JP2022190686A - 表示パネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高解像度の表示パネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】表示領域と、前記表示領域に隣接した非表示領域と、を含むウィンドウと、前記ウィンドウの上に配置されるカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層と、前記低屈折層の上に配置されるトランジスタと、を含む回路素子層と、前記回路素子層の上に配置される分割隔壁と、前記分割隔壁の間に配置され、量子ドットを含む光制御パターンと、を含む光制御層と、第１電極と、前記第１電極の上に配置される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されて光を生成する発光層と、を含む発光素子を含む、前記光制御層の上に配置される表示素子層と、を含み、前記光は、前記光制御層と、前記回路素子層と、前記カラーフィルタ層と、を通過して前記ウィンドウに伝達される、表示パネル。【選択図】図３

Description

本発明は表示パネルに関し、より詳しくは、光制御パターンを含む表示パネル及びその表示パネルの製造方法に関する。

表示パネルは、光源から生成されたソース光を選択的に透過する透過型表示パネルと、表示パネル自体からソース光を生成する発光型表示パネルを含む。表示パネルはカラー画像を生成するために画素によって異なる種類の光制御パターンを含む。光制御パターンはソース光の一部波長範囲のみを透過するか、ソース光のカラーを変換する。一部の光制御パターンはソース光のカラーは変更せず、光の特性を変更してもよい。

本発明は、高解像度の表示パネル及びその製造方法を提供することを目的とする。

一実施例による表示パネルは、表示領域と、前記表示領域に隣接した非表示領域と、を含むウィンドウと、前記ウィンドウの上に配置されるカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層と、前記低屈折層の上に配置されるトランジスタと、を含む回路素子層と、前記回路素子層の上に配置される分割隔壁と、前記分割隔壁の間に配置され、量子ドットを含む光制御パターンと、を含む光制御層と、第１電極と、前記第１電極の上に配置される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されて光を生成する発光層と、を含む発光素子を含む、前記光制御層の上に配置される表示素子層と、を含み、前記光は、前記光制御層と、前記回路素子層と、前記カラーフィルタ層と、を通過して前記ウィンドウに伝達される。

前記カラーフィルタ層は、互いに異なる光を透過し、前記ウィンドウの上に順次積層される第１乃至第３フィルタ層を含み、前記光制御パターンと重畳する領域は、前記第１乃至第３フィルタ層のうちいずれか一つにのみ配置され、それ以外の領域では、少なくとも２つのフィルタ層が積層されることを特徴とする。

前記光制御パターンと重畳する領域における前記低屈折層の厚さは、それ以外の領域における前記低屈折層の厚さより大きいことを特徴とする。

前記トランジスタは、ソース、活性層、及びドレインを含む半導体パターンと、前記活性層と重畳するゲートと、を含み、前記半導体パターンは、前記光制御パターンと重畳しないことを特徴とする。

前記回路素子層は、前記低屈折層の上に配置されるパッシベーション層と、前記パッシベーション層の上に配置される遮光パターンと、前記遮光パターンをカバーし、前記半導体パターンが配置されるバッファ層と、前記活性層と前記ゲートとの間に配置される介在絶縁層と、前記ゲートとバッファ層とをカバーする中間絶縁層と、前記中間絶縁層の上に配置され、前記ソースと前記第１電極を連結する連結電極と、前記連結電極をカバーするカバー絶縁層と、を含むことを特徴とする。

前記遮光パターンは、前記半導体パターンの少なくとも一部と重畳し、前記光制御パターンから離隔されることを特徴とする。

前記連結電極は、前記バッファ層を貫通して前記遮光パターンに接続されることを特徴とする。

前記回路素子層はキャパシタを含み、前記キャパシタは、前記介在絶縁層の上に配置される第１キャパシタ電極と、前記第１キャパシタ電極と重畳し、前記中間絶縁層の上に配置される第２キャパシタ電極と、を含むことを特徴とする。

前記非表示領域と重畳し、前記中間絶縁層の上に配置され、前記カバー絶縁層によって露出されるパッドをさらに含み、前記パッドは前記連結電極と同じ物質を含むことを特徴とする。

前記表示素子層は、前記光制御パターンと重畳する表示開口部が定義される画素定義膜を含むことを特徴とする。

前記非表示領域と重畳し、前記回路素子層の上に配置されるダム部を含み、前記ダム部は、前記分割隔壁及び前記画素定義膜のうち少なくともいずれか一つと同じ物質を含むことを特徴とする。

前記表示素子層は、前記発光素子をカバーする封止層をさらに含むことを特徴とする。

前記発光層は、青色光を生成することを特徴とする。

前記表示パネルは、一方向に沿って延長される軸に沿って湾曲していることを特徴とする。

本発明による表示パネルは、発光領域と、前記発光領域に隣接する非発光領域と、に区分されるウィンドウと、前記ウィンドウの上に配置され、互いに異なる光を透過する第１乃至第３フィルタ層を含むカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上に配置されるトランジスタと、対応する前記第１乃至第３フィルタ層と重畳し、少なくともいずれか一つが量子ドットを含む第１乃至第３光制御パターンを含む光制御層と、対応する前記トランジスタに接続され、光を生成する発光素子と、を含み、前記ウィンドウのうち前記発光領域と重畳するウィンドウの上には前記第１乃至第３フィルタ層のうちいずれか一つのみが配置され、前記非発光領域と重畳するウィンドウの上には前記第１乃至第３フィルタ層が積層される。

前記第１乃至第３フィルタ層は、前記ウィンドウの上に順次積層され、前記第１フィルタ層は青色光を透過させ、前記第２フィルタ層は緑色光を透過させ、前記第３フィルタ層は赤色光を透過させることを特徴とする。

前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層をさらに含み、前記トランジスタは、前記低屈折層を間に挟む前記第１乃至第３フィルタ層と離隔されることを特徴とする。

前記発光領域と重畳する領域における前記低屈折層の厚さは、前記非発光領域と重畳する領域における前記低屈折層の厚さより大きいことを特徴とする。

前記第１乃至第３制御パターンを区画する分割隔壁をさらに含み、前記分割隔壁は、前記非発光領域と重畳することを特徴とする。

前記発光素子のそれぞれは、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される発光層と、を含み、前記発光素子のそれぞれに含まれる発光層及び前記第２電極のうち少なくともいずれか一つは、互いに接続される一つのパターンであることを特徴とする。

前記発光素子から生成される光は青色光であることを特徴とする。

前記光は、前記光制御層と、前記カラーフィルタ層と、を通過して前記ウィンドウに伝達されることを特徴とする。

本発明による表示パネルの製造方法は、ウィンドウの上にカラーフィルタ層を形成するステップと、前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層と、前記低屈折層をカバーするパッシベーション層とを形成するステップと、前記パッシベーション層の上に配置される遮光パターンと、前記遮光パターンに接続されるトランジスタと、を含む回路素子層を形成するステップと、前記回路素子層の上に分割隔壁を形成するステップと、前記分割隔壁の間に形成され、量子ドットを含む光制御パターンを形成するステップと、前記光制御パターンの上に配置され、前記トランジスタに接続される発光素子を形成するステップと、を含む。

