CN116282135A - 一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用 - Google Patents
一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116282135A CN116282135A CN202310167513.0A CN202310167513A CN116282135A CN 116282135 A CN116282135 A CN 116282135A CN 202310167513 A CN202310167513 A CN 202310167513A CN 116282135 A CN116282135 A CN 116282135A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- spin
- coating
- doped
- solid solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 62
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 45
- CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N gallium nitrate Chemical compound [Ga+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O CHPZKNULDCNCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 40
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims abstract description 34
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 26
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229940044658 gallium nitrate Drugs 0.000 claims abstract description 20
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims abstract description 17
- XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N Omeprazole sulfide Chemical compound N=1C2=CC(OC)=CC=C2NC=1SCC1=NC=C(C)C(OC)=C1C XURCIPRUUASYLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 81
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 67
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 39
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 36
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 25
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 19
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 18
- QWVSXPISPLPZQU-UHFFFAOYSA-N bromomethanamine Chemical compound NCBr QWVSXPISPLPZQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 12
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims description 12
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 10
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 claims description 9
- VOWZMDUIGSNERP-UHFFFAOYSA-N carbamimidoyl iodide Chemical compound NC(I)=N VOWZMDUIGSNERP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M Butyrate Chemical compound CCCC([O-])=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- -1 gallium metal oxide Chemical group 0.000 description 8
- JGFBQFKZKSSODQ-UHFFFAOYSA-N Isothiocyanatocyclopropane Chemical compound S=C=NC1CC1 JGFBQFKZKSSODQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N butyric acid octyl ester Natural products CCCCCCCCOC(=O)CCC PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 7
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-IDEBNGHGSA-N chlorobenzene Chemical group Cl[13C]1=[13CH][13CH]=[13CH][13CH]=[13CH]1 MVPPADPHJFYWMZ-IDEBNGHGSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000013083 solar photovoltaic technology Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明的一种Cu掺杂Ga2‑XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用，属于纳米材料制备技术领域。用去离子水配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液；将硝酸镓、硝酸铟、硝酸铜混合并加入聚醚P123溶液，搅拌形成均匀混合溶液；在搅拌条件下，缓慢加入乙二醇、氢氧化钾溶液，210摄氏度加热50分钟；清洗反应产物，离心去除上清液，得到Cu掺杂Ga2‑XInXO3固溶体纳米颗粒。以所述固溶体纳米材料作为空穴传输层，可以制备钙钛矿太阳电池。本发明工艺简单、制备温度低、掺杂量易于控制，晶粒尺寸可调节、实验重复性好，制备的产物用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层中，进一步提高了钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及了一种无机金属氧化物纳米材料的合成方法，以及将其应用于钙钛矿太阳电池。
背景技术
低成本、环境友好、绿色可持续的太阳能光伏技术在未来愈发重要。钙钛矿太阳能电池自2009年问世以来，光电转换效率从初始的3.8％迅速提升到了25.7％，表现出巨大的商业化潜力。钙钛矿太阳电池通常由透明导电玻璃、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属电极组成。根据钙钛矿太阳电池结构的不同可以分为正置结构和倒置结构。
正置结构为nip型结构。目前高效率的正置结构型钙钛矿太阳电池通常使用有机空穴传输材料Spiro-OMeTAD，但这种有机空穴传输材料的空穴迁移率较差。常使用Li-TFSI和4-叔丁基吡啶作为添加剂改善Spiro-OMeTAD的空穴迁移能力。但这类添加剂在高温、高湿度条件下，容易破坏钙钛矿吸光层，加速器件的性能衰减。此外，这类有机空穴传输材料的成本较高，不利于钙钛矿太阳电池的商业化推广。无机空穴传输材料具有制备工艺简单，成本低，材料稳定好等优点。但钙钛矿吸光材料不耐极性溶剂、氧气、高温的特点限制了在其上方的空穴传输材料的沉积条件，继而限制了许多无机空穴传输材料的使用。倒置结构是在钙钛矿太阳电池中使用无机空穴传输材料一个好的解决方案。倒置结构为pin型结构。由于空穴传输层直接沉积在透明导电玻璃上方，从而不需要考虑空穴传输层的沉积条件对钙钛矿吸光层的影响。此外，透明导电玻璃的耐热温度通常可以达到400～500℃，这极大的拓展了空穴传输材料的选取范围。目前在倒置结构钙钛矿太阳电池中，研究者们已经探索并研究了多种无机空穴传输材料。在倒置结构钙钛矿太阳电池中，最常用的无机空穴传输材料为纳米NiOX。但NiOX材料的电子迁移率较低，在其上沉积的钙钛矿吸光层薄膜结晶性不好，并且与钙钛矿吸光层材料的能带排列仍待优化。除了NiOX材料外，一些其它的金属氧化物同样合适作为空穴传输材料。
Ga2O3是一种新兴的超宽带隙半导体材料，广泛应用于紫外线探测器和电子传感器。这类材料可以在紫外波长区域保持显著的透明度，十分适合作为光电器件的窗口层材料。但由于镓类金属氧化物材料的价带位置与钙钛矿吸光材料的价带位置存在较大的不匹配，这类材料难以作为空穴传输材料在钙钛矿太阳电池中使用。据报道，通过将Cu掺杂入Ga2O3，可以产生与钙钛矿吸光材料价带相匹配的杂质能级，从而提供了除Ga2O3价带以外的额外空穴传导通道。基于Cu掺杂Ga2O3材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池光电转换效率已经达到19.5％，但相比于其它无机金属氧化物光电转换效率仍然存在不足。
发明内容
为了克服现有技术存在的不足，本发明提供了一种新型镓类金属氧化物材料，并将其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池，进一步提高了基于镓类金属氧化物为空穴传输材料的钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
本发明的第一目的在于提供一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法。本发明的第二目的在于将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输材料应用于倒置结构的钙钛矿太阳电池。
本发明采取的技术方案如下：
一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
1)用去离子水配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液；
2)用去离子水配置浓度为0.028g/mL的氢氧化钾溶液；
3)将反应物硝酸镓、硝酸铟、硝酸铜混合放入烧杯，并加入步骤1)配置好的聚醚P123溶液，搅拌形成均匀混合溶液；其中，每1mmol硝酸镓使用3.42mL聚醚P123溶液，按摩尔比，硝酸镓:硝酸铟:硝酸铜＝1:(0.111～0.667):(0.034～0.051)，优选1:0.25:0.038；
4)在搅拌条件下，向步骤3)得到的溶液缓慢加入乙二醇，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用2.92mL乙二醇；
5)在搅拌条件下，向步骤4)得到的溶液缓慢加入步骤2)配置好的氢氧化钾溶液，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用6.25mL氢氧化钾溶液；
6)搅拌结束后，将步骤5)得到的均匀混合溶液转移至反应釜，210摄氏度加热50分钟；
7)待步骤6)中的水热反应结束且反应釜冷却后，依次用水、氨水、异丙醇清洗反应产物，离心去除上清液，得到Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒。
一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的应用，是以所述固溶体纳米材料作为空穴传输层，制备钙钛矿太阳电池，包括以下步骤：
1)清洗导电玻璃基底，将FTO依次在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟，所述FTO为掺杂氟的SnO2导电玻璃；
2)制备空穴传输层，先将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，再旋涂在步骤1)处理好的FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火后得到空穴传输层，旋涂和退火过程重复三次，以达到合适厚度；
3)制备钙钛矿层，将反应物溴甲胺，溴化铅，碘化铯，碘甲脒，碘化铅按摩尔比例1:1.9:2.3:10:11.4混合,溶于体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺混合溶剂中(每1摩尔溴甲胺使用9.2mL二甲基亚砜和二甲基甲酰胺混合溶剂)，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱液，将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s，第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s，第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂，旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层；
4)制备界面钝化层，用异丙醇配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层；
5)制备电子传输层，用氯苯配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，旋涂在界面钝化层上，自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层；
6)制备电极，使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终获得基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的钙钛矿太阳电池。
有益效果：
本发明提供一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的水热制备方法，并首次将其用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层中，有望促进镓类金属氧化物在光伏器件领域的应用与发展。还具有如下特点：
1、相比于以往技术中使用的Cu掺杂Ga2O3纳米材料，本发明制备的Cu掺杂Ga2- XInXO3固溶体纳米材料显著改善了空穴传输层和钙钛矿吸光层间的能带匹配情况，进一步提高了基于镓类金属氧化物为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的光电转换效率。
2、本发明的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法工艺简单、制备温度低、掺杂量易于控制，晶粒尺寸可调节、实验重复性好。
3、本发明的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法使用的反应原材料价格低廉、来源广泛。
附图说明
图1为本发明所述的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备工艺流程框图。
图2为本发明所述的基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料为空穴传输层的钙钛矿太阳电池制备工艺流程框图。
图3为实施例2所制备的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的透射电镜图。
图4为实施例2所制备的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的扫描电镜图。
图5为实施例1～3所制备的钙钛矿太阳电池的电流密度-电压曲线图。
具体实施方式
本说明书中公开的所有特征，除了互相排斥的特征和/或步骤外，均可以任何方式组合。
本发明通过水热法制备了Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料，并其作为空穴传输材料应用到钙钛矿太阳电池中。其中使用的化学药品主要包括硝酸镓，硝酸铜，硝酸铟，P123，乙二醇，去离子水，氢氧化钾，氨水，二甲基亚砜，异丙醇，二甲基甲酰胺、碘化铅、溴化铅、碘甲醚、溴甲胺、碘化铯、丙烯酸羟乙酯、苯乙基碘化胺、[6,6]-苯基C61丁酸甲酯、氯苯、浴铜灵等。
下面通过实施例对本发明作详细的描述，其目的在于更好地理解本发明的内容，所举之例不限于本发明的保护范围。
实施例1
一种制备Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒，并将其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例中主要特征：在制备Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒时，硝酸铟和硝酸镓的投料摩尔比为1:9。
(1)Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒制备
配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液，取0.5克聚醚P123放入烧杯,加入10毫升去离子水，搅拌均匀备用。配置浓度为0.028g/mL的氢氧化钾溶液，取0.7g氢氧化钾放入烧杯，加入25mL去离子水，搅拌均匀备用。取0.405克硝酸镓，0.050克硝酸铟，0.022克硝酸铜混合放入烧杯，加入上述配置好的聚醚P123溶液4.1毫升，搅拌均匀。在搅拌条件下，继续向混合溶液缓慢加入3.5毫升乙二醇，搅拌均匀。在搅拌条件下，继续向混合溶液缓慢加入上述配置好的氢氧化钾溶液7.5毫升，搅拌均匀。搅拌结束后，将混合溶液转移至水热反应釜中，210摄氏度加热50分钟。待水热反应结束后，依次用水、氨水、异丙醇清洗沉淀产物，离心去除上清液，干燥后得到Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒。
(2)钙钛矿太阳电池制备
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火。重复旋涂和退火三次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线。其性能参数在表1中，其电流密度-电压曲线在图5中。
实施例2
一种制备Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料，并将其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例中主要特征：在制备Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒时，硝酸铟和硝酸镓的投料摩尔比为2:8。
(1)Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒制备
配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液，取0.5克聚醚P123放入烧杯,加入10毫升去离子水，搅拌均匀备用。配置浓度为0.028g/mL的氢氧化钾溶液，取0.7g氢氧化钾放入烧杯，加入25mL去离子水，搅拌均匀备用。取0.360克硝酸镓，0.100克硝酸铟，0.022克硝酸铜混合放入烧杯，加入上述配置好的聚醚P123溶液4.1毫升，搅拌均匀。在搅拌条件下，继续向混合溶液缓慢加入3.5毫升乙二醇，搅拌均匀。在搅拌条件下，继续向混合溶液缓慢加入上述配置好的氢氧化钾溶液7.5毫升，搅拌均匀。搅拌结束后，将混合溶液转移至水热反应釜中，210摄氏度加热50分钟。待水热反应结束后，依次用水、氨水、异丙醇清洗沉淀产物，离心去除上清液，干燥后得到Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒。
(2)钙钛矿太阳电池制备
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火。重复旋涂和退火三次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线，其性能参数如表1所示，其电流密度-电压曲线如图5所示。本实施例为基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料为空穴传输层的钙钛矿太阳电池光电转换效率最高的实验方案。
实施例3
一种制备Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料，并将其作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例中主要特征：在制备Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒时，硝酸铟和硝酸镓的投料摩尔比为4:6。
(1)Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒制备
配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液，取0.5克聚醚P123放入烧杯,加入10毫升去离子水，搅拌均匀备用。配置浓度为0.028g/mL的氢氧化钾溶液，取0.7g氢氧化钾放入烧杯，加入25mL去离子水，搅拌均匀备用。取0.270克硝酸镓，0.200克硝酸铟，0.022克硝酸铜混合放入烧杯，加入上述配置好的聚醚P123溶液4.1毫升，搅拌均匀。在搅拌条件下，继续向混合溶液缓慢加入3.5毫升乙二醇，搅拌均匀。在搅拌条件下，继续向混合溶液缓慢加入上述配置好的氢氧化钾溶液7.5毫升，搅拌均匀。搅拌结束后，将混合溶液转移至水热反应釜中，210摄氏度加热50分钟。待水热反应结束后，依次用水、氨水、异丙醇清洗沉淀产物，离心去除上清液，干燥后得到Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒。
(2)钙钛矿太阳电池制备
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火。重复旋涂和退火三次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线，其性能参数如表1所示，其电流密度-电压曲线如图5所示。
实施例4
一种将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例主要特征：在制备钙钛矿太阳电池时，空穴传输层重复旋涂两次。
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将实施例2中合成的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火。重复旋涂和退火两次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线，其性能参数如表2所示。
实施例5
一种将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例主要特征：在制备钙钛矿太阳电池时，空穴传输层重复旋涂四次。
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将实施例2中合成的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火。重复旋涂和退火四次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线，其性能参数如表2所示。
实施例6
一种将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例主要特征：在制备钙钛矿太阳电池时，空穴传输层退火温度为80℃。
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将实施例2中合成的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，80℃退火。重复旋涂和退火三次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线，其性能参数如表3所示。
实施例7
一种将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒作为空穴传输材料应用于钙钛矿太阳电池的方法：
本实施例主要特征：在制备钙钛矿太阳电池时，空穴传输层退火温度为120℃。
将FTO依次用去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟。将实施例2中合成的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，旋涂在FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，80℃退火。重复旋涂和退火三次后得到空穴传输层。将568mg碘化铅，66mg碘化铯，187mg碘甲脒，80mg溴化铅，12mg溴甲胺，溶于1mL体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺的混合溶液中，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱溶液。将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s。第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s。第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂。旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层。配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，溶剂为异丙醇。旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层。配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，溶剂为氯苯，旋涂在界面钝化层上。自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层。使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终完成基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料作为空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备。
在光照强度为100mWcm-2的AM 1.5模拟太阳光照射下，测试该器件的电流密度-电压曲线，其性能参数如表3所示。
表1不同硝酸铟和硝酸镓投料摩尔比所制备的钙钛矿太阳电池的各项参数
表2不同空穴传输层重复旋涂次数所制备的钙钛矿太阳电池的各项参数
表3不同空穴传输层退火温度所制备的钙钛矿太阳电池的各项参数
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何不经创造性劳动想到的变化或替换都应涵盖在本发明的保护范围以内。因此本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。
Claims (3)
1.一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法，包括以下步骤：
1)用去离子水配置浓度为0.05g/mL的聚醚P123溶液；
2)用去离子水配置浓度为0.028g/mL的氢氧化钾溶液；
3)将反应物硝酸镓、硝酸铟、硝酸铜混合放入烧杯，并加入步骤1)配置好的聚醚P123溶液，搅拌形成均匀混合溶液；其中，每1mmol硝酸镓使用3.42mL聚醚P123溶液，按摩尔比，硝酸镓:硝酸铟:硝酸铜＝1:(0.111～0.667):(0.034～0.051)；
4)在搅拌条件下，向步骤3)得到的溶液缓慢加入乙二醇，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用2.92mL乙二醇；
5)在搅拌条件下，向步骤4)得到的溶液缓慢加入步骤2)配置好的氢氧化钾溶液，继续搅拌形成均匀混合溶液；每1mmol硝酸镓使用6.25mL氢氧化钾溶液；
6)搅拌结束后，将步骤5)得到的均匀混合溶液转移至反应釜，210摄氏度加热50分钟；
7)待步骤6)中的水热反应结束且反应釜冷却后，依次用水、氨水、异丙醇清洗反应产物，离心去除上清液，得到Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法，其特征在于，在步骤3)中，按摩尔比，硝酸镓:硝酸铟:硝酸铜＝1:0.25:0.038。
3.一种权利要求1所述的Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的应用，是以所述固溶体纳米材料作为空穴传输层，制备钙钛矿太阳电池，包括以下步骤：
1)清洗导电玻璃基底，将FTO依次在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声清洗15分钟，再紫外臭氧处理15分钟，所述FTO为掺杂氟的SnO2导电玻璃；
2)制备空穴传输层，先将Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米颗粒分散在体积比为1:1的二甲基亚砜和异丙醇混合溶剂中，再旋涂在步骤1)处理好的FTO上，旋涂参数设置为6000rpm，60s，100℃退火后得到空穴传输层，旋涂和退火过程重复三次，以达到合适厚度；
3)制备钙钛矿层，将反应物溴甲胺、溴化铅、碘化铯、碘甲脒、碘化铅按摩尔比例1:1.9:2.3:10:11.4混合，溶于体积比为1:4的二甲基亚砜和二甲基甲酰胺混合溶剂中，其中每1摩尔溴甲胺使用9.2mL混合溶液，再加入总溶液体积比1％的丙烯酸羟乙酯制备成钙钛矿前驱液，将钙钛矿前驱溶液用两步旋涂法旋涂在空穴传输层上，第一步旋涂参数设置为500rpm，5s，第二步旋涂参数设置为5000rpm，45s，第二步旋涂结束前30s时滴加氯苯反溶剂，旋涂结束后，100℃退火10分钟，得到钙钛矿层；
4)制备界面钝化层，用异丙醇配置浓度为1mg/mL的苯乙基碘化胺溶液，旋涂在钙钛矿层上，100℃退火10分钟，得到界面钝化层；
5)制备电子传输层，用氯苯配置浓度为20mg/mL的[6,6]-苯基C61丁酸甲酯溶液，旋涂在界面钝化层上，自然干燥后，再使用蒸发镀膜机蒸镀一层8nm厚的浴铜灵，得到电子传输层；
6)制备电极，使用蒸发镀膜机在电子传输层表面蒸镀一层厚度80nm的银电极，最终获得基于Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的钙钛矿太阳电池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310167513.0A CN116282135A (zh) | 2023-02-27 | 2023-02-27 | 一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310167513.0A CN116282135A (zh) | 2023-02-27 | 2023-02-27 | 一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116282135A true CN116282135A (zh) | 2023-06-23 |
Family
ID=86817888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310167513.0A Pending CN116282135A (zh) | 2023-02-27 | 2023-02-27 | 一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116282135A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102191466A (zh) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 镓掺杂氧化锌靶材及其透明导电膜的制备方法 |
| CN105390614A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 吉林大学 | 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
| WO2017006839A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 国立大学法人京都大学 | ペロブスカイト型太陽電池 |
| CN114086238A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-02-25 | 吉林大学 | 一种γ-Ga2O3或Cu掺杂γ-Ga2O3纳米晶及其制备方法和用途 |
-
2023
- 2023-02-27 CN CN202310167513.0A patent/CN116282135A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102191466A (zh) * | 2010-03-18 | 2011-09-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 镓掺杂氧化锌靶材及其透明导电膜的制备方法 |
| WO2017006839A1 (ja) * | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 国立大学法人京都大学 | ペロブスカイト型太陽電池 |
| CN105390614A (zh) * | 2015-11-05 | 2016-03-09 | 吉林大学 | 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
| CN114086238A (zh) * | 2021-11-03 | 2022-02-25 | 吉林大学 | 一种γ-Ga2O3或Cu掺杂γ-Ga2O3纳米晶及其制备方法和用途 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| XIAOLI LIU ET AL.: "Electronic properties of monoclinic (InxGa1-x)2O3 alloys by first-principle", 《AIP ADVANCES》, vol. 9, 13 March 2019 (2019-03-13) * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Liu et al. | SnO2‐based perovskite solar cells: configuration design and performance improvement | |
| Huang et al. | Ionic liquid modified SnO 2 nanocrystals as a robust electron transporting layer for efficient planar perovskite solar cells | |
| CN102842676B (zh) | 一种基于TiO2-CuInS2核壳纳米棒阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法 | |
| Kartikay et al. | Enhanced charge transport in low temperature carbon-based nip perovskite solar cells with NiOx-CNT hole transport material | |
| Li et al. | Thermally-stable and highly-efficient bi-layered NiOx-based inverted planar perovskite solar cells by employing a p-type organic semiconductor | |
| CN108281552A (zh) | 一种具有能带梯度的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN109285950A (zh) | 一种基于铜铟硫纳米晶的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| Lojpur et al. | Efficient and novel Sb2S3 based solar cells with chitosan/poly (ethylene glycol)/electrolyte blend | |
| KR102160474B1 (ko) | 무기물 정공수송층 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 | |
| Wang et al. | Glass rod-sliding and low pressure assisted solution processing composition engineering for high-efficiency perovskite solar cells | |
| CN109354057B (zh) | 一种氧化锡纳米晶及其制备方法及太阳能电池制备方法 | |
| CN108539023A (zh) | 基于联硼化合物修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108492993A (zh) | 一种贵金属修饰TiO2-BaTiO3核壳纳米线阵列复合光阳极及制备方法 | |
| CN109851571B (zh) | 一种共轭有机小分子界面修饰材料、制备方法及其构成的有机太阳电池 | |
| CN114086238B (zh) | 一种γ-Ga2O3或Cu掺杂γ-Ga2O3纳米晶及其制备方法和用途 | |
| CN112201756A (zh) | 一种具有界面修饰层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| KR101218381B1 (ko) | 금속산화물 나노와이어-월 전도막의 제조방법 및 이를 포함하는 유기태양전지 | |
| CN109301070B (zh) | 一种Bi2OS2掺杂有机太阳能电池及其制备方法 | |
| CN116282135A (zh) | 一种Cu掺杂Ga2-XInXO3固溶体纳米材料的制备方法及应用 | |
| CN113903862B (zh) | 基于苯硼酸衍生物修饰的SnO2钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
| CN110444668B (zh) | 一种平面型钙钛矿太阳能电池的制备方法 | |
| CN114784191A (zh) | 一种有机小分子化合物界面修饰的钙钛矿薄膜、其制备方法及太阳能电池 | |
| CN103346264A (zh) | 一种纳米氧化锌薄膜的制备方法以及一种有机太阳能电池的制备方法 | |
| Mehrabian | Optical and photovoltaic properties of ZnS nanocrystals fabricated on Al: ZnO films using the SILAR technique | |
| JP2019503329A (ja) | タングステンイオン溶液及びハイブリット太陽光発電装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |