CN116914063A - 色变换面板 - Google Patents
色变换面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116914063A CN116914063A CN202310385953.3A CN202310385953A CN116914063A CN 116914063 A CN116914063 A CN 116914063A CN 202310385953 A CN202310385953 A CN 202310385953A CN 116914063 A CN116914063 A CN 116914063A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting region
- conversion layer
- green
- red
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 227
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 225
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 39
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 37
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- -1 NiO or MgAl 2 O 4 Chemical class 0.000 description 6
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 1-Hexanethiol Chemical compound CCCCCCS PMBXCGGQNSVESQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N Methanethiol Chemical compound SC LSDPWZHWYPCBBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- SUVIGLJNEAMWEG-UHFFFAOYSA-N propane-1-thiol Chemical compound CCCS SUVIGLJNEAMWEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- YZAZXIUFBCPZGB-QZOPMXJLSA-N (z)-octadec-9-enoic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O YZAZXIUFBCPZGB-QZOPMXJLSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZAKDODWSQONA-UHFFFAOYSA-N 1-dibutylphosphorylbutane Chemical compound CCCCP(=O)(CCCC)CCCC MNZAKDODWSQONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 1-hexanamine Chemical compound CCCCCCN BMVXCPBXGZKUPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSSCCQEJRAFTD-UHFFFAOYSA-N 1-octylphosphonoyloctane Chemical compound CCCCCCCCP(=O)CCCCCCCC ZZSSCCQEJRAFTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAIZULYZLIEMOR-UHFFFAOYSA-N 1-phosphorosooctane Chemical compound CCCCCCCCP=O LAIZULYZLIEMOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDDIKKNFARRUNI-UHFFFAOYSA-N 1-phosphorosopropane Chemical compound CCCP=O NDDIKKNFARRUNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 5,5-Dimethyl-4-(3-oxobutyl)dihydro-2(3H)-furanone Chemical compound CC(=O)CCC1CC(=O)OC1(C)C AWQSAIIDOMEEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002521 CoMn Inorganic materials 0.000 description 1
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- UENWRTRMUIOCKN-UHFFFAOYSA-N benzyl thiol Chemical compound SCC1=CC=CC=C1 UENWRTRMUIOCKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N butanethiol Chemical compound CCCCS WQAQPCDUOCURKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEYBQJQBTXMRPU-UHFFFAOYSA-N butyl(oxido)phosphanium Chemical compound CCCC[PH2]=O FEYBQJQBTXMRPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N butylphosphane Chemical compound CCCCP DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000003508 chemical denaturation Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- CUDHJPVCKNSWGO-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-dien-1-amine Chemical compound NC1=CC=CC1 CUDHJPVCKNSWGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKEPMQZSNFQMOG-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-2,4-dien-1-ylphosphane Chemical compound PC1C=CC=C1 IKEPMQZSNFQMOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYYQOWAAZOHHFN-UHFFFAOYSA-N dioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCPCCCCCCCC BYYQOWAAZOHHFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVMUEEINWGBIPD-UHFFFAOYSA-N dodecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O SVMUEEINWGBIPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- KFGJUQRJVQDJHL-UHFFFAOYSA-N ethanethiol Chemical compound CCS.CCS KFGJUQRJVQDJHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093495 ethanethiol Drugs 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethyl mercaptane Natural products CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZHPCFQBBJISDG-UHFFFAOYSA-N ethyl(oxido)phosphanium Chemical compound CC[PH2]=O AZHPCFQBBJISDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLHMVTORNNQCRM-UHFFFAOYSA-N ethylphosphine Chemical compound CCP JLHMVTORNNQCRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDPSFRXPDJVJMV-UHFFFAOYSA-N hexadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O JDPSFRXPDJVJMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N hexylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCP(O)(O)=O GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- HXZSFRJGDPGVNY-UHFFFAOYSA-N methyl(oxido)phosphanium Chemical compound C[PH2]=O HXZSFRJGDPGVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SAWKFRBJGLMMES-UHFFFAOYSA-N methylphosphine Chemical compound PC SAWKFRBJGLMMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002064 nanoplatelet Substances 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N nonan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCCN FJDUDHYHRVPMJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N octadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCS QJAOYSPHSNGHNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N octadecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O FTMKAMVLFVRZQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N octan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN IOQPZZOEVPZRBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N octylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP SWMBQMGPRYJSCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N octylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCP(O)(O)=O NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- NNOBHPBYUHDMQF-UHFFFAOYSA-N propylphosphine Chemical compound CCCP NNOBHPBYUHDMQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N tetradecylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCP(O)(O)=O BVQJQTMSTANITJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Substances C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明的实施例涉及的色变换面板包括:第一基板;位于所述第一基板上且划分红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域的多个坝;位于所述红色发光区域中的红色色变换层;位于所述绿色发光区域中的绿色色变换层;以及位于所述白色发光区域中的绿色色变换层和红色色变换层。
Description
技术领域
