JP2021022526A

JP2021022526A - 表示装置

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Publication number: JP2021022526A
Application number: JP2019139472A
Authority: JP
Inventors: 親和高杉; Chikakazu Takasugi; 竜一佐藤; Ryuichi Sato
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2019-07-30
Filing date: 2019-07-30
Publication date: 2021-02-18
Also published as: KR20210014568A; KR102372062B1

Abstract

【課題】輝度の高い表示を実現することができる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は第１の色の第１の副画素と、第２の色の第２の副画素と、第３の色の第３の副画素と、第４の色の第４の副画素とを有する画素を有し、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素及び第４の副画素の各々は、第３の色の光を発する発光素子を有し、第１の副画素、第２の副画素及び第４の副画素の各々は、発光素子から発せられた前記第３の色の光の波長を変換する量子ドット層を有し、第１の副画素は、第１の色の第１のカラーフィルタを有し、第２の副画素は、第２の色の第２のカラーフィルタを有し、第４の副画素は、カラーフィルタを介さずに第４の色の光を発する。【選択図】図４

Description

本発明は、表示装置に関する。

有機発光ダイオード（Organic Light-Emitting Diode、ＯＬＥＤ）を発光素子とする表示装置が知られている（特許文献１〜３）。かかる表示装置として、青色のＯＬＥＤを発光素子として用い、量子ドット層をＯＬＥＤから発せられた光の波長を変換する光変換層として用いた表示装置が開発されている（特許文献３）。

特許第５１２４０５１号公報特開２００６−３０８７６８号公報韓国公開特許第１０−２０１７−００９６５８３号公報

光変換層として量子ドット層を用いた場合、量子ドット層による変換率が１００％ではないため、各色の副画素では、量子ドット層からの光がカラーフィルタを介して取り出される。特許文献３に記載の構成において、赤色の副画素では、青色のＯＬＥＤ上に、青色光を赤色光に変換する量子ドット層及び赤色のカラーフィルタが順次配置される。緑色の副画素では、青色のＯＬＥＤ上に、青色光を緑色光に変換する量子ドット層及び緑色のカラーフィルタが順次配置される。青色の副画素では、青色のＯＬＥＤ上に、量子ドット層を介さずに青色のカラーフィルタが配置される。

しかしながら、カラーフィルタが配置されている構成では、カラーフィルタでの光の吸収のためにその副画素の発光効率が低下し、高い輝度を実現することが困難である。

本発明の目的は、上述した課題を鑑み、輝度の高い表示を実現することができる表示装置を提供することにある。

本発明の一観点によれば、第１の色の第１の副画素と、第２の色の第２の副画素と、第３の色の第３の副画素と、第４の色の第４の副画素とを有する画素を有し、前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素及び前記第４の副画素の各々は、前記第３の色の光を発する発光素子を有し、前記第１の副画素、前記第２の副画素及び前記第４の副画素の各々は、前記発光素子から発せられた前記第３の色の光の波長を変換する量子ドット層を有し、前記第１の副画素は、前記第１の色の第１のカラーフィルタを有し、前記第２の副画素は、前記第２の色の第２のカラーフィルタを有し、前記第４の副画素は、カラーフィルタを介さずに前記第４の色の光を発することを特徴とする表示装置が提供される。

本発明によれば、輝度の高い表示を実現することができる。

図１は、本発明の第１実施形態による表示装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、本発明の第１実施形態による表示装置のパネルにおける画素及び副画素の配列の例を示す図である。図３は、本発明の第１実施形態による表示装置の副画素の概略構成を示す回路図である。図４は、本発明の第１実施形態による表示装置の画素の概略構成及びその発光を示す概略図である。図５は、本発明の第１実施形態による表示装置のシアン色の副画素の色座標を示すｘｙ色度図である。図６は、本発明の第２実施形態による表示装置の画素の概略構成及びその発光を示す概略図である。図７は、本発明の第２実施形態による表示装置のマゼンタ色の副画素の色座標を示すｘｙ色度図である。図８は、本発明の第３実施形態による表示装置の画素の概略構成及びその発光を示す概略図である。図９は、本発明の第３実施形態による表示装置の黄色又は白色の副画素の色座標を示すｘｙ色度図である。図１０は、本発明の第４実施形態による表示装置の画素の概略構成及びその発光を示す概略図である。図１１は、本発明の第４実施形態による表示装置のシアン色の副画素の色座標を示すｘｙ色度図である。図１２は、本発明の第５実施形態による表示装置の画素の概略構成及びその発光を示す概略図である。図１３は、本発明の第５実施形態による表示装置の黄色又は白色の副画素の色座標を示すｘｙ色度図である。図１４は、本発明の第６実施形態による表示装置の画素の概略構成を示す概略図である。図１５は、本発明の第７実施形態による表示装置の画素の概略構成を示す概略図である。

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による表示装置について図１乃至図５を用いて説明する。

まず、本実施形態による表示装置の概略構成について図１乃至図３を用いて説明する。
図１は、本実施形態による表示装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、本実施形態による表示装置のパネルにおける画素及び副画素の配列の例を示す図である。図３は、本実施形態による表示装置の副画素の概略構成を示す回路図である。

本実施形態による表示装置は、ＯＬＥＤを画素における発光素子として用い、入力されたＲＧＢデータに基づいて画像を表示する装置である。本実施形態による表示装置の用途は、例えば、コンピュータの画像出力装置、テレビジョン受像機、スマートフォン、ゲーム機等であり得るが、特に限定されるものではない。

図１に示すように、表示装置は、タイミングコントローラ（ＴＣＯＮ）１、パネル２、複数のソースドライブＩＣ（ＳＤＩＣ）３及び複数のゲートドライブＩＣ（ＧＤＩＣ）４を備える。パネル２は行列状に配列された複数の画素を備えており、画像を表示する表示部として機能する。

タイミングコントローラ１は、複数のソースドライブＩＣ３及び複数のゲートドライブＩＣ４と通信可能に接続されている。タイミングコントローラ１は、外部システムから入力されるタイミング信号（垂直同期信号、水平同期信号、データイネーブル信号等）に基づいて、複数のソースドライブＩＣ３及び複数のゲートドライブＩＣ４の動作タイミングを制御する。

後述するように、パネル２における画素は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の各色の副画素に加えて、シアン色（Ｃ）の副画素を第４の副画素として有している。タイミングコントローラ１は、外部システムから入力される入力信号であるＲＧＢデータに基づいて、パネル２の各副画素の輝度を示すＲＧＢＣデータを生成し、ＲＧＢＣデータを複数のソースドライブＩＣ３に出力信号として出力する。なお、ソースドライブＩＣ３及びゲートドライブＩＣ４の個数は、図示したものに限定されるものではない。

複数のソースドライブＩＣ３の各々は、タイミングコントローラ１の制御に応じて、複数のデータラインを介してパネル２内の複数の画素を駆動するための電圧（映像信号）を供給する。複数のゲートドライブＩＣ４の各々は、タイミングコントローラ１の制御に応じて、複数のゲートラインを介してパネル２内の複数の画素にスキャン信号を供給する。このように、タイミングコントローラ１は、表示装置全体の動作を制御する表示制御装置として機能する。

図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それぞれパネル２における画素（Pixel）２０及び副画素（Subpixel）２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃの配列図である。パネル２は、複数の行及び複数の列をなすように配された複数の画素２０を備える。複数の画素２０の各々は、赤色の光を発する副画素２１Ｒ、緑色の光を発する副画素２１Ｇ、青色の光を発する副画素２１Ｂ及びシアン色の光を発する副画素２１Ｃを含む。なお、以下では、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃについて特に色を区別する必要がない場合には単に「副画素２１」と記載する。

副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃは、例えば、図２（ａ）に示すように、画素２０において一定の方向に並んで配置されている。この場合、後述するように、画素２０において、副画素２１Ｒ、副画素２１Ｇ、副画素２１Ｃ及び副画素２１Ｂの順、又は副画素２１Ｒ、副画素２１Ｃ、副画素２１Ｇ及び副画素２１Ｂの順で並ぶように配置されていることが好ましい。

また、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃは、例えば、図２（ｂ）に示すように、画素２０において格子状に配置されていてもよい。この場合、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃは、任意の位置関係で格子状に配置することができる。

副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃの輝度は、ソースドライブＩＣ３から出力される電圧に応じて制御される。副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃが所定の輝度比で発光することにより、画素２０は加法混色によって種々の色を表示することができる。

このように、本実施形態の表示装置は、第４の副画素としてシアン色の副画素２１Ｃを含んでおり、ＲＧＢＣの４色表示に対応した画素構成を有している。

なお、本明細書において、赤色は第１の色、緑色は第２の色、青色は第３の色、シアン色、マゼンタ色、黄色又は白色は第４の色と呼ばれることがある。また、本明細書において、赤色の副画素は第１の副画素、緑色の副画素は第２の副画素、青色の副画素は第３の副画素、シアン色、マゼンタ色、黄色又は白色の副画素は第４の副画素と呼ばれることがある。また、本明細書において、赤色のカラーフィルタは第１のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタは第２のカラーフィルタと呼ばれることがある。

また、本実施形態では、光変換層としての各色の量子ドット層が副画素に適宜形成されている。各色の量子ドット層は、ＯＬＥＤから発せられて入射した光の波長を変換して各色の光を発する波長変換層として機能する。具体的には、例えば、赤色の量子ドット層は、青色のＯＬＥＤから発せられた青色光を変換して赤色光を発する。緑色の量子ドット層は、青色のＯＬＥＤから発せられた青色光を変換して緑色光を発する。シアン色の量子ドット層は、青色のＯＬＥＤから発せられた青色光を変換してシアン色光を発する。黄色の量子ドット層は、青色のＯＬＥＤから発せられた青色光を変換して黄色光を発する。量子ドット層は、例えば、出力波長に対応した粒径、材質等を有する半導体材料等からなる量子ドットが分散された樹脂等の層により構成されている。

図３は、副画素２１の概略構成を示している。図３には複数の画素２０のうちのある１つの画素２０に含まれる副画素２１と、その副画素２１に接続される１つのソースドライブＩＣ３と、その副画素２１に接続される１つのゲートドライブＩＣ４とが図示されている。

副画素２１は、スキャントランジスタＭ１、駆動トランジスタＭ２及びダイオードＤを備える。ダイオードＤは、表示装置の発光素子であり、ＯＬＥＤである。スキャントランジスタＭ１及び駆動トランジスタＭ２は、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。本実施形態では、スキャントランジスタＭ１及び駆動トランジスタＭ２は、ｎチャネル型であるものとする。しかしながら、スキャントランジスタＭ１及び駆動トランジスタＭ２は、ｐチャネル型であってもよい。なお、駆動トランジスタＭ２がｐチャネル型である場合には、副画素２１の回路構成は、図３に示したものとは異なるものであり得る。

ダイオードＤのカソードは電位ＶＳＳを供給する電位線に接続されている。ダイオードＤのアノードは、駆動トランジスタＭ２のソースに接続されている。駆動トランジスタＭ２のドレインは、電位ＶＤＤを供給する電位線に接続されている。駆動トランジスタＭ２のゲートは、スキャントランジスタＭ１のソースに接続されている。

スキャントランジスタＭ１のドレインには、データラインＤＬが接続されている。ソースドライブＩＣ３は、データラインＤＬを介してスキャントランジスタＭ１のドレインに映像信号を供給する。スキャントランジスタＭ１のゲートには、ゲートラインＧＬが接続されている。ゲートドライブＩＣ４は、ゲートラインＧＬを介してスキャントランジスタＭ１のゲートに制御信号を供給する。スキャントランジスタＭ１は、ゲートに入力される制御信号のレベルに応じてオン又はオフに制御される。

駆動トランジスタＭ２のドレインソース間を流れる電流は、データラインＤＬ及びスキャントランジスタＭ１を介してソースドライブＩＣ３から駆動トランジスタＭ２のゲートに入力される電圧（映像信号）に基づいて制御される。ダイオードＤには、駆動トランジスタＭ２のドレインソース間を流れる電流が供給され、ダイオードＤはその電流に応じた輝度で発光する。このようにして、ダイオードＤは、副画素２１に入力される映像信号に応じた輝度で発光する。

次に、本実施形態による表示装置の画素２０についてさらに図４及び図５を用いて説明する。図４（ａ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の概略構成を示す断面図である。図４（ｂ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の発光を示す概略図である。図５は、シアン色の副画素２１Ｃの色座標を示すｘｙ色度図である。

図４（ａ）に示すように、パネル２における各画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、シアン色の副画素２１Ｃをも有している。

パネル２は、素子基板１００と、カラーフィルタ基板２００とを有している。カラーフィルタ基板２００は、素子基板１００の素子形成面に対向するように配置されている。本実施形態による表示装置は、素子基板１００におけるガラス基板３０の素子形成面側から光が発せられるトップエミッション型のものである。すなわち、本実施形態による表示装置は、素子基板１００におけるガラス基板３０の素子形成面側が表示面の側である。

素子基板１００は、透明基板であるガラス基板３０と、青色の光を発する発光素子である青色のＯＬＥＤ３２とを有している。なお、以下では、パネル２の基板としてガラス基板３０及び後述のガラス基板４０、５０、６０を用いる場合を例に説明するが、これらのガラス基板に代えて、柔軟性を有する透明樹脂基板等の種々の透明基板を用いることができる。

各画素２０において、ガラス基板３０の素子形成面上には、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃに対応するように金属電極からなる４つのアノード電極３４が形成されている。各アノード電極３４上には、青色の光を発する有機発光材料からなる青色有機発光層３６が形成されている。各青色有機発光層３６上には、透明電極からなる共通のカソード電極３８が形成されている。

こうして、各画素２０において、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃごとに、アノード電極３４と、青色有機発光層３６と、カソード電極３８とを有するＯＬＥＤ３２が形成されている。カソード電極３８が形成されたガラス基板３０の全面には、図示しない封止膜等が形成されている。

一方、カラーフィルタ基板２００は、透明基板であるガラス基板４０と、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇと、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇ、４６Ｇとを有している。

ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、赤色の副画素２１ＲのＯＬＥＤ３２に対向するように、赤色のカラーフィルタ４２Ｒが形成されている。カラーフィルタ４２Ｒの素子基板１００に対向する面には、赤色の量子ドット層４４Ｒが形成されている。赤色の量子ドット層４４Ｒは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して赤色光を発する。量子ドット層４４Ｒから発せられる光は、赤色光とともに未変換の青色光が含まれる。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、赤色の量子ドット層４４Ｒと、赤色のカラーフィルタ４２Ｒとを有する赤色の副画素２１Ｒが構成されている。

また、ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、緑色の副画素２１ＧのＯＬＥＤ３２に対向するように、緑色のカラーフィルタ４２Ｇが形成されている。カラーフィルタ４２Ｇの素子基板１００に対向する面には、緑色の量子ドット層４４Ｇが形成されている。緑色の量子ドット層４４Ｇは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して緑色光を発する。量子ドット層４４Ｇから発せられる光は、緑色光とともに未変換の青色光が含まれる。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、緑色の量子ドット層４４Ｇと、緑色のカラーフィルタ４２Ｇとを有する緑色の副画素２１Ｇが構成されている。

また、ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、シアン色の副画素２１ＣのＯＬＥＤ３２に対向するように、緑色の量子ドット層４６Ｇが形成されている。緑色の量子ドット層４６Ｇは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して緑色光を発する。量子ドット層４６Ｇから発せられる光は、緑色光とともに未変換の青色光が含まれる。量子ドット層４６Ｇは、緑色光と青色光との混色光であるシアン色光を発する変換率となるように厚さが調整されて形成されている。このため、例えば、量子ドット層４６Ｇは、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されていることが好ましい。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、緑色の量子ドット層４６Ｇとを有するシアン色の副画素２１Ｃが構成されている。なお、副画素２１Ｃは、シアン色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。すなわち、副画素２１Ｃは、シアン色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを介さずにシアン色光を発する。なお、本明細書にいう副画素がカラーフィルタを有しない場合には、副画素が物理的にカラーフィルタを有しない場合のほか、透明のカラーフィルタを有する場合も含まれる。

一方、ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、青色の副画素２１ＢのＯＬＥＤ３２に対向するようにはカラーフィルタも量子ドット層も形成されていない。このため、青色の副画素２１Ｂは、青色のＯＬＥＤ３２を有するが、青色のカラーフィルタその他のカラーフィルタも量子ドット層も有していない。すなわち、副画素２１Ｂは、青色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを介さずに青色光を発する。

なお、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ及び量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇ、４６Ｇが形成されたガラス基板４０の全面には、図示しない封止膜等が形成されている。

こうして、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃを有する画素２０が構成されている。

図４（ｂ）には、各副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃの発光を模式的に示している。図４（ｂ）中、矢印Ｌｒは赤色光、矢印Ｌｇは緑色光、矢印Ｌｂは青色光を示し、各矢印の数で光量を示している。また、図４（ｂ）中に示す各構成要素の配置は、便宜上、図４（ａ）に示す各構成要素の配置とは一致していない。

赤色の副画素２１Ｒでは、図４（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、赤色の量子ドット層４４Ｒにより赤色光Ｌｒに変換されて量子ドット層４４Ｒから発せられる。この際、量子ドット層４４Ｒの変換率が１００％でないため、量子ドット層４４Ｒからは、赤色光Ｌｒとともに、未変換の青色光Ｌｂが発せられる。また、量子ドット層４４Ｒでは、青色光Ｌｂの一部が失活し又は吸収される。次いで、量子ドット層４４Ｒから発せられた赤色光Ｌｒは、赤色のカラーフィルタ４２Ｒを透過してパネル２の表示面から発せられる。この際、量子ドット層４４Ｒから発せられた青色光Ｌｂは、カラーフィルタ４２Ｒにより吸収される。

緑色の副画素２１Ｇでは、図４（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、緑色の量子ドット層４４Ｇにより緑色光Ｌｇに変換されて量子ドット層４４Ｇから発せられる。この際、量子ドット層４４Ｇの変換率が１００％でないため、量子ドット層４４Ｇからは、緑色光Ｌｇとともに、未変換の青色光Ｌｂが発せられる。また、量子ドット層４４Ｇでは、青色光Ｌｂの一部が失活し又は吸収される。次いで、量子ドット層４４Ｇから発せられた緑色光Ｌｇは、緑色のカラーフィルタ４２Ｇを透過してパネル２の表示面から発せられる。この際、量子ドット層４４Ｇから発せられた青色光Ｌｂは、カラーフィルタ４２Ｇにより吸収される。

シアン色の副画素２１Ｃでは、図４（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、緑色の量子ドット層４６Ｇにより緑色光Ｌｇに変換されて量子ドット層４６Ｇから発せられる。この際、量子ドット層４６Ｇは上述のように厚さが調整されて形成されているため、量子ドット層４６Ｇからは、緑色光Ｌｇと未変換の青色光Ｌｂとを含むシアン色光が発せられる。図５にシアン色の副画素２１Ｃの色座標を示す。また、量子ドット層４６Ｇは、例えば、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されているため、量子ドット層４４Ｇと比較して青色光Ｌｂの失活も吸収も少ない。次いで、量子ドット層４６Ｇから発せられた緑色光Ｌｇと青色光Ｌｂとを含むシアン色光は、カラーフィルタを介さずにパネル２の表示面から発せられる。

青色の副画素２１Ｂでは、図４（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、量子ドット層もカラーフィルタも介さずにそのままパネル２の表示面から発せられる。

このように、本実施形態によれば、画素２０は、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに加えて、カラーフィルタを有しない副画素２１Ｃをも有している。副画素２１Ｃは、カラーフィルタを有しないため、副画素２１Ｒ、２１Ｇと比較して発光効率を高い。このように、本実施形態によれば、発光効率の高い副画素２１Ｃをも用いて表示を行うことができるため、輝度の高い表示を実現することができる。

例えば、本実施形態では、赤色の副画素２１Ｒ及びシアン色の副画素２１Ｃの発光、又は赤色の副画素２１Ｒ、青色の副画素２１Ｂ及びシアン色の副画素２１Ｃの発光により、白表示を実現することができる。いずれの場合もカラーフィルタを有しない副画素２１Ｃを用いて白表示を実現するため、高い輝度の白表示を実現することができる。

第４の副画素としての副画素２１Ｃは、発光効率が高く、また、白表示のために頻繁に使用されうる副画素である。このため、画素２０において端側よりも中央側に配置されていることが好ましい。例えば、画素２０において副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃが一方向に並んで配置されている場合、副画素２１Ｃは、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃの並びの一方の端から２番目又は３番目の位置に配置されていることが好ましい。

このように、本実施形態によれば、ＯＬＥＤ及び量子ドット層を用いた表示装置において輝度の高い表示を実現することができる。

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による表示装置について図６及び図７を用いて説明する。なお、上記第１実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。

本実施形態による表示装置の基本的構成は、上記第１実施形態による表示装置の構成と同様である。本実施形態による表示装置は、シアン色の副画素２１Ｃに代えて、マゼンタ色の副画素２１Ｍを画素２０が有する点で第１実施形態による表示装置とは異なっている。

以下、本実施形態による表示装置における画素２０について図６及び図７を用いて説明する。図６（ａ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の概略構成を示す断面図である。図６（ｂ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の発光を示す概略図である。図７は、マゼンタ色の副画素２１Ｍの色座標を示すｘｙ色度図である。

図６（ａ）に示すように、パネル２における画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、マゼンタ色の副画素２１Ｍをも有している。

ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、マゼンタ色の副画素２１ＭのＯＬＥＤ３２に対向するように、赤色の量子ドット層４６Ｒが形成されている。赤色の量子ドット層４６Ｒは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して赤色光を発する。量子ドット層４６Ｒから発せられる光は、赤色光とともに未変換の青色光が含まれる。量子ドット層４６Ｒは、赤色光と青色光との混色光であるマゼンタ色光を発する変換率となるように厚さが調整されて形成されている。このため、例えば、量子ドット層４６Ｒは、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されていることが好ましい。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、赤色の量子ドット層４６Ｒとを有するマゼンタ色の副画素２１Ｍが構成されている。なお、副画素２１Ｍは、マゼンタ色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。すなわち、副画素２１Ｍは、マゼンタ色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを介さずにマゼンタ色光を発する。

図６（ｂ）には、各副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｍの発光を模式的に示している。図６（ｂ）中、矢印Ｌｒは赤色光、矢印Ｌｇは緑色光、矢印Ｌｂは青色光を示し、各矢印の数で光量を示している。また、図６（ｂ）中に示す各構成要素の配置は、便宜上、図６（ａ）に示す各構成要素の配置とは一致していない。

マゼンタ色の副画素２１Ｍでは、図６（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、赤色の量子ドット層４６Ｒにより赤色光Ｌｒに変換されて量子ドット層４６Ｒから発せられる。この際、量子ドット層４６Ｒは上述のように厚さが調整されて形成されているため、量子ドット層４６Ｒからは、赤色光Ｌｒと未変換の青色光Ｌｂとを含むマゼンタ色光が発せられる。図７にマゼンタ色の副画素２１Ｍの色座標を示す。また、量子ドット層４６Ｒは、例えば、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されているため、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇと比較して青色光Ｌｂの失活も吸収も少ない。次いで、量子ドット層４６Ｒから発せられた赤色光Ｌｒと青色光Ｌｂとを含むマゼンタ色光は、カラーフィルタを介さずにパネル２の表示面から発せられる。

このように、本実施形態によれば、画素２０は、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに加えて、カラーフィルタを有しない副画素２１Ｍをも有している。副画素２１Ｍは、カラーフィルタを有しないため、副画素２１Ｒ、２１Ｇと比較して発光効率を高い。このように、本実施形態によれば、発光効率の高い副画素２１Ｍをも用いて表示を行うことができるため、輝度の高い表示を実現することができる。

例えば、本実施形態では、緑色の副画素２１Ｇ及びマゼンタ色の副画素２１Ｍの発光、又は緑色の副画素２１Ｇ、青色の副画素２１Ｂ及びマゼンタ色の副画素２１Ｍの発光により、白表示を実現することができる。いずれの場合もカラーフィルタを有しない副画素２１Ｍを用いて白表示を実現するため、高い輝度の白表示を実現することができる。

第４の副画素としての副画素２１Ｍは、発光効率が高く、また、白表示のために頻繁に使用されうる副画素である。このため、画素２０において端部側よりも中央側に配置されていることが好ましい。例えば、画素２０において副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｍが一方向に並んで配置されている場合、副画素２１Ｍは、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｍの並びの一方の端から２番目又は３番目の位置に配置されていることが好ましい。

［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による表示装置について図８及び図９を用いて説明する。なお、上記第１及び第２実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。

本実施形態による表示装置の基本的構成は、上記第１実施形態による表示装置の構成と同様である。本実施形態による表示装置は、シアン色の副画素２１Ｃに代えて、黄色又は白色の副画素２１ＹＷの画素２０が有する点で第１実施形態による表示装置とは異なっている。

以下、本実施形態による表示装置における画素２０について図８及び図９を用いて説明する。図８（ａ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の概略構成を示す断面図である。図８（ｂ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の発光を示す概略図である。図９は、黄色又は白色の副画素２１ＹＷの色座標を示すｘｙ色度図である。

図８（ａ）に示すように、パネル２における画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、黄色又は白色の副画素２１ＹＷをも有している。

ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、黄色又は白色の副画素２１ＹＷのＯＬＥＤ３２に対向するように、赤色の量子ドット層４６Ｒ及び緑色の量子ドット層４６Ｇが形成されている。赤色の量子ドット層４６Ｒは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して赤色光を発する。量子ドット層４６Ｒから発せられる光は、赤色光とともに未変換の青色光が含まれる。量子ドット層４６Ｒは、青色光の透過量が所定の透過量になるように厚さが調整されて形成されている。このため、例えば、量子ドット層４６Ｒは、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されていることが好ましい。また、緑色の量子ドット層４６Ｇは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して緑色光を発する。量子ドット層４６Ｇから発せられる光は、緑色光とともに未変換の青色光が含まれる。量子ドット層４６Ｇは、青色光の透過量が所定の透過量になるように厚さが調整されて形成されている。このため、例えば、量子ドット層４６Ｇは、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されていることが好ましい。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、赤色の量子ドット層４６Ｒと、緑色の量子ドット層４６Ｇとを有する黄色又は白色の副画素２１ＹＷが構成されている。なお、副画素２１ＹＷは、黄色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。すなわち、副画素２１ＹＷは、黄色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを介さずに黄色光又は白色光を発する。

副画素２１ＹＷは、赤色の量子ドット層４６Ｒの青色光の透過量及び緑色の量子ドット層４６Ｇの青色光の透過量のうちの一方又は両方を適宜調整することにより、黄色の副画素として構成することもできるし、白色の副画素として構成することもできる。なお、以下では、副画素２１ＹＷを黄色の副画素として構成した場合に副画素２１Ｙと表記し、副画素２１ＹＷを白色の副画素として構成した場合に副画素２１Ｗと表記する。

図８（ｂ）には、各副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１ＹＷの発光を模式的に示している。図８（ｂ）中、矢印Ｌｒは赤色光、矢印Ｌｇは緑色光、矢印Ｌｂは青色光を示し、各矢印の数で光量を示している。また、図８（ｂ）中に示す各構成要素の配置は、便宜上、図８（ａ）に示す各構成要素の配置とは一致していない。

黄色又は白色の副画素２１ＹＷでは、図８（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、赤色の量子ドット層４６Ｒにより赤色光Ｌｒに変換されて量子ドット層４６Ｒから発せられ、緑色の量子ドット層４６Ｇにより緑色光Ｌｇに変換されて量子ドット層４６Ｇから発せられる。この際、量子ドット層４６Ｒ、４６Ｇは上述のように厚さが調整されて形成されているため、量子ドット層４６Ｒ、４６Ｇからは、赤色光Ｌｒと緑色光Ｌｇと未変換の青色光Ｌｂとを含む黄色光又は白色光が発せられる。図９に黄色又は白色の副画素２１ＹＷの色座標を示す。また、量子ドット層４６Ｒ、４６Ｇは、例えば、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されているため、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇと比較して青色光Ｌｂの失活も吸収も少ない。次いで、量子ドット層４６Ｒ、４６Ｇから発せられた赤色光Ｌｒと緑色光Ｌｇと青色光Ｌｂとを含む黄色光又は白色光は、カラーフィルタを介さずにパネル２の表示面から発せられる。

このように、本実施形態によれば、画素２０は、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに加えて、カラーフィルタを有しない副画素２１ＹＷをも有している。副画素２１ＹＷは、カラーフィルタを有しないため、副画素２１Ｒ、２１Ｇと比較して発光効率を高い。このように、本実施形態によれば、発光効率の高い副画素２１ＹＷをも用いて表示を行うことができるため、輝度の高い表示を実現することができる。

例えば、本実施形態では、白色の副画素２１Ｗの発光、青色の副画素２１Ｂ及び白色の副画素２１Ｗの発光、又は青色の副画素２１Ｂ及び黄色の副画素２１Ｙの発光により、白表示を実現することができる。いずれの場合もカラーフィルタを有しない副画素２１Ｙ又は副画素２１Ｗを用いて白表示を実現するため、高い輝度の白表示を実現することができる。

第４の副画素としての副画素２１ＹＷは、発光効率が高く、また、白表示のために頻繁に使用されうる副画素である。このため、画素２０において端部側よりも中央側に配置されていることが好ましい。例えば、画素２０において副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１ＹＷが一方向に並んで配置されている場合、副画素２１ＹＷは、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１ＹＷの並びの一方の端から２番目又は３番目の位置に配置されていることが好ましい。

［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による表示装置について図１０及び図１１を用いて説明する。なお、上記第１乃至第３実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。

本実施形態による表示装置の基本的構成は、上記第１実施形態による表示装置の構成と同様である。本実施形態による表示装置は、第１実施形態によるシアン色の副画素２１Ｃとは構成の異なるシアン色の副画素２１Ｃｃを画素２０が有する点で第１実施形態による表示装置とは異なっている。

以下、本実施形態による表示装置における画素２０について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０（ａ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の概略構成を示す断面図である。図１０（ｂ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の発光を示す概略図である。図１１は、シアン色の副画素２１Ｃｃの色座標を示すｘｙ色度図である。

図１０（ａ）に示すように、パネル２における画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、シアン色の副画素２１Ｃｃをも有している。

ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、シアン色の副画素２１ＣｃのＯＬＥＤ３２に対向するように、シアン色の量子ドット層４６Ｃが形成されている。シアン色の量子ドット層４６Ｃは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換してシアン色光を発する。量子ドット層４６Ｃから発せられる光は、シアン色光とともに未変換の青色光が含まれる。量子ドット層４６Ｃは、シアン色光を発する変換率となるように厚さが調整されて形成されている。このため、例えば、量子ドット層４６Ｒは、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されていることが好ましい。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、シアン色の量子ドット層４６Ｃとを有するシアン色の副画素２１Ｃｃが構成されている。なお、副画素２１Ｃｃは、シアン色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。すなわち、副画素２１Ｃｃは、シアン色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを介さずにシアン色光を発する。

図１０（ｂ）には、各副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃｃの発光を模式的に示している。図１０（ｂ）中、矢印Ｌｒは赤色光、矢印Ｌｇは緑色光、矢印Ｌｂは青色光、矢印Ｌｃはシアン色光を示し、各矢印の数で光量を示している。また、図１０（ｂ）中に示す各構成要素の配置は、便宜上、図１０（ａ）に示す各構成要素の配置とは一致していない。

シアン色の副画素２１Ｃｃでは、図１０（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、シアン色の量子ドット層４６Ｃによりシアン色光Ｌｃに変換されて量子ドット層４６Ｃから発せられる。この際、量子ドット層４６Ｃは上述のように厚さが調整されて形成されているため、量子ドット層４６Ｃからは、シアン色光Ｌｃと未変換の青色光Ｌｂとを含むシアン色光が発せられる。図１１にシアン色の副画素２１Ｃｃの色座標を示す。シアン色の量子ドット層４６Ｃを用いると、青色と緑色との混色によるシアン色よりもｘｙ色度図において外側のシアン色を表示することができる。また、量子ドット層４６Ｃは、例えば、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されているため、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇと比較して青色光Ｌｂの失活も吸収も少ない。次いで、量子ドット層４６Ｃから発せられたシアン色光Ｌｃと青色光Ｌｂとを含むシアン色光は、カラーフィルタを介さずにパネル２の表示面から発せられる。

このように、本実施形態によれば、画素２０は、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに加えて、カラーフィルタを有しない副画素２１Ｃｃをも有している。副画素２１Ｃｃは、カラーフィルタを有しないため、副画素２１Ｒ、２１Ｇと比較して発光効率を高い。このように、本実施形態によれば、発光効率の高い副画素２１Ｃｃをも用いて表示を行うことができるため、輝度の高い表示を実現することができる。

例えば、本実施形態では、赤色の副画素２１Ｒ及びシアン色の副画素２１Ｃｃの発光、又は赤色の副画素２１Ｒ、青色の副画素２１Ｂ及びシアン色の副画素２１Ｃの発光により、白表示を実現することができる。いずれの場合もカラーフィルタを有しない副画素２１Ｃｃを用いて白表示を実現するため、高い輝度の白表示を実現することができる。

第４の副画素としての副画素２１Ｃｃは、発光効率が高く、また、白表示のために頻繁に使用されうる副画素である。このため、画素２０において端部側よりも中央側に配置されていることが好ましい。例えば、画素２０において副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃｃが一方向に並んで配置されている場合、副画素２１Ｃｃは、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃｃの並びの一方の端から２番目又は３番目の位置に配置されていることが好ましい。

このように、本実施形態によれば、ＯＬＥＤ及び量子ドット層を用いた表示装置において輝度の高い表示を実現することができる。
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による表示装置について図１２及び図１３を用いて説明する。なお、上記第１乃至第４実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。

本実施形態による表示装置の基本的構成は、上記第１実施形態による表示装置の構成と同様である。本実施形態による表示装置は、第１実施形態によるシアン色の副画素２１Ｃに代えて、第３実施形態による黄色又は白色の副画素２１ＹＷとは構成の異なる黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙを画素２０が有する点で第１実施形態による表示装置とは異なっている。

以下、本実施形態による表示装置における画素２０について図１２及び図１３を用いて説明する。図１２（ａ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の概略構成を示す断面図である。図１２（ｂ）は、本実施形態による表示装置の画素２０の発光を示す概略図である。図１３は、黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙの色座標を示すｘｙ色度図である。

図１２（ａ）に示すように、パネル２における画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙをも有している。

ガラス基板４０の素子基板１００に対向する面には、黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙのＯＬＥＤ３２に対向するように、黄色の量子ドット層４６Ｙが形成されている。黄色の量子ドット層４６Ｙは、光の波長を変換する光変換層として機能し、ＯＬＥＤ３２から発せられて入射した青色光の波長を変換して黄色光を発する。量子ドット層４６Ｙから発せられる光は、黄色光とともに未変換の青色光が含まれる。量子ドット層４６Ｙは、青色光の透過量が所定の透過量となるように厚さが調整されて形成されている。このため、例えば、量子ドット層４６Ｙは、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されていることが好ましい。

こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、黄色の量子ドット層４６Ｙとを有する黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙが構成されている。なお、副画素２１ＹＷｙは、黄色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。すなわち、副画素２１ＹＷｙは、黄色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを介さずに黄色光又は白色光を発する。

副画素２１ＹＷｙは、黄色の量子ドット層４６Ｙの青色光の透過量を適宜調整することにより、黄色の副画素として構成することもできるし、白色の副画素として構成することもできる。なお、以下では、副画素２１ＹＷｙを黄色の副画素として構成した場合に副画素２１Ｙｙと表記し、副画素２１ＹＷｙを白色の副画素として構成した場合に副画素２１Ｗｙと表記する。

図１２（ｂ）には、各副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１ＹＷｙの発光を模式的に示している。図１２（ｂ）中、矢印Ｌｒは赤色光、矢印Ｌｇは緑色光、矢印Ｌｂは青色光、矢印Ｌｙは黄色光を示し、各矢印の数で光量を示している。また、図１２（ｂ）中に示す各構成要素の配置は、便宜上、図１２（ａ）に示す各構成要素の配置とは一致していない。

黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙでは、図１２（ｂ）に示すように、まず、ＯＬＥＤ３２から青色光Ｌｂが発せられる。次いで、青色光Ｌｂは、黄色の量子ドット層４６Ｙにより黄色光Ｌｙに変換されて量子ドット層４６Ｙから発せられる。この際、量子ドット層４６Ｙは上述のように厚さが調整されて形成されているため、量子ドット層４６Ｙからは、黄色光Ｌｙと未変換の青色光Ｌｂとを含む黄色光又は白色光が発せられる。図１３に黄色又は白色の副画素２１ＹＷｙの色座標を示す。また、量子ドット層４６Ｙは、例えば、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇよりも薄く形成されているため、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇと比較して青色光Ｌｂの失活も吸収も少ない。次いで、量子ドット層４６Ｙから発せられた黄色光Ｌｙと青色光Ｌｂとを含む黄色光又は白色光は、カラーフィルタを介さずにパネル２の表示面から発せられる。

このように、本実施形態によれば、画素２０は、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂに加えて、カラーフィルタを有しない副画素２１ＹＷｙをも有している。副画素２１ＹＷｙは、カラーフィルタを有しないため、副画素２１Ｒ、２１Ｇと比較して発光効率を高い。このように、本実施形態によれば、発光効率の高い副画素２１ＹＷｙをも用いて表示を行うことができるため、輝度の高い表示を実現することができる。

例えば、本実施形態では、白色の副画素２１Ｗｙの発光、青色の副画素２１Ｂ及び白色の副画素２１Ｗｙの発光、又は青色の副画素２１Ｂ及び黄色の副画素２１Ｙｙの発光により、白表示を実現することができる。いずれの場合もカラーフィルタを有しない副画素２１Ｙｙ又は副画素２１Ｗｙを用いて白表示を実現するため、高い輝度の白表示を実現することができる。

第４の副画素としての副画素２１ＹＷｙは、発光効率が高く、また、白表示のために頻繁に使用されうる副画素である。このため、画素２０において端部側よりも中央側に配置されていることが好ましい。例えば、画素２０において副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１ＹＷｙが一方向に並んで配置されている場合、副画素２１ＹＷｙは、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１ＹＷｙの並びの一方の端から２番目又は３番目の位置に配置されていることが好ましい。

［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による表示装置について図１４を用いて説明する。図１４は、本実施形態による表示装置の画素の概略構成を示す概略図である。なお、上記第１乃至第５実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。

上記第１乃至第５実施形態では、ＯＬＥＤが素子基板１００に形成され、カラーフィルタ及び量子ドット層がカラーフィルタ基板２００に形成された構成について説明したが、これに限定されるものではない。ＯＬＥＤ、量子ドット層及びカラーフィルタは、単一のガラス基板上に形成されていてもよい。

本実施形態では、第１実施形態と同様の４つの副画素を含む画素が単一のガラス基板上に形成されている場合について説明する。なお、第２乃至第５実施形態と同様の４つの副画素を含む画素についても本実施形態と同様に単一のガラス基板上に形成することができる。

図１４に示すように、パネル２における画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、シアン色の副画素２１Ｃをも有している。

パネル２は、ガラス基板５０を有するが、ガラス基板５０に対向するカラーフィルタ基板を有していない。本実施形態による表示装置は、ガラス基板５０の素子形成面側から光が発せられるトップエミッション型のものである。すなわち、本実施形態による表示装置は、ガラス基板５０の素子形成面側が表示面の側である。

透明基板であるガラス基板５０の素子形成面上には、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃに対応するように４つのアノード電極３４が形成されている。各アノード電極３４上には、青色有機発光層３６が形成されている。各青色有機発光層３６上には、共通のカソード電極３８が形成されている。こうして、各画素２０において、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃごとに、第１実施形態と同様にＯＬＥＤ３２が形成されている。カソード電極３８上には、ＯＬＥＤ３２を封止する封止膜５２が形成されている。

封止膜５２上には、赤色の副画素２１ＲのＯＬＥＤ３２に対向するように、赤色の量子ドット層４４Ｒが形成されている。量子ドット層４４Ｒ上には、赤色のカラーフィルタ４２Ｒが形成されている。こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、赤色の量子ドット層４４Ｒと、赤色のカラーフィルタ４２Ｒとを有する赤色の副画素２１Ｒが構成されている。

また、封止膜５２上には、緑色の副画素２１ＧのＯＬＥＤ３２に対向するように、緑色の量子ドット層４４Ｇが形成されている。量子ドット層４４Ｇ上には、緑色のカラーフィルタ４２Ｇが形成されている。こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、緑色の量子ドット層４４Ｇと、緑色のカラーフィルタ４２Ｇとを有する緑色の副画素２１Ｇが構成されている。

また、封止膜５２上には、シアン色の副画素２１ＣのＯＬＥＤ３２に対向するように、緑色の量子ドット層４６Ｇが形成されている。こうして、青色のＯＬＥＤ３２と、緑色の量子ドット層４６Ｇとを有するシアン色の副画素２１Ｃが構成されている。なお、副画素２１Ｃは、シアン色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。

一方、封止膜５２上には、青色の副画素２１ＢのＯＬＥＤ３２に対向するようにはカラーフィルタも量子ドット層も形成されていない。このため、青色の副画素２１Ｂは、青色のＯＬＥＤ３２を有するが、青色のカラーフィルタその他のカラーフィルタも量子ドット層も有していない。

副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃが形成されたガラス基板５０の全面には、量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇ、４６Ｇ及びカラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇを封止する封止膜５４が形成されている。封止膜５４上には、透明樹脂膜等からなるカバーフィルム５６が形成されている。

本実施形態のように、４つの副画素を含む画素が単一のガラス基板上に形成されていてもよい。

［第７実施形態］
本発明の第７実施形態による表示装置について図１５を用いて説明する。図１５は、本実施形態による表示装置の画素の概略構成を示す概略図である。なお、上記第１乃至第６実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し又は簡略にする。

上記第１乃至第６実施形態では、トップエミッション型の構成について説明したが、これに限定されるものではない。表示装置は、ボトムエミッション型のものであってもよい。

本実施形態では、第１実施形態と同様の４つの副画素を含む表示装置がボトムエミッション型である場合について説明する。なお、第２乃至第５実施形態と同様の４つの副画素を含む表示装置についても本実施形態と同様にボトムエミッション型のものとして構成することができる。

図１５に示すように、パネル２における画素２０は、赤色の副画素２１Ｒ、緑色の副画素２１Ｇ及び青色の副画素２１Ｂに加えて、シアン色の副画素２１Ｃをも有している。

パネル２は、ガラス基板６０を有するが、ガラス基板６０に対向するカラーフィルタ基板を有していない。本実施形態による表示装置は、ガラス基板６０の素子形成面とは反対の面側から光が発せられるボトムエミッション型のものである。すなわち、本実施形態による表示装置は、ガラス基板６０の素子形成面側とは反対の面の側が表示面の側である。

透明基板であるガラス基板６０の素子形成面上には、赤色の副画素２１Ｒに対応するように、赤色のカラーフィルタ４２Ｒと、赤色の量子ドット層４４Ｒとが順次積層されている。

また、ガラス基板６０の素子形成面上には、緑色の副画素２１Ｇに対応するように、緑色のカラーフィルタ４２Ｇと、緑色の量子ドット層４４Ｇが順次積層されている。

また、ガラス基板６０の素子形成面上には、シアン色の副画素２１Ｃに対応するように、緑色の量子ドット層４６Ｇが形成されている。シアン色の副画素２１Ｃに対応するようにはカラーフィルタは形成されていない。

一方、ガラス基板６０の素子形成面上には、青色の副画素２１Ｂに対向するようにはカラーフィルタも量子ドット層も形成されていない。

カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ及び量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇ、４６Ｇが形成されたガラス基板６０の素子形成面の全面には、カラーフィルタ４２Ｒ、４２Ｇ及び量子ドット層４４Ｒ、４４Ｇ、４６Ｇを封止する封止膜６２が形成されている。

封止膜６２上には、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃに対応するように４つのアノード電極３４が形成されている。各アノード電極３４上には、青色有機発光層３６が形成されている。各青色有機発光層３６上には、共通のカソード電極３８が形成されている。こうして、各画素２０において、副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃごとに、第１実施形態と同様にＯＬＥＤ３２が形成されている。なお、本実施形態では、ボトムエミッション型であるため、アノード電極３４を透明電極として構成することができる。

また、青色のＯＬＥＤ３２と、緑色の量子ドット層４４Ｇと、緑色のカラーフィルタ４２Ｇとを有する緑色の副画素２１Ｇが構成されている。

また、青色のＯＬＥＤ３２と、緑色の量子ドット層４６Ｇとを有するシアン色の副画素２１Ｃが構成されている。なお、副画素２１Ｃは、シアン色のカラーフィルタその他のカラーフィルタを有していない。

一方、ガラス基板６０の素子形成面上には、青色の副画素２１ＢのＯＬＥＤ３２に対向するようにはカラーフィルタも量子ドット層も形成されていない。このため、青色の副画素２１Ｂは、青色のＯＬＥＤ３２を有するが、青色のカラーフィルタその他のカラーフィルタも量子ドット層も有していない。

カソード電極３８が形成されたガラス基板６０の全面には、ＯＬＥＤ３２を封止する封止膜６４が形成されている。

本実施形態のように、４つの副画素を含む画素をボトムエミッション型のものとして構成してもよい。

［実施例］
次に、本実施形態による表示装置の評価結果について表１を用いて説明する。評価に際しては、実施例１乃至５及び比較例１の表示装置について各副画素及び白表示の発光効率をシミュレーションにより計算した。

実施例１乃至５では、それぞれ上記第１乃至第５実施形態による表示装置について発光効率を計算した。一方、比較例１では、上記第１乃至第５実施形態と同様の赤色、緑色及び青色の各副画素を有するが、第４の副画素を有しない画素構成の表示装置について発光効率を計算した。

実施例１乃至５及び比較例１の表示装置について各副画素の発光効率を測定した結果を表１に示す。赤色、緑色、および第4の副画素の発光効率は量子ドットの変換効率を含んでいる。また、赤色および緑色の発光効率はカラーフィルタの吸収率を含んでいる。なお、実施例１乃至５の赤色、緑色及び青色の各副画素の発光効率は、各副画素の構成上、それぞれ表１中に矢印で示すように比較例１と同じとなった。

表１に示す結果からは、実施例１乃至５のいずれにおいても、カラーフィルタを有しない第４の副画素の発光効率が高いことが確認された。また、実施例１乃至５によれば、比較例１と比較して、白表示の発光効率が高く、輝度の高い白表示が実現されることが確認された。これにより、実施例１乃至５では、比較例１と比較して、白表示の消費電力を低減することができる。

［変形実施形態］
本発明は、上記実施形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、発光素子としてＯＬＥＤを用いた場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。ＯＬＥＤに代えて、種々の発光素子を用いることができる。

また、上記実施形態では、画素２０が４つの副画素２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ及び第４の副画素を有する場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。画素２０は、４つ以上の複数の副画素を有していてもよい。

１…タイミングコントローラ
２…パネル
３…ソースドライブＩＣ
４…ゲートドライブＩＣ
２０…画素
２１…副画素
２１Ｒ、２１Ｇ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｍ、２１ＹＷ、２１Ｃｃ、２１ＹＷｙ…副画素
３０…ガラス基板
３４…アノード電極
３６…青色有機発光層
３８…カソード電極
４０…ガラス基板
４２Ｒ、４２Ｇ…カラーフィルタ
４４Ｒ、４４Ｇ…量子ドット層
４６Ｇ、４６Ｒ、４６Ｃ、４６Ｙ…量子ドット層
５０…ガラス基板
６０…ガラス基板
１００…素子基板
２００…カラーフィルタ基板
Ｄ…ダイオード
ＤＬ…データライン
ＧＬ…ゲートライン

Claims

第１の色の第１の副画素と、第２の色の第２の副画素と、第３の色の第３の副画素と、第４の色の第４の副画素とを有する画素を有し、
前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素及び前記第４の副画素の各々は、前記第３の色の光を発する発光素子を有し、
前記第１の副画素、前記第２の副画素及び前記第４の副画素の各々は、前記発光素子から発せられた前記第３の色の光の波長を変換する量子ドット層を有し、
前記第１の副画素は、前記第１の色の第１のカラーフィルタを有し、
前記第２の副画素は、前記第２の色の第２のカラーフィルタを有し、
前記第４の副画素は、カラーフィルタを介さずに前記第４の色の光を発する
ことを特徴とする表示装置。
前記第３の副画素は、カラーフィルタを介さずに前記第３の色の光を発する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
前記第１の副画素は、前記量子ドット層として前記第３の色の光を前記第１の色の光に変換する第１の量子ドット層を有し、
前記第２の副画素は、前記量子ドット層として前記第３の色を前記第２の色の光に変換する第２の量子ドット層を有し、
前記第４の副画素は、前記量子ドット層として第３の量子ドット層を有する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
前記第３の量子ドット層は、前記第３の色の光を前記第１の色又は前記第２の色の光に変換する
ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
前記第３の量子ドット層は、前記第３の色の光を前記第１の色の光に変換する一の層と、前記第３の色の光を前記第２の色の光に変換する他の層とを含む
ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
前記第３の量子ドット層は、前記第３の色の光を前記第４の色の光に変換する
ことを特徴とする請求項３記載の表示装置。
前記第３の量子ドット層は、前記第１の量子ドット層及び前記第２の量子ドット層よりも薄く形成されている
ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素及び前記第４の副画素は、一の方向に並ぶように配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第４の副画素は、前記一の方向に並ぶように配置された前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素及び前記第４の副画素の並びの２番目又は３番目の位置に配置されている
ことを特徴とする請求項８記載の表示装置。
前記第１の副画素、前記第２の副画素、前記第３の副画素及び前記第４の副画素は、格子状に配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第１の色は、赤色であり、
前記第２の色は、緑色であり、
前記第３の色は、青色であり、
前記第４の色は、シアン色、マゼンタ色、黄色又は白色である
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
前記発光素子は、有機発光ダイオードである
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の表示装置。
前記第３の副画素は、量子ドット層を有しない
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の表示装置。
前記発光素子が形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向するように配置され、前記量子ドット層、前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタが形成された第２の基板とを有する
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
前記発光素子、前記量子ドット層、前記第１のカラーフィルタ及び前記第２のカラーフィルタが一の面に形成された基板を有する
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
前記基板の前記一の面の側が表示面の側である
ことを特徴とする請求項１５記載の表示装置。
前記基板の前記一の面の側とは反対の面の側が表示面の側である
ことを特徴とする請求項１５記載の表示装置。