CN220421801U - 一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及开关器件驱动技术领域,公开了一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，包括红外光发射单元、红外光检测单元、信号转换单元、第一开关管、第二开关管、欠压检测单元、过温保护单元和逻辑控制单元，逻辑控制单元接收信号转换单元发出的红外检测电压信号、欠压检测单元输出的欠压锁定信号和过温保护单元输出的过温保护信号，其中逻辑控制单元在只接收到红外检测电压信号时驱动两个开关管导通，在接收到欠压锁定信号和/或过温保护信号时驱动两个开关管关断；在实际使用时，本实用新型通过光耦隔离来替代磁隔离或者电容隔离，能方便电路集成到芯片上，同时也方便芯片的制作，另外通过普通BCD工艺平台就能完成芯片的生产，制作成本低。

Description

一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路

技术领域

本实用新型涉及开关器件驱动技术领域，具体涉及一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路。

背景技术

在一些高频控制领域和高压控制领域，常会需要使用MOSFET或者IGBT来实现线路的通断控制。为实现MOSFET或者IGBT等开关的通断控制，常会设计对应的驱动电路来控制开关的通断，由于流过MOSFET或者IGBT的电信号通常是高压大电流，为实现安全控制，现有驱动电路都会通过磁隔离驱动或者电容隔离驱动来实现信号隔离，而实现磁隔离驱动需要变压器、实现电容隔离驱动需要高压电容。其中授权公开号为CN216216816U的专利文献公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，该驱动电路通过驱动变压器T1进行信号隔离。

目前，为了实现电路的集成化，都会将电路集成在芯片中，但是对于通过磁隔离驱动或者电容隔离驱动进行隔离的驱动电路，如果在芯片上制作变压器或者高压电容，则存在生产工艺复杂、成本高且隔离电压较低等问题，其中生产工艺复杂体现在变压器是外在器件，不能通过制程工艺在晶圆上制作出变压器。

实用新型内容

鉴于背景技术的不足，本实用新型是提供了一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，所要解决的技术问题是现有开关器件例如MOSFET或者IGBT的驱动电路由于采用磁隔离或者电容隔离，在集成到芯片上时，存在芯片面积大、生产工艺复杂、成本高等缺陷。

为解决以上技术问题，本实用新型提供了如下技术方案：一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，包括

红外光发射单元，基于接收的红外控制信号发出红外光；

红外光检测单元，基于接收的红外光生成检测电流；

信号转换单元，被配置于将所述检测电流转换为红外检测电压信号；

第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的输出端与第二开关管的输入端电连接；

欠压检测单元，被配置于检测所述第一开关管的输入端的电压大小，在所述第一开关管的输入端的电压小于电压判定阈值时输出欠压锁定信号；

过温保护单元，在当前温度大于温度判定阈值时输出过温保护信号；

逻辑控制单元，包括三个输入端和一个输出端，三个输入端被配置于接收所述红外检测电压信号、欠压锁定信号和过温保护信号，所述输出端分别与所述第一开关管的控制端和第二开关管的控制端电连接；所述逻辑控制单元在只接收到所述红外检测电压信号时驱动所述第一开关管和第二开关管导通，在接收到欠压锁定信号和/或过温保护信号时驱动所述第一开关管和第二开关管关断。

在某种实施方式中，所述红外光发射单元包括发光二极管LED，所述红外光检测单元包括光敏二极管PD。

在某种实施方式中，所述第一开关管为PMOS管P1，所述第二开关管为NMOS管N1，所述PMOS管P1的漏极与所述NMOS管N1的漏极电连接，所述NMOS管N1的源极接地。

在某种实施方式中，所述欠压检测单元包括由至少两个分压电阻串联形成的分压支路和第一比较器；所述分压支路包括检测端、接地端和至少一个分压节点，所述检测端与所述第一开关管的输入端电连接，所述接地端接地，所述分压支路的一个分压节点与所述第一比较器的负输入端电连接；所述第一比较器的正输入端输入第一基准电压，所述第一比较器的输出端被配置于输出所述欠压锁定信号。

在某种实施方式中，所述欠压检测单元还包括第二NMOS管N2和滤波单元，所述分压支路包括三个分压电阻，分别为第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第一电阻R1一端为所述检测端，所述第一电阻R1另一端分别与第二电阻R2一端和第一比较器的负输入端电连接，所述第二电阻R2另一端分别与第三电阻R3一端和第二NMOS管N2的漏极电连接，第三电阻R3另一端为接地端，和第二NMOS管N2的源极均接地，所述第一比较器的输出端通过所述滤波单元与所述第二NMOS管N2的栅极电连接，第二NMOS管N2的栅极与所述逻辑控制单元电连接。

在某种实施方式中，所述过温保护单元包括第四电阻R4、第三NMOS管N3、三极管Q1和第一反相器，第四电阻R4一端分别与第三NMOS管N3的源极和三极管Q1的基极电连接，第四电阻R4另一端和三极管Q1发射极均接地，三极管Q1的集电极与第一反相器的输入端电连接，第一反相器的输出端与第三NMOS管N3的栅极电连接。

在某种实施方式中，所述信号转换单元包括跨阻放大器和第二比较器；所述跨阻放大器包括第一跨阻输入端、第二跨阻输入端、第一跨阻输出端和第二跨阻输出端；所述第一跨阻输入端与所述红外光检测单元电连接，在所述红外光检测单元生成所述检测电流时，所述跨阻放大器的第一跨阻输出端的输出电压和第二跨阻输出端的输出电压存在差值；所述第二比较器的正输入端带有失调电压VOS，所述第二比较器的负输入端与所述第二跨阻输出端电连接，所述第二比较器的正输入端与所述第一跨阻输出端电连接。

在某种实施方式中，所述跨阻放大器包括第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第五电阻R5、第六电阻R6、第一反馈单元、第二反馈单元、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；

所述第二三极管Q2的基极与所述红外光检测单元电连接，所述第三三极管Q3的发射极和第二三极管Q2的发射极均与所述第二电流源I2电连接；

所述第三三极管Q3的集电极分别与第五电阻R5一端和第五三极管Q5的基极电连接，所述第五电阻R5另一端与第五三极管Q5的集电极电连接，所述第五三极管Q5的发射极分别与所述第一电流源I1和第二比较器的正输入端电连接，所述第五三极管Q5的发射极通过所述第一反馈单元与所述第三三极管Q3的基极电连接；

所述第二三极管Q2的集电极分别与第六电阻R6一端和第四三极管Q4的基极电连接，所述第六电阻R6另一端与第四三极管Q4的集电极电连接，所述第四三极管Q4的发射极分别与所述第三电流源I3和第二比较器的负输入端电连接，所述第四三极管Q4的发射极通过所述第二反馈单元与所述第二三极管Q2的基极电连接。

在某种实施方式中，所述第一反馈单元和第二反馈单元均包括反馈电阻和反馈电容，所述反馈电阻与反馈电容并联。

在某种实施方式中，所述第三三极管Q3的基极还与光敏二极管PD2的负极电连接，所述光敏二极管PD2的正极接地。

本实用新型与现有技术相比所具有的有益效果是：

首先通过光耦隔离来替代磁隔离或者电容隔离，能方便电路集成到芯片上，同时也方便芯片的制作，在实际制作时可以通过普通BCD工艺平台就能完成芯片的生产，制作成本低；

其次通过设置过温保护单元和欠压检测单元可以确保电路在高温或者电压不足时不会驱动开关器件，从而确保开关器件的正常工作。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为欠压检测单元的第一种电路图；

图3为欠压检测单元的第二种电路图；

图4为过温保护单元的电路图；

图5为信号转换单元与红外光检测单元的结构示意图；

图6为信号转换单元的电路图。

图中：1、红外光发射单元，2、红外光检测单元，3、信号转换单元，4、欠压检测单元，5、过温保护单元，6、逻辑控制单元。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示，一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，包括

