CN116193930A - 显示装置以及制造该显示装置的方法 - Google Patents

显示装置以及制造该显示装置的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116193930A
CN116193930A CN202211494408.XA CN202211494408A CN116193930A CN 116193930 A CN116193930 A CN 116193930A CN 202211494408 A CN202211494408 A CN 202211494408A CN 116193930 A CN116193930 A CN 116193930A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulating layer
inorganic insulating
hole
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202211494408.XA
Other languages
English (en)
Inventor
柳春基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN116193930A publication Critical patent/CN116193930A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种显示装置以及制造该显示装置的方法。该显示装置包括：第一基板，包括显示区和显示区外侧的焊盘区；下导电层，在第一基板上，并且包括从焊盘区延伸到显示区的扇出布线；第一无机绝缘层，在下导电层上；半导体层，在第一无机绝缘层上，并且与显示区重叠；第二无机绝缘层，覆盖半导体层，并且与显示区和焊盘区重叠；焊盘电极，在第二无机绝缘层上，焊盘电极与焊盘区重叠，并且电连接到扇出布线；以及显示元件层，在第二无机绝缘层上，并且包括与显示区重叠的显示元件。

Description

显示装置以及制造该显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年11月26日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0166099号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的一个或多个实施例的方面涉及一种显示装置以及制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置可视地显示数据。显示装置用作用于以诸如移动电话为例的小型电子产品的显示器，或用作用于以诸如电视机为例的大型电子产品的显示器。另外，显示装置可以用作用于以诸如平板PC或膝上型计算机为例的其他电子产品的显示器。
显示装置可以包括为了向外侧显示图像而接收电信号以发射光的多个子像素。多个子像素中的每个可以包括显示元件。近来，会存在对使用具有低电阻和高可靠性的布线的显示装置的增加的需求。
在该背景技术部分中公开的上述信息是为了增强对本公开的背景的理解，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或多个实施例针对一种包括具有低电阻和高可靠性的布线的显示装置以及制造该显示装置的方法。
然而，本公开不限于上面阐述的方面和特征，并且附加方面和特征将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的一个或多个所呈现的实施例来学习。
根据本公开的一个或多个实施例，显示装置包括：第一基板，包括显示区和显示区外侧的焊盘区；下导电层，定位在第一基板上，并且包括从焊盘区延伸到显示区的扇出布线；第一无机绝缘层，定位在下导电层上；半导体层，定位在第一无机绝缘层上，并且与显示区重叠；第二无机绝缘层，覆盖半导体层，并且与显示区和焊盘区重叠；焊盘电极，在第二无机绝缘层上，焊盘电极与焊盘区重叠并且电连接到扇出布线；以及显示元件层，定位在第二无机绝缘层上，并且包括与显示区重叠的显示元件。
在实施例中，焊盘电极可以通过第一无机绝缘层的第一焊盘孔和第二无机绝缘层的第二焊盘孔电连接到扇出布线。
在实施例中，下导电层可以包括：第一层，包括第一金属；以及第二层，定位在第一层上，并且包括与第一金属不同的第二金属。
在实施例中，第一金属可以包括铝，并且第二金属可以包括钛。
在实施例中，第一层可以包括铝和氧化铝，并且第二层可以包括钛。
在实施例中，下导电层可以包括：第一层，包括第一金属；以及第二层，定位在第一层上，并且包括无机材料。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：平坦化层，定位在下导电层与第一无机绝缘层之间。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第一导电层，定位在第二无机绝缘层上，并且包括与半导体层重叠的栅电极；第三无机绝缘层，覆盖栅电极；以及第二导电层，定位在第三无机绝缘层与显示元件层之间，并且包括源电极和漏电极。下导电层可以进一步包括与显示区重叠的第一下连接布线，并且源电极和漏电极中的至少一个可以通过第一无机绝缘层的第一绝缘层孔、半导体层的半导体层孔、第二无机绝缘层的第二绝缘层孔和第三无机绝缘层的第三绝缘层孔电连接到第一下连接布线。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第三无机绝缘层，定位在第二无机绝缘层上；以及第一连接布线，定位在第三无机绝缘层上。下导电层可以进一步包括第二下连接布线，并且第一连接布线可以通过第一无机绝缘层的孔、第二无机绝缘层的孔和第三无机绝缘层的孔电连接到第二下连接布线。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第二连接布线，定位在第二无机绝缘层上；第三无机绝缘层，定位在第二连接布线上；以及连接电极，定位在第三无机绝缘层上。下导电层可以进一步包括第三下连接布线，连接电极可以通过第一无机绝缘层的孔、第二无机绝缘层的孔和第三无机绝缘层的第一孔电连接到第三下连接布线，并且第二连接布线可以通过第三无机绝缘层的第二孔电连接到连接电极。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第一导电层，定位在第二无机绝缘层上，并且包括与半导体层重叠的栅电极；第三无机绝缘层，覆盖栅电极；第二导电层，定位在第三无机绝缘层与显示元件层之间，并且包括源电极和漏电极；以及有机绝缘层，定位在第二导电层与显示元件层之间。显示元件可以包括通过有机绝缘层的接触孔直接连接到源电极和漏电极中的一个的像素电极。
在实施例中，第二导电层可以包括铝。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第四无机绝缘层，覆盖焊盘电极的至少一部分，并且包括与焊盘电极重叠的上焊盘孔。
在实施例中，显示装置可以进一步包括：第二基板，定位在显示元件层上；以及密封构件，定位在第一基板与第二基板之间，并且围绕显示区。密封构件可以在平面图中与下导电层至少部分地重叠。
在实施例中，第一基板可以包括玻璃。
根据本公开的一个或多个实施例，制造显示装置的方法包括：在第一基板上形成下导电层；在下导电层上顺序形成第一无机绝缘层、半导体层、第二无机绝缘层、第一导电层和第三无机绝缘层；形成第一无机绝缘层中的第一绝缘层孔、半导体层中的半导体层孔、第二无机绝缘层中的第二绝缘层孔以及第三无机绝缘层中的第三绝缘层孔；以及形成第二导电层，第二导电层在第三无机绝缘层上，并且通过第一绝缘层孔、半导体层孔、第二绝缘层孔和第三绝缘层孔电连接到下导电层。
在实施例中，下导电层的形成可以包括：形成包括第一金属的第一层；在第一层上形成第二层，第二层包括至少一种无机材料或与第一金属不同的第二金属；以及蚀刻第一层和第二层。
在实施例中，第一层的形成可以包括氧化第一层。
在实施例中，下导电层的形成可以进一步包括：在第一层和第二层的蚀刻之前热处理第一层和第二层。
在实施例中，该方法可以进一步包括：在第二导电层上形成第四无机绝缘层。第一基板可以包括显示区和定位在显示区外侧的焊盘区，第二导电层可以包括与焊盘区重叠的焊盘电极，并且第四无机绝缘层可以覆盖焊盘电极的至少一部分且可以包括与焊盘电极重叠的上焊盘孔。
附图说明
本公开的上述和其他方面和特征将通过以下参照附图对说明性的、非限制性的实施例的详细描述更清楚地理解，在附图中：
图1是示出根据实施例的显示装置的透视图；
图2是示出沿图1的线A-A'截取的显示装置的截面图；
图3是示出图1的显示装置的平面图；
图4是示出根据实施例的显示装置的像素的等效电路图；
图5是示出根据实施例的沿图3的线B-B'和线C-C'截取的显示装置的截面图；
图6A和图6B是示出根据各种实施例的图5的显示装置的部分D的放大图；
图7A是示出其中下导电层和第二导电层彼此连接的状态的截面图；
图7B是示出其中下导电层和第一导电层彼此连接的状态的截面图；
图8是示出根据实施例的图3的显示装置的部分E的放大图；
图9A和图9B是示出根据各种实施例的沿图8的线F-F'截取的显示装置的截面图；
图10A至图10F是示出根据实施例的显示装置的制造工艺的截面图；
图11A至图11C是示出根据实施例的下导电层的制造工艺的截面图；
图12是示出根据另一实施例的沿图3的线B-B'和线C-C'截取的显示装置的截面图；以及
图13A和图13B是示出根据另一实施例的显示装置的制造工艺的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述实施例，在附图中同样的附图标记始终指代同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式来实施，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。相应地，对于本领域普通技术人员完全理解本公开的方面和特征来说不是必需的工艺、元件和技术可以不被描述。除非另外说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，并且因此，可以不重复对其的冗余描述。
当特定实施例可以不同地实现时，具体工艺顺序可以与描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本同时执行，或者可以以与描述的顺序相反的顺序执行。
在附图中，为了清楚起见，元件、层和区域的相对尺寸可以被夸大和/或简化。为了易于解释，可以在本文中使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……之下”、“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用中或操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为“在”其他元件或特征“下方”、“下面”或“之下”的元件将随之被定向“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……之下”可以涵盖上方和下方两个定向。装置可以以其他方式(例如，旋转90度或在其他定向处)定向，并且本文中使用的空间相对描述语应被相应地解释。
在附图中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或彼此基本垂直，或者可以表示彼此不垂直的彼此不同的方向。
将理解的是，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面描述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本公开的精神和范围。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接(联接)到”另一元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或直接耦接(联接)到该另一元件或层，或者可以存在一个或多个居间元件或层。相似地，当层、区或元件被称为“电连接到”另一层、区或元件时，它可以直接电连接到该另一层、区或元件，和/或可以间接电连接到该另一层、区或元件并且一个或多个居间层、区或元件位于其间。另外，也将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是该两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
本文中使用的术语是出于描述特定实施例的目的并且不旨在限制本公开。如本文中所使用的，单数形式“一”也旨在包括复数形式，除非上下文另外明确地指示。将进一步理解的是，当术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型在本说明书中使用时，指定陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何组合和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B、或者A和B。当诸如“……中的至少一个”的表述在元件的列表之后时，修饰元件的整个列表并且不修饰列表的单个元件。例如，表述“a、b或c中的至少一个”、“a、b和c中的至少一个”和“选自由a、b和c组成的组中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
如本文中所使用的，术语“基本”、“约”以及相似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在说明本领域技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指代“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所使用的，术语“使用”及其变型可以分别被认为与术语“利用”及其变型同义。
除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此限定。
图1是示出根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1可以显示图像。显示装置1可以包括显示区DA和非显示区NDA。像素PX可以定位在显示区DA处(例如，在显示区DA中或在显示区DA上)。非显示区NDA可以至少部分地围绕显示区DA(例如，在显示区DA的外围周围)。像素PX可以不定位在非显示区NDA处(例如，在非显示区NDA中或在非显示区NDA上)。焊盘可以定位在非显示区NDA处(例如，在非显示区NDA中或在非显示区NDA上)。
尽管显示装置1的显示区DA在图1中示出为具有四边形形状，但是在其他实施例中，显示区DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或者以诸如三角形形状或五边形形状为例的另一合适的多边形形状。另外，尽管图1中示出的显示装置1为平板显示装置，但是本公开不限于此，并且显示装置1可以实现为以诸如柔性的、可折叠的和/或可卷曲的显示装置为例的各种合适的显示装置中的任何一种。
多个像素PX可以定位在显示区DA处(例如，在显示区DA中或在显示区DA上)。多个像素PX可以发射光，并且显示装置1可以显示来自显示区DA的图像。在实施例中，像素PX可以包括多个子像素。在实施例中，多个子像素中的任何一个可以发射红光、绿光或蓝光。在另一实施例中，多个子像素中的任何一个可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
图2是示出沿图1的线A-A'截取的显示装置1的截面图。在图2中，与图1中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图2，显示装置1可以包括第一基板100、下导电层200、平坦化层300、显示层400、第二基板500和密封构件600。显示区DA和非显示区NDA可以限定在第一基板100处(例如，在第一基板100中或在第一基板100上)。换句话说，第一基板100可以包括显示区DA和非显示区NDA。在实施例中，显示区DA可以是第一基板100和显示层400彼此重叠的区。非显示区NDA可以是第一基板100和显示层400彼此不重叠的区。
第一基板100可以包括玻璃。在另一实施例中，第一基板100可以包括以诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素为例的聚合物树脂。在实施例中，第一基板100可以具有包括彼此堆叠的包含聚合物树脂的基底层和阻挡层的多层结构。为了方便起见，在下文中将在包括玻璃的情况下更详细地描述第一基板100。
下导电层200可以定位在第一基板100上。下导电层200可以包括布线。在实施例中，下导电层200可以包括多条布线。多条布线可以定位在显示区DA和非显示区NDA中的至少一个处(例如，在显示区DA和非显示区NDA中的至少一个中或在显示区DA和非显示区NDA中的至少一个上)。
平坦化层300可以定位在下导电层200上。平坦化层300的顶表面可以是平坦的或基本平坦的。相应地，即使下导电层200定位在第一基板100上，显示层400也可以定位在平坦化层300的平坦或基本平坦的顶表面上。平坦化层300可以包括有机材料。在实施例中，平坦化层300可以包括以诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素或乙酸丙酸纤维素为例的聚合物树脂。在一些实施例中，平坦化层300可以根据需要或期望被省略。
显示层400可以定位在平坦化层300上。在实施例中，显示层400可以与显示区DA重叠。在实施例中，显示层400可以包括像素电路层和显示元件层。像素电路层可以包括像素电路和绝缘层。显示元件层可以包括由像素电路驱动的显示元件。在实施例中，显示元件可以是包括有机发射层的有机发光二极管。在另一实施例中，显示元件可以是包括无机发射层的发光二极管(LED)。发光二极管可以具有微米级或纳米级尺寸。例如，发光二极管可以是微型发光二极管。在另一实施例中，发光二极管可以是纳米棒发光二极管。纳米棒发光二极管可以包括氮化镓(GaN)。在实施例中，颜色转换层可以定位在纳米棒发光二极管上。颜色转换层可以包括量子点。在另一实施例中，显示元件可以是包括量子点发射层的量子点发光二极管。
第二基板500可以定位在显示层400上。换句话说，显示层400可以定位在第一基板100与第二基板500之间。第二基板500可以是透明构件。在实施例中，第二基板500可以包括玻璃。
密封构件600可以定位在第一基板100与第二基板500之间。在实施例中，密封构件600可以围绕显示区DA(例如，在显示区DA的外围周围)，并且可以定位在非显示区NDA处(例如，在非显示区NDA中或在非显示区NDA上)。在实施例中，密封构件600可以与下导电层200至少部分地重叠。密封构件600可以将平坦化层300连接(例如，可以将平坦化层300联接或附接)到第二基板500。当平坦化层300未被提供(例如，被省略)时，密封构件600可以将第一基板100连接(例如，可以将第一基板100联接或附接)到第二基板500。相应地，平坦化层300与第二基板500之间的内部空间可以被密封，并且吸湿材料和/或填充物可以定位在内部空间中。
在实施例中，密封构件600可以包括(例如，可以是)密封剂。在另一实施例中，密封构件600可以包括通过激光固化的材料。例如，密封构件600可以包括(例如，可以是)玻璃料。更详细地，密封构件600可以包括以诸如聚氨酯树脂、环氧树脂或丙烯酸树脂为例的有机密封剂或者无机密封剂。在实施例中，密封构件600可以包括硅树脂。聚氨酯树脂的示例可以包括聚氨酯丙烯酸酯。丙烯酸树脂的示例可以包括丙烯酸丁酯和丙烯酸乙基己酯。密封构件600可以包括通过热固化的合适的材料。
在另一实施例中，代替第二基板500，封装层可以定位在显示层400上。封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，至少一个无机封装层和至少一个有机封装层可以被交替堆叠。无机封装层可以包括选自氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、锌的氧化物(ZnOx)、硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)的至少一种无机材料。在实施例中，锌的氧化物(ZnOx)可以是氧化锌(ZnO)和/或过氧化锌(ZnO2)。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施例中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。在另一实施例中，封装层和第二基板500可以两者都定位在显示层400上。
触摸传感器层可以定位在第二基板500上。触摸传感器层可以根据以诸如触摸事件为例的外部输入来获得坐标信息。
抗反射层可以定位在触摸传感器层上。抗反射层可以降低入射在显示装置1上的光(例如，外部光)的反射率。在实施例中，抗反射层可以包括相位延迟器和/或偏光器。相位延迟器可以是膜型相位延迟器或液晶涂层型相位延迟器，并且可以包括半波长(λ/2)相位延迟器和/或四分之一波长(λ/4)相位延迟器。偏光器也可以是膜型偏光器或液晶涂层型偏光器。膜型偏光器可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型偏光器可以包括以合适布置(例如，特定或预定布置)而布置的液晶。相位延迟器和偏光器可以进一步包括保护膜。
在另一实施例中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以布置为考虑由显示装置1的显示元件发射的光的颜色。滤色器中的每个可以包括红色颜料或染料、绿色颜料或染料或者蓝色颜料或染料。作为另一示例，除了颜料或染料之外，滤色器中的每个可以进一步包括量子点。作为另一示例，滤色器中的一些可以不包括颜料或染料，并且可以包括以诸如氧化钛为例的散射粒子。
在另一实施例中，抗反射层可以具有相消干涉结构。相消干涉结构可以包括定位在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，由此降低外部光的反射率。
图3是示出图1的显示装置1的平面图。图3的显示装置1可以与图2中示出的显示装置1的平面图对应，但是为了便于说明去除了第二基板500。在图3中，与图2中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图3，显示装置1可以包括第一基板100、像素PX、扫描线SL、数据线DL、焊盘PAD、下导电层200和密封构件600。第一基板100可以包括显示区DA和非显示区NDA。显示区DA可以是显示装置1显示图像的区。像素PX可以定位在显示区DA处(例如，在显示区DA中或在显示区DA上)。非显示区NDA可以是显示装置1不显示图像的区。显示装置1的驱动电路和/或电源布线可以定位在非显示区NDA处(例如，在非显示区NDA中或在非显示区NDA上)。在实施例中，非显示区NDA可以至少部分地围绕显示区DA(例如，在显示区DA的外围周围)。例如，非显示区NDA可以完全围绕显示区DA(例如，在显示区DA的外围周围)。
非显示区NDA可以包括焊盘区PADA。在实施例中，焊盘区PADA可以定位在第一基板100的边缘处。焊盘区PADA可以定位在显示区DA外侧。焊盘PAD可以定位在焊盘区PADA处(例如，在焊盘区PADA中或在焊盘区PADA上)。
像素PX可以定位在显示区DA处(例如，在显示区DA中或在显示区DA上)。像素PX可以发射光。在实施例中，多个像素PX可以被提供，并且显示装置1可以通过使用由多个像素PX发射的光来显示图像。
像素PX可以电连接到可以传输扫描信号的扫描线SL和可以传输数据信号的数据线DL。像素PX可以接收扫描信号和数据信号，并且可以发射光。
扫描线SL可以将扫描信号传输到像素PX。在实施例中，扫描线SL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。扫描线SL可以电连接到像素PX。在实施例中，扫描线SL可以从驱动电路(例如，扫描驱动器)接收扫描信号。
数据线DL可以传输数据信号。在实施例中，数据线DL可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。数据线DL可以电连接到像素PX。
焊盘PAD可以定位在焊盘区PADA处(例如，在焊盘区PADA中或在焊盘区PADA上)。在实施例中，多个焊盘PAD可以定位在焊盘区PADA处(例如，在焊盘区PADA中或在焊盘区PADA上)。在实施例中，多个焊盘PAD可以沿第一基板100的边缘布置。焊盘PAD可以电连接到印刷电路板或半导体芯片。在实施例中，印刷电路板可以以玻璃上柔性印刷电路(FOG)的形式结合到焊盘PAD。在实施例中，印刷电路板可以以膜上柔性印刷电路(FOF)的形式结合到焊盘PAD。在实施例中，半导体芯片可以以玻璃上芯片(COG)的形式结合到焊盘PAD。在实施例中，半导体芯片可以以塑料上芯片(COP)的形式被结合。在实施例中，半导体芯片可以以膜上芯片(COF)的形式结合到印刷电路板。
下导电层200可以定位在第一基板100上。在实施例中，下导电层200可以包括扇出布线FWL。在实施例中，多条扇出布线FWL可以被提供。扇出布线FWL可以从焊盘区PADA延伸到显示区DA。在实施例中，扇出布线FWL可以电连接到焊盘PAD。相应地，扇出布线FWL可以将扫描信号、数据信号和电源电压中的至少一种从焊盘区PADA传输到显示区DA。
密封构件600可以定位在非显示区NDA处(例如，在非显示区NDA中或在非显示区NDA上)。在实施例中，密封构件600可以围绕显示区DA(例如，在显示区DA的外围周围)。在平面图中，密封构件600可以与下导电层200重叠。在实施例中，扇出布线FWL可以与密封构件600至少部分地重叠。例如，扇出布线FWL可以与密封构件600交叉。
图4是示出根据实施例的显示装置1的像素PX的等效电路图。
参照图4，像素PX可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的显示元件DPE。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。例如，像素PX可以通过显示元件DPE发射红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL输入的扫描电压或扫描信号Sn将从数据线DL输入的数据电压或数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL。存储电容器Cst可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压与从驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值(例如，电平)来控制从驱动电压线PL流到显示元件DPE的驱动电流。显示元件DPE可以由于驱动电流而发射具有期望亮度(例如，特定或预定亮度)的光。显示元件DPE的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
尽管图4中示出的像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是在另一实施例中，像素电路PC可以包括三个或更多个薄膜晶体管和/或两个或更多个存储电容器。
图5是示出根据实施例的沿图3的线B-B'和线C-C'截取的显示装置1的截面图。在图5中，与图3中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图5，显示装置1可以包括第一基板100、下导电层200、平坦化层300、显示层400和焊盘PAD。第一基板100可以包括显示区DA和焊盘区PADA。焊盘区PADA可以定位在显示区DA外侧。
下导电层200可以定位在第一基板100上。下导电层200可以包括布线。在实施例中，下导电层200可以包括扇出布线FWL和第一下连接布线LCL1。扇出布线FWL可以从焊盘区PADA延伸到显示区DA。第一下连接布线LCL1可以定位在显示区DA处(例如，在显示区DA中或在显示区DA上)。下导电层200可以包括低电阻材料。相应地，扇出布线FWL和第一下连接布线LCL1可以是低电阻布线，并且负载可以被降低。
平坦化层300可以定位在下导电层200上。平坦化层300可以覆盖布线。在实施例中，平坦化层300可以覆盖第一下连接布线LCL1和扇出布线FWL。平坦化层300的顶表面可以是平坦的或基本平坦的。相应地，即使下导电层200定位在第一基板100上，显示层400也可以定位在平坦化层300的平坦顶表面上。在实施例中，平坦化层300的厚度300t可以等于或小于5μm。平坦化层300的厚度300t可以对应于平坦化层300的底表面与顶表面之间的在第三方向(例如，z方向或-z方向)上的距离(例如，最短距离)(例如，可以由平坦化层300的底表面与顶表面之间的在第三方向(例如，z方向或-z方向)上的距离(例如，最短距离)限定)。平坦化层300的底表面可以是面对第一基板100的顶表面的表面，并且平坦化层300的顶表面可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)上与平坦化层300的底表面相反。在实施例中，平坦化层300可以根据需要或期望被省略。
显示层400可以定位在平坦化层300上。显示层400可以包括像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可以定位在平坦化层300上。像素电路层PCL可以包括第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420、第三无机绝缘层430、像素电路PC和有机绝缘层OIL。在实施例中，像素电路PC可以包括至少一个薄膜晶体管TFT以及存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。
第一无机绝缘层410可以定位在平坦化层300上。换句话说，平坦化层300可以定位在第一无机绝缘层410与下导电层200之间。第一无机绝缘层410可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。在实施例中，第一无机绝缘层410可以定位在下导电层200上。在实施例中，第一无机绝缘层410可以包括(例如，可以是)缓冲层。第一无机绝缘层410可以包括以诸如硅的氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或硅的氧化物(SiOx)为例的无机绝缘材料，并且可以具有包括无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
半导体层Act可以定位在第一无机绝缘层410上。半导体层Act可以与显示区DA重叠。半导体层Act可以包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。在实施例中，半导体层Act可以包括沟道区、以及定位在沟道区的相反侧(例如，相反端)处(例如，在沟道区的相反侧(例如，相反端)中或在沟道区的相反侧(例如，相反端)上)的源区和漏区。
第二无机绝缘层420可以覆盖半导体层Act。第二无机绝缘层420可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。在实施例中，第二无机绝缘层420可以包括(例如，可以是)第一栅绝缘层。第二无机绝缘层420可以包括以诸如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌的氧化物(ZnOx)为例的无机绝缘材料。
栅电极GE可以定位在第二无机绝缘层420上。栅电极GE可以与半导体层Act重叠。在实施例中，栅电极GE可以与半导体层Act的沟道区重叠。
下电极CE1可以定位在第二无机绝缘层420上。在实施例中，下电极CE1和栅电极GE可以彼此间隔开。在另一实施例中，下电极CE1和栅电极GE可以彼此一体化形成。为了方便起见，在下文中将在彼此间隔开的情况下更详细地描述下电极CE1和栅电极GE。
栅电极GE和下电极CE1可以定位在彼此相同的层处(例如，在彼此相同的层中或在彼此相同的层上)。在这种情况下，栅电极GE和下电极CE1可以包括在第一导电层CDL1中(例如，可以是第一导电层CDL1的多个部分)。第一导电层CDL1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。
第三无机绝缘层430可以覆盖栅电极GE和下电极CE1。在实施例中，第三无机绝缘层430可以定位在第一导电层CDL1上。第三无机绝缘层430可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。在实施例中，第三无机绝缘层430可以包括(例如，可以是)第二栅绝缘层。第三无机绝缘层430可以包括以诸如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌的氧化物(ZnOx)为例的无机绝缘材料。
源电极SE、漏电极DE、上电极CE2和焊盘电极PE可以定位在第三无机绝缘层430上。源电极SE和漏电极DE中的每个可以电连接到半导体层Act。在实施例中，源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以电连接到第一下连接布线LCL1。例如，平坦化层300可以包括下孔300IH。第一无机绝缘层410可以包括第一绝缘层孔410IH。半导体层Act可以包括半导体层孔ActH。第二无机绝缘层420可以包括第二绝缘层孔420IH。第三无机绝缘层430可以包括第三绝缘层孔430IH。在这种情况下，源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以通过下孔300IH、第一绝缘层孔410IH、半导体层孔ActH、第二绝缘层孔420IH和第三绝缘层孔430IH电连接到第一下连接布线LCL1。在实施例中，半导体层Act可以通过半导体层Act的限定半导体层孔ActH的内表面电连接到源电极SE和漏电极DE中的至少一个。相应地，薄膜晶体管TFT可以通过可以是低电阻布线的第一下连接布线LCL1来接收信号和/或电源电压。
上电极CE2可以与下电极CE1重叠。在实施例中，薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst可以如图5中所示出地彼此不重叠。在另一实施例中，薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst可以彼此重叠。在这种情况下，栅电极GE和下电极CE1可以彼此一体化形成。
焊盘电极PE可以与焊盘区PADA重叠。在实施例中，焊盘电极PE可以定位在第三无机绝缘层430上。焊盘电极PE可以包括在焊盘PAD中。焊盘电极PE可以电连接到扇出布线FWL。在实施例中，焊盘电极PE和扇出布线FWL可以通过(例如，穿透通过)定位在焊盘电极PE与扇出布线FWL之间的绝缘层的焊盘孔彼此电连接。例如，平坦化层300可以包括下焊盘孔300PH。第一无机绝缘层410可以包括第一焊盘孔410PH。第二无机绝缘层420可以包括第二焊盘孔420PH。第三无机绝缘层430可以包括第三焊盘孔430PH。在这种情况下，焊盘电极PE可以通过下焊盘孔300PH、第一焊盘孔410PH、第二焊盘孔420PH和第三焊盘孔430PH电连接到扇出布线FWL。相应地，从焊盘电极PE接收的信号和/或电源电压可以通过可以是低电阻布线的扇出布线FWL传输。
源电极SE、漏电极DE、上电极CE2和焊盘电极PE可以定位在彼此相同的层处(例如，在彼此相同的层中或在彼此相同的层上)。在这种情况下，源电极SE、漏电极DE、上电极CE2和焊盘电极PE可以包括在第二导电层CDL2中(例如，可以是第二导电层CDL2的多个部分)。第二导电层CDL2可以包括低电阻材料。第二导电层CDL2可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括上述材料中的一种或多种的单层结构或多层结构。在实施例中，第二导电层CDL2可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。在本实施例中，因为源电极SE、漏电极DE、上电极CE2和焊盘电极PE定位在彼此相同的层处(例如，在彼此相同的层中或在彼此相同的层上)，所以显示装置1的制造工艺可以被简化。
有机绝缘层OIL可以定位在第三无机绝缘层430上。有机绝缘层OIL可以覆盖第二导电层CDL2。在实施例中，有机绝缘层OIL可以定位在第二导电层CDL2与显示元件层DEL之间。尽管有机绝缘层OIL在图5中示出的实施例中不与焊盘电极PE重叠，但是在另一实施例中，有机绝缘层OIL可以与焊盘电极PE至少部分地重叠。在这种情况下，有机绝缘层OIL可以包括与焊盘电极PE重叠的有机绝缘层焊盘孔。有机绝缘层OIL可以包括有机材料。有机绝缘层OIL可以包括以诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或其合适的共混物为例的有机绝缘材料。
显示元件层DEL可以定位在像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括显示元件DPE和像素限定膜460。显示元件DPE可以是有机发光二极管。在实施例中，显示元件DPE可以包括像素电极451、发射层453和对电极455。
像素电极451可以定位在有机绝缘层OIL上。像素电极451可以电连接到薄膜晶体管TFT。在实施例中，有机绝缘层OIL可以包括接触孔OILCH。在这种情况下，像素电极451可以通过有机绝缘层OIL的接触孔OILCH电连接到源电极SE和漏电极DE中的任何一个。在实施例中，像素电极451可以通过有机绝缘层OIL的接触孔OILCH直接连接到源电极SE和漏电极DE中的任何一个。
与在本实施例中不同，当附加连接电极定位在有机绝缘层OIL上时，覆盖附加连接电极的上有机绝缘层定位在附加连接电极上，并且显示元件层定位在上有机绝缘层上，像素电极451可以通过附加连接电极电连接到薄膜晶体管TFT。在这种情况下，当附加连接电极形成在有机绝缘层OIL上时，可能生成颗粒，由此降低显示装置1的可靠性。此外，当显示装置1包括有机绝缘层OIL和上有机绝缘层时，因为包括有机材料的层的厚度被增加，所以显示装置1可能容易受收缩的伤害，并且显示装置1的寿命可能被降低。然而，在本实施例中，因为包括一个有机绝缘层OIL，并且没有提供附加连接电极，所以显示装置1的可靠性可以被增加。
像素电极451可以包括以诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)为例的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极451可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其合适的化合物的反射膜。在另一实施例中，像素电极451可以在反射膜之上和/或之下进一步包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的膜。
像素限定膜460可以定位在像素电极451上。像素限定膜460可以包括暴露像素电极451的中心部分的开口部分460OP。像素限定膜460可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。在一些实施例中，像素限定膜460可以包括阻光材料。像素限定膜460的开口部分460OP可以限定由显示元件DPE发射的光的发射区。
在实施例中，像素限定膜460可以包括在第一基板100的厚度方向(例如，z方向)上突出的间隔件SPC。间隔件SPC可以在第三方向(例如，z方向或-z方向)上从像素限定膜460突出。包括间隔件SPC的像素限定膜460可以通过使用半色调掩模形成。在一些实施例中，间隔件SPC可以包括与像素限定膜460的材料不同的材料，并且可以定位在像素限定膜460上。
发射层453可以定位在像素限定膜460的开口460OP中。发射层453可以包括用于发射期望颜色(例如，特定或预定颜色)的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。在一些实施例中，第一功能层和第二功能层可以进一步分别定位在发射层453之下和之上。例如，第一功能层可以包括空穴传输层(HTL)，或者可以包括空穴传输层和空穴注入层(HIL)。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。然而，可以定位在发射层453上的第二功能层可以根据需要或期望被省略。第一功能层和/或第二功能层可以是完全覆盖显示区DA的公共层，像下面更详细描述的对电极455那样。
对电极455可以定位在发射层453上。在实施例中，对电极455可以完全覆盖显示区DA。对电极455可以由具有低功函数的导电材料形成。例如，对电极455可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合适的合金的(半)透明层。在另一实施例中，对电极455可以在包括上述材料中的一种或多种的(半)透明层上进一步包括由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层。
在一些实施例中，一个显示元件DPE可以包括顺序堆叠的多个发射层453。例如，一个显示元件DPE可以包括顺序堆叠的第一发射层和第二发射层。负电荷生成层和正电荷生成层可以定位在相邻的发射层之间。例如，负电荷生成层和正电荷生成层可以定位在第一发射层与第二发射层之间。在这种情况下，像素电极451、第一发射层、负电荷生成层、正电荷生成层、第二发射层和对电极455可以顺序堆叠在一个显示元件DPE中。负电荷生成层可以供应电子。负电荷生成层可以是n型电荷生成层。负电荷生成层可以包括主体和掺杂剂。主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。正电荷生成层可以是p型电荷生成层。正电荷生成层可以供应空穴。正电荷生成层可以包括主体和掺杂剂。主体可以包括有机材料。掺杂剂可以包括金属材料。
在另一示例中，一个显示元件DPE可以包括顺序堆叠的第一发射层、第二发射层和第三发射层。负电荷生成层和正电荷生成层可以定位在相邻的发射层之间。例如，第一负电荷生成层和第一正电荷生成层可以定位在第一发射层与第二发射层之间。第二负电荷生成层和第二正电荷生成层可以定位在第二发射层与第三发射层之间。在这种情况下，像素电极451、第一发射层、第一负电荷生成层、第一正电荷生成层、第二发射层、第二负电荷生成层、第二正电荷生成层、第三发射层和对电极455可以顺序堆叠在一个显示元件DPE中。如此，当一个显示元件DPE包括顺序堆叠的多个发射层453时，显示元件DPE的亮度可以被改善，并且显示元件DPE的寿命可以被增加。
图6A和图6B是示出根据各种实施例的图5的显示装置1的部分D的放大图。在图6A和图6B中，与图5中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图6A和图6B，显示装置1可以包括第一基板100、下导电层200和平坦化层300。下导电层200可以定位在第一基板100上，并且平坦化层300可以定位在下导电层200上。
参照图6A，下导电层200可以包括第一层L1和第二层L2。第一层L1可以包括第一金属。第一金属可以是低电阻材料。第一金属可以包括铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。在一些实施例中，第一金属可以包括铝合金或铜合金。在一些实施例中，第一层L1可以包括铝(Al)和氧化铝(Al2O3)。在第一层L1包括氧化铝(Al2O3)的情况下，即使当第二层L2包括钛(Ti)时，也可以减少或防止第一层L1与第二层L2之间的扩散。在一些实施例中，第一层L1可以包括氟组分。
第二层L2可以定位在第一层L1上。第二层L2可以防止或减少第一层L1的小丘缺陷。在实施例中，第二层L2可以包括与第一层L1的第一金属不同的第二金属。例如，第二金属可以包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。在另一实施例中，第二层L2可以包括无机材料。例如，第二层L2可以包括硅的氮化物(SiNx)。当第二层L2包括硅的氮化物(SiNx)时，可以减少或防止第二层L2与第一层L1之间的扩散。
参考图6B，下导电层200可以包括顺序堆叠的下层LL、第一层L1和第二层L2。下层LL可以包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。在实施例中，下层LL可以包括钛(Ti)，第一层L1可以包括铝(Al)，并且第二层L2可以包括钛(Ti)。
一起参照图6A和图6B，下导电层200可以包括低电阻材料，并且可以具有高可靠性。相应地，包括在下导电层200中的布线可以是低电阻布线，并且可以具有高可靠性。
平坦化层300可以定位在下导电层200上。平坦化层300的顶表面可以是平坦的或基本平坦的。在这种情况下，即使当厚度被增加以降低下导电层200的电阻时，定位在平坦化层300上的层(以诸如半导体层为例)也可以定位在平坦化层300的平坦顶表面上。相应地，显示装置1的可靠性可以被改善。
图7A是示出其中下导电层200和第二导电层CDL2彼此连接的状态的截面图。图7B是示出其中下导电层200和第一导电层CDL1彼此连接的状态的截面图。在图7A和图7B中，与图5中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图7A，显示装置1可以包括顺序堆叠的第一基板100、下导电层200、平坦化层300、第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420、第三无机绝缘层430、第二导电层CDL2和有机绝缘层OIL。在实施例中，下导电层200可以包括第二下连接布线LCL2。第二导电层CDL2可以包括第一连接布线CL1。第一连接布线CL1可以定位在第三无机绝缘层430上。在实施例中，第一连接布线CL1可以定位在第三无机绝缘层430与有机绝缘层OIL之间。
在实施例中，平坦化层300、第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420和第三无机绝缘层430中的每个可以包括孔。定位在第三无机绝缘层430上的第一连接布线CL1可以通过平坦化层300的孔300H、第一无机绝缘层410的孔410H、第二无机绝缘层420的孔420H和第三无机绝缘层430的孔430H电连接到第二下连接布线LCL2。相应地，从下导电层200的布线接收的电源电压和/或信号可以传输到第二导电层CDL2的布线。
参照图7B，显示装置1可以包括第一基板100、下导电层200、平坦化层300、第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420、第一导电层CDL1、第三无机绝缘层430、第二导电层CDL2和有机绝缘层OIL。下导电层200可以包括第三下连接布线LCL3。第一导电层CDL1可以包括第二连接布线CL2。第二连接布线CL2可以定位在第二无机绝缘层420上。在实施例中，第二连接布线CL2可以定位在第二无机绝缘层420与第三无机绝缘层430之间。第二导电层CDL2可以包括连接电极CNC。连接电极CNC可以定位在第三无机绝缘层430上。在实施例中，连接电极CNC可以定位在第三无机绝缘层430与有机绝缘层OIL之间。
连接电极CNC可以电连接到第三下连接布线LCL3。在实施例中，平坦化层300、第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420和第三无机绝缘层430中的每个可以包括孔。连接电极CNC可以通过平坦化层300的孔300H、第一无机绝缘层410的孔410H、第二无机绝缘层420的孔420H和第三无机绝缘层430的第一孔430H1电连接到第三下连接布线LCL3。
第二连接布线CL2可以电连接到连接电极CNC。第二连接布线CL2可以通过第三无机绝缘层430的第二孔430H2电连接到连接电极CNC。相应地，从下导电层200的布线接收的电源电压和/或信号可以传输到第一导电层CDL1的布线。
图8是示出根据实施例的图3的显示装置1的部分E的放大图。
参照图8，显示装置1可以包括第一基板100、像素电路PC和布线WL。像素电路PC可以定位在第一基板100上。在实施例中，多个像素电路PC可以被提供。在图8中，多个像素电路PC在第一方向(例如，x方向或-x方向)上布置为彼此平行或基本平行。
在实施例中，布线WL可以在第一方向(例如，x方向或-x方向)上延伸。在另一实施例中，布线WL可以在第二方向(例如，y方向或-y方向)上延伸。在实施例中，布线WL可以是驱动电压线。在另一实施例中，布线WL可以是信号线。例如，布线WL可以是扫描线或数据线。
图9A和图9B是示出根据各种实施例的沿图8的线F-F'截取的显示装置1的截面图。在图9A和图9B中，与图5中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图9A和图9B，显示装置1可以包括第一基板100、平坦化层300、第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420、第三无机绝缘层430、布线WL和有机绝缘层OIL。
参照图9A，布线WL可以包括第一下布线LWL1、上连接电极UCM和第二下布线LWL2。第一下布线LWL1和第二下布线LWL2可以定位在第二无机绝缘层420与第三无机绝缘层430之间。在实施例中，第一下布线LWL1和第二下布线LWL2可以包括在第一导电层CDL1中(例如，可以是第一导电层CDL1的多个部分)。上连接电极UCM可以定位在第三无机绝缘层430与有机绝缘层OIL之间。上连接电极UCM可以包括在第二导电层CDL2中(例如，可以是第二导电层CDL2的一部分)。
上连接电极UCM可以通过第三无机绝缘层430的一个孔电连接到第一下布线LWL1。上连接电极UCM可以通过第三无机绝缘层430的另一孔电连接到第二下布线LWL2。相应地，即使当第一下布线LWL1和第二下布线LWL2彼此间隔开时，第一下布线LWL1和第二下布线LWL2也可以彼此电连接。上连接电极UCM可以用作桥接件。
参照图9B，布线WL可以包括下连接电极LCM、第一上布线UWL1和第二上布线UWL2。下连接电极LCM可以定位在第二无机绝缘层420与第三无机绝缘层430之间。在实施例中，下连接电极LCM可以包括在第一导电层CDL1中(例如，可以是第一导电层CDL1的一部分)。第一上布线UWL1和第二上布线UWL2可以定位在第三无机绝缘层430与有机绝缘层OIL之间。第一上布线UWL1和第二上布线UWL2可以包括在第二导电层CDL2中(例如，可以是第二导电层CDL2的多个部分)。
第一上布线UWL1可以通过第三无机绝缘层430的一个孔电连接到下连接电极LCM。第二上布线UWL2可以通过第三无机绝缘层430的另一孔电连接到下连接电极LCM。相应地，即使当第一上布线UWL1和第二上布线UWL2彼此间隔开时，第一上布线UWL1和第二上布线UWL2也可以彼此电连接。下连接电极LCM可以用作桥接件。
图10A至图10F是示出根据实施例的显示装置1的各种制造工艺的截面图。在图10A至图10F中，与图5中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图10A，可以准备第一基板100。第一基板100可以包括显示区DA和焊盘区PADA。焊盘区PADA可以定位在显示区DA外侧。
参考图10B，可以在第一基板100上定位下导电层200。下导电层200可以包括布线。在实施例中，下导电层200可以包括扇出布线FWL和第一下连接布线LCL1。扇出布线FWL可以从焊盘区PADA延伸到显示区DA。第一下连接布线LCL1可以定位在显示区DA处(例如，在显示区DA中或在显示区DA上)。下导电层200可以通过使用低电阻材料形成。
参照图10C，可以在下导电层200上定位平坦化层300。平坦化层300可以覆盖布线。在实施例中，平坦化层300可以覆盖第一下连接布线LCL1和扇出布线FWL。平坦化层300的顶表面可以是平坦的或基本平坦的。
接下来，可以在平坦化层300上顺序形成第一无机绝缘层410、半导体层Act、第二无机绝缘层420、第一导电层CDL1和第三无机绝缘层430。第一无机绝缘层410可以形成在平坦化层300上。在实施例中，第一无机绝缘层410可以形成在下导电层200上。第一无机绝缘层410可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。
半导体层Act可以形成在第一无机绝缘层410上。半导体层Act可以与显示区DA重叠。第二无机绝缘层420可以形成在半导体层Act上。第二无机绝缘层420可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。第一导电层CDL1可以形成在第二无机绝缘层420上。在实施例中，第一导电层CDL1可以包括下电极CE1和栅电极GE。第三无机绝缘层430可以形成在第一导电层CDL1上。第三无机绝缘层430可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。
参照图10D，可以在平坦化层300、第一无机绝缘层410、半导体层Act、第二无机绝缘层420和第三无机绝缘层430中形成孔。在实施例中，下孔300IH和下焊盘孔300PH可以形成在平坦化层300中。第一绝缘层孔410IH和第一焊盘孔410PH可以形成在第一无机绝缘层410中。半导体层孔ActH可以形成在半导体层Act中。第二绝缘层孔420IH和第二焊盘孔420PH可以形成在第二无机绝缘层420中。第三绝缘层孔430IH和第三焊盘孔430PH可以形成在第三无机绝缘层430中。
参照图10E，可以形成第二导电层CDL2。在实施例中，第二导电层CDL2可以包括源电极SE、漏电极DE、上电极CE2和焊盘电极PE。焊盘电极PE可以包括在焊盘PAD中。
第二导电层CDL2可以电连接到下导电层200。在实施例中，源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以通过下孔300IH、第一绝缘层孔410IH、第二绝缘层孔420IH和第三绝缘层孔430IH电连接到第一下连接布线LCL1。相应地，薄膜晶体管TFT可以通过可以是低电阻布线的第一下连接布线LCL1来接收信号和/或电源电压。源电极SE和漏电极DE中的至少一个可以通过半导体层Act的限定半导体层孔ActH的内表面电连接到半导体层Act。在实施例中，焊盘电极PE可以通过下焊盘孔300PH、第一焊盘孔410PH、第二焊盘孔420PH和第三焊盘孔430PH电连接到扇出布线FWL。相应地，从焊盘电极PE接收的信号和/或电源电压可以通过可以是低电阻布线的扇出布线FWL来传输。
参照图10F，可以形成有机绝缘层OIL。有机绝缘层OIL可以形成在第三无机绝缘层430和第二导电层CDL2上。有机绝缘层OIL可以包括接触孔OILCH。
接下来，可以形成显示元件层DEL。显示元件层DEL可以包括显示元件DPE。在实施例中，显示元件DPE可以是有机发光二极管。显示元件DPE可以包括像素电极451、发射层453和对电极455。像素电极451可以通过有机绝缘层OIL的接触孔OILCH电连接到源电极SE和漏电极DE中的任何一个。在实施例中，像素电极451可以通过有机绝缘层OIL的接触孔OILCH直接连接到源电极SE和漏电极DE中的任何一个。
如此，根据一个或多个实施例，显示装置1可以根据图10A至图10F中示出的方法相对简单地制造，并且使用的掩模的数量可以被减少。另外，用于制造显示装置1的成本可以被降低。
图11A至图11C是示出根据实施例的下导电层200的各种制造工艺的截面图。在图11A至图11C中，与图6A中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图11A至图11C，可以在第一基板100上形成下导电层200。
参照图11A，可以在第一基板100上形成包括第一金属的第一层L1。第一金属可以包括(例如，可以是)低电阻材料。第一金属可以包括铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。在一些实施例中，第一金属可以包括铝合金或铜合金。
在实施例中，在形成第一层L1的工艺中，第一层L1可以被氧化。在这种情况下，第一层L1可以包括氧化物。例如，当第一层L1在氧化之前包括铝(Al)时，在氧化之后的第一层L1可以包括铝(Al)和氧化铝(Al2O3)。
参照图11B，可以在第一层L1上形成第二层L2。第二层L2可以防止或减少第一层L1的小丘缺陷。在实施例中，第二层L2可以包括与第一层L1的第一金属不同的第二金属。例如，第二金属可以包括钛(Ti)和钼(Mo)中的至少一种。在第一层L1被氧化并且包括铝(Al)和氧化铝(Al2O3)的情况下，即使当第二层L2包括钛(Ti)时，也可以减少或防止第一层L1与第二层L2之间的扩散。在另一实施例中，第二层L2可以包括无机材料。例如，第二层L2可以包括硅的氮化物(SiNx)。当第二层L2包括硅的氮化物(SiNx)时，可以减少或防止第二层L2与第一层L1之间的扩散。
在实施例中，在第一层L1和第二层L2被蚀刻之前，第一层L1和第二层L2可以被热处理。例如，第一层L1和第二层L2可以以约450℃被热处理。因为第一层L1和第二层L2形成在第一基板100上，所以第一层L1和第二层L2可以在像素电路层PCL的元件被形成之前以高温被热处理。相应地，布线的可靠性可以被改善，并且形成像素电路层PCL的后续工艺对第一层L1和第二层L2的影响可以被减少。
参照图11C，可以蚀刻第一层L1和第二层L2。在实施例中，在第一层L1和第二层L2被蚀刻之后，后处理工艺可以被执行。例如，第一层L1和第二层L2可以通过使用四氟化碳(CF4)和氧气(O2)来处理。在这种情况下，可以防止或减少下导电层200的腐蚀。
图12是示出根据另一实施例的沿图3的线B-B'和线C-C'截取的显示装置1的截面图。在图12中，与图5中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图12，显示装置1可以包括第一基板100、下导电层200、平坦化层300、显示层400和焊盘PAD。显示层400可以包括像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可以定位在平坦化层300上。像素电路层PCL可以包括第一无机绝缘层410、第二无机绝缘层420、第三无机绝缘层430、像素电路PC、第四无机绝缘层440和有机绝缘层OIL。
第四无机绝缘层440可以定位在第三无机绝缘层430和第二导电层CDL2上。第四无机绝缘层440可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。第四无机绝缘层440可以覆盖焊盘电极PE的至少一部分，并且可以包括与焊盘电极PE重叠的上焊盘孔440PH。相应地，焊盘电极PE的至少一部分可以通过上焊盘孔440PH暴露。第四无机绝缘层440可以包括源电极SE和漏电极DE中的任何一个通过其暴露的第四绝缘层孔440IH。像素电极451可以通过第四无机绝缘层440的第四绝缘层孔440IH和有机绝缘层OIL的接触孔OILCH直接连接到源电极SE或漏电极DE。第四无机绝缘层440可以包括以诸如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或锌的氧化物(ZnOx)为例的无机绝缘材料。
在实施例中，第二基板500可以定位在显示层400上。当定位在有机绝缘层OIL和/或像素限定膜460上的异物被第二基板500挤压时，第四无机绝缘层440可以防止或减少第二导电层CDL2的电极或布线之间的短路。另外，第四无机绝缘层440可以保护焊盘PAD。
图13A和图13B是示出根据另一实施例的显示装置1的各种制造工艺的截面图。在图13A和图13B中，与图10E中示出的元件相同或基本相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此可以不重复对其的冗余描述。
参照图13A和图13B，可以在第二导电层CDL2上形成第四无机绝缘层440。在实施例中，第四无机绝缘层440可以形成在第二导电层CDL2和第三无机绝缘层430上。
第四无机绝缘层440可以与显示区DA和焊盘区PADA重叠。第四无机绝缘层440可以覆盖焊盘电极PE的至少一部分，并且可以包括与焊盘电极PE重叠的上焊盘孔440PH。相应地，焊盘电极PE的至少一部分可以通过上焊盘孔440PH暴露。第四无机绝缘层440可以包括源电极SE和漏电极DE中的任何一个通过其暴露的第四绝缘层孔440IH。
如上所述，根据本公开的一个或多个实施例的显示装置可以包括定位在第一基板与半导体层之间的下导电层。下导电层可以包括具有低电阻和高可靠性的布线，并且因此根据一个或多个实施例的显示装置的可靠性可以被改善。
根据本公开的一个或多个实施例的制造显示装置的方法可以包括在第一基板上形成下导电层，以及在下导电层上顺序形成第一无机绝缘层、半导体层、第二无机绝缘层、第一导电层和第三无机绝缘层。相应地，显示装置的制造工艺可以被相对简化。
尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易地理解的是，各种修改在实施例中是可能的，而不脱离本公开的精神和范围。将理解的是，每个实施例内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面，除非另外描述。因此，如对本领域普通技术人员将明显的是，结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用，除非另外特别指示。因此，应当理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明并且不应解释为限于本文中公开的具体实施例，并且对公开的实施例以及其他示例实施例的各种修改旨在包括在如所附权利要求及其等同物所限定的本公开的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
第一基板，包括显示区和定位在所述显示区外侧的焊盘区；
下导电层，定位在所述第一基板上，并且包括从所述焊盘区延伸到所述显示区的扇出布线；
第一无机绝缘层，定位在所述下导电层上；
半导体层，定位在所述第一无机绝缘层上，并且与所述显示区重叠；
第二无机绝缘层，覆盖所述半导体层，并且与所述显示区和所述焊盘区重叠；
焊盘电极，在所述第二无机绝缘层上，所述焊盘电极与所述焊盘区重叠并且电连接到所述扇出布线；以及
显示元件层，定位在所述第二无机绝缘层上，并且包括与所述显示区重叠的显示元件。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述焊盘电极通过所述第一无机绝缘层的第一焊盘孔和所述第二无机绝缘层的第二焊盘孔电连接到所述扇出布线。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下导电层包括：
第一层，包括第一金属；以及
第二层，定位在所述第一层上，并且包括与所述第一金属不同的第二金属。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一金属包括铝，并且所述第二金属包括钛。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一层包括铝和氧化铝，并且所述第二层包括钛。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下导电层包括：
第一层，包括第一金属；以及
第二层，定位在所述第一层上，并且包括无机材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
平坦化层，定位在所述下导电层与所述第一无机绝缘层之间。
8.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第一导电层，定位在所述第二无机绝缘层上，并且包括与所述半导体层重叠的栅电极；
第三无机绝缘层，覆盖所述栅电极；以及
第二导电层，定位在所述第三无机绝缘层与所述显示元件层之间，并且包括源电极和漏电极，
其中，所述下导电层进一步包括与所述显示区重叠的第一下连接布线，并且
其中，所述源电极和所述漏电极中的至少一个通过所述第一无机绝缘层的第一绝缘层孔、所述半导体层的半导体层孔、所述第二无机绝缘层的第二绝缘层孔和所述第三无机绝缘层的第三绝缘层孔电连接到所述第一下连接布线。
9.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第三无机绝缘层，定位在所述第二无机绝缘层上；以及
第一连接布线，定位在所述第三无机绝缘层上，
其中，所述下导电层进一步包括第二下连接布线，并且
其中，所述第一连接布线通过所述第一无机绝缘层的孔、所述第二无机绝缘层的孔和所述第三无机绝缘层的孔电连接到所述第二下连接布线。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第二连接布线，定位在所述第二无机绝缘层上；
第三无机绝缘层，定位在所述第二连接布线上；以及
连接电极，定位在所述第三无机绝缘层上，
其中，所述下导电层进一步包括第三下连接布线，
其中，所述连接电极通过所述第一无机绝缘层的孔、所述第二无机绝缘层的孔和所述第三无机绝缘层的第一孔电连接到所述第三下连接布线，并且
所述第二连接布线通过所述第三无机绝缘层的第二孔电连接到所述连接电极。
11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第一导电层，定位在所述第二无机绝缘层上，并且包括与所述半导体层重叠的栅电极；
第三无机绝缘层，覆盖所述栅电极；
第二导电层，定位在所述第三无机绝缘层与所述显示元件层之间，并且包括源电极和漏电极；以及
有机绝缘层，定位在所述第二导电层与所述显示元件层之间，
其中，所述显示元件包括通过所述有机绝缘层的接触孔直接连接到所述源电极和所述漏电极中的一个的像素电极。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第二导电层包括铝。
13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第四无机绝缘层，覆盖所述焊盘电极的至少一部分，并且包括与所述焊盘电极重叠的上焊盘孔。
14.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
第二基板，定位在所述显示元件层上；以及
密封构件，定位在所述第一基板与所述第二基板之间，并且围绕所述显示区，
其中，所述密封构件在平面图中与所述下导电层至少部分地重叠。
15.根据权利要求1至14中的任何一项所述的显示装置，其中，所述第一基板包括玻璃。
16.一种制造显示装置的方法，包括：
在第一基板上形成下导电层；
在所述下导电层上顺序形成第一无机绝缘层、半导体层、第二无机绝缘层、第一导电层和第三无机绝缘层；
形成所述第一无机绝缘层中的第一绝缘层孔、所述半导体层中的半导体层孔、所述第二无机绝缘层中的第二绝缘层孔以及所述第三无机绝缘层中的第三绝缘层孔；以及
形成第二导电层，所述第二导电层定位在所述第三无机绝缘层上，并且通过所述第一绝缘层孔、所述半导体层孔、所述第二绝缘层孔和所述第三绝缘层孔电连接到所述下导电层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述下导电层的所述形成包括：
形成包括第一金属的第一层；
在所述第一层上形成第二层，所述第二层包括至少一种无机材料或与所述第一金属不同的第二金属；以及
蚀刻所述第一层和所述第二层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一层的所述形成包括氧化所述第一层。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述下导电层的所述形成进一步包括在所述第一层和所述第二层的所述蚀刻之前热处理所述第一层和所述第二层。
20.根据权利要求16至19中的任何一项所述的方法，进一步包括：在所述第二导电层上形成第四无机绝缘层，
其中：
所述第一基板包括显示区和定位在所述显示区外侧的焊盘区；
所述第二导电层包括与所述焊盘区重叠的焊盘电极；并且
所述第四无机绝缘层覆盖所述焊盘电极的至少一部分且包括与所述焊盘电极重叠的上焊盘孔。
CN202211494408.XA 2021-11-26 2022-11-25 显示装置以及制造该显示装置的方法 Pending CN116193930A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2021-0166099 2021-11-26
KR1020210166099A KR20230078904A (ko) 2021-11-26 2021-11-26 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116193930A true CN116193930A (zh) 2023-05-30

Family

ID=84362953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211494408.XA Pending CN116193930A (zh) 2021-11-26 2022-11-25 显示装置以及制造该显示装置的方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230172022A1 (zh)
EP (1) EP4188054A1 (zh)
KR (1) KR20230078904A (zh)
CN (1) CN116193930A (zh)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017064590A1 (en) * 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
KR102457997B1 (ko) * 2017-12-29 2022-10-21 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN111638616B (zh) * 2019-03-01 2022-04-15 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板及其制作方法
KR20210010771A (ko) * 2019-07-19 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210035357A (ko) * 2019-09-23 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
EP4188054A1 (en) 2023-05-31
US20230172022A1 (en) 2023-06-01
KR20230078904A (ko) 2023-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11462714B2 (en) Organic light emitting diode display device
CN109509770B (zh) 显示设备
US20240172479A1 (en) Display Device
KR20210008240A (ko) 표시 장치
CN111261043A (zh) 显示面板
US20220085327A1 (en) Display panel and display device
US20230371312A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same
KR20220161643A (ko) 표시 장치
CN111584545A (zh) 显示装置
CN114203769A (zh) 显示设备及制造该显示设备的方法
CN113937134A (zh) 显示装置
US20230172022A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
CN114078921A (zh) 显示设备
CN221553807U (zh) 显示装置
US20230240107A1 (en) Display device
CN219421505U (zh) 显示设备
US12133441B2 (en) Display panel including peripheral protrusion tip and display apparatus including corner protrusion tip
US20230006174A1 (en) Display panel and display apparatus
US20240074242A1 (en) Display apparatus
CN114792708A (zh) 显示设备
CN113130564A (zh) 显示装置
KR20230022375A (ko) 표시 패널 및 표시 장치
KR20220141948A (ko) 표시 장치
KR20240144696A (ko) 표시 장치
KR20230023840A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication