CN220340436U - 光学构件和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及光学构件和显示面板。显示面板包括：发光元件，输出源光并且包括第一电极、设置在第一电极上的发光层和设置在发光层上的第二电极；光控制层，设置在发光元件上并且包括将源光转换为第一光的第一光控制图案和透射源光的第二光控制图案；以及滤色器层，设置在光控制层上并且包括与第一光控制图案重叠的第一滤色器和与第二光控制图案重叠的第二滤色器。第一滤色器在600nm至640nm的波长范围内具有70％或更低的透光率，以及第二滤色器在430nm至470nm的波长范围内具有75％或更低的透光率。

Description

光学构件和显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年1月13日提交的第10-2021-0186884号韩国专利申请的优先权以及由韩国专利申请产生的所有权益，该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文中。
技术领域
本文中的公开涉及光学构件和显示面板，并且更具体地，涉及具有降低的反射率和改善的颜色再现性的光学构件和显示面板。
背景技术
显示面板包括选择性地透射从光源产生的源光的透射显示面板、以及从显示面板本身产生源光的发射显示面板。显示面板可以包括基于像素的布置的不同类型的光控制图案，以产生彩色图像。光控制图案可以仅透射具有预定的波长范围的源光，或可以转换源光的颜色。一些光控制图案还可以改变光的特性而不改变源光的颜色。
实用新型内容
本公开提供具有降低的外部光反射率和改善的颜色再现性的光学构件。
本公开还提供了显示面板，该显示面板通过降低外部光在显示面板的表面上的反射率并且改善颜色再现性而具有改善的色调。
本实用新型的实施方式提供显示面板，该显示面板包括：发光元件，输出源光并且包括第一电极、设置在第一电极上的发光层和设置在发光层上的第二电极；光控制层，设置在发光元件上并且包括将源光转换为第一光的第一光控制图案和透射源光的第二光控制图案；以及滤色器层，设置在光控制层上并且包括与第一光控制图案重叠的第一滤色器和与第二光控制图案重叠的第二滤色器，其中，第一滤色器在约600纳米(nm)至约640nm的波长范围内具有约70％或更低的透光率，以及第二滤色器在约430nm至约470nm的波长范围内具有约75％或更低的透光率。
在实施方式中，第一滤色器可以在透光率光谱中包括在约590nm至约610nm的波长范围内透光率为约10％的点。
在实施方式中，第一滤色器可以在约590nm或更小的波长范围内具有小于约10％的透光率。
在实施方式中，第一滤色器和第二滤色器的透光率可以通过光谱仪测量。
在实施方式中，第二滤色器可以具有约95nm或更小的半峰全宽的透光率光谱。
在实施方式中，第一光的波长可以长于源光的波长，以及第一光控制图案可以包括将源光转换为第一光的第一量子点。
在实施方式中，第一滤色器可以包括红色着色剂，并且第二滤色器可以包括蓝色着色剂。
在实施方式中，第一滤色器还可以包括黑色着色剂，以及可相对于红色着色剂和黑色着色剂的总重量以约1wt％或更少的量包括黑色着色剂。
在实施方式中，第二滤色器还可以包括紫色着色剂，并且蓝色着色剂与紫色着色剂的重量比可以在约70：30至约80：20的范围内。
在实施方式中，第一滤色器可以具有在约3微米(μm)至约5.5μm的范围内的厚度，并且第二滤色器可以具有在约1.8μm至约4.2μm的范围内的厚度。
在实施方式中，显示面板还可以包括：基础衬底，设置在发光元件下方；以及基础层，设置在滤色器层上。
在实施方式中，显示面板还可以包括：抗反射层，设置在基础层上。
在实施方式中，发光元件可以接收来自抗反射层上方的非偏振入射光。
在实施方式中，滤色器层还可以包括设置在光控制层与第一滤色器和第二滤色器之间的低折射率层，以及低折射率层的折射率可以为约1.3或更小。
在实施方式中，发光元件可以包括设置在第一电极和第二电极之间的多个发光堆叠，并且多个发光堆叠中的每个可以包括发光层。
在实施方式中，多个发光堆叠可以包括：第一发光堆叠，设置在第一电极上并且包括发光层中的第一发光层；电荷产生层，设置在第一发光堆叠上；以及第二发光堆叠，设置在电荷产生层上并且包括发光层中的第二发光层，以及第一发光层发射与从第二发光层发射的光不同颜色的光。
在本实用新型的实施方式中，光学构件包括：光控制层，包括第一光控制图案和第二光控制图案，第一光控制图案包括转换入射光的波长的量子点，第二光控制图案透射入射光；滤色器层，设置在光控制层上并且包括与第一光控制图案重叠的第一滤色器和与第二光控制图案重叠的第二滤色器，其中，第一滤色器在约600nm至约640nm的波长范围内具有约70％或更低的透光率，以及第二滤色器在约430nm至约470nm的波长范围内具有约75％或更低的透光率。
在实施方式中，第一滤色器的厚度可以大于第二滤色器的厚度。
在本实用新型的实施方式中，显示面板包括：下面板，包括显示元件层；上面板，设置在下面板上；以及填充层，设置在下面板和上面板之间，其中，上面板包括：光控制层，设置在填充层上并且包括将源光转换为第一光的第一光控制图案和透射源光的第二光控制图案；以及滤色器层，设置在光控制层上并且包括与第一光控制图案重叠的第一滤色器和与第二光控制图案重叠的第二滤色器，以及第一滤色器具有在约3μm至约5.5μm的范围内的厚度，以及第二滤色器具有在约1.8μm至约4.2μm的范围内的厚度。
附图说明
附图被包括以提供对本实用新型的进一步理解，并且附图被结合在本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图示出本实用新型的实施方式，并且与说明书一起用于说明本实用新型的原理。在附图中：
图1A是根据本实用新型的实施方式的显示面板的立体图；
图1B是根据本实用新型的实施方式的显示面板的剖视图；
图1C是根据本实用新型的实施方式的显示面板的平面图；
图2A是根据本实用新型的实施方式的显示面板的部分的放大平面图；
图2B是根据本实用新型的实施方式的显示面板的剖视图；
图2C是根据本实用新型的实施方式的显示面板的截面的局部区域的放大图；
图3是包括在根据本实用新型的实施方式的显示面板中的发光元件的剖视图；
图4A示出包括在根据本实用新型的实施方式的显示面板中的第一滤色器的透光率曲线图、根据比较示例的滤色器的透光率曲线图、以及从根据本实用新型的实施方式的光源发射的光的透光率的曲线图；以及
图4B示出包括在根据本实用新型的实施方式的显示面板中的第二滤色器的透光率曲线图以及根据比较示例的滤色器的透光率曲线图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述本实用新型，在附图中示出各种实施方式。然而，本实用新型可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式以使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的范围。
在本说明书中，还将理解，当组件(区域、层、部分等)被称为“在“另一个组件“上”、“连接到”或“联接到”另一个组件时，其可以直接在该另一个组件上、直接连接/直接联接到该另一个组件，或也可以在其间设置介于中间的第三组件。
在全文中，相同的标记表示相同的元件。此外，在附图中，为了有效地描述技术内容，夸大了元件的厚度、比例和尺寸。除非上下文另外明确指出，否则如本文中所使用的，“一(a)”、“一个(an)”、“该”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外明确指出，否则“元件”具有与“至少一个元件”相同的含义。“至少一个”不应被解释为限制“一(a)”或“一个(an)”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件也可以被称为第一元件。除非上下文另外明确指出，否则单数形式也包括复数形式。
此外，诸如“下方”、“下部”、“上方”和“上部”的术语可以用于描述附图中所示出的组件的关系。这些术语具有相对概念，并且基于附图中所指示的方向来描述。
将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”、或“包括(includes)”和/或“包括(including)”指定所阐述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。
将理解，当元件被称为“直接设置”时，在层、膜、区域的部分之间没有添加附加的层、膜、区域、板等，例如，“直接设置”可以意指在两个层或两个构件之间没有附加的构件(诸如粘合构件)的情况下进行设置。
本文中所用的“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员鉴于所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在所述值的在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。此外，术语，诸如在常用词典中限定的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则不应以理想化或过于形式化的含义进行解释。
在本文中参考作为理想化实施方式的示意图的剖视图对实施方式进行描述。如此，将预期到由例如制造技术和/或公差而导致的与图示形状的偏差。因此，本文中描述的实施方式不应被解释为限于本文中所示的区域的特定形状，而应包括由例如制造导致的形状上的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线型的特征。此外，所示的尖角可以是圆化的。因此，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求书的范围。
在下文中，将参考附图描述本实用新型的实施方式。
图1A是根据本实用新型的实施方式的显示面板的立体图。图1B是根据本实用新型的实施方式的显示面板的剖视图。图1C是根据本实用新型的实施方式的显示面板的平面图。
如图1A中所示，显示面板DP的实施方式可以通过显示表面DP-IS显示图像。显示表面DP-IS平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示表面DP-IS可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素PX设置在显示区域DA中，但不设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA沿着显示表面DP-IS的边缘限定。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且非显示区域NDA的至少部分可以被省略或非显示区域NDA可仅设置在显示区域DA的一侧上。
显示表面DP-IS的法线方向，即显示面板DP的厚度方向，表示为第三方向DR3。下面将要描述的每个层或每个单元的前表面(或上表面)和后表面(或下表面)基于第三方向DR3来区分。然而，实施方式中所示的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3仅是示例。
在实施方式中，如图1A中所示，显示面板DP可以具有平坦的显示表面DP-IS，但是本实用新型的实施方式不限于此。可选地，显示面板DP可以包括弯曲的显示表面或三维的显示表面。三维的显示表面可以包括指示彼此不同的方向的多个显示区域。
如图1B中所示，显示面板DP的实施方式包括基础衬底BS、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-LED和光学结构层OSL。基础衬底BS可以包括合成树脂衬底或玻璃衬底。电路元件层DP-CL包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件包括信号线、像素的驱动电路等。电路元件层DP-CL可以由通过涂覆、气相沉积等形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及通过光刻对绝缘层、半导体层和导电层进行图案化的工艺来形成。显示元件层DP-LED包括至少一个显示元件。光学结构层OSL可以转换从显示元件提供的光的颜色。光学结构层OSL可以包括用于提高光转换效率的光控制图案或结构。
图1C示出信号线GL1至GLn和信号线DL1至DLm以及像素PX11至PXnm的平面布置关系。这里，n和m是大于0的自然数。信号线GL1至GLn和信号线DL1至DLm可以分别包括多条栅极线GL1至GLn和多条数据线DL1至DLm。
像素PX11至PXnm中的每个连接到多条栅极线GL1至GLn中的相应的栅极线以及多条数据线DL1至DLm中的相应的数据线。像素PX11至PXnm中的每个可以包括像素驱动电路和显示元件。根据像素PX11至PXnm的像素驱动电路的配置，还可以在显示面板DP中设置更多的各种类型的信号线。
在实施方式中，像素PX11至PXnm可以以矩阵形式布置，但是本实用新型的实施方式不限于此。可选地，像素PX11至PXnm可以以形式布置。在实施方式中，例如，在其处设置像素PX11至PXnm的点可以与菱形形状(diamond shape)或斜方形形状(rhombusshape)的顶点对应。在实施方式中，可以通过氧化硅栅极(OSG)驱动器电路工艺或非晶硅栅极(ASG)驱动器电路工艺将栅极驱动电路GDC集成在显示面板DP上。
图2A是根据本实用新型的实施方式的显示面板的部分的放大平面图。图2A示例性地示出包括根据本实用新型的实施方式的显示面板DP中的三个像素区域PXA-R、PXA-B和PXA-G以及与其相邻的堤阱区域BWA的平面。在本实用新型的实施方式中，图2A中所示的三种类型的像素区域PXA-R、PXA-B和PXA-G可以遍及显示区域DA重复地设置。
外围区域NPXA设置在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G周围。外围区域NPXA设定在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G之间的边界。外围区域NPXA可以围绕第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G。可以在外围区域NPXA中设置防止第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G之间的颜色混合的结构，例如，像素限定膜PDL(参见图2B)或堤BMP(参见图2B)。
图2A示例性地示出第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G具有彼此相同的平面形状并且具有彼此不同的平面面积的实施方式，但是本实用新型的实施方式不限于此。可选地，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的至少两个的面积可以彼此相等。在这样的实施方式中，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G的面积可以根据发射的光的颜色来设定。在实施方式中，例如，发射原色中红颜色的光的像素面积可以具有最大的面积，并且发射原色中蓝颜色的光的像素面积可以具有最小的面积。
图2A示出第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的每个具有矩形形状的实施方式，但是本实用新型的实施方式不限于此。可选地，在平面图中，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以具有其它多边形形状(包括基本上为多边形的形状)，诸如斜方形或五边形。在实施方式中，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以具有在平面上具有圆化拐角的矩形形状(基本上为矩形形状)。
图2A示例性地示出第三像素区域PXA-G设置在第一行中并且第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-B设置在第二行中的实施方式，但是本实用新型的实施方式不限于此。第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G的布置可以进行各种改变。在实施方式中，例如，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G可以布置在相同行中。
在实施方式中，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的一个提供与源光的部分对应的第二光，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的另一个提供不同于第二光的第一光，并且第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中的剩余的一个像素区域提供不同于第一光和第二光的第三光。在这样的实施方式中，第二像素区域PXA-B提供与源光的部分对应的第二光。在实施方式中，例如，第一像素区域PXA-R可以提供红光，第二像素区域PXA-B可以提供蓝光，并且第三像素区域PXA-G可以提供绿光。
堤阱区域BWA可以限定在显示区域DA(图1A)中。堤阱区域BWA可以是其中形成堤阱以防止在图案化包括在光控制层CCL(参见图2C)中的多个光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G(参见图2C)的工艺中由多个光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G(参见图2C)的不正确图案化而引起的缺陷的区域。在这样的实施方式中，堤阱区域BWA可以是其中限定了通过去除堤BMP(参见图2C)的部分而形成的堤阱的区域。
图2A示例性地示出两个堤阱区域BWA被限定为与第三像素区域PXA-G相邻的实施方式，但是本实用新型的实施方式不限于此，并且可选地，堤阱区域BWA的形状和布置可以进行各种改变。
图2B是根据本实用新型的实施方式的显示面板的剖视图。图2C是根据本实用新型的实施方式的显示面板的截面的局部区域的放大图。图3是包括在根据本实用新型的实施方式的显示面板中的发光元件的剖视图。图2B示出沿着图2A的线I-I'截取的截面。图2C示出沿着图2A的线II-II'截取的截面。
参照图2B，显示面板DP的实施方式可以包括基础衬底BS、设置在基础衬底BS上的电路元件层DP-CL以及设置在电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-LED。在本说明书中，基础衬底BS、电路元件层DP-CL和显示元件层DP-LED可以统称为下面板、下显示衬底或显示构件。
基础衬底BS可以是提供基础表面的构件，包括在电路元件层DP-CL中的组件设置在该基础表面上。在实施方式中，基础衬底BS可以是玻璃衬底、金属衬底、聚合物衬底等。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且可选地，基础衬底BS可以是无机层、功能层或复合材料层。
基础衬底BS可以具有多层结构。在实施方式中，例如，基础衬底BS可以具有聚合物树脂层、阻挡层和聚合物树脂层的三层结构。在这样的实施方式中，聚合物树脂层可以包括基于聚酰亚胺的树脂。在这样的实施方式中，聚合物树脂层可以包括选自丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。在本说明书中，“ɑ基”树脂可以被认为包括“ɑ”官能团。在实施方式中，阻挡层可以是包括无机材料的无机层。
电路元件层DP-CL可以设置在基础衬底BS上。电路元件层DP-CL可以包括作为电路元件的晶体管T-D。电路元件层DP-CL的配置可以根据像素PX(参见图1A)的驱动电路的设计而变化，并且作为示例在图2B中示出一个晶体管T-D。作为示例，示出构成晶体管T-D的沟道A-D、源极S-D、漏极D-D和栅极G-D的布置关系。沟道A-D、源极S-D和漏极D-D可以是根据半导体图案的掺杂浓度或导电性划分的区域。
电路元件层DP-CL可以包括设置在基础衬底BS上的下缓冲层BRL、第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30。在实施方式中，例如，下缓冲层BRL、第一绝缘层10和第二绝缘层20可以是无机层，并且第三绝缘层30可以是有机层。
显示元件层DP-LED可以包括作为显示元件的发光元件LED。发光元件LED可以产生以上描述的源光。发光元件LED包括第一电极EL1、第二电极EL2以及设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的发光层EML。在实施方式中，发光元件LED可以包括作为发光元件的有机发光二极管。在本实用新型的可选实施方式中，发光元件LED可以包括量子点发光二极管。在这样的实施方式中，包括在发光元件LED中的发光层EML可以包括作为发光材料的有机发光材料，或发光层EML可以包括作为发光材料的量子点。可选地，显示元件层DP-LED可以包括作为发光元件的稍后将描述的超小发光元件。超小发光元件可以包括例如微型发光元件和/或纳米发光元件等。微型发光元件或纳米发光元件可以是具有微米级尺寸或纳米级尺寸并且包括设置在多个半导体层之间的有源层的发光元件。
第一电极EL1设置在第三绝缘层30上。第一电极EL1可以直接或间接地连接到晶体管T-D，并且第一电极EL1和晶体管T-D之间的连接结构未在图2B中示出。
显示元件层DP-LED包括像素限定膜PDL。在实施方式中，例如，像素限定膜PDL可以是有机层。发光开口OH(参见图2C)限定在像素限定膜PDL中。像素限定膜PDL的发光开口OH允许第一电极EL1的至少部分被暴露。在这样的实施方式中，第一发光区域EA1可以由发光开口OH限定。
空穴控制层HTR、发光层EML和电子控制层ETR至少与第一像素区域PXA-R重叠。空穴控制层HTR、发光层EML、电子控制层ETR和第二电极EL2中的每个可以共同设置在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G中(参见图2C)。与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G(图2C)重叠的空穴控制层HTR、发光层EML、电子控制层ETR和第二电极EL2中的每个可以具有一体形状，即，一体地形成为单个整体和不可分割的部件。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且可选地，对于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G(参见图2C)中的每个，可以单独地形成空穴控制层HTR、发光层EML和电子控制层ETR中的至少一个。在实施方式中，发光层EML可以在发光开口OH中图案化，并且对于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G(参见图2C)中的每个单独地形成。
空穴控制层HTR可以包括空穴传输层并且还可以包括空穴注入层。
发光层EML可以产生作为源光的第三光。发光层EML可以产生蓝光。蓝光可以包括具有约410纳米(nm)至约480nm的波长的光。蓝光的发射光谱可以在约440nm至约460nm的波长范围内具有最大峰值。
电子控制层ETR可以包括电子传输层并且还可以包括电子注入层。
显示元件层DP-LED可以包括保护第二电极EL2的封装层(例如薄膜封装层)TFE。封装层TFE可以包括有机材料或无机材料。封装层TFE可以具有其中无机层和有机层重复地或交替地设置为一个在另一个上的多层结构。在实施方式中，封装层TFE可以包括第一无机封装层IOL1/有机封装层OL/第二无机封装层IOL2。第一无机封装层IOL1和第二无机封装层IOL2可以保护发光元件LED免受外部湿气的影响，并且有机封装层OL可以防止由在制造工艺期间引入的异物引起的发光元件LED上的凹陷缺陷。尽管未示出，但是显示面板DP还可以包括在封装层TFE的上侧上的折射率控制层，以改善光输出效率。
如图2B中所示，光学结构层OSL设置在封装层TFE上。光学结构层OSL可以包括光控制层CCL、滤色器层CFL和基础层BL。在本说明书中，光学结构层OSL可以被称为上面板、上显示衬底或光学构件。
光控制层CCL可以设置在包括发光元件LED的显示元件层DP-LED上。光控制层CCL可以包括堤BMP、光控制图案CCP以及阻挡层CAP和CAP-T。
堤BMP可以包括基础树脂和添加剂。基础树脂可以包括各种树脂组合物或由各种树脂组合物形成，该树脂组合物通常可以被称为粘合剂。添加剂可以包括偶联剂和/或光引发剂。添加剂还可以包括分散剂。
堤BMP可以包括阻挡光的黑色着色剂。堤BMP可以包括与基础树脂混合的黑色染料或黑色颜料。在实施方式中，黑色着色剂可以包括炭黑、诸如铬的金属或其氧化物。
在实施方式中，由堤BMP限定与发光开口OH对应的堤开口BW-OH。在平面图中，堤开口BW-OH与发光开口OH重叠并且具有比发光开口OH大的面积。在这样的实施方式中，堤开口BW-OH可以具有比由发光开口OH限定的第一发光区域EA1大的面积。在本说明书中，措辞“对应”意指当在显示面板DP的厚度方向(即第三方向DR3)上观察时，两个组件重叠，并且不限于具有彼此相同的面积的两个组件。
光控制图案CCP设置在堤开口BW-OH内部。光控制图案CCP或多个光控制图案CCP的至少部分可以改变源光的光学性质。
第一光控制图案CCP-R可以包括用于改变源光的光学性质的量子点。第一光控制图案CCP-R可以包括将源光转换为具有与源光不同的波长的光的量子点。在与第一像素区域PXA-R重叠的第一光控制图案CCP-R中，量子点可以将包括蓝光的源光转换为红光。
量子点可以具有核-壳结构，并且量子点的核是II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物和IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以是选自以下项中的至少一种：选自CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS的二元化合物及其混合物；选自CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS的三元化合物及其混合物；以及选自HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe的四元化合物及其混合物。
III-VI族化合物可以包括二元化合物(诸如In2S3和In2Se3)、三元化合物(诸如InGaS3和InGaSe3)或其任意组合。
I-III-VI族化合物可以是选自三元化合物(诸如AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2)及其混合物以及四元化合物(诸如AgInGaS2、CuInGaS2)中的至少一种。
III-V族化合物可以是选自以下项中的至少一种：选自GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb的二元化合物及其混合物；选自GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb的三元化合物及其混合物；以及选自GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb的四元化合物及其混合物。同时，III-V族化合物还可以包括II族金属。在实施方式中，例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以是选自以下项中的至少一种：选自SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe的二元化合物及其混合物；选自SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe的三元化合物及其混合物；以及选自SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe的四元化合物及其混合物。IV族元素可以选自Si、Ge及其混合物。IV族化合物可以是选自SiC、SiGe的二元化合物及其混合物。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中、或可以以部分地不同的浓度存在于相同的颗粒中。另外，其中一个量子点围绕另一个量子点的核-壳结构也是可能的。核-壳结构具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向核降低的浓度梯度。
在一些实施方式中，量子点可以具有以上描述的核-壳结构，该核-壳结构包括具有纳米晶体的核和围绕该核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止核被化学改性来保持半导体特性的保护层、和/或用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。在实施方式中，量子点的壳可以包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
在这样的实施方式中，例如，金属氧化物或非金属氧化物可以包括二元化合物(诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO)或三元化合物(诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4)，但本实用新型的实施方式不限于此。
在这样的实施方式中，例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和AlSb等，但是本实用新型的实施方式不限于此。
量子点在发射波长光谱中可以具有约45nm或更小的半峰全宽(FWHM)，例如，约40nm或更小的FWHM、或约30nm或更小的FWHM，从而可以改善颜色纯度或颜色再现性。在实施方式中，通过这样的量子点发射的光在所有方向上发射，从而可以改善宽视角特性。
在实施方式中，量子点的形状不特别限于本领域中常用的形状，但是更具体地，量子点可以具有诸如球形状、金字塔形状、多臂形状的形状，或可以是立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米片颗粒。
量子点可以根据颗粒尺寸控制发射的光的颜色，并且因此，量子点可以具有各种发射颜色，诸如蓝色、红色和绿色。在实施方式中，包括在与第一像素区域PXA-R重叠的第一光控制图案CCP-R中的量子点可以具有红色发射颜色。当量子点的颗粒尺寸较小时，量子点可以发射较短波长范围内的光。在实施方式中，例如，在具有相同核的量子点中，发射绿光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射红光的量子点的颗粒尺寸。在实施方式中，在具有相同核的量子点中，发射蓝光的量子点的颗粒尺寸可以小于发射绿光的量子点的颗粒尺寸。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且即使在具有相同核的量子点中，也可以根据壳形成材料和壳厚度来控制颗粒尺寸。
在实施方式中，在量子点具有诸如蓝色、红色和绿色的各种发射颜色的情况下，具有不同发射颜色的量子点可以具有彼此不同的核材料。
第一光控制图案CCP-R还可以包括散射体。第一光控制图案CCP-R可以包括将源光转换为红光的量子点以及散射光的散射体。
散射体可以是无机颗粒。在实施方式中，例如，散射体可以包括选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体可以包括选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的任何一种、或选自TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。
第一光控制图案CCP-R可以包括用于分散量子点和散射体的基础树脂。基础树脂可以是其中分散有量子点和散射体的介质，并且可以包括各种树脂组合物或由各种树脂组合物形成，该树脂组合物通常可以称为粘合剂。在实施方式中，例如，基础树脂可以是丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯基树脂、硅基聚合物或环氧基树脂等。基础树脂可以是透明树脂。
在实施方式中，第一光控制图案CCP-R可以通过喷墨工艺形成。在这样的实施方式中，在堤开口BW-OH中设置液体组合物。通过热固化工艺或光固化工艺聚合的组合物在固化后体积减小。
在堤BMP的上表面和第一光控制图案CCP-R的上表面之间的边界处可以限定台阶部分。在实施方式中，堤BMP的上表面可以被限定为高于第一光控制图案CCP-R的上表面。堤BMP的上表面和第一光控制图案CCP-R的上表面之间的高度差可以例如在约2μm至约3μm的范围内。
光控制层CCL还可以包括设置在光控制图案CCP-R的上部分或下部分上的阻挡层CAP和CAP-T。阻挡层CAP和CAP-T可以用于防止湿气和/或氧气(下文中称为湿气/氧气)。阻挡层CAP和CAP-T可以分别设置在第一光控制图案CCP-R的下部分和上部分上，以阻挡光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G暴露于湿气/氧气。
阻挡层可以包括与显示元件层DP-LED相邻的第一阻挡层CAP和与显示元件层DP-LED间隔开的第二阻挡层CAP-T，且第一光控制图案CCP-R在第一阻挡层CAP和第二阻挡层CAP-T之间。第一阻挡层CAP可以覆盖第一光控制图案CCP-R的与显示元件层DP-LED相邻的一个表面，并且第二阻挡层CAP-T可以覆盖第一光控制图案CCP-R的与滤色器层CFL相邻的另一个表面。在这样的实施方式中，阻挡层CAP和CAP-T可以覆盖堤BMP以及第一光控制图案CCP-R。
第一阻挡层CAP可以沿着堤BMP和第一光控制图案CCP-R之间的台阶部分设置。第二阻挡层CAP-T可以覆盖堤BMP的与滤色器层CFL相邻的一个表面和第一光控制图案CCP-R的与滤色器层CFL相邻的一个表面。第二阻挡层CAP-T可以直接设置在低折射率层LR之下。
阻挡层CAP和CAP-T可以包括至少一个无机层。在这样的实施方式中，阻挡层CAP和CAP-T可以包括无机材料。在实施方式中，例如，阻挡层CAP和CAP-T可以包括选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，或者可以包括具有足够的透光率的金属薄膜。在实施方式中，例如，设置在第一光控制图案CCP-R之下的第一阻挡层CAP包括氮氧化硅，并且设置在第一光控制图案CCP-R上的第二阻挡层CAP-T可以包括氧化硅。然而，本实用新型的实施方式不限于此。在实施方式中，阻挡层CAP和CAP-T还可以包括有机膜。阻挡层CAP和CAP-T可以由单层或多层形成或由单层或多层限定。在阻挡层CAP和CAP-T中，无机膜可以保护第一光控制图案CCP-R不受外部湿气的影响，并且有机膜可以去除由堤BMP和第一光控制图案CCP-R限定的台阶部分，以为将设置在堤BMP和第一光控制图案CCP-R上方的构件提供平坦的基础表面。
滤色器层CFL设置在光控制层CCL上。滤色器层CFL包括至少一个滤色器，诸如第一滤色器CF1。第一滤色器CF1透射具有特定波长范围的光并且阻挡具有不同于该特定波长范围的波长的光。第一像素区域PXA-R的第一滤色器CF1可以透射红光并且阻挡绿光和蓝光。
第一滤色器CF1包括基础树脂和分散在基础树脂中的染料和/或颜料。基础树脂可以是染料和/或颜料在其中分散的介质，并且可以包括各种树脂组合物或由各种树脂组合物形成，该树脂组合物通常可以称为粘合剂。在下文中，将详细描述第一滤色器CF1。
第一滤色器CF1可以在第一像素区域PXA-R中具有均匀的厚度。通过第一光控制图案CCP-R将包括蓝光的源光转换为红光而获得的光可以在第一像素区域PXA-R中以均匀的亮度提供给外部。
滤色器层CFL可以包括低折射率层LR。低折射率层LR可以设置在光控制层CCL和第一滤色器CF1之间。低折射率层LR可以设置在光控制层CCL的上部分上，以阻挡第一光控制图案CCP-R暴露于湿气/氧气。在实施方式中，低折射率层LR可以用作设置在第一光控制图案CCP-R和第一滤色器CF1之间的光学功能层，以提高光提取效率或防止反射光入射到光控制层CCL上。低折射率层LR可以具有比与其相邻的层小的折射率。
低折射率层LR可以具有低折射率，并且可以是有机材料和无机材料的混合层。在实施方式中，低折射率层LR可以包括聚合物树脂，并且无机颗粒可以分散在聚合物树脂中。包括在低折射率层LR中的聚合物树脂可以是例如硅树脂和/或丙烯酸硅树脂。包括在低折射率层LR中的无机颗粒可以是例如中空球体二氧化硅和/或致孔剂。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且可选地，低折射率层LR可以包括选自氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种，或者可包括具有足够的透光率的金属薄膜。低折射率层LR可以由单层或多层形成或者由单层或多层限定。
低折射率层LR可以具有约1.3或更小的低折射率。在实施方式中，低折射率层LR的折射率可以是约1.2。低折射率层LR可以在作为可见光范围的约400nm至约700nm的波长范围内具有约1.3或更小的折射率。
在显示装置DD的实施方式中，滤色器层CFL的第一滤色器CF1可以直接设置在光控制层CCL上。在这样的实施方式中，可以省略低折射率层LR。
在实施方式中，显示面板DP还可以包括设置在滤色器层CFL上的基础层BL。基础层BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基础表面的构件。基础层BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，实施方式不限于此，并且可选地，基础层BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在另一个可选的实施方式中，可以省略基础层BL。
尽管未示出，但是抗反射层可以设置在基础层BL上。抗反射层可以是降低从外部入射的外部光的反射率的层。抗反射层可以是选择性地透射从显示面板DP发射的光的层。在实施方式中，抗反射层可以是包括基础树脂和分散在基础树脂中的染料和/或颜料的单层。抗反射层可以被提供为与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G(参见图2C)的整个表面重叠的一个连续层。
在实施方式中，抗反射层可以不包括偏振层。因此，穿过抗反射层并且入射在显示元件层DP-LED的侧部上的光可以是非偏振光。显示元件层DP-LED可以接收来自抗反射层上方(即，来自抗反射层上方并且通过抗反射层)的非偏振光。
在实施方式中，显示面板DP可以包括具有显示元件层DP-LED的下面板以及包括光控制层CCL和滤色器层CFL的上面板(光学结构层OSL)。在这样的实施方式中，填充层FML可以设置在下面板和上面板之间。在实施方式中，填充层FML可以填充显示元件层DP-LED和光控制层CCL之间的空间。填充层FML可以直接设置在封装层TFE上，并且包括在光控制层CCL中的第一阻挡层CAP可以直接设置在填充层FML上。填充层FML的下表面可以接触封装层TFE的上表面，并且填充层FML的上表面可以接触第一阻挡层CAP的下表面。
填充层FML可以用作显示元件层DP-LED和光控制层CCL之间的缓冲器。在实施方式中，填充层FML可以具有减震功能等，并且可以增加显示面板DP的强度。填充层FML可以由包括聚合物树脂的填充树脂形成。在实施方式中，例如，填充层FML可以由包括丙烯酸树脂或环氧基树脂的填充树脂形成。
填充层FML可以具有与设置在填充层FML下方的封装层TFE和设置在填充层FML上方的第一阻挡层CAP不同的组分，并且填充层FML、封装层TFE和第一阻挡层CAP可以分别通过单独的工艺形成。在实施方式中，填充层FML可以包括与封装层TFE和第一阻挡层CAP的材料不同的材料或由与封装层TFE和第一阻挡层CAP的材料不同的材料形成。
参照图2C，显示面板DP可以包括基础衬底BS和设置在基础衬底BS上的电路元件层DP-CL。电路元件层DP-CL可以设置在基础衬底BS上。电路元件层DP-CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线等。在实施方式中，绝缘层、半导体层和导电层通过涂覆或沉积方法形成在基础衬底BS上，并且随后，可以通过多次执行光刻工艺来选择性地图案化绝缘层、半导体层和导电层，从而可以形成包括在电路元件层DP-CL中的半导体图案、导电图案和信号线。在实施方式中，电路元件层DP-CL可以包括晶体管、缓冲层和多个绝缘层。
根据实施方式的发光元件LED可以包括第一电极EL1、面向或设置成与第一电极EL1相对的第二电极EL2、以及设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的发光层EML。包括在发光元件LED中的发光层EML可以包括作为发光材料的有机发光材料或量子点。发光元件LED还可以包括空穴控制层HTR和电子控制层ETR。在实施方式中，虽然未示出，但是发光元件LED还可以包括设置在第二电极EL2上的覆盖层(未示出)。
像素限定膜PDL可以设置在电路元件层DP-CL上并且覆盖第一电极EL1的部分。发光开口OH限定在像素限定膜PDL中。通过像素限定膜PDL限定的发光开口OH允许第一电极EL1的至少部分被暴露。在实施方式中，发光区域EA1、EA2和EA3被限定为与第一电极EL1的由发光开口OH暴露的局部区域对应。
显示元件层DP-LED可以包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以是由像素限定膜PDL划分的区域。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可以分别与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G对应。
