CN115995399A - 分析基板上的污染物的方法和处理基板的方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种分析吸附到基板的表面的污染物的方法，所述方法包括：对基板执行处理的基板处理操作；将表面增强拉曼散射层引入到具有在所述基板处理操作中吸附污染物的表面的基板的操作；以及分析所述污染物的操作。

Description

分析基板上的污染物的方法和处理基板的方法

技术领域

本发明涉及分析基板上的污染物的方法和处理基板的方法。

背景技术

一般而言，为了制造半导体器件，通过诸如摄影、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积的各种过程在基板上形成期望的图案。在每个过程中使用各种处理液，并且在过程期间会产生诸如污染物的颗粒。为了去除颗粒，在每个过程之前和之后执行用于清洗颗粒的清洗过程。

吸附到基板的颗粒会极大地影响器件的产率，并且直接或间接地影响器件和元件，诸如引起半导体器件的短路和栅极氧化膜的劣化或缺陷。因此，为了去除颗粒或控制颗粒的产生，需要对颗粒的成分和结构进行分析。根据在基板处理过程中使用的处理液的类型，将颗粒分为金属污染物和有机污染物。在所提及的颗粒中，针对金属污染物的各种分析装置和方法已经开发出来，并且分析存在于基板上的痕量金属污染物成为可能。

分析基板上的有机污染物的一般方法包括红外光谱、飞行时间二次离子质谱(ToF-SIMS)、化学分析电子能谱(ESCA)和气相色谱-质谱仪(GC-MS)。

红外光谱可以通过使用基板表面作为样品来测量和分析有机污染物。红外光谱通过经由向基板发射红外线而从基板上的有机污染物产生的材料固有光谱来对有机污染物进行分析。然而，红外光谱的问题在于，由于信号产生效率低，难以检测到存在于基板上的痕量有机污染物。

ToF-SIMS、ESCA和GC-MS可以将基板表面作为样品进行分析。ToF-SIMS、ESCA和GC-MS需要昂贵的分析成本，并且只能分析有机污染物中含有的元素，而在有机污染物的结构分析方面存在困难。

发明内容

本发明致力于提供一种分析污染物的方法和一种处理基板的方法，其能够快速且准确地检测和分析基板上的有机污染物。

本发明致力于提供一种分析污染物的方法和一种处理基板的方法，其能够分析基板上的有机污染物的组成、结构和分布程度。

本发明的目的不限于此，并且本领域的普通技术人员将从以下描述中清楚地理解未提及的其他目的。

本发明的示例性实施例提供了一种分析吸附到基板表面的污染物的方法，所述方法包括：对基板执行处理的基板处理操作；将表面增强拉曼散射层引入到具有在基板处理操作中吸附污染物的表面的基板的操作；以及分析污染物的操作。

本发明的另一个示例性实施例提供了一种分析吸附到基板表面的污染物的方法，所述方法包括：将表面增强拉曼散射层引入到基板的表面的操作；对引入有表面增强拉曼散射层的基板执行处理的基板处理操作；以及对在基板处理操作中吸附到基板的污染物进行分析的操作。

可以通过拉曼分析来执行分析污染物的操作。

分析污染物的操作可以包括：向基板发射第一光；检测从污染物产生并被表面增强拉曼散射层放大的第二光；以及通过分析第二光来分析污染物。

在分析污染物的操作中，可以对污染物的分子结构进行分析。

表面增强拉曼散射层可以通过沉积表面增强拉曼散射材料形成，并且表面增强拉曼散射材料可以提供为能够产生表面等离激元激发的具有高导电性的金属材料。

表面增强拉曼散射材料可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种。

表面增强拉曼散射层可以以纳米结构提供。

纳米结构可以包括纳米颗粒、纳米棒和纳米图案中的任何一种。

污染物可以提供为有机材料。

在基板处理操作中，可以通过向基板供应处理液来处理基板，并且处理液可以提供为含有有机材料的液体。

在基板处理操作中，可以对基板执行光学(photo)过程或清洁过程。

基板处理操作和引入表面增强拉曼散射层的操作可以在不同的腔室中执行。

本发明的又一个示例性实施例提供了一种处理基板的方法，所述方法包括：通过向基板供应处理液来处理基板，其中在对基板进行处理之前或之后，通过在基板的表面上沉积表面增强拉曼散射材料来引入表面增强拉曼散射层。

表面增强拉曼散射材料可以提供为能够产生表面等离激元激发的具有高导电性的金属材料。

表面增强拉曼散射材料可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种。

处理液可以提供为含有有机材料的液体。

对基板的处理可以包括光学处理或清洗处理。

基板处理和表面增强拉曼散射层的引入可以在不同的腔室中执行。

处理基板的过程期间产生的污染物可以吸附到基板表面或表面增强拉曼散射层，污染物的结构可以通过拉曼分析进行分析，并且表面增强拉曼散射层可以放大污染物的拉曼信号。

根据本发明的示例性实施例，可以快速且准确地检测和分析基板上的有机污染物。

此外，根据本发明的示例性实施例，可以分析基板上的有机污染物的组成、结构和分布程度。

此外，根据本发明的示例性实施例，可以通过使用其上吸附有有机污染物的基板本身作为样品来检测和分析有机污染物。

此外，根据本发明的示例性实施例，可以使基板表面上的有机污染物的分析检测极限最大化。

此外，根据本发明的示例性实施例，由于不需要对有机污染物的成分分析进行预处理，因此可以使由于预处理而导致的基板污染的可能性最小化。

本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解未提及的效果。

附图说明

图1是根据本发明的示例性实施例的分析基板上的污染物的方法的流程图。

图2至图5是示意性地示出执行图1的分析方法的过程的图。

图6是根据本发明的另一个示例性实施例的分析基板上的污染物的方法的流程图。

图7至图11是示意性地示出执行图6的分析方法的过程的图。

图12是示意性地示出在根据图1和图6的分析方法中检测吸附到表面增强拉曼散射层的污染物的过程的图。

具体实施方式

在下文中，将在下文参考附图更全面地描述本发明的示例性实施例，在这些附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以被不同地实施并且不限于以下示例性实施例。此外，在详细描述本发明的示例性实施例时，如果确定对相关公知功能或配置的详细描述可能不必要地使本发明的主旨不清楚时，将省略其详细描述。此外，对于具有类似功能和作用的部件，在整个附图中使用相同的附图标记。

另外，除非明确地相反地描述，否则词语“包括”和诸如“包括了”或“包括有”的变体将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其他元件。应当了解，术语“包括”和“具有”旨在指定存在特性、数量、操作、组成元件和本说明书中所描述的部件或它们的组合，但是并不排除预先存在或添加一个或多个其他特性、数量、操作、组成元件和部件或它们的组合的可能性。

本文所使用的单数表达包括复数表达，除非它们在上下文中具有明确相反的含义。因此，为了更清楚地描述，图中元件的形状、大小等可能被夸大。

表述“和/或”包括每个提及的项目以及包括一个或多个项目的所有组合。此外，在本说明书中，“连接”不仅意指构件A和构件B直接连接的情况，还包括通过将构件C插置在构件A与构件B之间而间接地连接构件A和构件B的情况。

可以各种形式修改本发明的示例性实施例，并且本发明的范围不应被解释为限于以下示例性实施例。将提供本示例性实施例以向本领域技术人员更完整地解释本发明。因此，附图中的元件的形状被放大以强调更清晰的描述。

在本文中，基板是综合概念，其包括用于制造半导体器件、平板显示器(FPD)以及使电路图案形成在其薄膜上的其他物品的所有基板。基板W的实例包括硅晶片、玻璃基板和有机基板。

在下文中，将参考附图详细地描述本发明的示例性实施例。

图1是根据本发明的示例性实施例的分析基板上的污染物的方法的流程图，图2至图5是示意性地示出执行图1的分析方法的过程的图，并且图12是示意性地示出在根据图1和图6的分析方法中检测吸附到表面增强拉曼散射层的污染物的过程的图。

参考图1，根据本发明的示例性实施例的用于分析基板上的污染物的方法S100包括：对基板S执行处理的基板处理操作S110；将表面增强拉曼散射(SERS)层M引入到其上吸附有在基板处理操作S110中产生的过程污染物P的基板S的操作S120；以及分析污染物P的操作S130。

图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施例的分析基板上的污染物的方法S100中的基板处理操作S110的图，并且图3是示出通过图2的基板处理操作S110将污染物P吸附到基板S表面的状态的图。

参考图2，在基板处理操作S110中，通过向基板S供应处理液82来处理基板S。处理液82被提供为含有有机材料的液体。在基板处理操作S110中对基板S执行的处理过程包括有机过程。例如，在基板处理操作S110中，可以执行用于向基板S供应光刻胶的光学过程。作为另一个示例，在基板处理操作S110中，可以执行向基板S供应诸如硫酸和磷酸的化学品的清洁过程。然而，本发明不限于此，并且在基板处理操作S110中，可以执行向基板S供应包含有机材料的处理液82的各种过程。

参考图3，在基板处理操作S110中的处理基板S的过程中，污染物P可以吸附到基板S的表面。所产生的污染物P的量可能根据过程环境、处理液82的类型、其中执行过程的腔室的材料等而变化。一般来说，由于基板处理过程是在其中连续地供应洁净的向下气流的洁净房间中执行的，因此根据该过程产生的污染物P是非常少量的。污染物P包括有机污染物。污染物P可以根据在基板处理操作S110中执行的过程的类型来确定。替代性地，污染物P可以根据在其中执行基板处理操作S110的腔室的材料来确定。

图4是示意性地示出将表面增强拉曼散射层引入到其上吸附有图3的污染物P的基板S的表面增强拉曼散射层引入操作S120的图。

参考图4，在表面增强拉曼散射层引入操作S120中，将表面增强拉曼散射(SERS)材料沉积在其上吸附有污染物P的基板S上，以形成表面增强拉曼散射层M。表面增强拉曼散射材料可以是指具有表面增强拉曼散射效应的材料。增强拉曼散射材料可以提供为能够产生表面等离激元激发的高导电性金属材料。例如，表面增强拉曼散射材料可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)之中的任何一种金属。例如，表面增强拉曼散射材料可以提供为基于贵金属的金属。例如，表面增强拉曼散射材料可以包括包含金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种的合金或化合物。通过引入表面增强拉曼散射层M，可以放大由于信号微弱而难以检测到的拉曼散射信号。

表面增强拉曼散射层M可以提供为薄膜。表面增强拉曼散射层M可以以纳米结构提供。纳米结构可以通过布置多个纳米颗粒来形成。纳米颗粒的尺寸可以小于发射到基板S的第一光L1的波长。纳米结构可以通过布置以规则间隔彼此间隔开的多个纳米颗粒来形成。纳米结构可以通过以特定图案布置多个纳米颗粒来形成。表面增强拉曼散射层M可以通过在基板S的表面上沉积表面增强拉曼散射材料作为纳米级颗粒来形成。纳米颗粒可以包括球形纳米颗粒和杆状纳米棒。然而，本发明不限于此，并且可以提供为各种形状的颗粒，诸如三棱锥金字塔形状。

基板处理操作S110和表面增强拉曼散射层引入操作S120在不同的腔室中执行。然而，本发明不限于此，并且基板处理操作S110和表面增强拉曼散射层引入操作S120可以在相同的腔室中执行。

表面等离激元激发是纳米级金属的特性，并且是当光发射到纳米级金属表面上时，光子与电子之间的相互作用产生的电子集体振动的现象。由于表面增强拉曼散射材料被提供为能够产生表面等离激元激发的材料，因此可以放大拉曼信号。

图5示意性地示出了污染物分析操作S130，其中对图4的其上吸附有污染物P且引入有表面增强拉曼散射层M的基板S执行污染物分析。

通过拉曼分析来执行污染物分析操作S130。通过拉曼光谱学来执行污染物分析操作S130。通过表面增强拉曼散射光谱学来执行污染物分析操作S130。在污染物分析操作S130中，可以对污染物P的分子结构进行分析。另外，在污染物分析操作S130中，可以分析污染物P的组分、组成比或污染物P在基板S表面上的分布程度。

污染物分析操作S130包括：将第一光L1发射到基板S；检测从污染物P产生并由表面增强拉曼散射层M放大的第二光L2；以及通过分析第二光L2来分析污染物P的组分、分子的摩尔比、分子结构等。

参考图5和图12，第一光L1被发射到基板S。当发射第一光L1时，第一光L1与污染物P的分子相互作用，并且第一光L1的光子被散射。此时，第一光L1的光子的散射程度根据构成污染物P的分子的分子特性而变化，并且第一光L1的光子的动能通过散射而增加或减少。

第一光L1通过散射而变成与第一光L1具有不同特性的第二光L2。例如，第一光L1的波长可以不同于第二光L2的波长。在这种情况下，波长的变化可以通过构成污染物P的分子增加或减少。第一光L1的波数可以不同于第二光L2的波数。波数是指波长的倒数，并且波数的变化可以通过构成污染物P的分子来增加或减少。第一光L1的能量可以不同于第二光L2的能量。在这种情况下，能量的变化可以通过构成污染物P的分子来增加或减少。

在第二光L2中，诸如波长、波数和能量的信号可以被表面增强拉曼散射层M放大。第二光L2包括拉曼散射信号，并且因此第二光L2可以称为拉曼散射信号。另外，拉曼散射信号被表面增强拉曼散射层M放大，所述信号可以称为拉曼散射放大信号。

在污染物分析操作S130中，通过检测第二光L2或来自第二光L2的拉曼散射放大信号来分析污染物P。在污染物分析操作S130中，可以通过第二光L2或从第二光L2检测到的拉曼散射放大信号来分析构成污染物P的材料组分、污染物P的键合结构等。

可以通过光学系统(诸如激光器)将第一光L1发射到基板S，并且可以通过检测器(诸如传感器)来检测第二光L2。对污染物P的分析可以通过控制器(未示出)来执行。控制器的配置、存储和管理可以以硬件、软件或者硬件和软件的组合的形式实现。配置控制器的文件数据和/或软件可以存储在易失性或非易失性存储装置中，诸如只读存储器(ROM)；或例如像随机存取存储器(RAM)，存储芯片、装置或集成电路，或存储介质(诸如光盘(CD)、数字多功能盘(DVD)、磁盘或磁带)的存储器，它们都是可光学或磁性记录的且同时机器(例如，计算机)可读的。

在下文中，将参考附图详细地描述本发明的另一个示例性实施例。

图6是根据本发明的另一个示例性实施例的分析基板上的污染物的方法的流程图，图7至图11是示意性地示出执行图6的分析方法的过程的图，并且图12是示意性地示出在根据图1和图6的分析方法中检测吸附到表面增强拉曼散射层的污染物的过程的图。

参考图6，根据本发明的另一个示例性实施例的分析基板上的污染物的方法S200包括：在基板S的表面上引入表面增强拉曼散射层M的操作S210；对引入有表面增强拉曼散射层M的基板S执行处理的基板处理操作S220；以及分析在基板处理操作S220中产生的污染物P的操作。

根据本发明的另一个示例性实施例的分析污染物的方法S200在过程顺序方面不同于根据示例性实施例的分析污染物的方法S100。具体地，在根据示例性实施例的分析污染物的方法S100中，在基板处理操作S110之后执行表面增强拉曼散射层引入操作S120，而在根据另一个示例性实施例的分析污染物的方法S200中，在表面增强拉曼散射层引入操作S210之后执行基板处理操作S220。

图7是示出未对其执行处理的基板S的图，并且图8是示出针对图7的基板S引入表面增强拉曼散射层的基板S的图。

参考图7和图8，不同于根据本发明的示例性实施例的分析污染物的方法S100，在执行基板处理操作S220之前在基板S上引入表面增强拉曼散射层M。在表面增强拉曼散射层引入操作S210中，将表面增强拉曼散射(SERS)材料沉积在基板S上，以形成表面增强拉曼散射层M。表面增强拉曼散射材料可以是指具有表面增强拉曼散射效应的材料。增强拉曼散射材料可以提供为能够产生表面等离激元激发的高导电性金属材料。例如，表面增强拉曼散射材料可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)之中的任何一种金属。例如，表面增强拉曼散射材料可以提供为基于贵金属的金属。例如，表面增强拉曼散射材料可以包括包含金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种的合金或化合物。通过引入表面增强拉曼散射层M，可以放大由于信号微弱而难以检测到的拉曼散射信号。

表面增强拉曼散射层M可以提供为薄膜。表面增强拉曼散射层M可以以纳米结构提供。纳米结构可以通过布置多个纳米颗粒来形成。纳米颗粒的尺寸可以小于发射到基板S的第一光L1的波长。纳米结构可以通过布置以规则间隔彼此间隔开的多个纳米颗粒来形成。纳米结构可以通过以特定图案布置多个纳米颗粒来形成。表面增强拉曼散射层M可以通过在基板S的表面上沉积表面增强拉曼散射材料作为纳米级颗粒来形成。纳米颗粒可以包括球形纳米颗粒和杆状纳米棒。然而，本发明不限于此，并且可以提供为各种形状的颗粒，诸如三棱锥金字塔形状。

图9是示出对引入有图8的表面增强拉曼散射层的基板S执行基板处理操作的过程的图。在基板处理操作S220中的处理基板S的过程中，污染物P可以吸附到基板S表面或表面增强拉曼散射层M。所产生的污染物P的量可能根据过程环境、处理液82的类型、其中执行过程的腔室的材料等而变化。一般来说，由于基板处理过程是在其中连续地供应洁净的向下气流的洁净房间中执行的，因此根据该过程产生的污染物P是非常少量的。污染物P包括有机污染物。污染物P可以根据在基板处理操作S110中执行的过程的类型来确定。替代性地，污染物P可以根据在其中执行基板处理操作S220的腔室的材料来确定。

图10是示出污染物P通过图8的基板处理操作被吸附到基板S表面或表面增强拉曼散射层M的状态的视图。

通过拉曼分析来执行污染物分析操作S230。通过拉曼光谱学来执行污染物分析操作S230。通过表面增强拉曼散射光谱学来执行污染物分析操作S230。在污染物分析操作S230中，可以对污染物P的分子结构进行分析。另外，在污染物分析操作S230中，可以分析污染物P的组分、组成比或污染物P在基板S表面上的分布程度。

污染物分析操作S230包括：将第一光L1发射到基板S；检测从污染物P产生并由表面增强拉曼散射层M放大的第二光L2；以及通过分析第二光L2来分析污染物P的组分、分子的摩尔比、分子结构等。

参考图11和图12，第一光L1被发射到基板S。当发射第一光L1时，第一光L1与污染物P的分子相互作用，并且第一光L1的光子被散射。此时，第一光L1的光子的散射程度根据构成污染物P的分子的分子特性而变化，并且第一光L1的光子的动能通过散射而增加或减少。

第一光L1通过散射而变成与第一光L1具有不同特性的第二光L2。例如，第一光L1的波长可以不同于第二光L2的波长。在这种情况下，波长的变化可以通过构成污染物P的分子增加或减少。第一光L1的波数可以不同于第二光L2的波数。波数是指波长的倒数，并且波数的变化可以通过构成污染物P的分子增加或减少。第一光L1的能量可以不同于第二光L2的能量。在这种情况下，能量的变化可以通过构成污染物P的分子增加或减少。

在第二光L2中，诸如波长、波数和能量的信号可以被表面增强拉曼散射层M放大。第二光L2包括拉曼散射信号，并且因此第二光L2可以称为拉曼散射信号。另外，拉曼散射信号被表面增强拉曼散射层M放大，所述信号可以称为拉曼散射放大信号。

在污染物分析操作S230中，通过检测第二光L2或来自第二光L2的拉曼散射放大信号来分析污染物P。在污染物分析操作S230中，可以通过第二光L2或从第二光L2检测到的拉曼散射放大信号来分析构成污染物P的材料组分、污染物P的键合结构等。

可以通过光学系统(诸如激光器)将第一光L1发射到基板S，并且可以通过检测器(诸如传感器)来检测第二光L2。对污染物P的分析可以通过控制器(未示出)来执行。控制器的配置、存储和管理可以以硬件、软件或者硬件和软件的组合的形式实现。配置控制器的文件数据和/或软件可以存储在易失性或非易失性存储装置中，诸如只读存储器(ROM)；或例如像随机存取存储器(RAM)，存储芯片、装置或集成电路，或存储介质(诸如光盘(CD)、数字多功能盘(DVD)、磁盘或磁带)的存储器，它们都是可光学或磁性地记录的且同时机器(例如，计算机)可读的。

吸附到基板的颗粒会极大地影响器件的产率，并且直接或间接地影响器件和元件，诸如引起半导体器件的短路和栅极氧化膜的劣化或缺陷。因此，为了去除污染物P或控制污染物P的产生，需要对污染物P的组成和结构进行精确的分析。为了精确的分析，有必要放大从污染物P产生的信号的强度。

根据本发明的示例性实施例，通过在基板处理操作S110之前和之后引入表面增强拉曼散射层，可以放大从污染物P产生的拉曼散射信号，并且借助于拉曼散射放大信号，通过拉曼分析可以准确地分析污染物P的组分、组分材料的摩尔比、结构、键合结构等。

通过对污染物P的这种分析，可以设置能够有效地从基板S去除污染物P的化学溶液。另外，通过对污染物P的分析，可以控制污染物P是否产生。例如，当污染物P是由处理液82的组分产生时，可以改变处理液82的类型，并且当污染物P是从其中执行基板处理的设备的材料产生时，可以通过改变设备的材料来控制污染物P的产生。

根据在基板处理过程中使用的处理液的类型，将颗粒分为金属污染物和有机污染物。在所提及的颗粒中，针对金属污染物的各种分析装置和方法已经开发出来，并且分析存在于基板上的痕量金属污染物成为可能。

前述详细描述示出了本发明。另外，前述内容旨在描述用于实施本发明的技术精神的示例性或多种示例性实施例，并且本发明可以在各种其他组合、变化和环境中使用。也就是说，在本说明书所公开的发明构思的范围、与本发明等同的范围和/或本领域技术或知识的范围内，可以对前述内容进行修改或修正。因此，以上本发明的详细描述不意图将本发明限于所公开的示例性实施例。另外，所附权利要求应被解释为也包括其他示例性实施例。此类修改的实施方式不应当独立于本发明的技术精神或角度来解释。

Claims (20)

1.一种分析吸附到基板的表面的污染物的方法，所述方法包括：

对基板执行处理的基板处理操作；

将表面增强拉曼散射层引入到具有在所述基板处理操作中吸附污染物的所述表面的基板的操作；以及

分析所述污染物的操作。

2.一种分析吸附到基板的表面的污染物的方法，所述方法包括：

将表面增强拉曼散射层引入到基板的表面的操作；

对引入有所述表面增强拉曼散射层的基板执行处理的基板处理操作；以及

对在所述基板处理操作中吸附到所述基板的污染物进行分析的操作。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述分析所述污染物的操作通过拉曼分析来执行。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中所述分析所述污染物的操作包括：

将第一光发射到所述基板；

检测从所述污染物产生并由所述表面增强拉曼散射层放大的第二光；以及

通过分析所述第二光来分析所述污染物。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中在所述分析所述污染物的操作中，对所述污染物的分子结构进行分析。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射层通过沉积表面增强拉曼散射材料来形成，并且

所述表面增强拉曼散射材料被提供为能够产生表面等离激元激发的具有高导电性的金属材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射材料包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射层以纳米结构提供。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述纳米结构包括纳米颗粒、纳米棒和纳米图案中的任何一种。

10.如权利要求1或2所述的方法，其中所述污染物被提供为有机材料。

11.如权利要求1或2所述的方法，其中在所述基板处理操作中，通过向所述基板供应处理液来处理所述基板，并且

所述处理液被提供为含有有机材料的液体。

12.如权利要求1或2所述的方法，其中在所述基板处理操作中，对所述基板执行光学过程或清洁过程。

13.如权利要求1或2所述的方法，其中所述基板处理操作和引入所述表面增强拉曼散射层的所述操作在不同的腔室中执行。

14.一种处理基板的方法，所述方法包括：

通过向基板供应处理液来处理所述基板，

其中在处理所述基板之前或之后，通过在所述基板的表面上沉积表面增强拉曼散射材料来引入表面增强拉曼散射层。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射材料被提供为能够产生表面等离激元激发的具有高导电性的金属材料。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述表面增强拉曼散射材料包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁(Fe)、钴(Co)、锌(Zn)、钛(Ti)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、铂(Pt)、锇(Os)、铱(Ir)和钼(Mo)中的至少一种。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述处理液被提供为含有有机材料的液体。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述基板的所述处理包括光学处理或清洗处理。

19.如权利要求14所述的方法，其中所述基板处理和所述表面增强拉曼散射层的引入在不同的腔室中执行。

20.如权利要求14所述的方法，其中在处理所述基板的过程期间产生的污染物被吸附到所述基板的所述表面或所述表面增强拉曼散射层，

通过拉曼分析来分析所述污染物的结构，并且

所述表面增强拉曼散射层放大所述污染物的拉曼信号。

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