CN116387139A - 深槽衬底图形化的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于微机电系统的技术领域，具体涉及深槽衬底图形化的制备方法。所述的深槽衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：提供一种衬底；衬底上形成一种硬掩膜；在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影，暴露部分硬掩膜层；在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀，暴露部分衬底层；在暴露的衬底层干法刻蚀或者湿法刻蚀，形成高深宽比深槽；采用喷涂工艺，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化；对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形。本发明提出的深槽衬底图形化的制备方法，在图形化工艺中，完成均匀的、高质量的涂胶和有效的侧壁保护，解决了器件短路或侧壁存有残留金属的问题。

Description

深槽衬底图形化的制备方法
技术领域
本发明属于微机电系统的技术领域，具体涉及深槽衬底图形化的制备方法。
背景技术
近年来，各类技术稳健地向着智能化方向迈进，大力地推动了微机电系统的快速发展，但是在硅平面形成图形的技术已经不满足需要，设计上对三维立体结构的要求越来越高，这就对涂胶提出了更高的要求。例如在芯片上叠层封装的技术，也称为3D封装技术，旨在不改变平面面积的前提下，在同一个封装体内封装多个芯片的封装技术。硅通孔技术(TSV)作为3D封装技术重要组成工艺，越来越受人们重。硅通孔技术是在芯片与芯片之间、晶片与晶片之间做成垂直联接，从而使芯片之间相互连通的技术。这和以往封装技术中的凸点叠加技术不同，硅通孔技术能在三维方向上使得堆积密度最大，体积最小，从而提高了芯片运行速度且降低了芯片功耗。
在芯片工艺的制造过程中，部分工艺需要进行双层台阶刻蚀，即在原有的台阶上界面及下界面同时进行刻蚀，且二次刻蚀过程中不能对原有刻蚀侧壁进行破坏。现有工艺过程中，如果需要保护深槽的侧壁，在上下方向上光刻胶无法完成涂覆保护，而传统的旋转涂胶具有平坦化作用，在深槽底部填充了太多的光刻胶，光刻胶厚度会高于正常区域的厚度，这加大了后续的显影和去胶带工艺的难度。
在芯片的金属图形化工艺中，有些产品要求在高深宽比下进行金属图形化工艺，同时侧壁金属与上下台面金属互联，旋转涂胶同样因为台阶阻挡原因无法完成均匀的、高质量的涂胶和有效的侧壁保护，最终造成器件短路或侧壁存有残留的金属。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术存在的上述缺陷，提出了一种深槽衬底图形化的制备方法，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，通过曝光、显影形成相对应的图形，可在5:1深宽比下对衬底层的刻蚀或者淀积金属剥离，在原有台阶界面上下形成所需的图形。
本发明所述的深槽衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供一种衬底；
步骤S2：衬底上形成一种硬掩膜；
步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影，暴露部分硬掩膜层；
步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀，暴露部分衬底层；
步骤S5：在暴露的衬底层干法刻蚀或者湿法刻蚀，形成高深宽比深槽；
步骤S6：采用喷涂工艺，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化；
步骤S7：对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形。
步骤S1中所述的衬底为干法刻蚀、湿法腐蚀的衬底片。
步骤S2中所述衬底与硬掩膜层的刻蚀选择比为(80-100):1，硬掩膜为SiO2硬掩膜。
步骤S3中所述的光刻胶层的厚度为2.5-2.8μm，与硬掩膜层的厚度选择比为(1-1.3):1。
步骤S5中所述的干法刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀；刻蚀包括循环进行的钝化步骤、预刻蚀步骤和刻蚀步骤，所述预刻蚀步骤的刻蚀时间为1.1s-2s，所述刻蚀步骤的刻蚀时间为0.8s-2.7s。
步骤S5中所述的湿法刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构层进行碱溶液腐蚀，温度为60℃-90℃，浸泡完成后水冲洗多个循环，热氮气甩干。
步骤S6中所述的喷涂工艺主要包括四至八个循环，每个循环中喷胶采用二流体喷头中，利用氮气将稀释后的光刻胶吹散使之均匀的分布到衬底表面，在每个循环完成之后，载片底座载衬底片逆时针旋转一定角度，然后进行下一个循环，如此持续四至八个循环，光刻胶均匀的分布在深槽图形的衬底片上。
步骤S6中所述的喷涂工艺完成后，深槽的槽顶部光刻胶的厚度为5μm-8μm，槽底部和侧壁光刻胶厚度为3μm-5μm，图形化包括曝光、显影，采用接触式热板软烘。
步骤S7中所述的刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构层进行深感应耦合等离子干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀。刻蚀包括循环进行的钝化步骤，预刻蚀步骤和刻蚀步骤。
步骤S7中所述的金属沉积剥离采用磁控溅射机进行金属溅射，在衬底表面形金属膜，然后对金属溅射后的深槽衬底片进行金属剥离作业。
与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：
(1)本发明的深槽衬底图形化的制备方法，在高深宽比下图形化工艺中，完成均匀的、高质量的涂胶和有效的侧壁保护，解决了器件短路或侧壁存有残留的金属的问题。
(2)本发明的深槽衬底图形化的制备方法，利用喷胶技术(使用氮气将光刻胶雾化，并均匀地喷洒在衬底片的每一个角落)，在带有深槽图形的衬底上均匀涂布光刻胶，然后通过曝光和显影后形成需要的图形；再利用已经在深槽衬底上图形化的光刻胶，进行刻蚀或者金属沉积剥离，最终在带有深槽的衬底上形成所需要的图形。
附图说明
图1为对比例1的现有技术深槽图形的衬底光刻胶涂布后的示意图。
图2为本发明的深槽图形的衬底光刻胶涂布后的示意图。
图3为实施例1的深槽硅衬底图形化的工艺流程图。
图4为实施例2的深槽金属衬底图形化的工艺流程图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本发明的深槽图形化制备方法进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明所述的深槽衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供一种衬底；
步骤S2：衬底上形成一种硬掩膜；
步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影以暴露部分硬掩膜层；
步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀以暴露部分衬底层；
步骤S5：在暴露的衬底层干法或者湿法刻蚀形成高深宽比深槽深槽；
步骤S6：在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化。喷涂光刻胶机对深槽衬底片进行整片的光刻胶喷涂作业，保证在衬底片表面形成厚度均匀的光刻胶覆盖。喷涂工艺主要包括四个至八个循环，每个循环中喷胶是使用二流体喷头中，利用氮气将稀释后的光刻胶吹散使之均匀的分布到衬底表面，在每个循环完成之后，Chuck会使衬底旋转45°-90°，然后进行下一个循环，如此持续四至八个循环之后，光刻胶就可以非常均匀的分布在深槽图形的衬底片上。
步骤S7：对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形，如图2所示。
所述的步骤S1中衬底主要为可做干法刻蚀、湿法腐蚀的衬底片；
所述的步骤S2中所述衬底与硬掩膜层的刻蚀选择比为(80-100):1，即刻蚀100μm的衬底结构会消耗1μm的硬掩膜层。考虑到材料对衬底的刻蚀选择比和工艺成本等因素，优选SiO2硬掩膜。
所述的步骤S3中所述的光刻胶层的厚度为2.5-2.8μm，与硬掩膜层的厚度选择比为(1-1.3)：1，且刻蚀后光刻胶会有一定的残留。光刻胶图形化后会将需要刻蚀部分的硬掩膜层暴露出来。
在通过步骤S4将暴露的部分硬掩膜刻蚀去除，实现光刻胶层的图案转移到硬掩膜层上，将需要刻蚀区的衬底暴露出来。
所述的步骤S5：
(1)使用干法刻蚀则对衬底片上暴露的衬底结构进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀。刻蚀包括循环进行的钝化步骤、预刻蚀步骤和刻蚀步骤，所述预刻蚀步骤的刻蚀时间为1.1s-2s，所述刻蚀步骤的刻蚀时间为0.8s-2.7s，根据刻蚀深度来确定循环次数。
(2)使用湿法腐蚀则对衬底片上暴露的衬底结构层进行KOH溶液腐蚀，使用温度为60℃-90℃，浓度为30％的KOH溶液，浸泡时间由腐蚀深度而定。浸泡完成后水冲淋冲洗多个循环，然后使用甩干机甩干，转速为2000r/min，甩干时间5min，甩干中冲入50℃、20LPM的热氮气吹干。
所述的步骤S6中所述的喷雾涂胶设备使用的光刻胶使用AZ4999或者光刻胶AZ4620与丙酮按照一定比例配好的混合溶液，设备内部的容积自动清洗系统使用的是压力灌装的丙酮，废胶回收系统使用的PP废液桶。
所述的步骤6中所述的喷雾涂胶设备是自动打胶泵系统精确控制打胶，光刻胶溶液首先从溶液桶中利用真空抽到过滤器中，经过过滤系统后进入胶泵系统和流量控制系统，通过精确的流量控制进行喷胶作业，这样就可以使光刻胶定量的均匀涂布在衬底片上。
所述的步骤S6中喷雾涂胶设备使用二流体喷头，利用高压氮气将光刻胶溶液吹散。喷嘴在X-Y机械可自由移动到衬底的任何位置，调节喷嘴和衬底片的高度和角度，以及在衬底片上的扫描速度，可以保证高深宽比的图形实现均匀涂胶。所叙述喷嘴X-Y机械轴运动系统，喷嘴按照设定的程序对衬底片进行第一次喷涂，完成后载片底座载衬底片逆时针旋转一定角度，再进行第二次喷涂，累计喷涂四次至八次后工艺完成，完成所述喷胶设备的载片底座带有真空系统和自动加热功能，根据不同工艺的需求温度进行设定。
所述的步骤S6中喷雾涂胶完成后，深槽结构衬底片顶部、底部及侧壁都会均匀的覆盖上光刻胶掩膜，槽顶部光刻胶的厚度为5μm-8μm，槽底部和侧壁光刻胶厚度为3μm-5μm，整体光刻胶的覆盖情况非常好。
所述的步骤S6中喷雾涂胶完成之后的结构衬底片需要进行软烘，使用接触式热板105°烘烤1-2min，使光刻胶中的容积缓慢的充分的发挥出来。
所述的步骤S6中光刻胶图形所使用的是接触接近式的光刻机，图形化过程中的曝光采用的365nm的I线，曝光后的显影使用的显影液浓度为2.38％的TMAH显影液，显影时间为90s-120s。显影后坚膜使用接触式热板105℃烘烤1-2min。
所述的步骤S7：
(1)所述的干法刻蚀，采用的是高密度等离子深刻蚀系统，对衬底片上暴露的衬底结构层进行深感应耦合等离子干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀。刻蚀包括循环进行的钝化步骤，预刻蚀步骤和刻蚀步骤，总共进行多个循环，具体循环次数有刻蚀深度而定。
(2)所述的金属剥离，使用磁控溅射机进行金属溅射，在整个衬底表面形金属膜，其中一般采用Cr作为衬底和上层金属间的粘附层，可以增加上层金属在衬底上的粘附性。然后对金属溅射后的深槽衬底片进行金属剥离作业。
以下，将通过以下实施例对所述深槽衬底图形化的制备方法做进一步说明。
实施例1
如图3所示，所述的深槽硅衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供SiO2衬底：
a、准备硅片材料：所准备的硅片规格为N型100晶向，厚度为400μm，电阻率为0.004Ω.cm，并使用激光打标机，为硅片打标编号(打标面为背面，非打标面为正面)，以便后续数据记录。
b、清洗硅片：硅片使用前进行标准RCA清洗，将硅片放在硫酸：双氧水＝4:1的混合溶液中清洗6min，去离子水冲洗；在放在氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5的混合溶液中清洗6min，去离子水冲洗；甩干。
步骤S2：衬底上形成一种硬掩膜。
步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影以暴露部分硬掩膜层；在硅片正面旋涂AZ4620光刻胶，然后将硅片放在110℃的热板上烘烤4min。接着使用光刻机完成光刻胶的图形化曝光，最后使用显影液洗去曝光位置的光刻胶，完成光刻胶的图形化。
步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀以暴露部分衬底层。
步骤S5：在暴露的衬底层干法刻蚀形成高深宽比深槽，硅刻蚀200μm深槽；采用高密度等离子体深硅刻蚀系统对硅衬底硅片上暴露的硅结构层进行深感性耦合等离子体干法刻蚀，完成硅衬底硅片表面硅结构的深刻蚀。刻蚀包括循环进行的钝化步骤，预刻蚀步骤和刻蚀步骤。
步骤S6：使用喷雾涂胶机对深槽硅片进行整片的光刻胶喷涂作业，保证在硅片表面形成厚度均匀的光刻胶覆盖，然后将硅片放在115℃的热板上烘烤2.5min。按照光刻胶喷涂的工艺参数进行光刻胶喷涂，接着用接触接近式光刻机完成光刻胶的图形化曝光。最后使用显影液洗去曝光位置的光刻胶，最终在深槽顶部和底部同时形成光刻胶图形。硅刻蚀20μm台阶：采用高密度等离子体深硅刻蚀系统对衬底硅片上暴露的硅结构层进行电感耦合等离子体干法刻蚀，完成硅衬底表面硅结构层的深度刻蚀，刻蚀深度为20μm。刻蚀包括循环进行的钝化步骤，预刻蚀步骤和刻蚀步骤。
