CN115939074B - 一种新型双面柔性引线框架结构及其制备工艺 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种新型双面柔性引线框架结构及其制备工艺，涉及集成电路IC卡封装技术领域。引线框架结构包括第一接触层、绝缘层和非接传递层，第一接触层包含接触功能端口和第一非接功能端口，第一非接功能端口分别与芯片和非接传递层的一端连通，非接传递层的另一端通过其他非接功能端口连通卡片；用于制备上述结构的制备工艺包括“增加非接传递层工序”。本发明通过增设非接传递层，将原有第二接触层的功能转移到第一接触层上、进而去除了原有的第二接触层，从而解决了现有的双界面智能卡封装框架中所存在的原料成本高、制备工艺复杂、产品可靠性不稳定等问题。

Description

一种新型双面柔性引线框架结构及其制备工艺

技术领域

本发明涉及集成电路IC卡封装技术领域，具体涉及一种新型双面柔性引线框架结构及其制备工艺。

背景技术

双界面卡是同时兼备接触和非接触两种界面通信的多功能卡，已经被广泛应用到各种公共交通系统、收费系统、出入管理系统、预付费场合、票据购买场合、人员物品管理系统、金融交易系统、需要加密认证的产品以及社保市场等领域中。因此，在目前以及未来的研究工作中，争取不断地提升双界面卡的产品性能、减轻双界面卡的制备难度、降低双界面卡生产所需的原料成本等都是非常有必要的。其中，在双界面智能卡的封装框架的现有结构及其制备工艺方面，存在着很多需要改进的问题，具体地：

现有的双界面智能卡封装框架分为有铜环和无铜环两种。其中，有铜环双界面智能卡封装框架是比较传统的结构形式，该结构形式为压焊面上带有较多的焊接孔铜环和导电线；数量较多的焊接孔铜环和导电线会在电镀工序中被不可避免地镀上金，从而使得制备的成本较高。

无铜环双界面智能卡封装框架的结构和制备工艺上也存在着比较大的缺陷；具体来说，作为芯片与外部端口的连接器，现有的无铜环双面柔性引线框架的结构一般包括第一接触层和第二接触层，其中第二接触层包含若干非接功能端口、可分别与芯片和卡片连接；在实际的使用与生产制作中，这种结构会引发以下几个问题：

第一，由于第二接触层属于压焊面的导电层，所以压焊点的电镀仍需要导电线，而导电线又会不可避免地被镀上金，故而同样会导致一定的镀金成本；

第二，无铜环双面柔性引线框架的制备工艺比较复杂，需要依次经过“冲压工序-第一次前处理工序-第一次压干膜工序-第一次曝光工序-第一次显影工序-第一次蚀刻工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”这十五个工序，存在着制作难度大、加工周期长的问题；

第三，无论是无铜环还是有铜环的双面柔性引线框架，其中压焊面的线路都是通过蚀刻铜的方法来制得的，现有的制作工艺具体是采用先在压焊面贴敷整面铜、再蚀刻掉无用的铜部分、以形成线路的方法，但是压焊面的线路非常少、仅占整个压焊面的4.5%左右，这就意味着大约95.5%的铜需要被蚀刻去除，即造成了很大的资源浪费；

第四，含有第二接触层的双面材料的造价高昂、制作工艺复杂、生产难度高，目前在全球范围内仅有大约两家公司具备比较成熟的制造水平；

第五，第二接触层上焊线的线弧高度通常偏高，会使得线弧上UV胶层的保护效果不充分，进而可能导致引线框架的产品可靠性不够高；同时，较高的线弧高度也不利于实现超薄封装，不符合市场的发展趋势；另外，第二接触层的焊线位置是铜箔的光面，光面粗糙度较低，会导致焊线难度大、易失效的问题。

综上所述，若能成功对现有的双界面柔性引线框架的结构及其制备工艺进行升级，就能够进一步地提升双界面智能卡的性能、并且降低其生产成本与制作难度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新型双面柔性引线框架结构及其制备工艺，通过新的引线框架结构、以及被大大简化的制备工艺，以解决现有的双界面智能卡封装框架中所存在的原料成本高、制备工艺复杂、产品可靠性不稳定等问题。

本发明是采用以下技术方案实现的：

一种新型双面柔性引线框架结构，包括第一接触层、绝缘层和非接传递层，第一接触层包含接触功能端口和第一非接功能端口，第一非接功能端口分别与芯片和非接传递层的一端连通，非接传递层的另一端通过其他非接功能端口连通卡片；非接传递层的内部导电，非接传递层仅包含信号传输所使用的线路，不含有电镀导电线路和辅助线路。

本引线框架结构中，通过设置非接传递层，将现有双面柔性引线框架结构中第二接触层的功能转移到第一接触层上，进而去除了原有的第二接触层以及其上的辅助导电线，并且非接传递层不具有可焊线的功能，所以与现有的双面柔性引线框架结构相比：其一，本引线框架结构大大地降低了由于导电线被镀金而导致的高成本；其二，不再需要成本很高的双面材料，使用成本低的常规单面材料即可；其三，在芯片封装中，将非接功能端口的焊线位置由原有的第二接触层转移至第一接触层，可充分发挥第一接触层上焊线线弧高度更低、有利于超薄封装、焊线操作难度小、焊线不易失效等优势，另外由于接触功能端口与非接功能端口处于同一接触层、所以焊线分组更加便捷。具体地，现有的双面柔性引线框架中，是通过第二接触层上的非接功能端口分别与芯片和卡片连通，所以需要在第二接触层上制造导电线路和进行焊线；本引线框架结构中，增加内部导电的非接传递层，非接传递层的两端分别连通与芯片相连的第一接触层上的第一非接功能端口、与卡片相连的其他非接功能端口，所以可将原有第二接触层上的非接功能端口转移到第一接触层上（即第一非接功能端口），基于此、为实现与芯片连通的焊线操作也随之在第一接触层上进行。

进一步地，所述第一非接功能端口包括第一LAⅠ、第一LAⅡ、第一LBⅠ、第一LBⅡ，其中第一LAⅠ与第一LAⅡ相连通，第一LBⅠ与第一LBⅡ相连通。将原有第二接触层上的非接功能端口第一LA、第一LB各分为相连通的两部分（即将第一LA分为第一LAⅠ和第一LAⅡ，将第一LB分为第一LBⅠ和第一LBⅡ），其中一部分用于与芯片连通、另一部分用于与非接传递层的一端连通；由于非接传递层的另一端通过其他非接功能端口与卡片连通，所以可逐次实现芯片与卡片之间的连通。其中，第一LAⅠ、第一LAⅡ、第一LBⅠ、第一LBⅡ的具体形状可以为任意的规则或不规则形状，以能够实现必要的连通关系为准、根据美观性要求和实际情况进行灵活调整即可。

进一步地，所述第一LAⅡ、第一LBⅡ分别与非接传递层连通。

进一步地，所述第一LAⅠ、第一LBⅠ分别通过导电丝与芯片的非接功能端口连通；其中，导电丝可选用金丝、银丝、合金丝、铜丝等，本发明不对此做具体限制。

进一步地，所述第一LAⅡ、第一LBⅡ为桥接导通孔，桥接导通孔的内部填充导电体。由于非接传递层的内部导电（即非接传递层的内部填充导电体），所以第一LAⅡ、第一LBⅡ可分别通过各自内部填充的导电体与非接传递层连通；第一LAⅡ、第一LBⅡ内部所填充导电体的材质可与非接传递层内部所填充导电体的材质相同或者不同，只要能够实现二者间的信号传输即可。

进一步地，所述其他非接功能端口包括第三LA和第三LB，第三LA、第三LB分别连通卡片天线的两端。

进一步地，所述非接传递层承受的温度极限为380℃，非接传递层的结合力保证其在380℃的温度中10s以上不分层。也就是说，非接传递层具备耐高温（本发明中，定义“高温”为200℃～380℃之间的温度）、结合力大的特点，这使得非接传递层能够很好地适应严苛的制卡环境。此外，优选具备高导电性、低电阻率的非接传递层，以使得能够最大程度地降低因非接传递层自身电阻而造成的信号减弱。

进一步地，所述接触功能端口包括VCC、RST、CLK、GND和I/O。VCC、RST、CLK、GND和I/O符合ISO/IEC 7816-2协议中所规定的识别卡带触点的集成电路卡第2部分中的下述内容：触点的尺寸和位置，可以是6pin柔性引线框架、也可以是8pin柔性引线框架；另外，VCC、RST、CLK、GND和I/O的具体形状要求同非接功能端口的具体形状要求一样，即可以为任意的规则或不规则形状，以能够实现必要的连通关系为准、根据美观性要求和实际情况进行灵活调整即可。

一种新型双面柔性引线框架结构的制备工艺，用于制备以上所述的一种新型双面柔性引线框架结构，包括“增加非接传递层工序”。

通过本制备工艺，其一：能够大大简化生产工艺流程，进而缩短引线框架产品的生产周期、提高生产效率、提升设备利用率，从而缓解产能瓶颈问题、最终有助于生产厂家和公司的产能增加，具体地：本制备工艺包括“增加非接传递层工序”、以及“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”，其中“增加非接传递层工序”可以位于“贴铜工序”或“烘烤工序”或“第二次前处理工序”或“第二次显影工序”或“第二次蚀刻工序”后；也就是说，本制备工艺中的“增加非接传递层工序”代替了现有十五个工序（详见背景技术部分）中的其中五个工序，这五个工序依次为“第一次前处理工序-第一次压干膜工序-第一次曝光工序-第一次显影工序-第一次蚀刻工序”；因此，本制备工艺共包含十一个工序，相比于现有的制备工艺来说、减少了五个工序。其二：现有双面柔性引线框架的制备工艺中，需要对第二接触层的非接功能端口进行导电线路蚀刻，也就是先在压焊面贴敷整面铜、再蚀刻去除掉大约95.5%的非线路部分的铜；本制备工艺中，并不需要再进行此操作，而是直接进行“增加非接传递层工序”即可（在结构角度，也就是通过非接传递层替代了原有的经过蚀刻大部分铜而得到的小面积导电线路）；由此，即是将通过去除非线路部分而得到有效线路部分的传统工艺方法，升级为直接增加有效线路的新型工艺方法，进而避免了大量的铜被浪费的问题，从而有助于降低原材料成本，还可以有效保护环境。

本发明实现的有益效果是：

与现有的双面柔性引线框架结构及其制备工艺相比，本发明通过增设非接传递层，将原有第二接触层的功能转移到第一接触层上、进而去除了原有的第二接触层，以使得：

（1）去除了非功能导电线，因此有效地降低了镀金面积，从而降低了原材料成本中的镀金成本；

（2）通过“增加非接传递层工序”，可替代原有传统工序中的五个工序，所以大大简化了生产工艺流程，进而缩短了引线框架产品的生产周期、提高了生产效率、提升了设备利用率，从而缓解了产能瓶颈问题、最终有助于生产厂家和公司的产能增加；

（3）通过非接传递层替代了小面积导电线路，将通过去除非线路部分而得到有效线路部分的传统工艺方法、升级为直接增加有效线路的新型工艺方法，即不再需要将压焊面上大约95.5%的铜蚀刻掉，所以避免了对铜的浪费，也降低了原材料成本中的贴铜成本；

（4）可使用成本低的常规单面材料替代造价高昂的双面材料，从而能够直接地降低原材料成本；

（5）将焊线位置由原有的第二接触层转移至第一接触层，可充分发挥第一接触层上焊线线弧高度更低、有利于超薄封装、焊线操作难度小、焊线不易失效、焊线分组更加便捷的优势，从而提高了焊线效率，充分保证了所制成引线框架的产品可靠性。

附图说明

图1是本发明实施例1所述引线框架结构的示意图；

图2是本发明实施例1所述引线框架结构被封装后的示意图；

图3是本发明实施例2所述引线框架结构的制备工艺中提到的接触面结构示意图；

图4是本发明实施例2所述引线框架结构的制备工艺中提到的压焊面结构示意图；

图5是传统有铜环双面柔性引线框架结构的示意图；

图6是现有无铜环双面柔性引线框架结构的示意图；

图7是现有无铜环双面柔性引线框架结构被封装后的示意图；

图中：1、VCC；2、RST；3、CLK；4、GND；5、I/O；6、第一LAⅠ；7、第一LAⅡ；8、第一LBⅠ；9、第一LBⅡ；10、第三LA；11、第三LB；12、第一LA；13、第一LB。

具体实施方式

为清楚说明本发明中的方案，下面结合附图做进一步说明：

实施例1

请参照图1至图2，本实施例提供一种新型双面柔性引线框架结构，包括第一接触层、绝缘层和非接传递层，第一接触层包含接触功能端口和第一非接功能端口，第一非接功能端口分别与芯片和非接传递层的一端连通，非接传递层的另一端通过其他非接功能端口连通卡片；非接传递层的内部导电（即非接传递层的内部填充导电体），非接传递层仅包含信号传输所使用的线路，不含有电镀导电线路和辅助线路。具体地：

第一非接功能端口包括第一LAⅠ6、第一LAⅡ7、第一LBⅠ8、第一LBⅡ9，其中第一LAⅠ6与第一LAⅡ7相连通，第一LBⅠ8与第一LBⅡ9相连通；

第一LAⅡ7、第一LBⅡ9分别与非接传递层连通；第一LAⅡ7、第一LBⅡ9为桥接导通孔，桥接导通孔的内部填充导电体；第一LAⅡ7、第一LBⅡ9内部所填充导电体的材质与非接传递层内部所填充导电体的材质相同，此种材质的导电体的表面电阻为500毫欧、可实现信号传输（即第一LAⅡ7、第一LBⅡ9与非接传递层之间的信号传输）；

第一接触层的接触功能端口包括VCC1、RST2、CLK3、GND4和I/O5；其他非接功能端口包括第三LA10和第三LB11；

非接传递层具备高导电性、低电阻率、耐高温、结合力大的特点，非接传递层可承受380℃碰焊高温、并且能够在此高温中存在10s以上不分层。

基于上述结构，工作原理如下：

芯片封装时，通过金丝将第一LAⅠ6、第一LBⅠ8分别与芯片的非接功能端口连通，以此将芯片信息传递到第一接触层；由于第一LAⅠ6与第一LAⅡ7相连通、第一LBⅠ8与第一LBⅡ9相连通，所以芯片信息可继续被传递到第一LAⅡ7、第一LBⅡ9；由于第一LAⅡ7、第一LBⅡ9分别与非接传递层的一端连通，即第一LAⅡ7、第一LBⅡ9分别可与非接传递层进行信号传输，所以芯片信息可继续被传递到非接传递层一端；由于非接传递层的另一端分别与第三LA10、第三LB11连通，所以芯片信息可继续被传递到第三LA10、第三LB11。

卡片封装时，将第三LA10、第三LB11分别连通卡片天线的两端，所以芯片信息可被最终传递到卡片，由此即可实现芯片与卡片的连通、完成信息传递。其中，本发明中所采用的卡片封装工艺与传统工艺相同，可以采用碰焊、导电柱、导电胶、各向异性导电胶等加工方式来实现第三LA10和第三LB11分别与卡片天线的连通，加工方式的最终确定主要取决于卡片制作厂的工艺。

基于上述结构和工作原理，有益效果如下：

如图5所示，传统有铜环双面柔性引线框架结构包括压焊面，压焊面上带有较多的焊接孔铜环和导电线，这些焊接孔铜环和导电线会导致镀金成本较高。如图6和图7所示，现有无铜环双面柔性引线框架结构包括第一接触层、绝缘层和第二接触层；其中，第一接触层包含接触功能端口VCC1、RST2、CLK3、GND4、I/O5，第二接触层包含非接功能端口第一LA12、第三LA10、第一LB13、第三LB11，第一LA12、第一LB13用于与芯片连通，第三LA10、第三LB11用于与卡片连通；另外，第二接触层属于压焊面的导电层、其上压焊点的电镀也需要导电线，并且第二接触层上焊线的线弧高度通常偏高；因此，上述结构同样会导致偏高的镀金成本，并且还会导致原材料成本较高、生产难度大、产品可靠性不稳定。

综上所述，本实施例所述的引线框架结构中，通过设置非接传递层，可将现有双面柔性引线框架结构中第二接触层的功能转移到第一接触层上，进而去除了原有的第二接触层以及其上的辅助导电线，从而不仅能够降低原材料成本中的镀金成本，还实现了成本低的常规单面材料对造价高昂的双面材料的替代、即直接地降低了原材料成本。并且，在芯片封装中，将焊线位置由原有的第二接触层转移至第一接触层，从而实现了以下效果：①非接功能端口（第一LAⅠ6、第一LBⅠ8）与接触功能端口（VCC1、RST2、CLK3、GND4、I/O5）处于同一接触层，焊线分组更加便捷；②由于第一接触层比第二接触层低，所以第一接触层上焊线的线弧高度更低；由此使得在相同的封装高度下，第一接触层上焊线的线弧最高点的UV胶层更厚、保护效果更好，从而能够保证所制成引线框架产品的可靠性比较稳定；③由于第一接触层上焊线的线弧高度更低，所以有利于实现超薄封装，更加符合目前市场上要求产品封装厚度变小的趋势；这是由于若焊线的线弧太高，那么随着封装厚度的降低，会很容易导致封装不完全、金丝裸露等后果；④第一接触层的焊线位置是铜箔的毛面，毛面粗糙度高，因此焊线难度要小，并且会使得焊线拉力大、可靠性高；而第二接触层只能焊接铜箔的光面，光面粗糙度低，因此焊线难度大，并且焊线易失效。

实施例2

请参照图3至图4，本实施例提供一种新型双面柔性引线框架结构的制备工艺，用于制备实施例1所述的新型双面柔性引线框架结构，包括“增加非接传递层工序”、以及“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；其中，“增加非接传递层工序”可以位于“贴铜工序”或“烘烤工序”或“第二次前处理工序”或“第二次显影工序”或“第二次蚀刻工序”后；所以，“增加非接传递层工序”相当于传统的“冲压工序-第一次前处理工序-第一次压干膜工序-第一次曝光工序-第一次显影工序-第一次蚀刻工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”共十五个工序中的其中五个工序，这五个工序依次为“第一次前处理工序-第一次压干膜工序-第一次曝光工序-第一次显影工序-第一次蚀刻工序”。

基于上述原则，有比如下方这几种最简单的工艺实例：

（1）“冲压工序-贴铜工序-增加非接传递层工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（2）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-增加非接传递层工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（3）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-增加非接传递层工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（4）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-增加非接传递层工序-电镀工序-分切工序”；

（5）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-增加非接传递层工序-分切工序”；

（6）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序-增加非接传递层工序”；

或者又比如下方这几种稍复杂的工艺实例：

（1）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜（接触面贴膜）工序-增加非接传递层工序-第二次压干膜（压焊面贴膜）工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（2）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜（接触面贴膜）工序-增加非接传递层工序-第二次曝光工序-第二次压干膜（压焊面贴膜）工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（3）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜（接触面贴膜）工序-增加非接传递层工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次压干膜（压焊面贴膜）工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（4）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜（接触面贴膜）工序-第二次曝光工序-增加非接传递层工序-第二次压干膜（压焊面贴膜）工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（5）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜（接触面贴膜）工序-第二次曝光工序-增加非接传递层工序-第二次显影工序-第二次压干膜（压焊面贴膜）工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”；

（6）“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜（接触面贴膜）工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-增加非接传递层工序-第二次压干膜（压焊面贴膜）工序-第二次蚀刻工序-电镀工序-分切工序”。

本实施例中以“冲压工序-贴铜工序-烘烤工序-第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序-增加非接传递层工序-电镀工序-分切工序”这一制备工序流程为例，详细描述技术内容如下：

“冲压工序”：在带有支撑性的绝缘材料上开设若干通孔，通孔的尺寸可根据实际需要设定，通孔的功能需满足ISO 7816-2协议，若干通孔分别对应芯片上的接触功能端口零号VCC、零号RST、零号CLK、零号GND、零号I/O以及非接功能端口零号LA、零号LB（需要特别说明的是：芯片上具有接触功能端口VCC、RST、CLK、GND、I/O以及非接功能端口LA、LB，属于本领域的常规知识，此处为方便描述与理解，增加“零号”进行定义，以与本申请中引线框架结构上的各个接触功能端口和非接功能端口区分开）；

“贴铜工序-烘烤工序”：在已设置通孔的绝缘材料的其中一面，贴覆导电层并完成固化，形成导电基层及功能盲孔，其中导电层的表面电阻小于500毫欧；

“第二次前处理工序-第二次压干膜工序-第二次曝光工序-第二次显影工序-第二次蚀刻工序”：采用感光膜曝光、显影、蚀刻的方法，完成ISO 7816-2协议中所要求的触点的分割，形成独立的接触功能端口（即VCC1、RST2、CLK3、GND4、I/O5）以及第一非接功能端口（即第一LAⅠ6、第一LAⅡ7、第一LBⅠ8、第一LBⅡ9）；

“增加非接传递层工序”：在产品压焊面上增加非接传递层线路，具体可采用丝网印刷、喷涂、点涂、转印导电体的方法；其中，非接传递层需具备同时连通卡片天线和芯片的功能（具体地：非接传递层通过第三LA10、第三LB11间接连通卡片天线；非接传递层与第一LAⅡ7、第一LBⅡ9分别连通，第一LAⅡ7、第一LBⅡ9分别通过接触面独立单元与第一LAⅠ6、第一LBⅠ8连通，第一LAⅠ6、第一LBⅠ8又分别通过金丝与芯片上的零号LA、零号LB连通，所以非接传递层间接连通芯片）；

“电镀工序”：在第一接触层上镀镍、镀金，以增加耐磨性、耐腐蚀性、可焊性；对非接传递层不做要求，可以镀金或不镀金，以减少贵金属的损耗、降低成本；

“分切工序”：切割成满足客户要求的尺寸。

有益效果如下：

本实施例所述的制备工艺，与现有双面柔性引线框架的制备工艺相比，通过“增加非接传递层工序”、可大大简化生产工艺流程，进而能够缩短引线框架产品的生产周期、提高生产效率、提升设备利用率；并且不再需要将压焊面上大约95.5%的铜蚀刻掉，即将通过去除非线路部分而得到有效线路部分的传统工艺方法、升级为直接增加有效线路的新型工艺方法，所以避免了对铜的浪费，也降低了原材料成本中的贴铜成本。

当然，上述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定对本发明的实施例范围。本发明也并不仅限于上述举例，本技术领域的普通技术人员在本发明的实质范围内所做出的均等变化与改进等，均应归属于本发明的专利涵盖范围内。

Claims (9)

1.一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：包括第一接触层、绝缘层和非接传递层，第一接触层包含接触功能端口和第一非接功能端口，第一非接功能端口分别与芯片和非接传递层的一端连通，非接传递层的另一端通过其他非接功能端口连通卡片；非接传递层的内部通过填充导电体而导电，非接传递层仅包含信号传输所使用的线路，不含有电镀导电线路和辅助线路；通过非接传递层替代通过去除非线路部分而得到有效线路部分的小面积导电线路。

2.根据权利要求1所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述第一非接功能端口包括第一LAⅠ(6)、第一LAⅡ(7)、第一LBⅠ(8)、第一LBⅡ(9)，其中第一LAⅠ(6)与第一LAⅡ(7)相连通，第一LBⅠ(8)与第一LBⅡ(9)相连通。

3.根据权利要求2所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述第一LAⅡ(7)、第一LBⅡ(9)分别与非接传递层连通。

4.根据权利要求2所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述第一LAⅠ(6)、第一LBⅠ(8)分别通过导电丝与芯片的非接功能端口连通。

5.根据权利要求2所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述第一LAⅡ(7)、第一LBⅡ(9)为桥接导通孔，桥接导通孔的内部填充导电体。

6.根据权利要求1所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述其他非接功能端口包括第三LA(10)和第三LB(11)，第三LA(10)、第三LB(11)分别连通卡片天线的两端。

7.根据权利要求1所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述非接传递层承受的温度极限为380℃，非接传递层的结合力保证其在380℃的温度中10s以上不分层。

8.根据权利要求1所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：所述接触功能端口包括VCC(1)、RST(2)、CLK(3)、GND(4)和I/O(5)。

9.一种新型双面柔性引线框架结构的制备工艺，用于制备权利要求1-8任一所述的一种新型双面柔性引线框架结构，其特征在于：包括“增加非接传递层工序”。