CN217955866U - 显示面板 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板包括：窗口，包括显示区域以及与显示区域邻近的非显示区域；滤色器层，位于窗口上；电路元件层，包括覆盖滤色器层的低折射率层和位于低折射率层上的晶体管；光控制层，包括位于电路元件层上的分隔壁和位于分隔壁之间并且包括量子点的光控制图案；和显示元件层，位于光控制层上，并且包括第一电极、位于第一电极上的第二电极和位于第一电极与第二电极之间并且被配置成生成光的发射层。光穿过光控制层、电路元件层和滤色器层以透射到窗口。

Description

显示面板
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年6月14日提交的韩国专利申请第10-2021-0076682号的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的实施例的各方面涉及显示面板，并且更具体地，涉及包括光控制图案的显示面板以及用于制造该显示面板的方法。
背景技术
显示面板包括选择性地透射从光源生成的源光的透射显示面板以及从显示面板自身生成源光的发射显示面板。显示面板可以根据像素包括不同类型的光控制图案，以生成彩色图像。光控制图案可以仅透射源光的波长范围的一部分中的光，或者可以转换源光的颜色。光控制图案的一部分可以不转换源光的颜色，但可以转换光的特性。
在本背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，其可能包含不构成现有技术的信息。
实用新型内容
本公开的一个或多个实施例涉及一种具有高分辨率的显示面板以及用于制造该显示面板的方法。
根据本公开的一个或多个实施例，显示面板包括：窗口，包括显示区域以及与显示区域邻近的非显示区域；滤色器层，位于窗口上；电路元件层，包括覆盖滤色器层的低折射率层和位于低折射率层上的晶体管；光控制层，包括位于电路元件层上的分隔壁和位于分隔壁之间并且包括量子点的光控制图案；以及显示元件层，位于光控制层上，并且包括第一电极、位于第一电极上的第二电极和位于第一电极与第二电极之间并且被配置成生成光的发射层。光穿过光控制层、电路元件层和滤色器层以透射到窗口。
在实施例中，滤色器层可以包括顺序地位于窗口上并且被配置成透射彼此不同颜色的光的第一滤光器层至第三滤光器层；第一滤光器层至第三滤光器层中的一个可以与光控制图案重叠；并且第一滤光器层至第三滤光器层中的至少两个可以与邻近于光控制图案的非显示区域重叠。
在实施例中，低折射率层在与光控制图案重叠的区域处的厚度可以大于低折射率层在其他区域处的厚度。
在实施例中，晶体管可以包括：半导体图案，包括源极、有源区和漏极；和栅极，与有源区重叠，并且半导体图案可以不与光控制图案重叠。
在实施例中，电路元件层可以进一步包括：钝化层，位于低折射率层上；遮光图案，位于钝化层上；缓冲层，被配置成覆盖遮光图案，并且半导体图案位于缓冲层上；居间绝缘层，位于有源区与栅极之间；中间绝缘层，被配置成覆盖栅极和缓冲层；连接电极，位于中间绝缘层上以将源极连接到第一电极；以及覆盖绝缘层，被配置成覆盖连接电极。
在实施例中，遮光图案可以与半导体图案的至少一部分重叠，并且可以与光控制图案间隔开。
在实施例中，连接电极可以穿过缓冲层以连接到遮光图案。
在实施例中，电路元件层可以进一步包括电容器，该电容器包括：第一电容器电极，位于居间绝缘层上；和第二电容器电极，与居间绝缘层上的第一电容器电极重叠。
在实施例中，电路元件层可以进一步包括位于非显示区域处、中间绝缘层上并且被覆盖绝缘层暴露的焊盘，并且焊盘可以包括与连接电极的材料相同的材料。
在实施例中，显示元件层可以进一步包括具有与光控制图案重叠的显示开口的像素限定层。
在实施例中，显示面板可以进一步包括位于非显示区域处、电路元件层上的坝部，并且坝部可以包括与分隔壁和像素限定层中的至少一个的材料相同的材料。
在实施例中，显示元件层可以进一步包括被配置成覆盖发光元件的封装层。
在实施例中，发射层可以被配置成生成蓝光。
在实施例中，显示面板可以沿着在一个方向上延伸的轴弯曲。
根据本公开的一个或多个实施例，显示面板包括：窗口，包括发射区域以及与发射区域邻近的非发射区域；滤色器层，位于窗口上，并且包括被配置成透射彼此不同颜色的光的第一滤光器层至第三滤光器层；晶体管，位于滤色器层上；光控制层，与第一滤光器层至第三滤光器层中对应的滤光器层重叠，并且包括第一光控制图案至第三光控制图案，第一光控制图案至第三光控制图案中的至少一个包括量子点；以及发光元件，连接到晶体管中对应的晶体管，并且被配置成生成光。第一滤光器层至第三滤光器层中对应的滤光器层位于窗口上以与发射区域中对应的发射区域重叠，并且第一滤光器层至第三滤光器层中的每一个位于窗口上以与非发射区域重叠。
在实施例中，第一滤光器层至第三滤光器层可以顺序地层叠在窗口上，并且第一滤光器层可以被配置成透射蓝光，第二滤光器层可以被配置成透射绿光，并且第三滤光器层可以被配置成透射红光。
在实施例中，显示面板可以进一步包括被配置成覆盖滤色器层的低折射率层，并且晶体管可以与第一滤光器层至第三滤光器层间隔开，低折射率层位于晶体管与第一滤光器层至第三滤光器层之间。
在实施例中，低折射率层在与发射区域重叠的每个区域处的厚度大于低折射率层在与非发射区域重叠的每个区域处的厚度。
在实施例中，光控制层可以进一步包括被配置成将第一光控制图案至第三光控制图案彼此分隔开的分隔壁，并且分隔壁可以与非发射区域重叠。
在实施例中，发光元件中的每一个可以包括第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的发射层，并且发射层和第二电极中的至少一个可以作为彼此连接的一个图案包括在发光元件中的每一个中。
在实施例中，从发光元件生成的光可以包括蓝光。
在实施例中，光可以穿过光控制层和滤色器层以透射到窗口。
附图说明
根据以下参照附图对说明性、非限制性的实施例的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上及其他方面和特征。在附图中：
图1A是根据本公开的实施例的显示面板的透视图；
图1B是根据本公开的实施例的弯曲的显示面板的透视图；
图1C是根据本公开的实施例的显示面板的截面图；
图1D是根据本公开的实施例的显示面板的平面图；
图2是根据本公开的实施例的像素的等效电路图；
图3是沿着图1D的线I-I’截取的截面图；
图4是根据本公开的实施例的显示面板的平面图；
图5是沿着图4的线II-II’截取的截面图；
图6A是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图6B是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图6C是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图6D是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图6E是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图6F是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图7A是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图7B是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；
