CN116115127A - 用于清洁设备的清洁方法和装置、清洁设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种用于清洁设备的清洁方法和装置，以及清洁设备，能够提高清洁效率和清洁效果。该方法包括：获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。

Description

用于清洁设备的清洁方法和装置、清洁设备
技术领域
本申请涉及日常清洁领域，具体涉及用于清洁设备的清洁方法和装置，以及清洁设备。
背景技术
随着社会生产力的发展，人们的生活水平不断提高，清洗设备已被广泛应用于日常生活中。清洁设备包括基站和清洁部件，清洁部件可以是洗地机或表面清洁设备等。清洁部件在待清洁脏污区域移动的过程中，清洁部件中的滚刷可以利用从清洁部件的清水箱中流出的水对待清洁脏污区域进行清洁。清洁部件还可以将待清洁脏污区域的污水吸入污水箱内。
清洁结束后，在清洁部件位于基站时。基站可以用于为清水箱补充清水，并用于排出污水箱中的污水。用户还可以选择不同清洁力度的自清洁模式，对洗地机和基站进行清洁，例如对洗地机内部的排水管道、滚刷等部件进行系统清洗等。
对洗地机和基站进行清洁的方式需要用户进行选择，用户对清洁方式的不合理选择，可能导致清洁效果较差，清洁效率较低。
发明内容
本申请提供一种用于清洁设备的清洁方法和装置，以及存储介质和清洁设备，能够提高清洁效率。
本申请实施例提供一种用于清洁设备的清洁方法，包括：
获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；
根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
可选地，所述运行参数信息包括所述清洁部件对所述被清洁对象进行清洁的清洁运行时长；所述根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式，包括：
在所述清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
可选地，所述运行参数信息包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长；
所述根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式，包括：根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述多个自清洁模式包括第一自清洁模式和第二自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强；所述根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式，包括：
根据所述至少一个程度时长，确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长；
在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第一自清洁模式；
在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
可选地，所述第一自清洁模式与所述第二自清洁模式均包括对所述清洁部件中的滚刷依次进行冲洗、干燥和紫外线消毒，所述第一自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第一干燥时长大于所述第二自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第二干燥时长。
可选地，所述根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式，包括：
在所述清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，根据所述运行参数信息，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述方法应用于所述清洁设备中的基站；
所述方法还包括：在所述清洁部件位于所述基站的预设区域的情况下，按照所述目标自清洁模式对所述清洁设备进行自清洁。
本申请实施例提供一种清洁设备，包括：清洁部件和处理装置；
所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；
所述处理装置用于，根据所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
可选地，所述运行参数信息包括所述清洁部件对所述被清洁对象进行清洁的清洁运行时长；
所述处理装置具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
可选地，所述运行参数信息包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长；
所述处理装置具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述多个自清洁模式包括第一自清洁模式和第二自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强；
所述处理装置具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长；
在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第一自清洁模式；
在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
可选地，所述第一自清洁模式与所述第二自清洁模式均包括对所述清洁部件中的滚刷依次进行冲洗、干燥和紫外线消毒，所述第一自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第一干燥时长大于所述第二自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第二干燥时长。
可选地，所述处理装置具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，根据所述运行参数信息，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述处理装置位于所述清洁设备中的基站；
所述处理装置还用于，在所述清洁部件位于所述基站的预设区域的情况下，按照所述目标自清洁模式对所述清洁设备进行自清洁。
本申请实施例提供一种用于清洁设备的清洁装置，包括获取单元和处理单元；
所述获取单元用于，获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；
所述处理单元用于，根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
本申请实施例提供一种用于清洁设备的清洁装置，包括：处理器和存储器；
所述存储器用于存储程序，所述处理器调用存储器存储的程序，以执行上文所述的用于清洁设备的清洁方法。
本申请实施例提供一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有程序和数据，所述程序被处理器执行，用于实现上文所述的用于清洁设备的清洁方法。
与现有技术相比，本申请具有以下优点：
根据清洁设备中清洁部件的运行参数信息，确定对清洁设备进行清洁的目标自清洁模式。在确定目标自清洁模式的过程中，考虑用于对被清洁对象进行情急的清洁部件的运行情况，使得目标自清洁模式更加适应清洁部件的运行情况。从而，在按照目标自清洁模式对清洁设备进行自清洁时，清洁效果更好，清洁效率更高。
附图说明
图1是一种清洁设备的示意性结构图；
图2是图1所示的清洁设备中基站的示意性结构图；
图3是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的清洁方法的示意性流程图；
图4是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的清洁方法的示意性流程图；
图5是本申请实施例提供的一种确定目标自清洁模式的方法的示意性流程图；
图6是本申请实施例提供的一种清洁设备的示意性结构图；
图7是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的清洁装置的示意性结构图；
图8是本申请实施例提供的另一种用于清洁设备的清洁装置的示意性结构图。
具体实施方式
为使本申请的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施方式对本申请中的技术方案作进一步详细说明。在下面的描述中，阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是，本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似推广，因此本申请不受下面公开的具体实施方式的限制。
需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性，以及特定的顺序或先后次序。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。此外，在本申请的描述中，除非另有说明，术语“多个”是指两个或两个以上。术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，旨在覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。
此外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
随着社会生产力的发展，人们的生活水平不断提高，清洗设备已被广泛应用于日常生活中。人们可以利用不同功能的清洗设备完成相应的清洗作业，例如利用洗衣机清洗衣物、利用眼镜清洗机清洗眼镜、利用洗地机清洗地面等。
洗地机在待清洁脏污区域移动的过程中，洗地机中的滚刷与洗地机的清水箱配合，滚刷在清水箱喷出清水之后，对待清洁脏污区域进行清洁。在清洁完成后产生的污水被吸入洗地机的污水箱内。
清洁结束后，在清洁部件位于基站时。基站可以用于为清水箱补充清水，并用于排出污水箱中的污水。用户还可以选择不同清洁力度的自清洁模式，对洗地机和基站进行清洁，例如对洗地机内部的排水管道、滚刷等部件进行系统清洗等。
图1是一种清洁设备的示意性结构图。图2为图1所示的清洁设备中基站120的剖面示意图。
图1所示的清洁设备包括清洁部件110和基站120。基站120用于放置清洁部件110。清洁部件110与基站120可以是可拆卸式结构。
清洁部件110用于对待清洁区域进行清扫，具体可以是手持式吸尘器、手持式清洗机、扫地机器人、洗地机或表面清洁设备等。
基站120用于对清洁部件110进行清洁。基站120可以为固定式基站，例如基站120可以通过螺钉等连接件固定在墙壁上。基站120也可以为移动式基站。例如，基站120底部可以设置有滚轮，在用户的推动下基站120可以被动移动。基站120也可以包括自移动装置，可以根据用户或清洁部件110发出的指令，自行移动。
在实际应用中，基站120可以连通外部水源，利用外部水源对清洁部件110进行清洁。基站120可以包括进水口1232，基站120的进水口1232与外部水源连通。在基站120为固定式基站的情况下，用户可以在固定基站120的位置处引入自来水管道，基站120上的进水口1232可以与自来水管道连通，通过自来水管道向基站120注入水流。在基站120为移动式基站的情况下，用户可以移动基站120到外部水源处(例如自来水管道处)，然后通过柔性软管将基站120的进水口1232与外部水源连通，通过外部水源向基站120注入水流。
在基站120包括自移动装置的情况下，用户可以在外部水源处设置信号标识装置，该信号标识装置可以定期对外发送信号，当基站120接收到上述信号后，基站120可以获知该信号标识装置的具体位置，进而基站120可以自行移动到上述外部水源处。示例性地，利用红外线定位、蓝牙定位、无线电定位等技术，基站120可以自行移动到上述外部水源处。当基站120移动到上述外部水源处后，用户可以将基站120的进水口1232与外部水源连通，通过外部水源向基站120注入水流。可选地，外部水源与基站120的进水口1232之间设置有相互匹配的对接装置，当基站120移动到外部水源处后，基站120的进水口1232可以自动与外部水源对接。
在一些其它应用场景中，在可以在清洁部件110中设置信号标识装置，该信号标识装置可以定期对外发送信号，当基站120接收到上述信号后，基站120可以获知清洁部件110的具体位置，进而基站120可以自行移动到清洁部件110的附近位置。从而，基站120可以跟随清洁部件110的移动而移动，使得基站120始终位于清洁部件110的附近位置，当用户需要对清洁部件110进行清洁时，用户便可以快速寻找到基站120，提高了清洁效率。
自移动注入基站120的水流对清洁部件110进行清洗后，基站120可以将上述水流排出，因此，基站120上还可以设置有包括排污口1242，排污口1242可以与布置在家庭中的下水管道连通，通过下水管道将污水引入城市排污系统。与基站120的进水口1232类似的配置，基站120的排污口1242与下水管道连通。在一些应用场景中，如果基站120是固定式基站，排污口1242直接与下水管道连通，通过排污口1242向下水管道排放污水。在一些其它应用场景中，如果基站120是移动式基站，可以在排污口1242与下水管道之间设置连接管，通过排污口1242和连接管向下水管道排放污水。在一些其它应用场景中，如果基站120是移动式基站，用户可以移动基站120到下水管道处，或者，移动基站120可以自移动到下水管道处，使得排污口1242与下水管道连通，通过排污口1242向下水管道排放污水。
可选地，清洁部件110和基站120可以包括相互契合的结构件(未示出)，该结构件包括：限位件、卡扣件、弹性件等，当清洁部件110放置在基站120上时，基站120可以通过上述结构件将清洁部件110固定，以避免清洁部件110从基站120上脱离。或者，直接将清洁部件110放置在基站120的预设区域与基站120对接。
清洁部件110包括清水箱111、污水箱112、滚刷组件113。
清水箱111与滚刷组件113可以通过清水管道(未示出)连通。
在清洁部件对待清洁区域(例如地面)进行清洁的过程中，清水箱111清水通过清水管道流至滚刷组件113，滚刷组件113旋转对待清洁区域进行清洁。之后，待清洁区域的污水经过可以被抽吸到污水箱112中。
基站120可以包括底座121和机体122。机体122中设置有相互隔离的进水装置123和排污装置124。
当清洁部件110放置在基站120的底座121上时，滚刷组件113至少部分的位于底座121上表面形成的凹陷部125内。
基站120可以通过有线或无线的方式为清洁部件110充电。示例性地，凹陷部125中可以设置有无线充电发射器(transport，TX)126，清洁部件110的底部可以设置有无线充电接收器(receive，RX)。
进水装置123的出水端1231可以设置有进水阀。在清洁部件110放置在基站120的底座121上的情况下，位于进水装置123出水端1231的进水阀可以打开，以使得进水装置123与清水箱111联通，进水装置的水注入清水箱111中。
进水装置123还可以包括清水容器1233。进水口1232与外部水源连通。进水口1232注入水流可以存储在清水容器1233中。在清洁部件110放置在基站120的底座121上且位于进水装置123出水端1231的进水阀打开的情况下，清水容器1233中盛装的水可与注入清水箱111中。
排污装置124的进水端1241可以设置有进水阀。排污装置124还可以包括污水容器1243。在清洁部件110放置在基站120的底座121上的情况下，位于排污装置124的进水端1241的进水阀可以打开，使得污水箱112与排污装置124连通。污水箱112中的污水可以经排污装置124的进水端1241、污水容器1243、排污口1242流出清洁设备。或者污水箱112底部的排污口设置排污阀，在清洁部件110放置在基站120的底座121上的情况下，污水箱112底部的排污口与排污装置124的进水端1241对接，排污口处的排污阀可以打开，使得污水箱112与排污装置124连通。
现有技术中，清洁部件110的手柄顶端设置有自清洁按键，当清洁部件110对接在基站120上时，用户按下自清洁按键，清洁部件110开始自清洁。现有技术需要用户手动开启自清洁，且自清洁模式单一，不能根据清洁部件110的清洁任务情况进行调整。
为了解决上述问题，本申请实施例提供一种用于清洁设备的清洁方法以及一种清洁设备的基站。
在清洁部件110放置在基站120的底座121上的情况下，清洁设备可以自动开启自清洁，且能根据被清洁对象的运行时长和/或待清洁面的脏污程度，自动匹配不同清洁力度的自清洁模式，对洗地机和基站进行清洁。或者，在另一种可选的实施例中，基站120/清洁部件110可以推送至少一个自清洁模式供用户选择，用户可以选择不同清洁力度的自清洁模式，对洗地机和基站进行清洁。
各个自清洁模式可以依次包括污水箱112注水(至水满)、污水箱112排水、污水箱112冲洗、清洁部件110自清洁、污水箱112再次排水、污水箱112再次冲洗、冲洗排污装置124、烘干和/或紫外线灭菌等步骤，其中，各个自清洁模式中清洁部件110自清洁中的清洁方式可以不同。
下面结合图3，对本申请实施例提供用于清洁设备的清洁方法进行说明。
图3是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的自清洁方法的示意性流程图。本实施例提供的用于清洁设备的清洁方法具体可以应用于具有数据处理功能的电子设备。该电子设备可以位于清洁设备中。本实施例提供的用于清洁设备的清洁方法的执行主体可以是基站120，也可以是清洁部件110，还可以是基站120和清洁部件110共同协作执行。图3所示的方法包括S301至S302。
在S301，获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁。
清洁设备包括清洁部件。清洁部件可以是手持式吸尘器、手持式清洗机、扫地机器人、洗地机或表面清洁设备等。被清洁对象可以是地面等。
运行参数信息用于表示与清洁部件进行清洁相关的信息，例如清洁部件的运行时间、运行环境的脏污情况等。
在S302，根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
该多个自清洁模式可以是预设的。
对清洁设备的清洁包括对清洁部件的清洁。
通过S301至S302，根据与清洁部件的运行参数信息，在多个自清洁模式中确定目标自清洁模式。因为目标自清洁模式是根据清洁部件的运行情况确定的，所以利用目标自清洁模式对清洁设备进行清洁，提高清洁效率。
根据清洁部件的运行情况确定目标自清洁模式对清洁设备进行清洁，可以避免清洁设备较为干净的情况下采用清洁力度较强的自清洁模式进行清洁，提高了清洁效率。同时，也可以避免清洁设备较为脏污的情况下采用清洁力度较弱的自清洁模式进行清洁导致完成自清洁后的清洁设备中仍有污渍残留，提高清洁效果。
清洁部件运行的时间越长，清洁部件需要进行清洁的力度越强。
运行参数信息可以包括清洁部件对被清洁对象进行清洁的清洁运行时长。在S302可以在清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
在清洁部件运行时间很长，清洁运行时长超过第一阈值的情况下，利用预设的多个自清洁模式中清洁力度最强的第一自清洁模式对清洁设备进行清洁，清洁效果较好，清洁后的清洁设备较为干净。
运行参数信息可以包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长。在S302可以根据该至少一个程度时长，确定目标自清洁模式。
清洁部件在某个预设脏污程度下运行，可以理解为被清洁对象的脏污程度为该某个预设脏污程度。
清洁部件运行的时间长度、被清洁对象的脏污程度，都会对清洁部件所需的清洁力度产生影响。清洁部件运行环境脏污程度越高，清洁部件需要进行清洁的力度越强。
根据清洁部件分别在各个预设脏污程度下运行的程度时长，确定目标自清洁模式，清洁效果较好，能够提高清洁效率。
根据所述至少一个程度时长，可以确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长。
在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，可以确定所述目标自清洁模式为所述第一自清洁模式；
在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，可以确定所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
目标脏污程度可以包括一个或多个预设脏污程度。示例性地，不同的脏污程度可以表示清洁部件运行环境的脏污情况，目标脏污程度可以包括清洁部件运行环境达到或超过预设脏污状况。脏污程度可以由清洁部件中设置的脏污传感器检测，脏污传感器可以为光学传感器，设置在吸污管道中，根据脏污的透光率来检测脏污程度。或者，不同脏污程度表示不同的脏污吸入速率的范围，目标脏污程度中预设脏污程度的数量为多个的情况下，该多个预设脏污程度可以用于表示的脏污吸入速率范围可以是脏污吸入速率大于或等于预设值。应当理解，第一阈值大于第二阈值。
在又一些实施例中，根据清洁部件在各个预设脏污程度下运行的程度时长，计算脏污参数。脏污参数用于表示清洁部件中污水箱的脏污情况。不同的脏污程度可以对应于不同的权重，脏污参数可以表示为清洁部件在各个脏污程度下运行的程度时长与该脏污程度对应的权重的乘积的叠加。在脏污参数大于或等于预设参数值的情况下，目标自清洁模式可以为第一自清洁模式；反之，在脏污参数小于预设参数值的情况下，目标自清洁模式可以为第二自清洁模式。
示例性地，最轻的预设脏污程度下的程度时长为第一阈值，且其他脏污程度下的程度时长为0的情况下，计算得到的脏污参数可以等于预设参数值。最轻的预设脏污程度，可以理解为脏污吸入速率的取值最小。
可以在清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，进行S302。
第三阈值可以小于第一阈值，且小于第二阈值。
在清洁部件的运行时间很短，清洁运行时长小于第三阈值的情况下，清洁部件吸入的脏污量很少，可以不对清洁设备进行清洁，从而提高清洁效率。
也就是说，在根据目标环境运行时长或脏污参数确定目标自清洁模式的情况下，进行目标环境运行时长、脏污参数确定的步骤，可以在清洁运行时长超过第三阈值，且不超过第一阈值的情况下进行。清洁设备还可以包括基站。图3所示的方法可以应用于清洁部件，也可以应用于基站。
清洁部件可以记录脏污程度随时间的变化情况，并根据该变化情况确定运行参数信息，之后执行S301至S302。清洁部件可以向基站发送通过S302确定的目标自清洁模式。基站可以在清洁部件位于基站预设区域的情况下，按照目标自清洁模式对清洁设备进行自清洁。
清洁部件也可以向基站发送脏污程度随时间的变化情况，基站根据该变化情况确定运行参数信息。或者，清洁部件以向基站发送运行参数信息。之后，基站可以执行S301至S302，并在清洁部件位于基站预设区域的情况下按照目标自清洁模式对清洁设备进行自清洁。
清洁部件与基站之间可以通过有线或无线的方式进行通信。清洁部件位于基站预设区域的情况下，基站可以与清洁部件建立有线通信。清洁部件位于无线通信的通信距离范围内的情况下，基站与清洁部件可以建立无线通信。
下面结合图4，以基站确定目标自清洁模式为例，对用于清洁设备的自清洁方法进行说明。
图4是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的自清洁方法的示意性流程图。本实施例提供的用于清洁设备的清洁方法具体可以应用于具有数据处理功能的电子设备。该电子设备可以位于清洁设备的基站中。该电子设备例如可以是基站中的处理装置。清洁设备可以包括清洁部件和基站。
清洁部件用于对被清洁对象进行清洁。在清洁部件放置在基站上的情况下，基站用于对清洁设备进行自清洁。
图4所示的用于清洁设备的自清洁方法400包括S410至S460。
在S410，清洁部件记录清洁运行信息。
清洁运行信息可以包括清洁部件运行过程中在各个时间点被清洁对象的脏污程度。或者，清洁运行信息包括清洁部件运行过程中在各个时间点的清洁部件中污水箱的脏污吸入速率。
被清洁对象的脏污程度，也可以理解为清洁部件在某种脏污程度运行，可以由清洁部件中设置的脏污传感器检测，脏污传感器可以为光学传感器，设置在吸污管道中，根据脏污的透光率来检测脏污程度；也可以根据清洁部件的脏污吸入速率确定。脏污吸入速率可以表示为污水箱在单位时间内吸入的脏污量。
根据清洁部件在某一时间段内的喷水量和预设的水回收率，可以计算得到水回收量。清洁部件的喷水量即清洁部件喷出的清水的总重量。清洁部件的污水箱在该时间段的重量变化量减去水回收量，可以得到污水箱在该时间段吸入的脏污量。该脏污量除以该时间段的时间长度，可以得到污水箱的脏污吸入速率。
脏污吸入速率越大，被清洁对象的脏污程度越高。示例性地，脏污吸入速率小于第一预设速率可以定义为第一脏污程度，脏污吸入速率大于或等于第一预设速率且小于第二预设速率可以定义为第二脏污程度，脏污吸入速率大于或等于第二预设速率可以定义为第三脏污程度。第一预设速率小于第二预设速率。
清洁部件上可以设置有显示器，显示器可以在清洁部件清洁待清洁面的过程中显示脏污吸入速率或被清洁对象的脏污程度。如图5所示，显示器可以为圆形，圆形内部设置有脏污显示区域。脏污显示区域可以是圆环，某种颜色区域在圆环面积中的不同比例可以用于表示不同的脏污程度或脏污吸入速率。某种颜色区域在圆环面积中的比例可以随脏污程度/脏污吸入速率的增加而增大。该某种颜色可以是红色或橙色等。在一种示例中，可以用红色表示重污，橙色表示中污，绿色表示轻污。
示例性地，该某种颜色区域占圆环面积的第一预设比例对应的脏污程度/脏污吸入速率可以设置为第一脏污程度/第一预设速率，某种颜色区域占圆环面积的第二预设比例对应的脏污程度/脏污吸入速率可以理解为第二脏污程度/第二预设速率。第一预设比例小于第二预设比例。第一预设比例例如可以是1/4或1/3，第二预设比例例如可以是1/2或3/4。也就是说，在该某种颜色区域占圆环面积不超过第一预设比例的情况下清洁部件运行在第一脏污程度，在该某种颜色区域占圆环面积大于第一预设比例且不超过第二预设比例的情况下清洁部件运行在第二脏污程度，在该某种颜色区域占圆环面积大于或等于第二预设比例的情况下清洁部件运行在第三脏污程度。例如在一种示例中，脏污显示区域用红蓝环表示待清洁面的脏污程度。当脏污显示区域全部显示为绿色，表示待清洁面较为干净；当红/橙色的显示面积不超过脏污显示区域面积的1/4或1/3时，表示待清洁面为第一脏污程度；当红/橙色的显示面积大于脏污显示区域面积的1/4或1/3而不超过脏污显示区域面积的1/2或3/4，表示待清洁面为第二脏污程度；当红/橙色的显示面积大于脏污显示区域面积的1/2或3/4，表示待清洁面为第三脏污程度。
显示器中脏污显示区域的不同亮度或色度等也可以用于表示污水箱的不同脏污吸入速率或被清洁对象的脏污程度。
在S420，清洁部件向基站发送清洁运行信息。
基站与清洁部件之间存在通信连接，该通信连接可以是有线或无线的方式。无线通信方式可以为但不限于蓝牙、紫蜂(ZigBee)、无线保真技术(wireless-fidelity，Wi-Fi)等。
基站与清洁部件之间的通信连接为蓝牙连接为例，在清洁部件与基站之间的距离满足蓝牙连接的通信距离范围的情况下，清洁部件与基站之间可以建立蓝牙通信。蓝牙连接的通信距离范围例如可以是小于或等于10米(m)。
在蓝牙连接建立后，清洁部件可以通过蓝牙连接向基站发送清洁运行信息。
当清洁部件执行清洁待清洁面的任务后与基站对接时，清洁部件将清洁运行信息发送给基站，基站根据清洁运行信息，按照与清洁运行信息对应的目标自清洁模式自动开始执行清洁设备的自清洁。清洁部件与基站对接，指清洁设备正确放置在基站的预设区域，且与基站通信连接。
在另一示例中，清洁部件可以周期性或非周期性向基站发送的清洁运行信息。清洁部件每次发送的清洁运行信息可以包括当前与上一次进行清洁运行信息发送的时刻之间的各个时间点被清洁对象的脏污程度。例如，清洁部件可以在每个周期向基站发送清洁运行信息，清洁运行信息包括该周期各个时间点被清洁对象的脏污程度。
在S430，基站判断清洁部件是否位于基站的预设区域。
在一个示例中，基站的预设区域可以设置有霍尔开关。霍尔开关具有无触点、低功耗、长使用寿命、响应频率高等特点。
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时，薄片的两端就会产生电位差，这种现象就称为霍尔效应。霍尔开关是一种霍尔效应有源磁电转换器件，将磁输入信号转换成开关量电信号输出。
清洁部件位于基站的预设区域情况下霍尔开关输出的电信号与清洁部件不处于基站的预设区域情况下霍尔开关输出的电信号不同。基站根据霍尔开关输出的电信号，可以确定清洁部件是否位于基站的预设区域，也即清洁部件与基站对接。
在清洁部件不处于基站的预设区域的情况下，可以再次进行S430。示例性地，S430可以周期性或非周期性进行。
在清洁部件位于基站的预设区域的情况下，可以进行S440。
在S440，基站根据清洁运行信息，确定清洁部件的运行参数信息。
运行参数信息用于指示清洁部件对被清洁对象进行清洁的清洁运行时长，和/或清洁部件在至少一个脏污程度下运行的程度时长。
清洁运行时长可以是清洁设备在上一次进行自清洁后清洁部件对被清洁对象进行清洁的时间长度。每个脏污程度对应的程度时长可以是清洁设备在上一次进行自清洁后清洁部件运行在该脏污程度的时间长度。
根据接收的各个清洁运行信息可以确定上一次进行自清洁后的时间段内各个时间点被清洁对象的脏污程度，从而可以确定该段时间内清洁部件的清洁运行时长，以及各个脏污程度对应的程度时长，得到运行参数信息。
需要注意的是：各个脏污程度对应的程度时长可以是一次待清洁面清洁过程中的累积时长。这里，一次待清洁面清洁过程指的是清洁部件开机开始清洁待清洁面到关机的持续过程；或者，指的是清洁部件开机开始清洁待清洁面到清洁后将清洁部件对接到基站的持续过程(该过程中没有发生关机事件)。例如，清洁部件开机，开始清洁待清洁面，脏污显示区域为绿色并持续1min，而后遇到较脏的待清洁面，脏污显示区域红色面积超过1/2并持续10s，待清洁面清理干净，脏污显示区域变为全部绿色并持续1min，之后，脏污显示区域红色面积占1/5并持续20s，接下来，脏污显示区域红色面积超过3/4并持续15s，紧接着，脏污显示区域红色面积占1/6并持续10s，最后，脏污显示区域变为全部绿色并持续2min，待清洁面清洁完成，清洁部件关机。在上述一次清洁过程中，脏污显示区域为绿色的脏污程度对应的程度时长为4min(1min+1min+2min)，脏污显示区域红色超过1/2的脏污程度对应的程度时长为25s(10s+15s)，脏污显示区域红色不超过1/4的脏污程度对应的程度时长为30s(20s+10s)。
在S450，基站根据运行参数信息，确定目标自清洁模式，并按照目标自清洁模式进行自清洁。
基站预设置有多个自清洁模式。根据运行参数信息，可以在多个预设的自清洁模式中确定目标自清洁模式。该多个预设的自清洁模式可以具有不同的清洁力度。
该多个预设的自清洁模式至少可以包括强力自清洁模式和快速自清洁模式。
每个预设的自清洁模式可以包括以下多个清洁步骤中的全部或部分：清洁部件的污水箱注水、污水箱排空、污水箱冲洗、清洁部件的清洁、污水箱再次排空、污水箱再次冲洗、基站的排污装置冲洗、烘干和/或紫外线灭菌等。该多个预设的自清洁模式中的步骤可以相同或不同。例如，强力自清洁模式可以包括烘干和/或紫外线灭菌，快速自清洁模式可以不包括烘干和/或紫外线灭菌。或者，该多个预设的自清洁模式中的各个步骤执行的时间长度可以相同或不同。
例如，强力自清洁模式与快速自清洁模式中，除清洁部件的清洁之外的步骤可以相同。对于清洁部件的清洁，强力自清洁模式下清洁部件的清洁所需的时长可以大于快速自清洁模式下清洁部件的清洁所需的时长。
也即，上述每个自清洁模式均包括上述多个清洁步骤中的全部或部分，每个清洁步骤包括清洁参数，不同的自清洁模式是清洁步骤、清洁参数中至少有一个不同。例如，不同的自清洁模式，可以是自清洁模式的清洁步骤不同；也可以是自清洁模式的清洁步骤相同，但每个步骤内的清洁参数不同；还可以是自清洁模式的清洁步骤不同，且每个步骤内的清洁参数不同。在一个示例中，例如，在上述“清洁部件的清洁”这一清洁步骤中，清洁参数可以是清洁时长，也可以是清洁重复次数等。
清洁部件的污水箱中可以设置喷头。喷头用于喷水，从而实现冲洗。清洁部件的清洁可以包括对滚刷、吸污管道、污水箱的清洁等。与快速自清洁模式相比，在强力自清洁模式中进行清洁部件的清洁步骤时对滚刷、吸污管道、污水箱进行清洁的时间长度可以更长。
在自清洁模式包括烘干和/或紫外线灭菌的情况下，清洁部件的清洁还可以包括对滚刷、吸污管道、污水箱等的干燥。在紫外线灭菌中可以利用紫外线对清洁部件的滚刷、吸污管道、污水箱进行紫外线灭菌。在干燥环境下，紫外线灭菌的效果更好。与快速自清洁模式相比，在强力自清洁模式中进行清洁部件的清洁步骤时对滚刷、吸污管道、污水箱等进行干燥的时间长度可以更长。
具体地，可以进行S451至S456，如图5所示。
在S451，基站判断清洁运行时长是否大于或等于第一预设时长。
在清洁运行时长小于第一预设时长的情况下，基站开启充电模式。在充电模式下，基站为清洁部件充电。
在清洁运行时长小于第一预设时长的情况下，进行S460。
第一预设时长例如可以是5秒(s)、8s或10s等。
清洁运行时长小于第一预设时长的情况下，清洁部件运行时间较短，不需要进行清洁。因此，在清洁运行时长小于第一预设时长的情况下，可以进行S460。
在清洁运行时长大于或等于第一预设时长的情况下，进行S452。
在S452，基站判断清洁运行时长是否大于或等于第二预设时长。
第二预设时长大于第一预设时长。第二预设时长例如可以是5min、8min或10min等。
在清洁运行时长大于或等于第二预设时长的情况下，基站进行S455。
在S455，基站将预设的强力自清洁模式作为目标自清洁模式。
基站可以开启强力自清洁模式或快速自清洁模式对清洁设备进行自清洁。强力自清洁模式的清洁力度大于快速自清洁模式的清洁力度。但是，与快速自清洁模式相比，在强力自清洁模式下需要较长的时间完成对清洁设备的自清洁。
清洁运行时长大于或等于第二预设时长，清洁部件运行时间较长，需要进行深度清洁，基站可以采用强力自清洁模式对清洁设备进行自清洁。
在清洁运行时长小于第二预设时长的情况下，进行S453。
在S453，基站判断第三脏污程度对应的程序时长是否大于或等于第三预设时长。
第三预设时长大于第一预设时长且小于第二预设时长。
在第三脏污程度对应的程序时长大于或等于第三预设时长的情况下，进行S455。
第三预设时长可以是22s、25s或38s等，示例性地，可以在20s至30s的范围内设置第三预设时长。第三脏污程度对应的程序时长大于或等于第三预设时长，清洁部件在脏污程度很重的第三脏污程度下运行的时间较长，需要进行深度清洁，基站可以采用强力自清洁模式对清洁设备进行自清洁。
在第三脏污程度对应的程序时长小于第三预设时长的情况下，进行S454。
在S454，基站判断第二脏污程度对应的程序时长是否大于或等于第四预设时长。
第四预设时长大于第三预设时长且小于第二预设时长。第四预设时长可以是45s、50s或60s等，示例性地，可以在40s至60s的范围内设置第四预设时长。
在第二脏污程度对应的程序时长大于或等于第四预设时长的情况下，进行S455。
第二脏污程度小于第三脏污程度，或者，第二脏污程度对应脏污吸入速率小于第三脏污程度对应的对应脏污吸入速率，但被清洁对象仍然较脏。第二脏污程度对应的程序时长大于或等于第四预设时长，清洁部件在较脏的第二脏污程度下运行的时间较长，需要进行深度清洁，基站可以采用强力自清洁模式对清洁设备进行自清洁。
在第二脏污程度对应的程序时长小于第四预设时长的情况下，进行S456。
在S456，基站将预设的快速自清洁模式作为目标自清洁模式。
或者，在S454基站也可以判断第三脏污程度对应的程序时长与第二脏污程度对应的程度时长之和是否大于或等于第四预设时长。判断结果为是则可以进行S455，判断结果为否则可以进行S456。
在基站进行S455或进行S456对清洁设备进行自清洁的过程中，或者完成对对清洁设备的自清洁之后，基站可以进行S460。
在S460，基站为清洁部件进行充电。
目标自清洁模式可以包括烘干和/或紫外线灭菌。紫外线灭菌利用适当波长的紫外线能够破坏微生物机体细胞中的脱氧核糖核酸(deoxyribonucleic acid，DNA)或核糖核酸(ribonucleic acid，RNA)的分子结构，造成生长性细胞死亡和/或再生性细胞死亡，达到杀菌消毒的效果。
紫外线灭菌的杀菌效果是由微生物所接受的照射剂量决定的。因此，在光强一定的情况下，进行较长时间的紫外线灭菌能够达到较好的杀菌效果。进行紫外线灭菌的时间长度例如可以是35min。用于烘干和/或灭菌的时长较长，明显大于其他清洁步骤，因此，烘干和/或灭菌步骤在所有其他清洁步骤之后。
在目标自清洁模式包括烘干和/或紫外线灭菌的情况下，在进行烘干和/或紫外线灭菌的同时，可以进行S460。也就是说，基站连接的电源可以同时给烘干和/或紫外线灭菌单元和清洁部件的电池供电。在本公开的另一种实施例中，用户可以触发清洁部件手柄顶部的自清洁按键，进入快速自清洁模式。这里的触发可以是单次短按、长按、连续两次短按，自清洁按键可以设置在清洁部件上任意方便用户操作的位置。
上文结合图1至图4描述了本申请实施例提供的用于清洁设备的清洁方法，下面结合图5至图6，描述本申请实施例的清洁设备和用于清洁设备的清洁装置。应理解，清洁设备和用于清洁设备的清洁装置的描述与用于清洁设备的清洁方法的描述相互对应，因此，未详细描述的部分可以参见上文的描述。
图6是本申请实施例提供的一种清洁设备的示意性结构图。
图6所示的清洁设备包括清洁部件610和处理装置620。
清洁部件610用于，对被清洁对象进行清洁。
处理装置620用于，获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，并根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
可选地，所述运行参数信息包括所述清洁部件对所述被清洁对象进行清洁的清洁运行时长。
处理装置620具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
可选地，所述运行参数信息包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长。
处理装置620具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述多个自清洁模式还包括第二自清洁模式。
处理装置620具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长；在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第一自清洁模式；在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
可选地，所述第一自清洁模式与所述第二自清洁模式均包括对所述清洁部件中的滚刷依次进行冲洗、干燥和紫外线消毒，所述第一自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第一干燥时长大于所述第二自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第二干燥时长。
可选地，处理装置620具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，根据所述运行参数信息，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述清洁设备包括基站，处理装置620位于所述基站。
处理装置620用于，在所述清洁部件位于所述基站预设区域的情况下，按照所述目标自清洁模式对所述清洁部件进行自清洁。
图7是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的清洁装置的示意性结构图。图7所示的用于清洁设备的清洁装置可以用于执行图3或图4的用于清洁设备的清洁方法。图7所示的用于清洁设备的清洁装置可以是图6所示的处理装置。
如图7所示，用于清洁设备的清洁装置包括：获取单元701和处理单元702。
获取单元701用于，获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁。
处理单元702用于，根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
可选地，所述运行参数信息包括所述清洁部件对所述被清洁对象进行清洁的清洁运行时长。
处理单元702具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
可选地，所述运行参数信息包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长。
处理单元702具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式。
可选地，第一自清洁模式和第二自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
处理单元702具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长；
在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强；
在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
可选地，所述第一自清洁模式与所述第二自清洁模式均包括对所述清洁部件中的滚刷依次进行冲洗、干燥和紫外线消毒，所述第一自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第一干燥时长大于所述第二自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第二干燥时长。
可选地，处理单元702具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，根据所述运行参数信息，确定所述目标自清洁模式。
可选地，所述清洁装置位于所述清洁设备中的基站。
处理单元702还用于，在所述清洁部件位于所述基站的预设区域的情况下，按照所述目标自清洁模式对所述清洁设备进行自清洁。
图8是本申请实施例提供的一种用于清洁设备的清洁装置的示意性结构图。用于清洁设备的清洁装置用于实现图3或图4所示的用于清洁设备的清洁处理方法。
如图8所示，用于清洁设备的清洁装置包括：包括：包括存储器801、处理器802、通信接口803以及通信总线804。其中，存储器801、处理器802、通信接口803通过通信总线804实现彼此之间的通信连接。
存储器801可以是只读存储器(read only memory，ROM)，静态存储设备，动态存储设备或者随机存取存储器(random access memory，RAM)。存储器801可以存储程序，当存储器801中存储的程序被处理器802执行时，处理器802和通信接口803用于执行本申请实施例的用于清洁设备的清洁方法的各个步骤。
处理器802可以采用通用的中央处理器(central processing unit，CPU)，微处理器，应用专用集成电路(application specific integrated circuit，ASIC)，图形处理器(graphics processing unit，GPU)或者一个或多个集成电路，用于执行相关程序，以实现本申请实施例的调料排出控制装置中的单元所需执行的功能，或者执行本申请方法实施例的用于清洁设备的清洁方法。
处理器802还可以是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，本申请的用于清洁设备的清洁方法的各个步骤可以通过处理器802中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器802还可以是通用处理器、数字信号处理器(digital signal processing，DSP)、专用集成电路(application specific integratedcircuit，ASIC)、现成可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本申请实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器801，处理器802读取存储器801中的信息，结合其硬件完成本申请实施例的调料排出控制装置中包括的单元所需执行的功能，或者执行本申请方法实施例的用于清洁设备的清洁方法。
通信接口803使用例如但不限于收发器一类的收发装置，来实现图8所示的电子设备与其他设备或通信网络之间的通信。例如，可以通过通信接口803发送控制信息，以实现对清洁设备按照目标自清洁模式的自清洁；或者，可以通过通信接口803获取运行参数信息。
通信总线804可包括在图8所示的电子设备各个部件(例如，存储器801、处理器802、通信接口803)之间传送信息的通路。
本申请实施例还提供一种存储介质，所述存储介质存储有程序，所述程序被处理器执行，用于实现上述用于清洁设备的清洁方法。
本申请实施例还提供一种烹饪设备，所述烹饪设备包括前文所述的添料装置。
需要说明的是，尽管在上文详细描述中提及了用于动作执行的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本申请的具体实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
结合具体的应用场景对本申请实施例提供的技术方案进行说明。
应用场景
清洁设备包括清洁部件和基站。清洁部件放置在基站的预设区域的情况下，基站接收清洁部件发送的运行参数信息，运行参数信息包括清洁部件对被清洁对象进行清洁的清洁运行时长，以及第二脏污程度对应的第二程度时长、第三脏污程度对应的第三程度时长。脏污程度对应的程度时长用于表示清洁部件在该脏污程度下运行的时长。第三脏污程度下的被清洁对象比第二脏污程度下的被清洁对象更加脏污。
在清洁运行时长小于8s的情况下，基站对清洁部件进行充电。在清洁运行时长大于或等于50s的情况下，基站按照强力自清洁模式对清洁设备进行自清洁。在清洁运行时长大于或等于8s且小于50s的情况下，如果第三程度时长大于或等于25s，或第二程度时长大于或等于50s，则基站按照强力自清洁模式对清洁设备进行自清洁；反之，基站按照快速自清洁模式对清洁设备进行自清洁。强力自清洁模式的清洁力度大于快速自清洁模式的清洁力度。
此外，尽管在附图中以特定顺序描述了本申请中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
应当注意，本申请的实施方式可以通过硬件、软件或者软件和硬件的结合来实现。硬件部分可以利用专用逻辑来实现；软件部分可以存储在存储器中，由适当的指令执行系统，例如微处理器或者专用设计硬件来执行。本领域的普通技术人员可以理解上述的设备和方法可以使用计算机可执行指令和/或包含在处理器控制代码中来实现，例如在诸如磁盘、CD或DVD-ROM的载体介质、诸如只读存储器(固件)的可编程的存储器或者诸如光学或电子信号载体的数据载体上提供了这样的代码。本申请的设备及其模块可以由诸如超大规模集成电路或门阵列、诸如逻辑芯片、晶体管等的半导体、或者诸如现场可编程门阵列、可编程逻辑设备等的可编程硬件设备的硬件电路实现，也可以用由各种类型的处理器执行的软件实现，也可以由上述硬件电路和软件的结合例如固件来实现。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种用于清洁设备的清洁方法，其特征在于，包括：
获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；
根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述运行参数信息包括所述清洁部件对所述被清洁对象进行清洁的清洁运行时长；所述根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式，包括：
在所述清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述运行参数信息包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长；
所述根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式，包括：根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述多个自清洁模式包括第一自清洁模式和第二自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强；所述根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式，包括：
根据所述至少一个程度时长，确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长；
在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第一自清洁模式；
在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一自清洁模式与所述第二自清洁模式均包括对所述清洁部件中的滚刷依次进行冲洗、干燥和紫外线消毒，所述第一自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第一干燥时长大于所述第二自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第二干燥时长。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式，包括：
在所述清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，根据所述运行参数信息，确定所述目标自清洁模式。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法应用于所述清洁设备中的基站；
所述方法还包括：在所述清洁部件位于所述基站的预设区域的情况下，按照所述目标自清洁模式对所述清洁设备进行自清洁。
8.一种清洁设备，其特征在于，包括：清洁部件和处理装置；
所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；
所述处理装置用于，根据所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
9.根据权利要求8所述的清洁设备，其特征在于，所述运行参数信息包括所述清洁部件对所述被清洁对象进行清洁的清洁运行时长；
所述处理装置具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第一阈值的情况下，确定所述目标自清洁模式为第一自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强。
10.根据权利要求8或9所述的清洁设备，其特征在于，所述运行参数信息包括至少一个预设脏污程度中每个预设脏污程度对应的程度时长，每个预设脏污程度对应的程度时长用于表示所述清洁部件在所述预设脏污程度下运行的时长；
所述处理装置具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述目标自清洁模式。
11.根据权利要求10所述的清洁设备，其特征在于，所述多个自清洁模式包括第一自清洁模式和第二自清洁模式，所述多个自清洁模式中所述第一自清洁模式的清洁力度最强；
所述处理装置具体用于，根据所述至少一个程度时长，确定所述清洁部件在所述至少一个预设脏污程度中目标脏污程度下运行的目标环境运行时长；
在所述目标环境运行时长大于或等于预设的第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第一自清洁模式；
在所述目标环境运行时长小于所述第二阈值的情况下，所述目标自清洁模式为所述第二自清洁模式。
12.根据权利要求11所述的清洁设备，其特征在于，所述第一自清洁模式与所述第二自清洁模式均包括对所述清洁部件中的滚刷依次进行冲洗、干燥和紫外线消毒，所述第一自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第一干燥时长大于所述第二自清洁模式中对所述滚刷进行干燥的第二干燥时长。
13.根据权利要求8或9所述的清洁设备，其特征在于，所述处理装置具体用于，在所述清洁运行时长大于或等于预设的第三阈值的情况下，根据所述运行参数信息，确定所述目标自清洁模式。
14.根据权利要求8或9所述的清洁设备，其特征在于，所述处理装置位于所述清洁设备中的基站；
所述处理装置还用于，在所述清洁部件位于所述基站的预设区域的情况下，按照所述目标自清洁模式对所述清洁设备进行自清洁。
15.一种用于清洁设备的清洁装置，其特征在于，包括获取单元和处理单元；
所述获取单元用于，获取所述清洁设备中清洁部件的运行参数信息，所述清洁部件用于对被清洁对象进行清洁；
所述处理单元用于，根据所述运行参数信息，在多个用于对所述清洁设备进行自清洁的自清洁模式中确定目标自清洁模式。
16.一种用于清洁设备的清洁装置，其特征在于，处理器和存储器；
所述存储器用于存储程序，所述处理器调用存储器存储的程序，以执行权利要求1-7任一项所述的方法。
17.一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有程序和数据，所述程序被处理器执行，用于实现权利要求1-7任一项所述的方法。
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