本公开涉及色变换面板以及包括其的显示装置。
背景技术
发光元件是如下的元件,即,从阳极(anode)供给的空穴(hole)和从阴极(cathode)供给的电子(electron)在形成于阳极与阴极之间的发光层内结合而形成激子(exciton),该激子稳定化的同时射出光。发光元件具有宽的视角、快的响应速度、薄的厚度、低的功耗等各种优点,因此广泛适用于电视机、监视器、便携式电话等各种电器和电子装置中。
近几年,为了实现高效率的显示装置,提出了包括色变换面板的显示装置。色变换面板将入射的光色变换成分别不同的颜色来使其透过。
发明内容
实施例用于提供一种高效率的色变换面板以及包括其的显示装置。
一实施例涉及的色变换面板包括:第一基板;位于所述第一基板上且划分红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域的多个坝;位于所述红色发光区域中的红色色变换层;位于所述绿色发光区域中的绿色色变换层;以及位于所述白色发光区域中的绿色色变换层和红色色变换层。
可以是,层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层和所述红色色变换层。
可以是,在一个层中混合设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层和所述红色色变换层。
可以是,所述色变换面板还包括:透过层,位于所述蓝色发光区域和所述白色发光区域中。
可以是,层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述透过层。
可以是,在一个层中混合设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述透过层。
可以是,所述色变换面板还包括:蓝色色变换层,位于所述蓝色发光区域和所述白色发光区域中。
可以是,层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述蓝色色变换层。
可以是,按区域分离来设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述蓝色色变换层。
可以是,所述色变换面板还包括:红色滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述红色发光区域重叠;绿色滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述绿色发光区域重叠;以及蓝色滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述蓝色发光区域重叠。
可以是,所述色变换面板还包括:反射滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述白色发光区域重叠。
另一实施例涉及的色变换面板包括:基板;多个坝,位于所述基板上,划分红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域;红色色变换层,位于所述红色发光区域中;绿色色变换层,位于所述绿色发光区域中;蓝色色变换层,位于所述蓝色发光区域中;以及散射体层,位于所述白色发光区域中,所述散射体层被设置成与所述红色色变换层、绿色色变换层及蓝色色变换层重叠。
另一实施例涉及的色变换面板包括:基板;多个坝,位于所述基板上,划分红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域;红色色变换层,位于所述红色发光区域中;绿色色变换层,位于所述绿色发光区域中;蓝色色变换层,位于所述蓝色发光区域中;以及白色色变换层,位于所述白色发光区域中。
一实施例涉及的显示装置包括:色变换面板;以及显示面板,被设置成与所述色变换面板重叠,所述显示面板包括:第二基板;多个分隔壁,位于所述第二基板上;以及发光层,位于所述多个分隔壁之间,所述色变换面板包括:第一基板;位于所述第一基板上且划分红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域的多个坝;位于所述红色发光区域中的红色色变换层;位于所述绿色发光区域中的绿色色变换层;以及位于所述白色发光区域中的绿色色变换层和红色色变换层。
可以是,所述发光层包括一个以上的发光层,所述显示面板射出蓝色光或白色光。
可以是,层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层和所述红色色变换层,或者在一个层中混合设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层和所述红色色变换层。
可以是,所述色变换面板还包括:透过层,位于所述蓝色发光区域和所述白色发光区域中。
可以是,层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述透过层,或者在一个层中混合设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述透过层。
可以是,所述色变换面板还包括:蓝色色变换层,位于所述蓝色发光区域和所述白色发光区域中。
可以是,层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述蓝色色变换层,或者按区域分离来设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述蓝色色变换层。
(发明效果)
根据实施例,提供一种高效率的色变换面板以及包括其的显示装置。
附图说明
图1简单表示一实施例涉及的色变换面板的截面。
图2针对其他实施例涉及的色变换面板表示与图1相同的截面。
图3针对其他实施例涉及的色变换面板表示与图1相同的截面。
图4至图9表示在图1中用B表示的区域。
图10针对其他实施例表示与图1相同的截面。
图11针对其他实施例表示与图10相同的截面。
图12针对其他实施例表示与图11相同的截面。
图13针对其他实施例表示与图10相同的截面。
图14针对其他实施例表示与图10相同的截面。
图15针对其他实施例表示与图10相同的截面。
图16简单表示一实施例涉及的显示装置的截面。
符号说明:
230:滤色器;330R:红色色变换层;330G:绿色色变换层;330B:蓝色色变换层;330W:白色色变换层;330P:透过层;320:坝;220:遮光部件。
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明本发明的各种实施例,以便本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现,并不限于在此说明的实施例。
为了明确说明本发明,省略了与说明无关的部分,并在整个说明书中对相同或者类似的构成要素赋予相同的符号。
