CN116203751A

CN116203751A - 电子装置

Info

Publication number: CN116203751A
Application number: CN202310256210.6A
Authority: CN
Inventors: 蔡嘉豪; 吴勇勋; 邹雨时; 陈恩劼; 戴名柔
Original assignee: Innolux Display Corp
Current assignee: Innolux Corp
Priority date: 2019-11-22
Filing date: 2020-09-02
Publication date: 2023-06-02
Also published as: CN112835219A; US20210157205A1; CN112835219B

Abstract

本揭露提供一种电子装置，包括光传感器以及显示面板。显示面板设置于光传感器上。显示面板包括第一显示区以及第二显示区。于俯视方向上，第一显示区重叠光传感器设置。第一显示区具有多个第一显示子像素。于俯视方向上，第二显示区邻接第一显示区设置。第二显示区具有多个第二显示子像素。多个第一显示子像素的一者的面积大于多个第二显示子像素的一者的面积，且多个第一显示子像素的相邻两者在第一方向上的间距大于多个第二显示子像素的相邻两者在第一方向上的间距。

Description

电子装置

相关分案申请

本揭露是2020年09月02日所提出的申请号为202010909770.3、发明名称为《电子装置》的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本揭露涉及一种电子装置。

背景技术

随着电子装置的应用持续的增广，显示技术的发展也日新月异。随着不同的应用条件，对于电子装置的外观与显示品质的要求越来越高,进而电子装置面临不同的问题。因此，电子装置的研发须持续更新与调整。

发明内容

本揭露是提供一种电子装置，具有高屏占比、良好的显示质量或良好的光学成像质量。

根据本揭露的实施例，电子装置包括光传感器以及显示面板。显示面板设置于光传感器上。显示面板包括第一显示区以及第二显示区。于俯视方向上，第一显示区重叠光传感器设置。第一显示区具有多个第一显示子像素。于俯视方向上，第二显示区邻接第一显示区设置。第二显示区具有多个第二显示子像素。多个第一显示子像素的一者的面积大于多个第二显示子像素的一者的面积，且多个第一显示子像素的相邻两者在第一方向上的间距大于多个第二显示子像素的相邻两者在第一方向上的间距。

基于上述，在本揭露实施例的电子装置中，由于第一显示区具有显示用的多个第一显示子像素以及具有良好光穿透率的快门像素。因此，第一显示区具有显示功能，使电子装置具高屏占比。此外，设置于显示面板下的光传感器可以接受到质量良好的图像光，而具有良好的光学成像质量。另外，本揭露的电子装置可通过在第一显示区中调整第一显示子像素与快门像素的排列图案或面积比例。因此，电子装置可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，使电子装置具高屏占比、得到良好的显示质量或良好的光学成像质量。

附图说明

包含附图以便进一步理解本揭露，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例，并与描述一起用于解释本揭露的原理。

图1A为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图；

图1B为图1A的电子装置的区域R的局部放大俯视示意图；

图1C为本揭露另一实施例的电子装置的区域R的局部放大俯视示意图；

图2A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图2B为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图2C为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图2D为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图3A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图3B为图3A的电子装置沿剖面线A-A’剖面示意图；

图3C为图3A的电子装置沿剖面线B-B’的剖面示意图；

图4A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图4B为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图5A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图5B为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图；

图6A为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的俯视示意图；

图6B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的俯视示意图；

图6C为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的俯视示意图；

图7A为本揭露一实施例的于显示模式下的电子装置的局部剖面示意图；

图7B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的局部剖面示意图；

图8A为本揭露一实施例的于显示模式下的电子装置的剖面示意图；

图8B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的剖面示意图；

图9A为本揭露一实施例的于显示模式下的电子装置的剖面示意图；

图9B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的剖面示意图；

图10为本揭露一实施例的电子装置的立体爆炸示意图；

图11为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图。

附图标记说明

10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J、10K、10L、10M、10N、10P、10Q：电子装置；

11：第一显示区；

13：第二显示区；

15：第三显示区；

17：第四显示区；

100：显示面板；

110、110’：第一显示像素；

110B、110B’、110G、110G’、110R、110R’：第一显示子像素；

112、112’、112”：快门像素；

120：第一基板；

122、124、126、128、140、142、144、146：绝缘层；

130、130’：第二显示像素；

130B、130B’、130G、130G’、130R、130R’：第二显示子像素；

150、150H、150I、151G、151J、152G、152J：第一导线；

161、162：第二导线；

163:导体层；

180：第二基板；

200：光传感器；

210：相机；

220：镜片组；

300P、300Q：背光模块；

31：光学区；

311：导光区；

312：透光区；

310P：导光板；

320P：光源；

400：光学元件；

410：光学层；

420、450：发光单元；

430：分光器；

A-A’、B-B’：剖面线；

BM：遮光层；

CE：共用电极；

CF：彩色滤光层；

CH：半导体层；

CM：相机模式；

DE：漏极；

DL：数据线；

DM：显示模式；

IM：图像光；

L1、L1’、L2、L3：光；

LC：液晶层；

LC1、LC2、LC3：液晶分子；

O1：开口；

PE、PE1、PE2：像素电极；

R、R1、R2、R3、R4：区域；

TF：透光层；

VB：重叠区；

W1、W2：宽度；

X、Y、Z：轴。

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露，须注意的是，为了使读者能容易了解及为了附图的简洁，本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭露的范围。

揭露通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“包括”、“含有”、“具有”等词为开放式词语，因此其应被解释为“含有但不限定为…”之意。因此，当本揭露的描述中使用术语“包括”、“含有”和/或“具有”时，其指定了相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在，但不排除一个或多个相应的特征、区域、步骤、操作和/或构件的存在。

本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭露。在附图中，各附图示出的是特定实施例中所使用的方法、结构和/或材料的通常性特征。然而，这些附图不应被解释为界定或限制由这些实施例所涵盖的范围或性质。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域和/或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。

应当理解到，当组件或膜层被称为“连接至”另一个组件或膜层时，它可以直接连接到此另一组件或膜层，或者两者之间存在有插入的组件或膜层。当组件被称为“直接连接至”另一个组件或膜层时，两者之间不存在有插入的组件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。

在本揭露中，长度与宽度的测量方式可以是采用光学显微镜测量而得，厚度则可以由电子显微镜中的剖面图像测量而得，但不以此为限。另外，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。

术语“大约”、“等于”、“相等”或“相同”、“实质上”或“大致上”一般解释为一数值在所给定的值的20％范围以内，或解释为在所给定的值的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％的范围以内。

在本揭露中当叙述一结构(或层别、组件、基材)位于另一结构(或层别、元件、基材)之上时，可以指二结构相邻且直接连接，或是可以指二结构相邻而非直接连接，非直接连接是指二结构之间具有至少一中介结构(或中介层别、中介组件、中介基材、中介间隔)，一结构的下侧表面相邻或直接连接于中介结构的上侧表面，另一结构的上侧表面相邻或直接连接于中介结构的下侧表面，而中介结构可以是单层或多层的实体结构或非实体结构所组成，并无限制。在本揭露中，当某结构配置在其它结构“上”时，有可能是指某结构“直接”在其它结构上，或指某结构“间接”在其它结构上，即某结构和其它结构间还夹设有至少一结构。

本揭露说明书内的“第一”、“第二”...等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”是用于与“第二元件”、“部件”、“区域”、“层”、或“部分”区隔，而非用于限定顺序或特定元件、部件、区域、层和/或部分。另外，权利要求中可不使用相同术语，并可依照权利要求中元件宣告的顺序，以“第一”、“第二”、“第三”等来取代。据此，在以下说明书中，第一构件在权利要求中可能为第二构件。

本揭露的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、拼接装置或透明显示装置，但不以此为限。电子装置可为可卷曲、可拉伸、可弯折或可挠式电子装置。电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)、发光二极管(light emitting diode，LED)、量子点(quantum dot，QD)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)或其他适合的材料，且其材料可任意排列组合；发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、毫米/次毫米发光二极管(mini LED)、微发光二极管(micro LED)或量子点发光二极管(quantum dot，QD，可例如为QLED、QDLED)，但不以此为限。天线装置可例如是液晶天线，但不以此为限。拼接装置可例如是显示器拼接装置或天线拼接装置，但不以此为限。需注意的是，电子装置可为前述的任意排列组合，但不以此为限。此外，电子装置的外型可为矩形、圆形、多边形、具有弯曲边缘的形状或其他适合的形状。电子装置可以具有驱动系统、控制系统、光源系统、层架系统…等周边系统以支援显示装置、天线装置或拼接装置。下文将以显示装置说明本揭露内容，但本揭露不以此为限。

在本揭露中，以下所述的各种实施例可在不背离本揭露的精神与范围内做混合搭配使用，例如一实施例的部分特征可与另一实施例的部分特征组合而成为另一实施例。

现将详细地参考本揭露的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。

图1A为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图。图1B为图1A的电子装置的区域R的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1A及图1B省略示出了若干元件。请参考图1A及图1B，电子装置10包括光传感器200以及显示面板100。显示面板100设置于光传感器200上，因此于俯视方向上(例如:在Z轴方向上)，光传感器200重叠在显示面板100的下方。在本实施例中，显示面板100包括第一显示区11与第二显示区13。于俯视方向上，第一显示区11对应光传感器200设置。换句话说，光传感器200重叠于第一显示区11。另外，于俯视方向上，第二显示区13邻接第一显示区11设置。换句话说，第二显示区13可定义为显示面板100中第一显示区11以外的区域，而使第二显示区13可以环绕或邻接第一显示区11。在本实施例中，显示面板100例如为液晶显示面板，但不以此为限。光传感器200可例如为光学相机、红外线光传感器或可见光传感器，或以上的组合，本实施例不以此为限。在上述的设置下，本揭露的电子装置10可以是应用显示屏下相机技术(camera under display)的显示器，但本揭露不以此为限。由于本实施例的电子装置10包括位于显示面板100下方设置的光传感器200，因此电子装置10可具有高屏占比、具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。以下将先简单说明像素的排列图案。

请参考图1B，区域R中示出了第一显示区11以及部分的第二显示区13。在X轴与Y轴方向上，第二显示区13邻接第一显示区11设置。在本揭露中，X轴垂直于Y轴，且Z轴垂直于X轴或Y轴。

第一显示区11具有多个第一显示子像素(例如第一显示子像素110R、第一显示子像素110G及第一显示子像素110B)与多个快门像素112。在本实施例中，X轴大致与第一显示子像素的短边的延伸方向平行，Y轴大致与第一显示子像素的长边的延伸方向平行，但本揭露不限于此。第一显示子像素例如是用于显示图像的子像素(sub-pixel)，其包括显示红色的第一显示子像素110R、显示绿色的第一显示子像素110G及显示蓝色的第一显示子像素110B，但不以此为限。在本实施例中，于第一显示区11中，多个第一显示子像素构成至少一个第一显示像素110。举例来说，第一显示子像素110R、第一显示子像素110G与第一显示子像素110B可共同构成一个第一显示像素110，但不以此为限。需说明的是，在图1B中第一显示区仅包含八个第一显示像素110与八个快门像素112，但第一显示像素110与快门像素112的数量并不以此为限。

多个快门像素112的至少一者相邻至少一个第一显示像素110设置。如图1B所示，快门像素112可以在X轴或Y轴上邻接第一显示像素110设置。也就是说，快门像素112与第一显示像素110可以同时在X轴上或在Y轴上交替的设置，但不以此为限。在本实施例中，快门像素112例如定义为不具有任何颜色且具有良好光穿透率的像素，例如光穿透率大于80％的透明像素，或是光穿透率大于任何一个第一显示子像素110R、110G、110B的透明像素，其可通过驱动液晶分子(图未示)来提供光穿透或光吸收的效果。借此，来自外界的光可以穿透快门像素112而抵达光学传感器200，以产生图像信号或其他信号。

在本实施例中，于俯视方向上，多个快门像素112的任一者的面积可大于多个第一显示子像素的任一者的面积。也就是说，快门像素112的面积例如可以大于第一显示子像素110R(或者，第一显示子像素110G或第一显示子像素110B)的面积，但本实施例不以此为限。此外，在某些实施例中，快门像素112的面积可以等于第一显示像素110的面积，但不以此为限。在其他实施例中，快门像素112的面积可以大于或小于第一显示像素110的面积。在上述的设置下，使用者可以在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，而得到良好的显示质量和/或良好的光学成像质量。

在本实施例中，第二显示区13具有多个第二显示子像素(包括：第二显示子像素130R、第二显示子像素130G及第二显示子像素130B)。第二显示子像素例如是用于显示图像的子像素(sub-pixel)，其包括显示红色的第二显示子像素130R、显示绿色的第二显示子像素130G及显示蓝色的第二显示子像素130B，但不以此为限。在本实施例中，于第二显示区13中，多个第二显示子像素构成至少一个第二显示像素130。举例来说，第二显示子像素130R、第二显示子像素130G与第二显示子像素130B可共同构成一个第二显示像素130，但不以此为限。

在本实施例中，多个第二显示像素130可在X轴上邻接地并排或在Y轴上邻接地并排，但不以此为限。此外，于俯视方向上，任一个第二显示子像素130R、130G、130B的面积可以大于、等于或小于任一个第一显示子像素110R、110G、110B的面积。

值得注意的是，由于本揭露一实施例的电子装置10的光传感器200可以对应显示面板100的第一显示区11设置，且第一显示区11具有显示用的多个第一显示子像素110R、110G、110B以及具有良好光穿透率的快门像素112。因此，第一显示区11具有显示功能。此外，设置于显示面板100下的光传感器可以接受到质量良好的图像光，而具有良好的光学成像质量。基于上述，电子装置10可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，使电子装置具高屏占比、具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

以下将列举其他实施例以作为说明。在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。

图1C为本揭露另一实施例的电子装置的区域R的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图1C省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10A大致相似于图1B的电子装置10，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10之处主要在于，于第一显示区11中，第一显示子像素110R’、110G’、110B’与快门像素112’在X轴方向上交错设置。举例来说，在X轴方向上，设置第一显示子像素110R’、快门像素112’、第一显示子像素110G’、快门像素112’、第一显示子像素110B’及快门像素112’。也就是说，快门像素112’的任一者设置于第一显示子像素110R’、110G’、110B’的相邻任二者之间。第一显示子像素110R’、110G’、110B’构成一个第一显示像素110’，也就是说，在第一显示像素110’中，还会包括快门像素112’穿插于其中。在本实施例中，第一显示子像素110R’与另一个第一显示子像素110R’在Y轴上并排，而快门像素112’与另一个快门像素112’在Y轴上并排，但在本揭露中，第一显示子像素110R’、110G’、110B’的排列方式并不限于此。

此外，于俯视方向上，快门像素112’的任一者的面积小于第一显示子像素110R’、110G’、110B’任一者的面积，举例来说，快门像素112’于Y轴上的长度与第一显示子像素110R’于Y轴上的长度可以实质上相同，但第一显示子像素110R’于X轴上的宽度W1可以大于快门像素112’于X轴上的宽度W2。在本实施例中，长度的定义可为在Y轴上进行测量得到的最大长度，而宽度的定义可为在X轴上进行测量得到的最大宽度。需注意的是，在本揭露中第一显示子像素110R’、110G’、110B’与快门像素112之间的面积比例并不以此为限。在其他实施例中，快门像素112’的任一者的面积也可以大于或等于第一显示子像素110R’、110G’、110B’任一者的面积，例如快门像素112’于Y轴上的长度与第一显示子像素110R’于Y轴上的长度可以实质上相同，但快门像素112’于X轴上的宽度W2可以大于或等于第一显示子像素110R’于X轴上的宽度W1。

在本实施例中，第一显示子像素110R’、110G’、110B’的任一者于Y轴上的长度还可以大于第二显示子像素130R、130G、130B的任一者于Y轴上的长度。与例来说，第一显示子像素110R’于Y轴上的长度可约为第二显示子像素130R于Y轴上的长度的两倍，但本实施例不以此为限。在其他实施例中，第一显示子像素110R’于Y轴上的长度也可以是第二显示子像素130R于Y轴上的长度的三倍或以上。另外，第一显示子像素110R’、110G’、110B’的任一者于X轴上的宽度还可以大于第二显示子像素130R、130G、130B的任一者于X轴上的宽度，但不以此为限。在上述的设置下，使用者可在第一显示区11中调整第一显示子像素110R’、110G’、110B’与快门像素112’的排列图案或面积比例，以得到良好的显示质量或良好的光学成像质量。另外，使用者可使第一显示子像素110R’、110G’、110B’与第二显示子像素130R、130G、130B匹配。如此一来，电子装置10A可具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

图2A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图2A省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10B与图1B的电子装置10相似。举例来说，如图2A所示，快门像素112与第一显示像素110可以同时在X轴上与在Y轴上交替设置。此外，于第一显示区11中，快门像素112的数量与第一显示像素110的数量的比例为1:1，但本揭露不以此为限，在一些实施例中，于第一显示区11中，快门像素112的总面积与第一显示像素110的总面积的比例为1:1。举例来说，在图2A中第一显示区11中可具有区域R1。区域R1可定义为在X轴与Y轴上分别包括两个像素(第一显示像素110或快门像素112)所形成的2x2矩阵区域。如图2A所示，区域R1中包括两个第一显示像素110以及两个快门像素112。也就是说，第一显示像素110与快门像素112是以1:1的方式设置。换句话说，在第一显示区11中，快门像素112的数量占全部像素的二分之一(1/2)。借此，电子装置10B可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，而具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

在一些实施例中，于第一显示区11中，快门像素112的数量与第一显示像素110的数量或总面积的比例还可为1:4至4:1的范围之内(1/4≤快门像素/第一显示像素≤4)。例如，快门像素112的数量与第一显示像素110的数量或总面积的比例可为1:1、1:2、1:3、1:4、2:1、2:3、3:1、3:2、3:4、4:1或4:3，但不以此为限。在一些实施例中，快门像素112与第一显示像素110的数量或总面积的比例还可为1:25至25:1的范围之内(1/25≤快门像素/第一显示像素≤25)。以下将以其他实施例简单说明快门像素112与第一显示像素110的图案与数量比例。

图2B为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图2B省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10C大致相似于图2A的电子装置10B，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10B之处主要在于，于第一显示区11中，快门像素112的数量与第一显示像素110的数量的比例为1:4。举例来说，第一显示区11中可具有区域R2。区域R2可定义为在X轴上包括三个像素(第一显示像素110或快门像素112)与Y轴上包括四个像素(第一显示像素110或快门像素112)所形成的3x4的矩阵区域。如图2B所示，区域R2中包括九个第一显示像素110以及三个快门像素112。也就是说，第一显示像素110与快门像素112是以3:1的方式设置。换句话说，在第一显示区11中，快门像素112的数量占全部像素的四分之一(1/4)。借此，电子装置10C可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，而具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

图2C为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图2C省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10D大致相似于图2A的电子装置10B，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10B之处主要在于，于第一显示区11中，快门像素112的数量与第一显示像素110的数量的比例为1:2。举例来说，第一显示区11中可具有区域R3。区域R3可定义为在X轴及Y轴上分别包括三个像素(第一显示像素110或快门像素112)所形成的3x3的矩阵区域。如图2C所示，区域R3中包括六个第一显示像素110以及三个快门像素112。也就是说，第一显示像素110与快门像素112是以2:1的方式设置。换句话说，在第一显示区11中，快门像素112占全部像素的三分之一(1/3)。借此，电子装置10D可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，而具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

图2D为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图2D省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10E大致相似于图2A的电子装置10B，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10B之处主要在于，于第一显示区11中，快门像素112的数量与第一显示像素110的数量的比例为1:2。举例来说，第一显示区11中可具有区域R4。区域R4可定义为在X轴上包括三个像素(第一显示像素110或快门像素112)及Y轴上包括六个像素(第一显示像素110或快门像素112)所形成的3x6的矩阵区域。如图2D所示，区域R4中包括十二个第一显示像素110以及六个快门像素112。也就是说，第一显示像素110与快门像素112是以2:1的方式设置。换句话说，在第一显示区11中，快门像素112占全部像素的三分之一(1/3)。借此，电子装置10E可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，而具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

在此须注意的是，图2A至图2D所示的电子装置10B、10C、10D、10E在像素比例以及像素排列的图案上均有不同，且本揭露并不限制像素排列的图案。在一些实施例中，第一显示像素110与快门像素112是交替排列的。也就是说，快门像素112会邻接至少一个第一显示像素110，但不以此为限。在一些实施例中，快门像素112也可能邻接另一个快门像素112。在不背离本揭露的精神与范围内，图2A至图2D所示第一显示像素110与快门像素112的排列图案可做混合搭配使用。

图3A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图3A省略示出了若干元件。图3B为图3A的电子装置沿剖面线A-A’的剖面示意图，图3C为图3A的电子装置沿剖面线B-B’的剖面示意图。本实施例的电子装置10F大致相似于图1C的电子装置10A，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10A之处主要在于，电子装置10F的显示面板100还包括第一导线150以及第二导线161、162。在本实施例中，第一导线150电性连接至第一显示区11，且电性连接至多个快门像素112’中的至少一者。而第二导线161、162电性可连接至第二显示区13和/或第一显示区11，且第二导线161、162分别电性连接至所述多个第二显示子像素130R’、130G’、130B’的至少一者。以下将简单的介绍电子装置10F的像素结构。

请参考图3A、图3B及图3C。电子装置10F的显示面板100包括第一基板120、绝缘层122、124、126、128、140、142、144、146在Z轴上依序堆叠于第一基板120上。在本实施例中，第一基板120可包括硬性基板、软性基板或前述的组合。举例而言，第一基板120的材料可包括玻璃、石英、蓝宝石(sapphire)、陶瓷、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、其它合适的基板材料、或前述的组合，但不以此为限。在本实施例中，主动元件与信号走线可分别设置于多层绝缘层之间。绝缘层122、124、126、128、140、142、144、146可以分别为单层或多层结构，且可例如包含有机材料(例如氮化硅等)、无机材料或前述的组合，但不以此为限。

在本实施例中，第一显示子像素110R’、110G’、110B’及其所构成的第一显示像素110’设置于第一显示区11中。快门像素112’邻接第一显示子像素110R’、110G’、110B’设置于第一显示区11中。第二显示子像素130R’、130G’、130B’及其所构成的第二显示像素130’设置于第二显示区13中。

请参考图3B及图3C，绝缘层122设置于第一基板120上。半导体层CH设置于绝缘层122上。绝缘层124设置于半导体层CH与绝缘层122上以作为闸绝缘层。绝缘层126设置于绝缘层124上。数据线DL与漏极DE设置于绝缘层126上。且漏极DE可通过绝缘层124及126的通孔电性连接至半导体层CH。绝缘层128设置于数据线DL、漏极DE与绝缘层126上。绝缘层140设置于绝缘层128上。绝缘层142设置于绝缘层140上。导体层163设置于绝缘层142上。绝缘层144设置于导体层163与绝缘层142上。共用电极CE设置于绝缘层144上。共用电极CE通过绝缘层144的通孔电性连接至导体层163。绝缘层146设置于绝缘层144上。像素电极PE、PE’设置于绝缘层146上。在图3B中，像素电极PE可通过绝缘层128、140、142、144及146的通孔电性连接至漏极DE。在图3C中，像素电极PE’可通过绝缘层144及146的通孔VH电性连接至第一导线150。需说明的是，本实施例中各层别之间的堆叠关系仅为一示例，但本掲露并不限于此。在本实施例中，主动元件例如由半导体层CH、栅极(未示出)、源极(未示出)与漏极DE所构成。半导体层CH的材料包括非晶质硅(amorphous silicon)、低温多晶硅(LTPS)、金属氧化物(例如氧化铟镓锌IGZO)、其他合适的材料或上述的组合，但不以此为限。在一些实施例中，不同的主动元件可包含不同的半导体层的材料，例如部分主动元件的半导体层包括低温多晶硅，而另一部分主动元件的半导体层CH的材料包括金属氧化物。在本实施例中，主动元件可以为顶栅极(Top-gate)结构、底栅极(Bottom-gate)结构或其他合适的结构，但不以此为限。源极与漏极DE的材料可以包括透明导电材料或非透明导电材料，例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、氧化锌、氧化锡、金属材料(例如铝、钼、铜、银等)、其它合适材料或上述组合，但不以此为限。

在本实施例中，信号走线包括扫描线(未示出)、数据线DL、电源线或其他导线。在本实施例中，扫描线与数据线DL彼此相交，且数据线DL可传递数据信号以控制显示子像素，也就是说，在本实施例中，图3B中的数据线DL相当于但不限于图3A的第二导线161、162。其中，扫描线可以大致在X轴上延伸，而数据线DL可以大致在Y轴上延伸，但不以此为限。扫描线可与主动元件的栅极电性连接，且数据线DL可与源极电性连接，因而使得主动元件可以分别通过栅极以及源极电性连接至扫描线以及数据线DL。在一些实施例中，扫描线及数据线DL的材料可以包括钼(molybdenum，Mo)、钛(titanium，Ti)、钽(tantalum，Ta)、铌(niobium，Nb)、铪(hafnium，Hf)、镍(nickel，Ni)，铬(chromium，Cr)、钴(cobalt，Co)、锆(zirconium，Zr)、钨(tungsten，W)、铝(aluminum，Al)、铜(copper，Cu)、银(argentum，Ag)、其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，但不以此为限。

