CN116048167A - 自适应启动的电源电路、集成电路及自适应启动电路 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种自适应启动的电源电路、集成电路及自适应启动电路，属于电子电路技术领域。该自适应启动的电源电路包括主体电路和自适应启动电路；主体电路用于产生基准电压、偏置电压、基准电流、或偏置电流；所述自适应启动电路中启动管的第一端、第二端均与所述主体电路连接，受所述主体电路的控制，所述启动管的启动电流由所述主体电路的自身结构决定，所述自适应启动电路用于启动所述主体电路。本申请克服了因启动电流较小导致电路无法正常工作，或因启动电流较大导致电路稳定后的漏电电流也比较大，进而影响输出电压或电流精度的问题。

Description

自适应启动的电源电路、集成电路及自适应启动电路

技术领域

本申请属于电子电路技术领域，具体涉及一种自适应启动的电源电路、集成电路及自适应启动电路。

背景技术

诸如电源芯片、运放比较器等模拟芯片，以及诸如数模转换器(ADC)、模数转换器(DAC)等混合信号芯片已经广泛应用于各种系统中，而偏置电路、基准电路作为模拟芯片与混合信号芯片中的重要电路，这些电路是否能够正常启动，将直接决定芯片是否能够工作。

偏置电路(包括偏置电压产生电路和偏置电流产生电路)、基准电路(基准电压产生电路和基准电流产生电路)往往会存在多个简并点(一个电路能够自稳定的静态工作点)。因此必须采用可靠的启动电路，才能保证偏置电路、基准电路输出正常的电流、电压，否则电路会无法启动，从而影响芯片系统的正常工作。

对于存在多个简并点的偏置电路或基准电路，所需启动电流大小会随着工艺、温度、电压变化。若采用较大的启动电流，电路稳定后的漏电电流也会比较大，进而影响输出电压或电流精度；若启动电流较小，会导致电路无法正常工作，因而很难选择适合的启动电流。

发明内容

鉴于此，本申请的目的在于提供一种自适应启动的电源电路、集成电路及自适应启动电路，用于为主体电路提供适合的启动电流，以克服因启动电流较小导致电路无法正常工作，或因启动电流较大导致电路稳定后的漏电电流也比较大，进而影响输出电压或电流精度的问题。

本申请的实施例是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供了一种自适应启动的电源电路，包括：主体电路、自适应启动电路；主体电路，用于产生基准电压、偏置电压、基准电流、或偏置电流；所述自适应启动电路中启动管的第一端、第二端均与所述主体电路连接，受所述主体电路的控制，所述启动管的启动电流由所述主体电路的自身结构决定，所述自适应启动电路用于启动所述主体电路。本申请实施例中，自适应启动电路中启动管的第一端、第二端均与主体电路连接，受主体电路的控制，该自适应启动电路的启动电流会随着主体电路的主体结构的变化而变化，可随着主体电路的主体结构变化而自适应的调节，从而为主体电路提供适合的启动电流，从而可以克服因启动电流较小导致电路无法正常工作，或因启动电流较大导致电路稳定后的漏电电流也比较大，进而影响输出电压或电流精度的问题。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述自适应启动电路还包括：限流器件、开关管；限流器件，所述启动管的控制端通过所述限流器件连接电源；开关管，所述开关管的第一端与所述启动管的控制端连接，所述开关管的第二端接地，所述开关管的控制端与所述启动管的第二端连接。本申请实施例中，通过采用上述结构的自适应启动电路，能够在电源上电后，自动开启启动管提供适合的启动电流以启动主体电路，并在启动电路启动后，通过开关管将启动管关闭，从而保证主体电路的正常工作，此外还具备结构简单易用实现的优点。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述启动管为NMOS管或NPN三极管。本申请实施例中，采用NMOS管或NPN三极管这种成本低廉的器件，能进一步降低电路设计成本。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述限流器件为限流电阻，所述限流电阻的一端用于连接所述电源，所述限流器件的另一端分别与所述启动管的控制端、所述开关管的第一端连接；或者，所述限流器件为MOS管，所述MOS管的栅极端、漏极端用于连接所述电源，所述MOS管的源极端与所述启动管的控制端连接，或者，所述MOS管的栅极端、漏极端与所述启动管的控制端连接，所述MOS管的源极端用于连接所述电源，或者，所述MOS管的栅极端接地或接电源，所述MOS管漏极端与所述启动管的控制端连接，所述MOS管的源极端用于连接所述电源。本申请实施例中，限流器件可以采用限流电阻或MOS管等常见的器件，在实现其目的的同时，能进一步降低电路设计成本。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述主体电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和限流电阻；所述第一晶体管的第二端用于连接电源，所述第一晶体管的控制端与所述启动管的第一端连接，所述第一晶体管的第一端与所述启动管的第二端连接；所述第二晶体管的第二端用于连接电源，所述第二晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二晶体管的第一端与其控制端连接，所述第二晶体管的第一端用于输出基准电压或偏置电压；所述第三晶体管的第一端与所述第一晶体管的第一端连接，所述第三晶体管的控制端与其第一端连接，所述第三晶体管的第二端接地；所述第四晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端连接，所述第四晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的第二端经所述限流电阻接地。本申请实施例中，采用上述结构的主体电路，使得该主体电路可以作为基准电压电路输出基准电压或作为偏置电压电路输出偏置电压。此外，由于启动管的第一端与第一晶体管的控制端连接，启动管的第二端与第一晶体管的第一端连接，使得启动管第一端的电压、第二端的电压的压差较小，进而流过的电流也较小，从而对输出电流的精度影响较小。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述主体电路包括：第一晶体管、第二晶体管，第三晶体管、运放器、第四晶体管和限流电阻；所述第一晶体管的第二端用于连接电源，所述第一晶体管的控制端与所述启动管的第一端连接，所述第一晶体管的第一端与所述启动管的第二端连接；所述第二晶体管的第二端用于连接电源，所述第二晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二晶体管的第一端用于输出所述基准电压；所述第三晶体管的第二端与所述第一晶体管的第一端连接，所述第三晶体管的控制端与其第一端连接，所述第三晶体管的第一端接地；所述第四晶体管的第二端经所述限流电阻与所述第二晶体管的第一端连接，所述第四晶体管的控制端与其第一端连接，所述第四晶体管的第一端接地；所述运放器的第一输入端与所述第一晶体管的第一端连接，所述运放器的第二输入端与第二晶体管的第一端连接，所述运放器的输出端与所述第一晶体管的控制端连接。本申请实施例中，采用上述结构的主体电路，使得该主体电路可以作为基准电压电路输出基准电压。此外，由于启动管的第一端与第一晶体管的控制端连接，启动管的第二端与第一晶体管的第一端连接，使得启动管第一端的电压、第二端的电压的压差较小，进而流过的电流也较小，从而对输出电流的精度影响较小。

结合第一方面实施例的一种可能的实施方式，所述主体电路还包括：第五晶体管，所述第五晶体管的第二端用于连接所述电源，所述第五晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第五晶体管的第一端用于输出基准电流或偏置电流。本申请实施例中，通过进一步增加第五晶体管，使得原本输出基准电压(或基准电流)的主体电路可以输出基准电流(或偏置电流)，使得该主体电路可以作为基准电流电路输出基准电流或作为偏置电流电路输出偏置电流，从而增强了方案的适用性。

第二方面，本申请实施例还提供了一种集成电路，集成有上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例的任一种可能的实施方式提供的自适应启动的电源电路。

第三方面，本申请实施例还提供了一种电子设备，包括：本体和如上述第一方面实施例和/或结合第一方面实施例的任一种可能的实施方式提供的自适应启动的电源电路或如上述第二方面实施例提供的集成电路。

第四方面，本申请实施例还提供了一种自适应启动电路，用于启动主体电路所述自适应启动电路包括：限流器件、启动管、开关管；所述启动管的控制端通过所述限流器件连接电源，所述启动管的第一端、第二端均用于与所述主体电路连接，受所述主体电路的控制，所述启动管的启动电流随着所述主体电路的主体结构的变化而变化；所述开关管的第一端与所述启动管的控制端连接，所述开关管的第二端接地，所述开关管的控制端与所述启动管的第二端连接。

本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请实施例而了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。通过附图所示，本申请的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本申请的主旨。

图1示出了本申请实施例提供的一种自适应启动的电源电路的结构框图。

图2示出了本申请实施例提供的一种自适应启动的电源电路的电路原理示意图。

图3示出了本申请实施例提供的又一种自适应启动的电源电路的电路原理示意图。

图4示出了本申请实施例提供的又一种自适应启动的电源电路的电路原理示意图。

图5示出了本申请实施例提供的又一种自适应启动的电源电路的电路原理示意图。

图6示出了本申请实施例提供的又一种自适应启动的电源电路的电路原理示意图。

图7示出了本申请实施例提供的又一种自适应启动的电源电路的电路原理示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中诸如“第一”、“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

再者，本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

鉴于现有对于存在多个简并点的偏置电路或基准电路，很难选择适合的启动电流的问题。本申请实施例提供了一种自适应启动的电源电路，顾名思义，自适应启动的电源电路即为带有自适应启动电路的电源电路，包括自适应启动电路和主体电路。自适应启动电路中启动管的第一端、第二端均与主体电路连接，受主体电路的控制，该自适应启动电路的启动电流会随着主体电路的主体结构的变化而变化，可随着主体电路的主体结构变化而自适应的调节，从而为主体电路提供适合的启动电流，从而可以克服因启动电流较小导致电路无法正常工作，或因启动电流较大导致电路稳定后的漏电电流也比较大，进而影响输出电压或电流精度的问题。

其中，该自适应启动的电源电路可以是自适应启动的偏置电流电路、自适应启动的偏置电压电路、自适应启动的基准电压电路、自适应启动的基准电流电路中的任一种电路。

为了便于理解，下面结合图1对本申请实施例提供的自适应启动的电源电路进行说明。自适应启动电路用于启动主体电路，包括：限流器件、启动管、开关管。启动管的控制端通过限流器件连接电源，启动管的第一端、第二端均用于与主体电路连接，受主体电路的控制，启动管的启动电流随着主体电路的主体结构的变化而变化。开关管的第一端与启动管的控制端连接，开关管的第二端接地，开关管的控制端与启动管的第二端连接。

其中，启动管可以是MOS管，一种实施方式下，例如，启动管为NMOS管，此时，启动管的控制端为栅极，启动管的第一端为漏极，启动管的第二端为源极。此外，启动管也可以是三极管，一种实施方式下，例如，启动管为NPN三极管，此时，启动管的控制端为基极，启动管的第一端为集电极，启动管的第二端为发射极。

限流器件可以为限流电阻，此时，限流电阻的一端用于连接电源，限流器件的另一端分别与启动管的控制端、开关管的第一端连接。此外，限流器件也可以为MOS管，连接时，MOS管的栅极端、漏极端用于连接电源，MOS管的源极端与启动管的控制端连接，或者，MOS管的栅极端、漏极端与启动管的控制端连接，MOS管的源极端用于连接电源。或者，所述MOS管的栅极端接地或接电源，所述MOS管漏极端与所述启动管的控制端连接，所述MOS管的源极端用于连接所述电源。

其中，若限流器件为PMOS管，则PMOS管的栅极端、漏极端与启动管的控制端连接，PMOS管的源极端用于连接电源；若限流器件为NMOS管，则PMOS管的栅极端、漏极端用于连接电源，PMOS管的源极端与启动管的控制端连接。按照该种方式连接的MOS管可称为以二极管形式连接的MOS管。

此外，当限流器件为MOS管时，连接时，也可以是MOS管的栅极端接地或接电源，所述MOS管漏极端与所述启动管的控制端连接，所述MOS管的源极端用于连接所述电源。若限流器件为PMOS管，则PMOS管的栅极端接地，漏极端与启动管的控制端连接，PMOS管的源极端用于连接电源。若限流器件为NMOS管，PMOS管的栅极端接电源，漏极端用于连接电源，PMOS管的源极端与启动管的控制端连接。按照该种方式连接的MOS管可称为以开关形式连接的MOS管。

开关管用于关闭启动管，在启动管启动主体电路后，开关管导通从而将启动管关闭。一种可选实施方式下，开关管可以是NMOS管，此时，开关管的漏极与启动管的控制端连接，开关管的源极接地，开关管的栅极与启动管的第二端连接。

其中，主体电路用于产生基准电压、偏置电压基准电流或偏置电流，其可以是基准电路(基准电压电路、基准电流电路)或偏置电路(偏置电流电路、偏置电压电路)，也即，主体电路可以是偏置电流电路、偏置电压电路、基准电压电路、基准电流电路中的任一种电路。

偏置电流电路的结构与基准电流电路的结构可以不同也可以相同，例如，对于同一种主体电路，若该主体电路是给其他电路提供电流偏置则叫偏置电流电路，若是给其他电路提供基准电流则叫基准电流电路。同理，偏置电压电路的结构和基准电压电路的结构可以不同，也可以相同，例如，对于同一种主体电路，若该主体电路是给其他电路提供电压偏置则叫偏置电压电路，若是给其他电路提供基准电压则叫基准电压电路。主体电路是基准电路还是偏置电路完全取决于它在电路中所起的作用。

一种实施方式下，主体电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和限流电阻。第一晶体管的第二端用于连接电源，第一晶体管的控制端与启动管的第一端连接，第一晶体管的第一端与启动管的第二端连接。第二晶体管的第二端用于连接电源，第二晶体管的控制端与第一晶体管的控制端连接，第二晶体管的第一端与其控制端连接，第二晶体管的第一端用于输出基准电压或偏置电压。第三晶体管的第一端与第一晶体管的第一端连接，第三晶体管的控制端与其第一端连接，第三晶体管的第二端接地。第四晶体管的第一端与第二晶体管的第一端连接，第四晶体管的控制端与第三晶体管的控制端连接，第四晶体管的第二端经限流电阻接地。此时，主体电路可以是偏置电压电路或基准电压电路。

其中，第一晶体管和第二晶体管为电源开关管，其可以为PMOS管，第三晶体管、第四晶体管可以为NMOS管。此时，一种可选实施方式下，自适应启动的电源电路的电路原理图，可以如图2、图3、图4所示。此时，第一晶体管的第一端为漏极，第一晶体管的第二端为源极，第一晶体管的控制端为栅极。第二晶体管的第一端为漏极，第二晶体管的第二端为源极，第二晶体管的控制端为栅极。第三晶体管的第一端为漏极，第三晶体管的第二端为源极，第三晶体管的控制端为栅极。第四晶体管的第一端为漏极，第四晶体管的第二端为源极，第四晶体管的控制端为栅极。

其中，图2、图3、图4所示的电路图中的MP0管为第一晶体管，MP1管为第二晶体管，MN0管为第三晶体管，MN1管为第四晶体管。图2、图3、图4所示的电路图中主体电路结构一致，不同之处在于，自适应启动电路的结构不同，具体地，图2所示的自适应启动电路中，其限流器件为电阻R2，启动管MN2为NMOS管，开关管为MN3；而图3所示的自适应启动电路中，其限流器件为晶体管MP3，启动管MN2为NMOS管，开关管为MN3；而图4所示的自适应启动电路中，其限流器件为电阻R1，启动管MN2为NPN三极管，开关管为MN3。

其中，图2、图3、图4所示的自适应启动的电源电路的原理类似，下面结合图2进行原理说明。VDD上电开始，pg_ct会受MP0、MP1的寄生栅源电容Cgs控制，跟随VDD上升，同理，ng_ct会受MN0、MN1的寄生栅源电容Cgs控制，从而ng_ct＝0。开关管MN3关闭，启动管MN2栅端电压v_start通过电阻R1跟随VDD上升，当v_start电压上升至Vth(阈值电压，也称为开启电压)，则启动管MN2导通，此时ng_ct＝pg_ct，ng_ct电压由MP0、MP1的并联电阻与MN0、(MN1+R0)的并联电阻的分压决定，ng_ct≈0.5VDD，且随VDD上升而升高；当ng_ct上升至Vth时，开关管MN3导通，v_start＝0，启动管MN2关闭，启动电路关闭。其中，在启动管MN2导通时，会将pg_ct电压拉低，从而MP0、MP1导通，在开关管MN3导通，MN0、MN1也会导通，从而MN0、MN1、MP0、MP1形成正反馈，MN0、MN1、MP0、MP1、R0形成负反馈，最终在平衡点稳定。

由于启动管MN2的第一端与主体电路中的PMOS管的栅极端连接，而启动管MN2的第二端与主体电路中的NMOS管的栅极端(MP0管的漏级端)连接，使得启动管MN2的漏源电压Vds很小(Vds＝pg_ct-ng_ct，其中，pg_ct＝VDD-Vgs1，ng_ct＝Vgs2，Vgs1为MP0的栅源间电压，Vgs2为MN2的栅源间电压)，进而漏电流也较小，对主体电路的输出电压或电流精度影响较小。

又一种实施方式下，主体电路除了包含图2至图4的结构(第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和限流电阻)外，还包括：第五晶体管，其示意图如图5所示。第五晶体管的第二端用于连接电源，第五晶体管的控制端与第一晶体管的控制端连接，第五晶体管的第一端用于输出基准电流或偏置电流。此时，主体电路可以是偏置电流电路或基准电流电路。其中，图5中的MP2即为第五晶体管，此时，第五晶体管的第一端为漏极，第五晶体管的第二端为源极，第五晶体管的控制端为栅极。需要说明的是，图5所示的自适应启动电路可以替换为其他结构的自适应启动电路，例如，可以将图5中的自适应启动电路替换为图3或图4中的自适应启动电路。

若对于基准电压的精度要求比较高，则又一种实施方式下，主体电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、运放器、第四晶体管和限流电阻，此时，主体电路为基准电压电路。第一晶体管的第二端用于连接电源，第一晶体管的控制端与启动管的第一端连接，第一晶体管的第一端与启动管的第二端连接。第二晶体管的第二端用于连接电源，第二晶体管的控制端与第一晶体管的控制端连接，第二晶体管的第一端用于输出基准电压。第三晶体管的第二端与第一晶体管的第一端连接，第三晶体管的控制端与其第一端连接，第三晶体管的第一端接地。第四晶体管和限流电阻，第四晶体管的第二端经限流电阻与第二晶体管的第一端连接，第四晶体管的控制端与其第一端连接，第四晶体管的第一端接地。运放器的第一输入端与第一晶体管的第一端连接，运放器的第二输入端与第二晶体管的第一端连接，运放器的输出端与第一晶体管的控制端连接。

其中，第一晶体管和第二晶体管为电源开关管，其可以为PMOS管，第三晶体管、第四晶体管可以为PNP三级管。此时，一种可选实施方式下，自适应启动的电源电路的电路原理图，可以如图6所示。此时，第一晶体管的第一端为漏极，第一晶体管的第二端为源极，第一晶体管的控制端为栅极第二晶体管的第一端为漏极，第二晶体管的第二端为源极，第二晶体管的控制端为栅极。第三晶体管的第一端为集电极，第三晶体管的第二端为发射极，第三晶体管的控制端为基极。第四晶体管的第一端为集电极，第四晶体管的第二端为发射极，第四晶体管的控制端为基极。

其中，图6中的MP0为第一晶体管，MP1为第二晶体管，MN0为第三晶体管，MN1为第四晶体管，U为运放器。需要说明的是，图6所示的示意图中，是运放器的反相输入端与第一晶体管MP0的第一端连接，运放器的同相输入端与第二晶体管MP1的第一端连接，当然也可以反过来，即运放器的同相输入端与第一晶体管MP0的第一端连接，运放器的反相输入端与第二晶体管MP1的第一端连接。此外，图6所示的自适应启动电路可以替换为其他结构的自适应启动电路，例如，可以将图6中的自适应启动电路替换为图3或图4中的自适应启动电路。

在该种实施方式下，VDD上电开始，pg_ct会受MP0、MP1的寄生栅源电容Cgs控制，跟随VDD上升；NPN三极管MN0、MN1关闭，ng_ct＝0。开关管MN3关闭，启动管MN2栅端电压v_start，通过电阻R1跟随VDD上升，当v_start电压上升至Vth，则启动管MN2管导通，此时ng_ct＝pg_ct，ng_ct电压由MP0的电阻、MN0的电阻分压决定，ng_ct≈0.5VDD，且随VDD上升而升高；当ng_ct上升至Vth时，开关管MN3导通，v_start＝0，启动管MN2关闭，启动电路关闭。MP0、MN0和运放器形成正反馈，MN1、电阻R0、MP1和运放器形成负反馈，最终在平衡点稳定。

由于启动管的第一端、第二端均与主体电路连接，如启动管的第一端与主体电路中的PMOS管的栅极连接，启动管的第二端与主体电路中的MP0管的漏级端或NMOS管的栅极连接，使得启动管的启动电流由主体电路的串联阻抗决定，自适应调节，不受启动管尺寸影响。对于图2所示的自适应启动的电源电路，其ng_ct电压由MP0、MP1的并联电阻与MN0、(MN1+R0)的并联电阻的分压决定，而对于图6所示的自适应启动的电源电路，其ng_ct电压由MP0的电阻、MN0的电阻分压决定。不同的主体电路，对应的启动管MN2源极端电压ng_ct不同，进而对应的启动电流也不同，可随着主体电路的主体结构变化而自适应的调节，从而为主体电路提供适合的启动电流，从而可以克服因启动电流较小导致电路无法正常工作，或因启动电流较大导致电路稳定后的漏电电流也比较大，进而影响输出电压或电流精度的问题。

又一种实施方式下，主体电路除了包含图6所示结构(第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、运放器、第四晶体管和限流电阻)外，还包括：第五晶体管，其示意图如图7所示。第五晶体管的第二端用于连接电源，第五晶体管的控制端与第一晶体管的控制端连接，第五晶体管的第一端用于输出基准电流。此时，主体电路可以是高精度的基准电流电路。其中，图7中的MP2即为第五晶体管，此时，第五晶体管的第一端为漏极，第五晶体管的第二端为源极，第五晶体管的控制端为栅极。需要说明的是，图7所示的自适应启动电路可以替换为其他结构的自适应启动电路，例如，可以将图7中的自适应启动电路替换为图3或图4中的自适应启动电路。。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种自适应启动电路，该自适应启动电路用于启动主体电路，包括：限流器件、启动管、开关管。启动管的控制端通过限流器件连接电源，启动管的第一端、第二端均用于与主体电路连接，受主体电路的控制，启动管的启动电流随着主体电路的主体结构的变化而变化。开关管的第一端与启动管的控制端连接，开关管的第二端接地，开关管的控制端与启动管的第二端连接。

本申请实施例所提供的自适应启动电路，其实现原理及产生的技术效果和前述自适应启动的电源电路实施例中的自适应启动电路相同，为简要描述，自适应启动电路实施例部分未提及之处，可参考前述自适应启动的电源电路实施例中相应内容。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种集成有上述自适应启动的电源电路的集成电路。该集成电路可以是常见的诸如电源芯片、运放比较器等模拟电路，也可以是诸如数模转换器(ADC)、模数转换器(DAC)等混合信号电路(模拟信号和数字信号混合)，也即该集成电路可以为电源芯片电路、运放比较器、数模转换器、模数转换器中的任一种电路。

集成电路实施例所提供的自适应启动的电源电路，其实现原理及产生的技术效果和前述自适应启动的电源电路实施例相同，为简要描述，集成电路实施例部分未提及之处，可参考前述自适应启动的电源电路实施例中相应内容。

基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种电子设备包括：本体和如上述所示的自适应启动的电源电路或集成电路。该电子设备可以是包括诸如电源芯片、运放比较器等模拟电路，和/或，包含诸如数模转换器(ADC)、模数转换器(DAC)等混合信号电路的设备。例如，该电子设备可以是手机、平板、电脑、服务器等。

需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种自适应启动的电源电路，其特征在于，包括：

主体电路，用于产生基准电压、偏置电压、基准电流、或偏置电流；

自适应启动电路，所述自适应启动电路中启动管的第一端、第二端均与所述主体电路连接，受所述主体电路的控制，所述启动管的启动电流由所述主体电路的自身结构决定，所述自适应启动电路用于启动所述主体电路。

2.根据权利要求1所述的自适应启动的电源电路，其特征在于，所述自适应启动电路还包括：

限流器件，所述启动管的控制端通过所述限流器件连接电源；

开关管，所述开关管的第一端与所述启动管的控制端连接，所述开关管的第二端接地，所述开关管的控制端与所述启动管的第二端连接。

3.根据权利要求2所述的自适应启动的电源电路，其特征在于，所述启动管为NMOS管或NPN三极管。

4.根据权利要求2所述的自适应启动的电源电路，其特征在于，所述限流器件为限流电阻，所述限流电阻的一端用于连接所述电源，所述限流器件的另一端分别与所述启动管的控制端、所述开关管的第一端连接；或者，

所述限流器件为MOS管，所述MOS管的栅极端、漏极端用于连接所述电源，所述MOS管的源极端与所述启动管的控制端连接，或者，所述MOS管的栅极端、漏极端与所述启动管的控制端连接，所述MOS管的源极端用于连接所述电源，或者，所述MOS管的栅极端接地或接电源，所述MOS管漏极端与所述启动管的控制端连接，所述MOS管的源极端用于连接所述电源。

5.根据权利要求1所述的自适应启动的电源电路，其特征在于，所述主体电路包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第二端用于连接电源，所述第一晶体管的控制端与所述启动管的第一端连接，所述第一晶体管的第一端与所述启动管的第二端连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的第二端用于连接电源，所述第二晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二晶体管的第一端与其控制端连接，所述第二晶体管的第一端用于输出基准电压或偏置电压；

第三晶体管，所述第三晶体管的第一端与所述第一晶体管的第一端连接，所述第三晶体管的控制端与其第一端连接，所述第三晶体管的第二端接地；

第四晶体管和限流电阻，所述第四晶体管的第一端与所述第二晶体管的第一端连接，所述第四晶体管的控制端与所述第三晶体管的控制端连接，所述第四晶体管的第二端经所述限流电阻接地。

6.根据权利要求1所述的自适应启动的电源电路，其特征在于，所述主体电路包括：

第一晶体管，所述第一晶体管的第二端用于连接电源，所述第一晶体管的控制端与所述启动管的第一端连接，所述第一晶体管的第一端与所述启动管的第二端连接；

第二晶体管，所述第二晶体管的第二端用于连接电源，所述第二晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第二晶体管的第一端用于输出基准电压；

第三晶体管，所述第三晶体管的第二端与所述第一晶体管的第一端连接，所述第三晶体管的控制端与其第一端连接，所述第三晶体管的第一端接地；

第四晶体管和限流电阻，所述第四晶体管的第二端经所述限流电阻与所述第二晶体管的第一端连接，所述第四晶体管的控制端与其第一端连接，所述第四晶体管的第一端接地；

运放器，所述运放器的第一输入端与所述第一晶体管的第一端连接，所述运放器的第二输入端与第二晶体管的第一端连接，所述运放器的输出端与所述第一晶体管的控制端连接。

7.根据权利要求5或6所述的自适应启动的电源电路，其特征在于，所述主体电路还包括：

第五晶体管，所述第五晶体管的第二端用于连接所述电源，所述第五晶体管的控制端与所述第一晶体管的控制端连接，所述第五晶体管的第一端用于输出基准电流或偏置电流。

8.一种集成电路，其特征在于，集成有如权利要求1-7中任一项所述的自适应启动的电源电路。

9.一种自适应启动电路，用于启动主体电路，其特征在于，所述自适应启动电路包括：

限流器件；

启动管，所述启动管的控制端通过所述限流器件连接电源，所述启动管的第一端、第二端均用于与所述主体电路连接，受所述主体电路的控制，所述启动管的启动电流随着所述主体电路的主体结构的变化而变化；

开关管，所述开关管的第一端与所述启动管的控制端连接，所述开关管的第二端接地，所述开关管的控制端与所述启动管的第二端连接。

10.一种电子设备，其特征在于，包括：本体和如权利要求1-7任一项所述的自适应启动的电源电路或如权利要求8所述的集成电路。

Images