红外光发射单元1，基于接收的红外控制信号发出红外光；

红外光检测单元2，基于接收的红外光生成检测电流；

信号转换单元3，被配置于将检测电流转换为红外检测电压信号；

第一开关管和第二开关管，第一开关管的输出端与第二开关管的输入端电连接；其中第一开关管为PMOS管P1，第二开关管为NMOS管N1，PMOS管P1的漏极与NMOS管N1的漏极电连接，NMOS管N1的源极接地；

欠压检测单元4，被配置于检测第一开关管的输入端的电压大小，在第一开关管的输入端的电压小于电压判定阈值时输出欠压锁定信号；

过温保护单元5，在当前温度大于温度判定阈值时输出过温保护信号；

逻辑控制单元6，包括三个输入端和一个输出端，三个输入端被配置于接收红外检测电压信号、欠压锁定信号和过温保护信号，输出端分别与第一开关管的控制端和第二开关管的控制端电连接；逻辑控制单元6在只接收到红外检测电压信号时驱动第一开关管和第二开关管导通，在接收到欠压锁定信号和/或过温保护信号时驱动第一开关管和第二开关管关断。

在实际使用时，通过红外光发射单元1、红外光信号检测单元2和信号转换单元3可以实现开关器件的控制信号与输入到开关器件的信号的隔离，避免两者产生干扰。具体地，红外光发射单元1包括发光二极管LED，红外光检测单元2包括光敏二极管PD，当发光二极管LED的正极和负极电压满足发光要求时，发光二极管LED发出光。

在实际使用时，第一开关管即PMOS管P1的源极输入驱动电压VCC，当PMOS管P1导通时，PMOS管P1的漏极会输出高电平信号，从而驱动外部的开关器件导通。但是在驱动电压VCC过低不足以驱动开关器件时，需要让PMOS管P1断开，基于此通过欠压检测单元4来检测PMOS管P1的源极电压，在PMOS管P1的源极电压过低时向逻辑控制单元6输入欠压锁定信号，从而让逻辑控制单元6驱动PMOS管P1和NMOS管N1关断。

在实际使用时，温度对电子器件的使用同样存在影响，在温度过高时会影响器件的正常使用，基于此，通过设置过温保护单元5对当前温度进行检测，在当前温度大于温度判定阈值时向逻辑控制单元6输出过温保护信号，从而让逻辑控制单元6驱动PMOS管P1和NMOS管N1关断。

在实际使用时，本实用新型通过光耦隔离来替代磁隔离或者电容隔离，能方便电路集成到芯片上，同时也方便芯片的制作，在实际制作时可以通过普通BCD工艺平台就能完成芯片的生产，制作成本低；另外经实际测试，本实用新型的隔离电压可以达到8KV以上，信号传送时间小于100ns。

具体地，如图2所示，欠压检测单元3包括由至少两个分压电阻串联形成的分压支路40和第一比较器COMP1；分压支路包括检测端、接地端和至少一个分压节点，检测端与第一开关管的输入端电连接，接地端接地，分压支路的一个分压节点与第一比较器COMP1的负输入端电连接；第一比较器COMP1的正输入端输入第一基准电压Vreg，第一比较器COMP1的输出端被配置于输出欠压锁定信号。

在实际使用时，通过电阻分压来检测第一开关管的输入端的电压大小，当第一开关管的输入端电压下降使第一比较器COMP1的负输入端的电压小于第一基准电压Vreg时，第一比较器COMP1输出高电平的欠压锁定信号。

在实际使用时，虽然图2所示的欠压检测单元4可以检测第一开关管的输入端的电压大小，但是图2所示电路的抗干扰性能较差，在出现瞬时的电压波动例如第一开关管的输入端开始接入电压或者在断开电压的过程中，就容易出现欠压保护误触发的情况。基于此，如图3所示的欠压检测单元4还包括第二NMOS管N2和滤波单元FIL，分压支路40包括三个分压电阻，分别为第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，第一电阻R1一端为检测端，第一电阻R1另一端分别与第二电阻R2一端和第一比较器COMP1的负输入端电连接，第二电阻R2另一端分别与第三电阻R3一端和第二NMOS管N2的漏极电连接，第三电阻R3另一端为接地端，和第二NMOS管N2的源极均接地，第一比较器COMP1的输出端通过滤波单元FIL与第二NMOS管N2的栅极电连接，第二NMOS管N2的栅极与逻辑控制单元6电连接。

图3所示的电路在实际使用时，第一比较器COMP1的负输入端输入的采样电压VN =V*（R2+R3）/（R1+R2+R3），当采样电压V下降使VN小于第一基准电压Vreg时，欠压检测单元4输出欠压锁定信号。另外通过滤波单元FIL可以消除电源电压上的毛刺噪声，在欠压检测单元4输出欠压锁定信号时，第二NMOS管N2将第三电阻R3短路，这样可以设置欠压保护恢复的迟滞电压，进而防止欠压保护的误动作。

其中欠压保护恢复的迟滞电压的设置如下：当第二NMOS管N2导通使第三电阻R3短路时，第一比较器COMP1的负输入端的电压VN1为V*R2/（R1+R2），则电压VN1小于采样电压VN。因此在欠压保护已经触发时，相比较第三电阻R3没被短路时，第三电阻R3被短路时需要电压V上升更多来解除欠压保护。在欠压保护接触后，第二NMOS管N2关断，第三电阻R3接入分压支路40中，第一比较器COMP1的负输入端的电压会降低。

具体地，如图4所示，过温保护单元5包括第四电阻R4、第三NMOS管N3、三极管Q1和第一反相器INV1，第四电阻R4一端分别与第三NMOS管N3的源极和三极管Q1的基极电连接，第四电阻R4另一端和三极管Q1发射极均接地，三极管Q1的集电极与第一反相器INV1的输入端电连接，第一反相器INV1的输出端与第三NMOS管N3的栅极电连接。

在实际使用时，第四电阻R4一端被配置于输入电流iA，第三NMOS管N3的漏极被配置于输入电流iB，三极管Q1的集电极被配置于输入电流iC；

在常温状态中，电流iA输入到第四电阻R4，在第四电阻R4上产生压降，第四电阻R4上的压降低于三极管Q1的VBE（基极与发射极电压）电压，三极管Q1处于关断状态，三极管Q1的集电极输出高电平，第一反相器INV1输出低电平信号，即过温保护单元5输出低电平信号，同时第三NMOS管N3关断；

当温度上升时，三极管Q1的VBE电压降低，而第四电阻R4上的电压保持不变（或升高），当达到预设温度时三极管Q1的BE结正向导通，使三极管Q1的集电极输出低电平，第一反相器INV1输出高电平，即过温保护单元5输出高电平信号，同时第三NMOS管N3导通，电流iA与电流iB同时流到第四电阻R4，第四电阻R4上的电压变的更高，因此只有降低到更低的温度时，三极管Q3的VBE电压才能高于第四电阻R4上的电压，本实用新型才能退出过温保护状态。

具体地，如图5所示，信号转换单元3包括跨阻放大器和第二比较器COMP2；跨阻放大器包括第一跨阻输入端IN1、第一跨阻输出端OUT1和第二跨阻输出端OUT2；第一跨阻输入端IN1与红外光检测单元2电连接，在红外光检测单元2生成检测电流时，跨阻放大器的第一跨阻输出端OUT1的输出电压和第二跨阻输出端OUT2的输出电压存在差值；第二比较器COMP2的正输入端带有失调电压VOS，第二比较器COMP2的正输入端与第一跨阻输出端OUT1电连接，第二比较器COMP2的负输入端与第二跨阻输出端OUT2电连接。

在实际使用时，当红外光检测单元2没有检测到红外光即没有生成检测电流时，第一跨阻输出端OUT1和第二跨阻输出端OUT2的输出电压相同，此时第二比较器COMP2输出低电平信号；当红外光检测单元2检测到红外光即生成检测电流时，第一跨阻输出端OUT1和第二跨阻输出端OUT2的输出电压存在差值，此时第二比较器COMP2的两个输出端电压存在差值，第二比较器COMP2输出高电平信号。

具体地，如图6所示，本实施例中，跨阻放大器包括第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第五电阻R5、第六电阻R6、第一反馈单元30、第二反馈单元31、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；

第二三极管Q2的基极与红外光检测单元2电连接，第三三极管Q3的发射极和第二三极管Q2的发射极均与第二电流源I2电连接；

第三三极管Q3的集电极分别与第五电阻R5一端和第五三极管Q5的基极电连接，第五电阻R5另一端与第五三极管Q5的集电极电连接，第五三极管Q5的发射极分别与第一电流源I1和第二比较器的正输入端电连接，第五三极管Q5的发射极通过第一反馈单元与第三三极管Q3的基极电连接；

第二三极管Q2的集电极分别与第六电阻R6一端和第四三极管Q4的基极电连接，第六电阻R6另一端与第四三极管Q4的集电极电连接，第四三极管Q4的发射极分别与第三电流源I3和第二比较器的负输入端电连接，第四三极管Q4的发射极通过第二反馈单元与第二三极管Q2的基极电连接。

在图6中，三极管Q2的基极为第一跨阻输入端IN1，三极管Q3的基极为第二跨阻输入端，三极管Q4的发射极为第一跨阻输出端OUT1，三极管Q5的发射极为第二跨阻输出端OUT2。

图6所示电路的工作原理如下：

当光敏二极管PD没有检测到红外光时，第二三极管Q2和第三三极管Q3的基极电压相等（比较器两输入端虚短原理），此时第四三极管Q4和第五三极管Q5的发射极亦输出相同的电压，经带有固定输入失调电压VOS的第二比较器COMP2进行电压比较后，第二比较器COMP2输出低电平信号；

当有红外光照射到光敏二极管PD后，光敏二极管PD中将流过由第三三极管Q3的基极到地的光敏电流Ig，光敏电流Ig在第二反馈单元31上形成电压降，使得第四三极管Q4的发射极电压高于第五三极管Q5的发射极电压，第二比较器COMP2输出高电平信号。

具体地，本实施例中，第一反馈单元30和第二反馈单元31均包括反馈电阻和反馈电容，反馈电阻与反馈电容并联。以第一反馈单元30为例，反馈电阻为第七电阻R7，反馈电容为第一电容C1。另外为了保证在光敏二极管PD没有数检测到红外光时跨阻放大器的对称性，第三三极管Q3的基极还与光敏二极管PD2的负极电连接，光敏二极管PD2的正极接地，其中光敏二极管PD和光敏二极管PD2为相同的光敏二极管。

上述依据本实用新型为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

Claims (10)

1.一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，包括

红外光发射单元，基于接收的红外控制信号发出红外光；

红外光检测单元，基于接收的红外光生成检测电流；

信号转换单元，被配置于将所述检测电流转换为红外检测电压信号；

第一开关管和第二开关管，所述第一开关管的输出端与第二开关管的输入端电连接；

欠压检测单元，被配置于检测所述第一开关管的输入端的电压大小，在所述第一开关管的输入端的电压小于电压判定阈值时输出欠压锁定信号；

过温保护单元，在当前温度大于温度判定阈值时输出过温保护信号；

逻辑控制单元，包括三个输入端和一个输出端，三个输入端被配置于接收所述红外检测电压信号、欠压锁定信号和过温保护信号，所述输出端分别与所述第一开关管的控制端和第二开关管的控制端电连接；所述逻辑控制单元在只接收到所述红外检测电压信号时驱动所述第一开关管和第二开关管导通，在接收到欠压锁定信号和/或过温保护信号时驱动所述第一开关管和第二开关管关断。

2.根据权利要求1所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述红外光发射单元包括发光二极管LED，所述红外光检测单元包括光敏二极管PD。

3.根据权利要求1所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述第一开关管为PMOS管P1，所述第二开关管为NMOS管N1，所述PMOS管P1的漏极与所述NMOS管N1的漏极电连接，所述NMOS管N1的源极接地。

4.根据权利要求1所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述欠压检测单元包括由至少两个分压电阻串联形成的分压支路和第一比较器；所述分压支路包括检测端、接地端和至少一个分压节点，所述检测端与所述第一开关管的输入端电连接，所述接地端接地，所述分压支路的一个分压节点与所述第一比较器的负输入端电连接；所述第一比较器的正输入端输入第一基准电压，所述第一比较器的输出端被配置于输出所述欠压锁定信号。

5.根据权利要求4所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述欠压检测单元还包括第二NMOS管N2和滤波单元，所述分压支路包括三个分压电阻，分别为第一电阻R1、第二电阻R2和第三电阻R3，所述第一电阻R1一端为所述检测端，所述第一电阻R1另一端分别与第二电阻R2一端和第一比较器的负输入端电连接，所述第二电阻R2另一端分别与第三电阻R3一端和第二NMOS管N2的漏极电连接，第三电阻R3另一端为接地端，和第二NMOS管N2的源极均接地，所述第一比较器的输出端通过所述滤波单元与所述第二NMOS管N2的栅极电连接，第二NMOS管N2的栅极与所述逻辑控制单元电连接。

6.根据权利要求1所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述过温保护单元包括第四电阻R4、第三NMOS管N3、三极管Q1和第一反相器，第四电阻R4一端分别与第三NMOS管N3的源极和三极管Q1的基极电连接，第四电阻R4另一端和三极管Q1发射极均接地，三极管Q1的集电极与第一反相器的输入端电连接，第一反相器的输出端与第三NMOS管N3的栅极电连接。

7.根据权利要求1所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述信号转换单元包括跨阻放大器和第二比较器；所述跨阻放大器包括第一跨阻输入端、第二跨阻输入端、第一跨阻输出端和第二跨阻输出端；所述第一跨阻输入端与所述红外光检测单元电连接，在所述红外光检测单元生成所述检测电流时，所述跨阻放大器的第一跨阻输出端的输出电压和第二跨阻输出端的输出电压存在差值；所述第二比较器的正输入端带有失调电压VOS，所述第二比较器的负输入端与所述第二跨阻输出端电连接，所述第二比较器的正输入端与所述第一跨阻输出端电连接。

8.根据权利要求7所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述跨阻放大器包括第二三极管Q2、第三三极管Q3、第四三极管Q4、第五三极管Q5、第五电阻R5、第六电阻R6、第一反馈单元、第二反馈单元、第一电流源I1、第二电流源I2和第三电流源I3；

所述第二三极管Q2的基极与所述红外光检测单元电连接，所述第三三极管Q3的发射极和第二三极管Q2的发射极均与所述第二电流源I2电连接；

所述第三三极管Q3的集电极分别与第五电阻R5一端和第五三极管Q5的基极电连接，所述第五电阻R5另一端与第五三极管Q5的集电极电连接，所述第五三极管Q5的发射极分别与所述第一电流源I1和第二比较器的负输入端电连接，所述第五三极管Q5的发射极通过所述第一反馈单元与所述第三三极管Q3的基极电连接；

所述第二三极管Q2的集电极分别与第六电阻R6一端和第四三极管Q4的基极电连接，所述第六电阻R6另一端与第四三极管Q4的集电极电连接，所述第四三极管Q4的发射极分别与所述第三电流源I3和第二比较器的正输入端电连接，所述第四三极管Q4的发射极通过所述第二反馈单元与所述第二三极管Q2的基极电连接。

9.根据权利要求8所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述第一反馈单元和第二反馈单元均包括反馈电阻和反馈电容，所述反馈电阻与反馈电容并联。

10.根据权利要求8所述的一种基于光耦隔离的开关器件驱动电路，其特征在于，所述第三三极管Q3的基极还与光敏二极管PD2的负极电连接，所述光敏二极管PD2的正极接地。