CN113885639B - 基准电路、集成电路及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及电路领域，特别涉及一种基准电路、集成电路及电子设备。本申请的基准电路包括第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻；本申请的基准电路不易受到衬底注入和衬底干扰的影响，提高基准电路的抗干扰能力；且本申请的结构不存在简并态，绝对稳定可靠，因此不需要增加额外的启动电路；本申请的结构电流选取可大可小，只影响电压离散度性能，可根据需求选择，电流大小不影响可靠性；本申请的结构面积远小于传统使用二极管或者三极管的结构，空间占用较小。

Description

基准电路、集成电路及电子设备
技术领域
本发明涉及电路领域，特别涉及一种基准电路、集成电路及电子设备。
背景技术
基准电路几乎是所有芯片必需的电路模块，其作用非常关键。由于基准电路的特殊性即通常设计为上电就工作并且不能关闭，因此，对基准电路的电量消耗的要求较为苛刻。
传统的基准电路，无论哪种结构，都需要使用二极管或者三极管。然而，在高压液晶驱动器(LCD-Driver)工艺中，二极管或者三极管器件被证明是不可靠的器件，非常容易受到衬底注入和衬底扰动的干扰。因此在高压LCD-Driver工艺中，基准电路往往极容易受到干扰而短暂失效，导致芯片工作不正常。
发明内容
本申请实施例的主要目的在于提出一种基准电路、集成电路及电子设备，提高基准电路的抗干扰能力。
为实现上述目的，本申请实施例提供了一种基准电路，包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻；所述第一电阻的第一端连接所述电源，所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的漏极，所述第一开关管的源极接地，所述第一开关管的栅极连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端接地；所述第二开关管的栅极连接所述第一电阻的第二端，所述第二开关管的漏极连接所述第三开关管的漏极，所述第二开关管的源极接地；所述第三开关管的源极连接所述电源，所述第三开关管的栅极连接所述第四开关管的栅极，所述第四开关管的源极连接所述电源，所述第四开关管的漏极连接所述第二电阻的第一端，所述第四开关管的栅极连接所述第四开关管的漏极；所述第五开关管的栅极连接所述第四开关管的栅极，所述第五开关管的源极连接所述电源，所述第五开关管的漏极连接所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端接地；所述第五开关管的漏极与第三电阻的第一端之间存在一个节点，所述节点作为所述基准电路的输出端。
本申请实施例还提供了一种集成电路，包括上述的基准电路。
本申请实施例还提供了一种电子设备，包括上述的集成电路。
本申请通过使用MOS管，不易受到衬底注入和衬底干扰的影响，提高基准电路的抗干扰能力；且这种结构不存在简并态，绝对稳定可靠，因此不需要增加额外的启动电路；这种结构电流选取可大可小，只影响电压离散度性能，可根据需求选择，电流大小不影响可靠性；这种结构使用MOS管和电阻，面积远小于传统使用二极管或者三极管的结构，空间占用较小。
另外，所述第一开关管、所述第二开关管为NMOS管；所述第三开关管、第四开关管、第五开关管为PMOS管。
另外，所述第三电阻为可变电阻。
另外，所述基准电路还包括密勒补偿模块；所述密勒补偿模块的第一端连接所述第一电阻的第二端，所述密勒补偿模块的第二端连接所述第二电阻的第一端。
另外，所述密勒补偿模块包括第四电阻、电容；所述第四电阻的第一端作为所述密勒补偿模块的第一端，所述第四电阻的第二端连接所述电容的第一端，所述电容的第二端作为所述密勒补偿模块的第二端。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1是根据本申请一实施例的为现有技术中的基准电路的结构示意图；
图2是根据本申请一实施例的基准电路的结构示意图；
图3是根据本申请一实施例的VGSMN1、VTHMN1与温度的变化示意图；
图4是根据本申请一实施例的基准电路的结构示意图；
图5是根据本申请一实施例的基准电路的结构示意图；
图6是根据本申请一实施例的基准电路的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便，不应对本申请的具体实现方式构成任何限定，各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。
如图1所示，为现有技术中的基准电路的结构示意图，现有技术中包括有第一三极管Q1、第二三极管Q2；然而，现有技术存在以下缺陷：
(1)这种基于三极管的带隙基准结构，在高压LCD-Driver工艺中，非常容易受到衬底注入和衬底干扰的影响；
(2)这种结构存在简并态(多个稳定状态)，需要增加可靠的启动电路，消除简并态；
(3)实践证明，这种基于三极管的带隙基准结构，电流不能太小，否则很不可靠；
(4)三极管面积非常大(至少10x10以上)，而Q1和Q2通常比值是1:8，也就是意味着至少需要9个这样的三极管，面积开销非常大。
因此，本申请为了解决上述的问题，提供了一种基准电路，本实施例的基准电路的结构示意图如图2所示，包括：第一开关管MN1、第二开关管MN2、第三开关管MP1、第四开关管MP2、第五开关管MP3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3。
具体地说，第一电阻R1的第一端连接电源VCC，第一电阻R1的第二端连接第一开关管MN1的漏极，第一开关管MN1的源极接地，第一开关管MN1的栅极连接第二电阻R2的第一端，第二电阻R2的第二端接地；第二开关管MN2的栅极连接第一电阻R1的第二端，第二开关管MN2的漏极连接第三开关管MP1的漏极，第二开关管MN2的源极接地；第三开关管MP1的源极连接电源VCC，第三开关管MP1的栅极连接第四开关管MP2的栅极，第四开关管MP2的源极连接电源VCC，第四开关管MP2的漏极连接第二电阻R2的第一端，第四开关管MP2的栅极连接第四开关管MP2的漏极；第五开关管MP3的栅极连接第四开关管MP2的栅极，第五开关管MP3的源极连接电源VCC，第五开关管MP3的漏极连接第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的第二端接地；第五开关管MP3的漏极与第三电阻R3的第一端之间存在一个节点A，节点A作为基准电路的输出端，输出基准电压VREF。
在一个实施例中，继续参考图2，第一开关管MN1、第二开关管MN2为NMOS管；第三开关管MP1、第四开关管MP2、第五开关管MP3为PMOS管。
本实施例通过使用MOS管，不易受到衬底注入和衬底干扰的影响，提高基准电路的抗干扰能力；且这种结构不存在简并态，绝对稳定可靠，因此不需要增加额外的启动电路；这种结构电流选取可大可小，只影响电压离散度性能，可根据需求选择，电流大小不影响可靠性；这种结构使用MOS管和电阻，面积远小于传统使用二极管或者三极管的结构，空间占用较小。
在一个实施例中，第一开关管MN1的阈值电压的负温度系数与第一开关管MN1的过驱动电压的正温度系数相同。具体地说，第一开关管MN1的阈值电压的负温度系数带来的阈值电压的变化与第一开关管MN1的驱动电压的正温度系数带来的驱动电压的变化大小相同，符号相反，因此相互抵消。
具体地说，在本实施例的基准电路中，第一开关管MN1是最核心的器件。第一开关管MN1、第二开关管MN2、第三开关管MP1、第四开关管MP2、第一电阻R1、第二电阻R2形成一个负反馈电路，由于负反馈的作用，流过第二电阻R2的电流为：
Figure BDA0003285288970000031
而VGSMN1的表达式：
Figure BDA0003285288970000032
其中第一开关管MN1的阈值电压VTHMN1具有负温度系数，大概是-2mV/℃左右。而过驱动电压VODMN1具有正温度系数(因为迁移率μn为负温度系数)，通过调节VODMN1的大小，使其正温度系数刚好可以抵消VTHMN1的负温度系数，这个时候得到的VGSMN0就是零温度系数电压。具体地，通过改变第一开关管MN1的W/L以及其电流IMN1，就可以改变VODMN1的大小，从而可以改变过驱动电压VODMN1正温度系数项，实现对负温度系数VTHMN1的补偿。
如图3所示，为VGSMN1与VTHMN1的与温度的变化示意图；其中，可以看出，VGSMN1与VTHMN1之间的差值为VODMN1，VTHMN1与VODMN1是随温度不断变化的，VTHMN1是不断减小即存在负温度系数，VODMN1是不断增加的即存在正温度系数。当产生了零温度系数电压VGSMN1后，这个电压值可能是一个很特殊的值，MN1也只在一个特殊的W/L才实现这一点。
需要说明的是，零温度系数电压VGSMN1，这个电压很可能不适合用户的需求。为了解决这个问题，在一个实施例中，将第三电阻R3设置为可变电阻。本实施例的基准电路的结构示意图如图4所示，包括：第一开关管MN1、第二开关管、第三开关管MP1、第四开关管MP2、第五开关管MP3、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3；其中，第三电阻R3为可变电阻。本实施例的基准电路通过调节第三电阻R3的大小，能够输出任意电压值的零温度系数基准电压，并且能够工作在很低的电源VCC电压下。
在图4所示结构中，通过将VGSMN1转化为电流IR1，然后将这个电流通过MP2/MP3组成的电流镜适当调节(放大或者缩小)后，流过电阻R3产生输出基准电压VREF：
Figure BDA0003285288970000041
其中N为电流镜MP3:MP2的比值，可以看到，VREF与VGSMN1成比例关系。VREF电压与电阻的绝对值无关，只取决于电阻的比值，在集成电路中电阻的比值是非常精确的。通过改变N以及R3可以输出任意电压值的VREF，并且进一步可以实现电压的微调功能。
下面举个设计的例子：
假设VTHMN1＝0.6V，IMN1＝2uA，经过仿真发现当MN1的尺寸W/L＝4u/10u时，这个时候VODMN1的负温度系数刚好抵消VTHMN1的正温度系数，这时VODMN1＝0.8V，因此VGSMN1＝1.4V。通过取R2＝700kΩ，取MP3:MP2＝2:1，则IR2＝2uA，则IR3＝4uA。假设需要VREF＝1.0V，则计算出R3＝1.0V/4uA＝250kΩ，此时R3设置为250kΩ。
在一个实施例中，基准电路还包括密勒补偿模块；本实施例的基准电路的结构示意图如图5所示，其中，密勒补偿模块10的第一端连接第一电阻R1的第二端，密勒补偿模块10的第二端连接第二电阻R2的第一端。
在一个实施例中，密勒补偿模块包括第四电阻、电容；本实施例的基准电路的结构示意图如图6所示，第四电阻Rc的第一端作为密勒补偿模块的第一端，第四电阻Rc的第二端连接电容Cc的第一端，电容Cc的第二端作为密勒补偿模块的第二端。
本申请一实施例涉及一种集成电路，包括上一实施例的基准电路。
本实施例的集成电路通过使用上一实施例的基准电路，不易受到衬底注入和衬底干扰的影响，提高集成电路的抗干扰能力；这种结构不存在简并态，绝对稳定可靠，因此不需要增加额外的启动电路；这种结构电流选取可大可小，只影响电压离散度性能，可根据需求选择，电流大小不影响可靠性；这种结构使用MOS管和电阻，面积远小于传统使用二极管或者三极管的结构，空间占用较小。
本申请一实施例涉及一种电子设备，包括上一实施例的集成电路。
本实施例的电子设备通过使用上一实施例的集成电路，不易受到衬底注入和衬底干扰的影响，提高电子设备的抗干扰能力；这种结构不存在简并态，绝对稳定可靠，因此不需要增加额外的启动电路；这种结构电流选取可大可小，只影响电压离散度性能，可根据需求选择，电流大小不影响可靠性；这种结构使用MOS管和电阻，面积远小于传统使用二极管或者三极管的结构，空间占用较小。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施例是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围。

Claims (5)

1.一种基准电路，其特征在于，包括：第一开关管、第二开关管、第三开关管、第四开关管、第五开关管、第一电阻、第二电阻、第三电阻，所述第一开关管、所述第二开关管为NMOS管；所述第三开关管、第四开关管、第五开关管为PMOS管；
所述第一电阻的第一端连接电源，所述第一电阻的第二端连接所述第一开关管的漏极，所述第一开关管的源极接地，所述第一开关管的栅极连接所述第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端接地，所述第一开关管的阈值电压具有负温度系数，所述第一开关管的阈值电压的负温度系数与所述第一开关管的过驱动电压的正温度系数相同；
所述第二开关管的栅极连接所述第一电阻的第二端，所述第二开关管的漏极连接所述第三开关管的漏极，所述第二开关管的源极接地；
所述第三开关管的源极连接所述电源，所述第三开关管的栅极连接所述第四开关管的栅极，所述第四开关管的源极连接所述电源，所述第四开关管的漏极连接所述第二电阻的第一端，所述第四开关管的栅极连接所述第四开关管的漏极；
所述第五开关管的栅极连接所述第四开关管的栅极，所述第五开关管的源极连接所述电源，所述第五开关管的漏极连接所述第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端接地，所述第三电阻为可变电阻；
所述第五开关管的漏极与第三电阻的第一端之间存在一个节点，所述节点作为所述基准电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的基准电路，其特征在于，所述基准电路还包括密勒补偿模块；所述密勒补偿模块的第一端连接所述第一电阻的第二端，所述密勒补偿模块的第二端连接所述第二电阻的第一端。
3.根据权利要求2所述的基准电路，其特征在于，所述密勒补偿模块包括第四电阻、电容；
所述第四电阻的第一端作为所述密勒补偿模块的第一端，所述第四电阻的第二端连接所述电容的第一端，所述电容的第二端作为所述密勒补偿模块的第二端。
4.一种集成电路，其特征在于，包括权利要求1至3任一项所述的基准电路。
5.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求4所述的集成电路。
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