CN116260223A - 具有隔离功能的能量存储电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有隔离功能的能量存储电路，其包括电源、第一信号产生模块、芯片以及能量存储模块。电源输出第一电压，第一信号产生模块产生第一信号。基于第一信号，芯片输出第一驱动信号。基于能量存储模块输出的驱动电压，芯片输出第二驱动信号。能量存储模块接收第一驱动信号，基于第一驱动信号，能量存储模块接收并储存第一电压。基于第一驱动信号和第二驱动信号，能量存储模块将第一电压转换为第二电压，能量存储模块储存第二电压。

Description

具有隔离功能的能量存储电路

本申请是申请号为“202111328659.6”，申请日为“2021.11.10”，名称为“MOS管驱动电路”的发明专利的分案申请。

技术领域

本发明涉及电路领域，特别涉及一种驱动电路。

背景技术

在现代社会中，电子装置需要对供电电源进行开关控制。现有的驱动电路常常通过专用芯片对高侧MOS管进行控制，因为专用芯片的成本较高，适用范围较窄，从而现有的驱动电路存在成本较高的技术问题。

故需要提供一种MOS管驱动电路来解决上述技术问题。

发明内容

本发明提供一种MOS管驱动电路，有效解决了现有的驱动电路成本较高的技术问题。

本发明提供一种MOS管驱动电路，其包括：

电源，用于输出第一电压；

第一信号产生模块，用于产生第一信号；

芯片，其接收所述第一信号，基于所述第一信号，其输出所述第一驱动信号，基于能量存储模块输出的驱动电压，所述芯片输出所述第二驱动信号；

所述能量存储模块，其接收所述第一驱动信号，基于所述第一驱动信号，所述能量存储模块接收并储存所述第一电压，基于所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，所述能量存储模块储存所述第二电压；

控制模块，用于输出控制信号；以及，

驱动模块，基于所述控制信号和所述能量存储模块释放的所述第二电压，所述驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极，所述第三驱动信号用于控制所述MOS管组导通与截止，从而MOS管组控制电池组输出电压于负载；

所述芯片包括输入管脚、低侧输出管脚，所述能量存储模块包括第一MOS管和第一电容，所述输入管脚连接所述第一信号产生模块，所述输入管脚用于接收所述第一信号，所述低侧输出管脚连接所述第一MOS管的栅极，所述低侧输出管脚用于输出所述第一驱动信号，所述第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接所述第一电容，所述第一电容连接电源；

当所述低侧输出管脚输出高电平的所述第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收高电平的所述第一驱动信号，所述第一MOS管导通，从而所述第一电容接收并存储所述第一电压；

所述芯片包括高侧输出管脚、高侧浮动绝对电压管脚、高侧浮动偏移电压管脚，所述能量存储模块还包括第二MOS管、第二电容，所述第二MOS管的源极连接所述第一电容，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端与所述第一电容连接，所述第二MOS管的栅极连接所述高侧输出管脚，所述高侧输出管脚用于输出所述第二驱动信号；所述高侧浮动绝对电压管脚连接所述第一电容的一端，所述高侧浮动绝对电压管脚用于接收所述驱动电压；所述高侧浮动偏移电压管脚连接所述第一电容的另一端，所述高侧浮动偏移电压管脚用于隔断所述第一电容与所述第二MOS管的栅极；

当所述低侧输出管脚输出低电平的第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收低电平的第一驱动信号，所述第一MOS管截止；

当所述第一电容输出所述驱动电压时，所述高侧浮动绝对电压管脚接收所述驱动电压，所述高侧输出管脚输出所述第二驱动信号，基于所述第二驱动信号，所述第二MOS管导通，从而所述第一电容输出所述第一电压，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，从而所述第二电容接收并储存所述第二电压；

所述能量存储模块还包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接电源，所述第一二极管的负极连接所述第一电容；所述第二二极管的正极连接第一电容，所述第二二极管的负极连接第二电容；

所述驱动模块包括第一驱动单元和第二驱动单元，所述第二驱动单元包括输入端、输出端、控制端，所述第一驱动单元的一端连接所述控制模块，所述第一驱动单元的另一端来连接所述控制端，所述输入端连接所述第二电容，所述输出端连接所述MOS管组的栅极，用于基于所述控制信号和所述第二电容释放的所述第二电压，所述第二驱动单元输出所述第三驱动信号于所述MOS管组的栅极并对所述第三驱动信号进行电压跟随；

所述第一驱动单元包括第一光耦和第二光耦，所述第二驱动单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述MOS管组包括第三MOS管和第四MOS管，所述第一光耦输入端的正极连接控制模块，所述第一光耦输入端的负极接地，所述第一光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第一光耦输出端的发射极分别连接所述第一三极管、所述第二三极管的基极；

所述第二光耦输入端的正极连接控制模块，所述第二光耦输入端的负极接地，所述第二光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第二光耦输出端的发射极分别连接所述第三三级管、所述第四三极管的基极；

所述第一三极管的集电极连接第二电容，所述第一三极管的发射极分别连接所述第三MOS管的栅极和所述第二三极管的发射极，所述第二三极管的集电极接地，所述第四三极管的集电极连接第二电容，所述第四三极管的发射极连接所述第四MOS管的栅极和所述第三三级管的发射极，所述第三三极管的集电极接地；

所述能量存储模块包括滤波单元，所述滤波单元用于对所述第一电压进行滤波，所述滤波单元包括滤波电容，所述滤波电容的一端连接于所述电源与所述第一二极管的正极之间，所述滤波电容的另一端接地。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，MOS管驱动电路，其包括：

电源，用于输出第一电压；

第一信号产生模块，用于产生第一信号；

芯片，其接收所述第一信号，基于所述第一信号，其输出所述第一驱动信号，基于能量存储模块输出的驱动电压，所述芯片输出所述第二驱动信号；

所述能量存储模块，其接收所述第一驱动信号，基于所述第一驱动信号，所述能量存储模块接收并储存所述第一电压，基于所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，所述能量存储模块储存所述第二电压；

控制模块，用于输出控制信号；以及，

驱动模块，基于所述控制信号和所述能量存储模块释放的所述第二电压，所述驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极，所述第三驱动信号用于控制所述MOS管组导通与截止，从而MOS管组控制电池组输出电压于负载。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，所述芯片包括输入管脚、低侧输出管脚，所述能量存储模块包括第一MOS管和第一电容，所述输入管脚连接所述第一信号产生模块，所述输入管脚用于接收所述第一信号，所述低侧输出管脚连接所述第一MOS管的栅极，所述低侧输出管脚用于输出所述第一驱动信号，所述第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接所述第一电容，所述第一电容连接电源。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，当所述低侧输出管脚输出高电平的所述第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收高电平的所述第一驱动信号，所述第一MOS管导通，从而所述第一电容接收并存储所述第一电压。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，所述芯片包括高侧输出管脚、高侧浮动绝对电压管脚、高侧浮动偏移电压管脚，所述能量存储模块还包括第二MOS管、第二电容，所述第二MOS管的源极连接所述第一电容，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端与所述第一电容连接，所述第二MOS管的栅极连接所述高侧输出管脚，所述高侧输出管脚用于输出所述第二驱动信号；所述高侧浮动绝对电压管脚连接所述第一电容的一端，所述高侧浮动绝对电压管脚用于接收所述驱动电压；所述高侧浮动偏移电压管脚连接所述第一电容的另一端，所述高侧浮动偏移电压管脚用于隔断所述第一电容与所述第二MOS管的栅极。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，当所述低侧输出管脚输出低电平的第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收低电平的第一驱动信号，所述第一MOS管截止；

当所述第一电容输出所述驱动电压时，所述高侧浮动绝对电压管脚接收所述驱动电压，所述高侧输出管脚输出所述第二驱动信号，基于所述第二驱动信号，所述第二MOS管导通，从而所述第一电容输出所述第一电压，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，从而所述第二电容接收并储存所述第二电压。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，所述能量存储模块还包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接电源，所述第一二极管的负极连接所述第一电容；所述第二二极管的正极连接第一电容，所述第二二极管的负极连接第二电容；所述第一二极管用于避免第一电容对所述电源反向充电，所述第二二极管用于避免第二电容对第一电容反向充电。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，所述驱动模块包括第一驱动单元和第二驱动单元，所述第二驱动单元包括输入端、输出端、控制端，所述第一驱动单元的一端连接所述控制模块，所述第一驱动单元的另一端来连接所述控制端，所述输入端连接所述第二电容，所述输出端连接所述MOS管组的栅极，用于基于所述控制信号和所述第二电容释放的所述第二电压，所述第二驱动单元输出所述第三驱动信号于所述MOS管组的栅极并对所述第三驱动信号进行电压跟随。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，所述第一驱动单元包括第一光耦和第二光耦，所述第二驱动单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述MOS管组包括第三MOS管和第四MOS管，所述第一光耦输入端的正极连接控制模块，所述第一光耦输入端的负极接地，所述第一光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第一光耦输出端的发射极分别连接所述第一三极管、所述第二三极管的基极；

所述第二光耦输入端的正极连接控制模块，所述第二光耦输入端的负极接地，所述第二光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第二光耦输出端的发射极分别连接所述第三三级管、所述第四三极管的基极；

所述第一三极管的集电极连接第二电容，所述第一三极管的发射极分别连接所述第三MOS管的栅极和所述第二三极管的发射极，所述第二三极管的集电极接地，所述第四三极管的集电极连接第二电容，所述第四三极管的发射极连接所述第四MOS管的栅极和所述第三三级管的发射极，所述第三三极管的集电极接地。

在本发明所述的MOS管驱动电路中，所述能量存储模块包括滤波单元，所述滤波单元用于对所述第一电压进行滤波，所述滤波单元包括滤波电容，所述滤波电容的一端连接于所述电源与所述第一二极管的正极之间，所述滤波电容的另一端接地。

本发明相较于现有技术，其有益效果为：本发明提供一种MOS管驱动电路，MOS管驱动电路包括能量存储模块，基于芯片输出的第一驱动信号，能量存储模块接收并储存电源输出的第一电压。基于芯片输出的第一驱动信号和第二驱动信号，能量存储模块将第一电压转换为第二电压，能量存储模块储存第二电压。基于控制模块输出的控制信号和能量存储模块释放的第二电压，驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极。第三驱动信号可控制MOS管组导通与截止，从而MOS管组控制电池组输出电压于负载。因为驱动模块可基于控制信号和第二电压输出第三驱动信号，第三驱动信号可控制MOS管组导通与截止。所以该MOS管驱动电路并不需要使用专用芯片对高侧MOS管进行控制，从而使得该MOS管驱动电路的成本较低。有效解决了现有的驱动电路成本较高的技术问题，而且MOS管驱动电路通过MOS管组控制电池组输出电压，电池组的使用也更加安全。

该MOS管驱动电路使用较少的元器件并且该MOS管驱动电路的控制方案较为简单，因此该MOS管驱动电路具有成本低、实现简单的优点。从而电池组的正极完全断开比以往的控制电池组负极更加安全，由于使用分立元器件实现，选型更加多变，实现简单。

附图说明

图1为本发明的MOS管驱动电路一实施例的方框图。

图2为本发明的MOS管驱动电路一实施例的电路图。

图中，10、MOS管驱动电路；11、电源；12、第一信号产生模块；13、能量存储模块；131、滤波单元；14、控制模块；15、驱动模块；151、第一驱动单元；152、第二驱动单元；16、MOS管组。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明中所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」、「顶部」以及「底部」等词，仅是参考附图的方位，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

本发明术语中的“第一”“第二”等词仅作为描述目的，而不能理解为指示或暗示相对的重要性，以及不作为对先后顺序的限制。

请参照图1至图2，图1为本发明的MOS管驱动电路一实施例的方框图；图2为本发明的MOS管驱动电路一实施例的电路图。

在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。

请参照图1和图2，本发明提供一种MOS管驱动电路10，该MOS管驱动电路10应用于一种电池组中。该MOS管驱动电路包括电源11、第一信号产生模块12、芯片U1、能量存储模块13、控制模块14、驱动模块15。该电源11为12V的电源，该电源11可用于输出第一电压。

请参照图1和图2，第一信号产生模块12用于产生第一信号。该第一信号产生模块12包括信号发生器U2、第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、第四电阻R8、第三电容C5、第四电容C4。信号发生器U2和第一电阻R3、第二电阻R4、第三电阻R5、第四电阻R8、第三电容C5组成方波发生器，因此第一信号产生模块12输出信号的占空比为50％。其中，信号发生器U2的正向输入端与连接第一电阻R3的一端连接，第一电阻R3的另一端接地。信号发生器U2的负向输入端与第三电容C5的一端连接，第三电容C5的另一端接地。信号发生器U2的V+端连接电源，信号发生器U2的V-端接地。第三电阻R5的一端连接电源，第三电阻R5的另一端连接第一电阻R3。第二电阻R4的一端与第三电阻R5连接，第二电阻R4的另一端连接的信号发生器U2的输出端。第四电容C4的一端与电源连接，第四电容C4的另一端接地。

请参照图1和图2，芯片U1接收第一信号。基于第一信号，芯片U1输出第一驱动信号。该芯片U1为半桥驱动芯片。能量存储模块13接收第一驱动信号，基于第一驱动信号，能量存储模块13接收并储存第一电压。基于第一驱动信号和第二驱动信号，能量存储模块13将第一电压转换为第二电压，能量存储模块13储存第二电压。

请参照图1和图2，该芯片U1包括输入管脚I N、低侧输出管脚LO，能量存储模块13包括第一MOS管Q1和第一电容C1。输入管脚I N连接第一信号产生模块12，该输入管脚I N连接信号发生器U2的输出端，输入管脚I N可用于接收第一信号。低侧输出管脚LO连接第一MOS管Q1的栅极，低侧输出管脚LO可用于输出第一驱动信号。第一MOS管Q1的源极接地，第一MOS管Q1的漏极连接第一电容C1，第一电容C1连接电源11。该芯片U1还包括VCC管脚、SD管脚、GND管脚，该VCC管脚连接电源11，该SD管脚悬空，该GND管脚接地。

请参照图1和图2，当低侧输出管脚LO输出高电平的第一驱动信号时，第一MOS管Q1的栅极接收高电平的第一驱动信号。该第一MOS管Q1导通，从而第一电容C1接收并存储电源11输出的第一电压。

请参照图1和图2，基于能量存储模块13输出的驱动电压，芯片U1输出第二驱动信号。芯片U1还包括高侧输出管脚H0、高侧浮动绝对电压管脚VB、高侧浮动偏移电压管脚VS，能量存储模块13还包括第二MOS管Q2、第二电容C2。第二MOS管Q2的源极连接第一电容C1，第二MOS管Q2的漏极连接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端与第一电容C1连接。第二MOS管Q2的栅极连接高侧输出管脚HO，高侧输出管脚HO用于输出第二驱动信号。高侧浮动绝对电压管脚VB连接第一电容C1的一端，高侧浮动绝对电压管脚VB用于接收驱动电压。高侧浮动偏移电压管脚VS连接第一电容C1的另一端，高侧浮动偏移电压管脚VS可用于隔断第一电容C1与第二MOS管Q2的栅极。

请参照图1和图2，当低侧输出管脚LO输出低电平的第一驱动信号时，第一MOS管Q1的栅极接收低电平的第一驱动信号，第一MOS管Q1截止。当第一电容C1输出驱动电压时，高侧浮动绝对电压管脚VB接收该驱动电压，高侧输出管脚HO输出第二驱动信号。基于第二驱动信号，第二MOS管Q2导通，从而第一电容C1输出第一电压。能量存储模块13将第一电压转换为第二电压，从而第二电容C2接收并储存第二电压。

请参照图1和图2，能量存储模块13还包括第一二极管D1和第二二极管D2。第一二极管D1的正极连接电源11，第一二极管D1的负极连接第一电容C1。第一二极管D1可用于避免第一电容C1对电源反向充电，第一二极管D1的设置可对电源11进行保护。第二二极管D2的正极连接第一电容C1，第二二极管D2的负极连接第二电容C2，第二二极管D2可用于避免第二电容C2对第一电容C1反向充电，第二二极管D2的设置可对第一电容C1进行保护。第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一二级管D1、第二二极管D2、第一电容C1、第二电容C2组成的浮地电荷泵，该浮地电荷泵可用于给驱动模块15提供第二电压。驱动模块15基于第二电压和控制模块14输出的控制信号输出第三驱动信号，该第三驱动信号可用于控制MOS组16的导通与截止，该MOS管组16为电池组的高侧开关。

请参照图1和图2，能量存储模块13包括滤波单元131。滤波单元131可对电源输出的第一电压进行滤波，滤波电容C3的设置使得第一电压难以到噪声干扰。滤波单元包括滤波电容C3，滤波电容C3的一端连接于电源11与第一二极管D1的正极之间，滤波电容C3的另一端接地。能量存储模块13还包括第五电阻R1和第六电阻R2，该第五电阻R1连接于第一MOS管Q1的栅极和源极之间。该第六电阻R2一端连接高侧浮动偏移电压管脚VS，第六电阻R2的另一端连接第二MOS管Q2的源极。

请参照图1和图2，控制模块14用于输出控制信号。控制模块14包括第一控制端DSG和第二控制端CHG,第一控制端DSG和第二控制端CHG可输出控制信号。基于控制信号和能量存储模块13释放的第二电压，驱动模块15输出第三驱动信号输出于MOS管组16的栅极。第三驱动信号可用于控制MOS管组16导通与截止，从而MOS管组16控制电池组BAT+输出电压于负载，负载通过电池组输出端BAT+OUT接收该电压。

请参照图1和图2，驱动模块15包括第一驱动单元151和第二驱动单元152，第二驱动单元152包括输入端、输出端、控制端。第一驱动单元151的一端连接控制模块，第一驱动单元151的另一端来连接控制端，输入端连接第二电容C2，输出端连接MOS管组16的栅极。基于控制信号和第二电容C2释放的第二电压，第二驱动单元152输出第三驱动信号于MOS管组16的栅极。

请参照图1和图2，第一驱动单元151包括第一光耦OC1和第二光耦OC2，第二驱动单元152包括第一三极管Q3、第二三极管Q6、第三三极管Q5、第四三极管Q7。MOS管组16包括第三MOS管Q5和第四MOS管Q4，第一光耦OC1输入端的正极连接控制模块14。第一光耦OC1输入端的负极接地，第一光耦OC1输出端的集电极连接第二电容C2，第一光耦OC1输出端的发射极分别连接第一三极管Q3、第二三极管Q6的基极。第二光耦OC2输入端的正极连接控制模块14，第二光耦OC2输入端的负极接地。第二光耦OC2输出端的集电极连接第二电容C2，第二光耦OC2输出端的发射极分别连接第三三级管Q8、第四三极管Q7的基极。第一光耦OC1可用于控制第一三极管Q3和第二三极管Q6的导通与截止，第二光耦OC2可用于控制第三三极管Q5和第四三极管Q7的导通与截止。两个光耦也可以换成两个专用隔离芯片，该隔离芯片也可以实现相同的效果。第一三极管Q3、第二三极管Q6、第三三极管Q8、第四三极管Q7组成的图腾柱驱动电路，从而该第二驱动单元15可对第三驱动信号进行电压跟随。第二驱动单元的输入端为第一三极管Q3的集电极和第四三极管Q7的集电极，第二驱动单元的控制端为第一三极管Q3、第二三极管Q6、第三三极管Q8、第四三极管Q7的基极。第二驱动单元152的输出端为第一三极管Q3的发射极和第二三极管Q6的发射极，第二驱动单元152的输出端还为第三三极管Q8的发射极和第四三极管Q7的发射极。

请参照图1和图2，驱动模块15包括第七电阻和第八电阻，该第七电阻的一端连接第一光耦OC1输出端的集电极，第七电阻的另一端接地。第八电阻的一端连接第二光耦OC2输出端的集电极，第八电阻的另一端接地。驱动模块15包括第九电阻R6和第十电阻R7，该第九电阻R6连接于第三MOS管的栅极与源极之间，该第十电阻R7连接于第四MOS管的栅极与源极之间。

请参照图1和图2，第一三极管Q3的集电极连接第二电容C2。第一三极管Q3的发射极分别连接第三MOS管Q5的栅极和第二三极管Q6的发射极，第二三极管Q6的集电极接地。第四三极管Q7的集电极连接第二电容C2，第四三极管Q7的发射极连接第四MOS管Q4的栅极和第三三级管Q8的发射极，第三三极管Q8的集电极接地。可选的，第三MOS管Q5的漏极与第四MOS管Q4的漏极也可以连接。若第三MOS管Q5的漏极与第四MOS管Q4的漏极也可以连接，该MOS管驱动电路10则需要使用两个浮地电荷泵对驱动模块15输出电压。从而驱动模块15输出第三驱动信号，第三驱动信号控制第三MOS管Q5与第四MOS管Q4的导通与截止。

本发明MOS管驱动电路的工作原理为：该MOS管驱动电路10工作时，第一信号产生模块12产生第一信号，芯片U1的输入管脚I N接收第一信号。基于第一信号，芯片U1的低侧输出管脚LO输出第一驱动信号。能量存储模块13第一MOS管Q1的栅极接收该第一驱动信号，当第一驱动信号为高电平时，第一MOS管Q1导通。同时，电源11输出第一电压，该第一电压通过第一二极管D1，第一电容C1接收并存储该第一电压。然后，当第一驱动信号为低电平时，第一MOS管Q1截止。第一电容C1输出驱动电压，高侧浮动绝对电压管脚VB接收该驱动电压。基于该驱动电压，芯片U1的高侧输出管脚HO输出第二驱动信号。第二MOS管Q2的栅极接收该第二驱动信号，从而第二MOS管Q2导通。第一电容C1输出第一电压，第一电压通过第二MOS管Q2和第二二极管D2转换为第二电压，第二电容C2接收并存储该第二电压。当第二电容C2两端的电压低于第一电容C1时，第一电容C1持续经过第二二极管D2输出电压于第二电容C2。一直循环这个流程，第一电容C1将不断的向第二电容C2补充电能，第二电容C2存储这部分电能，从而使得第二电容C2的输出和地与电源11和电源11的地之间隔离开来。而且，芯片U1的高侧浮动偏移电压管脚VS可隔断第一电容C1与第二MOS管Q2的栅极。

随后，第一控制模块14的第一控制端DSG输出控制信号，第一控制模块14的第二控制端CHG输出控制信号。第一光耦OC1和第二光耦OC2接收该控制信号，当该控制信号为高电平时，第一光耦OC1和第二光耦OC2均导通。此时，第二电容C2释放第二电压。该第二电压通过第一光耦OC1使得第一三极管Q3和第二三极管Q6导通，该第二电压通过第二光耦OC2使得第三三极管Q8和第四三极管Q7导通。基于控制信号和第二电压，控制模块15输出第三驱动信号于MOS管组16的栅极。第三驱动信号可驱动MOS管组16导通，从而电池组BAT+可输出电压于负载。

当负载不需要电池组BAT+供电时，用户可控制第一控制模块14输出低电平的控制信号，第一光耦OC1和第二光耦OC2接收该低电平的控制信号，第一光耦OC1和第二光耦OC2均截止。由于第一三极管Q3和第二三极管Q6的基极均通过第一光耦OC1与第二电容C2连接，第一三极管Q3和第二三极管Q6均不会导通。由于第三三极管Q8和第四三极管Q7的基极均通过第二光耦OC2与第二电容C2连接，第三三极管Q8和第四三极管Q7均不会导通。因此驱动模块15未能输出第三驱动信号，从而MOS管组16未导通，电池组BAT+不能输出电压于负载。

当第二电容C2的第二电压耗尽时，因为驱动模块15基于第二电压和控制信号输出第三驱动信号，所以驱动模块15未能输出第三驱动信号，从而MOS管组16未导通，电池组BAT+不能输出电压于负载。随后，芯片U1可输出高电平的第一驱动信号使得第一MOS管Q1导通，从而电源11对能量存储模块13输出第一电压。能量存储模块13将第一电压转化为第二电压，第二电容C2存储第二电压，一直循环这个流程，从而电池组BAT+可对负载进行间断地供电。

本发明提供一种MOS管驱动电路10，MOS管驱动电路10包括能量存储模块13，基于芯片U1输出的第一驱动信号，能量存储模块13接收并储存电源11输出的第一电压。基于芯片U1输出的第一驱动信号和第二驱动信号，能量存储模块13将第一电压转换为第二电压，能量存储模块13储存第二电压。基于控制模块14输出的控制信号和能量存储模块13释放的第二电压，驱动模块15输出第三驱动信号输出于MOS管组16的栅极。第三驱动信号可控制MOS管组16导通与截止，从而MOS管组16控制电池组BAT+输出电压于负载。因为驱动模块15可基于控制信号和第二电压输出第三驱动信号，第三驱动信号可控制MOS管组导通与截止。所以该MOS管驱动电路10并不需要使用专用芯片对高侧MOS管进行控制，从而使得该MOS管驱动电路10的成本较低。有效解决了现有的驱动电路成本较高的技术问题，而且MOS管驱动电路10通过MOS管组16控制电池组BAT+输出电压，电池组BAT+的使用也更加安全。

该MOS管驱动电路10使用较少的元器件并且该MOS管驱动电路10的控制方案较为简单，因此该MOS管驱动电路10具有成本低、实现简单的优点。从而电池组BAT+的正极完全断开比以往的控制电池组BAT+负极更加安全，由于使用分立元器件实现，选型更加多变，实现简单。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (9)

1.一种具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，包括：

电源，用于输出第一电压；

第一信号产生模块，用于产生第一信号；

芯片，其接收所述第一信号，基于所述第一信号，其输出第一驱动信号，基于能量存储模块输出的驱动电压，所述芯片输出第二驱动信号；以及

所述能量存储模块，其接收所述第一驱动信号，基于所述第一驱动信号，所述能量存储模块接收并储存所述第一电压，基于所述第一驱动信号和所述第二驱动信号，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，所述能量存储模块储存所述第二电压。

2.根据权利要求1所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，所述芯片包括输入管脚、低侧输出管脚，所述能量存储模块包括第一MOS管和第一电容，所述输入管脚连接所述第一信号产生模块，所述输入管脚用于接收所述第一信号，所述低侧输出管脚连接所述第一MOS管的栅极，所述低侧输出管脚用于输出所述第一驱动信号，所述第一MOS管的源极接地，第一MOS管的漏极连接所述第一电容，所述第一电容连接电源。

3.根据权利要求2所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，当所述低侧输出管脚输出高电平的所述第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收高电平的所述第一驱动信号，所述第一MOS管导通，从而所述第一电容接收并存储所述第一电压。

4.根据权利要求3所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，所述芯片包括高侧输出管脚、高侧浮动绝对电压管脚、高侧浮动偏移电压管脚，所述能量存储模块还包括第二MOS管、第二电容，所述第二MOS管的源极连接所述第一电容，所述第二MOS管的漏极连接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端与所述第一电容连接，所述第二MOS管的栅极连接所述高侧输出管脚，所述高侧输出管脚用于输出所述第二驱动信号；所述高侧浮动绝对电压管脚连接所述第一电容的一端，所述高侧浮动绝对电压管脚用于接收所述驱动电压；所述高侧浮动偏移电压管脚连接所述第一电容的另一端，所述高侧浮动偏移电压管脚用于隔断所述第一电容与所述第二MOS管的栅极。

5.根据权利要求4所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，当所述低侧输出管脚输出低电平的第一驱动信号时，所述第一MOS管的栅极接收低电平的第一驱动信号，所述第一MOS管截止；

当所述第一电容输出所述驱动电压时，所述高侧浮动绝对电压管脚接收所述驱动电压，所述高侧输出管脚输出所述第二驱动信号，基于所述第二驱动信号，所述第二MOS管导通，从而所述第一电容输出所述第一电压，所述能量存储模块将所述第一电压转换为第二电压，从而所述第二电容接收并储存所述第二电压。

6.根据权利要求3所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，所述能量存储模块还包括第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接电源，所述第一二极管的负极连接所述第一电容；所述第二二极管的正极连接第一电容，所述第二二极管的负极连接第二电容。

7.根据权利要求6所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，所述能量存储模块包括滤波单元，所述滤波单元用于对所述第一电压进行滤波，所述滤波单元包括滤波电容，所述滤波电容的一端连接于所述电源与所述第一二极管的正极之间，所述滤波电容的另一端接地。

8.根据权利要求4所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，所述能量存储电路还包括：

控制模块，用于输出控制信号；以及，

驱动模块，基于所述控制信号和所述能量存储模块释放的所述第二电压，所述驱动模块输出第三驱动信号输出于MOS管组的栅极，所述第三驱动信号用于控制所述MOS管组导通与截止，从而MOS管组控制电池组输出电压于负载；

其中所述驱动模块包括第一驱动单元和第二驱动单元，所述第二驱动单元包括输入端、输出端、控制端，所述第一驱动单元的一端连接所述控制模块，所述第一驱动单元的另一端来连接所述控制端，所述输入端连接所述第二电容，所述输出端连接所述MOS管组的栅极，用于基于所述控制信号和所述第二电容释放的所述第二电压，所述第二驱动单元输出所述第三驱动信号于所述MOS管组的栅极并对所述第三驱动信号进行电压跟随。

9.根据权利要求8所述的具有隔离功能的能量存储电路，其特征在于，所述第一驱动单元包括第一光耦和第二光耦，所述第二驱动单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管，所述MOS管组包括第三MOS管和第四MOS管，所述第一光耦输入端的正极连接控制模块，所述第一光耦输入端的负极接地，所述第一光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第一光耦输出端的发射极分别连接所述第一三极管、所述第二三极管的基极；

所述第二光耦输入端的正极连接控制模块，所述第二光耦输入端的负极接地，所述第二光耦输出端的集电极连接所述第二电容，所述第二光耦输出端的发射极分别连接所述第三三级管、所述第四三极管的基极；

所述第一三极管的集电极连接第二电容，所述第一三极管的发射极分别连接所述第三MOS管的栅极和所述第二三极管的发射极，所述第二三极管的集电极接地，所述第四三极管的集电极连接第二电容，所述第四三极管的发射极连接所述第四MOS管的栅极和所述第三三级管的发射极，所述第三三极管的集电极接地。

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