此外,图示的各构成的大小以及厚度为了便于说明而任意示出,本发明并不一定限于图示的情况。在附图中,为了明确表示各层以及区域,有所夸张地示出了厚度。此外,在附图中,为了便于说明,有所夸张地示出了部分层和区域的厚度。
此外,层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或上方时,不仅包括直接位于其他部分上的情况,还包括其间具有其他部分的情况。相反,某一部分直接位于其他部分上时,是指其间不存在其他部分。此外,位于作为基准的部分上或上方是指位于作为基准的部分的上或下方,并不一定指在重力相反方向侧位于上或上方的情况。
此外,在整个说明书中,某一部分包括某一构成要素时,在没有特别相反的记载的情况下,并不是排除包括其他构成要素,而是指还可以包括其他构成要素。
此外,在整个说明书中,“平面上”是指从上观察对象部分的情况,“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。
以下,参照附图,说明本发明的实施例涉及的色变换面板以及包括其的显示装置。
图1简单表示一实施例涉及的色变换面板的截面。参照图1,色变换面板包括划分各个发光区域的坝320以及位于被坝320划分的空间中的色变换层和透过层。如图1所示,本实施例涉及的色变换面板包括红色发光区域RLA、绿色发光区域GLA、蓝色发光区域BLA以及白色发光区域WLA。
参照图1,在第一基板210上设置包括蓝色滤色器230B、红色滤色器230R以及绿色滤色器230G的滤色器230。与各个发光区域对应地设置各个滤色器。即,在蓝色发光区域BLA中可以设置蓝色滤色器230B,在红色发光区域RLA中可以设置红色滤色器230R,在绿色发光区域GLA中可以设置绿色滤色器230G。在蓝色滤色器230B、绿色滤色器230G和红色滤色器230R之间可以设置遮光部件220。遮光部件220可以位于不发光区域NLA中。在图1中,滤色器230可以不位于白色发光区域WLA中。但是,根据实施例,也可以设置用于降低反射的滤色器。对于这种实施例,之后在图2中后述。
参照图1,在滤色器230上可以设置低折射层351。低折射层351其折射率可以在1.2以下。低折射层351可以是混合了有机物和无机物。
在低折射层351上设置多个坝320。多个坝320可以被设置成彼此间隔开且在其间夹着多个开口,坝320之间的区域构成红色发光区域RLA、绿色发光区域GLA、蓝色发光区域BLA和白色发光区域WLA。
坝320可以包括散射体。散射体可以是选自由SiO2、BaSO4、Al2O3、ZnO、ZrO2和TiO2形成的组中的一种以上。坝320可以包括高分子树脂以及高分子树脂所包括的散射体。散射体的含量可以是0.1重量%至20重量%。更优选地,散射体的含量可以是5重量%至10重量%。包括这种范围的散射体的坝320可以散射从显示面板射出的光来提高发光效率。在其他实施例中,坝320可以包括黑色物质来阻断光,还可以防止相邻的发光区域之间的混色。
在图1中,在红色发光区域RLA中可以设置红色色变换层330R。红色色变换层330R可以将所供给的光变换成红色。红色色变换层330R可以包括量子点。此外,在绿色发光区域GLA中可以设置绿色色变换层330G。绿色色变换层330G可以将所供给的光变换成绿色。绿色色变换层330G可以包括量子点。
以下,详细说明量子点。
在本说明书中,量子点(以下,也称为半导体纳米结晶)可以包括II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素或化合物、I-III-VI族化合物、II-III-VI族化合物、I-II-IV-VI族化合物或者它们的组合。
所述II-VI族化合物可以选自由以下的化合物形成的组中:选自由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物形成的组中的二元化合物;选自由AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物形成的组中的三元化合物;以及选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe和它们的混合物形成的组中的四元化合物。所述II-VI族化合物还可以包括III族金属。
所述III-V族化合物可以选自由以下的化合物形成的组中:选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物形成的组中的二元化合物;选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物形成的组中的三元化合物;以及选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物形成的组中的四元化合物。所述III-V族化合物还可以包括II族金属(例如,InZnP)。
所述IV-VI族化合物可以选自由以下的化合物形成的组中:选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物形成的组中的二元化合物;选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物形成的组中的三元化合物;以及选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物形成的组中的四元化合物。
所述IV族元素或化合物可以选自由以下的化合物形成的组中:选自由Si、Ge和它们的组合形成的组中的单元素化合物;以及选自由SiC、SiGe和它们的组合形成的组中的二元化合物,但是并不限于此。
作为所述I-III-VI族化合物的例,包括CuInSe2、CuInS2、CuInGaSe和CuInGaS,但是并不限于此。
所述II-III-VI族化合物可以选自由ZnGaS、ZnAlS、ZnInS、ZnGaSe、ZnAlSe、ZnInSe、ZnGaTe、ZnAlTe、ZnInTe、ZnGaO、ZnAlO、ZnInO、HgGaS、HgAlS、HgInS、HgGaSe、HgAlSe、HgInSe、HgGaTe、HgAlTe、HgInTe、MgGaS、MgAlS、MgInS、MgGaSe、MgAlSe、MgInSe和它们的组合形成的组中,但是并不限于此。
所述I-II-IV-VI族化合物可以选自CuZnSnSe和CuZnSnS中,但是并不限于此。
在一具体例中,量子点可以不包括镉。量子点可以包括基于含有铟和磷的III-V族化合物的半导体纳米结晶。所述III-V族化合物还可以包括锌。量子点可以包括基于含有硫属元素(例如,硫、硒、碲或它们的组合)和锌的II-VI族化合物的半导体纳米结晶。
在量子点中,前述的二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以以均匀的浓度存在于粒子内,或者可以是浓度分布分为部分不同的状态而存在于同一粒子内。此外,可以具有一个量子点包围其他量子点的芯体/壳体结构。芯体和壳体的界面可以具有存在于壳体中的元素的浓度越朝向中心越变低的浓度梯度(gradient)。
在一些实施例中,量子点可以具有包括前述的纳米结晶的芯体和包围所述芯体的壳体的芯体-壳体结构。所述量子点的壳体可以执行用于防止所述芯体的化学变性来维持半导体特性的保护层的作用和/或用于向量子点赋予电泳特性的充电层(charging layer)的作用。所述壳体可以是单层或多层。芯体与壳体的界面可以具有存在于壳体中的元素的浓度越朝向中心越变低的浓度梯度(gradient)。作为所述量子点的壳体的例,可以列举金属或非金属的氧化物、半导体化合物或它们的组合等。
例如,作为所述金属或非金属的氧化物,可以例示SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO等二元化合物或MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4等三元化合物,但是本发明并不限于此。
此外,作为所述半导体化合物,可以例示CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等,但是本发明并不限于此。
芯体与壳体的界面可以具有存在于壳体中的元素的浓度越朝向中心越变低的浓度梯度(gradient)。此外,所述半导体纳米结晶也可以具有包括一个半导体纳米结晶芯体以及包围其的多层壳体的结构。在一具体例中,所述多层壳体可以具有两个以上的层(例如,两个、三个、四个、五个或其以上的层)。所述壳体的相邻的两个层可以具有单一组成或不同的组成。在多层壳体中,各个层可以具有根据半径而变化的组成。
量子点可以具有约在45nm以下(优选约在40nm以下,更优选约在30nm以下)的发光波长光谱的半值全宽(full width of half maximum,FWHM),在该范围内可以提高色纯度或色再现性。此外,通过这种量子点射出的光可以朝向全方向射出,因此可以提高光视角。
所述量子点中,壳体物质和芯体物质可以具有彼此不同的能带间隙。例如,壳体物质的能带间隙可以比芯体物质的能带间隙还大。在其他具体例中,壳体物质的能带间隙可以比芯体物质的能带间隙还小。所述量子点可以具有多层的壳体。多层的壳体中,外侧层的能带间隙可以比内侧层(即,靠近芯体的层)的能带间隙还大。在多层的壳体中,外侧层的能带间隙也可以比内侧层的能带间隙还小。
量子点可以调节其组成和大小来调节吸收/发光波长。量子点的最大发光峰值波长可以具有紫外线至红外线的波长或者其以上的波长范围。
量子点可以具有约10%以上(例如,约30%以上、约50%以上、约60%以上、约70%以上、约90%以上或者甚至100%)的量子效率(quantum efficiency)。量子点可以具有比较窄的光谱。量子点可以具有例如约在50nm以下(又例如,约在45nm以下,约在40nm以下,或者约在30nm以下)的发光波长光谱的半值全宽。
所述量子点可以具有约在1nm以上且约在100nm以下的粒子大小。粒子的大小是指粒子的直径或者根据由透过电子显微镜分析得到的二维图像假设球形来换算出的直径。所述量子点可以具有约1nm至约20nm(例如,在2nm以上、3nm以上或4nm以上且在50nm以下、40nm以下、30nm以下、20nm以下、15nm以下或10nm以下)的大小。量子点的形状没有特别限制。例如,所述量子点的形状可以包括球、多面体、金字塔、多口、正方体、长方体、纳米管、纳米棒、纳米线、纳米片或它们的组合,但是并不限于此。
量子点可以通过商业的方式获得,但是也可以适当地合成。量子点可以在合成胶体时比较自由地调节粒子大小,还可以均匀地调节粒子大小。
量子点可以包括(例如,具有疏水性残基和/或亲水性残基的)有机配体。所述有机配体残基可以结合在所述量子点的表面。所述有机配体可以包括RCOOH、RNH2、R2NH、R3N、RSH、R3PO、R3P、ROH、RCOOR、RPO(OH)2、RHPOOH、R2POOH或它们的组合,在此,R可以是分别独立的C3至C40(例如,C5以上且C24以下)的取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基等C3至C40的取代或未取代的脂族烃、取代或未取代的C6至C40的芳基等C6至C40(例如,C6以上且C20以下)的取代或未取代的芳香烃或它们的组合。
作为所述有机配体的例,可列举:甲烷硫醇、乙烷硫醇、丙烷硫醇、丁烷硫醇、茂烷硫醇、己烷硫醇、辛烷硫醇、十二烷硫醇、十六烷硫醇、十八烷硫醇、苄基硫醇等硫醇化合物;甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、茂胺、己胺、辛胺、壬胺、癸胺、十二胺、十六胺、十八胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三丁胺、三辛胺等胺类;甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、茂酸、己酸、庚酸、辛酸、十二酸、十六酸、油酸(oleic acid)、苯甲酸等羧酸化合物;甲膦、乙膦、丙膦、丁膦、茂膦、辛膦、二辛膦、三丁膦、三辛膦等膦化合物;甲膦氧化物、乙膦氧化物、丙膦氧化物、丁膦氧化物、茂膦氧化物、三丁膦氧化物、辛膦氧化物、二辛膦氧化物、三辛膦氧化物等膦化合物或其氧化物化合物;二苯基膦、三苯基膦化合物或其氧化物化合物;己基膦酸、辛基膦酸、十二烷基膦酸、十四烷基膦酸、十六烷基膦酸、十八烷基膦酸等C5至C20的烷基膦酸等,但是并不限于此。量子点可以单独或者以一种以上的混合物包括疏水性有机配体。所述疏水性有机配体可以不包括(例如,丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯等)光中和性残基。
参照图1,在由坝320划分的空间中,色变换层不位于与蓝色发光区域BLA对应的部分中。取而代之地,在与蓝色发光区域BLA对应的部分中可以设置透过层330P。透过层330P可以包括散射体。散射体可以是选自由SiO2、BaSO4、Al2O3、ZnO、ZrO2和TiO2形成的组中的一种以上的物质。透过层330P可以包括高分子树脂以及高分子树脂所包含的散射体。作为一例,透过层330P可以包括TiO2,但是并不限于此。透过层330P可以使从显示面板入射的光透过。
此外,参照图1,在白色发光区域WLA中,可以层叠地设置绿色色变换层330G和红色色变换层330R。如上所述,在白色发光区域WLA中设置绿色色变换层330G和红色色变换层330R的情况下,可以根据它们的比率来射出白色光。
如上所述,本实施例涉及的色变换面板包括红色、绿色、蓝色和白色的发光区域。这种色变换面板可以对供给的蓝色光或白色光进行色变换来发光。此时,高亮度的图像可以主要利用白色发光区域来显示图像,因此可以提高适用了色变换面板的显示装置的光效率。
