CN116264130A - 多层电容器 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括电容区域，在所述电容区域中，至少一个第一内电极和至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极，其中，所述主体还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述电容区域中并且所述缓冲层的杨氏模量大于所述至少一个介电层的杨氏模量的0倍且小于等于所述至少一个介电层的杨氏模量的
倍。
Description
本申请要求于2021年12月13日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0177581号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种多层电容器。
背景技术
由于多层电容器可具有小尺寸和高电容并且可易于安装，因此多层电容器已广泛用作电子装置(诸如计算机、PDA、移动电话等)的组件，并且由于多层电容器可具有高可靠性和高强度，因此多层电容器也已用作电气装置(包括车辆)的组件。
用于多层电容器的具有高介电常数的介电材料也可具有压电特性，使得多层电容器可能受到由反向压电(或电致伸缩)现象(反向压电(或电致伸缩)现象是由于施加的电压引起的)引起的内应力的影响，并且内应力可能导致多层电容器中的裂纹或可能使耐受电压特性劣化。
发明内容
本公开的一方面在于提供一种可减少由内应力引起的裂纹或可提高耐受电压特性的多层电容器。
根据本公开的一方面，一种多层电容器包括：主体，包括电容区域，在所述电容区域中，至少一个第一内电极和至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极，其中，所述主体还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述电容区域中并且所述缓冲层的杨氏模量大于所述至少一个介电层的杨氏模量的0倍且小于等于所述至少一个介电层的杨氏模量的
倍。
根据本公开的一方面，一种多层电容器包括：主体，包括电容区域，在所述电容区域中，至少一个第一内电极和至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极，其中，所述主体还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述电容区域中并且所述缓冲层的杨氏模量小于等于50GPa。
根据本公开的一方面，一种多层电容器包括：主体，包括至少一个第一内电极和至少一个第二内电极以及缓冲层，所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间，所述缓冲层设置在所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间，所述缓冲层包括环氧树脂、聚酰亚胺和味之素积层膜(ABF)中的至少一种；以及第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极。
附图说明
根据以下结合附图的具体实施方式，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中：
图1是示出根据本公开的示例实施例的多层电容器安装在基板上的结构的立体图；
图2是示出根据本公开的示例实施例的多层电容器的主体的内部部分的立体图；
图3A是示出根据本公开的示例实施例的多层电容器及其内部部分的立体图；
图3B是示出根据本公开的示例实施例的多个虚设电极设置在多层电容器的缓冲层中的结构的立体图；
图4是沿图3A中的线A-A'截取的截面图；
图5是沿图3A中的线B-B'截取的截面图；以及
图6是示出根据本公开的示例实施例的多层电容器的内应力的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。
足够详细地描述了这些实施例，以使本领域技术人员能够实践本发明。应当理解，本发明的各种实施例尽管不同，但不一定是相互排斥的。例如，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在本公开的实施例中作为示例描述的结构、形状和尺寸可在另一示例实施例中实现。此外，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可对示例实施例中的要素的位置或布置进行修改。因此，以下详细描述不应被视为具有限制意义，并且本发明的范围仅由适当解释的所附权利要求以及权利要求所赋予的等同方案的全部范围来限定。
在附图中，相同的要素将由相同的附图标记表示。此外，将省略可能不必要地使本公开的主旨模糊的已知功能和要素的冗余描述和详细描述。在附图中，一些要素可能被夸大、省略或简要示出，并且要素的尺寸不一定反映这些要素的实际尺寸。
说明书的术语“包括”、“包含”、“被构造为”等用于表示特征、数字、步骤、操作、要素、部分或它们的组合的存在，并且不排除组合或添加一个或更多个特征、数字、步骤、操作、要素、部分或它们的组合的可能性。
关于六面体的方向，附图中的L、W和T可分别表示长度方向、宽度方向和厚度方向。厚度方向可以是介电层层叠的层叠方向(或第一方向)。
在下面的描述中，将描述根据示例实施例的多层电容器，并且具体地，将描述多层陶瓷电容器(MLCC)，但是其示例实施例不限于此。
图1是示出根据示例实施例的多层电容器安装在基板上的结构200的立体图。图2是示出根据示例实施例的多层电容器的主体的内部部分的立体图。图3A是示出根据示例实施例的多层电容器及其内部部分的立体图。图4是沿图3A中的线A-A'截取的截面图。图5是沿图3A中的线B-B'截取的截面图。
参照图1、图2、图3A、图4和图5，根据示例实施例的多层电容器100可包括主体110、第一外电极131和第二外电极132。
主体110可包括层叠结构，在该层叠结构中，至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122在第一方向(例如，T方向)上交替层叠且至少一个介电层111介于至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间。
例如，主体110可通过烧制层叠结构而被构造为陶瓷主体。设置在主体110中的至少一个介电层111可处于烧结状态，并且彼此相邻的介电层可成为一体，使得在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下可能难以识别彼此相邻的介电层之间的边界。
例如，主体110可形成为六面体，该六面体具有在长度方向L上的两个侧表面、在宽度方向W上的两个侧表面和在厚度方向T上的两个侧表面。边缘和/或拐角可通过抛光而倒圆。然而，主体110的形状和尺寸以及层叠介电层111的数量不限于所示示例。
至少一个介电层111的厚度可根据多层电容器100的电容设计任意改变，并且介电层111可包括具有高介电常数的陶瓷粉末(诸如以钛酸钡(BaTiO3)粉末为例)，但是其示例实施例不限于此。此外，根据多层电容器100的所需构造，可将各种陶瓷添加剂(例如，MgO、Al2O3、SiO2、ZnO)、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加到陶瓷粉末中。
用于形成至少一个介电层111的陶瓷粉末的平均粒径可不限于任何特定示例，并且可根据所需构造(例如，如在用于电子装置的电容器中可能需要小型化和/或高电容，或者如在用于电气装置的电容器中可能需要高耐受电压特性和/或高强度)进行调节，并且可调节为例如400nm或更小。
例如，可通过以下方式来形成至少一个介电层111：通过将包括诸如钛酸钡(BaTiO3)的粉末的浆料涂覆到载体膜并干燥浆料来形成多个陶瓷片。陶瓷片可通过以下方式来形成：通过混合陶瓷粉末、粘合剂和溶剂来制备浆料，并通过刮刀法将浆料形成为具有几μm厚度的片，但是其示例实施例不限于此。
至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122可通过印刷包括导电金属的导电膏来形成，并且可在介电层的层叠方向(例如，T方向)上交替地暴露于主体110的在长度方向L上相对的一个侧表面和另一侧表面，并且可通过介于它们之间的介电层彼此电绝缘。
例如，至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122中的每个可通过用于内电极的导电膏形成，该导电膏包括40wt％至50wt％的导电金属粉末，导电金属粉末的平均粒度为0.1μm至0.2μm，但是其示例实施例不限于此。导电膏可以是镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、铅(Pb)或铂(Pt)或者它们的合金，但是其示例实施例不限于此。
例如，可通过印刷方法在陶瓷片上涂覆用于内电极的导电膏来形成内电极图案。印刷导电膏的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法和喷墨印刷法，但是其示例实施例不限于此。例如，主体110可通过以下方式来制造：层叠200层至300层陶瓷片(陶瓷片上印刷有内电极图案)，并压制和烧制陶瓷片。
多层电容器100的电容可与至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间在层叠方向上(例如，在T方向上)的叠置区域成比例，可与至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122层叠的总层数成比例，并且可与至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间的距离成反比。内电极之间的距离可与至少一个介电层111中的每个的厚度基本相同。
随着至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间的距离减小，具有恒定厚度的多层电容器100可具有更大的电容，而随着内电极之间的距离增加，多层电容器100的耐受电压可更高。因此，可根据所需构造(例如，如在用于电子装置的电容器中可能需要小型化和/或高电容，或者如在用于电气装置的电容器中可能需要高耐受电压特性和/或高强度)来调节内电极之间的距离。至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122中的每个的厚度也可受到内电极之间的距离的影响。
例如，当多层电容器100需要高耐受电压特性和/或高强度时，至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间的距离可被构造为超过第一内电极121和第二内电极122中的每个的厚度的两倍。例如，当多层电容器100需要高耐受电压特性和/或高强度时，至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122中的每个的厚度可被构造为0.4μm或更小，并且内电极的总层数可被构造为400或更大。
可通过使用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和表面轮廓仪中的至少一种来测量每个内电极和每个介电层的厚度。
第一外电极131和第二外电极132可彼此间隔开地设置在主体110上，以分别连接到至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122。
例如，第一外电极131和第二外电极132中的每个可通过以下方法来形成：浸渍在包括金属成分的膏中的方法、印刷导电膏的方法、片材转印、焊盘(垫)转印、溅射镀覆方法或电解镀覆方法。例如，第一外电极131和第二外电极132可包括通过烧制膏形成的烧制层和形成在烧制层的外表面上的镀层，并且在烧制层和镀层之间还可包括导电树脂层。例如，当导电颗粒包括在诸如环氧树脂的热固性树脂中时，可形成导电树脂层。金属成分可以是铜(Cu)、钯(Pd)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铅(Pb)或锡(Sn)或者它们的合金，但是其示例实施例不限于此。
多层电容器100可安装或嵌入外部基板(例如，印刷电路板)中，并且可通过以下方式来电连接到与基板210电连接的电路(例如，集成电路或处理器)：经由第一外电极131和第二外电极132连接到基板210上的第一焊盘221和第二焊盘222。
当多层电容器100的第一外电极131和第二外电极132安装在基板210的第一焊盘221和第二焊盘222上时，焊料230可通过回流焊工艺来设置成与第一外电极131和第二外电极132以及第一焊盘221和第二焊盘222接触，并且可固定第一外电极131和第二外电极132以及第一焊盘221和第二焊盘222。焊料230的熔点可比可包含在第一外电极131和第二外电极132中的铜(Cu)的熔点低，并且可包括锡(Sn)或锡基合金。
参照图3A、图4和图5，主体110可包括上覆盖层112、下覆盖层113和芯部区域115，并且芯部区域115可包括边缘区域114和电容区域116。
芯部区域115可在第一方向(例如，T方向)上设置在上覆盖层112和下覆盖层113之间，并且上覆盖层112和下覆盖层113的厚度可大于至少一个介电层111中的每个介电层111的厚度。
上覆盖层112和下覆盖层113可防止外部环境要素(例如，水分、镀覆液、外部物质)渗透芯部区域115，可保护主体110免受外部冲击的影响，并且还可提高主体110的强度。
例如，上覆盖层112和下覆盖层113可包括与至少一个介电层111的材料相同的材料或与至少一个介电层111的材料不同的材料(例如，诸如环氧树脂的热固性树脂)。
电容区域116可通过在至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间包括介电区域来形成多层电容器100的电容。
电容区域116可包括层叠结构，在该层叠结构中，至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122在第一方向(例如，T方向)上交替层叠并且至少一个介电层111介于至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间，并且电容区域116的尺寸可与层叠结构的尺寸相同。
边缘区域114可包括电容区域116的侧边界和主体110的侧表面之间的区域。
电容区域116可在垂直于第一方向(例如，T方向)的第二方向(例如，W方向)上设置在多个边缘区域114之间。例如，多个边缘区域114可通过与形成至少一个介电层111的方法类似的方法形成(层叠方向可不同)。
多个边缘区域114可防止至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122在第二方向(例如，W方向)上暴露于主体110的表面，使得可防止外部环境要素(例如，水分、镀覆液、外部物质)通过在第二方向上的表面渗透至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122，并且可改善多层电容器100的可靠性和寿命。此外，由于多个边缘区域114，至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122可在第二方向上有效地扩展，因此，多个边缘区域114可使至少一个第一内电极121和至少一个第二内电极122之间的叠置区域增加，从而有助于提高多层电容器100的电容。
参照图2、图3A、图4和图5，示例实施例中的多层电容器100还可包括缓冲层140，缓冲层140的杨氏模量低于至少一个介电层111的杨氏模量。
由于相对于多层电容器100的单位尺寸的电容可随着至少一个介电层111的介电常数的增加而增加，因此至少一个介电层111可包括具有高介电常数的材料(诸如钛酸钡(BaTiO3))。由于具有高介电常数的材料(诸如钛酸钡(BaTiO3))也可具有高压电特性，因此可能形成由于反向压电(或电致伸缩)现象引起的内应力，其中，反向压电(或电致伸缩)现象是由施加到多层电容器100的电压引起的。
杨氏模量低于至少一个介电层111的杨氏模量的缓冲层140可吸收由至少一个介电层111形成的内应力，从而减小主体110的总应力。当主体110的总应力减小时，可降低主体110中的裂纹的可能性，并且可减少主体110中的电瓶颈点(electrical bottleneckpoint)(例如，空隙、不稳定的内电极边界等)，使得可提高耐受电压。
缓冲层140的相对低的杨氏模量可表示缓冲层140是柔性的。在吸收周围应力的过程中，缓冲层140可根据应力在缓冲层140的一部分中产生初级位移，并且可根据初级位移在缓冲层140的另一部分中产生次级位移，并且该过程可以是连续的。
也就是说，在缓冲层140吸收周围应力的过程中，缓冲层140的各部分之间的位移偏差可能增加，并且增加的位移偏差可能导致缓冲层140和相邻层(例如，内电极和介电层)之间的边界中的应力不平衡。
因此，与至少一个介电层111的杨氏模量相比，缓冲层140可具有显著更小的杨氏模量，从而防止由缓冲层140和相邻层之间的边界中的应力不平衡引起的裂纹和电瓶颈点。
图6是示出根据示例实施例的多层电容器的内应力的曲线图。
参照图6，没有缓冲层的主体的内应力曲线140WO可根据主体中沿L方向的位置均匀地变化，并且包括杨氏模量差异小(例如，介电层与缓冲层之间的杨氏模量差异小)的缓冲层的主体的内应力曲线140HYM可根据主体中沿L方向的位置具有大的内应力偏差。
具有杨氏模量差异不大的缓冲层的主体的内应力曲线140HYM的最大应力可高于没有缓冲层的主体的内应力曲线140WO的沿L方向的对应位置处的值。这可能是由于缓冲层和相邻层之间的边界处的应力的不平衡。
当缓冲层的杨氏模量减小时，内应力曲线的变化方向140LYM可以是总内应力可减小的方向。当内应力曲线的最大应力低于没有缓冲层的主体的内应力曲线的值时，主体中的总内应力可减小，并且还可减小缓冲层和相邻层之间的边界中的应力的不平衡。
下表1列出了根据缓冲层的杨氏模量的最大应力。在表1中，归一化的最大应力可指通过以下方式获得的值：相应的最大应力除以在与最大应力对应的位置中未设置缓冲层的示例中的最大应力。当介电层包括钛酸钡(BaTiO3)陶瓷材料时测量表1中的值，并且钛酸钡陶瓷材料的杨氏模量可以是135GPa。
[表1]
参照表1，杨氏模量为100GPa的缓冲层的杨氏模量可低于钛酸钡的杨氏模量，但是其归一化的最大应力可高于1。由于杨氏模量为50GPa的缓冲层的杨氏模量可显著低于钛酸钡的杨氏模量，因此归一化的最大应力可低于1。
因此，示例实施例中的缓冲层的杨氏模量可大于介电层的杨氏模量的0倍并且小于等于介电层的杨氏模量的
倍(例如，约为0.37倍)，或者示例实施例中的缓冲层的杨氏模量可小于等于50GPa，从而减小总内应力并减小缓冲层和相邻层之间的边界中的应力的不平衡，因此，可减少由于内应力引起的裂纹或者可改善耐受电压特性。例如，缓冲层的杨氏模量可以是介电层的杨氏模量的/>
倍、/>
倍和/>
倍。
例如，缓冲层可包括环氧树脂、聚酰亚胺和味之素积层膜(Ajinomoto Build-upFilm，ABF)中的至少一种。环氧树脂的杨氏模量可以是3.8GPa，其可显著低于钛酸钡的杨氏模量，并且归一化的最大应力可以是0.56。具有高柔性的聚酰亚胺和ABF的杨氏模量可显著低于钛酸钡的杨氏模量。缓冲层的材料可通过能量色散X射线光谱(EDS)分析来确认。
如下将更详细地描述EDS分析。可对通过沿X-Z平面(例如，L-T平面或W-T平面)切割或研磨多层电容器样品的主体110而暴露的包括中心的截面表面进行预处理(例如，固定样品并用具有低电导率的材料涂覆)，并且可将电子束扫描到预处理的样品中。在这种情况下，样品的每个部分可在根据电子束从激发态稳定的同时发射X射线，并且X射线的能量值可根据样品的每个部分的材料而变化。因此，收集器可收集X射线，并且计算系统可通过分析X射线的能量值是否落在特定数值范围内来识别样品的每个部分的材料，并且可基于材料确定对应部分的杨氏模量。在一些实施例中，介电层和缓冲层的杨氏模量可通过纳米压痕方法测量。在一些实施例中，可根据拉伸测试对由构成介电层的材料生产的主体的杨氏模量和由构成缓冲层的材料生产的主体的杨氏模量进行应力-应变测量。
返回参照图2、图3A、图4和图5，至少一个第一内电极121的数量可以是两个或更多个，至少一个第二内电极122的数量可以是两个或更多个，至少一个介电层111的数量可以是两个或更多个，至少一个第一内电极121中的一部分可设置在缓冲层140上，至少一个第一内电极121中的另一部分可设置在缓冲层140下方，至少一个第二内电极122中的一部分可设置在缓冲层140上，至少一个第二内电极122中的另一部分可设置在缓冲层140下方，至少一个介电层111中的一部分可设置在缓冲层140上，并且至少一个介电层111中的另一部分可设置在缓冲层140下方。
因此，缓冲层140可有效地吸收设置在缓冲层140上的介电层的内应力和设置在缓冲层140下方的介电层的内应力。
至少一个介电层111的内应力可具有垂直(T方向)矢量分量和水平矢量分量，水平矢量分量彼此叠加的比率可高于在同一方向上的垂直矢量分量彼此叠加的比率，并且主体110可类似于从中心在T方向上的对称结构，使得主体110中具有最大内应力的区域可包括主体110的中心。
因此，缓冲层140可设置在包括主体110的中心的区域中，使得缓冲层140可有效地吸收主体110的内应力。
由于缓冲层140的应力吸收性能可随着缓冲层140的体积增加而增加，因此缓冲层140可通过具有比至少一个介电层111中的每个的厚度大的厚度来吸收更多的应力。多层电容器100的内应力可随着施加电压的增加而增加，并且缓冲层140可通过具有比至少一个介电层111中的每个的厚度大的厚度来有效地吸收由施加高电压引起的大的内应力，并且多层电容器100的耐受电压可增加。
例如，由于缓冲层140的厚度可与缓冲层140的层数成比例，因此可通过调节缓冲层140的层数来调节厚度。这里，一层缓冲层140的厚度可与至少一个介电层111中的单个介电层111的厚度相同。可选地，缓冲层140可实现为具有相对较大厚度的单层。缓冲层140的厚度可通过使用透射电子显微镜(TEM)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、光学显微镜和表面轮廓仪中的至少一种进行分析来测量，并且可通过以下方式来测量：在通过沿X-Z平面(例如，L-T平面)切割或研磨主体110而暴露的包括中心的截面表面上，沿X方向在不同位置处获取缓冲层140在Z方向上的长度，并对不同位置处的缓冲层140在Z方向上的长度求平均值。
例如，缓冲层140可预先层叠，并且可在烧制至少一个介电层111时同时烧制。可选地，缓冲层140可在比至少一个介电层111的烧制温度低的温度下预先烧制，并且可层叠在至少一个介电层111上，并且主体110可通过在层叠缓冲层140的同时在固化温度下压制来形成。
图3B是示出根据本公开的示例实施例的多个虚设电极设置在多层电容器的缓冲层中的结构的立体图。
参照图3B，示例实施例中的多层电容器100b的缓冲层140b可包括第一虚设电极141和第二虚设电极142，并且可具有区域143，区域143包括第一虚设电极141和第二虚设电极142之间的中心。
第一虚设电极141和第二虚设电极142可分别连接到第一外电极131和第二外电极132，并且在缓冲层140b中在第一方向(例如，T方向)上彼此不叠置。因此，第一虚设电极141和第二虚设电极142可基本上不形成电容，并且可降低至少一个第一内电极121、至少一个第二内电极122和至少一个介电层111的分层的可能性，并且可改善主体110的结构稳定性，从而提高耐受电压。
根据上述示例实施例，多层电容器可减少由内应力引起的裂纹或者可提高耐受电压特性。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，可进行修改和变型。
Claims (17)
1.一种多层电容器，包括：
主体，包括电容区域，在所述电容区域中，至少一个第一内电极和至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极，
其中，所述主体还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述电容区域中并且所述缓冲层的杨氏模量大于所述至少一个介电层的杨氏模量的0倍且小于等于所述至少一个介电层的杨氏模量的
倍。
2.根据权利要求1所述的多层电容器，
其中，所述至少一个第一内电极是多个第一内电极，
其中，所述至少一个第二内电极是多个第二内电极，
其中，所述至少一个介电层是多个介电层，并且
其中，所述缓冲层位于所述多个第一内电极之间、所述多个第二内电极之间以及所述多个介电层之间。
3.根据权利要求2所述的多层电容器，其中，所述缓冲层设置在包括所述主体的中心的区域中。
4.根据权利要求2所述的多层电容器，其中，所述缓冲层的厚度大于所述多个介电层中的每个介电层的厚度。
5.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述缓冲层包括第一虚设电极和第二虚设电极，所述第一虚设电极和所述第二虚设电极分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极并且在所述第一方向上彼此不叠置。
6.根据权利要求1所述的多层电容器，其中，所述缓冲层包括环氧树脂、聚酰亚胺和味之素积层膜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的多层电容器，
其中，所述至少一个介电层包括钛酸钡陶瓷材料，并且
其中，所述缓冲层的杨氏模量小于等于50GPa。
8.一种多层电容器，包括：
主体，包括电容区域，在所述电容区域中，至少一个第一内电极和至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间；以及
第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极，
其中，所述主体还包括缓冲层，所述缓冲层设置在所述电容区域中并且所述缓冲层的杨氏模量小于等于50GPa。
9.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述缓冲层设置在包括所述主体的中心的区域中。
10.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述缓冲层的厚度大于所述至少一个介电层中的每个介电层的厚度。
11.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述缓冲层包括第一虚设电极和第二虚设电极，所述第一虚设电极和所述第二虚设电极分别连接到所述第一外电极和所述第二外电极并且在所述第一方向上彼此不叠置。
12.根据权利要求8所述的多层电容器，其中，所述缓冲层包括环氧树脂、聚酰亚胺和味之素积层膜中的至少一种。
13.一种多层电容器，包括：
主体，包括至少一个第一内电极和至少一个第二内电极以及缓冲层，所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠并且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间，并且所述缓冲层设置在所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间，所述缓冲层包括环氧树脂、聚酰亚胺和味之素积层膜中的至少一种；以及
第一外电极和第二外电极，彼此间隔开并且设置在所述主体上以分别连接到所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极。
14.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述缓冲层的杨氏模量低于所述至少一个介电层的杨氏模量。
15.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述缓冲层的杨氏模量大于所述至少一个介电层的杨氏模量的0倍且小于等于所述至少一个介电层的杨氏模量的
倍。
16.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述缓冲层的杨氏模量小于等于50GPa。
17.根据权利要求13所述的多层电容器，其中，所述缓冲层由环氧树脂、聚酰亚胺和味之素积层膜中的至少一种组成。
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