CN116423995A - 喷墨打印装置和使用该装置制造显示装置的方法 - Google Patents

喷墨打印装置和使用该装置制造显示装置的方法 Download PDF

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Abstract

公开喷墨打印装置和使用该装置制造显示装置的方法。一种喷墨打印装置包括腔室以及多个喷墨喷嘴，所述腔室具有将所述腔室在第一方向上的长度划分为两半的假想的中心线，所述多个喷墨喷嘴联接到所述腔室并且从所述腔室接收墨，所述喷墨喷嘴沿所述第一方向布置为多列。所述喷墨喷嘴包括中心列喷嘴以及外列喷嘴，所述中心列喷嘴邻近所述腔室的所述中心线设置，所述外列喷嘴比所述中心列喷嘴远离所述中心线设置。所述腔室包括比所述外列喷嘴远离所述中心线设置的凸起部分，所述凸起部分包括在所述腔室的内表面上的凸起。

Description

喷墨打印装置和使用该装置制造显示装置的方法
该美国非临时专利申请要求于2022年1月11日提交的第10-2022-0003806号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种喷墨打印装置和使用该装置制造显示装置的方法。更具体地，本公开涉及一种能够减少缺陷的喷墨打印装置以及使用该喷墨打印装置制造显示装置的方法。
背景技术
作为显示面板，选择性地透射由光源产生的源光的透射型显示面板和自身产生源光的反射型显示面板被广泛使用。显示面板根据像素包括不同类型的光控制图案以显示彩色图像。光控制图案透射具有特定波长范围的源光或者转换源光的颜色。一些光控制图案改变光的特性，而不改变源光的颜色。
喷墨打印工艺(该工艺是用于形成光控制图案的工艺之一)是一种通过喷墨头的喷墨喷嘴将容纳在喷墨头中的液体墨喷射到基板上以形成期望图案的打印方法。
在通过喷墨喷嘴喷射液体墨的工艺中，对于每个喷嘴而言，当包含在液体墨中的纳米级颗粒被不均匀地喷射时，由浓度差引起的污点从外部是可见的。
发明内容
本公开提供一种喷墨打印装置，该喷墨打印装置能够以均匀的浓度将墨排出至多个喷嘴，以防止或减少缺陷。
本公开提供一种使用喷墨打印装置制造显示装置的方法。
在一个方面中，本发明构思提供一种喷墨打印装置，包括：腔室，具有将所述腔室在第一方向上的长度划分为两半的假想的中心线；以及多个喷墨喷嘴，联接到所述腔室并且从所述腔室接收墨，所述喷墨喷嘴沿所述第一方向布置为多列。所述喷墨喷嘴包括：中心列喷嘴，邻近所述腔室的所述中心线设置；和外列喷嘴，比所述中心列喷嘴远离所述中心线设置。所述腔室包括比所述外列喷嘴远离所述中心线设置的凸起部分，所述凸起部分包括在所述腔室的内表面上的凸起。
所述凸起部分可包括在所述腔室的外表面上的凹陷部分。
所述凸起部分可在截面中具有具有预定曲率的圆弧形状。
所述中心列喷嘴可包括邻近所述中心线设置并且在所述第一方向上彼此间隔开的第一中心列喷嘴和第二中心列喷嘴，所述外列喷嘴包括邻近所述第一中心列喷嘴设置的第一外列喷嘴和邻近所述第二中心列喷嘴设置的第二外列喷嘴，并且所述凸起部分包括邻近所述第一外列喷嘴设置的第一凸起部分和邻近所述第二外列喷嘴设置的第二凸起部分。
所述中心列喷嘴和所述外列喷嘴中的每个可包括在与所述第一方向交叉的第二方向上布置的多个单元喷嘴。
所述凸起部分可在所述第二方向上延伸。
所述多个单元喷嘴可包括在所述第二方向上设置在最外侧位置的外排单元喷嘴，并且所述腔室进一步包括邻近所述外排单元喷嘴设置的附加凸起部分。
在所述腔室内可具有减振构件，其中所述减振构件设置为当在平面中观察时与所述喷墨喷嘴中的每个重叠。
所述喷墨喷嘴可用于排出包含纳米颗粒的墨。
所述纳米颗粒可包括量子点，所述量子点将入射光转换成具有与入射光的波长不同的波长的光。
所述纳米颗粒可包括散射入射光的散射体。
所述墨包括供应至所述中心列喷嘴的第一墨和供应至所述外列喷嘴的第二墨，并且所述第一墨的纳米颗粒的体积数量密度基本上等于所述第二墨的纳米颗粒的体积数量密度。
所述墨通过在所述腔室中形成的压力排出至所述喷墨喷嘴。
在另一方面中，本发明构思提供一种喷墨打印装置，包括：腔室，具有将所述腔室在第一方向上的长度划分为两半的假想的中心线；以及多个喷墨喷嘴，联接到所述腔室并且从所述腔室接收墨，所述喷墨喷嘴沿所述第一方向布置为多列。所述喷墨喷嘴包括：中心列喷嘴，邻近所述腔室的所述中心线设置；和外列喷嘴，比所述中心列喷嘴远离所述中心线设置，其中所述腔室包括在所述腔室的内表面上的凸起，所述凸起在截面中具有圆弧形状。
在又一方面中，本发明构思提供一种制造显示装置的方法。该方法包括制备显示面板，以及在所述显示面板上形成光控制层。所述光控制层的形成包括使用喷墨打印装置将包含多个纳米颗粒的墨供应至多个隔离壁之间以形成光控制图案。所述喷墨打印装置包括腔室，具有将所述腔室在第一方向上的长度划分为两半的假想的中心线；以及多个喷墨喷嘴，联接到所述腔室并且从所述腔室接收墨，所述喷墨喷嘴沿所述第一方向布置为多列。所述喷墨喷嘴包括：中心列喷嘴，邻近所述腔室的所述中心线设置；和外列喷嘴，比所述中心列喷嘴远离所述中心线设置。所述腔室包括比所述外列喷嘴远离所述中心线的凸起部分，所述凸起部分包括在所述腔室的内表面上的凸起。
所述入射光可为具有第一波长的光，并且所述光控制图案包括将具有所述第一波长的光转换成具有第二波长的光的第一光控制图案和将具有所述第一波长的光转换成具有第三波长的光的第二光控制图案。
根据上述内容，在喷墨打印装置中，进入喷嘴的墨中的纳米颗粒的数量和纳米颗粒的浓度可在喷嘴中的每个处被控制为均匀的，并且因此，通过喷嘴喷射的墨具有均匀的浓度。相应地，喷墨打印装置防止在制造光控制图案时由于不均匀的浓度在光控制图案中出现缺陷，诸如污点。
附图说明
当结合附图考虑时，通过参考以下详细描述，本公开的上述和其他优点将变得显而易见，图中：
图1A是根据本公开的一实施例的显示装置的透视图；
图1B是根据本公开的一实施例的显示装置的截面图；
图1C是根据本公开的一实施例的显示装置的平面图；
图2A是根据本公开的一实施例的显示装置的一部分的放大平面图；
图2B是根据本公开的一实施例的显示装置的一部分的截面图；
图2C是根据本公开的一实施例的显示装置的一部分的截面图；
图3是根据本公开的一实施例的制造显示装置的方法的截面图；
图4A是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置的透视图；
图4B是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置的截面图；
图5是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置的放大截面图；
图6是由根据本公开的一实施例的喷墨打印装置提供的墨的截面图；
图7A至图7C是根据本公开的实施例的喷墨打印装置的一部分的仰视图；
图8A是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置的操作的截面图；并且
图8B是根据比较实施例的喷墨打印装置的操作的截面图。
具体实施方式
在本公开中，将理解，当一元件(或区域、层或部分)被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、连接或联接到另一元件或层，或者可以存在居间元件或层。
相同的附图标记自始至终指代相同的元件。在图中，为了有效描述技术内容，部件的厚度、比例和尺寸被放大。如在本文中所使用的，术语“和/或”可包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。