步骤S7：对衬底层进行刻蚀剥离，在深槽中形成所需要的图形。对深槽图形化后的硅片进行去胶作业。将硅片放在硫酸：双氧水＝4:1的混合溶液里清洗8min，去离子水冲洗5次；在放在氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5的混合溶液里清洗8min，去离子水冲洗5次；在放在盐酸：双氧水：去离子水＝1:1:4的混合溶液里清洗5min，去离子水冲洗5次；2000r/min甩干5min。
实施例2
如图4所示，所述的深槽金属衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供一种衬底：
a、准备硅片材料：所准备的硅片规格为N型100晶向，厚度为400μm，电阻率为0.004Ω.m。并使用激光打标机，为硅片打标编号(打标面为背面，非打标面为正面)，以便后续数据记录。
b、清洗硅片：硅片使用前进行标准RCA清洗。将硅片放在硫酸：双氧水＝4:1的混合溶液中清洗5min，去离子水冲洗5次；在放在氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5的混合溶液中清洗5min，去离子水冲洗5次；2000r/min甩干5min。
步骤S2：衬底上沉积SiO2硬掩膜层：使用PECVD设备在硅结构层上沉积2.2μm的SiO2作为硬掩膜层。
步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影以暴露部分硬掩膜层：在SiO2硬掩膜层上旋涂AZ5214光刻胶层，然后用光刻机完成光刻胶层的图像化以暴露出SiO2硬掩膜层，其中，图形化过程中的曝光采用365nm的I线。
步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀以暴露部分衬底层：使用ICP刻蚀机对暴露的SiO2硬掩膜进行感应耦合离子体干法刻蚀，去除暴露的SiO2硬掩膜，以暴露部分硅结构层。
步骤S5：在暴露的衬底层湿法刻蚀形成高深宽比深槽：使用温度为85℃，浓度为30％的KOH溶液腐蚀深度200μm。浸泡完成后水冲淋洗，然后使用甩干机甩干，转速2000r/min，甩干时间5min，甩干机中50℃、20LPM的热氮气。
步骤S6：使用喷雾涂胶机对深槽硅片进行整片的光刻胶喷涂作业，保证在硅片表面形成厚度均匀的光刻胶覆盖，然后将硅片放在115℃的热板上烘烤2.5min。使用喷雾涂胶机对深槽硅片进行整片的光刻胶喷涂作业，保证在硅片表面形成厚度均匀的光刻胶覆盖，然后将硅片放在115℃的热板上烘烤2.5min。按照光刻胶喷涂的工艺参数进行光刻胶喷涂，接着用接触接近式光刻机完成光刻胶的图形化曝光。最后使用显影液洗去曝光位置的光刻胶，最终在深槽顶部和底部同时形成光刻胶图形。
步骤S7：对衬底层进行金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形：使用磁控溅射机进行200埃Cr和3000埃金属Al的溅射，在整个硅片表面形成Cr加Al的金属膜，其中Cr作为硅和Al之间的粘附层，可以增加Al在硅上的粘附性，Al是工艺所需要的金属材料。200埃Cr溅射参数：功率500W，压力5mTorr，扫描速度108cpm，扫描次数2P。3000埃金属Al溅射参数：功率500W，压力5mTorr，扫描速度83cpm，扫描次数30P。对金属溅射后的深槽硅片进行金属剥离作业。将硅片放在氮气烘箱中，150℃烘烤10min，然后放置在剥离液中，溶液温度升至55℃，浸泡30敏，去离子水冲洗5次；在放在丙酮溶液里清洗5min，去离子水冲洗5次；在放在异丙醇溶液里清洗5min，去离子水冲洗5次；2000r/min甩干5min。
对比例1
现有的深槽金属衬底图形化的制备方法，包括以下步骤：
步骤S1：提供一种衬底：
a、准备硅片材料：所准备的硅片规格为N型100晶向，厚度为400μm，电阻率为0.004Ω.m。并使用激光打标机，为硅片打标编号(打标面为背面，非打标面为正面)，以便后续数据记录。
b、清洗硅片：硅片使用前进行标准RCA清洗。将硅片放在硫酸：双氧水＝4:1的混合溶液中清洗5min，去离子水冲洗5次；在放在氨水：双氧水：去离子水＝1:1:5的混合溶液中清洗5min，去离子水冲洗5次；2000r/min甩干5min。
步骤S2：衬底上沉积SiO2硬掩膜层：使用PECVD设备在硅结构层1上沉积2.2μm的SiO2作为硬掩膜层。
步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影以暴露部分硬掩膜层：在SiO2硬掩膜层上旋涂AZ5214光刻胶层，然后用光刻机完成光刻胶层的图像化以暴露出SiO2硬掩膜层，其中，图形化过程中的曝光采用365nm的I线。
步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀以暴露部分衬底层：使用ICP刻蚀机对暴露的SiO2硬掩膜进行感应耦合离子体干法刻蚀，去除暴露的SiO2硬掩膜，以暴露部分硅结构层。
步骤S5：在暴露的衬底层湿法刻蚀形成高深宽比深槽：使用温度为85℃，浓度为30％的KOH溶液腐蚀深度200μm。浸泡完成后水冲淋洗，然后使用甩干机甩干，转速2000r/min，甩干时间5min，甩干机中50℃、20LPM的热氮气。
步骤S6：采用旋转涂胶方式对深槽硅片进行整片的光刻胶旋涂作业，匀胶转速开始为30r/min进行光刻胶滴胶；采用1500r/min加速度使转速提升至4000r/min匀胶35s；保证光刻胶平坦化作用使硅片被光刻胶覆盖，然后将硅片放在115℃的热板上烘烤2.5min，接着用接触接近式光刻机完成光刻胶的图形化曝光。最后使用显影液洗去曝光位置的光刻胶，最终在深槽顶部和底部同时形成光刻胶图形。
当然，上述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定对本发明的实施例范围。本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内所做出的均等变化与改进等，均应归属于本发明的专利涵盖范围内。

Claims (10)

1.一种深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤S1：提供一种衬底；
步骤S2：衬底上形成一种硬掩膜；
步骤S3：在所述硬掩膜层上形成一种光刻胶层并曝光、显影，暴露部分硬掩膜层；
步骤S4：在暴露的所述部分硬掩膜层进行刻蚀，暴露部分衬底层；
步骤S5：在暴露的衬底层干法刻蚀或者湿法刻蚀，形成高深宽比深槽；
步骤S6：采用喷涂工艺，在带有深槽图形的衬底上形成均匀涂布的光刻胶，并对光刻胶进行图形化；
步骤S7：对衬底层进行刻蚀或者金属沉积剥离，在深槽中形成所需要的图形。
2.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S1中所述的衬底为干法刻蚀、湿法腐蚀的衬底片。
3.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S2中所述衬底与硬掩膜层的刻蚀选择比为(80-100):1，硬掩膜为SiO2硬掩膜。
4.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S3中所述的光刻胶层的厚度为2.5-2.8μm，与硬掩膜层的厚度选择比为(1-1.3):1。
5.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S5中所述的干法刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀；刻蚀包括循环进行的钝化步骤、预刻蚀步骤和刻蚀步骤，所述预刻蚀步骤的刻蚀时间为1.1s-2s，所述刻蚀步骤的刻蚀时间为0.8s-2.7s。
6.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S5中所述的湿法刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构层进行碱溶液腐蚀，温度为60℃-90℃，浸泡完成后水冲洗多个循环，热氮气甩干。
7.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S6中所述的喷涂工艺主要包括四至八个循环，每个循环中喷胶采用二流体喷头中，利用氮气将稀释后的光刻胶吹散使之均匀的分布到衬底表面，在每个循环完成之后，载片底座载衬底片逆时针旋转一定角度，然后进行下一个循环，如此持续四至八个循环，光刻胶均匀的分布在深槽图形的衬底片上。
8.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S6中所述的喷涂工艺完成后，深槽的槽顶部光刻胶的厚度为5μm-8μm，槽底部和侧壁光刻胶厚度为3μm-5μm，图形化包括曝光、显影，采用接触式热板软烘。
9.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S7中所述的刻蚀为对衬底片上暴露的衬底结构层进行深感应耦合等离子干法刻蚀，完成衬底片表面结构层的深刻蚀。刻蚀包括循环进行的钝化步骤，预刻蚀步骤和刻蚀步骤。
10.根据权利要求1所述的深槽衬底图形化的制备方法，其特征在于：步骤S7中所述的金属沉积剥离采用磁控溅射机进行金属溅射，在衬底表面形金属膜，然后对金属溅射后的深槽衬底片进行金属剥离作业。
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