CN116018894A - 缓冲膜 - Google Patents
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Abstract
在本申请中,包括对400nm至800nm波长范围内的光的平均反射率为50%或更小的多孔金属片的缓冲膜可以单独表现出OLED所需的散热特性、电磁波屏蔽特性和抗冲击性(或冲击缓解特性),因此可以提供能够在没有OLED的价格升高、工艺复杂性和厚度增加的情况下确保OLED所需的特性的缓冲膜,和包括其的OLED。
Description
技术领域
本申请要求基于于2020年9月2日提交的韩国专利申请第10-2020-0111885号、于2020年9月10日提交的韩国专利申请第10-2020-0116206号和于2020年10月30日提交的韩国专利申请第10-2020-0143626号的优先权的权益,其公开内容通过引用整体并入本文。
本公开内容涉及缓冲膜及其用途。
背景技术
由于有机发光器件可以通过自身发光,因此其与诸如LCD(液晶器件)的其他器件相比在实现薄器件方面是有利的,并且在配置柔性器件例如可折叠或可卷曲器件方面也是有利的。
然而,有机发光器件容易受到外部冲击,例如跌落冲击,并且随着有机发光器件应用于移动装置的频率增加,由于外部冲击造成的问题变得越来越大。
随着配备有有机发光器件的装置被配置得更薄,由有机发光器件或与其连接的电子元件产生的电磁波和热的问题等也增多。
有机发光器件可以包括其上形成有有机发光层的基底,并且通常包括用于驱动有机发光层的驱动电路部分和用于向驱动电路部分传递信号的电子元件。当存在电子元件时,电子元件可以位于基底的背侧上。如图1示例性地示出,在前述的情况下,有机发光器件可以具有其中有机发光层20存在于围绕基底10的第一表面上,并且电子元件30存在于第二表面上的结构。
在这样的结构中,当有机发光层或驱动电路中产生的热转移至电子元件时,或者相反地,电子元件或电池中产生的热转移至有机发光层或驱动电路时,可能出现问题。因此,需要有效地处理如上产生的热。
此外,即使在由电子器件等产生的电磁波传递至有机发光层时,性能也可能劣化,并且电磁波还不利地影响器件的使用者。
专利文献1公开了在有机发光器件的基底下设置由氨基甲酸酯等制成的缓冲构件以应对外部冲击问题的结构。
然而,专利文献1中公开的结构在应用于移动装置等时不足以确保足够的抗冲击性。
此外,在专利文献1公开的结构中,没有考虑器件中产生的电磁波或热。
为了解决电磁波或热问题,还可以考虑向器件中添加能够另外地屏蔽电磁波的构件或能够解决热问题的构件,但引入这样的构件使得难以配置具有薄厚度的器件。
[现有技术文献]
[专利文献]
(专利文献1)韩国专利公开第10-0965251号
发明内容
技术问题
本公开内容旨在提供缓冲膜及其用途,并且特别地,旨在提供用于有机发光器件的缓冲膜及其用途。
技术方案
在本说明书中提及的物理特性中,除非另有说明,否则其中测量温度影响结果的物理特性为在室温下测量的结果。
术语室温为没有加热或冷却的自然温度,其意指例如在10℃至30℃的范围内的任一温度,或者约23℃或约25℃左右的温度。此外,在本说明书中,除非另有说明,否则温度的单位为摄氏度(℃)。
在本说明书中提及的物理特性中,除非另有说明,否则其中测量压力影响结果的特性为在常压下测量的结果。
术语常压为不以诸如加压和减压的方式控制的自然压力,并且通常处于大气压,其可以为约900hPa至1,200hPa左右的压力。
在其中测量湿度影响结果的物理特性的情况下,相关的物理特性为在在室温和常压条件下没有特别控制的自然湿度下测量的物理特性。
本公开内容提供了缓冲膜。本申请的缓冲膜可以应用于需要缓解冲击的各种用途。在一个实例中,缓冲膜可以有效地用于有机发光器件(在下文中,OLED)。
本公开内容的缓冲膜包括多孔金属片。术语多孔金属片意指在其中或表面上形成具有一个或更多个或者两个或更多个空隙的金属片,其中金属片具有通常被称为膜、片或层的形状。
多孔金属片包含金属作为主要组分。因此,金属基于多孔金属片的总重量的重量比可以为55重量%或更大、60重量%或更大、65重量%或更大、70重量%或更大、75重量%或更大、80重量%或更大、85重量%或更大、90重量%或更大、或者95重量%或更大左右。由于多孔金属片可以仅包含金属,因此金属的重量比的上限为100重量%。在此,金属的类别还包括所谓的金属合金。此外,金属还可以以氧化物、氮化物或氧氮化物的形式包含在多孔金属片中。
多孔金属片由于包括孔的结构而可以表现出缓冲外部冲击的效果。此外,通过经由选择应用于多孔金属片的金属材料确保器件中所需的热传导特性,可以确保散热效果。此外,多孔金属片中包括的空隙也可以表现出消散或屏蔽电磁波的效果。因此,本公开内容的缓冲膜可以仅在多孔金属片的情况下表现出器件所需的散热特性、电磁波屏蔽特性、抗冲击性和冲击缓解特性。因此,本公开内容的缓冲膜使得能够在没有价格升高、工艺复杂性和厚度增大的情况下解决OLED等中可能出现的各种问题。
本公开内容的缓冲膜中包括的多孔金属片可以表现出50%或更小的对400nm至800nm波长范围内的光的平均反射率。在另一个实例中,平均反射率还可以为49%或更小、47%或更小、45%或更小、43%或更小、41%或更小、39%或更小、37%或更小、35%或更小、33%或更小、31%或更小、或者29%或更小左右。当缓冲膜应用于OLED时,这样的低反射率是尤其必要的。OLED通常包括用于发光的反射电极或反射板,其中这样的反射电极或反射板降低器件的可视性,因此已经产生了各种用于解决该问题的方法。当将金属材料应用于缓冲膜时,由于金属的固有反射特性,以上问题可能突出。在本公开内容中,通过如上调节多孔金属片的反射率,缓冲膜可以表现出期望的性能而不降低OLED等光学特性。
多孔金属片对400nm至800nm波长范围内的光的平均反射率随着该值降低而是有利的,由此其下限没有特别限制。考虑到一般金属材料的反射特性,例如,平均反射率可以为约10%或更大、15%或更大、或者25%或更大左右。
平均反射率是通过以0.5nm的间隔从400nm到800nm测量各波长的反射率,并对这些值求平均值而获得的,具体地,其为通过实例中呈现的方法测量的值。
如上调节多孔金属片反射率的方法没有特别限制。由金属材料表现出的固有反射特性对于各金属为已知的,并且可以考虑这样的反射特性通过选择适当的金属来实现以上反射率。如有必要,可以应用两种或更多种金属用于调节反射率,如下所述。
多孔金属片还可以具有1.0×10-5Ωcm或更大的比电阻。本公开内容的缓冲膜可以包括在电子/电气器件例如OLED中,以确保缓冲特性、散热特性和/或电磁波屏蔽特性等。此时,当将多孔金属片的比电阻调节在以上范围内时,通过多孔金属片可以在器件中形成适当的绝缘位点或通电位点。因此,通过如上调节多孔金属片的比电阻,可以更简单且有效地控制应用本公开内容的缓冲膜的器件的结构。比电阻的测量方法在以下实例中进行描述。形成多孔金属片使得可以实现以上比电阻的方法没有特别限制。由于金属材料的固有比电阻是已知的,因此可以选择适当的金属以形成具有以上范围内的比电阻的多孔金属片。为了赋予多孔金属片散热特性,选择优选具有良好导热特性的金属是有利的,其中具有良好导热特性的金属通常表现出低比电阻。因此,为了同时确保优异的导热特性和以上范围内的比电阻,使用两种或更多种金属来配置多孔金属片可以是有利的。在另一个实例中,比电阻可以为1.1×10-5Ωcm或更大、1.2×10-5Ωcm或更大、1.3×10-5Ωcm或更大、1.4×10-5Ωcm或更大、1.5×10-5Ωcm或更大、1.6×10-5Ωcm或更大、1.7×10-5Ωcm或更大、1.8×10-5Ωcm或更大、1.9×10-5Ωcm或更大、2.0×10-5Ωcm或更大、2.1×10-5Ωcm或更大、或者2.2×10-5Ωcm或更大,或者还可以为9×10-5Ωcm或更小、8×10-5Ωcm或更小、7×10-5Ωcm或更小、6×10-5Ωcm或更小、5×10-5Ωcm或更小、4×10-5Ωcm或更小、3×10-5Ωcm或更小、2×10-5Ωcm或更小、或者1.5×10-5Ωcm或更小左右。