在图1中示出了白色发光区域WLA不包括滤色器的构成,但是根据实施例,在白色发光区域WLA中也可以设置滤色器230。图2针对其他实施例涉及的色变换面板示出了与图1相同的截面。参照图2,本实施例涉及的色变换面板除了滤色器230还包括位于白色发光区域WLA中的反射滤色器230W这一点以外与图1的实施例相同。省略对于同一构成要素的具体说明。参照图2,本实施例涉及的色变换面板还包括位于白色发光区域WLA中的反射滤色器230W。反射滤色器230W可以是灰色滤色器,但是并不限于此。反射滤色器230W可以减小色变换面板的反射率。
在图1中示出了在蓝色滤色器230B、绿色滤色器230G和红色滤色器230R之间设置遮光部件220的构成,但是根据实施例,可以代替遮光部件220而设置滤色器层叠体A。图3针对其他实施例涉及的色变换面板示出了与图1相同的截面。参照图3,本实施例涉及的色变换面板除了在蓝色滤色器230B、绿色滤色器230G和红色滤色器230R之间设置滤色器层叠体A这一点以外与图1的实施例相同。省略对于同一构成要素的具体说明。
参照图3,在与蓝色滤色器230B相同的层设置蓝色虚设滤色器231B。蓝色滤色器230B可以位于蓝色发光区域BLA中,蓝色虚设滤色器231B可以位于与坝320重叠的不发光区域NLA中。在图3中示出了蓝色滤色器230B和蓝色虚设滤色器231B看似分离的构成,但是实际上这两者可以被连接。即,蓝色的滤色器可以位于除了绿色发光区域GLA、红色发光区域RLA和白色发光区域WLA以外的所有区域中。这种蓝色的滤色器之中,位于蓝色发光区域BLA中的蓝色的滤色器成为蓝色滤色器230B,位于不发光区域NLA中的蓝色的滤色器成为蓝色虚设滤色器231B。
接着,在蓝色滤色器230B和蓝色虚设滤色器231B上设置红色滤色器230R和红色虚设滤色器231R。红色的滤色器可以位于除了绿色发光区域GLA、蓝色发光区域BLA和白色发光区域WLA以外的所有区域中。这种红色的滤色器之中,位于红色发光区域RLA中的红色的滤色器成为红色滤色器230R,位于不发光区域NLA中的红色的滤色器成为红色虚设滤色器231R。在图3中,红色滤色器230R的两个边缘位置是与坝320重叠的不发光区域NLA,是红色虚设滤色器231R。
接着,在蓝色滤色器230B和蓝色虚设滤色器231B以及红色滤色器230R和红色虚设滤色器231R上设置绿色滤色器230G和绿色虚设滤色器231G。绿色的滤色器位于除了蓝色发光区域BLA、红色发光区域RLA和白色发光区域WLA以外的所有区域中。这种绿色的滤色器之中,位于绿色发光区域GLA中的绿色的滤色器成为绿色滤色器230G,位于不发光区域NLA中的绿色的滤色器成为绿色虚设滤色器231G。在图3中,绿色滤色器230G的两个边缘位置是与坝320重叠的不发光区域NLA,是绿色虚设滤色器231G。
参照图3,在与坝320重叠的区域中重叠地设置蓝色虚设滤色器231B、红色虚设滤色器231R和绿色虚设滤色器231G。这种蓝色虚设滤色器231B、红色虚设滤色器231R和绿色虚设滤色器231G重叠而形成滤色器层叠体A。这种滤色器层叠体A可以起到与遮光部件相同的功能。即,滤色器层叠体A可以在不发光区域NLA中阻断光。
此时,蓝色虚设滤色器231B可以被设置成比红色虚设滤色器231R及绿色虚设滤色器231G更靠近第一基板210。使用者识别图像的方向可以是第一基板210侧,在识别图像的面上可以设置蓝色虚设滤色器231B。这是因为,与绿色或红色相比,蓝色对所有光的反射率最低,可以最有效地阻断光。
在图1至图3中示出了白色发光区域WLA是依次层叠了绿色色变换层330G和红色色变换层330R的构成,但是白色发光区域WLA中的层叠形态可以是各种各样。以下,说明各种实施例。
图4至图9针对各种实施例简单示出了在图1中用B表示的区域。参照图4,本实施例涉及的色变换面板的白色发光区域WLA可以在层叠红色色变换层330R之后层叠绿色色变换层330G。即,可以设置成红色色变换层330R比绿色色变换层330G更靠近第一基板210。
参照图5,本实施例涉及的色变换面板的白色发光区域WLA包括红色色变换层330R、绿色色变换层330G和透过层330P这三者。在图5中示出了被设置成透过层330P最远离第一基板210的构成,但是透过层330P的位置可以是各种各样。即,如图6所示,可以设置成透过层330P比红色色变换层330R及绿色色变换层330G更靠近第一基板210。或者,如图7所示,透过层330P也可以位于红色色变换层330R与绿色色变换层330G之间。
或者,参照图8,在本实施例涉及的色变换面板的白色发光区域WLA中可以设置混合了红色色变换层330R和绿色色变换层330G的混合色变换层330RG。这种混合色变换层330RG可以同时通过喷墨方法注入红色色变换层330R和绿色色变换层330G来形成。在混合色变换层330RG中可以包括将入射光色变换成红色的量子点以及将入射光色变换成绿色的量子点这两者。
或者,参照图9,在本实施例涉及的色变换面板的白色发光区域WLA中可以设置混合了红色色变换层330R、绿色色变换层330G和透过层330P的混合色变换层330RGP。这种混合色变换层330RGP可以同时通过喷墨方法注入红色色变换层330R、绿色色变换层330G和透过层330P来形成。在混合色变换层330RGP中可以包括将入射光色变换成红色的量子点、将入射光色变换成绿色的量子点以及散射体这三者。
在图4至图9中,红色色变换层330R、绿色色变换层330G和透过层330P可以通过喷墨方法形成。以上,说明了在蓝色发光区域BLA中设置透过层330P来代替色变换层的构成,但是根据实施例,在蓝色发光区域BLA中也可以设置蓝色色变换层330B。
图10针对其他实施例表示了与图1相同的截面。参照图10,本实施例涉及的色变换面板除了在蓝色发光区域BLA中设置蓝色色变换层330B且在白色发光区域WLA中设置红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B这三者并且不包括滤色器230和低折射层351这一点以外,与图1的实施例相同。省略对于同一构成要素的具体说明。参照图10,本实施例涉及的色变换面板在蓝色发光区域BLA中设置蓝色色变换层330B来代替了透过层330P。蓝色色变换层330B可以包括量子点,将入射的光变换成蓝色光。
在图10的实施例中,白色发光区域WLA可以具有依次层叠了红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B的结构。在该情况下,可以从白色发光区域WLA射出白色光。此时,图10的实施例的情况下示出了依次层叠有红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B的构成,但是层叠顺序并不限于此,也可以不同与此。
图10的实施例涉及的色变换面板公开了不包括滤色器230的构成,但是根据实施例,可以包括滤色器230。图11针对其他实施例示出了与图10相同的截面,参照图11,本实施例涉及的色变换面板可以在第一基板210上设置包括蓝色滤色器230B、红色滤色器230R和绿色滤色器230G的滤色器230。与各个发光区域对应地设置各个滤色器。即,在蓝色发光区域BLA中可以设置蓝色滤色器230B,在红色发光区域RLA中可以设置红色滤色器230R,在绿色发光区域GLA中可以设置绿色滤色器230G。在蓝色滤色器230B、绿色滤色器230G和红色滤色器230R之间可以设置遮光部件220。遮光部件220可以位于不发光区域NLA中。低折射层351可以位于滤色器230上。图11虽然未图示,但是在白色发光区域WLA中也可以设置如图2所示的反射滤色器230W。
或者,也可以代替遮光部件220而设置滤色器层叠体A。图12针对其他实施例示出了与图11相同的截面,参照图12,本实施例涉及的色变换面板除了在蓝色滤色器230B、绿色滤色器230G和红色滤色器230R之间设置滤色器层叠体A这一点以外,与图11的实施例相同。省略对于同一构成要素的具体说明。对于滤色器层叠体A的说明与之前在图3中说明的情况相同,因此省略。
图10示出了在白色发光区域WLA中依次层叠了红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B的构成,但是在白色发光区域WLA中可以划分区域来设置红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B。图13针对其他实施例示出了与图10相同的截面。参照图13,本实施例涉及的色变换面板在白色发光区域WLA内划分区域来设置了红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B。即,红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B在垂直于第一基板210的面的方向上可以彼此不重叠,被设置成彼此平行。在该情况下,也可以识别出与图10同样地从白色发光区域WLA射出白色光的情况。
图14针对其他实施例示出了与图10相同的截面。参照图14,本实施例涉及的色变换面板除了在白色发光区域WLA中设置散射体层333这一点以外与图10的实施例相同。省略对于同一构成要素的具体说明。参照图14,本实施例涉及的色变换面板中,散射体层333可以被设置成与白色发光区域WLA、绿色发光区域GLA、红色发光区域RLA及蓝色发光区域BLA重叠。散射体层333可以包括散射体。散射体可以是选自由SiO2、BaSO4、Al2O3、ZnO、ZrO2和TiO2形成的组中的一种以上的物质。如上所述,在散射体层333位于色变换面板的整个区域中的情况下,红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B可以不包括散射体。即使红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B不包括散射体,在散射体层333中也可以实现散射。在前说明的实施例中,红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B可以包括散射体。
图15针对其他实施例示出了与图10相同的截面。参照图15,本实施例涉及的色变换面板除了在白色发光区域WLA中包括白色色变换层330W这一点以外,与图10的实施例相同。省略对于同一构成要素的具体说明。白色色变换层330W可以将入射的光色变换成白色光。
在图10至图15的实施例中,红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B或者白色色变换层330W可以通过利用光致抗蚀剂进行曝光和蚀刻的方法来形成,但是并不限于此。在利用这种光致抗蚀剂来形成的情况下,位于白色发光区域WLA中的红色色变换层330R、绿色色变换层330G和蓝色色变换层330B或者白色色变换层330W可以利用半色调掩模来形成。
在前说明的色变换面板可以与显示面板结合而构成显示装置。此时,显示面板可以射出白色光,也可以射出蓝色光。根据实施例,显示面板也可以是层叠了射出各种颜色的光的发光层的结构。作为一例,显示面板可以层叠射出蓝色光和黄色光的发光层、或者层叠射出蓝色光、绿色光和红色光的发光层。
以下,参照附图,说明包括一实施例涉及的色变换面板的显示装置。图16简单示出了一实施例涉及的显示装置的截面。参照图16,一实施例涉及的显示装置包括显示面板100和色变换面板200。对于色变换面板200的说明与在前的图1至图15中的说明相同,因此省略。在图16的显示装置中,示出了色变换面板200是图1的实施例涉及的色变换面板的结构,但是这仅仅是一个例示,图16的色变换面板200可以是图1至图15之中的一个。
显示面板100包括第二基板110、位于第二基板110的多个晶体管TFT以及绝缘膜180。在绝缘膜180上设置第一电极191和分隔壁360,第一电极191位于分隔壁360的开口部中且与晶体管TFT连接。虽然未具体图示,但是晶体管TFT可以包括半导体层、与半导体层连接的源电极及漏电极以及与半导体层绝缘的栅电极。在分隔壁360上设置第二电极270,在第一电极191与第二电极270之间设置发光元件层390。将第一电极191、第二电极270和发光元件层390统一称为发光元件LED。多个发光元件LED可以分别射出不同颜色的光,也可以分别射出彼此相同颜色的光。作为一例,发光元件LED可以射出红色、绿色和蓝色的光。或者,发光元件LED也可以射出白色光。发光元件LED可以具有层叠了射出彼此不同颜色的光的发光元件的结构。作为一例,发光元件LED可以层叠有射出蓝色光的发光层和射出黄色光的发光层。或者,可以层叠有射出蓝色光/绿色光/红色光的发光层。分隔壁360可以包括黑色物质,从而防止在相邻的发光元件LED之间产生混色。
在图16中,在显示面板100的发光元件LED上可以设置封装层410。封装层410可以是交替地层叠了有机膜和无机膜的多层结构。在多层的封装层410之中,位置最远离第一基板210的层可以包括SiON。
在封装层410与第一绝缘层400之间可以设置缓冲层420。缓冲层420可以结合显示面板100与色变换面板200。缓冲层420可以包括有机物质。缓冲层420的折射率可以是1.6至1.7。这种折射率是从显示面板100射出的光的提取效率最出色的折射率范围。
在图16中,可以包括位于色变换面板200的上部的第一绝缘层400。第一绝缘层400是用于覆盖红色色变换层330R、绿色色变换层330G、透过层330P和坝320的层。第一绝缘层400可以包括SiON。第一绝缘层400的厚度可以是至/>第一绝缘层400的折射率可以是1.4至1.6。第一绝缘层400可以包括无机物质。
以上,详细说明了本发明的实施例,但是本发明的权利范围并不限于此,本领域技术人员利用了权利要求书中定义的本发明的基本概念的各种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围内。
Claims (10)
1.一种色变换面板,包括:
第一基板;
位于所述第一基板上且划分红色发光区域、绿色发光区域、蓝色发光区域和白色发光区域的多个坝;
位于所述红色发光区域中的红色色变换层;
位于所述绿色发光区域中的绿色色变换层;
以及位于所述白色发光区域中的绿色色变换层和红色色变换层。
2.根据权利要求1所述的色变换面板,其中,
层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层和所述红色色变换层。
3.根据权利要求1所述的色变换面板,其中,
在一个层中混合设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层和所述红色色变换层。
4.根据权利要求1所述的色变换面板,还包括:
透过层,位于所述蓝色发光区域和所述白色发光区域中。
5.根据权利要求4所述的色变换面板,其中,
层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述透过层。
6.根据权利要求4所述的色变换面板,其中,
在一个层中混合设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述透过层。
7.根据权利要求1所述的色变换面板,包括:
蓝色色变换层,位于所述蓝色发光区域和所述白色发光区域中。
8.根据权利要求7所述的色变换面板,其中,
层叠地设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红色色变换层和所述蓝色色变换层。
9.根据权利要求7所述的色变换面板,其中,
按区域分离来设置所述白色发光区域中的所述绿色色变换层、所述红IPA2302KR0071
色色变换层和所述蓝色色变换层。
10.根据权利要求1所述的色变换面板,还包括:
红色滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述红色发光区域重叠;
绿色滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述绿色发光区域重叠;以及
蓝色滤色器,位于所述基板上,被设置成与所述蓝色发光区域重叠。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2022-0048418 | 2022-04-19 | ||
KR1020220048418A KR20230149388A (ko) | 2022-04-19 | 2022-04-19 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116914063A true CN116914063A (zh) | 2023-10-20 |
Family
ID=88307523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310385953.3A Pending CN116914063A (zh) | 2022-04-19 | 2023-04-12 | 色变换面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230337500A1 (zh) |
KR (1) | KR20230149388A (zh) |
CN (1) | CN116914063A (zh) |
-
2022
- 2022-04-19 KR KR1020220048418A patent/KR20230149388A/ko unknown
-
2023
- 2023-02-24 US US18/114,107 patent/US20230337500A1/en active Pending
- 2023-04-12 CN CN202310385953.3A patent/CN116914063A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230149388A (ko) | 2023-10-27 |
US20230337500A1 (en) | 2023-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11889718B2 (en) | Display panel including functional layer | |
KR20220048506A (ko) | 표시 장치 | |
CN114171555A (zh) | 颜色转换面板 | |
US20230056289A1 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
US20220231200A1 (en) | Color conversion panel and display device including the same | |
CN116234388A (zh) | 显示装置 | |
CN116914063A (zh) | 色变换面板 | |
CN219628274U (zh) | 颜色转换面板和包括颜色转换面板的显示装置 | |
US20230335686A1 (en) | Color conversion panel and display device including same | |
US20230327057A1 (en) | Display device | |
EP4178331A1 (en) | Display device, electronic device, and fabrication method thereof | |
US20230126029A1 (en) | Display device and electronic device | |
US20230005995A1 (en) | Color conversion panel and display device including the same, and manufacturing method thereof | |
US20220229214A1 (en) | Color conversion panel and display device including the same | |
US20230068622A1 (en) | Display panel and manufacturing method of the same | |
CN117082936A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN115472644A (zh) | 显示装置 | |
JP2023056461A (ja) | 表示装置 | |
CN114122079A (zh) | 显示装置 | |
KR20230063964A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20230092067A (ko) | 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
CN116033808A (zh) | 颜色转换面板和包括该颜色转换面板的显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication |