CN116261781A - 多孔塞接合 - Google Patents

多孔塞接合 Download PDF

Info

Publication number
CN116261781A
CN116261781A CN202280006270.6A CN202280006270A CN116261781A CN 116261781 A CN116261781 A CN 116261781A CN 202280006270 A CN202280006270 A CN 202280006270A CN 116261781 A CN116261781 A CN 116261781A
Authority
CN
China
Prior art keywords
porous plug
cavity
sealing layer
coating
fluoroelastomer composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202280006270.6A
Other languages
English (en)
Inventor
V·D·帕科
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN116261781A publication Critical patent/CN116261781A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C65/00Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor
    • B29C65/48Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor using adhesives, i.e. using supplementary joining material; solvent bonding
    • B29C65/4805Joining or sealing of preformed parts, e.g. welding of plastics materials; Apparatus therefor using adhesives, i.e. using supplementary joining material; solvent bonding characterised by the type of adhesives
    • B29C65/483Reactive adhesives, e.g. chemically curing adhesives
    • B29C65/4835Heat curing adhesives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C66/00General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts
    • B29C66/70General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material
    • B29C66/72General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the structure of the material of the parts to be joined
    • B29C66/727General aspects of processes or apparatus for joining preformed parts characterised by the composition, physical properties or the structure of the material of the parts to be joined; Joining with non-plastics material characterised by the structure of the material of the parts to be joined being porous, e.g. foam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本文所述的实施例大体上涉及用于基板支撑基座的具有密封层的多孔塞及其形成方法。在一个或多个实施例中,可以通过将含氟弹性体组成物施加到多孔塞和静电吸盘的空腔的壁中的至少一者来原位形成密封层。可以原位固化含氟弹性体组成物以在多孔塞与空腔的壁之间形成密封层。多孔塞定位在空腔内,以控制通过气流通道的气流。密封层邻近多孔塞定位,并且能够形成以下各者中的至少一者:在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封以及在多孔塞与冷却基部之间形成轴向密封。

Description

多孔塞接合
背景技术
技术领域
本文所描述的实现方式大体上涉及基板支撑基座,并且更具体地涉及具有接合的多孔塞的基板支撑基座以及将多孔塞与基板支撑基座接合的方法。
相关技术说明
基板支撑基座被广泛用于在处理期间在半导体处理系统内支撑基板。一种特定类型的基板支撑基座包括安装在冷却基部上的陶瓷静电吸盘。静电吸盘通常在处理期间将基板保持在静止位置。静电吸盘包含在陶瓷体内的一个或多个嵌入式电极。当在电极与设置在陶瓷体上的基板之间施加电势时,生成静电吸引力,所述静电吸引力将基板固持抵靠陶瓷体的支撑表面。由于基板和电极之间的电势差,或者在由具有相对低电阻率的半导体材料构成的陶瓷体的情况下,所生成的力可能具有电容效应,这允许陶瓷体内的电荷迁移到接近基板的表面(Johnsen-Rahbeck效应)。利用电容和Johnsen-Rahbeck吸引力的静电吸盘可从多个来源商购获得。
为了在处理期间控制基板温度,在陶瓷体的支撑表面与基板之间提供背部气体。通常,背部气体填充陶瓷体和基板之间的间隙区域,从而提供提高基板与基板支撑件之间的传热速率的传热介质。
接合层将静电吸盘固定到冷却基部。接合层易受通过接合层的处理气体的侵蚀。此外,被侵蚀的接合层可被点燃、带电(energized)或以其他方式促进在背部气体通路的穿过暴露于接合层的基板支撑基座的部分中产生电弧。至少由于三个原因,接合层的侵蚀是有问题的。第一,自接合层侵蚀的材料是一种处理污染物,其会产生缺陷并降低产品产量。第二,随着背部气体通过的接合层中的孔尺寸增大,静电吸盘与冷却基部之间的局部传热速率会随着接合材料被间隙替换而发生变化,从而产生不必要的温度不均匀性和工艺漂移。第三,被侵蚀的接合层可以提供从基板到接地电势沿着侧壁的路径。
因此,需要改良的基板支撑基座及其制造方法。
发明内容
本文所描述的实现方式一般是关于基板支撑基座,且更具体地是关于具有接合的多孔塞的基板支撑基座以及将多孔塞与基板支撑基座接合的方法。
在一个方面中,提供了一种制造吸盘主体的方法。方法包括:用包含含氟弹性体(fluoroelastomer)组成物的涂层来涂覆多孔塞。方法进一步包括:将具有在其上形成涂层的多孔塞插入形成在吸盘主体中的壁所界定的空腔中。方法进一步包括:固化涂层以在多孔塞和空腔的壁之间形成密封层。
实现方式可包括以下各者中的一者或多者。涂层具有约25微米至约1,000微米的厚度。在插入多孔塞之前,部分地固化涂层以在多孔塞上形成部分固化的含氟弹性体层。密封层在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封。密封层进一步在多孔塞与接合到吸盘主体的冷却基部之间形成轴向密封。密封层进一步在多孔塞的顶表面与空腔的第二壁之间形成轴向密封。多孔塞具有圆柱形或T形。含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
在另一个方面中,提供了一种制造吸盘主体的方法。方法包括:用包含含氟弹性体组成物的涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁。方法进一步包括:将多孔塞插入空腔中。方法进一步包括:固化涂层以在多孔塞与空腔的壁之间形成密封层。
实现方式可包括以下各者中的一者或多者。涂层具有约25微米至约1,000微米的厚度。在插入多孔塞之前,部分地固化涂层以在空腔的壁上形成部分固化的含氟弹性体层。密封层在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封。密封层进一步在多孔塞与接合到吸盘主体的冷却基部之间形成轴向密封。密封层进一步在多孔塞的顶表面与空腔的第二壁之间形成轴向密封。多孔塞具有圆柱形或T形。含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
在又另一个方面中,提供了一种制造吸盘主体的方法。方法包括:用包含含氟弹性体组成物的第一涂层来涂覆多孔塞。方法进一步包括:用包含含氟弹性体组成物的第二涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁。方法进一步包括:将具有在其上形成第一涂层的多孔塞插入具有在其上形成第二涂层的空腔中。方法进一步包括:固化第一涂层与第二涂层以在多孔塞与空腔的壁之间形成密封层。
实现方式可包括以下各者中的一者或多者。在插入多孔塞之前,部分地固化第一涂层和第二涂层中的至少一者,以在多孔塞和空腔的壁中的至少一者上形成部分固化的含氟弹性体层。第一涂层和第二涂层中的至少一者具有约25微米至约1,000微米的厚度。密封层在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封。密封层进一步在多孔塞与接合到吸盘主体的冷却基部之间形成轴向密封。密封层进一步在多孔塞的顶表面与空腔的第二壁之间形成轴向密封。多孔塞具有圆柱形或T形。含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
在另一个方面中,提供了一种制造吸盘主体的方法。方法包括:用包含含氟弹性体组成物的涂层来涂覆多孔塞。方法进一步包括:固化涂层以在多孔塞上形成密封层。方法进一步包括:将其上形成有密封层的多孔塞插入具有壁的吸盘主体的空腔中,其中密封层压缩以在空腔的壁与多孔塞之间形成密封。
实现方式可包括以下各者中的一者或多者。涂层具有约25微米至约1,000微米的厚度。密封层在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封。密封层进一步在多孔塞与接合到吸盘主体的冷却基部之间形成轴向密封。密封层进一步在多孔塞的顶表面与空腔的第二壁之间形成轴向密封。多孔塞具有圆柱形或T形。含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
在又另一个方面中,提供了一种制造吸盘主体的方法。方法包括:用包含含氟弹性体组成物的第一涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁。方法进一步包括:固化涂层以在空腔的壁上形成密封层。方法进一步包括:将多孔塞插入具有在其上形成密封层的空腔中,其中密封层压缩以在空腔的壁与多孔塞之间形成密封。
实现方式可以包括以下潜在优点中的一者或多者。涂层具有约25微米至约1,000微米的厚度。密封层在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封。密封层进一步在多孔塞与接合到吸盘主体的冷却基部之间形成轴向密封。密封层进一步在多孔塞的顶表面与空腔的第二壁之间形成轴向密封。多孔塞具有圆柱形或T形。含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
在又另一个方面中,提供了一种制造吸盘主体的方法。方法包括:用包含含氟弹性体组成物的第一涂层来涂覆多孔塞。方法进一步包括:部分地固化第一涂层以在多孔塞上形成第一部分固化的密封层。方法进一步包括:用包含含氟弹性体组成物的第二涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁。方法进一步包括:将具有在其上形成第一部分固化的密封层的多孔塞插入具有在其上形成第二涂层的空腔中。方法进一步包括:固化第一部分固化的密封层与第二涂层以在多孔塞与空腔的壁之间形成密封层。
实现方式可以包括以下潜在优点中的一者或多者。第一涂层和第二涂层中的至少一者具有约25微米至约1,000微米的厚度。密封层在多孔塞与空腔的壁之间形成径向密封。密封层进一步在多孔塞与接合到吸盘主体的冷却基部之间形成轴向密封。密封层进一步在多孔塞的顶表面与空腔的第二壁之间形成轴向密封。多孔塞具有圆柱形或T形。含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
在又另一方面中,一种非瞬态计算机可读介质,具有存储在其上的指令,当处理器执行指令时,指令使处理执行设备和/或方法的操作。
附图说明
为了详细理解本公开的上述特征,可以通过参考实现方式(其中一些在附图中示出)对上文简要概括的本公开进行更具体描述。然而,应注意的是,附图仅图示本公开的典型实现方式,且因此不应认为是对其范围的限制,因为本公开可允许其他同等有效的实现方式。
图1是根据本公开的一个或多个实现方式的包括具有接合的多孔塞的基板支撑基座的处理腔室的示意图。
图2是根据本公开的一个或多个实现方式的具有接合的多孔塞的基板支撑基座的局部截面图。
图3是根据本公开的一个或多个实现方式的具有接合的多孔塞的基板支撑基座的局部截面图。
图4是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的一个示例的流程图。
图5是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的另一示例的流程图。
图6是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的又另一示例的流程图。
图7是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的又另一示例的流程图。
图8是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法的又另一示例的流程图。
图9A至图9C描绘了根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的示意性截面图。
为便于理解,在可能的情况下,使用相同的附图标记表示附图中相同的要素。可以构想,一个实现方式中的要素与特征可有利地用于其他实现方式中而无需进一步论述。
具体实施方式
以下公开描述了接合的多孔塞和形成接合的多孔塞的方法。在以下实现方式和图1-图9C中阐述了某些细节,以提供对本公开的各种实现方式的完整理解。在下面的公开中没有阐述描述通常与接合的多孔塞形成和弹性体聚合物相关联的常规结构和系统的其他细节,以避免不必要地混淆各种实现方式的说明。此外,本说明书所述的设备说明是示例性的,不应被理解或解释为限制本说明书所述实现方式的范围。
附图中所示的许多细节、尺寸、角度和其他特征仅是说明性的特定实现方式。因此,在不背离本公开的精神或范围的情况下,其他实现方式可以具有其他细节、部件、尺寸、角度和特征。此外,可以在没有以下所述的若干细节的情况下,实践本公开的其他实现方式。
多孔塞与静电吸盘一起使用,以允许背部气体到达并冷却位于静电吸盘上的基板,同时防止处理气体向下流过静电吸盘。将多孔塞接合到静电吸盘的一种方法包括使用硅树脂(silicone)将多孔塞接合到静电吸盘。然而,使用硅树脂的一个潜在问题是它与来自氟处理气体中的氟形成化学键(bond)。这个氟可能经由受氟污染的接合层使得从基板到接地不期望的产生电弧。因此,具有减少或防止不期望的电弧的用于多孔塞的接合材料和接合多孔塞的方法是有利的。
本案讨论的系统和方法采用具有冷却基部和静电吸盘的基板支撑基座,所述冷却基部和所述静电吸盘经由接合层接合在一起。多孔塞定位在气流通路中,所述气流通路形成在冷却基部和静电吸盘中。使用由含氟弹性体组成物形成的密封层将多孔塞接合到静电吸盘。密封层与多孔塞的结合保护接合层免受基板处理期间中使用的处理气体的影响。有利地,以下实现方式讨论用于将多孔塞固定在气流通道内以通过利用密封层来防止接合层降解的改良技术,所述密封层基本防止气体在多孔塞周围流动。另外,所述密封层由耐氟材料构成。这是对用于将多孔塞接合到静电吸盘的硅树脂材料的改良。这些硅树脂材料容易受到来自处理气体的氟污染,这会经由受氟污染的硅树脂材料使得从半导体基板到接地产生电弧。此外,含氟弹性体组成物可以用作为粘滞性调节液体。此外,由含氟弹性体组成物形成的密封层可以承受比硅树脂组成物更高的温度。
如本文所用的“含氟弹性体组成物(fluoroelastomer composition)”是指包含可固化含氟聚合物的聚合性组成物。含氟聚合物可通过聚合两种或更多种单体来形成,优选地其中一种是氟化或全氟化的,且其中至少一种是固化位点单体(cure site monomer)(例如至少一种含氟聚合物固化位点单体)以允许固化。如本文所述的含氟弹性体组成物可包括能够经固化以形成含氟弹性体或全氟弹性体的任何合适的(多种)可固化的含氟弹性体含氟聚合物(FKM)或全氟弹性体含氟聚合物(FFKM),以及如本文所述的一种或多种固化剂。
如本文所用的全氟弹性体(perfluoroelastomer)可以是通过固化具有至少一个交联基团以允许由至少一个固化位点单体提供的固化的全氟聚合物(如本文所定义)而衍生的任何实质固化的弹性体材料。如本文所用的全氟聚合物(perfluoropolymer)相对于全氟聚合物主链上的碳原子是实质氟化的,且优选地是完全氟化的。应当理解的是,由于在某些类型的全氟弹性体配方中的官能交联基团中使用氢,一些残余氢可能存在于交联内的全氟弹性体中。
如本文所用的含氟弹性体组成物和全氟弹性体组成物(也称为碳氟弹性体)可以是固化的或未固化的(可固化的)。当用术语“未固化的(uncured)”或“可固化的(curable)”修饰时,含氟弹性体或全氟弹性体组成物是指含有含氟聚合物或全氟聚合物的组成物,但其中此类交联尚未实质发生,因此所述材料尚不适合预期应用。
本文所述的含氟弹性体组成物可包含如下文详细描述的各种排列的几种不同成分,如一种或多种含氟聚合物、具有各种固化位点中的一种或多种的全氟聚合物、固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和许多其他可选的填料和添加物。
在一些实现方式中,可固化弹性体全氟聚合物可以包括各种全氟共聚物中的两种或更多种,其中至少一种是含氟烯是未饱和式单体,例如四氟乙烯(TFE)、全氟烯烃(如六氟丙烯(HFP))和全氟烷基乙烯基醚(PAVE),其包括直链或支链的烷基并包括一个或多个醚键,如全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)、全氟(丙基乙烯基醚)和类似化合物。PAVE的合适示例包括全氟(甲基乙烯基)醚(PMVE)和全氟(丙基乙烯基)醚(PPVE)。在一个示例中,PAVE具有化学式CF2=CFO(CF2CFXO)nRf,其中X是F或CF3,n是0-5,且Rf是1-6个碳原子的全氟烷基。合适的全氟聚合物可以是满足工业上接受的在ASTM D-1418中列为FFKM的全氟弹性体定义的那些,且可以是TFE、PAVE的三元聚合物或四元聚合物,并且具有一个全氟固化位点单体,所述全氟固化位点单体结合官能团以允许三元聚合物的交联,其中至少一个是能够被本公开实践中使用的固化系统所固化的固化位点。这些单体可以与促进交联的共聚单体一起使用。也可以使用小浓度的未全氟化的单体。通常,使用这种单体以获得所需的交联特性并且可以以高达约3莫耳%的浓度存在。此类单体的示例包括溴四氟丁烯、溴三氟乙烯、偏二氟乙烯和包含腈基的单体。
在其未固化或可固化状态下,本公开的含氟弹性体组成物可以包括至少一种固化剂,其对应于(例如,能够促进其交联)存在于含氟聚合物上的至少一个固化位点单体之一。可使用任何固化剂或固化剂的组合。例如,可以使用可过氧化物固化的系统或可氰基固化的系统,这取决于最终产品和含氟弹性体组成物所需的物理特性。不管采用何种固化系统或系统组合,含氟聚合物可包含至少一个固化位点单体,尽管可能需要适当地存在约2至约20个固化位点(相同或不同的)。固化剂可以以提供充分固化所需的量存在。
含氟弹性体组成物可包含丙烯酸酯化合物,例如本领域已知或已开发的包括一个或多个丙烯酸酯官能团的任何化合物。丙烯酸酯化合物可以是金属丙烯酸酯或不同丙烯酸酯化合物和/或金属丙烯酸酯的组合。示例可包括二丙烯酸酯、丙烯酸酯、二甲基丙烯酸酯、三丙烯酸酯和/或四丙烯酸酯化合物。更具体地,合适的示例可包括锌或铜的二丙烯酸酯和丙烯酸酯。已知此类化合物可从例如美国宾夕法尼亚州埃克斯顿的沙多玛(Sartomer)商购获得(商品名,例如
Figure BDA0004113763320000091
SR633和/>
Figure BDA0004113763320000092
SR634)。还包括全氟弹性体、含氟弹性体、弹性体或其他在其结构中结合丙烯酸酯基团的树脂。
含氟弹性体组成物还可包含一种或多种附加添加物,如填料、塑化剂、聚合物掺合物和着色剂。如果需要,其他添加物可包括例如炭黑、玻璃纤维、玻璃球、硅酸盐、纤维玻璃、硫酸钙、石棉、硼纤维、陶瓷纤维、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸钙、氟石墨、碳酸镁、氧化铝、氮化铝、硼砂、珍珠岩、对苯二甲酸锌、碳化硅片、硅灰石、对苯二甲酸钙、富勒烯管、锂蒙脱石、滑石、云母、碳纳米管和碳化硅晶须。
上述含氟弹性体组成物可以以任何比例、比率或排列包含上述各种成分中的任一种或全部。本领域技术人员将认识到,这些成分和相对比率可根据最终产品的所需特性而改变和变化,而这又由接合部件将用于其中的应用来得知。
一旦固化,含氟弹性体组成物形成密封层,所述密封层还将多孔塞与静电吸盘接合。
在本公开的一些实现方式中,通过使可固化的全氟弹性体组成物(如本文所述)与多孔塞和/或静电吸盘接触以及经由任何本领域已知或已开发的固化工艺将其固化,来将含氟弹性体组成物接合到多孔塞和/或静电吸盘。在本公开的一些实现方式中,通过使可固化的全氟弹性体组成物与多孔塞和/或静电吸盘接触以及部分地固化或半固化(semi-curing)(如可发生某些交联,但不针对期望的范围),来将含氟弹性体组成物接合到多孔塞和/或静电吸盘。可以将涂覆有半固化的含氟弹性体组成物的多孔塞和/或静电吸盘与另一惰性基板接触并原位固化,以在多孔塞与静电吸盘之间形成最终的含氟弹性体密封层。
任何方法中的固化或部分固化(如半固化)可通过本领域已知的或将要开发的任何方法来完成,其包括热固化、通过施加高能量的固化、热固化、加压固化、蒸汽固化、压力固化、电子束固化或通过以上各者的任何组合固化。如果需要,也可施加固化后处置(Post-cure treatment)。
在一些实现方式中,含氟弹性体组成物作为胶体应用。如本文所用的“糊剂(paste)”是指粘滞性为约1厘泊(cP)至约10,000cP的非均相组成物。“异质组成物”是指具有多于一种赋形剂或成份的组成物。如本文所用的“糊剂(paste)”还可以指凝胶、乳膏、胶水、接合剂和任何其他粘性液体或半固体。在一些实现方式中,与本公开一起使用的糊剂具有可调节的粘滞性和/或可通过一个或多个外部条件控制的粘滞性。
在一些实现方式中,含氟弹性体组成物为具有约1cP至约10,000cP粘滞性的糊剂形式。在一些实现方式中,含氟弹性体组成物是具有约1cP、约2cP、约5cP、约10cP、约15cP、约20cP、约25cP、约30cP、约40cP、约50cP、约60cP、约75cP、约100cP、约125cP、约150cP、约175cP、约200cP、约250cP、约300cP、约400cP、约500cP、约750cP、约1,000cP、约1,250cP、约1,500cP或约2,000cP的最小粘滞性的糊剂形式。在一些实现方式中,含氟弹性体组成物为具有约10,000cP、约9,500cP、约9,000cP、约8,500cP、约8,000cP、约7,500cP、约7,000cP、约6,500cP、约6,000cP、约5,500cP、约5,000cP、约4,000cP、约3,000cP、约2,000cP、约1,000cP、约500cP、约250cP、约100cP或约50cP的最大粘滞性的糊剂形式。
在一些实现方式中,含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP、约50cP至约4,000cP、约50cP至约3,000cP、约50cP至约2,000cP、约50cP至约1,000cP、约80cP至约500cP、约80cP至约450cP、约80cP至约400cP、约80cP至约300cP、约80cP至约250cP、约80cP至约200cP、约80cP至约150cP、约100cP至约1,000cP、约100cP至约900cP、约100cP至约800cP、约100cP至约700cP、约100cP至约600cP、约100cP至约500cP、约100cP至约400cP、约100cP至约300cP、约100cP至约250cP、约200cP至约500cP、约200cP至约400cP、约250cP至约500cP、约300cP至约500cP、或约400cP至约500cP的粘滞性的糊剂形式。
通常,控制含氟弹性体组成物的粘滞性。在一些实现方式中,含氟弹性体组成物的粘滞性基于在多孔塞中形成的孔隙的孔隙尺寸作调整。例如,调整含氟弹性体组成物的粘滞性以使含氟弹性体组成物涂覆多孔塞202的表面但不填充多孔塞202的内部孔隙。可以控制含氟弹性体组成物粘滞性的参数包括但不限于共聚物的平均长度、分子量和/或交联度;以及溶剂的存在和溶剂的浓度;增稠剂(即粘滞性调节成份)的存在和增稠剂的浓度;糊剂中存在的成份的颗粒尺寸;糊剂中存在的成份的自由体积(即孔隙率);糊剂中存在的成份的膨润度;糊剂中存在的带相反电荷和/或部分带电物质之间的离子相互作用(如溶剂-增稠剂相互作用);或以上各者的组合。
在需要调整含氟弹性体组成物的粘滞性的一些实现方式中,含氟弹性体组成物进一步包括溶剂和增稠剂中的至少一者。在一些实现方式中,可以选择溶剂和增稠剂的组合来调整糊剂的粘滞性。
适用于本公开的含氟弹性体组成物的增稠剂包括但不限于羧烷基纤维素衍生物的金属盐(如羧甲基纤维素钠)、烷基纤维素衍生物(如甲基纤维素和乙基纤维素)、部分氧化的烷基纤维素衍生物(如羟乙基纤维素、羟丙基纤维素和羟丙基甲基纤维素)、淀粉、聚丙烯酰胺凝胶、聚-N-乙烯基吡咯烷酮的均聚物、聚(烷基醚)(如聚环氧乙烷和乙二醇氧化物)、琼脂、琼脂糖、黄原胶、明胶、树枝状大分子、胶质二氧化硅及其组合。在一些实现方式中,增稠剂以糊剂按重量计的约0.1%至约50%、约0.5%至约25%、约1%至约20%或约5%至约15%的浓度存在于含氟弹性体组成物中。
在一些实现方式中,含氟弹性体组成物进一步包括溶剂。适用于本公开的含氟弹性体组成物的溶剂包括但不限于水、C1-C8醇(如甲醇、乙醇、丙醇和丁醇)、C6-C12直链、支链和环状烃(如己烷和环己烷)、C6-C14芳基和芳烷基烃(如苯和溶剂)、C3-C10烷基酮(如丙酮)、C3-C10酯类(如乙酸乙酯)、C4-C10烷基醚或其组合。在一些实现方式中,溶剂以按重量计约10%至约99%的浓度存在于糊剂中。在一些实现方式中,溶剂以糊剂按重量计的约99%、约98%、约97%、约95%、约90%、约80%、约70%、约60%、约50%、约40%或约30%的最大浓度存在于含氟弹性体组成物中。在一些实现方式中,溶剂以重量计存在于含氟弹性体组成物的约15%、约20%、约25%、约30%、约40%、约50%、约60%、约70%或约80%的最小浓度中。
在一些实现方式中,为了控制形成的涂层中的孔隙率,在固化之前对应用材料以及所涂覆的元件执行真空脱气。
图1描绘了根据本公开的一个或多个实现方式的包括基板支撑基座110的处理腔室100的示意图。基板支撑基座110包括如本文所述的接合的多孔塞。处理腔室100包括腔室主体102,腔室主体102界定处理空间104。基板支撑基座110定位在处理空间104内。腔室主体102包括顶板106、底壁107和一个或多个腔室壁108。顶板106可由介电材料构成。
基板支撑基座110包括设置在冷却基部114上的静电吸盘112。静电吸盘112包括如图2和图3所示的接合的多孔塞200。多孔塞202根据本文所述的方法接合到静电吸盘。基板支撑基座110大体上由耦接到冷却基部114的轴116而被支撑在处理腔室100的底壁107上方。基板支撑基座110紧固到轴116,使得基板支撑基座110可以从轴116上移除、整修(refurbished)并重新紧固到轴116。轴116密封至(sealed to)冷却基部114,以将设置在其中的各种导管和电导线与处理腔室100内的处理环境隔离。或者,静电吸盘112和冷却基部114可设置在附接到接地板或机架(chassis)的绝缘板上。此外,接地板可以附接到以下各者中的一者或多者:顶板106、底壁107和一个或多个腔室壁108。
静电吸盘112包括支撑表面120,支撑表面120用于支撑基板(例如基板122,如半导体基板)。通过稳定静电吸盘112的温度来控制基板122的温度。例如,背部气体(如氦气或其他气体)可由气源124提供到基板122与静电吸盘112的支撑表面120之间所界定的气室。背部气体用于促进基板122与基板支撑基座110之间的热传递,以在处理期间控制基板122的温度。静电吸盘112可包括一个或多个加热器。例如,加热器可以是电加热器或类似物。静电吸盘112可包括可耦接到电源125的一个或多个电极。
处理腔室100进一步包括至少感应线圈天线段130A和导电线圈天线段130B,两者都位于顶板106的外部。感应线圈天线段130A和导电线圈天线段130B分别耦接到产生RF信号的射频(RF)源132。RF源132通过匹配网络134耦接到感应线圈天线段130A以及耦接到导电线圈天线段130B。基板支撑基座110也耦接到产生RF信号的RF源136。RF源136通过匹配网络138耦接到基板支撑基座110。一个或多个腔室壁108可以是导电的并且连接到电接地140。
使用位于处理腔室100与真空泵144之间的节流阀142控制处理腔室100的处理空间104内的压力。使用位于处理腔室100的一个或多个腔室壁108中的含液体的导管(未示出)来控制一个或多个腔室壁108的表面处的温度。
系统控制器150耦接至处理腔室100的各种部件,以促进对基板处理工艺的控制。系统控制器150包括存储器152、中央处理单元(CPU)154和支持电路(或I/O)156。软件指令可以经编码并存储在用于对CPU下指令的存储器内。系统控制器150可以经由例如系统总线(bus)与处理腔室120的一个或多个部件通信。系统控制器150可读的程序(或计算机指令)确定哪些任务可在基板上执行。在一些方面中,所述程序是系统控制器150可读的软件。尽管所示为单个系统控制器150,但是应当理解,多个系统控制器可以与本案描述的方面一起使用。
在操作中,将基板122放置在基板支撑基座110的支撑表面120上,并且将气态成分从气体面板160通过入口端口162供应到处理腔室100,以在处理腔室100的处理空间104中形成气态混合物。通过将来自RF源132、136的RF功率分别施加到感应线圈天线段130A、导电线圈天线段130B以及施加到基板支撑基座110,使处理空间104中的气态混合物点燃成(ignite)等离子体。此外,化学反应离子从等离子体中释放出来并撞击(strike)基板122;从而从基板的表面去除暴露的材料。
图2是根据本公开的一个或多个实现方式的具有接合的多孔塞200的基板支撑基座110的局部截面图。接合的多孔塞200包括多孔塞202和密封层204。如上所述,基板支撑基座110包括通过接合层210固定到静电吸盘112的冷却基部114。
接合层210包括一种或多种材料,如丙烯酸或硅基粘合剂、环氧树脂、氯丁橡胶基接合剂、光学透明粘合剂(如透明丙烯酸粘合剂)或其他合适的粘合材料。
冷却基部114通常由金属材料制成,如不锈钢、铝、铝合金以及其他合适的材料。此外,冷却基部114包括设置在其中的一个或多个冷却通路212,所述一个或多个冷却通路212使传热流体循环以维持对基板支撑基座110和基板122的热控制。
静电吸盘112的形状通常是圆形的,但是可以替代地包括其他几何形状以容纳非圆形基板。例如,当用于处理显示器玻璃(如用于平板显示器的玻璃)时,静电吸盘112可包括正方形或矩形基板。静电吸盘112通常包括吸盘主体214,吸盘主体214包含一个或多个电极216。电极216由导电材料(如铜、石墨、钨、钼及类似物)组成。电极结构的各种示例包括但不限于一对共面D形电极、共面交指(interdigital)电极、多个同轴环形电极、单数、圆形电极或其他结构。电极216通过设置在基板支撑基座110中的馈通件218耦接到电源125。电源125可用正或负电压驱动电极216。例如,电源125可用约-1000伏特的电压或约2500伏特的电压驱动电极216。或者,可利用其他负电压或其他正电压。
静电吸盘112的吸盘主体214可以由陶瓷材料制成。例如,静电吸盘112的吸盘主体214可由低电阻率的陶瓷材料(如具有在约1xE9至约1xE11 ohm-cm之间的电阻率的材料)制成。低电阻率材料的示例包括陶瓷,如掺杂有氧化钛或氧化铬的氧化铝、掺杂的氧化铝、掺杂的氮化硼及类似物。也可使用电阻率相当的其他材料,例如氮化铝。当将功率施加到电极216时,这种具有相对低电阻率的陶瓷材料通常会促进基板和静电吸盘112之间的Johnsen-Rahbek吸引力。或者,也可使用包括陶瓷材料的吸盘主体214,所述陶瓷材料的电阻率等于或大于1xE11ohms-cm。此外,静电吸盘112的吸盘主体214可由氧化铝制成。氧化铝可以具有高电阻率并以库仑模式(Coulombic mode)使用。
在操作期间,通过驱动电极216所生成的电场通过夹持力(clamping force)将基板122固持在支撑表面120上。
通过气体源124将背部气体(如氦、氮或氩)引入一个或多个气流通道230中,以在基板122被静电吸盘112固持时帮助控制基板122的温度。气流通道230从吸盘主体214的支撑表面120延伸到冷却基部114的底表面232。气流通道230包括形成在静电吸盘112中的多个气体通道234、形成在冷却基部114中的开口236、以及形成在静电吸盘112的吸盘主体214中的空腔240。空腔240由至少一个侧壁242和在吸盘主体214中形成的顶壁244界定。侧壁242具有直径246。空腔240可具有截面积(如直径),其大于至少开口236的截面积。尽管描述为圆柱形,但空腔240可以具有其他合适的形状。此外,虽然在图2中示出了单个气流通路230,但是基板支撑基座110可包括多个气流通道。
多个气体通道234从支撑表面120延伸,穿过吸盘主体214到空腔240的顶壁244,并且界定在静电吸盘112的支撑表面120与空腔240的顶壁244之间。在一些实现方式中,多个气体通道234被替换为单个气体供应导管,所述气体供应导管从支撑表面120延伸穿过吸盘主体214到空腔240的顶壁244。此外,多个气体通道234内的背部气体在静电吸盘112与基板122之间提供传热介质。在操作中,背部气体由气体源124供应,背部气体移动穿过开口236穿过多孔塞202并进入多个气体通道234。此外,每个气流通道230终止于穿过吸盘主体214的支撑表面120形成的对应的多个气体通道234处。
多孔塞202通常设置在气流通道230内(在空腔240内),使得它形成气流通道230的一部分。多孔塞202为加压气体提供路径,以在不同电位的两个表面之间流动。多孔塞202可以具有开放孔结构,这意味着多孔结构中的孔隙相互连接,从而允许流体流过多孔塞202。在一些实现方式中,开放孔结构中超过一半的单元相互连接。例如,多孔塞202为加压气体提供路径,以在静电吸盘112的第一表面与第二表面之间以及在静电吸盘112的第一表面和冷却基部114的第一表面之间流动。此外,多孔塞202包括多个小的通道(passage way)和/或孔隙,与不包括多孔塞202的设计相比,其减少了等离子体在静电吸盘112与冷却基部114之间界定的间隙260中点燃的可能性。多孔塞202通常由陶瓷材料(如氧化铝或氮化铝)构成。或者,多孔塞202可由其他多孔材料构成。此外,多孔塞202可具有约30%至约80%的孔隙率。或者,多孔塞可具有小于30%或大于80%的孔隙率。
多孔塞202可以是任何合适的形状。在一些实现方式中,多孔塞202具有圆柱形形状。其他合适的形状包括T形、锥形和矩形。如图2所示,多孔塞202包括顶表面250、侧壁252和底表面254。侧壁252具有直径256。多孔塞202的侧壁252的直径256小于由空腔240的至少一个侧壁242界定的直径246。顶表面250面向空腔240的顶壁244。多孔塞202的侧壁252面向空腔240的至少一个侧壁242。多孔塞202的底表面254面向间隙260。间隙260由多孔塞的底表面254、接合层210和冷却基部114界定。间隙260形成在接合层210中并且是气体流动通道230的一部分。在一些实现方式中,接合层210进一步延伸到间隙260中。例如,接合层210可以延伸到间隙260中以接触密封层204或密封层204和多孔塞202的底表面254两者。在一些实现方式中,可使用各种技术(如压入配合、滑动配合、间隙配合、钉扎(pinning)和接合等)将多孔塞202定位在空腔240内。例如,多孔塞202可以定位在空腔240内,使得多孔塞202的顶表面250与空腔240的顶壁244接触。
