CN116264804A

CN116264804A - 显示装置

Info

Publication number: CN116264804A
Application number: CN202211582683.7A
Authority: CN
Inventors: 尹度景; 吴根灿; 朱宣奎; 金旻载; 朴宰彻; 李昶勳; 池宇万
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-14
Filing date: 2022-12-09
Publication date: 2023-06-16
Also published as: US20230189610A1; KR20230090405A

Abstract

提供了一种显示装置。所述显示装置包括：下面板，包括显示元件层和设置在所述显示元件层上的封装层；上面板，包括分隔图案和光控制层，所述分隔图案包括第一开口和第二开口，所述光控制层包括设置在所述第一开口中的光控制部；保护层，设置在所述上面板与所述下面板之间，以在平面图中与所述第一开口和所述第二开口中的至少一者以及所述分隔图案叠置；以及填充层，设置在所述保护层与所述下面板之间。

Description

显示装置

本申请要求于2021年12月14日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0178514号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

这里的公开涉及一种显示装置，并且涉及包括保护层以改善耐久性的显示装置。

背景技术

可以用有机电致发光材料或量子点发光材料来制造显示装置。这种发光材料易受诸如氧和湿气的外部环境影响，因此需要功能层来保护发光材料。

在其中形成功能层或将显示装置的构件设置为彼此接合的制造显示装置的工艺期间，外来物质会被引入到显示装置中，因此，发光材料会通过由于引入的外来物质引起的裂缝而暴露于外部环境。在显示装置的制造中，在将上面板和下面板彼此接合的情况下，填充层会由于接合表面之间的高度差的加深而不均匀地设置。

由于制造工艺期间的限制，显示装置的显示质量和耐久性会劣化。为了防止质量劣化，有必要开发一种技术来防止外来物质被引入，或者即使在引入了外来物质的情况下也防止显示质量劣化。

将理解的是，本背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，本背景技术部分也可以包括不是在这里公开的主题的相应有效提交日期之前相关领域技术人员已知或理解的内容的一部分的想法、构思或认识。

发明内容

公开提供了即使在其中包含外来物质的情况下也保持显示质量和耐久性的显示装置。

公开还提供了一种显示装置，在该显示装置中防止了可能由于被引入以改善墨施用误差的堤阱结构引起的填充层的未涂覆缺陷，以改善显示质量。

显示装置可以包括：下面板，包括显示元件层和设置在显示元件层上的封装层；上面板，包括分隔图案和光控制层，分隔图案包括第一开口和第二开口，光控制层包括设置在第一开口中的光控制部；保护层，设置在上面板与下面板之间，并且在平面图中与第一开口和第二开口中的至少一者以及分隔图案叠置；以及填充层，设置在保护层与下面板之间。

在实施例中，填充层可以直接设置在封装层上，并且保护层可以直接设置在填充层上。

在实施例中，保护层可以填充到分隔图案的第一开口和第二开口中。

在实施例中，保护层可以是覆盖分隔图案和光控制层的单层。

在实施例中，第二开口可以不包括光控制部，保护层可以在平面图中与分隔图案和第二开口叠置并且可以在平面图中不与第一开口叠置，保护层填充分隔图案的第二开口。

在实施例中，第一开口可以填充有填充层。

在实施例中，保护层可以在平面图中与分隔图案和第一开口叠置并且可以在平面图中不与第二开口叠置，保护层可以在分隔图案的第一开口中填充在光控制层与填充层之间。

在实施例中，第二开口可以不包括光控制部，并且第二开口可以填充有填充层。

在实施例中，保护层可以由保护层树脂制成，保护层树脂包括丙烯酸类树脂或环氧类树脂。

在实施例中，光控制层还可以包括设置在光控制部的上部分和下部分中的至少一者上的阻挡层。

在实施例中，阻挡层可以包括第一阻挡层和第二阻挡层，第一阻挡层与保护层相邻，第二阻挡层与保护层间隔开且光控制部设置在第一阻挡层与第二阻挡层之间，并且第一阻挡层可以覆盖分隔图案与光控制部之间的台阶部分。

在实施例中，显示元件层可以包括：像素限定层，包括发射开口；以及发光元件，包括第一电极、第二电极和发光层，第一电极包括通过发射开口暴露的顶表面，第二电极面对第一电极，发光层设置在第一电极与第二电极之间，并且发射开口可以在平面图中与第一开口叠置。

在实施例中，显示元件层可以包括发射蓝光的发光元件，并且光控制层可以包括：第一光控制部，包括将蓝光转换为红光的第一量子点；第二光控制部，包括将蓝光转换为绿光的第二量子点；以及第三光控制部，透射蓝光。

在实施例中，上面板还可以包括设置在光控制层上的滤色器层和设置在滤色器层上的基体基底。

在实施例中，滤色器层可以包括：第一滤光器，透射红光并且设置在第一光控制部上；第二滤光器，透射绿光并且设置在第二光控制部上；以及第三滤光器，透射蓝光。

一种被划分为显示区域和与显示区域相邻的非显示区域的显示装置可以包括：下面板，包括显示元件层，显示元件层包括发射区域；上面板，设置在下面板上，并且包括分隔图案和光控制层，分隔图案可以包括在平面图中与发射区域叠置的第一开口和在平面图中不与发射区域叠置的第二开口，光控制层包括设置在第一开口中的光控制部；保护层，设置在上面板与下面板之间，并且保护层在平面图中与显示区域叠置；以及填充层，设置在保护层与下面板之间，其中，保护层在平面图中与第一开口和第二开口中的至少一者以及分隔图案叠置。

在实施例中，保护层可以是覆盖上面板的面对下面板的表面的弯曲部分的单层。

在实施例中，保护层可以在平面图中与分隔图案和第二开口叠置，并且可以在平面图中不与第一开口叠置，第一开口可以填充有填充层，并且第二开口可以填充有保护层。

在实施例中，保护层可以在平面图中与分隔图案和第一开口叠置，并且可以在平面图中不与第二开口叠置，保护层可以在分隔图案的第一开口中填充在光控制层与填充层之间。

在实施例中，保护层可以包括在平面图中与非显示区域叠置的外保护层。

一种显示装置可以包括：下面板，包括由像素限定层划分的发射区域；上面板，设置在下面板上，并且被划分成由分隔图案划分的像素区域和堤阱区域；保护层，设置在下面板与上面板之间，并且保护层覆盖上面板的面对下面板的表面；以及填充层，设置在下面板与保护层之间，并且填充层可以包括与保护层的材料不同的材料。

在实施例中，像素区域可以在平面图中与发射区域叠置，并且堤阱区域可以在平面图中不与发射区域叠置。

在实施例中，保护层可以覆盖像素区域与堤阱区域之间的台阶部分。

在实施例中，下面板可以包括基体层、设置在基体层上的电路层、设置在电路层上的显示元件层和设置在显示元件层上的封装层，并且上面板可以包括基体基底、设置在基体基底下方的滤色器层和设置在滤色器层下方的光控制层。

在实施例中，填充层可以直接设置在封装层上，并且保护层可以设置在填充层与光控制层之间。

在实施例中，显示装置可以被划分为显示区域和与显示区域相邻的非显示区域，显示装置可以包括设置在与非显示区域对应的下面板与上面板之间的密封部，并且保护层可以在非显示区域中设置在密封部与上面板之间。

在实施例中，保护层可以是在平面图中与显示区域和非显示区域叠置的单层。

附图说明

包括附图以提供对公开的进一步理解，附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了实施例，并且与描述一起用于解释公开的原理。

在附图中：

图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；

图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；

图3是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；

图4是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图5是根据实施例的封装层的示意性剖视图；

图6是示出根据实施例的显示装置的与图3的线III-III'对应的部分的示意性剖视图；

图7是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图8A至图8C是顺序地示出根据实施例的制造显示装置的部分工艺的示意性剖视图；

图9是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图10A是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；

图10B是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图11A是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图；

图11B是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；

图12A是示出用于评估对比示例中的填充层树脂的铺展性的模拟评估方法的视图；

图12B是示出用于评估实施例中的填充层树脂的铺展性的模拟评估方法的视图；

图13A和图13B各自分别是示出在根据实施例的显示装置中改善外来物质缺陷的效果的视图；

图14A是示出根据实施例的显示装置的与图1的线I-I'对应的示意性剖视图；

图14B是根据实施例的显示装置的与图1的线I-I'对应的示意性剖视图；

图15A是根据实施例的显示装置的示意性平面图；

图15B是示出根据实施例的显示装置的与图15A的线VI-VI'对应的示意性剖视图；并且

图15C是示出根据实施例的显示装置的与图15A的线VII-VII'对应的部分的示意性剖视图。

具体实施方式

由于公开可以具有各种修改的实施例，因此在附图中示出并且在公开的详细描述中描述了实施例。然而，公开不局限在所描述的实施例内，并且应当理解的是，公开覆盖在公开的想法和技术范围内的所有修改、等同物和替代物。

在本说明书中，还将理解的是，当一个组件(或区域、层、部分)被称为“在”另一组件“上”、“连接到”或“结合到”另一组件时，该组件可以直接设置在所述另一组件上/直接连接到所述另一组件/直接结合到所述另一组件，或者也可以存在居间的第三组件或者其它组件。

将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件可以直接设置在上述另一元件上、连接到或结合到上述另一元件，或者居间元件可以设置在它们之间。

将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括物理连接或结合或者电连接或结合。

在本说明书中，“直接设置”可以意味着在层、膜、区域、板等的一部分与另一部分之间不存在层、膜、区域、板等。例如，“直接设置”可以意味着在不使用诸如粘合构件的附加构件的情况下设置在两个层或两个构件之间。

同样的附图标记始终表示同样的元件。此外，在附图中，为了清楚示出，夸大了组件的厚度、比例和尺寸。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意味着“A、B或者A和B”。术语“和”和“或”可以以连接意义或分离意义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意味着“A、B或者A和B”。

将理解的是，尽管在这里使用诸如“第一”和“第二”的术语来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。例如，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，在实施例中被称为第一元件的元件可以在另一实施例中被称为第二元件。

除非相反地指出，否则单数形式的术语可以包括复数形式。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。

此外，“在……下面”、“在……下方”、“在……上方”、“上”等用于解释附图中所示的元件的关系关联。术语可以是相对概念，并且可以基于附图中表达的方向来描述，但不限于此。在本说明书中，术语“设置在……上”可以指设置在任何一个构件的下部分以及上部分上的情况。

术语“叠置”或“叠置的”意味着第一对象可以在第二对象的上方或下方或侧面，反之亦然。另外，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在……之上延伸、覆盖或部分地覆盖或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

当元件被描述为与另一元件“不叠置”或“不与”另一元件“叠置”时，这可以包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开设置或者本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。

术语“面对”和“面向”意味着第一元件可以直接或间接地与第二元件相对。在第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为尽管仍然彼此面对但彼此间接相对。

当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”、“具有”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“约(大约)”或“大致”包括所陈述的值，并且意味着在如由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

除非这里另外定义或暗示，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的意义来解释，除非这里明确地如此定义。

在下文中，将参照附图描述根据实施例的显示装置。

图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图。图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图2是示意性示出与图1的线I-I'对应的部分的示意性剖视图。

根据实施例的显示装置DD可以是根据电信号而激活的装置。例如，显示装置DD可以是移动电话、平板PC、汽车导航系统、游戏控制台或可穿戴装置，但实施例不限于此。

在图1和以下附图中，示出了第一方向轴DR1至第四方向轴DR4，并且在本说明书中描述的由第一方向轴至第四方向轴DR1、DR2、DR3和DR4指示的方向可以是相对概念，因此可以改变为不同的方向。此外，由第一方向轴至第四方向轴DR1、DR2、DR3和DR4指示的方向可以被描述为第一方向至第四方向，并且可以使用相同的附图标记。

显示装置DD的厚度方向可以是与第三方向轴DR3平行的方向，第三方向轴DR3是由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向。在本说明书中，可以基于第三方向轴DR3来限定构成显示装置DD的构件中的每个的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。

根据实施例的显示装置DD可以包括显示区域DA和与显示区域DA相邻的非显示区域NDA。显示区域DA与在其处显示图像的部分对应。像素区域PXA可以设置在显示区域DA中。像素区域PXA可以包括发射具有不同波长范围的光的第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B(见图4)。

在实施例中，显示区域DA可以具有矩形形状。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。然而，实施例不限于此。例如，可以相关地设计显示区域DA和非显示区域NDA的形状。此外，在作为显示装置DD的前表面的显示表面上可以不存在非显示区域NDA。将理解的是，这里公开的形状还可以包括与这里公开的形状基本相似的形状。

根据实施例的显示装置DD可以包括下面板DP和上面板OP，下面板DP包括显示元件层DP-ED(见图4)，上面板OP包括光控制层CCL(见图4)。在实施例中，保护层CSL和填充层FML可以设置在下面板DP与上面板OP之间。在实施例中，下面板DP可以被称为显示面板或显示基底，并且上面板OP可以被称为光控制面板或光控制基底。

在实施例中，保护层CSL可以设置为与显示区域DA叠置。在实施例中，填充层FML可以填充在下面板DP与保护层CSL之间。

保护层CSL可以设置为覆盖上面板OP的面对下面板DP的表面OP-BF的至少一部分。例如，保护层CSL可以设置为覆盖上面板OP的整个表面OP-BF。然而，实施例不限于此，保护层CSL可以仅设置在上面板OP的表面OP-BF的选定区域上。

保护层CSL可以用于保持下面板DP与上面板OP之间的间隙。例如，在根据实施例的显示装置DD中，保护层CSL可以用作列间隔件。根据实施例的显示装置DD可以包括设置在下面板DP与上面板OP之间的保护层CSL，并且可以不包括单独的列间隔件的构造。

保护层CSL可以覆盖上面板OP的表面OP-BF的台阶部分。在根据实施例的显示装置DD中，保护层CSL可以使其上设置有填充层FML的表面平坦化。

在实施例中，保护层CSL可以设置在填充层FML与上面板OP之间，以保持下面板DP与上面板OP之间的距离，从而在下面板DP和上面板OP彼此接合的情况下防止构成上面板OP或下面板DP的构件被引入的外来物质损坏。在实施例中，可以设置保护层CSL以减小上面板OP的表面OP-BF的台阶部分，使得填充层FML均匀地设置在下面板DP与上面板OP之间。因此，可以改善显示装置DD的显示质量和耐久性。

保护层CSL可以包括聚合物树脂。例如，保护层CSL可以由包括丙烯酸类树脂或环氧类树脂的保护层树脂制成。然而，实施例不限于此，保护层CSL可以包括在使从像素区域PXA等发射的光的变形最小化的范围内的各种材料。例如，保护层CSL可以由与形成分隔图案BMP(见图4)的材料相同的材料或类似的材料制成。

在根据实施例的显示装置DD中，填充层FML可以填充到下面板DP与上面板OP之间的空间中。在实施例中，填充层FML可以设置在下面板DP与保护层CSL之间。填充层FML可以设置在保护层CSL下面或下方，或者直接设置在保护层CSL下面或下方。

填充层FML可以用作下面板DP与上面板OP之间的缓冲件。在实施例中，填充层FML可以执行减震功能等，并且可以使显示装置DD在强度上增加。填充层FML可以由包括聚合物树脂的填充树脂制成。例如，填充层FML可以由包括丙烯酸树脂或环氧树脂的填充层树脂制成。

