以在第二滤色器与低折射率层之间，并且透射层可以在第三滤色器与低折射率层之间。
根据实施例的显示装置进一步包括：第二基板，包括第一像素、第二像素和第三像素；以及多个发光元件，分别在第二基板的第一像素、第二像素和第三像素中，其中，第一像素中的发光元件可以与第一滤色器和第一颜色转换层重叠，第二像素中的发光元件可以与第二滤色器和第二颜色转换层重叠，并且第三像素中的发光元件可以与第三滤色器和透射层重叠。
第一基板包括第一像素、第二像素和第三像素，显示装置进一步包括分别在第一基板的第一像素、第二像素和第三像素中的多个发光元件，第一像素中的发光元件可以位于第一基板与第一颜色转换层之间，同时与第一滤色器和第一颜色转换层重叠，第二像素中的发光元件可以位于第一基板与第二颜色转换层之间，同时与第二滤色器和第二颜色转换层重叠，并且第三像素中的发光元件可以位于第一基板与透射层之间，同时与第三滤色器和透射层重叠。
多个顶层中的每个顶层可以包括：第一顶层，由无机材料形成；第二顶层，位于第一顶层上并且由有机材料形成；以及第三顶层，位于第二顶层上并且由无机材料形成。
根据实施例的显示装置可以进一步包括：填充层，位于封盖层上。
根据实施例的显示装置的制造方法包括：在第一基板上形成第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器；在第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器中的每个上形成牺牲层；在牺牲层上形成顶层；通过去除牺牲层形成被顶层覆盖的空间；通过将墨水注入到空间中形成第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层；并且在顶层上形成封盖层。
在根据实施例的显示装置的制造方法中，第一颜色转换层包括多个第一量子点和多个散射体，第二颜色转换层包括多个第二量子点和多个散射体，并且透射层包括多个散射体。
根据实施例的显示装置的制造方法进一步包括：在通过图案化所述顶层形成的多个顶层之间形成分隔壁，其中，在分隔壁的形成中，牺牲层可以被去除。
牺牲层可以由正性光刻胶形成，并且分隔壁可以由负性光刻胶形成。
根据实施例的显示装置的制造方法进一步包括：在第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器上形成低折射率层，其中，低折射率层可以位于第一滤色器与第一色转换层之间、第二滤色器与第二色转换层之间以及第三滤色器与透射层之间。
根据实施例的显示装置的制造方法进一步包括：在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上形成低折射率层，其中，第一颜色转换层可以位于第一滤色器与低折射率层之间，第二颜色转换层可以位于第二滤色器与低折射率层之间，并且透射层可以位于第三滤色器与低折射率层之间。
根据实施例的显示装置的制造方法可以进一步包括：在第二基板上形成多个发光二极管；并且对准第一基板和第二基板以彼此面对并将第一基板和第二基板结合。
根据实施例的显示装置的制造方法可以进一步包括：在第一基板上形成多个发光二极管，其中，可以顺序地进行：在多个发光二极管上形成牺牲层，形成顶层，形成空间，形成第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层并且形成封盖层，并且然后，可以进行在第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层上形成第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器。
形成顶层可以包括：形成由无机材料形成的第一顶层；在第一顶层上形成由有机材料形成的第二顶层；并且在第二顶层上形成由无机材料形成的第三顶层。
根据实施例的显示装置的制造方法可以进一步包括：在封盖层上形成填充层。
根据实施例，在包括颜色转换层的显示装置中，颜色转换层的厚度可以均匀地(例如，基本均匀地)形成。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性截面图。
图2是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。
图3是根据实施例的显示装置的截面图。
图4至图8、图10和图12是根据实施例的显示装置的制造工艺的顺序的工艺的截面图。
图9是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的一个步骤的透视图。
图11是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的一个步骤的俯视图。
图13是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。
图14是根据实施例的显示装置的截面图。
图15是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。
图16是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。
图17是根据实施例的显示装置的一部分的俯视图。
附图标记
110、210：基板
230a：第一滤色器
230b：第二滤色器
230c：第三滤色器
240：低折射率层
260：顶层
265：分隔壁
280：第二封盖层
290：填充层
400：封装层
500：牺牲层
510：空间
520a：第一颜色转换层
520b：第二颜色转换层
520c：透射层
521a：第一量子点
521b：第二量子点
530：散射体
ED：发光元件
具体实施方式
在下文中将参考在其中示出本公开的实施例的附图更充分地描述本公开的实施例的方面。如本领域技术人员将意识到的，所描述的实施例可以以各种不同的方式被修改。
附图和描述本质上应被视为说明性的而非限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。
另外，因为为了更好地理解和易于描述可以任意地指示附图中所示的每个配置的尺寸和厚度，所以本公开的主题不必限于附图。在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区等的厚度。另外，在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以夸大一些层和区的厚度。
将理解，当诸如层、膜、区或基板的元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。比较而言，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。进一步地，在整个说明书中，词语“在”目标元件“上”将被理解为意味着位于目标元件上方或下方，并且将不必被理解为意味着基于与重力方向相反的方向位于“上侧”。
另外，除非明确地相反描述，否则词语“包括”和诸如“包含”的变体将被理解为意指包含所陈述的元件，而不排除任何其他元件。
进一步地，在整个说明书中，短语“在平面上”意味着从顶部观看目标部分，并且短语“在截面上”意味着从侧面观看通过垂直切割目标部分而形成的截面。
在下文中，将参考图1至图3描述根据实施例的显示装置。
图1是根据实施例的显示装置的示意性截面图，图2是根据实施例的显示装置的一部分的截面图，并且图3是根据实施例的显示装置的截面图。图2示出根据实施例的显示装置的颜色转换面板。
如图1中所示，根据实施例的显示装置包括彼此重叠的显示面板1000和颜色转换面板2000。
显示面板1000可以包括多个像素PX1、PX2和PX3，并且发光二极管(或发光元件)ED可以位于像素PX1、PX2和PX3中的每个中。例如，显示面板1000可以包括多个发光二极管ED。多个像素PX1、PX2和PX3可以包括第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3。每个发光二极管ED可以发光，并且显示面板1000可以通过调节从各个像素PX1、PX2和PX3的发光二极管ED发射的光来显示图像。
发光二极管ED可以由有机发光元件形成，并且显示面板1000可以由有机发光面板形成。然而，显示面板1000的类型不限于此，并且可以使用各种合适的类型的面板。例如，显示面板1000可以由液晶面板、电泳显示面板或者电润湿显示面板等形成。另外，显示面板1000可以由诸如微型发光二极管(微型LED)显示面板等的下一代显示面板形成。
显示面板1000可以由平面刚性显示面板形成或者由可以柔性地弯曲的柔性显示面板形成。
颜色转换面板2000可以面对显示面板1000。颜色转换面板2000可以包括第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c。第一颜色转换层520a可以与位于第一像素PX1中的发光二极管ED重叠。从第一像素PX1的发光二极管ED发射的光可以穿过第一颜色转换层520a以发射第一波长的光。第二颜色转换层520b可以与位于第二像素PX2中的发光二极管ED重叠。从第二像素PX2的发光二极管ED发射的光可以穿过第二颜色转换层520b以发射第二波长的光。透射层520c可以与位于第三像素PX3中的发光二极管ED重叠。从第三像素PX3的发光二极管ED发射的光可以穿过透射层520c以发射第三波长的光。例如，第一波长的光可以是红光，第二波长的光可以是绿光，并且第三波长的光可以是蓝光。在一些实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3可以分别是红色像素、绿色像素和蓝色像素。然而，本公开不限于此，并且由第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3显示的颜色可以被不同地改变。另外，除了第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3之外，还可以附加地包括显示不同颜色的像素。
在下文中，将参考图2描述根据实施例的显示装置的颜色转换面板的分层结构。
颜色转换面板2000可以包括基板210以及位于基板210上的第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c。
第一滤色器230a透射第一波长的光并且可以吸收其余波长的光，从而提高发射到显示装置的外部的第一波长的光的纯度。
第二滤色器230b透射第二波长的光并且可以吸收其余波长的光，从而提高发射到显示装置的外部的第二波长的光的纯度。
第三滤色器230c透射第三波长的光并且可以吸收其余波长的光，从而提高发射到显示装置的外部的第三波长的光的纯度。
第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可以被放置成分别与不同的像素PX1、PX2和PX3重叠。在每个像素PX1、PX2和PX3的边界处，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个可以彼此重叠以形成遮光区。在遮光区中，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c被图示成重叠，但是不限于此。例如，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c当中的两个滤色器可以重叠以形成遮光区。例如，第一滤色器230a和第二滤色器230b可以在第一像素PX1与第二像素PX2之间的边界处重叠。第二滤色器230b和第三滤色器230c可以在第二像素PX2与第三像素PX3之间的边界处重叠。第三滤色器230c和第一滤色器230a可以在第三像素PX3与第一像素PX1之间的边界处重叠。
低折射率层240可以位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上。低折射率层240可以与第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的全部重叠。在一些实施例中，低折射率层240可以完全地位于基板210上。低折射率层240可以包括具有低折射率的有机材料或无机材料。例如，低折射率层240的折射率可以大于或等于约1.1且小于或等于约1.3。
第一封盖层250可以位于低折射率层240上。第一封盖层250是用于保护低折射率层240的层并且可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氧氮化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料。第一封盖层250可以是材料的单层或多层结构。
顶层260位于第一封盖层250上以覆盖与像素PX1、PX2和PX3中的每个重叠的空间510。顶层260可以被形成为覆盖与像素PX1、PX2和PX3中的每个重叠的空间510的上表面和侧表面。覆盖各个空间510的多个顶层260可以被形成为彼此分开。然而，本公开不限于此，并且覆盖各个空间510的多个顶层260的至少一部分可以彼此连接。例如，沿一个方向彼此邻近的多个顶层260可以彼此连接。顶层260可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氧氮化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料。顶层260可以是材料的单层或多层结构。
第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以分别位于被顶层260覆盖的多个空间510中。多个空间510中的每个空间510被填充有第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c。在空间510中，第一颜色转换层520a的厚度可以是恒定的。空间510中的第二颜色转换层520b的厚度可以是恒定的。在空间510中，透射层520c的厚度可以是恒定的。因此，像素PX1、PX2和PX3中的每个的光学特性可以作为整体维持一致(例如，基本一致)。
第一颜色转换层520a可以与第一滤色器230a重叠。第一颜色转换层520a可以不与第二滤色器230b和第三滤色器230c重叠。第一颜色转换层520a可以将从第一像素PX1的发光二极管ED入射的光转换成第一波长的光。在这种情况下，第一波长的光可以是具有约600nm至约650nm(例如，约620nm至约650nm)的最大发光峰值波长的红光。第一颜色转换层520a可以包括多个第一量子点521a和多个散射体530(例如，多个光散射体530)。
第二颜色转换层520b可以与第二滤色器230b重叠。第二颜色转换层520b可以不与第一滤色器230a和第三滤色器230c重叠。第二颜色转换层520b可以将从第二像素PX2的发光二极管ED入射的光转换成第二波长的光。在这种情况下，第二波长的光可以是具有约500nm至约550nm(例如，约510nm至约550nm)的最大发光峰值波长的绿光。第二颜色转换层520b可以包括多个第二量子点521b和多个散射体530(例如，多个光散射体530)。
透射层520c可以与第三滤色器230c重叠。透射层520c可以不与第一滤色器230a和第二滤色器230b重叠。透射层520c可以透射从第三像素PX3的发光二极管ED入射的光。穿过透射层520c的光可以是第三波长的光。第三波长的光可以是具有约380nm至约480nm(例如，约420nm或更大、约430nm或更大、约440nm或更大或者约445nm或更大，并且约470nm或更少、约460nm或更少或者约455nm或更少)的最大发光峰值波长的蓝光。透射层520c可以包括多个散射体530(例如，多个光散射体530)。
多个散射体530可以通过将入射到第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c的光散射来提高光效率。
第一量子点521a和第二量子点521b(在下文中，也被称为半导体纳米晶体)可以各自独立地包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或其组合。诸如第一量子点521a和第二量子点521b的量子点可以不包含镉。
II-VI族化合物可以选自由以下各项组成的组：选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组的二元化合物；选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgSe、HgZnS、HgZnTe、HgZnS、HgZnS、HgZnSg及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组的四元化合物。II-VI族化合物可以进一步包括III族金属。
III-V族化合物可以选自由以下各项组成的组：选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组的二元化合物；选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InZnP、InPSb及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组的四元化合物。III-V族化合物可以进一步包括II族金属(例如，InZnP)。
IV-VI族化合物可以选自由以下各项组成的组：选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组的二元化合物；选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组的三元化合物；以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组的四元化合物。
IV族元素或化合物是选自由Si、Ge及其组合组成的组的单元素化合物；以及选自由SiC、SiGe及其组合的二元化合物，但是不限于此。
I-III-VI族化合物的示例包括但不限于CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS。I-II-IV-VI族化合物的示例包括但不限于CuZnSnSe和CuZnSnS。
II-III-VI族化合物可以选自由ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnGaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe及其组合组成的组，但是不限于此。
I-II-IV-VI族化合物可以选自但不限于CuZnSnSe和CuZnSnS。
在一个实施例中，量子点可以不包括镉。量子点可以包含基于包括铟和磷的III-V族化合物的半导体纳米晶体。III-V族化合物可以进一步包括锌。量子点可以包括基于II-VI族化合物的半导体纳米晶体，该II-VI族化合物包括硫属元素(例如，硫、电池铼、碲或其组合)和锌。
在量子点中，以上描述的二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀(例如，基本均匀)的浓度存在于粒子(例如，分开的粒子)中，或者可以因为浓度分布被部分地划分成不同的状态(例如，同一粒子的不同部分)而存在于同一粒子中。另外，一个量子点可以具有围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有在其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。
在一些实施例中，量子点可以具有包括包含以上描述的纳米晶体的核以及围绕核的壳的核/壳结构。量子点的壳可以用作保护层以通过防止或减少核的化学变性来维持半导体特性和/或用作充电层以赋予量子点电泳特性。壳可以是单层或多层的。核与壳之间的界面可以具有在其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。量子点的壳的示例包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属或非金属氧化物可以是诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO等的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4等的三元化合物，但是本公开不限于此。
另外，半导体化合物可以是CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb等，但是本公开不限于此。
核与壳之间的界面可以具有在其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。另外，半导体纳米晶体可以具有包括一个半导体纳米晶体核和围绕半导体纳米晶体核的多层的壳的结构。在一种实施方式中，多层的壳可以具有两层或更多层，例如两层、三层、四层、五层或更多层。壳的两个邻近的层可以具有单一成分或不同的成分。在多层壳中，每层可以具有沿半径变化的成分。
量子点可以具有例如约45nm或更小、约40nm或更小或约30nm或更小的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在这些范围内，颜色纯度或颜色再现性可以被提高。另外，通过这样的量子点发射的光在所有方向上发射，并且相应地，可以改进光视角。
在量子点中，壳材料和核材料可以具有不同的能量带隙。例如，壳材料的能量带隙可以大于核材料的能量带隙。在其他实施例中，壳材料的能量带隙可以小于核材料的能量带隙。量子点可以具有多层壳。在多层壳中，外层的能量带隙可以大于内层(例如，更靠近核的层)的能量带隙。在多层壳中，外层的能量带隙可以小于内层的能量带隙。
量子点可以通过控制成分和尺寸来控制吸收/发光波长。量子点的最大发光峰值波长可以具有紫外(UV)波长至红外波长或更高的波长范围。
量子点可以包含有机配体(例如，具有疏水部分和/或亲水部分)。有机配体可以结合到量子点的表面。有机配体可以包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或其组合，其中，R各自独立地指代取代或未取代的C3至C40(例如，C5或更多且C24或更少)脂族烃基(诸如取代或未取代的C3至C40烷基和取代或未取代的C3至C40烯基等)、取代或未取代的C6至C40(例如，C6或更多且C20或更少)芳烃基(诸如取代或未取代的C6至C40芳基)或其组合。
有机配体的示例可以包括：诸如甲硫醇、乙硫醇、丙硫醇、丁硫醇、戊硫醇、己硫醇、辛硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇、苄硫醇的硫醇化合物；诸如甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二烷胺、十六烷胺、十八烷胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺和三辛胺的胺；诸如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、十二烷酸、十六烷酸、十八烷酸、油酸和苯甲酸的羧酸化合物；诸如甲基膦、乙基膦、丙基膦、丁基膦、戊基膦、辛基膦、二辛基膦、三丁基膦以及三辛基膦等的膦化合物；诸如甲基氧化膦、乙基氧化膦、丙基氧化膦、丁基氧化膦、戊基氧化膦、三丁基氧化膦、辛基氧化膦、二辛基氧化膦、三辛基氧化膦或其氧化物的膦化合物；二苯醚、三苯醚化合物或其氧化物；以及C5至C20烷基膦酸(诸如己基膦酸、辛基膦酸、十二烷膦酸、十四烷膦酸、十六烷膦酸和十八烷膦酸)和C5至C20烷基次膦酸等，但这不是限制性的。量子点可以只包含疏水性有机配体或者作为一种或多种类型的混合物。疏水性有机配体可以不包含可光聚合的部分(例如，丙烯酸酯基团、甲基丙烯酸酯基团等)。
分隔壁265可以位于多个邻近的顶层260之间。分隔壁265可以与在其中第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个重叠的遮光区重叠。相应地，分隔壁265可以位于像素PX1、PX2和PX3之间的边界处。分隔壁265可以与顶层260的边缘重叠。然而，本公开不限于此，并且分隔壁265与顶层260不重叠并且可以间隔开。
第二封盖层280可以位于顶层260和分隔壁265上。第二封盖层280可以完全地位于基板210上。第二封盖层280是覆盖第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c的层，并且可以由无机材料形成。例如，第二封盖层280可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。第二封盖层280可以是材料的单层或多层结构。
填充层290可以位于第二封盖层280上。填充层290可以完全地位于基板210之上。在显示面板1000和颜色转换面板2000结合的状态下，填充层290位于显示面板1000与颜色转换面板2000之间。
在下文中，参考图3，显示面板1000和颜色转换面板2000结合的状态将被描述。在图3中，图2中所示的颜色转换面板2000可以被组合成面对显示面板1000，而顶部和底部倒置。
显示面板1000可以包括基板110、基板110上的半导体131、包括栅电极124、源电极173和漏电极175的晶体管TFT、栅绝缘层120、第一层间绝缘层160、第二层间绝缘层180、像素电极191、发射层370、堤层350、公共电极270以及封装层400。
基板110可以包括诸如玻璃的具有刚性特性的材料或者诸如塑料或聚酰亚胺的可以弯曲的柔性材料。用于使基板110的表面变平并且阻止杂质渗透到半导体131中的缓冲层111可以进一步位于基板110上。缓冲层111可以包括无机材料，并且例如，可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。缓冲层111可以是材料的单层或多层结构。阻挡层(未示出)可以进一步位于基板110上。在这种情况下，阻挡层可以在基板110与缓冲层111之间。阻挡层可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。阻挡层可以是材料的单层或多层结构。
半导体131可以位于基板110上。半导体131可以包括选自非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的任意一种。例如，半导体131可以包括低温多晶硅(LTPS)或包含选自锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)及其混合物中的至少一种的氧化物半导体材料。
例如，半导体131可以包括铟镓锌氧化物(IGZO)。半导体131可以包括根据是否执行杂质掺杂而被分类的沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以具有与导体相对应的导电特性。
栅绝缘层120可以覆盖半导体131和基板110。栅绝缘层120可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。栅绝缘层120可以是材料的单层或多层结构。
栅电极124可以位于栅绝缘层120上。栅电极124可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)等的金属或金属合金。栅电极124可以被形成为单层或多层。半导体131的在平面上与栅电极124重叠的区可以是沟道区。
第一层间绝缘层160可以覆盖栅电极124和栅绝缘层120。第一层间绝缘层160可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。第一层间绝缘层160可以是材料的单层或多层结构。
源电极173和漏电极175可以位于第一层间绝缘层160上。源电极173和漏电极175分别通过形成在第一层间绝缘层160和栅绝缘层120中的开口而连接到半导体131的源区和漏区。以上陈述的半导体131、栅电极124、源电极173和漏电极175形成一个晶体管TFT。基于实施例，晶体管TFT可以仅包括半导体131的源区和漏区，而不包括源电极173和漏电极175。尽管在像素PX1、PX2和PX3中的每个中图示了一个晶体管TFT，但是本公开不限于此，并且多个晶体管TFT可以位于像素PX1、PX2和PX3中的每个中。
源电极173和漏电极175可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)的金属或金属合金。源电极173和漏电极175可以被形成为单层或多层。根据实施例的源电极173和漏电极175可以由包括上层、中间层和下层的三层形成，该上层和该下层可以包括钛(Ti)，并且该中间层包括铝(Al)。
第二层间绝缘层180可以位于源电极173和漏电极175上。第二层间绝缘层180覆盖源电极173、漏电极175和第一层间绝缘层160。第二层间绝缘层180用于将配备有晶体管TFT的基板110的表面平坦化，并且可以是有机绝缘体，并且可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的材料。
像素电极191可以位于第二层间绝缘层180上。像素电极191也被称为阳极，并且可以由包括透明导电氧化物膜或金属材料的单层或者包括透明导电氧化物膜或金属材料的多层形成。透明导电氧化物膜可以包括氧化铟锡(ITO)、聚ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)。金属材料可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)。
第二层间绝缘层180可以包括暴露漏电极175的通孔81。漏电极175和像素电极191可以通过第二层间绝缘层180的通孔81物理连接和电连接。相应地，像素电极191可以接收要从漏电极175传送到发射层370的输出电流。
堤层350可以位于像素电极191和第二层间绝缘层180上。堤层350也被称为像素限定层(PDL)，并且包括与像素电极191的至少一部分重叠的像素开口351。在这种情况下，像素开口351可以与像素电极191的中心部分重叠，并且可以不与像素电极191的边缘部分重叠。相应地，像素开口351的尺寸可以小于像素电极191的尺寸。堤层350可以划分发射层370的形成位置，使得发射层370可以位于像素电极191的上表面被暴露的部分上。堤层350可以是包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料的有机绝缘体。基于实施例，堤层350可以被形成为包括黑色颜料的黑色像素限定层(BPDL)。
堤层350可以位于多个像素PX1、PX2和PX3之间的边界处。堤层350可以与分隔壁265重叠。另外，堤层350可以与在其中第一滤色器230a、第二滤色器230b、第三滤色器230c中的至少两个重叠的遮光区重叠。
在平面上，多个像素开口351可以各自具有与像素电极191的形状类似的形状。例如，像素开口351和像素电极191可以在平面上被形成为多边形的形状。在这种情况下，像素开口351和像素电极191的拐角部分可以被倒角。然而，像素开口351的形状和像素电极191的形状不限于此，并且可以被不同地改变。
在这种情况下，与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个相对应的多个像素电极191可以在平面上具有不同的尺寸。类似地，与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的每个相对应的多个像素开口351可以在平面上具有不同的尺寸。例如，在平面上，与第一像素PX1相对应的像素开口351和像素电极191可以分别大于与第二像素PX2相对应的像素开口351和像素电极191。另外，在平面上，与第一像素PX1相对应的像素开口351和像素电极191可以分别小于或类似于与第三像素PX3相对应的像素开口351和像素电极191。然而，本公开不限于此，并且像素开口351和像素电极191中的每个可以被设定成具有各种合适的尺寸。
发射层370可以位于由堤层350划分的像素开口351内。发射层370可以包括低分子有机材料或高分子有机材料。尽管发射层370被图示为单层，但是诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层可以被包括在发射层370的上方和下方。空穴注入层和空穴传输层可以位于发射层370下方，并且电子传输层和电子注入层可以位于发射层370上方。另外，另一发射层可以进一步位于发射层370上。在一些实施例中，可以堆叠两个或更多个发射层370。
在一些实施例中，隔离物可以进一步位于堤层350上。隔离物可以与堤层350包括相同的材料(或基本相同的材料)。然而，这不是限制性的，并且隔离物可以由与堤层350的材料不同的材料形成。隔离物可以是包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料的有机绝缘体。
公共电极270可以位于堤层350和发射层370上。每个像素PX1、PX2和PX3的公共电极270可以彼此连接。公共电极270可以被完全地形成在基板110上。公共电极270也被称为阴极，并且可以由包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的透明导电层形成。公共电极270可以由诸如银(Ag)或镁(Mg)或其混合物的金属材料形成。在这种情况下，公共电极270的厚度可以被调节以形成透明导电层。另外，公共电极270可以具有半透明特性，并且在这种情况下，公共电极270可以与像素电极191一起形成微腔。
像素电极191、发射层370和公共电极270可以形成发光二极管ED。在像素PX1、PX2和PX3中的每个中，像素电极191、发射层370和公共电极270的重叠部分可以是每个发光二极管ED的发光区。
位于第一像素PX1中的发光二极管ED可以与第一颜色转换层520a和第一滤色器230a重叠。位于第一像素PX1中的发光二极管ED可以不与第二颜色转换层520b、透射层520c、第二滤色器230b和第三滤色器230c重叠。从第一像素PX1的发光二极管ED发射的光可以在穿过第一颜色转换层520a时被转换成第一波长的光，并且可以通过第一滤色器230a被发射到外部。
位于第二像素PX2中的发光二极管ED可以与第二颜色转换层520b和第二滤色器230b重叠。位于第二像素PX2中的发光二极管ED可以不与第一颜色转换层520a、透射层520c、第一滤色器230a和第三滤色器230c重叠。从第二像素PX2的发光二极管ED发射的光穿过第二颜色转换层520b并被转换成第二波长的光，并且可以通过第二滤色器230b被发射到外部。
位于第三像素PX3中的发光二极管ED可以与透射层520c和第三滤色器230c重叠。位于第三像素PX3中的发光二极管ED可以不与第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b、第一滤色器230a和第二滤色器230b重叠。从第三像素PX3的发光二极管ED发射的第三波长的光可以顺序地穿过透射层520c和第三滤色器230c并被发射到外部。
封装层400可以位于公共电极270之上。封装层400可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在本实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。然而，这仅是示例，并且形成封装层400的无机层和有机层的数量可以被不同地改变。例如，封装层400可以以第一无机封装层、第二无机封装层、第一有机封装层和第三无机封装层的次序被堆叠。在一些实施例中，封装层400可以以第一无机封装层、第一有机封装层、第二无机封装层和第三无机封装层的次序被堆叠。显示面板1000可以包括显示图像的显示区域和围绕显示区域的外围区域。第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430可以位于外围区域的一部分和显示区域中。基于实施例，有机封装层420可以形成在显示区域周围，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430甚至可以形成在外围区域中。封装层400用于保护发光二极管ED免受可能从外部流入的湿气或氧气的影响，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430的一端可以被形成为直接接触。
封装层400可以与颜色转换面板2000接触。封装层400可以接触填充层290。第二无机封装层430可以接触填充层290。然而，这仅是示例，并且另一层可以进一步位于封装层400与填充层290之间。
在一些实施例中，根据实施例的显示装置可以进一步包括用于检测触摸的检测部分。检测部分可以包括多个检测电极，并且检测部分可以位于显示面板1000与颜色转换面板2000之间。
接下来，进一步参考图4至图12，根据实施例的显示装置的制造方法将被描述。
图4至图8、图10和图12是根据实施例的显示装置的制造工艺的顺序的工艺的截面图。图9是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的一个步骤的透视图，并且图11是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的一个步骤的俯视图。
首先，如图4中所示，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c顺序地形成在基板210上。
在基板210上施加可以透射第一波长的光的材料，并且通过图案化该材料来形成第一滤色器230a。然后，能够透射第二波长的光的材料被施加并被图案化，以形成第二滤色器230b。然后，可以透射第三波长的光的材料被施加并被图案化，以形成第三滤色器230c。
在一些区中，第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个可以被形成为彼此重叠。第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个可以彼此重叠以形成遮光区。
接下来，可以通过使用具有低折射率的材料在第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上形成低折射率层240。低折射率层240可以完全地形成在基板210上，并且可以不单独地执行用于图案化的工艺。低折射率层240可以包括具有约1.1或更大并且约1.3或更小的低折射率的有机材料或无机材料。
接下来，可以使用无机材料在低折射率层240上形成第一封盖层250。第一封盖层250可以完全地形成在基板210上，并且可以不单独地执行用于图案化的工艺。第一封盖层250可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。第一封盖层250可以是材料的单层或多层结构。
如图5中所示，感光材料被涂覆在第一封盖层250上并通过光刻工艺被图案化，以形成牺牲层500。牺牲层500可以由正性光刻胶形成。牺牲层500可以与第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c重叠。牺牲层500可以不与在其中第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个重叠的遮光区重叠。
如图6中所示，顶层260可以形成在牺牲层500上。顶层260被形成为覆盖牺牲层500的上表面和侧表面。顶层260可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧氮化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。顶层260可以是材料的单层或多层结构。
如图7中所示，可以通过对顶层260进行图案化来去除顶层260的位于邻近的牺牲层500之间的部分。顶层260可以不与在其中第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个重叠的遮光区重叠。相应地，可以形成彼此分开的多个顶层260。
如图8和图9中所示，感光材料被涂覆在顶层260上并且通过光刻工艺被图案化以形成分隔壁265。
分隔壁265可以由负性光刻胶形成。分隔壁265可以被图案化以位于多个顶层260之间。分隔壁265可以与在其中第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c中的至少两个重叠的遮光区重叠。在这种情况下，分隔壁265可以与顶层260部分地重叠。分隔壁265可以与顶层260的边缘重叠。然而，本公开不限于此，并且分隔壁265可以被图案化成与顶层260间隔开而不与顶层260重叠。
分隔壁265可以于在第一方向D1上邻近的顶层260之间被形成。分隔壁265可以沿与第一方向D1垂直(例如，基本垂直)的第二方向D2长长地延伸。分隔壁265可以具有疏水的上表面。
在对顶层260进行图案化的工艺中，在第二方向D2上邻近的顶层260可以被形成为彼此分开而不彼此连接。相应地，位于顶层260下方的牺牲层500可以暴露于外部。在对分隔壁265进行图案化的工艺中，可以一起去除牺牲层500。当牺牲层500被去除时，空间510可以被形成在牺牲层500所在的位置。在一些实施例中，形成由顶层260覆盖的空间510，并且顶层260具有覆盖空间510的上表面和侧表面的形状。在这种情况下，空间510的侧表面的一部分可以被暴露而不被顶层260覆盖。如所描述的，位于顶层260下方的空间510被暴露的部分可以是注入孔261。注入孔261位于在第二方向D2上邻近的顶层260之间。
如图10和图11中所示，可以执行喷墨工艺以在被顶层260覆盖的空间510中形成第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c。当墨水540a、540b和540c被滴于在第二方向D2上的邻近的顶层260之间时，墨水540a、540b和540c可以通过毛细力经由注入孔261被注入到空间510中。
首先，当包括第一量子点521a和散射体530(例如，光散射体530)的第一墨水540a被滴在暴露与第一滤色器230a重叠的空间510的注入孔261周围时，第一墨水540a被注入到空间510中，使得可以形成第一颜色转换层520a。第一颜色转换层520a可以与第一滤色器230a重叠。第一颜色转换层520a可以不与第二滤色器230b和第三滤色器230c重叠。
然后，当包括第二量子点521b和散射体530(例如，光散射体530)的第二墨水540b被滴在暴露与第二滤色器230b重叠的空间510的注入孔261周围时，第二墨水540b被注入到空间510中，使得可以形成第二颜色转换层520b。
第二颜色转换层520b可以与第二滤色器230b重叠。第二颜色转换层520b可以不与第一滤色器230a和第三滤色器230c重叠。
然后，当包括散射体530(例如，光散射体530)的第三墨水540c被滴在暴露与第三滤色器230c重叠的空间510的注入孔261周围时，第三墨水540c被注入到空间510中以形成透射层520c。透射层520c可以与第三滤色器230c重叠。透射层520c可以不与第一滤色器230a和第二滤色器230b重叠。
因为分隔壁265位于在第一方向D1上邻近的顶层260之间并且分隔壁265的上表面被疏水性形成，所以可以防止或减少墨水540a、540b和540c被注入到另一空间510中。例如，当第一墨水540a被注入到与第一滤色器230a重叠的空间510中时，可以防止或减少第一墨水540a被注入到与第二滤色器230b或第三滤色器230c重叠的空间510中。
如图12中所示，可以使用无机材料在顶层260和分隔壁265上形成第二封盖层280。第二封盖层280可以完全地形成在基板210上，并且可以不单独地执行用于图案化的工艺。
第二封盖层280可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氧氮化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料。
第二封盖层280可以是材料的单层或多层结构。注入孔261可以由第二封盖层280密封。第二封盖层280可以被形成为覆盖顶层260的上表面和侧表面。
接下来，可以在第二封盖层280上形成填充层290。填充层290可以完全地形成在第二封盖层280上，并且可以不单独地执行用于图案化的工艺。
如以上描述的，可以形成颜色转换面板2000，并且可以与颜色转换面板2000分开地形成显示面板1000。接下来，显示面板1000和颜色转换面板2000可以被对准以彼此面对，并且然后结合在一起。
在根据实施例的显示装置中，被顶层260覆盖的空间510被形成，并且墨水540a、540b和540c被注入到空间510中以形成第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c。相应地，空间510可以具有恒定的高度，并且在空间510中形成的第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以具有恒定的厚度。相应地，像素PX1、PX2和PX3中的每个的光学特性可以作为整体保持恒定。
接下来，参考图13，根据实施例的显示装置将被描述。
根据图13中所示的实施例的显示装置与根据图1至图3中所示的实施例的显示装置几乎相同，并且因此，以上描述的部分在这里将不再次描述。本实施例与先前的实施例的不同之处在于：低折射率层和第一封盖层的位置与先前的实施例不同，并且将在以下进一步描述。
图13是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。图13图示了根据实施例的显示装置的颜色转换面板。
根据实施例的显示装置可以包括如在先前的实施例中的显示面板和颜色转换面板。
如图13中所示，根据实施例的显示装置的颜色转换面板2000可以包括基板210以及在基板210上的第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c。
在先前的实施例中，低折射率层240和第一封盖层250可以位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上，并且第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以位于第一封盖层250上。在本实施例中，第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上，并且低折射率层240和第一封盖层250可以位于第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c上。
第一颜色转换层520a可以与第一滤色器230a重叠，第二颜色转换层520b可以与第二滤色器230b重叠，并且透射层520c可以与第三滤色器230c重叠。尽管图示了第一颜色转换层520a在第一滤色器230a上，第二颜色转换层520b在第二滤色器230b上，并且透射层520c在第三滤色器230c上，但是这不是限制性的。绝缘层可以在第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上，并且第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以在该绝缘层上。在一些实施例中，绝缘层可以在第一滤色器230a与第一颜色转换层520a之间，在第二滤色器230b与第二颜色转换层520b之间以及在第三滤色器230c与透射层520c之间。
第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以分别位于被顶层260覆盖的多个空间510中。分隔壁265可以位于多个邻近的顶层260之间。第二封盖层280可以位于顶层260和分隔壁265上。
低折射率层240可以位于第二封盖层280上。第一封盖层250可以位于低折射率层240上。填充层290可以位于第一封盖层250上。在显示面板和颜色转换面板2000附接的状态下，填充层290位于显示面板与颜色转换面板2000之间。
接下来，参考图14，根据实施例的显示装置将被描述。
根据图14中所示的实施例的显示装置与根据图1至图3中所示的实施例的显示装置几乎相同，并且因此，以上描述的部分在这里将不再次描述。本实施例与先前的实施例的不同之处在于：显示装置包括一个基板，并且显示面板和颜色转换面板一体地形成，这将在以下进一步描述。
图14是根据实施例的显示装置的截面图。
如图14中所示，根据实施例的显示装置包括一个基板110。
在先前的实施例中，薄膜晶体管和发光二极管被形成在一个基板上，滤色器和颜色转换层被形成在另一基板上，并且然后两个基板结合，使得显示装置被形成。在本实施例中，薄膜晶体管TFT和发光二极管ED形成在基板110上，第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c被形成在发光二极管ED上，并且然后第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可以被形成。在先前的实施例中，显示面板和颜色转换面板分别被形成，并且显示装置可以通过将显示面板和颜色转换面板组合被制造，而在本实施例中，显示装置可以通过将显示面板和颜色转换面板集成被制造。相应地，可以降低成本并简化工艺。
薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的发光二极管ED可以位于基板110上。填充层290可以位于发光二极管ED上。
第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以位于填充层290上。第一颜色转换层520a可以与第一像素PX1的发光二极管ED重叠，第二颜色转换层520b可以与第二像素PX2的发光二极管ED重叠，并且透射层520c可以与第三像素PX3的发光二极管ED重叠。
第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以分别位于被顶层260覆盖的多个空间510中。分隔壁265可以位于多个邻近的顶层260之间。第二封盖层280可以位于顶层260和分隔壁265上。
低折射率层240可以位于第二封盖层280上。第一封盖层250可以位于低折射率层240上。
第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c可以位于第一封盖层250上。第一滤色器230a可以与第一颜色转换层520a和第一像素PX1的发光二极管ED重叠。第二滤色器230b可以与第二颜色转换层520b和第二像素PX2的发光二极管ED重叠。第三滤色器230c可以与透射层520c和第三像素PX3的发光二极管ED重叠。
封装层400可以位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上。封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
在先前的实施例中，第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c中的每个的宽度可以随着它远离第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c而逐渐减小。第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c中的每个的宽度可以随着与发光二极管ED的距离增加而逐渐增加。在本实施例中，相反地，第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c中的每个的宽度可以随着与第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c的距离增加而逐渐增加。第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c中的每个的宽度可以随着与发光二极管ED的距离增加而逐渐减小。
接下来，参考图15，根据实施例的显示装置将被描述。
根据图15中所示的实施例的显示装置与根据图1至图3中所示的实施例的显示装置几乎相同，并且因此，以上描述的部分在这里将不再次描述。本实施例与先前的实施例的不同之处在于：顶层包括多个层，这将在以下进一步描述。
图15是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。图15图示了根据实施例的显示装置的颜色转换面板。
根据实施例的显示装置可以包括如在先前的实施例中的显示面板和颜色转换面板。
如图15中所示，根据实施例的显示装置的颜色转换面板2000可以包括基板210以及在基板210上的第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c。第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以分别位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上。
第一颜色转换层520a可以与第一滤色器230a重叠，第二颜色转换层520b可以与第二滤色器230b重叠，并且透射层520c可以与第三滤色器230c重叠。图示了第一颜色转换层520a位于第一滤色器230a上，第二颜色转换层520b位于第二滤色器230b上，并且透射层520c位于第三滤色器230c上，但是这不是限制性的。绝缘层可以位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上，并且第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以位于该绝缘层上。在一些实施例中，绝缘层可以在第一滤色器230a与第一颜色转换层520a之间，绝缘层可以在第二滤色器230b与第二颜色转换层520b之间，并且绝缘层可以在第三滤色器230c与透射层520c之间。
第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以分别位于被顶层260覆盖的多个空间510中。
在本实施例中，顶层260可以包括第一顶层262、第二顶层264和第三顶层266。第一顶层262可以由无机材料形成，第二顶层264可以由有机材料形成，并且第三顶层266可以由无机材料形成。第二顶层264可以位于第一顶层262与第三顶层266之间。然而，这仅是示例，并且构成顶层260的无机层和有机层的数量可以被不同地改变。另外，第二顶层264可以包括具有低折射率的有机材料。例如，第二顶层264的折射率可以大于或等于约1.1并且小于或等于约1.3。因此，第二顶层264可以代替先前的实施例中的低折射率层的作用。
分隔壁265可以位于多个邻近的顶层260之间。第二封盖层280可以位于顶层260和分隔壁265上。
填充层290可以位于第二封盖层280上。在显示面板和颜色转换面板2000附接的状态下，填充层290位于显示面板与颜色转换面板2000之间。
接下来，将参考图16和图17描述根据实施例的显示装置。
根据图16和图17中所示的实施例的显示装置与根据图1至图3中所示的实施例的显示装置几乎相同，并且因此，以上描述的部分在这里将不再次描述。本实施例与先前的实施例的不同之处在于：分隔壁被省略，并且将在以下进一步描述。
图16是根据实施例的显示装置的一部分的截面图。图16图示了根据实施例的显示装置的颜色转换面板。图17是根据实施例的显示装置的一部分的俯视图。图17示出了根据实施例的显示装置的低折射率层。
根据实施例的显示装置可以包括如在先前的实施例中的显示面板和颜色转换面板。
如图16中所示，根据实施例的显示装置的颜色转换面板2000可以包括基板210以及在基板210上的第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c。第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上。
第一颜色转换层520a可以与第一滤色器230a重叠，第二颜色转换层520b可以与第二滤色器230b重叠，并且透射层520c可以与第三滤色器230c重叠。图示了第一颜色转换层520a位于第一滤色器230a上，第二颜色转换层520b位于第二滤色器230b上，并且透射层520c位于第三滤色器230c上，但是这不是限制性的。绝缘层可以位于第一滤色器230a、第二滤色器230b和第三滤色器230c上，并且第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以位于该绝缘层上。在一些实施例中，绝缘层可以在第一滤色器230a与第一颜色转换层520a之间，绝缘层可以在第二滤色器230b与第二颜色转换层520b之间，并且绝缘层可以在第三滤色器230c与透射层520c之间。
第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c可以分别位于被顶层260覆盖的多个空间510中。
在先前的实施例中，分隔壁可以位于多个彼此邻近的顶层260之间，并且在本实施例中，这样的分隔壁可以被省略。
低折射率层240可以位于顶层260上。低折射率层240可以与第一颜色转换层520a、第二颜色转换层520b和透射层520c重叠。另外，低折射率层240可以位于多个邻近的顶层260之间，并且可以用作先前的实施例中的分隔壁。如图17中所示，低折射率层240可以被形成于在第一方向D1上的邻近的顶层260之间。低折射率层240可以沿与第一方向D1垂直(例如，基本垂直)的第二方向D2长长地延伸。低折射率层240的上表面可以是疏水的。低折射率层240可以被图案化从而不形成于在第二方向D2上邻近的顶层260之间。在一些实施例中，低折射率层240可以被图案化从而不覆盖形成注入孔261的部分。
第一封盖层250可以位于低折射率层240上。第一封盖层250可以被图案化以与低折射率层240具有相同的平面形状。
在形成低折射率层240和第一封盖层250之后，墨水540a、540b和540c可以被滴下。墨水540a、540b和540c可以通过注入孔261被注入到空间510中。
第二封盖层280可以位于第一封盖层250上。第二封盖层280可以被形成为覆盖注入孔261。
填充层290可以位于第二封盖层280上。在显示面板和颜色转换面板2000附接的状态下，填充层290位于显示面板与颜色转换面板2000之间。
尽管已经结合目前被认为是实际的实施例描述了本公开，但是应理解，本公开不限于所公开的实施例。相反，本公开旨在覆盖在所附权利要求及其等同物的精神和范围内包括的各种修改和等同设置。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
第一基板；
第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器，在所述第一基板上；
多个顶层，覆盖分别与所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器重叠的空间；
第一颜色转换层，位于与所述第一滤色器重叠的所述空间中；
第二颜色转换层，位于与所述第二滤色器重叠的所述空间中；
透射层，位于与所述第三滤色器重叠的所述空间中；以及
封盖层，位于所述多个顶层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
分隔壁，位于所述多个顶层之间，
其中：
所述封盖层位于所述分隔壁上，
所述分隔壁的上表面具有疏水性，
所述第一颜色转换层包括多个第一量子点和多个散射体，
所述第二颜色转换层包括多个第二量子点和多个散射体，并且
所述透射层包括多个散射体。
3.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
低折射率层，位于所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层上，
其中，所述第一颜色转换层在所述第一滤色器与所述低折射率层之间，
所述第二颜色转换层在所述第二滤色器与所述低折射率层之间，并且
所述透射层在所述第三滤色器与所述低折射率层之间。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中：
所述第一基板包括第一像素、第二像素和第三像素，
所述显示装置进一步包括分别在所述第一基板的所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素中的多个发光元件，
所述第一像素中的发光元件位于所述第一基板与所述第一颜色转换层之间，同时与所述第一滤色器和所述第一颜色转换层重叠，
所述第二像素中的发光元件位于所述第一基板与所述第二颜色转换层之间，同时与所述第二滤色器和所述第二颜色转换层重叠，并且
所述第三像素中的发光元件位于所述第一基板与所述透射层之间，同时与所述第三滤色器和所述透射层重叠。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置，其中：
所述多个顶层中的每个顶层包括：
第一顶层，由无机材料形成；
第二顶层，位于所述第一顶层上并且由有机材料形成；以及
第三顶层，位于所述第二顶层上并且由无机材料形成。
6.一种显示装置的制造方法，包括：
在第一基板上形成第一滤色器、第二滤色器和第三滤色器；
在所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器中的每个上形成牺牲层；
在所述牺牲层上形成顶层；
通过去除所述牺牲层形成被所述顶层覆盖的空间；
通过将墨水注入到所述空间中形成第一颜色转换层、第二颜色转换层和透射层；并且
在所述顶层上形成封盖层。
7.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
在通过图案化所述顶层形成的多个顶层之间形成分隔壁，
其中：
在所述分隔壁的所述形成中，所述牺牲层被去除，
所述牺牲层由正性光刻胶形成，
所述分隔壁由负性光刻胶形成，
所述第一颜色转换层包括多个第一量子点和多个散射体，
所述第二颜色转换层包括多个第二量子点和多个散射体，并且
所述透射层包括多个散射体。
8.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层上形成低折射率层，
其中，所述第一颜色转换层位于所述第一滤色器与所述低折射率层之间，
所述第二颜色转换层位于所述第二滤色器与所述低折射率层之间，并且
所述透射层位于所述第三滤色器与所述低折射率层之间。
9.根据权利要求6所述的显示装置的制造方法，进一步包括：
在所述第一基板上形成多个发光二极管，
其中，顺序地进行：在所述多个发光二极管上形成所述牺牲层，形成所述顶层，形成所述空间，形成所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层并且形成所述封盖层，并且然后，
进行在所述第一颜色转换层、所述第二颜色转换层和所述透射层上形成所述第一滤色器、所述第二滤色器和所述第三滤色器。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的显示装置的制造方法，其中：
形成所述顶层包括：
形成由无机材料形成的第一顶层；
在所述第一顶层上形成由有机材料形成的第二顶层；并且
在所述第二顶层上形成由无机材料形成的第三顶层。
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