多孔金属片的热扩散率可以为25mm2/秒或更大。热扩散率是以本说明书的实施例中描述的方式测量的值。当多孔金属片具有以上范围内的热扩散率时,本公开内容的缓冲膜可以在诸如OLED的器件中表现出散热特性。在另一个实例中,热扩散率可以为30mm2/秒或更大、35mm2/秒或更大、40mm2/秒或更大、45mm2/秒或更大、50mm2/秒或更大、55mm2/秒或更大、60mm2/秒或更大、65mm2/秒或更大、70mm2/秒或更大、75mm2/秒或更大、80mm2/秒或更大、85mm2/秒或更大、90mm2/秒或更大、95mm2/秒或更大、100mm2/秒或更大、105mm2/秒或更大、110mm2/秒或更大、115mm2/秒或更大、120mm2/秒或更大、125mm2/秒或更大、130mm2/秒或更大、135mm2/秒或更大、140mm2/秒或更大、145mm2/秒或更大、150mm2/秒或更大、155mm2/秒或更大、160mm2/秒或更大、165mm2/秒或更大、170mm2/秒或更大、175mm2/秒或更大、180mm2/秒或更大、185mm2/秒或更大、190mm2/秒或更大、195mm2/秒或更大、200mm2/秒或更大、205mm2/秒或更大、210mm2/秒或更大、215mm2/秒或更大、220mm2/秒或更大、225mm2/秒或更大、230mm2/秒或更大、235mm2/秒或更大、240mm2/秒或更大、245mm2/秒或更大、250mm2/秒或更大、255mm2/秒或更大、260mm2/秒或更大、265mm2/秒或更大、270mm2/秒或更大、275mm2/秒或更大、280mm2/秒或更大、285mm2/秒或更大、290mm2/秒或更大、或者295mm2/秒或更大左右,或者还可以为300mm2/秒或更小、295mm2/秒或更小、290mm2/秒或更小、285mm2/秒或更小、280mm2/秒或更小、275mm2/秒或更小、270mm2/秒或更小、265mm2/秒或更小、260mm2/秒或更小、255mm2/秒或更小、250mm2/秒或更小、245mm2/秒或更小、240mm2/秒或更小、235mm2/秒或更小、230mm2/秒或更小、225mm2/秒或更小、220mm2/秒或更小、215mm2/秒或更小、210mm2/秒或更小、205mm2/秒或更小、200mm2/秒或更小、195mm2/秒或更小、190mm2/秒或更小、185mm2/秒或更小、180mm2/秒或更小、175mm2/秒或更小、170mm2/秒或更小、165mm2/秒或更小、160mm2/秒或更小、155mm2/秒或更小、150mm2/秒或更小、145mm2/秒或更小、140mm2/秒或更小、135mm2/秒或更小、130mm2/秒或更小、125mm2/秒或更小、120mm2/秒或更小、115mm2/秒或更小、110mm2/秒或更小、105mm2/秒或更小、100mm2/秒或更小、95mm2/秒或更小、90mm2/秒或更小、85mm2/秒或更小、80mm2/秒或更小、75mm2/秒或更小、70mm2/秒或更小、65mm2/秒或更小、60mm2/秒或更小、55mm2/秒或更小、50mm2/秒或更小、45mm2/秒或更小、或者40mm2/秒或更小左右。
这样的热扩散率可以考虑对于各材料的金属材料的导热特性通过使用适当的金属材料配置多孔金属片来实现。在可以同时实现上述反射率、导热特性和比电阻的方面,可以使用两种或更多种金属配置多孔金属片,如以下将描述的。
如上所述,缓冲膜中包括的多孔金属片具有膜、片或层的形式。具有这样的形式的多孔金属片可以具有第一主要表面和与其相对的第二主要表面。在此,在呈膜、片或层形式的多孔金属片中确定的表面中,第一主要表面和第二主要表面为与其他表面相比具有大面积的两个表面,并且这样的第一主要表面和第二主要表面通常是彼此相对的。
第一主要表面和第二主要表面可以具有不同的表面粗糙度。通过改变多孔金属片的第一主要表面和第二主要表面的表面粗糙度,可以进一步改善器件的缓冲特性和耐久性。例如,当将本公开内容的缓冲膜应用于OLED时,缓冲膜可以接触基底的与其上形成有有机发光层的表面相对的表面来应用,其上形成有机发光层,如以下将描述的。此时,当缓冲膜被设置成使得多孔金属片的第一主要表面和第二主要表面中具有较大表面粗糙度的表面(在下文中,假设第一主要表面具有较大的表面粗糙度)面向有机发光层时,可以获得更好的冲击缓解效果。虽然不受理论限制,但获得该效果的原因估计如下。通常,施加至OLED的冲击中待缓解的冲击为在从有机发光层到基底的方向上施加的冲击。因此,当缓冲膜被设置成使得第一主要表面和第二主要表面中的第一主要表面面向有机发光层时,冲击首先施加至第一主要表面和第二主要表面中的第一主要表面上,并且所施加的冲击在从第一主要表面到第二主要表面的方向上传递。此时,如果首先被施加冲击的第一主要表面的表面粗糙度大,则与表面粗糙度小的情况相比,冲击可以被有效吸收。此外,所施加的冲击被传递至第二主要表面,然后分散,其中如果冲击在其上分散的第二主要表面表现出相对小的表面粗糙度,则可以更有效地分散冲击。
此外,为了如上布置缓冲膜,向多孔金属片上附接以下将描述的粘着层,其中粘着层应形成在具有较大表面粗糙度的第一主要表面上以用于布置这样的缓冲膜。此时,由于第一主要表面具有大的表面粗糙度,因此可以通过所谓的锚定效应等表现出更好的与粘着层的粘合性,因此,可以改善器件的耐久性。
第一主要表面和第二主要表面的表面粗糙度的差异度没有特别限制,但是为了适当地确保以上效果,可以将第一主要表面的表面粗糙度1Sa与第二主要表面的表面粗糙度2Sa的比率1Sa/2Sa调节为大于1且为3或更小。在另一个实例中,比率1Sa/2Sa可以为1.05或更大、1.1或更大、1.15或更大、1.2或更大、1.25或更大、1.3或更大、1.35或更大、1.4或更大、1.45或更大、1.5或更大、1.55或更大、1.6或更大、1.65或更大、或者1.7或更大,或者还可以为2.9或更小、2.8或更小、2.7或更小、2.6或更小、2.5或更小、2.4或更小、2.3或更小、2.2或更小、2.1或更小、2.0或更小、1.9或更小、1.8或更小、1.7或更小、1.6或更小、1.5或更小、1.4或更小、1.3或更小、或者1.2或更小左右。
在这样的比率下,第一主要表面的表面粗糙度1Sa可以为6.5μm或更大。在另一个实例中,表面粗糙度1Sa可以为6.7μm或更大、6.9μm或更大、7.1μm或更大、7.3μm或更大、7.5μm或更大、7.7μm或更大、7.9μm或更大、8.1μm或更大、8.3μm或更大、8.5μm或更大、或者8.7μm或更大左右,或者还可以为20μm或更小、18μm或更小、16μm或更小、14μm或更小、12μm或更小、10μm或更小、或者8μm或更小左右。
用于测量第一主要表面和第二主要表面的表面粗糙度的方法在实施例部分中进行描述。
用于如上控制多孔金属片的两个表面的表面粗糙度的方法没有特别限制。如下所述,在本公开内容中,可以使用金属泡沫、金属纤维烧结片或金属网等作为多孔金属片。在此,金属泡沫可以通过使用包含金属粉末的浆料制备前体并对其进行烧结来制备。例如,在以上过程中,可以通过调节浆料中金属粉末的粒径来控制表面粗糙度。此外,在金属纤维烧结片中,也可以通过控制所应用的金属纤维的线径来控制表面粗糙度,以及在金属网的情况下,也可以通过控制网尺寸等来调节表面粗糙度。此外,对改变第一主要表面和第二主要表面的表面粗糙度的方法没有特别限制。在多孔金属片中的金属泡沫或金属纤维烧结片的制造过程中,可以进行用于前体的烧结过程。此时,前体也可以为膜、片或层的形式,其中在进行烧结过程的步骤中,膜、片或层的一个主要表面与相对光滑的表面接触,并在相对表面暴露于空气的状态下进行烧结,或者在相对表面与具有粗糙度的表面接触的状态下进行烧结,由此获得在两个主要表面上具有不同表面粗糙度的多孔金属片。此外,在不使用或使用上述方法的情况下,如果需要调节所制造的多孔金属片的主要表面的表面粗糙度,则可以通过应用挤压多孔金属片表面的方法等来调节多孔金属片的表面粗糙度。
本公开内容的缓冲膜的多孔金属片可以具有电磁波屏蔽能力。在金属中,导电金属可以表现出对电磁波的反射特性。因此,传播至缓冲膜的电磁波可以被多孔金属片反射和屏蔽。此外,由于多孔金属片在其中或表面上包括空隙,因此已经传播至多孔金属片的电磁波可以在空隙内重复反射,并且电磁波在该过程中可以通过干涉等消散。
在一个实例中,多孔金属片在30MHz至1.5GHz下的电磁波屏蔽特性可以为70dB或更大。在另一个实例中,电磁屏蔽特性可以为75dB或更大、80dB或更大、85dB或更大、86dB或更大、87dB或更大、88dB或更大、89dB或更大、90dB或更大、91dB或更大、92dB或更大、93dB或更大、94dB或更大、或者95dB或更大。电磁波屏蔽特性的上限没有特别限制,但例如其可以为约200dB或更小、190dB或更小、180dB或更小、170dB或更小、160dB或更小、150dB或更小、140dB或更小、130dB或更小、120dB或更小、100dB或更小、或者100dB或更小左右。这样的电磁屏蔽特性可以通过如下调节多孔金属片的孔特性、厚度和材料来实现。电磁波屏蔽特性可以根据ASTM D4935或ASTM ES7标准来测量。
为了确保所需的抗冲击性并实现上述电磁波屏蔽能力和散热特性,可以控制多孔金属片的厚度。例如,多孔金属片的厚度可以为50μm或更大、65μm或更大、70μm或更大、75μm或更大、80μm或更大、85μm或更大、90μm或更大、95μm或更大、100μm或更大、105μm或更大、110μm或更大、115μm或更大、120μm或更大、125μm或更大、130μm或更大、135μm或更大、140μm或更大、145μm或更大、150μm或更大、155μm或更大、160μm或更大、165μm或更大、170μm或更大、175μm或更大、180μm或更大、185μm或更大、190μm或更大、195μm或更大、或者200μm或更大左右。随着多孔金属片的厚度增加,在确保OLED等所需的散热特性、电磁波屏蔽特性和抗冲击性方面是有利的,因此该厚度的上限没有特别限制。然而,当多孔金属片太厚时,不利于实现薄器件,因此可以将多孔金属片的厚度控制在约1000μm或更小、900μm或更小、800μm或更小、700μm或更小、600μm或更小、500μm或更小、400μm或更小、300μm或更小、200μm或更小、或者150μm或更小的范围内。
多孔金属片可以使用各种已知的金属或金属合金形成。考虑到金属材料的反射率、导热特性和导电特性,可以通过选择适当的材料获得表现出上述特性的多孔金属片。
例如,多孔金属片可以包含选自不锈钢、铜、金、铂、银、铝、镍、锰、铁、钴、镁、钼、钨和锌中的任一种金属,或者前述中的两者或更多者,或者可以由其构成,但不限于此。
在多孔金属片中,基于多孔金属片的总重量,选自不锈钢、铜、金、铂、银、铝、镍、锰、铁、钴、镁、钼、钨和锌中的任一种金属,或者前述中的两者或更多者的含量可以为55重量%或更大、60重量%或更大、65重量%或更大、70重量%或更大、75重量%或更大、80重量%或更大、85重量%或更大、90重量%或更大、或者95重量%或更大左右。由于多孔金属片可以仅包含金属,因此金属的重量比的上限为100重量%。
在一个实例中,多孔金属片可以包含第一金属和不同于第一金属的第二金属。
在一个实例中,第一金属和第二金属可以具有不同范围内的杨氏模量。
例如,第一金属的杨氏模量可以为160GPa或更小,以及第二金属的杨氏模量可以大于160GPa。金属的杨氏模量是根据ASTM E111确定的值。
在另一个实例中,第一金属的杨氏模量可以为155GPa或更小、150GPa或更小、145GPa或更小、140GPa或更小、135GPa或更小、130GPa或更小、125GPa或更小、120GPa或更小、115GPa或更小左右,或者还可以为50GPa或更大、55GPa或更大、60GPa或更大、65GPa或更大、70GPa或更大、75GPa或更大、80GPa或更大、85GPa或更大、90GPa或更大、95GPa或更大、100GPa或更大、105GPa或更大、110GPa或更大、115GPa或更大、120GPa或更大、或者125GPa或更大左右。
在另一个实例中,第二金属的杨氏模量可以为165GPa或更大、170GPa或更大、175GPa或更大、180GPa或更大、185GPa或更大、190GPa或更大、195GPa或更大、或者200GPa或更大左右,或者还可以为400GPa或更小、395GPa或更小、390GPa或更小、385GPa或更小、380GPa或更小、375GPa或更小、370GPa或更小、365GPa或更小、360GPa或更小、355GPa或更小、350GPa或更小、345GPa或更小、340GPa或更小、335GPa或更小、330GPa或更小、325GPa或更小、320GPa或更小、315GPa或更小、310GPa或更小、305GPa或更小、300GPa或更小、295GPa或更小、290GPa或更小、285GPa或更小、280GPa或更小、275GPa或更小、270GPa或更小、265GPa或更小、260GPa或更小、255GPa或更小、250GPa或更小、245GPa或更小、240GPa或更小、235GPa或更小、230GPa或更小、225GPa或更小、220GPa或更小、215GPa或更小、210GPa或更小、或者205GPa或更小左右。
通过应用各自具有以上杨氏模量的第一金属和第二金属,可以获得其中有效地确保期望的冲击缓解特性的多孔金属片。
在一个实例中,第一金属和第二金属可以具有不同范围内的比电阻。
例如,第一金属的比电阻可以为4.3×10-6Ωcm或更小,以及第二金属的比电阻可以大于4.3×10-6Ωcm。金属的比电阻是根据ASTM E1004-17确定的值。
在另一个实例中,第一金属的比电阻可以为4.1×10-6Ωcm或更小、3.9×10-6Ωcm或更小、3.7×10-6Ωcm或更小、3.5×10-6Ωcm或更小、3.3×10-6Ωcm或更小、3.1×10-6Ωcm或更小、2.9×10-6Ωcm或更小、2.7×10-6Ωcm或更小、2.5×10-6Ωcm或更小、2.3×10-6Ωcm或更小、2.1×10-6Ωcm或更小、1.9×10-6Ωcm或更小、或者1.7×10-6Ωcm或更小左右,或者还可以为0.5×10-6Ωcm或更大、0.7×10-6Ωcm或更大、0.9×10-6Ωcm或更大、1.0×10-6Ωcm或更大、1.1×10-6Ωcm或更大、1.3×10-6Ωcm或更大、1.5×10-6Ωcm或更大、或者1.7×10-6Ωcm或更大左右。
在另一个实例中,第二金属的比电阻可以为4.5×10-6Ωcm或更大、4.9×10-6Ωcm或更大、5.1×10-6Ωcm或更大、5.3×10-6Ωcm或更大、5.5×10-6Ωcm或更大、5.7×10-6Ωcm或更大、5.9×10-6Ωcm或更大、6.1×10-6Ωcm或更大、6.3×10-6Ωcm或更大、6.5×10-6Ωcm或更大、6.7×10-6Ωcm或更大、或者6.9×10-6Ωcm或更大左右,或者还可以为15×10-6Ωcm或更小、14×10-6Ωcm或更小、13×10-6Ωcm或更小、12×10-6Ωcm或更小、11×10-6Ωcm或更小、10×10-6Ωcm或更小、9.9×10-6Ωcm或更小、9.7×10-6Ωcm或更小、9.5×10-6Ωcm或更小、9.3×10-6Ωcm或更小、9.1×10-6Ωcm或更小、8.9×10-6Ωcm或更小、8.7×10-6Ωcm或更小、8.5×10-6Ωcm或更小、8.3×10-6Ωcm或更小、8.1×10-6Ωcm或更小、7.9×10-6Ωcm或更小、7.7×10-6Ωcm或更小、7.5×10-6Ωcm或更小、7.3×10-6Ωcm或更小、7.1×10-6Ωcm或更小、或者6.9×10-6Ωcm或更小左右。
通过应用各自具有这样范围内的比电阻的第一金属和第二金属,可以更有效地形成同时具有期望的导热特性和电阻特性的多孔金属片。
在一个实例中,第一金属和第二金属可以具有不同范围的热导率。
例如,第一金属的热导率可以为150W/mK或更大,以及第二金属的热导率可以小于150W/mK。金属的热导率是根据ASTM E1225确定的值。
在另一个实例中,第一金属的热导率可以为1000W/mK或更小、950W/mK或更小、900W/mK或更小、850W/mK或更小、800W/mK或更小、750W/mK或更小、700W/mK或更小、650W/mK或更小、600W/mK或更小、550W/mK或更小、500W/mK或更小、或者450W/mK或更小左右,或者还可以为160W/mK或更大、170W/mK或更大、180W/mK或更大、190W/mK或更大、200W/mK或更大、210W/mK或更大、220W/mK或更大、230W/mK或更大、240W/mK或更大、250W/mK或更大、260W/mK或更大、270W/mK或更大、280W/mK或更大、290W/mK或更大、300W/mK或更大、310W/mK或更大、320W/mK或更大、330W/mK或更大、340W/mK或更大、350W/mK或更大、360W/mK或更大、370W/mK或更大、380W/mK或更大、390W/mK或更大、或者400W/mK或更大左右。
在另一个实例中,第二金属的热导率可以为10W/mK或更大、20W/mK或更大、30W/mK或更大、40W/mK或更大、50W/mK或更大、60W/mK或更大、70W/mK或更大、80W/mK或更大、或者90W/mK或更大左右,或者还可以为145W/mK或更小、140W/mK或更小、135W/mK或更小、130W/mK或更小、125W/mK或更小、120W/mK或更小、115W/mK或更小、110W/mK或更小、105W/mK或更小、100W/mK或更小、或者95W/mK或更小左右。
通过应用各自具有这样范围内的热导率的第一金属和第二金属,可以更有效地形成同时具有期望的导热特性和电阻特性的多孔金属片。
第一金属可以表现出选自上述杨氏模量、热导率和比电阻中的至少一种特性,在一个实例中,其可以同时表现出杨氏模量、热导率和比电阻。这样的金属的类型没有特别限制,例如,第一金属可以为铜。
第二金属可以表现出选自上述杨氏模量、热导率和比电阻中的至少一种特性,在一个实例中,其可以同时表现出杨氏模量、热导率和比电阻。这样的金属的类型没有特别限制,例如,第二金属可以为铜。
此外,多孔金属片中可以包含仅一种类型的第一金属,并且多孔金属片中还可以存在两种或更多种类型的第一金属。例如,即使存在基于杨氏模量具有在上述范围内的杨氏模量但彼此不同种类的两种或更多种类型的金属,该两种或更多种类型的金属被视为第一金属,只要杨氏模量在上述范围内即可。该分类对于比电阻或热导率是一样的。
多孔金属片中可以包含仅一种类型的第二金属,并且多孔金属片中还可以存在两种或更多种类型的第二金属。例如,即使存在基于杨氏模量具有上述范围内的杨氏模量但彼此不同种类的两种或更多种金属,该两种或更多种类型的金属被视为第二金属,只要杨氏模量在上述范围内即可。该分类对于比电阻或热导率是一样的。
基于多孔金属片的总重量,多孔金属片中的第一金属和第二金属的总重量比可以为55重量%或更大、60重量%或更大、65重量%或更大、70重量%或更大、75重量%或更大、80重量%或更大、85重量%或更大、90重量%或更大、或者95重量%或更大左右。由于多孔金属片可以仅包含第一金属和第二金属,因此第一金属和第二金属的总重量比的上限为100重量%。
第一金属和第二金属可以如上所述具有不同的热导率、比电阻和/或杨氏模量,并且同时表现出类似范围内的密度。金属的密度是根据ASTM B923确定的值。
例如,第一金属和第二金属的密度可以各自在6g/cm3至15g/cm3的范围内。在另一个实例中,密度可以为6.5g/cm3或更大、7g/cm3或更大、7.5g/cm3或更大、8g/cm3或更大、或者8.5g/cm3或更大,或者还可以为14.5g/cm3或更小、14g/cm3或更小、13.5g/cm3或更小、13g/cm3或更小、12.5g/cm3或更小、12g/cm3或更小、11.5g/cm3或更小、11g/cm3或更小、10.5g/cm3或更小、或者10g/cm3或更小左右。
通过应用具有这样范围内的密度的金属,可以制造更轻并且确保期望效果的缓冲膜。
第一金属和第二种金属可以如上所述具有不同的热导率、比电阻和/或杨氏模量,并且同时表现出类似范围内的泊松比。金属的泊松比是根据ASTM E132确定的值。
例如,第一金属和第二金属的泊松比可以各自在0.1至0.7的范围内。在另一个实例中,泊松比可以为约0.15或更大、0.2或更大、0.25或更大、或者0.3或更大,或者还可以为0.65或更小、0.6或更小、0.55或更小、0.5或更小、0.45或更小、0.4或更小、或者0.35或更小左右。
通过应用具有这样范围内的泊松比的金属,可以更有效地制造表现出期望的冲击缓解效果的缓冲膜。
第一金属和第二金属可以各自独立地满足上述密度和泊松比中的一者或两者。
多孔金属片中的第一金属与第二金属之比没有特别限制。即由于多孔金属片的上述反射率、比电阻和导热特性取决于第一金属和第二金属的含量,因此可以调节第一金属与第二金属的含量比以满足上述反射率、比电阻和导热特性。
对于在多孔金属片中同时包含第一金属和第二金属的方法没有限制。例如,如下所述,多孔金属片可以为金属泡沫、金属纤维烧结片或金属网,其中可以同时使用第一金属和第二金属作为金属泡沫、金属纤维烧结片或金属网的材料等。或者,也可以应用由第一金属和第二金属中的任一者形成金属泡沫、金属纤维烧结片或金属网,然后在金属泡沫、金属纤维烧结片或金属网上由另一种金属形成金属层的方法。在此,形成金属层的方法没有特别限制,例如,可以应用已知的方法,例如电镀或化学镀。
在一个实例中,多孔金属片可以为所谓的金属泡沫。作为金属泡沫,可以没有特别限制地使用已知的金属泡沫,只要其由上述材料制成并表现出上述特性(比电阻、热导率、反射率等)即可。
这些金属泡沫是广泛已知的,并且制造金属泡沫的方法也是广泛已知的。在本公开内容中,可以应用这样的已知的金属泡沫或通过已知的方法制造的金属泡沫。
本公开内容中应用的金属泡沫可以例如通过包括将包含上述金属的金属泡沫前体烧结的步骤的方法来形成。在本公开内容中,术语金属泡沫前体意指在为了形成金属泡沫而进行的过程例如烧结之前的结构,即产生金属泡沫之前的结构。即使金属泡沫前体被称为多孔金属泡沫前体,其本身也不一定是多孔的,只要其最终可以形成为多孔金属结构的金属泡沫即可,为了方便起见,其可以被称为多孔金属泡沫前体。
金属泡沫前体可以使用包含至少金属组分、分散剂或溶剂、和粘结剂的浆料来形成,其中通过应用浆料可以有效地制造具有期望特性的多孔金属片。
可以应用金属粉末作为金属组分。适用的金属粉末的实例根据目的来确定,而没有特别限制,例如,可以应用如上所述的第一金属和/或第二金属的粉末或者金属合金的粉末或者金属混合物的粉末。
金属粉末的尺寸还考虑期望的孔隙率或表面粗糙度等来选择,而没有特别限制,但是例如,金属粉末的平均粒径可以在约0.1μm至约200μm的范围内。在另一个实例中,平均粒径可以为约0.5μm或更大、约1μm或更大、约2μm或更大、约3μm或更大、约4μm或更大、约5μm或更大、约6μm或更大、约7μm或更大、或者约8μm或更大、10μm或更大、15μm或更大、20μm或更大、25μm或更大、30μm或更大、35μm或更大、40μm或更大、45μm或更大、50μm或更大、或者55μm或更大。在另一个实例中,平均粒径可以为约150μm或更小、100μm或更小、90μm或更小、80μm或更小、70μm或更小、60μm或更小、50μm或更小、40μm或更小、30μm或更小、或者20μm或更小。作为金属颗粒中的金属,还可以应用平均粒径彼此不同的那些。可以考虑期望的金属泡沫的形状(例如,金属泡沫的厚度或孔隙率等)在适当的范围内选择平均粒径。本说明书中提到的金属粉末的平均粒径为所谓的中值粒径,也被称为D50粒径。这样的中值粒径可以通过公知的颗粒尺寸分析方法来获得。
浆料中的金属组分(金属粉末)的比率没有特别限制,其可以考虑期望的粘度或过程效率等来选择。在一个实例中,以重量为基础,浆料中的金属组分的比率可以为0.5%至95%左右,但不限于此。在另一个实例中,该比率可以为约1%或更大、约1.5%或更大、约2%或更大、约2.5%或更大、约3%或更大、约5%或更大、10%或更大、15%或更大、20%或更大、25%或更大、30%或更大、35%或更大、40%或更大、45%或更大、50%或更大、55%或更大、60%或更大、65%或更大、70%或更大、75%或更大、或者80%或更大,或者可以为约90%或更小、约85%或更小、约80%或更小、约75%或更小、约70%或更小、约65%或更小、60%或更小、55%或更小、50%或更小、45%或更小、40%或更小、35%或更小、30%或更小、25%或更小、20%或更小、15%或更小、10%或更小、或者5%或更小左右,但不限于此。
金属泡沫前体可以使用包含分散剂或溶剂和粘结剂以及金属粉末的浆料来形成。
作为分散剂或溶剂,例如,可以应用醇。作为醇,可以使用具有1至20个碳原子的一元醇,例如甲醇、乙醇、丙醇、戊醇、辛醇、乙二醇、丙二醇、戊醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、2-丁氧基乙醇、甘油、texanol或萜品醇;或者具有1至20个碳原子的二元醇,例如乙二醇、丙二醇、己二醇、辛二醇或戊二醇;或者更高级多元醇;等等,但种类不限于以上。此外,作为其他溶剂,可以考虑金属组分和以下待描述的粘结剂的溶解度来使用适当的溶剂,其中可以使用介电常数在约10至120范围内的溶剂,在另一个实例中,介电常数可以为约20或更大、约30或更大、约40或更大、约50或更大、约60或更大、或者约70或更大,或者可以为约110或更小、约100或更小、或者约90或更小。这样的溶剂可以例示为水或具有1至8个碳原子的醇例如乙醇、丁醇或甲醇,DMSO(二甲基亚砜),DMF(二甲基甲酰胺)或者NMP(N-甲基吡咯烷酮)等,或者基于酯的溶剂例如具有含1至20个碳原子、1至16个碳原子、1至12个碳原子、1至8个碳原子或1至4个碳原子的烷基的异丁酸烷基酯如IBIB(异丁酸异丁酯)等,但不限于此。
还可以使用醇和基于酯的溶剂的混合溶剂作为溶剂或分散剂。在这种情况下,例如,相对于100重量份的醇,可以使用约1重量份至100重量份的基于酯的溶剂。在另一个实例中,基于酯的溶剂的比率可以为3重量份或更大、5重量份或更大、7重量份或更大、9重量份或更大、或者11重量份或更大,或者可以为90重量份或更小、80重量份或更小、70重量份或更小、60重量份或更小、50重量份或更小、40重量份或更小、30重量份或更小、或者20重量份或更小左右。
浆料还可以包含粘结剂。这样的粘结剂的种类没有特别限制,其可以根据在生产浆料时应用的金属组分、溶剂或分散剂的种类适当地选择。例如,粘结剂可以例示为具有含1至8个碳原子的烷基的烷基纤维素例如甲基纤维素或乙基纤维素、具有含1至8个碳原子的亚烷基单元的聚碳酸亚烷基酯例如聚碳酸亚丙酯或聚碳酸亚乙酯、或者基于聚乙烯醇的粘结剂例如聚乙烯醇或聚乙酸乙烯酯(在下文中,也可以称为聚乙烯醇化合物)等,但不限于此。
浆料中各组分的比率没有特别限制。这样的比率可以考虑在使用浆料进行过程时的过程效率例如涂覆特性和可成型性来调节。
例如,相对于100重量份的上述金属组分,粘结剂可以以约1重量份至500重量份的比率包含在浆料中以更有效地确保孔特性例如期望的孔隙率或表面粗糙度等。在另一个实例中,该比率可以为约2重量份或更大、约3重量份或更大、约4重量份或更大、约5重量份或更大、约6重量份或更大、约7重量份或更大、约8重量份或更大、约9重量份或更大、约10重量份或更大、约20重量份或更大、约30重量份或更大、约40重量份或更大、约50重量份或更大、约60重量份或更大、约70重量份或更大、约80重量份或更大、约90重量份或更大、约100重量份或更大、约110重量份或更大、约120重量份或更大、约130重量份或更大、约140重量份或更大、约150重量份或更大、约200重量份或更大、或者约250重量份或更大,并且可以为约450重量份或更小、约400重量份或更小、约350重量份或更小、约300重量份或更小、约250重量份或更小、约200重量份或更小、约150重量份或更小、约100重量份或更小、约50重量份或更小、约40重量份或更小、约30重量份或更小、约20重量份或更小、约10重量份或更小、约8重量份或更小、或者约6重量份或更小左右。
相对于100重量份的粘结剂,浆料中的分散剂或溶剂可以以约0.5重量份至2,000重量份的比率包含在内以更有效地确保期望的孔特性等。在另一个实例中,该比率可以为约1重量份或更大、约1.5重量份或更大、约5重量份或更大、约10重量份或更大、约15重量份或更大、约20重量份或更大、约30重量份或更大、约40重量份或更大、约50重量份或更大、约60重量份或更大、约70重量份或更大、约80重量份或更大、约90重量份或更大、约100重量份或更大、约200重量份或更大、约300重量份或更大、约400重量份或更大、约500重量份或更大、约550重量份或更大、约600重量份或更大、或者约650重量份或更大,并且可以为约1,800重量份或更小、约1,600重量份或更小、约1,400重量份或更小、1,200重量份或更小、或者约1,000重量份或更小、约900重量份或更小、约800重量份或更小、约700重量份或更小、约600重量份或更小、约500重量份或更小、约400重量份或更小、约300重量份或更小、约200重量份或更小、约150重量份或更小、约130重量份或更小、约110重量份或更小、约100重量份或更小、约50重量份或更小、约30重量份或更小、约20重量份或更小、约10重量份或更小、或者约5重量份或更小。
除非另有说明,否则在本文中的单位重量份意指各组分之间的重量比。
除了上述组分之外,浆料还可以包含必要的已知添加剂。然而,为了有效地获得期望的孔特性或表面粗糙度等,浆料可以不包含所谓的发泡剂。术语发泡剂包括相对于浆料中的其他组分可以表现出发泡效果的组分,以及工业中通常称为发泡剂的其他组分。因此,在本公开内容中,在制造金属泡沫的过程期间,可以不进行发泡过程。
可以包含在浆料中的另外的组分的种类是变化的,但是代表性的实例可以例示为作为成孔剂的聚合物珠。这些聚合物珠存在于浆料中,然后在烧结过程等中被除去的同时在浆料中存在的区域中形成孔。适用的聚合物珠的种类没有特别限制,其中可以使用能够在烧结过程中被除去(例如,具有烧结温度或更低的熔点的聚合物珠)并且具有适用于期望的孔尺寸的平均粒径的珠。
此外,浆料还可以进一步包含已知能够用作所谓的流平剂的添加剂。
使用浆料形成金属泡沫前体的方法没有特别限制。在制造金属泡沫的领域中,已知用于形成金属泡沫前体的各种方法,并且在本公开内容中可以应用所有这些方法。例如,可以通过将浆料保持在合适的模板中,或者通过以适当的方式涂覆浆料来形成金属泡沫前体。
当根据本公开内容的一个实例以膜或片的形式生产金属泡沫时,应用涂覆方法可能是有利的。例如,在将浆料涂覆在合适的基材上以形成前体之后,可以通过以下待描述的烧结过程形成期望的金属泡沫。在以上过程中,金属泡沫的表面粗糙度也可以通过控制其上涂覆有浆料的基材表面的光滑度来控制。
金属泡沫前体的形式根据期望的金属泡沫来确定,其没有特别限制。在一个实例中,金属泡沫前体可以呈膜、片或层的形式,如在多孔金属片的情况下。
在形成金属泡沫前体的过程期间,还可以进行合适的干燥过程。例如,金属泡沫前体也可以通过经由上述涂覆方法等使浆料成型,然后将其干燥一定时间来形成。干燥的条件没有特别限制,可以将其控制在例如可以将浆料中包含的溶剂除去至期望水平的水平。例如,可以通过将成型的浆料在约50℃至250℃、约70℃至180℃、或约90℃至150℃范围内的温度下保持适当的一段时间来进行干燥。干燥时间也可以在适当的范围内选择。
可以对以这样的方式形成的金属泡沫前体进行烧结以生产金属泡沫。在这种情况下,进行用于生产金属泡沫的烧结的方法没有特别限制,并且可以应用已知的烧结方法。即,烧结可以以以适当的方式向金属泡沫前体施加适当量的热的方式来进行。
在这种情况下,考虑到所应用的金属泡沫前体的状态(例如浆料的组成或金属粉末的种类)等,可以控制烧结条件使得金属粉末相连接以形成多孔结构,并且具体条件没有特别限制。
例如,可以通过将前体保持在约500℃至2000℃范围内、700℃至1500℃范围内、或800℃至1200℃范围内的温度下来进行烧结,并且还可以任选地选择保持时间。在一个实例中,保持时间可以在约1分钟至10小时左右的范围内,但不限于此。
以这样的方式形成金属泡沫之后,如有必要,还可以进行金属层成形工艺,例如电镀或化学镀,以形成包含第一金属和第二金属的多孔金属片。
为了确保所需的抗冲击性并实现电磁波屏蔽能力和散热特性,可以控制金属泡沫的孔特性。例如,金属泡沫的孔隙率可以在50%至80%的范围内。在另一个实例中,金属泡沫的孔隙率可以为52%或更大、54%或更大、56%或更大、58%或更大、60%或更大、62%或更大、64%或更大、66%或更大、或者68%或更大,或者还可以为78%或更小、76%或更小、74%或更小、或者72%或更小左右。这样的金属泡沫的孔隙率可以通过经由金属泡沫的体积、质量、密度等转换孔隙率的已知方法来获得。
在另一个实例中,多孔金属片可以为金属纤维烧结片或金属网层。
金属纤维烧结片意指通过将金属纤维施加至造纸法等以具有片或膜形状,然后通过烧结融合而制造的片状制品,以及金属网意指通过将金属纤维编结或织造成网格、丝网、网或织造织物形状而制造的片状制品。
如上的金属纤维烧结片和/或金属网层也可以通过单独应用材料、厚度和/或孔控制等提供具有期望电磁波屏蔽特性、散热特性和冲击吸收特性的多孔金属片。
为了确保所需的电磁波屏蔽特性、抗冲击性和/或散热特性,可以控制构成金属纤维烧结片和/或金属网层的金属纤维的线径、孔隙率和/或网格特性。
在此,金属纤维的线径意指金属纤维的截面直径,其中该线径可以为金属纤维在形成金属纤维烧结片或金属网的状态下的线径,或者可以为在制造成金属纤维烧结片或金属网之前用作原材料的金属纤维的线径。
例如,形成金属纤维烧结片的金属纤维或用作用于制造金属纤维烧结片的原材料的金属纤维可以具有1μm至80μm范围内的线径。
此外,在一个实例中,金属纤维烧结片可以具有40%至80%范围内的孔隙率。烧结金属纤维片的孔隙率可以通过经由烧结金属纤维片的体积、质量、密度等转换孔隙率的已知方法来获得。
例如,形成金属网层的金属纤维或用作用于制造金属网层的原材料的金属纤维可以具有25μm至100μm范围内的线径。
此外,金属网层可以具有100目至200目范围内的网。
如上的金属纤维烧结片和/或金属网层可以没有任何特别限制地使用已知的金属材料(金属纤维)进行配置。即,金属纤维烧结片和/或金属网层可以通过考虑前述金属的杨氏模量、比电阻、热导率、泊松比和/或密度而选择适当的材料进行配置。
金属纤维烧结片和/或金属网层是广泛已知的,并且用于制造金属纤维烧结片和/或金属网层的方法也是广泛已知的。在本公开内容中,可以应用这样的已知的金属纤维烧结片和/或金属网层或者通过已知的方法制备的金属纤维烧结片和/或金属网层。
为了在金属纤维烧结片和/或金属网层中包含期望的第一金属和第二金属,如有必要,还可以进行金属层成形工艺,例如电镀或化学镀。
缓冲膜的多孔金属片可以仅包括金属泡沫、金属纤维烧结片和金属网层中的任一者,或者也可以呈选自前述中的两者或更多者层合或结合的形式。
缓冲膜或其中包括的多孔金属片可以基本上不包含有机组分,例如聚合物。这在确保期望的散热特性或抗冲击性方面是重要的。例如,其中金属泡沫与诸如聚合物的有机组分复合的复合材料等是已知的,但这种复合使金属泡沫在厚度方向上的热导率增大,并降低了抗冲击性。因此,在本公开内容中,缓冲膜或其中包括的多孔金属片需要基本上不包含有机组分。在此,基本上不包含有机组分的物质意指缓冲膜或多孔金属片中有机组分的比率为5重量%或更小、4.5重量%或更小、4重量%或更小、3.5重量%或更小、3重量%或更小、2.5重量%或更小、2重量%或更小、1.5重量%或更小、1重量%或更小、或者0.5重量%或更小左右。此时,有机组分的比率不包括应用于将多孔金属片附接至基底的层(例如以下将描述的粘着层)中包含的有机组分。对有机组分比率的下限没有限制,由于不包含有机成分是必要的,因此该比率的下限可以为0重量%。
缓冲膜可以包括用于将多孔金属片附着至基底等的粘着层作为另外的构成。粘着层可以形成在多孔金属片的一侧或两侧上。如上所述,当多孔金属片包括表面粗糙度彼此不同的第一主要表面和第二主要表面时,粘着层可以形成在主要表面中具有较大表面粗糙度的表面上。即,如上所述,如果多孔金属片的第一主要表面和第二主要表面具有不同的表面粗糙度,并且第一主要表面具有比第二主要表面的表面粗糙度更大的表面粗糙度,则粘着层可以形成在至少第一主要表面上。
作为粘着层,可以没有任何特别限制地应用已知的压敏粘合剂层或粘合剂层,并且对其厚度等没有特别限制。
如有必要,缓冲膜可以包括另外的其他层。例如,可以存在诸如石墨片或石墨层的另外的层以用于改善平面方向上的热扩散特性。
然而,就优选构成薄器件而言,缓冲膜可以仅包括多孔金属片和粘着层作为组件,从而配置更薄的器件。这是可能的,因为缓冲膜中包括的多孔金属片可以单独确保OLED等所需的电磁波屏蔽特性、散热特性和抗冲击性。
因此,在本公开内容中,可以提供诸如OLED的器件,所述器件确保简单的结构中所需的散热特性、电磁波屏蔽特性和抗冲击性(或冲击缓解特性)而没有诸如价格升高、工艺复杂性和厚度增加的问题。
本公开内容还涉及OLED,具体地包括所述缓冲膜的OLED。
本公开内容的OLED可以包括基底;形成在基底上部上的有机发光层和形成在基底下部上的缓冲膜。图2为示意性地示出了顺序地包括有机发光层20、基底10和缓冲膜100的OLED的图。作为缓冲膜,可以应用上述缓冲膜。
如以上所使用的术语上部和下部为用于限定围绕基底的有机发光层和缓冲膜等的位置关系的术语。因此,在实际运输或使用条件等中,有机发光层不一定存在于缓冲膜上方。
应用于OLED的基底的类型没有特别限制。通常,在配置OLED时,应用玻璃基底或塑料基底作为基底,并且在本公开内容中,可以没有限制地应用通常使用的基底。
在一个实例中,可以使用塑料基底作为基底。当使用塑料基底时,对于配置相对薄且柔性的OLED是有利的。然而,当使用塑料基底时,OLED变得更容易受外部冲击,并且难以有效地应对电磁波或热。然而,当应用本公开内容的缓冲膜时,可以利用塑料基底的优势,同时解决这样的缺点。
对形成在基底上的有机发光层的类型没有特别限制。通常,有机发光层存在于相对的正电极(阳极)与负电极(阴极)之间,并切包括包括至少发光层的有机层,其中在本文中可以没有特别限制地使用这样的一般构成。
除发光层之外,有机层还可以包括必要的已知层,例如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和/或空穴注入层。
在有机发光层中,正负电极中的任一者可以为透明电极,另一者可以为反射电极,在一些情况下,两个电极还可以为透明电极。
通过这样的构成构成有机发光层的方法和材料是已知的,并且这些已知的方法和材料也可以应用于本公开内容。
在以上结构中,缓冲膜为形成在基底下部上的层,从而能够有效地除去由OLED的有机发光层或其他组件产生的热,屏蔽从有机发光层产生的或传播至有机发光层的电磁波,并减轻或缓解外部冲击。
此外,如上所述,如果缓冲膜具有在上述第一主要表面和第二主要表面上具有不同表面粗糙度并且与第二表面相比在第一表面上具有更大的表面粗糙度的多孔金属片,则缓冲膜中的多孔金属片的第一主要表面可以设置成比第二主要表面更靠近有机发光层。
此外,通过表现出上述反射率,不会造成诸如OLED等中的可视性降低的问题,并且通过确保上述比电阻,如有必要,可以在OLED等中形成通电位点或绝缘位点。
OLED还可以包括在形成在缓冲膜下部上的电子元件作为另外的构成。图3表示了这样的构成,其示出了其中顺序地包括有机发光层20、基底10、缓冲膜100和电子元件40的情况。
电子元件是用于向驱动有机发光层的驱动电路部分施加信号的构成。因此,在这种情况下,基底或有机发光层可以包括用于驱动有机发光层的驱动电路部分,并且驱动电路部分可以与电子元件连接。
即使在如图3的构成中,缓冲膜100也可以阻挡有机发光层20和/或电子元件40中产生的热彼此传递,并屏蔽有机发光层20和/或电子元件40中产生的电磁波彼此传播。此外,即使当诸如基底10的组件变薄时,也可以防止因外部冲击对器件造成的损害。
电子元件和驱动电路部分的具体构成没有特别限制,并且可以应用已知的构成。
此外,在这样的构成的情况下,在电子元件与基底之间可以仅存在缓冲膜。因此,可以配置更薄的器件。这是可能的,因为缓冲膜中包括的多孔金属片单独可以确保OLED所需的电磁波屏蔽特性、散热特性和抗冲击性。
有益效果
本公开内容可以提供缓冲膜及其用途,特别是用于有机发光器件的缓冲膜及其用途。
附图说明
图1为示出了常规OLED的结构的示意图。
图2和3为示意性地示出本申请的OLED的图。
图4为示出用于评估抗冲击性过程的照片。
[附图标记]
10:基底
20:有机发光层
30,40:电子元件
100:缓冲膜
具体实施方式
在下文中,将通过实施例详细地描述本公开内容,但本公开内容的范围不受以下实施例限制。
1.多孔金属片的反射率的评估
使用UV光谱设备(Shimadzu UV-2600,由Shimadzu制造)评估缓冲膜中包括的多孔金属片(金属泡沫)对400nm至800nm波长的反射率。将积分球(ISR-2600)安装在设备上,并根据手册在漫反射模式下测量反射率(漫反射测量),其中应用BaSO4作为标准材料。以该方式,从400nm到800nm以0.5nm的间隔评估反射率,并对所评估的反射率求平均值以确定反射率。
2.热扩散率的评估
缓冲膜中包括的多孔金属片(金属泡沫)的热扩散率通过LFA(激光闪光分析,Laser Flash Analysis)法进行评估,其中所评估的热扩散率为xy平面的热扩散率。当测量热扩散率时,使用微闪(microflash)(LFA46Hyper闪光灯,由Netzsch制造)设备(平面内测量模式)。当测量热扩散率时,将试样(金属泡沫)冲制成直径为约25.4mm的圆形,并使用。
3.表面粗糙度的评估
使用3D激光显微镜(Keyence的VK-X160型号)测量多孔金属片的表面粗糙度。
4.比电阻的评估
使用四点探针(FPP)法测量包括在缓冲膜中的多孔金属片(金属泡沫)的比电阻。此时,使用CMT-SR2000N(由AIT制造)作为设备。
5.抗冲击性(脉冲衰减)的评估
如图4所示,使用落球装置评估抗冲击性。在图4中,附图标记1000表示落球位置,附图标记2000表示样品位置,以及附图标记3000表示测量部分。将多孔金属片(金属泡沫)放置在图4的样品位置,并用落球装置将同样重量的球从同样的高度落至多孔金属片上,并由测量部分测量峰值冲击力。下表描述了通过比较以上述方式测得的结果与通过在没有多孔金属片的情况下使球下落而测量的峰值冲击力而获得的压缩率。
实施例1.
作为多孔金属片,制备了金属泡沫。使用平均粒径(中值粒径,D50粒径)为约60μm的铜粉制备金属泡沫。在此,铜为具有约401W/mK的热导率、约110GPa至128GPa的杨氏模量、约0.34的泊松比、约1.7×10-6Ωcm左右的比电阻以及约8.96g/cm3左右的密度的材料。将30g铜粉、20g萜品醇、8g癸酸乙基己酯、3g聚乙酸乙烯酯和1g流平剂(BYK,BYK-358N)混合以制备浆料。将浆料以膜的形式涂覆,在120℃的烘箱中干燥30分钟,然后在氢气/氩气气氛下在约1,000℃左右的温度下烧结约2小时以制备金属泡沫。在以上过程中。将浆料涂覆在具有小表面粗糙度的平滑表面上,并且使平滑表面上的与涂覆的一侧相对的一侧在暴露于空气的状态下经历烧结。
在由此形成的铜金属泡沫上进行镀镍。在此,镍为具有约91W/mK的热导率、约200GPa的杨氏模量、约0.31的泊松比、约6.9×10-6Ωcm左右的比电阻以及约8.908g/cm3左右的密度的材料。
以已知的方式进行电镀。即铜金属泡沫放在其中溶解有NiSO4、NiCl2或H2BO3等的溶液中,并通过电镀法用镍对相关铜金属泡沫的表面进行镀覆,其中应用铂电极和铜金属泡沫分别作为正电极和负电极。镀覆进行约1分钟左右以获得镀镍的铜金属泡沫。铜金属泡沫中的镍的镀覆厚度为约97nm左右。在用聚焦离子束(FIB)切割样品(金属泡沫)并暴露截面的状态下,通过SEM(扫描电子显微镜)观察来确定镍的镀覆厚度。所制备的金属泡沫具有150μm左右的厚度和74%左右的孔隙率。此外,金属泡沫两个表面的中的一侧(第一主要表面)的表面粗糙度(1Sa)为约8.2μm左右,另一侧(第二主要表面)的表面粗糙度(2Sa)为约5.5μm左右。在第一主要表面上形成丙烯酸类压敏粘合剂层以制备缓冲膜。
实施例2.
以与实施例1中相同的方式制备多孔金属片,条件是多孔金属片是通过进行2分钟的镀镍来制备的。铜金属泡沫中的镍的镀覆厚度为约142nm左右。由此制备的金属泡沫具有151μm左右的厚度和74%左右的孔隙率。此外,金属泡沫两个表面的一侧(第一主要表面)的表面粗糙度(1Sa)为约8.2μm左右,另一侧(第二主要表面)的表面粗糙度(2Sa)为约5.5μm左右。在第一主要表面上形成丙烯酸类压敏粘合剂层以制备缓冲膜。
实施例3.
以与实施例1中相同的方式制备多孔金属片,条件是多孔金属片是通过进行4分钟的镀镍来制备的。铜金属泡沫中的镍的镀覆厚度为约209nm左右。由此制备的金属泡沫具有153μm左右的厚度和72%左右的孔隙率。此外,金属泡沫两个表面的一侧(第一主要表面)的表面粗糙度(1Sa)为约8.1μm左右,另一侧(第二主要表面)的表面粗糙度(2Sa)为约5.5μm左右。在第一主要表面上形成丙烯酸类压敏粘合剂层以制备缓冲膜。
实施例4.
以与实施例1中相同的方式制备多孔金属片,条件是多孔金属片是通过进行8分钟的镀镍来制备的。铜金属泡沫中的镍的镀覆厚度为约536nm左右。由此制备的金属泡沫具有155μm左右的厚度和70%左右的孔隙率。此外,金属泡沫两个表面的一侧(第一主要表面)的表面粗糙度(1Sa)为约8.0μm左右,另一侧(第二主要表面)的表面粗糙度(2Sa)为约5.5μm左右。在第一主要表面上形成丙烯酸类压敏粘合剂层以制备缓冲膜。
实施例5.
在实施例1中制备的多孔金属片的第二主要表面上形成丙烯酸类压敏粘着层以制备缓冲膜。
比较例1.
在与实施例1中制备的相同的铜金属泡沫上不进行额外的镀镍,并在第一表面上形成压敏粘合剂层以制备缓冲膜。
各实施例和比较例的评估结果描述在表1中。
在下表1中,电磁屏蔽能力是根据ASTM D4935标准在30MHz至1.5GHz范围内测量的结果。
[表1]
从上表1可以确定,根据这些实施例的缓冲膜可以单独满足OLED等所需的抗冲击性、散热特性和电磁波屏蔽能力。
此外,可以确定,以上实施例的缓冲膜中的多孔金属片显示出低的反射率,使得其包括在OLED中而不造成可视性问题等,并且其显示出适当的比电阻,使得其可以形成OLED等所需的绝缘位点或通电位点,而可以确定,比较例1的缓冲膜显示出过高的反射率。
Claims (15)
1.一种缓冲膜,包括:多孔金属片,
其中所述多孔金属片相对于波长范围为400nm至800nm的光的平均反射率为50%或更小。
2.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片的比电阻为1.0×10-5Ωcm或更大。
3.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片的热扩散率为25mm2/秒或更大。
4.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片的第一主要表面和第二主要表面具有彼此不同的表面粗糙度,以及其中所述第一主要表面的表面粗糙度1Sa相对于所述第二主要表面的表面粗糙度2Sa的比率1Sa/2Sa大于1且为3或更小。
5.根据权利要求4所述的缓冲膜,其中所述第一主要表面的表面粗糙度1Sa为6.5μm或更大。
6.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片的厚度为50μm或更大。
7.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片包含杨氏模量为160GPa或更小的第一金属和杨氏模量大于160GPa的第二金属。
8.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片包含比电阻为4.3×10-6Ωcm或更小的第一金属和比电阻大于4.3×10-6Ωcm的第二金属。
9.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片包含第一金属和不同于所述第一金属的第二金属,以及其中所述第一金属和所述第二金属二者的泊松比在0.1至0.7的范围内。
10.根据权利要求1所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片为金属泡沫、金属纤维烧结片或金属网。
11.根据权利要求1所述的缓冲膜,还包括在所述多孔金属片的一侧或两侧上的粘着层。
12.根据权利要求11所述的缓冲膜,其中所述多孔金属片的第一主要表面和第二主要表面具有彼此不同的表面粗糙度,其中所述第一主要表面具有比所述第二主要表面更大的表面粗糙度,以及其中所述粘着层形成在所述第一主要表面上。
13.一种有机发光器件,包括:
基底;
形成在所述基底上部上的有机发光层;和
形成在所述基底下部上的根据权利要求1至12中任一项所述的缓冲膜。
14.根据权利要求13所述的有机发光器件,其中所述缓冲膜中的所述多孔金属片的第一主要表面和第二主要表面具有彼此不同的表面粗糙度,其中所述第一主要表面具有比所述第二主要表面更大的表面粗糙度,以及其中所述第一主要表面被设置成比所述第二主要表面更靠近所述有机发光层。
15.根据权利要求13所述的有机发光器件,还包括形成在所述缓冲膜的下部上的电子元件,其中在所述电子元件与所述基底之间仅存在所述缓冲膜。
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