CN116162893A - 一种掩模板及蒸镀装置 - Google Patents

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CN116162893A CN202310180206.6A CN202310180206A CN116162893A CN 116162893 A CN116162893 A CN 116162893A CN 202310180206 A CN202310180206 A CN 202310180206A CN 116162893 A CN116162893 A CN 116162893A
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Abstract

本公开的一些实施例公开了一种掩模板及蒸镀装置，涉及显示技术领域，该掩模板自带隔垫物，且蒸镀开口更小更密，以满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。一种掩模板，包括掩模板本体、固定层和多个隔垫物，掩模板本体包括多个第一蒸镀开口；固定层设置于掩模板本体一侧；固定层包括多个第二蒸镀开口；多个第二蒸镀开口与多个第一蒸镀开口正对；隔垫物的至少一部分位于固定层的远离掩模板本体的一侧，且与固定层连接。本公开的一些实施例提供的一种掩模板及蒸镀装置用于蒸镀形成基板的显示区的结构。

Description

一种掩模板及蒸镀装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩模板及蒸镀装置。
背景技术
超高分辨率硅基显示产品的蒸镀工艺中，通过控制掩模板(MASK sheet)和基板之间的间距，一方面，能够有效控制蒸镀阴影区(shadow)的产生，另一方面，可以避免待蒸镀基板与掩模板贴合摩擦，损坏掩模板或待蒸镀基板。同时要求掩模板具有更小更密的蒸镀开口。
然而，高精度金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)由于使用了因瓦材料，刻蚀难度大，导致无法满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求，硅基制作的掩模板由于其脆性问题，极易发生破碎。此外，掩模板和基板的间距控制是通过在基板上设置隔垫物(PhotoSpacer，PS)实现的，将隔垫物设置于基板，增加了基板的制作工序。
发明内容
本公开的一些实施例提供一种掩模板及蒸镀装置，该掩模板自带隔垫物，且蒸镀开口更小更密，以满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。
为达到上述目的，本公开的一些实施例提供了如下技术方案：
第一方面，提供了一种掩模板。该掩模板，包括掩模板本体、固定层和多个隔垫物。掩模板本体包括多个第一蒸镀开口；固定层设置于掩模板本体一侧；固定层包括多个第二蒸镀开口；多个第二蒸镀开口与多个第一蒸镀开口正对；隔垫物的至少一部分位于固定层的远离掩模板本体的一侧，且与固定层连接。
本公开的一些实施例提供的一种掩模板呈叠层状结构，掩模板中设置有多个隔垫物，能够使得掩模板本体与基板的间距控制在合理的范围内，有效控制蒸镀阴影区的产生，同时还能避免待蒸镀基板与掩模板贴合摩擦，损坏掩模板或待蒸镀基板，通过在掩模板本体的一侧设置固定层，实现了隔垫物与掩模板的连接，省去了基板侧加工隔垫物的工序，降低了基板的制作难度。
可选的，掩模板本体的材料包括聚酰亚胺、聚氨酯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、有机玻璃中的至少一种。
进一步的，固定层还包括多个凹槽。至少一个凹槽的远离掩模板本体的一端在第一方向上的尺寸，小于或等于凹槽的靠近掩模板本体的一端在第一方向上的尺寸；第一方向平行于固定层所在平面。隔垫物包括隔垫部和嵌固部。隔垫部，位于固定层的远离掩模板本体一侧；嵌固部，嵌入一个凹槽内。
可选的，固定层的材料为树脂、有机玻璃中的至少一种；固定层的材料为树脂、有机玻璃中的至少一种。
进一步的，掩模板还包括阻挡层。该阻挡层，覆盖于固定层远离掩模板本体的表面，并覆盖于由第一蒸镀开口和第二蒸镀开口形成的开口的侧壁；阻挡层覆盖于固定层表面上的部分包括多个孔，多个孔与多个凹槽对应设置；其中，隔垫部位于阻挡层的远离掩模板本体一侧；嵌固部嵌入相对应的凹槽和孔内。
可选的，孔在第一方向上的尺寸小于或等于，与其对应设置的凹槽的远离掩模板本体的一端在第一方向上的尺寸。
可选的，阻挡层的材料包括无机材料、金属材料中的至少一种。无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、陶瓷中的至少一种。
进一步的，掩模板还包括磁性材料层。磁性材料层，位于掩模板本体和固定层之间；磁性材料层包括多个第三蒸镀开口，多个第三蒸镀开口与多个第一蒸镀开口正对。阻挡层，还覆盖于第三蒸镀开口的侧壁。
可选的，掩模板本体的厚度为5μm～30μm；固定层的厚度为0.1μm
～4μm；隔垫部的远离掩模板本体的表面，与隔垫部的靠近掩模板本体的表面之间的距离为0.1μm～3μm；磁性材料层的厚度为0.05μm～1μm；阻挡层的厚度为0.1μm～1μm。
第二方面，提供了一种蒸镀装置。蒸镀装置包括上述技术方案所提供的一种掩模板。
本公开的一些实施例提供的蒸镀装置所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的一种掩模板所能达到的有益效果相同，在此不再赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，构成本公开实施例的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为本公开的一些实施例提供的一种显示装置的结构图；
图2为图1所示结构的A-A’剖视图；
图3为本公开的一些实施例提供的一种掩模板的结构图；
图4为图3所示结构的一种B-B’剖视图；
图5为图3所示结构的又一种B-B’剖视图；
图6为图3所示结构的又一种B-B’剖视图；
图7为图3所示结构的再一种B-B’剖视图；
图8为本公开的又一些实施例提供的一种掩模板的结构图；
图9为图8所示结构的一种C-C’剖视图；
图10为图8所示结构的又一种C-C’剖视图；
图11为本公开的一些实施例提供的一种蒸镀装置的结构图；
图12为本公开的一些实施例提供的一种掩模板用于蒸镀时的截面图；
图13为本公开的再一些实施例提供的一种掩模板的结构图；
图14为图13所示结构的一种D-D’剖视图；
图15为图13所示结构用于蒸镀时的截面图；
图16为图13所示结构的又一种D-D’剖视图；
图17为本公开的一些实施例提供的一种掩模板的制作方法的流程图；
图18为图17中一些步骤对应的结构图；
图19为图18所示结构的E-E’剖视图；
图20为图17中又一些步骤对应的结构图；
图21为图20所示结构的F-F’剖视图；
图22为图17中又一些步骤对应的结构图；