填充层FML与保护层CSL不同。填充层FML和保护层CSL可以分别在单独的工艺中形成。填充层FML和保护层CSL可以由不同的材料制成。

根据实施例的显示装置DD可以包括设置在下面板DP与上面板OP之间的密封部SLM。密封部SLM可以使下面板DP结合到或连接到上面板OP。密封部SLM可以设置在非显示区域NDA中，以使下面板DP结合到或连接到上面板OP。密封部SLM可以设置在作为显示装置DD的外部部分的非显示区域NDA中，以防止外来物质、氧和湿气从外部被引入到显示装置DD中。密封部SLM可以由包括可固化树脂的密封剂制成。密封剂可以包括环氧树脂或丙烯酸树脂。密封剂可以是可热固化材料或可光固化材料。密封剂可以设置在下面板DP或上面板OP的表面上。此后，下面板DP和上面板OP接合以彼此面对，密封剂可以通过热或紫外光固化以形成密封部SLM。

图3是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。图4是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图4是沿着图3的线II-II'截取的示意性剖视图。图3是示出根据实施例的显示装置DD的其中保护层CSL完全设置在上面板OP的底表面上的部分的示意性平面图。

参照图3和图4，根据实施例的显示装置DD可以包括像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。例如，根据实施例的显示装置DD可以包括彼此区分的第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B。在实施例中，第一像素区域PXA-R可以是发射红光的红色发光区域，第二像素区域PXA-G可以是发射绿光的绿色发光区域，并且第三像素区域PXA-B可以是发射蓝光的蓝色发光区域。

在实施例中，像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以重复地设置在整个显示区域DA中(见图1)。第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以彼此区分，以在于平面图中观看的情况下彼此不叠置。外围区域NPXA设置在第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B周围。外围区域NPXA设定第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的边界。外围区域NPXA可以围绕第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。防止第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的颜色混合的结构(例如，像素限定层PDL或分隔图案BMP等)可以设置在外围区域NPXA中。

图3示出了包括具有相同平面形状和不同平面面积的第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的显示装置DD，但实施例不限于此。第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的全部可以具有相同的表面面积，或者至少一个像素区域可以具有与其它像素区域的表面面积不同的表面面积。可以根据发光颜色来设定第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的表面面积。

参照图3，第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以在平面上具有矩形形状。然而，实施例不限于此，第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以在平面上具有诸如菱形形状或五边形形状的不同的多边形形状(基本上多边形形状)。第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个可以具有在平面上带有圆角的矩形形状(基本上矩形形状)。

在图3中，第二像素区域PXA-G设置在第一行中，并且第一像素区域PXA-R和第三像素区域PXA-B设置在第二行中。然而，实施例不限于此，第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置可以不同地改变。例如，第一像素区域至第三像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以设置在同一行上。

像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以以条形状排列或布置或设置，可以具有

布置，或者具有Diamond/>

布置。然而，实施例不限于此，像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置顺序和布置形状可以根据显示装置DD中所需的显示质量的特性而设置为各种地组合。

根据实施例的显示装置DD可以包括堤阱区域(bank well area)BWA。堤阱区域BWA可以设置在像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间。在于平面图中观看的情况下，堤阱区域BWA可以不与像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置。堤阱区域BWA和像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以由分隔图案BMP划分。

堤阱区域BWA可以是与限定在分隔图案BMP之间的第二开口BW-OH2(见图6)对应的部分，以防止由于在形成光控制部CCP1、CCP2和CCP3的工艺中使用的墨的施用误差引起的缺陷发生。在用于形成光控制部CCP1、CCP2和CCP3而提供的墨之中，墨中的不正确地施用的一些部分可以设置在堤阱区域BWA中，以改善由于墨施用误差引起的接合缺陷。例如，尽管在本说明书中未示出，但是用于形成光控制部CCP1、CCP2和CCP3的墨组合物的一部分可以设置在堤阱区域BWA的至少一部分中。

堤阱区域BWA可以被限定为与像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B相邻。堤阱区域BWA的平面形状、数量和布置不限于图3中所示的平面形状、数量和布置，并且可以各种地改变。

参照图4，在实施例中，下面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP-CL以及设置在电路层DP-CL上的显示元件层DP-ED。此外，下面板DP可以包括设置在显示元件层DP-ED上的封装层TFE。显示元件层DP-ED可以包括像素限定层PDL和发光元件EMD。封装层TFE可以覆盖显示元件层DP-ED的上部分。封装层TFE可以填充在显示元件层DP-ED与填充层FML之间。

在根据实施例的显示装置DD中，下面板DP可以是发射显示面板。在实施例中，下面板DP可以是有机电致发光显示面板。在下面板DP是有机电致发光显示面板的情况下，显示元件层DP-ED可以包括有机电致发光元件作为发光元件EMD。然而，实施例不限于此。例如，显示元件层DP-ED可以包括量子点发光二极管作为发光元件EMD。显示元件层DP-ED可以包括微LED元件和/或纳米LED元件作为发光元件EMD。

在下面板DP中，基体层BS可以是提供其上设置有电路层DP-CL的基体表面的构件。在公开的精神和范围内，基体层BS可以包括玻璃基底、金属基底、聚合物基底等。然而，实施例不限于此。例如，基体层BS可以是无机层、功能层或复合层。

基体层BS可以具有多层结构。例如，基体层BS可以具有由聚合物树脂层、粘合层和聚合物树脂层构成的三层结构。例如，聚合物树脂层可以包括聚酰亚胺类树脂。此外，聚合物树脂层可以包括丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。在本说明书中，“……类”树脂意味着包括“……”的官能团。

电路层DP-CL可以设置在基体层BS上。电路层DP-CL可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。可以以诸如涂覆或沉积的方式将绝缘层、半导体层和导电层设置在基体层BS上，并且可以通过光刻工艺选择性地图案化绝缘层、半导体层和导电层。此后，可以设置包括在电路层DP-CL中的半导体图案、导电图案和信号线。在实施例中，电路层DP-CL可以包括晶体管、缓冲层和绝缘层。

参照图4，根据实施例的发光元件EMD可以包括第一电极EL1、面对第一电极EL1的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的发光层EML。包括在发光元件EMD中的发光层EML可以包括有机发光材料或量子点作为发光材料。发光元件EMD还可以包括空穴控制层HTR和电子控制层ETR。尽管未示出，但是发光元件EMD还可以包括设置在第二电极EL2上的覆盖层(未示出)。

像素限定层PDL可以设置在电路层DP-CL上，并且可以覆盖第一电极EL1的一部分。发射开口OH限定在像素限定层PDL中。像素限定层PDL的发射开口OH使第一电极EL1的至少一部分暴露。在本实施例中，发射区域EA1、EA2和EA3被限定为与第一电极EL1的被发射开口OH暴露的部分区域对应。

下面板DP可以包括第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3。第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以是由像素限定层PDL划分的区域。第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3可以分别对应于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B。在本说明书中，“对应”意味着在沿显示面板DP的厚度方向DR3观看的情况下两个组件彼此叠置，但不限于相同的面积。

发射区域EA1、EA2和EA3可以与像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B叠置，并且可以不与堤阱区域BWA叠置。在平面图中，由分隔图案BMP划分的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个的表面面积可以大于由像素限定层PDL划分的发射区域EA1、EA2和EA3中的每个的表面面积。

在发光元件EMD中，第一电极EL1设置在电路层DP-CL上。第一电极EL1可以是阳极或阴极。此外，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。

空穴控制层HTR可以设置在第一电极EL1与发光层EML之间。空穴控制层HTR可以包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一者。空穴控制层HTR可以设置为公共层，以与发射区域EA1、EA2和EA3以及使发射区域EA1、EA2和EA3彼此分离的像素限定层PDL完全叠置。然而，实施例不限于此，空穴控制层HTR可以被图案化，以单独地设置为与发射区域EA1、EA2和EA3中的每个对应。

发光层EML设置在空穴控制层HTR上。在实施例中，发光层EML可以设置为公共层，以与发射区域EA1、EA2和EA3以及使发射区域EA1、EA2和EA3彼此分离的像素限定层PDL完全叠置。在实施例中，发光层EML可以发射蓝光。发光层EML可以与作为一个整体的空穴控制层HTR和电子控制层ETR叠置。

然而，实施例不限于此，在实施例中，发光层EML可以设置在发射开口OH中。例如，发光层EML可以被分离，以与由像素限定层PDL划分的发射区域EA1、EA2和EA3对应。被分离以与发射区域EA1、EA2和EA3对应的所有发光层EML可以发射蓝光或者可以发射具有不同波长区域的光。

发光层EML可以具有由单种材料制成的单层结构、由彼此不同的材料制成的单层结构或包括由彼此不同的材料制成的层的多层结构。发光层EML可以包括荧光材料或磷光材料。在根据实施例的发光元件中，发光层EML可以包括有机发光材料、金属有机配合物或量子点作为发光材料。

电子控制层ETR可以设置在发光层EML与第二电极EL2之间。电子控制层ETR可以包括电子注入层、电子传输层和空穴阻挡层中的至少一者。参照图4，电子控制层ETR可以设置为公共层，以与发射区域EA1、EA2和EA3以及使发射区域EA1、EA2和EA3彼此分离的像素限定层PDL完全叠置。然而，实施例不限于此，电子控制层ETR可以被图案化，以单独地设置为与发射区域EA1、EA2和EA3中的每个对应。

第二电极EL2可以设置在电子控制层ETR上。第二电极EL2可以是共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但本实施例不限于此。例如，在第一电极EL1是阳极的情况下，第二电极EL2可以是阴极，并且在第一电极EL1是阴极的情况下，第二电极EL2可以是阳极。第二电极EL2可以是透射电极、半透射半反射电极或反射电极。

封装层TFE可以设置在发光元件EMD上。例如，在实施例中，封装层TFE可以设置在第二电极EL2上。此外，在发光元件EMD可以包括覆盖层(未示出)的情况下，封装层TFE可以设置在覆盖层(未示出)上。封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层，并且无机层和有机层可以交替地设置。

图5是根据实施例的封装层的示意性剖视图。参照图5，封装层TFE可以包括两个无机层IL1和IL2以及设置在无机层IL1和IL2之间的有机层OL。第一无机层IL1、有机层OL和第二无机层IL2可以保护显示元件层DP-ED免受湿气或氧的影响，并且防止诸如灰尘颗粒的外来物质被引入。

在封装层TFE中，第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个可以包括氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少一种。例如，在实施例中，第一无机层IL1和第二无机层IL2中的每个可以包括氧化钛或氧化铝，但实施例不限于此。

在封装层TFE中，有机层OL可以设置在第一无机层IL1与第二无机层IL2之间，并且可以包括有机聚合物材料。例如，在公开的精神和范围内，有机层OL可以由丙烯酸酯类树脂等制成。有机层OL的厚度可以比相邻的无机层IL1和IL2中的每个的厚度相对厚。

图5示出了包括一个有机层OL和两个无机层IL1和IL2的封装层TFE的结构，两个无机层IL1和IL2在有机层OL置于它们之间的情况下设置，但实施例不限于此。例如，封装层TFE可以包括有机层和无机层，并且无机层和有机层可以交替地设置。

再次参照图4，根据实施例的显示装置DD可以包括设置在下面板DP上并且包括分隔图案BMP和光控制层CCL的上面板OP。在实施例中，上面板OP还可以包括基体基底BL和滤色器层CFL。

光控制层CCL可以包括光转换材料。光转换材料可以是量子点或磷光体。光转换材料可以对接收的光的波长进行转换，以发射具有转换后的波长的光。例如，光控制层CCL可以是包括量子点的层或包括磷光体的层。

光控制层CCL可以包括光控制部CCP1、CCP2和CCP3。光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以彼此间隔开。光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以设置为通过分隔图案BMP彼此间隔开。光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以设置在限定在分隔图案BMP中的第一开口BW-OH1中。然而，实施例不限于此。图4示出了分隔图案BMP不与光控制部CCP1、CCP2和CCP3叠置，但是光控制部CCP1、CCP2、CCP3的边缘可以与分隔图案BMP的至少一部分叠置。

光控制部CCP1、CCP2和CCP3中的每个可以是对从显示元件层DP-ED提供的光的波长进行转换或者使从显示元件层DP-ED提供的光透射的部分。光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以通过喷墨工艺形成。可以在第一开口BW-OH1中提供液态墨组合物，并且可以通过热固化工艺或光固化工艺使所提供的墨组合物聚合以形成光控制部CCP1、CCP2和CCP3。

光控制层CCL可以包括第一光控制部CCP1和第二光控制部CCP2以及第三光控制部CCP3，第一光控制部CCP1包括将从发光元件EMD提供的第一颜色光转换为第二颜色光的第一量子点，第二光控制部CCP2包括将第一颜色光转换为第三颜色光的第二量子点，第三光控制部CCP3透射第一颜色光。

在实施例中，第一光控制部CCP1可以提供红光作为第二颜色光，并且第二光控制部CCP2可以提供绿光作为第三颜色光。第三光控制部CCP3可以透射并提供作为从发光元件EMD提供的第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点可以是红色量子点，并且第二量子点可以是绿色量子点。

包括在光控制层CCL中的量子点可以具有核-壳结构，并且量子点中的每个的核可以包括II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、IV族化合物、IV族元素及其组合。

II-VI族化合物可以选自二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物，所述二元元素化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合组成的组，所述三元元素化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合组成的组，所述四元元素化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其组合组成的组。

III-VI族化合物可以包括诸如In₂S₃和In₂Se₃的二元化合物、诸如InGaS₃和InGaSe₃的三元化合物或其任何组合。

I-III-VI族化合物可以选自三元化合物或诸如AgInGaS₂和CuInGaS₂的四元化合物，所述三元化合物选自由AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、AgGaS₂、CuGaS₂、CuGaO₂、AgGaO₂、AgAlO₂及其混合物组成的组。

III-V族化合物可以选自二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物，所述二元元素化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合组成的组，所述三元元素化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合组成的组，所述四元元素化合物选自由GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其组合组成的组。III-V族化合物还可以包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。

IV-VI族化合物可以选自二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物，所述二元元素化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合组成的组，所述三元元素化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合组成的组，所述四元元素化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其组合组成的组。IV族化合物可以是选自由SiC、SiGe及其组合组成的组的二元元素化合物。

这里，二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者以如下状态存在于颗粒中，在该状态中，浓度分布被划分为部分地不同的状态。举例来说，量子点可以具有其中一个量子点围绕其它量子点的核-壳结构。核-壳结构可以具有其中存在于壳中的元素具有朝向核逐渐减小的浓度的浓度梯度。

在实施例中，量子点可以具有核-壳结构，核-壳结构可以包括包含纳米晶体的核以及围绕核的壳。量子点的壳可以用作防止核被化学地改变以保持半导体特性的保护层并且/或者可以用作用于对量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。例如，量子点的壳可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。

例如，金属或非金属的氧化物可以包括SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO等的二元元素化合物或者MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CoMn₂O₄等三元元素化合物，但实施例不限于此。

举例来说，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但实施例不限于此。

量子点可以具有约45nm或更小、约40nm或更小以及约30nm或更小的发射波长光谱的半高全宽(FWHM)。在该范围内，可以改善颜色纯度和颜色再现性。此外，通过量子点发射的光可以在所有方向上发射以改善光学视角。

此外，量子点具有可以在本领域中通常使用的形状，并且在形状上不被具体限制。然而，在公开的精神和范围内，量子点可以具有球形状、金字塔形状、多臂形状、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状、纳米板颗粒形状等。

量子点可以根据其尺寸来调节发射的光的颜色。因此，量子点可以发射具有各种颜色(诸如蓝色、红色和绿色)的光。随着量子点中的每个的颗粒尺寸减小，可以发射具有短波长区域的光。例如，在具有相同的核的量子点之中的发射绿光的量子点中的每个的颗粒尺寸可以小于发射红光的量子点中的每个的颗粒尺寸。在具有相同的核的量子点之中的发射蓝光的量子点中的每个的颗粒尺寸可以小于发射绿光的量子点中的每个的颗粒尺寸。然而，实施例不限于此，即使在具有相同的核的量子点中，也可以根据用于形成壳的材料和壳的厚度来调节颗粒尺寸。

在量子点具有各种发光颜色(诸如蓝色、红色和绿色)的情况下，具有不同发光颜色的量子点可以具有不同的核材料。

光控制层CCL还可以包括散射体。第一光控制部CCP1可以包括第一量子点和散射体，第二光控制部CCP2可以包括第二量子点和散射体，并且第三光控制部CCP3可以不包括量子点而可以包括散射体。

散射体可以是无机颗粒。例如，散射体可以包括TiO₂、ZnO、Al₂O₃、SiO₂和中空二氧化硅中的至少一种。散射体可以包括TiO₂、ZnO、Al₂O₃、SiO₂和中空二氧化硅中的一种，或者可以是选自TiO₂、ZnO、Al₂O₃、SiO₂和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。

第一光控制部CCP1、第二光控制部CCP2和第三光控制部CCP3中的每个可以包括使量子点和散射体分散的基体树脂。在一个实施例中，第一光控制部CCP1可以包括分散在基体树脂中的第一量子点和散射体，第二光控制部CCP2可以包括分散在基体树脂中的第二量子点和散射体，并且第三光控制部CCP3可以包括分散在基体树脂中的散射体。

基体树脂可以是量子点和/或散射体分散在其中的介质。通常，基体树脂可以包括被称为粘合剂的各种树脂组合物。例如，基体树脂可以包括丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂和硅类树脂以及环氧类树脂。基体树脂可以是透明树脂。

光控制层CCL还可以包括设置在光控制部的上部分和下部分中的至少一个上的阻挡层CAP和CAP-T。阻挡层CAP和CAP-T可以防止湿气和/或氧(在下文中，被称为“湿气或氧”)渗透。阻挡层CAP和CAP-T可以设置在光控制部CCP1、CCP2和CCP3的上方和下方，以防止光控制部CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气或氧。

阻挡层CAP和CAP-T可以包括第一阻挡层CAP和第二阻挡层CAP-T，第一阻挡层CAP与保护层CSL相邻，第二阻挡层CAP-T与保护层CSL间隔开且光控制部CCP1、CCP2和CCP3置于第二阻挡层CAP-T与第一阻挡层CAP之间。第一阻挡层CAP可以覆盖光控制部CCP1、CCP2和CCP3中的每个的与下面板DP相邻的表面，并且第二阻挡层CAP-T可以覆盖光控制部CCP1、CCP2和CCP3中的每个的与滤色器层CFL相邻的另一表面。此外，阻挡层CAP和CAP-T可以覆盖分隔图案BMP以及光控制部CCP1、CCP2和CCP3。

第一阻挡层CAP可以设置为遵循(或可以覆盖)分隔图案BMP与光控制部CCP1、CCP2和CCP3中的每个之间的台阶部分。第二阻挡层CAP-T可以覆盖分隔图案BMP以及光控制部CCP1、CCP2和CCP3中的每个的与滤色器层CFL相邻的表面。第二阻挡层CAP-T可以设置在低折射率层LR下面或下方，或者直接设置在低折射率层LR下面或下方。

阻挡层CAP和CAP-T中的每个可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层CAP和CAP-T中的每个可以包括无机材料。例如，阻挡层CAP和CAP-T中的每个可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铯、氮氧化硅和具有确保的透光率的金属薄膜中的至少一种。例如，设置在光控制部CCP1、CCP2和CCP3下面或下方的第一阻挡层CAP可以包括氮氧化硅，并且设置在光控制部CCP1、CCP2和CCP3上的第二阻挡层CAP-T可以包括氧化硅。然而，实施例不限于此。阻挡层CAP和CAP-T中的每个还可以包括有机层。阻挡层CAP和CAP-T中的每个可以形成为单层或多层。

在根据实施例的显示装置DD中，上面板OP可以包括设置在光控制层CCL上的滤色器层CFL。滤色器层CFL可以包括滤光器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一滤光器CF1、透射第三颜色光的第二滤光器CF2和透射第一颜色光的第三滤光器CF3。例如，第一滤光器CF1可以是红色滤光器，第二滤光器CF2可以是绿色滤光器，并且第三滤光器CF3可以是蓝色滤光器。滤光器CF1、CF2和CF3中的每个可以包括聚合物光敏树脂和颜料或染料。第一滤光器CF1可以包括红色颜料或染料，第二滤光器CF2可以包括绿色颜料或染料，并且第三滤光器CF3可以包括蓝色颜料或染料。然而，实施例不限于此。例如，第三滤光器CF3可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以包括聚合光敏树脂，并且可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以是透明的。第三滤光器CF3可以由透明光敏树脂制成。

此外，在实施例中，第一滤光器CF1和第二滤光器CF2中的每个可以是黄色滤光器。第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以彼此不分离，而是可以彼此成一体。第一滤光器至第三滤光器CF1、CF2和CF3可以设置为分别对应于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B。第一滤光器至第三滤光器CF1、CF2和CF3可以设置为分别对应于第一光控制部至第三光控制部CCP1、CCP2和CCP3。

透射不同颜色光的滤光器CF1、CF2和CF3可以彼此叠置以对应于设置在像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的外围区域NPXA。滤光器CF1、CF2和CF3可以在第三方向轴DR3的厚度方向上彼此叠置，以限定相邻的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间的边界。与所示的构造不同，滤色器层CFL可以包括限定相邻的滤光器CF1、CF2和CF3之间的边界的光阻挡部分(未示出)。光阻挡部分(未示出)可以设置为蓝色滤光器，或者包括包含黑色颜料或染料的有机光阻挡材料或无机光阻挡材料。滤色器层CFL可以包括低折射率层LR。低折射率层LR可以设置在光控制层CCL与滤光器CF1、CF2和CF3中的每个之间。低折射率层LR可以设置在光控制层CCL上，以防止光控制部CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气或氧。低折射率层LR可以设置在光控制部CCP1、CCP2、CCP3中的每个与滤光器CF1、CF2、CF3之间以改善光提取效率，或者可以防止反射光入射到光控制层CCL中以用作光学功能层。低折射率层LR可以是具有比相邻的层的折射率低的折射率的层。

低折射率层LR可以包括至少一个无机层。例如，低折射率层LR可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铯、氮氧化硅和具有确保的透光率的金属薄膜中的至少一种。然而，实施例不限于此，低折射率层LR可以包括有机层。例如，低折射率层LR可以包括聚合物树脂和无机颗粒。低折射率层LR可以设置为单层或多层。

在根据实施例的显示装置DD中，滤色器层CFL的滤光器CF1、CF2和CF3可以设置在光控制层CCL上或直接设置在光控制层CCL上。可以省略低折射率层LR。

在实施例中，上面板OP还可以包括设置在滤色器层CFL上的基体基底BL。基体基底BL可以是提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面的构件。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底或塑料基底。然而，实施例不限于此。例如，基体基底BL可以是无机层、有机层或复合层。此外，与所示的构造不同，在实施例中，可以省略基体基底BL。

分隔图案BMP可以包括具有小于或等于一定值的透射率的材料。分隔图案BMP可以包括黑色着色剂以阻挡光。分隔图案BMP可以包括与基体树脂混合的黑色染料或黑色颜料。在一个实施例中，黑色组分可以包括炭黑或者可以包括诸如铬的金属或其氧化物。

第一开口BW-OH1和第二开口BW-OH2(见图6)可以限定在分隔图案BMP中。第一开口BW-OH1可以对应于像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每个，并且第二开口BW-OH2可以对应于堤阱区域BWA。第一开口BW-OH1可以与发射开口OH叠置。在平面图中，第一开口BW-OH1可以具有比发射开口OH的面积大的面积。

图6是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图，并且图7是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。图6是与图3的线III-III'对应的部分的示意性剖视图。

参照图6和图7，光控制部CCP1、CCP2和CCP3可以不设置在分隔图案BMP的第二开口BW-OH2中。保护层CSL可以填充在分隔图案BMP的第二开口BW-OH2中。在其他实施例中，填充层FML也可以填充在分隔图案BMP的第二开口BW-OH2中。参照图3和图6，分隔图案BMP中的第二开口BW-OH2可以被限定为具有各种形状或不同尺寸。例如，由第二开口BW-OH2限定的堤阱区域BWA可以设置在像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之间。

参照图6和图7，在根据实施例的显示装置DD中，保护层CSL可以与分隔图案BMP、第一开口BW-OH1和第二开口BW-OH2叠置。例如，在实施例中，保护层CSL可以覆盖分隔图案BMP和光控制层CCL，并且可以设置为填充到其中设置有光控制部CCP2的第一开口BW-OH1和其中未设置光控制部CCP2的第二开口BW-OH2中。

在根据实施例的显示装置DD中，保护层CSL可以设置为覆盖分隔图案BMP和光控制层CCL的单层。例如，在实施例中，保护层CSL可以在填充在填充层FML与光控制层CCL之间的同时设置为层。

另一方面，尽管未在附图中示出，但是在通过喷墨工艺提供液态墨组合物的情况下，墨组合物的未位于第一开口BW-OH1中的部分可以设置在与堤阱区域BWA对应的第二开口BW-OH2的一部分中。因此，在根据实施例的显示装置DD中，可以通过包括堤阱区域BWA来改善由于不正确的墨施用误差引起的缺陷。在墨组合物的已经不正确地施用的部分设置在第二开口BW-OH2中的情况下，保护层CSL或填充层FML可以填充在第二开口BW-OH2的剩余部分中。

参照图6和图7，在实施例中，保护层CSL可以设置为填充到第二开口BW-OH2中，从而使上面板OP的表面上的台阶部分最小化。保护层CSL可以设置为覆盖光控制部CCP2和分隔图案BMP，并且可以填充到第二开口BW-OH2中。例如，在实施例中，保护层CSL可以设置为在其中未设置光控制部的第二开口BW-OH2中具有厚度t_BWA，从而使其处设置有分隔图案BMP的部分的厚度t_BK与堤阱区域BWA的厚度之间的差t_GP最小化。例如，在其中未设置光控制部的第二开口BW-OH2中，其处设置有保护层CSL的部分的厚度t_BWA与保护层CSL在其处设置在分隔图案BMP上的部分的厚度t_BK之间的差t_GP可以为约2μm或更小。例如，当保护层CSL设置为填充到第二开口BW-OH2中并且覆盖光控制层CCL和分隔图案BMP时，可以补偿上面板OP的表面上的台阶部分。

在实施例中，由于保护层CSL设置为填充到第二开口BW-OH2中并且覆盖整个的光控制部CCP2和分隔图案BMP，因此可以减小像素区域PXA-G与堤阱区域BWA之间的高度差。因此，在于保护层CSL上设置填充层FML的情况下，填充层FML可以均匀地设置在整个的像素区域PXA-G和堤阱区域BWA中。在填充层FML均匀地设置在整个的像素区域PXA-G和堤阱区域BWA上的情况下，可以使由于在下面板DP和上面板OP彼此接合的情况下引入的外来物质引起的凹痕或由于凹痕引起的裂缝最小化，以改善根据实施例的显示装置DD的可靠性。填充层FML还可以均匀地设置在外围区域NPXA中。

设置在分隔图案BMP上的保护层CSL的厚度可以为约1μm或更大。例如，设置在分隔图案BMP上的保护层CSL的厚度可以为约1μm或更大并且为约3μm或更小，因此，设置在分隔图案BMP上的保护层CSL可以用作列间隔件。

图8A至图8C是示出根据实施例的用于制造显示装置中的保护层的方法的每个工艺的示意图。

图8A示出了通过在上面板OP上提供保护层树脂来形成作为涂覆层的初步保护层P-CSL的工艺。可以在其中设置有第二阻挡层CAP-T、光控制部CCP、分隔图案BMP和第一阻挡层CAP的上面板OP上设置液态保护层树脂，以形成初步保护层P-CSL。初步保护层P-CSL可以在填充到限定在分隔图案BMP中的开口中的同时被设置。

图8B示出了使初步保护层P-CSL固化的工艺的示例。在公开的精神和范围内，可以使用照射工艺等来使初步保护层P-CSL固化。可以使用掩模MK，并且可以通过透射通过掩模MK的光(例如，UV光)使初步保护层P-CSL固化。UV光可以通过掩模MK仅提供到选定区域中，因此，可以仅使选定区域中的初步保护层P-CSL固化以形成保护层CSL。

图8C示出了通过在图8B中所示的使初步保护层P-CSL固化之后执行显影工艺和热处理工艺来形成保护层CSL的工艺。通过执行显影工艺和热处理工艺形成的保护层CSL可以在使上面板OP的台阶部分最小化的同时形成为层。参照图8C，保护层CSL可以填充到限定在分隔图案BMP中的开口中，并且可以沿着光控制部CCP和分隔图案BMP的形状设置。

图9是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。参照图9，保护层CSL可以具有在与分隔图案BMP叠置的部分处在远离分隔图案BMP的方向上突出的突起图案CPT。在公开的精神和范围内，保护层CSL可以被制造为具有与突起图案CPT的形状相同的形状，并且可以在根据图8B等中所示的实施例的用于制造显示装置的方法中使用半色调掩模等来制造突起图案CPT。

根据参照图1至图9描述的实施例的显示装置DD可以包括设置在下面板DP与上面板OP之间的填充层FML和保护层CSL。根据实施例的显示装置DD可以包括设置为覆盖上面板OP的面对下面板DP的表面的台阶部分的保护层CSL，以保持下面板DP与上面板OP之间的间隔距离，从而防止下面板DP或上面板OP被引入下面板DP与上面板OP之间的外来物质损坏。

在下文中，将参照图10A至图15C描述根据实施例的显示装置。在图10A至图15C的描述中，将不再描述与图1至图9中描述的内容重复的内容，并且将描述不同之处。

图10A是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。图10B是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。图10B是沿着图10A的线IV-IV'截取的示意性剖视图。

参照图10A和图10B，根据实施例的显示装置DD-a可以包括像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及堤阱区域BWA。根据实施例的显示装置DD-a可以包括与分隔图案BMP和第二开口BW-OH2叠置的保护层CSL-a。在根据实施例的显示装置DD-a中，保护层CSL-a可以设置为对应于堤阱区域BWA和外围区域NPXA。

在实施例中，保护层CSL-a可以与分隔图案BMP和第二开口BW-OH2叠置，并且可以不与第一开口BW-OH1叠置。保护层CSL-a可以填充到第二开口BW-OH2中。

根据实施例的显示装置DD-a可以包括设置在封装层TFE与保护层CSL-a之间的填充层FML。在实施例中，填充层FML可以设置为在其处未设置保护层CSL-a的部分处填充在封装层TFE与光控制层CCL之间。例如，光控制部CCP2可以设置在第一开口BW-OH1中，并且第一开口BW-OH1的在光控制部CCP2与封装层TFE之间的剩余部分可以填充有填充层FML。

