CN208078885U - 一种高压mos管控制电路 - Google Patents

Abstract

一种高压MOS管控制电路，第一MOS管的漏极连至高压输入正极；第一MOS管的源极连至高压输出正极，TTL高电平通过第一电阻连接第一光耦的RE管脚、第一光耦的DE管脚连至TTL低电平，第一光耦的A、B两个管脚连接后与第二电阻和第一稳压管的负极连接，第二电阻和第一稳压管的正极连接后与第四电阻和第五电阻连接，第五电阻的另一端连接第二电容的一端，第二电容的另一端与高压输入负极连接，第四电阻的另一端连接第一MOS管的栅极和第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接高压输出正极，第一光耦的电源端口连至VCC，第一电容的一端连接VCC，另一端连至第一光耦的GND管脚,GND管脚接地，高压输出正极接地。本实用新型具有体积小、电路简单、可靠性高。

Description

一种高压MOS管控制电路

技术领域：

本实用新型涉及一种直流电源领域技术，特别是一种针对使用MOS管作为开关管的高压控制电路。

背景技术：

在电力、交通、机械、能源等各个行业中高压电路普遍存在，然而对这些高压电路的开关控制就需要高性能的开关器件，尤其是在一些传输电流大、传输电压高的电路中对开关器件要求特别高。目前在控制高电压的电路中经常用到的开关器件主要有大功率继电器，而大功率继电器价格高、体积大、对散热要求高，因此大功率继电器在很多场合使用不便。MOS管由于开关速度快、易并联、所需驱动功率低、体积小、价格便宜等优点在很多场合已经开始取代继电器成为常用的功率开关器件之一。但是MOS管开关电路在高电压、高电流的大功率电路中使用时，当电路开或关断的瞬间MOS管漏极-源极之间所要承受的电压、电流都很高，瞬间功率过大极易造成MOS管的损坏，解决这种问题的方式一般是通过并联多个MOS管，但这种方式将无疑增大成本和体积，造成不必要的浪费。

实用新型内容：

为了克服上述的不足，本实用新型提供了一种高压MOS管控制电路。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案：

一种高压MOS管控制电路，包括高压输入正极、高压输入负极、TTL高电平、TTL低电平、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第一光耦、第一二极管、第一MOS管；

所述第一MOS管的漏极连至高压输入正极；第一MOS管的源极连至高压输出正极，TTL高电平通过第一电阻连接第一光耦的RE管脚、第一光耦的DE管脚连至TTL低电平，第一光耦的A、B两个管脚连接后与第二电阻和第一稳压管的负极连接，第二电阻和第一稳压管的正极连接后与第四电阻和第五电阻连接，第五电阻的另一端连接第二电容的一端，第二电容的另一端与高压输入负极连接，第四电阻的另一端连接第一MOS管的栅极和第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接高压输出正极，第一光耦的电源端口连至VCC，第一电容的一端连接VCC，另一端连至第一光耦的GND管脚,GND管脚接地，高压输出正极接地。

由于采用如上所述的技术方案，本实用新型具有如下优越性：

一种高压MOS管控制电路，通过在MOS管的控制端加延时电路，可以延缓MOS管导通的速度，进而起到抑制MOS管漏极导通瞬间的冲击电流的作用，本实用新型具有体积小、电路使用简单、可靠性高的特点，适用范围广，适用于高电压电路开关控制，具有很广阔的应用前景。

附图说明：

图1是本实用新型的电路示意图。

具体实施方式：

通过下面实施例可以更详细的解释本实用新型，公开本实用新型的目的旨在保护本实用新型范围内的一切变化和改进，本实用新型并不局限于下面的实施例；

结合附图所述的 一种高压MOS管控制电路，包括高压输入正极、高压输入负极、TTL高电平、TTL低电平、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2、第一光耦V1、第一二极管V2、第一MOS管V3；

所述第一MOS管V3的漏极连至高压输入正极；第一MOS管V3的源极连至高压输出正极，TTL高电平通过第一电阻R1连接第一光耦V1的RE管脚、第一光耦的V1的DE管脚连至TTL低电平，第一光耦V1的A、B两个管脚连接后与第二电阻R2和第一稳压管V2的负极连接，第二电阻R2和第一稳压管V2的正极连接后与第四电阻R4和第五电阻R5连接，第五电阻R5的另一端连接第二电容C2的一端，第二电容C2的另一端与高压输入负极连接，第四电阻R4的另一端连接第一MOS管V3的栅极和第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接高压输出正极，第一光耦V1的电源vcc端口连至外接电源VCC，第一电容C1的一端连接外接电源VCC，另一端连至第一光耦V1的GND管脚,GND管脚接地，高压输出正极接地。

所述第一电阻R1的型号为0.25W-370Ω、第二电阻R2的型号为0.25W-49.9KΩ、第三电阻R3的型号为0.25W-100KΩ、第四电阻R4的型号为0.25W-47Ω、第五电阻R5的型号为0.25W-100Ω、第一电容C1的容值为0.1μF、第二电容C2的容值为0.22μF、第一光耦V1的型号为FOD3120、第一二极管V2的型号为J1N4007、第一MOS管V3的型号为 FDL100N50F。

工作原理：当TTL+、TTL-之间的电平为高电平时，第一光耦V1的8脚和6脚之间通，在电路达到稳态之前，由于R3阻值远大于R5,可以认定为断路，外接电源VCC通过第二电阻R2、第五电阻R5为第二电容C2充电，当第二电容C2的正极电压达到第一MOS管的开启电压时，MOS管导通，随着第二电容C2继续充电，第二电容C2的正极电压随之增高，第一MOS管的漏极和源极之间的电流会逐渐增大，直到稳定。

当第二电容C2充电完毕后，其相当于断路，此时第二电阻R2、第四电阻R4和第三电阻R3对外接电源VCC分压，由于第二电阻R2和第三电阻R3远远大于第四电阻R4，所以第四电阻R4可以忽略不计，此时第一MOS管源极的电压为第三电阻R3两端的电压，此电压大于第一MOS管开启电压，第一MOS管导通。

当TTL+、TTL-之间的电平为低电平时，第一光耦V1的6脚和5脚之间通，第二电容C2经第五电阻R5和第一二极管V2放电，第一MOS管V3的栅极无驱动信号，第一MOS管V3截止，对外无输出。

以上内容中未细述部份为现有技术，故未做细述。

Claims (1)

1.一种高压MOS管控制电路，其特征在于：包括高压输入正极、高压输入负极、TTL高电平、TTL低电平、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一电容、第二电容、第一光耦、第一二极管、第一MOS管；

所述第一MOS管的漏极连至高压输入正极；第一MOS管的源极连至高压输出正极，TTL高电平通过第一电阻连接第一光耦的RE管脚、第一光耦的DE管脚连至TTL低电平，第一光耦的A、B两个管脚连接后与第二电阻和第一稳压管的负极连接，第二电阻和第一稳压管的正极连接后与第四电阻和第五电阻连接，第五电阻的另一端连接第二电容的一端，第二电容的另一端与高压输入负极连接，第四电阻的另一端连接第一MOS管的栅极和第三电阻的一端，第三电阻的另一端连接高压输出正极，第一光耦的电源端口连至VCC，第一电容的一端连接VCC，另一端连至第一光耦的GND管脚，GND管脚接地，高压输出正极接地。