CN116043329B - 一种具有氩气定位导向功能的单晶炉 - Google Patents

Abstract

本发明涉及单晶生产技术领域，具体为一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，所述单晶炉包括主炉室、副炉室和基座，所述副炉室设置在主炉室的上方，所述主炉室设置在基座的上方，所述副炉室的上端设置有氩气进气管，本发明相比于目前的单晶炉设置有分流机构，通过分流机构控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走，同时在热屏套靠近坩埚的一侧产生一组气流防护层，以避免氩气在从坩埚内升起时，携带的杂质和挥发物沾附到热屏套上，本发明还设置有引流组件，通过引流组件能够提高硅原料的挥发物和残留空气的温度，以避免硅原料的挥发物和残留空气在流经引流组件时热量流逝，防止坩埚附近气体的温度降低。

Description

一种具有氩气定位导向功能的单晶炉

技术领域

本发明涉及单晶生产技术领域，具体为一种具有氩气定位导向功能的单晶炉。

背景技术

随着国家对光伏、半导体产业的大力投资，越来越多的企业开始进军单晶生产领域，而单晶炉便是生产单晶的必要设备之一，目前单晶的生产过程通常是将多晶体硅料放入单晶炉内加热熔化，待温度合适后，经过骸籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩等步骤，最后完成一根单晶棒的拉制。

由于所有的真空系统都会存在漏气，因此目前的单晶炉在工作时都需要通入氩气，从而保证单晶硅不被氧化，但现有的单晶炉基本上都是直接将氩气通入副炉室，无法确保氩气在流动的过程中能够将死角处的残留空气和硅原料挥发物都携带走，若无法及时处理，这些挥发物和残留的空气不仅会腐蚀单晶炉内壁，还会在单晶炉死角处富集，影响单晶生产的质量，例如专利“CN107227488B单晶炉用热场及单晶炉（公开日2019.10.25）”；最后，由于氩气的价格通常较昂贵，因此目前的单晶炉通常会设置氩气回收系统，例如专利“CN209052806U一种单晶炉氩气回收系统（公开日2019.07.02）”，但现有的回收系统在单晶生产的过程中，若发现沸石分子筛的质量出现了问题，为了保证单晶的正常生产，只能等单晶生产结束之后再处理沸石分子筛，但此时待回收氩气将会被污染，后续很难再回收利用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，所述单晶炉包括主炉室、副炉室和基座，所述副炉室设置在主炉室的上方，所述主炉室设置在基座的上方，所述副炉室的上端设置有氩气进气管，所述副炉室的下端设置有真空泵，所述主炉室的内部设置有坩埚、支撑座、炉底护盘和加热器，所述基座的内部设置有旋转电机和净化机构，所述坩埚、支撑座和加热器均设置在炉底护盘的上方，所述加热器设置在坩埚的外侧，所述坩埚设置在支撑座的上方，所述支撑座通过升降杆与旋转电机相连接，所述主炉室靠近基座的一端通过第一连接管与净化机构相连通，所述坩埚的上方依次设置有热屏套和分流机构，通过所述热屏套进行保温和导流，通过所述分流机构控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走。

主炉室为本发明的工作基础，通过真空泵将单晶炉内的空气抽走，通过加热器使得坩埚内的硅原料融化，通过氩气进气管向单晶炉内充入氩气，以保护单晶硅不被氧化，并及时地带走硅原料因高温而产生的各种杂质和挥发物，本发明设置有热屏套和分流机构，通过热屏套进行保温和导流，通过分流机构控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走，同时分流机构在工作时会在热屏套靠近坩埚的一侧产生一组气流防护层，以避免氩气在从坩埚内升起时，携带的杂质和挥发物沾附到热屏套上，影响热屏套的寿命。

进一步的，所述热屏套的内部设置有排气腔，所述热屏套靠近坩埚的一端设置有通孔，所述分流机构包括固定座和引流组件，所述引流组件设置在固定座内部靠近热屏套的一端，所述引流组件远离热屏套的一端设置有分流槽，所述分流槽的内部设置有桨叶，所述分流槽通过第二连接管与净化机构相连接，所述引流组件靠近主炉室内壁的一端设置有进气槽，所述引流组件靠近排气腔的一端设置有出气槽，所述出气槽与排气腔相连接。

当外界的氩气通过氩气进气管进入到单晶炉内时，氩气会有两个流动路线，第一流动路线是依次穿过分流机构、热屏套、加热器、炉底护盘、第一连接管和净化机构，第二流动路线是依次穿过分流槽、第二连接管与净化机构，通过第一流动路线内的氩气能够起到保护单晶硅，去除杂质和挥发物的目的，通过第二流动路线内的氩气和桨叶能够驱动引流组件工作，以使得死角处的挥发物和残留的空气能够被定向清除，同时避免热屏套上沾附杂质。

进一步的，所述引流组件包括传动座，所述传动座的内部设置有偏心轮、蓄气腔和感应室，所述偏心轮通过传动轴与桨叶相连接，所述蓄气腔的内部设置有活动板，所述感应室的内部设置有挡条和伸缩弹簧杆，所述活动板与挡条之间通过中空管相连接，所述挡条活动安装在伸缩弹簧杆上，所述蓄气腔的一端通过进气通道和单向进气阀与进气槽相连接，所述蓄气腔的另一端通过出气通道和单向出气阀与出气槽相连接。

当氩气流经分流槽时，会驱动桨叶和偏心轮旋转，通过偏心轮和伸缩弹簧杆能够使得活动板在蓄气腔内循环往复的移动，当活动板向靠近偏心轮的方向移动时，会将单晶炉死角处挥发物和残留空气吸入到蓄气腔内，当活动板向远离偏心轮的方向移动时，会将吸入到蓄气腔内的挥发物和残留空气通过热屏套上的通孔排出，通过上述技术方案，一方面避免硅原料的挥发物和残留空气在死角处堆积，另一方面能够借助硅原料的挥发物和残留空气在热屏套的表面形成一组气流防护层，保证热屏套的寿命。

进一步的，所述感应室的内部还设置有导杆和第一永磁体，所述导杆和第一永磁体均设置有两组，所述挡条上设置有铜棒，所述铜棒的两端分别与两组导杆相连接。

本发明在工作时，两组导杆与外界电流检测设备相连接，活动板在蓄气腔内往复移动时会带动挡条上设置的铜棒切割磁感线，并在铜棒上产生一组方向时刻变化的电流，通过检测铜棒上电流方向的变化频率能够判断出桨叶和偏心轮的旋转速度，以方便工作人员实时监测分流机构是否正常工作。

进一步的，所述进气通道的外侧设置有电热片，所述电热片通过导线与两组导杆相连接。

通过上述技术方案，挡条上设置的铜棒在感应室内移动时，铜棒上产生的感应电流会传递到电热片上，通过电热片能够提高硅原料的挥发物和残留空气在流经进气通道时的温度，以避免硅原料的挥发物和残留空气在流经引流组件时，热量流逝，进而导致硅原料的挥发物和残留空气在从热屏套内喷出时，降低坩埚附近气体的温度。

进一步的，所述基座的外侧设置有两组回收箱，所述净化机构包括安装架，所述安装架的内部设置有催化器和分离室，所述催化器的一端通过换热管与第一连接管相连接，所述催化器的另一端通过第一换向阀与分离室相连接，所述分离室的内部设置有两组分离板，所述分离室远离第一换向阀的一端设置有两组回收槽，每组所述回收槽分别与一组回收箱相连接。

通过上述技术方案，第一流动路线内的氩气在进入到净化机构内时会进入到换热管内，然后流经催化器、分离室，最后从回收槽进入到回收箱内，本发明中的催化器内可填充COR型脱一氧化碳催化剂，分离板内可填充沸石，通过催化器去除氩气中携带的一氧化碳能杂质，通过分离板去除氩气中的水和二氧化碳等物质。

进一步的，两组所述分离板的中间位置处设置有隔板，通过所述隔板将分离室分割成两个分离区域，所述第一换向阀的出气端设置有两组，每组出气端各与一个分离区域相连接，所述安装架的内部还设置有中转腔，所述换热管贯穿于中转腔，所述中转腔的一端通过第二连接管与分流槽相连接，所述中转腔的另一端通过去液槽和第二换向阀与分离室相连接，所述第二换向阀的出气端设置有两组，每组出气端各与一个分离区域相连接。

正常情况下，第一换向阀和第二换向阀的两个出气端处于一种交替开启和闭合的状态，同时第一换向阀和第二换向阀关闭状态的出气端或者开启状态的出气端不对齐，例如，将分离室内的两个分离区域分别标记为A区域和B区域，生产第一根单晶硅时，开启第一换向阀靠近A区域的出气端，关闭靠近B区域的出气端，同时第二换向阀靠近A区域的出气端处于关闭状态，靠近B区域的出气端则处于开启状态，此时单晶硅在生产过程中，第一流动路线内的氩气会沿着换热管、催化器、分离室内的A区域流动，而第二流动路线内的氩气会沿着中转腔、去液槽、分离室内的B区域流动，当生产第二根单晶硅时，关闭第一换向阀靠近A区域的出气端，开启靠近B区域的出气端，同时第二换向阀靠近A区域的出气端处于开启状态，靠近B区域的出气端则处于关闭状态，此时单晶硅在生产过程中，第一流动路线内的氩气会沿着换热管、催化器、分离室内的B区域流动，而第二流动路线内的氩气会沿着中转腔、去液槽、分离室内的A区域流动，本发明通过换热管内的氩气能够提高中转腔内的氩气温度，然后通过中转腔内被增温的干燥氩气能够去除A区域分离板内沸石吸收的水分，防止分离板内的沸石吸收的水分过多而出现粉渣，以至于污染待回收的氩气。

进一步的，所述分离板靠近回收槽的一侧设置有检测机构，所述检测机构包括扇叶和测速器，所述测速器与第一换向阀和第二换向阀相连接。

通过上述技术方案，当待回收的氩气从分离室内排出时会吹动扇叶旋转，而扇叶的旋转速度与待回收氩气的流速有关，当分离板内的沸石使用时间过久时，粉渣和杂质会堵塞沸石的蜂窝通道，进而导致待回收的氩气流通不畅，以至于扇叶的旋转速度降低，通过测速器能够判断扇叶的旋转速度，以方便工作人员及时调整第一换向阀和第二换向阀的出气端，在确保单晶硅正常生产的同时，保证待回收氩气能够顺畅流动防止受到污染。

与现有技术相比，本发明所达到的有益效果是：本发明相比于目前的单晶炉设置有热屏套和分流机构，通过热屏套进行保温和导流，通过分流机构控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走，同时分流机构在工作时会在热屏套靠近坩埚的一侧产生一组气流防护层，以避免氩气在从坩埚内升起时，携带的杂质和挥发物沾附到热屏套上，影响热屏套的寿命，本发明还设置有引流组件，通过引流组件能够提高硅原料的挥发物和残留空气的温度，以避免硅原料的挥发物和残留空气在流经引流组件时热量流逝，进而导致坩埚附近气体的温度降低，最后本发明中的氩气在进入到单晶炉内时会有两个流动路线，通过第一流动路线内的氩气能够起到保护单晶硅，去除杂质和挥发物的目的，通过第二流动路线内的氩气能够去除分离板内沸石吸收的水分，防止分离板内的沸石吸收的水分过多而出现粉渣，以至于污染待回收的氩气。

附图说明

附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是本发明的整体结构示意图；

图2是本发明的主炉室内部结构示意图；

图3是本发明的基座内部结构示意图；

图4是本发明的排气腔内部结构示意图；

图5是本发明的分流机构工作时单晶炉内氩气流动示意图；

图6是本发明的引流组件结构示意图；

图7是本发明的净化机构结构示意图；

图8是本发明的净化机构内部氩气流动示意图。

图中：1-主炉室、11-坩埚、12-支撑座、13-炉底护盘、14-热屏套、141-排气腔、15-加热器、16-分流机构、161-固定座、162-分流槽、163-桨叶、164-引流组件、1641-传动座、1642-偏心轮、1643-蓄气腔、16431-活动板、1644-感应室、16441-第一永磁体、16442-挡条、1645-电热片、2-副炉室、3-基座、31-旋转电机、32-净化机构、321-安装架、322-中转腔、323-换热管、324-催化器、325-去液槽、326-分离室、3261-检测机构、3262-分离板、33-回收箱、4-第一连接管、5-第二连接管。

实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1-图3、图5所示，一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，单晶炉包括主炉室1、副炉室2和基座3，副炉室2设置在主炉室1的上方，主炉室1与副炉室2之间通过隔离阀相连接，主炉室1设置在基座3的上方，副炉室2的上端设置有氩气进气管，副炉室2的下端设置有真空泵，主炉室1的内部设置有坩埚11、支撑座12、炉底护盘13和加热器15，基座3的内部设置有旋转电机31和净化机构32，坩埚11、支撑座12和加热器15均设置在炉底护盘13的上方，加热器15设置在坩埚11的外侧，坩埚11设置在支撑座12的上方，支撑座12通过升降杆与旋转电机31相连接，主炉室1靠近基座3的一端通过第一连接管4与净化机构32相连通，坩埚11的上方依次设置有热屏套14和分流机构16，分流机构16通过第二连接管5与净化机构32相连接。

主炉室1为本发明的工作基础，通过真空泵将单晶炉内的空气抽走，通过加热器15使得坩埚11内的硅原料融化，通过氩气进气管向单晶炉内充入氩气，以保护单晶硅不被氧化，并及时地带走硅原料因高温而产生的各种杂质和挥发物，本发明设置有热屏套14和分流机构16，通过热屏套14进行保温和导流，通过分流机构16控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走，同时分流机构16在工作时会在热屏套14靠近坩埚11的一侧产生一组气流防护层，以避免氩气在从坩埚11内升起时，携带的杂质和挥发物沾附到热屏套14上，影响热屏套14的寿命。

如图2、图4-图5所示，热屏套14的内部设置有排气腔141，热屏套14靠近坩埚11的一端设置有通孔，分流机构16包括固定座161和引流组件164，引流组件164设置在固定座161内部靠近热屏套14的一端，引流组件164远离热屏套14的一端设置有分流槽162，分流槽162的内部设置有桨叶163，分流槽162通过第二连接管5与净化机构32相连接，引流组件164靠近主炉室1内壁的一端设置有进气槽，引流组件164靠近排气腔141的一端设置有出气槽，出气槽与排气腔141相连接。

当外界的氩气通过氩气进气管进入到单晶炉内时，氩气会有两个流动路线，第一流动路线是依次穿过分流机构16、热屏套14、加热器15、炉底护盘13、第一连接管4和净化机构32，第二流动路线是依次穿过分流槽162、第二连接管5与净化机构32，通过第一流动路线内的氩气能够起到保护单晶硅，去除杂质和挥发物的目的，通过第二流动路线内的氩气和桨叶163能够驱动引流组件164工作，以使得死角处的挥发物和残留的空气能够被定向清除，同时避免热屏套14上沾附杂质。

如图4-图5所示，引流组件164包括传动座1641，传动座1641的内部设置有偏心轮1642、蓄气腔1643和感应室1644，偏心轮1642通过传动轴与桨叶163相连接，蓄气腔1643的内部设置有活动板16431，感应室1644的内部设置有挡条16442和伸缩弹簧杆，活动板16431与挡条16442之间通过中空管相连接，挡条16442活动安装在伸缩弹簧杆上，蓄气腔1643的一端通过进气通道和单向进气阀与进气槽相连接，蓄气腔1643的另一端通过出气通道和单向出气阀与出气槽相连接。

当氩气流经分流槽162时，会驱动桨叶163和偏心轮1642旋转，通过偏心轮1642和伸缩弹簧杆能够使得活动板16431在蓄气腔1643内循环往复的移动，当活动板16431向靠近偏心轮1642的方向移动时，会将单晶炉死角处挥发物和残留空气吸入到蓄气腔1643内，当活动板16431向远离偏心轮1642的方向移动时，会将吸入到蓄气腔1643内的挥发物和残留空气通过热屏套14上的通孔排出，通过上述技术方案，一方面避免硅原料的挥发物和残留空气在死角处堆积，另一方面能够借助硅原料的挥发物和残留空气在热屏套14的表面形成一组气流防护层，保证热屏套14的寿命。

如图5-图6所示，感应室1644的内部还设置有导杆和第一永磁体16441，导杆和第一永磁体16441均设置有两组，挡条16442上设置有铜棒，铜棒的两端分别与两组导杆相连接。

本发明在工作时，两组导杆与外界电流检测设备相连接，活动板16431在蓄气腔1643内往复移动时会带动挡条16442上设置的铜棒切割磁感线，并在铜棒上产生一组方向时刻变化的电流，通过检测铜棒上电流方向的变化频率能够判断出桨叶163和偏心轮1642的旋转速度，以方便工作人员实时监测分流机构16是否正常工作。

如图5-图6所示，进气通道的外侧设置有电热片1645，电热片1645通过导线与两组导杆相连接。

通过上述技术方案，挡条16442上设置的铜棒在感应室1644内移动时，铜棒上产生的感应电流会传递到电热片1645上，通过电热片1645能够提高硅原料的挥发物和残留空气在流经进气通道时的温度，以避免硅原料的挥发物和残留空气在流经引流组件164时，热量流逝，进而导致硅原料的挥发物和残留空气在从热屏套14内喷出时，降低坩埚11附近气体的温度。

如图1、图7-图8所示，基座3的外侧设置有两组回收箱33，净化机构32包括安装架321，安装架321的内部设置有催化器324和分离室326，催化器324的一端通过换热管323与第一连接管4相连接，催化器324的另一端通过第一换向阀与分离室326相连接，分离室326的内部设置有两组分离板3262，分离室326远离第一换向阀的一端设置有两组回收槽，每组回收槽分别与一组回收箱33相连接。

通过上述技术方案，第一流动路线内的氩气在进入到净化机构32内时会进入到换热管323内，然后流经催化器324、分离室326，最后从回收槽进入到回收箱33内，本发明中的催化器324内可填充COR型脱一氧化碳催化剂，分离板3262内可填充沸石，通过催化器324去除氩气中携带的一氧化碳能杂质，通过分离板3262去除氩气中的水和二氧化碳等物质。

如图1、图7-图8所示，两组分离板3262的中间位置处设置有隔板，通过隔板将分离室326分割成两个分离区域，第一换向阀的出气端设置有两组，每组出气端各与一个分离区域相连接，安装架321的内部还设置有中转腔322，换热管323贯穿于中转腔322，中转腔322的一端通过第二连接管5与分流槽162相连接，中转腔322的另一端通过去液槽325和第二换向阀与分离室326相连接，第二换向阀的出气端设置有两组，每组出气端各与一个分离区域相连接。

正常情况下，第一换向阀和第二换向阀的两个出气端处于一种交替开启和闭合的状态，同时第一换向阀和第二换向阀关闭状态的出气端或者开启状态的出气端不对齐，例如，将分离室326内的两个分离区域分别标记为A区域和B区域，生产第一根单晶硅时，开启第一换向阀靠近A区域的出气端，关闭靠近B区域的出气端，同时第二换向阀靠近A区域的出气端处于关闭状态，靠近B区域的出气端则处于开启状态，此时单晶硅在生产过程中，第一流动路线内的氩气会沿着换热管323、催化器324、分离室326内的A区域流动，而第二流动路线内的氩气会沿着中转腔322、去液槽325、分离室326内的B区域流动，当生产第二根单晶硅时，关闭第一换向阀靠近A区域的出气端，开启靠近B区域的出气端，同时第二换向阀靠近A区域的出气端处于开启状态，靠近B区域的出气端则处于关闭状态，此时单晶硅在生产过程中，第一流动路线内的氩气会沿着换热管323、催化器324、分离室326内的B区域流动，而第二流动路线内的氩气会沿着中转腔322、去液槽325、分离室326内的A区域流动，本发明通过换热管323内的氩气能够提高中转腔322内的氩气温度，然后通过中转腔322内被增温的干燥氩气能够去除A区域分离板3262内沸石吸收的水分，防止分离板3262内的沸石吸收的水分过多而出现粉渣，以至于污染待回收的氩气。

图7-图8所示，分离板3262靠近回收槽的一侧设置有检测机构3261，检测机构3261包括扇叶和测速器，测速器与第一换向阀和第二换向阀相连接。

通过上述技术方案，当待回收的氩气从分离室326内排出时会吹动扇叶旋转，而扇叶的旋转速度与待回收氩气的流速有关，当分离板3262内的沸石使用时间过久时，粉渣和杂质会堵塞沸石的蜂窝通道，进而导致待回收的氩气流通不畅，以至于扇叶的旋转速度降低，通过测速器能够判断扇叶的旋转速度，以方便工作人员及时调整第一换向阀和第二换向阀的出气端，在确保单晶硅正常生产的同时，保证待回收氩气能够顺畅流动防止受到污染。

本发明的工作原理：工作时，通过真空泵将单晶炉内的空气抽走，通过氩气进气管持续向单晶炉内充入氩气，通过加热器15使得坩埚11内的硅原料融化，本发明中氩气在进入到单晶炉内时会有两个流动路线，第一流动路线是依次穿过分流机构16、热屏套14、加热器15、炉底护盘13、第一连接管4和净化机构32，第二流动路线是依次穿过分流槽162、第二连接管5与净化机构32，通过第一流动路线内的氩气能够起到保护单晶硅，去除杂质和挥发物的目的，通过第二流动路线内的氩气和桨叶163能够驱动引流组件164工作，以使得死角处的挥发物和残留的空气能够被清除，同时避免热屏套14上沾附杂质，第一流动路线内的氩气在进入到净化机构32内时会进入到换热管323内，然后流经催化器324、分离室326，最后从回收槽进入到回收箱33内，通过催化器324去除氩气中携带的一氧化碳能杂质，通过分离板3262去除氩气中的水和二氧化碳等物质，第二流动路线内的氩气会沿着中转腔322、去液槽325进入到分离室326内，以干燥上次使用过的分离板3262，防止下次使用时分离板3262内的沸石吸收的水分过多而出现粉渣，以至于污染待回收的氩气。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，其特征在于：所述单晶炉包括主炉室（1）、副炉室（2）和基座（3），所述副炉室（2）设置在主炉室（1）的上方，所述主炉室（1）设置在基座（3）的上方，所述副炉室（2）的上端设置有氩气进气管，所述副炉室（2）的下端设置有真空泵，所述主炉室（1）的内部设置有坩埚（11）、支撑座（12）、炉底护盘（13）和加热器（15），所述基座（3）的内部设置有旋转电机（31）和净化机构（32），所述坩埚（11）、支撑座（12）和加热器（15）均设置在炉底护盘（13）的上方，所述加热器（15）设置在坩埚（11）的外侧，所述坩埚（11）设置在支撑座（12）的上方，所述支撑座（12）通过升降杆与旋转电机（31）相连接，所述主炉室（1）靠近基座（3）的一端通过第一连接管（4）与净化机构（32）相连通，所述坩埚（11）的上方依次设置有热屏套（14）和分流机构（16），通过所述热屏套（14）进行保温和导流，通过所述分流机构（16）控制氩气的流动方向防止死角处的杂质无法被流动的氩气带走；

所述热屏套（14）的内部设置有排气腔（141），所述热屏套（14）靠近坩埚（11）的一端设置有通孔，所述分流机构（16）包括固定座（161）和引流组件（164），所述引流组件（164）设置在固定座（161）内部靠近热屏套（14）的一端，所述引流组件（164）远离热屏套（14）的一端设置有分流槽（162），所述分流槽（162）的内部设置有桨叶（163），所述分流槽（162）通过第二连接管（5）与净化机构（32）相连接，所述引流组件（164）靠近主炉室（1）内壁的一端设置有进气槽，所述引流组件（164）靠近排气腔（141）的一端设置有出气槽，所述出气槽与排气腔（141）相连接；

所述引流组件（164）包括传动座（1641），所述传动座（1641）的内部设置有偏心轮（1642）、蓄气腔（1643）和感应室（1644），所述偏心轮（1642）通过传动轴与桨叶（163）相连接，所述蓄气腔（1643）的内部设置有活动板（16431），所述感应室（1644）的内部设置有挡条（16442）和伸缩弹簧杆，所述活动板（16431）与挡条（16442）之间通过中空管相连接，所述挡条（16442）活动安装在伸缩弹簧杆上，所述蓄气腔（1643）的一端通过进气通道和单向进气阀与进气槽相连接，所述蓄气腔（1643）的另一端通过出气通道和单向出气阀与出气槽相连接；

所述基座（3）的外侧设置有两组回收箱（33），所述净化机构（32）包括安装架（321），所述安装架（321）的内部设置有催化器（324）和分离室（326），所述催化器（324）的一端通过换热管（323）与第一连接管（4）相连接，所述催化器（324）的另一端通过第一换向阀与分离室（326）相连接，所述分离室（326）的内部设置有两组分离板（3262），所述分离室（326）远离第一换向阀的一端设置有两组回收槽，每组所述回收槽分别与一组回收箱（33）相连接。

2.根据权利要求1所述的一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，其特征在于：所述感应室（1644）的内部还设置有导杆和第一永磁体（16441），所述导杆和第一永磁体（16441）均设置有两组，所述挡条（16442）上设置有铜棒，所述铜棒的两端分别与两组导杆相连接。

3.根据权利要求2所述的一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，其特征在于：所述进气通道的外侧设置有电热片（1645），所述电热片（1645）通过导线与两组导杆相连接。

4.根据权利要求3所述的一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，其特征在于：两组所述分离板（3262）的中间位置处设置有隔板，通过所述隔板将分离室（326）分割成两个分离区域，所述第一换向阀的出气端设置有两组，每组出气端各与一个分离区域相连接，所述安装架（321）的内部还设置有中转腔（322），所述换热管（323）贯穿于中转腔（322），所述中转腔（322）的一端通过第二连接管（5）与分流槽（162）相连接，所述中转腔（322）的另一端通过去液槽（325）和第二换向阀与分离室（326）相连接，所述第二换向阀的出气端设置有两组，每组出气端各与一个分离区域相连接。

5.根据权利要求4所述的一种具有氩气定位导向功能的单晶炉，其特征在于：所述分离板（3262）靠近回收槽的一侧设置有检测机构（3261），所述检测机构（3261）包括扇叶和测速器，所述测速器与第一换向阀和第二换向阀相连接。

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