请参考图3A、图3B及图3C，在本实施例中，第一导线150电性连接至第一显示区11，且第一导线150电性连接至多个快门像素112’的至少一者。举例来说，第一导线150例如沿着Y轴上延伸，且在X轴上延伸进入第一显示区11。在X轴上延伸的第一导线150通过通孔VH(via)，以电性连接至快门像素112’的像素电极PE’(于图3C中示出，于后续说明)。第二导线161、162(相当于图3B中的数据线DL)电性连接至第二显示区13，且第二导线161、162电性连接至多个第二显示子像素130R’、130G’、130B’的至少一者。举例来说，第二导线161例如在第二显示区13中沿着Y轴延伸以电性连接至第二显示子像素130R’。此外，第二导线161还可以沿着Y轴延伸进入第一显示区11中以电性连接至第一显示子像素110R’，但本实施例不以此为限。在上述的设置下，第一显示子像素110R’与第二显示子像素130R’可通过对应的第二导线161耦接。以此类推，第一显示子像素110G’与第二显示子像素130G’可通过对应的第二导线162耦接，且第三显示子像素110B’与第二显示子像素130B’也可通过对应的第二导线耦接。在一些实施例中，还可以通过设置额外的多条第三导线以电性连接至第一显示子像素110R’、110G’、110B’，以传递用于控制第一显示子像素110R’、110G’、110B’的显示信号。

请参考图3A、图3B及图3C，在第二显示区13中，导体层163通过绝缘层144的通孔与共用电极CE电性连接。也就是说，导体层163可应用为共用电极线。

在第一显示区11中，第一导线150通过绝缘层144及146的通孔VH与像素电极PE’电性连接。也就是说，电子装置10F可通过第一导线150来控制快门像素112’，也是就说，可通过第一导线150所传递的信号，来调整快门像素112’的透光度，但不以此为限。在本实施例中，第一导线150与导体层163可以同层制作，以降低制作成本，但本揭露并不以此为限。第一导线150与导体层163的材料包括可以包括铝、铜、银、其他合适的金属、或上述材料的合金或组合，但不以此为限。

在上述的设置下，第一导线150可以用来控制第一显示区11中的全部或部分快门像素112’，而通过第二导线161、162与主动元件来控制第一显示像素110’及第二显示像素130’。在本实施例中，第一导线150可耦接至电子元件来传递控制快门像素112’的信号。电子元件例如包括芯片(chip)、可挠式线路板(flexible printed circuit board，FPC)，但不以此为限。

此外，依据所传递的信号，第一导线150与第二导线161、162分别具有极性。需说明的是，本掲露中的极性，是指导线所传递信号的电压值的正负，当信号电压值大于零时，其极性为正，当信号电压值小于零时，其极性为负。第一导线150的极性与第二导线161的极性可相同或不同。第二导线161与第二导线162的极性可相同或不同。在一些实施例中，与第一导线150电性连接的多个快门像素112’可具有相同的极性。而与第二导线电性连接的第二显示子像素130R’、130G’、130B’可分别与对应的第一显示子像素110R’、110G’、110B’具有相同极性(也就是说，当一第二导线同时电性连接到第一显示区与第二显示区时，该第二导线所电性连接的第一显示子像素与第二显示子像素具有相同的极性)。举例来说，当第一导线150为正极性时，与其电性连接的多个快门像素112’也均为正极性。当第二导线161为正极性时，对应的第一显示子像素110R’及第二显示子像素130R’的极性为正极性。当第二导线162为负极性时，对应的第一显示子像素110G’及第二显示子像素130G’的极性为负极性。另外需注意的是，考量到光传感器的作动时间(例如相机的快门速度)，在一些实施例中，控制快门像素112’的信号会依据光传感器的控制信号进行调整，以增进光学成像质量。

在其他实施例中，第一导线150也可为负极性，而与其电性连接的多个快门像素112’也均为负极性，但不以此为限。

图4A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图4A省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10G大致相似于图3A的电子装置10F，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10F之处主要在于，快门像素112”可分别与不同第一导线151G、152G相连接。第一导线151G与152G分别沿着Y轴延伸，再沿着X轴延伸进入第一显示区11。在本实施例中，第一导线151G电性连接一部分的快门像素112”。第一导线152G电性连接另一部分的快门像素112”。在本实施例中，相邻两个快门像素112”之间可夹设至少一个第一显示子像素110G’(或第一显示子像素110B’)。

在本实施例中，第一导线151G与第一导线152G可分别具有不同极性。举例来说，第一导线151G具有正极性，而第一导线152G具有负极性。因此，对应连接第一导线151G的快门像素112”具有正极性，而对应连接第一导线152G的快门像素112”具有负极性。如此一来，相邻的两个快门像素112”可分别具有不同的极性。例如，可在第一显示区11中使第一显示子像素110R’右侧的快门像素112’具有正极性，且使第一显示子像素110G’右侧快门像素112”具有负极性，但不以此为限。借着调整第一导线151G、152G的连接方式与控制信号的极性，电子装置10G可具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

在一些实施例中，可调整第一导线151G、152G的连接方式，使连续两个相邻快门像素112”具有相同的极性，例如在图4A中，第一显示子像素110B’右侧的快门像素112”与该快门像素112”右侧的相邻快门像素112”皆为相同极性。但本揭露中属于同极性的相邻快门像素的数量并不以此为限。

图4B为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图4B省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10H大致相似于图3A的电子装置10F，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10F之处主要在于，第一导线150H先沿着Y轴延伸，再沿着X轴延伸，接着沿着Y轴延伸进入第一显示区11。第一导线150H在Y轴上对应多个快门像素112’，并通过通孔VH，以电性连接至快门像素112’。在本实施例中，第一导线150H可为正极性，与其电性连接的多个快门像素112’也均为正极性，但不以此为限。在一些实施例中，第一导线150H可为负极性，与其电性连接的多个快门像素112’也均为负极性。需说明的是，图3A、图4A、图4B分别掲露了第一导线150、151G、152G、150H与快门像素112’、112”的连接方式，但本揭露并不以此为限。

图5A为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图5A省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10I大致相似于图4B的电子装置10H，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10H之处主要在于，第一显示子像素110R’、110G’、110B’与第二显示子像素130R、130G、130B的长边延伸方向为X轴方向。快门像素112’、112”的长度延伸方向也为X轴。另外，第一显示子像素110R’、110G’、110B’的面积可大于第二显示子像素130R、130G、130B。更具体的说，第一显示子像素110R’、110G’、110B’任一者于X轴上的长度大于第二显示子像素130R、130G、130B任一者于X轴上的长度。此外，第一显示子像素110R’、110G’、110B’任一者于Y轴上的宽度大于第二显示子像素130R、130G、130B任一者于Y轴上的宽度。此外，第一显示子像素110R’、110G’、110B’任一者于Y轴上的宽度也大于快门像素112’、112”任一者于Y轴上的宽度。不过，本揭露不以此为限。

在本实施例中，第一导线150I沿着X轴延伸，再沿着Y轴延伸进入第一显示区11。第一导线150I在Y轴方向上对应多个快门像素112’、112”，并通过通孔VH，以电性连接至快门像素112’、112”。在本实施例中，第一导线150I可为正极性，与其电性连接的多个快门像素112’、112”也均为正极性，但不以此为限。在一些实施例中，第一导线150I可为负极性，与其电性连接的多个快门像素112’、112”也均为负极性。

在本实施例中，第二导线161与第二显示子像素130R、130G、130B电性连接，并自第一显示区11外延伸进入第一显示区11，并与第一显示子像素110R’、110G’、110B’电性连接。因此，第一显示子像素110R’、110G’、110B’以及与第二导线161电性连接的第二显示子像素130R、130G、130B也均具有相同极性，例如为正极性。此外，第二导线162也与第二显示区13电性连接，并延伸进入第一显示区11，而与第一显示子像素110R’、110G’、110B’电性连接。在上述的配置下，当第一导线150I、第二导线161及第二导线162均为正极性时，第一显示区中可在Y轴上具有两直列(column)的像素，且均为正极性。借此，第一显示区11中的像素的极性可以一致。但本揭露并不以此为限，在一些实施例中，第一导线150I与第二导线161、162的极性可不一致。

图5B为本揭露一实施例的电子装置的局部放大俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图5B省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10J大致相似于图4B的电子装置10H，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10H之处主要在于，快门像素112’、112”可分别与不同第一导线151J、152J电性连接。第一导线151J沿着Y轴电性连接多个快门像素112’。另一第一导线152J沿着Y轴电性连接多个快门像素112”。由于两条第一导线151J、152J与两条第二导线161、162并不互相电性连接，因此在一些实施例中，第一导线151J与第一导线152J的极性可以不同，例如第一导线151J具有负极性，而第一导线152J具有正极性。而第二导线161与第一导线162的极性也可以不同，例如与具有负极性的第一导线151J对应的第二导线161具有正极性，且与具有正极性的第一导线152J对应的第二导线162具有负极性，因此负极性的快门像素112’与正极性的第一显示子像素110R’、110G’、110B’交错设置，而正极性的快门像素112”与负极性的第一显示子像素110R’、110G’、110B’交错设置。

在一些实施例中，第一导线151J也可具有正极性，而第一导线152J具有负极性。此时分支151J与对应的第二导线161为正极性，且分支152J与对应的第二导线162为负极性。但本揭露中第一导线151J、152J、第二导线161、162、快门像素112’、112”与第一显示子像素110R’、110G’、110B’间的极性关系并不限于此。

图6A为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的俯视示意图。图6B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的俯视示意图。图6C为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的俯视示意图。为了附图清楚及方便说明，图6A、图6B及图6C省略示出了若干元件。相同或近似的元件，可参考前述实施例，故不再重复赘述。在本实施例中，相机模式(camera mode)是定义为第一显示区11中的快门像素112’(例如于图3A所示出)在第一导线150(例如于图3A所示出)的控制下，使光可以穿透快门像素112’以抵达光传感器200。以光传感器200为相机模块为例，在相机模式下，快门像素112’可让图像光穿透快门像素112’而使光传感器200可以取得图像信号。相对于相机模式，显示模式(display mode)则对应到光被第一显示区11中的快门像素112’吸收或遮蔽而无法抵达光传感器200的情况。借此，可以在显示模式下维持良好的显示质量。

本实施例的电子装置10K还可包括背光模块(于图8A示出)。显示面板100设置并重叠背光模块(backlight module)。在相机模式下，背光模块可以部分发光而另一部分不发光。以图6A举例来说，背光模块可以在对应第二显示区13的部分发光，而在对应第一显示区11的部分不发光。在上述的设置下，图像光在第一显示区11中进入光传感器200时，不会受到背光模块所发出的光影响。

本实施例的电子装置10K的背光模块，在相机模式下还具有其他的发光方式。以图6B举例来说，背光模块在对应第一显示区11的部分不发光。背光模块可以在对应第二显示区13的部分发光，但在对应于靠近第二显示区13上部边缘的第三显示区15的部分不发光。在本实施例中，第三显示区15定义为显示面板100上靠近上方边缘的部分，且第三显示区15可重叠部分第二显示区13和/或重叠第一显示区11。换句话说，背光模块可以在对应第一显示区11与其邻近的第二显示区13的部分不发光。

以图6C举例来说，背光模块在第一显示区11中不发光，但在第二显示区13中发光。在本实施例中，显示面板100上靠近上方边缘的部分还可定义出第四显示区17。第四显示区17可重叠部分第二显示区13但不重叠第一显示区11，且第四显示区17相邻第一显示区11设置。在本实施例中，背光模块重叠第四显示区17的部分可发光，但第四显示区17内的第二显示像素130’(例如于图3A所示出)为关闭(off)状态，因此背光模块所发出的光较少穿透第四显示区17内的第二显示像素130’而使第二显示像素130’呈现暗态。

在上述的设置下，电子装置10K可通过控制背光模块或控制显示面板来达成良好的显示质量或良好的光学成像质量。

图7A为本揭露一实施例的于显示模式下的电子装置的局部剖面示意图。图7B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图7A及图7B省略示出了若干元件。相同或近似的元件，可参考前述实施例，故不再重复赘述。在本实施例中，电子装置10L还包括第二基板180、彩色滤光层CF、透光层TF以及遮光层BM。彩色滤光层CF、透光层TF以及遮光层BM分别设置于第二基板180上。在本实施例中，第二基板180的材料包括透明材料，例如玻璃、石英或其他合适的材料。彩色滤光层CF的材料包括有色光阻或其他合适的材料。透光层TF的材料包括透明光阻或其他合适的材料。遮光层BM的材料包括金属、不透光的树脂或不透光的光阻，但不以此为限。在本实施例中，第二基板180例如可作为彩色滤光基板，但不以此为限。

在本实施例中，电子装置10L还包括液晶层LC设置于第一基板(图未示)上的绝缘层146与第二基板180之间。液晶层LC包括多个液晶分子LC1、LC2、LC3。如图7A所示，第一显示像素110可包括彩色滤光层CF以及像素电极PE1，而快门像素112可包括透光层TF以及像素电极PE2。

值得注意的是，快门像素112的部分重叠对应第一显示像素110的第一显示子像素。具体来说，在Z轴方向上，快门像素112的像素电极PE2部分地重叠第一显示像素110的彩色滤光层CF。在上述的设置下，重叠的部分可定义出重叠区VB。也就是说，像素电极PE2重叠彩色滤光层CF的部分可定义出重叠区VB。如图7A所示，在显示模式下，第一显示像素110的像素电极PE1可被电性导通，因此对应第一显示像素110的液晶分子LC1可受到电场的影响而转动，使背光模块(图未示)的光可沿着Z轴上穿透液晶层LC及彩色滤光层CF。同时，快门像素112的像素电极PE2不被电性导通，因此对应快门像素112的液晶分子LC2不受到电场的影响而不会转动，使背光模块(图未示)的光被偏光片(图未示)吸收。此外，由于重叠区VB包括部分像素电极PE2，因此对应重叠区VB的液晶分子LC3也不会转动。如此一来，电子装置10L可借由液晶分子LC3在重叠区VB中的作用遮蔽部分对应于第一显示像素110的光。也就是说，在显示模式下，对应重叠区VB的液晶分子LC3可具有遮光层的应用，以产生类似于子像素周边黑矩阵(black matrix,BM)的效果。在上述的设置下，电子装置10L具有良好的显示质量。

如图7B所示，在相机模式下，第一显示像素110的像素电极PE1以及快门像素112的像素电极PE2均可被电性导通，因此对应第一显示像素110的液晶分子LC1以及对应快门像素112的液晶分子LC2均可受到电场的影响而转动，使外界光可以通过快门像素112，并使光传感器200可以收集外界光而成像。

图8A为本揭露一实施例的于显示模式下的电子装置的剖面示意图。图8B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图8A及图8B省略示出了若干元件。相同或近似的元件，可参考前述实施例，故不再重复赘述。在本实施例中，电子装置10M包括背光模块300、光学元件400以及显示面板100。背光模块300以及光学元件400分别设置于显示面板100下方。在本实施例中，光学元件400设置于背光模块300与显示面板100之间。光传感器200设置于背光模块300与光学元件400之间，且光学元件400设置于光传感器200与显示面板100之间。在本实施例中，在Z轴上，光传感器200对应显示面板100的第一显示区11。

在本实施例中，光学元件400例如为光学层410。光学层410可调整光线行进的方向，其材料可包括高分子分散液晶薄膜(Polymer-dispersed Liquid Crystal，PDLC)，但不限于此。如图8A所示，背光模块300所发出的光L1可以沿着Z轴入射光学层410，而光L1’则会被光传感器200遮蔽。因此，在重叠第一显示区11处，使用者在Z轴观察显示面板100时，无法观察到背光模块300所发出的光L1’。

值得注意的是，当电子装置10M在显示模示DM时，光学层410(高分子分散液晶薄膜)未电性导通，使光学层410内存在多个介面，因此部分的光L1可以穿过光学层410，进而入射显示面板100中，再穿透显示面板100以形成图像。部分的光L1可在光学层410中被折射为光L2，且光L2可被折射到对应第一显示区11的光学层410的部分。接着，光L2可自光学层410射出为光L3，然后沿着Z轴入射显示面板100的第一显示区11中。借此，光L3可以穿透显示面板100以在第一显示区11中形成图像。如此一来，使用者在Z轴观察显示面板100时，可以在第一显示区11以及第二显示区13中均观察到图像。因此，电子装置10M可具有良好的显示质量。

另外，当电子装置10M在相机模示CM时，光学层410可电性导通，使光L1可以自背光模块300射出后，在Z轴上穿过光学层410，而入射显示面板100。光L1’会被光传感器200阻挡，因此第一显示区11中不会有光射出。图像光IM可在Z轴上穿过显示面板100的第一显示区11，再穿过光学层410后，入射光传感器200。因此，电子装置10M可具有良好的光学成像质量。

图9A为本揭露一实施例的于显示模式下的电子装置的剖面示意图。图9B为本揭露一实施例的于相机模式下的电子装置的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图9A及图9B省略示出了若干元件。本实施例的电子装置10N大致相似于图8A及图8B的电子装置10M，因此两实施例中相同与相似的构件于此不再重述。本实施例不同于电子装置10M之处主要在于，光学元件400例如为发光单元420。发光单元420包括白光发光二极管(white LED)，但不以此为限。在本实施例中，发光单元420重叠第一显示区11，且位于显示面板100与光传感器200之间，且发光单元420具有光可穿透性。

当电子装置10N在显示模示DM(也就是发光单元420为发光状态)时，背光模块300所发出的光L1’会被光传感器200阻挡，因此可通过发光单元420发出的光L3入射显示面板100的第一显示区11。如此一来，使用者在Z轴观察显示面板100时，可以在第一显示区11以及第二显示区13中均观察到图像。因此，电子装置10N可具有良好的显示质量。

当电子装置10N在相机模示CM(也就是发光单元420为不发光(透明)状态)时，光L1’会被光传感器200阻挡，因此第一显示区11中不会有光射出。图像光IM可在Z轴上穿过显示面板100的第一显示区11，再穿过具有光可穿透性的发光单元420，以入射光传感器200。因此，电子装置10N可具有良好的光学成像质量。

在一些实施例中，发光单元420还可包括等离子体发光单元(plasma unit)，但本实施例不以此为限。

图10为本揭露一实施例的电子装置的立体爆炸示意图。为了附图清楚及方便说明，图10省略示出了若干元件。相同或近似的元件，可参考前述实施例，故不再重复赘述。在本实施例中，电子装置10P包括背光模块300P。背光模块300P对应于显示面板100设置，且背光模块300P设置于光传感器200与显示面板100之间。背光模块300P包括导光板310P以及光源320P。光源320P可包括例如发光二极管(LED)，但不以此为限。背光模块300P的导光板310P具有光学区31对应第一显示区11或光传感器200。光学区31包括导光区311以及透光区312。透光区312的光穿透率可以大于导光区311的光穿透率。举例来说，透光区312可例如为透明材料。导光区311与透光区312在光学区31内可交替设置，但不以此为限。在一些实施例中，导光区311可对应第一显示像素设置，而透光区可对应快门像素设置，但不以此为限。

在本实施例中，导光区311可将光源320P发出的光往显示面板100射入，以从第一显示区11射出。透光区312与光源320P之间可设置有遮光层BM，但不以此为限。在上述的设置下，背光模块300P可提供电子装置10P所需的光源。如此一来，电子装置10P的第一显示区11以及第二显示区13均可以显示图像。因此，电子装置10P可具有良好的显示质量。

值得注意的是，由于透光区312的光穿透率可大于导光区311的光穿透率，因此来自外界的图像光可以在第一显示区11中穿透透光区312，以进入光传感器200。在一些实施例中，遮光层BM可以吸收或阻挡来自光源320P的光。在上述的设置下，可以减少来自光源320P的光所产生的干扰。因此，电子装置10P可具有良好的光学成像质量。

图11为本揭露一实施例的电子装置的剖面示意图。为了附图清楚及方便说明，图11省略示出了若干元件。相同或近似的元件，可参考前述实施例，故不再重复赘述。在本实施例中，电子装置10Q还包括分光器430以及发光单元450。举例来说，背光模块300Q设置于显示面板100与光传感器200之间。在Z轴上，背光模块300Q具有开口O1对应第一显示区11设置。此外，在Z轴上，分光器430对应开口O1设置，且开口O1位于显示面板100与分光器430之间。在Z轴上，发光元件450对应第一显示区11以及分光器430设置，且分光器430位于背光模块300Q与发光元件450之间。也就是说，开口O1、分光器430与发光元件450重叠第一显示区11。

在本实施例中，光传感器200于Z轴上重叠第二显示区13而不重叠第一显示区11。光传感器200邻近分光器430设置。在本实施例中，光传感器200举例为相机模块，包括相机210以及镜片组220。在上述的设置下，发光单元450所发出的光L3可以在沿着Z轴穿过分光器430，然后穿过开口O1后入射显示面板100的第一显示区11，借此光L3可在第一显示区11中形成图像。此外，来自外界的图像光IM可以在沿着Z轴穿过第一显示区11，再穿过开口O1后入射分光器430。图像光IM可经折射后穿透镜片组220以进入相机210。借此，图像光IM可在光传感器200上进行成像。因此，电子装置10可具有良好的显示质量或良好的光学成像质量。

在一些实施例中，光传感器200也可以设置于分光器430下，而发光单元450设置于背光模块300Q下并重叠第二显示区13。在上述实施例中，图像光IM可在Z轴上穿透分光器430后进入光传感器200。发光单元450所发出的光则可在X轴上进入分光器后经折射往Z轴行进进入第一显示区11中。借此，可获致与上述实施例相似的优良技术效果。在上述的设置下，光传感器200可重叠第一显示区11或第二显示区13，因此本实施例的电子装置10Q使设计具有弹性。

综上所述，在本揭露实施例的电子装置中，由于第一显示区具有显示用的多个第一显示子像素以及具有良好光穿透率的快门像素。因此，第一显示区具有显示功能，使电子装置具高屏占比。此外，设置于显示面板下的光传感器可以接受到质量良好的图像光，而具有良好的光学成像质量。另外，本揭露的电子装置可通过在第一显示区中调整第一显示子像素与快门像素的排列图案或面积比例。因此，电子装置可在显示质量或光学成像质量之间取得平衡，使电子装置具高屏占比、得到良好的显示质量或良好的光学成像质量。另外，本揭露的电子装置还可通过第一导线电性连接快门像素来达成行反转、列反转或点反转的显示效果。此外，本揭露的电子装置还可通过背光模块的驱动方式来达成良好的显示质量或良好的光学成像质量。另外，本揭露的电子装置的快门像素可部分重叠第一显示子像素，以达成将液晶分子作为遮光层的应用，而使电子装置具有良好的显示质量。此外，本揭露的电子装置还提供将光传感器重叠第一显示区或第二显示区的应用，使设计具有弹性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行组合或等同替换；而这些修改、组合或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

光传感器；以及

显示面板，设置于所述光传感器上，所述显示面板包括：

第一显示区，在俯视方向上，所述第一显示区重叠所述光传感器，且具有多个第一显示子像素；以及

第二显示区，在所述俯视方向上，所述第二显示区邻接所述第一显示区设置，且具有多个第二显示子像素；

其中，所述多个第一显示子像素的一者的面积大于所述多个第二显示子像素的一者的面积，且所述多个第一显示子像素的相邻两者在第一方向上的间距大于所述多个第二显示子像素的相邻两者在所述第一方向上的间距。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括：

导线，电性连接所述第一显示区与所述第二显示区，其中所述导线沿第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向垂直。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，在所述第一方向上，所述多个第一显示子像素的所述相邻两者为相同颜色，且所述多个第二显示子像素的所述相邻两者为相同颜色。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第一显示区包括光穿透区，所述光穿透区位于所述多个第一显示子像素的所述相邻两者之间，所述光穿透区的光穿透率大于所述多个第一显示子像素的一者的光穿透率，且外界的光能穿透所述光穿透区而抵达所述光传感器。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述第一显示区包括多个第一显示像素，所述多个第一显示像素分别包括所述多个第一显示子像素的一部分，且在所述第一方向上，所述光穿透区位于所述多个第一显示像素的相邻两者之间。

6.根据权利要求5所述的电子装置，其特征在于，所述多个第一显示像素分别包括多个显示不同颜色的第一显示子像素。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述光穿透区不包括任何颜色。

8.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述光穿透区的面积与所述多个第一显示子像素的所述一者的面积不同。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其特征在于，所述光穿透区的面积大于所述多个第一显示子像素的所述一者的面积。

10.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述光穿透区在一方向上的长度大于所述多个第一显示子像素的所述一者在所述方向上的长度。