图7C是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图；并且
图7D是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图更详细地描述实施例，其中相同的附图标记遍及全文指代相同的元件。然而，本公开可以以各种不同形式来体现，并且不应理解为仅限于本文中所例示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面和特征并非必要的工艺、元件和技术。除非另被注明，否则在整个附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，可以不重复其冗余描述。
当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本同时被执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
在附图中，为了清楚起见，可能夸大和/或简化元件、层和区的相对大小、厚度、比率和尺寸。出于易于说明的目的，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”和“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征相对于另一(些)元件或特征的关系。这些术语可以是相对概念，并且可以基于附图中表达的方向被描述。将理解，空间相对术语旨在包含除附图中描绘的方位之外装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件将随之被定向在其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以包含上方和下方两种方位。装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或以其他方位)，并且应当相应地解释本文使用的空间相对描述符。
在附图中，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义解释。例如，第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3可以相互垂直或基本相互垂直，或者可以表示不相互垂直的彼此不同的方向。
将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分相区分。因此，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本公开的精神和范围。
将理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或耦接到另一元件或层，或者可以存在一个或多个居间元件或层。类似地，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，它可以直接电连接到另一层、区域或元件，或者可以利用位于其与另一层、区域或元件之间的一个或多个居间层、区域或元件间接电连接到另一层、区域或元件。此外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时，它可以是这两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
本文中使用的术语用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式的“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。将进一步理解，术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型在本说明书中使用时指明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。如本文中使用的，术语“和/或”包括所关联列出的项目中的一个或多个的任意和全部组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B、或者A和B。诸如“中的至少一个”的表述，在位于一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或它们的变型。
如本文中使用的术语“基本上”、“大约”以及类似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑会被本领域普通技术人员所认识到的测量或计算的值中的固有偏差。进一步，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中使用的术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用字典中限定的术语应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确如此限定。
图1A是根据本公开的实施例的显示面板的透视图。图1B是根据本公开的实施例的弯曲的显示面板的透视图。图1C是根据本公开的实施例的显示面板的截面图。图1D是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。图2是根据本公开的实施例的像素的等效电路图。
图1A和图1B中所图示的显示面板DP和DP-A中的每一个可以是发射显示面板，并且可以包括液晶显示面板、电泳显示面板、微机电系统显示面板(MEMS)、电润湿显示面板、有机发光显示面板和无机发光显示面板中的一种，但本公开不受特别限制。
如图1A中所图示，显示面板DP可以通过显示表面DP-IS显示图像。显示表面DP-IS可以平行于或基本平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。被布置在显示面板DP的最上侧的构件的顶表面可以被限定为显示表面DP-IS。根据本公开的实施例，窗口WD(例如，参见图1C)的顶表面可以被限定为显示面板DP的显示表面DP-IS。
显示表面DP-IS可以平行于或基本平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。显示表面DP-IS的法线方向(例如，显示面板DP的厚度方向)可以被指示为第三方向DR3。将在下面更详细地描述的每个层或单元的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)通过第三方向DR3彼此区分开。
显示面板DP可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素PX被布置在显示区域DA处(例如，中或上)，并且像素PX可以不被布置在非显示区域NDA处(例如，中或上)。非显示区域NDA沿着显示表面DP-IS的边缘限定。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA(例如，在显示区域DA的外围周围围绕)。在本公开的实施例中，非显示区域NDA可以被省略，或者可以仅被布置在显示区域DA的一侧、两侧或更多侧。
尽管在图1中所示的实施例中图示出具有平面或基本平面的显示表面DP-IS的显示面板DP，但是本公开不限于此。在其他实施例中，显示面板DP可以包括弯曲的显示表面或立体显示表面。立体显示表面可以包括指示不同方向的多个显示区域。
例如，参照图1B，根据实施例的显示面板DP-A可以相对于在第二方向DR2上延伸的虚拟轴AX沿着第一方向DR1弯曲。然而，本公开不限于此，并且虚拟轴AX可以在第一方向DR1上延伸，或者显示面板DP-A可以基于在不同方向上延伸的多个虚拟轴而弯曲。
此外，显示面板可以是可卷曲显示面板、可折叠显示面板和/或可滑动显示面板。显示面板可以具有柔性性质，并且可以在被安装到显示装置中之后被折叠和/或卷曲。
参照图1C，根据本公开的实施例的显示面板DP可以包括窗口WD、被布置在窗口WD上的滤色器层CFL、被布置在滤色器层CFL上的电路元件层DP-CL、被布置在电路元件层DP-CL上的光控制层OSL以及被布置在光控制层OSL上的显示元件层DP-OLED。
在本公开的实施例中，窗口WD可以是显示面板DP的部件可以通过沉积和图案化而形成在其上的基底层。窗口WD可以包括光学透明绝缘材料。例如，窗口WD可以包括玻璃基板或合成树脂膜。
滤色器层CFL可以被布置在窗口WD上。滤色器层CFL可以包括多个滤光器层。滤光器层中的每一个透射对应或合适的波长范围(例如，预定或特定波长范围)中的光，并且阻挡除具有对应的波长范围的光之外的其他波长范围中的光。因此，穿过光控制层OSL的光可以通过滤色器层CFL选择性地透过窗口WD。
电路元件层DP-CL可以被布置在滤色器层CFL上。电路元件层DP-CL包括像素PX的驱动电路和/或信号线。
光控制层OSL可以被布置在电路元件层DP-CL上。光控制层OSL可以包括能够改变从发光元件提供的源光的光学特性的光控制图案。在本公开的一个或多个实施例中，光控制图案可以包括量子点。
显示元件层DP-OLED可以被布置在光控制层OSL上。显示元件层DP-OLED可以包括被布置在每个像素PX中的发光元件以及密封发光元件的封装层。
根据本公开的实施例，窗WD、滤色器层CFL、电路元件层DP-CL、光控制层OSL以及显示元件层DP-OLED的层叠顺序可以与由显示元件层DP-OLED生成的光穿过(例如，透过)窗口WD的方向相反。换句话说，图1C中所示的窗口WD的下表面可以对应于窗口WD的限定如上所描述的显示面板DP的显示表面DP-IS的顶表面。
参照图1D，图示出在平面图中(例如，在平面上)信号线GL1至GLn和DL1至DLm与像素PX11至PXnm之间的设置关系。信号线GL1至GLn和DL1至DLm可以包括多条栅线GL1至GLn和多条数据线DL1至DLm，其中n和m是大于1的自然数。
像素PX11至PXnm中的每一个连接到多条栅线GL1至GLn中的一条或多条对应栅线以及多条数据线DL1至DLm中的对应数据线。像素PX11至PXnm中的每一个可以包括像素驱动电路和显示元件。然而，本公开不限于此，并且根据像素PX11至PXnm的像素驱动电路的配置可以在显示面板DP处(例如，中或上)提供更多类型(和/或不同类型)的信号线。
在图1D中，作为示例图示出了具有矩阵形式(例如，排列)的像素PX11至PXnm，但本公开不限于此。例如，在其他实施例中，像素PX11至PXnm可以以钻石(diamond)形排列和/或RGBG类型的排列(例如，
Figure BDA0003690493280000081
排列，
Figure BDA0003690493280000082
是三星显示有限公司的正式注册商标)设置。栅驱动器电路GDC可以通过氧化硅栅驱动器电路(OSG)工艺或非晶硅栅驱动器电路(ASG)工艺与显示面板DP集成。
参照图2，像素PXij可以包括发光元件OLED、多个晶体管T1至T3以及电容器Cst。多个晶体管T1至T3可以通过低温多晶硅(LTPS)工艺或低温多晶氧化物(LTPO)工艺形成。
图2作为示例图示出连接到第i栅线SCLi和SSLi、第j数据线DLj和第j参考线RLj的像素PXij，其中i和j是自然数。
第i栅线SCLi和SSLi可以接收第i栅信号SCi和SSi。第i栅信号SCi和SSi可以包括第i写入栅信号SCi和第i采样栅信号SSi。
晶体管T1至T3可以包括驱动晶体管T1、第一开关晶体管T2和第二开关晶体管T3。
晶体管T1至T3可以是NMOS晶体管，但本公开不限于此。例如，晶体管T1至T3可以是PMOS晶体管。晶体管T1至T3中的每一个可以包括对应的源极S1、S2和S3、对应的漏极D1、D2和D3以及对应的栅极G1、G2和G3。
发光元件OLED可以是包括第一电极(例如，阳极)和第二电极(例如，阴极)的有机发光元件。发光元件OLED的阳极可以通过驱动晶体管T1接收第一电压ELVDD，并且发光元件OLED的阴极可以接收第二电压ELVSS。发光元件OLED可以接收第一电压ELVDD和第二电压ELVSS以发光。
驱动晶体管T1可以包括用于接收第一电压ELVDD的源极S1、连接到发光元件OLED的阳极的漏极D1以及连接到电容器Cst的栅极G1。
第一开关晶体管T2包括连接到第j数据线DLj的源极S2、连接到电容器Cst的漏极D2以及用于接收第i写入栅信号SCi的栅极G2。第j数据线DLj可以接收数据电压Vd和用于感测的数据电压。
第二开关晶体管T3可以包括连接到第j参考线RLj的漏极D3、连接到发光元件OLED的阳极的源极S3以及用于接收第i采样栅信号SSi的栅极G3。第j参考线RLj可以接收参考电压Vr。
电容器Cst可以连接到驱动晶体管T1的栅极G1和发光元件OLED的阳极。电容器Cst可以包括连接到驱动晶体管T1的栅极G1的第一电容器电极和连接到发光元件OLED的阳极的第二电容器电极。
然而，根据本公开的实施例的像素PXij的等效电路不限于图2中所图示的等效电路。在本公开的其他实施例中，像素PXij可以具有各种合适的形状、排列和元件，以允许发光元件OLED合适地发光。
图3是沿着图1D的线I-I’截取的截面图。
参照图3，根据实施例的显示面板DP可以包括窗口WD、滤色器层CFL、电路元件层DP-CL、光控制层OSL和显示元件层DP-OLED。
窗口WD可以包括光学透明绝缘材料。例如，窗口WD可以包括玻璃基板或合成树脂膜。
当窗口WD包括合成树脂膜时，窗口WD可以包括聚酰亚胺(PI)膜或聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
窗口WD可以具有单层结构或多层结构。例如，窗口WD可以包括通过使用粘合剂彼此结合的多个塑料膜，或者可以包括通过使用粘合剂彼此结合的玻璃基板和塑料膜。在一些实施例中，窗口WD可以进一步包括功能层，例如，诸如防指纹层和/或冲击吸收层。
滤色器层CFL可以被布置在窗口WD上。滤色器层CFL可以包括第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3。第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3中的每一个透射具有对应或合适的波长范围(例如，预定或特定波长范围)的光，并且阻挡除具有对应的波长范围的光之外的其他波长范围中的光。
根据本实施例，在与发射区域PXA重叠的区域处(例如，中或上)，第二滤光器层CF2可以具有第二开口OP2，并且第三滤光器层CF3可以具有第三开口OP3。因此，滤光器层CF1、CF2和CF3当中的仅第一滤光器层CF1可以被布置在与发射区域PXA重叠的区域处(例如，中或上)的窗口WD上。在这种情况下，当第一滤光器层CF1透射蓝光并且阻挡红光和绿光时，根据本实施例的发射区域PXA可以是蓝光透过的区域。在图3中，从发光元件OLED生成的光被提供到窗口WD的方向由粗体箭头指示。
因此，在与发射区域PXA邻近的非发射区域处(例如，中或上)，可以布置第一滤光器层CF1、第二滤光器层CF2和第三滤光器层CF3，并且在与发射区域PXA邻近的其他发射区域处(例如，中或上)，第一滤光器层CF1、第二滤光器层CF2和第三滤光器层CF3当中的仅第二滤光器层CF2或第三滤光器层CF3被布置在窗口WD上，并且因此，选择性地透过红光或绿光的其他发射区域可以被限定。
电路元件层DP-CL被布置在滤色器层CFL上。电路元件层DL-CL可以包括多个绝缘层10至60、晶体管(例如，驱动晶体管T1)、电容器Cst和焊盘PD。图3作为示例图示出图2中所图示的晶体管T1至T3当中的驱动晶体管T1。
更详细地，低折射率层10可以被布置在滤色器层CFL上，以覆盖第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3。低折射率层10可以包括无机材料和有机材料中的一种。例如，无机材料可以包括氮化硅、氧氮化硅和氧化硅中的至少一种。例如，有机材料可以包括硅类树脂和中空二氧化硅。
低折射率层10可以被布置在限定在第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3处(例如，中或上)的开口OP2和OP3内(例如，内部)，以提供平坦或基本平坦的表面。因此，在与发射区域PXA重叠的区域处以及在其他区域处的低折射率层10可以具有彼此不同的厚度。
例如，低折射率层10可以被布置在限定在发射区域PXA处(例如，中或上)的第二开口OP2和第三开口OP3中。因此，低折射率层10在与发射区域PXA重叠的区域处的第一厚度TH1可以大于低折射率层10在除发射区域PXA之外的其他区域处的第二厚度TH2。
低折射率层10可以接触与发射区域PXA重叠的第一滤光器层CF1(例如，第一滤光器层的一部分CF-E)。
钝化层20可以被布置在低折射率层10上。钝化层20可以包括无机材料。例如，钝化层20可以包括氮化硅、氧氮化硅和氧化硅中的至少一种。
遮光图案BML可以被布置在钝化层20上。遮光图案BML可以与半导体图案S1、A1和D1中的至少一部分重叠，并且可以不与发射区域PXA重叠。遮光图案BML可以包括金属。例如，遮光图案BML可以包括钼(Mo)。
遮光图案BML可以保护半导体图案S1、A1和D1免受通过窗口WD入射的光的影响。换句话说，由于遮光图案BML被布置在驱动晶体管T1下方(例如，下面)，因此可以防止或基本防止半导体图案S1、A1和D1的残余电压特性被外部光劣化。因此，可以提供具有提高的可靠性的显示面板DP。
另外，即使当遮光图案BML被布置在发光元件OLED与滤色器层CFL之间时，从发光元件OLED生成的光的光输出效率也可以不降低或不显著降低。
缓冲层30可以被布置在钝化层20上以覆盖遮光图案BML。缓冲层30提高了低折射率层10和/或钝化层20与半导体图案S1、A1和D1之间的结合力。缓冲层30可以包括无机材料。例如，缓冲层30可以包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。在一些实施例中，在缓冲层30中，氧化硅层和氮化硅层可以交替地层叠。
包括在驱动晶体管T1中的半导体图案S1、A1和D1可以被布置在缓冲层30上。居间绝缘层40可以被布置在与半导体图案S1、A1和D1当中的有源区A1重叠的区域上，并且驱动晶体管T1的栅极G1可以被布置在居间绝缘层40上。居间绝缘层40和栅极G1可以并发地(例如，同步地或同时或基本同时)被图案化。有源区A1、源极S1和漏极D1可以是根据半导体图案的掺杂浓度或导电率划分的区。
电容器Cst的第一电容器电极CS1可以被布置在居间绝缘层40上。第一电容器电极CS1和居间绝缘层40可以并发地(例如，同步地或同时或基本同时)被图案化。
中间绝缘层50可以被布置在缓冲层30上，以覆盖半导体图案S1、A1和D1的部分、栅极G1和第一电容器电极CS1。中间绝缘层50可以包括有机材料或无机材料。
连接电极CNE、第二电容器电极CS2和焊盘PD可以被布置在中间绝缘层50上。焊盘PD可以包括与连接电极CNE的材料相同的材料。
连接电极CNE的一侧可以穿过中间绝缘层50以连接到源极S1，并且可以将驱动晶体管T1电连接到发光元件OLED的第一电极AE。
在本实施例中，连接电极CNE的另一侧可以穿过中间绝缘层50和缓冲层30以连接到遮光图案BML。因此，遮光图案BML可以接收信号(例如，预定信号)。然而，本公开不限于此，并且连接电极CNE可以与遮光图案BML间隔开(例如，可以与遮光图案BML分离)，并且因此，遮光图案BML可以处于浮置状态。
第二电容器电极CS2可以被布置在中间绝缘层50上以与第一电容器电极CS1重叠。第一电容器电极CS1可以与第二电容器电极CS2一起形成电容器Cst。
焊盘PD可以在中间绝缘层50上被布置成与非显示区域NDA重叠。驱动芯片安装在其上的柔性电路板可以附接到焊盘PD。柔性电路板可以连接到主电路板。
覆盖绝缘层60可以被布置在中间绝缘层50上。覆盖绝缘层60可以暴露连接电极CNE和焊盘PD的顶表面。附加电极CNE-S可以进一步包括在连接电极CNE和焊盘PD上。
光控制层OSL可以包括分隔壁BK和光控制图案CCF。
在平面图中(例如，在平面上)，分隔壁BK中的每一个可以具有与非发射区域的形状相对应的形状。因此，分隔壁BK可以不与发射区域PXA重叠，并且与发射区域PXA重叠的空间可以被提供在分隔壁BK之间。
分隔壁BK可以包括黑色着色剂以阻挡或基本阻挡光。分隔壁BK可以包括与基础树脂混合的黑色染料或黑色颜料。在实施例中，黑色成分可以包括炭黑，或者可以包括例如以铬为例的金属或其氧化物。
光控制图案CCF可以被布置在分隔壁BK之间提供的空间中。因此，光控制图案CCF可以与发射区域PXA重叠。此外，光控制图案CCF可以与限定在滤色器层CFL中的开口OP2和OP3重叠。
光控制图案CCF可以改变从发光元件OLED提供的源光的光学特性。光控制图案CCF可以是能够根据发射区域PXA将蓝光的源光转换成红光或绿光的颜色转换图案。
光控制图案CCF可以包括基础树脂以及混合(例如，分散)在基础树脂中的量子点。光控制图案CCF的颜色转换图案可以包括用于将源光转换成不同颜色的光的不同量子点。
基础树脂可以是其中分散有量子点的介质。通常，基础树脂可以包括被称为粘结剂的各种合适的树脂组合物。然而，本公开不限于此。如在本说明书中所使用，能够分散量子点的介质可以被称为基础树脂，而不管其名称、附加的其他功能和/或构成材料等。
基础树脂可以是聚合物树脂。例如，基础树脂可以包括丙烯酸类树脂、聚氨酯类树脂、硅类树脂和/或环氧类树脂。基础树脂可以是透明树脂。
此外，光控制图案CCF可以包括(例如，可以是)透射来自发射区域PXA中的一些的蓝光的透射图案。这里，作为透射图案的光控制图案CCF可以包括散射颗粒，并且因此可以将接收到的蓝光散射之后发射。与入射光相比，光控制图案CCF可以提高发射光的亮度。
类似于上面所描述的透射图案，颜色转换图案可以进一步包括与基础树脂混合的散射颗粒。散射颗粒可以包括(例如，可以是)氧化钛(TiO2)或二氧化硅类纳米颗粒。
量子点可以是转换入射光的波长的颗粒。量子点中的每一个可以是具有晶体结构的材料，晶体结构具有几纳米的尺寸。量子点可以由成百上千个原子组成，以提供其中能带隙由于小尺寸而增加的量子限制效应。当具有能量大于带隙的能量的波长的光入射到量子点中时，量子点可以吸收光，并且因此，可以处于激发态，以发射具有合适或期望的波长(例如，预定或特定波长)的光，从而变成基态。发射的光的能量具有与带隙相对应的值。当调节量子点的尺寸和组成时，可以调节由于量子限制效应引起的发光特性。
量子点可以选自II-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物和/或其组合。
II-VI族化合物可以选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合组成的组，三元化合物选自由AgInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合组成的组，四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其组合组成的组。
I-III-VI族化合物可以选自三元化合物或诸如AgInGaS2和CuInGaS2的四元化合物，三元化合物选自由AgInS2、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2及其混合物组成的组。
III-V族化合物可以选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合组成的组，三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合组成的组，四元化合物选自由GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其组合组成的组。III-V族化合物可以进一步包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合组成的组，三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合组成的组，四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其组合组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其组合组成的组的二元化合物。
这里，二元化合物、三元化合物和四元化合物可以以均匀或基本均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以浓度分布被划分为部分不同的状态的状态存在于颗粒中。
量子点可以具有包括围绕核(例如，围绕核的外围)的壳的核壳结构。作为另一示例，量子点可以具有其中一个量子点围绕另一量子点(例如，围绕另一量子点的外围)的核壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素具有朝向核逐渐降低的浓度的浓度梯度。
量子点中的每一个可以包括具有纳米级尺寸的颗粒。量子点可以具有约45nm或更小(例如，约40nm或更小，或约30nm或更小)的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在该范围内，可以改善颜色纯度和颜色再现性。此外，通过量子点发射的光可以在各个合适的方向上(例如，在所有方向上)发射，以改善光学视角。
此外，量子点中的每一个可以具有任何合适的形状，并且不具体限于任何特定形状。然而，在一些实施例中，量子点可以具有球形状、棱锥形状、多臂形状、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状或纳米板颗粒形状等。量子点可以根据其尺寸调节发射光的颜色。因此，量子点可以发射具有诸如红色、绿色和/或蓝色的各种合适的颜色的光。
光控制图案CCF可以通过喷墨工艺形成。在液体组合物被提供在分隔壁BK之间的空间中之后，通过热固化工艺或光固化工艺聚合的组合物的体积在固化之后可减小。因此，台阶部分可能出现(例如，可能形成)在分隔壁BK的顶表面与光控制图案CCF的顶表面之间。
显示元件层DP-OLED可以包括发光元件OLED、像素限定层PDL和封装层TFE。
发光元件OLED可以包括第一电极AE、第二电极CE以及被布置在第一电极AE与第二电极CE之间的发射层EML。
第一电极AE可以覆盖分隔壁BK和光控制图案CCF，并且可以连接到连接电极CNE。在本公开的实施例中，第一电极AE可以是透射电极或透反射电极。第一电极AE的材料不受限制，只要该材料适用于透射电极或透反射电极。
发射层EML可以被布置在第一电极AE与第二电极CE之间，以将源光提供到光控制图案CCF。发射层EML可以生成蓝光。蓝光可以包括约410nm至约480nm的波长。蓝光的发射光谱可以在约440nm至约460nm的波长内具有峰值。
第二电极CE可以被布置在发射层EML上。第二电极CE可以是反射电极。因此，第二电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti和其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)中的至少一种或具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。
在一些实施例中，发光元件OLED可以进一步包括被布置在第一电极AE与发射层EML之间的空穴传输区以及被布置在发射层EML与第二电极CE之间的电子传输区。空穴传输区可以包括空穴注入层和空穴传输层。电子传输区可以包括空穴停止层、电子传输层和电子注入层中的至少一种，但本公开不限于此。
像素限定层PDL可以被布置在光控制层OSL上。显示开口D-OP可以被限定在像素限定层PDL中。显示开口D-OP可以暴露第一电极AE的与发射区域PXA重叠的至少一部分。因此，第一电极AE可以被布置在像素限定层PDL下方(例如，下面)，并且发射层EML和第二电极CE可以被布置在像素限定层PDL上方。
像素限定层PDL可以包括(例如，可以是)有机层。像素限定层PDL可以包括通常的黑色着色剂。像素限定层PDL可以包括与基础树脂混合的黑色染料和/或黑色颜料。在一个实施例中，黑色成分可以包括炭黑，或者可以包括例如以铬为例的金属或其氧化物。然而，本公开不限于此，并且像素限定层PDL可以是无色的。
封装层TFE可以覆盖发光元件OLED。封装层TFE可以具有其中无机层和被布置在无机层之间的有机层层叠的结构。无机层可以保护发光元件OLED免受外部湿气的影响，并且有机层可以防止或基本防止发光元件OLED被划伤(例如，由于在制造工艺期间引入的异物而被划伤)，并且还可以在模块或框架被耦接到封装层TFE时，在封装层TFE上提供平坦或基本平坦的表面。
根据本实施例，显示面板DP可以进一步包括坝部DMP。坝部DMP可以与非显示区域NDA重叠，并且可以被布置在电路元件层DP-CL上。坝部DMP控制液体组合物的扩散，使得在制造封装层TFE的有机层的工艺期间，液体组合物可以不偏离期望区域(例如，预定区域)。
坝部DMP可以包括多个层。例如，坝部DMP可以包括被布置在覆盖绝缘层60上的第一坝部DM1以及被布置在第一坝部DM1上的第二坝部DM2。在实施例中，坝部DMP可以包括与分隔壁BK和像素限定层PDL中的至少一个的材料相同的材料。例如，第一坝部DM1可以包括与分隔壁BK的材料相同的材料，并且第二坝部DM2可以包括与像素限定层PDL的材料相同的材料。然而，本公开不限于此，并且坝部DMP可以省略，或者可以具有其中一层或三层或更多层层叠的结构，但本公开不限于任何一个实施例。
图4是根据本公开的实施例的显示面板的平面图。图5是沿着图4的线II-II’截取的截面图。图4作为示例图示出包括在两个像素行PXL中的六个发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。在图5中，为了便于图示，省略了图3中所图示的驱动晶体管T1和电容器Cst。
在本实施例中，如图4中所图示的三种发射区域(例如，第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B)可以在整个显示区域DA中重复布置。非发射区域NPXA被布置在第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B周围(例如，被布置为在第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的外围周围围绕)。非发射区域NPXA可以限定(例如，可以设置)第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的边界，以防止或基本防止颜色在第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间彼此混合。
上面参照图3所描述的分隔壁BK可以具有与非发射区域NPXA相对应的形状，可以不与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠，并且可以提供与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠的空白空间(例如，分别与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠的空白空间)。
尽管作为示例在附图中图示出在平面图中(例如，在平面上)具有彼此相同或基本相同的表面面积的第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B，但本公开不限于此。例如，在一些实施例中，第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的至少两个表面面积可以彼此不同。
尽管在附图中图示出第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个在平面图中(例如，在平面上)具有倒圆的矩形形状，但本公开不限于此。例如，在一些实施例中，第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个在平面图中(例如，在平面上)可以具有诸如菱形形状或五边形形状的不同的多边形形状。
第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的一个提供第一颜色光，另一个提供与第一颜色光不同的第二颜色光，并且剩余的一个提供与源光相对应的不同于第一颜色光和第二颜色光的第三颜色光。
在本实施例中，第一滤光器层CF1可以透射蓝光，并且可以阻挡红光和绿光。第二滤光器层CF2可以透射绿光，并且可以阻挡红光和蓝光。第三滤光器层CF3可以透射红光，并且可以阻挡绿光和蓝光。
在这种情况下，第三发射区域PXA-B可以提供与源光相对应的第三颜色光。在本实施例中，第一发射区域PXA-R可以提供红光(例如，第一颜色光)，第二发射区域PXA-G可以提供绿光(例如，第二颜色光)，并且第三发射区域PXA-B可以提供蓝光(例如，第三颜色光)。
参照图5，滤色器层CFL的第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3可以被布置在与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B相对应的发射区域处(例如，中或上)。
例如，与第一发射区域PXA-R和第二发射区域PXA-G重叠的第一开口OP1可以被限定在第一滤光器层CF1中。与第一发射区域PXA-R和第三发射区域PXA-B重叠的第二开口OP2可以被限定在第二滤光器层CF2中。与第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B重叠的第三开口OP3可以被限定在第三滤光器层CF3中。
因此，透射红光的第三滤光器层CF3的仅部分C3可以被布置成在第一发射区域PXA-R处(例如，中或上)与窗口WD接触，并且透射绿光的第二滤光器层CF2的仅部分C2可以被布置成在第二发射区域PXA-G处(例如，中或上)与窗口WD接触。此外，透射蓝光的第一滤光器层CF1的仅部分C1可以在第三发射区域PXA-B处(例如，中或上)与窗口WD接触。
根据本公开的实施例，第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3可以顺序地层叠在非发射区域NPXA处(例如，中或上)。顺序地层叠在非发射区域NPXA处(例如，中或上)的第一至第三滤光器层CF1、CF2和CF3可以用于阻挡或基本阻挡从窗口WD引入的外部光。因此，可以防止或基本防止被布置在电路元件层DP-CL上的导电图案被外部光反射，并且因此在视觉上可以不被识别到。
根据本实施例，与第一发射区域PXA-R和第二发射区域PXA-G重叠的光控制图案CCF可以是将从发射层EML提供的蓝光的源光分别转换成红光和绿光的颜色转换图案。因此，光控制图案CCF可以包括彼此不同的量子点。此外，与第三发射区域PXA-B重叠的光控制图案CCF可以是透射图案。
根据本实施例，包括在多个发光元件OLED中的第一电极AE可以被单独地图案化并且被布置在对应的发射区域上。发射层EML和第二电极CE中的至少一个可以被共同地布置在多个发光元件OLED中，并且被提供为一个图案。尽管未示出，被布置在第一电极AE与发射层EML之间的空穴控制层和被布置在发射层EML与第二电极CE之间的电子控制层中的至少一个可以被提供为一个图案，但本公开不限于任何一个实施例。
根据本公开的实施例，因为包括构成像素PX(例如，参见图1A)的驱动晶体管T1(例如，参照图3)和发光元件OLED的层、包括量子点的光控制层以及选择性地透射光的滤色器层被布置(例如，直接被布置)在窗口WD上，而无需单独的结合工艺，所以可以防止或基本防止源光由于封装层TFE的厚度或在单独的结合工艺中使用的粘合层的厚度而丢失或混合。另外，可以提供纤薄的显示面板DP。
图6A是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图6B是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图6C是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图6D是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图6E是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图6F是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。
图7A是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图7B是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图7C是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。图7D是图示出根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法的截面图。
图6A至图6F是图示出用于制造形成在上面参照图3和图5描述的窗口WD上的滤色器层CFL的方法的各阶段的截面图，并且图7A至图7D是图示出用于在参照图6A至图6F所描述的滤色器层CFL上制造其他部件的方法的截面图。
在下文中，将参照图6A至图7D描述根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法。
参照图6A和图6B，根据实施例的用于制造显示面板的方法可以包括在窗口WD上形成初始第一滤光器层CF1-A的工艺。初始第一滤光器层CF1-A可以被形成为与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发射区域NPXA重叠。
初始第一滤光器层CF1-A可以通过将基础树脂以及包括分散在基础树脂中的染料和/或颜料的材料施加在窗口WD上来形成。
此后，该制造方法可以包括形成第一滤光器层CF1的工艺，第一滤光器层CF1包括形成为穿过(例如，穿透)初始第一滤光器层CF1-A的第一开口OP1。第一开口OP1可以与第一发射区域PXA-R和第二发射区域PXA-G重叠。因此，窗口WD可以通过第一开口OP1从第一滤光器层CF1暴露。
此后，参照图6C和图6D，根据实施例的用于制造显示面板的方法可以包括在第一滤光器层CF1上形成初始第二滤光器层CF2-A的工艺。初始第二滤光器层CF2-A可以被形成为与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发射区域NPXA重叠。
初始第二滤光器层CF2-A可以通过将基础树脂以及包括分散在基础树脂中的染料和/或颜料的材料施加在窗口WD上来形成。
此后，该制造方法可以包括形成第二滤光器层CF2的工艺，第二滤光器层CF2包括形成为穿过(例如，穿透)初始第二滤光器层CF2-A的第二开口OP2。第二开口OP2可以与第一发射区域PXA-R和第三发射区域PXA-B重叠。因此，与第一发射区域PXA-R重叠的窗口WD可以通过第二开口OP2中的一个从第二滤光器层CF2暴露。此外，与第三发射区域PXA-B重叠的第一滤光器层CF1可以通过另一第二开口OP2从第二滤光器层CF2暴露。
此后，参照图6E和图6F，根据实施例的用于制造显示面板的方法可以包括在第二滤光器层CF2上形成初始第三滤光器层CF3-A的工艺。初始第三滤光器层CF3-A可以被形成为与第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及非发射区域NPXA重叠。
初始第三滤光器层CF3-A可以通过将基础树脂以及包括分散在基础树脂中的染料和/或颜料的材料施加在窗口WD上来形成。
此后，该制造方法可以包括形成第三滤光器层CF3的工艺，第三滤光器层CF3包括形成为穿过(例如，穿透)初始第三滤光器层CF3-A的第三开口OP3。第三开口OP3可以与第二发射区域PXA-G和第三发射区域PXA-B重叠。因此，与第二发射区域PXA-G重叠的第二滤光器层CF2可以通过第三开口OP3中的一个从第三滤光器层CF3暴露。此外，与第三发射区域PXA-B重叠的第一滤光器层CF1可以通过另一第三开口OP3从第三滤光器层CF3暴露。
图7A中所图示的滤色器层CFL可以与图6A至图6F中所图示的滤色器层CFL相同或基本相同。
参照图7B，根据实施例的制造显示面板的方法可以包括在滤色器层CFL上形成多个绝缘层10、20、30和50。根据本公开的实施例，形成在滤色器层CFL上的多个绝缘层10、20、30和50可以通过连续工艺形成在滤色器层CFL上，而无需单独的结合工艺。
在图3中所示的绝缘层当中，居间绝缘层40和覆盖绝缘层60在图7B至图7D中被省略。
形成绝缘层10、20、30和50的工艺可以包括形成被布置在绝缘层10、20、30和50之间的多个导电图案的工艺。导电图案可以包括上面参照图2和图3描述的晶体管T1至T3、电容器Cst和遮光图案BML。电路元件层DP-CL(例如，参见图3)可以通过借助于涂布或沉积在滤色器层CFL上形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺以及借助于光刻工艺图案化绝缘层、半导体层和导电层的工艺来形成。
此后，参照图7C，根据实施例的用于制造显示面板的方法可以包括形成分隔壁BK和光控制图案CCF的工艺。可以通过在最上面的中间绝缘层50上施加与基础树脂混合的染料和/或颜料并且然后图案化所得的结构，来形成分隔壁BK中的每一个。分隔壁BK可以被图案化为与非发射区域NPXA重叠。
光控制图案CCF可以通过喷墨工艺形成。在液态组合物被施加在对应的分隔壁BK之间之后，液态组合物可以通过热固化工艺或光固化工艺进行固化。这里，聚合的组合物的体积减小，并且因此，在分隔壁BK的顶表面与光控制图案CCF之间可能出现台阶部分。
此后，参照图7D，根据实施例的制造显示面板的方法可以包括形成发光元件OLED的工艺。
在分隔壁BK和光控制图案CCF上施加透反射或透射材料之后，第一电极AE可以被图案化为与对应的第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠。因此，包括在每个发光元件OLED中的第一电极AE可以彼此间隔开。
像素限定层PDL可以形成在第一电极AE上。像素限定层PDL可以通过施加有机材料并且然后去除其与第一电极AE重叠的部分来形成显示开口。
此后，该制造方法可以包括在像素限定层PDL上形成发射层EML和第二电极CE的工艺。包括在每个发光元件OLED中的发射层EML可以形成为一个图案，以将同一源光提供到第一至第三发射区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。第二电极CE也可以在发射层EML上形成为一个图案。第二电极CE可以通过施加反射材料形成。此后，该制造方法可以进一步包括形成封装层TFE以覆盖发光元件OLED的工艺。
根据本公开的实施例的用于制造显示面板的方法包括通过连续工艺在窗口WD上形成滤色器层CFL、电路元件层DP-CL(例如，参见图3)、光控制层OSL(例如，参见图3)和显示元件层DP-OLED(例如，参见图3)的工艺，而无需单独的结合工艺。因此，可以防止或基本防止在结合单独的基板的工艺中可能发生的未对准，并且可以提供纤薄的显示面板DP。
根据本公开的一个或多个实施例，选择性地透射光的滤色器层、构成像素的层和包括量子点的光控制层可以在窗口上顺序地层叠，而无需单独的结合工艺，从而防止或基本防止源光由于封装层的厚度或在单独的结合工艺中使用的粘合剂层的厚度而丢失或混合。另外，可以提供纤薄的显示面板。
尽管已经描述了一些实施例，但本领域技术人员将容易理解，可以对实施例进行各种修改，而不脱离本公开的精神和范围。将理解，除非另有描述，否则每个实施例中的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。因此，如对本领域普通技术人员来说将是显而易见的，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用，或者可以与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另有明确说明。因此，要理解的是，以上是各种示例实施例的说明，而不应被解释为限于本文中公开的具体实施例，并且对所公开的实施例的各种修改以及其他示例实施例都意在被包括在所附权利要求及其等同方案限定的本公开的精神和范围内。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括：
窗口，包括显示区域以及与所述显示区域邻近的非显示区域；
滤色器层，位于所述窗口上；
电路元件层，包括位于所述滤色器层上的晶体管；
光控制层，包括位于所述电路元件层上的分隔壁和位于所述分隔壁之间并且包括量子点的光控制图案；以及
显示元件层，位于所述光控制层上，并且包括第一电极、位于所述第一电极上的第二电极和位于所述第一电极与所述第二电极之间并且被配置成生成光的发射层，
其中，所述光穿过所述光控制层、所述电路元件层和所述滤色器层以透射到所述窗口。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中：
所述滤色器层包括顺序地位于所述窗口上并且被配置成透射彼此不同颜色的光的第一滤光器层至第三滤光器层；
所述第一滤光器层至所述第三滤光器层中的一个与所述光控制图案重叠；并且
所述第一滤光器层至所述第三滤光器层中的至少两个与邻近于所述光控制图案的所述非显示区域重叠。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述电路元件层进一步包括覆盖所述滤色器层的低折射率层，所述低折射率层位于所述滤色器层与所述晶体管之间，并且其中所述低折射率层在与所述光控制图案重叠的区域处的厚度大于所述低折射率层在其他区域处的厚度。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述晶体管包括：
半导体图案，包括源极、有源区和漏极；和
栅极，与所述有源区重叠，并且
其中，所述半导体图案不与所述光控制图案重叠。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述电路元件层进一步包括：
钝化层，位于所述低折射率层上；
遮光图案，位于所述钝化层上；
缓冲层，被配置成覆盖所述遮光图案，并且所述半导体图案位于所述缓冲层上；
居间绝缘层，位于所述有源区与所述栅极之间；
中间绝缘层，被配置成覆盖所述栅极和所述缓冲层；
连接电极，位于所述中间绝缘层上以将所述源极连接到所述第一电极；以及
覆盖绝缘层，被配置成覆盖所述连接电极。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其中，所述遮光图案与所述半导体图案的至少一部分重叠，并且与所述光控制图案间隔开，并且
其中，所述连接电极穿过所述缓冲层以连接到所述遮光图案。
7.一种显示面板，包括：
窗口，包括发射区域以及与所述发射区域邻近的非发射区域；
滤色器层，位于所述窗口上，并且包括被配置成透射彼此不同颜色的光的第一滤光器层至第三滤光器层；
晶体管，位于所述滤色器层上；
光控制层，与所述第一滤光器层至所述第三滤光器层中对应的滤光器层重叠，并且包括第一光控制图案至第三光控制图案，所述第一光控制图案至所述第三光控制图案中的至少一个包括量子点；以及
发光元件，连接到所述晶体管中对应的晶体管，并且被配置成生成光，
其中，所述第一滤光器层至所述第三滤光器层中对应的滤光器层位于所述窗口上以与所述发射区域中对应的发射区域重叠，并且所述第一滤光器层至所述第三滤光器层中的每一个位于所述窗口上以与所述非发射区域重叠。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一滤光器层至所述第三滤光器层顺序地层叠在所述窗口上，并且
其中，所述第一滤光器层被配置成透射蓝光，所述第二滤光器层被配置成透射绿光，并且所述第三滤光器层被配置成透射红光。
9.根据权利要求7所述的显示面板，进一步包括被配置成覆盖所述滤色器层的低折射率层，
其中，所述晶体管与所述第一滤光器层至所述第三滤光器层间隔开，所述低折射率层位于所述晶体管与所述第一滤光器层至所述第三滤光器层之间，并且
其中，所述低折射率层在与所述发射区域重叠的每个区域处的厚度大于所述低折射率层在与所述非发射区域重叠的每个区域处的厚度。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述光控制层进一步包括被配置成将所述第一光控制图案至所述第三光控制图案彼此分隔开的分隔壁，
其中，所述分隔壁与所述非发射区域重叠。
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