CN116230494B - 一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，包括步骤：将塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，将得到的预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；将腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。本发明通过利用预处理(激光雕刻)与腐蚀池进行腐蚀相互结合的方式，提前将样品表面的环氧树脂层减薄，为后续的腐蚀阶段节省时间；并且本发明的半导体塑封料去除方法可以多个样品同时操作，酸量充足，腐蚀速度快，腐蚀程度可控，对半导体内部结构破坏性小，环氧树脂层被优先腐蚀，实现精准除胶。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统。
背景技术
为了保护芯片，不受外界环境变化因素影响，需要再将芯片包裹在封装介质内；并且，封装介质还可以对芯片起到支撑作用，固定芯片以便更好连接电路以及支撑整个器件不易损坏；同时起到连接作用，将芯片的电极与外界电路接通。
目前，封装介质常采用塑料、陶瓷、玻璃、金属等作为封装材料，其中由于塑料具有成本低，封装工艺简单，所以常采用塑料作为封装介质。但是封装好的芯片在客户端使用时可能会出现失效的情况，而将半导体封装好的塑料去除，还原塑封前的形貌以便表征是分析失效原因的手段之一。但是现有的半导体塑封料的去除方法中，常规滴酸法需要在每一次滴酸后进行超声清洗，且只能单个样品逐一操作，同时滴酸量少，腐蚀速度慢，导致耗时太长；常规煮酸法则煮酸温度高，腐蚀程度不可控，破坏性强，需静置降温后才能清洗，开封后样品结构不完整且耗时长。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，旨在解决现有半导体塑封料的去除方法耗时长，且开封后结构不完整的问题。
本发明的技术方案如下：
一种半导体塑封料的自动化去除方法，包括步骤：
提供塑料封装的半导体；
将所述塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，得到预处理半导体；
将所述预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；
将所述腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。
所述的半导体塑封料的自动化去除方法，所述预处理包括步骤：
通过激光雕刻工艺对塑料封装的半导体的表面进行处理，用于减薄所述塑料封装的半导体表面的塑料。
所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述腐蚀池中存储有腐蚀药水；所述腐蚀药水由发烟硝酸和质量百分浓度98％的浓硫酸组成。
所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比为(1～2):(2～1)。
所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述腐蚀池在100～105℃的恒温加热台上进行加热。
所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，所述第一清洗池中存储有丙酮；所述第二清洗池中存储有水。
所述的半导体塑封料的自动化去除方法，其中，将所述塑料封装的半导体进行固定的步骤，包括：
提供固定支架，将所述塑料封装的半导体通过焊接的方式固定在所述固定支架上，用于保持塑料封装的半导体的形状。
一种半导体塑封料的自动化去除系统，包括：
输送模块，用于输送半导体；
腐蚀模块，用于对所述半导体进行腐蚀除胶；
清洗模块，用于对腐蚀后的半导体进行洗涤；
控制模块，用于控制所述半导体的输送、腐蚀、洗涤。
所述的半导体塑封料的自动化去除系统，其中，所述输送模块包括夹取单元、升降单元、运输单元；
所述夹取单元用于所述半导体的夹取；
所述升降单元用于所述夹取单元的升降；
所述运输单元用于所述半导体的运输。
所述的半导体塑封料的自动化去除系统，其中，所述腐蚀模块包括腐蚀单元、加热单元；所述清洗模块包括超声单元、第一清洗单元、第二清洗单元；
所述腐蚀单元用于半导体塑封料的腐蚀；
所述加热单元用于所述腐蚀单元的加热；
所述超声单元用于为所述第一清洗单元和所述第二清洗单元提供超声环境；
所述第一清洗单元和所述第二清洗单元用于半导体的洗涤。
有益效果：本发明提供一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，包括步骤：将塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，将得到的预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；将腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。本发明通过利用预处理(激光雕刻)与腐蚀池进行腐蚀相互结合的方式，提前将样品表面的环氧树脂层减薄，为后续的腐蚀药水处理阶段节省时间；而采用浓硫酸和发烟硝酸的混合物作为腐蚀药水，可以高效地腐蚀去除塑封料；并且本发明的半导体塑封料去除方法可以多个样品同时操作，酸量充足，腐蚀速度快，腐蚀程度可控，对半导体内部结构破坏性小，环氧树脂层被优先腐蚀，实现精准除胶。
附图说明
图1为本发明一种半导体塑封料的自动化去除方法的工艺流程图；
图2为本发明实施例10的半导体塑封料去除效果图；
图3为本发明对比例1的半导体塑封料去除效果图；
图4为本发明对比例2的半导体塑封料去除效果图；
图5为半导体塑封料的自动化去除装置的结构示意图。
具体实施方式
本发明提供一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在实施方式和申请专利范围中，除非文中对于冠词有特别限定，否则“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
应该进一步理解的是，本发明的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本发明所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
请参考图1，本发明提供一种半导体塑封料的自动化去除方法，包括步骤：
步骤S10：提供塑料封装的半导体；
步骤S20：将所述塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，得到预处理半导体；
步骤S30：将所述预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间，得到腐蚀后的半导体；
步骤S40：将所述腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤，实现半导体塑封料的自动化去除。
本实施例中，为了高效地去除半导体的塑封料，先将塑封料封装的半导体进行固定，确保除胶后的样品仍能保持形状，其内部初始形貌不被破坏；然后进行预处理，减薄环氧树脂层，再利用腐蚀池中的腐蚀药水进行浸泡，去除剩余的环氧树脂，最后利用第一清洗池和第二清洗池将残留在样品表面的腐蚀药水、残留环氧树脂进行去除，实现半导体塑封料的自动化去除。该自动化去除方法可以同时操作多个样品，酸量充足，腐蚀速度快，腐蚀程度可控，对半导体的内部结构破坏性小，同时耗时短，塑封料的自动化去除效果好。
在一些实施方式中，所述步骤S20中，所述预处理包括步骤：通过激光雕刻工艺对所述塑料封装的半导体的表面进行处理，用于减薄所述半导体样品表面的塑料，提高腐蚀除胶效率。
在一种实施方式中，对所述塑料封装的半导体样品进行预处理采用低功率激光逐层雕刻、逐层检查，直至首次露出少部分内引线即可，可多个塑料封装的半导体样品同时操作，节省除胶耗时。
具体地，本实施例所用的激光雕刻工艺的激光功率为31-33％，雕刻次数为3-16次，即可露出少部分内引线。
在一些实施方式中，所述腐蚀池中存储有腐蚀药水；所述腐蚀药水由发烟硝酸和质量百分浓度98％的浓硫酸组成；使用发烟硝酸和质量百分浓度98％的浓硫酸的混合液作为腐蚀药水，可以提高对半导体样品的除胶效率，减少除胶的耗时。
具体地，由于浓硫酸具有吸水性，发烟硝酸具有挥发性，闲置时间长会改变浓度比例，因此所述腐蚀药水需要现用现配，配备后超过2小时不可使用。
在一些实施方式中，所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比为(1～2):(2～1)，当所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比过大或过小时，会导致半导体样品腐蚀过度或腐蚀不足，影响除胶效率和结果。
在一种优选地实施方式中，所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比为1:1，在该体积比下，使用腐蚀性药水对预处理样品的浸泡时间仅需要5s就可以将塑封料腐蚀完全。
在一些实施方式中，所述步骤S30中，所述预定时间为4～6s；根据所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比不同，可以对所述预定时间进行微调，但是浸泡时间不能过长，过长会导致腐蚀过度，破坏半导体的结构不完整(只保留晶圆)；而浸泡时间过短，塑封料的去除效果不佳。
在一些实施方式中，将所述预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡预定时间的步骤之前，所述腐蚀池需要在100～105℃的恒温加热台上进行加热待用；将腐蚀池放置在恒温加热台上加热，可以起到加速反应作用，提高腐蚀药水对塑封料的腐蚀效率，从而提高塑封料的去除效率。
在一些实施方式中，所述第一清洗池中存储有丙酮；所述第二清洗池中存储有水。
在一些实施方式中，将所述腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行洗涤的步骤，包括：将被腐蚀池浸泡后的预处理半导体依次放置于第一清洗池和第二清洗池中进行超声处理，即先利用丙酮进行清洗，然后再使用水进行清洗。
具体地，将腐蚀药水浸泡后的预处理半导体放置于丙酮中进行超声处理，可以去除预处理半导体表面的腐蚀药水和残留环氧树脂；然后再将预处理半导体取出放在普通清水中进行超声处理，以去除附着在预处理半导体表面的丙酮，最后使用定性滤纸吸干预处理半导体表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果；如内引线和芯片未露出完整结构则可重复上述操作1次，但腐蚀时间可适当减少30-50％。
需要注意的是，在本实施方式中，不可用乙醇代替丙酮清洗样品，乙醇可溶物没有丙酮多，乙醇清洗的效果较差，影响表征；并且丙酮清洗后必须使用清水清洗，避免丙酮挥发后在内引线表面有白色晶体残留。