密封层204邻近多孔塞202形成。密封层204在多孔塞202的侧壁252与空腔240的至少一个侧壁242之间形成密封或径向密封。密封层204可在多孔塞202与空腔240之间形成至少径向密封。此外,密封层204将多孔塞202固定在空腔240内。例如,密封层204可耦接到多孔塞202和空腔240的至少一个侧壁242中的至少一者。密封层204可将多孔塞202机械地固定到空腔240的至少一个侧壁242。
如本文所述,密封层204可以是弹性聚合材料(如弹性体)构成。此外,密封构件204可由含氟弹性体材料(如FKM)与全氟弹性体材料(如FFKM)中的一者或多者构成。另外,密封层204可由对处理气体具有耐蚀性的材料构成。例如,在处理气体存在的情况下,耐侵蚀材料不会被侵蚀。附加地或替代地,选择密封层204的材料,使得所述材料不穿透多孔塞202。密封层204可以是O形环、圆柱形垫片或其他环形密封件。此外,密封层204可由实质非粘性的材料构成。密封层204由以液体、糊剂和/或凝胶中的一种应用并且将状态改变成实质固体或凝胶形式的材料形成。
密封层204通常具有足以密封多孔塞的表面和界定空腔240的壁的表面之间的间隙的厚度。在一些实现方式中,密封层204具有约25微米至约2,000微米的厚度。在一些实现方式中,密封层204具有约25微米、约50微米、约100微米、约150微米、约200微米、约250微米、约300微米、约400微米、约500微米、约600微米、约750微米cP、约1000微米、约1,250微米、约1,500微米、约1,750微米、约1,850微米、或约1,950微米的最小厚度。在一些实现方式中,密封层204具有约2,000微米、约1,950微米、约1,850微米、约1,750微米、约1,500微米、约1,250微米、约1,000微米、约750微米、约600微米、约500微米、约400微米、约300微米、约250微米、约200微米、约150微米、约100微米、或约50微米的最大厚度。
接合层210将吸盘主体214固定到冷却基部114。由于通常构成接合层210的材料或多种材料在基板处理期间所使用的处理气体的存在下容易受到侵蚀,因此已经探索了各种保护接合层210免受处理气体影响的方法。有利地,通过采用对处理气体具有高度抗侵蚀性的密封层(如密封层204),可防止处理气体穿过多孔塞202。因此,增加了接合层210的使用寿命。此外,增加了基板支撑基座110的使用寿命。
图3是根据本公开的一个或多个实现方式的具有接合的多孔塞300的基板支撑基座110的部分201的局部截面图。接合的多孔塞300类似于接合的多孔塞200,除了接合的多孔塞300的顶表面250和底表面254中的至少一个部分地涂覆有附加密封层302a、302b(统称为302)。附加密封层302提供针对处理气体的附加保护并且进一步减少了对接合层210的侵蚀。顶部密封层302a形成在空腔240的顶壁244与多孔塞202的顶表面250之间。顶部密封层302a在空腔240的顶壁244与多孔塞202的顶表面250之间形成轴向密封。间隙304由顶部密封层302a界定。间隙304是气体流动通道230的部分并且允许空气流过多孔塞202到达多个气体通道234和基板122的背部。顶部密封层302a可以是垫圈的形状。底部密封层302b形成在多孔塞的底表面254、接合层210与冷却基部114之间。间隙260进一步由底部密封层302b界定。间隙260允许空气到达并流过多孔塞202及到达多个气体通道234和基板122的背部。底部密封层302b可以是垫圈的形状。在一些实现方式中,密封层204、顶部密封层302a和底部密封层302b是分开的(separate)层。在其他实现方式中,密封层204、顶部密封层302a和底部密封层302b形成整体的(integral)层。
图4是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法400的一个示例的流程图。接合的多孔塞包括多孔塞和密封层。密封层可以由含氟弹性体(FKM)、全氟弹性体(FFKM)或它们的组合构成。密封层可以由本文所述的含氟弹性体组成物形成。方法400可以用于产生分别如图2和图3所示的接合的多孔塞200、300。尽管参考图2和图3进行了讨论,但应当理解,方法400可以与其他多孔塞和基板基座设计一起使用。
在操作410处,用含氟弹性体组成物涂覆多孔塞以在多孔塞上形成第一涂层。可以调整含氟弹性体组成物的粘滞性以易于将含氟弹性体组成物施加到多孔塞上。参考图2和图3,可以将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的顶表面250、底表面254和侧壁252中的至少一者上。在一个示例中,含氟弹性体组成物仅施加于侧壁252。在另一个示例中,将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的侧壁252、底表面254和顶表面250。在又另一个示例中,将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的侧壁252以及底表面254或顶表面250二者之一(either)。第一涂层可具有约25微米至约1,000微米的厚度,如约50微米至约100微米。
可选地,在操作420处,涂覆在多孔塞上的含氟弹性体组成物被部分固化或半固化。可以使用任何合适的部分固化或半固化工艺。
在操作430处,用含氟弹性体组成物涂覆吸盘主体的空腔以形成第二涂层。可以调整含氟弹性体组成物的粘滞性以易于将含氟弹性体组成物施加到吸盘主体的空腔。参考图2和图3,可以将含氟弹性体组成物施加到至少一个侧壁242与顶壁244中的至少一者,所述至少一个侧壁242与所述顶壁244界定静电吸盘112的吸盘主体214中形成的空腔240。第二涂层可具有约25微米至约1,000微米的厚度,如约50微米至约100微米。
可选地,在操作440处,涂覆在界定空腔的空腔壁上的含氟弹性体组成物被部分固化或半固化。可以使用任何合适的部分固化或半固化工艺。
在操作45处0,具有沉积在其上的(未固化或部分固化的)含氟弹性体组成物的多孔塞插入具有沉积在界定空腔的壁上的(未固化或部分固化的)含氟弹性体组成物的空腔中,使得涂覆在界定空腔的壁上的含氟弹性体组成物接触涂覆在多孔塞上的含氟弹性体组成物。在一些实现方式中,可使用各种技术(如压入配合、滑动配合、间隙配合、钉扎(pinning)和接合等)将多孔塞202定位在空腔240内。
在操作460处,在多孔塞与界定空腔的壁之间形成的含氟弹性体组成物被固化,以在多孔塞与界定空腔的壁之间形成密封层。
图5是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法500的另一示例的流程图。接合的多孔塞包括多孔塞和密封层。密封层可以由含氟弹性体(FKM)、全氟弹性体(FFKM)或它们的组合构成。密封层可以由本文所述的含氟弹性体组成物形成。方法500可以用于产生分别如图2和图3所示的接合的多孔塞200、300。尽管参考图2和图3进行了讨论,但应当理解,方法500可以与其他多孔塞和基板基座设计一起使用。
在操作510处,用含氟弹性体组成物涂覆多孔塞。可以调整含氟弹性体组成物的粘滞性以易于将含氟弹性体组成物施加到多孔塞上。参考图2和图3,可以将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的顶表面250、底表面254和侧壁252中的至少一者上。在一个示例中,含氟弹性体组成物仅施加到侧壁252。在另一个示例中,将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的侧壁252、底表面254和顶表面250。在又另一个示例中,将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的侧壁252以及底表面254或顶表面250二者之一(either)。
可选地,在操作520处,涂覆在多孔塞上的含氟弹性体组成物被部分固化或半固化。可以使用任何合适的部分固化或半固化工艺。
在操作530处,将具有沉积在其上的(未固化或部分固化的)含氟弹性体组成物的多孔塞插入空腔中,使得涂覆在多孔塞上的含氟弹性体组成物接触界定空腔的壁。在一些实现方式中,可使用各种技术(如压入配合、滑动配合、间隙配合、钉扎(pinning)和接合等)将多孔塞202定位在空腔240内。
在操作540处,在多孔塞与界定空腔的壁之间形成的含氟弹性体组成物被固化,以在多孔塞与界定空腔的壁之间形成密封层。
图6是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法600的又另一示例的流程图。接合的多孔塞包括多孔塞和密封层。密封层可以由含氟弹性体(FKM)、全氟弹性体(FFKM)或它们的组合构成。密封层可以由本文所述的含氟弹性体组成物形成。方法600可以用于产生分别如图2和图3所示的接合的多孔塞200、300。尽管参考图2和图3进行了讨论,但应当理解,方法500可以与其他多孔塞和基板基座设计一起使用。
在操作610处,用含氟弹性体组成物涂覆吸盘主体的空腔壁。可以调整含氟弹性体组成物的粘滞性以易于将含氟弹性体组成物施加到吸盘主体的空腔。参考图2和图3,可以将含氟弹性体组成物施加到至少一个侧壁242和顶壁244中的至少一者,所述至少一个侧壁242和所述顶壁244界定静电吸盘112的吸盘主体214中形成的空腔240。
可选地,在操作620处,涂覆在界定空腔的空腔壁上的含氟弹性体组成物被部分固化或半固化。可以使用任何合适的部分固化或半固化工艺。
在操作630处,将多孔塞插入空腔中,使得多孔塞接触在界定空腔的壁上形成的含氟弹性体组成物。在一些实现方式中,可使用各种技术(如压入配合、滑动配合、间隙配合、钉扎(pinning)和接合等)将多孔塞202定位在空腔240内。
在操作640处,在界定空腔的壁上形成的含氟弹性体组成物被固化,以在多孔塞与界定空腔的壁之间形成密封层。
图7是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法700的又另一示例的流程图。接合的多孔塞包括多孔塞和密封层。密封层可以由含氟弹性体(FKM)、全氟弹性体(FFKM)或它们的组合构成。密封层可以由本文所述的含氟弹性体组成物形成。方法700可以用于产生分别如图2和图3所示的接合的多孔塞200、300。尽管参考图2和图3进行了讨论,但应当理解,方法700可以与其他多孔塞和基板基座设计一起使用。
在操作710处,用含氟弹性体组成物涂覆多孔塞。可以调整含氟弹性体组成物的粘滞性以易于将含氟弹性体组成物施加到多孔塞。参考图2和图3,可以将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的顶表面250、底表面254和侧壁252中的至少一者上。在一个示例中,含氟弹性体组成物仅施加到侧壁252。在另一个示例中,将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的侧壁252、底表面254和顶表面250。在又另一个示例中,将含氟弹性体组成物施加到多孔塞202的侧壁252以及底表面254或顶表面250二者之一(either)。
在操作720处,在多孔塞上形成的含氟弹性体组成物被固化以在多孔塞上形成密封层。在密封层204形成在侧壁252上、并且底部密封层302b形成在底表面254上和顶部密封层302a形成在多孔塞202的顶表面250上中的至少一者的一些示例中,可以去除顶部密封层302a的部分以形成间隙304,以及可以去除底部密封层302b的部分以形成间隙260,从而允许气体流过多孔塞。可以在形成密封层的含氟弹性体组成物半固化和/或固化之前或半固化或固化之后去除顶部密封层302a和底部密封层302b的部分。
在操作730处,将具有在其上形成密封层的多孔塞插入空腔中,使得密封层接触界定空腔的壁。在一些实现方式中,可使用各种技术(如压入配合、滑动配合、间隙配合、钉扎和接合等)将具有密封层的多孔塞202定位在空腔240内。
图8是根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的方法800的又另一示例的流程图。图9A至图9C描绘了根据本公开的一个或多个实现方式的形成具有接合的多孔塞的基板基座的示意截面图。接合的多孔塞包括多孔塞和密封层。密封层可以由含氟弹性体(FKM)、全氟弹性体(FFKM)或它们的组合构成。密封层可以由本文所述的含氟弹性体组成物形成。方法800可以用于产生分别如图2和图3所示的接合的多孔塞200、300。尽管参考图2、图3和图9A-图9C进行了讨论,但应当理解,方法800可以与其他多孔塞和基板基座设计一起使用。
在操作810处,用含氟弹性体组成物904(如本文所述的含氟弹性体组成物)涂覆吸盘主体214的空腔的壁。可以调整含氟弹性体组成物904的粘滞性以易于将含氟弹性体组成物施加到吸盘主体214的空腔240的壁。参考图9,可以将含氟弹性体组成物904施加到至少一个侧壁242和顶壁244中的至少一者,所述至少一个侧壁242与所述顶壁244界定如图9A所示的静电吸盘112的吸盘主体214中形成的空腔240。
可选地,在操作820处,涂覆在界定空腔240的壁上的含氟弹性体组成物904可以被部分固化或完全固化。可以使用任何合适的部分固化或固化工艺。
可选地,在操作830处,可以用如本文先前所述的含氟弹性体组成物904涂覆多孔塞。
可选地,在操作840处,涂覆在多孔塞202上的含氟弹性体组成物904可以被部分固化或完全固化。可以使用任何合适的部分固化或固化工艺。
在操作850处,将多孔塞202插入空腔240中,使得多孔塞202接触在界定空腔240的壁上形成的含氟弹性体组成物904。图9C描绘了图9B的一部分的放大局部截面图。如图9C所示,调整含氟弹性体组成物904的粘滞性,使得含氟弹性体组成物904填充或部分地填充沿多孔塞202的外表面或侧壁定位的表面孔隙910,而基本上不填充多孔塞202的内部孔隙920。含氟弹性体组成物904将多孔塞202接合到空腔240的壁,或通过接合材料的弹性性质将压缩力施加到多孔塞202和/或空腔240的侧壁的各个表面上来固持多孔塞202。
在操作860处,在界定空腔的壁上形成的含氟弹性体组成物904被固化,以在多孔塞202与界定空腔240的壁之间形成密封层(如图2与图3所示的密封层204)。
本文所述的密封构件和多孔塞适用于基板支撑基座,以保护将冷却基部与静电吸盘接合的接合层不受处理气体的影响。有利的是,保护接合层不受处理气体的影响减少了接合层的侵蚀,并在基板上维持基本上均匀的温度。例如,可以使用对处理气体具有抗侵蚀性的密封构件来在静电吸盘的多孔塞之间形成径向密封和/或垂直密封。这种密封构件防止处理气体流入静电吸盘与冷却基部之间的间隙,并减少对接合层的侵蚀。因此,维持了冷却基部与静电吸盘之间的基本上均匀的热传递以及基板上的均匀的温度。
本说明书中描述的实现方式和所有功能性操作可以在数字电子电系统路中或在计算机软件、固件或硬件(包括在本说明书中公开的结构构件及其等效结构、或其组合)中实现。本案描述的实现方式可以作为一个或多个非瞬态计算机程序产品来实现,即,有形地体现在非瞬态计算机可读存储装置中的一个或多个计算机程序,用于由数据处理设备(如可编程处理器、计算机、或多个处理器或计算机)执行或控制数据处理设备的操作。
本说明书中描述的处理和逻辑流程可以由执行一个或多个计算机程序的一个或多个可编程处理器执行以通过在输入数据上操作或生成输出来执行功能。处理和逻辑流也可以由专用逻辑电路(如FPGA(现场可编程门阵列)或ASIC(专用集成电路))执行,且设备也可以作为专用逻辑电路实现。
术语“数据处理设备”涵盖用于处理数据的所有设备、装置和机器,以示例性的方式包括可编程的处理器、计算机或多个处理器或计算机。除了硬件之外,设备还可以包括针对所讨论的计算机程序产生执行环境的程序代码,如构成处理器固件、协议栈、数据库管理系统、操作系统或其中的一者或多者的组合的程序代码。例如,适合于执行计算机程序的处理器包括通用和专用微处理器,以及任何种类的数字计算机的任何一个或多个处理器。
适用于存储计算机程序指令和数据的计算机可读介质包括所有形式的非易失性存储器、介质和存储器装置,包括例如半导体存储器装置(如EPROM、EEPROM和闪存装置);磁盘(如内部硬盘或可拆卸式磁盘);磁光盘;以及CD ROM和DVD-ROM盘。处理器和存储器可以由专用逻辑电路辅助或并入专用逻辑电路中。
本公开的实施例进一步关于以下示例1-20中的任一者或多者:
1.一种制造吸盘主体的方法,包括:用包含含氟弹性体(fluoroelastomer)组成物的涂层来涂覆多孔塞;将具有在其上形成所述涂层的所述多孔塞插入形成在吸盘主体中的空腔中;以及固化所述涂层以在所述多孔塞与所述空腔的壁之间形成密封层。
2.如示例1所述的方法,其中所述涂层具有约25微米至约1,000微米的厚度。
3.如示例1或2所述的方法,进一步包括:在插入所述多孔塞之前,部分地固化所述涂层以在所述多孔塞上形成部分固化的含氟弹性体层。
4.如示例1-3中任一项所述的方法,其中所述密封层在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成径向密封。
5.如示例1-4中任一项所述的方法,其中所述密封层进一步形成以下各者中的至少一者:所述多孔塞与接合到所述吸盘主体的冷却基部之间的第一轴向密封,以及所述多孔塞的顶表面与所述空腔的第二壁之间的第二轴向密封。
6.如示例1-5中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。
7.如示例1-6中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。
8.如示例1-7中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
9.一种制造吸盘主体的方法,包括:用包含含氟弹性体组成物的涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁;将多孔塞插入所述空腔中;以及固化所述涂层以在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成密封层。
10.如示例9所述的方法,进一步包括:在插入所述多孔塞之前,部分地固化所述涂层以在所述空腔的所述壁上形成部分固化的含氟弹性体层。
11.如示例9或10所述的方法,其中所述密封层在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成径向密封。
12.如示例9-11中任一项所述的方法,其中所述密封层进一步形成以下各者中的至少一者:所述多孔塞与接合到所述吸盘主体的冷却基部之间的第一轴向密封,以及所述多孔塞的顶表面与所述空腔的第二壁之间的第二轴向密封。
13.如示例9-12中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。
14.如示例9-13中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。
15.如示例9-14中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
16.一种制造吸盘主体的方法,包括:用包含含氟弹性体组成物的第一涂层来涂覆多孔塞;用包含所述含氟弹性体组成物的第二涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁;将具有在其上形成所述第一涂层的所述多孔塞插入具有在其上形成所述第二涂层的所述空腔中;以及固化所述第一涂层与所述第二涂层以在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成密封层。
17.如示例16所述的方法,进一步包括:在插入所述多孔塞之前,部分地固化所述第一涂层和所述第二涂层中的至少一者,以在所述多孔塞和所述空腔的所述壁中的至少一者上形成部分固化的含氟弹性体层。
18.如示例16或17所述的方法,其中所述密封层在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成径向密封。
19.如示例16-18中任一项所述的方法,其中所述密封层进一步形成以下各者中的至少一者:所述多孔塞与接合到所述吸盘主体的冷却基部之间的第一轴向密封,以及所述多孔塞的顶表面与所述空腔的第二壁之间的第二轴向密封。
20.如示例16-19中任一项所述的方法,其中所述含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式,并且所述含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物且可选地包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
虽然前面所述是针对本公开的实施例,但在不背离本公开的基本范围及以下权利要求范围所确定的范围下,可设计其他与进一步的实施例。本文所述的所有文件均通过引用并入本文,包括与本文不矛盾的任何优先权文件和/或测试程序。从大致描述和具体实施例中可以明显看出,虽然已经说明和描述了本公开的形式,但是可以在不背离本公开的精神和范围的情况下作各种修改。因此,本公开并非旨在受此限制。类似地,就美国法律而言,术语“包括”被认为与术语“包含”同义。类似地,在组成物、要素或要素组前面带有过渡词组“包括”的情况时,应当理解为,考虑到相同的组成物或要素组,具有过渡词组“基本上由……组成”、“由……组成”、“从由……组成的群组中选择”或“是”在所述组成物、元素或多个元素的叙述之前,反的还然。如本文所用,术语“约”是指与标称值相差+/-10%的变化。应当理解,这种变化可以包含在本文提供的任何值中。
已经使用数值最小值集合和数值最大值集合来描述某些实施例和特征。应当理解,除非另有说明,否则包括任意两个值的组合的范围应当考虑为例如任意最小值与任意最大值的组合、任意两个最小值的组合和/或任意两个最大值的组合。某些最小值、最大值和范围出现在以下一项或多项权利要求中。

Claims (20)

1.一种制造吸盘主体的方法,包括:
用包含含氟弹性体(fluoroelastomer)组成物的涂层来涂覆多孔塞;
将具有在其上形成所述涂层的所述多孔塞插入形成在吸盘主体中的空腔中;以及
固化所述涂层以在所述多孔塞与所述空腔的壁之间形成密封层。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述涂层具有约25微米至约1,000微米的厚度。
3.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在插入所述多孔塞之前,部分地固化所述涂层以在所述多孔塞上形成部分固化的含氟弹性体层。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述密封层在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成径向密封。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,所述密封层进一步形成以下各者中的至少一者:所述多孔塞与接合到所述吸盘主体的冷却基部之间的第一轴向密封,以及所述多孔塞的顶表面与所述空腔的第二壁之间的第二轴向密封。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂(thickening agent)、溶剂和填料。
9.一种制造吸盘主体的方法,包括:
用包含含氟弹性体组成物的涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁;
将多孔塞插入所述空腔中;以及
固化所述涂层以在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成密封层。
10.如权利要求9所述的方法,进一步包括:在插入所述多孔塞之前,部分地固化所述涂层以在所述空腔的所述壁上形成部分固化的含氟弹性体层。
11.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述密封层在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成径向密封。
12.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述密封层进一步形成以下各者中的至少一者:所述多孔塞与接合到所述吸盘主体的冷却基部之间的第一轴向密封,以及所述多孔塞的顶表面与所述空腔的第二壁之间的第二轴向密封。
13.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式。
14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物。
15.如权利要求14所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物进一步包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
16.一种制造吸盘主体的方法,包括:
用包含含氟弹性体组成物的第一涂层来涂覆多孔塞;
用包含所述含氟弹性体组成物的第二涂层来涂覆形成在吸盘主体中的空腔的壁;
将具有在其上形成所述第一涂层的所述多孔塞插入具有在其上形成所述第二涂层的所述空腔中;以及
固化所述第一涂层和所述第二涂层以在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成密封层。
17.如权利要求16所述的方法,进一步包括:在插入所述多孔塞之前,部分地固化所述第一涂层和所述第二涂层中的至少一者,以在所述多孔塞和所述空腔的所述壁中的至少一者上形成部分固化的含氟弹性体层。
18.如权利要求16所述的方法,其特征在于,所述密封层在所述多孔塞与所述空腔的所述壁之间形成径向密封。
19.如权利要求18所述的方法,其特征在于,所述密封层进一步形成以下各者中的至少一者:所述多孔塞与接合到所述吸盘主体的冷却基部之间的第一轴向密封,以及所述多孔塞的顶表面与所述空腔的第二壁之间的第二轴向密封。
20.如权利要求18所述的方法,其特征在于,所述含氟弹性体组成物为具有约50cP至约5,000cP的粘滞性的糊剂形式,并且所述含氟弹性体组成物包括至少一种全氟聚合物且可选地包括以下各者中的至少一者:固化剂、粘合促进剂、增稠剂、溶剂和填料。
CN202280006270.6A 2021-02-17 2022-01-06 多孔塞接合 Pending CN116261781A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202163150543P 2021-02-17 2021-02-17
US63/150,543 2021-02-17
PCT/US2022/011413 WO2022177653A1 (en) 2021-02-17 2022-01-06 Porous plug bonding

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116261781A true CN116261781A (zh) 2023-06-13

Family

ID=82800992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202280006270.6A Pending CN116261781A (zh) 2021-02-17 2022-01-06 多孔塞接合

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220258431A1 (zh)
JP (1) JP2023542270A (zh)
KR (1) KR20230026473A (zh)
CN (1) CN116261781A (zh)
WO (1) WO2022177653A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230170241A1 (en) * 2021-11-29 2023-06-01 Applied Materials, Inc. Porous plug for electrostatic chuck gas delivery

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6759129B2 (en) * 2002-04-18 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Adhesion and bonding of multi-layer articles including a fluoropolymer layer
US20120100379A1 (en) * 2010-10-20 2012-04-26 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Fluoroelastomer bonding compositions suitable for high-temperature applications
JP5811513B2 (ja) * 2014-03-27 2015-11-11 Toto株式会社 静電チャック
US9608550B2 (en) * 2015-05-29 2017-03-28 Lam Research Corporation Lightup prevention using multi-layer ceramic fabrication techniques
WO2019009028A1 (ja) * 2017-07-06 2019-01-10 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材及びその製法
KR102394687B1 (ko) * 2017-10-26 2022-05-06 교세라 가부시키가이샤 시료 유지구
CN113853672A (zh) * 2019-05-24 2021-12-28 应用材料公司 具有改良的接合层保护的基板支撑载体

Also Published As

Publication number Publication date
US20220258431A1 (en) 2022-08-18
TW202234556A (zh) 2022-09-01
KR20230026473A (ko) 2023-02-24
WO2022177653A1 (en) 2022-08-25
JP2023542270A (ja) 2023-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104025286B (zh) 用于下电极组件的封边
US6693790B2 (en) Static electricity chuck apparatus and semiconductor producing apparatus provided with the static electricity chuck apparatus
TWI688028B (zh) 下電極組裝用邊緣密封
US11651987B2 (en) Substrate support carrier with improved bond layer protection
US20120100379A1 (en) Fluoroelastomer bonding compositions suitable for high-temperature applications
KR101739926B1 (ko) 에칭 챔버 부품을 위한 충전된 폴리머 조성물
TWI798274B (zh) 交聯性彈性體組成物及氟橡膠成形品
KR20040071726A (ko) 가교성 엘라스토머 조성물 및 이 조성물로 이루어지는성형품
CN116261781A (zh) 多孔塞接合
CN111040528A (zh) 氟树脂水性底涂组合物及制备方法
CN110494598A (zh) 层叠体及其制造方法以及闸门密封件
TW201700545A (zh) 組成物及成形品
TWI840735B (zh) 多孔塞接合
US20240084447A1 (en) Sealing article comprising metal coating, method of making and method of using the same
TWI735769B (zh) 積層體及其製造方法、以及閘密封件
KR20050092736A (ko) 가교성 엘라스토머 조성물 및 이 가교성 엘라스토머조성물을 포함하는 성형품
JP2007170634A (ja) 半導体製造装置用バルブの弁体およびその製造方法
JPH10318373A (ja) 封止材
CN210607176U (zh) 密封机构
JP7270504B2 (ja) エラストマー組成物及びシール材
TW202046439A (zh) 具有粉末塗層的靜電卡盤
KR20170073757A (ko) 플라즈마 처리 장치용 상부 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치
JP5292815B2 (ja) 含フッ素エラストマー組成物
JPS6163030A (ja) プラズマエッチング装置の電極温度制御方法
TW202121647A (zh) 具有釋放靜電功能的冷卻管組件、冷卻裝置和電漿處理設備

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination