CN214117798U - 一种双通道mos驱动芯片实现电磁锁驱动系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，包括驱动供电电源电路、驱动控制端电路和驱动电路，驱动控制端电路包括第一控制模块、第二控制模块以及分别与第一控制模块和第二控制模块连接的第一输出模块，驱动电路包括MOS驱动芯片、分别与MOS驱动芯片连接的2个电阻以及分别与MOS连接的第一输入模块和第二输出模块。通过上述方式，可以通过控制MOS驱动芯片两个信号输入引脚高低电平互异，实现切换MOS驱动芯片两个信号输出引脚间的电压方向，来控制电磁锁的解锁和闭锁，MOS驱动芯片安装在印制电路板PCB上，配合相关电路，封装体积小，使用灵活，信号输出电压压降小，驱动效率高，成本低廉。

Description

一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统

技术领域

本实用新型属于电磁锁驱动技术领域，具体涉及一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统。

背景技术

电磁锁驱动主要通过驱动电磁锁的线圈来控制电磁锁的解锁和闭锁，目前电磁锁驱动方案主要有两种：继电器驱动、三极管驱动。采用继电器作为驱动，的不足之处在于：继电器体积较大，需要占用较大的空间，而小体积的继电器，价格昂贵，另外，继电器吸合或断开需要时间较长；采用三极管作为驱动的话，VCE的较高压降，使得电磁锁的驱动效率不高。

鉴于此，提供一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，通过控制MOS驱动芯片两个信号输入引脚高低电平互异，实现切换MOS驱动芯片的两个信号输出引脚间的电压方向，来控制电磁锁的解锁和闭锁，MOS驱动芯片延迟时间短，输出电阻低，具有较宽的驱动电压范围和较高的峰值电流，而且MOS驱动芯片安装在印制电路板PCB上，配合相关电路，封装体积小，使用灵活，信号输出电压压降小，驱动效率高，成本低廉。

发明内容

本申请的目的在于针对现有技术的上述缺陷，提供一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，通过控制MOS驱动芯片两个信号输入引脚高低电平互异，实现切换MOS驱动芯片的两个信号输出引脚间的电压方向，来控制电磁锁的解锁和闭锁，MOS驱动芯片延迟时间短，输出电阻低，具有较宽的驱动电压范围和较高的峰值电流，而且MOS驱动芯片安装在印制电路板PCB上，配合相关电路，封装体积小，使用灵活，信号输出电压压降小，驱动效率高，成本低廉。

本申请的目的可通过以下的技术措施来实现：

为了实现上述目的，本申请提供了一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其包括：

驱动供电电源电路；

驱动控制端电路，所述驱动控制端电路包括第一控制模块、第二控制模块以及分别与所述第一控制模块和第二控制模块连接的第一输出模块，所述第一控制模块包括外接第一控制信号的电阻R1、与电阻R1连接的第一偏置电路、与第一偏置电路连接的光耦合器O1以及与光耦合器O1连接的电阻R3，所述第二控制模块包括外接第二控制信号的电阻R4、与电阻R4连接的第二偏置电路、与第二偏置电路连接的光耦合器O2以及与光耦合器O2连接的电阻R6，所述第一输出模块包括与所述光耦合器O1连接的第一接线端子、与所述光耦合器O2连接的第二接线端子以及与所述光耦合器O1和所述光耦合器O2均连接的第三接线端子；以及

驱动电路，所述驱动电路包括具有第一信号输入端INA脚和第二信号输入端INB脚的MOS驱动芯片IC2、与MOS驱动芯片IC2的第一信号输入端INA脚连接的电阻R9、与MOS驱动芯片IC2的第二信号输入端INB脚连接的电阻R10、第一输入模块、第二输出模块以及与所述电阻R9和电阻R10分别连接的输入端VCCLOCK2，所述第一输入模块包括分别与所述第一接线端子和所述第一信号输入端连接的第四接线端子、分别与所述第二接线端子和所述第二信号输入端连接的第五接线端子以及接地的第六接线端子，所述第二输出模块包括连接MOS驱动芯片IC2和电磁锁线圈正极的第七接线端子、连接MOS驱动芯片IC2和电磁锁线圈负极的第八接线端子；

其中，所述驱动供电电源电路的输出端与所述驱动电路的输入端VCCLOCK2连接。

优选的，所述驱动供电电源电路包括：

外接电源VCC、与外接电源VCC连接的相互并联的电容C1-C3、与外接电源VCC连接的电源芯片IC1、与电源芯片IC1连接的电阻R7、正极与电阻R7连接的相互并联的电容C6-C10、负极与电源芯片IC1连接的二极管VD3、与二极管VD3的正极连接的电阻R8、与电阻R8连接的输出端VCC LOCK1。

优选的，所述电源芯片IC1为线性电源芯片，所述电源芯片IC1包括：

VIN脚，其分别与所述外接电源VCC和所述电容C3-C5连接；

GND脚，所述GND脚接地；以及

+15V脚，其与所述电阻R7连接。

优选的，所述电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10为电解电容。

优选的，所述二极管VD3为发光二极管，所述二极管VD3的负极还分别与所述电容C6-C10的负极连接。

优选的，电容C3、电容C4、电容C5为1206贴片电容。

优选的，所述MOS驱动芯片IC2还包括：

GND脚，所述GND脚接地；

OUTB脚，其通过第八接线端子与电磁锁线圈的负极连接；

VCC脚，其通过输入端VCCLOCK3与所述驱动供电电源电路的输出端VCCLOCK1连接；以及

OUTA脚，其通过第七接线端子与电磁锁线圈的正极连接；

优选的，所述第一偏置电路包括：

电容C1，所述电容C1与所述电阻R1连接，所述电容C1的另一端接地；

电阻R2，所述电阻R2与所述电容C1并联；以及

三极管V1，所述三极管V1的基极与所述电阻R2的一端连接，所述三极管V1的发射极与所述电阻R2的另一端连接，所述三级管V1的发射极还接地，所述三级管V1的集电极与所述光耦合器O1连接。

优选的，所述第二偏置电路包括：

电容C2，所述电容C2与所述电阻R4连接，所述电容C2的另一端接地；

电阻R5，所述电阻R5与所述电容C2并联；以及

三极管V2，所述三极管V2的基极与所述电阻R5的一端连接，所述三极管V2的发射极与所述电阻R5的另一端连接，所述三级管V2的发射极还接地，所述三级管V2的集电极与所述光耦合器O2连接。

优选的，所述三级管V1、三极管V2为NPN型三级管。

优选的，所述电阻R7为1206贴片电阻。

优选的，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电阻R10为0603贴片电阻。

优选的，电容C1、电容C2为0603贴片电容。

优选的，所述光耦合器O1、光耦合器O2为线性光耦合器，所述光耦合器O1包括发光二极管VD1和光敏三极管V3，所述光耦合器O2包括发光二极管VD2和光敏三极管V4。

本申请的有益效果为提供了一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，包括驱动供电电源电路、驱动控制端电路和驱动电路，驱动控制端电路包括第一控制模块、第二控制模块以及分别与第一控制模块和第二控制模块连接的第一输出模块，驱动电路包括MOS驱动芯片、分别与MOS驱动芯片连接的2个电阻以及分别与MOS连接的第一输入模块和第二输出模块。通过上述方式，可以通过控制MOS驱动芯片两个信号输入引脚高低电平互异，实现切换MOS驱动芯片两个信号输出引脚间的电压方向，来控制电磁锁的解锁和闭锁，MOS驱动芯片安装在印制电路板PCB上，配合相关电路，封装体积小，使用灵活，信号输出电压压降小，驱动效率高，成本低廉。

附图说明

图1是本实用新型实施例的双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统中电磁锁驱动控制端电路图。

图2是本实用新型实施例的双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统中电磁锁驱动供电电源电路图。

图3是本实用新型实施例的双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统中电磁锁驱动电路图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面结合附图和具体实施例对本申请作进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

为了使本揭示内容的叙述更加详尽与完备，下文针对本实用新型的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本实用新型具体实施例的唯一形式。实施方式中涵盖了多个具体实施例的特征以及用以建构与操作这些具体实施例的方法步骤与其顺序。然而，亦可利用其它具体实施例来达成相同或均等的功能与步骤顺序。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

图1-图3提供了一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，包括驱动供电电源电路、驱动控制端电路和驱动电路。

驱动供电电源电路包括外接电源VCC、相互并联的电容C3-C5、电源芯片IC1、相互并联的电容C6-C10、二极管VD3、电阻R7、电阻R8、输出端VCCLOCK1。外接电源VCC与电源芯片IC1连接，相互并联的电容C3-C5的两端分别与电源芯片IC1连接，电源芯片IC1通过电阻R7与相互并联的电容C6-C10的正极连接，相互并联的电容C6-C10的负极与电源芯片IC1连接，相互并联的电容C6-C10的负极还与二极管VD3的负极连接，二极管VD3的正极通过电阻R8与输出端VCCLOCK1连接。

驱动控制端电路包括电阻R1、第一偏置电路P1、光耦合器O1、电阻R3形成的第一控制模块M1，电阻R4、第二偏置电路P2、光耦合器O2、电阻R6形成的第二控制模块M2，以及连接第一控制模块M1和第二控制模块M2的第一输出模块OUT1，第一输出模块OUT1包括第一接线端子1、第二接线端子2、第三接线端子3。

具体的，电阻R1的一端外接第一控制信号DSC+信号，电阻R1的另一端与第一偏置电路P1连接，第一偏置电路P1依次通过光耦O1、电阻R3与外接+5V电源连接，光耦合器O1分别与第一接线端子1、第三接线端子3连接，以此形成第一控制模块M1；电阻R4的一端外接第二控制信号DSC-信号，电阻R4的另一端与第二偏置电路P2连接，第二偏置电路P2依次通过光耦合器O2、电阻R6与外接+5V电源连接，光耦合器O2分别与第二接线端子2、第三接线端子3连接，以此形成第二控制模块M2。

驱动电路包括电阻R9、电阻R10、具有第一信号输入端INA脚和第二信号输入端INB脚的MOS驱动芯片IC2、输入端VCCLOCK2、输入端VCCLOCK3、第一输入模块IN1以及第二输出模块OUT2，第一输入模块IN1包括第四接线端子4、第五接线端子5、第六接线端子6，第二输出模块OUT2包括第七接线端子7和第八接线端子8，第一输入模块IN1与驱动控制端电路的第一输出模块OUT1连接，第二输出模块OUT2与电磁锁线圈连接，输入端VCCLOCK2、输入端VCCLOCK3分别与驱动供电电源电路的输出端VCCLOCK1连接。

具体的，电阻R9的两端分别与输入端VCCLOCK2和MOS驱动芯片IC2的第一信号输入端INA脚连接，电阻R10的两端分别与输入端VCCLOCK2和MOS驱动芯片IC2的第二信号输入端INB脚连接，MOS驱动芯片IC2的第一信号输入端INA脚还通过第四接线端子4与第一接线端子1连接、MOS驱动芯片IC2的第二信号输入端INB脚还通过第五接线端子5与第二接线端子2连接，MOS驱动芯片IC2通过第二输出模块OUT2与电磁锁线圈连接。

参阅图1，第一偏置电路P1包括电容C1、电阻R2、三极管V1。电容C1与电阻R2并联，R2用作偏置电阻，三极管V1用作电子开关。需要说明的是，为了保证微弱电信号增强的稳定性，三极管V1优选的设为NPN型三极管，三极管V1的基极B脚与电阻R2的一端连接，三极管V1的B脚还通过电阻R1与外接第一控制信号DSC+信号连接，三极管V1的发射极E脚与电阻R2的另一端连接，三级管V1的发射极E脚还接地，三级管V1的集电极C脚与光耦合器O1连接，进一步提升微弱电信号增强的稳定性。

进一步的，为了保证电路的可靠性，光耦合器O1优选为线性光耦合器，光耦合器O1包括发光二极管VD1和光敏三极管V3，发光二极管VD1的负极K脚与三极管V1的集电极C脚连接，发光二极管VD1的正极A脚通过电阻R3与印制电路板PCB上的+5V电源连接，光敏三极管V3的发射极E脚与印制电路板PCB的第三接线端子3连接，光敏三极管V3的集电极C脚与印制电路板PCB的第一接线端子1连接。第一控制模块通过输入信号端用光耦合器进行信号隔离，实现控制信号端和操作信号端的信号隔离，保证传输信号的单向性，进一步提升电路的可靠性，增加电磁锁驱动的可靠性。

第二偏置电路P2包括电容C2、电阻R5、三极管V2。电容C2与电阻R5并联，电阻R5用作偏置电阻，三极管V2用作电子开关。需要说明的是，为了保证微弱电信号增强的稳定性，三极管V2优选的设为NPN型三极管，三极管V2的基极B脚与电阻R5的一端连接，三极管V2的B脚还通过电阻R4与外接第二控制信号DSC-信号连接，三极管V2的发射极E脚与电阻R5的另一端连接，三级管V2的发射极E脚还接地，三级管V2的集电极C脚与光耦合器O2连接，进一步提升微弱电信号增强的稳定性。

进一步的，为了保证电路的可靠性，光耦合器O2优选为线性光耦合器，光耦合器O2包括发光二极管VD2和光敏三极管V4，发光二极管VD2的负极K脚与三极管V2的集电极C脚连接，发光二极管VD2的正极A脚通过电阻R6与印制电路板PCB上的+5V电源连接，光敏三极管V4的发射极E脚与印制电路板PCB的第三接线端子3连接，光敏三极管V4的集电极C脚与印制电路板PCB的第二接线端子2连接。第二控制模块通过输入信号端用光耦合器进行信号隔离，实现控制信号端和操作信号端的信号隔离，保证传输信号的单向性，进一步提升电路的可靠性，增加电磁锁驱动的可靠性。

进一步的，电阻R1、电阻R2、电阻3、电阻R4、电阻R5、电阻R6优选的设为小功率的0603贴片电阻。

进一步的，电容C1、电容C2优选的设为0603贴片电容。

参阅图2，电源芯片优选的设为线性电源芯片，为进一步减小占用体积，电源芯片优选的设为小功率的L7815CV型电源芯片，电源芯片包括VIN脚、GND脚、+15V脚，VIN脚与外接电源VCC连接，GND脚接地，+15V脚通过电阻R7与输出端VCCLOCK1连接。

进一步的，二极管VD3优选的设为发光二极管，用作指示灯，二极管VD1的正极通过电阻R8与输出端VCCLOCK1连接，二极管VD3的负极与相互并联的电容C6-C10的负极连接，二极管VD3的负极还接地。

进一步的，电阻R7优选的设为大功率的1206贴片电阻，用于限流保护器件，避免瞬间电流过大烧掉电路中的器件；电阻R8优选的设为小功率的0603贴片电阻。

进一步的，电容C3、电容C4、电容C5优选的设为1206贴片电容；电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10为大容量的电解电容，用于存储电能，给电磁锁线圈的瞬间动作提供能量。

通过供电电源的正负极之间增加大电容的电解电容，以保证电磁锁瞬间动作时的电荷需求，可以选用小功率的电源芯片作为供电电源，进一步减小占用的体积，降低成本。

参阅图3，MOS驱动芯片IC2优选的设为双通道低边超快的IXDN604SIA型MOS驱动芯片，延迟时间最大为19nS，高电平输出阻抗为2.5Ω，低电平输出阻抗为2Ω，驱动电压输出范围为4.5V－35V，低电平时驱动电压最大为0.025V，驱动峰值电流为4A，封装为SOIC-8，延迟时间短，输出电阻低，驱动电压范围宽，峰值电流高，封装体积小，信号输出电压压降极小，驱动效率极高。MOS驱动芯片还包括GND脚、OUTB脚、VCC脚、OUTA脚，GND脚接地，VCC脚通过输入端VCCLOCK3与驱动供电电源电路的输出端VCCLOCK1连接，OUTA脚通过印制电路板PCB的第七接线端子7与电磁锁的线圈的正极连接，印制电路板PCB的第六接线端子6接地，印制电路板PCB的第六接线端子6还与驱动控制端电路的第三接线端子3连接。

进一步的，电阻R9、电阻R10优选的设为小功率的0603贴片电阻。

表1展示了MOS驱动芯片的输入信号电平和驱动输出引脚间的电压方向。

INA	INB	UAB的电压方向(OUTA与OUTB之间电压)
			H	H	0
H	L	+
			L	H	-
L	L	0

表1

结合表1，MOS驱动芯片的供电电压VCC为15V，MOS驱动芯片的输入信号端INA脚和INB脚之间的电平互异时，MOS驱动芯片的输出信号端OUTA脚与OUTB脚之间的电压差为15V，当MOS驱动芯片的输入信号端INA脚和INB脚之间的电平同相时，MOS驱动芯片的输出信号端OUTA脚与OUTB脚之间的电压差为0V，进一步减小驱动的误操作的可能性。

具体的，进行解锁操作时，外接控制器根据解锁指令同时发出外接第一控制信号DCS+信号高电平信号和第二控制信号DCS-信号低电平信号，DCS-信号低电平信号使三极管V2处于截止状态，第二控制模块信号截止，DCS+信号高电平信号经过电阻R1使三极管V1正向偏置，经过第一偏置电路P1进行信号增强处理，增强后的DSC+高电平信号经光耦合器O1进行信号隔离，同时使光耦合器O1内的三极管V3正向偏置，三极管V3的发射极通过相互连接的第三接线端子3和第六接线端子6接地，三极管V3的集电极通过相互连接的第一接线端子1和第四接线端子4与MOS驱动芯片IC2的INA脚连接，以此使INA脚依次通过第四接线端子4、第一接线端子1、三极管V3的集电极、三极管V3的发射极、第三接线端子3、第六接线端子6后接地，将光耦隔离后的DSC+信号高电平信号进行互反处理，经光耦隔离后的DSC+信号高电平信号经互反处理转变为DSC1信号低电平信号输入至MOS驱动芯片IC2的INA脚。外接电源VCC经电源芯片IC1稳压处理后经输出端VCCLOCK1输出+15V电压高电平信号，输出端VCCLOCK1输出的+15V电压高电平信号依次通过驱动电路的输入端VCCLOCK2、电阻R10输入至MOS驱动芯片IC2的INB脚。MOS驱动芯片IC2的输入端INA脚和INB脚间的输入信号电平互异，MOS驱动芯片IC2的输出端OUTA脚和OUTB脚间的电压差为-15V，使正、负极分别与OUTA脚和OUTB脚连接的电磁锁线圈的极性改变，电磁锁线圈的极性与电磁锁触点的极性同性，电磁锁触点弹开完成解锁操作。

具体的，进行闭锁操作时，外接控制器根据解锁指令同时发出第一控制信号DCS+信号低电平信号和第二控制信号DCS-信号高电平信号，DCS+信号低电平信号使三极管V1处于截止状态，第一控制模块信号截止，DCS-信号高电平信号经过电阻R4使三极管V2正向偏置，经过第二偏置电路P2进行信号增强处理，增强后的DSC-高电平信号经光耦合器O2进行信号隔离，同时使光耦合器O2内的三极管V4正向偏置，三极管V4的发射极通过相互连接的第三接线端子3和第六接线端子6接地，三极管V4的集电极通过相互连接的第二接线端子2和第五接线端子5与MOS驱动芯片IC2的INB脚连接，以此使INB脚依次通过第五接线端子5、第二接线端子2、三极管V4的集电极、三极管V4的发射极、第三接线端子3、第六接线端子6后接地，将光耦隔离后的DSC-信号高电平信号进行互反处理，经光耦隔离后的DSC-信号高电平信号经互反处理转变为DSC2信号低电平信号输入至MOS驱动芯片IC2的INB脚。外接电源VCC经电源芯片IC1稳压处理后经输出端VCCLOCK1输出+15V电压高电平信号，输出端VCCLOCK1输出的+15V电压高电平信号依次通过驱动电路的输入端VCCLOCK2、电阻R9输入至MOS驱动芯片IC2的INA脚。MOS驱动芯片IC2的输入端INA脚和INB脚间的输入信号电平互异，MOS驱动芯片IC2的输出端OUTA脚和OUTB脚间的电压差为+15V，正、负极分别与OUTA脚和OUTB脚连接的电磁锁线圈的极性不变，电磁锁线圈的极性与电磁锁触点的极性互异，电磁锁触点不动完成闭锁操作。

本实用新型实施例通过控制MOS驱动芯片两个信号输入引脚高低电平互异，实现切换MOS驱动芯片的两个信号输出引脚间的电压方向，来控制电磁锁的解锁和闭锁。MOS驱动芯片延迟时间短，输出电阻低，具有较宽的驱动电压范围和较高的峰值电流，而且MOS驱动芯片安装在印制电路板PCB上，配合相关电路，封装体积小，使用灵活，信号输出电压压降小，驱动效率高，成本低廉。

以上仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，其包括：

驱动供电电源电路；

驱动控制端电路，所述驱动控制端电路包括第一控制模块、第二控制模块以及分别与所述第一控制模块和第二控制模块连接的第一输出模块，所述第一控制模块包括外接第一控制信号的电阻R1、与电阻R1连接的第一偏置电路、与第一偏置电路连接的光耦合器O1以及与光耦合器O1连接的电阻R3，所述第二控制模块包括外接第二控制信号的电阻R4、与电阻R4连接的第二偏置电路、与第二偏置电路连接的光耦合器O2以及与光耦合器O2连接的电阻R6，所述第一输出模块包括与所述光耦合器O1连接的第一接线端子、与所述光耦合器O2连接的第二接线端子以及与所述光耦合器O1和所述光耦合器O2均连接的第三接线端子；以及

驱动电路，所述驱动电路包括具有第一信号输入端INA脚和第二信号输入端INB脚的MOS驱动芯片IC2、与MOS驱动芯片IC2的第一信号输入端INA脚连接的电阻R9、与MOS驱动芯片IC2的第二信号输入端INB脚连接的电阻R10、第一输入模块、第二输出模块以及与所述电阻R9和电阻R10分别连接的输入端VCCLOCK2，所述第一输入模块包括分别与所述第一接线端子和所述第一信号输入端连接的第四接线端子、分别与所述第二接线端子和所述第二信号输入端连接的第五接线端子以及接地的第六接线端子，所述第二输出模块包括连接MOS驱动芯片IC2和电磁锁线圈正极的第七接线端子、连接MOS驱动芯片IC2和电磁锁线圈负极的第八接线端子；

其中，所述驱动供电电源电路的输出端与所述驱动电路的输入端VCCLOCK2连接。

2.如权利要求1所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述驱动供电电源电路包括：

外接电源VCC、与外接电源VCC连接的相互并联的电容C1-C3、与外接电源VCC连接的电源芯片IC1、与电源芯片IC1连接的电阻R7、正极与电阻R7连接的相互并联的电容C6-C10、负极与电源芯片IC1连接的二极管VD3、与二极管VD3的正极连接的电阻R8、与电阻R8连接的输出端VCC LOCK1。

3.如权利要求2所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述电源芯片IC1为线性电源芯片，所述电源芯片IC1包括：

VIN脚，其分别与所述外接电源VCC和所述电容C3-C5连接；

GND脚，所述GND脚接地；以及

+15V脚，其与所述电阻R7连接。

4.如权利要求2所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C10为电解电容。

5.如权利要求2所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述二极管VD3为发光二极管，所述二极管VD3的负极还分别与所述电容C6-C10的负极连接。

6.如权利要求2所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，电容C3、电容C4、电容C5为1206贴片电容。

7.如权利要求1或2所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述MOS驱动芯片IC2还包括：

GND脚，所述GND脚接地；

OUTB脚，其通过第八接线端子与电磁锁线圈的负极连接；

VCC脚，其通过输入端VCCLOCK3与所述驱动供电电源电路的输出端VCCLOCK1连接；以及

OUTA脚，其通过第七接线端子与电磁锁线圈的正极连接。

8.如权利要求1所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述第一偏置电路包括：

电容C1，所述电容C1与所述电阻R1连接，所述电容C1的另一端接地；

电阻R2，所述电阻R2与所述电容C1并联；以及

三极管V1，所述三极管V1的基极与所述电阻R2的一端连接，所述三极管V1的发射极与所述电阻R2的另一端连接，所述三级管V1的发射极还接地，所述三级管V1的集电极与所述光耦合器O1连接。

9.如权利要求1所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述第二偏置电路包括：

电容C2，所述电容C2与所述电阻R4连接，所述电容C2的另一端接地；

电阻R5，所述电阻R5与所述电容C2并联；以及

三极管V2，所述三极管V2的基极与所述电阻R5的一端连接，所述三极管V2的发射极与所述电阻R5的另一端连接，所述三级管V2的发射极还接地，所述三级管V2的集电极与所述光耦合器O2连接。

10.如权利要求7或8所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述三级管V1、三极管V2为NPN型三级管。

11.如权利要求2或3所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述电阻R7为1206贴片电阻。

12.如权利要求1或2或5或6或7或8所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R8、电阻R9、电阻R10为0603贴片电阻。

13.如权利要求7或8所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，电容C1、电容C2为0603贴片电容。

14.如权利要求1或7或8所述的一种双通道MOS驱动芯片实现电磁锁驱动系统，其特征在于，所述光耦合器O1、光耦合器O2为线性光耦合器，所述光耦合器O1包括发光二极管VD1和光敏三极管V3，所述光耦合器O2包括发光二极管VD2和光敏三极管V4。

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