CN218959389U - 电子装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种电子装置，该电子装置包括显示模块和抗反射构件，抗反射构件设置在显示模块上并且相对于具有在约350nm至约370nm的范围内的波长的光具有在约4％至约7％范围内的包含镜面分量的反射率。抗反射构件包括基体层、设置在基体层上并且具有第一折射率的第一光学层以及设置在第一光学层上并且具有比第一折射率小的第二折射率的第二光学层。该抗反射构件相对于具有约350nm至约370nm的波长范围的光具有相对高的反射率，因此将从电子装置反射的反射光的颜色控制为中性黑色，从而最小化从电子装置提供的图像与反射光之间的干涉。因此，可以改善电子装置的显示质量。

Description

电子装置
本申请要求于2021年11月29日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0167579号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
这里的公开涉及一种包括抗反射构件的电子装置。
背景技术
正在开发用于在诸如电视、移动电话、平板计算机、导航系统和游戏控制台的多媒体装置中提供图像信息的各种电子装置。具体地，包括液晶显示元件、有机电致发光显示元件等的电子装置采用量子点来改善显示质量。
包括量子点的电子装置采用抗反射构件以呈现改善的反射特性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有改善的显示质量的电子装置，该电子装置包括相对于短波长的光具有高反射率的抗反射构件。
在实施例中，一种电子装置可以包括：显示模块；以及抗反射构件，设置在显示模块上，抗反射构件相对于具有在350nm至370nm的范围内的波长的光具有在4％至7％的范围内的包含镜面分量的反射率，其中，抗反射构件包括：基体层；第一光学层，设置在基体层上，第一光学层具有第一折射率；以及第二光学层，设置在第一光学层上，所述第二光学层具有比第一折射率小的第二折射率。
在实施例中，第一光学层的厚度可以小于第二光学层的厚度。
在实施例中，第一光学层可以具有在80μm至90μm的范围内的厚度，并且第二光学层可以具有在90μm至100μm的范围内的厚度。
在实施例中，第一折射率可以在1.4至1.7的范围内，并且第二折射率可以在1.0至1.3的范围内。
在实施例中，第一光学层的厚度和第二光学层的厚度的总和可以在170μm至190μm的范围内。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在450nm至470nm的范围内的波长的光可以具有在0％至0.3％的范围内的包含镜面分量的反射率。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在540nm至560nm的范围内的波长的光可以具有在0％至0.2％的范围内的包含镜面分量的反射率。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在710nm至730nm范围内的波长的光可以具有在0％至0.6％范围内的包含镜面分量的反射率。
在实施例中，第一光学层可以包括氧化锆。
在实施例中，第二光学层可以包括中空二氧化硅。
公开的实施例提供了一种电子装置，该电子装置可以包括：显示模块；以及抗反射构件，设置在显示模块上，抗反射构件相对于具有在约350nm至约370nm的范围内的波长的光具有在约4％至约7％的范围内的包含镜面分量的(SCI)反射率。抗反射构件可以包括：基体层；硬涂覆层，设置在基体层上；第一光学层，设置在硬涂覆层上，第一光学层具有第一折射率；以及第二光学层，设置在第一光学层上，第二光学层具有比第一折射率小的第二折射率。
在实施例中，第一光学层的厚度可以小于第二光学层的厚度。
在实施例中，第一光学层可以具有在约80μm至约90μm的范围内的厚度，并且第二光学层可以具有在约90μm至约100μm的范围内的厚度。
在实施例中，第一折射率可以在约1.4至约1.7的范围内，并且第二折射率可以在约1.0至约1.3的范围内。
在实施例中，第一光学层的厚度和第二光学层的厚度的总和可以在约170μm至约190μm的范围内。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在约450nm至约470nm的范围内的波长的光可以具有在约0％至约0.3％的范围内的SCI反射率。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在约540nm至约560nm的范围内的波长的光可以具有在约0％至约0.2％的范围内的SCI反射率。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在约710nm至约730nm的范围内的波长的光可以具有在约0％至约0.6％的范围内的SCI反射率。
在实施例中，第一光学层可以包括氧化锆(ZrOx)。
在实施例中，第二光学层可以包括中空二氧化硅。
在公开的实施例中，电子装置可以包括：基体基底；电路层，设置在基体基底上；发光元件层，设置在电路层上；封装层，设置在发光元件层上；光控制层，包括至少一个光控制构件，光控制层设置在封装层上，并且所述至少一个光控制构件包含量子点；滤色器层，设置在光控制层上；以及抗反射构件，设置在光控制构件上，抗反射构件相对于具有在约350nm至约370nm的范围内的波长的光具有在约4％至约7％的范围内的包含镜面分量的(SCI)反射率。抗反射构件可以包括：基体层；硬涂覆层，设置在基体层上；第一光学层，设置在硬涂覆层上，第一光学层具有第一折射率；以及第二光学层，设置在第一光学层上，第二光学层具有比第一折射率小的第二折射率。
在实施例中，第一折射率可以在约1.4至约1.7的范围内，并且第二折射率可以在约1.0至约1.3的范围内。
在实施例中，第一光学层的厚度可以小于第二光学层的厚度，第一光学层可以具有在约80μm至约90μm的范围内的厚度，并且第二光学层可以具有在约90μm至约100μm的范围内的厚度。
在实施例中，第一光学层可以包括氧化锆(ZrOx)，第二光学层可以包括中空二氧化硅。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在约450nm至约470nm的范围内的波长的光可以具有在约0％至约0.3％的范围内的SCI反射率。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在约540nm至约560nm的范围内的波长的光可以具有在约0％至约0.2％的范围内的SCI反射率。
在实施例中，抗反射构件相对于具有在约710nm至约730nm的范围内的波长的光可以具有在约0％至约0.6％的范围内的SCI反射率。
在实施例中，发光元件层可以包括彼此顺序地堆叠的第一电极、空穴传输区域、发光层、电子传输区域和第二电极。
在实施例中，发光层可以发射蓝光。
在实施例中，光控制层可以包括：第一光控制构件，将蓝光转换为红光；第二光控制构件，将蓝光转换为绿光；以及第三光控制构件，透射蓝光。
根据实施例的电子装置可以包括抗反射构件，该抗反射构件相对于具有约350nm至约370nm的波长范围的光具有相对高的反射率，因此可以将从电子装置反射的反射光的颜色控制为中性黑色。在反射光的颜色被控制为中性黑色的情况下，可以最小化从电子装置提供的图像与反射光之间的干涉。结果，可以改善根据实施例的电子装置的显示质量。
附图说明
包括附图以提供对公开的进一步理解，并且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了公开的实施例，并且与描述一起用于解释公开的原理。在附图中：
图1是示出根据实施例的电子装置的透视图；
图2是根据实施例的电子装置的分解透视图；
图3是根据实施例的显示装置的透视图；
图4是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图5是示意性地示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图6是根据实施例的抗反射构件的示意性剖视图；
图7是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；
图8A是示出根据示例的抗反射构件的SCI反射率的曲线图；
图8B是示出根据对比示例的抗反射构件的SCI反射率的曲线图；
图9A是示出包括根据示例的抗反射构件的显示装置的SCE反射率的曲线图；
图9B是示出包括根据对比示例的抗反射构件的显示装置的SCE反射率的曲线图；
图10是示出根据示例的抗反射构件的基于光的波长的SCI反射率的曲线图；
图11A是示出根据示例的抗反射构件的基于光的波长的SCI反射率的曲线图；
图11B是示出根据对比示例的抗反射构件的基于光的波长的SCI反射率的曲线图；
图12A是示出包括根据示例的抗反射构件的显示装置中的基于光的波长的不同视角下的SCE反射率的曲线图；以及
图12B是示出包括根据对比示例的抗反射构件的显示装置中的基于光的波长的不同视角下的SCE反射率的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述公开的实施例。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在居间元件或居间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。
同样的附图标记或符号始终表示同样的元件。为了有效描述技术内容，夸大了元件的厚度、比率和尺寸。在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或(以及/或者)”旨在包括术语“和(以及)”和“或(或者)”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为是指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以连词性的或非连词性的意思使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中除了图中所描绘的方位之外的不同方位。
还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释，除非在这里明确地如此定义。
在下文中，将参照附图描述根据公开的实施例的电子装置。
图1是示出根据实施例的电子装置的透视图。图2是根据实施例的电子装置的分解透视图。
参照图1，电子装置ED可以通过显示表面IS显示图像IM。图1示例性地示出了第一方向轴至第三方向轴DR1、DR2和DR3。显示表面IS可以被限定为与第一方向轴DR1和第二方向轴DR2平行。垂直于显示表面IS的方向(即，电子装置ED的厚度方向)将被限定为与第三方向轴DR3平行。显示表面IS可以包括其中显示图像IM的显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。
显示区域DA可以具有矩形形状。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，公开的实施例不限于此，并且可以相对地设计显示区域DA的形状和非显示区域NDA的形状。在显示装置DD(见图2)的整个表面上可以不存在非显示区域NDA。
图1示出了作为电子装置ED的便携式电子装置。然而，电子装置ED可以用于诸如电视、监视器或外部广告牌的大型电子装置以及诸如个人计算机、笔记本计算机、个人数字终端、汽车导航单元、游戏机、智能电话、平板计算机或相机的中小尺寸的电子装置中。这些仅作为示例呈现，并且在不脱离公开的情况下，电子装置ED也可以用在其他电子设备中。
参照图2，根据实施例的电子装置ED可以包括显示装置DD和设置在显示装置DD上的窗WM。显示装置DD可以产生图像IM。后面将详细描述显示装置DD。
窗WM可以包括光学透明的绝缘材料。窗WM可以是柔性的。例如，窗WM可以包括诸如聚酰亚胺的树脂膜、树脂基底或薄膜玻璃基底。由显示装置DD产生的图像IM可以通过窗WM显示在电子装置ED上。
图3是根据实施例的显示装置的透视图。图4是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图4可以是沿着图3的线I-I'截取的示意性剖视图。
参照图3和图4，根据实施例的显示装置DD可以包括显示模块DM和设置在显示模块DM上的抗反射构件AR。根据实施例的显示装置DD还可以包括设置在显示模块DM与抗反射构件AR之间的基体基底BL。
显示模块DM可以包括彼此顺序地堆叠的显示面板DP、光控制层CCL和滤色器层CFL。显示面板DP可以包括面板基体层BS、设置在面板基体层BS上的电路层DP-CL和显示元件层DP-ED。显示元件层DP-ED可以包括像素限定膜PDL、设置在像素限定膜PDL之间的发光元件LED以及设置在发光元件LED上的封装层TFE。
面板基体层BS可以是提供其上设置有显示元件层DP-ED的基体表面的构件。面板基体层BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，公开的实施例不限于此，面板基体层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。
在实施例中，电路层DP-CL可以设置在面板基体层BS上，并且可以包括多个晶体管(未示出)。晶体管(未示出)均可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示元件层DP-ED的发光元件LED的驱动晶体管。
发光元件LED中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发光层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。空穴传输区域HTR、发光层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2可以在所有发光元件LED中设置为公共层。发光元件LED可以发射单个波长范围的第一颜色光。例如，由发光元件LED发射的第一颜色光可以是蓝光。
与所示的构造不同，通过进行图案化，可以将空穴传输区域HTR、发光层EML和电子传输区域ETR设置在限定于像素限定膜PDL中的开口OH的内部。例如，在实施例中，可以通过经由喷墨印刷方法进行图案化来设置发光元件LED的空穴传输区域HTR、发光层EML和电子传输区域ETR。在通过进行图案化来设置发光层EML的情况下，被图案化的发光层EML中的每个可以发射具有相同波长范围的第一颜色光。第一颜色光可以是蓝光。
封装层TFE可以覆盖发光元件LED。封装层TFE可以密封显示元件层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是单层或多层的堆叠体。封装层TFE可以包括至少一个绝缘层。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个无机膜(在下文中，无机封装膜)。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个有机膜(在下文中，有机封装膜)和至少一个无机封装膜。
无机封装膜可以保护显示元件层DP-ED免受湿气或氧的影响，有机封装膜可以保护显示元件层DP-ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。无机封装膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝等，但是不特别地限于此。有机封装膜可以包括丙烯酸化合物、环氧类化合物等。有机封装膜可以包括可光聚合的有机材料，但是不受特别地限制。
封装层TFE可以设置在第二电极EL2上，并且可以设置为填充开口OH。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换器。光转换器可以是量子点、磷光体等。光转换器可以对所提供的光进行波长转换并且发射经波长转换的光。例如，光控制层CCL可以是包括量子点的层或包括磷光体的层。
光控制层CCL可以包括多个光控制构件CCP1、CCP2和CCP3。光控制构件CCP1、CCP2和CCP3可以彼此分离。
参照图4，分隔图案BMP可以设置在分离的光控制构件CCP1、CCP2和CCP3之间，但是公开的实施例不限于此。图4示出了分隔图案BMP不与光控制构件CCP1、CCP2和CCP3叠置，但是光控制构件CCP1、CCP2和CCP3的边缘可以至少部分地与分隔图案BMP叠置。
光控制层CCL可以包括第一光控制构件CCP1、第二光控制构件CCP2和第三光控制构件CCP3，第一光控制构件CCP1包括将从发光元件LED提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点QD1，第二光控制构件CCP2包括将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点QD2，第三光控制构件CCP3透射第一颜色光。
在实施例中，第一光控制构件CCP1可以提供红光(可以是第二颜色光)，第二光控制构件CCP2可以提供绿光(可以是第三颜色光)。第三光控制构件CCP3可以透射可以是从发光元件LED提供的第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点QD1可以为红色量子点，第二量子点QD2可以为绿色量子点。
第一量子点QD1和第二量子点QD2中的每个的核可以选自于II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、III-II-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以从以下组中选择：选自于CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物的组的二元化合物；选自于AgInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物的组的三元化合物；以及选自于CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物的组的四元化合物。
III-VI族化合物可以包括诸如In2S3和In2Se3的二元化合物、诸如InGaS3和InGaSe3的三元化合物或其任何组合。
I-III-VI族化合物可以从以下的组中选择：选自于AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及其混合物的组的三元化合物；以及诸如AgInGaS2和CuInGaS2等的四元化合物。
III-V族化合物可以从以下组中选择：选自于GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物的组的二元化合物；选自于GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物的组的三元化合物；以及选自于GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物的组的四元化合物。III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以从以下组中选择：选自于SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物的组的二元化合物；选自于SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物的组的三元化合物；以及选自于SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物的组的四元化合物。IV族元素可以选自于Si、Ge及其混合物的组。IV族化合物可以是选自于SiC、SiGe及其混合物的二元化合物。
二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于相同的颗粒中。二元化合物、三元化合物或四元化合物可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核-壳结构可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向其中心减小。
在实施例中，第一量子点QD1和第二量子点QD2均可以具有核-壳结构，核-壳结构包括具有上述纳米晶体的核和围绕核的壳。第一量子点QD1和第二量子点QD2的壳可以通过防止第一量子点QD1和第二量子点QD2的核的化学改性来用作用于保持半导体性质的保护层并且/或者用作用于赋予量子点电泳性质的充电层(荷电层)。第一量子点QD1和第二量子点QD2中的每个的壳可以具有单层或多层。量子点的壳可以包括金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属氧化物或非金属氧化物可以包括诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO的二元化合物或者诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4的三元化合物，但是公开的实施例不限于此。
半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但是公开的实施例不限于此。
第一量子点QD1和第二量子点QD2可以具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)，并且在该范围内，可以改善色纯度或颜色再现性。通过第一量子点QD1和第二量子点QD2发射的光可以在所有方向上发射，由此可以改善宽视角特性。
第一量子点QD1和第二量子点QD2的形状不特别地限于本领域常用的形状，而是量子点可以具有如下形状，诸如，球形形状的、椎体形状的、多臂形状的或立方体的纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米片状颗粒。
光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制构件CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制构件CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制构件CCP3可以不包括量子点而可以包括散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种，或者可以是选自于TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。
第一光控制构件CCP1、第二光控制构件CCP2和第三光控制构件CCP3可以分别包括用于分散量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施例中，第一光控制构件CCP1可以包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制构件CCP2可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，第三光控制构件CCP3可以包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的各种树脂组合物形成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以是丙烯酸树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅氧烷类树脂或环氧类树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以是透明树脂。在实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或不同。
光控制层CCL可以包括第一阻挡层BFL1和第二阻挡层BFL2。第一阻挡层BFL1和第二阻挡层BFL2可以用于阻挡湿气和/或氧(在下文中，称为“湿气或氧”)。第一阻挡层BFL1可以设置在封装层TFE上，并且第二阻挡层BFL2可以设置在光控制构件CCP1、CCP2和CCP3上，以阻挡光控制构件CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气或氧。第一阻挡层BFL1和第二阻挡层BFL2可以覆盖光控制构件CCP1、CCP2和CCP3。第二阻挡层BFL2还可以设置在光控制构件CCP1、CCP2和CCP3与滤色器层CFL之间。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包括无机材料来形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈或氮氧化硅，或者可以包括具有足够透光率的金属薄膜。阻挡层BFL1和BFL2还可以包括有机膜。阻挡层BFL1和BFL2可以由单层或多层形成。
在根据实施例的显示装置DD中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上。可以省略第二阻挡层BFL2。
低折射层LRL可以设置在光控制层CCL与滤色器层CFL之间。低折射层LRL可以具有比与低折射层LRL相邻的滤色器层CFL和光控制层CCL的折射率低的折射率。低折射层LRL可以将从光控制层CCL朝向滤色器层CFL发射的蓝光的一部分全反射，并且使蓝光的该部分重新入射到光控制层CCL上。蓝光可以是从发光元件LED发射的光。蓝光的该部分可以重新入射到包括在光控制层CCL中的第一光控制构件CCP1或第二光控制构件CCP2上。如上所述，第一光控制构件CCP1可以将重新入射的蓝光转换为红光，第二光控制构件CCP2可以将重新入射的蓝光转换为绿光。通过这种光的再循环，可以改善显示装置DD的光效率。
滤色器层CFL可以包括第一滤光器CF-1、第二滤光器CF-2和第三滤光器CF-3。第一滤光器CF-1可以透射第二颜色光，第二滤光器CF-2可以透射第三颜色光，第三滤光器CF-3可以透射第一颜色光。例如，第一滤光器CF-1可以是红色滤光器，第二滤光器CF-2可以是绿色滤光器，并且第三滤光器CF-3可以是蓝色滤光器。
第一滤光器CF-1可以设置在红色发光区域PXA-R和非发光区域NPXA中，第二滤光器CF-2可以设置在绿色发光区域PXA-G和非发光区域NPXA中。第三滤光器CF-3可以设置在蓝色发光区域PXA-B和非发光区域NPXA中。在非发光区域NPXA中，第一滤光器至第三滤光器CF-1、CF-2和CF-3之中的至少两个滤光器可以彼此叠置。例如，在非发光区域NPXA中，第一滤光器至第三滤光器CF-1、CF-2和CF-3中的全部可以叠置。然而，公开的实施例不限于此，可以不在非发光区域NPXA中设置第一滤光器至第三滤光器CF-1、CF-2和CF-3，并且可以在非发光区域NPXA中设置包括有机绝缘材料或无机绝缘材料的黑矩阵。
第一滤光器至第三滤光器CF-1、CF-2和CF-3中的每个可以包括聚合物光敏树脂和颜料或染料。然而，公开的实施例不限于此，第三滤光器CF-3可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF-3可以是透明的。第一滤光器CF-1和第二滤光器CF-2可以是黄色滤光器。第一滤光器CF-1和第二滤光器CF-2可以彼此不分离，并且可以彼此成一体。基体基底BL可以设置在滤色器层CFL上。基体基底BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，公开的实施例不限于此，基体基底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。与所示的构造不同，在实施例中可以省略基体基底BL。
显示装置DD可以包括非发光区域NPXA以及发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分别是发射第一颜色光至第三颜色光的区域，第一颜色光至第三颜色光通过经由光控制层CCL将由发光元件LED中的每个产生的第一颜色光转换而获得。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此间隔开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以由像素限定膜PDL划分。非发光区域NPXA可以位于相邻的发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R之间，并且可以与像素限定膜PDL对应。在说明书中，发光区域PXA-B、PXA-G和PXA-R可以分别与像素对应。像素限定膜PDL可以划分发光元件LED。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据由光控制构件CCP1、CCP2和CCP3提供的光的颜色被分类为多个组。具体地，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以根据第一颜色光至第三颜色光的颜色被分类为多个组，第一颜色光至第三颜色光通过将从发光层EML提供同时穿过光控制构件CCP1、CCP2和CCP3的第一颜色光转换而获得。在根据图3和图4中所示的实施例的显示装置DD中，示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。例如，根据实施例的显示装置DD可以包括彼此不同的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
根据实施例的显示装置DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条纹形状布置。参照图3，多个红色发光区域PXA-R、多个绿色发光区域PXA-G和多个蓝色发光区域PXA-B均可以沿着第二方向轴DR2对准。发光区域可以沿着第一方向轴DR1以红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的顺序交替地布置。
图3和图4示出了发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积全部相似，但是公开的实施例不限于此。例如，发光区域PXA-R、PXA-G、PXA-B的面积可以根据发射光的波长范围而彼此不同。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以是指如在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上观看的面积。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置不限于图3中所示的布置，并且红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的布置的顺序可以根据显示装置DD所需的显示质量特性以各种组合设置。例如，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置可以是
Figure BDA0003961675570000131
布置或菱形布置形式。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在实施例中，绿色发光区域PXA-G的面积可以小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但是公开的实施例不限于此。
抗反射构件AR可以是具有低反射率的层，以阻挡外部光。抗反射构件AR可以包括具有不同折射率的多个层，因此通过相消干涉阻挡外部光。稍后将更详细地描述抗反射构件AR。
图5是示意性地示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图6是根据实施例的抗反射构件的示意性剖视图。
参照图5和图6，抗反射构件AR可以包括基体层TAC、硬涂覆层HC、第一光学层HR和第二光学层LR。抗反射构件AR可以直接设置在显示模块DM的顶部上。然而，公开的实施例不限于此，并且粘合层(未示出)可以设置在抗反射构件AR与显示模块DM之间。
参照图5，第一光L1-1可以是从抗反射构件AR朝向显示模块DM入射的外部光。第一光L1-1可以从抗反射构件AR的表面部分地反射，并且第一光L1-1的剩余部分可以透射通过抗反射构件AR。在控制从抗反射构件AR的表面部分地反射的第二光L1-2的量的情况下，可以控制透射通过抗反射构件AR并从显示模块DM的表面反射的第三光L1-3的量。由用户观看到的入射在显示装置DD上并且由显示装置DD反射的反射光的颜色可以由第二光L1-2的量和第三光L1-3的量的比率来确定。例如，由用户观看的反射光的颜色可以由显示模块DM的SCE(排除镜面分量的)反射光确定。
相对于具有约350nm或更大且小于约370nm的波长的光，抗反射构件AR可以具有约4％至约7％的包含镜面分量的(SCI)反射率。由于抗反射构件AR相对于具有约350nm或更大且小于约370nm的波长的光的SCI反射率较大，因此第一光L1-1中的具有约350nm或更大且小于约370nm的波长的光可以具有较大的比例经由与第二光L1-2相同的路径被抗反射构件AR反射，并且较小的比例透射通过抗反射构件AR且经由与第三光L1-3相同的路径入射在显示模块DM上。结果，可以减小从显示模块DM反射的具有约350nm或更大且小于约370nm的波长的光的量。
在抗反射构件AR相对于具有约350nm或更大且小于约370nm的波长的光具有约4％至约7％的SCI反射率的情况下，在其中显示装置DD的电源关闭的状态下，由用户观看到的反射光的颜色可以是中性黑色。在其中显示装置DD的电源关闭的状态下，在由用户观看到的反射光的颜色为中性黑色的情况下，可以减少反射光对在显示装置DD的电源打开的情况下产生的图像的干扰，因此可以改善显示装置DD的显示质量。
抗反射构件AR相对于具有约450nm至约470nm的波长的光可以具有约0％至约0.3％的SCI反射率。在抗反射构件AR相对于具有约450nm至约470nm的波长的光的SCI反射率超过约0.3％的情况下，在关闭显示装置DD的电源的情况下由用户观看的反射光的颜色不会实现为中性黑色，因此显示装置DD的显示质量会劣化。
抗反射构件AR相对于具有约540nm至约560nm的波长的光可以具有约0％至约0.2％的SCI反射率。在抗反射构件AR相对于具有约540nm至约560nm的波长的光的SCI反射率超过约0.2％的情况下，抗反射构件AR的抗反射功能会减弱。
抗反射构件AR相对于具有约710nm至约730nm的波长的光可以具有约0％至约0.6％的SCI反射率。在抗反射构件AR相对于具有约710nm至约730nm波长的光的SCI反射率为约0％至约0.6％的情况下，在用户以约10度至约60度的视角AG看到显示装置DD的情况下，能够改善其中在显示装置DD的断电状态下反射光被用户观看为微红色的现象。
参照图6，基体层TAC可以设置为与显示模块DM相邻。基体层TAC可以包括具有高强度和优异平坦化特性的有机材料。例如，基体层TAC可以包括三乙酰纤维素。基体层TAC可以设置在显示模块DM上以提供平坦的顶表面。
硬涂覆层HC可以设置在基体层TAC上。硬涂覆层HC可以为抗反射构件AR提供耐久性。硬涂覆层HC可以具有约1.3至约1.6的折射率。
第一光学层HR可以设置在硬涂覆层HC上。第一光学层HR的第一折射率可以大于第二光学层LR的第二折射率。第一光学层HR可以包括金属氧化物。例如，第一光学层HR可以包括氧化锆(ZrOx)。然而，公开的实施例不限于此，对于第一光学层HR的材料，可以使用具有比第二折射率大的第一折射率的任何材料而没有限制。
第二光学层LR可以设置在第一光学层HR上。第二光学层LR的第二折射率可以小于第一光学层HR的第一折射率。第二光学层LR和第一光学层HR可以包括不同的材料。第二光学层LR可以包括具有比第一光学层HR的折射率低的折射率的材料。
第二光学层LR可以包括基体部BP和分散在基体部BP中的无机颗粒HP。基体部BP可以包括可固化的有机材料。例如，基体部BP可以由硅氧烷树脂形成。然而，公开的实施例不限于此。
无机颗粒HP可以包括中空二氧化硅。中空二氧化硅可以具有球形形状。中空二氧化硅的尺寸可以是均匀的。然而，公开的实施例不限于此。例如，中空二氧化硅的尺寸可以是不均匀的。中空二氧化硅的平均直径可以为约15μm至约45μm。在中空二氧化硅的平均直径小于约15μm的情况下，抗反射特性会减弱，在中空二氧化硅的平均直径超过约45μm的情况下，透射特性会减弱。
第一光学层HR可以具有约1.4至约1.7的折射率。第二光学层LR可以具有约1.0至约1.3的折射率。第一光学层HR可以具有约80μm至约90μm的厚度T1。第二光学层LR可具有约90μm至约100μm的厚度T2。在第一光学层HR具有约1.4至1.7的折射率，第二光学层LR具有约1.0至约1.3的折射率，第一光学层HR具有约80μm至约90μm的厚度T1，并且第二光学层LR具有约90μm至约100μm的厚度T2的情况下，反射光可以被用户观看为中性黑色。
第一光学层HR的厚度T1和第二光学层LR的厚度T2的总和可以为约190μm或更小。在第一光学层HR的厚度T1和第二光学层LR的厚度T2的总和超过约190μm或更大的情况下，抗反射构件AR相对于约540nm至约560nm的光的SCI反射率会增大，抗反射构件AR的抗反射功能会减弱。
在根据实施例的抗反射构件AR中，抗反射构件AR的反射率可以通过将第一光学层HR的厚度T1和第二光学层LR的厚度T2设定为大于典型的抗反射构件的厚度来控制。例如，在根据实施例的抗反射构件AR中，第一光学层HR的厚度T1可以被控制为比典型的第一光学层的厚度大约10％，第二光学层LR的厚度T2可以被控制为比典型的第二光学层的厚度大约9％。在根据实施例的抗反射构件AR中，通过将第一光学层HR的厚度T1和第二光学层LR的厚度T2控制得较大，抗反射构件AR可以具有相对于蓝光的高SCI反射率和相对于绿光的低SCI反射率。在抗反射构件AR相对于蓝光具有高SCI反射率的情况下，透射通过抗反射构件AR并且入射在显示模块DM上的蓝光的量可以减少，因此从显示模块DM反射的蓝光的量可以减少。在抗反射构件AR相对于绿光具有低SCI反射率的情况下，从抗反射构件AR反射的绿光的量可以减少。因此，通过控制不同波长范围内的光的反射率，在显示装置DD的断电状态下被用户观看到的反射光的颜色可以呈现为中性黑色。
图7是根据实施例的显示装置的剖视图。在下文中，在根据图7中所示的实施例的显示装置的描述中，将不再呈现参照图1至图6进行的重复描述，并且将集中于差异进行描述。
根据图7中所示的实施例的显示装置DD-1与图4的显示装置DD的不同之处在于：不包括基体基底BL，并且滤色器层CFL-1直接设置在光控制层CCL上。
参照图7，在根据实施例的显示装置DD-1中，滤色器层CFL-1可以直接设置在光控制层CCL上。滤色器层CFL-1可以包括第一滤光器CF1、第二滤光器CF2和第三滤光器CF3。滤色器层CFL-1可以不包括光阻挡部BM(图4)。抗反射构件AR可以直接设置在滤色器层CFL-1上。例如，抗反射构件AR可以直接设置在不包括基体基底BL(图4)的显示模块DM-1上。光控制层CCL、滤色器层CFL-1和抗反射构件AR可以通过连续工艺形成。
图8A是示出根据示例的抗反射构件的SCI反射率的曲线图。图8B是示出根据对比示例的抗反射构件的SCI反射率的曲线图。图9A是示出包括根据示例的抗反射构件的显示装置的SCE反射率的曲线图。图9B是示出包括根据对比示例的抗反射构件的显示装置的SCE反射率的曲线图。在将图6中描述的抗反射构件AR和根据对比示例的抗反射构件设置在黑板上之后，分别测量图8A和图8B中所示的抗反射构件的SCI反射率。通过测量图4中描述的显示装置DD的SCE反射率和包括根据对比示例的抗反射构件的显示装置的SCE反射率，分别获得图9A和图9B中所示的显示装置的SCE反射率。根据图8A和图9A中描述的示例的抗反射构件AR相对于具有约350nm至约370nm的波长的光均具有约4％至约7％的SCI反射率。除了相对于具有约350nm至约370nm的波长的光的SCI反射率小于约4％之外，根据图8B和图9B中描述的对比示例的抗反射构件具有与示例的抗反射构件AR的结构相同的结构。
参照图8A和图8B，可以看出的是，与对比示例的抗反射构件相比，示例的抗反射构件AR相对于具有约350nm至约370nm的波长的光具有更高的SCI反射率。参照图9A和图9B，可以看出的是，与对比示例的显示装置相比，示例的显示装置DD相对于具有约350nm至约370nm的波长的光具有更高的SCE反射率。
在表1中，测量并示出了示例的显示装置DD(图5)和对比示例的显示装置中的每个的反射光的SCE色坐标。通过在显示装置的断电状态下测量反射光的SCE色坐标来获得显示装置的反射光的SCE色坐标。
[表1]
Figure BDA0003961675570000171
当SCE色坐标更接近X＝0.310，Y＝0.330时，反射光可以被用户观看为更接近中性黑色。参照表1，示例的SCE色坐标为X＝0.305和Y＝0.284，并且对比示例的SCE色坐标为X＝0.288，Y＝0.246。因此，与来自对比示例的显示装置的反射光相比，根据示例的显示装置DD(图4)的反射光可以被用户观看为更接近中性黑色。
图10是示出根据示例的抗反射构件的基于光的波长的SCI反射率的曲线图。
参照图10，在曲线图上示出了根据示例1至示例6的抗反射构件AR(图5)中的每个的基于光的波长的SCI反射率。示例1至示例6的抗反射构件AR(图5)相对于具有约350nm至约370nm的波长的光都具有在约4％至约7％范围内的不同SCI反射率。根据示例1至示例6的抗反射构件AR(图5)相对于具有约350nm至约370nm的波长的光以降序具有较低的SCI反射率值。在包括示例1至示例6的抗反射构件AR(图5)的显示装置DD(图5)中，反射光的SCE色坐标示于表2中。
[表2]
Figure BDA0003961675570000181
参照表2，可以看出的是，随着抗反射构件AR(图5)相对于具有约350nm至约370nm的波长的光的SCI反射率增加，SCE色坐标的X值和Y值中的每个增加。因此，可以看出的是，可以通过调整抗反射构件AR(图5)相对于具有约350nm至约370nm的波长的光的SCI反射率来控制SCE色坐标值。
图11A是示出根据示例的抗反射构件的基于光的波长的SCI反射率的曲线图。图11B是示出根据对比示例的抗反射构件的基于光的波长的SCI反射率的曲线图。图12A是示出包括根据示例的抗反射构件的显示装置中的基于光的波长的不同视角下的SCE反射率的曲线图。图12B是示出包括根据对比示例的抗反射构件的显示装置中的基于光的波长的不同视角下的SCE反射率的曲线图。在将图6中描述的抗反射构件AR(图6)和根据对比示例的抗反射构件设置在黑板上之后，分别测量图11A和图11B中所示的抗反射构件中的每个的SCI反射率。通过测量图5中描述的显示装置DD的SCE反射率和包括根据对比示例的抗反射构件的显示装置的SCE反射率，分别获得图12A和图12B中所示的显示装置中的每个的SCI反射率。根据图11A和图12A中描述的示例的抗反射构件AR相对于具有约710nm至约730nm的波长的光均具有约0.6％或更小的SCI反射率。除了相对于具有约710nm至约730nm的波长的光的SCI反射率超过约0.6％之外，根据图11B和图12B中描述的对比示例的抗反射构件具有与示例的抗反射构件AR的结构相同的结构。
参照图11A和图11B，可以看出的是，与对比示例的抗反射构件相比，示例的抗反射构件AR(图5)相对于具有约710nm至约730nm的波长的光具有较小的SCI反射率。
参照图12A和图5，在示例7至示例12中，示出了在显示装置DD的视角AG(图5)为60度、50度、40度、30度、20度和10度的位置处的显示装置DD的SCE反射率。参照图12B，在对比示例1至对比示例6中，示出了在视角AG(图5)为60度、50度、40度、30度、20度和10度的位置处针对反射光的SCE反射率。
在图12A和图12B中，分别将示例7至示例12与对比示例1至对比示例6进行对比，可以看出的是，与对比示例1至对比示例6相比，示例7至示例12相对于具有约710nm至约730nm的波长的光具有更小的SCE反射率。因此，在从侧面观看显示装置DD(图5)的情况下，可以减少其中反射光被用户观看为微红色的现象，所述显示装置DD包括相对于具有约710nm至约730nm的波长的光具有约0.6％或更小的SCI反射率的抗反射构件AR(图5)。
根据实施例的电子装置可以包括抗反射构件，该抗反射构件相对于具有约350nm至约370nm的波长范围的光具有相对高的反射率，因此可以将从电子装置反射的反射光的颜色控制为中性黑色。在反射光的颜色被控制为中性黑色的情况下，可以最小化从电子装置提供的图像与反射光之间的干涉。结果，可以改善根据实施例的电子装置的显示质量。
根据实施例的电子装置的抗反射构件可以相对于对短波长的光具有高反射率，因此可以具有优异的显示质量。
尽管已经描述了公开的实施例，但是将理解的是，公开不应限于这些实施例，而是本领域普通技术人员可以在如要求保护的公开的精神和范围内进行各种改变和修改。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括：
显示模块；以及
抗反射构件，设置在所述显示模块上，所述抗反射构件相对于具有在350nm至370nm的范围内的波长的光具有在4％至7％的范围内的包含镜面分量的反射率，其中，
所述抗反射构件包括：基体层；第一光学层，设置在所述基体层上，所述第一光学层具有第一折射率；以及第二光学层，设置在所述第一光学层上，所述第二光学层具有比所述第一折射率小的第二折射率。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一光学层的厚度小于所述第二光学层的厚度。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，
所述第一光学层具有在80μm至90μm的范围内的厚度，并且
所述第二光学层具有在90μm至100μm的范围内的厚度。
4.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，
所述第一折射率在1.4至1.7的范围内，并且
所述第二折射率在1.0至1.3的范围内。
5.根据权利要求2所述的电子装置，其特征在于，所述第一光学层的所述厚度和所述第二光学层的所述厚度的总和在170μm至190μm的范围内。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述抗反射构件相对于具有在450nm至470nm的范围内的波长的光具有在0％至0.3％的范围内的包含镜面分量的反射率。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述抗反射构件相对于具有在540nm至560nm的范围内的波长的光具有在0％至0.2％的范围内的包含镜面分量的反射率。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述抗反射构件相对于具有在710nm至730nm的范围内的波长的光具有在0％至0.6％的范围内的包含镜面分量的反射率。
9.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一光学层包括氧化锆。
10.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第二光学层包括中空二氧化硅。
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