CN109509770B - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109509770B CN109509770B CN201810796371.3A CN201810796371A CN109509770B CN 109509770 B CN109509770 B CN 109509770B CN 201810796371 A CN201810796371 A CN 201810796371A CN 109509770 B CN109509770 B CN 109509770B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display device
- line
- region
- layer
- pixel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 117
- 101100401683 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mis13 gene Proteins 0.000 description 51
- 101100058498 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) CNL1 gene Proteins 0.000 description 31
- 101100449397 Rattus norvegicus Gpr6 gene Proteins 0.000 description 20
- 101100294209 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) cnl2 gene Proteins 0.000 description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 17
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 7
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 3
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 101000749843 Clitocybe nebularis Ricin B-like lectin Proteins 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 101000822028 Homo sapiens Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 1
- 101710123669 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开一种显示设备,包括:基板;在基板上的多个像素,该多个像素在第一区域的周围并且至少部分地围绕第一区域;透光布线,在基板上,并且与第一区域重叠;以及封装构件,覆盖多个像素。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年9月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0117750号的优先权及权益,其公开内容通过引用其整体被纳入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示设备。
背景技术
显示设备已被用于各种目的。随着显示设备变得更薄和更轻,其使用范围已得到扩大。
随着已出于各种原因来使用显示设备,可以使用各种方法来制造显示设备。而且,可与显示设备集成或者可被应用于显示设备的功能已经增加。
发明内容
一个或多个实施例包括一种显示设备,其包括显示区域中的第一区域,其中诸如相机、传感器等电子部件等可以与第一区域重叠。
其他方面将部分地在下面的描述中阐述并且将部分地根据描述而变得显而易见,或者可以通过实行所呈现的实施例来习得。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基板;多个像素,在基板上,该多个像素被设置在第一区域的周围并且至少部分地围绕第一区域;透光布线,设置在基板上,并且与第一区域重叠;以及封装构件,覆盖多个像素。
多个像素可以包括彼此间隔开的第一像素和第二像素,在第一像素和第二像素之间具有第一区域。第一像素可以包括第一薄膜晶体管(TFT)和连接到第一TFT的第一线,并且第二像素可以包括第二TFT和连接到第二TFT的第二线。布线可以将第一线与第二线电连接。
显示设备还可以包括:至少一个绝缘层,被插入在第一线与布线之间,并且第一线和布线可以经由贯穿至少一个绝缘层的接触孔被彼此连接。
布线的厚度可以小于第一线和第二线中的至少一个的厚度。
布线的宽度可以大于第一线和第二线中的至少一个的宽度。
第一线和第二线可以是扫描线、数据线或驱动电压线。
封装构件可以包括玻璃基板。
封装构件可以包括至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层。
根据一个或多个实施例,一种显示设备包括:基板;电路层,设置在基板上,并且包括多个薄膜晶体管(TFT)和被电连接到多个TFT的多个线;阵列,包括多个显示元件,并且设置在电路层上;以及封装构件,覆盖阵列,其中阵列包括第一区域,并且多个显示元件被设置为与第一区域相邻以便至少部分地围绕第一区域,并且电路层包括与第一区域重叠的布线。
布线可以是透光的。
多个显示元件可以包括彼此间隔开的第一显示元件和第二显示元件,在第一显示元件和第二显示元件之间具有第一区域,并且布线可以将第一显示元件的第一线与第二显示元件的第二线电连接。
布线的厚度可以小于第一线和第二线中的至少一个的厚度。
布线的宽度可以大于第一线和第二线中的至少一个的宽度。
多个显示元件中的每个可以包括:像素电极,在电路层上;像素限定层,具有暴露像素电极的开口;发射层,在像素电极上;以及对电极,在发射层上。
像素限定层可以具有与第一区域对应的孔。
对电极可以被形成为一体以便与多个显示元件对应。
对电极可以具有与第一区域对应的孔。
封装构件可以包括玻璃基板。
封装构件可以包括至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层。
显示设备还可以包括:防反射层,设置在封装构件上,并且包括与第一区域对应的孔。
附图说明
结合附图并根据以下实施例的描述,这些和/或其他方面将变得显而易见并且更易于理解,在附图中:
图1是根据实施例的显示设备的一部分的平面图;
图2是根据实施例的显示设备中的像素的等效电路图;
图3是根据实施例的显示设备的一部分的平面图;
图4是根据实施例的显示设备的第一区域周围的部分的平面图;
图5是沿着图4的线V-V'截取的剖视图;
图6是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图;
图7是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图;
图8是根据另一实施例的显示设备的剖视图;
图9是图8的部分VIII的剖视图;
图10是根据另一实施例的显示设备的示意性剖视图;
图11A至图11C是根据实施例的显示设备的与第一区域对应的剖视图;
图12是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图;以及
图13是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图。
具体实施方式
本发明可以具有各种修改和实施例,并且因此,一些实施例将在附图中被示出并且在本发明的详细描述中被详细地描述。将参考示出了本发明的示例性实施例的附图来更全面地描述本发明的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法。然而,本发明可以以许多不同的形式来体现,并且不应被解释为限于本文所阐述的实施例。
在下文中,将参考相同附图标记始终指示相同元件的附图来更详细地描述示例实施例。然而,本发明可以以各种不同的形式来体现,并且不应被解释为仅限于本文所示出的实施例。相反,提供这些实施例以作为示例,使得本公开将是彻底且完整的,并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的方面及特征。因此,可以不描述对于本领域普通技术人员完全理解本发明的方面及特征而言并非必需的过程、元件和技术。除非另有说明,否则在整个附图和书面描述中,相同的附图标记表示相同的元件,并因此将不再重复对其的描述。在附图中,为了清楚起见,元件、层和区域的相对尺寸可能被夸大。
将会理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段,但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应受这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、部件、区域、层或区段区分开来。因此,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,下面所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段。
本文所使用的术语的目的仅在于描述特定的实施例,而并不旨在限制本发明。如本文中所使用的单数形式“一”旨在也包括复数形式,除非在上下文中明确指示。还将会理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”和“包含”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组合。如本文所使用的,术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有的组合。当诸如“...中的至少一个”的表述位于元素列表之后时,修饰整个元素列表,并且不修饰列表中的个别元素。
为了便于解释,附图中的元件的尺寸可能被夸大。换言之,由于附图中的部件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的,因此下面的实施例不限于此。
出于易于解释的目的,在本文中可能会使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“下面”、“上方”、“上面”等空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征相对于另一元件或特征的关系。将会理解,除了图中所描绘的方位之外,空间相对术语旨在包含设备在使用中或操作中的不同方位。例如,如果图中的设备被翻转,则被描述为在另一元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件将被定向为在另一元件或特征“上方”。因此,示例术语“下方”和“下面”可以包含上方和下方这两种方位。设备可被另外定向(例如,旋转90度或者在其他方向),并且本文所使用的空间相对描述符应被相应地解释。
当可以不同地实现某些实施例时,可以不同于所描述的顺序来执行特定的处理顺序。例如,两个连续描述的处理可以被基本上同时地执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行。
可以利用任何适当的硬件、固件(例如,专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合,来实现根据本文所描述的本发明实施例的电子或电气设备和/或任何其他相关设备或部件。例如,这些设备的各种部件可被形成在一个集成电路(IC)芯片上或分离的IC芯片上。此外,这些设备的各种部件可以在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现、或者形成在一个基板上。此外,这些设备的各种组件可以是执行计算机程序指令并与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互的一个或多个计算设备中的在一个或多个处理器上运行的进程或线程。计算机程序指令被存储在可使用诸如例如随机存取存储器(RAM)的标准存储设备在计算设备中实现的存储器中。计算机程序指令还可以被存储在其它非暂时性计算机可读介质中,诸如例如CD-ROM、闪存驱动器等。此外,本领域技术人员应认识到各种计算设备的功能可以被组合或集成到单个计算设备中,或特定计算设备的功能可以被分布在一个或多个其他计算设备中,而不脱离本发明的示例性实施例的精神和范围。
在以下示例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以在更广泛的意义上被解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此互不垂直的不同方向。
除非另有定义,否则本文所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,诸如在常用词典中所定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过度正式化的意义来解释,除非在本文中明确地如此定义。
将在下面描述的显示设备被配置为显示图像。在下文中,为了便于解释,将对有机发光显示设备的实施例进行描述。然而,本发明不限于此。例如,显示设备可以是无机发光显示设备等。
图1是根据实施例的显示设备1的平面图。
参考图1,显示设备1的基板100可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是被配置为提供图像(例如,预定图像)并且包括像素PX的区域。像素PX中的每个可以包括诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件,并且显示区域DA可以被不包括像素PX的非显示区域NDA围绕。非显示区域NDA是被配置为不提供图像的区域。驱动器以及用于传送将被施加到每个像素PX的电气信号或电力的布线可以在非显示区域NDA中。根据实施例,非显示区域NDA中的至少一部分可以朝向显示区域DA的背面弯曲或折叠。
第一区域RA1可以在显示区域DA上并且被像素PX围绕。第一区域RA1可以是针对用于显示设备1的功能的附加电子部件而配置的区域,或针对可向显示设备1添加新功能的附加电子部件而配置的区域。例如,当显示设备1包括诸如相机、传感器等电子部件时,这种电子部件可以与第一区域RA1重叠。传感器可以包括被配置为接收和使用光的传感器,诸如红外传感器、距离传感器、指纹识别传感器等,但是本发明的实施例不限于这些所描述的示例。在被配置为接收和使用光的传感器的情况下,传感器可以接收各种光学波长范围内的光,诸如可见光、红外光、紫外光等。像素PX可以不形成在第一区域RA1中并且第一区域RA1可以被像素PX围绕。
图2是根据实施例的显示设备的任何一个像素PX的等效电路图。
参考图2,像素PX可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC、以及连接到像素电路PC的显示元件(例如OLED)。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管(TFT)Td、开关TFT Ts、以及存储电容器Cst。开关TFT Ts可以连接到扫描线SL和数据线DL,并且可以基于由扫描线SL输入的扫描信号来将由数据线DL输入的数据信号传送到驱动TFT Td。
存储电容器Cst可以连接到开关TFT Ts和驱动电压线PL,并且可以存储与从开关TFT Ts接收到的电压和供应给驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动TFT Td可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以基于存储在存储电容器Cst中的电压的值来对从驱动电压线PL流到OLED的驱动电流进行调节。对电极(例如,阴极)被提供有电源电压ELVSS,并且OLED可以基于驱动电流来发射具有预定亮度的光。OLED可以发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。在本说明书中,可以理解,像素PX是指如上所述发射红色、绿色、蓝色和白色中的任意一种的光的像素。
如参考图2所述,像素PX包括两个TFT和一个存储电容器Cst。然而,本发明不限于此。根据另一实施例,像素PX可以包括三个以上的TFT和两个以上的存储电容器。像素电路PC的设计可以以各种方式来修改。
图3是根据实施例的显示设备的一部分的平面图。图4是根据实施例的显示设备的第一区域RA1周围的部分的平面图。图5是根据实施例的沿着图4的线V-V'截取的剖视图。
参考图3,第一区域RA1可以被像素PX围绕。如上面参考图2所述,每个像素PX可以包括OLED以及像素电路,该像素电路包括TFT、存储电容器、以及电连接到TFT和存储电容器的线。图3示出了用于将数据信号传送给每个像素PX的数据线11、12A和12B、以及用于提供驱动电压ELVDD的驱动电压线21、22A和22B。
数据线11、12A和12B电连接到数据驱动器1100。数据驱动器1100可以是面板上芯片(COP)型并且设置在非显示区域NDA(参考图1)上。可替代地,数据驱动器1100可以是膜上芯片(COF)型并且设置在被电连接到在非显示区域NDA中设置的端子部分(未示出)的柔性电路基板(未示出)上。
在一些示例中,像素PX中的一些可以在x方向上位于第一区域RA1的一侧(例如,图3中的左侧或右侧)。这些像素PX中的每个可以被布置为在y方向上彼此相邻,并且可以通过数据线11来接收数据信号。在y方向上布置并且以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的其他像素PX可以电连接到穿过每个对应像素PX的数据线12A或12B。在y方向上以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的数据线12A和12B可以通过第一布线(在下文中,称为第一连接布线CNL1)彼此连接。
一些像素PX(例如,在第一区域RA1的左侧或右侧的像素PX)可以通过驱动电压线21来接收驱动电压ELVDD(参考图2)。同时,在y方向上布置并且以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的像素PX中的每个可以电连接到穿过每个对应像素PX的驱动电压线22A或22B。在y方向上以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的驱动电压线22A和22B可以通过第二布线(在下文中,称为第二连接布线CNL2)彼此连接。
第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2可以与第一区域RA1重叠并且可以包括透明导电材料。在本说明书中,透明表示光被透射,并且可以与具有透光率相同。在此,可以被理解为,“透明”或具有“透光率”表示透射率等于或高于约70%。
例如,第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2可以包括导电氧化物、金属薄膜、有机半导体材料等。导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)等。金属薄膜可以包括Mo、Ti、Mg、Al、Ag或其合金。
在下文中,为了便于解释,在空间上以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的像素PX中的任意一个将被称为第一像素PX1,并且像素PX中的另一个将被称为第二像素PX2。即,第一像素PX1和第二像素PX2彼此间隔开,而第一区域RA1在第一像素PX1与第二像素PX2之间。同样地,在空间上以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的数据线12A和12B中的被连接到第一像素PX1的任意一个将被称为第一数据线12A。数据线12A和12B中的另一数据线将被称为第二数据线12B。即,第一数据线12A和第二数据线12B彼此间隔开,而第一区域RA1在第一数据线12A与第二数据线12B之间。类似地,在空间上以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的驱动电压线22A和22B中的被连接到第一像素PX1的任意一个将被称为第一驱动电压线22A。驱动电压线22A和22B中的另一驱动电压线将被称为第二驱动电压线22B。即,第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B彼此间隔开,而第一区域RA1在第一驱动电压线22A与第二驱动电压线22B之间。
参考图4,第一像素PX1和第二像素PX2可以位于第一区域RA1的相对侧(例如,在y方向上的上侧和下侧)。第一像素PX1可以连接到第一数据线12A和第一驱动电压线22A,并且第二像素PX2可以连接到第二数据线12B和第二驱动电压线22B。
第一数据线12A和第二数据线12B由于第一区域RA1而在空间上彼此间隔开。然而,第一数据线12A和第二数据线12B可以通过第一连接布线CNL1彼此电连接。例如,第一数据线12A和第二数据线12B可以经由第一接触孔CNT1被电连接到第一连接布线CNL1。类似地,第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B由于第一区域RA1而在空间上彼此间隔开。然而,第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B可以通过第二连接布线CNL2彼此电连接。第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B可以经由第二接触孔CNT2被电连接到第二连接布线CNL2。
参考图5,第一数据线12A和第一连接布线CNL1可以经由第一接触孔CNT1彼此连接,该第一接触孔CNT1贯穿至少一个被插入在第一数据线12A与第一连接布线CNL1之间的绝缘层IL2(在下文中,被称为第二绝缘层)。第一绝缘层IL1可以在第一数据线12A和基板100之间,并且第一连接布线CNL1可以被第三绝缘层IL3覆盖并保护。第一至第三绝缘层IL1、IL2和IL3中的每个可以包括包含无机绝缘材料或有机绝缘材料的单层或多层。例如,无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。有机绝缘材料可以例如包括:通用聚合物,诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS);具有酚基基团的聚合物衍生物;基于酰基的聚合物;基于酰亚胺的聚合物;基于芳基醚的聚合物;基于酰胺的聚合物;氟基聚合物;对二甲苯基聚合物;基于乙烯醇的聚合物;或它们的混合物。
图5示出了第一数据线12A在第二绝缘层IL2下方并且第一连接布线CNL1在第二绝缘层IL2上方。然而,本发明并不限于此。根据另一实施例,第一数据线12A可以在第二绝缘层IL2上方并且第一连接布线CNL1可以在第二绝缘层IL2下方。图5示出了第一数据线12A和第一连接布线CNL1经由第一接触孔CNT1彼此直接接触。然而,本发明不限于此。根据另一实施例,第一数据线12A和第一连接布线CNL1可以通过被插入于其间的导电层被彼此电连接。例如,第一数据线12A与导电层可以彼此接触并且导电层与第一连接布线CNL1可以彼此接触。在这种情况下,具有接触孔的绝缘层可以被插入在第一数据线12A与导电层之间以及第一连接布线CNL1与导电层之间。
至此,参考图5描述了第一数据线12A与第一连接布线CNL1之间的结构。然而,以上的描述也可被应用于第二数据线12B与第一连接布线CNL1之间的结构、第一驱动电压线22A与第二连接布线CNL2之间的结构、以及第二驱动电压线22B与第二连接布线CNL2之间的结构。
再次参考图4,与第一区域RA1重叠的第一连接布线CNL1的宽度W1可以大于第一数据线12A和第二数据线12B的宽度W2。类似地,与第一区域RA1重叠的第二连接布线CNL2的宽度W3可以大于第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B的宽度W4。由于第一区域RA1不包括发射预定颜色的光的OLED,因此可以充分地利用该区域,并且因此第一连接布线CNL1的宽度W1和第二连接布线CNL2的宽度W3可以分别大于第一数据线12A和第二数据线12B的宽度W2以及第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B的宽度W4。根据实施例,第一连接布线CNL1的宽度W1可以大于第一数据线12A和第二数据线12B的宽度W2约两至三倍,并且第二连接布线CNL2的宽度W3可以大于第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B的宽度W4约两至三倍。
第一连接布线CNL1的厚度和第二连接布线CNL2的厚度可以分别小于第一数据线12A和第二数据线12B的厚度以及第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B的厚度,因此可以增加第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2的透射率。图5示出了第一连接布线CNL1的厚度t1小于第一数据线12A的厚度t2。根据实施例,当第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2的宽度W1和W3相对较大而第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2的厚度相对较小时,第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2可以具有降低的电阻以及增加的透光率。
图6是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图。
参考图6,第一区域RA1可以被像素PX围绕,并且像素PX中的每个可以包括OLED以及像素电路,该像素电路包括TFT、存储电容器、以及电连接到TFT和存储电容器的线,如上参考图2所述。图6示出用于将扫描信号传送给每个像素PX的扫描线31、32A和32B。
扫描线31、32A和32B可以电连接到扫描驱动器1200。扫描驱动器1200可以设置在非显示区域NDA中(参考图1)。
一些像素(例如设置在第一区域RA1的一侧(例如,图6中的上侧或下侧)的像素PX)可以通过扫描线31来接收扫描信号。然而,其他像素(例如,以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的像素PX)可以电连接到与每个对应像素PX交叉的扫描线32A或32B。扫描线32A和32B可以以其间的第一区域RA1而彼此间隔开,并且通过第三布线(在下文中,称为第三连接布线CNL3)彼此连接。
第三连接布线CNL3可以与第一区域RA1重叠并且可以具有透光性。第三连接布线CNL3可以包括具有透光性和导电性的材料。例如,第三连接布线CNL3可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、AZO等透明导电氧化物、可以包括诸如Mo、Ti、Mg、Al、Ag或其合金的透光金属薄膜,或者可以包括透明有机半导体材料。
在下文中,为了便于解释,以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的像素PX中的任意一个将被称为第一像素PX1,并且另一个将被称为第二像素PX2。另外,以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的扫描线32A和32B中的被连接到第一像素PX1的任意一个将被称为第一扫描线32A,并且连接到第二像素PX2的另一个将被称为第二扫描线32B。
第一扫描线32A和第二扫描线32B由于第一区域RA1而在空间上彼此间隔开。然而,第一扫描线32A和第二扫描线32B可以通过第三连接布线CNL3彼此电连接。根据实施例,第一扫描线32A和第二扫描线32B可以经由贯穿被插入在第一扫描线32A和第二扫描线32B之间的至少一个绝缘层的第三接触孔CNT3被彼此电连接。根据另一实施例,第一扫描线32A和第二扫描线32B可以通过第一扫描线32A和第二扫描线32B与第三连接布线CNL3之间的导电层被连接到第三连接布线CNL3。例如,第一扫描线32A和第二扫描线32B可以与导电层接触并且导电层可以与第三连接布线CNL3接触。
第三连接布线CNL3的宽度W5可以大于第一扫描线32A和第二扫描线32B的宽度W6。由于第一区域RA1不包括发射预定颜色的光的OLED,因此第三连接布线CNL3的宽度W5可以大于第一扫描线32A和第二扫描线32B的宽度W6约两至三倍。
第三连接布线CNL3的厚度可以小于第一扫描线32A和第二扫描线32B的厚度,并且因此可以增加第三连接布线CNL3的透射率。根据实施例,当第三连接布线CNL3具有相对较大的宽度W5和相对较小的厚度时,可以减小第三连接布线CNL3的电阻并且可以增加第三连接布线CNL3的透光率。
到目前为止,已经关于第一数据线12A和第二数据线12B以及第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B分别通过与第一区域RA1重叠的第一连接布线CNL1和第二连接布线CNL2被彼此连接的实施例(参考图3至图5)以及第一扫描线32A和第二扫描线32B通过第三连接布线CNL3被彼此连接的实施例(参考图6)分开给出了描述。然而,本发明不限于此。
根据另一实施例,如图7所示,显示设备可以包括与第一区域RA1重叠的所有第一至第三连接布线CNL1、CNL2和CNL3。图7是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图,并且图7中所示的详细结构与图3至图6中所示的结构相同。
根据另一实施例,显示设备可以包括与第一区域RA1重叠的第一连接布线CNL1和第三连接布线CNL3。可替代地,显示设备可以包括与第一区域RA1重叠的第二连接布线CNL2和第三连接布线CNL3。
图8是根据另一实施例的显示设备1A的剖视图,并且图9是图8的部分VIII的剖视图。
参考图8,显示设备1A可以包括基板100A、电路层200、OLED的阵列300、封装构件400A以及防反射层500,并且窗体构件600可以在防反射层上500上。
基板100A可以包括刚性玻璃材料。包括TFT和被电连接到TFT的线的电路层200可以在基板100A上。电路层200的TFT和线可以电连接到OLED。
参考图9,电路层200可以包括驱动TFT Td和开关TFT Ts、存储电容器Cst、线、以及被插入于其间的绝缘层,如以上参考图2所述。在下文中,将按照部件被堆叠的顺序来给出描述。
缓冲层201可以减少或阻挡来自基板100A的下部的异物、潮湿或外部物体的渗透,并且可以在基板100A上提供平坦表面。缓冲层201可以包括诸如氧化物或氮化物等无机绝缘材料。
驱动TFT Td可以包括驱动半导体层A1、驱动栅电极G1、驱动源电极S1、以及驱动漏电极D1。开关TFT Ts可以包括开关半导体层A2、开关栅电极G2、开关源电极S2、以及开关漏电极D2。图9示出驱动TFT Td的栅电极G1和开关TFT Ts的栅电极G2为设置在半导体层A1和A2上的顶栅型的示例,但是本发明不限于此。根据另一实施例,驱动TFT Td和开关TFT Ts可以为底栅型。
栅极绝缘层203可以插入在驱动半导体层A1与驱动栅电极G1之间以及开关半导体层A2与开关栅电极G2之间。栅极绝缘层203可以包括包含氧化物或氮化物的无机绝缘材料。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电极CE1和第二电极CE2,并且第一层间绝缘层205可以插入在第一电极CE1与第二电极CE2之间。图9示出了存储电容器Cst与驱动TFT Td重叠并且存储电容器Cst的第一电极CE1为驱动TFT Td的驱动栅电极G1的情况。然而,本发明不限于此。存储电容器Cst可以设置在基板100A的另一区域中,以便不与驱动TFTTd重叠。
存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括包含氧化物或氮化物的无机绝缘材料。驱动TFT Td和开关TFT Ts以及存储电容器Cst可以被包含有机绝缘材料等的平坦化层209覆盖。
像素电极301可以经由平坦化层209的孔被电连接到TFT(例如驱动TFT Td)。像素电极301可以为反射电极,并且可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物。
像素电极301可以经由像素限定层PDL的开口被暴露。像素限定层PDL可以具有开口以将像素电极301的至少中央区域暴露,并且因此可以对像素进行限定。像素限定层PDL可以将像素电极301的边缘覆盖。像素限定层PDL通过增加像素电极301的边缘与对电极303之间的距离来防止在像素电极301的端部以及对电极303产生电弧。像素限定层PDL可以包括诸如聚酰亚胺(PI)或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
发射层302可以包括低分子量材料或高分子量材料。尽管未示出,但是可以进一步地在发射层302上方或下方设置功能层。功能层可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
对电极303可以被设置为覆盖发射层302并且可以是具有透光率的透光电极。对电极303可以包括:具有低功函数并且包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物的金属薄膜。可替代地,对电极303可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的透光导电层。可替代地,对电极303可以具有所描述的透光导电层被堆叠在所描述的金属薄膜上的多层结构。根据实施例,对电极303可以包括包含Ag和Mg的金属薄膜。
再次参考图8,电路层200上的阵列300可以包括OLED,并且每个OLED可以具有以上参考图9所描述的结构。多个OLED可以布置在第一区域RA1的周围,在该多个OLED之间具有第一区域RA1。每个OLED可以与每个像素对应,并且因此,图8中示出的OLED可以布置在第一区域RA1的周围以便围绕第一区域RA1,如以上参考图3和图6所描述的像素那样。OLED不设置在第一区域RA1中。
被连接到以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的OLED中的每个OLED的线(例如,数据线、驱动电压线和扫描线中的至少一个)可以被设置在电路层200中。线在空间上以其间的第一区域RA1而彼此间隔开。因此,如以上参考图3至图6所述,线可以通过第一至第三连接布线CNL1、CNL2和CNL3被彼此电连接。第一至第三连接布线CNL1、CNL2和CNL3可以设置在显示设备1A的电路层200中。关于以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的OLED和线、以及连接布线的描述与以上参考图3至图6所给出的描述相同。
封装构件400A可以被设置为覆盖阵列300。封装构件400A可以包括例如玻璃基板。封装构件400A可以用基板100A密封,并且电路层200以及OLED的阵列300在封装构件400A与基板100A之间。例如,围绕阵列300的密封构件可被插入在基板100A与封装构件400A之间。
防反射层500可以防止从显示设备1A的外部朝向显示设备1A入射的光从被包括在显示设备1A中的层之间的界面处反射并对外部可见。防反射层500可以包括偏振器。可替代地,防反射层500可以包括包含滤色器和黑矩阵的光学层来代替偏振器。防反射层500可以包括与第一区域RA1对应的孔500H。当孔(或开口区域)500H被形成在防反射层500中时,可以增加与第一区域RA1对应的显示设备1A的透射率。
可改善显示设备1A的功能或者可将新功能添加到显示设备1A的附加电子部件700可以设置在第一区域RA1中。电子部件700可以包括相机、传感器等。电子部件700可以设置在基板100A的背面。
在显示设备1A的与第一区域RA1对应的部分(或区域)中,电路层200可以包括如图3至图6中所描述的具有透光率的第一至第三连接布线CNL1、CNL2和CNL3,并且阵列300可以不包括OLED。因此,诸如相机或传感器的电子部件700可以通过显示设备1A的与第一区域RA1对应的部分来执行诸如拍摄图像或接收外部光的操作。
图10是根据另一实施例的显示设备1B的示意性剖视图。
图10的显示设备1B可以包括基板100B、电路层200、阵列300、封装构件400B、防反射层500、以及窗体构件600。显示设备1B的电路层200、阵列300、防反射层500、窗体构件600以及显示元件的详细结构与以上参考图8和图9所描述的显示设备1A的详细结构相同。另外,如以上参考图3至图6所述,在图10的显示设备1B中,像素(或显示元件)被设置为基于第一区域RA1而彼此间隔开,并且连接到被彼此间隔开的像素的线(例如,数据线、驱动电压线和扫描线)也基于第一区域RA1而彼此间隔开,并且通过与第一区域RA1重叠的连接布线(例如,第一至第三连接布线)被彼此电连接。在下文中,主要对差异进行描述。
基板100B可以包括具有柔性或可弯曲性质的各种材料。例如,基板100B可以包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、PI、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。基板100B可以包括包含以上所描述的材料的单层或多层,并且当基板100B包括多层时,基板100B还可以包括无机层(未示出)。
封装构件400B可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。图10示出了封装构件400B包括第一无机封装层410、第二无机封装层420、以及第一无机封装层410与第二无机封装层420之间的有机封装层430。第一无机封装层410和第二无机封装层420可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅,并且有机封装层430可以包括从由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、多芳基化合物和HMDSO组成的组中选择的一种或多种材料。然而,本发明不限于此。
图10示出了第一无机封装层410和第二无机封装层420以及有机封装层430被堆叠在第一区域RA1上。然而,本发明不限于此。根据另一实施例,有机封装层430可以包括与第一区域RA1对应的区域。有机封装层430的区域通过去除或不设置有机封装材料来形成。例如,在通过使用单体来制造有机封装层430的工序期间,可以调节单体的流动,或者可以使用结构等以便使有机封装材料不会位于第一区域RA1上。
图11A至图11C是基于根据实施例的显示设备的第一区域RA1的剖视图。为了方便起见,没有示出参考图8和图10而描述的封装构件400A和400B、防反射层500和窗体构件600。
参考图11A至图11C,像素PX被设置为与第一区域RA1相邻。像素PX可以包括作为显示元件的OLED,并且被电连接到OLED的像素电路PC可以设置在电路层200上。OLED可以包括:电路层200上的像素电极301、设置在像素电极301上并具有开口以将像素电极301的中央区域暴露的像素限定层PDL、通过开口被暴露的在像素电极301上的发射层302、以及发射层302上的对电极303。当通过空穴和电子的组合而形成的激子从激发态衰变到基态时,可以产生各颜色的光。
第一区域RA1具有透光率以便电子部件700(参考图8和图10)接收光。与像素PX不同,发射层302可以不在第一区域RA1中。像素限定层PDL可以不在第一区域RA1中。例如,像素限定层PDL可以包括与第一区域RA1对应的孔PDL-h。
在第一区域RA1中,可以设置像素电极301d和对电极303中的任意一个(参考图11A和图11B),或者可以不设置像素电极301d和对电极303这两者(参考图11C)。在图11A中,像素电极301d可以与虚设像素电极对应。
图12和图13是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图。
如上所述,像素PX被布置为完全地围绕第一区域RA1(图1至图6)。然而,本发明不限于此。参考图12和图13,像素PX可以部分地围绕第一区域RA1,并且第一区域RA1可以设置在显示区域DA与非显示区域NDA之间。
参考图12,像素PX可以设置在第一区域RA1的左侧(或右侧)并且可以部分地围绕第一区域RA1。
挨着第一区域RA1并且被布置为在方向y上彼此相邻的一些像素PX(例如,一列像素PX)可以通过数据线11来接收数据信号并且通过驱动电压线21来接收驱动电压。然而,其他像素PX(例如,以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的第一像素PX1和第二像素PX2)可以分别连接到第一数据线12A和第二数据线12B以及第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B。第一数据线12A和第二数据线12B以其间的第一区域RA1而彼此断开并且通过与第一区域RA1重叠的第一连接布线CNL1被彼此连接。第一驱动电压线22A和第二驱动电压线22B以其间的第一区域RA1而彼此断开并且通过第二连接布线CNL2被彼此连接,如以上参考图3至图5所述。
参考图13,像素PX可以设置在第一区域RA1下侧(或上侧)并且可以部分地围绕第一区域RA1。
一些像素PX(例如,挨着第一区域RA1并且被布置为在x方向上彼此相邻的一列像素PX)可以通过扫描线31来接收扫描信号。然而,其他像素PX(例如,以其间的第一区域RA1而彼此间隔开的第一像素PX1和第二像素PX2)可以连接到第一扫描线32A和第二扫描线32B。第一扫描线32A和第二扫描线32B以其间的第一区域RA1而彼此断开并且通过与第一区域RA1重叠的第三连接布线CNL3被彼此连接,如以上参考图3至图5所述。
如上所述,根据上述一个或多个实施例,可安装有相机等的第一区域RA1可以位于显示区域DA中。此外,由于由第一区域RA1断开的线(例如,数据线等)通过连接布线被电连接,并且连接布线与第一区域RA1重叠,因此线不需要弯曲以绕开第一区域RA1。
应当理解,本文所描述的实施例应仅被认为是描述性的而并非为了限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。
虽然参考附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将会理解,在不脱离由所附权利要求所限定的精神和范围的情况下,可以进行形式和细节上的各种修改。
Claims (18)
1.一种显示设备,包括:
基板;
在所述基板上的多个像素,所述多个像素在第一区域的周围并且至少部分地围绕所述第一区域;
透光布线,在所述基板上,并且与所述第一区域重叠;以及
封装构件,覆盖所述多个像素,其中
所述多个像素包括彼此间隔开的第一像素和第二像素,在所述第一像素和所述第二像素之间具有所述第一区域,
所述第一像素包括第一薄膜晶体管和连接到所述第一薄膜晶体管的第一线,并且所述第二像素包括第二薄膜晶体管和连接到所述第二薄膜晶体管的第二线,并且
所述透光布线将所述第一线与所述第二线电连接。
2.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
至少一个绝缘层,被插入在所述第一线与所述透光布线之间,
其中所述第一线和所述透光布线经由贯穿所述至少一个绝缘层的接触孔被彼此连接。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中
所述透光布线的厚度小于所述第一线和所述第二线中的至少一个的厚度。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中
所述透光布线的宽度大于所述第一线和所述第二线中的至少一个的宽度。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中
所述第一线和所述第二线是扫描线、数据线或驱动电压线。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中
所述封装构件包括玻璃基板。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中
所述封装构件包括至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层。
8.一种显示设备,包括:
基板;
电路层,在所述基板上,并且包括多个薄膜晶体管和被电连接到所述多个薄膜晶体管的多个线;
阵列,包括多个显示元件,并且在所述电路层上;以及
封装构件,覆盖所述阵列,
其中所述阵列包括第一区域,并且所述多个显示元件与所述第一区域相邻以便至少部分地围绕所述第一区域,并且
所述电路层包括与所述第一区域重叠的布线,
其中,所述电路层包括第一晶体管和第二晶体管,
所述多个显示元件包括电连接到所述第一晶体管的第一显示元件和电连接到所述第二晶体管并且与所述第一显示元件间隔开的第二显示元件,在所述第一显示元件和所述第二显示元件之间具有所述第一区域,并且
所述布线将电连接到所述第一晶体管的第一线与电连接到所述第二晶体管的第二线电连接。
9.根据权利要求8所述的显示设备,其中
所述布线是透光的。
10.根据权利要求8所述的显示设备,其中
所述布线的厚度小于所述第一线和所述第二线中的至少一个的厚度。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中
所述布线的宽度大于所述第一线和所述第二线中的至少一个的宽度。
12.根据权利要求8所述的显示设备,其中,所述多个显示元件中的每个包括:
像素电极,在所述电路层上;
像素限定层,具有暴露所述像素电极的开口;
发射层,在所述像素电极上;以及
对电极,在所述发射层上。
13.根据权利要求12所述的显示设备,其中
所述像素限定层具有与所述第一区域对应的孔。
14.根据权利要求12所述的显示设备,其中
所述对电极被形成为一体以便与所述多个显示元件对应。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中
所述对电极具有与所述第一区域对应的孔。
16.根据权利要求8所述的显示设备,其中
所述封装构件包括玻璃基板。
17.根据权利要求8所述的显示设备,其中
所述封装构件包括至少一个无机绝缘层和至少一个有机绝缘层。
18.根据权利要求8所述的显示设备,进一步包括:
防反射层,在所述封装构件上,并且包括与所述第一区域对应的孔。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170117750A KR102373443B1 (ko) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 디스플레이 장치 |
KR10-2017-0117750 | 2017-09-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109509770A CN109509770A (zh) | 2019-03-22 |
CN109509770B true CN109509770B (zh) | 2023-11-28 |
Family
ID=65631933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810796371.3A Active CN109509770B (zh) | 2017-09-14 | 2018-07-19 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10868089B2 (zh) |
KR (1) | KR102373443B1 (zh) |
CN (1) | CN109509770B (zh) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113555375A (zh) | 2018-02-22 | 2021-10-26 | 群创光电股份有限公司 | 显示设备 |
WO2019187029A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR20200137079A (ko) * | 2019-05-28 | 2020-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지문 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 |
CN110783386B (zh) * | 2019-10-29 | 2020-12-25 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN210515985U (zh) * | 2019-11-21 | 2020-05-12 | 昆山国显光电有限公司 | 显示基板、显示面板及显示装置 |
KR20210077862A (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210079792A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 카메라 투과부를 포함하는 표시 장치 |
KR20210079816A (ko) * | 2019-12-20 | 2021-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 카메라 투과부를 포함하는 표시 장치 |
KR20210082316A (ko) | 2019-12-24 | 2021-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치 |
KR20210086351A (ko) | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
WO2021152682A1 (ja) * | 2020-01-28 | 2021-08-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR20210105451A (ko) | 2020-02-18 | 2021-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20210145896A (ko) | 2020-05-25 | 2021-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 디스플레이 장치, 롤러블 디스플레이 장치, 및 디스플레이 장치 |
KR20220039974A (ko) | 2020-09-22 | 2022-03-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20230057081A (ko) | 2021-10-21 | 2023-04-28 | 울산과학기술원 | 휘어진 헥사벤조코로넨 유도체를 포함하는 이차전지용 음극활물질을 포함하는 이차전지 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1707340A (zh) * | 2004-06-05 | 2005-12-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示器件及其制造方法 |
CN106997894A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4269748B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-05-27 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP2006059582A (ja) | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Lightronik Technology Inc | 有機発光装置およびこれを用いた時計 |
KR100637201B1 (ko) * | 2004-12-20 | 2006-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
CN1822385B (zh) * | 2005-01-31 | 2013-02-06 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及含有其的电子设备 |
KR101423670B1 (ko) * | 2008-01-15 | 2014-07-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 배선 제조 방법 및 금속 배선을 구비하는 표시 패널의제조 방법 |
KR20100054002A (ko) * | 2008-11-13 | 2010-05-24 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US8686422B2 (en) * | 2009-07-16 | 2014-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and active matrix display device |
EP2690614B1 (en) | 2011-04-22 | 2017-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
KR101811027B1 (ko) * | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
US8947627B2 (en) | 2011-10-14 | 2015-02-03 | Apple Inc. | Electronic devices having displays with openings |
EP2731138B1 (fr) | 2012-11-09 | 2020-06-17 | EM Microelectronic-Marin SA | Procédé de fabrication d'un affichage OLED, affichage OLED résultant et pièce d'horlogerie comprenant un tel affichage |
US9362345B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
KR102215092B1 (ko) | 2014-06-05 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102239861B1 (ko) * | 2014-11-26 | 2021-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US9780157B2 (en) * | 2014-12-23 | 2017-10-03 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display device with gate-in-panel circuit |
KR102411543B1 (ko) | 2015-06-29 | 2022-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102376966B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
JP6634302B2 (ja) * | 2016-02-02 | 2020-01-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6603154B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2019-11-06 | 株式会社Joled | 表示装置および電子機器 |
US10741800B2 (en) * | 2017-03-16 | 2020-08-11 | Sakai Display Products Corporation | Method for manufacturing organic el device, including a thin film encapsulation structure film-forming method, and film-forming apparatus for the same |
US10477691B2 (en) * | 2017-12-13 | 2019-11-12 | E Ink Holdings Inc. | Flexible display device and manufacturing method thereof |
US10743413B2 (en) * | 2018-02-07 | 2020-08-11 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Flexible substrate and method for manufacturing same |
-
2017
- 2017-09-14 KR KR1020170117750A patent/KR102373443B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-07-19 CN CN201810796371.3A patent/CN109509770B/zh active Active
- 2018-09-13 US US16/130,590 patent/US10868089B2/en active Active
-
2020
- 2020-11-24 US US17/102,713 patent/US11171189B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1707340A (zh) * | 2004-06-05 | 2005-12-14 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示器件及其制造方法 |
CN106997894A (zh) * | 2016-01-26 | 2017-08-01 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
KR20170089460A (ko) * | 2016-01-26 | 2017-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102373443B1 (ko) | 2022-03-14 |
CN109509770A (zh) | 2019-03-22 |
US20190081118A1 (en) | 2019-03-14 |
US10868089B2 (en) | 2020-12-15 |
KR20190030798A (ko) | 2019-03-25 |
US20210083026A1 (en) | 2021-03-18 |
US11171189B2 (en) | 2021-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109509770B (zh) | 显示设备 | |
KR20200039903A (ko) | 표시 장치 | |
KR20200021029A (ko) | 표시 패널 | |
US11903278B2 (en) | Display panel including an initialization voltage line and an auxiliary voltage line and display device including the same | |
US20220209187A1 (en) | Display panel | |
KR20220068308A (ko) | 표시 장치 | |
CN112466909A (zh) | 显示装置以及制造该显示装置的方法 | |
US12041831B2 (en) | Display apparatus | |
CN114203769A (zh) | 显示设备及制造该显示设备的方法 | |
US20230389397A1 (en) | Display apparatus and electronic apparatus including the same | |
CN219146072U (zh) | 显示设备 | |
US20240324432A1 (en) | Display apparatus | |
US20230398625A1 (en) | Apparatus for manufacturing display apparatus and method of manufacturing the display apparatus | |
US20240099077A1 (en) | Display apparatus | |
US20230058377A1 (en) | Display apparatus | |
US20240324347A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
US20240094246A1 (en) | Inspection device for display apparatus and inspection method for display apparatus | |
US20240102145A1 (en) | Method and apparatus for manufacturing display device | |
EP4436333A1 (en) | Display apparatus | |
US20240188342A1 (en) | Display panel and electronic apparatus including the same | |
KR102718397B1 (ko) | 표시 패널 | |
KR20240003402A (ko) | 표시장치 | |
CN116193930A (zh) | 显示装置以及制造该显示装置的方法 | |
KR20240119937A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 | |
KR20240144588A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |