KR102160474B1 - 무기물 정공수송층 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 - Google Patents

무기물 정공수송층 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 정공수송층 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로, 페로브스카이트 태양전지에 포함되는 무기물 정공수송층 박막의 제조방법에 있어서, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 제조하는 나노입자 제조단계, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 용매에 분산하여 분산액을 형성하는 단계 및 상기 분산액을 기판의 일면에 도포하여 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 무기물 정공수송층 박막의 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법을 제공한다.

Description

무기물 정공수송층 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지{A method for manufacturing a inorganic hole transport layer and a perovskite solar cell containing the same}
본 발명은 철이 도핑 된 니켈산화물 정공수송층 제조방법에 관한 것이며, 나아가 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 정공수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 관한 것이다.
최근 하이브리드 유기-무기 페로브스카이트 태양전지태양전지(Hybrid organic-inorganic perovskite solar cells; PSCs)의 전력 변환 효율(power conversion efficiency; PCE)이 24.2%까지 보고됨에 따라 차세대 태양전지로서 관심이 집중되고 있다. 높은 전력변화효율은 페로브스카이트 소재의 높은 흡광도, 적절한 밴드 갭, 낮은 엑시톤 결합 에너지 등 우수한 광전자 특성에 기인한다.
상기 태양전지의 제조에 있어 대표적으로 다공성(mesoporous) 형태와 평판형(planar) 형태의 소자 구조가 제시되고 있다. 다공성 형태의 태양전지 제작에 있어 두꺼운 다공성 TiO2 박막의 형성이 중요하며, 이를 위해 장시간의 고온(450℃) 어닐링 공정이 요구된다. 따라서 이는 생산 비용을 증가시키는 요인일 뿐만 아니라 유연한 기판에서의 제작을 방해하며, 대규모 애플리케이션에 적합하지 않다.
한편, 평판형 형태의 태양전지는 구조의 단순성, 무시할 수 있는 수준의 히스테리시스(hysteresis)를 나타낼 뿐만 아니라 역평판형 구조의 경우에 있어 저온 공정이 가능하여 고분자 유연 기판 상에 태양전지를 제작할 수 있는 장점을 가진다.
역평판형 구조의 페로브스카이트 태양전지의 정공수송층(hole transporting layer; HTL)으로 poly (3,4-(ethylenedioxcy)thiophene)/poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS), poly(bis(4-phenyl), (2,4,6-trimethylphenyl)amine)(PTAA), poly(p-phenylene)(PPP), polythiophene(PT) 등과 같은 유기 고분자 소재가 이용되고 있다. 또한, 페로브스카이트 태양전지의 안정성 및 제조 단가를 낮추기 위해 NiOx, CuSCN, V2O5, MoO3, CuO 등과 같은 다양한 무기 p형 반도체 소재가 정공수송층으로 폭넓게 응용되고 있다. 전술한 유기 정공수송층과 비교하여, 무기 정공수송층은 넓은 밴드 갭, 높은 정공 이동성, 높은 화학적 안정성, 저비용 및 저온용액 처리 가용성의 장점을 제공할 수 있다.
상기의 무기 p형 반도체 중 NiOx는 안정성과 투과율이 우수하고, 페로브스카이트 광활성층과의 에너지 준위 정렬이 우수하여 정공수집 특성을 좋을 뿐만 아니라 다양한 졸-겔(sol-gel), 분무 열분해(spray pyrolysis), 스퍼터링(sputtering), 전기화학증착(electrochemical deposition), 펄스 레이저 증착 (pulse laser deposition), 용매열 합성(solvothermal synthesis)등의 방법으로 쉽게 박막을제조할 수 있어 주목을 받고 있다.
졸-겔법은 방법이 간단하고 저비용으로 구현이 가능하여 NiOx를 제조하기 위해 널리 채택되어 왔지만, 결정화 및 유기 불순물 제거를 위한 고온 어닐링 공정으로 인해 고분자 유연기판에 페로브스카이트 태양전지를 제작하는 것을 어렵게 한다. 더욱이 상기 졸-겔법으로 NiOx를 제조할 경우에 낮은 전도성이 나타날 수 있으며, 이는 가전자대 상단의 국부적인 궤도 분포로부터 발생하며 페로브스카이트 계면에서 정공 축적을 초래하고, 전하 캐리어 재결합을 증가시키고 전하 수집을 감소시켜 페로브스카이트 태양전지의 성능을 저하시키는 주요 원인으로 작용할 수 있다.
NiOx를 도핑하거나 NiOx 막의 화학양론을 조정함으로써 전도성 및 전하수집 특성을 향상시키기 위한 여러 시도가 이루어졌다. Cu 도핑을 통해 페로브스카이트 태양전지의 효율이 8.94%에서 15.4%까지 증가하였으며, 조성 제어를 통해 17.4%까지 효율이 향상되었다. 또한 Cu 도핑된 NiOx박막의 표면을 Cysteine으로 개질함으로써 효율이 18%까지 향상되었으며, 다공성 구조의 Cu-NiOx 도입하여 19.5%의 효율을 보고하고, 용액연소법을 통해 20% 이상의 효율을 보고하였다.
그러나 상기의 경우에 증착 또는 어닐링 중에 150 ℃ 이상의 온도가 여전히 필요하며, 이로 인해 고분자 유연 기판을 기반으로 하는 연속 공정 또는 roll-to-roll 기반 페로브스카이트 태양전지를 제작하는 것을 어렵게 한다.
최근 NiOx 나노 입자 기반 잉크를 제조하고 이를 낮은 온도에서 용액공정을 통해 정공수송층으로 적용하였으며, ITO-glass 기판 기반 페로브스카이트 태양전지에서 16.47%, ITO-PEN 기판 기반 유연 페로브스카이트 태양전지에서 13.43%의 효율을 보고하였다. 그러나 이러한 결과는 NiOx 나노입자의 정공수송층으로 적용 가능성을 보여주나, 비교적 높은 130 ℃에서 20분 이상의 어닐링 공정을 거쳐야 하는 점을 비롯하여, 낮은 효율 등의 한계를 보여준다. 따라서, 유연 페로브스카이트 태양전지에 적용이 가능한 NiOx 제조방법 및 이를 이용한 저온 공정에서 우수한 특성을 갖는 정공수송층 박막 제조방법, 그리고 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 대한 기술 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
또 다른 목적은, 상온 용액공정이 가능한 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 상기 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층 및 상기 정공수송층을 포함하는 페로브스카이트 태양전지 및 페로브스카이트 태양전지의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 페로브스카이트 태양전지에 포함되는 무기물 정공수송층 박막의 제조방법에 있어서, 무기물 나노입자를 제조하는 나노입자 제조단계, 상기 무기물 나노입자를 용매에 분산하여 분산액을 형성하는 단계 및 상기 분산액을 기판의 일면에 도포하여 무기물 나노입자 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 무기물 나노입자는 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자는 니켈 산화물 대비 철 원소가 0.5mol% 내지 2.0mol%로 포함되는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 분산액을 형성단계는 상기 분산액의 농도가 1mg/1ml 내지 20mg/ml 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하는 단계는 기판의 표면을 따라 계면이 분리되지 않도록 기판의 전면에 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 코팅하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 코팅층을 형성하는 단계 롤투롤 코팅(Roll to Roll coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 및 스프레이 코팅(spray coating)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 코팅하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하는 단계는 25℃ 내지 35℃에서 코팅하는 것일 수 있다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 무기물 정공수송층 박막의 제조방법으로 제조된 무기물 정공수송층 박막을 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 있어서, 상기 페로브스카이트 태양전지는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 형성되는 제1전극층, 상기 제1전극층 상에 형성되는 상기 무기물 정공수송층, 상기 무기물 정공수송층 상에 형성되는 페로브스카이트 광흡수층, 상기 광흡수층 상에 형성되는 전자수송층 및 상기 전자수송층 상에 형성되는 제2전극층을 포함하고, 상기 무기물 정공수송층은 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 포함하는 것인 페로브스카이트 태양전지를 제공한다.
본 발명의 다른 일 관점에 따르면, 무기물 정공수송층 박막의 제조방법으로 제조된 무기물 정공수송층 박막을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 페로브스카이트 태양전지의 제조방법은 베이스 기판상에 제1전극층을 형성하는 단계, 상기 제1전극층 상에 상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계, 상기 무기물 정공수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계, 상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 전자수송층을 형성하는 단계 및 상기 전자수송층 상에 제2전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 무기물 정공수송층은 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계는 상기 제1전극층의 표면을 따라 계면이 분리되지 않도록 상기 제1전극층의 전면에 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 코팅하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계는 롤투롤 코팅(Roll to Roll coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 및 스프레이 코팅(spray coating)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 코팅하는 것일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계는 25℃ 내지 35℃에서 코팅하는 것일 수 있다.
본 발명에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 정공수송층 제조방법 및 이를 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자의 제조방법에 따르면, 균일하고 부드러운 표면형태를 나타내며, 일함수가 향상된 무기물 정공수송층을 제공할 수 있다.
또한, 기존의 비교적 높은 온도에서 수행하던 무기물 정공수송층 제조공정을 상온에서 수행할 수 있어, 공정이 용이하고 경제적으로 정공수송층을 제조하는 효과가 있다.
또한, 낮은 온도의 공정을 요하는 유연기판 및 롤투롤 공정을 이용한 페로브스카이트 태양전지 제작이 가능하다.
본 발명의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해 질 것이다. 그러나 본 발명의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 본 발명의 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 일 실시예에 따른 무기물 정공수송층 박막 제조방법을 나타낸 흐름도를 나타낸 것이다.
도 2는 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지를 나타낸 개략도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 관찰 이미지를 나타낸 도면이다.
도 4는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 분산액 이미지를 나타낸 도면이다.
도 5는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 주사전자현미경(SEM) 및 원자간력현미경(AFM) 관찰 이미지를 나타낸 도면이다.
도 6은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 X선 회절(XRD) 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자에 대한 에너지분산 X선 분광법(EDS) 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 8은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 전자분광법(UPS) 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 9는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 광발광(Photoluminescence, PL) 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 10은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 장치의 전류-전압 특성을 나타낸 도면이다.
도 11은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압 곡선을 나타낸 것이다.
도 12는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지의 외부양자효율(External Quantum Efficiency, EQE) 곡선을 나타낸 도면이다.
도 13은 일 실시예에 따른 유연 페로브스카이트 태양전지의 구조를 나타낸 도면이다.
도 14는 일 실시예에 따른 유연 페로브스카이트 태양전지의 이미지를 나타낸 것이다.
도 15는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 유연 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압 곡선을 나타낸 도면이다.
도 16은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 유연 페로브스카이트 태양전지의 외부양자효율(External Quantum Efficiency, EQE) 곡선을 나타낸 도면이다.
도 17은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 철의 도핑 농도에 따른 페로브스카이트 태양전지의 성능 파라미터를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예와 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위해 예시적으로 지시한 것일 뿐, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되지 않는 다는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가지는 자에 있어서 자명할 것이다.
또한, 달리 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용되는 모든 기술적 및 과학적 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 숙련자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 가지며, 상충되는 경우에는, 정의를 포함하는 본 명세서의 기재가 우선할 것이다.
도면에서 제안된 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 그리고 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서에서 기술한 “부”한, 특정 기능을 수행하는 한 개의 단위 또는 블록을 의미한다.
각 단계들에 있어 식별부호(제1, 제2, 등)는 설명의 편의를 위하여 사용되는 것으로 식별부호는 각 단계들의 순서를 설명하는 것이 아니며, 각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않는 이상 명기된 순서와 다르게 실시될 수 있다.
즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 실시될 수도 있고 실질적으로 동시에 실시될 수도 있으며 반대의 순서대로 실시될 수도 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 무기물 정공수송층 박막 제조방법을 나타낸 흐름도를 나타낸 것이다.
도 1을 참고하면, 무기물 정공수송층 박막 제조방법(S100)은 무기물 나노입자를 제조하는 단계(S110), 분산액을 형성하는 단계(S120) 및 코팅층을 형성하는 단계(S130)를 포함한다.
상기 무기물 나노입자를 제조하는 단계(S110)는 니켈산화물 나노입자를 제조하는 것을 특징으로 한다. 상세하게는, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자(Fe-NiOx)를 제조하는 것을 특징으로 한다.
이때, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자는 니켈 산화물 대비 철 원소가 0.1mol% 내지 2.5mol%로 포함될 수 있다. 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자에서 철 원소의 함량이 증가하면 태양전지 성능 파라미터가 감소하게 된다. 철 원소의 함량에 따라 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 전기적 특성인 일함수와 전기전도도가 달라지는 것에 기인하는 것으로, 이러한 전기적 특성 변화는 상기 물질을 정공수송층으로 적용하였을 때 전하 추출 및 전달 특성에 영향을 미치게 되어 결과적으로 태양전지 성능의 향상 또는 감소에 직접적인 요인으로 작용한다. 즉, 최적 일함수와 전기전도도를 가질 때 최대 전하 추출 및 전달 특성을 나타낼 수있다. 이에, 본 발명에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자는 최적의 전기적 특성을 내기 위하여 0.5mol% 내지 1.5.mol%로 철 원소가 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자는 2nm 내지 10nm 일 수 있다. 나노입자의 사이즈가 작을수록 핀홀이 존재하지 않고 보다 조밀한 박막을 형성 할 수 있으며, 핀홀이 없는 조밀한 박막을 형성하였을 때 태양전지의 성능이 향상될 수 있다.
상기 분산액을 형성하는 단계(S120)는 상기 무기물 나노입자를 제조하는 단계(S110)으로부터 제조 된 무기물 나노입자인 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 용매에 분산하여 분산액을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이때, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 분산액의 농도는 1mg/ml 내지 30mg/ml로 포함될 수 있다. 상세하게는, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 분산액의 농도는 10mg/ml 내지 25mg/ml로 포함되는 것이 바람직하다. 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 분산액이 농도가 1mg/ml보다 낮을 경우, 분산액을 이용하여 박막 형성 시 핀홀이 발생하게 된다. 이때, 박막의 상부로 페로브스카이트 광활성층 박막을 코팅하게되면 페로브스카이트와 전극의 직접적인 접촉이 일어나 페로브스카이트 태양전지의 성능이 감소하게 될 수 있다. 또한, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 분산액의 농도가 30mg/ml보다 높을 경우, 박막형성 시 응집된 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 석출이 발생하게 된다. 이때, 박막의 상부로 페로브스카이트 광활성층 박막을 코팅하게 되면 매우 불규칙한 페로브스카이트 광활성층 박막으로 인해 태양전지의 성능이 감소하게 될 수 있다.
상기 코팅층을 형성하는 단계(S130)는 상기 분산액을 기판의 일면에 도포하여 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
상세하게는, 상기 코팅층을 형성하는 단계(S130)는 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 기판에 코팅하는 것으로, 상기 기판의 표면을 따라 계면이 분리되지 않도록 상기 기판의 전면에 코팅하여 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 코팅층은 당 업계에서 사용되는 통상적인 방법을 통해 형성 될 수 있다. 상세하게는, 롤투롤 코팅(Roll to Roll coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 및 스프레이 코팅(spray coating)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 코팅을 할 수 있다.
또한, 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하는 단계는 25℃ 내지 35℃에서 코팅할 수 있다. 상세하게는 상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하는 단계는 상온에서 이루어 질 수 있다. 즉, 상온에서 코팅층을 형성함으로써 추가적인 열처리가 필요하지 않다. 이에 따라, 낮은 온도의 공정을 요구하는 유연기판(플렉시블 기판)을 이용하여 페로브스카이트 태양전지의 제작이 가능할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 페로브스카이트 태양전지를 나타낸 개략도를 나타낸다.
도 2를 참고하면, 무기물 정공수송층 박막을 포함하는 페로브스카이트 태양전지(100)는 베이스 기판(110), 제1 전극층(120), 무기물 정공수송층(130), 페로브스카이트 광흡수층(140), 전자수송층(150) 및 제2전극층(160)을 포함할 수 있다.
먼저, 베이스 기판(110)은 투명한 재질로서, 글래스 일 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 글래스 이외에도 투명 플라스틱 기판 과 같은 광투과율이 높은 재질의 베이스 기판(110)을 사용할 수 있다. 이때, 상기 투명 플라스틱 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI) 또는 트리아세틸 셀룰로오스(TAC) 등을 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 제1전극층(120)은 베이스 기판(110)상에 형성될 수 있다. 이때, 제1전극층(120)은 투명전극을 형성하는 것으로, In계 산화물 또는 Zn계 산화물로 구성된 투명 도전성 산화물층이 형성될 수 있다. 상세하게는, FTO, ITO, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연 등을 사용할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 무기물 정공수송층(130)은 상기 제1전극층(120) 상에 형성될 수 있다.
상기 무기물 정공수송층(130)은 전술한 무기물 정공수송층(130) 제조방법(S100)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 것으로, 상기 무기물 정공수송층(130)은 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상세하게는. 상기 무기물 정공수송층(130)을 상기 제1전극층(120) 상에 형성하기 위하여 상기 제1전극층(120)의 표면을 따라 계면이 분리되지 않도록 상기 제1전극층(120)의 전면에 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 코팅하는 것을 특징으로 한다.
다시 말해, 표면이 불균일한 상기 제1전극층(120) 상에 표면을 따라 치밀하게 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 코팅함으로써, 층 간 저항을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 무기물 정공수송층(130)과 상기 제1전극층(120) 사이에 제2기판이 더 포함될 수 있다. 즉, 무기물 정공수송층(130)과 상기 제1전극층(120) 사이에 제2기판이 더 추가되는 것으로, 본 발명에 따른 페로브스카이트 태양전지는 제1전극층(120), 제2기판, 무기물 정공수송층(130)의 구조를 가질 수 있다.
이때, 상기 제2기판은 베이스 기판(110)일 수 있으며, 상기 제2기판은 전도성 투명기판 또는 투명 플라스틱 기판일 수 있으며, 상기 투명 플라스틱 기판은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI) 또는 트리아세틸 셀룰로오스(TAC) 등을 사용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
또한, 베이스 기판 또는 제2기판은 유리를 제외한 투명 플라스틱 기판 등을 적용하여 페로브스카이트 태양전지를 제작할 경우, 상기 페로브스카이트 태양전지는 유연(Flexible) 페로브스카이트 태양전지로 제작 될 수 있다.
상기 페로브스카이트 광흡수층(140)은 상기 무기물 정공수송층(130) 상에 형성 될 수 있다. 상기 페로브스카이트 광흡수층(140)은 페로브스카이트(perovskite) 구조의 화합물을 포함할 수 있으며, 페로브스카이트 구조의 화합물은 CH3NH3PbI3-xClx(0≤x≤ 3인 실수), CH3NH3PbI3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbCl3-xBrx(0≤x≤3인 실수), CH3NH3PbI3-xFx(0≤x≤3인실수), MA0.17FA0.83Pb(I0.83Br0.17)3(MA:methylammonium, FA:formamidinium),Csx(MA0.17FA0.83)(100-x)Pb(I0.83Br0.17)3(0≤x≤3인실수,MA:methylammonium, FA: formamidinium) 등을 포함할 수 있다.
이때, 상기 페로브스카이트 광흡수층(140)이 상기 무기물 정공수송층(130)과 직접 맞닿아 형성됨으로써, 페로브스카이트 광흡수층(140)으로부터 무기물 정공수송층(130)으로 정공을 추출할 수 있으며, 이로 인해 계면특성이 향상되어 전하의 수집 및 재결합 효율이 향상되는 것을 특징으로 한다.
상기 전자수송층(150)은 상기 페로브스카이트 광흡수층(140) 상에 형성되는 것으로, 상기 전자수송층(150)은 풀러렌유도체(C60) 및 금속산화물층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 금속산화물층은 SnO2, ZnO, MgO, WO3, PbO, In2O3, Bi2O3, Ta2O5, BaTiO3, BaZrO3, ZrO3 등을 포함할 수 있다.
상기 제2전극층(160)은 상기 전자수송층(150) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2전극층(160)은 Ag, Au, Pt, Ni, Cu, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C, 전도성 고분자 등을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 Ag 일 수 있다.
이하 본 발명을 실시예 및 실험예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단 하기 실시예 및 실험예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예 및 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예
실시예 1
본 발명에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자(Fe-NiOx)의 제조 과정을 하기 내용에서 상세히 설명한다.
니켈(II)질산염 육수화물(Ni(NO3)2·6H2O)3g을 증류수(deionized water) 60 ml가 들어있는 100 ml 부피의 플라스크에 넣고 상온에서 교반을 시킨다. Fe 도핑된 NiOx 나노 입자의 제조를 위해 질산 철(III)(Fe(NO3)·9H2O)을 0.5%, 1.0%, 1.5%, 2.0% 몰비로 상기 니켈(II) 질산염 육수화물 용액에 첨가하였다. 상기 수용액의 색이 투명한 초록색이 되면, 교반을 지속하면서 수산화암모늄 (NH4OH)을 적정하여 용액의 산도가 pH10이 되도록 하고, 이후에 10분 간 교반을 지속하였다. 녹색 콜로이드성침전물을 10,000 rpm에서 15분 간 원심 분리하여 수득한 후 증류수 및 이소프로판올로 각각 2회 세척하였다. 수득된 녹색 부가물을 80℃의 열풍오븐에서 밤새 건조하고, 분쇄한 후, 280℃에서 2시간 동안 소성시켜 암갈색 분말을 얻었다.
비교예 1
본 발명에 따른 비교예로서, 니켈산화물 나노입자(NiOx)를 제조하였다. 니켈산화물 나노입자는 상기 실시예 1에서 제시한 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자의 제조과정 중 질산 철(III)(Fe(NO3)·9H2O)을 첨가하지 않는 것을 제외하고는 동일하다.
도 3은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 투과전자현미경(TEM) 관찰 이미지를 나타낸 도면이며, 도 4는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 분산액 이미지를 나타낸 도면이다.
도 3을 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자가 제조되었으며, 나노입자의 사이즈가 3nm~8nm인 것을 확인 할 수 있었다. 또한, 도 4를 통하여 제조 된 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자가 증류수에 뭉침없이 분산되는 것을 확인 할 수 있다.
실시예 2
제1전극층으로 인듐주석산화물(ITO), 정공수송층으로 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자, 페로브스카이트 광흡수층, 정공수송층으로 플러렌유도체(PCBM), 제2전극층으로 은을 포함하는 구조를 갖는 페로브스카이트 태양전지를 제조하였다.
먼저, 인듐주석산화물기판을 아세톤, 증류수 및 이소프로필알코올 순서로 초음파욕조에서 각 각 20분간 세척한 후, 80℃의 오븐에서 10분 간 건조하였다. 이후, 상기 기판에 대한 젖음성 향상과 불순물 제거를 위하여 30분 동안 자외선-오존 처리를 하였다.
상기와 같이 준비된 인듐주석산화물 기판의 상부에 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 분산액을 스핀코터를 이용하여, 30초동안 2,000rpm으로 스핀코팅을 하였다. 이때, 스핀코팅은 실온에서 진행하였으며 추가적인 열처리를 하지 않았다.
상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하여 정공수송층을 코팅 한 후, 그 상부에 페로브스카이트 광활성층을 코팅하기 위해 CH3NH3I와 PbI2가 1:1 몰비율로 다이메틸포름아마이드(Dimethyformamide, DMF):이메틸 일산화황(Dimethyl sulfoxide, DMSO)=7:3인 혼합용액에 35 wt%로 용해된 페로브스카이트 전구체 용액을 제조하였다. 이후, 상기 페로브스카이트 전구체 용액을 상기 정공수송층 상에 500rpm으로 5초 동안 스핀코팅한 후, 6000rpm으로 45초간 스핀코팅하였으며, 스핀코팅 종료 35초전 톨루엔을 분사하였다. 스핀코팅이 끝난 후 60℃에서 2분, 100℃에서 10분 동안 열처리하여 페로브스카이트 구조를 갖는 광흡수층을 형성하였다. 이후, 상기 페로브스카이트 광흡수층 상부에 전자수송층 형성을 위해, 클로로벤젠에 20mg/ml로 분산 된 [6,6]-페닐-C61-뷰티르산 메틸에스테르([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) (PC61BM, PCBM)를 1,000 rpm으로 60초 간 스핀 코팅하였으며, 마지막으로 열 증발 증착기(thermal evaporator)를 사용하여 제2전극인 BCP와 은(각 두께 3nm / 80 nm)을 4.64 mm2의 유효면적을 갖도록 속도 0.1 Å/s, 1.0 Å/s로 증착하였다.
비교예 2.
비교예 1을 통하여 제조한 니켈산화물 나노입자를 이용하여 상기 실시예2와 동일한 방법으로 페로브스카이트 태양전지를 제조하였다.
도 5는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 주사전자현미경(SEM) 및 원자간력현미경(AFM) 관찰 이미지를 나타낸 도면이다.
도 5(a)는 니켈산화물 나노입자 박막의 SEM 이미지이며, 도 5(b)는 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 박막의 SEM 이미지로 모두 균일하고 부드러운 표면 형태를 나타내고 있는 것을 확인 할 수 있다. 또한, 도 5(c)는 니켈산화물 나노입자 박막의 상부에 광활성층을 형성한 것이고, 도 5(d)는 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자 박막의 상부에 광활성층을 형성한 것으로, 페로브스카이트 광활성층의 표면 형태에 대한 변화가 관찰 되지 않았다.
도 5(e)는 니켈산화물 나노입자 박막의 AFM 이미지이며, 도 5(f)는 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자 박막의 AFM 이미지로 니켈산화물 나노입자 박막은 8.94nm이며, 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자 박막은 8.06nm로 박막의 루트평균제곱(RMS) 표면 거칠기에서 무시할 수 있는 정도의 차이가 관찰되었다. 이에 상기 결과로부터, 종래의 니켈산화물 나노입자박막과 본 발명에 의해 제조 된 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 박막의 표면 형상에 큰 차이가 없다는 것을 확인 할 수 있었으며, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 사용하여도 니켈산화물 나노입자와 유사한 표면특성을 갖는 것을 확인 할 수 있었다.
도 6은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 X선 회절(XRD) 측정 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6을 참고하면, 종래의 니켈산화물 나노입자는 (111), (200), (220), (311), (222) 평면에 해당하는 37.2°, 43.1°, 62.6°, 75.6°, 79.6°에서 각각 특성 회절 피크를 나타내는 것을 확인 할 수 있으며, 본 발명에 따른 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자 또한, 같은 회절 피크를 나타내는 것을 확인 할 수 있다. 이를 통하여 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 또한 입방결정 구조를 갖는 것을 확인할 수 있다.
도 7은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자에 대한 에너지분산 X선 분광법(EDS) 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 7을 참고하면. 철이 니켈산화물 나노입자 박막에 균일하게 분포되어 있는 것을 확인 할 수 있다.
도 8은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 전자분광법(UPS) 측정 결과를 나타낸 것이다.
도 8을 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 일함수는 5.11eV이고, 니켈산화물 나노입자의 일함수는 5.04eV로 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 일함수가 증가하는 것을 확인 할 수 있다. 이는 페로브스카이트 광활성층과의 에너지 준위 정렬에 보다 용이하고, 결과적으로 향상된 정공수송을 가능하게 함으로써 보다 우수한 광전변화효율을 나타내는 것을 확인 할 수 있다.
도 9는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자에 대한 광발광(Photoluminescence, PL) 측정 결과를 나타낸 도면이다.
도 9를 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 박막에 광활성층을 형성하였을 때 니켈산화물 나노입자 박막에 광활성층을 형성하였을 때와 비교하여, 인터페이스에서 강한 PL 퀀칭(quenching)을 보여주는 것을 확인할 수 있다. 이는 효율적인 전하 추출에 기인하는 것으로, 상기의 UPS 분석에서 나타난 일함수의 증가와 일치한다. 따라서 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지에 있어서 Jsc 및 FF 증가를 예측할 수 있다.
도 10은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 장치의 전류-전압 특성을 나타낸 도면이다.
도 10을 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 사용하였을 경우 니켈산화물 나노입자를 사용하였을 때보다 전류밀도가 더 높은 것을 확인 할 수 있다. 이는 철이 도핑된 니켈산화물 나노입자가 니켈산화물 나노입자에 비해 홀 추출능력이 더 뛰어나다는 것을 나타낸다. 또한, 계산을 통해 본 발명에 의해 제조된 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 전도성은 3.442x10-4S/cm이고, 니켈산화물 나노입자의 전도성은 1.413x10-4S/cm로 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 전도성이 더 높은 것을 확인 할 수 있다.
도 11은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압 곡선을 나타낸 것이다. 또한, 하기 표 1은 도 11의 전류-전압 곡선을 통해 얻은 페로브스카이트 태양전지의 성능 데이터를 나타낸 것이다.
표 1 및 도 11을 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자 기반 페로브스카이트 태양전지 모두 무시할 만한 히스테리시스를 나타내며, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 기반 태양전지에 있어서 Voc가 ~1.05V에서 ~1.08V로, FF는 ~81.82%에서 ~84.40%로 증가함을 확인 할 수 있었다. 또한, Jsc가 ~17.91mA/cm2에서 ~19.20mA/cm2로, PCE는 15.41%에서 17.57%로 향상되어 우수한 광전지 성능을 나타내는 것을 확인 할 수 있다.
devices 니켈산화물나노입자
(비교예)		 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자
(실시예)
Scam
direction		 Forward Reverse Forward Reverse
Voc(V) 1.048 1.045 1.085 1.082
Jsc(mA/cm2) 18.04 17.96 19.16 19.21
FF(%) 81.86 81.79 84.81 84.49
PCE(%) 15.47 15.35 17.54 17.61
평균PCE(%) 15.41 17.57
Rs(Ωㅇcm2) 7.5 5.2
Rsh(kΩㅇcm2) 1.4 4.6
도 12는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지의 외부양자효율(External Quantum Efficiency, EQE) 곡선을 나타낸 도면이다.
도 12를 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자가 니켈산화물 나노입자 보다 광전류 반응이 높고 Jsc가 큰 것을 확인할 수 있다. 또한, 전체적으로 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 기반 태양전지는 니켈산화물 나노입자를 기반으로 한 태양전지보다 더 나은 광전지 성능을 나타낸다. 이러한 전반적인 광전특성 개선은 높은 전도율과 더 큰 작업기능에 기인한다. 또한, 표 1에 개시된 바와 같이 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 낮은 직렬저항(Rs) 및 높은 분로저항(Rsh)과 일치하는 것을 확인할 수 있다. 이에 본 발명에서 제조된 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 정공수송층의 정공추출이 우수하며, 더 작은 계면 재결합 손실을 제공할 수 있는 것을 확인 할 수 있다.
도 13은 일 실시예에 따른 유연 페로브스카이트 태양전지의 구조를 나타낸 도면이며, 도 14는 일 실시예에 따른 유연 페로브스카이트 태양전지의 이미지를 나타낸 것 이다.
또한, 도 15는 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 유연 페로브스카이트 태양전지의 전류-전압 곡선을 나타낸 도면이다. 하기 표 2는 도 15의 전류-전압 곡선을 통해 얻은 페로브스카이트 태양전지의 세부적인 성능 데이터를 나타낸 것이다.
철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 포함하는 상기 유연 페로브스카이트 태양전지의 경우 광전변화효율은 14.42%이고, 니켈산화물 나노입자를 사용한 유연 페로브스카이트 태양전지의 광전변화효율은 13.37%로 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 사용할 경우 광전변화효율이 더 우수한 것을 확인 할 수 있다.
또한, 유연 페로브스카이트 태양전지의 경우 ITO 유리기판 기반의 페로브스카이트 태양전지 보다 셀 효율이 낮은 것을 확인 할 수 있다. 이는 I유연 페로브스카이트 태양전지에 포함되는 ITO-PET기판의 면저항은 약60Ω/sq 이고 페로브스카이트 태양전지에 포함되는 ITO-유리기판의 면저항은 약10Ω/sq로 ITO-PET기판을 기반으로 할 경우 면저항 이 더 높기 때문일 수 있다.
devices 니켈산화물나노입자
(비교예)		 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자
(실시예)
Voc(V) 1.080 ± 0.01 1.095 ± 0.01
Jsc(mA/cm2) 17.85 ± 0.13 18.16 ± 0.12
FF(%) 62.29 ± 1.0 72.44 ± 1.2
PCE(%) 13.37 ± 0.43 14.42 ± 0.49
도 16은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 및 니켈산화물 나노입자를 포함하는 정공수송층을 기반으로 한 유연 페로브스카이트 태양전지의 외부양자효율(External Quantum Efficiency, EQE) 곡선을 나타낸 도면이다.
도 16을 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 기반으로 한 유연 페로브스카이트 태양전지가 니켈산화물 나노입자를 기반으로 한 유연 페로브스카이트 태양전지보다 스펙트럼 반응이 개선되는 것으로 나타났다. 이를 통하여 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 정공수송층으로 사용할 때 ITO-유리기판 또는 ITO-PET기판 어느 곳에 적용하여도 니켈산화물 나노입자를 정공수송층으로 사용하였을 때보다 개선된 광전성능을 제공할 수 있음을 확인 할 수 있다.
도 17은 일 실시예에 따른 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자의 철의 도핑 농도에 따른 페로브스카이트 태양전지의 성능 파라미터를 나타낸 도면이며, 하기 표 3은 이에 대한 세부적인 성능 데이터를 나타낸 것이다.
도 17 및 표 3을 참고하면, 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지가 니켈산화물 나노입자를 기반으로 한 페로브스카이트 태양전지와 대비하여 성능이 향상되는 것을 확인 할 수 있다. 또한, 철 원소의 함량이 1mol%로 포함된 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 사용하였을 경우 가장 우수한 태양전지 성능을 내는 것을 확인 할 수 있다.
Voc(V) Jsc(mA/cm2) FF(%) PCE(%)
NiOx 1.046±0.014 17.84±0.15 81.84±1.53 15.27±0.32
0.5mol%Fe-NiOx 1.070±0.021 18.32±0.121 82.33±1.14 16.13±0.28
1.0mol%Fe-NiOx 1.084±0.012 19.10±0.09 84.40±1.21 17.40±0.16
1.5mol%Fe-NiOx 1.079±0.014 18.71±0.16 82.70±1.34 16.63±0.21
2.0mol%Fe-NiOx 1.066±0.022 17.66±0.21 81.62±1.26 15.36±0.46
본 명세서에서는 본 발명자들이 수행한 다양한 실시예 가운데 몇 개의 예만을 들어 설명하는 것이나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정하거나 제한되지 않고, 당업자에 의해 변형되어 다양하게 실시될 수 있음은 물론이다.
100: 페로브스카이트 태양전지
110: 베이스 기판
120: 제1전극층
130: 정공수송층
140: 광 흡수층
150: 전자수송층
160: 제2전극

Claims (12)

  1. 페로브스카이트 태양전지에 포함되는 무기물 정공수송층 박막의 제조방법에 있어서,
    무기물 나노입자를 제조하는 나노입자 제조단계;
    상기 무기물 나노입자를 용매에 분산하여 분산액을 형성하는 단계; 및
    상기 분산액을 기판의 일면에 도포하여 무기물 나노입자 코팅층을 형성하는 단계; 를 포함하고,
    상기 무기물 나노입자는 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자인,
    무기물 정공수송층 박막의 제조방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자는 니켈 산화물 대비 철 원소가 0.5mol% 내지 2.0mol%로 포함되는 것인,
    무기물 정공수송층 박막의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서,
    분산액을 형성단계는 상기 분산액의 농도가 1mg/1ml 내지 20mg/ml인 것인,
    무기물 정공수송층 박막의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하는 단계는 기판의 표면을 따라 계면이 분리되지 않도록 기판의 전면에 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 코팅하는 것인,
    무기물 정공수송층 박막의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자 코팅층을 형성하는 단계 롤투롤 코팅(Roll to Roll coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 및 스프레이 코팅(spray coating)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 코팅하는 것인,
    무기물 정공수송층 박막의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 코팅하는 단계는 25℃ 내지 35℃에서 코팅하는 것인,
    무기물 정공수송층 박막의 제조방법.
  8. 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항의 무기물 정공수송층 박막의 제조방법으로 제조된 무기물 정공수송층 박막을 포함하는 페로브스카이트 태양전지에 있어서,
    상기 페로브스카이트 태양전지는
    베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 형성되는 제1전극층;
    상기 제1전극층 상에 형성되는 상기 무기물 정공수송층;
    상기 무기물 정공수송층 상에 형성되는 페로브스카이트 광흡수층;
    상기 광흡수층 상에 형성되는 전자수송층 및;
    상기 전자수송층 상에 형성되는 제2전극층;을 포함하고,
    상기 무기물 정공수송층은 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 포함하는 것인,
    페로브스카이트 태양전지.
  9. 제1항, 제3항 내지 제7항 중 어느 한 항의 무기물 정공수송층 박막의 제조방법으로 제조된 무기물 정공수송층 박막을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법에 있어서,
    상기 페로브스카이트 태양전지의 제조방법은,
    베이스 기판상에 제1전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1전극층 상에 상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계;
    상기 무기물 정공수송층 상에 페로브스카이트 광흡수층을 형성하는 단계;
    상기 페로브스카이트 광흡수층 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 및
    상기 전자수송층 상에 제2전극층을 형성하는 단계;를 포함하고,
    상기 무기물 정공수송층은 철이 도핑 된 니켈산화물 나노입자를 포함하는 것인,
    페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계는 상기 제1전극층의 표면을 따라 계면이 분리되지 않도록 상기 제1전극층의 전면에 철이 도핑 된 니켈 산화물 나노입자를 코팅하는 것인,
    페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계는 롤투롤 코팅(Roll to Roll coating), 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating) 및 스프레이 코팅(spray coating)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 방법으로 코팅하는 것인,
    페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 무기물 정공수송층을 형성하는 단계는 25℃ 내지 35℃에서 코팅하는 것인,
    페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
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