在根据实施例的可以包括填充到第二开口BW-OH2中并且设置为与分隔图案BMP叠置的保护层CSL-a的显示装置DD-a中，第二开口BW-OH2的台阶部分可以被保护层CSL-a覆盖。因此，在根据实施例的显示装置DD-a中，除了像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之外，填充层FML可以以一定厚度或更大的厚度设置到堤阱区域BWA。由于保护层CSL-a设置为与分隔图案BMP和第二开口BW-OH2叠置，因此根据实施例的显示装置DD-a可以通过在上面板OP与下面板DP之间均匀地设置填充层FML而具有优异的显示质量和耐久性特性。

在图10A和图10B中，作为示例示出了其中保护层CSL-a设置为与堤阱区域BWA以及外围区域NPXA的在堤阱区域BWA周围的部分叠置的情况。然而，实施例不限于此，保护层CSL-a可以设置在除了像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B之外的整个区域中。

图11A是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性平面图。图11B是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。图11B是沿着图11A的线V-V'截取的示意性剖视图。

参照图11A和图11B，根据实施例的显示装置DD-b可以包括像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及堤阱区域BWA。根据实施例的显示装置DD-b可以包括与分隔图案BMP和第一开口BW-OH1叠置的保护层CSL-b。

在实施例中，保护层CSL-b可以与分隔图案BMP和第一开口BW-OH1叠置，并且可以不与第二开口BW-OH2叠置。保护层CSL-b可以在第一开口BW-OH1中填充在光控制层CCL与填充层FML之间。例如，光控制部CCP2可以设置在第一开口BW-OH1中，并且第一开口BW-OH1的在光控制部CCP2与封装层TFE之间的剩余部分可以填充有保护层CSL-b。

在根据实施例的显示装置DD-b中，填充层FML可以填充到第二开口BW-OH2中，并且可以设置在封装层TFE上。填充层FML可以设置为填充到第二开口BW-OH2中，并且可以设置为覆盖与光控制部CCP2和分隔图案BMP叠置的保护层CSL-b。

在根据实施例的显示装置DD-b中，保护层CSL-b可以设置为与光控制部CCP2叠置，使得更安全地保护光控制部CCP1、CCP2和CCP3(见图3)免受由于外来物质引起的凹痕或裂缝的影响。在根据实施例的显示装置DD-b中，保护层CSL-b可以设置在分隔图案BMP上，以更容易地保持下面板DP与上面板OP之间的间隔距离，从而减少由于在下面板DP和上面板OP彼此接合的情况下引入的外来物质引起的凹痕缺陷。在根据实施例的显示装置DD-b中，填充层FML可以在其中与堤阱区域BWA对应的第二开口BW-OH2未填充有保护层CSL-b的状态下被填充。因此，通过将上面板OP接合到下面板DP而引入的外来物质可以不设置在其中设置有光控制部CCP1、CCP2和CCP3的区域中，而是设置在第二开口BW-OH2中以提供外来物质限制效果。

在图11A和图11B中，示出了其中保护层CSL-b设置为与除了堤阱区域BWA之外的整个剩余区域叠置的情况。然而，实施例不限于此，保护层CSL-b可以设置为仅与像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的部分以及像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B周围的分隔图案BMP叠置。

例如，根据实施例的显示装置可以包括设置为与分隔图案、像素区域和堤阱区域中的至少一者叠置的保护层，以展现改善的耐久性特性。在实施例中，在保护层与像素区域叠置的情况下，可以改善由于外来物质的凹痕引起的缺陷，以限制在接合工艺中引入的外来物质，从而实现优异的耐久性特性。在根据实施例的保护层设置为与堤阱区域叠置的情况下，可以改善填充层的铺展性以展现优异的显示质量和耐久性特性。在实施例中，在保护层设置为与分隔图案、像素区域和堤阱区域中的全部叠置的情况下，根据实施例的显示装置可以改善由于外来物质的凹痕引起的缺陷，并且改善填充层的铺展性，从而实现优异的显示质量和耐久性特性。

图12A和图12B是示出用于评估填充层树脂的铺展性的模拟评估方法的视图。图12A是示出用于对比示例中的填充层树脂的铺展性的模拟评估方法的示例的视图，并且图12B是示出用于实施例中的填充层树脂的铺展性的模拟评估方法的示例的视图。

在将填充层树脂设置在测试样品上之后以角度θ倾斜测试样品的情况下，通过填充层树脂的流动的程度来评估填充层树脂的铺展性。在根据图12A的对比示例的测试中，使用测试样品，在该测试样品中，对应于分隔图案的突起BMP'设置在作为基体基底的玻璃基底BG上并且形成覆盖玻璃基底BG和突起BMP'的阻挡层CPL。突起BMP'的厚度t_CS形成为约5μm。测试样品相对于参考线IML的倾斜角度θ为约30°。在根据对比示例的测试样品的铺展性的评估中，填充层树脂P-FMC没有发生流动。

相比之下，根据图12B中所示的实施例的测试样品与根据对比示例的测试样品的不同之处在于，根据实施例的测试样品不包括突起BMP'。图12B的测试样品与以下样品对应，该样品用于模拟其中设置保护层使得其上设置有填充层树脂的表面变成平坦表面的情况。根据实施例的测试样品相对于参考线IML倾斜的角度θ为约30°。在根据实施例的测试样品的铺展性的评估中，发生填充层树脂P-FMC沿着阻挡层CPL的顶表面约2cm的流动。

参照图12A和图12B的模拟评估方法的结果，在其上设置有填充层树脂的表面的平坦度改善的情况下，可以改善填充层树脂的铺展性，因此，可以在整个显示装置上均匀地设置填充层以展现优异的耐久性特性。

图13A和图13B是示出在根据实施例的显示装置中改善外来物质缺陷的效果的视图。

图13A示出了在制造上面板OP之后并且在设置保护层CSL之前引入外来物质PTS-O的情况的示例。参照图13A，可以限定堤阱区域BWA，在其中包括保护层CSL的实施例中，即使在引入外来物质PTS-O的情况下，外来物质PTS-O也可以被限制在堤阱区域BWA中，并且可以被保护层CSL充分地覆盖以防止由于外来物质PTS-O引起的缺陷发生。

图13B示出了在封装层TFE与上面板OP之间设置外来物质PTS-I的情况的示例。参照图13B，可以保持上面板OP与封装层TFE之间的间隔距离，即使在引入外来物质PTS-I的情况下，上面板OP和封装层TFE也被保护层CSL和填充层FML充分地覆盖，以防止由于在接合期间引入的外来物质PTS-I引起的凹痕缺陷发生。

图14A和图14B是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图14A和图14B是与图1的线I-I'对应的示意性剖视图。

参照图14A和图14B，根据实施例的显示装置DD-c和DD-d还可以包括与非显示区域NDA叠置的外保护层CSL-ND和CSL-NP。

参照图14A，根据实施例的显示装置DD-c可以包括设置在下面板DP与上面板OP之间的保护层CSL-c以及填充在下面板DP与上面板OP之间的填充层FML。在实施例中，保护层CSL-c可以包括与显示区域DA叠置的主保护层CSL-DA以及与非显示区域NDA叠置的外保护层CSL-ND。在实施例中，外保护层CSL-ND可以从主保护层CSL-DA延伸，并且可以与主保护层CSL-DA成一体。外保护层CSL-ND可以减小上面板OP的在非显示区域NDA中的台阶部分，以补偿显示装置DD-c中的下面板DP与上面板OP之间的外部部分的台阶部分。

参照图14B，根据实施例的显示装置DD-d可以包括设置在下面板DP与上面板OP之间的保护层CSL-d以及填充在下面板DP与上面板OP之间的填充层FML。在实施例中，保护层CSL-d可以包括与显示区域DA叠置的主保护层CSL-DA以及与非显示区域NDA叠置的外保护层CSL-NP。与图14A中所示的实施例不同，在图14B中所示的实施例中，外保护层CSL-NP可以设置为与主保护层CSL-DA间隔开。在实施例中，外保护层CSL-NP可以减小上面板OP的在非显示区域NDA中的台阶部分，以补偿显示装置DD-d中的下面板DP与上面板OP之间的外部部分的台阶部分。在实施例中，外保护层CSL-NP的厚度可以大于主保护层CSL-DA的厚度。然而，实施例不限于此，外保护层CSL-NP可以设置为具有与主保护层CSL-DA的厚度相同的厚度。

图15A是根据实施例的显示装置的示意性平面图，并且图15B是示出根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图15C是示出根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。图15B是与图15A的线VI-VI'对应的示意性剖视图，并且图15C是与图15A的线VII-VII'对应的示意性剖视图。图15C是示出根据实施例的显示装置的非显示区域的一部分的示意性剖视图。

根据图15A至图15C中所示的实施例的显示装置DD-e可以包括与显示区域DA和非显示区域NDA两者叠置的保护层CSL。保护层CSL可以设置在上面板OP的整个底表面上。例如，在实施例中，保护层CSL可以设置为与显示区域DA和非显示区域NDA两者叠置的单层，并且可以在非显示区域NDA中设置在密封部SLM上。在根据实施例的显示装置DD-e中，填充层FML可以设置在由保护层CSL、密封部SLM和下面板DP的组件围绕的部分处。

设置为与显示区域DA和非显示区域NDA两者对应的保护层CSL可以覆盖上面板OP的表面，以补偿上面板OP与下面板DP之间的台阶部分。因此，可以改善由于外来物质的引入而引起的耐久性的劣化。根据实施例的显示装置DD-e可以包括通过延伸直到密封部SLM而设置为层的保护层CSL，因此，即使在没有单独的列间隔件的构造的情况下，也可以保持上面板OP与下面板DP之间的间隔。

参照图15C，上面板OP在与非显示区域NDA(见图15B)对应的部分处可以包括基体基底BL、顺序地设置在基体基底BL下面或下方的滤光器CF3、CF1和CF2、低折射率层LR、第二阻挡层CAP-T、分隔图案BMP和第一阻挡层CAP。在图15C中所示的实施例中，公开了其中第三滤光器CF3、第一滤光器CF1和第二滤光器CF2顺序地层叠在基体基底BL下面或下方的结构。然而，实施例不限于此，滤光器的层叠顺序可以改变。

下面板DP在与非显示区域NDA(见图15B)对应的部分处可以包括顺序地层叠的基体层BS、下电路层DP-CLa、坝部DM1至DM5、第一电极EL1和封装层TFE。在图15C中，下电路层DP-CLa可以指电路层DP-CL(见图4)的除了坝部DM1至DM5之外的剩余部分。例如，下电路层DP-CLa可以包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。

尽管图15C示出了其中设置有五个坝部(例如，第一坝部DM1至第五坝部DM5)的实施例，但实施例不限于此，坝部的数量可以改变。例如，坝部的数量可以为约2个或更多并且约4个或更少，或者约6个或更多。

坝部DM1至DM5可以在第一方向轴DR1的方向上彼此间隔开。坝部DM1至DM5中的至少一个可以具有层叠结构。在图15C中所示的实施例中，第一坝部DM1、第三坝部DM3、第四坝部DM4和第五坝部DM5可以分别包括下突起DM1-B、DM3-B、DM4-B和DM5-B以及上突起DM1-T、DM3-T、DM4-T和DM5-T。

在实施例中，下突起DM1-B、DM3-B、DM4-B和DM5-B可以与包括在下电路层DP-CLa中的绝缘层的一部分通过同一工艺形成。例如，下突起DM1-B、DM3-B、DM4-B和DM5-B中的每个可以包括有机材料。此外，在实施例中，上突起DM1-T、DM3-T、DM4-T和DM5-T中的每个可以是与像素限定层PDL通过同一工艺形成的层。

第二坝部DM2可以是与下突起DM1-B、DM3-B、DM4-B和DM5-B通过同一工艺形成的层。然而，实施例不限于此。

一些或若干坝部DM1至DM5与封装层TFE的第一无机层IL1、有机层OL和第二无机层IL2的全部叠置，并且一些或若干坝部可以仅与第一无机层IL1和第二无机层IL2叠置。根据实施例的显示装置可以包括包含显示元件层的下面板、包含分隔图案和设置于限定在分隔图案中的开口中的光控制部的上面板、设置在上面板与下面板之间的保护层以及设置在保护层与下面板之间的填充层，即使没有单独的列间隔件的构造，也保持上面板与下面板之间的间隔距离，并且即使在引入外来物质的情况下，也使上面板和下面板被保护层和填充层充分地覆盖，从而改善耐久性。

根据实施例的显示装置可以包括位于包括显示元件的下面板与包括光控制层的上面板之间的与填充层区分开的保护层，以改善可靠性和显示质量。

对于本领域技术人员将明显的是，可以在公开中进行各种修改和变化。因此，公开旨在覆盖在公开和所附权利要求及其等同物的精神和范围内的修改和变化。

因此，公开的技术范围不应限于在说明书的详细描述中描述的内容，而也应当由权利要求确定。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

下面板，包括显示元件层和设置在所述显示元件层上的封装层；

上面板，包括分隔图案和光控制层，所述分隔图案包括第一开口和第二开口，所述光控制层包括设置在所述第一开口中的光控制部；

保护层，设置在所述上面板与所述下面板之间，并且所述保护层在平面图中与所述第一开口和所述第二开口中的至少一者以及所述分隔图案叠置；以及

填充层，设置在所述保护层与所述下面板之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述填充层直接设置在所述封装层上，并且

所述保护层直接设置在所述填充层上。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护层填充到所述分隔图案的所述第一开口和所述第二开口中。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护层是覆盖所述分隔图案和所述光控制层的单层。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二开口不包括所述光控制部，

所述保护层在所述平面图中与所述分隔图案和所述第二开口叠置，并且所述保护层在所述平面图中不与所述第一开口叠置，并且

所述保护层填充所述分隔图案的所述第二开口。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一开口填充有所述填充层。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述保护层在所述平面图中与所述分隔图案和所述第一开口叠置，并且在所述平面图中不与所述第二开口叠置，并且

所述保护层在所述分隔图案的所述第一开口中填充在所述光控制层与所述填充层之间。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

所述第二开口不包括所述光控制部，并且

所述第二开口填充有所述填充层。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述保护层由保护层树脂制成，所述保护层树脂包括丙烯酸类树脂或环氧类树脂。

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光控制层还包括：

阻挡层，设置在所述光控制部的上部分和下部分中的至少一者上。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，

所述阻挡层包括第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层与所述保护层相邻，所述第二阻挡层与所述保护层间隔开且所述光控制部设置在所述第一阻挡层与所述第二阻挡层之间，并且

所述第一阻挡层覆盖所述分隔图案与所述光控制部之间的台阶部分。

12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述显示元件层包括：像素限定层，包括发射开口；以及发光元件，包括第一电极、第二电极和发光层，所述第一电极包括通过所述发射开口暴露的顶表面，所述第二电极面对所述第一电极，所述发光层设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且

所述发射开口在所述平面图中与所述第一开口叠置。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述显示元件层包括发射蓝光的发光元件，并且

所述光控制层包括：第一光控制部，包括将所述蓝光转换为红光的第一量子点；第二光控制部，包括将所述蓝光转换为绿光的第二量子点；以及第三光控制部，透射所述蓝光。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述上面板还包括设置在所述光控制层上的滤色器层和设置在所述滤色器层上的基体基底。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述滤色器层包括：

第一滤光器，透射所述红光并且设置在所述第一光控制部上；

第二滤光器，透射所述绿光并且设置在所述第二光控制部上；以及

第三滤光器，透射所述蓝光。