发光区域EA1、EA2和EA3可以与像素区域PXA-R、PXA-B和PXA-G重叠，并且可以不与堤阱区域BWA重叠。在平面图中，由堤BMP划分的像素区域PXA-R、PXA-B和PXA-G的面积可以大于由像素限定膜PDL划分的发光区域EA1、EA2和EA3的面积。
在发光元件LED中，第一电极EL1设置在电路元件层DP-CL上。
第一电极EL1可以是阳极或阴极。另外，第一电极EL1可以是像素电极。
第一电极EL1可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。
空穴控制层HTR可以设置在第一电极EL1和发光层EML之间。空穴控制层HTR可以包括选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一种。空穴控制层HTR可以设置为公共层，以与发光区域EA1、EA2和EA3以及分隔发光区域EA1、EA2和EA3的整个像素限定膜PDL重叠。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且可选地，可以通过图案化来提供空穴控制层HTR，使得空穴控制层HTR与发光区域EA1、EA2和EA3中的每个对应地单独设置。
发光层EML设置在空穴控制层HTR上。在实施方式中，发光层EML可以设置为公共层，以与发光区域EA1、EA2和EA3以及分隔发光区域EA1、EA2和EA3的整个像素限定膜PDL重叠。在实施方式中，发光层EML可以发射蓝光。发光层EML可以与所有的空穴控制层HTR和电子控制层ETR重叠。
然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且在可选的实施方式中，发光层EML可以设置在发光开口OH中。在这样的实施方式中，发光层EML可以单独地形成，以与被像素限定膜PDL划分的发光区域EA1、EA2和EA3对应。单独地形成以与发光区域EA1、EA2和EA3对应的所有发光层EML可以发射蓝光或可以发射具有不同波长范围的光。
发光层EML可以具有包括单一材料或由单一材料形成的单层结构、包括彼此不同的多种材料或由彼此不同的多种材料形成的单层结构、或具有包括彼此不同的多种材料或由彼此不同的多种材料形成的多个层的多层结构。发光层EML可以包括荧光材料或磷光材料。在根据实施方式的发光元件LED中，发光层EML可以包括作为发光材料的有机发光材料、金属有机络合物或量子点。图2B和图2C示例性地示出发光元件LED包括单个发光层EML的实施方式，但是在可选的实施方式中，发光元件LED可以包括多个发光堆叠，每个发光堆叠包括至少一个发光层。
与图2B和图2C中所示的发光元件LED不同，图3示例性地示出发光元件LED包括多个发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4的实施方式。
参照图3，根据实施方式的发光元件LED可以包括第一电极EL1、面向第一电极EL1的第二电极EL2、以及设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的第一发光堆叠ST1、第二发光堆叠ST2、第三发光堆叠ST3和第四发光堆叠ST4。在实施方式中，发光元件LED还可以包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL。尽管图3示例性地示出发光元件LED包括四个发光堆叠的实施方式，但是包括在发光元件LED中的发光堆叠的数量可以小于或大于四个。
发光元件LED还可以包括依次设置在第一发光堆叠ST1、第二发光堆叠ST2、第三发光堆叠ST3和第四发光堆叠ST4之间的第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3。
在这样的实施方式中，当电压被施加到第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3时，可以通过氧化-还原反应形成络合物来产生电荷(电子和空穴)。在这样的实施方式中，第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3中的每个可以向相邻的发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4提供所产生的电荷。第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3可以增加在相邻的发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4中的每个中产生的电流的效率或使之加倍，并且可以用于调整相邻的发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4之间的电荷的平衡。
第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3可以分别包括n型层和p型层。第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3可以具有n型层和p型层彼此接合的结构。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3可以仅包括n型层和p型层中的一个。n型层可以是向相邻的发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4提供电子的电荷产生层。n型层可以是其中基础材料掺杂有n型掺杂剂的层。p型层可以是向相邻的发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4提供空穴的电荷产生层。
在实施方式中，第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3中的每个可以具有在约1埃至约300埃/>的范围内的厚度。在实施方式中，例如，第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3中的每个可以具有约/>的厚度。与第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3进行掺杂的n型掺杂剂的浓度可以在约0.1％至约3％的范围内，并且具体地可以是约1％。如果掺杂剂的浓度小于约0.1％，则可能难以实现第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3的用于调整电荷平衡的效果。如果掺杂剂的浓度大于约3％，则可能降低发光元件LED的光效率。
第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3可以分别包括电荷产生化合物，该电荷产生化合物包括芳基胺基有机化合物、金属、金属氧化物、金属碳化物、金属氟化物或其混合物或者由芳基胺基有机化合物、金属、金属氧化物、金属碳化物、金属氟化物或其混合物组成。在实施方式中，例如，芳基胺基有机化合物可以包括α-NPD(N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-(1,1′-联二苯)-4,4′-二胺，也即N,N′-Di(1-naphthyl)-N,N′-diphenyl-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine)、2-TNATA(4,4',4"-三[N(2-萘基)-N-苯胺基]-三苯胺，也即4,4',4"-tris[N(2-naphthyl)-N-phenylamino]-triphenylamin)、TDATA(4,4',4"-三(N,N-二苯胺基])三苯胺，也即4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylaminee)、MTDATA(4,4',4"-[三(3-甲苯基)苯胺基]三苯胺，也即4,4',4"-[tris(3-methylphenyl)phenylamino]triphenylamine)、Sprio-TAD(2,2',7,7'--四(二苯胺基)-9,9'-螺双芴，也即2,2',7,7'-Tetrakis(diphenylamino)-9,9'-spirobifluorene)或Sprio-NPB(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,7-二氨基-9,9-螺双芴，也即N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,7-diamino-9,9-spirobifluorene)。金属可以包括铯(Cs)、钼(Mo)、钒(V)、钛(Ti)、钨(W)、钡(Ba)或锂(Li)。金属氧化物、金属碳化物和金属氟化物可以包括Re2O7、MoO3、V2O5、WO3、TiO2、Cs2CO3、BaF2、LiF或CsF。然而，第一电荷产生层CGL1、第二电荷产生层CGL2和第三电荷产生层CGL3的材料不限于上述示例。
第一发光堆叠ST1、第二发光堆叠ST2、第三发光堆叠ST3和第四发光堆叠ST4中的每个可以包括发光层。第一发光堆叠ST1可以包括第一发光层BEML-1，第二发光堆叠ST2可以包括第二发光层BEML-2，第三发光堆叠ST3可以包括第三发光层BEML-3，并且第四发光堆叠ST4可以包括第四发光层GEML。包括在第一发光堆叠ST1、第二发光堆叠ST2、第三发光堆叠ST3和第四发光堆叠ST4中的发光层中的一些可以发射彼此基本上相同颜色的光，并且一些发光层可以发射彼此不同颜色的光。
在实施方式中，第一发光堆叠ST1的第一发光层BEML-1、第二发光堆叠ST2的第二发光层BEML-2和第三发光堆叠ST3的第三发光层BEML-3可以发射基本上相同的第一颜色光。在实施方式中，例如，第一颜色光可以是蓝光，该蓝光是以上描述的源光。从第一发光层BEML-1、第二发光层BEML-2和第三发光层BEML-3发射的光的波长范围可以是约420nm至约480nm。
第四发光堆叠ST4的第四发光层GEML可以发射不同于第一颜色光的第二颜色光。在实施方式中，例如，第二颜色光可以是绿光。从第四发光层GEML发射的光的波长范围可以是约520nm至约600nm。
第一发光层BEML-1、第二发光层BEML-2、第三发光层BEML-3和第四发光层GEML的至少部分可以具有两层结构，其中的层包括彼此不同的基质材料。在实施方式中，例如，在两层结构中，一个层可以包括空穴传输基质材料，并且另一层可以包括电子传输基质材料。电子传输基质材料可以是在分子结构中包括电子传输部分的材料。
第一发光堆叠ST1还可以包括空穴控制层HTR和第一中间电子传输区域METL1，空穴控制层HTR将从第一电极EL1提供的空穴传输到第一发光层BEML-1，第一中间电子传输区域METL1将从第一电荷产生层CGL1产生的电子传输到第一发光层BEML-1。
空穴控制层HTR可以包括设置在第一电极EL1上的空穴注入层HIL和设置在空穴注入层HIL上的空穴传输层HTL。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且空穴控制层HTR还可以包括选自空穴缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一种。空穴传输层HTL和空穴缓冲层可以是通过根据从发光层发射的光的波长补偿共振距离来提高发光效率的层。电子阻挡层可以是用于防止电子从电子传输区域注入到空穴传输区域的层。
第一中间电子传输区域METL1可以包括设置在第一发光层BEML-1上的第一中间电子传输层。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且第一中间电子传输区域METL1还可以包括选自电子缓冲层和空穴阻挡层中的至少一种。
第二发光堆叠ST2可以包括将从第一电荷产生层CGL1产生的空穴传输到第二发光层BEML-2的第一中间空穴传输区域MHTR1和将从第二电荷产生层CGL2提供的电子传输到第二发光层BEML-2的第二中间电子传输区域METL2。
第一中间空穴传输区域MHTR1可以包括设置在第一电荷产生层CGL1上的第一中间空穴传输层MHTL1。第一中间空穴传输区域MHTR1还可以包括设置在第一中间空穴传输层MHTL1上的选自空穴缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一种。另外，第一中间空穴传输区域MHTR1还可以包括设置在第一电荷产生层CGL1上的第一中间空穴注入层MHIL1。第一中间空穴注入层MHIL1可以设置在第一电荷产生层CGL1和第一中间空穴传输层MHTL1之间。然而，与图3中所示的不同，可以省略第一中间空穴注入层MHIL1。
第二中间电子传输区域METL2可以包括设置在第二发光层BEML-2上的第二中间电子传输层。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且第二中间电子传输区域METL2还可以包括设置在第二中间电子传输层和第二发光层BEML-2之间的选自电子缓冲层和空穴阻挡层中的至少一种。
第三发光堆叠ST3还可以包括将从第二电荷产生层CGL2产生的空穴传输到第三发光层BEML-3的第二中间空穴传输区域MHTR2以及将从第三电荷产生层CGL3提供的电子传输到第三发光层BEML-3的第三中间电子传输区域METL3。
第二中间空穴传输区域MHTR2可以包括设置在第二电荷产生层CGL2上的第二中间空穴传输层MHTL2。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且第二中间空穴传输区域MHTR2还可以包括设置在第二中间空穴传输层MHTL2上的选自空穴缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一种。另外，第二中间空穴传输区域MHTR2还可以包括设置在第二电荷产生层CGL2上的第二中间空穴注入层MHIL2。第二中间空穴注入层MHIL2可以设置在第二电荷产生层CGL2和第二中间空穴传输层MHTL2之间。可选地，可以省略第二中间空穴注入层MHIL2。
第三中间电子传输区域METL3可以包括设置在第三发光层BEML-3上的第三中间电子传输层。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且第三中间电子传输区域METL3还可以包括设置在第三中间电子传输层和第三发光层BEML-3之间的选自电子缓冲层和空穴阻挡层中的至少一种。
第四发光堆叠ST4还可以包括将从第三电荷产生层CGL3产生的空穴传输到第四发光层GEML的第三中间空穴传输区域MHTR3以及将从第二电极EL2提供的电子传输到第四发光层GEML的电子控制层ETR。
第三中间空穴传输区域MHTR3可以包括设置在第三电荷产生层CGL3上的第三中间空穴传输层MHTL3。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且第三中间空穴传输区域MHTR3还可以包括设置在第三中间空穴传输层MHTL3上的选自空穴缓冲层、发射辅助层和电子阻挡层中的至少一种。另外，第三中间空穴传输区域MHTR3还可以包括设置在第三电荷产生层CGL3上的第三中间空穴注入层MHIL3。第三中间空穴注入层MHIL3可以设置在第三电荷产生层CGL3和第三中间空穴传输层MHTL3之间。可选地，可以省略第三中间空穴注入层MHIL3。
电子控制层ETR可以包括设置在第四发光层GEML上的电子传输层ETL和设置在电子传输层ETL上的电子注入层EIL。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且电子控制层ETR还可以包括设置在电子传输层ETL和第四发光层GEML之间的选自电子缓冲层和空穴阻挡层中的至少一种。
在实施方式中，发光元件LED可以在从第一电极EL1至第二电极EL2的方向上发光，并且基于发光的方向，空穴控制层HTR可以设置在多个发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4下方，并且电子控制层ETR可以设置在多个发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4上方。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且基于发光方向，发光元件LED可以具有其中电子控制层ETR设置在多个发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4下方并且空穴控制层HTR设置在多个发光堆叠ST1、ST2、ST3和ST4上方的倒置元件结构。
再次参照图2C，电子控制层ETR可以设置在发光层EML和第二电极EL2之间。电子控制层ETR可以包括选自电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一种。参照图2C，电子控制层ETR可以设置为公共层，以与发光区域EA1、EA2和EA3以及分隔发光区域EA1、EA2和EA3的整个像素限定膜PDL重叠。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且可以通过图案化来提供电子控制层ETR，使得电子控制层ETR与发光区域EA1、EA2和EA3中的每个对应地单独设置。
第二电极EL2设置在电子控制层ETR上。第二电极EL2可以是公共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但是本实用新型的实施方式不限于此。在实施方式中，例如，第一电极EL1是阳极，并且第二电极EL2可以是阴极。可选地，第一电极EL1是阴极，并且第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以是透射电极、半透反射式电极或反射电极。
封装层TFE可以设置在发光元件LED上。在实施方式中，例如，封装层TFE可以设置在第二电极EL2上。在发光元件LED包括覆盖层CPL(如图3中所示)的实施方式中，封装层TFE可以设置在覆盖层CPL上。在实施方式中，如上所述，封装层TFE可以包括至少一个有机膜和至少一个无机膜，并且无机膜和有机膜可以交替地设置成一个在另一个上。
根据实施方式的显示面板DP可以包括设置在显示元件层DP-LED上的光学结构层OSL。光学结构层OSL可以包括光控制层CCL、滤色器层CFL和基础层BL。
光控制层CCL可以包括光转换器。光转换器可以是量子点或磷光体。光转换器可以对所提供的光进行波长转换并且发射经波长转换的光。在实施方式中，光控制层CCL可以是至少部分地包括量子点的层或至少部分地包括磷光体的层。
光控制层CCL可以包括多个光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G。光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G可以彼此间隔开。光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G可以设置成通过堤BMP彼此间隔开。光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G可以设置在堤BMP中限定的堤开口BW-OH中。然而，本实用新型的实施方式不限于此。图2C示出其中堤BMP在截面中具有矩形形状并且不与光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G重叠的实施方式。可选地，光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G的边缘的至少部分可以与堤BMP重叠。堤BMP在截面中可以具有梯形形状。随着堤BMP与显示元件层DP-LED更加邻近，截面宽度可变得更大。
光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G可以是转换从显示元件层DP-LED提供的光的波长或透射所提供的光的部分。在实施方式中，光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G可以通过喷墨工艺形成。在这样的实施方式中，液体油墨成分可以设置在堤开口BW-OH中，并且设置的油墨成分可以通过热固化工艺或光固化工艺聚合以形成光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G。
光控制层CCL可以包括第一光控制图案CCP-R、第二光控制图案CCP-B和第三光控制图案CCP-G，第一光控制图案CCP-R包括将从发光元件LED提供的源光转换为第一光的第一量子点，第二光控制图案CCP-B透射源光，第三光控制图案CCP-G包括将源光转换为第二光的第二量子点。
在实施方式中，第一光控制图案CCP-R可以提供是作为第一光的红光，并且第二光控制图案CCP-B可以通过透射由发光元件LED提供的源光中的蓝光来提供蓝光。第三光控制图案CCP-G可以提供作为第二光的绿光。在实施方式中，例如，第一量子点可以是红色量子点，并且第二量子点可以是绿色量子点。
在实施方式中，光控制层CCL还可以包括散射体。第一光控制图案CCP-R包括第一量子点和散射体，第三光控制图案CCP-G包括第二量子点和散射体，并且第二光控制图案CCP-B可以不包括量子点，而包括散射体。
第一光控制图案CCP-R、第二光控制图案CCP-B和第三光控制图案CCP-G中的每个可以包括其中分散有量子点和散射体的基础树脂。在实施方式中，第一光控制图案CCP-R可以包括分散在基础树脂中的第一量子点和散射体，第三光控制图案CCP-G可以包括分散在基础树脂中的第二量子点和散射体，并且第二光控制图案CCP-B可以包括分散在基础树脂中的散射体。
光控制层CCL还可以包括设置在光控制图案CCP的上部分或下部分上的阻挡层CAP和CAP-T。阻挡层可以包括与显示元件层DP-LED相邻的第一阻挡层CAP和与显示元件层DP-LED间隔开的第二阻挡层CAP-T，且光控制图案CCP在第一阻挡层CAP和第二阻挡层CAP-T之间。
在显示面板DP的实施方式中，光学结构层OSL包括设置在光控制层CCL上的滤色器层CFL。滤色器层CFL可以包括滤色器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射第一光的第一滤色器CF1、透射源光的部分的第二滤色器CF2、以及透射第二光的第三滤色器CF3。在实施方式中，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是蓝色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是绿色滤色器。
滤色器CF1、CF2和CF3中的每个包括聚合物光敏树脂和着色剂。第一滤色器CF1可以包括红色着色剂，第二滤色器CF2可以包括蓝色着色剂，并且第三滤色器CF3可以包括绿色着色剂。第一滤色器CF1可以包括红色颜料或红色染料，第二滤色器CF2可以包括蓝色颜料或蓝色染料，并且第三滤色器CF3可以包括绿色颜料或绿色染料。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别对应于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-B和第三像素区域PXA-G。此外，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以分别对应于第一光控制图案CCP-R、第二光控制图案CCP-B和第三光控制图案CCP-G。
在实施方式中，透射不同光的多个滤色器CF1、CF2和CF3的与设置在像素区域PXA-R、PXA-B和PXA-G之间的外围区域NPXA对应的部分可以设置成彼此重叠。多个滤色器CF1、CF2和CF3可以在作为厚度方向的第三方向DR3上彼此重叠，以分隔相邻的像素区域PXA-R、PXA-B和PXA-G之间的边界。可选地，滤色器层CFL可以包括用于分隔相邻的滤色器CF1、CF2和CF3之间的边界的光阻挡部件(未示出)。光阻挡部件(未示出)可以包括蓝色滤光器或由蓝色滤光器形成，或可以包括有机光阻挡材料或无机光阻挡材料，该有机光阻挡材料或无机光阻挡材料包括黑色颜料或黑色染料。
滤色器层CFL可以包括低折射率层LR。低折射率层LR可以设置在光控制层CCL与滤色器CF1、CF2和CF3之间。低折射率层LR可以设置在光控制层CCL的上部分上，以阻挡光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G暴露于湿气/氧气。另外，低折射率层LR可以用作设置在光控制图案CCP-R、CCP-B和CCP-G与滤色器CF1、CF2和CF3之间的光学功能层，以提高光提取效率或防止反射光入射在光控制层CCL上。低折射率层LR可以具有比与其相邻的层小的折射率。
低折射率层LR可以包括聚合物树脂和分散在聚合物树脂中的无机颗粒。包括在低折射率层LR中的聚合物树脂可以是例如硅树脂和/或丙烯酸硅树脂。包括在低折射率层LR中的无机颗粒可以是例如中空球体二氧化硅和/或致孔剂。低折射率层LR可以由单层或多层形成或者由单层或多层限定。
在显示装置DD的实施方式中，滤色器层CFL的滤色器CF1、CF2和CF3可以直接设置在光控制层CCL上。在这样的实施方式中，可以省略低折射率层LR。
在实施方式中，光学结构层OSL还可以包括设置在滤色器层CFL上的基础层BL。基础层BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基础表面的构件。基础层BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本实用新型的实施方式不限于此，并且基础层BL可以是无机层、有机层或复合材料层。可选地，可以省略基础层BL。
再次参照图2B和图2C，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2中的每个的透光率可以根据着色剂、成分和厚度等限制在一定范围内。
包括在根据实施方式的滤色器层CFL中的第一滤色器CF1在约600nm至约640nm的波长范围内可以具有约70％或更低的透光率。第一滤色器CF1可以在从设置在第一滤色器CF1下方的第一光控制图案CCP-R发射的第一光的峰值波长(图4A和图4B中的λTmax)处具有约60％至约70％的透光率。在实施方式中，第一光具有在约620nm至约640nm的所有波长范围内的峰值波长。第一滤色器CF1可以在约620nm至约640nm的范围内(其是第一光的峰值波长范围)以及在约600nm或更大并且小于约620nm的范围内(其与所述峰值波长范围相邻)具有约60％至约70％的透光率。
第一滤色器CF1可以在透光率光谱中包括在大于约590nm并且小于或等于约610nm的波长范围内透光率为约10％的点。即，第一滤色器CF1在透光率光谱中具有约10％透光率的点可以位于大于约590nm并且小于或等于约610nm的波长范围内，该波长范围是与第一光的峰值波长范围相邻的范围。由于第一滤色器CF1在透光率光谱中具有约10％的透光率的点位于大于约590nm并且小于或等于约610nm的波长范围内，因此第一滤色器CF1的透光率光谱可以具有光吸收速率随着接近期望的特定波长而急剧增加并且随着波长偏离期望的特定波长而显著降低的窄的形状。
第一滤色器CF1可以在约590nm或更小的波长范围内具有小于约10％的透光率。即，第一滤色器CF1可以在偏离第一光的峰值波长范围的约590nm或更小的波长范围内具有小于10％的低透光率。因此，第一滤色器CF1可以阻挡具有不同于第一光的波长的光，从而改善显示面板DP的颜色再现性。
包括在根据实施方式的滤色器层CFL中的第二滤色器CF2在约430nm至约470nm的波长范围内可以具有约75％或更低的透光率。第二滤色器CF2可以在从设置在第二滤色器CF2下方的第二光控制图案CCP-B发射的源光的峰值波长(λTmax)处具有约65％至约75％的透光率。在实施方式中，源光具有在约440nm至约460nm的波长范围内的峰值波长。第二滤色器CF2可以在约440nm至约460nm的波长范围内(其是源光的峰值波长范围)、约430nm至小于约440nm的范围以及约460nm或更大并且小于约470nm的范围(其与所述峰值波长范围相邻)中的全部波长范围中具有约65％至约75％的透光率。
第二滤色器CF2可以具有约95nm或更小的FWHM的透光率光谱。第二滤色器CF2的透光率光谱具有95nm或更小的FWHM。第二滤色器CF2的透光率光谱可以具有光吸收速率随着接近期望的特定波长而急剧增加并且随着波长偏离期望的特定波长而显著降低的窄的形状。
第一滤色器CF1包括红色着色剂。第一滤色器CF1可以包括红色颜料或红色染料。在实施方式中，第一滤色器CF1可以包括选自C.I.颜料红(红色颜料)1、2、3、4、5、7、9、12、14、23、38、41、42、48、48:1、48:2、48:3、48:4、48:5、48:6、49、49:1、51:1、52:1、52:2、53、53:1、53:3、57、57:1、57:2、57:3、58:2、58:4、63:1、81、81:1、81:2、81:3、81:4、81:5、81:6、88、112、122、123、144、146、148、149、150、166、168、169、170、175、176、177、178、179、184、185、187、188、190、192、194、200、200:1、202、206、207、208、209、210、214、216、220、221、224、242、246、247、251、253、254、255、256、257、260、262、264、270、272和291中的至少一种红色颜料。在实施方式中，例如，第一滤色器CF1可以包括C.1.颜料红179或C.I.颜料红264。另外，第一滤色器CF1还可以包括二萘嵌苯基红色颜料、芘酮基红色颜料、喹吖啶酮基红色颜料、喹吖啶酮-醌基红色颜料、蒽醌基红色颜料、蒽酮基红色颜料、苯并咪唑酮基红色颜料、双偶氮基红色颜料、偶氮基红色颜料、阴丹酮基红色颜料、酞菁基红色颜料、三芳基碳基红色颜料、二恶嗪基红色颜料、氨基蒽醌基红色颜料、硫靛基红色颜料、异吲哚啉基红色颜料、异吲哚啉酮基红色颜料、皮蒽酮基红色颜料或异蒽酮紫基红色颜料或其混合物等。
除了红色着色剂之外，第一滤色器CF1还可以包括黑色着色剂。在实施方式中，第一滤色器CF1可以包括选自炭黑、苯胺黑、内酰胺黑和二萘嵌苯黑中的至少一种黑色颜料。在实施方式中，第一滤色器CF1可以包括作为黑色着色剂的炭黑或内酰胺黑。
在第一滤色器CF1中，黑色着色剂相对于红色着色剂和黑色着色剂的总重量的量可以为约1重量百分比(wt％)或更少。第一滤色器CF1可以仅包括红色着色剂作为着色剂、或可以包括约1％或更少的黑色着色剂和约99％或更多的红色着色剂。基于第一滤色器CF1的总重量，可以以约6wt％至约11wt％的量包括全部的着色剂。包括在第一滤色器CF1中的着色剂的含量比可以根据第一滤色器CF1的厚度而变化。
第二滤色器CF2包括蓝色着色剂。第二滤色器CF2可以包括蓝色颜料或蓝色染料。在实施方式中，第二滤色器CF2可以包括例如铜酞菁基颜料。第二滤色器CF2可以包括选自C.I.颜料B15、C.I.颜料B15：1、C.I.颜料B15：2、C.I.颜料B15：3、C.I.颜料B15：4、C.I.颜料B15：6、C.I.颜料B16、C.I.颜料B22、C.I.颜料B60和C.I.颜料B64中的至少一种蓝色颜料。在实施方式中，第二滤色器CF2可以包括C.I.颜料B15：6。可选地，第二滤色器CF2可以包括蓝色染料。
除了蓝色着色剂之外，第二滤色器CF2还可以包括紫色着色剂。在实施方式中，第二滤色器CF2可以包括选自C.I.颜料V1、C.I.颜料V19、C.I.颜料V23、C.I.颜料V27、C.I.颜料V29、C.I.颜料V30、C.I.颜料V32、C.I.颜料V37、C.I.颜料V40、C.I.颜料V42和C.I.颜料V50中的至少一种紫色颜料。在实施方式中，第二滤色器CF2可以包括C.I.颜料V23。可选地，第二滤色器CF2可以包括紫色染料。
在第二滤色器CF2中，蓝色着色剂和紫色着色剂的重量比可以在约70：30至约80：20的范围内。第二滤色器CF2可以包括约70％至约80％的蓝色着色剂或约20％至约30％的紫色着色剂。基于第二滤色器CF2的总重量，可以以约3wt％至约7wt％的量包括全部的着色剂。包括在第二滤色器CF2中的着色剂的含量比可以根据第二滤色器CF2的厚度而变化。
第一滤色器CF1的厚度可以大于第二滤色器CF2的厚度。在实施方式中，如图2B中所示，第一滤色器CF1可以具有第一厚度d1，第二滤色器CF2可以具有第二厚度d2，并且第一厚度d1可以大于第二厚度d2。在实施方式中，第一厚度d1可以在约3微米(μm)至约5.5μm的范围内。第二厚度d2可以在约1.8μm至约4.2μm的范围内。同时，如图2C中所示，第三滤色器CF3的厚度可以小于第一滤色器CF1的厚度并且大于第二滤色器CF2的厚度。在实施方式中，第三滤色器CF3的厚度可以在约2.4μm至约4.8μm的范围内。
在根据实施方式的滤色器层CFL中，可以将分别设置在第一滤色器CF1和第二滤色器CF2下方的光控制图案CCP-R和CCP-B中的每个所提供的光的峰值波长处的透光率、与峰值波长范围相邻的波长处的透光率以及FWHM调整到预定的范围内或更小，以实现高颜色再现性。
在根据实施方式的滤色器层CFL中，第一滤色器CF1和第二滤色器CF2分别将在从滤色器层CFL的下部分提供的光的峰值波长处的透光率调整为约70％或更低和约75％或更低，并且形成透光率光谱的窄的、针对每个波长的宽度。根据本实用新型的实施方式的显示面板DP具有省略了偏振层的结构，并且将从光源提供的光的峰值波长处的透光率分别调整为约70％或更低和约75％或更低，并且在没有偏振层的情况下，将透光率光谱的每个波长的宽度变窄，从而以彼此权衡的关系控制光的反射率和透光率。因此，可以减少因外部光而反射的光，同时选择性地透射从滤色器层CFL下方提供的光中的特定波长范围的光。因此，包括根据实施方式的滤色器层CFL的显示面板DP可以具有低反射率和高颜色再现性。
图4A示出包括在根据本实用新型的实施方式的显示面板中的第一滤色器的透光率曲线图、根据比较示例的滤色器的透光率曲线图、以及从根据本实用新型的实施方式的光源发射的光的透光率的曲线图。图4B示出包括在根据本实用新型的实施方式的显示面板中的第二滤色器的透光率曲线图以及根据比较示例的滤色器的透光率曲线图。在图4A中，“光源”曲线图示出在从图2C中所示的发光元件LED提供的源光穿过第一光控制图案CCP-R之后的第一光的发射光谱。
通过使用大冢公司(Otsuka Corporation)制造的LCF-2100QD光谱仪，通过以下步骤测量第一滤色器和第二滤色器的透光率：在玻璃衬底上形成第一滤色器和第二滤色器；然后将所得的玻璃衬底设置在载物台上；以及获取从玻璃衬底下方提供并且透射通过第一滤色器和第二滤色器的光的光谱值。
通过使用由柯尼卡美能达公司(Konica Minolta Corporation)制造的CM-2600D光谱仪，通过以下方式计算第一滤色器和第二滤色器的反射率：在玻璃衬底上形成第一滤色器和第二滤色器；然后将所得的玻璃衬底设置在载物台上；用光以斜角照射第一滤色器和第二滤色器的上表面；并且然后测量已经照射在样品上并且被样品反射、然后在积分球中被反射和散射并且变得均匀的光。
参照图4A中所示的曲线图，如上所述，第一光在约620nm至约640nm的波长范围内(更具体地，约630nm)具有最大峰值波长λTmax。如上所述，可以看出实施方式的第一滤色器在作为第一光的峰值波长λTmax的约630nm的点处具有约70％或更低的透光率Tmax。另一方面，可以看出比较示例的滤色器在第一光的峰值波长λTmax处具有约90％或更高的高透光率。另外，可以看出，实施方式的第一滤色器在透光率光谱中具有约10％的透光率的点T10位于大于约590nm并且小于或等于约610nm的波长范围λT10内。另一方面，可以看出，比较示例的滤色器在λT10点处具有约70％或更高的高透光率，并且比较示例的滤色器在透光率光谱中具有约10％的透光率的点位于约580nm的波长范围内。
参照图4B中所示的曲线图，提供给实施方式的第二滤色器和比较示例的滤色器的第二光在约430nm至约470nm的波长范围内(更具体地，约450nm)具有最大峰值波长λTmax。同时，如上所述，可以看出实施方式的第二滤色器在作为第二光的峰值波长λTmax的约450nm的点处具有约75％或更低的低透光率Tmax。另一方面，可以看出比较示例的滤色器在第二光的峰值波长λmax处具有80％或更高的高透光率。
下面的表1示出包括示例和比较示例的滤色器层的显示面板的反射率和颜色匹配率。在表1中，根据如以上在图2B和图2C的描述中描述的本实用新型的实施方式，示例的滤色器层是包括第一滤色器和第二滤色器的滤色器层。即，包括在示例的滤色器层中的第一滤色器在约630nm的点处具有约64.32％的透光率，并且在透光率光谱中透光率为10％的点位于599nm处。包括在示例的滤色器层中的第二滤色器在440nm的点处具有约71.76％的透光率，并且透光率光谱的在FWHM处的波长宽度为90nm。
在比较示例的滤色器层中，与示例的滤色器层不同，与第一滤色器对应的红色滤色器在约630nm的点处具有约95.66％的透光率，并且第一滤色器在透光率光谱中具有约10％的透光率的点位于约587nm处。在比较示例的滤色器层中，与第二滤色器对应的蓝色滤色器在约440nm的点处具有约85.58％的透光率，并且透光率光谱的在FWHM处的波长宽度为108nm。
在表1中，基于BT2020颜色范围和DC.I.颜色范围评价颜色匹配率。
[表1]
参照表1的结果，可以看出，包括示例的滤色层的显示面板具有显著降低的面板的上部分的反射率，并且与包括比较示例的滤色层的显示面板相比，颜色匹配率也得到改善。参照表1中的结果，在根据实施方式的滤色器层中，可以将在峰值波长处的透光率、与峰值波长范围相邻的波长处的透光率以及从光源提供的光的FWHM调整为在预定的范围内或更小。因此，可以看出，当滤色器层被应用到显示面板时，可以减少因外部光而反射的光，同时选择性地透射从滤色器层下方提供的光中的特定波长范围的光，以实现低反射率和高颜色再现性。
基于根据本实用新型的实施方式的光学构件和包括该光学构件的显示面板，滤色器在峰值波长处的透光率、与峰值波长范围相邻的波长处的透光率、以及从光源提供的光的FWHM可以被调整到预定的范围或更小，以优化透射效率，同时降低反射率并且改善颜色再现性，并且因此可以提供具有优异色调的显示面板。
本实用新型不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，这些实施方式被提供以使得本公开将是全面并且完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本实用新型的构思。
虽然参照本实用新型的实施方式已经具体示出和描述了本实用新型，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本实用新型的精神或范围的情况下，可以在本实用新型中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
发光元件，输出源光；
光控制层，设置在所述发光元件上并且包括将所述源光转换为第一光的第一光控制图案和透射所述源光的第二光控制图案；以及
滤色器层，设置在所述光控制层上并且包括与所述第一光控制图案重叠的第一滤色器和与所述第二光控制图案重叠的第二滤色器，
其中，所述第一滤色器在600nm至640nm的波长范围内具有70％或更低的透光率，以及
所述第二滤色器在430nm至470nm的波长范围内具有75％或更低的透光率。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一滤色器在透光率光谱中包括在590nm至610nm的波长范围内所述透光率为10％的点。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二滤色器具有约95nm或更小的半峰全宽的透光率光谱。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述第一滤色器具有在3μm至5.5μm的范围内的厚度，以及
所述第二滤色器具有在1.8μm至4.2μm的范围内的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述滤色器层还包括设置在所述光控制层与所述第一滤色器和所述第二滤色器之间的低折射率层，以及
所述低折射率层的折射率为1.3或更小。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述发光元件包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的多个发光堆叠，以及
所述多个发光堆叠中的每个包括发光层。
7.一种光学构件，其特征在于，包括：
光控制层，包括第一光控制图案和第二光控制图案，所述第一光控制图案包括转换入射光的量子点，所述第二光控制图案透射所述入射光；
滤色器层，设置在所述光控制层上并且包括与所述第一光控制图案重叠的第一滤色器和与所述第二光控制图案重叠的第二滤色器，
其中，所述第一滤色器在600nm至640nm的波长范围内具有70％或更低的透光率，以及
所述第二滤色器在430nm至470nm的波长范围内具有75％或更低的透光率。
8.根据权利要求7所述的光学构件，其特征在于，所述第一滤色器的厚度大于所述第二滤色器的厚度。
9.一种显示面板，其特征在于，包括：
下面板，包括显示元件层；
上面板；以及
填充层，设置在所述下面板和所述上面板之间，
其中，所述上面板包括：
光控制层，设置在所述填充层上并且包括将源光转换为第一光的第一光控制图案和透射所述源光的第二光控制图案，以及
滤色器层，设置在所述光控制层上并且包括与所述第一光控制图案重叠的第一滤色器和与所述第二光控制图案重叠的第二滤色器，以及
其中，所述第一滤色器具有在3μm至5.5μm的范围内的厚度，以及
所述第二滤色器具有在1.8μm至4.2μm的范围内的厚度。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，还包括：
抗反射层，设置在所述滤色器层上，以及
其中，所述显示元件层接收来自所述抗反射层上方的非偏振入射光。
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