CN115894929A - 一种高顺式结构氟硅生胶及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种高顺式氟硅共聚物，其中，Rf为三氟丙基，R为苯基、乙基和甲基中的一种或多种。X/(X+3m+3n)＝0.1％‑50％，m/(m+n)＝0.1‑1。其中，顺式甲基三氟丙基硅氧烷链节含量不低于20％，分子量为1万‑150万。本发明采用开环速率较高的环三硅氧烷，解决了共聚过程中聚合速率的差异，保证氟硅共聚物的力学性能，能够使二苯基链节、二甲基链节和二乙基链节均匀的分布在聚合物链上。
Description
技术领域
本发明涉及橡胶材料领域，具体来讲，涉及一种高顺式结构氟硅生胶及其制备方法。
背景技术
氟硅橡胶是一种以甲基三氟丙基硅氧烷为主要链节的特种硅橡胶，广泛被用作航空航天、汽车工业等领域的耐油密封材料。制备氟硅生胶的单体为甲基三氟丙基环三硅氧烷(D3F)，当前制备传统氟硅生胶的单体主要以反式甲基三氟丙基环三硅氧烷(trans-D3F)为主，其氟硅生胶的分子链的空间结构为无规结构，无法起到拉伸自增强的作用，导致目前氟硅橡胶的力学性能较低，无法满足航空航天等领域的要求。
专利CN107141480B中，公开了一种高抗溶胀性氟硅生胶及其制备方法，每100质量份的生胶按质量份数计包括如下组份：含长链氟烷基的硅氧烷三环体化合物10～90份、含三氟丙基的硅氧烷环体化合物8～88份、含乙烯基的硅氧烷环体化合物0.5～10份、非含氟含双键的硅氧烷环体化合物0～8份，封端剂0.02～0.2份，所述的含长链氟烷基的硅氧烷三环体化合物可以用式(Si(CH3)(Rf)O)3表示，其中Rf可以用式-(CH2)mCnF2n+1表示，n为3～8的整数，m为2或3。该专利中三氟丙基的硅氧烷环体主要以反式为主，并未涉及高顺式结构氟硅生胶的研究。
发明内容
发明人研究发现：现有制备氟硅橡胶的单体主要以反式甲基三氟丙基环三硅氧烷为主，导致力学性能较差，使用含有一定量顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷(简称cis-D3F)制备高顺式结构氟硅生胶，该氟硅生胶的空间结构为等规结构，具有应变诱导结晶的能力，可以大幅度提高氟硅橡胶的力学性能。发明人经过多次实验发现，顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷和反式甲基三氟丙基环三硅氧烷在聚合过程中反应速率具有较大差别，以顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷为单体制备氟硅生胶过程中存在极难控制聚合过程和分子量及其空间结构分布的问题，对反应条件有着苛刻的要求，通过引发剂与封端剂的复配，可以实现顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的聚合过程和分子量及其分布的精确控制。
本发明一方面提供了一种高顺式结构氟硅生胶，所述高顺式结构氟硅生胶的结构式如下：
其中，R为三氟丙基，R1为苯基、乙烯基、三氟丙基中的一种或多种，m＝2～10，0<X/(X+Y)<1，n/(X+Y)＝0～10％。
其中，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于20％，乙烯基硅氧烷链节的含量为0～50％。
本发明另一方面提供了一种高顺式结构氟硅生胶的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
向顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷含量不低于20％的甲基三氟丙基环三硅氧烷中加入封端剂、引发剂、乙烯基环体以及促进剂进行聚合反应，再依次加入中和剂、脱出挥发性组分得到高顺式结构氟硅生胶。
其中，所述甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：0～100：1～100：0～2000：0～1：1～100。
与现有技术相比，本发明的有益效果包括以下内容中的至少一项：
(1)与现有技术相比，本发明顺式结构的氟硅生胶是一种空间结构等规的氟硅生胶，具有应变诱导结晶的能力，能够提高氟硅生胶的力学性能。
(2)与现有技术相比，本发明向含有一定量顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷，通过设计合成合适的引发剂、封端剂，严格控制反应温度和时间等条件，可以实现顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的聚合过程和分子量及其分布的精确控制。
(3)与现有技术相比，本发明制备的具有高顺式结构氟硅生胶可以用于氟硅橡胶的基胶，仅使用补强填料即可制得力学性能优异且适用于承受较高载荷的密封材料。例如，密封圈。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了本发明实施例1所制备的顺式氟硅生胶的核磁共振氟谱图；
图2示出了本发明对比例1所制备的普通氟硅生胶的核磁共振氟谱图；
图3示出了本发明实施例1所制备的具有高顺式结构氟硅生胶的偏光显微镜图；
图4示出了本发明对比例1所制备的普通氟硅生胶的偏光显微镜图。
具体实施方式
为了更清楚的阐释本发明的整体构思，下面结合说明书附图以示例的方式进行详细说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
另外，在本发明的描述中，需要理解的是，术语“顶”、“底”、“内”、“外”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
在本发明的一个示例性实施例中，高顺式结构氟硅生胶的结构式如下：
其中，R为三氟丙基，R1为苯基、乙烯基、三氟丙基中的一种或多种，m为2～10，0<X/(X+Y)<1，n/(X+Y)＝0～10％。
其中，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于20％，乙烯基硅氧烷链节的含量为0～50％。
本发明中具有相同空间构型的三个或三个以上甲基三氟丙基硅氧烷链节连接在一起的结构称为顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构。其中所述顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量指的是顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构占整个氟硅生胶分子链的比例，所述乙烯基硅氧烷链节的含量指的是乙烯基硅氧烷链节占整个氟硅生胶分子链的比例。
进一步，所述m为4～8，优选的，所述m为5～7。
进一步，0.2<X/(X+Y)<0.8，优选的，0.3<X/(X+Y)<0.6。
进一步，n/(X+Y)＝2～8％，优选的，n/(X+Y)＝3～6％。
进一步，所述顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于30％；优选的，所述顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于50％，更优选的，所述顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于80％。
进一步，所述高顺式结构氟硅生胶的分子量不低于1千；优选的，所述分子量为20万～200万。
进一步，所述高顺式结构氟硅生胶的乙烯基硅氧烷链节含量为10～40％；优选的，所述乙烯基硅氧烷链节含量为20～30％。
在本发明的另一个示例性实施例中，高顺式结构氟硅生胶的制备方法包括以下步骤：
向顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷含量不低于20％的甲基三氟丙基环三硅氧烷中加入封端剂、引发剂、乙烯基环体以及促进剂进行聚合反应，再依次加入中和剂、脱出挥发性组分得到高顺式结构氟硅生胶。
其中，所述甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：1～100：1～100：0～2000：0～1：1～100。进一步，所述甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：20～80：20～80：20～1000：0～1：2～50。
其中，含顺式与反式甲基三氟丙基环三硅氧烷的混合环体中，进一步的，顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的含量不低于30％；优选的，顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的含量不低于50％；更优选的，顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的含量不低于80％。顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的结构式如下所示：
其中，R为三氟丙基。
高顺式结构氟硅生胶的制备方法的具体步骤为：
(1)将硅氧烷环体、乙烯基封端剂和碱金属催化剂在真空下脱除反应物中的水分，升温至60～120℃，反应1～3h，然后减压脱除未反应的小分子及副产物即可制得封端剂。所述硅氧烷环体、乙烯基封端剂和碱金属催化剂的质量比为2500：650～1500：1～2。优选的，反应温度为80～100℃。本发明制备的封端剂可以控制分子量并且进一步提高其力学性能。
(2)将碱金属氢氧化物或碱性氢氧化物和硅氧烷环体混合后脱水，加热至80～180℃，反应0.5～2h后，减压脱除挥发性组分即可得到引发剂。所述碱金属氢氧化物或碱性氢氧化物与硅氧烷环体的质量比为0.1～10：100，优选的，所述碱金属氢氧化物或碱性氢氧化物与硅氧烷环体的质量比为2～8：100。反应时间为120～150℃。此引发剂可以避免聚合过程中副反应的发生，提高聚合产物中顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构的含量，进而提高其力学性能。
由于封端剂活性不同以及沸点不同产生的封端效果也不同。例如，单独使用普通乙烯基封端剂会导致聚合体系的封端效果差，进而影响高顺式结构氟硅生胶的力学性能。为了保证高封端率和分子量，本发明中通过封端剂与引发剂复配，制备空间结构等规、力学性能优良的氟硅生胶。
(3)将含有一定百分比顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷的环体在真空下脱水，加入步骤(1)(2)制得的封端剂、引发剂、乙烯基环体、促进剂，在40～180℃进行聚合反应，聚合时间为0.5～6h。进一步，聚合反应的反应温度为50～160℃；优选的，反应温度为80～180℃；更优选的，所述聚合反应的温度为110～150℃。其中，乙烯基环体可以是三甲基三乙烯基环三硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷和甲基乙烯基与甲基三氟丙基混合环体的混合环体。促进剂可以是四氢呋喃、二甲亚砜、二氧六环中的一种。
(4)在步骤(3)所制得的产物中加入适量的中和剂，搅拌后，高温减压脱除挥发性组分即可制得顺式氟硅生胶。中和剂可以是甲酸、乙酸、硅基磷酸酯、氟硅基磷酸酯或CO2中的一种或多种。
其中，硅氧烷环体可以是甲基苯基环硅氧烷、二苯基环体、二甲基环体、二乙基环体、甲基乙烯基环硅氧烷及甲基三氟丙基硅氧烷中的一种或多种。
在引发剂中所用到的碱金属氢氧化物或碱性氢氧化物可以是四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、氢氧化钾、氢氧化钠及氢氧化锂中的一种。
实施例1
制备分子量为60万，乙烯基含量为0.5％，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量为70％的高顺式结构氟硅生胶。具体制备方法为：
(1)封端剂的制备：将500g甲基苯基硅氧烷环体、150g乙烯基封端剂和0.2g碱金属催化剂钾在真空下脱除反应物中的水分，升温至60℃反应1h，然后减压脱除未反应的小分子及副产物即可制得封端剂。其中，硅氧烷环体：乙烯基封端剂：碱金属催化剂质量比为2500：750：1。
(2)引发剂的制备：将100g硅氧烷环体甲基苯基环硅氧烷与1g氢氧化钾在真空下加热脱水，升温至120℃下反应1h，减压脱除未反应的小分子及副产物可得到引发剂。其中，氢氧化钾与甲基苯基环硅氧烷质量比为1：100。
(3)具有高顺式结构氟硅生胶的制备：将20kg含有70％cis-D3F的混合环体加入到反应釜中，在真空下脱水1h，加入60g的乙烯基环体三甲基三乙烯基环三硅氧烷、2g促进剂、50g封端剂和50g引发剂，升温至150℃，开始聚合，体系粘度开始增大，反应1h。然后加入5g醋酸进行中和1h，真空下脱除未反应的小分子和副产物。其中，甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：25：25：30：1：2.5，制得分子量为60万的顺式氟硅生胶，其结构式如下：
其中，R为三氟丙基，R1为苯基，n/(X+Y+m+n)＝0.5％。
由该实施例1所制的顺式氟硅生胶的核磁氟谱如图1所示，偏光显微照片如图3所示，可以看出该聚合物的偏光显微照片呈现出了典型的黑十字消光的现象，表明该顺式氟硅生胶为一种结晶的顺式氟硅生胶。
实施例2
制备分子量为100万，乙烯基含量为0.5％，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量为70％的具有顺式结构的氟硅生胶。具体制备方法为：
(1)封端剂的制备：将500g二苯基硅氧烷环体、200g乙烯基封端剂和0.4g碱金属催化剂铷在真空下脱除反应物中的水分，升温至65℃反应1h，然后减压脱除未反应的小分子及副产物即可制得封端剂。其中，硅氧烷环体：乙烯基封端剂：碱金属催化剂质量比为2500：1000：2。
(2)引发剂的制备：将100g二苯基硅氧烷环体与0.8g氢氧化钠在真空下加热脱水，升温至120℃下反应1h，减压脱除未反应的小分子及副产物可得到引发剂。其中，氢氧化钠与二苯基硅氧烷环体质量比为0.8：100。
(3)具有高顺式结构氟硅生胶的制备：将20kg含有70％cis-D3F的混合环体加入到反应釜中，在真空下脱水1h，加入60g的乙烯基环体四甲基四乙烯基环四硅氧烷、2g促进剂、20g封端剂和30g引发剂，升温至140℃，开始聚合，体系粘度开始增大，反应2h。然后加入3g醋酸进行中和1h，真空下脱除未反应的小分子和副产物。其中，甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：10：15：30：1：1.5，即可制得分子量为100万的顺式氟硅生胶，其结构式如下：
其中R为三氟丙基，n/(X+Y+n)＝0.5％。
实施例3
制备分子量为100万，乙烯基含量为0.5％，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量为100％的具有顺式结构的氟硅生胶。
(1)封端剂的制备：将500g二甲基环体、200g乙烯基封端剂和0.4g碱金属催化剂钾在真空下脱除反应物中的水分，升温至70℃反应1h，然后减压脱除未反应的小分子及副产物即可制得封端剂。其中，硅氧烷环体：乙烯基封端剂：碱金属催化剂质量比为2500：1000：2。
(2)引发剂的制备：将100g二甲基环体与2g氢氧化钾在真空下加热脱水，升温至120℃下反应1h，减压脱除未反应的小分子及副产物可得到引发剂。其中，氢氧化钾与二甲基环体的质量比为2：100。
(3)具有高顺式结构氟硅生胶的制备：将20kg含有100％cis-D3F的环体加入到反应釜中，在真空下脱水1h，加入60g的乙烯基环体、1g促进剂、20g封端剂和15g引发剂，升温至115℃，开始聚合，体系粘度开始增大，反应1.5h。然后加入3g醋酸进行中和2h，真空下脱除未反应的小分子和副产物。其中，甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：10：7.5：30：0.5：1.5。即可制得分子量为100万的顺式氟硅生胶，其结构式如下：
其中，R为三氟丙基，n/(X+Y+n)＝0.5％。
实施例4
在实施例1的基础上，制备分子量为100万，乙烯基含量为0.5％，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量为20％的具有顺式结构的氟硅生胶。
对比例1
在实施例2的基础上，区别在于，100％的trans-D3F，所制得的反式氟硅生胶的分子量为100万，乙烯基含量为0.5％，其核磁氟谱如图2所示，偏光显微图如图4所示。
对比例2
在实施例1的基础上，区别在于，使用的封端剂为市售的四甲基二烯基硅氧烷，引发剂为四甲基氢氧化铵。制备分子量为100万，乙烯基含量为0.5％的氟硅生胶。
将上述实施例1-4以及对比例1-2制备得到的氟硅生胶分别进行性能测试，测试结果列于表1所示。
其中：
1、氟硅橡胶分子量的测定
采用乌氏黏度计测试氟硅橡胶的特性粘度，得到相应的分子量，溶剂为乙酸乙酯，测试温度30℃，K＝5.92×105，α＝0.7。
2、氟硅生胶乙烯基含量的测定
采用核磁氢谱法测试乙烯基含量，使用氘代四氢呋喃作为溶剂。
3、顺式氟硅生胶结构的表征
采用核磁氟谱(氘代丙酮为溶剂)、红外光谱以及偏光显微镜表征顺式氟硅生胶的结构。
4、拉伸强度测试条件
对氟硅生胶使用50份填料进行补强并硫化之后，在室温下进行测试，每个试样测试五次，取平均值。
表1性能测试表
表2实施例1制备的高顺式氟硅生胶核磁共振氟谱拟合数据
| 特征峰编号 | ppm | 高度占比(％) | 面积占比(％) |
| 1 | -69.3432 | 29 | 22 |
| 2 | -69.3510 | 22 | 18 |
| 3 | -69.3601 | 15 | 15 |
| 4 | -69.3671 | 29 | 34 |
| 5 | -69.3839 | 5 | 11 |
表3对比例1制备的氟硅生胶核磁共振氟谱拟合数据
参考表1所示，从实施例1-4可以看出，本发明制备得到的顺式氟硅生胶拉伸强度不低于12Mpa。实施例2与对比例1相比，区别在于本发明制备过程中采用含有70％cis-D3F，而对比例1中采用的全部是trans-D3F，可以看出，本发明顺式氟硅生胶拉伸强度提高了38％。本发明制备得到的高顺式结构氟硅生胶具有优良的力学性能。实施例1与对比例2相比，区别在于本发明制备过程中采用的是自制的引发剂和封端剂，而对比例2中采用的是市售的引发剂及封端剂，因市售引发剂和封端剂在聚合过程中会对封端效果产生影响，进一步影响生胶的力学性能。
图1为本发明实施例1所制备的顺式氟硅生胶的核磁共振氟谱图及分峰拟合结果，图2为本发明对比例1所制备的普通氟硅生胶的核磁共振氟谱及分峰拟合结果。参考图1和图2所示，可以看出，本发明制备顺式氟硅生胶与普通及市售的氟硅生胶具有不同峰形的核磁共振氟谱，在图1和图2中分峰拟合结果中，化学位移为-69.3400ppm-69.3601ppm处的核磁共振峰为氟硅生胶中顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构的特征峰，化学位移为-69.3603ppm-69.3839ppm处的核磁共振峰为氟硅生胶中反式甲基三氟丙基硅氧烷结构的特征峰。参考表2拟合数据所示，可以计算出，图1中本发明所制备的顺式氟硅生胶中顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构的特征峰的面积之和占所有特征峰面积的55％，大于50％，是一种高顺式的氟硅生胶；而图2中市售的氟硅生胶中，参考表3拟合数据所示，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构的特征峰的峰面积之和占所有特征峰面积的16％，小于20％，是一种反式结构为主的氟硅生胶。除此之外，图1中本发明所制备的高顺式氟硅生胶中顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构的特征峰的强度之和占所有特征峰强度的66％；而图2中市售的氟硅生胶中，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构的特征峰的强度之和占所有特征峰强度的21％。综上，这些结果均表明本发明制备的氟硅生胶是一种高顺式结构的氟硅生胶。
图3为本发明实施例1所制备的具有高顺式结构氟硅生胶的偏光显微镜图，图4为本发明对比例1所制备的普通氟硅生胶的偏光显微镜图。参考图3所示，本发明制备高顺式氟硅生胶的偏光显微照片呈现一种黑十字消光，黑十字消光现象能够证明该产品是一种具有结晶的聚合物，进而证明本发明制备的氟硅生胶是一种以顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构为主的生胶。参考图4所示，普通市售反式生胶不存在黑十字消光现象，证明普通市售反式生胶是一种不具有结晶的聚合物，进而表明市售的氟硅生胶是一种以反式甲基三氟丙基硅氧烷结构为主的生胶。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。
Claims (10)
1.一种高顺式结构氟硅生胶，其特征在于，所述高顺式结构氟硅生胶的结构式如下：
其中，R为三氟丙基，R1为苯基、乙烯基、三氟丙基中的一种或多种，m＝2～10，0<X/(X+Y)<1，n/(X+Y)＝0～10％；
其中，顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于20％，乙烯基硅氧烷链节的含量为0～50％。
2.根据权利要求1所述的高顺式结构氟硅生胶，其特征在于，所述顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于50％；进一步，所述顺式甲基三氟丙基硅氧烷结构含量不低于80％。
3.根据权利要求1所述的高顺式结构氟硅生胶，其特征在于，所述高顺式结构氟硅生胶的分子量不低于1千；进一步，所述高顺式结构氟硅生胶的分子量为20万～200万。
4.根据权利要求1所述的高顺式结构氟硅生胶，其特征在于，所述高顺式结构氟硅生胶的乙烯基硅氧烷链节含量为10～40％；进一步，所述乙烯基硅氧烷链节含量为20～30％。
5.一种如权利要求1至4任意一项所述高顺式结构氟硅生胶的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
向顺式甲基三氟丙基环三硅氧烷含量不低于20％的甲基三氟丙基环三硅氧烷中加入封端剂、引发剂、乙烯基环体以及促进剂进行聚合反应，再依次加入中和剂、脱出挥发性组分得到高顺式结构氟硅生胶；
其中，所述甲基三氟丙基环三硅氧烷：封端剂：引发剂：乙烯基环体：促进剂：中和剂的质量比为10000：0～100：1～100：0～2000：0～1：1～100。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述封端剂的制备方法为：将硅氧烷环体、乙烯基封端剂和碱金属催化剂混合后脱除水分，加热至60～120℃，然后减压脱除未反应的小分子及副产物制得封端剂；
其中，所述硅氧烷环体：乙烯基封端剂：碱金属催化剂质量比为2500：650-1500：1-2。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述引发剂的制备方法为：将碱金属氢氧化物和/或碱性氢氧化物和硅氧烷环体混合后脱水，加热至80～180℃反应，然后减压脱除挥发性组分得到引发剂；
其中，所述碱金属氢氧化物和/或碱性氢氧化物与硅氧烷环体的质量比为0.1～10：100。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述乙烯基环体为三甲基三乙烯基环三硅氧烷、四甲基四乙烯基环四硅氧烷、甲基乙烯基与甲基三氟丙基混合环体的混合环体。
9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述中和剂为甲酸、乙酸、硅基磷酸酯、氟硅基磷酸酯或CO2中的一种或多种。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的温度为80～180℃；进一步，所述聚合反应的温度为110～150℃。
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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