CN116339002A - 液晶面板 - Google Patents

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CN116339002A
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electrode
liquid crystal
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overlap
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森永润一
吉野光
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Sharp Display Technology Corp
Original Assignee
Sharp Display Technology Corp
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Abstract

课题：抑制显示不良。解决手段：液晶面板(11)具备:阵列基板(21)；与阵列基板(21)相对配置的对向基板(20)；以及夹持在阵列基板(21)与对向基板(20)之间的液晶层(22)，在阵列基板(21)上设有:在阵列基板(21)的面内空开间隔排列的多个像素电极(24)；与多个像素电极(24)重叠配置的公共电极(25)；配置在公共电极(25)的上层侧的绝缘膜(37)；以及配置在绝缘膜(37)的上层侧的取向膜(33)，在对向基板(20)上设有对多个像素电极(24)之间进行分隔的遮光部(29)；以及与遮光部(29)重叠配置并从对向基板(20)向液晶层(22)侧突出的隔离物(30)，取向膜(33)通过设置于绝缘膜(37)的开口(37A)直接或者经由其它部件与公共电极(25)连接，在绝缘膜(37)上与开口(37)配置于与隔离物(30)不重叠，与遮光部(29)重叠的位置。

Description

液晶面板
技术领域
在本说明书中公开的技术关于液晶面板。
背景技术
作为现有的液晶显示装置的一例，已知下述专利文献1中记载的液晶显示装置。专利文献1记载的液晶显示装置在液晶单元的外周区域具有公共布线、栅极布线、源极布线及取向膜。取向膜经由绝缘膜与栅极布线、源极布线绝缘。公共布线经由形成于绝缘膜的开口具有公共电位露出部，并与取向膜电连接。由于供给取向膜与单元的平均电位接近的公共电位，因此能够防止由于杂质离子残留于取向膜的表面或内部而产生的画面显示不良或劣化。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2001-330841号公报
发明内容
发明要解决的问题
在上述专利文献1所记载的液晶显示装置中，为了将公共布线的公共电位露出部与取向膜电连接，在绝缘膜上形成有开口。取向膜具有与公共电位露出部接触的第一部分和层叠在绝缘膜上的第二部分，在该第一部分与第二部分之间产生台阶。当在取向膜上产生这样的台阶时，液晶分子产生取向不良，担心产生由取向不良引起的显示不良。
本说明书所记载的技术是基于上述情况而完成的技术，其目的在于抑制显示不良。
用于解决问题的方案
(1)本实施方式的液晶面板具备阵列基板；对向基板，其与所述阵列基板相对配置；液晶层，其被夹持在所述阵列基板与所述对向基板之间，在所述阵列基板上设置有:在所述阵列基板的面内空开间隔地排列的多个像素电极；与多个所述像素电极重叠配置的公共电极；配置于所述公共电极的上层侧的绝缘膜；以及配置于所述绝缘膜的上层侧的取向膜，在所述阵列基板和所述对向基板中的至少一方上设置有:分隔多个所述像素电极之间的遮光部；以及与所述遮光部重叠配置并从所述阵列基板和所述对向基板中的至少一方向所述液晶层侧突出的间隔物，所述取向膜通过设置于所述绝缘膜的开口直接或经由其它部件连接于所述公共电极，在所述绝缘膜中，所述开口配置于与所述间隔物不重叠且与所述遮光部重叠的位置。
(2)另外，在上述液晶面板中在上述(1)的基础上，所述阵列基板设置有：多个薄膜晶体管，其在第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔排列；多条第一布线，其沿所述第一方向延伸，并在所述第二方向上空开间隔地排列；以及多条第二布线，其沿所述第二方向延伸并与所述第一布线交叉，在所述第一方向上空开间隔排列，多个所述像素电极在所述第一方向以及所述第二方向上分别空开间隔排列，并与多个所述薄膜晶体管连接，所述第一布线与沿所述第一方向排列的多个所述薄膜晶体管连接，所述第二布线与沿所述第二方向排列的多个所述薄膜晶体管连接，所述间隔物与所述第一布线和所述第二布线的交叉部位重叠配置，设置数量比所述交叉部位的数量少，所述开口与所述第一布线和所述第二布线中的至少一方重叠，沿着所述第一方向和所述第二方向中的至少一方与所述间隔物并列配置，设置数量为从所述交叉部位的数量减去所述间隔物的设置数量后的数量以下。
(3)另外，上述液晶面板在上述(2)的基础上，所述开口的设置数量为从所述交叉部位的数量减去所述间隔物的设置数量后的数量。
(4)另外，上述液晶面板在上述(2)或上述(3)的基础上，多个所述间隔物在沿着所述第一方向排列的多个所述交叉部位中，对每一个所述交叉部位上配置一个，在沿着所述第二方向排列的多个上述交叉部位中，对每一个所述交叉部位上配置一个。
(5)另外，上述液晶面板在上述(2)至上述(4)的任一个的基础上，所述遮光部具有：第一遮光部，其沿所述第一方向延伸，并与所述薄膜晶体管、所述第一布线、所述间隔物及所述开口重叠；以及第二遮光部，其沿着所述第二方向延伸，与所述第二布线重叠，并且宽度比所述第一遮光部窄。
(6)另外，上述液晶面板在上述(1)至上述(5)的任一个的基础上，所述像素电极在所述绝缘膜的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧。
(7)另外，上述液晶面板在上述(6)的基础上，所述像素电极由透明电极膜的一部分构成，在所述阵列基板中，作为所述其它部件而设置连接电极，该连接电极由所述透明电极膜中的与所述像素电极不同的部分构成，与所述取向膜接触，通过所述开口与所述公共电极连接。
(8)另外，上述液晶面板在上述(7)的基础上，所述像素电极在与第一方向和所述第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔地排列配置有多个，所述连接电极位于所述第一方向与所述第二方向中的一方相邻的两个所述像素电极之间，不配置在所述第一方向与所述第二方向中的另一方相邻的两个上述像素电极之间。
(9)另外，上述液晶面板在上述(7)的基础上，所述像素电极在与第一方向和所述第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔地排列配置有多个，所述连接电极具有:电极本体，其位于所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上相邻的两个所述像素电极之间，通过所述开口与所述公共电极连接；延伸部，其位于与所述第一方向和所述第二方向中的另一方相邻的两个所述像素电极之间，从所述电极本体伸出。
(10)另外，上述液晶面板在上述(9)的基础上，作为所述开口，所述绝缘膜包含有:第一开口，其位于所述第一方向和所述第二方向中的所述一个方向上相邻的两个所述像素电极之间；以及第二开口，其位于所述第一方向和所述第二方向中的所述一个方向相邻的两个所述像素电极之间，配置在与所述第一开口在所述第一方向和所述第二方向中的所述一个方向上空开间隔的位置，作为所述电极本体，所述连接电极具备:第一电极本体，其与所述第一开口重叠配置，通过所述第一开口而与所述公共电极连接；以及第二电极本体，其与所述第二电极本体重叠配置，通过所述第二开口与所述公共电极连接，所述延伸部与所述第一电极本体以及所述第二电极本体相连。
(11)另外，上述液晶面板在上述(9)或上述(10)的基础上，所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，所述阵列基板设置有：第一平坦化膜，其配置于所述公共电极的下层侧；以及第二平坦化膜，其在所述像素电极以及所述连接电极的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧，所述第一平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物、所述公共电极以及所述像素电极重叠配置，所述第二平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物和所述延伸部重叠配置。
(12)另外，上述液晶面板在上述(9)或上述(10)的基础上，所述公共电极包括在所述第一方向及所述第二方向上分别空开间隔地排列配置的多个位置检测电极，在所述阵列基板设置有位于在所述第二方向上相邻的两个所述像素电极之间，并沿着所述第一方向延伸的第一布线，所述第一布线配置于比所述公共电极靠下层侧，且位于在所述第二方向上相邻的两个所述位置检测电极之间，所述延伸部位于在所述第二方向上相邻的两个所述位置检测电极之间，与所述第一布线重叠配置。
(13)另外，上述液晶面板在上述(12)的基础上，所述电极本体与在所述第二方向上相邻的两个所述位置检测电极中的一个所述位置检测电极不重叠，与另一个所述位置检测电极重叠配置，并与所述另一个位置检测电极连接。
(14)另外，上述液晶面板在上述(12)或上述(13)的基础上，所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，所述阵列基板设置有：第一平坦化膜，其配置于所述公共电极的下层侧；以及第二平坦化膜，其在所述像素电极以及所述连接电极的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧，所述第一平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物、所述公共电极以及所述像素电极重叠配置，所述第二平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物以及所述延伸部重叠配置，所述第一布线配置在比所述第一平坦化膜靠下层侧。
(15)另外，上述液晶面板在上述(6)、上述(7)、上述(8)、上述(9)、上述(10)、上述(12)、上述(13)的任一个的基础上，所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，在所述阵列基板上设置有配置于所述公共电极的下层侧的平坦化膜，所述平坦化膜具备:第一膜厚部，其膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物不重叠，与所述公共电极及所述像素电极重叠配置；以及第二膜厚部，其膜厚比所述第一膜厚部大，并与所述间隔物重叠配置。
(15)另外，上述液晶面板在上述(6)至上述(10)的任一个所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，所述阵列基板设置有：第一平坦化膜，其配置于所述公共电极的下层侧；以及第二平坦化膜，其在所述像素电极的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧，所述第一平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物、所述公共电极以及所述像素电极重叠配置，所述第二平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物和所述延伸部重叠配置。
发明效果
根据本说明书中记载的技术，能够抑制显示不良。
附图说明
图1是构成第一实施方式涉及的液晶显示装置的液晶面板、柔性基板和控制电路基板的连接结构的概略俯视图。
图2是构成液晶面板的阵列基板的显示区域中的像素排列的俯视图。
图3是放大了图2的一部分(TFT附近)的俯视图。
图4是构成液晶面板的对向基板的显示区域中的像素排列的俯视图。
图5是放大了图4的一部分(间隔物附近)的俯视图。
图6是液晶面板中的图2的vi-vi线的截面图。
图7是液晶面板中的图3的vii-vii线的截面图。
图8是与图2相同范围的俯视图，是以不同的阴影表示第一金属膜和第二金属膜的俯视图。
图9是与图3相同范围的俯视图，是以不同的阴影表示第一金属膜和第二金属膜的俯视图。
图10是与图2相同范围的俯视图，是以阴影表示第二透明电极膜的俯视图。
图11是与图3相同范围的俯视图，是以不同的阴影表示第一透明电极膜和第二透明电极膜的俯视图。
图12是与图2相同范围的俯视图，是以阴影表示第一透明电极膜的俯视图。
图13是液晶面板中的图2的xiii-xiii线的截面图。
图14是进行阵列基板的制造方法所包含的第六工序，将成膜的平坦化膜曝光的状态的与图7相同的切断位置的截面图。
图15是进行阵列基板的制造方法所包含的第六工序，将曝光的平坦化膜显影后的状态的与图7相同的切断位置的截面图。
图16是第二实施方式涉及的液晶面板中的TFT和第二间隔物附近(与图7相同的位置)的截面图。
图17是第三实施方式涉及的阵列基板的显示区域中的像素排列的俯视图，是将第二透明电极膜以阴影表示的俯视图。
图18是放大阵列基板的TFT附近(与图11相同的范围)的俯视图，是以不同的阴影状示出第一透明电极膜及第二透明电极膜的俯视图。
图19是液晶面板上的图18的xix-xix线截面图。
图20是第四实施方式涉及的阵列基板的将TFT附近(与图11相同的范围)放大后的俯视图，是以不同的阴影状表示第一透明电极膜及第二透明电极膜的俯视图。
图21是液晶面板中的图20的xxi-xxi线的截面图。
图22是液晶面板中的图20的xxii-xxii线的截面图。
图23是液晶面板中的图20的xxiii-xxiii线的截面图。
图24是第五实施方式涉及的阵列基板的将TFT附近(与图11相同的范围)放大后的俯视图，是以不同的阴影状表示第一透明电极膜及第二透明电极膜的俯视图。
图25是第六实施方式涉及的液晶面板的触摸电极及触摸布线等的俯视图。
图26是将阵列基板中在Y轴方向相邻的两个触摸电极的边界附近放大的俯视图，是以不同的阴影状表示第一透明电极膜及第二透明电极膜的俯视图。
图27是液晶面板中的图26的xxvii-xxvii线的截面图。
图28是液晶面板中的图26的xxviii-xxviii线的截面图。
图29是第七实施方式涉及的液晶面板中的TFT和第二间隔物附近(与图7相同的位置)的截面图。
图30是液晶面板中的像素电极和延伸部附近(与图23相同的位置)的截面图。
具体实施方式
<第一实施方式>根据图1至图15说明第一实施方式。在本实施方式中，示例出液晶显示装置10。此外，在各附图的一部分中示出了X轴、Y轴和Z轴，各轴方向描绘为在各附图中所示的方向。
图1是构成液晶显示装置10的液晶面板11、柔性基板13和控制电路基板14的连接结构的概略俯视图。如图1所示，液晶显示装置10至少具备液晶面板11和向液晶面板11照射光的背光源装置(照明装置)。在液晶面板11中，用于进行显示驱动的驱动器12和柔性基板13经由ACF(Anisotropic Conductive Film:各向异性导电膜)安装。柔性基板13连接有从外部对驱动器12供给各种输入信号的控制电路基板(信号供给源)14。背光装置的结构如已知那样，例如具有通过对LED等光源、来自光源的光赋予光学作用来转换为面状的光的光学部件等。
如图1所示，液晶面板11的中央侧部分为能够显示图像的显示区域(有源区域)AA。液晶面板11的包围显示区域A的外周侧部分成为在俯视时呈框状(边框状)的非显示区域(非有源区域)NAA。另外，在图1中，点划线表示显示区域AA的外形，比该点划线靠外侧的区域成为非显示区域NAA。液晶面板11由一对基板20、21贴合而成。一对基板20、21中的表面侧(正面侧)的基板作为对向基板(CF基板)20。一对基板20、21中的里面侧(背面侧)的基板作为阵列基板(有源矩阵基板)21。对向基板20以及阵列基板21分别具有大致透明的玻璃基板20GS、21GS，在各玻璃基板20GS、21GS的内表面侧层叠形成各种膜。另外，在两基板20、21的外表面侧分别粘贴有偏振板。另外，在阵列基板21的非显示区域NAA，以在X轴方向上从两侧夹着显示区域A的形式设置有一对栅极电路部，但在此省略图示。栅极电路部用于向后述的栅极布线26供给扫描信号，单片地设置于阵列基板21。
图2是构成液晶面板11的阵列基板21的显示区域AA中的像素排列的俯视图。图3是放大了图2的一部分(TFT23附近)的俯视图。如图2所示，在阵列基板21的显示区域AA的内表面侧，在阵列基板21的面内隔开间隔地排列设置有多个TFT(薄膜晶体管、开关元件)23和像素电极24。多个TFT23及像素电极24在X轴方向(第一方向)及与X轴方向交叉的Y轴方向(第二方向)上分别隔开间隔地排列设置成矩阵状(行列状)。在TFT23以及像素电极24的周围，栅极布线(第一布线、扫描布线)26以及源极布线(第二布线、信号布线)27以包围地呈格子状方式配置。栅极布线26沿着X轴方向呈大致直线状延伸，在Y轴方向上以夹着像素电极24的方式隔开间隔排列配置多个。栅极布线26的线宽根据X轴方向的位置而变化。源极布线27反复弯曲成锯齿状，并且大致沿着Y轴方向延伸。源极布线27在X轴方向上以夹着像素电极24的方式隔开间隔地排列配置有多个。栅极布线26和源极布线27相互交叉，该交叉部位21X的数量是栅极布线26的设置数量与源极布线27的设置数量相乘而得到的值。如图3所示，栅极布线26与沿着X轴方向排列的多个TFT23所具备的各栅极电极23A连接。源极布线27与沿着Y轴方向排列的多个TFT23所具备的各源极电极23B连接。基于分别供给到该些栅极布线26和源极布线27的各种信号驱动TFT23，随着该驱动，控制向与TFT23的漏极电极23C连接的像素电极24的电位的供给。TFT23的每一个沿Y轴方向夹持配置于连接于自身的像素电极24与栅极布线26之间。此外，相对于作为连接对象的源极布线27，多个TFT23包含位于图2及图3的右侧的TFT23和位于该图的左侧的TFT23。相对于作为连接对象的源极布线27，位于图2及图3的右侧的TFT23和位于该图的左侧的TF23在Y轴方向上各排列有两个。另外，全部的TFT23相对于作为连接对象的像素电极24位于图2及图3的下侧。
图4是构成液晶面板11的阵列基板20的显示区域AA中的像素排列的俯视图。图5是将图4的一部分(间隔物30附近)放大后的俯视图。如图4所示那样，在对象基板20的显示区域AA的内表面侧，设置有遮光部(像素间遮光部、黑矩阵)29以及间隔物30。遮光部29由具有例如OD(Optical Density:光密度密度)值为3以上，优选为4以上等优异的遮光性的遮光性材料(例如在丙烯酸、聚酰亚胺等感光性树脂材料中含有炭黑等颜料的材料)构成。遮光部29能够遮挡从背光源装置等照射的光。在显示区域AA，遮光部29的平面形状大致呈格子状，分隔相邻的像素电极24之间。遮光部29成为在俯视时与阵列基板21侧的至少栅极布线26和源极布线27重叠的配置。遮光部29具有沿X轴方向延伸的第一遮光部29A以及沿Y轴方向延伸且与第一遮光部29A交叉的第二遮光部29B。第一遮光部29A和第二遮光部29B彼此的交叉部位相连。第一遮光部29A比第二遮光部29B宽。第一遮光部29A至少与TFT23、栅极布线26以及间隔物30重叠配置(参照图2)。第二遮光部29B比第一遮光部29A窄。第二遮光部29B至少与源极布线27重叠配置。在对向基板20的面内，被第一遮光部29A和第二遮光部29B包围的区域成为与像素电极24的大部分以及彩色滤光片28的大部分分别重叠的位置关系。上述区域使像素电极24及彩色滤光片28的透射光透射，并向液晶面板11的外部出射。另外，遮光部29也设置于对向基板20的非显示区域NAA，在非显示区域NAA中大致整个区域地配置为整片状。
间隔物30用于保持一对基板20、21之间的间隔。如图4及图5所示，间隔物30的平面形状为大致圆形。间隔物30与阵列基板21所具备的栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X重叠地配置(参照图2)。间隔物30与构成遮光部29的第一遮光部29A与第二遮光部29B的交叉部位重叠地配置。因此，能够适当地防止可能因第一遮光部29A与第二遮光部29B的交叉部位而在间隔物30附近产生的漏光。间隔物30的设置数量比栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X(第一遮光部29A与第二遮光部29B的交叉部位)的数量少。具体而言，多个间隔物30在沿着X轴方向排列的多个上述交叉部位21X中，对每个交叉部位21X配置一个。多个间隔物30在沿着Y轴方向排列的多个上述交叉部位21X中，对每个交叉部位21X配置一个。这样，多个间隔物30在对向基板20的面内呈交错状(千鸟状)地平面配置。因此，间隔物30的设置数量为栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X的总数的一半左右。这样，由于避免了多个隔离物30在阵列基板21以及对向基板20的板面内不均匀，因此能够更稳定地保持阵列基板21与对向基板20之间的间隔。隔离物30包括第一隔离物(主隔离物)30a和第二隔离物(副隔离物)30β这两种。另外，以下在区分隔离物30的情况下，对第一隔离物的符号标注“α”，对第二隔离物的符号标注“β”，在不区分而统称的情况下，不对符号标注。第一隔离物30a的直径尺寸小于第二隔离物303。第一隔离物30a的设置数量比第二隔离物303的设置数量少。这些第一隔离物30a和第二隔离物303的差异之后进行说明。此外，遮光部29具有与第一遮光部29A与第二遮光部29B的交叉部位相连的第三遮光部29C。第三遮光部29C呈与隔离物30同心的大致扇状。第三遮光部29C在第一遮光部29A与第二遮光部29B的交叉部位连接有4个。这4个第三遮光部29C仿照隔离物30的平面形状而呈大致圆形，其直径尺寸比隔离物30的直径尺寸大。第三遮光部29C大部分与隔离物30不重叠，但一部分与隔离物30重叠。因该第三遮光部29C而在隔离物30附近产生的漏光能够更适当地防止。第三遮光部29C包括与第一隔离物30α重叠的一个第三遮光部29Cα以及与第二间隔物30β重叠的另一个第三遮光部29Cβ。一个第三遮光部29Cα的直径尺寸大于另一个第三遮光部29Cβ。另外，在图2和图3中，遮光部29和隔离物30由粗双点划线图示。
图6是液晶面板11中的像素电极24(像素PX)的中央部附近的截面图(图2的vi-vi线截面图)。如图6所示，液晶面板11具有配置在一对基板20、21间且包含液晶分子的液晶层(介质层)22，所述液晶分子是光学特性随着电场施加而变化的物质。在构成液晶面板11的对向基板20的内表面侧的显示区域AA，设置有呈现蓝色(B)、绿色(G)以及红色(R)的三色的滤光片28。呈现相互不同的颜色的多个滤光片28以在栅极布线26的延伸方向(X轴方向)上相邻的方式排列配置。呈现相互不同的颜色的多个滤光片28沿着源极布线27的延伸方向(大致Y轴方向)延伸。这样，呈现相互不同的颜色的多个滤光片28作为整体呈条纹状排列。这些滤光片28成为在俯视时与阵列基板21侧的各像素电极24重叠的配置。呈现相互不同的颜色的多个滤光片28成为其边界(颜色边界)与源极布线27重叠的配置。在该液晶面板11中，沿着X轴方向排列的R、G、B的滤光片28和与各滤光片28相对的3个像素电极24分别构成3色的像素PX。并且，在该液晶面板11中，由沿着X轴方向相邻的R、G、B三色的像素PX构成能够进行规定灰度的彩色显示的显示像素。像素PX中的Y轴方向的排列间距为X轴方向的排列间距的3倍左右。遮光部29以将相邻的滤光片28间分隔的形式配置。详细而言，第一遮光部29A将在Y轴方向上相邻的2个滤光片28之间分隔。第二遮光部29B将在X轴方向上相邻的2个滤光片28之间分隔。在滤光片28的上层侧(液晶层22侧)，为了平坦化而设有遍及对向基板20的大致整个区域地呈整面状配置的外涂层膜31。
接着，参照图6对阵列基板21所具备的像素电极24和公共电极25进行说明。如图6所示，在阵列基板21的显示区域AA的内表面侧，公共电极25以与全部的像素电极24重叠的形式形成于比像素电极24靠下层侧。公共电极25遍及显示区域AA的大致整个区域地延伸。公共电极25与公共布线连接，通过公共布线供给公共电位(基准电位)的公共电位信号(基准电位信号)。在公共布线上连接有柔性基板13，从控制电路基板14供给公共电位信号(参照图1)。当随着TFT23的驱动而像素电极24被充电时，在相互重叠的像素电极24与公共电极25之间产生电位差。于是，在像素电极24与公共电极25之间，除了沿着阵列基板21的板面的成分以外，还产生包含相对于阵列基板21的板面的法线方向的成分的边缘电场(倾斜电场)。通过利用该边缘电场，可以控制液晶层22所包含的液晶分子的取向状态。即，本实施方式涉及的液晶面板11的动作模式设为FFS(Fringe Field Switching:边缘场开关)模式。
如图6所示，在对向基板20和阵列基板21的最内表面，分别设置有用于使液晶层22所包含的液晶分子取向的取向膜32、33。详细而言，在对向基板20上，在外涂层膜31的上层侧(液晶层22侧)设置有取向膜32。取向膜32在对向基板20的最内面设置成整面状。在阵列基板21中像素电极24的上层侧设有取向膜33。取向膜33在阵列基板21的最内层设置成整面状。取向膜32、33被设为通过在其表面进行光取向处理而能够对液晶分子赋予取向限制力的光取向膜。
在此，参照图6和图7，对在阵列基板21的内表面侧形成了层叠层的各种膜进行说明。图7是液晶面板11中的TFT23以及第二隔离物30β附近的截面图(图3的vii-vii线的截面图)。如图7所示，在阵列基板21上，从下层侧(玻璃基板21GS侧)起依次层叠形成有第一金属膜、栅极绝缘膜34、半导体膜、第二金属膜、第一层间绝缘膜35、平坦化膜36、第一透明电极膜、第二层间绝缘膜(绝缘膜)37、第二透明电极膜、取向膜33。第一金属膜及第二金属膜通过分别是由选自铜、钛、铝、钼、钨等中的一种金属材料构成的单层膜或由不同种类的金属材料构成的层叠膜或合金，具有导电性及遮光性。第一金属膜构成栅极布线26、TFT23的栅极23A等。第二金属膜构成源极布线27、TFT23的源极23B和漏极23C等。半导体膜由使用例如氧化物半导体、非晶硅等作为材料的薄膜构成，构成TFT23的沟道部23D等。第一透明电极膜及第二透明电极膜由透明电极材料(例如ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)、IZO(Indium/inc Oxide，氧化铟锌)等)构成。第一透明电极膜及第二透明电极膜的膜厚例如设为0.05μm～0.1μm左右。第一透明电极膜构成公共电极25等。第二透明电极膜构成像素电极24等。取向膜33如上所述。