在一些实施方式中，将所述塑料封装的半导体进行固定的步骤，包括：提供固定支架，将所述塑料封装的半导体通过焊接的方式固定在所述固定支架上，用于保持半导体样品的形状。由于塑封料本来的作用之一就是固定，半导体内部的结构是没有刚性连接的，当把塑封料去除后，引脚没有介质固定，这时起到电路连接作用的内引线(柔性)会受到拉扯导致形变被破坏，所以去除塑封料前需要将半导体样品的引脚进行固定，使得除胶后样品仍能保持形状，确保除胶后不破坏内部初始形貌；但是需要注意的是焊接固定效果良好，焊接介质不能覆盖样品表面，避免影响腐蚀效果。
除此之外，本发明还提供一种半导体塑封料的自动化去除系统，包括：
输送模块，用于输送半导体；
腐蚀模块，用于对所述半导体进行腐蚀除胶；
清洗模块，用于对腐蚀后的半导体进行洗涤；
控制模块，用于控制所述半导体的输送、腐蚀、洗涤。
本实施方式中，利用半导体塑封料的自动化去除系统实现对半导体塑封料的自动化去除，节省劳动力，通过程式控制自动完成除胶动作，时间控制更精准，同时可避免人操作，安全性更高。
在一些实施方式中，所述所述输送模块包括夹取单元、升降单元、运输单元；所述夹取单元用于所述半导体的夹取；所述升降单元用于所述夹取单元的升降；所述运输单元用于所述半导体的运输。
在一些实施方式中，所述所述腐蚀模块包括腐蚀单元、加热单元；所述清洗模块包括超声单元、第一清洗单元、第二清洗单元；所述腐蚀单元用于半导体塑封料的腐蚀；所述加热单元用于所述腐蚀单元的加热；所述超声单元用于为所述第一清洗单元和所述第二清洗单元提供超声环境；所述第一清洗单元和所述第二清洗单元用于半导体的洗涤。
为了更好地说明，如图5所示，本实施方式提供一种半导体塑封料的自动化去除装置，其包括：
夹具活动部，由控制器10、上下滑动杆20、固定杆30、夹具40；所述上下滑动杆20与所述固定杆30交叉滑动连接，所述控制器10用于控制所述上下滑动杆20进行升降动作，所述夹具40设置在所述上下滑动杆水平高度低的一端；即以固定杆为轨道，实现所述上下活动杆的水平运动；
腐蚀池50，所述腐蚀池50的底部设置有加热台60，所述腐蚀池50内存储有腐蚀药水；
第一清洗池70、第二清洗池80，所述第一清洗池70和所述第二清洗池80的底部设置有超声装置90，用于为所述第一清洗池70和所述第二清洗池80提供超声环境。
具体地，所述腐蚀池、第一清洗池、第二清洗池均设置在通风柜100内，避免腐蚀药水挥发对人体产生危害。
具体地，请参考图5，在位置A时，将需要被开封的样品装在夹具上固定，通过控制器输入相应的除胶程式，启动后等待即可；在位置B时，上下滑动杆通过控制器自动下降，浸泡除胶固定时间后自动上升，前往位置C。在位置C时，上下滑动杆通过控制器自动下降，丙酮超声清洗固定时间后即自动上升，前往位置D。在位置D时，上下滑动杆通过控制器自动下降，清水超声清洗固定时间后即自动上升，前往位置E。在位置E时，取下除胶好的样品即可。
下面进一步举例实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。
实施例1
半导体样品采用TO-92反封，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数16次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡2次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例2
半导体样品采用TO-92正封，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数8次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡2次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例3
半导体样品采用TO-92LM封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数11次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡2次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例4
半导体样品采用TO-252封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数13次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡3次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例5
半导体样品采用SOT-23封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率31％，雕刻次数4次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡1次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例6
半导体样品采用SOT-89封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数6次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡1次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例7
半导体样品采用SOT23-X封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数6次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡1次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例8
半导体样品采用SOP-7/8封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率33％，雕刻次数6次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡2次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
实施例9
半导体样品采用DFN封装，将其焊接固定在固定支架上，使用激光雕刻工艺(激光功率31％，雕刻次数3次)对样品表面的环氧树脂层进行减薄，内引线首次露出即可；将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡1次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。
普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时短。
具体地，实施例1-实施例9的塑封胶去除参数如表1所示：
表1
实施例10
提供5个塑料封装的半导体样品，并同时对5个塑料封装的半导体样品进行激光雕刻，减薄所述半导体样品表面的环氧树脂层，直至内引线首次露出即可。将质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸按体积比为1:1配置腐蚀药水，并放置在恒温加热台上加热待用，恒温的温度为105±5℃，浸泡时间5s，浸泡2次；然后依次使用丙酮、清水进行超声清洗5s；最后使用定性滤纸吸干预处理样品表面的水分并在普通光学显微镜下观察开封效果。普通光学显微镜下观察显示开封后样品结构完整，耗时30s。
具体如表2所示：
表2
结果如图2所示，开封后样品结构完整，且耗时短。
对比例1
提供5个塑料封装的半导体样品，使用常规滴酸法去除半导体的塑封料，具体操作时间如表3所示：
表3
结果如图3所示，开封后样品结构完整，但是耗时太长。
对比例2
提供5个塑料封装的半导体样品，使用常规煮酸法去除半导体的塑封料，具体操作时间如表4所示：
表4
结果如图4所示，开封后样品结构不完整(只保留晶圆)，且耗时长。
综上所述，本发明提供的一种半导体塑封料的自动化去除方法与系统，包括步骤：提供塑料封装的半导体；将塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，得到预处理半导体；将所述预处理半导体在腐蚀药水中浸泡预定时间，然后使用清洗剂进行洗涤，实现半导体塑封料的去除。本发明通过利用预处理(激光雕刻)与腐蚀药水相互结合的方式，提前将样品表面的环氧树脂层减薄，为后续的腐蚀药水处理阶段节省时间；而采用浓硫酸和发烟硝酸的混合物作为腐蚀药水，可以高效地腐蚀去除塑封料；并且本发明的半导体塑封料去除方法可以多个样品同时操作，酸量充足，腐蚀速度快，腐蚀程度可控，对半导体内部结构破坏性小，环氧树脂层被优先腐蚀，实现精准除胶。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
Claims (2)
1.一种半导体塑封料的自动化去除方法，其特征在于，所述半导体塑封料自动化去除方法包括步骤：
提供塑料封装的半导体；
将所述塑料封装的半导体进行固定，然后进行预处理，得到预处理半导体；
利用夹具活动部将所述预处理半导体输送至腐蚀池中浸泡5s，浸泡2次，得到腐蚀后的半导体；
利用夹具活动部将所述腐蚀后的半导体依次输送至第一清洗池和第二清洗池进行超声处理，实现半导体塑封料的自动化去除；
所述预处理包括步骤：通过激光雕刻工艺对塑料封装的半导体的表面进行处理，用于减薄所述塑料封装的半导体表面的塑料；所述激光雕刻工艺的激光功率为33％，雕刻次数为3-16次；
所述腐蚀池中存储有腐蚀药水；所述腐蚀药水由发烟硝酸和质量百分浓度98％的浓硫酸组成；
所述质量百分浓度98％的浓硫酸与所述发烟硝酸的体积比为1:1；
所述腐蚀池在100～105℃的恒温加热台上进行加热；
所述第一清洗池中存储有丙酮；所述第二清洗池中存储有水；
将所述塑料封装的半导体进行固定的步骤，包括：提供固定支架，将所述塑料封装的半导体通过焊接的方式固定在所述固定支架上，用于保持塑料封装的半导体的形状；
所述半导体塑封料自动化去除方法基于自动化去除装置实现，所述自动化去除装置包括：
夹具活动部，由控制器、上下滑动杆、固定杆、夹具组成；所述上下滑动杆与所述固定杆交叉滑动连接，所述控制器用于控制所述上下滑动杆进行升降动作，所述夹具设置在所述上下滑动杆水平高度低的一端；
腐蚀池，所述腐蚀池的底部设置有加热台，所述腐蚀池内存储有腐蚀药水；
第一清洗池、第二清洗池，所述第一清洗池和所述第二清洗池的底部设置有超声装置，用于为所述第一清洗池和所述第二清洗池提供超声环境。
2.一种用于实现如权利要求1所述的半导体塑封料的自动化去除方法的自动化去除系统，其特征在于，包括：
输送模块，用于输送半导体；
腐蚀模块，用于对所述半导体进行腐蚀除胶；
清洗模块，用于对腐蚀后的半导体进行洗涤；
控制模块，用于控制所述半导体的输送、腐蚀、洗涤；
所述输送模块包括夹取单元、升降单元、运输单元；
所述夹取单元用于所述半导体的夹取；
所述升降单元用于所述夹取单元的升降；
所述运输单元用于所述半导体的运输；
所述腐蚀模块包括腐蚀单元、加热单元；所述清洗模块包括超声单元、第一清洗单元、第二清洗单元；
所述腐蚀单元用于半导体塑封料的腐蚀；
所述加热单元用于所述腐蚀单元的加热；
所述超声单元用于为所述第一清洗单元和所述第二清洗单元提供超声环境；
所述第一清洗单元和所述第二清洗单元用于半导体的洗涤。
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