前記カラーフィルタ層を形成するステップは、前記ウィンドウの上に第１フィルタ層を形成してから第１開口部を形成するステップと、前記第１フィルタ層の上に第２フィルタ層を形成してから第２開口部を形成するステップと、前記第２フィルタ層の上に第３フィルタ層を形成してから第３開口部を形成するステップと、を含むことを特徴とする。

前記光制御パターンと重畳する領域において、前記第１乃至第３フィルタ層のうちいずれか２つのカラーフィルタ層にのみ開口部が形成され、残りの一つのカラーフィルタ層は前記２つの開口部内に配置されて前記ウィンドウと接触することを特徴とする。

前記カラーフィルタ層を形成するステップと、前記低屈折層と追加の低屈折層を形成するステップと、前記回路素子層を形成するステップと、前記光制御パターンを形成するステップと、前記発光素子を形成するステップと、は、前記ウィンドウの上で連続工程によって行われることを特徴とする。

本発明によると、光を選択的に透過するカラーフィルタ層と、回路を構成する層と、量子ドットを含む光制御層と、が別途の接着工程なしにウィンドウの上に順次積層される構造を含むことで、封止層の厚さまたは別途の合着工程に利用される接着層の厚さによってソース光が損失されるか混色される不良を防止することができる。また、スリムな表示パネルを提供することができる。

本発明の一実施例による表示パネルの斜視図である。 本発明の一実施例による湾曲した表示パネルの斜視図である。 本発明の一実施例による表示パネルの断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの平面図である。 本発明の一実施例による等価回路図である。 図１ｄのＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施例による表示領域の平面図である。 図４のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。

本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置・連結・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。

同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。「及び／または」は、関連する構成要素が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。

第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しない範囲で第１構成要素は第２構成要素と呼ばれてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と呼ばれてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。

また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成要素の相対的な関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。

「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。

異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書で定義された用語のような用語は、関連技術の脈絡で有する意味と一致する意味を有すると解釈すべきであって、ここで明示的に定義されない限り、過度に理想的であるか形式的な意味で解釈してはならない。

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。

図１ａは、本発明の一実施例による表示パネルの斜視図である。図１ｂは、本発明の一実施例による湾曲した表示パネルの斜視図である。図１ｃは、本発明の一実施例による表示パネルの断面図である。図１ｄは、本発明の一実施例による表示パネルの平面図である。図２は、本発明の一実施例による等価回路図である。

図１ａ及び図１ｂに示した表示パネルＤＰ、ＤＰ－Ａは発光型表示パネルであって、液晶表示パネル（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、電気泳動表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、ＭＥＭＳ表示パネル（ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｓｙｓｔｅｍ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、電気湿潤表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、有機発光表示パネル（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、及び無機発光表示パネル（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）のうちいずれか一つであり、特に制限されない。

図１ａを参照すると、表示パネルＤＰは表示面ＤＰ－ＩＳを介して画像を表示する。表示面ＤＰ－ＩＳは、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２が定義する面と平行する。表示パネルＤＰの最上側に配置される部材の上面が表示面ＤＰ－ＩＳと定義される。本発明によると、図１ｃに示したウィンドウＷＤの上面が表示パネルＤＰの表示面ＤＰ－ＩＳと定義される。

表示面ＤＰ－ＩＳは、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２が定義する面と平行する。表示面ＤＰ－ＩＳの法線方向、つまり、表示パネルＤＰの厚さ方向は第３方向ＤＲ３である。以下で説明する各層またはユニットの前面（または上面）と背面（または下面）は、第３方向ＤＲ３によって区分される。

表示パネルＤＰは、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む。表示領域ＤＡには画素ＰＸが配置され、非表示領域ＮＤＡには画素ＰＸが配置されない。非表示領域ＮＤＡは表示面ＤＰ－ＩＳの縁に沿って定義される。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲む。本発明の一実施例において、非表示領域ＮＤＡは省略されるか表示領域ＤＡの一側にのみ配置されてもよい。

本発明の一実施例において、平面型表示面ＤＰ－ＩＳを備える表示パネルＤＰを示したが、これに限らない。表示パネルＤＰは曲面型表示面または立体型表示面を含んでもよい。立体型表示面は互いに異なる方向を指示する複数個の表示領域を含んでもよい。

例えば、図１ｂを参照すると、一実施例による表示パネルＤＰ－Ａは第２方向ＤＲ２に延長される仮想の軸を基準に第１方向ＤＲ１に沿って湾曲する。但し、これに限らず、軸は第１方向ＤＲ１に延長されてもよく、互いに異なる方向に延長される複数の軸を基準に湾曲してもよい。

また、表示パネルは巻き取り可能表示パネル、または折りたたみ可能表示パネル、またはスライド可能表示パネルである。表示パネルはフレキシブルな性質を有し、表示装置に設置されて折りたたまれるか巻き取られる。

図１ｃを参照すると、本発明による表示パネルＤＰは、ウィンドウＷＤと、ウィンドウＷＤの上に配置されるカラーフィルタ層ＣＦＬと、カラーフィルタ層ＣＦＬの上に配置される回路素子層ＤＰ－ＣＬと、回路素子層ＤＰ－ＣＬの上に配置される光制御層ＯＳＬと、光制御層ＯＳＬの上に配置される表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤと、を含む。

本発明において、ウィンドウＷＤは、表示パネルＤＰの構成が蒸着及びパターニングされて形成される基底層である。ウィンドウＷＤは、光学的に透明な絶縁物質を含む。例えば、ウィンドウＷＭはガラス基板または合成樹脂フィルムを含んでもよい。

カラーフィルタ層ＣＦＬはウィンドウＷＤの上に配置される。カラーフィルタ層ＣＦＬは複数のフィルタ層を含む。フィルタ層のそれぞれは、特定波長範囲の光を透過し、該当波長範囲以外の光を遮断する。それによって、光制御層ＯＳＬを通過した光を選択的にウィンドウＷＤに伝達する。

回路素子層ＤＰ－ＣＬはカラーフィルタ層ＣＦＬの上に配置される。回路素子層ＤＰ－ＣＬは画素ＰＸの駆動回路または信号ラインを含む。

光制御層ＯＳＬは回路素子層ＤＰ－ＣＬの上に配置される。光制御層ＯＳＬは発光素子から提供されるソース光の光学的性質を変化させる光制御パターンを含む。光制御パターンは量子ドットを含む。

表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは光制御層ＯＳＬの上に配置される。表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは、画素ＰＸごとに配置される発光素子と、発光素子を密封する封止層とを含む。

本発明によると、ウィンドウＷＤ、カラーフィルタ層ＣＦＬ、回路素子層ＤＰ－ＣＬ、光制御層ＯＳＬ、表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤの積層順番は、表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤで生成される光がウィンドウＷＤを透過する方向と反対方向である。

図１ｄを参照すると、信号ラインＧＬ１～ＧＬｎ、ＤＬ１～ＤＬｍと画素ＰＸ１１～ＰＸｎｍの平面上の配置関係を示している。信号ラインＧＬ１～ＧＬｎ、ＤＬ１～ＤＬｍは、複数個のゲートラインＧＬ１～ＧＬｎと、複数個のデータラインＤＬ１～ＤＬｍを含む。

画素ＰＸ１１～ＰＸｎｍのそれぞれは、複数個のゲートラインＧＬ１～ＧＬｎのうち対応するゲートラインと、複数個のデータラインＤＬ１～ＤＬｍのうち対応するデータラインと、に接続される。画素ＰＸ１１～ＰＸｎｍのそれぞれは、画素駆動回路と表示素子とを含む。画素ＰＸ１１～ＰＸｎｍの画素駆動回路の構成によって更に多い種類の信号ラインが表示パネルＤＰに備えられる。

図１ｄにはマトリックス状の画素ＰＸ１１～ＰＸｎｍを例示的に示したが、これに限らない。画素ＰＸ１１～ＰＸｎｍはダイヤモンド状であるペンタイル（登録商標）状に配置されてもよい。ゲート駆動回路ＧＤＣは、ＯＳＧ（ｏｘｉｄｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＡＳＧ（ａｍｏｒｐｈｏｓｅ ｓｉｌｉｃｏｎ ｇａｔｅ ｄｒｉｖｅｒ ｃｉｒｃｕｉｔ）工程によって表示パネルＤＰに集積化される。

図２を参照すると、画素ＰＸｉｊは、発光素子ＯＬＥＤと、複数のトランジスタＴ１－Ｔ３と、キャパシタＣｓｔと、を含む。複数のトランジスタＴ１－Ｔ３は、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）工程、またはＬＴＰＯ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ）工程によって形成される。

図２にはｉ番目の第１ゲートラインＳＣＬｉ、ＳＳＬｉと、ｊ番目のデータラインＤＬｊと、ｊ番目の基準ラインＲＬｊに接続される画素ＰＸｉｊを例示的に示している。

ｉ番目の第１ゲートラインＳＣＬｉ、ＳＳＬｉはｉ番目のゲート信号ＳＣｉ、ＳＳｉを受信する。ｉ番目のゲート信号ＳＣｉ、ＳＳｉはｉ番目のライトゲート信号ＳＣｉとｉ番目のサンプリングゲート信号ＳＳｉとを含む。

トランジスタＴ１～Ｔ３は、駆動トランジスタＴ１と、第１スイッチトランジスタＴ２と、第２スイッチトランジスタＴ３と、を含む。

トランジスタＴ１～Ｔ３はＮＭＯＳトランジスタであるが、これに限らず、ＰＭＯＳトランジスタであってもよい。トランジスタＴ１～Ｔ３のそれぞれは、ソースＳ１、Ｓ２、Ｓ３と、ドレインＤ１、Ｄ２、Ｄ３と、ゲートＧ１、Ｇ２、Ｇ３と、を含む。

発光素子ＯＬＥＤは、アノード（第１電極）とカソード（第２電極）とを含む有機発光素子である。発光素子ＯＬＥＤのアノードには駆動トランジスタＴ１を介して第１電圧ＥＬＶＤＤが供給され、発光素子ＯＬＥＤのカソードには第２電圧ＥＬＶＳＳが供給される。発光素子ＯＬＥＤは第１電圧ＥＬＶＤＤ及び第２電圧ＥＬＶＳＳが供給されて発光する。

駆動トランジスタＴ１は、第１電圧ＥＬＶＤＤが供給されるソースＳ１と、発光素子ＯＬＥＤのアノードに接続されるドレインＤ１と、キャパシタＣｓｔに接続されるゲートＧ１と、を含む。

第１スイッチトランジスタＴ２は、ｊ番目のデータラインＤＬｊに接続されるソースＳ２と、キャパシタＣｓｔに接続されるドレインＤ２と、ｉ番目のライトゲート信号ＳＣｉが供給されるゲートＧ２と、を含む。ｊ番目のデータラインＤＬｊはデータ電圧Ｖｄ及びセンシング用データ電圧を受信する。

第２スイッチトランジスタＴ３は、ｊ番目の基準ラインＲＬｊに接続されるドレインＤ３と、発光素子ＯＬＥＤのアノードに接続されるソースＳ３と、ｉ番目のサンプリングゲート信号ＳＳｉが供給されるゲートＧ３と、を含む。ｊ番目の基準ラインＲＬｊには基準電圧Ｖｒが供給される。

キャパシタＣｓｔは駆動トランジスタＴ１のゲートＧ１と発光素子ＯＬＥＤのアノードとに接続される。キャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＴ１のゲートＧ１に接続される第１キャパシタ電極と、発光素子ＯＬＥＤのアノードに接続される第２キャパシタ電極と、を含む。

本発明において、画素ＰＸｉｊの等価回路は図２に示した等価回路に限らない。本発明の他の実施例において、画素ＰＸｉｊは発光素子ＯＬＥＤを発光するための多様な形態に具現されてもよい。

図３は、図１ｄのＩ－Ｉ’線に沿って切断した断面図である。

図３を参照すると、本実施例による表示パネルＤＰは、ウィンドウＷＤと、カラーフィルタ層ＣＦＬと、回路素子層ＤＰ－ＣＬと、光制御層ＯＳＬと、表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤと、を含む。

ウィンドウＷＤは光学的に透明な絶縁物質を含む。例えば、ウィンドウＷＭはガラス基板または合成樹脂フィルムを含んでもよい。

ウィンドウＷＤが合成樹脂フィルムであれば、ウィンドウＷＤはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、Ｐｌ）フィルムまたはポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）フィルムを含む。

ウィンドウＷＤは多層構造または単層構造を有する。例えば、ウィンドウＷＤは、接着剤で結合された複数個の合成樹脂フィルムを含むか、接着剤で結合されたガラス基板と合成樹脂フィルムとを含んでもよい。図示していないが、ウィンドウＷＤは指紋防止層及び衝撃吸収層などの機能層を更に含む。

カラーフィルタ層ＣＦＬはウィンドウＷＤの上に配置される。カラーフィルタ層ＣＦＬは第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３を含む。第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３のそれぞれは特定波長範囲の光を透過し、該当波長範囲外の光を遮断する。

本実施例によると、発光領域ＰＸＡと重畳する領域において、第２フィルタ層ＣＦ２は第２開口部ＯＰ２を含み、第３フィルタ層ＣＦ３は第３開口部ＯＰ３を含む。よって、発光領域ＰＸＡと重畳する領域において、第１フィルタ層ＣＦ１のみがウィンドウＷＤの上に配置される。この際、第１フィルタ層ＣＦ１が青色光を透過し、赤色光及び緑色光を遮断すれば、本実施例の発光領域ＰＸＡは青色光のみを透過する領域である。図３には発光素子ＯＬＥＤで生成される光がウィンドウＷＤに提供される方向を矢印で示している。

よって、発光領域ＰＸＡと隣接した図示されていない発光領域には、第２フィルタ層ＣＦ２または第３フィルタ層ＣＦ３のみがウィンドウＷＤの上に配置されるが、それによって選択的に赤色光または緑色光を透過する発光領域が定義される。

回路素子層ＤＰ－ＣＬはカラーフィルタ層ＣＦＬの上に配置される。回路素子層ＤＰ－ＣＬは、複数の絶縁層１０～６０と、トランジスタと、キャパシタＣｓｔと、パッドＰＤと、を含む。図３には図２で説明したトランジスタＴ１～Ｔ３のうち駆動トランジスタＴ１を例示的に示している。

低屈折層１０は、カラーフィルタ層ＣＦＬの上に配置されて第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３をカバーする。低屈折層１０は無機物質及び有機物質のうちいずれか一つを含む。例えば、無機物質は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、及び酸化ケイ素のうち少なくともいずれか一つを含む。例えば、有機物質はシリコン系レジンと中空シリカを含む。

低屈折層１０は、第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３に定義される開口部ＯＰ２、ＯＰ３の内部に配置されて平坦面を提供する。よって、低屈折層１０は発光領域ＰＸＡと重畳する領域における厚さとそれ以外の領域における厚さが異なる。

例えば、低屈折層１０は発光領域ＰＸＡに定義された第２及び第３開口部ＯＰ２、ＯP３内に配置される。よって、発光領域ＰＸＡと重畳する領域において、低屈折層１０の第１厚さＴＨ１は発光領域ＰＸＡ以外の領域における低屈折層１０の第２厚さＴＨ２より大きい。

低屈折層１０は第１フィルタ層ＣＦ１のうち発光領域ＰＸＡと重畳する第１フィルタ層ＣＦ－Ｅと接触する。

パッシベーション層２０は低屈折層１０の上に配置される。パッシベーション層２０は無機物質を含む。例えば、パッシベーション層２０は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、及び酸化ケイ素のうち少なくともいずれか一つを含む。

遮光パターンＢＭＬはパッシベーション層２０の上に配置される。遮光パターンＢＭＬは、半導体パターンＳ１、Ａ１、Ｄ１の少なくとも一部と重畳し、発光領域ＰＸＡとは重畳しない。遮光パターンＢＭＬは金属を含む。例えば、遮光パターンＢＭＬはモリブデンＭｏを含む。

遮光パターンＢＭＬは、ウィンドウＷＤを介して入射された光から半導体パターンＳ１、Ａ１、Ｄ１を保護する。つまり、遮光パターンＢＭＬは駆動トランジスタＴ１の下部に配置されることで、外部光によって半導体パターンＳ１、Ａ１、Ｄ１の残留電圧特性が低下することを防止する。それによって、信頼性が向上された表示パネルＤＰを提供することができる。

また、遮光パターンＢＭＬが発光素子ＯＬＥＤとカラーフィルタ層ＣＦＬとの間に配置されても、発光素子ＯＬＥＤから生成される光の出光効率を減少させない。

バッファ層３０は、パッシベーション層２０の上に配置されて遮光パターンＢＭＬをカバーする。バッファ層３０は、低屈折層１０、２０と半導体パターンとの間の結合力を向上させる。バッファ層３０は無機物質を含む。例えば、バッファ層３０は酸化ケイ素と窒化ケイ素のうち少なくともいずれか一つを含む。また、バッファ層３０は酸化ケイ素層と窒化ケイ素層が交互に積層されてもよい。

駆動トランジスタＴ１に含まれる半導体パターンＳ１、Ａ１、Ｄ１はバッファ層３０の上に配置される。半導体パターンＳ１、Ａ１、Ｄ１のうち活性層Ａ１と重畳する領域に介在絶縁層４０が配置され、介在絶縁層４０の上に駆動トランジスタＴ１のゲートＧ１が配置される。介在絶縁層４０とゲートＧ１とは同時にパターニングされる。活性層Ａ１と、ソースＳ１と、ドレインＤ１は半導体パターンのドーピング濃度または伝導性によって区分される領域である。

キャパシタＣｓｔの第１キャパシタ電極ＣＳ１は介在絶縁層４０の上に配置される。第１キャパシタ電極ＣＳ１と介在絶縁層４０とは同時にパターニングされる。

中間絶縁層５０はバッファ層３０の上に配置され、半導体パターンＳ１、Ａ１、Ｄ１の一部と、ゲートＧ１と、第１キャパシタ電極ＣＳ１をカバーする。中間絶縁層５０は有機物質または無機物質を含む。

中間絶縁層５０の上には連結電極ＣＮＥと、第２キャパシタ電極ＣＳ２と、パッドＰＤが配置される。

連結電極ＣＮＥの一側は中間絶縁層５０を貫通してソースＳ１と連結され、駆動トランジスタＴ１と発光素子ＯＬＥＤの第１電極ＡＥとを電気的に連結させる。

本実施例において、連結電極ＣＮＥの他側は中間絶縁層５０及びバッファ層３０を貫通して遮光パターンＢＭＬに接続される。よって、遮光パターンＢＭＬには所定の信号が提供される。但し、これに限らず、連結電極ＣＮＥは遮光パターンＢＭＬと分離されて、遮光パターンＢＭＬはフローティングされた状態で配置されてもよい。

第２キャパシタ電極ＣＳ２は、中間絶縁層５０の上に配置され、第１キャパシタ電極ＣＳ１と重畳する。第１キャパシタ電極ＣＳ１は第２キャパシタ電極ＣＳ２と共にキャップを形成する。

パッドＰＤは中間絶縁層５０のうち非表示領域ＮＤＡと重畳するように配置される。パッドＰＤには駆動チップが実装されるフレキシブル回路基板などが取り付けられる。フレキシブル回路基板はメイン回路基板に接続される。

カバー絶縁層６０は中間絶縁層５０の上に配置される。カバー絶縁層６０は連結電極ＣＮＥ及びパッドＰＤの上面を露出させる。連結電極ＣＮＥ及びパッドＰＤの上には追加電極ＣＮＥ－Ｓを更に含む。

光制御層ＯＳＬは分割隔壁ＢＫ及び光制御パターンＣＣＦを含む。

分割隔壁ＢＫは平面上において非発光領域の形状と対応する形状を有する。よって、分割隔壁ＢＫは発光領域ＰＸＡと重畳せず、分割隔壁ＢＫの間には発光領域ＰＸＡと重畳する空間が提供される。

分割隔壁ＢＫは光を遮断するためにブラック成分（ｂｌａｃｋ ｃｏｌｏｒｉｎｇ ａｇｅｎｔ）を含む。分割隔壁ＢＫはベース樹脂に混合されたブラック染料、ブラック顔料を含む。一実施例において、ブラック成分はカーボンブラックを含むか、クロムのような金属またはこれらの酸化物を含む。

光制御パターンＣＣＦは分割隔壁ＢＫに提供される空間に配置される。よって、光制御パターンＣＣＦは発光領域ＰＸＡと重畳する。また、光制御パターンＣＣＦはカラーフィルタ層ＣＦＬに定義された開口部ＯＰ２、ＯＰ３と重畳する。

光制御パターンＣＣＦは発光素子ＯＬＥＤから提供されるソース光の光学性質を変化させる。光制御パターンＣＣＦは、一発光領域ＰＸＡにおいて青色光のソース光を赤色光または緑色光に変換させる色変換パターンである。

色変換パターンは、ベース樹脂及びベース樹脂に混合された（または分散された）量子ドットを含む。互いに異なる光に変換させる色変換パターンは互いに異なる量子ドットを含む。

ベース樹脂ＢＲは量子ドットが分散される媒質であって、一般にバインダと称される多様な樹脂組成物からなる。但し、それに限らず、本明細書において、量子ドットを分散配置され得る媒質であれば、その名称、追加の他の機能、構成物質などに関わらずベース樹脂と称される。

ベース樹脂は高分子樹脂である。例えば、ベース樹脂は、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂などである。ベース樹脂は透明樹脂である。

また、光制御パターンＣＣＦは他の発光領域ＰＸＡで青色光を透過する透過パターンである。この際、透過パターンとしての光制御パターンＣＣＦは、散乱粒子を含み、受けた青色光を散乱してから出射する。光制御パターンＣＣＦは入射光に対する出射光の輝度を向上させる。

色変換パターンは、上述した透過パターンのようにベース樹脂に混合された散乱粒子を更に含む。散乱粒子は酸化チタン（ＴｉＯ２）またはシリカ系ナノ粒子などである。

量子ドットは入射される光の波長を変換する粒子である。量子ドットは数ナノメートルサイズの結晶構造を有する物質で、数百から数千個程度の原子からなり、小さいサイズのためエネルギーバンドギャップ（ｂａｎｄ ｇａｐ）が大きくなる量子閉じ込め（Ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果を示す。量子ドットにバンドギャップよりエネルギーが高い波長の光が入射すれば、量子ドットはその光を吸収して浮いた状態になり、特定波長の光を放出しながら基底状態に落ちる。放出された光のエネルギーはバンドギャップに対応する値を有する。量子ドットはそのサイズと組成などを調節すれば、量子閉じ込め効果による発光特性を調節することができる。

量子ドットはＩＩ－ＶＩ族化合物、Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物、ＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ－ＶＩ族化合物、ＩＶ族元素、ＩＶ族化合物、及びこれらの組み合わせから選択される。

ＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｅＴｅ、ＭｇＳｅ、ＭｇＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物、ＡｇＩｎＳ、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｅＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｅＺｎＳｅ、ＨｅＺｎＴｅ、ＭｇＺｎＳｅ、ＭｇＺｎＳ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、及びＨｇＺｎＴｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ，ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物からなる群より選択される。

Ｉ－ＩＩＩ－ＶＩ族化合物は、ＡｇＩｎＳ２、ＣｕＩｎＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＣｕＧａＳ２、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物、またはＡｇＩｎＧａＳ２、ＣｕＩｎＧａＳ２などの四元化合物から選択される。

ＩＩＩ－Ｖ族化合物は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物と、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物と、ＧａＡｌＮＰ、ＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物とからなる群より選択される。一方、ＩＩＩ－Ｖ族化合物はＩＩ族金属を更に含む。例えば、ＩＩＩ－ＩＩ－Ｖ族化合物としてＩｎＺｎＰなどが選択されてもよい。

ＩＶ－ＶＩ族化合物は、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物と、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される三元化合物と、ＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される四元化合物とからなる群より選択される。ＩＶ族元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される。ＩＶ族化合物は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群より選択される二元化合物である。

この際、二元化合物、三元化合物、または四元化合物は均一な濃度で粒子内に存在するか、濃度分布が部分的に異なる状態に分けられて同一粒子内に存在する。

量子ドットはコア（ｃｏｒｅ）及びコアを囲むシェル（ｓｈｅｌｌ）を含むコアシェル構造である。また、一つの量子ドットが他の量子ドットを囲むコア／シェル構造を有してもよい。コアとシェルとの界面は、シェルに存在する元素の濃度がコアに行くほど低くなる濃度勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有する。

量子ドットは、ナノメータスケールのサイズを有する粒子である。量子ドットは約４５ｎｍ以下、好ましくは約４０ｎｍ以下、より好ましくは約３０ｎｍ以下の発光波長スペクトルの半値幅（ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｈａｌｆ ｍａｘｉｍｕｍ、ＦＷＨＭ）を有し、この範囲で色純度や色再現性を向上させることができる。また、このような量子ドットを介して発光される光は全方向に放出されるゆえ、光視野角が向上される。

また、量子ドットの形態は当分野で一般的に使用する形態のものであって特に限らないが、より詳しくは、球状、ピラミッド状、多腕（ｍｕｌｔｉ－ａｒｍ）状、または立方体（ｃｕｂｉｃ）のナノ粒子、ナノチューブ、ナノワイヤ、ナノ繊維、ナノ板状粒子などの形態のものを使用する。量子ドットは粒子のサイズに応じて放出する光の色相を調節するが、それによってドットは赤色光、緑色光、青色光など多様な発光色相を有する。

光制御パターンＣＣＦはインクジェット工程によって形成される。液状の組成物が分割隔壁ＢＫの空間内に提供された後、熱硬化工程または光硬化工程によって重合される組成物は硬化後体積が減少する。それによって、分割隔壁ＢＫの上面と光制御パターンＣＣＦの上面との間に段差が発生する。

表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤは、発光素子ＯＬＥＤと、画素定義膜ＰＤＬと、封止層ＴＦＥと、を含む。

発光素子ＯＬＥＤは、第１電極ＡＥと、第２電極ＣＥと、第１電極ＡＥと第２電極ＣＥとの間に配置される発光層ＥＭＬと、を含む。

第１電極ＡＥは分割隔壁ＢＫと光制御パターンＣＣＦとをカバーし、連結電極ＣＮＥに接続される。本発明において、第１電極ＡＥは透過型電極または半透過型電極である。第１電極ＡＥの物質は透過型電極または半透過型電極であればいずれか一つに限らない。

発光層ＥＭＬは、第１電極ＡＥと第２電圧ＣＥとの間に配置され、光制御パターンＣＣＦにソース光を提供する。本実施例において、発光層ＥＭＬはソース光として青色光を生成する。青色光は４１０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長を含む。青色光の発光スペクトルは４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の範囲に属するピーク波長を有する。

第２電極ＣＥは発光層ＥＭＬの上に配置される。第２電極ＣＥは反射型電極である。よって、第２電圧ＣＥはＡｇ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｍｏ、Ｔｉ、及びこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物）のうち少なくともいずれか一つを含む。

図示していないが、発光素子ＯＬＥＤは、第１電極ＡＥと発光層ＥＭＬとの間に配置される正孔輸送領域と、発光層ＥＭＬと第２電極ＣＥとの間に配置される電子輸送領域と、を更に含む。正孔輸送領域は正孔注入層及び正孔輸送層などを含む。電子輸送領域は、正孔阻止層（図示せず）、電子輸送層、及び電子注入層のうち少なくとも一つを含むが、実施例はこれに限らない。

画素定義膜ＰＤＬは光制御層ＯＳＬの上に配置される。画素定義膜ＰＤＬには表示開口部Ｄ－ＯＰが定義される。表示開口部Ｄ－ＯＰは、発光領域ＰＸＡと重畳する第１電極ＡＥの少なくとも一部を露出させる。よって、第１電極ＡＥは画素定義膜ＰＤＬの下部に配置され、発光層ＥＭＬ及び第２電極ＣＥは画素定義膜ＰＤＬの上部に配置される。

画素定義膜ＰＤＬは有機層である。画素定義膜ＰＤＬは通常のブラック成分を含む。画素定義膜ＰＤＬはベース樹脂に混合されたブラック染料、ブラック顔料を含む。一実施例において、ブラック成分はカーボンブラックを含むか、クロムのような金属またはこれらの酸化物を含む。但し、これに限らず、画素定義膜ＰＤＬは無色であってもよい。

封止層ＴＦＥは発光素子ＯＬＥＤをカバーする。封止層ＴＦＥは無機層と無機層との間に有機層が配置された積層構造である。無機層は外部の湿気から発光素子ＯＬＥＤを保護し、有機層は製造工程中に流入された異物による発光素子ＯＬＥＤのくぼみ不良を防止し、封止層ＴＦＥの上にモジュールやフレームを結合する際、封止層ＴＦＥの上に平坦面を提供する。

本実施例によると、表示パネルＤＰはダム部ＤＭＰを更に含む。ダム部ＤＭＰは非表示領域ＮＤＡと重畳し、回路素子層ＤＰ－ＣＬの上に配置される。ダム部ＤＭＰは封止層ＴＦＥの有機層の製造工程の途中、液状の組成物が一定領域を逸脱しないように液状の組成物の広がりを制御する。

ダム部ＤＭＰは複数の層を含む。例えば、ダム部ＤＭＰは、カバー絶縁層６０の上に配置される第１ダム部ＤＭ１と、第１ダム部ＤＭ１の上に配置される第２ダム部ＤＭ２と、を含む。一実施例において、ダム部ＤＭＰは分割隔壁ＢＫ及び画素定義膜ＰＤＬのうち少なくともいずれか一つと同じ物質を含む。例えば、第１ダム部ＤＭ１は分割隔壁ＢＫと同じ物質を含んでもよく、第２ダム部ＤＭ２は画素定義膜ＰＤＬと同じ物質を含んでもよい。但し、これに限らず、ダム部ＤＭＰは省略されるか、１層または３層以上の積層構造を有してもよく、いずれか一つの実施例に限らない。

図４は、本発明の一実施例による表示領域の平面図である。図５は、図４のＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。図４は２つの画素行ＰＸＬに含まれる６つの発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを例示的に示している。図５には図３で説明した駆動トランジスタＴ１とキャパシタＣｓｔを省略して示している。

本実施例において、図４に示した３種の発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂは表示領域ＤＡ（図１ａを参照）全体に繰り返し配置される。第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの周辺には非発光領域ＮＰＸＡが配置される。非発光領域ＮＰＸＡは第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの境界を設定し、第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂの間の混色を防止する構造物が配置される。

図３で説明した分割隔壁ＢＫは非発光領域ＮＰＸＡと対応する形状を有し、第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂと重畳せず、第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂと重畳する空き空間を提供する。

本実施例において、平面上の面積が互いに同じ第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを例示的に示したが、これに限らない。第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂのうち少なくとも２つ以上の面積は互いに異なってもよい。

平面上の角領域が丸い矩形である第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂを示したが、これに限らない。平面上において、第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂはひし形または五角形のような他の形状の多角形状を有してもよい。

第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂのうち一つはソース光に対応する第３色光を提供し、他の一つは第３色光とは異なる第１色光を提供し、残りの一つは第３色光及び第１色光とは異なる第２色光を提供する。

本実施例において、第１フィルタ層ＣＦ１は青色光を透過し、赤色光及び緑色光を遮断する。第２フィルタ層ＣＦ２は緑色光を透過し、赤色光及び青色光を遮断する。第３フィルタ層ＣＦ３は赤色光を透過し、緑色光及び緑色光を遮断する。

それによって、第３発光領域ＰＸＡ－Ｂはソース光と対応する第３色光を提供する。本実施例において、第１発光領域ＰＸＡ－Ｒは赤色光を提供し、第２発光領域ＰＸＡ－Ｇは緑色光を提供し、第３発光領域ＰＸＡ－Ｂは青色光を提供する。

図５を参照すると、カラーフィルタ層ＣＦＬの第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３は第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂのうち対応する発光領域にのみ配置される。

例えば、第１フィルタ層ＣＦ１には第１及び第２発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇに重畳する第１開口部ＯＰ１が定義される。第２フィルタ層ＣＦ２には第１及び第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｂに重畳する第２開口部ＯＰ２が定義される。第３フィルタ層ＣＦ３には第２及び第３発光領域ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂに重畳する第３開口部ＯＰ３が定義される。

よって、第１発光領域ＰＸＡ－Ｒには赤色光を透過する第３フィルタ層ＣＦ３の一部分Ｃ３のみがウィンドウＷＤと接触して配置され、第２発光領域ＰＸＡ－Ｇには緑色光を透過する第２フィルタ層ＣＦ２の一部分Ｃ２のみがウィンドウＷＤと接触する。また、第３発光領域ＰＸＡ－Ｂには青色光を透過する第１フィルタ層ＣＦ１の一部分Ｃ３のみがウィンドウＷＤと接触する。

本発明によると、非発光領域ＮＰＸＡには第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３が順次積層される構造を有する。非発光領域ＮＰＸＡで順次積層される第１乃至第３フィルタ層ＣＦ１、ＣＦ２、ＣＦ３はウィンドウＷＤから流入される外部光を断する役割をする。それによって、回路素子層ＤＰ－ＣＬに配置される導電パターンが外部光によって反射されて視認される不良を防止することができる。

本実施例によると、第１及び第２発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇと重畳する光制御パターンＣＣＦは、発光層ＥＭＬから提供される青色光のソース光を赤色光及び緑色光に変換する色変換パターンである。よって、互いに異なる量子ドットを含む。また、第３発光領域ＰＸＡ－Ｂと重畳する光制御パターンＣＣＦは透過パターンである。

本実施例によると、複数の発光素子ＯＬＥＤに含まれる第１電極ＡＥは個別にパターニングされて対応される発光領域の上に配置される。発光層ＥＭＬ及び第２電極ＣＥのうち少なくともいずれか一つは、複数の発光素子ＯＬＥＤに共通に配置されて一つのパターンとして提供される。図示していないが、第１電極ＡＥと発光層ＥＭＬとの間に配置される正孔制御層と、発光層ＥＭＬと第２電極ＣＥとの間に配置される電子制御層のうち少なくともいずれか一つも一つのパターンとして提供され、いずれか一つの実施例に限らない。

本発明によると、画素ＰＸ（図１ａを参照）を構成するトランジスタＴ１（図３を参照）と、発光素子ＯＬＥＤが含まれる層と、量子ドットを含む光制御層と、光を選択的に透過するカラーフィルタ層と、が別途の接着工程なしにウィンドウＷＤの上に直接配置されることで、封止層ＴＦＥの厚さまたは別途の合着工程に利用される接着層の厚さによってソース光が損失されるか混色される不良を防止することができる。また、スリムな表示パネルＤＰを提供することができる。

図６ａは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図６ｂは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図６ｃは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図６ｄは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図６ｅは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図６ｆは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図７ａは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図７ｂは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図７ｃは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。図７ｄは、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を示す断面図である。

図６ａ乃至図６ｆは図３及び図５で説明したウィンドウＷＤの上に形成されるカラーフィルタ層を形成する方法を段階的に示す断面図であり、図７ａ乃至図７ｄは図６ａ乃至図６ｆで形成されるカラーフィルタ層ＣＦＬの上に表示パネルＤＰの他の構成を形成する方法を示す断面図である。

以下、図６ａ乃至図７ｄを利用して、本発明の一実施例による表示パネルの製造方法を説明する。

図６ａ及び図６ｂを参照すると、一実施例による表示パネルの製造方法は、ウィンドウＷＤの上に初期第１フィルタ層ＣＦ１－Ａを形成するステップを含む。初期第１フィルタ層ＣＦ１－Ａは、第１に乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ及び非発光領域ＮＰＸＡと重畳するように形成される。

初期第１フィルタ層ＣＦ１－Ａは、ベース樹脂と、ベース樹脂に分散された染料及び／または顔料を含む物質をウィンドウＷＤの上に塗布して形成する。

次に、初期第１フィルタ層ＣＦ１－Ａが貫通して形成される第１開口部ＯＰ１を含む第１フィルタ層ＣＦ１を形成するステップを含む。第１開口部ＯＰ１は第１及び第２発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇと重畳する。よって、ウィンドウＷＤは第１開口部ＯＰ１によって第１フィルタ層ＣＦ１から露出される。

次に、図６ｃ及び図６ｄを参照すると、一実施例による表示パネルの製造方法は、第１フィルタ層ＣＦ１の上に初期第２フィルタ層ＣＦ２－Ａを形成するステップを含む。初期第２フィルタ層ＣＦ２－Ａは、第１に乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ及び非発光領域ＮＰＸＡと重畳するように形成される。

初期第２フィルタ層ＣＦ２－Ａは、ベース樹脂と、ベース樹脂に分散された染料及び／または顔料を含む物質をウィンドウＷＤの上に塗布して形成する。

次に、初期第２フィルタ層ＣＦ２－Ａが貫通して形成される第２開口部ＯＰ２を含む第２フィルタ層ＣＦ２を形成するステップを含む。第２開口部ＯＰ２は第１及び第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｂと重畳する。よって、第１発光領域ＰＸＡ－Ｒと重畳するウィンドウＷＤはいずれか一つの第２開口部ＯＰ２によって第２フィルタ層ＣＦ２から露出される。また、第３発光領域ＰＸＡ－Ｂと重畳する第１フィルタ層ＣＦ１は他の一つの第２開口部ＯＰ２によって第２フィルタ層ＣＦ２から露出される。

次に、図６ｅ及び図６ｆを参照すると、一実施例による表示パネルの製造方法は、第２フィルタ層ＣＦ２の上に初期第３フィルタ層ＣＦ３－Ａを形成するステップを含む。初期第３フィルタ層ＣＦ３－Ａは、第１に乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂ及び非発光領域ＮＰＸＡと重畳するように形成される。

初期第３フィルタ層ＣＦ３－Ａは、ベース樹脂と、ベース樹脂に分散された染料及び／または顔料を含む物質をウィンドウＷＤの上に塗布して形成する。

次に、初期第３フィルタ層ＣＦ３－Ａが貫通して形成される第３開口部ＯＰ３を含む第３フィルタ層ＣＦ３を形成するステップを含む。第３開口部ＯＰ３は第２及び第３発光領域ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂと重畳する。よって、第３発光領域ＰＸＡ－Ｇと重畳する第２フィルタ層ＣＦ２はいずれか一つの第３開口部ＯＰ３によって第３フィルタ層ＣＦ３から露出される。また、第３発光領域ＰＸＡ－Ｂと重畳する第１フィルタ層ＣＦ１は他の一つの第３開口部ＯＰ３によって第３フィルタ層ＣＦ３から露出される。

図７ａは、図６ａ乃至図６ｆで形成されるカラーフィルタ層ＣＦＬと同じである。

図７ｂを参照すると、一実施例による表示パネルの製造方法は、カラーフィルタ層ＣＦＬの上に配置される複数の絶縁層１０、２０、３０、５０を形成するステップを含む。本発明によると、カラーフィルタ層ＣＦＬの上に形成される複数の絶縁層１０、２０、３０、５０は別途の接着工程なしにカラーフィルタ層ＣＦＬの上に連続工程で行われる。

図３で説明した絶縁層のうち、介在絶縁層４０及びカバー絶縁層６０は省略して示されている。

絶縁層１０、２０、３０、５０を形成するステップには、絶縁層１０、２０、３０、５０の間に配置される複数の導電パターンを形成するステップが含まれる。導電パターンは、図２で説明したトランジスタＴ１～Ｔ３、キャパシタＣｓｔ、及び遮光パターンＢＭＬなどを形成する工程が含まれる。カラーフィルタ層ＣＦＬの上にはコーティング、蒸着などによる絶縁層、半導体層、及び導電層の形成工程をフォトリソグラフィ工程による絶縁層、半導体層、及び導電層のパターニング工程によって回路素子層ＤＰ－ＣＬ（図３を参照）が形成される。

次に、図７ｃを参照すると、一実施例による表示パネルの製造方法は、分割隔壁ＢＫ及び光制御パターンＣＣＦを形成するステップを含む。分割隔壁ＢＫは、最上部絶縁層５０の上にベース樹脂に混合された染料及び／または顔料を塗布しパターニングして形成する。分割隔壁ＢＫは非発光領域ＮＰＸＡと重畳するようにパターニングされる。

光制御パターンＣＣＦはインクジェット工程によって形成される。液状の組成物を対応する分割隔壁ＢＫの間に塗布した後、熱硬化工程または光硬化工程によって硬化させる。この際、重合される組成物の体積が減少し、分割隔壁ＢＫの上面と光制御パターンＣＣＦとの間には段差が発生する。

次に、図７ｄを参照すると、一実施例による表示パネルの製造方法は、発光素子ＯＬＥＤを形成するステップを含む。

第１電極ＡＥは半透過または透過型物質を分割隔壁ＢＫ及び光制御パターンＣＣＦの上に塗布した後、対応する第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂに重畳するようにパターニングする。よって、それぞれの発光素子ＯＬＥＤに含まれる第１電極は互いに離隔される。

第１電極ＡＥの上に画素定義膜ＰＤＬを形成する。画素定義膜ＰＤＬは有機物質を塗布した後、第１電極ＡＥと重畳する部分を除去して表示開口部を形成する。

次に、画素定義膜ＰＤＬの上に発光層ＥＭＬ及び第２電極ＣＥを形成するステップを含む。それぞれの発光素子ＯＬＥＤに含まれる発光層ＥＭＬは一つのパターンとして形成され、第１乃至第３発光領域ＰＸＡ－Ｒ、ＰＸＡ－Ｇ、ＰＸＡ－Ｂに同じソース光を提供する。第２電極ＣＥも発光層ＥＭＬの上に一つのパターンとして形成される。第２電極ＣＥは反射型物質を塗布して形成する。次に、発光素子ＯＬＥＤをカバーする封止層ＴＦＥを形成するステップを更に含む。

本発明による表示パネルの製造方法は、別途の接着工程なしにウィンドウＷＤの上に連続工程によってカラーフィルタ層ＣＦＬ、回路素子層ＤＰ－ＣＬ（図３を参照）、光制御層ＯＳＬ（図３を参照）、及び表示素子層ＤＰ－ＯＬＥＤを形成するステップを行う。それによって、別途の基板を合着する工程で発生する誤整列問題を改善することができ、スリムな表示パネルを提供することができる。

これまで本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者または該当技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。

よって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載されている内容に限らず、特許請求の範囲によって決められるべきである。

ＤＰ：表示パネル ＷＤ：ウィンドウ
ＤＰ－ＣＬ：回路素子層 ＢＭＬ：遮光パターン
ＣＦＬ：カラーフィルタ層 ＣＦ１：第１フィルタ層
ＣＦ２：第２フィルタ層 ＣＦ３：第３フィルタ層
ＤＰ－ＯＬＥＤ：表示素子層 ＯＳＬ：光制御層
ＢＫ：分割隔壁 ＣＣＦ：光制御パターン

Claims (26)

1. 表示領域と、前記表示領域に隣接した非表示領域と、を含むウィンドウと、
   前記ウィンドウの上に配置されるカラーフィルタ層と、
   前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層と、前記低屈折層の上に配置されるトランジスタと、を含む回路素子層と、
   前記回路素子層の上に配置される分割隔壁と、前記分割隔壁の間に配置され、量子ドットを含む光制御パターンと、を含む光制御層と、
   第１電極と、前記第１電極の上に配置される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されて光を生成する発光層と、を含む発光素子を含む、前記光制御層の上に配置される表示素子層と、
   を含み、
   前記光は、前記光制御層と、前記回路素子層と、前記カラーフィルタ層と、を通過して前記ウィンドウに伝達される表示パネル。
2. 前記カラーフィルタ層は、
   互いに異なる光を透過し、前記ウィンドウの上に順次積層される第１乃至第３フィルタ層を含み、
   前記光制御パターンと重畳する領域は、前記第１乃至第３フィルタ層のうちいずれか一つにのみ配置され、
   それ以外の領域では、少なくとも２つのフィルタ層が積層されることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記光制御パターンと重畳する領域における前記低屈折層の厚さは、
   それ以外の領域における前記低屈折層の厚さより大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
4. 前記トランジスタは、ソース、活性層、及びドレインを含む半導体パターンと、前記活性層と重畳するゲートと、を含み、
   前記半導体パターンは、前記光制御パターンと重畳しないことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
5. 前記回路素子層は、
   前記低屈折層の上に配置されるパッシベーション層と、
   前記パッシベーション層の上に配置される遮光パターンと、
   前記遮光パターンをカバーし、前記半導体パターンが配置されるバッファ層と、
   前記活性層と前記ゲートとの間に配置される介在絶縁層と、
   前記ゲートとバッファ層とをカバーする中間絶縁層と、
   前記中間絶縁層の上に配置され、前記ソースと前記第１電極を連結する連結電極と、
   前記連結電極をカバーするカバー絶縁層と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
6. 前記遮光パターンは、前記半導体パターンの少なくとも一部と重畳し、前記光制御パターンから離隔されることを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
7. 前記連結電極は、前記バッファ層を貫通して前記遮光パターンに接続されることを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
8. 前記回路素子層はキャパシタを含み、
   前記キャパシタは、
   前記介在絶縁層の上に配置される第１キャパシタ電極と、
   前記第１キャパシタ電極と重畳し、前記中間絶縁層の上に配置される第２キャパシタ電極と、
   を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
9. 前記非表示領域と重畳し、前記中間絶縁層の上に配置され、前記カバー絶縁層によって露出されるパッドをさらに含み、
   前記パッドは前記連結電極と同じ物質を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
10. 前記表示素子層は、
    前記光制御パターンと重畳する表示開口部が定義される画素定義膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
11. 前記非表示領域と重畳し、前記回路素子層の上に配置されるダム部を含み、
    前記ダム部は、前記分割隔壁及び前記画素定義膜のうち少なくともいずれか一つと同じ物質を含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
12. 前記表示素子層は、前記発光素子をカバーする封止層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
13. 前記発光層は、青色光を生成することを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
14. 前記表示パネルは、一方向に沿って延長される軸に沿って湾曲していることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
15. 発光領域と、前記発光領域に隣接する非発光領域と、に区分されるウィンドウと、
    前記ウィンドウの上に配置され、互いに異なる光を透過する第１乃至第３フィルタ層を含むカラーフィルタ層と、
    前記カラーフィルタ層の上に配置されるトランジスタと、
    対応する前記第１乃至第３フィルタ層と重畳し、少なくともいずれか一つが量子ドットを含む第１乃至第３光制御パターンを含む光制御層と、
    対応する前記トランジスタに接続され、光を生成する発光素子と、を含み、
    前記ウィンドウのうち前記発光領域と重畳するウィンドウの上には前記第１乃至第３フィルタ層のうちいずれか一つのみが配置され、前記非発光領域と重畳するウィンドウの上には前記第１乃至第３フィルタ層が積層される表示パネル。
16. 前記第１乃至第３フィルタ層は、前記ウィンドウの上に順次積層され、
    前記第１フィルタ層は青色光を透過させ、
    前記第２フィルタ層は緑色光を透過させ、
    前記第３フィルタ層は赤色光を透過させることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
17. 前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層をさらに含み、
    前記トランジスタは、前記低屈折層を間に挟む前記第１乃至第３フィルタ層と離隔されることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
18. 前記発光領域と重畳する領域における前記低屈折層の厚さは、
    前記非発光領域と重畳する領域における前記低屈折層の厚さより大きいことを特徴とする請求項１７に記載の表示パネル。
19. 前記第１乃至第３制御パターンを区画する分割隔壁をさらに含み、
    前記分割隔壁は、前記非発光領域と重畳することを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
20. 前記発光素子のそれぞれは、
    第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される発光層と、を含み、
    前記発光素子のそれぞれに含まれる発光層及び前記第２電極のうち少なくともいずれか一つは、互いに接続される一つのパターンであることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
21. 前記発光素子から生成される光は青色光であることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
22. 前記光は、前記光制御層と、前記カラーフィルタ層と、を通過して前記ウィンドウに伝達されることを特徴とする請求項１５に記載の表示パネル。
23. ウィンドウの上にカラーフィルタ層を形成するステップと、
    前記カラーフィルタ層をカバーする低屈折層と、前記低屈折層をカバーするパッシベーション層と、を形成するステップと、
    前記パッシベーション層の上に配置される遮光パターンと、前記遮光パターンに接続されるトランジスタと、を含む回路素子層を形成するステップと、
    前記回路素子層の上に分割隔壁を形成するステップと、
    前記分割隔壁の間に形成され、量子ドットを含む光制御パターンを形成するステップと、
    前記光制御パターンの上に配置され、前記トランジスタに接続される発光素子を形成するステップと、を含む表示パネルの製造方法。
24. 前記カラーフィルタ層を形成するステップは、
    前記ウィンドウの上に第１フィルタ層を形成してから第１開口部を形成するステップと、
    前記第１フィルタ層の上に第２フィルタ層を形成してから第２開口部を形成するステップと、
    前記第２フィルタ層の上に第３フィルタ層を形成してから第３開口部を形成するステップと、を含むことを特徴とする請求項２３に記載の表示パネルの製造方法。
25. 前記光制御パターンと重畳する領域において、前記第１乃至第３フィルタ層のうちいずれか２つのカラーフィルタ層にのみ開口部が形成され、
    残りの一つのカラーフィルタ層は、
    前記２つの開口部内に配置されて前記ウィンドウと接触することを特徴とする請求項２４に記載の表示パネルの製造方法。
26. 前記カラーフィルタ層を形成するステップと、前記低屈折層と追加の低屈折層を形成するステップと、前記回路素子層を形成するステップと、前記光制御パターンを形成するステップと、前記発光素子を形成するステップと、は、前記ウィンドウの上で連続工程によって行われることを特徴とする請求項２３に記載の表示パネルの製造方法。

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