CN116367577A - 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置 Download PDF

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张志先
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Abstract

一种有机发光二极管包括：反射电极；面向所述反射电极的透明电极；第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述反射电极和所述透明电极之间，所述第一发光材料层是包括第四化合物作为荧光掺杂剂的荧光发光层；以及第二发光部，所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部和所述透明电极之间，所述第二发光材料层是包括第一化合物作为磷光掺杂剂的磷光发光层，其中所述第二发光材料层中的作为磷光掺杂剂的第一化合物的第二发射峰强度与所述第二发光材料层中的作为磷光掺杂剂的第一化合物的第一发射峰强度之比为0.5或更小。

Description

有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示 装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月27日在韩国提交的韩国专利申请第10-2021-0188257号的权益，通过引用将其作为整体结合在此。
技术领域
本公开内容涉及一种有机发光二极管，更具体地，涉及一种具有高显示性能的有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光显示装置。
背景技术
对具有小占用面积的平板显示装置的需求增加。在平板显示装置中，包括有机发光二极管(OLED)并且可以被称为有机电致发光装置的有机发光显示装置的技术得到迅速发展。
所述OLED通过将电子从作为电子注入电极的阴极以及将空穴从作为空穴注入电极的阳极注入发光材料层中，将所述电子与空穴结合，产生激子，并将激子从激发态转变为基态而发光。
然而，相关技术的OLED在发光特性(例如，驱动电压、亮度、色纯度和寿命)方面存在限制。特别是，蓝色OLED有很大的局限性。
发明内容
因此，本公开内容的实施方式涉及一种OLED和一种有机发光显示装置，其基本上消除了与现有技术的限制和缺点相关的一个或多个问题。
本公开内容的一个目的是提供一种具有高显示性能的OLED和有机发光显示装置。
随后的说明书中将阐述附加特征和方面，并且部分地从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的发明构思而获知。本公开内容构思的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别强调的或从其得出的结构以及本公开内容的权利要求以及附图来实现和获得。
为了实现根据本公开内容的实施方式的目的的这些和其他优点，如本文所述，本公开内容的一个方面是一种有机发光二极管，包括：反射电极；面向所述反射电极的透明电极；第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述反射电极和所述透明电极之间，所述第一发光材料层是包括第四化合物作为荧光掺杂剂的荧光发光层；以及第二发光部，所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部和所述透明电极之间，所述第二发光材料层是包括第一化合物作为磷光掺杂剂的磷光发光层，其中所述第二发光材料层中的作为磷光掺杂剂的第一化合物的第二发射峰强度与所述第二发光材料层中的作为磷光掺杂剂的第一化合物的第一发射峰强度之比为0.5或更小。
本公开内容的另一方面是一种有机发光显示装置，包括：基板；和设置在基板上或上方的有机发光二极管，所述有机发光二极管包括：反射电极；面向所述反射电极的透明电极；第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述反射电极和所述透明电极之间，所述第一发光材料层是包括第四化合物作为荧光掺杂剂的荧光发光层；以及第二发光部，所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部和所述透明电极之间，所述第二发光材料层是包括第一化合物作为磷光掺杂剂的磷光发光层，其中所述第二发光材料层中的作为磷光掺杂剂的第一化合物的第二发射峰强度与所述第二发光材料层中的作为磷光掺杂剂的第一化合物的第一发射峰强度之比为0.5或更小。
需要理解的是，上述的一般描述和以下的详细描述都是示范性和解释性的，旨在对所要求保护的发明概念提供进一步的解释。
附图说明
附图是为了提供对本公开内容的进一步理解而包括在本申请中并构成本申请的一部分，这些附图说明了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于解释本公开内容的原理。
图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。
图2是根据本公开内容第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图3是根据本公开内容第二实施方式的OLED的示意性截面图。
图4是根据本公开内容第三实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图5是根据本公开内容第四实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
图6是根据本公开内容第五实施方式的OLED的示意性截面图。
图7A和图7B是比较例的OLED中使用的磷光化合物的PL光谱。
图8A和图8B是本公开内容的实施例的OLED中使用的磷光化合物的PL光谱。
图9是本公开内容的实施例的OLED中使用的荧光化合物的PL光谱。
具体实施方式
现在将详细参考附图中示出的一些实施例和优选实施方式。
图1是本公开内容的有机发光显示装置的电路示意图。
如图1所示，有机发光显示装置包括栅极线GL、数据线DL、电源线PL、开关薄膜晶体管TFT Ts、驱动TFT Td、存储电容器Cst和OLED D。所述栅极线GL和所述数据线DL相互交叉以限定像素区域P。所述像素区域可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
所述开关TFT Ts连接到所述栅极线GL和所述数据线DL，并且所述驱动TFT Td和所述存储电容器Cst连接到所述开关TFT Ts和所述电源线PL。所述OLED D连接到所述驱动TFTTd。
在所述有机发光显示装置中，当所述开关TFT Ts通过施加于所述栅极线GL的门信号打开时，来自所述数据线DL的数据信号被施加到所述驱动TFT Td的栅极以及所述存储电容器Cst的电极。
当所述驱动TFT Td被数据信号打开时，电流从所述电源线PL提供给所述OLED D。结果，所述OLED D发光。在这种情况下，当所述驱动TFT Td打开时，确定从所述电源线PL施加到所述OLED D的电流电平，从而使所述OLED D可以产生灰度。
所述存储电容器Cst用于在所述开关TFT Ts被关闭时维持所述驱动TFT Td的栅极的电压。因此，即使关闭所述开关TFT Ts，从所述电源线PL施加到所述OLED D的电流电平仍然保持到下一帧。
因此，所述有机发光显示装置显示期望的图像。
图2是根据本公开内容的第一实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图2所示，所述有机发光显示装置100包括基板110、所述基板110上或上方的TFTTr、覆盖所述TFT Tr的平面化层150和位于所述平面化层150上并与所述TFT Tr连接的OLEDD。可在所述基板110上定义红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域。
所述基板110可以是玻璃基板或柔性基板。例如，所述柔性基板可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板和聚碳酸酯(PC)基板中的一种。
在所述基板上形成缓冲层122，在所述缓冲层122上形成所述TFT Tr。可以省略所述缓冲层122。例如，所述缓冲层122可以由无机绝缘材料形成，例如氧化硅或氮化硅。
半导体层120形成在所述缓冲层122上。所述半导体层120可以包括氧化物半导体材料或多晶硅。
当所述半导体层120包括氧化物半导体材料时，可以在所述半导体层120下方形成遮光图案(未示出)。到达所述半导体层120的光被遮光图案屏蔽或阻挡，从而可以防止所述半导体层120的热劣化。另一方面，当所述半导体层120包括多晶硅时，杂质可以掺杂到所述半导体层120的两侧。
栅极绝缘层124形成在所述半导体层120上。所述栅极绝缘层124可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。
由例如金属的导电材料形成的栅极130形成在所述栅极绝缘层124上以对应于所述半导体层120的中心。在图2中，所述栅极绝缘层124形成在所述基板110的整个表面上。或者，所述栅极绝缘层124可以被图案化以具有与所述栅极130相同的形状。
层间绝缘层132形成在所述栅极130上和所述基板110的整个表面之上。所述层间绝缘层132可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯)形成。
所述层间绝缘层132包括暴露所述半导体层120两侧的第一接触孔134和第二接触孔136。第一接触孔134和第二接触孔136位于所述栅极130的两侧以与所述栅极130间隔开。
第一接触孔134和第二接触孔136穿过所述栅极绝缘层124形成。或者，当所述栅极绝缘层124被图案化为具有与所述栅极130相同的形状时，第一接触孔134和第二接触孔136仅通过所述层间绝缘层132形成。
由例如金属的导电材料形成的源极144和漏极146形成在所述层间绝缘层132上。
所述源极144和所述漏极146相对于所述栅极130彼此间隔开，并通过第一接触孔134和第二接触孔136分别接触所述半导体层120的两侧。
所述半导体层120、栅极130、源极144和漏极146构成TFT Tr。所述TFT Tr用作驱动元件。即，所述TFT Tr驱动TFT Td(图1)。
在所述TFT Tr中，所述栅极130、源极144和漏极146位于所述半导体层120上方。即，所述TFT Tr具有共面结构。
或者，在所述TFT Tr中，所述栅极可以位于所述半导体层下方，所述源极和漏极可以位于所述半导体层上方，使得TFT Tr可以具有倒交错结构。在这种情况下，所述半导体层可以包括非晶硅。
尽管未示出，但所述栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且所述开关TFT形成为连接到所述栅极线和数据线。所述开关TFT连接到作为驱动元件的所述TFT Tr。此外，可以进一步形成与所述栅极线和数据线之一平行并间隔开的所述电源线以及用于在一帧内维持所述TFT Tr的栅极电压的所述存储电容器。
平坦化层150形成在所述基板110的整个表面上以覆盖所述源极和漏极144和146。所述平坦化层150提供平坦的顶表面并具有暴露所述TFT Tr的漏极146的漏极接触孔152。
所述OLED D设置在所述平坦化层150上并且包括连接到所述TFT Tr的漏极146的第一电极210、有机发光层220和第二电极230。所述有机发光层220和第二电极230依次堆叠在所述第一电极210上。所述OLED D位于红色、绿色和蓝色像素区域中的每一个，并分别发出红色、绿色和蓝色光。
所述第一电极210分别形成在每个像素区域中。所述第一电极210可以是阳极并且可以包括透明导电氧化物材料层和反射层，所述透明导电氧化物材料层可以由例如透明导电氧化物(TCO)的导电材料形成，并具有相对高的功函数。即，所述第一电极210可以是反射电极。
或者，所述第一电极210可以具有透明导电氧化物材料层的单层结构。即，所述第一电极210可以是透明电极。
例如，所述透明导电氧化物材料层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO))、铈掺杂的氧化铟(ICO)、铝掺杂的氧化锌(Al:ZnO、AZO)中的一种形成，并且所述反射层可以由银(Ag)、Ag与钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)中的一种的合金以及铝-钯-铜(APC)合金。例如，所述第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构。
此外，堤层160形成在所述平坦化层150上以覆盖所述第一电极210的边缘。即，所述堤层160位于像素区域的边界处并且暴露所述像素区域中所述第一电极210的中心。
作为发光单元的所述有机发光层220形成在所述第一电极210上。在蓝色像素区域中的OLED D1中，所述有机发光层220包括包含第一蓝色发光材料层(EML)的第一发光部和包含第二蓝色EML的第二发光部。即，所述有机发光层220具有多层结构，使得所述OLED D具有串联结构。
所述第一发光部和第二发光部的每一者还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个以具有多层结构。此外，所述有机发光层还可以包括位于所述第一和第二发光部之间的电荷产生层(CGL)。
如下所述，在蓝色像素区域中的OLED D1中，第一蓝色EML是包括主体和荧光掺杂剂的荧光发光层，第二蓝色EML是包括第一主体、第二主体和磷光掺杂剂的磷光发光层。在这种情况下，作为磷光发光层的第二蓝色EML被设置为比作为荧光发光层的第一蓝色EML更靠近作为透明(半透明)电极的第二电极230，并且第一蓝色EML和第二蓝色EML满足以下条件：第二EML中第一化合物的第二发射峰强度与第二EML中第一化合物的第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”为0.5或更小。结果，OLED D1在发光效率和寿命方面具有优势。
可在室温(即25℃)下在有机溶剂(如甲苯)中测量发射峰强度。例如，可以使用第一化合物在有机溶剂(如甲苯)中浓度为约1×10-5M的溶液。可以使用荧光光谱仪，诸如FS-5荧光光谱仪(Edinburgh Instruments)，利用光致发光检测来测量发射峰强度。
所述第二电极230在具有所述有机发光层220的基板110的上方形成。所述第二电极230覆盖显示区域的整个表面并且可以由具有相对低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，所述第二电极230可以由铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、银(Ag)或其合金形成，例如Mg-Ag合金(MgAg)。所述第二电极230可以具有例如10到30nm的薄的轮廓以是透明的(或半透明的)。
尽管未示出，所述OLED D还可以包括在所述第二电极230上的覆盖层。所述OLED D的发光效率可以通过所述覆盖层进一步提高。
封装膜(或封装层)170形成在所述第二电极230上以防止湿气渗入到所述OLED D中。所述封装膜170包括依次堆叠的第一无机绝缘层172、有机绝缘层174和第二无机绝缘层176，但不限于此。
尽管未示出，但是所述有机发光显示装置100可以包括对应于所述红色、绿色和蓝色像素区域的滤色器。例如，所述滤色器可以位于所述OLED D或封装膜170上或上方。
此外，所述有机发光显示装置100还可以包括在所述封装膜170或滤色器上或上方的覆盖窗口(未示出)。在这种情况下，所述基板110和所述覆盖窗具有柔性特性，从而可以提供柔性有机发光显示装置。
图3是根据本公开内容第二实施方式的OLED的示意性截面图。
如图3所示，所述OLED D1包括作为反射电极的所述第一电极210、作为面向所述第一电极210的透明电极(或半透明电极)的所述第二电极230、以及二者之间的所述有机发光层220。所述有机发光层220包括包含第一蓝色EML 320的第一发光部310和包含第二蓝色EML 360的第二发光部350。此外，所述有机发光层220还可以包括位于第一发光部310和第二发光部350之间的CGL 390。此外，所述OLED D1还可以包括用于增强(改进)发光效率的覆盖层290。
所述有机发光显示装置可以包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述OLED D1位于蓝色像素区域中。
所述第一电极210可以是阳极，所述第二电极230可以是阴极。所述第一电极210为反射电极，所述第二电极230为透明电极(或半透明电极)。例如，所述第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，所述第二电极230可以由MgAg或Al形成。在MgAg的第二电极230中，Mg可以掺杂约10重量％。即，所述第一电极210可以具有第一透射率，并且所述第二电极230可以具有大于所述第一透射率的第二透射率。
第一发光部310可进一步包括位于第一蓝色EML 320下方的第一HTL 313和位于第一蓝色EML 320上方的第一ETL 319中的至少一个。此外，第一发光部310可以进一步包括位于第一HTL 313下方的HIL 311。此外，第一发光部310还可以包括位于第一蓝色EML 320和第一HTL 313之间的第一EBL 315和位于第一蓝色EML 320和第一ETL 319之间的第一HBL317中的至少一个。
第二发光部350可进一步包括位于第二蓝色EML 360下方的第二HTL 351和位于第二蓝色EML 360上方的第二ETL 357中的至少一个。此外，第二发光部350可进一步包含位于第二ETL 357上的EIL 359。此外，第二发光部350还可以包括位于第二蓝色EML 360与第二HTL 351之间的第二EBL 353和位于第二蓝色EML 360与第二ETL 357之间的第二HBL 355中的至少一个。
CGL 390位于第一发光部310和第二发光部350之间，并且第一发光部310和第二发光部350通过CGL 391连接。第一发光部310、CGL 390和第二发光部350顺序地堆叠在第一电极210上。即，第一发光部310位于第一电极210和CGL 390之间，第二发光部350位于第二电极230和CGL 390之间。
CGL 390可以是N型CGL 392和P型CGL 394的P-N结型CGL。N型CGL392位于第一ETL319和第二HTL 351之间，P型CGL 394位于N型CGL 392和第二HTL 351之间。N型CGL 392向第一发光部310的第一蓝色EML 320提供电子，而P型CGL 394向第二发光部350的第二蓝色EML360提供空穴。
作为磷光发光层的第二蓝色EML 360包括第一化合物362、第二化合物364和第三化合物366。第一化合物362是磷光发光体(掺杂剂)，第二化合物364是p型主体，例如第一主体，第三化合物366是n型主体，如第二主体。
第一化合物362由式1表示。
[式1]
Figure BDA0003985954600000091
在式1中，R1、R2和R3各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。a1为0至2的整数，a2为0至4的整数，且a3为0至4的整数。X1为C或N，X2为CR4或NR4。R4选自由氢、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
在本公开内容中，在没有具体定义的情况下，烷基、芳基、杂芳基、芳撑基、杂芳撑基和芳胺基的取代基可以是氘(D)、C1至C10烷基、和C6至C30芳基中的至少一个。本文中定义为“取代或未取代”的基团优选为未取代的。
描述为“取代或未取代”的基团可被本文定义的一个或多个基团取代(在原子价允许的情况下)。
在本公开内容中，C6至C30芳基(或C6至C30芳撑基)可以选自由以下各者构成的群组：苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、戊烷基(pentanenyl)、茚基、茚并茚基(indenoindenyl)、庚搭烯基(heptalenyl)、次联苯基、并茚苯基(indacenyl)、菲基、苯并菲基、二苯并菲基、薁基、芘基、荧蒽基、次三苯基、屈基(chrysenyl)、四苯基、并四苯基(tetrasenyl)、二萘品苯基(picenyl)、五苯基、并五苯基、芴基、茚并芴基和螺芴基。优选地，芳基是苯基。
在本公开内容中，C5至C30杂芳基可以选自由以下各者构成的群组：吡咯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、四嗪基、咪唑基、吡唑基、吲哚基、异吲哚基、吲唑基、吲嗪基、吡咯嗪基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、吲哚并咔唑基、茚并咔唑基、苯并呋喃咔唑基、苯并噻吩咔唑基、喹啉基、异喹啉基、酞嗪基、喹喔啉基、噌啉基、喹唑啉基、奎诺唑啉基、嘌呤基、苯并喹啉基、苯并异喹啉基、苯并喹唑啉基、苯并喹喔啉基、吖啶基、菲咯啉基、嘧啶基(perimidinyl)、菲啶基、蝶啶基、萘胺基、呋喃基、恶嗪基、恶唑基、恶二唑基、三唑基、二恶英基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、硫代吡喃基、呫吨基(xanthenyl)、苯并吡喃基、异苯并吡喃基、噻嗪基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、二呋喃吡嗪基、苯并呋喃二苯并呋喃基、苯并噻吩并苯并噻吩基(benzothienobenzothiophenyl)、苯并噻吩并二苯并噻吩基(benzothienodibenzothiophenyl)、苯并噻吩并苯并呋喃基(benzothienobenzofuranyl)和苯并噻吩并二苯并呋喃基(benzothienodibenzofuranyl)。
例如，在式1中，R1、R3和R4各自可以选自取代或未取代的C1至C10烷基，例如甲基或叔丁基，并且R2可以选自取代或未取代的C1至C10烷基(例如叔丁基)、或者取代或未取代的C5至C30杂芳基(例如咔唑基)。此外，a1、a2和a3中的至少一个可以是正整数。
在式1中，X1可以是C，X2可以是NR4。即，式1可以由式1a表示。
[式1a]
Figure BDA0003985954600000101
在式1a中，R1、R2、R3、R4、a1、a2和a3的定义与式1中的定义相同。
或者，在式1中，X1可以是N，X2可以是CR4。即，式1可以由式1b表示。
[式1b]
Figure BDA0003985954600000111
在式1b中，R1、R2、R3、R4、a1、a2和a3的定义与式1中的定义相同。
例如，第一化合物362可以是式2中的化合物之一。
[式2]
Figure BDA0003985954600000112
Figure BDA0003985954600000121
第二化合物364由式3表示。
[式3]
Figure BDA0003985954600000122
在式3中，Ar选自由取代或未取代的C6至C30芳撑基和取代或未取代的C5至C30杂芳撑基构成的群组。R11、R12、R13和R14各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且b1、b2、b3和b4各自独立地为0至4的整数。
例如，Ar可以是亚联苯基和亚苯基中的一种。
式3可以由式3a表示。
[式3a]
Figure BDA0003985954600000131
在式3a中，R15和R16各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且b5和b6各自独立为0至4的整数。R11、R12、R13、R14、b1、b2、b3和b4的定义与式3中的定义相同。
或者，式3可以由式3b表示。
[式3b]
Figure BDA0003985954600000132
在式3b中，R17独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且b7独立为0至4的整数。R11、R12、R13、R14、b1、b2、b3和b4的定义与式3中的定义相同。
例如，第二化合物364可以是式4中的化合物之一。
[式4]
Figure BDA0003985954600000141
第三化合物366由式5表示。
[式5]
Figure BDA0003985954600000151
在式5中，Ar1和Ar2各自独立地选自由取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
例如，Ar1和Ar2各自可以选自由苯基、三苯基甲硅烷基和咔唑基构成的群组并且可以相同或不同。
第三化合物366可以是式6中的化合物之一。
[式6]
Figure BDA0003985954600000161
在第二蓝色EML 360中，第二化合物364的重量％和第三化合物366的重量％的每一者可以大于第一化合物362的重量％，并且第二化合物364的重量％和第三化合物366的重量％可以相同或不同。例如，相对于第二化合物364或第三化合物366，第一化合物362可以具有5至30的重量％。
在第二蓝色EML 360中，第二发射峰强度“I2nd”与第一发射峰强度“I1st”之比“I2nd/I1st”可以是0.5或更小。即，在第一化合物362中，第二发射峰强度与第一发射峰强度之比相对较小。例如，在第一化合物362中，第二发射峰强度“I2nd”与第一发射峰强度“I1st”之比“I2nd/I1st”可以是0.5或更小。第一发射峰是指具有最大发光强度的峰，第二发射峰是指具有第二大发光强度的峰。
如上所述，第二蓝色EML 360被设置为比第一蓝色EML 320更靠近作为透明电极的第二电极230，并且第二蓝色EML 360的第一化合物362满足上述条件。结果，在OLED D1中，空腔效应增加(增强)，亮度显著提高。即，作为磷光发光层的第二蓝色EML 360位于作为荧光发光层的第一蓝色EML 320和作为透明电极的第二电极230之间。
或者，当第一电极210为透明电极时，作为磷光发光层的第二蓝色EML 360位于作为荧光发光层的第一蓝色EML 320和作为透明电极的第一电极210之间。
作为荧光发光层的第一蓝色EML 320包括第四化合物322和第五化合物324。第四化合物322是荧光发光体，第五化合物324是主体。
第四化合物322由式7表示。
[式7]
Figure BDA0003985954600000171
在式7中，R21、R22、R23和R24各自独立地选自由氢、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C5至C30杂芳基、和取代或未取代的C6至C30芳胺基构成的群组，或者相邻的两个R21、R22、R23和R24，连同它们所连接的原子一起相互连接(链接、连结、键合或结合)，以形成具有环硼和氮原子的6至30元稠环，任选地进一步被一个或多个选自由取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C6至C30芳胺基构成的群组的取代基取代。R25、R26、R27和R28各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C5至C30杂芳基、和取代或未取代的C6至C30芳胺基构成的群组。c1和c3各自独立地为0至5的整数，c2为0至4的整数，c4为0至3的整数。
例如，R21、R22、R23和R24各自可以独立地选自氢和取代或未取代的C1至C10烷基，或者相邻的两个，例如R22和R23可以相互连接以形成具有环硼和氮原子的任选取代的稠环。
第四化合物322可以是式8中的化合物之一。
[式8]
Figure BDA0003985954600000181
/>
第五化合物324由式9表示。
[式9]
Figure BDA0003985954600000191
在式9中，Ar3和Ar4各自独立地选自由取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，并且L为单键或C6至C30芳撑基。
例如，Ar3和Ar4各自可以独立地选自苯基、萘基和苯基萘基，并且L可以是单键或苯撑基。
第五化合物324可以是式10中的化合物之一。
[式10]
Figure BDA0003985954600000192
在第一蓝色EML 320中，第五化合物324的重量％可以大于第四化合物322的重量％。例如，相对于第五化合物324，第四化合物322可具有0.1至10的重量％。
第一蓝色EML 320中作为发光体的第四化合物322的重量％可以小于第二蓝色EML360中作为发光体的第一化合物362的重量％。
第一蓝色EML 320具有第一厚度t1，第二蓝色EML 360具有大于第一厚度t1的第二厚度t2。
由于第一蓝色EML 320中的空穴和电子的复合区出现在第一蓝色EML 320和第一HBL 317之间的界面处，因此第一蓝色EML 320具有相对较小的厚度以提供强空腔效应。另一方面，由于第二蓝色EML 360中空穴与电子的复合区出现在第二蓝色EML 360的中心，因此第二蓝色EML 360具有相对较大的厚度以增加OLED D1的寿命。
第一厚度t1与第二厚度t2之比“t1/t2”可以是约0.6或更小。例如，第一厚度t1可以是10nm以上且30nm以下，第二厚度t2可以是15nm以上且50nm以下。
第一蓝色EML 320的荧光掺杂剂的平均发射波长或最大发射波长与第二蓝色EML360的磷光掺杂剂的平均发射波长或最大发射波长之间的差可以是20nm或更小。例如，第一蓝色EML 320的平均发射波长和第二蓝色EML 360的平均发射波长的每一者可以是在450-490nm的范围。
可在室温(即25℃)下在有机溶剂(诸如甲苯)中测量发射波长。例如，可以使用荧光或磷光掺杂剂在有机溶剂(诸如甲苯)中的浓度为约1x10-5M的溶液。可以使用荧光光谱仪，诸如FS-5荧光光谱仪(Edinburgh Instruments)，利用光致发光检测来测量发射波长。
第一HTL 313和第二HTL 351的每一者可包括式11中的化合物。
[式11]
Figure BDA0003985954600000201
或者，第一HTL 313和第二HTL 351的每一者可以包括选自由N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-1，1′-联苯-4，4′-二胺(TPD)、NPB(NPD)、4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、聚[N，N′-双(4-丁基苯基)-N，N′-双(苯基)-联苯胺](聚-TPD)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(4，4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB)、二-[4-(N，N-二-对甲苯基-氨基)-苯基]环己烷(TAPC)、5-二(9H-咔唑-9-基)-N，N-二苯基苯胺(DCDPA)、N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺和N-(联苯-4-基)-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)联苯-4-胺构成的群组中的一种化合物。
第一HTL 313和第二HTL 351的每一者可以具有10-60nm的厚度。第一HTL 313的厚度和第二HTL 351的厚度可以相同或不同。例如，第二HTL 351的厚度可以大于第一HTL 313的厚度。
HIL 311可包括式11的化合物和式12的化合物。在这种情况下，式12的化合物可以掺杂约1-10重量％。
[式12]
Figure BDA0003985954600000211
或者，HIL 311可以包括选自由4，4′4″-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、4，4′，4″-三(N，N-二苯基-氨基)三苯胺(NATA)、4，4′，4″-三(N-(萘-1-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(1T-NATA)、4，4′，4″-三(N-(萘-2-基)-N-苯基-氨基)三苯胺(2T-NATA)、铜酞菁(CuPc)、三(4-咔唑-9-基-苯基)胺(TCTA)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-1，1′-联苯-4，4”-二胺(NPB或NPD)、1，4，5，8，9，11-六氮杂三亚苯六甲腈(二吡嗪[2，3-f：2′3′-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六甲腈；HAT-CN)、1，3，5-三[4-(二苯基氨基)苯基]苯(TDAPB)、聚(3，4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT/PSS)和N-(联苯-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺构成的群组中的一种化合物。所述HIL 311可以具有5-20nm的厚度。
第一ETL 319和第二ETL 357的每一者可包括式13中的化合物。
[式13]
Figure BDA0003985954600000221
或者，第一ETL 319和第二ETL 357的每一者可以包括选自由三-(8-羟基喹啉铝(Alq3)、2-联苯-4-基-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑(PBD)、螺-PBD、喹啉锂(Liq)、1，3，5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1′-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(Bphen)，2，9-二(萘-2-基)4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(NBphen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)、3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔-丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)、1，3，5-三(p-吡啶-3-基-苯基)苯(TpPyPB)、2，4，6-三(3′-(吡啶-3-基)联苯-3-基)1，3，5-三嗪(TmPPPyTz)、聚[9，9-双(3′-(N，N-二甲基)-N-乙基铵)-丙基)-2，7-芴]-alt-2，7-(9，9-二辛基芴)](PFNBr)、三(苯基喹喔啉)(TPQ)和二苯基[4-(三苯基甲硅烷基)苯基]氧化膦(TSPO1)构成的群组中的一种化合物。
第一ETL 319和第二ETL 357的每一者可以具有5-60nm的厚度。例如，第一ETL 319的厚度可以小于第二ETL 357的厚度。
EIL 359可以包括碱金属卤化物化合物(诸如LiF、CsF、NaF或BaF2)和有机金属化合物(诸如Liq、苯甲酸锂或硬脂酸钠)中的至少一种。EIL 359可具有1-10nm的厚度。
第一EBL 315和第二EBL 353的每一者可包括式5中的化合物或式14中的化合物，例如TAPC。
[式14]
Figure BDA0003985954600000222
例如，与第一蓝色EML 320相邻或接触的第一EBL 315可包括式14的化合物，并且与第二蓝色EML 360相邻或接触的第二EBL 353可包括式5的化合物，即第二蓝色EML 360中的第三化合物366。
或者，第一EBL 315和第二EBL 353的每一者可包括选自由TCTA、三[4-(二乙基氨基)苯基]胺、N-(联苯基-4-基)-9，9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、TAPC、MTDATA、1，3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、3，3′-双(N-咔唑基)-1，1′-联苯(mCBP)、CuPc、N，N′-二[4-(二(3-甲基苯基))氨基)苯基]-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯]-4，4′-二胺(DNTPD)、TDAPB、DCDPA和2，8-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯并[b，d]噻吩)构成的群组中的一种化合物。
第一EBL 315和第二EBL 353的每一者可具有10-30nm的厚度。第一EBL 315的厚度可以小于第二EBL 353的厚度。
第一HBL 317和第二HBL 355的每一者可包括式3中的化合物或式15中的化合物，例如B3PYMPM。
[式15]
Figure BDA0003985954600000231
例如，与第一蓝色EML 320相邻或接触的第一HBL 317可包括式15的化合物，并且与第二蓝色EML 360相邻或接触的第二HBL 353可包括式3的化合物，即第二蓝色EML 360中的第二化合物364。
或者，第一HBL 317和第二HBL 355的每一者可包括BCP、Balq、Alq3、PBD、螺-PBD、Liq、二-4，6-(3，5-二-3-吡啶基苯基)-2-甲基嘧啶(B3PYMPM)、双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、9-(6-(9H-咔唑-9-基)吡啶-3-基)-9H-3，9′-联咔唑和TSPO1。第一HBL 317和第二HBL 355的每一者可具有1-10nm的厚度。第一HBL 317和第二HBL 355可以具有相同的厚度。
N型CGL 392可包括主体和n型掺杂剂，主体可以是ETL 319和357的材料。n型掺杂剂可以是锂(Li)并且可以掺杂0.1-10重量％。
P型CGL 394可包括主体和p型掺杂剂，主体可以是HTL 313和351的材料。p型掺杂剂可以是式12中的化合物并且可以掺杂5-20重量％。
N型CGL 392和P型CGL 394的每一者可具有1-20nm的厚度。此外，N型CGL 392的厚度可以大于P型CGL 394的厚度。
覆盖层290位于作为透明电极的第二电极230上。例如，覆盖层290可包括HTL 313和351的材料并且可具有10-100nm的厚度。
OLED D1包括包含荧光发光层的第一发光部310和包含磷光发光层的第二发光部350，并且第二发光部350被设置为更靠近透明电极。另外，在磷光发光层中，第二发射峰强度与第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”为0.5或更小。因此，OLED D1在发光效率和寿命方面具有优势。
此外，磷光发光层的厚度大于荧光发光层的厚度，使得OLED D1的寿命显著增加。
图4是根据本公开内容第三实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图。
如图4所示，有机发光显示装置400包括：第一基板410，其中限定了红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP；面向第一基板410的第二基板470；OLEDD1，其位于第一基板410和第二基板470之间并提供白光发射；以及位于OLED D1和第二基板470之间的颜色转换层480。
第一基板410和第二基板470的每一者可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板410和第二基板470的每一者可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
在第一基板410上形成对应于红色像素RP、绿色像素GP和蓝色像素BP中的每一个的TFT Tr，并且形成具有暴露TFTTr的电极(例如漏电极)的漏极接触孔452的钝化层450，以覆盖TFT Tr。
在钝化层450上形成包括第一电极210、有机发光层220和第二电极230的OLED D1。在这种情况下，第一电极210可以通过漏极接触孔452连接到TFT Tr的漏电极。
堤层466形成在钝化层450上并且位于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的每一者的边界处以覆盖第一电极210的边缘。
OLED D1设置在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的每一者中并且发射蓝光。
第一电极210可以是阳极，第二电极230可以是阴极。第一电极210为反射电极，第二电极230为透明电极(或半透明电极)。例如，第一电极210可以具有ITO/Ag/ITO的结构，第二电极230可以由MgAg形成。
有机发光层220可以具有图3所示的结构。即，有机发光层220包括包含第一蓝色EML 320(即，荧光发光层)的第一发光部310和包含第二蓝色EML 360(即，磷光发光层)的第二发光部350，作为磷光发光层的第二蓝色EML 360被设置为更靠近作为透明电极的第二电极230。
第二蓝色EML 360包括由式1表示的第一化合物362、由式3表示的第二化合物364和由式5表示的第三化合物366，并且第一蓝色EML 320包括由式7表示的第四化合物322和由式9表示的第五化合物324。
在第二蓝色EML 360中，第二发射峰强度“I2nd”与第一发射峰强度“I1st”的之比“I2nd/I1st”可以是0.5或更小。即，在第一化合物362中，第二发射峰强度与第一发射峰强度之比相对较小。例如，在第一化合物362中，第二发射峰强度“I2nd”与第一发射峰强度“I1st”的之比“I2nd/I1st”可以为0.5或更小。
此外，第一蓝色EML 320具有第一厚度tl，第二蓝色EML 360具有大于第一厚度t1的第二厚度t2。第一厚度t1与第二厚度之比“t1/t2”可以是约0.6或更小。
颜色转换层480包括对应于红色像素RP的第一颜色转换层482和对应于绿色像素GP的第二颜色转换层484。例如，颜色转换层480可包括诸如量子点的无机颜色转换材料。
来自OLED D1的蓝光被红色像素区域RP中的第一颜色转换层482转换成红光，并且来自OLED D1的蓝光被绿色像素区域GP中的第二颜色转换层484转换成绿光。
尽管未示出，但是可以在第二基板470和颜色转换层480之间形成滤色器。例如，可以在第一颜色转换层482和第二基板470之间形成红色滤色器，并且可以在第二颜色转换层484和第二基板470之间形成绿色滤色器。
因此，有机发光显示装置400能够显示全色图像。
另一方面，当来自OLED D1的光穿过第一基板410时，颜色转换层480设置在OLEDD1和第一基板410之间。在这种情况下，包含第二蓝色EML 360(即，磷光发光层)的第二发光部350被设置为更靠近第一电极210，并且包含第一蓝色EML 320(即，荧光发光层)的第一发光部310设置在第二发光部之间350和第二电极230之间。
在本公开内容的有机发光显示装置400中，提供蓝光发射的OLED D1设置在所有的红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中，并且使用颜色转换层480提供全色图像。
此外，在包括荧光发光层和磷光发光层的OLED D1中，磷光发光层的第二发射峰强度与磷光发光层的第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”可以为0.5或更小，使得有机发光显示装置400在发光效率和寿命方面具有优势。
此外，磷光发光层的厚度大于荧光发光层的厚度，使得有机发光显示装置400的寿命显著增加。
图5是根据本公开内容第四实施方式的有机发光显示装置的示意性截面图，图6是根据本公开内容第五实施方式的OLED的示意性截面图。
如图5中所示，有机发光显示装置500包括：第一基板510，其中限定了红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP；面向第一基板510的第二基板570；OLED D，其位于第一基板510和第二基板570之间并提供白光发射；以及位于OLED D和第二基板570之间的滤色器层580。
第一基板510和第二基板570的每一者可以是玻璃基板或柔性基板。例如，第一基板510和第二基板570的每一者可以是聚酰亚胺(PI)基板、聚醚砜(PES)基板、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板或聚碳酸酯(PC)基板。
缓冲层520形成在基板上，并且与红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的每一者对应的TFT Tr形成在缓冲层520上。可以省略缓冲层520。
半导体层522形成在缓冲层520上。半导体层522可包括氧化物半导体材料或多晶硅。
栅极绝缘层524形成在半导体层522上。栅极绝缘层524可以由诸如氧化硅或氮化硅的无机绝缘材料形成。
由例如金属的导电材料形成的栅极530形成在栅极绝缘层524上以对应于半导体层522的中心。
由绝缘材料形成的层间绝缘层532形成在栅极530上。层间绝缘层532可以由无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)或有机绝缘材料(例如苯并环丁烯或光丙烯)形成。
层间绝缘层532包括暴露半导体层522两侧的第一接触孔534和第二接触孔536。第一接触孔534和第二接触孔536位于栅极530的两侧以与栅极530间隔开。
由例如金属的导电材料形成的源极540和漏极542形成在层间绝缘层532上。
源极540和漏极542相对于栅极530彼此间隔开，并分别通过第一接触孔534和第二接触孔536接触半导体层522的两侧。
半导体层522、栅极530、源极540和漏极542构成TFT Tr。TFT Tr用作驱动元件。即，TFT Tr可以对应于驱动TFT Td(图1)。
尽管未示出，但栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区域，并且开关TFT形成为连接至栅极线和数据线。开关TFT连接至作为驱动元件的TFT Tr。
此外，可以进一步形成电源线和存储电容器，所述电源线可形成为与栅极线和数据线之一平行并与栅极线和数据线之一间隔开，所述存储电容器用于在一帧中保持TFT Tr的栅极的电压。
钝化层(平坦化层)550形成为覆盖TFT Tr，该钝化层(平坦化层)550包括暴露TFTTr的漏极542的漏极接触孔552。
通过漏极接触孔552连接至TFT Tr的漏极542的第一电极610分别形成在每个像素区域中和钝化层550上。第一电极610可以是阳极，并且可包括透明导电氧化物材料层和反射层，所述透明导电氧化物材料层由具有相对较高功函数的导电材料(例如透明导电氧化物(TCO)材料)形成。即，第一电极610为反射电极。
或者，第一电极610可具有透明导电氧化物材料层的单层结构。即，第一电极610可以是透明电极。
例如，透明导电氧化物材料层可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟铜(ICO)和氧化铝锌(Al:ZnO，AZO)中的一种形成，并且反射层可以由银(Ag)、Ag与钯(Pd)、铜(Cu)、铟(In)和钕(Nd)之一的合金、以及铝-钯-铜(APC)合金中的一种形成。例如，第一电极610可具有ITO/Ag/ITO或ITO/APC/ITO的结构。
堤层566形成在钝化层550上以覆盖第一电极610的边缘。也就是说，堤层566位于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的边界处，并且暴露出红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的第一电极610的中心。可以省略堤层566。
有机发光层620形成在第一电极610上，第二电极630形成在包括有机发光层620的第一基板510上方。
在有机发光显示装置500中，由于从有机发光层620发出的光通过第二电极630入射到滤色器层580，因此第二电极630具有用于透射光的薄轮廓。
即，第二电极设置在整个显示区域上并且由具有相对较低功函数的导电材料形成以用作阴极。例如，第二电极630可以由Al、Mg、Ca、Ag或它们的合金(例如MgAg)形成。第二电极630具有薄的轮廓，例如10-30nm的厚度，以具有透光(半透光)特性。
第一电极610、有机发光层620和第二电极630构成OLED D2。此外，OLED D2还可以包括用于增强光提取的覆盖层690。
参照图6，有机发光层620包括：第一发光部710，第一发光部710包括第一蓝色EML720，即荧光发光层；第二发光部730，第二发光部730包括第二蓝色EML 740，即磷光发光层；以及第三发光部750，第三发光部750包括发射红光和绿光的第三EML 760。此外，有机发光层620还可以包括在第一发光部710和第三发光部750之间的第一CGL 770以及在第二发光部730和第三发光部750之间的第二CGL 780。
有机发光显示装置500包括红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP，并且OLED D2在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中发射白光。
第一发光部710还可以包括在第一蓝色EML 720下方的第一HTL 714和在第一蓝色EML 720上的第一ETL 716中的至少一个。此外，第一发光部710还可以包括在第一HTL 714下方的HIL 712。
尽管未示出，第一发光部710还可以包括在第一蓝色EML 720和第一HTL714之间的第一EBL以及在第一EML 720和第一ETL 716之间的第一HBL中的至少一个。
第二发光部730还可以包括在第二蓝色EML 740下方的第二HTL 732和在第二蓝色EML 740上的第二ETL 734中的至少一个。此外，第二发光部730还可以包括在第二ETL 734上的EIL 736。
尽管未示出，第二发光部730还可以包括在第二蓝色EML 740和第二HTL732之间的第二EBL以及在第二蓝色EML 740和第二ETL 734之间的第二HBL中的至少一个。
在第三发光部750中，第三EML 760包括红色EML 762和绿色EML 764。绿色EML 764位于红色EML 762和第二发光部730之间。此外，第三EML 760可以进一步包括在红色EML762和绿色EML 764之间的黄绿色EML 766。
红色EML包括红色主体和红色掺杂剂，绿色EML包括绿色主体和绿色掺杂剂，黄绿色EML包括黄绿色主体和黄绿色掺杂剂。红色掺杂剂、绿色掺杂剂和黄绿色掺杂剂的每一者可以是荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光化合物中的一种。
第三发光部750还可以包括在第三EML 760下方的第三HTL 752和在第三EML 760上的第三ETL 754。
尽管未示出，第三发光部750还可以包括在第三蓝色EML 760和第三HTL752之间的第三EBL以及在第三蓝色EML 760和第三ETL 754之间的第三HBL中的至少一个。
第一CGL 770位于第一发光部710和第三发光部750之间，第二CGL 780位于第二发光部730和第三发光部750之间。即，第一发光部710、第一CGL770、第三发光部750、第二CGL780和第二发光部730顺序地堆叠在第一电极610上。换言之，第一发光部710位于第一电极610和第一CGL 770之间，第三发光部750位于第一CGL 770和第二CGL 780之间，第二发光部730位于第二CGL 780和第二电极630之间。
第一CGL 770可以是第一N型CGL 772和第一P型CGL 774的P-N结CGL，并且第二CGL780可以是第二N型CGL 782和第二P型CGL 784的P-N结CGL。
在第一CGL 770中，第一N型CGL 772位于第一ETL 716和第三HTL 752之间，第一P型CGL 774位于第一N型CGL 772和第三HTL 752之间。
在第二CGL 780中，第二N型CGL 782位于第三ETL 754与第二HTL 732之间，第二P型CGL 784位于第二N型CGL 782与第二HTL 732之间。
第二蓝色EML 740包括由式1表示的第一化合物742、由式3表示的第二化合物744和由式5表示的第三化合物746，并且第一蓝色EML 720包括由式7表示的第四化合物722和由式9表示的第五化合物724。
在第二蓝色EML 740中，第二发射峰强度“I2nd”与第一发射峰强度“I1st”之比“I2nd/I1st”可以是0.5或更小。即，在第一化合物742中，第二发射峰强度与第一发射峰强度之比相对较小。例如，在第一化合物742中，第二发射峰强度“I2nd”与第一发射峰强度“I1st”之比“I2nd/I1st”可以是0.5或更小。
此外，第一蓝色EML 720具有第一厚度t1，第二蓝色EML 740具有大于第一厚度t1的第二厚度t2。第一厚度t1与第二厚度之比“t1/t2”可以是约0.6或更小。
返回参照图5，滤色器层580位于OLED D2上方并且包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的红色滤色器582、绿色滤色器584和蓝色滤色器586。
红色滤色器582可包括红色染料和红色颜料中的至少一种，绿色滤色器584可包括绿色染料和绿色颜料中的至少一种，蓝色滤色器586可包括蓝色染料和蓝色颜料中的至少一种。
尽管未示出，但滤色器层580可以通过使用粘合剂层附接至OLED D2。或者，滤色器层580可以直接形成在OLED D2上。
可以形成封装膜(未示出)以防止水分渗透到OLED D2中。例如，封装膜可以包括顺序地堆叠的第一无机绝缘层、有机绝缘层和第二无机绝缘层，但不限于此。可以省略封装膜。
用于减少环境光反射的偏振板(未示出)可以设置在第二电极570的外侧上。例如，偏振板可以是圆偏振板。
在图5的OLED中，来自有机发光层620的光穿过第二电极630，并且滤色器层580设置在OLED D2上方。或者，当来自有机发光层620的光穿过第一电极610时，滤色器层580可以设置在OLED D2和第一基板510之间。在这种情况下，包括第二蓝色EML 740(即，磷光发光层)的第二发光部730被设置为更靠近第一电极610，并且包括第一蓝色EML 720(即，荧光发光层)的第一发光部710设置在第三发光部740和第二电极630之间。
可以在OLED D2和滤色器层580之间形成颜色转换层(未示出)。颜色转换层可包括分别对应于红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP的的红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层。OLED D发出的白光通过红色转换层、绿色转换层和蓝色转换层分别转换成红光、绿光和蓝光。例如，颜色转换层可包括量子点。因此，可以进一步提高有机发光显示装置400的色纯度。
如上所述，在有机发光显示装置500中，红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中的OLED D2发出白光，并且来自有机发光二极管D2的白光穿过红色滤色器582、绿色滤色器584和蓝色滤色器586。结果，从红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP分别提供红光、绿光和蓝光。
在图5中，发出白光的OLED D2用于显示装置。或者，OLED D2可以形成在基板的整个表面上，而没有用于照明装置的驱动元件和滤色器层的至少一者。各自包括本公开内容的OLED D2的显示装置和照明装置可被称为有机发光装置。
在根据本公开内容的有机发光显示装置500中，发射白光的OLED D2设置在红色像素区域RP、绿色像素区域GP和蓝色像素区域BP中，并且滤色器层580用于提供全色图像。
此外，在包括荧光发光层和磷光发光层的OLED D2中，磷光发光层被设置为更靠近透明电极，磷光发光层的第二发射峰强度与磷光发光层的第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”可以为0.5或更小，使得有机发光显示装置500在发光效率和寿命方面具有优势。
此外，磷光发光层的厚度大于荧光发光层的厚度，使得有机发光显示装置500的寿命显著增加。
[OLED]
顺序地沉积阳极(ITO(7nm)/Ag(10nm)/ITO(7nm))、HIL(式11中的化合物和式12中的化合物(5重量％)，10nm)、第一HTL(式11中的化合物，20nm)、第一EBL(式14中的化合物，15nm)、第一EML、第一HBL(式15中的化合物，5nm)、第一ETL(式13中的化合物，10nm)、N型CGL(式13中的化合物和Li(1重量％)，10nm)、P型CGL(式11中的化合物和式12中的化合物(15重量％)，5nm)、第二HTL(式11中的化合物)、第二EBL(式6中的化合物NH3，20nm)、第二EML、第二HBL(式4中的化合物PH1，5nm)、第二ETL(式13中的化合物，45nm)、EIL(LiF，2nm)、阴极(AgMg(Mg＝10重量％)，10nm)和覆盖层(式11中的化合物，65nm)以形成OLED。
1.比较例
(1)比较例1(Ref1)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(20nm)和第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有12.5nm的厚度。
(2)比较例2(Ref2)
式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第一EML(20nm)和第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有42.5nm的厚度。
(3)比较例3(Ref3)
式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第一EML(20nm)，并且式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(4)比较例4(Ref4)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(20nm)，并且式16中的化合物(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有30nm的厚度。
(5)比较例5(Ref5)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(20nm)，并且式17中的化合物(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有30nm的厚度。
2.实施例
(1)实施例1(Ex1)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(20nm)，并且式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(2)实施例2(Ex2)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(20nm)，并且式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(25nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(3)实施例3(Ex3)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(17.5nm)，并且式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(25nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(4)实施例4(Ex4)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(15nm)，并且式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(25nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(5)实施例5(Ex5)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(15nm)，并且式2中的化合物PD3(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(30nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(6)实施例6(Ex6)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(20nm)，并且式2中的化合物PD4(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(20nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
(7)实施例7(Ex7)
式8中的化合物FD1(2重量％)和式10中的化合物H1(98重量％)用于形成第一EML(15nm)，并且式2中的化合物PD4(12重量％)、式4中的化合物PH1(44重量％)和式6中的化合物NH3(44重量％)用于形成第二EML(30nm)。第二HTL形成为具有27.5nm的厚度。
[式16]
Figure BDA0003985954600000341
[式17]
Figure BDA0003985954600000342
对于式16中的化合物“Ref_PD1”、式17中的化合物“Ref_PD2”、式2中的化合物PD3和式2中的化合物PD4，测量最大发射波长(λmax)和第二发射峰强度与第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”，并列于表1。此外，式16中的化合物“Ref_PD1”和式17中的化合物“Ref_PD2”的PL光谱分别示于图7A和图7B中，式2中的化合物PD3和式2中的化合物PD4的PL光谱分别示于图8A和图8B中。式8中的化合物FD1的PL光谱如图9所示。
对于比较例1至5和实施例1至7的OLED中使用的磷光发光体“PD”、磷光发光体的第二发射峰强度与磷光发光体的第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”、第一EML EML1的最大发射峰波长(第一发射峰波长)与第二EML EML2的最大发射峰波长之差“Δλmax＝λmax(EML2)-λmax(EML1)”、第一EML的第一厚度t1、第二EML的第二厚度t2、第一厚度与第二厚度之比“t1/t2”、以及第二HTL的厚度“tHTL2”列于表2中。
测量比较例1至5和实施例1至7中的OLED的发光特性，即驱动电压(V)、亮度(cd/A)、色坐标指数(CIEx和CIEy)、蓝色指数(BI，cd/A/CIEy)和寿命(T95)并列于表3中。
表1
Figure BDA0003985954600000343
Figure BDA0003985954600000351
表2
Figure BDA0003985954600000352
表3
Figure BDA0003985954600000353
如表3所示，其中第一EML和第二EML为荧光发光层的Ref1的OLED具有低发光效率和低蓝色指数。另一方面，其中第一EML和第二EML是磷光发光层的Ref2的OLED具有低寿命。
其中第一EML是磷光发光层并且第二EML是荧光发光层的Ref3的OLED具有相对低发光效率、低蓝色指数和低寿命。
在Ref4和Ref5的OLED中，作为磷光发光层的第二EML被设置为比作为荧光发光层的第一EML更靠近作为透明电极的阴极，而磷光发光体的第二发射峰强度与磷光发光体的第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”和第一EML EML1的最大发射峰波长与第二EML EML2的最大发射峰波长之差“Δλmax＝λmax(EML2)-λmax(EML1)”不满足本公开内容的期望条件。结果，Ref4和Ref5的OLED具有低蓝色指数。
在Ex1至Ex7的OLED中，作为磷光发光层的第二EML被设置为比作为荧光发光层的第一EML更靠近作为透明电极的阴极，而磷光发光体的第二发射峰强度与磷光发光体的第一发射峰强度之比“I2nd/I1st”和第一EML EML1的最大发射峰波长与第二EML EML2的最大发射峰波长之差“Δλmax＝λmax(EML2)-λmax(EML1)”满足本公开内容的期望条件。因此，Ex1至Ex7的OLED在驱动电压、亮度、色坐标指数、蓝色指数和寿命方面具有优势。
此外，在Ref2至Ref5和Ref6的OLED中，作为磷光发光层的第二EML的厚度大于作为荧光发光层的第一EML的厚度，从而使OLED的特性得到进一步改善。
此外，在Ref4、Ref5和Ref7的OLED中，第一EML的厚度t1与第二EML的厚度t2之比“t1/t2”为0.6或更小，从而使OLED的特性得到进一步改善。
对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不背离本公开内容的精神或范围的情况下，可以对本公开内容进行各种修改和变化。因此，本公开内容旨在涵盖本公开内容的修改和变化，只要它们落入所附权利要求及其等价物的范围内即可。

Claims (20)

1.一种有机发光二极管，包括：
反射电极；
面向所述反射电极的透明电极；
第一发光部，所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述反射电极和所述透明电极之间，所述第一发光材料层是包括第四化合物作为荧光掺杂剂的荧光发光层；以及
第二发光部，所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部和所述透明电极之间，所述第二发光材料层是包括第一化合物作为磷光掺杂剂的磷光发光层，
其中所述第二发光材料层中的作为所述磷光掺杂剂的所述第一化合物的第二发射峰强度与所述第二发光材料层中的作为所述磷光掺杂剂的所述第一化合物的第一发射峰强度之比为0.5或更小。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层具有第一厚度，并且所述第二发光材料层具有大于所述第一厚度的第二厚度。
3.根据权利要求2所述的有机发光二极管，其中所述第一厚度与所述第二厚度之比为0.6或更小。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其中所述第一厚度为10nm或以上，并且所述第二厚度为50nm或以下。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层的作为所述荧光掺杂剂的所述第四化合物的平均发射波长与所述第二发光材料层的作为所述磷光掺杂剂的所述第一化合物的平均发射波长之差为20nm或更少。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其中所述第二发光材料层进一步包括作为第一主体的第二化合物和作为第二主体的第三化合物。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物由式1表示：
[式1]
Figure FDA0003985954590000021
其中R1、R2和R3各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，
其中a1为0至2的整数，a2为0至4的整数，且a3为0至4的整数，
其中X1为C或N，X2为CR4或NR4，并且
其中R4选自由氢、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中所述第一化合物是式2中的化合物之一：
[式2]
Figure FDA0003985954590000022
Figure FDA0003985954590000031
9.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物由式3表示：
[式3]
Figure FDA0003985954590000032
其中Ar选自由取代或未取代的C6至C30芳撑基和取代或未取代的C5至C30杂芳撑基构成的群组，
其中R11、R12、R13和R14各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基和取代或未取代的C6至C30芳基构成的群组，并且b1、b2、b3和b4各自独立地为0至4的整数，
其中所述第三化合物由式5表示：
[式5]
Figure FDA0003985954590000041
其中Ar1和Ar2各自独立地选自由取代或未取代的C6至C30芳基、和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组。
10.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第二化合物是式4中的化合物之一：
[式4]
Figure FDA0003985954590000042
Figure FDA0003985954590000051
11.根据权利要求9所述的有机发光二极管，其中所述第三化合物是式6中的化合物之一：
[式6]
Figure FDA0003985954590000052
Figure FDA0003985954590000061
12.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其中所述第一发光材料层包括第四化合物和第五化合物，
其中所述第四化合物由式7表示：
[式7]
Figure FDA0003985954590000062
其中R21、R22、R23和R24各自独立地选自由氢、取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C5至C30杂芳基、和取代或未取代的C6至C30芳胺基构成的群组，或者任何相邻的两个R21、R22、R23和R24，连同它们所连接的原子一起相互连接，以形成具有环硼和氮原子的6至30元稠环，所述稠环未被取代或被一个或多个选自由取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C6至C30芳胺基构成的群组的取代基取代，
其中R25、R26、R27和R28各自独立地选自由取代或未取代的C1至C10烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C5至C30杂芳基、和取代或未取代的C6至C30芳胺基构成的群组，其中c1和c3各自独立地为0至5的整数，c2为0至4的整数，并且c4为0至3的整数，
其中所述第五化合物由式9表示：
[式9]
Figure FDA0003985954590000071
其中Ar3和Ar4各自独立地选自由取代或未取代的C6至C30芳基和取代或未取代的C5至C30杂芳基构成的群组，并且L为单键或C6至C30芳撑基。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第四化合物是式8中的化合物之一：
[式8]
Figure FDA0003985954590000072
Figure FDA0003985954590000081
14.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第五化合物是式10中的化合物之一：
[式10]
Figure FDA0003985954590000091
15.一种有机发光显示装置，包括：
基板；和
设置在所述基板上或所述基板上方的有机发光二极管所述有机发光二极管包括：
反射电极；
面向所述反射电极的透明电极；
第一发光部所述第一发光部包括第一发光材料层并且位于所述反射电极和所述透明电极之间，所述第一发光材料层是包括第四化合物作为荧光掺杂剂的荧光发光层；以及
第二发光部所述第二发光部包括第二发光材料层并且位于所述第一发光部和所述透明电极之间，所述第二发光材料层是包括第一化合物作为磷光掺杂剂的磷光发光层，
其中所述第二发光材料层中的作为所述磷光掺杂剂的所述第一化合物的第二发射峰强度与所述第二发光材料层中的作为所述磷光掺杂剂的所述第一化合物的第一发射峰强度之比为0.5或更小。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述有机发光二极管位于所述蓝色像素区域中。
17.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，
其中所述有机发光二极管进一步包括第三发光部，所述第三发光部包括第三发光材料层并且位于所述第一发光部和所述第二发光部之间，并且所述第三发光材料层发射红光和绿光，并且
其中所述有机发光二极管位于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，进一步包括：
滤色器层，所述滤色器层位于所述基板与所述有机发光二极管之间或者位于所述有机发光二极管上方。
19.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述基板包括红色像素区域、绿色像素区域和蓝色像素区域，并且所述有机发光二极管位于所述红色像素区域、所述绿色像素区域和所述蓝色像素区域中，并且
其中所述有机发光显示装置进一步包括：颜色转换层，所述颜色转换层设置在所述基板与所述有机发光二极管之间或者设置在所述有机发光二极管上方，并且对应于所述红色像素区域和所述绿色像素区域。
20.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，其中所述第一发光材料层具有第一厚度，并且所述第二发光材料层具有大于所述第一厚度的第二厚度，并且
其中所述第一厚度与所述第二厚度之比为0.6或更小。
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