将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分。因此，在不背离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。如在本文中所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指明。
为了易于描述，本文中可使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相关术语来描述图中所示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。
将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”指定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
在下文中，将参考附图描述根据本公开的实施例的显示装置、制造显示装置的方法以及在显示装置的制造方法中使用的喷墨打印装置。
图1A是根据本公开的一实施例的显示装置DD的透视图。图1B是根据本公开的一实施例的显示装置DD的截面图。图1C是根据本公开的一实施例的显示装置DD的平面图。
参考图1A，显示装置DD可通过显示表面DD-IS显示图像。显示表面DD-IS可基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面。显示表面DD-IS可包括显示区域DA和非显示区域NDA。像素PX可设置在显示区域DA中，并且可不设置在非显示区域NDA中。非显示区域NDA可被沿着显示表面DD-IS的边缘限定。非显示区域NDA可围绕显示区域DA；然而，这不是对本发明构思的限制。例如，在一些实施例中，非显示区域NDA可被省略或者可设置在显示区域DA的仅一侧。
第三方向DR3可指示垂直于显示表面DD-IS的方向，即，显示装置DD的厚度方向。在下文中描述的每个层或每个单元的前(或上)和后(或下)表面可通过第三方向DR3彼此区分。然而，在本实施例中描述的第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3只是示例。
根据一实施例，显示装置DD可包括为平面类型的显示表面DD-IS，然而，显示表面DD-IS不应局限于平面类型。显示装置DD可包括曲面显示表面或三维显示表面。三维显示表面可包括彼此面向不同方向的多个显示区域。
参考图1B，显示装置DD可包括基底基板BS、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-LED和光学结构层OSL。同时，在下面的描述中，基底基板BS、电路元件层DP-CL和显示元件层DP-LED可共同称为显示面板DP。
基底基板BS可包括合成树脂基板或玻璃基板。电路元件层DP-CL可包括至少一个绝缘层和电路元件。电路元件可包括信号线和像素驱动电路。电路元件层DP-CL可通过形成绝缘层、半导体层和导电层的工艺(诸如涂覆和沉积工艺)以及图案化绝缘层、半导体层和导电层的工艺(诸如光蚀刻工艺)来形成。显示元件层DP-LED可包括至少一个显示元件。
光学结构层OSL可转换从显示元件提供的光的颜色。光学结构层OSL可包括光控制图案和用以提高光转换效率的结构。同时，光学结构层OSL可称为光学基板或上面板。
图1C示出包括在显示装置DD中的信号线GL1至GLn和DL1至DLm与像素PX11至PXnm之间在平面上的布置关系。信号线GL1至GLn和DL1至DLm可包括多个栅线GL1至GLn和多个数据线DL1至DLm。
像素PX11至PXnm中的每个可连接到栅线GL1至GLn中的对应的栅线和数据线DL1至DLm中的对应的数据线。像素PX11至PXnm中的每个可包括像素驱动电路和显示元件。根据像素驱动电路的配置，可在显示面板DP中提供更多类型的信号线。
像素PX11至PXnm可以矩阵布局布置；然而，像素PX11至PXnm的布置不应局限于矩阵布局。根据一实施例，像素PX11至PXnm可以蜂窝状布局布置。例如，像素PX11至PXnm所设置的位置可对应于菱形形状的顶点。栅极驱动电路GDC可通过氧化硅栅极驱动电路(OSG)工艺或非晶硅栅极驱动电路(ASG)工艺集成在显示面板DP中。
图2A是根据本公开的一实施例的显示装置的一部分的放大平面图。图2A是示出作为代表性示例的显示装置DD(参考图1A)的三个像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B以及与三个像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B相邻的堤井区域BWA的平面图。根据一实施例，图2A中示出的三个像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可在显示区域DA(参考图1A)的整个区域中重复布置。
周边区域NPXA可围绕第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B限定。周边区域NPXA可限定第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B的边界。周边区域NPXA可围绕第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B。用于防止第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B之间的颜色的混合的结构，例如像素限定层PDL(参考图2B)或堤挡BMP(参考图2B)，可设置在周边区域NPXA中。
图2A示出第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B，当在平面中观察时，这些像素区域具有彼此相同的形状，但是具有彼此不同的尺寸；然而，这不是对本发明构思的限制。在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中，至少两个像素区域可具有彼此相同的尺寸。第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中的每个的尺寸可根据从其发射的光的颜色来确定。在原色中，发射红光的像素区域可具有最大的尺寸，并且发射蓝光的像素区域可具有最小的尺寸。
在图2A中，当在平面中观察时，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B可具有矩形形状；然而，这不是对本发明构思的限制。当在平面中观察时，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B可具有其他多边形形状，诸如菱形形状、五边形形状等。根据一实施例，当在平面中观察时，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B可具有带有圆角的大致矩形形状。
图2A示出第二像素区域PXA-G布置在第一排中并且第一像素区域PXA-R和第三像素区域PXA-B布置在第二排中的结构；然而，这是代表性示例，并不是对本公开的限制。根据一实施例，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B的布置可以各种方式改变。例如，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B可布置在同一排中。
第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中的一个可提供对应于源光的第三光，第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中的另一个可提供不同于第三光的第一光，并且第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中的其他一个可提供不同于第一光和第三光的第二光。在本实施例中，第三像素区域PXA-B可提供对应于源光的第三光。在本实施例中，第一像素区域PXA-R可提供红光，第二像素区域PXA-G可提供绿光，并且第三像素区域PXA-B可提供蓝光。
显示区域DA(参考图1A)可包括在其中限定的堤井区域BWA。堤井区域BWA可以是形成堤井以防止在图案化包括在光控制层CCL(参考图2C)中的多个光控制图案CCP-R、CCP-G和CCP-B(参考图2C)的工艺中由误喷射造成的缺陷的区域。即，堤井区域BWA可以是通过去除堤挡BMP(参考图2C)的一部分限定的区域。
图2A示出邻近第二像素区域PXA-G限定的两个矩形堤井区域BWA；应理解，这是一个代表性示例，并且堤井区域BWA的形状和布置不应局限于所描绘的。
图2B是根据本公开的一实施例的显示装置DD的一部分的截面图。图2C是根据本公开的一实施例的显示装置DD的一部分的截面图。图2B示出沿图2A中的线I-I’截取的截面。图2C示出沿图2A中的线II-II’截取的截面。
参考图2B，显示装置DD可包括基底基板BS、设置在基底基板BS上的电路元件层DP-CL和设置在电路元件层DP-CL上的显示元件层DP-LED。在本公开中，基底基板BS、电路元件层DP-CL和显示元件层DP-LED可共同称为显示面板DP。
基底基板BS可以是提供基底表面的构件，包括在电路元件层DP-CL中的部件设置在该基底表面上。基底基板BS可以是玻璃基板、金属基板或聚合物基板。然而，实施例不应局限于此或受此局限，并且基底基板BS可以是无机层、功能层或复合材料层。
基底基板BS可具有多层结构。例如，基底基板BS可具有聚合物树脂层、粘合层和聚合物树脂层的三层结构。聚合物树脂层可包含聚酰亚胺类树脂。另外，聚合物树脂层可包含丙烯酸酯类树脂、甲基丙烯酸酯类树脂、聚异戊二烯类树脂、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰胺类树脂和苝类树脂中的至少一种。在本公开中，本文中所使用的术语“X类树脂”是指包含X的官能团的树脂。
电路元件层DP-CL可设置在基底基板BS上。电路元件层DP-CL可包括作为其电路元件的晶体管T-D。电路元件层DP-CL的配置可根据像素PX(参考图1A)的驱动电路的设计改变，并且图2B示出作为代表性示例的晶体管T-D。形成晶体管T-D的有源部A-D、源极S-D、漏极D-D和栅极G-D之间的布置关系在图2B中示出。有源部A-D、源极S-D和漏极D-D可根据半导体图案的掺杂浓度或导电性彼此区分。
电路元件层DP-CL可包括设置在基底基板BS上的下缓冲层BRL、第一绝缘层10、第二绝缘层20和第三绝缘层30。例如，下缓冲层BRL、第一绝缘层10和第二绝缘层20中的每个可以是无机层，并且第三绝缘层30可以是有机层。
显示元件层DP-LED可包括作为其显示元件的发光元件LED。发光元件LED可生成源光。发光元件LED可包括第一电极EL1、第二电极EL2和设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的发光层EML。在本实施例中，显示元件层DP-LED可包括作为其发光元件的有机发光二极管。根据一实施例，发光元件LED可包括量子点发光二极管。即，包括在发光元件LED中的发光层EML可包含作为其发光材料的有机发光材料，或者发光层EML可包含作为其发光材料的量子点。根据一实施例，显示元件层DP-LED可包括作为其发光元件的稍后描述的微型发光元件。微型发光元件可包括例如微型LED元件和/或纳米LED元件。微型发光元件可以是具有微米级或纳米级尺寸并且包括设置在多个半导体层之间的有源层的发光元件。
第一电极EL1可设置在第三绝缘层30上。第一电极EL1可直接或间接连接到晶体管T-D，并且第一电极EL1与晶体管T-D之间的连接结构未在图2B中示出。
显示元件层DP-LED可包括像素限定层PDL。例如，像素限定层PDL可以是有机层。像素限定层PDL可提供有穿过其限定的发光开口OH。第一电极EL1的至少一部分可通过像素限定层PDL的发光开口OH暴露。在本实施例中，第一发光区域EA1可由发光开口OH限定。
空穴控制层HTR、发光层EML、电子控制层ETR可至少与像素区域PXA-R重叠。空穴控制层HTR、发光层EML、电子控制层ETR和第二电极EL2可通常设置在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B(参考图2C)中。与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B重叠的空穴控制层HTR、发光层EML、电子控制层ETR和第二电极EL2中的每个可具有一体的形状，然而，其不应局限于此或受此局限。根据一实施例，空穴控制层HTR、发光层EML和电子控制层ETR中的至少一个可在被划分为多个部分之后设置在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中的每个中。根据一实施例，发光层EML可在被在发光开口OH中图案化之后形成在第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B中的每个中。
空穴控制层HTR可包括空穴传输层，并且可进一步包括空穴注入层。
发光层EML可生成作为源光的第三光。发光层EML可生成蓝光。蓝光可具有从约410纳米至约480纳米的波长。蓝光的发光光谱可在从约440纳米至约460纳米的波长范围内具有最大峰值。
电子控制层ETR可包括电子传输层，并且可进一步包括电子注入层。
显示元件层DP-LED可包括保护第二电极EL2的薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可包含有机材料或无机材料。薄膜封装层TFE可具有无机层和有机层重复堆叠的多层结构。在本实施例中，薄膜封装层TFE可具有第一封装无机层IOL1/封装有机层OL/第二封装无机层IOL2的结构。第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2可保护发光元件LED免受外部湿气的影响，并且封装有机层OL可防止发光元件LED由于制造工艺过程中引入的外来物质而被划伤。尽管图中未示出，显示面板DP可进一步包括设置在薄膜封装层TFE上方的折射率控制层，以提高发光效率。
如图2B中所示，光学结构层OSL可设置在薄膜封装层TFE上。光学结构层OSL可包括光控制层CCL、滤色器层CFL和基底层BL。在本公开中，光学结构层OSL可称为上面板或光学基板。
光控制层CCL可设置在包括发光元件LED的显示元件层DP-LED上。光控制层CCL可包括堤挡BMP、光控制图案CCP-R和隔离层CAP。
堤挡BMP可包含基底树脂和添加剂。基底树脂可包含一般称为粘结剂的各种树脂组合物。添加剂可包括偶联剂和/或光引发剂。添加剂可进一步包括分散剂。
堤挡BMP可包含黑色着色剂以阻挡光。堤挡BMP可包含与基底树脂混合的黑色染料或黑色颜料。根据一实施例，黑色着色剂可包含炭黑或金属材料，诸如铬或其氧化物。
堤挡BMP可提供有穿过其限定并且对应于发光开口OH的堤挡开口BW-OH。当在平面中观察时，堤挡开口BW-OH可与发光开口OH重叠，并且可具有比发光开口OH的尺寸大的尺寸。即，堤挡开口BW-OH可具有大于由发光开口OH限定的第一发光区域EA1的尺寸的尺寸。同时，在本公开中，表述“一区域/部分对应于另一区域/部分”意指“一区域/部分与另一区域/部分重叠”，并且这些“区域和部分”不应被限制为具有彼此相同的尺寸。
光控制图案CCP-R可设置在堤挡开口BW-OH内。光控制图案CCP-R可转换源光的光学特性。