栅极绝缘膜34、第一层间绝缘膜35及第二层间绝缘膜37分别由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等无机材料构成。栅极绝缘膜34、第一层间绝缘膜35和第二层间绝缘膜37的膜厚例如是0.2μm～0.7μm左右，比第一透明电极膜及第二透明电极膜的膜厚略大。平坦化膜36例如由PMMA(丙烯酸树脂)等有机材料构成，具有感光性。平坦化膜36的膜厚例如设为1μm～3μm左右，远大于栅极绝缘膜34、第一层间绝缘膜35及第二层间绝缘膜37的膜厚。利用该平坦化膜36使阵列基板21的内表面(液晶层22侧的面)平坦化。栅极绝缘膜34将下层侧的第一金属膜和上层侧的半导体膜以及第二金属膜保持为绝缘状态。例如，由第一金属膜构成的栅极布线26与由第二金属膜构成的源极布线27的交叉部位21X被栅极绝缘膜34保持为绝缘状态。另外，由第一金属膜构成的栅极23A与由半导体膜构成的沟道部23D的重叠部位被栅极绝缘膜34保持为绝缘状态。第一层间绝缘膜35和平坦化膜36将下层侧的半导体膜和第二金属膜以及上层侧的第一透明电极膜保持为绝缘状态。例如，由第二金属膜构成的源极布线27与由第一透明电极膜构成的公共电极25的重叠部位被第一层间绝缘膜35和平坦化膜36保持为绝缘状态。第二层间绝缘膜37将下层侧的第一透明电极膜和上层侧的第二透明电极膜保持为绝缘状态。例如，由第一透明电极膜构成的公共电极25与由第二透明电极膜构成的像素电极24的重叠部位由第二层间绝缘膜37保持为绝缘状态。在第一层间绝缘膜35、平坦化膜36以及第二层间绝缘膜37，一并开口地形成有第一接触孔21CH1。第一接触孔21CH1配置在与第一层间绝缘膜35、平坦化膜36以及第二层间绝缘膜37中的由第二金属膜构成的漏极23C和由第二透明电极膜构成的像素电极24的一部分(后述的接触部24B)的这两者重叠的位置。通过第一接触孔21CH1连接漏极23C和像素电极24。
接着，参照图7至图9对TFT23进行说明。图8是与图2相同范围的俯视图，是以不同的阴影表示第一金属膜(栅极23A等)和第二金属膜(源极23B和漏极23C等)的俯视图。图9是与图3相同范围的俯视图，是以不同的阴影表示第一金属膜(栅极23A等)和第二金属膜(源极23B和漏极23C等)的俯视图。如图7至图9所示，TFT23具有栅极23A。栅极23A由栅极布线26的一部分(与源极布线27的交叉部位21X的附近)构成。栅极23A是将栅极布线26局部地扩宽而形成。栅极23A基于供给至栅极布线26的扫描信号驱动TFT23。TFT23相对于连接对象的源极布线27配置于图8及图9所示的右侧。TFT23具有源极23B。源极23B由连接对象的源极布线27的一部分(与栅极布线26的交叉部位21X)构成。源极23B是源极布线27局部地扩宽而形成。源极23B配置于TFT23中X轴方向的一端(图8和图9所示的左端)。源极23B的大致整个区域与栅极23A的一部分重叠，并与沟道部23D连接。TFT23具有漏极23C。漏极23C配置于与源极23B之间隔开间隔的位置，即TFT23的X轴方向的另一端(图8和图9所示的右端)。漏极23C以与栅极23A的一部分重叠的方式配置，与栅极23A的重叠部位与沟道部23D连接。漏极23C的中心部分连接于像素电极24。此外，漏极23C中的与和沟道部23D的连接部位相反的一侧的端部与栅极布线26的加宽部26A重叠。加宽部26A具有与栅极23A同等以下的宽度。该加宽部26A是为了在制造阵列基板21时，即使在漏极23C相对于栅极布线26在X轴方向上错位的情况下，栅极布线26与漏极23C(即像素电极24)之间的电容也不会变动而设置的。
如图7至图9所示，TFT23具有沟道部23D。沟道部23D隔着栅极绝缘膜34与栅极23A重叠。沟道部23D与栅极23A的一部分重叠并且沿着X轴方向延伸。沟道部23D的一端侧部分与源极23B连接。沟道部23D的另一端侧部分与漏极23C连接。然后，当TFT23基于供给栅极23A的扫描信号而成为导通状态时，供给源极布线27的图像信号(数据信号)从源极23B经由沟道部23D供给漏极23C。其结果，像素电极24被充电至基于图像信号的电位。
参照图7、图10以及图11对像素电极24进行说明。图12是与图2相同范围的俯视图，是以阴影表示第二透明电极膜(像素电极24等)的俯视图。图11是与图3相同范围的俯视图，是以不同的阴影表示第一透明电极膜(公共电极25等)和第二透明电极膜的俯视图。如图10以及图11所示，像素电极24具有平面形状为纵长的大致方形的像素电极本体24A。像素电极本体24A的长边沿着源极布线27延伸。详细而言，像素电极本体24A的长边侧的两侧缘相对于Y轴方向略微倾斜。在像素电极本体24A上形成有沿着自身的长边方向(大致Y轴方向)延伸的多个(在图10以及图11等中为2条)狭缝24A1。此外，狭缝24A1的具体的设置条数、形状、形成范围等除了图示以外还可以适当变更。另外，像素电极24具有从像素电极本体24A沿着Y轴方向向一侧突出的接触部24B。接触部24B从像素电极本体24A向图10和图11的下方突出，以与漏极23C的一部分重叠的方式配置。如图7所示，接触部24B通过第一接触孔21CH1与漏极23C连接。
参照图7、图11以及图12对公共电极25进行说明。图12是与图2相同范围的俯视图，是以阴影表示第一透明电极膜(公共电极25等)的俯视图。如图11和图12所示，公共电极25遍及显示区域AA的大致整个区域而配置为整片状。公共电极25中局部地形成有开口25A。开口25A在与公共电极25中的多个TFT23(特别是漏极23C以及第一接触孔21CH1)分别重叠的位置形成有多个。多个开口25A在公共电极25中在X轴方向和Y轴方向上隔开间隔地排列配置成矩阵状。如图7所示，公共电极25通过开口25A而避免与像素电极24短路。
参照图7和图13说明对向基板20的间隔物30。图13是液晶面板11中的TFT23以及第一间隔物30a附近的截面图(图2的xiii-xiii线的截面图)。如图7及图13所示，间隔物30从对向基板20朝向阵列基板21侧(后述的液晶层22侧)沿着Z轴方向(对向基板20的板面的法线方向)突出。详细而言，间隔物30由树脂材料构成，在对向基板20的显示区域AA，从外涂层膜31的表面向液晶层22侧沿Z轴方向突出，其突出前端面与阵列基板21相对。隔离物30整体呈稍尖细的圆柱状(参照图2以及图3)。如图13所示，第一隔离物30α的从对向基板20的突出尺寸比第二隔离物30β大。第一隔离物30a的突出前端面与阵列基板21侧的取向膜33接触。由此，一对基板20、21保持液晶层22的厚度量的间隔(单元间隙)。相对于此，如图7所示，第二隔离物30β的从对向基板20的突出尺寸比第一隔离物30a小。在第二隔离物30β的突出前端面与阵列基板21侧的取向膜33之间空有间隙。在对一对基板20、21中的任一方作用有从外部向内按压那样的外力的情况下，允许一对基板20、21中的任一方挠曲(变形)与设置在对向基板20上的第二隔离物30β和阵列基板21侧的取向膜33之间的间隙相应的量。但是，一对基板20、21中的任一个稍微挠曲时，第二隔离物30β的突出前端面与阵列基板21侧的取向膜33接触。由此，一对基板20、21中的任一个基板受到进一步的挠曲的限制。这样，能够利用第一隔离物30a和第二隔离物30β保持液晶层22的厚度。
在上述那样的结构的隔离物30附近，担心液晶层22所包含的液晶分子产生取向不良，产生由取向不良引起的显示不良。关于这一点，隔离物30为与遮光部29重叠的配置。详细而言，遮光部29中的第一遮光部29A与第二遮光部29B的交叉部位重叠配置于隔离物30。除此之外，遮光部29的第三遮光部29C包围隔离物30的周围地配置。通过这样的遮光部29遮挡隔离物30附近的光，从而难以观察到隔离物30引起的显示不良。
参照图7和图13说明阵列基板21的平坦化膜36。如图7及图13所示，平坦化膜36具有第一膜厚部36A以及膜厚比第一膜厚部36A大的第二膜厚部36B。第一膜厚部36A的膜厚比第二层间绝缘膜37的膜厚大，但比第二膜厚部36B的膜厚小。第一膜厚部36A占据平坦化膜36中的除了与多个隔离物30分别重叠的部分以外的大部分。第一膜厚部36A与隔离物30不重叠，与公共电极25和像素电极24重叠配置。第二膜厚部36B的膜厚比第一膜厚部36A的膜厚大，因此，取向膜33中的与第二膜厚部36B重叠的部分配置为，相比与第一膜厚部36A重叠的部分在Z轴方向上向液晶层22侧突出。第二膜厚部36B在X轴方向及Y轴方向上隔开间隔地配置有多个。多个第二膜厚部36B与多个隔离物30分别重叠地配置。这样，第二膜厚部36B在阵列基板21的面内以交错状平面配置，适合于隔离物30的平面配置。因此，第二膜厚部36B的设置数量与隔离物30的设置数量相同。第二膜厚部36B由平坦化膜36中与隔离物30重叠的部分构成，因此，平面形状为大致圆形。第二膜厚部36B的隔离物30中的突出基端部(直径尺寸最大的部分)与平面观察的大小(直径尺寸)相等。因此，第二膜厚部36B能够在几乎整个区域隔着取向膜33承接隔离物30的突出前端面。由此，能够限制阵列基板21或对向基板20的挠曲。另外，第二膜厚部36B与栅极布线26和源极布线27的交叉部位21X重叠地配置。
如图7所示，在本实施方式涉及的阵列基板21中，在公共电极25的上层侧位于取向膜33的下层侧的第二层间绝缘膜37上设有开口37A。取向膜33通过第二层间绝缘膜37的开口37A与下层侧的公共电极25连接。由此，杂质离子、即电荷难以在取向膜33的表面或内部残留，因此难以产生起因于取向膜33中残留电荷的残像、烧屏、闪烁等显示不良。此外，“取向膜33通过第二层间绝缘膜37的开口37A与下层侧的公共电极25连接”是指，从Z轴方向观察，在与第二层间绝缘膜37的开口37A重叠的区域，在取向膜33与公共电极25之间能够进行电荷的移动。因此，“取向膜33通过第二层间绝缘膜37的开口37A与下层侧的公共电极25连接”不仅包括如图7所示那样取向膜33通过第二层间绝缘膜37的开口37A与公共电极25直接接触的结构，还包括如在后面的第三实施方式中详细说明的那样，取向膜33通过第二层间绝缘膜37的开口37A并经由其它部件(连接电极40)间接地与公共电极25连接的结构。此外，这里所说的“其它部件”是具有导电性的导电部件。然而，本实施方式涉及的第二层间绝缘膜37配置在Z轴方向上处于上层侧的像素电极24与下层侧的公共电极25之间。因此，第二层间绝缘膜37的膜厚为适于将像素电极24与公共电极25之间产生的电场的强度保持得充分高的大小，远远小于一般的平坦化膜。另一方面，第二层间绝缘膜37的膜厚一般比像素电极24、公共电极25的膜厚大。在此，在取向膜33中通过第二层间绝缘膜37的开口37A与公共电极25接触的部分和配置于第二层间绝缘膜37的上层侧的部分之间产生台阶。该台阶的大小取决于第二层间绝缘膜37的膜厚。由于第二层间绝缘膜37的膜厚为上述的设定，因此在开口37A附近，因上述台阶而在液晶层22所包含的液晶分子产生的取向不良一定程度上无法避免。即，担心在第二层间绝缘膜37的开口37A附近产生由液晶分子的取向不良引起的显示不良。
因此，如图5、图7及图13所示，在本实施方式涉及的第二层间绝缘膜37中，开口37A配置在与间隔物30不重叠且与对向基板20的遮光部29重叠的位置。由此，即使在第二层间绝缘膜37的开口37A附近，由于取向膜33的台阶而使液晶分子产生取向不良，也能够通过遮光部29遮挡透过开口37A附近的光。由此，能够使起因于在开口37A附近产生的液晶分子的取向不良的亮点缺陷(漏光)等显示不良不易被视觉辨认。而且，第二层间绝缘膜37由于开口37A配置在与间隔物30不重叠的位置，因此确保阵列基板21的与间隔物30相对的面的平坦性。由此，能充分确保阵列基板21与取向膜33对间隔物30的接触面积，因此能充分发挥间隔物30的功能(单元厚度保持功能)。而且，来自间隔物30的负荷不易作用于取向膜33中位于第二层间绝缘膜37的开口37A附近的部分。因此，难以在起因于间隔物30的干涉的取向膜33上产生切削。由此，在第二层间绝缘膜37的开口37A附近可避免取向膜33被切削掉，因此，通过第二层间绝缘膜37的开口37A容易维持取向膜33与公共电极25的电连接状态。由此，电荷更不易残留于取向膜33。
图11及图12中，第二层间绝缘膜37的开口37A通过双点划线图示。如图11和图12所示，第二层间绝缘膜37中，开口37A位于在X轴方向上相邻的两个像素电极24之间，不配置在Y轴方向上相邻的两个像素电极24之间。第二层间绝缘膜37的开口37A与源极布线27重叠配置。详细而言，第二层间绝缘膜37以开口37A与源极布线27中的由源极电极23B扩宽的部分重叠的方式配置，相对于源极电极23B在X轴方向上相邻配置。第二层间绝缘膜37形成为开口37A相对于栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X在图11和图12的上侧，即Y轴方向上构成交叉部位21X的栅极布线26和源极布线27的连接对象的TFT23侧相邻的配置。第二层间绝缘膜37中，开口37A沿X轴方向与间隔物30并排配置。详细而言，第二层间绝缘膜37以连接开口37A的俯视时的中心与隔离物30的俯视时的中心的直线与X轴方向大致平行的方式设定开口37A的配置。第二层间绝缘膜37形成为开口37A的设置数量从栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X的数量减去隔离物30的设置数量所得的数量(栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X的总数的一半左右)。即，在栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X附近，无遗漏地配置隔离物30和第二层间绝缘膜37的开口37A，不存在不配置隔离物30或开口37A的交叉部位21X。这样，可以说在阵列基板21的面内，隔离物30与第二层间绝缘膜37的开口37A互补地配置。由此，可以分别充分地确保隔离物30以及第二层间绝缘膜37的开口37A的各设置数量。更具体而言，第二层间绝缘膜37中，多个开口37A在沿着X轴方向排列的多个上述交叉部位21X中，对每个交叉部位21X配置一个。第二层间绝缘膜37中，多个开口37A在沿Y轴方向排列的多个上述交叉部位21X中，对每个交叉部位21X配置一个。这样，第二层间绝缘膜37中，多个开口37A在阵列基板21的面内以交错状平面配置。这样，由于可避免第二层间绝缘膜37在阵列基板21的板面内不均匀地分布多个开口37A，因此能够完全除去取向膜33中蓄积的电荷。
另外，如图5、图11和图12所示，遮光部29的第一遮光部29A除了TFT23、栅极布线26以及隔离物30以外，还与第二层间绝缘膜37的开口37A重叠地配置。详细而言，沿着X轴方向延伸的第一遮光部29A与沿着X轴方向交替排列的多个隔离物30以及开口37A重叠地配置。与多个开口37A重叠的第一遮光部29A比第二遮光部29B宽。因此，即使在假设第二层间绝缘膜37上设置开口37A时在开口37A产生Y轴方向的位置偏移的情况下，维持开口37A相对于第一遮光部29A重叠的关系的可靠性也变高。在本实施方式中，第二层间绝缘膜37的开口37A与第一遮光部29A和第二遮光部29B的交叉部位重叠配置。因此，可以说第二层间绝缘膜37的开口37A除第一遮光部29A之外还与第二遮光部29B重叠地配置。
本实施方式是以上的构造，接着说明构成液晶面板11的阵列基板21的制造方法。本实施方式的阵列基板21的制造方法至少包括:成膜第一金属膜而进行图案化的第一工序；成膜栅极绝缘膜34的第二工序；成膜半导体膜而进行图案化的第三工序；成膜第二金属膜而进行图案化的第四工序；成膜第一层间绝缘膜35的第五工序；成膜在平坦化膜36而进行图案化的第六工序；成膜第一透明电极膜而进行图案化的第七工序；成膜第二层间绝缘膜37而进行图案化的第八工序；成膜第二透明电极膜而进行图案化的第九工序；成膜取向膜33而进行光取向处理的第十工序。以下，使用图14和图15对第六工序进行说明。
图14是进行阵列基板21的制造方法所包含的第六工序，将成膜的平坦化膜36曝光的状态的与图7相同的切断位置的截面图。图15是进行阵列基板21的制造方法所包含的第六工序，将曝光的平坦化膜36显影后的状态的与图7相同的切断位置的截面图。在第六工序中，如图14所示，在第一层间绝缘膜35的上层侧使整面状的平坦化膜36成膜。平坦化膜36的材料使用正型的感光性材料。因此，成膜的平坦化膜36不会在上层侧层叠形成抗蚀膜，而是使用曝光装置以及光掩模10P进行曝光。
在此，对光掩模10P进行说明。此处使用的光掩模10P是所谓的半色调掩模。光掩模10P具备:具有充分高的透光性的透明的基材10P1；形成于基材10P1的板面的遮光膜10P2；和形成于基材10P1的板面且一部分层叠于遮光膜10P2上的半透过膜10P3。遮光膜10P2遮挡来自曝光装置的光源的曝光用光，曝光用光的透过率几乎为0％。半透过膜10P3使来自曝光装置的光源的曝光用光以规定的透过率透过。半透过膜10P3的曝光用光的透过率比遮光膜10P2的曝光用光的透过率高，例如为10％～70％左右。遮光膜10P2和半透过膜10P3在基材10P1的面内分别以规定的分布图案的方式被图案化。遮光膜10P2选择性地配置在与平坦化膜36中的第二膜厚部36B的形成预定部分重叠的位置。半透过膜10P3选择性地至少配置在平坦化膜36中的与第一膜厚部36A的形成预定部分重叠的位置。在本实施方式中，半透过膜10P3也配置于与遮光膜10P2重叠的位置。即，半透过膜10P3被配置在与平坦化膜36中的第一接触孔21CH1的形成预定部分以外的部分重叠的位置。光掩模10P具有:遮光区域10LSA，其基于遮光膜10P2及半透过膜10P3的图案来遮挡曝光用光；透过区域10TA，其使曝光用光透过；半透过区域10HTA，其使曝光用光半透过。遮光区域10LSA与遮光膜10P2的形成范围一致。透过区域10TA与遮光膜10P2的非形成范围与半透过膜10P3的非形成范围的重叠范围一致。透过区域10TA为与平坦化膜36中的第一接触孔21CH1的形成预定部分重叠的配置。半透过区域10HTA与遮光膜10P2的非形成范围与半透过膜10P3的形成范围的重叠范围一致。此外，在图14中，将向平坦化膜36照射的曝光用光以向下的箭头表示。
在第六工序中，若从曝光装置的光源发出的曝光用光经由上述那样构成的光掩模10P对平坦化膜36照射，则进行平坦化膜36选择性曝光。具体而言，平坦化膜36的与光掩模10P的透过区域10TA重叠的部分在整个深度被曝光。平坦化膜36中，与光掩模10P的半透过区域10HTA重叠的部分中，上表面侧部分(上层侧部分)被选择性地曝光，底面侧部分(下层侧部分)被选择性地非曝光。平坦化膜36的与光掩模10P的遮光区域10LSA重叠的部分被非曝光。如果对这样被选择性地曝光的平坦化膜36进行显影，则如图15所示，平坦化膜36中被曝光的部分根据曝光量被选择性地去除。具体而言，平坦化膜36的与光掩模10P的透过区域10TA重叠的部分在整个深度被去除，成为第一接触孔21CH1。平坦化膜36在与光掩模10P的半透过区域10HTA重叠的部分中，上面侧部分被选择性地去除，底面侧部分选择性地残留，成为第一膜厚部36A。平坦化膜36的与光掩模10P的遮光区域10LSA重叠的部分在整个深度上残留，成为膜厚比第一膜厚部36A大的第二膜厚部36B。使用光掩模10P对平坦化膜36进行图案化。
此外，为了在第一层间绝缘膜35形成第一接触孔21CH1，将如上所述被图案化的平坦化膜36用作掩模来蚀刻第一层间绝缘膜35即可。除此之外，可以在第八工序中，在蚀刻第二层间绝缘膜37而形成开口37A及第一接触孔21CH1时，蚀刻第一层间绝缘膜35而形成第一层间绝缘膜35的第一接触孔21CH1。采用后者的方法，除了蚀刻次数少就能完成，至少在进行第七工序的期间，可以通过第一层间绝缘膜35保护漏极23C。
如以上说明的那样，本实施方式的液晶面板11具备阵列基板21、与阵列基板21相对配置的对向基板20、以及夹持于阵列基板21与对向基板20之间的液晶层22，在阵列基板21上设有在阵列基板21的面内隔开间隔排列的多个像素电极24、与多个像素电极24重叠配置的公共电极25、配置于公共电极25的上层侧的第二层间绝缘膜(绝缘膜)37、以及配置于第二层间绝缘膜37的上层侧的取向膜33，在阵列基板21与对向基板20的至少一方设有将多个像素电极24之间分隔的遮光部29、以及与遮光部29重叠配置并从阵列基板21与对向基板20的至少一方向液晶层22侧突出的隔离物30，取向膜33通过设置于第二层间绝缘膜37的开口37A直接或者其它部件连接于公共电极25，在第二层间绝缘膜37中，开口37配置于与隔离物30不重叠，与遮光部29重叠的位置。
根据这样的结构，利用在相互重叠的多个像素电极24与公共电极25之间产生的电场来控制液晶层22的取向状态。由此，显示图像。另外，在外力作用于阵列基板21或对向基板20的情况下，能够通过间隔物30限制阵列基板21或对向基板20的挠曲。由此，保持阵列基板21与对向基板20之间的间隔、即液晶层22的厚度。取向膜33通过第二层间绝缘膜37的开口37A直接或者经由其他部件与公共电极25连接，由此在取向膜33中难以残留电荷。由此，难以产生起因于取向膜33中残留电荷的显示不良。
在此，在取向膜33中通过第二层间绝缘膜37的开口37A直接或者经由其他部件连接于公共电极25的部分与配置于第二层间绝缘膜37的上层侧的部分之间产生台阶。因此，担心在第二层间绝缘膜37的开口37A附近，液晶层22所包含的液晶分子产生取向不良，发生由取向不良引起的显示不良。
关于这一点，由于第二层间绝缘膜37设置于开口37A与遮光部29重叠的位置，因此即使在开口37A附近液晶分子产生取向不良，也难以视觉辨认由取向不良引起的显示不良。而且，第二层间绝缘膜37由于开口37A配置在与隔离物30不重叠的位置，因此确保阵列基板21和对向基板20中的与隔离物30相对的相对面的平坦性。由此，充分确保阵列基板21以及对向基板20中的任一个相对于隔离物30的接触面积，因此充分发挥隔离物30的功能。而且，由于来自隔离物30的负荷不易作用于取向膜33中位于第二层间绝缘膜37的开口37A附近的部分，因此，不易产生起因于隔离物30的切削。由此，容易通过第二层间绝缘膜37的开口37A维持取向膜33与公共电极25的电连接状态，更不易在取向膜33残留电荷。另外，在隔离物30附近，担心液晶层22所包含的液晶分子产生取向不良，产生由取向不良引起的显示不良。在这一点上，隔离物30与遮光部29重叠配置，从而难以视觉辨认隔离物30引起的显示不良。
另外，在阵列基板21上设有:多个TFT(薄膜晶体管)23，其在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上分别空出间隔地排列；多条栅极布线(第一布线)26，其沿着第一方向延伸，在第二方向上空出间隔地排列；以及多条源极布线(第二布线)27，其沿着第二方向延伸，与栅极布线26交叉，在第一方向空出间隔地排列，多个像素电极24在第一方向和第二方向上分别空出间隔地排列，与多个TFT23连接，栅极布线26与沿着第一方向排列的多个TFT23连接，源极布线27与沿着第二方向排列的多个TFT23连接，隔离物30与栅极布线26和源极布线27的交叉部位21X重叠地配置，设置数量比交叉部位21X少，开口37A与栅极布线26和源极布线27中的至少一方重叠，沿着第一方向和第二方向的至少一方与间隔物30并列配置，设置数量为从交叉部位21X的数量减去间隔物30的设置数量的数量以下。如此一来，第二层间绝缘膜37中，开口37A与栅极布线26和源极布线27中的至少一方重叠，并沿与栅极布线26和源极布线27的交叉部位21X重叠的配置的隔离物30在第一方向和第二方向中的至少一方上并列。这样配置的开口37A的设置数量从栅极布线26与源极布线27的交叉部位21X的数量减去隔离物30的设置数量所得的数量以下。由此，可以分别充分地确保隔离物30以及第二层间绝缘膜37的开口37A的各设置数量。
另外，开口37A的设置数量为从交叉部位21X的数量减去间隔物30的设置数量的数量。这样，在阵列基板21的面内，间隔物30和第二层间绝缘膜37的开口37A互补地配置。由此，可以分别充分地确保隔离物30以及第二层间绝缘膜37的开口37A的各设置数量。
另外，多个间隔物30在沿第一方向排列的多个交叉部位21X中，对每个交叉部位21X配置一个，在沿第二方向排列的多个交叉部位21X中，对每个交叉部位21X配置一个。如此一来，多个间隔物30及第二层间绝缘膜37的开口37A分别平面配置成交错状。由于避免了多个隔离物30在阵列基板21以及对向基板20的板面内不均匀，因此能够更稳定地保持阵列基板21与对向基板20之间的间隔。由于可避免第二层间绝缘膜37在阵列基板21的板面内不均匀地分布多个开口37A，因此能够完全除去取向膜33中蓄积的电荷。
此外，遮光部29具有沿第一方向延伸并与TFT23、栅极布线26、间隔物30及开口37A重叠的第一遮光部29A以及沿第二方向延伸并与源极布线27重叠且宽度比第一遮光部29A窄的第二遮光部29B。这样，与第二层间绝缘膜37的开口37A重叠的第一遮光部29A比第二遮光部29B宽。因此，即使在假设第二层间绝缘膜37上设置开口37A时在开口37A产生位置偏移的情况下，维持开口37A相对于第一遮光部29A重叠的关系的可靠性也变高。
另外，像素电极24在第二层间绝缘膜37的上层侧配置在取向膜33的下层侧。这样，第二层间绝缘膜37配置成介于上层侧的像素电极24和下层侧的公共电极25之间。因此，第二层间绝缘膜37的膜厚为适于将像素电极24与公共电极25之间产生的电场的强度保持得充分高的大小，远远小于一般的平坦化膜。另一方面，第二层间绝缘膜37的膜厚一般比像素电极24、公共电极25的膜厚大。在此，在取向膜33中通过第二层间绝缘膜37的开口37A直接或者经由其他部件连接于公共电极25的部分与配置于第二层间绝缘膜37的上层侧的部分之间产生的台阶取决于第二层间绝缘膜37的膜厚。由于第二层间绝缘膜37的膜厚为上述的设定，因此产生在开口37A附近的液晶分子的取向不良一定程度上无法避免。关于这一点，由于第二层间绝缘膜37设置于开口37A与遮光部29重叠的位置，因此即使在开口37A附近液晶分子产生取向不良，也难以视觉辨认由取向不良引起的显示不良。
另外，间隔物30从对向基板20向液晶层22侧突出设置，在阵列基板21上设置配置在公共电极25下层侧的平坦化膜36，平坦化膜36具有第一膜厚部36A，其膜厚比第二层间绝缘膜37大，与间隔物30不重叠，与公共电极25及像素电极24重叠配置；以及第二膜厚部36B，其膜厚比第一膜厚部36A大，与间隔物30重叠配置。这样，取向膜33中的与平坦化膜36的第二膜厚部36B重叠的部分配置成比与第一膜厚部36A重叠的部分更向液晶层22侧突出。从对向基板20向液晶层22侧突出的间隔物30，在外力作用于阵列基板21或对向基板20的情况下，由阵列基板21所具备的取向膜33中与第二膜厚部36B重叠的部分承受。由此，能够限制阵列基板21或对向基板20的挠曲。另外，由于将一片平坦化膜36中与间隔物30重叠的部分选择性地设为第二膜厚部36B，所以不需要设置两片平坦化膜。
<第二实施方式>根据图16说明第二实施方式。在该第二实施方式中，表示对层叠形成在阵列基板121的内表面侧的膜进行了变更的结构。此外，对与上述第一实施方式同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
图16是液晶面板111的TFT123及间隔物130附近(与图7相同的位置)的截面图。如图16所示，在本实施方式涉及的阵列基板121中设置有在由第一透明电极膜构成的公共电极125的下层侧配置在第一层间绝缘膜135的上层侧的第一平坦化膜38以及在由第二透明电极膜构成的像素电极124的上层侧配置在取向膜133的下层侧的第二平坦化膜39。另外，在本实施方式中，随着第一平坦化膜38和第二平坦化膜39的设置，上述第一实施方式所记载的平坦化膜36(参照图7)被去除。
第一平坦化膜38和第二平坦化膜39都由例如PMMA(丙烯酸树脂)等有机材料构成，具有感光性。第一平坦化膜38在阵列基板121的面内的形成范围与第一实施方式所述的平坦化膜36的形成范围相同。因此，第一平坦化膜38与间隔物130、公共电极125及像素电极124重叠配置。另外，在第一平坦化膜38上，以与第一层间绝缘膜135及第二层间绝缘膜137连通的形式设置有第一接触孔21CH1。第一平坦化膜38的膜厚比第二层间绝缘膜137大，与上述第一实施方式记载的第一膜厚部36A(参照图7)的膜厚相同。第一平坦化膜38，不论与间隔物130的位置关系如何，在阵列基板121的面内的整个区域均为大致均匀的膜厚。
第二平坦化膜39与隔离物130重叠地配置。详细而言，第二平坦化膜39以与多个隔离物130分别重叠的方式分散地配置于在X轴方向和Y轴方向上隔开间隔的多个位置。这样，第二平坦化膜39在阵列基板121的面内被配置为交错状，适合于隔离物130的平面配置。也就是说，第二平坦化膜39的阵列基板121的面内的形成范围与第一实施方式中记载的第二膜厚部36B(参照图7)的形成范围相同。第二平坦化膜39的俯视时的形成范围与隔离物130同样为大致圆形状。第二平坦化膜39的膜厚比第二层间绝缘膜137的膜厚大，与从上述第一实施方式中记载的第二膜厚部36B的膜厚减去第一膜厚部36A的膜厚后的大小相同。这样的第二平坦化膜39与第一平坦化膜38重叠配置。因此，取向膜133中的与第二平坦化膜39重叠的部分成比为与第一平坦化膜38重叠而与第二平坦化膜39不重叠的部分在Z轴方向上向液晶层122侧突出的配置。通过这样的构成的第二平坦化膜39能够在几乎整个区域隔着取向膜133接收隔离物130的突出前端面。由此，能够限制阵列基板121或对向基板120的挠曲。而且，由于第二平坦化膜39配置在像素电极124的上层侧、取向膜133的下层侧，因此隔离物130能保护像素电极124和公共电极125免受在取向膜133中的与第二平坦化膜39重叠的部分接触的情况下作用的力的影响。由此，像素电极124和公共电极125不易受到损伤。另外，与如第一实施方式那样使一个平坦化膜36的膜厚局部不同的情况相比，与隔离物130重叠的第二平坦化膜39的平坦性高。由此，能够通过第二平坦化膜39稳定地承受隔离物130。
如以上说明的那样，根据本实施方式，隔离物130从对向基板120向液晶层122侧突出地设置，在阵列基板121上设有配置于公共电极125的下层侧的第一平坦化膜38和配置于像素电极124的上层侧、取向膜133的下层侧的第二平坦化膜39，第一平坦化膜38的膜厚比第二层间绝缘膜137的膜厚大，与隔离物130、公共电极125以及像素电极124重叠配置，第二平坦化膜39的膜厚比第二层间绝缘膜137的膜厚大，与隔离物130重叠配置。这样，第二平坦化膜39与隔离物130以及第一平坦化膜38重叠配置。因此，取向膜133中的与第二平坦化膜39重叠的部分成为比与第二平坦化膜39不重叠、与第一平坦化膜38重叠的部分向液晶层122侧突出的配置。从对向基板120向液晶层122侧突出的间隔物130，在外力作用于阵列基板121或对向基板120的情况下，由阵列基板121所具备的取向膜133中与第二平坦化膜39重叠的部分承受。由此，能够限制阵列基板121或对向基板120的挠曲。而且，由于第二平坦化膜39在像素电极124的上层侧配置，因此隔离物130能保护像素电极124和公共电极125免受在取向膜133中的与第二平坦化膜39重叠的部分接触的情况下作用的力的影响。由此，像素电极124和公共电极125不易受到损伤。另外，与假设使一片平坦化膜的膜厚局部不同的情况相比，与隔板130重叠的第二平坦化膜39的平坦性高。由此，能够通过第二平坦化膜39稳定地承受隔离物130。
<第三实施方式>根据图17至图19说明第三实施方式。在该第三实施方式中，示出在上述第二实施方式中记载的构成中追加连接电极40的实施方式。此外，对与上述第二实施方式同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
图17是示出阵列基板221的显示区域AA的像素排列的俯视图，是以阴影状表示第二透明电极膜(像素电极224等)的俯视图。图18是放大阵列基板221的TFT223附近(与图11相同的范围)的俯视图，是以不同的阴影状示出第一透明电极膜(公共电极225等)及第二透明电极膜的俯视图。图19是液晶面板211中的TFT223以及间隔物230附近的截面图(图18的xix-xix线的截面图)。
如图17至图19所示，在本实施方式所涉及的阵列基板221上设置有与公共电极225连接的连接电极(其他部件)40。连接电极40由第二透明电极膜中的与像素电极224不同的部分构成。即，连接电极40在第二层间绝缘膜237的上层侧位于第二平坦化膜239的下层侧。连接电极40与第二平坦化膜239不重叠，与第二层间绝缘膜237的开口237A重叠配置。与第二平坦化膜239不重叠的连接电极40的整个区域与取向膜233接触。而且，与第二层间绝缘膜237的开口237A重叠的连接电极40通过开口237A与下层侧的公共电极225连接。也就是说，取向膜233经由作为其它部件的连接电极40间接地与公共电极225连接。由此，可以使存在于取向膜233的表面或内部的电荷经由连接电极40流入公共电极225。不管第二层间绝缘膜237的开口237A的范围如何，能够根据连接电极40的形成范围来扩展连接电极40与取向膜233的接触面积，因此，更加不易在取向膜233产生电荷的残留。特别是，在间隔物230的设置数量多、开口237A的设置数量少的情况下是优选的。
如图17所示，连接电极40以与设置在第二层间绝缘膜237上的所有开口237A单独重叠的形式设置有多个。连接电极40的设置数量与第二层间绝缘膜237的开口237A的设置数量相等。多个连接电极40在阵列基板221的面内的平面配置与第二层间绝缘膜237中的多个开口237A的平面配置相同。连接电极40位于在X轴方向上相邻的两个像素电极224之间，不配置在Y轴方向上相邻的两个像素电极224之间。如图18及图19所示，连接电极40与第二平坦化膜239及隔离物230不重叠，与源极布线227及源极电极223B重叠配置。如图18所示，连接电极40在俯视时呈方形，X轴方向及Y轴方向的各尺寸(俯视时的形成范围)大于第二层间绝缘膜237的开口237A的X轴方向及Y轴方向的各尺寸。连接电极40与第二层间绝缘膜237的开口237A的整个区域重叠，也与开口237A的周缘部重叠。连接电极40沿着X轴方向与隔离物230并列配置。连接电极40配置为将连接电极40的俯视的中心和隔离物230的俯视的中心连接的直线与X轴方向大致平行。这样，连接电极40的配置限定为夹在在X轴方向上相邻的两个像素电极224之间的配置。因此，第二透明电极膜中的由与像素电极224不同的部分构成的连接电极40难以发生与像素电极224短路的事态。
如以上说明的那样，根据本实施方式，像素电极224由第二透明电极膜(透明电极膜)的一部分构成，在阵列基板221上作为其它部件设置有连接电极40，其由第二透明电极膜中的与像素电极224不同的部分构成，与取向膜233接触，通过开口237A与公共电极225连接。这样一来，与取向膜233接触的连接电极40通过开口237A与公共电极225连接。因此，能够使取向膜233的电荷经由连接电极40流入公共电极225。不管第二层间绝缘膜237的开口237A的范围如何，能够根据连接电极40的形成范围来扩展连接电极40与取向膜233的接触面积，因此，更加不易在取向膜233产生电荷的残留。特别是，在间隔物230的设置数量多、开口237A的设置数量少的情况下是优选的。
另外，像素电极224在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔而各排列配置有多个，连接电极40位于在第一方向和第二方向中的一方相邻的两个像素电极224之间，不配置在第一方向和第二方向中的另一方相邻的两个像素电极224之间。如此一来，连接电极40的配置被限定于夹在第一方向和第二方向中的一方相邻的两个像素电极224之间的配置。因此，由第二透明电极膜中的与像素电极224不同的部分构成的连接电极40难以发生与像素电极224短路的事态。
<第四实施方式>根据图20至图23说明第四实施方式。在该第四实施方式中，示出从上述第三实施方式将连接电极340的构成变更的实施方式。此外，对与上述第二、第三实施方式同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
图20是放大阵列基板321的TFT223附近(与图11相同的范围)的俯视图，是以不同的阴影状示出第一透明电极膜(公共电极325等)及第二透明电极膜(像素电极324等)的俯视图。图21是液晶面板211中的图20的xxi-xxi线的截面图。图22是液晶面板211中的图20的xxii-xxii线的截面图。图23是液晶面板211中的图20的xxiii-xxiii线的截面图。
如图20所示，本实施方式所涉及的连接电极340具有通过开口337A与公共电极325连接的电极本体41、以及从电极本体41延伸的延伸部42。电极本体41位于在X轴方向上相邻的两个像素电极324之间，与第二层间绝缘膜337的开口337A重叠地配置。如图20及图21所示，电极本体41与第二平坦化膜239及隔离物230不重叠，与源极布线327及源极电极323B重叠配置。也就是说，电极本体41与上述第三实施方式中记载的连接电极40(参照图18)大致配置成相同。电极本体41在俯视时呈方形，X轴方向和Y轴方向的各尺寸(俯视时的形成范围)比上述第三实施方式所记载的连接电极40中的X轴方向和Y轴方向的各尺寸大。
如图20所示，延伸部42配置在Y轴方向上相邻的两个像素电极324之间，呈沿着X轴方向延伸的带状。延伸部42具有与多个源极布线327交叉的长度。也就是说，延伸部42被设为与重叠于电极本体41(开口337A)的源极布线327以及重叠于隔离物330的源极布线327这两者交叉的关系。如图20以及图21所示，延伸部42与重叠于电极本体41的源极布线327交叉的部分连接于电极本体41。这样，如图21及图22所示，连接电极340具有从通过开口337A而连接于公共电极325的电极本体41延伸的延伸部42，因此与如上述第三实施方式中记载的连接电极40(参照图18)那样不具有延伸部42的构成相比，与取向膜333的接触面积被扩展。由此，与第三实施方式相比，在取向膜333上更加不易产生电荷的残留。特别是，在间隔物330的设置数量多、开口337A的设置数量少的情况下相比第三实施方式更优选。另外，由于电极本体41位于在X轴方向上相邻的两个像素电极324之间，而延伸部42位于在Y轴方向上相邻的两个像素电极324之间，因此均能够避免由相同的第二透明电极膜构成的连接电极340与像素电极324的短路。
如图20及图23所示，延伸部42的一部分与间隔物330及第二平坦化膜339重叠地配置。第二平坦化膜339位于第二透明电极膜构成的像素电极324和延伸部42的上层侧，位于取向膜333的下层侧。根据这样的构成，当隔离物330与取向膜333中的与第二平坦化膜339重叠的部分接触时，能够通过位于像素电极324以及延伸部42的上层侧的第二平坦化膜339承受从隔离物330作用的力。由此，由于能够保护像素电极324、公共电极325以及延伸部42，因此像素电极324、公共电极325以及延伸部42难以受到损伤。特别是，由于延伸部42难以受到损伤，从而在延伸部42难以产生破损，因此难以产生起因于破损的延伸部42的Y轴方向上相邻的两个像素电极324彼此短路的现象。另外，位于延伸部42的下层侧的第二层间绝缘膜337通过作为其基底的第一平坦化膜338而在延伸部42的整个长度上被平坦化。因此，避免在延伸部42中的与第二平坦化膜339不重叠而与第一平坦化膜338重叠的部分(参照图22)以及与第一平坦化膜338和第二平坦化膜339这两者重叠的部分(参照图23)之间产生台阶。由此，延伸部42的覆盖性良好。
如以上说明的那样，根据本实施方式，像素电极324在第一方向以及与第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔地排列配置有多个，连接电极340具有:电极本体41，其位于第一方向和第二方向中的一方上相邻的两个像素电极324之间，通过开口337A与公共电极325连接；以及延伸部42，位于第一方向和第二方向中的另一方上相邻的两个像素电极324之间，从电极本体41延伸。这样一来，连接电极340具有从通过开口337A从与公共电极325连接的电极本体41延伸的延伸部42，因此与假设连接电极仅由电极本体41构成的情况相比，与取向膜333的接触面积被扩展。由此，在取向膜333上更加难以产生电荷的残留。另外，电极本体41位于第一方向和第二方向中的一方上相邻的两个像素电极324之间，相对于此，延伸部42位于第一方向和第二方向中的另一方上相邻的两个像素电极324之间。通过如上述那样配置第二透明电极膜中的由与像素电极324不同的部分构成的连接电极340，能够避免与像素电极324的短路。
另外，间隔物330从对向基板320向液晶层322侧突出设置，在阵列基板321上设有配置在公共电极325的下层侧的第一平坦化膜338和在像素电极324以及连接电极340的上层侧处配置在取向膜333的下层侧的第二平坦化膜339，第一平坦化膜338比第二层间绝缘膜337的膜厚大，与间隔物330、公共电极325以及像素电极324重叠配置，第二平坦化膜339的膜厚比第二层间绝缘膜337的膜厚大，与间隔物330以及延伸部42重叠配置。这样一来，第二平坦化膜339与隔离物330、延伸部42和第一平坦化膜338重叠地配置。因此，取向膜333中的与第二平坦化膜339重叠的部分成为比与第二平坦化膜339不重叠、与第一平坦化膜338重叠的部分向液晶层322侧突出的配置。从对向基板320向液晶层322侧突出的间隔物330，在外力作用于阵列基板321或对向基板320的情况下，由阵列基板321所具备的取向膜333中与第二平坦化膜339重叠的部分承受。由此，能够限制阵列基板321或对向基板320的挠曲。而且，由于第二平坦化膜339在像素电极324的上层侧配置，因此隔离物330能保护像素电极324、公共电极325以及延伸部42免受在取向膜333中的与第二平坦化膜339重叠的部分接触的情况下作用的力的影响。由此，像素电极324、公共电极325以及延伸部42不易受到损伤。特别是，由于延伸部42不易受到损伤，因此难以产生通过延伸部42使与第一方向和第二方向中的另一方上相邻的两个像素电极324之间彼此短路的情况。另外，与假设使一片平坦化膜的膜厚局部不同的情况相比，与隔板330重叠的第二平坦化膜339的平坦性高。由此，能够通过第二平坦化膜339稳定地承受隔离物330。
<第五实施方式>根据图24说明第五实施方式。在该第五实施方式中，示出从上述第四实施方式将间隔物43等的配置与连接电极440的构成变更的实施方式。并且，对于与上述第二实施方式至第四实施方式相同的构造、作用及效果省略重复的说明。
图24是放大阵列基板421的TFT223附近(与图11相同的范围)的俯视图，是以不同的阴影状示出第一透明电极膜(公共电极425等)及第二透明电极膜(像素电极424等)的俯视图。另外，图24中，用粗的双点划线图示遮光部429和隔离物430，用细的双点划线图示第二平坦化膜439的形成范围。
如图24所示，在本实施方式涉及的多个隔离物430中，包括在沿着X轴方向并列的多个交叉部位421X中，与在X轴方向上夹着像素电极424的两个交叉部位421X重叠配置的两个隔离物430。在这两个隔离物430中，各包含一个第一隔离物430α和第二隔离物430β。在第二层间绝缘膜中，开口437A相对于夹着沿着X轴方向排列的多个交叉部位421X中的与上述的两个隔离物430重叠的两个交叉部位421X的两个交叉部位421X重叠设置有两个。该两个开口437A包括:第一开口437Aα，位于在X轴方向上相邻的两个像素电极424之间；以及第二开口437Aβ，位于在X轴方向上相邻的两个像素电极424之间，配置在与第一开口437Aα在X轴方向上空开间隔的位置。另外，以下在区分两个开口437A的情况下，对第一开口的附图标记标注“α”，对第二开口的附图标记标注“β”，在不进行区分而统称的情况下，不对附图标记标注。
连接电极440具有与上述的两个开口437A分别重叠配置的两个电极本体441。该两个电极本体441包括与第一开口437Aα重叠配置的第一电极本体441α和与第二开口437Aβ重叠配置的第二电极本体441β。另外，以下在区分电极本体441的情况下，对第一电极本体的符号标注后缀“α”，对第二电极本体的符号标注后缀“β”，在不进行区分而统称的情况下，不对附图标记标注。第一电极本体441α通过重叠的第一开口437Aα而连接于公共电极425。第二电极本体441β通过重叠的第二开口437Aβ而连接于公共电极425。而且，在这些第一电极本体441α及第二电极本体441β连接有共用的延伸部442。这样一来，即使在第一电极本体441α和第二电极本体441β中的任一个与公共电极425之间发生了连接不良的情况下，也能够将连接电极440和公共电极425维持为连接状态。即，确保连接电极440的冗余性。由此，连接电极440的功能发挥的可靠性提高。
如上所述，根据本实施方式，第二层间绝缘膜作为开口437A包括:第一开口437Aα，位于第一方向和第二方向中的一方相邻的两个像素电极424之间；以及第二开口437Aβ，位于第一方向和第二方向中的一方相邻的两个像素电极424之间，配置于与第一开口437Aα在第一方向和第二方向中的一方隔开间隔的位置，连接电极440作为电极本体441具有:第一电极本体441α，与第一开口437Aα重叠配置，通过第一开口437Aα与公共电极425连接；第二电极本体441β，与第二开口437Aβ重叠配置，通过第二开口437Aβ与公共电极425连接；延伸部441α，与第一电极本体441a和第二电极本体441β连接。这样一来，连接电极440具有与延伸部442连接的第一电极本体441α和第二电极本体441β，因此即使在第一电极本体441α和第二电极本体441β中的任一个与公共电极425之间发生了连接不良的情况下，也能够维持连接电极440和公共电极425的连接状态。由此，连接电极440的功能发挥的可靠性提高。
<第六实施方式>根据图25至图28说明第六实施方式。在该第六实施方式中，示出从上述第四实施方式将公共电极525的构成变更的实施方式。并且，对于与上述第二实施方式至第四实施方式相同的构造、作用及效果省略重复的说明。
图25是表示液晶面板511的触摸电极43以及触摸布线44等的俯视图。如图25所示，本实施方式的液晶面板511整体上平面形状为横长的大致方形，除了具有显示图像的显示功能以外，还具有基于所显示的图像检测使用者输入的位置(输入位置)的触摸面板功能(位置检测功能)。在液晶面板511上，用于发挥触摸面板功能的触摸面板图案被一体化(内嵌化)。触摸面板图案为所谓的投影型静电电容方式，其检测方式为自电容方式。触摸面板图案由在液晶面板511的板面内以矩阵状排列配置的多个触摸电极(位置检测电极)43构成。触摸电极43配置在液晶面板511的显示区域AA中。因此，液晶面板511的显示区域AA与能够检测输入位置的触摸区域(位置输入区域)大致一致。另外，非显示区域NAA与不能检测输入位置的非触摸区域(非位置输入区域)大致一致。基于液晶面板511的显示区域AA显示的图像，当使用者使作为导电体的使用者的手指、由使用者操作的触摸笔等位置输入体靠近液晶面板511的表面(显示面)时，在该位置输入体与触摸电极43之间形成静电电容。由此，由位于位置输入体附近的触摸电极43检测的静电电容随着位置输入体靠近而产生变化，与远离位置输入体的触摸电极43的静电电容不同。根据该静电电容的不同，后述的检测电路能够检测输入位置。
如图25所示，在显示区域AA，触摸电极43沿着X轴方向和Y轴方向分别空开间隔地排列配置有多个。触摸电极43在俯视时呈大致方形，一边的尺寸为数mm左右。触摸电极43俯视时的大小远大于后述的像素PX，在X轴方向以及Y轴方向上配置在横跨多个(数十至数百左右)像素PX的范围。此外，触摸电极43中的一边的尺寸、触摸区域中的设置数量等具体的数值能够适当变更。另外，在阵列基板521的非显示区域NAA，以在X轴方向上从两侧夹着显示区域A的形式设置有一对栅极电路部45。栅极电路部45用于向栅极布线526供给扫描信号，单片地设置于阵列基板521上。
如图25所示，设置于液晶面板511的多个触摸布线(位置检测布线)44选择性地与多个触摸电极43连接。触摸布线44大致沿着Y轴方向延伸。触摸布线44的Y轴方向的一端侧部分与在非显示区域NAA的驱动器512连接。触摸布线44的Y轴方向的另一端侧部分与在显示区域AA的沿Y轴方向排列的多个触摸电极43中的特定的触摸电极43连接。触摸布线44的Y轴方向的形成范围限于从驱动器512至连接对象的触摸电极43的范围，不配置于比连接对象的触摸电极43更靠驱动器512侧(图1的下侧)的相反侧(图1的上侧)。另外，根据触摸布线44的设置数量，也可以在一个触摸电极43上仅连接一条触摸布线44，但也可以在一个触摸电极43上连接多个触摸布线44。另外，与一个触摸电极43连接的触摸布线44的条数也可以根据触摸电极43的位置而不同。在该情况下，例如优选使与离驱动器512远的触摸电极43连接的触摸布线44的数量多于与离驱动器512近的触摸电极43连接的触摸布线44的数量，但不限于此。另外，在图25中，用黑圆图示针对触摸电极43的触摸布线44的连接部位。而且，触摸布线44与检测电路连接。检测电路也可以配备于驱动器512内，但也可以经由柔性基板513而配备于液晶面板511的外部。
如图25所示，上述触摸电极43由公共电极525构成。在公共电极525上形成有狭缝525B，该狭缝525B配置为对相邻的触摸电极43之间进行分隔。狭缝525B整体上在俯视时呈大致格子状。狭缝525B包括:大致沿着X轴方向横跨公共电极525的全长的第一狭缝525B1、大致沿着Y轴方向横跨公共电极525的全长的第二狭缝525B2。公共电极525由多个触摸电极43构成，该多个触摸电极43在俯视时被狭缝525B分割成大致棋盘格状，且相互电独立。沿Y轴方向排列的触摸电极43被第一狭缝525B1分隔。沿X轴方向排列的触摸电极43被第二狭缝525B2分隔。此外，第一狭缝525B1配置为与后述的栅极布线526重叠。此外，第二狭缝525B2配置为与源极布线527重叠。从驱动器512对与这样的触摸电极43连接的触摸布线44以时间分割的方式供给图像显示功能所涉及的共通电位信号和触摸面板功能所涉及的触摸信号(位置检测信号)。从驱动器512向触摸布线44供给公共电位信号的定时为显示期间。从驱动器512向触摸布线44供给触摸信号的定时为感测期间(位置检测期间)。该公共电位信号通过在相同的定时(显示期间)向所有的触摸布线44传输，从而所有的触摸电极43成为基于公共电位信号的基准电位而作为公共电极525发挥功能。
图26是将阵列基板521中在Y轴方向相邻的两个触摸电极43的边界附近放大的俯视图，是以不同的阴影状表示第一透明电极膜(公共电极525等)及第二透明电极膜(像素电极524等)的俯视图。
图27是液晶面板511中的图26的xxvii-xxvii线的截面图。图28是液晶面板511中的图26的xxviii-xxviii线的截面图。如图26和图27所示，在本实施方式涉及的多条栅极布线526中，包含与第一狭缝525B1重叠的配置的栅极布线526，该第一狭缝525B1对在Y轴方向上相邻的两个触摸电极43之间进行分隔。与第一狭缝525B1重叠的栅极布线526的线宽的最小值比第一狭缝525B1的宽度大。配置在阵列基板521的面内的多个连接电极540包含具有位于Y轴方向上相邻的两个触摸电极43之间的延伸部542的连接电极540。位于沿Y轴方向相邻的两个触摸电极43之间的延伸部542与第一狭缝525B1以及栅极布线526分别重叠地配置。延伸部542的宽度比第一狭缝525B1的宽度小。延伸部542的整个区域与第一狭缝525B1重叠地配置。延伸部542的一对侧缘部中的一个侧缘部与在Y轴方向上相邻的两个触摸电极43中的一个触摸电极43中的面向第一狭缝525B1的边缘部之间的间隔，与另一个侧缘部和另一个触摸电极43中的面向第一狭缝525B1的边缘部之间的间隔大致相等。
然而，如图27所示，栅极布线526由第一金属膜构成，因此与由第一透明电极膜构成的公共电极525相比配置在下层侧。在本实施方式中，在Z轴方向上处于介于栅极布线526与像素电极524之间的位置关系的公共电极525上形成有与栅极布线526重叠配置的第一狭缝525B1。因此，在位于沿Y轴方向相邻的两个触摸电极43之间的栅极布线526与沿Y轴方向相邻的两个像素电极524之间，有可能通过公共电极525的第一狭缝525B1产生电场(寄生电容)。关于这一点，第二透明电极膜中的由与像素电极524不同的部分构成的连接电极540的延伸部542位于在Y轴方向上相邻的两个触摸电极43之间(第一狭缝525B1)，与栅极布线526重叠配置，因此能够屏蔽在栅极布线526与在Y轴方向上相邻的两个像素电极524之间产生的电场。由此，起因于上述电场的液晶层522所包含的液晶分子的取向难以紊乱。特别是，在本实施方式中，配置于与隔离物530重叠的位置的第二平坦化膜539为介于第二透明电极膜与取向膜533之间的配置。因此，成为第二平坦化膜539不介于由第一金属膜构成的栅极布线526与由第二透明电极膜构成的连接电极540的延伸部542之间的位置关系。根据该位置关系，与第一实施方式那样不具备第二平坦化膜539而在与隔离物530重叠的位置配置平坦化膜36的第二膜厚部36B的结构(参照图7)相比，成为延伸部542与栅极布线526靠近了第二平坦化膜539的膜厚的量的配置。由此，能够通过延伸部542良好地遮蔽可能在栅极布线526与沿Y轴方向相邻的两个像素电极524之间产生的电场。
接着，参照图27以及图28，对在本实施方式所涉及的阵列基板521的内表面侧形成了层叠层的各种膜进行说明。如图27及图28所示，在阵列基板521上，除了在第一平坦化膜538的上层侧配置有第三金属膜，还在第三金属膜的上层侧在第一透明电极膜的下层侧配置有第三层间绝缘膜46。与第一金属膜和第二金属膜同样地，第三金属膜是由从铜、钛、铝、钼、钨等中选择出的一种金属材料构成的单层膜或者由不同种类的金属材料构成的层叠膜或合金。第三金属膜构成上述的触摸布线44等。触摸布线44与源极布线527重叠配置。由此，抑制伴随着触摸布线44的设置的像素PX的开口率的下降。
如图27及图28所示，第三层间绝缘膜46与栅极绝缘膜534、第一层间绝缘膜535及第二层间绝缘膜537同样地由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)等无机材料构成。第三层间绝缘膜46介于由上层侧的第一透明电极膜构成的公共电极525与由下层侧的第三金属膜构成的触摸布线44之间，防止这些意外的短路。另外，在第三层间绝缘膜46中的与触摸布线44以及成为触摸布线44的连接对象的触摸电极43这两者重叠的区域中设置有局部的开口。通过该第三层间绝缘膜46的开口触摸布线44与连接对象的触摸电极43连接。
如图26和图27所示，构成本实施方式涉及的连接电极540的延伸部542与任意的触摸电极43均不重叠。与此相对，电极本体541与相对于与自身相连的延伸部542在图26的上侧相邻的触摸电极43重叠，但与相对于延伸部542在图26的下侧相邻的触摸电极43不重叠。第二层间绝缘膜537中，在与电极本体541、与电极本体541重叠的触摸电极43这两者重叠的位置设有开口537A。这样，电极本体541与作为连接电极540的连接对象的触摸电极43重叠，但是与作为连接电极540的非连接对象的触摸电极43不重叠配置。由此，在连接电极540与不为连接对象的触摸电极43之间可能产生的寄生电容被降低，因此实现位置检测灵敏度的提高。
如以上说明的那样，根据本实施方式，公共电极525包括在第一方向和第二方向上分别空开间隔地排列配置的多个触摸电极(位置检测电极)43，在阵列基板521上设置有位于第二方向上相邻的两个像素电极524之间，并沿着第一方向延伸的栅极布线526，栅极布线526配置于比公共电极525靠下层侧的位置，位于第二方向上相邻的两个触摸电极43之间，延伸部542位于第二方向上相邻的两个触摸电极43之间，与栅极布线526重叠地配置。配置在比公共电极525靠下层侧的栅极布线526由于位于在第二方向相邻的两个触摸电极43之间，因此有可能在栅极布线526与在第二方向相邻的两个像素电极524之间产生电场。关于这一点，第二透明电极膜中的由与像素电极524不同的部分构成的连接电极540的延伸部542位于在第二方向上相邻的两个触摸电极43之间，与栅极布线526重叠配置，因此能够遮蔽可在栅极布线526与在第二方向上相邻的两个像素电极524之间产生的电场。由此，起因于上述电场的液晶层522所包含的液晶分子的取向难以紊乱。
另外，电极本体541与在第二方向上相邻的两个触摸电极43中的一方的触摸电极43不重叠，与另一方的触摸电极43重叠配置，与另一方的触摸电极43连接。这样一来，构成连接电极540的电极本体541为在第二方向上相邻的两个触摸电极43中虽然与作为连接电极540的连接对象的另一个触摸电极43重叠，但是与不作为连接对象的一个触摸电极43不重叠的配置。由此，能够减少在连接电极540与不作为连接对象的一个触摸电极43之间产生的寄生电容，因此能够实现位置检测灵敏度的提高。
另外，间隔物530从对向基板520向液晶层522侧突出设置，在阵列基板521上设有配置在公共电极525的下层侧的第一平坦化膜538和在像素电极524以及连接电极540的上层侧处配置在取向膜533的下层侧的第二平坦化膜539，第一平坦化膜538比第二层间绝缘膜537的膜厚大，与间隔物530、公共电极525以及像素电极524重叠配置，第二平坦化膜539的膜厚比第二层间绝缘膜537的膜厚大，与间隔物530以及延伸部542重叠配置，栅极布线526配置在第一平坦化膜538的下层侧。这样一来，第二平坦化膜539与隔离物530、延伸部542和第一平坦化膜538重叠地配置。因此，取向膜533中的与第二平坦化膜539重叠的部分成为比与第二平坦化膜539不重叠、与第一平坦化膜538重叠的部分向液晶层522侧突出的配置。从对向基板520向液晶层522侧突出的间隔物530，在外力作用于阵列基板521或对向基板520的情况下，由阵列基板521所具备的取向膜533中与第二平坦化膜539重叠的部分承受。由此，能够限制阵列基板521或对向基板520的挠曲。而且，由于第二平坦化膜539在像素电极524的上层侧配置，因此隔离物530能保护像素电极524、公共电极525以及延伸部542免受在取向膜533中的与第二平坦化膜539重叠的部分接触的情况下作用的力的影响。由此，像素电极524、公共电极525以及延伸部542不易受到损伤。特别是，由于延伸部542不易受到损伤，因此难以产生通过延伸部542使与第一方向和第二方向中的另一方上相邻的两个像素电极524之间彼此短路的情况。另外，与假设使一片平坦化膜的膜厚局部不同的情况相比，与隔板530重叠的第二平坦化膜539的平坦性高。由此，能够通过第二平坦化膜539稳定地承受隔离物530。特别是，成为第二平坦化膜539不介于配置于比第一平坦化膜538靠下层侧的栅极布线526与连接电极540的延伸部542之间的位置关系，因此，能够通过延伸部542良好地屏蔽在栅极布线526与沿第二方向相邻的两个像素电极524之间产生的电场。
<第七实施方式>根据图29或图30说明第七实施方式。在该第七实施方式中，示出在上述第一实施方式中记载的构成中追加上述第四实施方式中记载的连接电极640的实施方式。此外，对与上述第一、第四实施方式同样的结构、作用以及效果省略重复的说明。
图29是液晶面板611的TFT623及第二间隔物630β附近(与图7相同的位置)的截面图。图30是液晶面板611的像素电极624及延伸部642附近(与图23相同的位置)的截面图。如图29所示，在本实施方式涉及的阵列基板621上设有由第二透明电极膜构成的连接电极640。连接电极640与上层侧的取向膜633接触。构成连接电极640的电极本体641通过下层侧的第二层间绝缘膜637的开口637A与公共电极625连接。由此，可以使存在于取向膜633的表面或内部的电荷经由连接电极640流入公共电极625。电极本体641与隔离件630不重叠，但与平坦化膜636中的第一膜厚部636A重叠配置。
在本实施方式中，如上述第二实施方式至第六实施方式那样，在取向膜633与第二透明电极膜之间不存在第二平坦化膜39(参照图16)。因此，如图30所示，构成涉及本实施方式的连接电极640的延伸部642在与间隔物630重叠的位置也与取向膜633接触。延伸部642在整个长度上与取向膜633接触，与取向膜633的接触面积被最大化。由此，在取向膜633上更加难以产生电荷的残留。
<其它的实施方式>本说明书公开的技术不限于根据上述记载和附图说明的实施方式，例如诸如以下的实施方式也包含在技术范围中。
(1)第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A以及隔离物30、130、230、330、430、530、630的具体的平面配置(排列图案)、设置数量等在图示以外也能适当变更。例如，也可以在栅极布线26、526与源极布线27、227、327、527的交叉部位21X、421X中包含与隔离物30、130、230、330、430、530、630不重叠、附近不存在第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A的交叉部位21X、421X。
(2)第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A可以配置在与栅极布线26、526和源极布线27、227、327、527的交叉部位21X、421X(第一遮光部29A和第二遮光部29B的交叉部位)重叠的位置。
(3)第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A可以配置于与第二遮光部29B不重叠且与第一遮光部29A重叠的位置。另外，第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A可以配置于与第一遮光部29A不重叠且与第二遮光部29B重叠的位置。另外，第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A可以配置于与第一遮光部29A和第二遮光部29B不重叠且与第三遮光部29C重叠的位置。
(4)遮光部29、429也可以配置为第三遮光部29C的整个区域与隔离物30、130、230、330、430、530、630不重叠。
(5)遮光部29、429也可以设置于阵列基板21、121、221、321、421、521、621上。另外，遮光部29、429也可以设置于对向基板20、120、320、520及阵列基板21、121、221、321、521、621这双方上。
(6)如上述(5)那样，在遮光部29、429的至少一部分设于阵列基板21、121、221、321、421、521、621的情况下，滤光片8也可以设于阵列基板21、121、221、321、421、521、621上。
(7)遮光部29、429也可以不包含第三遮光部29C。另外，遮光部29、429也可以不包含第二遮光部29B。
(8)隔离物30、130、230、330、430、530、630所包含的第一隔离物30α和第二隔离物30β、130β、230β的数量的比率除了图示以外还能够适当变更。
⑼隔离物30、130、230、330、430、530、630也可以不包含第二隔离物30β、130β、230β，而仅包含第一隔离物30α。反之，隔离物30、130、230、330、430、530、630也可以不包含第一隔离物30α，而仅包含第二隔离物30β、130β、230β。
(10)隔离物30、130、230、330、430、530、630也可以设置在阵列基板21、121、221、421、521、621上。
(11)对平坦化膜36进行曝光时所使用的光掩模10P，半透过膜10P3也可以在与遮光膜10P2重叠的范围内不形成。
(12)对平坦化膜36进行曝光时所使用的光掩模10P可以为所谓的灰色调掩模。灰色调掩模通过在形成于透明基材的板面上的遮光膜的一部分上形成曝光装置的分辨率以下的狭缝，而具有半透过区域10HTA。
(13)作为平坦化膜36、636的材料也能够使用负型的感光性材料。同样地，作为第一平坦化膜38、338、538以及第二平坦化膜39、239、339、439、539的材料，也能够使用负型的感光性材料。
(14)也可以将第三、第五、第六实施方式所记载的连接电极40、440、540追加于第一实施方式所记载的结构中。特别是，如果将第五、第六实施方式所记载的连接电极440、540追加于第一实施方式记载的结构中，则能够得到连接电极440、540与取向膜533的接触面积变得更大的效果。
(15)第三实施方式至第七实施方式记载的连接电极40、340、440、540、640的具体的平面配置(排列图案)、设置数量等在图示以外还能够适当变更。总之，能够根据第二层间绝缘膜237、337、537、637的开口237A、337A、437A、537A、637A的平面配置、设置数量等，变更连接电极40、340、440、540、640的平面配置、设置数量等。
(16)在第三实施方式至第七实施方式所记载的结构中，第二层间绝缘膜237、337、537、637可以包括连接电极40、340、440、540、640不重叠配置的开口237A、337A、437A、537A、637A。
(17)作为第四、第五实施方式的变形例，连接电极340、440的延伸部42、442也可以与源极布线327重叠配置。另外，连接电极340、440也可以具有与栅极布线526重叠的第一延伸部和与源极布线327重叠的第二延伸部作为延伸部42、442。
(18)作为第五实施方式的变形例，连接电极440也可以具有三个以上的电极本体41、441、541、641。在该情况下，三个以上的电极本体41、441、541、641也可以与共用的延伸部442连接。
(19)也能够将第五实施方式记载的隔离物430的配置适用于第一、第二、第三、第四、第六、第七实施方式所记载的结构。反之，也能够将第一、第二、第三、第四、第六、第七实施方式中记载的隔离物30、130、230、330、530、630的配置应用于第五实施方式记载的结构。
(20)也能够将第六实施方式所记载的触摸电极43以及触摸布线44追加于第一、第七实施方式中所记载的结构。
(21)作为第六实施方式的变形例，也可以是，全部的触摸布线44沿Y轴方向延伸至离驱动器512最远的触摸电极43。在该情况下，也可以使全部的触摸布线44的长度相等。
(22)作为第六实施方式的变形例，在触摸电极43上，也可以在与触摸布线44重叠的位置设置开口。由此，能够实现在触摸电极43以及与触摸电极43不连接的触摸布线44之间产生的寄生电容的降低。
(23)第二实施方式至第六实施方式所记载的第二平坦化膜239、339、439、539也可以在第一平坦化膜338、538的上层侧位于第一透明电极膜的下层侧。
(24)除了图示以外，TFT23、123、223、323、423、623、像素电极24、124、224、524、524、624和栅极布线26、526在Y轴方向的位置关系可以适当变更。例如，也可以是TFT23、123、223、323、423、623和栅极布线26、526在Y轴方向上重叠的位置关系。
(25)取向膜33、133、233、333、533、633不限于进行光取向处理的类型，也可以是进行摩擦处理的类型。
(26)像素电极24、124、224、324、424、524、624的具体的平面形状除了图示以外还可以适当变更。像素电极24、124、224、324、424、524、624的像素电极本体24A的平面形状例如也可以是方形、平行四边形等。
(27)栅极布线26、526以及源极布线27、227、327、527的俯视图案能够适当地变更。例如，栅极布线26、526也可以不直线地延伸，而是倾斜地延伸并在途中反复弯曲。另外，源极布线27、227、327、527可以沿着Y轴方向直线延伸。另外，栅极布线26、526以及源极布线27、227、327、527也可以均不直线地延伸，而是倾斜地延伸并在中途反复弯曲。另外，栅极布线26、526以及源极布线27、227、327、527也可以均不直线地延伸，而是倾斜地延伸并在途中反复弯曲。
(28)也可以公共电极25、125、225、325、525、625位于第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的上层侧，像素电极24、124、224、424、524、624位于第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的下层侧。即，第一透明电极膜构成像素电极24、124、224、324、424、524、624，第二透明电极膜构成公共电极25、125、225、325、425、525、625。在该情况下，在阵列基板21、121、221、321、521、521、621上，在取向膜33、133、233、533、633的下层侧设置有位于公共电极25、125、225、325、525、525、625的上层侧的绝缘膜，在该绝缘膜设置有用于使公共电极25、125、225、325、525、625直接或者经由其他部件连接于取向膜33、133、233、533、633的开口。
(30)TFT23、123、223、323、423、623除了顶栅型以外，也可以是底栅型。
(31)半导体膜也可以是非晶硅薄膜、氧化物半导体薄膜等。
(32)液晶面板11、111、211、511、611的板面可以弯曲。
(33)液晶面板11、111、211、511、611的显示模式也可以是IPS模式等。
(34)液晶面板11、111、211、511、611的平面形状也可以为正方形、圆形、半圆形、长圆形、椭圆形、梯形等。
(35)液晶面板11、111、211、511、611除了透射型以外，还可以是反射型、半透射型。
(36)也可以设置公共电极25、125、225、325、425、525、625(第一透明电极膜)与第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637之间存在的导电膜，利用该导电膜构成与第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A重叠的配置的其它部件。该其它部件的整个区域与公共电极25、125、225、325、425、525、625接触。在其它部件上，通过第二层间绝缘膜37、137、237、337、537、637的开口37A、237A、337A、437A、537A、637A连接上层侧的取向膜33、133、233、333、533、633。取向膜33、133、233、333、533、633经由其它部件间接地连接于公共电极25、125、225、325、525、625。附图标记说明
1、111、211、511、611…液晶面板(显示面板)、20、120、320、520…对向基板、21、121、221、321、421、521、621…阵列基板、21X、421X…交叉部位、22、122、322、522…液晶层、23、123、223、323，423、623…TFT(薄膜晶体管)、24、124、224、324、424、524、624…像素电极、25、125、225、325、425、525、625…公共电极、26、526…栅极布线(第一布线)、27、227、327、527…源极布线(第二布线)、29、429…遮光部、29A…第一遮光部、29B…第二遮光部、30、130、230、330、430、530、630…间隔物、33、133、233、333、533、633…取向膜、36、636…平坦化膜、36A、636A…第一膜厚部、36B…第二膜厚部、37、137、237、337、537、637…第二层间绝缘膜(绝缘膜)、37A、237A、337A、437A、537A、637A…开口、38、338、538…第一平坦化膜、39、239、339、439、539…第二平坦化膜、40、440、540、640…连接电极(其它部件)、41、441、541、641…电极本体、42、442、542、642…延伸部、43…触摸电极(位置检测电极)、437Aα…第一开口437Aβ…第二开口441α…第一电极本体、441β…第二电极本体。

Claims (16)

1.一种液晶面板，其特征在于，包括：
阵列基板；
对向基板，其与所述阵列基板相对配置；
液晶层，其被夹持在所述阵列基板与所述对向基板之间，
在所述阵列基板上设置有:在所述阵列基板的面内空开间隔地排列的多个像素电极；与多个所述像素电极重叠配置的公共电极；配置于所述公共电极的上层侧的绝缘膜；以及配置于所述绝缘膜的上层侧的取向膜，
在所述阵列基板和所述对向基板中的至少一方上设置有:分隔多个所述像素电极之间的遮光部；以及与所述遮光部重叠配置并从所述阵列基板和所述对向基板中的至少一方向所述液晶层侧突出的间隔物，
所述取向膜通过设置于所述绝缘膜的开口直接或经由其它部件连接于所述公共电极，
在所述绝缘膜中，所述开口配置于与所述间隔物不重叠且与所述遮光部重叠的位置。
2.如权利要求1所述的液晶面板，其特征在于，
所述阵列基板设置有：
多个薄膜晶体管，其在第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔排列；
多条第一布线，其沿所述第一方向延伸，并在所述第二方向上空开间隔地排列；以及
多条第二布线，其沿所述第二方向延伸并与所述第一布线交叉，在所述第一方向上空开间隔排列，
多个所述像素电极在所述第一方向以及所述第二方向上分别空开间隔排列，并与多个所述薄膜晶体管连接，
所述第一布线与沿所述第一方向排列的多个所述薄膜晶体管连接，
所述第二布线与沿所述第二方向排列的多个所述薄膜晶体管连接，
所述间隔物与所述第一布线和所述第二布线的交叉部位重叠配置，设置数量比所述交叉部位的数量少，
所述开口与所述第一布线和所述第二布线中的至少一方重叠，沿着所述第一方向和所述第二方向中的至少一方与所述间隔物并列配置，设置数量为从所述交叉部位的数量减去所述间隔物的设置数量后的数量以下。
3.如权利要求2所述的液晶面板，其特征在于，所述开口的设置数量为从所述交叉部位的数量减去所述间隔物的设置数量后的数量。
4.如权利要求2或3所述的液晶面板，其特征在于，多个所述间隔物在沿着所述第一方向排列的多个所述交叉部位中，对每一个所述交叉部位上配置一个，在沿着所述第二方向排列的多个上述交叉部位中，对每一个所述交叉部位上配置一个。
5.如权利要求2至4中任一项所述的液晶面板，其特征在于，
所述遮光部具有：
第一遮光部，其沿所述第一方向延伸，并与所述薄膜晶体管、所述第一布线、所述间隔物及所述开口重叠；
第二遮光部，其沿着所述第二方向延伸，与所述第二布线重叠，并且宽度比所述第一遮光部窄。
6.如权利要求1至5中任一项所述的液晶面板，所述像素电极在所述绝缘膜的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧。
7.如权利要求6所述的液晶面板，其特征在于，
所述像素电极由透明电极膜的一部分构成，
在所述阵列基板中，作为所述其它部件而设置连接电极，该连接电极由所述透明电极膜中的与所述像素电极不同的部分构成，与所述取向膜接触，通过所述开口与所述公共电极连接。
8.如权利要求7所述的液晶面板，其特征在于，
所述像素电极在与第一方向和所述第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔地排列配置有多个，
所述连接电极位于所述第一方向与所述第二方向中的一方相邻的两个所述像素电极之间，不配置在所述第一方向与所述第二方向中的另一方相邻的两个上述像素电极之间。
9.如权利要求7所述的液晶面板，其特征在于，
所述像素电极在与第一方向和所述第一方向交叉的第二方向上分别空开间隔地排列配置有多个，
所述连接电极具有:
电极本体，其位于所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上相邻的两个所述像素电极之间，通过所述开口与所述公共电极连接；
延伸部，其位于与所述第一方向和所述第二方向中的另一方相邻的两个所述像素电极之间，从所述电极本体伸出。
10.如权利要求9所述的液晶面板，其特征在于，
作为所述开口，所述绝缘膜包含有:
第一开口，其位于所述第一方向和所述第二方向中的所述一个方向上相邻的两个所述像素电极之间；以及
第二开口，其位于所述第一方向和所述第二方向中的所述一个方向相邻的两个所述像素电极之间，配置在与所述第一开口在所述第一方向和所述第二方向中的所述一个方向上空开间隔的位置，
作为所述电极本体，所述连接电极具备:
第一电极本体，其与所述第一开口重叠配置，通过所述第一开口而与所述公共电极连接；以及
第二电极本体，其与所述第二电极本体重叠配置，通过所述第二开口与所述公共电极连接，
所述延伸部与所述第一电极本体以及所述第二电极本体相连。
11.如权利要求9或10所述的液晶面板，其特征在于，
所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，
所述阵列基板设置有：
第一平坦化膜，其配置于所述公共电极的下层侧；以及
第二平坦化膜，其在所述像素电极以及所述连接电极的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧，
所述第一平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物、所述公共电极以及所述像素电极重叠配置，
所述第二平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物和所述延伸部重叠配置。
12.如权利要求9或10所述的液晶面板，其特征在于，
所述公共电极包括在所述第一方向及所述第二方向上分别空开间隔地排列配置的多个位置检测电极，
在所述阵列基板设置有位于在所述第二方向上相邻的两个所述像素电极之间，并沿着所述第一方向延伸的第一布线，
所述第一布线配置于比所述公共电极靠下层侧，且位于在所述第二方向上相邻的两个所述位置检测电极之间，
所述延伸部位于在所述第二方向上相邻的两个所述位置检测电极之间，与所述第一布线重叠配置。
13.如权利要求12所述的液晶面板，其特征在于，所述电极本体与在所述第二方向上相邻的两个所述位置检测电极中的一个所述位置检测电极不重叠，与另一个所述位置检测电极重叠配置，并与所述另一个位置检测电极连接。
14.如权利要求12或13所述的液晶面板，其特征在于，
所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，
所述阵列基板设置有：
第一平坦化膜，其配置于所述公共电极的下层侧；以及
第二平坦化膜，其在所述像素电极以及所述连接电极的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧，
所述第一平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物、所述公共电极以及所述像素电极重叠配置，
所述第二平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物以及所述延伸部重叠配置，
所述第一布线配置在比所述第一平坦化膜靠下层侧。
15.如权利要求6、7、8、9、10、12、13中任一项所述的液晶面板，其特征在于，
所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，
在所述阵列基板上设置有配置于所述公共电极的下层侧的平坦化膜，
所述平坦化膜具备:
第一膜厚部，其膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物不重叠，与所述公共电极及所述像素电极重叠配置；以及
第二膜厚部，其膜厚比所述第一膜厚部大，并与所述间隔物重叠配置。
16.如权利要求6至10中任一项所述的液晶面板，其特征在于，
所述间隔物从所述对向基板向所述液晶层侧突出设置，
所述阵列基板设置有：
第一平坦化膜，其配置于所述公共电极的下层侧；以及
第二平坦化膜，其在所述像素电极的上层侧处配置在所述取向膜的下层侧，
所述第一平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物、所述公共电极以及所述像素电极重叠配置，
所述第二平坦化膜的膜厚比所述绝缘膜的膜厚大，与所述间隔物和所述延伸部重叠配置。
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