KR20210106613A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20210106613A
KR20210106613A KR1020200021048A KR20200021048A KR20210106613A KR 20210106613 A KR20210106613 A KR 20210106613A KR 1020200021048 A KR1020200021048 A KR 1020200021048A KR 20200021048 A KR20200021048 A KR 20200021048A KR 20210106613 A KR20210106613 A KR 20210106613A
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하재흥
김종우
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정우석
김원종
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예의 표시 패널은 표시 소자층, 제1 파장 영역의 광을 반사하는 제1 반사층, 제1 파장 영역과 다른 제2 파장 영역의 광을 반사하는 제2 반사층 및 제1 반사층과 제2 반사층 사이에 배치된 버퍼층을 포함하고, 표시 소자층 상에 배치된 봉지층, 봉지층 상에 배치된 광제어층, 및 광제어층 상에 배치된 컬러필터층을 포함하고, 제1 반사층 및 제2 반사층은 각각 굴절률이 상이한 서브 반사층들을 포함하여 개선된 광효율을 나타낼 수 있다.

Description

표시 패널{DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시 패널에 대한 것으로, 보다 상세하게는 굴절률이 상이한 복수 개의 반사층들을 포함하는 표시 패널에 대한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티 미디어 장치에 사용되는 다양한 표시 장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시 장치는 발광 재료를 발광시켜서 표시를 실현하는 소위 자발광형의 발광소자를 포함한 표시 패널을 포함하고 있다.
양자점을 발광 재료로 사용한 발광소자에 대한 개발이 진행되고 있다. 양자점의 경우 전 방향으로 발광하기 때문에 하부로 발광되는 빛을 활용하기 방안이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 광효율이 개선된 표시 패널을 제공하는 것이다.
일 실시예는 표시 소자층; 제1 파장 영역의 광을 반사하는 제1 반사층, 상기 제1 파장 영역과 다른 제2 파장 영역의 광을 반사하는 제2 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 사이에 배치된 버퍼층을 포함하고, 상기 표시 소자층 상에 배치되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 적어도 하나의 광제어부를 포함하는 광제어층; 및 상기 광제어층 상에 배치되는 컬러필터층; 을 포함하고, 상기 제1 반사층은 제1 굴절률을 갖는 복수 개의 제1 서브 반사층들 및 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 갖는 복수 개의 제2 서브 반사층들을 포함하고, 상기 제2 반사층은 제3 굴절률을 갖는 복수 개의 제3 서브 반사층들 및 상기 제3 굴절률과 다른 제4 굴절률을 갖는 복수 개의 제4 서브 반사층들을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제2 서브 반사층들은 서로 교번하여 적층되고, 적층된 상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제2 서브 반사층들은 각각 5층 이상일 수 있다.
상기 제3 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 서로 교번하여 적층되고, 적층된 상기 제3 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 각각 5층 이상일 수 있다.
상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제3 서브 반사층들은 각각 독립적으로 1.45 이상 1.65 이하의 굴절률을 갖는 것일 수 있다.
상기 제2 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 각각 독립적으로 1.8 이상 2.2 이하의 굴절률을 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 서브 반사층의 굴절률 및 상기 제2 서브 반사층의 굴절률의 차이는 0.15 이상이고, 상기 제3 서브 반사층의 굴절률 및 상기 제4 서브 반사층의 굴절률 차이는 0.15 이상일 수 있다.
상기 버퍼층은 1500Å 이상 7000Å 이하의 두께를 갖는 것일 수 있다.
상기 제1 반사층은 590 nm 이상 700 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하고, 상기 제2 반사층은 490 nm 이상 570 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하는 것일 수 있다.
상기 제1 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 900Å 이상 1200Å 이하이고, 상기 제2 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 700Å 이상 900Å 이하이고, 상기 제1 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제2 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것일 수 있다.
상기 제3 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 800Å 이상 1000Å 이하이고, 상기 제4 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 600Å 이상 800Å 이하이고, 상기 제3 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제4 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것일 수 있다.
상기 제1 반사층이 상기 표시 소자층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 반사층이 상기 광제어층에 인접하여 배치된 것일 수 있다.
상기 제1 반사층이 상기 광제어층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 반사층이 상기 표시 소자층에 인접하여 배치된 것일 수 있다.
상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제3 서브 반사층들은 각각 실리콘산질화물을 포함하고, 상기 제2 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 각각 실리콘질화물을 포함하는 것일 수 있다.
상기 버퍼층은 1.8 이상 2.2 이하의 굴절률을 갖는 것일 수 있다.
다른 일 실시예는 청색광을 발광하는 표시 소자층; 제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치된 유기층, 및 상기 유기층 상에 배치되고 복수 개의 반사층들을 포함하는 제2 무기층을 포함하며, 상기 표시 소자층 상에 배치되는 봉지층; 상기 봉지층 상에 배치되고 청색광을 투과시키는 제1 광제어부, 녹색 양자점을 포함하는 제2 광제어부, 및 적색 양자점을 포함하는 제3 광제어부를 포함하는 광제어층; 및 상기 광제어층 상에 배치되는 컬러필터층; 을 포함하고, 상기 제2 무기층은 제1 굴절률을 갖는 복수 개의 제1 서브 반사층들 및 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지며 상기 제1 서브 반사층들과 교번하여 배치된 복수 개의 제2 서브 반사층들을 포함하는 제1 반사층; 상기 제1 반사층 상에 배치된 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되고 제3 굴절률을 갖는 복수 개의 제3 서브 반사층들 및 상기 제3 굴절률과 다른 제4 굴절률을 가지며 상기 제3 서브 반사층들과 교번하여 배치된 복수 개의 제4 서브 반사층들을 포함하는 제2 반사층; 을 포함하는 표시 패널을 제공한다.
상기 제1 굴절률 및 상기 제3 굴절률은 각각 독립적으로 1.45 이상 1.65 이하인 표시 패널.
상기 제2 굴절률 및 상기 제4 굴절률은 각각 독립적으로 1.8 이상 2.2 이하일 수 있다.
상기 제1 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 900Å 이상 1200Å이하이고, 상기 제2 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 700Å 이상 900Å이하이고, 상기 제1 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제2 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것일 수 있다.
상기 제3 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 800Å 이상 1000Å이하이고, 상기 제4 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 600Å 이상 800Å이하이고, 상기 제3 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제4 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것일 수 있다.
상기 제1 반사층은 490 nm 이상 570 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하고, 상기 제2 반사층은 590 nm 이상 700 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하는 것일 수 있다.
일 실시예는 표시 소자층 상에 배치되는 무기층에 복수 개의 반사층들을 포함하여 광효율이 개선된 표시 패널을 제공할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 분해 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 2의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 3의 AA영역을 확대하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 7은 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 8은 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 9는 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 10은 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 11은 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 12는 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
도 13은 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참고하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 전자 장치(DS)의 사시도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 평면도이다. 도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널(DP)의 단면도이다. 도 4는 다른 실시예를 나타낸 표시 패널(DP-a)의 단면도이다.
일 실시예의 전자 장치(DS)는 윈도우(WP), 표시 패널(DP), 및 외부 케이스(HAU)를 포함하는 것일 수 있다.
도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 방향축은 상대적인 것으로 설명의 편의를 위하여 제3 방향축(DR3) 방향은 사용자에게 영상이 제공되는 방향으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다. 도 1에서 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면은 영상이 제공되는 표시면일 수 있다.
도 1 및 이하 도면들에서는 제1 방향축(DR1) 내지 제3 방향축(DR3)을 도시하였으며, 본 명세서에서 설명되는 방향축은 상대적인 것으로 설명의 편의를 위하여 제3 방향축(DR3) 방향은 사용자에게 영상이 제공되는 방향으로 정의될 수 있다. 또한, 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)은 서로 직교하고, 제3 방향축(DR3)은 제1 방향축(DR1)과 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면에 대한 법선 방향일 수 있다. 도 1에서 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 평면은 영상이 제공되는 표시면 일 수 있다.
투과 영역(TA)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)에 의하여 정의되는 평면 상에서 전자 장치(DS)의 중심부에 배치될 수 있다. 베젤 영역(BA)은 투과 영역(TA)의 주변부에 배치되어 투과 영역(TA)을 둘러싼 프레임 형상을 가질 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 윈도우(WP)는 투과 영역(TA)만을 포함할 수 있으며, 이 경우, 베젤 영역(BA)은 생략될 수 있다. 또한, 베젤 영역(BA)은 투과 영역(TA)의 적어도 일 측에만 배치되는 것일 수 있다.
한편, 도 1에 도시된 것과 달리 일 실시예의 전자 장치(DS)에서 윈도우(WP)는 생략될 수 있다.
평면 상에서, 영상이 표시되는 표시 패널(DP)의 면은 표시면으로 정의된다. 표시면은 영상이 표시되는 표시 영역(DA) 및 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함한다. 표시 영역(DA)은 평면 상에서 표시 패널(DP)의 중앙에 정의되어, 윈도우(WP)의 투과 영역(TA)과 중첩할 수 있다.
외부 케이스(HAU)는 표시 패널(DP)의 표시면인 상부면이 노출되도록 표시 패널(DP)을 커버하여 배치될 수 있다. 외부 케이스(HAU)는 표시 패널(DP)의 측면과 바닥면을 커버하며, 상부면 전체를 노출시키는 것일 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP, DP-a)은 표시 소자층(LED), 봉지층(TFE), 광제어층(CCL), 및 컬러필터층(CFL)을 포함하는 것일 수 있다. 광제어층(CCL)은 양자점(QD-G, QD-R)을 포함하는 적어도 하나의 광제어부(CCP2, CCP3)를 포함하는 것일 수 있다. 봉지층(TFE)은 제1 파장 영역의 광을 반사하는 제1 반사층(RL1), 제1 반사층(RL1) 상에 배치된 버퍼층(BFL), 및 제1 파장 영역과 다른 제2 파장 영역의 광을 반사하고 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제2 반사층(RL2)을 포함하는 것일 수 있다.
봉지층(TFE)은 제1 무기층(IL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IL2, IL2-a)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 무기층(IL2)은 제1 반사층(RL1), 제1 반사층(RL1) 상에 배치된 버퍼층(BFL), 및 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제2 반사층(RL2)을 포함하는 것일 수 있다.
제1 반사층(RL1) 및 제2 반사층(RL2)은 각각 굴절률이 상이한 제1 내지 제4 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 내지 제4 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)은 각각 복수의 층으로 존재하는 것일 수 있다. 제1 서브 반사층(SRL1)은 제1 굴절률을 가지고, 제2 서브 반사층(SRL2)은 제2 굴절률을 가지고, 제3 서브 반사층(SRL3)은 제3 굴절률을 가지며, 제4 서브 반사층(SRL4)은 제4 굴절률을 갖는 것일 수 있다. 제1 반사층(RL1), 제2 반사층(RL2) 및 버퍼층(BFL)에 대해서는 이후 보다 상세히 서술한다.
도 2는 일 실시예의 표시 패널(DP)을 나타낸 것이다. 도 3은 도 2의 I-I'선에 대응하는 부분을 나타낸 단면도이다. 도 4는 도 2의 I-I'선에 대응하는 표시 패널(DP-a)의 다른 실시예를 나타낸 단면도이다.
표시 패널(DP, DP-a)은 비발광 영역(NPXA) 및 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시 패널(DP, DP-a)은 적색광, 녹색광, 청색광을 발광하는 3개의 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 포함하는 것일 수 있다. 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각의 면적은 서로 상이할 수 있으며, 이때 면적은 평면 상에서 보았을 때의 면적을 의미할 수 있다.
도 2를 참조하면, 청색 발광 영역들(PXA-B)과 적색 발광 영역들(PXA-R)은 제1 방향축(DR1)을 따라 번갈아 배열되어 제1 그룹(PXG1)을 구성할 수 있다. 녹색 발광 영역들(PXA-G)은 제1 방향축(DR1)을 따라 배열되어 제2 그룹(PXG2)을 구성할 수 있다. 제1 그룹(PXG1)은 제2 그룹(PXG2)에 대하여 제2 방향축(DR2) 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 그룹(PXG1) 및 제2 그룹(PXG2) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 제1 그룹들(PXG1)과 제2 그룹들(PXG2)은 제2 방향축(DR2)을 따라 서로 번갈아 배열될 수 있다.
하나의 녹색 발광 영역(PXA-G)은 하나의 청색 발광 영역(PXA-B) 또는 하나의 적색 발광 영역(PXA-R)으로부터 제4 방향축(DR4) 방향으로 이격되어 배치될 수 있다. 제4 방향축(DR4) 방향은 제1 방향축(DR1) 방향 및 제2 방향축(DR2) 방향 사이의 방향일 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 일 실시예의 표시 패널(DP, DP-a)은 베이스기판(SUB) 상에 배치된 회로층(CL), 회로층(CL) 상에 배치된 표시 소자층(LED), 표시 소자층(LED) 상에 배치된 봉지층(TFE), 봉지층(TFE) 상에 배치된 광제어층(CCL), 광제어층(CCL) 상에 배치된 컬러필터층(CFL), 컬러필터층(CFL) 상에 배치된 오버코트층(OC)을 포함할 수 있다. 도 4의 표시 패널(DP-a)은 도 3의 표시 패널(DP)과 달리, 광제어층(CCL)과 컬러필터층(CFL) 사이에 배치된 저굴절층(LR)을 더 포함하는 것으로 도시하였다.
베이스기판(SUB)은 폴리머 기판, 플라스틱 기판, 유리 기판, 또는 석영 기판 등일 수 있다. 베이스기판(SUB)은 투명한 절연 기판일 수 있다. 베이스기판(SUB)은 리지드하거나 플렉서블한 것일 수 있다.
회로층(CL)은 복수의 트랜지스터들(미도시)을 포함할 수 있다. 트랜지스터들은 각각 제어 전극, 입력 전극, 및 출력 전극을 포함할 수 있다. 예를 들어, 회로층(CL)은 후술하는 표시 소자층(LED)의 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)을 구동하기 위한 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다.
표시 소자층(LED)은 제1 내지 제3 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)을 포함하는 것일 수 있다. 표시 소자층(LED)은 적색 발광 영역들(PXA-R)과 중첩되는 제1 발광 소자들(LED-1), 녹색 발광 영역들(PXA-G)과 중첩되는 제2 발광 소자들(LED-2) 및 청색 발광 영역들(PXA-B)과 중첩되는 제3 발광 소자들(LED-3)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 소자들(LED-1, LED-2, LED-3)은 각각 순차적으로 적층된 제1 전극(EL1-1, EL1-2, EL1-3), 정공 수송 영역(HTR), 발광층(EML), 전자 수송 영역(ETR) 및 제2 전극(EL2)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광 소자(LED-1, LED-2, LED-3)의 발광층(EML)은 일체의 형상을 가지며, 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 청색광을 생성할 수 있다. 일 실시예의 표시 소자층(LED)은 청색광을 발광하는 것으로, 발광층(EML)은 410 nm 내지 480nm 파장 영역의 광을 생성할 수 있다.
발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)과 비발광 영역(NPXA)은 화소 정의막(PDL)에 의해 구분될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 정의하는 것일 수 있다. 비발광 영역들(NPXA)은 화소 정의막(PDL)과 대응하는 영역일 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 고분자 수지로 형성될 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 폴리아크릴레이트(Polyacrylate)계 수지 또는 폴리이미드(Polyimide)계 수지를 포함하여 형성될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함할 수 있다.
봉지층(TFE)은 표시 소자층(LED) 상에 배치되어 표시 소자층(LED)을 밀봉한다. 봉지층(TFE)는 수분/산소로부터 표시 소자층(LED)을 보호하고, 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(LED)을 보호하는 역할을 할 수 있다. 봉지층(TFE)은 무기층들(IL1, IL2) 및 유기층(OL)이 교대로 반복하여 적층된 구조를 가질 수 있다. 도 3 및 도 4에서는 봉지층(TFE)이 제1 무기층(IL1), 제1 무기층(IL1) 상에 배치된 유기층(OL) 및 유기층(OL) 상에 배치된 제2 무기층(IL2, IL2-a)을 포함하는 것으로 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 봉지층(TFE)은 도 3 및 도 4에 도시된 제1 무기층(IL1), 유기층(OL), 및 제2 무기층(IL2) 이외에 적어도 하나의 무기층 및 유기층을 각각 더 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)이 적어도 하나의 무기층 및 유기층을 각각 더 포함하는 경우에 있어서, 후술하는 제1 반사층(RL1), 제1 반사층(RL1) 상에 배치된 버퍼층(BFL) 및 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제2 반사층(RL2)을 포함하는 제2 무기층(IL2)은 봉지층(TFE)의 최상부에 인접하여 배치된 무기층일 수 있다.
일 실시예의 제2 무기층(IL2, 도 5)은 제1 반사층(RL1), 제1 반사층(RL1) 상에 배치된 버퍼층(BFL) 및 버퍼층(BFL) 상에 배치된 제2 반사층(RL2)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 무기층(IL2, IL2-a)에 대해서는 도 5 내지 도 7에 대한 설명에서 상세히 서술한다.
봉지층(TFE) 상에는 광제어층(CCL)이 배치될 수 있다. 일 실시예의 광제어층(CCL)은 양자점(QD-G, QD-R)을 포함하는 적어도 하나의 광제어부(CCP2, CCP3)를 포함할 수 있다. 광제어층(CCL)은 제1 색광을 투과시키는 제1 광제어부(CCP1), 녹색 양자점(QD-G)을 포함하는 제2 광제어부(CCP2) 및 적색 양자점(QD-R)을 포함하는 제3 광제어부(CCP3)을 포함할 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 투명 수지로 형성된 것이거나, 또는 청색 안료 또는 염료를 더 포함하는 것일 수 있다. 제1 광제어부(CCP1)는 표시 소자층(LED)에서 생성된 제1 색광을 투과시키고, 제2 광제어부(CCP2)는 표시 소자층(LED)에서 생성된 제1 색광을 제2 색광으로 변환시키고, 제3 광제어부(CCP3)는 표시 소자층(LED)에서 생성된 제1 색광을 제3 색광으로 변환시키는 것일 수 있다. 전술한 바와 같이 표시 소자층(LED)은 청색광을 발광하는 것으로, 제1 색광은 청색광일 수 있다. 제2 색광은 녹색광이고, 제3 색광은 적색광일 수 있다. 즉, 제1 광제어부(CCP1)는 청색광을 투과시키고, 제2 광제어부(CCP2)는 청색광을 녹색광으로 변환시키고, 제3 광제어부(CCP3)는 청색광을 적색광으로 변환시키는 것일 수 있다.
양자점(QD-G, QD-R)은 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있는 반도체 나노 결정일 수 있다.
II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, CdS, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
I-III-VI족 화합물은 AgInS2, CuInS2, AgGaS2, CuGaS2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 또는 AgInGaS2, CuInGaS2 등의 사원소 화합물로부터 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InAlP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNP, GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 한편, III-V족 화합물은 II족 금속을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, III- II-V족 화합물로 InZnP 등이 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점(QD-G, QD-R)은 전술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 양자점(QD-G, QD-R)의 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 양자점(QD-G, QD-R)의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NiFe2O4, CoMn2O4등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점(QD-G, QD-R)은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다.
또한, 양자점(QD-G, QD-R)의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점(QD-G, QD-R)은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점(QD-G, QD-R)은 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. 예를 들어, 녹색광을 방출하는 양자점(QD-G)의 입자 크기는 적색광을 방출하는 양자점(QD-R)의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다.
광제어부들(CCP1, CCP2, CPP3) 사이에는 차광부(BM)가 배치될 수 있다. 차광부(BM)는 블랙 안료 또는 블랙 염료를 포함할 수 있다. 차광부(BM)는 빛샘 현상을 방지하고, 인접하는 광제어부들(CCP1, CCP2, CPP3) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 또한, 차광부(BM)는 컬러필터부들(B-CFP, G-CFP, R-CFP) 사이의 경계를 구분하는 것일 수 있다. 차광부(BM)의 적어도 일부분은 이웃하는 컬러필터부들(B-CFP, G-CFP, R-CFP)에 중첩하여 배치될 수 있다.
컬러필터부들(B-CFP, G-CFP, R-CFP)은 일 실시예의 컬러필터층(CFL)에 포함된 것일 수 있다. 컬러필터층(CFL)은 제1 광제어부(CCP1)에 대응하는 제1 컬러필터부(B-CFP), 제2 광제어부(CCP2)에 대응하는 제2 컬러필터부(G-CFP), 제3 광제어부(CCP3)에 대응하는 제3 컬러필터부(R-CFP)를 포함할 수 있다. 제1 컬러필터부(B-CFP)는 청색광을 투과하고, 녹색광 및 적색광을 차단할 수 있다. 제2 컬러필터부(G-CFP)는 녹색광을 투과하고, 청색광 및 적색광을 차단할 수 있다. 제3 컬러필터부(R-CFP)는 적색광을 투과하고, 청색광 및 녹색광을 차단할 수 있다.
컬러필터층(CFL) 상에는 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 평탄화층일 수 있다. 예를 들어, 컬러필터층(CFL)에 도시된 컬러필터부들(B-CFP, G-CFP, R-CFP) 각각의 높이가 다른 경우, 평탄화하기 위해 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 또한, 오버코트층(OC)은 오버코트층(OC)의 하측에 배치된 구성을 보호하는 역할을 할 수 있다.
한편, 도 4의 표시 패널(DP-a)에서는 도 3의 표시 패널(DP)과 달리 광제어층(CCL)과 컬러필터층(CFL) 사이에 저굴절층(LR)을 더 포함하는 것으로 도시하였다. 광제어층(CCL)과 컬러필터층(CFL) 사이에 저굴절층(LR)이 더 포함되는 경우, 광제어층(CCL)에서 컬러필터층(CFL) 방향으로 방출되는 청색광 중 일부는 전반사되어 광제어층(CCL)으로 재입사할 수 있다. 청색광 중 일부는 광제어층(CCL)에 포함된 제2 광제어부(CCP2) 또는 제3 광제어부(CCP3)로 재입사할 수 있다. 상술한 바와 같이 제2 광제어부(CCP2)는 재입사된 청색광을 녹색광으로 변화시킬 수 있고, 제3 광제어부(CCP3)는 재입사된 청색광을 적색광으로 변화시킬 수 있다. 이와 같은 내부 반사를 활용한 광의 재순환을 통해 표시 패널(DP-a)의 광 효율이 향상될 수 있다.
도 5는 도 3의 AA영역을 확대하여 나타낸 것이다. 도 6은 일 실시예의 제2 무기층(IL2)을 나타낸 것이다. 도 7은 다른 일 실시예의 제2 무기층(IL2-a)을 나타낸 것이다.
일 실시예의 제2 무기층(IL2, IL2-a)은 제1 반사층(RL1), 제2 반사층(RL2), 및 제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2) 사이에 배치된 버퍼층(BFL)을 포함하는 것일 수 있다.
도 6에서는 제1 반사층(RL1), 버퍼층(BFL), 제2 반사층(RL2) 순으로 적층된 것을 도시하였다. 제1 반사층(RL1), 버퍼층(BFL), 제2 반사층(RL2) 순으로 적층된 구조는 제1 반사층(RL1)이 표시 소자층(LED)에 인접하게 배치되고, 제2 반사층(RL2)이 광제어층(CCL)에 인접하게 배치된 것일 수 있다.
반면, 도 7에서는 제2 반사층(RL2), 버퍼층(BFL), 제1 반사층(RL1) 순으로 적층된 것을 도시하였다. 제2 반사층(RL2), 버퍼층(BFL), 제1 반사층(RL1) 순으로 적층된 구조는 제2 반사층(RL2)이 표시 소자층(LED)에 인접하게 배치되고, 제1 반사층(RL1)이 광제어층(CCL)에 인접하게 배치된 것일 수 있다.
제1 반사층(RL1)은 복수 개의 제1 서브 반사층들(SRL1) 및 제2 서브 반사층들(SRL2)을 포함하는 것일 수 있다. 제1 서브 반사층들(SRL1)은 제1 굴절률을 갖고, 제2 서브 반사층들(SRL2)은 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률 갖는 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 굴절률 및 제2 굴절률의 차이는 0.15 이상일 수 있다. 제1 굴절률은 제2 굴절률보다 작은 것일 수 있다. 제1 굴절률은 1.45 이상 1.65 이하일 수 있다. 제1 굴절률은 1.5 이상 1.6 이하일 수 있다. 제2 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하일 수 있다. 제2 굴절률은 1.9 이상 2.0 이하일 수 있다.
제1 반사층(RL1)에 포함된 제1 서브 반사층들(SRL1) 및 제2 서브 반사층들(SRL2)의 개수는 동일한 것일 수 있다. 제1 서브 반사층들(SRL1)은 제1-1 서브 반사층(11), 제1-2 서브 반사층(12), 제1-3 서브 반사층(13), 제1-4 서브 반사층(14), 및 제1-5 서브 반사층(15)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 서브 반사층들(SRL2)은 제2-1 서브 반사층(21), 제2-2 서브 반사층(22), 제2-3 서브 반사층(23), 제2-4 서브 반사층(24), 및 제2-5 서브 반사층(25)을 포함하는 것일 수 있다.
도 6 및 도 7에서는, 제1 서브 반사층들(SRL1, 11 내지 15)과 제2 서브 반사층들(SRL2, 21 내지 25)이 교번하여 적층된 것을 도시하였다.
도 6을 참조하면, 제2-1 서브 반사층(21), 제1-1 서브 반사층(11), 제2-2 서브 반사층(22), 제1-2 서브 반사층(12), 제2-3 서브 반사층(23), 제1-3 서브 반사층(13), 제2-4 서브 반사층(24), 제1-4 서브 반사층(14), 제2-5 서브 반사층(25), 및 제1-5 서브 반사층(15) 순으로 적층된 것을 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제1-1 서브 반사층(11)을 시작으로 제1 서브 반사층들(SRL1)과 제2 서브 반사층들(SRL2)이 교번하여 적층될 수 있다. 또한, 제1 서브 반사층들(SRL1) 및 제2 서브 반사층들(SRL2)이 각각 5층 구조인 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 서브 반사층들(SRL1) 및 제2 서브 반사층들(SRL2)은 각각 5층 이상의 구조를 갖고, 제1 서브 반사층들(SRL1)과 제2 서브 반사층들(SRL2)은 교번하여 적층될 수 있다.
제1 서브 반사층들(SRL1, 11 내지 15) 각각의 굴절률은 모두 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1-1 서브 반사층(11)의 굴절률과 제1-2 서브 반사층(12)의 굴절률은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 제1-1 서브 반사층(11)의 굴절률은 1.5일 수 있고, 제1-2 서브 반사층(12)의 굴절률은 1.6일 수 있다. 또는 제1-1 서브 반사층(11)의 굴절률과 제1-2 서브 반사층(12)의 굴절률은 1.5로 동일할 수 있다.
제2 서브 반사층들(SRL2, 21 내지 25) 각각의 굴절률은 모두 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제2-1 서브 반사층(21)의 굴절률과 제2-2 서브 반사층(22)의 굴절률은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 제2-1 서브 반사층(21)의 굴절률은 1.9일 수 있고, 제2-2 서브 반사층(22)의 굴절률은 2.0일 수 있다. 또는 제2-1 서브 반사층(21)의 굴절률과 제2-2 서브 반사층(22)의 굴절률은 1.9로 동일할 수 있다.
제2 반사층(RL2)은 복수 개의 제3 서브 반사층들(SRL3) 및 복수 개의 제4 서브 반사층들(SRL4)을 포함하는 것일 수 있다. 제3 서브 반사층들(SRL3)은 제3 굴절률을 갖고, 제4 서브 반사층들(SRL4)은 제3 굴절률과 다른 제4 굴절률을 갖는 것일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제3 굴절률 및 제4 굴절률의 차이는 0.15 이상일 수 있다. 제3 굴절률은 제4 굴절률보다 작은 것일 수 있다. 제3 굴절률은 1.45 이상 1.65 이하일 수 있다. 제3 굴절률은 1.5 이상 1.6 이하일 수 있다. 제4 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하일 수 있다. 제4 굴절률은 1.9 이상 2.0 이하일 수 있다.
제2 반사층(RL2)에 포함된 제3 서브 반사층들(SRL3) 및 제4 서브 반사층들(SRL4)의 개수는 동일한 것일 수 있다. 제3 서브 반사층들(SRL3)은 제3-1 서브 반사층(31), 제3-2 서브 반사층(32), 제3-3 서브 반사층(33), 제3-4 서브 반사층(34), 및 제3-5 서브 반사층(35)을 포함하는 것일 수 있다. 제4 서브 반사층들(SRL4)은 제4-1 서브 반사층(41), 제4-2 서브 반사층(42), 제4-3 서브 반사층(43), 제4-4 서브 반사층(44), 및 제4-5 서브 반사층(45)을 포함하는 것일 수 있다.
도 6을 참조하면, 제3-1 서브 반사층(31), 제4-1 서브 반사층(41), 제3-2 서브 반사층(32), 제4-2 서브 반사층(42), 제3-3 서브 반사층(33), 제4-3 서브 반사층(43), 제3-4 서브 반사층(34), 제4-4 서브 반사층(44), 제3-5 서브 반사층(35), 및 제4-5 서브 반사층(45)이 순차적으로 적층된 것을 도시하였다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제4-1 서브 반사층(41)을 시작으로 제4 서브 반사층들(SRL4)과 제3 서브 반사층들(SRL3)이 교번하여 적층될 수 있다. 또한, 제3 서브 반사층(SRL3) 및 제4 서브 반사층들(SRL4)이 각각 5층 구조인 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제3 서브 반사층들(SRL3) 및 제4 서브 반사층들(SRL4)은 각각 5층 이상의 구조를 갖고, 제3 서브 반사층들(SRL3)과 제4 서브 반사층들(SRL4)은 교번하여 적층될 수 있다.
제3 서브 반사층들(SRL3, 31 내지 35) 각각의 굴절률은 모두 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제3-1 서브 반사층(31)의 굴절률과 제3-2 서브 반사층(32)의 굴절률은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 제3-1 서브 반사층(31)의 굴절률은 1.5일 수 있고, 제3-2 서브 반사층(32)의 굴절률은 1.6일 수 있다. 또는, 제3-1 서브 반사층(31)의 굴절률과 제3-2 서브 반사층(32)의 굴절률은 1.5로 동일할 수 있다.
제4 서브 반사층들(SRL4, 41 내지 45) 각각의 굴절률은 모두 동일하거나 상이할 수 있다. 예를 들어, 제4-1 서브 반사층(41)의 굴절률과 제4-2 서브 반사층(42)의 굴절률은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 제4-1 서브 반사층(41)의 굴절률은 1.9일 수 있고, 제4-2 서브 반사층(42)의 굴절률은 2.0일 수 있다. 또는, 제4-1 서브 반사층(41)의 굴절률과 제4-2 서브 반사층(42)의 굴절률은 1.9로 동일할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 서브 반사층들(SRL1) 및 제3 서브 반사층들(SRL3)은 각각 실리콘산질화물(Silicon oxynitride)을 포함하는 것일 수 있다. 제2 서브 반사층들(SRL2) 및 제4 서브 반사층들(SRL4)은 각각 실리콘질화물(Silicon nitride)을 포함하는 것일 수 있다. 상대적으로 낮은 제1 굴절률 및 제3 굴절률을 갖는 서브 반사층들(SRL1, SRL3)은 실리콘산질화물을 포함하고, 상대적으로 높은 제2 굴절률 및 제4 굴절률을 갖는 서브 반사층들(SRL2, SRL4)은 실리콘질화물을 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 반사층(RL1)은 제1 파장 영역의 광을 반사하고, 제2 반사층(RL2)은 제1 파장 영역과 다른 제2 파장 영역의 광을 반사하는 것일 수 있다. 제1 파장 영역은 590 nm 이상 700 nm 이하일 수 있고, 제2 파장 영역은 490 nm 이상 570 nm 이하일 수 있다. 즉, 제1 반사층(RL1)은 적색광을 반사하고, 제2 반사층(RL2)은 녹색광을 반사하는 것일 수 있다.
제1 반사층(RL1)은 적색광을 반사하고, 제2 반사층(RL2)은 녹색광을 반사하는 경우, 제1 반사층(RL1)은 표시 소자층(LED)에 인접하여 배치되고, 제2 반사층(RL2)은 광제어층(CCL)에 인접하여 배치되는 것일 수 있다. 즉, 도 6에 도시된 것과 같이 제1 반사층(RL1), 버퍼층(BFL), 및 제2 반사층(RL2) 순으로 적층된 구조일 수 있다.
제1 반사층(RL1)은 적색광을 반사하고, 제2 반사층(RL2)은 녹색광을 반사하는 경우, 제1 서브 반사층들(SRL1)의 두께(D1)는 각각 독립적으로 900Å 이상 1200Å 이하이고, 제2 서브 반사층들(SRL2)의 두께(D2)는 각각 독립적으로 700Å 이상 900Å 이하일 수 있다. 제1 서브 반사층들(SRL1)의 두께(D1)는 상기 제2 서브 반사층들(SRL2)의 두께(D2)보다 큰 것일 수 있다. 또한, 제3 서브 반사층들(SRL3)의 두께(D3)는 각각 독립적으로 800Å 이상 1000Å 이하이고, 제4 서브 반사층들(SRL4)의 두께(D4)는 각각 독립적으로 600Å 이상 800Å 이하일 수 있다. 제3 서브 반사층들(SRL3)의 두께(D3)는 제4 서브 반사층들(SRL4)의 두께(D4)보다 큰 것일 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 것과 같이 제2 반사층(RL2), 버퍼층(BFL), 및 제1 반사층(RL1) 순으로 적층된 구조인 경우에는, 제2 반사층(RL2)이 표시 소자층(LED)에 인접하여 배치되고, 제1 반사층(RL1)이 광제어층(CCL)에 인접하여 배치될 수 있다. 상술한 바와 같이 제2 반사층(RL2)은 녹색광을 반사하고, 제1 반사층(RL1)은 적색광을 반사하는 것일 수 있다.
도 6 및 도 7에서는 제2 무기층(IL2, IL2-a)이 무기 봉지층(IOL)을 더 포함하는 것으로 도시하였다. 무기 봉지층(IOL)은 봉지층(TFE)의 최상부에 배치되어 표시 소자층(LED)을 밀봉하는 것일 수 있다. 무기 봉지층(IOL)은 제2 서브 반사층(SRL2) 및 제4 서브 반사층(SRL4)과 동일한 굴절률 범위를 갖는 것일 수 있다. 무기 봉지층(IOL)은 제2 서브 반사층(SRL2) 및 제4 서브 반사층(SRL4)과 동일한 물질을 포함하는 것일 수 있다. 즉, 무기 봉지층(IOL)의 굴절률은 1.8 이상 2.2 이하일 수 있다. 무기 봉지층(IOL)은 실리콘질화물을 포함하는 것일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 일 실시예의 제2 무기층(IL2, IL2-a)에서 무기 봉지층(IOL)은 생략될 수도 있다.
제1 반사층(RL1) 및 제2 반사층(RL2)은 상술한 바와 같이 복수 개의 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)을 포함할 수 있다. 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)은 이웃하는 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)과 상이한 굴절률을 갖는 것일 수 있다. 적층된 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)은 저굴절층, 고굴절층, 저굴절층, 및 고굴절층의 순서로 반복하여 적층된 것이거나 고굴절층, 저굴절층, 고굴절층, 저굴절층의 순서로 반복하여 적층된 것일 수 있다.
제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2)은 각각 특정 파장 영역의 광을 반사하고, 특정 파장 영역 외의 광은 투과시킬 수 있다. 일 실시예의 제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2)은 표시 패널(DP, DP-a) 내부에서 광의 경로를 바꿀 수 있다. 광제어층(CCL)에서 하부로 발광된 광은 굴절률이 상이한 층들을 통과하면서, 광의 경로가 광제어층(CCL) 방향으로 달라질 수 있다. 이에 따라 광제어층(CCL) 하측으로 발광되어 활용하지 못했던 광을 재활용할 수 있다. 광제어층(CCL)의 하측으로 발광되는 빛을 재활용할 경우, 표시 패널(DP, DP-a)의 광 효율이 개선될 수 있다.
일 실시예에 따른 버퍼층(BFL)은 상대적으로 높은 굴절률을 갖는 제1 서브 반사층(SRL1) 및 제3 서브 반사층(SRL3)과 동일한 범위의 굴절률을 갖는 것일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 제1 굴절률 및 제3 굴절률과 동일한 범위의 굴절률을 갖는 것일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 1.8 이상 2.2 이하의 굴절률을 갖는 것일 수 있다. 버퍼층(BFL)의 굴절률은 이웃하는 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)의 굴절률과 동일하거나 상이한 것일 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)의 굴절률은 이웃하는 제1-5 서브 반사층(15, 도 6)의 굴절률보다 큰 것일 수 있다.
버퍼층(BFL)의 두께(DL)는 서브 반사층들(SRL1, SRL2, SRL3, SRL4)의 두께(D1, D2, D3, D4)보다 큰 것일 수 있다. 버퍼층(BFL)은 1500Å 이상 7000Å의 두께(DL, 도 5)를 갖는 것일 수 있다. 버퍼층(BFL)의 두께(DL)는 1500Å 이상 5000Å 이하일 수 있다.
버퍼층(BFL)은 제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2) 사이에 배치되어, 제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2)을 분리하는 역할을 할 수 있다. 버퍼층(BFL)은 제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2)을 분리하여, 광효율이 개선된 표시 패널(DP, DP-a)을 제공할 수 있다.
도 8 내지 도 13은 파장에 따른 표시 패널의 광투과율을 나타낸 그래프이다. "R"은 적색광의 투과율을 나타내고, G는 녹색광의 투과율을 나타내고, "B"는 청색광의 투과율을 나타내며, "IL2"는 일 실시예의 제2 무기층의 파장 영역에 따른 광투과율을 나타낸 것이다. 상술한 바와 같이 일 실시예의 제2 무기층(IL2, IL2-a)은 제1 파장 영역의 광을 반사하는 제1 반사층(RL1), 제1 파장 영역과 상이한 제2 파장 영역의 광을 반사하는 제2 반사층(RL2), 및 제1 반사층(RL1)과 제2 반사층(RL2) 사이에 배치된 버퍼층(BFL)을 포함하는 것이다.
도 8을 참조하면, 제2 무기층(IL2, IL2-a)은 녹색광과 적색광을 모두 반사시키는 것을 알 수 있다. 광제어층(CCL)에서 하부로 발광된 광이 제2 무기층(IL2, IL2-a)을 통과함에 따라, 광의 경로가 달라질 수 있다. 광제어층(CCL)에서 하부로 발광된 녹색광과 적색광은 제2 무기층(IL2, IL2-a)에서 반사되어, 광의 경로가 광제어층(CCL) 방향으로 바뀌게 될 수 있다. 표시 소자층(LED)에서 상부로 발광된 청색광은 제2 무기층(IL2, IL2-a)을 투과할 수 있다. 이에 따라, 일 실시예의 제1 반사층(RL1), 버퍼층(BFL) 및 제2 반사층(RL2)을 포함하는 표시 패널(DP, DP-a)의 광효율이 개선될 것으로 판단된다.
비교예 1 내지 비교예 5는 제2 무기층에 제1 반사층, 제2 반사층 및 제1 반사층과 제2 반사층 사이에 배치된 버퍼층을 포함하는 것으로, 일 실시예의 제2 무기층과 동일한 적층 구조를 갖는다.
비교예 1 및 비교예 2는 반사층들의 두께가 일 실시예의 반사층들의 두께보다 크거나 작은 값을 갖는 경우를 나타낸 것이다. 비교예 3 및 비교예 4는 적색광 및 녹색광의 두께를 일 실시예의 반사층들의 두께와 달리한 것이다. 비교예 5는 버퍼층의 두께를 일 실시예의 버퍼층의 두께보다 작은 값을 갖는 경우를 나타낸 것이다.
비교예 1은 제1 반사층 및 제2 반사층에 포함된 각각의 서브 반사층들의 두께가 실시예의 반사층들의 두께 범위보다 작은 값을 갖는 경우를 나타낸 것이다. 예를 들어, 제1 반사층이 적색광을 반사하고, 제2 반사층이 녹색광을 반사하는 경우, 비교예 1의 제1 서브 반사층들의 두께는 900Å 미만이고, 제2 서브 반사층들의 두께는 700Å미만이다. 비교예 1의 제3 서브 반사층들의 두께는 800Å 미만이고, 제4 서브 반사층들의 두께는 600Å 미만이다.
도시하지 않았으나, 제1 반사층 및 제2 반사층에 포함된 각각의 서브 반사층들의 굴절률이 실시예의 반사층들의 굴절률 범위 보다 작은 값을 갖는 경우에도 비교예 1과 동일한 결과를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 반사층 및 제3 서브 반사층의 굴절률이 1.45 미만이고, 제2 서브 반사층 및 제4 서브 반사층의 굴절률이 1.8 미만인 경우에도 비교예 1과 동일한 결과를 나타낼 수 있다.
도 9를 참조하면, IL2의 그래프에 비해 비교예 1의 그래프가 단파장으로 이동한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 제1 반사층 및 제2 반사층의 굴절률이 상술한 일 실시예의 굴절률 범위보다 작은 값을 갖는 경우, 적색광의 반사율이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
비교예 2는 제1 반사층 및 제2 반사층에 포함된 각각의 서브 반사층들의 두께가 실시예의 반사층들의 두께 범위 보다 큰 값을 갖는 경우를 나타낸 것이다. 예를 들어, 제1 반사층이 적색광을 반사하고, 제2 반사층이 녹색광을 반사하는 경우, 비교예 2의 제1 서브 반사층들의 두께는 1200Å 초과이고, 제2 서브 반사층들의 두께는 900Å 초과일 수 있다. 비교예 2의 제3 서브 반사층들의 두께는 1000Å 초과이고, 제4 서브 반사층들의 두께는 800Å 초과일 수 있다.
도시하지 않았으나, 제1 반사층 및 제2 반사층에 포함된 각각의 서브 반사층들의 굴절률이 실시예의 반사층들의 굴절률 범위보다 큰 값을 갖는 경우에도 비교예 2와 동일한 결과를 나타낼 수 있다. 비교예 2의 제1 서브 반사층 및 제3 서브 반사층의 굴절률은 1.65를 초과하는 것이고, 제2 서브 반사층 및 제4 서브 반사층의 굴절률은 2.2를 초과하는 것이다.
도 10을 참조하면, IL2의 그래프에 비해, 비교예 2의 그래프가 장파장으로 이동한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 제1 반사층 및 제2 반사층의 굴절률이 상술한 일 실시예의 굴절률 범위보다 큰 값을 갖는 경우, 녹색광의 반사율이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
비교예 3은 녹색광을 반사하는 반사층의 두께가 일 실시예의 반사층에서 녹색광을 반사하는 반사층의 두께 범위보다 작은 값을 갖고, 적색광을 반사하는 반사층의 두께가 일 실시예의 반사층에서 적색광을 반사하는 반사층의 두께 범위 보다 큰 값을 갖는 경우를 나타낸 것이다. 예를 들어, 제1 반사층이 적색광을 반사하고, 제2 반사층이 녹색광을 반사하는 경우, 비교예 3의 제1 서브 반사층들의 두께는 1200Å를 초과하고, 제2 서브 반사층들의 두께는 900Å를 초과하는 것이다. 비교예 3의 제3 서브 반사층들의 두께는 800Å 미만이고, 제4 서브 반사층들의 두께는 600Å 미만이다.
도시하지 않았으나, 제1 서브 반사층의 굴절률은 1.65 초과이고, 제2 서브 반사층의 굴절률은 2.2 초과이고, 제3 서브 반사층의 굴절률은 1.45 미만이고, 제4 서브 반사층의 굴절률은 1.8 미만인 경우에도 비교예 3과 동일한 결과를 나타낼 수 있다.
도 11을 참조하면, IL2의 그래프와 비교하여 비교예 3의 그래프는 560 nm 이상 610nm 이하의 파장 영역에서 피크가 형성된 것을 알 수 있다. 이에 따라, 적색광을 반사하는 반사층의 두께가 상술한 일 실시예의 두께 범위 보다 작은 값을 갖고, 녹색광을 반사하는 반사층의 두께가 상술한 일 실시예의 두께 범위보다 큰 값을 갖는 경우, 560 nm 이상 610 nm 이하의 파장 영역에서 반사율이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
비교예 4는 녹색광을 반사하는 반사층의 두께가 일 실시예의 반사층에서 녹색광을 반사하는 반사층의 두께 범위보다 큰 값을 갖고, 적색광을 반사하는 반사층의 두께가 일 실시예의 반사층에서 적색광을 반사하는 반사층의 두께 범위보다 작은 값을 갖는 경우를 나타낸 것이다. 예를 들어, 제1 반사층이 적색광을 반사하고, 제2 반사층이 녹색광을 반사하는 경우, 비교예 4의 제1 서브 반사층들의 두께는 900Å 미만이고, 제2 서브 반사층들의 두께는 700Å 미만일 수 있다. 비교예 4의 제3 서브 반사층들의 두께는 1000Å 초과이고, 제4 서브 반사층들의 두께는 800Å 초과일 수 있다.
도시하지 않았으나, 제1 서브 반사층의 굴절률이 1.45 미만이고, 제2 서브 반사층의 굴절률이 1.8 미만이고, 제3 서브 반사층의 굴절률이 1.65 초과이고, 제4 서브 반사층의 굴절률이 2.2를 초과하는 경우에도 비교예 4와 동일한 결과를 나타낼 수 있다.
도 12를 참조하면, IL2의 그래프에 비해, 비교예 4의 그래프는 반사율이 0에 근접하는 파장의 범위가 감소한 것을 알 수 있다. 이에 따라, 적색광을 반사하는 반사층의 두께가 상술한 일 실시예의 두께 범위 보다 큰 값을 갖고, 녹색광을 반사하는 반사층의 두께가 상술한 일 실시예의 두께 범위보다 작은 값을 갖는 경우, 적색광 및 녹색광의 반사율이 감소하는 것을 확인할 수 있다.
비교예 5는 버퍼층의 두께가 일 실시예의 버퍼층 두께 범위보다 작은 두께를 갖는 경우를 나타낸 것이다. 즉, 비교예 5의 버퍼층 두께는 1500 Å 미만일 수 있다.
도 13을 참조하면, 버퍼층의 두께가 감소함에 따라, 적색광 및 녹색광의 반사율이 감소한 것을 확인할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층 두께가 20%씩 감소할 때마다, 적색광 및 녹색광의 반사율이 20%씩 감소할 수 있다.
비교예 1 내지 비교예 5에서 각각의 서브 반사층들의 두께 변화량은 약 20 nm이다. 즉, 일 실시예의 제1 내지 제4 서브 반사층들의 두께 범위보다 200Å만큼 큰 두께를 갖거나, 또는 일 실시예의 제1 내지 제4 서브 반사층들의 두께 범위보다 200Å만큼 작은 두께를 갖는 것일 수 있다.
예를 들어, 제1 반사층이 적색광을 반사하고, 제2 반사층이 녹색광을 반사하는 경우, 비교예 1의 제1 서브 반사층들의 두께는 700Å일 수 있고, 제2 서브 반사층들의 두께는 500Å일 수 있다. 비교예 2의 제1 서브 반사층들의 두께는 1400Å일 수 있고, 제2 서브 반사층들의 두께는 1100Å일 수 있다. 비교예 3의 제1 서브 반사층들의 두께는 1400Å일 수 있고, 제2 서브 반사층들의 두께는 1100Å일 수 있고, 제3 서브 반사층들의 두께는 600Å일 수 있고, 제4 서브 반사층들의 두께는 400Å일 수 있다. 또한, 비교예 4의 제1 서브 반사층들의 두께는 700Å일 수 있고, 제2 서브 반사층들의 두께는 500Å일 수 있고, 제3 서브 반사층들의 두께는 1200Å일 수 있고, 제4 서브 반사층들의 두께는 1000Å일 수 있다.비교예 1 내지 비교예 5는 일 실시예의 제2 무기층과 동일한 적층 구조를 갖는 것으로, 상술한 일 실시예의 제1 내지 제4 서브 반사층들의 두께 범위를 벗어나는 경우를 나타낸 것이다. 도 9 내지 도 13을 참조하면, 비교예 1 내지 비교예 5와 비교하여 일 실시예의 제2 무기층은 우수한 광 투과율을 나타내는 것을 알 수 있다. 따라서, 제2 무기층에 포함된 제1 반사층, 제2 반사층 및, 버퍼층이 상술한 일 실시예의 두께 범위를 만족하는 경우 우수한 광 투과율을 나타내고, 일 실시예의 표시 패널은 일 실시예의 제2 무기층을 포함하여 광효율이 개선될 수 있다.
일 실시예는 표시 소자층 상에 배치된 봉지층에 굴절률이 상이한 서브 반사층들을 포함하는 복수의 반사층들을 포함하여, 광효율이 개선된 표시 패널을 제공할 수 있다. 일 실시예의 표시 패널은 복수의 반사층들이 서로 다른 파장 영역의 광을 반사하여, 개선된 광효율을 나타낼 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
LED: 표시 소자층 RL1: 제1 반사층
RL2: 제2 반사층 BFL: 버퍼층
TFE: 봉지층 CCL: 광제어층
CFL: 컬러필터층 SRL1: 제1 서브 반사층
SRL2: 제2 서브 반사층 SRL3: 제3 서브 반사층
SRL4: 제4 서브 반사층

Claims (20)

  1. 표시 소자층;
    제1 파장 영역의 광을 반사하는 제1 반사층, 상기 제1 파장 영역과 다른 제2 파장 영역의 광을 반사하는 제2 반사층, 및 상기 제1 반사층과 상기 제2 반사층 사이에 배치된 버퍼층을 포함하고, 상기 표시 소자층 상에 배치되는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되고, 양자점을 포함하는 적어도 하나의 광제어부를 포함하는 광제어층; 및
    상기 광제어층 상에 배치되는 컬러필터층; 을 포함하고,
    상기 제1 반사층은 제1 굴절률을 갖는 복수 개의 제1 서브 반사층들 및 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 갖는 복수 개의 제2 서브 반사층들을 포함하고,
    상기 제2 반사층은 제3 굴절률을 갖는 복수 개의 제3 서브 반사층들 및 상기 제3 굴절률과 다른 제4 굴절률을 갖는 복수 개의 제4 서브 반사층들을 포함하는 표시 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제2 서브 반사층들은 서로 교번하여 적층되고, 적층된 상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제2 서브 반사층들은 각각 5층 이상인 표시 패널.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 서로 교번하여 적층되고, 적층된 상기 제3 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 각각 5층 이상인 표시 패널.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제3 서브 반사층들은 각각 독립적으로 1.45 이상 1.65 이하의 굴절률을 갖는 표시 패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 각각 독립적으로 1.8 이상 2.2 이하의 굴절률을 갖는 표시 패널.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사층의 굴절률 및 상기 제2 서브 반사층의 굴절률의 차이는 0.15 이상이고,
    상기 제3 서브 반사층의 굴절률 및 상기 제4 서브 반사층의 굴절률 차이는 0.15 이상인 표시 패널.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 1500Å 이상 7000Å 이하의 두께를 갖는 표시 패널.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 590 nm 이상 700 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하고, 상기 제2 반사층은 490 nm 이상 570 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하는 표시 패널.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 900Å 이상 1200Å 이하이고, 상기 제2 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 700Å 이상 900Å 이하이고, 상기 제1 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제2 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것인 표시 패널.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제3 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 800Å 이상 1000Å 이하이고, 상기 제4 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 600Å 이상 800Å 이하이고, 상기 제3 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제4 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것인 표시 패널.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 반사층이 상기 표시 소자층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 반사층이 상기 광제어층에 인접하여 배치된 표시 패널.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 제1 반사층이 상기 광제어층에 인접하여 배치되고, 상기 제2 반사층이 상기 표시 소자층에 인접하여 배치된 표시 패널.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사층들 및 상기 제3 서브 반사층들은 각각 실리콘산질화물을 포함하고, 상기 제2 서브 반사층들 및 상기 제4 서브 반사층들은 각각 실리콘질화물을 포함하는 표시 패널.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 1.8 이상 2.2 이하의 굴절률을 갖는 표시 패널.
  15. 청색광을 발광하는 표시 소자층;
    제1 무기층, 상기 제1 무기층 상에 배치된 유기층, 및 상기 유기층 상에 배치되고 복수 개의 반사층들을 포함하는 제2 무기층을 포함하며, 상기 표시 소자층 상에 배치되는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 배치되고 청색광을 투과시키는 제1 광제어부, 녹색 양자점을 포함하는 제2 광제어부, 및 적색 양자점을 포함하는 제3 광제어부를 포함하는 광제어층; 및
    상기 광제어층 상에 배치되는 컬러필터층; 을 포함하고,
    상기 제2 무기층은
    제1 굴절률을 갖는 복수 개의 제1 서브 반사층들 및 상기 제1 굴절률과 다른 제2 굴절률을 가지며 상기 제1 서브 반사층들과 교번하여 배치된 복수 개의 제2 서브 반사층들을 포함하는 제1 반사층;
    상기 제1 반사층 상에 배치된 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 상에 배치되고 제3 굴절률을 갖는 복수 개의 제3 서브 반사층들 및 상기 제3 굴절률과 다른 제4 굴절률을 가지며 상기 제3 서브 반사층들과 교번하여 배치된 복수 개의 제4 서브 반사층들을 포함하는 제2 반사층; 을 포함하는 표시 패널.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제1 굴절률 및 상기 제3 굴절률은 각각 독립적으로 1.45 이상 1.65 이하인 표시 패널.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 제2 굴절률 및 상기 제4 굴절률은 각각 독립적으로 1.8 이상 2.2 이하인 표시 패널.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 제1 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 900Å 이상 1200Å이하이고, 상기 제2 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 700Å 이상 900Å이하이고, 상기 제1 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제2 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것인 표시 패널.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 제3 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 800Å 이상 1000Å이하이고, 상기 제4 서브 반사층들의 두께는 각각 독립적으로 600Å 이상 800Å이하이고, 상기 제3 서브 반사층들 각각의 두께는 상기 제4 서브 반사층들 각각의 두께보다 큰 것인 표시 패널.
  20. 제 15항에 있어서,
    상기 제1 반사층은 490 nm 이상 570 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하고, 상기 제2 반사층은 590 nm 이상 700 nm 이하의 파장 영역의 광을 반사하는 표시 패널.
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