光控制图案CCP-R可包含量子点，以转换源光的光学特性。光控制图案CCP-R可包含量子点，以将源光转换成具有另一波长的光。包含在与第一像素区域PXA-R重叠的光控制图案CCP-R中的量子点可将作为源光的蓝光转换成红光。
每个量子点可具有核-壳结构，并且量子点的核可选自第II-VI族化合物、第III-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物及其组合。
第II-VI族化合物可选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，该二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组，该三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组，该四元化合物选自由CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组。
第III-VI族化合物可包括二元化合物In2S3或In2Se3、三元化合物InGaS3或InGaSe3或其任意组合。
第I-III-VI族化合物可包括三元化合物或四元化合物AgInGaS2、CuInGaS2等，该三元化合物选自由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2及其混合物组成的组。
第III-V族化合物可选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，该二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组，该三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物组成的组，该四元化合物选自由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组。第III-V族化合物可进一步包括第II族金属。例如，可选择InZnP作为第III-II-V族化合物。
第IV-VI族化合物可选自二元化合物、三元化合物和四元化合物，该二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组，该三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组，该四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物组成的组。第IV族元素可选自由Si、Ge及其混合物组成的组。第IV族化合物可为二元化合物，该二元化合物选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可在被划分为具有不同浓度的多个部分后存在于相同的颗粒中。另外，量子点可具有一个量子点围绕另一个量子点的核/壳结构。在该核/壳结构中，壳中存在的元素的浓度可具有随着距核的距离减小而降低的浓度梯度。
量子点可具有核-壳结构，该核-壳结构包括具有上面提到的纳米晶体的核和围绕核的壳。量子点的壳可用作保护层以防止核的化学改性并且保持半导体特性，和/或可用作充电层以赋予量子点电泳特性。壳可具有单层或多层结构。量子点的壳可包含作为其代表性示例的金属氧化物或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
金属氧化物或非金属氧化物可包括二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4、NiO，或三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、CoMn2O4，然而，它们不应局限限于此或受此局限。
另外，半导体化合物可包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb，然而，它们不应局限于此或受此局限。
量子点可具有约45纳米或更小，优选约40纳米或更小，并且更优选约30纳米或更小的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在该范围内可提高颜色纯度和颜色再现性。另外，由于通过量子点发射的光可在所有方向上发射，所以可改善光学视角。
另外，量子点的形状可具有本领域通常使用的形状，然而，其不应受到特别限制。更详细地，球形、锥体、多臂或立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片等可应用于量子点。
量子点可根据其颗粒尺寸控制发射的光的颜色，并且相应地，量子点可具有各种发射颜色，诸如蓝色、绿色和红色。根据一实施例，包含在与第一像素区域PXA-R重叠的光控制图案CCP-R中的量子点可具有红色发射颜色。随着量子点的颗粒尺寸减小，从量子点发射的光的波长变得更短。例如，在具有相同核的量子点中，发射绿光的量子点的颗粒尺寸可小于发射红光的量子点的颗粒尺寸。另外，在具有相同核的量子点中，发射蓝光的量子点的颗粒尺寸可小于发射绿光的量子点的颗粒尺寸。然而，本公开不应局限于此或受此局限，并且在具有相同核的量子点中，可根据用于壳的材料和壳的厚度来调整颗粒尺寸。
同时，在量子点具有诸如蓝色、红色、绿色等的各种发射颜色的情况下，用于具有不同发射颜色的量子点的核的材料可彼此不同。
光控制图案CCP-R可进一步包含散射体。光控制图案CCP-R可包含将蓝光转换成红光的量子点和散射该光的散射体。
散射体可为无机颗粒。作为示例，散射体可包含TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体可包含TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的一种，或者可包含TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或更多种的混合材料。
光控制图案CCP-R可包含量子点和散射体分散在其中的基底树脂。基底树脂可为量子点和散射体分散在其中的介质，并且可包含一般称为粘结剂的各种树脂组合物；然而，这不是对本发明构思的限制。基底树脂可以是丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅酮类树脂或环氧类树脂。基底树脂可为透明树脂。
在本实施例中，光控制图案CCP-R可通过喷墨工艺形成。可在堤挡开口BW-OH内提供液体组合物。通过热固化工艺或光固化工艺聚合的组合物在固化后体积减小。将参考图3描述形成光控制图案CCP-R的工艺。
在堤挡BMP的下表面与光控制图案CCP-R的下表面之间可存在台阶差。即，堤挡BMP的下表面可限定在低于光控制图案CCP-R的下表面的位置。堤挡BMP的下表面与光控制图案CCP-R的下表面之间的高度差可在从约2微米至约3微米的范围内。
光控制层CCL可包括隔离层CAP。隔离层CAP可防止湿气和/或氧气(以下称为湿气/氧气)进入。隔离层CAP可设置在光控制图案CCP-R上或下面，以防止光控制图案CCP-R暴露于湿气/氧气。特别地，隔离层CAP可防止包含在光控制图案CCP-R中的量子点暴露于湿气/氧气。另外，隔离层CAP可保护光控制图案CCP-R免受外部冲击。
根据一实施例，隔离层CAP可邻近显示元件层DP-LED设置。即，隔离层CAP可设置在光控制图案CCP-R的下表面上。根据一实施例，光控制层CCL可包括与显示元件层DP-LED间隔开的附加隔离层CAP-T，而且光控制图案CCP-R介于显示元件层DP-LED与附加隔离层CAP-T之间。隔离层CAP可覆盖光控制图案CCP-R的与显示元件层DP-LED相邻的下表面，并且附加隔离层CAP-T可覆盖光控制图案CCP-R的与滤色器层CFL相邻的上表面。同时，在本公开中，术语“上表面”可指示在第三方向DR3上设置在相对高的位置的表面，并且术语“下表面”可指示在第三方向DR3上设置在相对低的位置的表面。
另外，隔离层CAP和附加隔离层CAP-T可覆盖堤挡BMP以及光控制图案CCP-R。
隔离层CAP可对应于堤挡BMP与光控制图案CCP-R之间的台阶差设置。附加隔离层CAP-T可覆盖堤挡BMP的与滤色器层CFL相邻的表面和光控制图案CCP-R的与滤色器层CFL相邻的表面。附加隔离层CAP-T可直接设置在低折射率层LR上。
隔离层CAP和附加隔离层CAP-T可包含无机材料。根据一实施例，光控制层CCL的隔离层CAP可包含氮氧化硅(SiON)。隔离层CAP和附加隔离层CAP-T可包含氮氧化硅，然而，它们不应局限于此或受此局限。根据一实施例，设置在光控制图案CCP-R下面的隔离层CAP可包含氮氧化硅，并且设置在光控制图案CCP-R上的附加隔离层CAP-T可包含氧化硅(SiOx)，然而，本公开不应局限于此或受此局限。
同时，隔离层CAP和附加隔离层CAP-T中的每个可进一步包括有机层。隔离层CAP和附加隔离层CAP-T可具有单层或多层结构。在隔离层CAP和附加隔离层CAP-T中，无机层可防止光控制图案CCP-R受到外部湿气的影响，并且有机层可补偿堤挡BMP与光控制图案CCP-R之间的台阶差，并且可为设置在其上的构件提供平坦的基底表面。
滤色器层CFL可设置在光控制层CCL上。滤色器层CFL可包括至少一个滤色器CF1。滤色器CF1可透射特定波长范围内的光，并且可阻挡特定波长范围外的光。第一像素区域PXA-R的滤色器CF1可透射红光，并且可阻挡绿光和蓝光。
滤色器CF1可包含基底树脂和分散在基底树脂中的染料和/或颜料。基底树脂可为染料和/或颜料分散在其中的介质，并且可包含一般称为粘结剂的各种树脂组合物。
滤色器CF1可在第一像素区域PXA-R中具有均匀的厚度。在第一像素区域PXA-R中，通过光控制图案CCP-R转换作为源光的蓝光获得的红光可以均匀的亮度提供到外部。
滤色器层CFL可包括低折射率层LR。低折射率层LR可设置在光控制层CCL与滤色器CF1之间。低折射率层LR可设置在光控制层CCL上，以防止光控制图案CCP-R暴露于湿气/氧气。另外，低折射率层LR可设置在光控制图案CCP-R与滤色器CF1之间，以用作增加光提取效率或者防止反射光进入光控制层CCL的光学功能层。低折射率层LR可具有小于与其相邻的层的折射率的折射率。
低折射率层LR可包括至少一个无机层。例如，低折射率层LR可包含氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈或氮氧化硅，或者具有透光度的金属薄膜。然而，应理解，本发明构思不局限于这些材料。根据一实施例，低折射率层LR可包括有机层。例如，低折射率层LR可包含聚合物树脂和无机颗粒。低折射率层LR可具有单层或多层结构。
同时，滤色器层CFL的滤色器CF1可直接设置在显示装置DD中的光控制层CCL上。在这种情况下，低折射率层LR可省略。
根据一实施例，显示装置DD可进一步包括设置在滤色器层CFL上的基底层BL。基底层BL可提供基底表面，滤色器层CFL和光控制层CCL设置在该基底表面上。基底层BL可以是玻璃基板、金属基板或塑料基板，尽管这不是对本发明构思的限制。根据一实施例，基底层BL可以是无机层、有机层或复合材料层。另外，根据一实施例，可省略基底层BL。
尽管图中未示出，抗反射层可设置在基底层BL上。抗反射层可降低从外部入射到其上的外部光的反射率。抗反射层可选择性地透射从显示面板DP离开的光。根据一实施例，抗反射层可具有包含基底树脂和分散在基底树脂中的染料和/或颜料的单层结构。抗反射层可被提供为与第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B(参考图2C)完全重叠的单个连续的层。
抗反射层可不包括偏振层。相应地，在通过抗反射层之后入射到显示元件层DP-LED中的光可为非偏振光。显示元件层DP-LED可接收来自抗反射层上方的非偏振光。
显示装置DD可包括显示面板DP(即下面板)和光学结构层OSL(即上面板)，显示面板DP包括显示元件层DP-LED，光学结构层OSL包括光控制层CCL和滤色器层CFL，并且填充层FML可设置在显示面板DP与光学结构层OSL之间。根据一实施例，填充层FML可填充在显示元件层DP-LED与光控制层CCL之间。填充层FML可直接设置在薄膜封装层TFE上，并且包括在光控制层CCL中的隔离层CAP可直接设置在填充层FML上。填充层FML的下表面可与薄膜封装层TFE的上表面接触，并且填充层FML的上表面可与隔离层CAP的下表面接触。
填充层FML可用作显示元件层DP-LED与光控制层CCL之间的缓冲件。根据一实施例，填充层FML可具有冲击吸收功能，并且可增加显示面板DP的强度。填充层FML可由包括聚合物树脂的填充树脂形成。作为示例，填充层FML可由诸如丙烯酸类树脂或环氧类树脂的树脂形成。
填充层FML可通过与设置在其下的薄膜封装层TFE和设置在其上的隔离层CAP分开的工艺形成。同时，填充层FML可由不同于薄膜封装层TFE和隔离层CAP的材料的材料形成。
参考图2C，显示装置DD可包括基底基板BS和设置在基底基板BS上的电路元件层DP-CL。电路元件层DP-CL可设置在基底基板BS上。电路元件层DP-CL可包括绝缘层、半导体图案、导电图案和信号线。绝缘层、半导体层和导电层可通过涂覆工艺或沉积工艺形成在基底基板BS上。然后，绝缘层、半导体层和导电层可通过几个光蚀刻工艺被选择性地图案化。可形成包括在电路元件层DP-CL中的半导体图案、导电图案和信号线。电路元件层DP-CL可包括晶体管、缓冲层和多个绝缘层。
发光元件LED可包括第一电极EL1、面向第一电极EL1的第二电极EL2以及设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的发光层EML。包括在发光元件LED中的发光层EML可包含有机发光材料或作为其发光材料的量子点。另外，发光元件LED可进一步包括空穴控制层HTR和电子控制层ETR。同时，尽管图中未示出，发光元件LED可进一步包括设置在第二电极EL2上的封盖层(未示出)。
像素限定层PDL可设置在电路元件层DP-CL上，并且可覆盖第一电极EL1的一部分。像素限定层PDL可提供有穿过其限定的发光开口OH。第一电极EL1的至少一部分可通过像素限定层PDL的发光开口OH暴露。在本实施例中，发光区域EA1、EA2和EA3可被限定为分别对应于第一电极EL1的通过发光开口OH暴露的部分。
显示元件层DP-LED可包括第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可通过像素限定层PDL彼此区分。第一发光区域EA1、第二发光区域EA2和第三发光区域EA3可分别对应于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B。
发光区域EA1、EA2和EA3可与像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B重叠，并且可不与堤井区域BWA(参考图2A)重叠。当在平面中观察时，通过堤挡BMP彼此区分的像素区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的尺寸可大于通过像素限定层PDL彼此区分的发光区域EA1、EA2和EA3的尺寸。
发光元件LED的第一电极EL1可设置在电路元件层DP-CL上。第一电极EL1可为阳极或阴极。根据一实施例，第一电极EL1可为像素电极。第一电极EL1可为透射电极、透反射电极或反射电极。
空穴控制层HTR可设置在第一电极EL1与发光层EML之间。空穴控制层HTR可包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的至少一个。空穴控制层HTR可设置为公共层，以完全覆盖发光区域EA1、EA2和EA3以及将发光区域EA1、EA2和EA3彼此区分的像素限定层PDL。然而，这不是对本公开的限制。根据一实施例，空穴控制层HTR可被图案化以覆盖发光区域EA1、EA2和EA3中的每个。
发光层EML可设置在空穴控制层HTR上。根据一实施例，发光层EML可提供为公共层，以完全覆盖发光区域EA1、EA2和EA3以及将发光区域EA1、EA2和EA3彼此分开的像素限定层PDL。根据一实施例，发光层EML可发射蓝光。发光层EML可完全覆盖空穴控制层HTR和电子控制层ETR。
本公开不应局限于具体描述的内容。例如，根据一实施例，发光层EML可设置在发光开口OH中。即，发光层EML可在划分为多个部分之后被提供，以对应于通过像素限定层PDL彼此区分的发光区域EA1、EA2和EA3。在被划分为多个部分以对应于发光区域EA1、EA2和EA3的发光层EML中，发光层EML的所有这些部分可发射蓝光，或者发光层EML的这些部分可发射彼此在不同波长范围内的光。
发光层EML可具有包含单一材料的单层结构、包含多种不同材料的单层结构或包含由不同材料形成的层的多层结构。发光层EML可包含荧光或磷光材料。根据一实施例，发光层EML可包含有机发光材料、金属有机复合物或作为其发光材料的量子点。同时，图2B和图2C示出包括一个发光层EML的发光元件LED，然而，根据一实施例，发光元件LED可包括多个发射叠层，发射叠层中的每个包括至少一个发光层。
图3是根据本公开的一实施例的制造显示装置的方法的截面图。图3示出在显示装置的制造方法中在目标基板上打印量子点组合物以形成光控制图案的工艺。根据本公开的一实施例的制造显示装置的方法可包括制备显示面板DP，以及在显示面板DP上形成光控制层CCL。在一实施例中，光控制层CCL的形成可包括使用喷墨打印装置IPE将包含多个纳米颗粒的墨供应至多个隔离壁(例如，堤挡BMP)之间以形成光控制图案。
参考图2C和图3，堤挡开口BW-OH可限定在堤挡BMP之间，以分别对应于第一像素区域PXA-R、第二像素区域PXA-G和第三像素区域PXA-B，并且光控制图案CCP-R、CCP-G和CCP-B可分别限定在堤挡开口BW-OH中。在一实施例中，参考图2C和图3，滤色器层CFL可包括滤色器CF1、CF2和CF3。
第一像素墨INK-R可通过第一像素喷嘴NZ-R提供在与第一像素区域PXA-R重叠的堤挡开口BW-OH内，并且第二像素墨INK-G可通过第二像素喷嘴NZ-G提供在与第二像素区域PXA-G重叠的堤挡开口BW-OH内。第一像素墨INK-R和第二像素墨INK-G中的每个可为含有诸如量子点和散射体的纳米颗粒的组合物。第一像素墨INK-R可包含红色量子点和散射体，并且第二像素墨INK-G可包含绿色量子点和散射体。根据显示装置的制造方法，可对提供在分别与第一像素区域PXA-R和第二像素区域PXA-G重叠的堤挡开口BW-OH中的组合物执行热固化工艺或光固化工艺，并且因此，可形成第一光控制图案CCP-R和第二光控制图案CCP-G。
可使用喷墨工艺提供第一像素墨INK-R和第二像素墨INK-G中的每个。分别提供第一像素墨INK-R和第二像素墨INK-G的第一像素喷嘴NZ-R和第二像素喷嘴NZ-G可被包括在稍后描述的喷墨打印装置中，可从腔室接收含有纳米颗粒的组合物，并且可向堤挡开口BW-OH提供该组合物。第一像素喷嘴NZ-R和第二像素喷嘴NZ-G中的每个可包括多个喷嘴。
包含量子点的组合物可不提供在与第三像素区域PXA-B重叠的堤挡开口BW-OH中。仅包含散射体而不包含量子点的组合物可提供在与第三像素区域PXA-B重叠的堤挡开口BW-OH中，并且该组合物可被固化以形成第三光控制图案CCP-B。当发光元件LED生成的源光是蓝光时，即使没有使用包含蓝色量子点的液体量子点组合物，蓝光也可在通过第三像素区域PXA-B中的第三光控制图案CCP-B之后行进到第三滤色器CF3。然而，这不是对本发明构思的限制。根据一实施例，包含量子点的组合物可提供在与第三像素区域PXA-B重叠的堤挡开口BW-OH中，并且提供在与第三像素区域PXA-B重叠的堤挡开口BW-OH中的像素墨可包含蓝色量子点。
图4A是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置IPE的透视图。图4B是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置IPE的截面图。
喷墨打印装置IPE可以是通过喷墨打印方法将墨喷射到待打印的物体上的装置。例如，喷墨打印装置IPE可以是提供含有纳米颗粒的组合物以在上述光学结构层OSL(参考图2C)中形成光控制图案CCP-R、CCP-G和CCP-B的装置。
参考图4A和图4B，喷墨打印装置IPE可包括腔室CHM、连接到腔室CHM的多个喷墨喷嘴NZ1和NZ2以及设置在腔室CHM中的减振构件DMP。
腔室CHM可容纳待供应至喷墨喷嘴NZ1(其包括喷嘴NZ11和NZ12)和NZ2(其包括喷嘴NZ21和NZ22)的墨，并且可在预定压力下将墨供应至喷墨喷嘴NZ1和NZ2。即，腔室CHM可为压力腔室，并且墨可通过在腔室CHM中形成的压力排出至喷墨喷嘴NZ1和NZ2。尽管图中未示出，但供应墨的供应部分和控制喷墨打印装置IPE的操作的控制部分可连接到腔室CHM。另外，喷墨打印装置IPE可进一步包括连接包括在喷墨打印装置IPE中的每个部件的入口通道。
喷墨喷嘴NZ1和NZ2可连接到腔室CHM的下端。喷墨喷嘴NZ1和NZ2可布置在第一方向DR1上，并且可布置为多列。作为代表性示例，图4A和图4B示出喷墨喷嘴NZ1和NZ2沿第一方向DR1布置为四列的结构。然而，这不是对本公开的限制。例如，根据另一实施例，喷墨喷嘴NZ1和NZ2可布置为两列、三列、五列或更多列。
喷墨喷嘴NZ1和NZ2可包括相对于第一方向DR1靠近腔室CHM的中心设置的中心列喷嘴NZ1和设置在腔室CHM的相对外部位置(即，比中心列喷嘴NZ1远离中心)的外列喷嘴NZ2。在一个实施例中，中心列喷嘴NZ1可邻近中心线CT设置，该中心线CT是沿第三方向DR3穿过腔室CHM的中心的假想的线，并且外列喷嘴NZ2可与中心线CT间隔开设置，而且中心列喷嘴NZ1介于外列喷嘴NZ2与中心线CT之间。外列喷嘴NZ2可为喷墨喷嘴NZ1和NZ2中的设置在最外侧位置的喷嘴。即，外列喷嘴NZ2可为喷墨喷嘴NZ1和NZ2中的最远离中心线CT的喷嘴。在一实施例中，中心线CT可将腔室CHM在第一方向DR1上的长度划分为两半。
中心列喷嘴NZ1可提供为多列。根据一实施例，中心列喷嘴NZ1可包括设置在中心线CT一侧的第一中心列喷嘴NZ11和设置在中心线CT另一侧的第二中心列喷嘴NZ12。在一实施例中，第一中心列喷嘴NZ11和第二中心列喷嘴NZ12可邻近中心线CT设置并且在第一方向DR1上彼此间隔开。外列喷嘴NZ2可提供为多列。根据一实施例，外列喷嘴NZ2可包括设置在第一中心列喷嘴NZ11左侧的第一外列喷嘴NZ21和设置在第二中心列喷嘴NZ12右侧的第二外列喷嘴NZ22。在一实施例中，第一外列喷嘴NZ21可邻近第一中心列喷嘴NZ11设置，并且第二外列喷嘴NZ22可邻近第二中心列喷嘴NZ12设置。
减振构件DMP可设置在腔室CHM中，并且可设置在喷墨喷嘴NZ1和NZ2的上方。减振构件DMP可设置为当在平面中观察时与喷墨喷嘴NZ1和NZ2重叠。减振构件DMP可设置为与所有中心列喷嘴NZ1和外列喷嘴NZ2重叠。如图4B所示，减振构件DMP可具有部分弯折的形状，使得减振构件DMP可在与中心线CT重叠的区域中相对远离腔室CHM的下表面，并且当距中心线CT的距离增大时，减振构件DMP可变得更靠近腔室CHM的下表面。然而，这不是对本发明构思的限制。根据一实施例，减振构件DMP可具有基本上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面的平板形状。
当墨由于在腔室CHM中形成的压力而被排出至喷墨喷嘴NZ1和NZ2时，减振构件DMP可防止施加到喷墨喷嘴NZ1和NZ2中的特定喷嘴的压力影响与该特定喷嘴相邻的另一喷嘴。更详细地，在当墨通过在腔室CHM中形成的压力从特定喷嘴排出时，一部分墨由于在喷嘴内部形成的力而回流到腔室CHM中的情况下，回流的墨可能影响从与该特定喷嘴相邻的另一喷嘴排出的墨的流动。根据喷墨打印装置IPE，由于减振构件DMP设置在喷墨喷嘴NZ1和NZ2的上方，所以回流的墨可与减振构件DMP碰撞，并且因此，由回流的墨的流动形成的压力可被减振构件DMP吸收。相应地，可防止施加到特定喷嘴的压力影响与该特定喷嘴相邻的另一喷嘴，并且可提高喷墨打印装置IPE的墨排出效率。
减振构件DMP可由合成树脂膜形成。减振构件DMP可为其中密封有气体的盒形构件，并且用于密封气体的密封构件可由合成树脂膜形成。
在喷墨打印装置IPE中，腔室CHM可包括与外列喷嘴NZ2相邻的凸起部分BP。凸起部分BP可邻近喷墨喷嘴NZ1和NZ2中的设置在最外侧位置的外列喷嘴NZ2设置。凸起部分BP可包括邻近第一外列喷嘴NZ21设置的第一凸起部分BP1和邻近第二外列喷嘴NZ22设置的第二凸起部分BP2。在一实施例中，凸起部分BP可比外列喷嘴NZ2远离中心线CT设置。
凸起部分BP包括在腔室CHM的内表面上的凸起(例如，细长凸起)。在一实施例中，凸起可在截面中具有圆弧形状。在一些实施例中，如图4A和图4B中所描绘，当在截面中观察时，凸起部分BP可为腔室CHM的外表面(例如，下表面)上的凹陷部分。根据一实施例，喷墨喷嘴NZ1和NZ2中的每个可具有从腔室CHM的下表面向与第三方向DR3相反的方向(即，向下方向)延伸的形状，并且凸起部分BP可具有在向上方向(即，与喷墨喷嘴NZ1和NZ2的延伸方向相反的第三方向DR3)上凹陷的形状。凸起部分BP可在截面中具有具有预定曲率的圆弧形状。然而，本公开不应局限于所描述的特定实施例，并且凸起部分BP可具有各种形状。例如，凸起部分BP可具有椭圆弧形状或具有斜边的多边形形状。同时，图4A和图4B示出凸起部分BP形成为腔室CHM的下表面上的凹陷部分的结构。这是代表性示例，然而，并不是对本公开的限制。可通过在腔室CHM的内表面上放置分离的构件来形成凸起部分BP。同时，在使用分离的构件形成凸起部分BP的情况下，凸起部分BP的上表面可具有图4A和图4B中所示的具有预定曲率的圆弧形状，并且腔室CHM的外表面将是平坦的，而没有凹陷部分。
图5是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置的放大截面图。图6是由根据本公开的一实施例的喷墨打印装置提供的墨的截面图。
参考图4B和图5，喷墨打印装置IPE可包括喷墨喷嘴NZ1和NZ2以及凸起部分BP，并且凸起部分BP可具有具有预定曲率的圆弧形状。
凸起部分BP的形状和曲率半径R可被设计在适于利用凸起部分BP控制墨中纳米颗粒的路径的范围内，如稍后描述的。根据一实施例，凸起部分BP的曲率半径R可等于或大于约200微米并且等于或小于约600微米。另外，凸起部分BP可具有等于或大于约50微米并且等于或小于约300微米的高度d。由于凸起部分BP的曲率半径R和高度d被设计在上述范围内，所以可以适当地调整墨中纳米颗粒的路径，并且因此，纳米颗粒可被均匀地供应至中心列喷嘴NZ1和外列喷嘴NZ2。稍后将对此进行详细描述。
参考图5和图6，喷墨喷嘴NZ1和NZ2可排出从腔室CHM提供的墨INK-11、INK-12、INK-21和INK-22。墨INK-11、INK-12、INK-21和INK-22中的每个可包含基底树脂RS和分散在基底树脂RS中的多个纳米颗粒NP。同时，从喷墨喷嘴NZ1和NZ2排出的墨INK-11、INK-12、INK-21和INK-22中所包含的纳米颗粒NP的体积数量密度可基本上相同。即，从喷墨喷嘴NZ1和NZ2排出的墨INK-11、INK-12、INK-21和INK-22可具有彼此基本上相同的无机纳米颗粒浓度。同时，在本文中使用的与纳米颗粒的数量和浓度相关的术语“基本上相同”不仅意味着纳米颗粒的数量和浓度在每种墨中在物理上恰好相同，而且意味着每种墨中的纳米颗粒的数量和浓度在可接受的工艺公差内。
根据一实施例，第一墨INK-11和INK-12可从中心列喷嘴NZ11和NZ12排出，并且第二墨INK-21和INK-22可从外列喷嘴NZ21和NZ22排出。包含在第一墨INK-11和INK-12中的纳米颗粒NP的体积数量密度可与包含在第二墨INK-21和INK-22中的纳米颗粒的体积数量密度基本上相同。第一墨INK-11和INK-12中的纳米颗粒NP的浓度可与第二墨INK-21和INK-22中的纳米颗粒NP的浓度基本上相同。
纳米颗粒NP可包括无机纳米颗粒。根据一实施例，纳米颗粒NP可包括参考图2B和图2C描述的量子点QD和散射体SC。
量子点QD可以是将源光转换为具有不同波长的光的发光颗粒。量子点QD可具有核-壳结构，并且量子点的核可选自第II-VI族化合物、第III-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物及其组合。参考图2B和图2C对量子点的以上描述可应用于量子点QD。
散射体SC可散射光以提高发光效率。散射体SC可包含TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。作为示例，散射体SC可包含TiO2。参考图2B和图2C对散射体的以上描述可应用于散射体SC。
基底树脂RS可以是发光材料分散在其中的介质，并且可包含一般称为粘结剂的各种树脂组合物。然而，应理解，这不是对本公开的限制。在本公开中，可选择介质作为基底树脂RS而不管其名称、附加功能或组成材料，只要纳米颗粒NP能够分散在介质中即可。基底树脂RS可以是聚合物树脂。作为示例，基底树脂RS可以是丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅酮类树脂或环氧类树脂。基底树脂可以是透明树脂。
图7A至图7C是根据本公开的实施例的喷墨打印装置IPE的一部分的仰视图。图7A至图7C是在喷墨打印装置IPE中设置在腔室CHM的下表面上的喷墨喷嘴NZ11、NZ12、NZ21和NZ22以及形成在腔室CHM的下表面上的凸起部分BP1和BP2的平面图。
参考图4B和图7A至图7C，喷墨打印装置IPE可包括布置为多列的喷墨喷嘴NZ11、NZ12、NZ21和NZ22，并且喷墨喷嘴NZ11、NZ12、NZ21和NZ22中的每个可包括沿第二方向DR2布置为多排的多个单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…和NZ-Un。根据一实施例，中心列喷嘴NZ11和NZ12中的每个以及外列喷嘴NZ21和NZ22中的每个可包括沿第二方向DR2布置为多排的单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un。
参考图7A，形成在腔室CHM的下表面上的凸起部分BP1和BP2中的每个可设置为在第一方向DR1上与所有单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un重叠。即，凸起部分BP1和BP2中的每个可具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且因此，形成在腔室CHM的下表面上的凸起部分BP1和BP2中的每个可设置为在第一方向DR1上与所有单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un重叠。
参考图7B，凸起部分BP1’和BP2’可包括多个单元凸起部分BP1-1、BP1-2、BP1-3、…、BP1-n和BP2-1、BP2-2、BP2-3、…、BP2-n。凸起部分BP1’可包括分别对应于多个单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un布置的单元凸起部分BP1-1、BP1-2、BP1-3、…、BP1-n。凸起部分BP2’可包括分别对应于单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un布置的单元凸起部分BP2-1、BP2-2、BP2-3、…、BP2-n。单元凸起部分BP1-1、BP1-2、BP1-3、…、BP1-n可分别对应于其中布置有单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un的多个排设置。单元凸起部分BP2-1、BP2-2、BP2-3、…、BP2-n可分别对应于其中布置有单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un的多个排设置。根据一实施例，第一单元凸起部分BP1-1和BP2-1可对应于布置在第一排中的第一单元喷嘴NZ-U1布置，第二单元凸起部分BP1-2和BP2-2可对应于布置在第二排中的第二单元喷嘴NZ-U2布置，第三单元凸起部分BP1-3和BP2-3可对应于布置在第三排中的第三单元喷嘴NZ-U3布置，并且第n单元凸起部分BP1-n和BP2-n可对应于布置在第n排中的第n单元喷嘴NZ-Un布置。同时，与第一外列喷嘴NZ21相邻的第一凸起部分BP1’可包括多个第一列单元凸起部分BP1-1、BP1-2、BP1-3、…、BP1-n，并且与第二外列喷嘴NZ22相邻的第二凸起部分BP2’可包括多个第二列单元凸起部分BP2-1、BP2-2、BP2-3、…、BP2-n。然而，这不是对本公开的限制，并且第一凸起部分BP1’和第二凸起部分BP2’中的一个可不包括单元凸起部分，并且可被提供为如图7A所示的在第二方向DR2上延伸的一个凸起部分。
参考图7C，喷墨打印装置可进一步包括附加凸起部分BPa。附加凸起部分BPa可邻近多个单元喷嘴NZ-U1、NZ-U2、NZ-U3、…、NZ-Un中的在第二方向DR2上设置在最外侧位置的外排单元喷嘴设置。在图7C中所示的实施例中，第一单元喷嘴NZ-U1和第n单元喷嘴NZ-Un可对应于外排单元喷嘴，并且附加凸起部分BPa可邻近第一单元喷嘴NZ-U1和第n单元喷嘴NZ-Un中的每个设置。附加凸起部分BPa可包括邻近第一单元喷嘴NZ-U1设置的第一附加凸起部分BPa-1和邻近第n单元喷嘴NZ-Un设置的第二附加凸起部分BPa-2。
图8A是根据本公开的一实施例的喷墨打印装置的操作的截面图。图8B是根据比较实施例的喷墨打印装置的操作的截面图。与根据本公开的一实施例的喷墨打印装置不同，图8B示出不包括凸起部分BP的喷墨打印装置的操作。
参考图8A和图8B，在使用喷墨打印装置将墨排出至喷墨喷嘴NZ11和NZ21的工艺中，包含在墨中的纳米颗粒NP中的大部分纳米颗粒NP可在沿第一方向DR1移动时进入喷墨喷嘴NZ11和NZ21。根据该喷墨打印装置，由于减振构件DMP设置在喷墨喷嘴NZ11和NZ21的上方，所以在沿第一方向DR1移动之后从侧部进入喷墨喷嘴NZ11和NZ21的纳米颗粒NP的量可大于从上部进入喷墨喷嘴NZ11和NZ21的纳米颗粒NP的量。
根据本公开，由于喷墨打印装置包括凸起部分BP，所以沿第一方向DR1移动并从侧部进入喷墨喷嘴NZ11和NZ21的纳米颗粒NP的路径可向上移位为图8A中所示的第一路径RT1。
在喷墨打印装置如图8B中所示不包括凸起部分BP的情况下，由于沿第一方向DR1移动并从侧部进入喷墨喷嘴NZ21和NZ11的纳米颗粒NP的路径形成为第二路径RT2，所以进入设置在喷墨打印装置外侧的外列喷嘴NZ21的纳米颗粒NP的量相对大，并且进入更靠近喷墨打印装置的中心设置的中心列喷嘴NZ11的纳米颗粒NP的量相对小。相应地，分别经由喷嘴NZ21和NZ11排出的墨中的纳米颗粒的浓度是不同的。纳米颗粒浓度的这种变化导致由传统喷墨打印装置形成的光控制图案中的缺陷，诸如污点。
根据本公开的喷墨打印装置，进入喷墨喷嘴NZ11和NZ21的纳米颗粒NP的路径可由于凸起部分BP的存在而移位。凸起部分BP使得进入喷墨喷嘴NZ11和NZ21中的布置在外侧的外列喷嘴NZ21的墨中的纳米颗粒的数量和纳米颗粒的浓度与进入更靠近中心布置的中心列喷嘴NZ11的墨中的纳米颗粒的数量和纳米颗粒的浓度大致相同。相应地，可防止在由本公开的喷墨打印装置形成的光控制图案中出现在传统装置中出现的缺陷，诸如污点。可提高包括光控制图案的显示装置的显示效率。
尽管已经描述了本公开的实施例，但应理解，本公开不应局限于这些实施例，而是本领域普通技术人员可在所附权利要求要求保护的本公开的精神和范围内进行各种改变和修改。因此，所公开的主题不应局限于本文所描述的任何单一实施例，并且本发明构思的范围应根据所附权利要求确定。

Claims (10)

1.一种喷墨打印装置，包括：
腔室，具有将所述腔室在第一方向上的长度划分为两半的假想的中心线；以及
多个喷墨喷嘴，联接到所述腔室并且从所述腔室接收墨，所述喷墨喷嘴沿所述第一方向布置为多列，其中所述喷墨喷嘴包括：
中心列喷嘴，邻近所述腔室的所述中心线设置；和
外列喷嘴，比所述中心列喷嘴远离所述中心线设置，并且
其中所述腔室包括比所述外列喷嘴远离所述中心线设置的凸起部分，所述凸起部分包括在所述腔室的内表面上的凸起。
2.根据权利要求1所述的喷墨打印装置，其中所述凸起部分包括在所述腔室的外表面上的凹陷部分。
3.根据权利要求2所述的喷墨打印装置，其中所述凸起部分在截面中具有具有预定曲率的圆弧形状。
4.根据权利要求1所述的喷墨打印装置，其中所述中心列喷嘴包括邻近所述中心线设置并且在所述第一方向上彼此间隔开的第一中心列喷嘴和第二中心列喷嘴，所述外列喷嘴包括邻近所述第一中心列喷嘴设置的第一外列喷嘴和邻近所述第二中心列喷嘴设置的第二外列喷嘴，并且所述凸起部分包括邻近所述第一外列喷嘴设置的第一凸起部分和邻近所述第二外列喷嘴设置的第二凸起部分。
5.根据权利要求1所述的喷墨打印装置，其中所述中心列喷嘴和所述外列喷嘴中的每个包括在与所述第一方向交叉的第二方向上布置的多个单元喷嘴。
6.根据权利要求1所述的喷墨打印装置，进一步包括在所述腔室内的减振构件，其中所述减振构件设置为当在平面中观察时与所述喷墨喷嘴中的每个重叠。
7.根据权利要求1所述的喷墨打印装置，其中所述喷墨喷嘴用于排出包含纳米颗粒的墨。
8.根据权利要求7所述的喷墨打印装置，其中所述墨包括供应至所述中心列喷嘴的第一墨和供应至所述外列喷嘴的第二墨，并且所述第一墨的纳米颗粒的体积数量密度等于所述第二墨的纳米颗粒的体积数量密度。
9.根据权利要求1所述的喷墨打印装置，其中所述凸起在截面中具有圆弧形状。
10.一种制造显示装置的方法，包括：
制备显示面板；以及
在所述显示面板上形成光控制层，所述光控制层的形成包括使用喷墨打印装置将包含多个纳米颗粒的墨供应至多个隔离壁之间以形成光控制图案，所述喷墨打印装置包括：
腔室，具有将所述腔室在第一方向上的长度划分为两半的假想的中心线；以及
多个喷墨喷嘴，联接到所述腔室并且从所述腔室接收墨，所述喷墨喷嘴沿所述第一方向布置为多列，所述喷墨喷嘴包括：
中心列喷嘴，邻近所述腔室的所述中心线设置；和
外列喷嘴，比所述中心列喷嘴远离所述中心线设置，
其中所述腔室包括比所述外列喷嘴远离所述中心线设置的凸起部分，所述凸起部分包括在所述腔室的内表面上的凸起。
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