图23为图22所示结构的G-G’剖视图；
图24为图17中再一些步骤对应的结构图；
图25为图24所示结构的H-H’剖视图；
图26为本公开的又一些实施例提供的一种掩模板的制作方法的流程图；
图27为图26中一些步骤对应的结构图；
图28为图27所示结构的I-I’剖视图；
图29为图26中又一些步骤对应的结构图；
图30为图29所示结构的J-J’剖视图；
图31为图26中又一些步骤对应的结构图；
图32为图31所示结构的K-K’剖视图；
图33为图26中又一些步骤对应的结构图；
图34为图33所示结构的L-L’剖视图；
图35为图26中又一些步骤对应的结构图；
图36为图35所示结构的M-M’剖视图；
图37为图26中又一些步骤对应的结构图；
图38为图37所示结构的N-N’剖视图；
图39为图26中又一些步骤对应的结构图；
图40为图39所示结构的O-O’剖视图；
图41为图26中又一些步骤对应的结构图；
图42为图41所示结构的T-T’剖视图；
图43为图26中又一些步骤对应的结构图；
图44为图43所示结构的U-U’剖视图；
图45为图26中又一些步骤对应的结构图；
图46为图45所示结构的V-V’剖视图；
图47为图26中又一些步骤对应的结构图；
图48为图47所示结构的Z-Z’剖视图；
图49为图26中再一些步骤对应的结构图；
图50为图49所示结构的W-W’剖视图；
图51为本公开的一些实施例提供的一种掩模板蒸镀前的结构图；
图52为图51所示结构的P’-Q’剖视图；
图53为本公开的又一些实施例提供的一种掩模板蒸镀前的结构图；
图54为图53所示结构的X-X’剖视图；
图55为本公开的再一些实施例提供的一种掩模板蒸镀前的结构图；
图56为图55所示结构的Y-Y’剖视图；
图57为本公开的又一些实施例提供的一种掩模板的制作方法的流程图；
图58为本公开的再一些实施例提供的一种掩模板的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
本文中“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的5％。
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层的厚度和区域的面积。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
目前，有机发光二级管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示装置应用广泛，尤其是被广泛应用于基于增强现实技术(Augmented Reality)与虚拟现实技术(Virtual reality)的显示产品中。
OLED显示装置是采用OLED作为发光器件的显示器。由于其自发光原理，OLED显示装置不需要背光，省去了背光所需要的灯条、导光板、增光板、扩散片、偏光片等光学膜层，因此比需要背光的液晶显示器更薄、更高效。除去轻薄、高效外，OLED显示装置还可以被制成柔性和透明的。
请参阅图1和图2，OLED显示装置200的结构包括基底、TFT阵列、发光器件21(EL)和封装层。OLED显示装置200的全彩化方法为如下三种：(1)RGB像素并置法；(2)彩色滤光片法；(3)色转化法。其中，基于RGB像素并置法的OLED显示装置200，相对比于基于色转化法的OLED显示装置具有更高的分辨率，相对比于基于彩色滤光片法的OLED显示装置具有功耗低、效率高、色域广的优点。
请参阅图1～图2，OLED显示装置200的上述结构中，发光器件21是子像素实现发光的主体结构。显示装置200包括设置于基板22上的多个发光器件21和像素界定层23，其中，基板包括基底和TFT阵列，像素界定层23包括多个像素开口231，每个发光器件对应设置于一个像素开口231内，发光器件21包括阳极211、发光层212、阴极213、以及其他的功能膜层(例如电子传输层、空穴传输层等，图中未示出)。其中，基于RGB像素并置法的OLED显示装置200包括红光发光器件、蓝光发光器件和绿光发光器件，相对应地，上述发出不同颜色的发光器件所包括的发光层212分别为包括红光发光层2121、绿光发光层2122、蓝光发光层2123。OLED显示装置200的制备中蒸镀工艺用于制备发光器件21的发光层212。具体地，使用蒸镀工艺，将有机发光材料通过掩模板100的开口形成在基板22上，每个开口对应一个发光层，例如掩模板100包括三种形状的开口，同一种形状的开口对应同一个颜色的发光层。其中，在一些实施例中，掩模板100采用具有极低变形系数的材料制作，例如高精度金属掩模板，是定义像素精密度的关键。制作完成后的掩模板由张网机将其精确地定位在金属框架(即掩模板框架300)上并送至蒸镀段。
基于RGB像素并置法的OLED显示装置200，在蒸镀形成发光层212的结构时，要求RGB精准定位的同时，还要求掩模板100具有更小更密的蒸镀开口。高精度金属掩模板由于使用了因瓦材料，刻蚀难度大，导致无法满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。因此，目前基于增强现实技术(Augmented Reality)与虚拟现实技术(Virtual reality)的显示器，仍以基于彩色滤光片法的OLED显示装置为主。
请参阅图3～图6，本公开的一些实施例提供的一种掩模板100包括掩模板本体11、固定层12以及多个隔垫物13。该掩模板本体11包括多个第一蒸镀开口111；该固定层12设置于掩模板本体11一侧；固定层12包括多个第二蒸镀开口121；多个第二蒸镀开口121与多个第一蒸镀开口111正对；该隔垫物13的至少一部分位于固定层12的远离掩模板本体11的一侧，且与固定层12连接。
请参阅图4～图6，上述掩模板本体11包括多个第一蒸镀开口111。需要说明的是，该掩模板本体11用于形成子像素中的发光层212。因此，需要在掩模板本体11上开设多个第一蒸镀开口111，使得蒸镀时第一蒸镀开口111的位置与需要形成的子像素中的发光层212所在的位置一一对应地匹配，且第一蒸镀开口111的形状与需要形成的子像素中发光层212的形状一一对应地匹配。事实上，本领域技术人员应该理解，本公开的一些实施例中的多个第一蒸镀开口111的形状可以相同，也可以不同，本公开的一些实施例对多个第一蒸镀开口111的形状不做进一步限定。
示例性地，第一蒸镀开口111的形状可以为圆形、矩形或菱形。
请参阅图4～图6，上述固定层12设置于掩模板本体11一侧。具体地，将固定层12设于掩模板本体11靠近待蒸镀的基板22的一侧，并固定贴合于掩模板本体11的靠近待蒸镀的基板22的表面，实现了固定层12与掩模板本体11的连接。
请参阅图3～图6，上述固定层12包括多个第二蒸镀开口121。可以理解的是，当多个第二蒸镀开口121与多个第一蒸镀开口111正对时，第二蒸镀开口121的位置与第一蒸镀开口111的位置一一对应地匹配，第二蒸镀开口121的形状与第一蒸镀开口111的形状一一对应地匹配，这样一来，蒸镀基板22时，蒸镀材料能够依次穿过第一蒸镀开口111、第二蒸镀开口121，蒸镀到基板22上，形成子像素的发光层212。
在进行蒸镀时，需要通过隔垫物控制掩模板和待蒸镀基板之间的间距，一方面，有效控制蒸镀阴影区(shadow)的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。在一些实现方式中，隔垫物是设置在基板上的。但是，在基板上设置隔垫物，一方面，需要单独的工序去加工隔垫物，增加了基板的制作工序，使基板的制作工艺更加繁琐；另一方面，在大批量蒸镀进程中，需要在每个待蒸镀的基板上都设置隔垫物，一定程度上增加了显示装置的材料成本。
请参阅图4～图6，上述隔垫物13的至少一部分位于固定层12的远离掩模板本体11的一侧。也即是，每个隔垫物13的至少一部分是凸出设置于固定层12的远离掩模板本体11的表面，以实现隔垫的功能，使固定层12与基板22呈间隔设置。该多个隔垫物13中的每个隔垫物13均与固定层12连接，同时固定层12固定贴合于掩模板本体11的靠近待蒸镀的基板22的表面，这样一来，固定层12发挥了连接隔垫物13与掩模板本体11的作用，使蒸镀时隔垫物13与掩模板本体11的相对位置不会发生变化，进一步保证了隔垫物13的隔垫功能的可靠发挥。本领域技术人员可以理解的是，多个隔垫物13的远离固定层12的表面位于同一平面，且该平面平行于掩模板本体11所在的平面，在蒸镀发光材料时，该多个隔垫物13能够支撑掩模板本体11，将掩模板本体11与基板22的间距控制在合理的范围内，一方面，有效控制蒸镀阴影区的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。
本公开的一些实施例提供的一种掩模板100中，掩模板本体11的材料为比金属材料更容易刻蚀、且比硅材料韧性高的材料。
在一些实现方式中，蒸镀时使用了高精度金属掩模板，该高精度金属掩模板由于使用了因瓦材料，刻蚀难度大，无法刻蚀出更小、更密的蒸镀开口，导致高精度金属掩模板无法满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。
上述掩模板本体11的材料为比金属材料更容易刻蚀的材料。可以理解的是，本公开的一些实施例提供的一种掩模板100中，掩模板本体11是发挥在设定位置形成设定图案的作用的主体结构，其成型难易程度是影响掩模板100成型难易程度的重要因素。本公开实施例通过选用比金属材料更容易刻蚀的材料制作掩模板本体11，可以使掩模板100更易刻蚀，具体地，使多个第一蒸镀开口111中的每一个第一蒸镀开口111的尺寸更小，也可以使多个第一蒸镀开口111更密，进一步地，使掩模板100能够满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。
在另一些实现方式中，蒸镀时使用了硅材料制作的掩模板(即硅基掩模板)。但是，由于硅材料具有一定的脆性，导致硅基掩模板在使用、运输过程中极易发生破碎。
上述掩模板本体11的材料为比硅材料韧性高的材料。可以理解的是，本公开的一些实施例提供的一种掩模板100中，掩模板本体11是发挥在设定位置形成设定图案的作用的主体结构，其材料的韧性是影响掩模板100的使用性能的重要因素。本公开实施例通过选用比硅材料韧性高的材料，使得掩模板本体11具有良好的韧性，不易破碎，进一步地，可以避免掩模板100在使用、运输过程中发生破碎。
在一些实施例中，掩模板本体11的材料包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚氨酯(Polyurethane，PU)、聚丙烯(Polypropylene，PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethyleneglycol terephthalate，PET)、有机玻璃(Polymeric Methyl Methacrylate，PMMA，亚克力)中的至少一种。上述材料满足比金属材料更容易刻蚀、且比硅材料韧性高的要求。
上述掩模板本体11的材料均为高分子材料，本领域技术人员可以理解的是，上述高分子材料相对比于金属材料，具有易于刻蚀的优点，可以使多个第一蒸镀开口111中的每一个第一蒸镀开口111的尺寸更小，也可以使多个第一蒸镀开口111更密，进而使掩模板100能够满足超高分辨率硅基显示产品的蒸镀要求。与此同时，上述高分子材料的韧性高于硅材料，使得掩模板本体11具有良好的韧性，进而避免掩模板100在使用、运输过程中发生破碎。除此之外，上述高分子材料具有热膨胀系数低、热变形温度高、强度高、刚性高的优点，因此可以满足掩模板本体11不易变形的要求。
上述固定层12与隔垫物13之间，可以根据实际需求采用多种不同的连接方式。
示例性的，请参阅图4，固定层12与多个隔垫物13的连接方式为将固定层12与隔垫物13的相对表面直接粘接，或，请参阅图5，在固定层12与隔垫物13之间设置用于连接的胶粘材料层14，即通过胶粘材料层14将固定层12与隔垫物13的相对表面间接粘接。
在一些实施例中，请参阅图6～图7，固定层12还包括多个凹槽122；至少一个凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1，小于或等于凹槽122的靠近掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L2；第一方向平行于固定层12所在平面。隔垫物13包括隔垫部131和嵌固部132。该隔垫部131，位于固定层12的远离掩模板本体11一侧；该嵌固部132，嵌入一个凹槽122内。
请参阅图6～图7，上述固定层12还包括多个凹槽122。可以理解的是，上述隔垫物13的嵌固部132可以嵌于该凹槽122内，增加了隔垫物13与固定层12的结合力。
请参阅图7，上述至少一个凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1，小于或等于凹槽122的靠近掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L2；第一方向平行于固定层12所在平面。可以理解的是，当至少一个凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1，小于凹槽122的靠近掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L2时，至少一个凹槽122具有上小下大的形貌，上述第二方向为垂直于固定层12所在平面的方向，相对应地，位于凹槽122内的嵌固部132的远离掩模板本体11的一端的尺寸小于其靠近掩模板本体11的一端的尺寸，可以防止嵌固部132脱出，进而限制了嵌固部132沿第二方向的移动，这样一来，嵌固部132与固定层12的连接可靠性、以及结合力得到了有效提升，避免在蒸镀过程中，掩模板100与待蒸镀基板22相互错动时，多个隔垫物13发生剥离。
请参阅图6～图7，上述隔垫物13包括隔垫部131和嵌固部132。该隔垫部131，位于固定层12的远离掩模板本体11一侧。也即是，隔垫部131为隔垫物13中发挥隔垫功能的部分，通过隔垫部131的设置，可以使固定层12与基板22间隔设置。本领域技术人员可以理解的是，多个隔垫部131的远离固定层12的表面位于同一平面，且该平面平行于掩模板本体11所在的平面，这样一来，在蒸镀发光材料时，该多个隔垫物13的隔垫部131能够支撑掩模板100，将固定层12与基板22的间距控制在合理的范围内，一方面，有效控制蒸镀阴影区的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。
在一些实施例中，固定层12的材料为树脂、有机玻璃中的至少一种。
上述固定层12的材料都具有易于刻蚀的优点。一方面，上述材料均为胶粘性材料，可以通过旋涂或刮涂的方式涂布于掩模板本体11的表面。另一方面，上述材料都可以用于刻蚀工艺，也即是，使用上述材料制成的固定层12，可以通过刻蚀工艺形成凹槽122，提高了掩模板100的工艺可行性。
在一些实施例中，隔垫物13的材料为树脂、有机玻璃中的至少一种。
上述隔垫物13的材料都具有易于刻蚀、质地偏软的优点。其一，上述隔垫物13的材料均为胶粘性材料，通过旋涂或刮涂的方式涂布于固定层12的表面。其二，上述隔垫物13的材料都可以用于刻蚀工艺，也即是，制作时，首先在固定层12上涂布上述隔垫物13的材料形成隔垫层，涂布隔垫层的同时上述隔垫物13的材料会同时渗入凹槽122和由第二蒸镀开口121与第一蒸镀开口111形成的开口中，然后通过刻蚀工艺除去隔垫层中进入开口的部分和覆盖于固定层12表面上多余的部分，由此形成间隔设置的多个隔垫物13，提高了掩模板100的工艺可行性。其三，上述隔垫物13的材料质地偏软，硬度适中，在保证隔垫效果的基础上，相对比于基板22上的无机层、金属层，质地较软，可以避免掩模板100与待蒸镀基板22相互错动时划伤基板22。
一些实施例中，隔垫物13的材料为负性光刻胶。相对应地，隔垫物13的成型方法，包括：成膜形成隔垫层、曝光隔垫层中隔垫物13对应的区域、刻蚀去除隔垫层中未感光的区域，其中，隔垫层中未感光的区域，即除隔垫物13外的区域，也即是，隔垫层中进入开口的部分和覆盖于固定层12表面上多余的部分。可以理解的是，由于隔垫物13的材料为负性光刻胶，曝光隔垫层中隔垫物13对应的区域时，并不会曝光已图案化的固定层12、掩模板本体11，进而不会对已图案化的固定层12、掩模板本体11造成影响。
在一些实施例中，请参阅图8～图10，掩模板100还包括阻挡层15；阻挡层15，覆盖于固定层12远离掩模板本体11的表面，并覆盖于由第一蒸镀开口111和第二蒸镀开口121形成的开口的侧壁；阻挡层15覆盖于固定层12表面上的部分包括多个孔151，多个孔151与多个凹槽122对应设置；其中，隔垫部131位于阻挡层15的远离掩模板本体11一侧；嵌固部132嵌入相对应的凹槽122和孔151内。
请参阅图8～图9，上述阻挡层15，覆盖于固定层12远离掩模板本体11的表面，并覆盖于由第一蒸镀开口111和第二蒸镀开口121形成的开口的侧壁。这样一来，该阻挡层15可以在固定层12、掩模板本体11的表面形成阻挡作用，防止刻蚀隔垫层时对已图案化的固定层12、掩模板本体11造成影响。
请参阅图9，上述阻挡层15覆盖于固定层12表面上的部分包括多个孔151，多个孔151与多个凹槽122对应设置。可以理解的是，阻挡层15覆盖于固定层12的表面，并在阻挡层15上开设多个孔151，且每个孔151与一个凹槽122正对，这样一来，阻挡层15就不会影响隔垫物13与固定层12的嵌入连接，进而保证了嵌固部132与凹槽122的可靠连接。
请参阅图9～图10，上述隔垫部131位于阻挡层15的远离掩模板本体11一侧；也即是，通过隔垫部131的设置，可以使阻挡层15与基板22间隔设置。本领域技术人员可以理解的是，多个隔垫部131的远离固定层12的表面位于同一平面，且该平面平行于掩模板本体11所在的平面，这样一来，在蒸镀发光材料时，该多个隔垫物13的隔垫部131能够支撑掩模板100，将阻挡层15与基板22的间距控制在合理的范围内，一方面，有效控制蒸镀阴影区(shadow)的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。可以理解的是，上述嵌固部132嵌入相对应的凹槽122和孔151内，增加了隔垫物13与固定层12的结合力。
在一些实施例中，阻挡层15的材料包括无机材料、金属材料中的至少一种；无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、陶瓷中的至少一种。
在一些实施例中，孔151在第一方向上的尺寸L3小于或等于，与其对应设置的凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1。
请参阅图10，上述孔151在第一方向上的尺寸L3小于，与其对应设置的凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1。可以理解的是，由于阻挡层15与固定层12选用的材料不同，利用阻挡层15与固定层12的刻蚀比，可以使孔151在第一方向上的尺寸L3小于与其对应设置的凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1，这样一来，可以防止嵌固部132脱出，进而限制了嵌固部132沿第二方向的移动，嵌固部132与固定层12的连接可靠性、以及结合力得到了有效提升，避免在蒸镀过程中，掩模板100与待蒸镀基板22相互错动时，多个隔垫物13发生剥离。
上述阻挡层15的材料与固定层12、掩模板本体11、隔垫物13所选用的高分子材料不同，因而能够在同为高分子材料的固定层12与隔垫层之间、同为高分子材料的掩模板本体11与渗入第一蒸镀开口111的隔垫层之间形成阻挡作用，防止隔垫层的刻蚀工艺对已图案化的固定层12、掩模板本体11造成影响。与此同时，上述阻挡层15的材料的刻蚀速率与高分子材料的刻蚀速率不同，可以形成阻挡层15与固定层12的刻蚀比差异，使孔151在第一方向上的尺寸L3小于凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1，这样一来，可以防止嵌固部132脱出，进而限制了嵌固部132沿第二方向的移动，嵌固部132与固定层12的连接可靠性、以及结合力得到了有效提升，避免在蒸镀过程中，掩模板100与待蒸镀基板22相互错动时，多个隔垫物13发生剥离。
在一些实施例中，阻挡层15与固定层12的刻蚀比大于或等于100。
当阻挡层15与固定层12的刻蚀比大于或等于100时，可以使孔151的尺寸L3显著小于凹槽122的远离掩模板本体11的一端在第一方向上的尺寸L1，在孔151与凹槽122的衔接处形成台阶状缩口，呈类工字形，进一步限制了嵌固部132沿第二方向的移动，防止嵌固部132脱出，进而限制了嵌固部132沿第二方向的移动，嵌固部132与固定层12的连接可靠性、以及结合力得到了进一步提升，避免在蒸镀过程中，掩模板100与待蒸镀基板22相互错动时，多个隔垫物13发生剥离。
蒸镀形成子像素的发光层212时，上述掩模板100与基板22可以根据实际需求采用多种不同方式实现连接、贴合。
示例性的，请参阅图11，本公开的一些实施例提供的一种掩模板100与基板22可以通过位置调整的方式实现连接、贴合。通过该方式时，本公开的一些实施例提供的一种掩模板100通过掩模板框架300连接于蒸镀装置400。
此处，首先介绍一下蒸镀装置400的大体结构，请参阅图11，包括真空腔室41、蒸镀源42、掩模板框架300、基板载具43、冷却板44。其中，蒸镀源42位于真空腔室41的底部，且蒸镀源42的喷嘴的开口朝向上方。待蒸镀的基板22通过基板载具43连接于冷却板44，冷却板44可在真空腔室41内升降移动。蒸镀时掩模板100通过掩模板框架300固定于真空腔室41的内部，且固定位置是位于待蒸镀的基板22与蒸镀源42之间。
蒸镀前，冷却板44移动带动待蒸镀的基板22向靠近该掩模板100的方向移动，直至待蒸镀的基板22的最大下垂处与该掩模板100接触，接着继续向靠近该掩模板100的方向小距离移动待蒸镀的基板22，直至待蒸镀的基板22的蒸镀面与各个隔垫物13均贴合。这样一来，掩模板100与待蒸镀的基板22平行放置，以发挥掩模板100的作用，同时两者的间距控制在适宜的范围内，一方面，有效控制蒸镀阴影区的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。
示例性的，请参阅图12，本公开的一些实施例提供的一种掩模板100与基板22可以磁性吸附的方式实现连接、贴合。通过该方式时，掩模板100通过掩模板框架300张网，并在掩模板框架300与掩模板100之间放置若干根由磁性材料制成的支撑条47。蒸镀时，在基板22上方放置高斯板46，通过支撑条47与高斯板46之间的磁性吸附作用，使掩模板100与基板22连接、贴合。值得注意的是，使用该方式时，上述支撑条47并非掩模板结构的一部分，而是布置于蒸镀装置(图中未示出)内，蒸镀工艺所借助的辅助结构。本领域技术人员可以理解的是，使用该方式时，支撑条47的放置区域与上述开口对应的区域不重合。
在一些实施例中，请参阅图13～图14，掩模板100还包括磁性材料层16；磁性材料层16，位于掩模板本体11和固定层12之间；磁性材料层16包括多个第三蒸镀开口161，多个第三蒸镀开口161与多个第一蒸镀开口111正对。阻挡层15，还覆盖于第三蒸镀开口161的侧壁。
上述磁性材料层16是由磁性材料制成的。可以理解的是，如图15所示，蒸镀时，可以在待蒸镀的基板22的远离掩模板100侧设置磁块阵列45，该磁性材料层16可以与磁块阵列45磁性吸附，使待蒸镀的基板22的蒸镀面与多个隔垫物13贴合。这样一来，掩模板100与待蒸镀的基板22平行放置，以发挥掩模板100的作用，同时两者的间距控制在适宜的范围内，一方面，有效控制蒸镀阴影区的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。
请参阅图14，上述磁性材料层16位于掩模板本体11和固定层12之间。一方面，磁性材料层16靠近掩模板本体11，可以通过掩模板本体11支撑磁性材料层16；另一方面，磁性材料层16位于固定层12远离隔垫部131的一侧，使磁性材料层16不会对隔垫部131的连接造成影响。
请参阅图14，上述磁性材料层16包括多个第三蒸镀开口161，多个第三蒸镀开口161与多个第一蒸镀开口111正对。可以理解的是，当多个第三蒸镀开口161与多个第一蒸镀开口111正对时，第三蒸镀开口161的位置与第一蒸镀开口111的位置一一对应地匹配，第三蒸镀开口161的形状与第一蒸镀开口111的形状一一对应地匹配，这样一来，蒸镀基板22时，蒸镀材料能够依次穿过第一蒸镀开口111、第三蒸镀开口161、第二蒸镀开口121，蒸镀到基板22上，形成子像素的发光层212。
请参阅图14，上述阻挡层15，覆盖于第三蒸镀开口161的侧壁。这样一来，上述阻挡层15可以在磁性材料层16的表面形成阻挡作用，防止刻蚀隔垫层时对已图案化的磁性材料层16造成影响。
请参阅图15，上述掩模板100，在用于蒸镀工艺时，待蒸镀的基板22安装在的蒸镀装置400的真空腔室41的内部(图中未示出)，并在待蒸镀的基板22远离掩模板100的一侧放置磁块阵列45，可以通过磁块阵列45与磁性材料层16之间的磁性吸附作用，将掩模板100贴合于待蒸镀的基板22，这样一来，掩模板100和待蒸镀的基板22中只需要有一个与真空腔室41连接即可，降低了蒸镀装置400的结构复杂度。
在一些实施例中，掩模板本体11的厚度大于固定层12的厚度。掩模板本体11的厚度大于磁性材料层16的厚度。掩模板本体11的厚度大于，隔垫部131的远离所述掩模板本体11的表面，与所述隔垫部131的靠近所述掩模板本体11的表面之间的距离(简称隔垫部131的厚度)。
上述磁性材料层16的厚度、固定层12的厚度、隔垫部131的厚度均小于掩模板本体11的厚度，在满足各层正常发挥功能的前提下，各层厚度尽量较小，以使掩模板100整体不至于过厚，便于实现蒸镀工艺。
请参阅图16，在一些实施例中，掩模板本体11的厚度L8为5μm～30μm；固定层12的厚度L6为0.1μm～4μm；隔垫部131的远离所述掩模板本体11的表面，与所述隔垫部131的靠近所述掩模板本体11的表面之间的距离L4为0.1μm～3μm；磁性材料层16的厚度L7为0.05μm～1μm；阻挡层15的厚度L5为0.1μm～1μm。
上述掩模板本体11的厚度L8为5μm～30μm，可以满足为磁性材料层16、固定层12、隔垫物13提供支撑作用的要求。上述固定层12的厚度L6为0.1μm～4μm，可以实现连接隔垫物13的功能。隔垫部131的远离掩模板本体11的表面，与隔垫部131的靠近掩模板本体11的表面之间的距离L4为0.1μm～3μm，该距离范围设计合理，可以将基板22的蒸镀面和固定层12远离掩模板本体11的表面之间的距离控制在合理的范围内，一方面，有效控制蒸镀阴影区的产生，另一方面，避免待蒸镀基板22与掩模板100贴合摩擦，损坏掩模板100或待蒸镀基板22。
示例性地，掩模板本体11的厚度为5μm；固定层12的厚度为0.1μm；隔垫部131的远离掩模板本体11的表面，与隔垫部131的靠近掩模板本体11的表面之间的距离为0.1μm；磁性材料层16的厚度为0.05μm；阻挡层15的厚度为0.1μm。
示例性地，掩模板本体11的厚度为30μm；固定层12的厚度为4μm；隔垫部131的远离掩模板本体11的表面，与隔垫部131的靠近掩模板本体11的表面之间的距离为3μm；磁性材料层16的厚度为1μm；阻挡层15的厚度为1μm。
示例性地，掩模板本体11的厚度为10μm；固定层12的厚度为0.9μm；隔垫部131的远离掩模板本体11的表面，与隔垫部131的靠近掩模板本体11的表面之间的距离为2.1μm；磁性材料层16的厚度为0.60μm；阻挡层15的厚度为0.71μm。
本公开的一些实施例还提供了一种蒸镀装置400，该蒸镀装置400包括上述公开实施例提供的一种掩模板100。
示例性地，请参阅图11，蒸镀装置400还包括真空腔室41、蒸镀源42、掩模板框架300、基板载具43、冷却板44，该蒸镀装置400的具体结构请参照上述描述，此处不再赘述。
本公开的一些实施例提供的一种蒸镀装置400所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的一种掩模板100所能达到的有益效果相同，在此不再赘述。
本公开的一些实施例还提供了一种掩模板100的制作方法，请参阅图17，该制作方法用于制作上述公开的一些实施例提供的一种掩模板100，包括S1～S4：
S1：请参阅图18～图19，在衬底51上形成掩模板本体11，掩模板本体11包括多个第一蒸镀开口111。
S2：请参阅图20～图21，在掩模板本体11远离衬底51一侧形成固定层12；固定层12包括多个第二蒸镀开口121；多个第二蒸镀开口121与多个第一蒸镀开口111正对。
S3：请参阅图22～图23，形成多个隔垫物13；隔垫物13的至少一部分位于固定层12的远离掩模板本体11的一侧，且与固定层12连接。
S4：请参阅图24～图25，去除衬底51。
本公开的一些实施例提供的一种掩模板的制作方法所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的一种掩模板100所能达到的有益效果相同，在此不再赘述。
为了更清楚的说明上述实施例提供的一种掩模板的制作方法，以下实施例按照制作方法中图案化的次数的不同，对掩模板的制作方法进行了示例性划分；并且，以下实施例采用了如图14所示的掩模板100。
需要说明的是，本申请附图中出现的例如11(1)表示部件11为部件1的其中一种形式，例如561(56)表示保护膜561是支撑结构56的其中一种形式，即保护膜561为下位部件，支撑结构56为上位部件，附图中出现的其他类似标号也沿用上述说明。
需要说明的是，本申请附图中出现的例如1/2/3表示步骤1、步骤2、步骤3均可参照该附图，例如附图27中的P1/Q1/R1表示步骤P1、步骤Q1、步骤R1均可参照附图27，附图中出现的其他类似标号也沿用上述说明。
示例性地，请参阅图26，一种掩模板的制作方法，包括P1～P11：
P1：请参阅图27～图28，在衬底51上制作标记52。
示例性地，衬底51的材料为硅片或玻璃。
示例性地，标记52的材料为金属材料或无机材料。衬底51的形状为方形，标记52的数量例如为4个，分别位于衬底51的四个角位置处。上述标记52，可以实现刻蚀工艺中曝光装置的对位。
P2：请参阅图29～图30，在衬底51上形成初始掩模板本体53，该初始掩模板本体53的材料为比金属材料更容易刻蚀、且比硅材料韧性高的材料。
示例性地，初始掩模板本体53的材料为聚酰亚胺。采用涂布工艺在衬底上涂布掩模板本体53的材料，形成初始掩模板本体53。
P3：在初始掩模板本体53上形成初始磁性材料层。
示例性地，初始磁性材料层的材料为磁性材料，例如为镍铁合金。采用沉积工艺在初始掩模板本体53上沉积磁性材料，形成初始磁性材料层。
P4：请参阅图31～图32，同时图案化初始掩模板本体53、初始磁性材料层，形成掩模板本体11、磁性材料层16；该掩模板本体11包括多个第一蒸镀开口111；该磁性材料层16包括多个第三蒸镀开口161，多个第三蒸镀开口161与多个第一蒸镀开口111正对。
示例性地，同时图案化初始掩模板本体53、初始磁性材料层的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺，同时去除初始掩模板本体53中对应多个第一蒸镀开口111的部分和初始磁性材料层16中对应多个第三蒸镀开口161的部分。
P5：请参阅图33～图34，在磁性材料层16上形成初始固定层，并图案化初始固定层，形成固定层12；该固定层12包括多个第二蒸镀开口121；多个第二蒸镀开口121与多个第一蒸镀开口111正对。
示例性地，固定层12的材料为树脂，采用涂布工艺，在磁性材料层上旋涂初始固定层的材料，形成初始固定层。
上述图案化初始固定层时，通过上述第一蒸镀开口111所对应的深孔位置进行图案化，使得每个第二蒸镀开口121与一个第一蒸镀开口111正对，这样一来，蒸镀基板22时，蒸镀材料能够依次穿过第一蒸镀开口111、第三蒸镀开口161、第二蒸镀开口121，蒸镀到基板22上，形成子像素的发光层212。
示例性地，图案化初始固定层的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺，去除初始固定层对应多个第二蒸镀开口121的部分。
P6：请参阅图35～图36，在固定层12上形成初始阻挡层54；该初始阻挡层54覆盖于固定层12远离掩模板本体11的表面，并覆盖于由第一蒸镀开口111、第二蒸镀开口121和第三蒸镀开口161形成的开口的侧壁，且覆盖衬底51的被三个蒸镀开口形成的开口暴露出来的表面。
示例性地，上述形成初始阻挡层54的材料为无机材料、金属材料或复合材料；其中，无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、陶瓷中的至少一种；复合材料为金属材料/IZO/ITO/陶瓷材料组成的复合膜层。采用沉积工艺在固定层12上沉积初始阻挡层54的材料，形成初始阻挡层54，为连续的薄层。
上述沉积初始阻挡层54时，沉积材料同时渗入由第一蒸镀开口111、第二蒸镀开口121、第三蒸镀开口161形成的开口的侧壁，这样一来，阻挡层15可以在固定层12、掩模板本体11、磁性材料层16的表面形成阻挡作用，防止刻蚀隔垫层时对已图案化的固定层12、掩模板本体11、磁性材料层16造成影响。
P7：请参阅图37～图38，同时图案化固定层12与阻挡层15，在固定层12上形成多个凹槽122，在阻挡层15上形成多个孔151。上述阻挡层15覆盖于固定层12表面上的部分包括多个孔151，多个孔151与多个凹槽122对应设置。
示例性地，该凹槽122平行于第一平面的截面形状呈倒梯形或工字形，上述第一平面为第二方向所在平面，且该第一平面与掩模板本体11所在平面垂直。
上述凹槽122的形状呈倒梯形或工字形，可以防止嵌固部132脱出，进而限制了嵌固部132沿第二方向的移动。嵌固部132与固定层12的连接可靠性、以及结合力得到了有效提升，避免在蒸镀过程中，掩模板100与待蒸镀基板22相互错动时，多个隔垫物13发生剥离。
示例性地，同时图案化固定层12与阻挡层15的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺。
示例性地，上述多个凹槽122中的每个凹槽122位于相邻两个蒸镀开口之间。多个孔151中的每个孔151位于相邻两个蒸镀开口之间。
P8：请参阅图39～图40，在阻挡层15上形成初始隔垫层55。
上述涂布初始隔垫层55时初始隔垫层55材料会同时渗入多个孔151、凹槽122、以及多个蒸镀开口中。
示例性地，形成初始隔垫层55的方式为刮涂或旋涂。
P9：请参阅图41～图42，图案化初始隔垫层55，形成多个隔垫物13。该隔垫物13的至少一部分位于固定层12的远离掩模板本体11的一侧，且与固定层12连接；该隔垫物13包括隔垫部131和嵌固部132；隔垫部131位于固定层12的远离掩模板本体11一侧；嵌固部132嵌入一个凹槽122内。
示例性地，图案化初始隔垫层55的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺；采用图案化工艺，去除初始隔垫层55的位于多个蒸镀开口内的部分以及位于阻挡层15表面的部分中的一部分，初始隔垫层55中留下的部分作为多个隔垫物13。
P10：请参阅图43～图44，或者图45～图46，在多个隔垫物13远离掩模板本体11的一侧连接支撑结构56。
P11：请参阅图47～图48，或者图49～图50，剥离衬底51。
示例性地，剥离衬底51的方式为激光剥离。
在一些实施例中，请参阅图47～图48，或者图49～图50，在剥离衬底51的同时，阻挡层15的覆盖衬底51的被三个蒸镀开口形成的开口暴露出来的表面上的部分也随着衬底51的剥离而去除。
值得一提的是，剥离衬底51时，支撑结构56可以支撑掩模板100，以保证衬底51的顺利剥离。
在一些实施例中，请参阅图43～图44和图47～图48，上述支撑结构56为保护膜561，且该保护膜561与多个隔垫物13粘接。
示例性地，请参阅图44和图48，多个隔垫物13与保护膜561通过压敏胶层5611粘接，且粘接时边缘位置压敏胶层5611较厚，中间位置压敏胶层5611较薄或无压敏胶，这样可以避免压敏胶层5611堵塞上述开口。
利用上述制作方法制备的掩模板100进行蒸镀时，先机械剥离保护膜561，请参阅图51～图52，接着使用掩模板框架300张网，请参阅图15，而后在基板22的远离掩模板100的一侧设置磁块阵列45，利用磁块阵列45与磁性材料层16的磁性吸附作用，使隔垫物13与基板22贴合。
在一些实施例中，请参阅图45～图46和图49～图50，上述支撑结构56为支撑框562，该支撑框562位于阻挡层15的边缘，且支撑框562的材料为高杨氏模量材料。
示例性地，该支撑框562的材料为无机材料、金属材料或半导体材料。
示例性地，支撑框562通过沉积工艺形成于阻挡层15的边缘。
上述支撑框562对掩模板100有拉伸作用，进而省去了蒸镀前的张网工序。
利用上述制作方法制备的掩模板100进行蒸镀时，请参阅图53～图54，先将掩模板100绑定于掩模板框架300，请参阅图55～图56，接着利用激光切割去除支撑框562，请参阅图15，而后在基板22的远离掩模板100的一侧设置磁块阵列45，利用磁块阵列45与磁性材料层16的磁性吸附作用，使隔垫物13与基板22贴合。
示例性地，请参阅图57，一种掩模板100的制作方法，包括Q1～Q12：
Q1：请参阅图27～图28，在衬底51上制作标记52。
关于步骤Q1的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P1，此处不再赘述。
Q2：请参阅图29～图30，在衬底51上形成初始掩模板本体53，该初始掩模板本体53的材料为比金属材料更容易刻蚀、且比硅材料韧性高的材料。
关于步骤Q2的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P2，此处不再赘述。
Q3：在初始掩模板本体53上形成初始磁性材料层。
关于步骤Q3的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P3，此处不再赘述。
Q4：图案化初始磁性材料层，形成磁性材料层16；该磁性材料层16包括多个第三蒸镀开口161。
示例性地，图案化初始掩模板本体53的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺，去除初始磁性材料层16中对应多个第三蒸镀开口161的部分。
Q5：请参阅图31～图32，图案化初始掩模板本体53，形成掩模板本体11；该掩模板本体11包括多个第一蒸镀开口111；多个第一蒸镀开口111与多个第三蒸镀开口161正对。
示例性地，图案化初始掩模板本体53的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺，去除初始掩模板本体53中对应多个第一蒸镀开口111的部分。
Q6：请参阅图33～图34，在磁性材料层16上形成初始固定层，并图案化初始固定层，形成固定层12；该固定层12包括多个第二蒸镀开口121；多个第二蒸镀开口121与多个第一蒸镀开口111正对。
关于步骤Q6的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P5，此处不再赘述。
Q7：请参阅图35～图36，在固定层12上形成初始阻挡层54；该初始阻挡层54覆盖于固定层12远离掩模板本体11的表面，并覆盖于由第一蒸镀开口111、第二蒸镀开口121和第三蒸镀开口161形成的开口的侧壁，且覆盖衬底51的被三个蒸镀开口形成的开口暴露出来的表面。
关于步骤Q7的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P6，此处不再赘述。
Q8：请参阅图37～图38，同时图案化固定层12与阻挡层15，在固定层12上形成多个凹槽122，在阻挡层15上形成多个孔151。上述阻挡层15覆盖于固定层12表面上的部分包括多个孔151，多个孔151与多个凹槽122对应设置。
关于步骤Q8的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P7，此处不再赘述。
Q9：请参阅图39～图40，在阻挡层15上形成初始隔垫层55。
关于步骤Q9的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P8，此处不再赘述。
Q10：请参阅图41～图42，图案化初始隔垫层55，形成多个隔垫物13。该隔垫物13的至少一部分位于固定层12的远离掩模板本体11的一侧，且与固定层12连接；该隔垫物13包括隔垫部131和嵌固部132；隔垫部131位于固定层12的远离掩模板本体11一侧；嵌固部132嵌入一个凹槽122内。
关于步骤Q10的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P9，此处不再赘述。
Q11：请参阅图43～图44，或者图45～图46，在多个隔垫物13远离掩模板本体11的一侧连接支撑结构56。
Q12：请参阅图47～图48，或者图49～图50，剥离衬底51。
关于步骤Q11与步骤Q12的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P10与步骤P11，此处不再赘述。
示例性地，请参阅图58，一种掩模板100的制作方法，包括R1～R11:
R1：请参阅图27～图28，在衬底51上制作标记52。
关于步骤R1的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P1，此处不再赘述。
R2：请参阅图29～图30，在玻璃衬底51上形成初始掩模板本体53；该初始掩模板本体53的材料为比金属材料更容易刻蚀、且比硅材料韧性高的材料。
关于步骤R2的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P2，此处不再赘述。
R3：在初始掩模板本体53上形成初始磁性材料层。
关于步骤R3的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P3，此处不再赘述。
R4：在初始磁性材料层上形成初始固定层。
示例性地，固定层12的材料为树脂，采用涂布工艺，在磁性材料层上旋涂初始固定层的材料，形成初始固定层。
R5：请参阅图33～图34，同时图案化初始掩模板本体53、初始磁性材料层、初始固定层，形成掩模板本体11、磁性材料层16、固定层12；该掩模板本体11包括多个第一蒸镀开口111；磁性材料层16包括多个第三蒸镀开口161，多个第三蒸镀开口161与多个第一蒸镀开口111正对。该固定层12包括多个第二蒸镀开口121；多个第二蒸镀开口121与多个第一蒸镀开口111正对。
示例性地，同时图案化初始掩模板本体53、初始磁性材料层、初始固定层的工艺为激光刻蚀工艺，或干法刻蚀工艺。
上述同时图案化初始掩模板本体53、初始磁性材料层、初始固定层的工艺，同时去除初始掩模板本体53中对应多个第一蒸镀开口111的部分、初始磁性材料层16中对应多个第三蒸镀开口161的部分和初始固定层对应多个第二蒸镀开口121的部分，使得第二蒸镀开口121、第一蒸镀开口111、第三蒸镀开口161正对，这样一来，蒸镀基板22时，蒸镀材料能够依次穿过第一蒸镀开口111、第三蒸镀开口161、第二蒸镀开口121，蒸镀到基板22上，形成子像素的发光层212。
R6：请参阅图35～图36，在固定层12上形成初始阻挡层54；该初始阻挡层54覆盖于固定层12远离掩模板本体11的表面，并覆盖于由第一蒸镀开口111、第二蒸镀开口121和第三蒸镀开口161形成的开口的侧壁。
关于步骤R6的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P6，此处不再赘述。
R7：请参阅图37～图38，同时图案化固定层12与阻挡层15，在非开口的固定层12上形成多个凹槽122，在非开口的阻挡层15上形成多个孔151，形成凹槽122、阻挡层15。上述阻挡层15覆盖于固定层12表面上的部分包括多个孔151，多个孔151与多个凹槽122对应设置。
关于步骤R7的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P7，此处不再赘述。
R8：请参阅图39～图40，在阻挡层15上形成初始隔垫层55。
上述涂布初始隔垫层55时初始隔垫层55材料会同时渗入凹槽122、上述开口。
关于步骤R8的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P8，此处不再赘述。
R9：请参阅图41～图42，图案化初始隔垫层55，形成多个隔垫物13。该隔垫物13的至少一部分位于固定层12的远离掩模板本体11的一侧，且与固定层12连接；该隔垫物13包括隔垫部131和嵌固部132；隔垫部131位于固定层12的远离掩模板本体11一侧；嵌固部132嵌入一个凹槽122内。
关于步骤R9的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P9，此处不再赘述。
R10：请参阅图43～图44，或者图45～图46，在多个隔垫物13远离掩模板本体11的一侧连接支撑结构56。
R11：请参阅图47～图48，或者图49～图50，剥离衬底51。
关于步骤R10与步骤R11的描述参照前述的制作方法中步骤P1～P11中的步骤P10与步骤P11，此处不再赘述。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种掩模板，其特征在于，包括：
掩模板本体；所述掩模板本体包括多个第一蒸镀开口；
固定层；所述固定层设置于所述掩模板本体一侧；所述固定层包括多个第二蒸镀开口；所述多个第二蒸镀开口与所述多个第一蒸镀开口正对；
多个隔垫物；所述隔垫物的至少一部分位于所述固定层的远离所述掩模板本体的一侧，且与所述固定层连接。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体的材料包括聚酰亚胺、聚氨酯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、有机玻璃中的至少一种。
3.根据权利要求1或2所述的掩模板，其特征在于，所述固定层还包括多个凹槽；至少一个所述凹槽的远离所述掩模板本体的一端在第一方向上的尺寸，小于或等于所述凹槽的靠近所述掩模板本体的一端在所述第一方向上的尺寸；所述第一方向平行于所述固定层所在平面；
所述隔垫物包括隔垫部和嵌固部；
所述隔垫部，位于所述固定层的远离所述掩模板本体一侧；
所述嵌固部，嵌入一个所述凹槽内。
4.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，所述固定层的材料为树脂、有机玻璃中的至少一种；
所述隔垫物的材料为树脂、有机玻璃中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的掩模板，其特征在于，还包括：
阻挡层；所述阻挡层，覆盖于所述固定层远离所述掩模板本体的表面，并覆盖于由所述第一蒸镀开口和所述第二蒸镀开口形成的开口的侧壁；
所述阻挡层覆盖于所述固定层表面上的部分包括多个孔，所述多个孔与所述多个凹槽对应设置；
其中，所述隔垫部位于所述阻挡层的远离所述掩模板本体一侧；所述嵌固部嵌入相对应的所述凹槽和所述孔内。
6.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述孔在所述第一方向上的尺寸小于或等于，与其对应设置的所述凹槽的远离所述掩模板本体的一端在所述第一方向上的尺寸。
7.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，所述阻挡层的材料包括无机材料、金属材料中的至少一种；所述无机材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、陶瓷中的至少一种。
8.根据权利要求5所述的掩模板，其特征在于，还包括：
磁性材料层；所述磁性材料层，位于所述掩模板本体和所述固定层之间；所述磁性材料层包括多个第三蒸镀开口，所述多个第三蒸镀开口与所述多个第一蒸镀开口正对；
所述阻挡层，还覆盖于所述第三蒸镀开口的侧壁。
9.根据权利要求8所述的掩模板，其特征在于，所述掩模板本体的厚度为5μm～30μm；
所述固定层的厚度为0.1μm～4μm；
所述隔垫部的远离所述掩模板本体的表面，与所述隔垫部的靠近所述掩模板本体的表面之间的距离为0.1μm～3μm；
所述磁性材料层的厚度为0.05μm～1μm；
所述阻挡层的厚度为0.1μm～1μm。
10.一种蒸镀装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的掩模板。
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