CN116018424A - 沉积装置 - Google Patents

沉积装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116018424A
CN116018424A CN202180055096.XA CN202180055096A CN116018424A CN 116018424 A CN116018424 A CN 116018424A CN 202180055096 A CN202180055096 A CN 202180055096A CN 116018424 A CN116018424 A CN 116018424A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
nozzle plate
plate
deposition apparatus
guide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180055096.XA
Other languages
English (en)
Inventor
文炳竣
李镕焕
赵镛日
曹永秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Electronics Inc
Original Assignee
LG Electronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Electronics Inc filed Critical LG Electronics Inc
Publication of CN116018424A publication Critical patent/CN116018424A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

沉积装置包括:坩埚,在其内部形成有空间;喷嘴板,覆盖空间并设置有喷嘴;引导件,插入于坩埚,在其内周面形成有内螺纹;以及内板,在其外周面形成有与引导件螺纹结合的外螺纹,并且内板在引导件的内部进行高度调节。

Description

沉积装置
技术领域
本发明涉及沉积装置,涉及一种将沉积物质沉积为被沉积物的沉积装置。
背景技术
沉积(deposition)是指,使用气体状态的粒子来在如金属、玻璃(glass)等物体的表面形成薄固体膜的方法。
近年来,随着如TV、手机等电子设备中OLED(Organic Light Emitting Diodes,有机发光二极管)显示器使用的增加,对制造OLED显示面板的装置、工艺等的研究非常活跃。尤其,OLED显示器面板制造工艺包括在真空状态下将有机物质沉积于玻璃基板等基板的工艺。
具体而言,沉积工艺包括通过加热容纳有有机物质的坩埚(crucible)来将有机物质蒸发为气体状态的工艺和气体状态的有机物质经由喷嘴(nozzle)沉积于基板的工艺。
此时,为了确保优秀的OLED特性,需要将气体状态的有机物质均匀地沉积于基板。
因此,沉积装置需要将通过喷嘴的气体状态的有机物质均匀地引导到基板的各区域。
如果不能适当地引导通过喷嘴的气体状态的有机物质,则形成表面不均匀的薄膜。
韩国公开专利公报10-2016-0017671A(2016年02月17日公开)中披露了一种薄膜形成用蒸发源,所述薄膜形成用蒸发源可以通过均匀地混合蒸汽状态的沉积物质的成分来获得成分比均匀的薄膜,并且其包括:坩埚,容纳沉积物质;以及复数个内板,内接于所述坩埚并沿所述坩埚的垂直方向隔开设置,并且分别形成有至少一个开口部。
发明内容
所要解决的问题
本发明的目的在于,提供一种通过容易地调节内板的间隙来提高薄膜均匀度的沉积装置。
本发明的另一目的在于,涉及一种即使沉积物质变更,也可以通过调节内板的间隙来确保最佳的薄膜均匀度,并且能够容易地调整的沉积装置。
解决问题的技术方案
本实施例的沉积装置可以包括:坩埚,在其内部形成有空间;喷嘴板,覆盖空间并设置有喷嘴;引导件(guide tab),插入于坩埚,在其内周面形成有内螺纹;以及内板,在其外周面形成有与引导件螺纹结合的外螺纹,内板在引导件的内部进行高度调节。
内板可以包括:上板,与喷嘴板隔开第一间隙;以及下板,与上板隔开第二间隙。
上板的通孔与下板通孔可以在上下方向上不一致。
坩埚可以包括:下坩埚;以及上坩埚,形成于下坩埚上部,上坩埚的内径大于下坩埚的内径。
上坩埚可以包围引导件的外周面。
引导件的外径可以大于下坩埚的内径。
在坩埚的上部可以形成有供喷嘴板插入并容纳的喷嘴板容纳部。
喷嘴板容纳部可以包括:安置部,供喷嘴板安置;以及盖部,形成为大于喷嘴板并包围喷嘴板的外周面。
喷嘴板可以容纳于盖部的内侧。
盖部的内周面可以从安置部的顶面朝上侧方向延伸。
盖部的内周面和喷嘴板的外周面之间的间隙可以朝上侧方向开放。
在盖部的内周面可以形成有上内螺纹,在喷嘴板的外周面可以形成有于上内螺纹螺纹紧固的上外螺纹。
喷嘴板的外周面可以包括隔开部,隔开部与盖部的内周面隔开并与盖部的内周面形成间隙。
技术效果
根据本发明的实施例,即使在沉积原料变更的情况下,也可以容易地变更内板的间隙,并且以最佳的均匀度形成薄膜的厚度。
另外,在引导件可以结合有复数个内板。
另外,形成于坩埚的喷嘴板容纳部可以通过将沉积物质朝上侧方向引导来使沉积物质最大限度地供给到基板,从而能够使由沉积物质引起的加热器的损伤最小化。
另外,喷嘴板容纳部可以保护喷嘴板。
另外,可以在保持引导件和内板的状态下更换喷嘴板。
另外,喷嘴板与喷嘴板容纳部螺纹紧固,从而容易组装喷嘴板。
附图说明
图1是示出本发明一实施例的沉积装置的剖视图。
图2是图1中示出的喷嘴块体的放大图。
图3是调节图2中示出的内板的间隙的剖视图。
图4是更换图2中示出的喷嘴的剖视图。
图5是示出本发明另一实施例的沉积装置的剖视图。
图6是图5中示出的喷嘴板和引导件的放大图。
图7是示出本发明另一实施例的喷嘴板插入于坩埚的示例的立体图。
具体实施方式
以下,将参照附图详细说明本发明的具体实施例。
图1是示出本发明实施例的沉积装置一例的剖视图。图2是图1中示出的喷嘴块体的放大图。
沉积装置包括:坩埚2,在内部形成有空间S1;喷嘴块体10,覆盖空间S1;以及内板20,结合于喷嘴块体10并形成有通孔H。
坩埚2、喷嘴块体10以及内板20可以构成薄膜形成用蒸发源30。
沉积装置可以包括:加热器40,能够加热薄膜形成用蒸发源30;以及反射器50,包围加热器40。沉积装置还包括容纳薄膜形成用蒸发源30、加热器40、反射器50的冷却器60。
坩埚2可以在空间S容纳沉积原料8。如果加热坩埚2,则容纳于坩埚2的沉积原料8可以蒸发为沉积物质。
沉积原料8可以使用银(Ag)、镁(Mg)、氟化锂(LiF)等,或者也可以根据OLED的结构来确定沉积原料8。
在沉积原料8不同的情况下,沉积物质的密度、沸点等可能发生变化,沉积物质可以根据内板20的高度。间隙等呈现蒸发模式,由此形成于基板的薄膜的均匀度可能不同。
坩埚2的上部内周面可以形成有外侧内螺纹3。
坩埚2可以包括下坩埚4和上坩埚5。
下坩埚4的截面形状可以形成为顶面开放的杯形状。
上坩埚5可以形成为中空筒体形状,尤其可以形成为中空圆筒形状。
在上坩埚5的内周面可以形成有外侧内螺纹3。
上坩埚5可以形成于下坩埚4的上部,并且其内径D1可以大于下坩埚4的内径D2。
坩埚2可以包括盖部6。
盖部6可以从上坩埚5向加热器40的上侧凸出,并且可以与加热器40沿上下方向隔开。
盖部6可以从上坩埚5的上端朝水平方向外侧凸出。
喷嘴块体10可以包括喷嘴板11。
喷嘴板11可以是板形状。在喷嘴板11可以设置有喷嘴12。
喷嘴12可以一体形成于喷嘴板11,或者也可以可分离地结合于喷嘴板11。
在喷嘴12一体形成于喷嘴板11的情况下,所述喷嘴12可以在喷嘴板11的顶面凸出。
在喷嘴12可分离地结合于喷嘴板11的情况下,所述喷嘴12可以紧固于形成在喷嘴板11的喷嘴紧固口13。喷嘴12螺纹紧固于喷嘴紧固口13,从而可以可分离地结合。
在喷嘴板11可以更换直径D3不同的喷嘴12。可分离地紧固于喷嘴板11的喷嘴12的外径可以相同,但是内径D3可以不同。
喷嘴板11整体上可以是圆盘形状,并且可以形成为比上坩埚5大。喷嘴板11可以包括安置于盖部6的安置部14a。
喷嘴板11可以以后述的引导件15为基准划分为安置部14a和中央部14b。
中央部14b可以是设置有喷嘴12的内侧部分,安置部14a可以是未设置有喷嘴12且与盖部6接触的外侧部分。安置部14a可以是环形状。
喷嘴块体10可以包括引导件15。引导件15可以凸出地设置在喷嘴板11的底面。引导件15的大小可以小于上坩埚5,并且可以插入到坩埚2,尤其是上坩埚5的内部。
引导件15可以形成为中空筒体形状,尤其是形成为中空圆筒形状。
引导件15可以将从喷嘴板11的下方蒸发的沉积物质引导到喷嘴12。
在引导件15的外周面可以形成有与外侧内螺纹3螺纹结合的外侧外螺纹16。另外,引导件15的外侧外螺纹16可以螺纹紧固于外侧内螺纹3,并且可以插入到上坩埚5的内部。
在外侧外螺纹16螺纹紧固于外侧内螺纹3的情况下,上坩埚5可以包围引导件15的外周,并且保护引导件15。
引导件15的外径D4可以大于下坩埚4的内径D2。
另一方面,在引导件15的内周面可以形成有供内板20高度可调节地紧固的内板紧固部。
在引导件15的内周面可以形成有内侧内螺纹17。
内侧内螺纹17可以形成为其宽度大于后述的上板24和下板26的最大间隙。
在内板20的外周面可以形成有与内侧内螺纹17螺纹紧固的内侧外螺纹22。
内板20可以在引导件15的内周面设置有复数个,可以包括:上板24,与喷嘴板11隔开第一间隙G1;以及下板26,与上板24隔开第二间隙G2。
上板24的内侧外螺纹22可以螺纹紧固于内侧内螺纹17,并且可以确定上板2高度。
上板24螺纹紧固的高度越高,喷嘴板11和上板24的第一间隙G1可以越窄。
在沉积装置中,如果第一间隙G1被调节,则沉积物质的流动的模式可以不同。
下板26的内侧外螺纹22可以螺纹紧固于内侧内螺纹17并与上板24隔开,并且可以确定下板26高度。
下板26螺纹紧固的高度越高,上板24和下板26之间的第二间隙G2可以越窄。
在沉积装置中,如果第二间隙G2被调节,则沉积物质的流动的模式可以不同。
上板24的通孔H1和下板26的通孔H2可以形成在沿上下方向不一致的位置。
加热器40可以从坩埚2的外部加热坩埚2。加热器40包括上部加热器42和下部加热器44。
上部加热器42可以配置在坩埚2的上部外周并加热坩埚2的上部。
下部加热器44可以配置在坩埚2的下部外周并加热坩埚2的下部。
上部加热器42和下部加热器44可以沿上下方向隔开。
上部加热器42和下部加热器44可以被加热器托架46支撑。
反射器50可以将从加热器40释放的热量向坩埚2反射。反射器50可以形成加热器40的外表面。
冷却器60可以阻断加热器40释放的热量被释放到沉积装置的外部。
在冷却器60的内部可以形成有容纳空间,在冷却器60的容纳空间可以配置有加热器40。
冷却器60可以包括供冷却水等制冷剂通过的制冷剂管或制冷剂通道。冷却器60包括具有制冷剂管或制冷剂通道的冷却水柱(cooling water block)。
如上所述的沉积装置的上板24和下板26可以在引导件15进行高度调节,蒸发物质的蒸发模式可以根据上板24和下板26的高度而不同。
图3是调节图2中示出的内板的间隙的剖视图,图4是更换图2中示出的喷嘴的剖视图。
在沉积装置的使用中沉积原料8的物质发生变更的情况下,可以确认形成于基板的薄膜的厚度并确认最佳的内板间隙G1、G2。
例如,图3是示出通过旋转内板24、26来使第一间隙G1比图2减小并使第二间隙G2比图2增加的情况的图。
在调节内板24、26的间隙G1、G2的情况下,确认基板上形成的薄膜的厚度是否在设定范围内,并在将内板24、26配置为具有使薄膜的厚度调节为设定范围以内的间隙G1、G2的状态下,追加使用沉积装置。
另一方面,在基板上形成的薄膜的均匀度不同的情况下,如图4所示,可以安装新的喷嘴12,例如安装内径更小的喷嘴12来代替内径较大的喷嘴12,并且可以通过调节内板24、26的间隙G1、G2来提高均匀度。
图5是示出本发明实施例的沉积装置的另一例的剖视图,图6是图5中示出的喷嘴板和引导件的放大图,图7是示出本发明另一实施例的喷嘴板插入于坩埚的示例的立体图。
本实施例包括坩埚2、喷嘴板11、引导件15′以及内板20。
在坩埚2的内部可以形成有空间S1。
坩埚2包括:下坩埚4;以及上坩埚5,形成于下坩埚4,并且其内径大于下坩埚4的内径,上坩埚5可以包围引导件15′的外周面。
在坩埚2的上部可以形成有喷嘴板容纳部6′。
喷嘴板容纳部6′可以定义为供喷嘴板11插入并容纳的部分。
喷嘴板容纳部6′可以包括:安置部6a,供喷嘴板11安置;以及盖部6b,形成为大于喷嘴板11并包围喷嘴板11的外周面11a。
安置部6a可以在上坩埚5的上端水平延伸。
图6所示,盖部6b的内周面6c可以从安置部6a的顶面朝上侧方向U延伸。盖部6b的内周面6c可以与安置部6a的顶面正交。
盖部6b的内周面6c和喷嘴板11的外周面11a之间的间隙S2可以朝上侧方向开放。
在盖部6b的内周面6c形成有上内螺纹(未图示),所述上内螺纹与形成在喷嘴板11的外周面11a的上外螺纹11b(参照图7)螺纹紧固。
坩埚2中除了喷嘴板容纳部6′以外的构成与本发明一实施例的坩埚2相同或类似,对相同的构成使用相同的附图标记来进行说明,并省略对其的重复说明。
喷嘴板11可以覆盖空间S1并设置有喷嘴13。
喷嘴板11可以插入于盖部6b的内侧并被容纳。
喷嘴板11的外周面11a可以形成有与上内螺纹螺纹紧固的上外螺纹11b。
喷嘴板11的外周面11a可以包括与盖部6b的内周面6c沿水平方向隔开的隔开部11c,隔开部11c可以与盖部6b的内周面6c形成间隙S2。在喷嘴板11的外周面11a可以交替形成有曲线形状的曲面部和直线形状的直线部。在曲面部可以形成有上外螺纹11b,直线部可以构成隔开部11c。
喷嘴板11可以容纳于喷嘴板容纳部6′并被喷嘴板容纳部6′保护。
从坩埚2的空间S1蒸发的沉积物质的一部可以通过喷嘴板容纳部6′和喷嘴板11之间的间隙S2泄露,但这样的沉积物质可以被盖部6b的内周面6c和喷嘴板11的隔开部11c引导而朝上侧方向U引导。
如上所述,在沉积物质向上侧方向U引导的情况下,可以使从坩埚2向加热器40泄露的沉积物质最少化,并且可以使由沉积物质引起的加热器40的损伤最小化。
喷嘴板11除了插入并容纳于喷嘴板容纳部6′的构成以外,与本发明一实施例的喷嘴板11相同或类似,因此使用相同的附图标记来进行说明,并省略对其的重复说明。
引导件15′可以插入于坩埚2,并且在所述引导件15′的内周面可以形成有内螺纹17。引导件15′的外径可以大于下坩埚4的内径。内螺纹17可以与本发明一实施例的内侧内螺纹17相同。
引导件15′可以安置于下坩埚4的上端,并且可以可升降地配置于上坩埚5的内部。
引导件15′的上下方向长度可以小于上坩埚5的上下方向长度。
引导件15′可以在上下方向上与上板11隔开,并且在引导件15′的上端和上板11的底面之间可以形成有间隙S3。
在引导件15′未与喷嘴板11一体形成的情况下,可以在保持引导件15'的状态下更换喷嘴板11。
引导件15′除了安置于下坩埚4并与喷嘴板11隔开的构成以外,与本发明一实施例的引导件15′相同或类似,因此使用相同的附图标记来进行说明,并省略对其的重复说明。
在内板20的外周面可以形成有与引导件15′螺纹结合的外螺纹22,内板20可以在引导件15′的内部进行高度调节。内板20可以包括:上板24,与喷嘴板11隔开第一间隙;以及下板26,与上板24隔开第二间隙G2,并且上板24的通孔H1和下板26的通孔H2可以在上下方向上不一致。
外螺纹22可以与本发明一实施例的内侧外螺纹22相同。
上板24和下板26可以根据基板上形成的薄膜的厚度调节高度和间隙G1、G2,并且可以通过调节间隙G1、G2来提高基板的薄膜均匀度。
内板20与本发明一实施例的内板20相同或类似,因此使用相同的附图标记来进行说明,并省略对其的重复说明。
以上说明仅是本发明技术思想的示例,并且本发明所属领域的普通技术人员将能够做出各种修改和变形而不脱离本发明的本质特征。
因此,在本发明中公开的实施例并非旨在限制本发明的技术思想,而是用于解释该技术思想,并且本发明的技术思想的范围不受这些实施例的限制。
本发明的保护范围应该由所附的权利要求书来解释,并且与之等效的范围内的所有技术思想都应被解释为包括在本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种沉积装置,其中,
包括:
坩埚,在其内部形成有空间;
喷嘴板,覆盖所述空间并设置有喷嘴;
引导件,插入于所述坩埚,在其内周面形成有内螺纹;以及
内板,在其外周面形成有与所述引导件螺纹结合的外螺纹,所述内板在所述引导件的内部进行高度调节。
2.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,
所述内板包括:
上板,与所述喷嘴板隔开第一间隙;以及
下板,与所述上板隔开第二间隙。
3.根据权利要求2所述的沉积装置,其中,
所述上板的通孔和所述下板的通孔在上下方向上不一致。
4.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,
所述坩埚包括:
下坩埚;以及
上坩埚,形成于所述下坩埚上部,所述上坩埚的内径大于下坩埚的内径。
5.根据权利要求4所述的沉积装置,其中,
所述上坩埚包围所述引导件的外周面。
6.根据权利要求4所述的沉积装置,其中,
所述引导件的外径大于所述下坩埚的内径。
7.根据权利要求1所述的沉积装置,其中,
在所述坩埚的上部形成有供所述喷嘴板插入并容纳所述喷嘴板的喷嘴板容纳部。
8.根据权利要求7所述的沉积装置,其中,
所述喷嘴板容纳部包括:
安置部,供所述喷嘴板安置;以及
盖部,形成为大于所述喷嘴板并包围所述喷嘴板的外周面,
所述喷嘴板容纳于所述盖部的内侧。
9.根据权利要求8所述的沉积装置,其中,
所述盖部的内周面从所述安置部的顶面朝上侧方向延伸。
10.根据权利要求8所述的沉积装置,其中,
所述盖部的内周面和所述喷嘴板的外周面之间的间隙朝上侧方向开放。
11.根据权利要求8所述的沉积装置,其中,
在所述盖部的内周面形成有上内螺纹,
在所述喷嘴板的外周面形成有与所述上内螺纹螺纹紧固的上外螺纹。
12.根据权利要求8所述的沉积装置,其中,
所述喷嘴板的外周面包括;
隔开部,与所述盖部的内周面隔开并与所述盖部的内周面形成间隙。
CN202180055096.XA 2020-07-10 2021-06-03 沉积装置 Pending CN116018424A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200085034A KR102598142B1 (ko) 2020-07-10 2020-07-10 증착 장치
KR10-2020-0085034 2020-07-10
PCT/KR2021/006942 WO2022010105A1 (ko) 2020-07-10 2021-06-03 증착 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116018424A true CN116018424A (zh) 2023-04-25

Family

ID=79553289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180055096.XA Pending CN116018424A (zh) 2020-07-10 2021-06-03 沉积装置

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR102598142B1 (zh)
CN (1) CN116018424A (zh)
WO (1) WO2022010105A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023167347A1 (ko) * 2022-03-03 2023-09-07 엘지전자 주식회사 선형 증발원

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100712217B1 (ko) * 2005-09-30 2007-04-27 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 이용한 진공증착기
KR100691025B1 (ko) * 2005-12-16 2007-03-09 두산디앤디 주식회사 유기박막 증착용 도가니 장치
KR101015336B1 (ko) * 2008-08-22 2011-02-16 삼성모바일디스플레이주식회사 내부 플레이트 및 이를 구비한 증착용 도가니 장치
KR101633112B1 (ko) * 2009-12-03 2016-06-24 엘지디스플레이 주식회사 유기박막 진공 열 증착 장치용 소스
KR20160017671A (ko) 2014-07-31 2016-02-17 에스엔유 프리시젼 주식회사 박막형성용 증발원
KR102221757B1 (ko) * 2018-11-26 2021-03-03 주식회사 선익시스템 점 증발원용 도가니 및 점 증발원

Also Published As

Publication number Publication date
KR20220007179A (ko) 2022-01-18
WO2022010105A1 (ko) 2022-01-13
KR102598142B1 (ko) 2023-11-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101465615B1 (ko) 증발 증착 장치
KR100848709B1 (ko) 하향식 증발원
CN104380434B (zh) 基板加工设备和基板加工方法
KR101877908B1 (ko) 유기 재료를 위한 증발 소스, 유기 재료를 위한 증발 소스를 갖는 장치, 및 유기 재료를 증착시키기 위한 방법
KR20160112293A (ko) 증발원 및 이를 포함하는 증착장치
US20110042208A1 (en) Film forming source, vapor deposition apparatus, and apparatus for manufacturing an organic el element
KR20180048444A (ko) 재료 증착 소스 어레인지먼트의 분배 어셈블리를 위한 노즐, 재료 증착 소스 어레인지먼트, 진공 증착 시스템, 및 재료를 증착하기 위한 방법
CN116018424A (zh) 沉积装置
KR101412034B1 (ko) 가스분사조립체 및 이를 이용한 박막증착장치
KR20110062604A (ko) 유기박막 진공 열 증착 장치용 소스
KR102005835B1 (ko) 슬릿노즐을 구비한 선형증발원 및 이를 구비한 증착장치
KR20220046983A (ko) 선형 증발원
KR100952313B1 (ko) 원료 공급 유닛과 원료 공급 방법 및 박막 증착 장치
KR101421436B1 (ko) 선형 증발원의 원료공급장치 및 이를 구비하는 박막 증착장치
KR20110117417A (ko) 화학기상증착장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학기상증착장치
KR20220123012A (ko) 증착용 도가니 및 이를 포함하는 증착 장치
KR102454832B1 (ko) 선형 증발원
KR20090056194A (ko) 증착 원료 분사 장치 및 이를 구비하는 박막 증착 장치
KR101486279B1 (ko) 증발 증착 장치
KR101127731B1 (ko) 열선고정장치를 구비한 환형 증발원장치
KR20220052190A (ko) 점 증발원용 도가니 및 점 증발원
KR20120008795A (ko) 화학기상증착장치
CN214881795U (zh) 蒸镀坩埚及蒸镀装置
KR101632303B1 (ko) 하향식 증발 증착 장치
KR102265055B1 (ko) 증착 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination