CN115867094A

CN115867094A - 光电器件及其制备方法、碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法

Info

Publication number: CN115867094A
Application number: CN202111115036.0A
Authority: CN
Inventors: 袁密; 芦子哲
Original assignee: TCL Technology Group Co Ltd
Current assignee: TCL Technology Group Co Ltd
Priority date: 2021-09-23
Filing date: 2021-09-23
Publication date: 2023-03-28

Abstract

本申请公开了一种光电器件，包括阳极、空穴注入层、发光层及阴极，所述空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒。本申请的光电器件的空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒，所述碳包覆氧化亚铜颗粒表面的碳层既可以避免氧化亚铜被氧化，又可以钝化氧化亚铜表面的缺陷，提高空穴注入层的空穴注入效率，进而保证光电器件具有高发光效率的同时还具有较好的稳定性。另，本申请还公开了一种光电器件的制备方法。

Description

光电器件及其制备方法、碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种光电器件、所述光电器件的制备方法、及所述光电器件所使用的碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法。

背景技术

目前广泛使用的光电器件为有机电致发光器件(OLED)和量子点电致发光器件(QLED)。传统的OLED和QLED器件结构主要包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。在电场的作用下，光电器件的阳极产生的空穴和阴极产生的电子发生移动，分别向空穴传输层和电子传输层注入，最终迁移到发光层，当二者在发光层相遇时，产生能量激子，从而激发发光分子最终产生可见光。

空穴注入层可以对光电器件的阳极进行修饰，使来自阳极的空穴顺利进入到空穴传输层中。现有的空穴注入材料主要为有机材料，例如PEDOT:PSS，具有高导电性、高透光性及良好的旋涂成膜性。但是，PEDOT:PSS易吸水潮解，且本身的酸性会腐蚀阳极，使得光电器件的稳定性较差，发光效率偏低。

为克服有机材料作为空穴注入层的缺陷，并进一步提高空穴注入效率，现有的光电器件会使用无机材料氧化亚铜(Cu₂O)作为空穴注入层材料。然而，氧化亚铜容易被氧化成氧化铜，而导致光电器件的稳定性降低。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种光电器件，旨在改善现有的空穴注入层材料为氧化亚铜的光电器件稳定性差的问题。

本申请实施例是这样实现的，一种光电器件，包括阳极、空穴注入层、发光层及阴极，所述空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述碳包覆氧化亚铜颗粒包括氧化亚铜颗粒及包覆在所述氧化亚铜颗粒表面的碳层，所述碳层的厚度范围为0.5-2nm。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴注入层的材料为碳包覆氧化亚铜颗粒。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阳极为金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；

所述发光层为有机发光层或量子点发光层，所述有机发光层的材料选自二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种，所述量子点发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物选自CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种，所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；

所述阴极选自Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极的至少一种。

相应的，本申请实施例还提供一种碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法，包括如下步骤：

提供铜源、醇的水溶液及过氧化氢溶液，混合，得到前驱体溶液；

使用紫外光照射所述前驱体溶液，得到碳包覆氧化亚铜颗粒。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用紫外光照射所述前驱体溶液前还包括：向所述前驱体溶液中鼓入惰性气体。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述铜源选自硫酸铜、硝酸铜、氯化铜及醋酸铜中的至少一种；和/或

所述醇选自甲醇、乙醇、乙二醇及异丙醇中的至少一种。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述醇与所述铜源中的铜离子的摩尔比的范围为(500：1)-(1000：1)。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述使用紫外光照射所述前驱体溶液的时间范围为1-3h。

相应的，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上形成阳极；

提供上述制备方法制得的碳包覆氧化亚铜颗粒，将所述碳包覆氧化亚铜颗粒分散于有机溶剂中，得到碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述阳极上，得到空穴注入层；

在所述空穴注入层上依次形成层叠的发光层及阴极；

或者，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成层叠的阴极及发光层；

提供上述制备方法制得的碳包覆氧化亚铜颗粒，将所述碳包覆氧化亚铜颗粒分散于有机溶剂中，得到碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述发光层上，得到空穴注入层；

在所述空穴注入层上形成阳极。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述碳包覆氧化亚铜分散液中碳包覆氧化亚铜的浓度范围为20-50mg/mL。

本申请的光电器件的空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒，所述碳包覆氧化亚铜颗粒表面的碳层既可以避免氧化亚铜被氧化，又可以钝化氧化亚铜表面的缺陷，提高空穴注入层的空穴注入效率，进而保证光电器件具有高发光效率的同时还具有较好的稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的一种光电器件的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的另一种光电器件的结构示意图；

图3是本申请实施例提供的一种碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法流程图；

图4是本申请实施例提供的一种光电器件的制备方法流程图；

图5是本申请实施例提供的另一种光电器件的制备方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

请参阅图1，本申请实施例提供一种光电器件100，其可以为有机电致发光器件或量子点电致发光器件。所述光电器件100包括阳极10、空穴注入层20、发光层30及阴极40。

所述空穴注入层20的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒。所述碳包覆氧化亚铜颗粒包括氧化亚铜颗粒及包覆在所述氧化亚铜颗粒表面的碳层。所述碳层的厚度范围为0.5-2nm。在所述厚度范围内既可以保证氧化亚铜被完全包覆，避免氧化亚铜被氧化，又可以避免因碳层过厚而导致空穴注入层20的空穴注入效率降低。

请参阅图2，在一些实施例中，所述光电器件100还包括空穴传输层50及电子传输层60。所述空穴传输层50位于所述空穴注入层20与发光层30之间，所述电子传输层60位于所述发光层30与阴极40之间。

所述阳极10的材料为本领域已知用于光电器件阳极的材料，例如，可以选自但不限于掺杂金属氧化物电极、复合电极等。所述金属氧化物电极可以选自但不限于铟掺杂氧化锡(ITO)、氟掺杂氧化锡(FTO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、铟掺杂氧化锌(IZO)、镁掺杂氧化锌(MZO)及铝掺杂氧化镁(AMO)中的至少一种。所述复合电极为掺杂或非掺杂的透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，如AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS等。

所述发光层30可以为有机发光层或量子点发光层。当所述光电器件100为有机电致发光器件时，所述发光层30为有机发光层。当所述光电器件100为量子点电致发光器件时，所述发光层30为量子点发光层。

所述有机发光层的材料为本领域已知用于光电器件有机发光层的材料，例如，可以选自但不限于二芳香基蒽衍生物、二苯乙烯芳香族衍生物、芘衍生物或芴衍生物、发蓝色光的TBPe荧光材料、发绿色光的TTPA荧光材料、发橙色光的TBRb荧光材料、及发红色光的DBP荧光材料中的至少一种。

所述量子点发光层的材料为本领域已知用于光电器件的量子点发光层的量子点材料，例如，可以选自但不限于单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种。所述单一结构量子点可以选自但不限于II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种。作为举例，所述II-VI族化合物可以选自但不限于CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种；所述III-V族化合物可以选自但不限于InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种；所述I-III-VI族化合物可以选自但不限于CuInS₂、CuInSe₂及AgInS₂中的至少一种。所述核壳结构的量子点的核可以选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料可以选自但不限于CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。作为示例，所述核壳结构的量子点可以选自但不限于CdZnSe/CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnSe/ZnS、CdSe/ZnS、CdSe/ZnSe/ZnS、ZnSe/ZnS、ZnSeTe/ZnS、CdSe/CdZnSeS/ZnS、InP/ZnSe/ZnS及InP/ZnSeS/ZnS中的至少一种。

所述阴极40为本领域已知用于光电器件阴极，例如，可以选自但不限于Ag电极、Al电极、Au电极、Pt电极或合金电极的至少一种。

所述空穴传输层50的材料为本领域已知用于空穴传输层的材料，例如，可以选自但不限于聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTAA)、2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(spiro-omeTAD)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、N,N′-双(1-奈基)-N,N′-二苯基-1,1′-二苯基-4,4′-二胺(NPB)、4,4'-双(N-咔唑)-1,1'-联苯(CBP)、聚[(9,9-二辛基芴基-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(对丁基苯基))二苯胺)](TFB)、聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)、聚三苯胺(Poly-TPD)、PEODT：PSS、MoO₃、WO₃、NiO、CuO、V₂O₅和CuS中的至少一种。

所述电子传输层60的材料为本领域已知用于电子传输层的材料，例如，可以选自但不限于金属氧化物、掺杂金属氧化物、2-6族半导体材料、3-5族半导体材料及1-3-6族半导体材料中的一种或几种。具体的，所述金属氧化物选自但不限于ZnO、TiO₂、SnO₂、Al₂O₃中的一种或几种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物选自但不限于ZnO、TiO₂、SnO₂中的至少一种，掺杂元素选自但不限于Al、Mg、Li、In、Ga中的一种或几种，作为列举，所述掺杂金属氧化物可以为铝氧化锌(AZO)、掺锂氧化锌(LZO)及掺镁氧化锌(MZO)等；所述2-6半导体族材料选自但不限于ZnS、ZnSe、CdS中的一种或几种；所述3-5半导体族材料选自但不限于InP、GaP中的至少一种；所述1-3-6族半导体材料选自但不限于CuInS、CuGaS中的至少一种。

可以理解，所述光电器件100除上述各功能层外，还可以增设一些常规用于光电器件的有助于提升光电器件性能的功能层，例如电子阻挡层、空穴阻挡层、电子注入层、和/或界面修饰层等。

可以理解，所述光电器件100的各层的材料可以依据光电器件100的发光需求进行调整。

所述光电器件100还包括基板。所述基板100可以为刚性基板或柔性基板。所述刚性基板可以是陶瓷材料或各类玻璃材料等。所述柔性基板可以由聚酰亚胺薄膜(PI)及其衍生物、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、磷酸烯醇式丙酮酸(PEP)或二亚苯基醚树脂等材料形成的基板。

可以理解，所述光电器件100可以为正置光电器件或倒置光电器件。当所述光电器件100为正置光电器件时，所述基板结合于所述阳极10的远离所述发光层30的一侧。当所述光电器件100为倒置光电器件时，所述基板结合于所述阴极40的远离所述电子传输层60的一侧。

所述光电器件100的空穴注入层20的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒，所述碳包覆氧化亚铜颗粒表面的碳层既可以避免氧化亚铜被氧化，又可以钝化氧化亚铜表面的缺陷，提高空穴注入层20的空穴注入效率，进而保证光电器件100具有高发光效率的同时还具有较好的稳定性。

请进一步参阅图3，本申请实施例还提供一种碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法，包括如下步骤：

a、提供铜源、醇的水溶液及过氧化氢溶液，混合，得到前驱体溶液；

b、使用紫外光照射所述前驱体溶液，过滤，得到碳包覆氧化亚铜颗粒。

在一实施例中，将所述铜源、醇的水溶液及过氧化氢溶液混合的方法为：向石英瓶中加入醇的水溶液，接着加入铜源，搅拌，然后加入过氧化氢溶液，继续搅拌。

所述使用紫外光照射所述前驱体溶液前还包括：向所述前驱体溶液中持续鼓入惰性气体，以去除所述前驱体溶液中的溶解氧。所述惰性气体可以为氮气、氩气等。

所述铜源可以选自但不限于硫酸铜、硝酸铜、氯化铜及醋酸铜中的至少一种。

所述醇可以选自但不限于甲醇、乙醇、乙二醇及异丙醇中的至少一种。所述醇用于提供碳源，以包覆氯化亚铜。

所述醇与所述铜源中的铜离子的摩尔比的范围为(500：1)-(1000：1)。摩尔比过小，需要反应较长的时间才能使氧化亚铜表面完全被碳包覆；摩尔比过大，氧化亚铜表面的碳层过厚，会导致空穴注入效率降低。

所述过氧化氢可以促进氧化亚铜的生成，避免Cu²⁺被还原成单质铜，提高氧化亚铜的产率及纯度。

在一实施例中，使用汞灯发射所述紫外光，所述汞灯为300W高压汞灯。

所述使用紫外光照射所述前驱体溶液的时间范围为1-3h。时间太短，碳不能完全包覆氧化亚铜；时间太长，氧化亚铜表面的碳层过厚，会导致空穴注入效率降低。

请进一步参阅图4，本申请实施例还提供一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：

步骤S11：提供基板，在所述基板上形成阳极10；

步骤S12：提供所述碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法制得的碳包覆氧化亚铜颗粒，将所述碳包覆氧化亚铜颗粒分散于有机溶剂中，得到碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述阳极10上，得到空穴注入层20；

步骤S13：在所述空穴注入层20上依次形成层叠的发光层30及阴极40。

可以理解的，在所述光电器件100还包括空穴传输层50及电子传输层60时，所述步骤S13为：在所述空穴注入层20上依次形成层叠的空穴传输层50、发光层30、电子传输层60及阴极40。

请进一步参阅图5，本申请实施例还提供另一种光电器件的制备方法，包括如下步骤：

步骤S21：提供基板，在所述基板上依次形成层叠的阴极40及发光层30；

步骤S22：提供所述碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法制得的碳包覆氧化亚铜颗粒，将所述碳包覆氧化亚铜颗粒分散于有机溶剂中，得到碳包覆氧化亚铜分散液，并将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述发光层30上，得到空穴注入层20；

步骤S23：在所述空穴注入层20上形成阳极10。

可以理解的，在所述光电器件100还包括空穴传输层50及电子传输层60时，所述步骤S21为：提供基板，在所述基板上依次形成层叠的阴极40、电子传输层60、发光层30及空穴传输层50。对应的，所述步骤S22为：提供碳包覆氧化亚铜分散液，并将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述空穴传输层50上，得到空穴注入层20。

所述两种光电器件的制备方法中：

在一实施例中，所述碳包覆氧化亚铜分散液通过以下方法制得：

所述有机溶剂为无水乙醇、环己烷等常规使用的用于制备分散液的有机溶剂。

所述碳包覆氧化亚铜分散液的浓度范围为20-50mg/mL。浓度太低成膜效果不好，浓度过高，容易发生团聚，影响成膜质量。

所述两种光电器件的制备方法中，所述阳极10、空穴注入层20、空穴传输层50、发光层30、电子传输层60及阴极40的制备方法可采用本领域常规技术实现，例如化学法或物理法。化学法包括：化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。物理法包括物理镀膜法和溶液法。物理镀膜法包括：热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法等。

可以理解，在所述光电器件100还包括电子注入层、电子阻挡层、空穴阻挡层、和/或界面修饰层时，上述两种制备方法还包括使用上述化学法或物理法形成上述对应层的步骤。

下面通过具体实施例来对本申请进行具体说明，以下实施例仅是本申请的部分实施例，不是对本申请的限定。

实施例1

提供具有ITO阳极10的玻璃基板；

将0.8mmol的CuSO₄·5H₂O溶于180mL含有0.4mol甲醇的水溶液中，剧烈搅拌15min，然后加入0.65mol的30％的H₂O₂溶液，持续搅拌，并鼓入氩气，得到前驱体溶液；室温下使用300w高压汞灯连续照射所述前驱体溶液2h，洗涤、离心得到碳包覆氧化亚铜，将所述碳包覆氧化亚铜分散在无水乙醇中，得到浓度为30mg/ml的碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液旋涂在所述阳极10上，得到厚度为28nm的空穴注入层20；

在所述空穴注入层20上旋涂TFB材料，得到厚度为22nm的空穴传输层50；

在所述空穴传输层50上旋涂CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点材料，得到厚度为26nm的发光层30；

在所述发光层30上旋涂ZnO材料，得到厚度为33nm的电子传输层60；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；

封装，得到光电器件100。

实施例2

提供具有ITO阳极10的玻璃基板；

将0.8mmol的Cu(NO₃)₂·3H₂O溶于180mL含有0.6mol甲醇的水溶液中，剧烈搅拌15min，然后加入20mL的30％的H₂O₂溶液，持续搅拌，并鼓入氩气，得到前驱体溶液，室温下使用300w高压汞灯连续照射所述前驱体溶液2h，洗涤、离心得到碳包覆氧化亚铜，将所述碳包覆氧化亚铜分散在无水乙醇中，得到浓度为30mg/ml的碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液旋涂在所述阳极10上，得到厚度为27nm的空穴注入层20；

在所述空穴注入层20上旋涂TFB材料，得到厚度为25nm的空穴传输层50；

在所述发光层30上旋涂ZnO材料，得到厚度为39nm的电子传输层60；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；

封装，得到光电器件100。

实施例3

提供具有ITO阳极10的玻璃基板；

将0.8mmol的CuSO₄·5H₂O溶于180mL含有0.8mol甲醇的水溶液中，剧烈搅拌15min，然后加入20mL的30％的H₂O₂溶液，持续搅拌，并鼓入氩气，得到前驱体溶液，室温下使用300w高压汞灯连续照射所述前驱体溶液2h，洗涤、离心得到碳包覆氧化亚铜，将所述碳包覆氧化亚铜分散在无水乙醇中，得到浓度为30mg/ml的碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液旋涂在所述阳极10上，得到厚度为30nm的空穴注入层20；

在所述空穴传输层50上旋涂CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点材料，得到厚度为28nm的发光层30；

在所述发光层30上旋涂ZnO材料，得到厚度为34nm的电子传输层60；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；

封装，得到光电器件100。

对比例1

提供具有ITO阳极10的玻璃基板；

在所述阳极10上旋涂PEDOT材料，得到厚度为27nm的空穴注入层20；

在所述空穴传输层50上旋涂CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点材料，得到厚度为29nm的发光层30；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；

封装，得到光电器件100。

对比例2

提供具有ITO阳极10的玻璃基板；

将0.8mmol的CuSO₄·5H₂O溶于180mL含有0.1mol甲醇的水溶液中，剧烈搅拌15min，然后加入0.65mol的30％的H₂O₂溶液，持续搅拌，并鼓入氩气，得到前驱体溶液；室温下使用300w高压汞灯连续照射所述前驱体溶液2h，洗涤、离心得到碳包覆氧化亚铜，将所述碳包覆氧化亚铜分散在无水乙醇中，得到浓度为30mg/ml的碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液旋涂在所述阳极10上，得到厚度为23nm的空穴注入层20；

在所述发光层30上旋涂ZnO材料，得到厚度为38nm的电子传输层60；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；

封装，得到光电器件100。

对比例3

提供具有ITO阳极10的玻璃基板；

将0.8mmol的CuSO₄·5H₂O溶于180mL含有1mol甲醇的水溶液中，剧烈搅拌15min，然后加入0.65mol的30％的H₂O₂溶液，持续搅拌，并鼓入氩气，得到前驱体溶液；室温下使用300w高压汞灯连续照射所述前驱体溶液2h，洗涤、离心得到碳包覆氧化亚铜，将所述碳包覆氧化亚铜分散在无水乙醇中，得到30mg/ml碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液旋涂在所述阳极10上，得到厚度为32nm的空穴注入层20；

在所述空穴注入层20上旋涂TFB材料，得到厚度为24nm的空穴传输层50；

在所述空穴传输层50上旋涂CdZnSe/CdZnS/ZnS量子点材料，得到厚度为27nm的发光层30；

在所述发光层30上旋涂ZnO材料，得到厚度为32nm的电子传输层60；

在所述电子传输层60上蒸镀Ag，得到厚度为100nm的阴极40；

封装，得到光电器件100

使用透射电镜对所述实施例1-3及对比例2-3的碳包覆氧化亚铜的碳层厚度进行检测，检测结果参下表一。

表一：

	实施例1	实施例2	实施例3	对比例2	对比例3
						碳层厚度	0.8nm	1.1nm	1.6nm	0.4nm	2.6nm

使用EQE测试仪对所述实施例1-3的光电器件100及对比例1-3的光电器件进行外量子效率监测，监测结果参下表二。

表二：

	第1天	第7天	第14天	第21天	第28天
						实施例1	11.87％	11.65％	11.05％	11.00％	11.93％
实施例2	12.54％	12.03％	11.97％	12.26％	11.87％
						实施例3	10.39％	10.17％	9.93％	10.07％	10.12％
对比例1	12.21％	11.01％	10.76％	9.31％	8.11％
						对比例2	13.37％	10.35％	8.27％	8.36％	9.14％
对比例3	5.24％	5.77％	6.35％	5.93％	6.01％

由表一及表二可知：

由实施例1与对比例1对比可知，相较于对比例1的使用PEDOT作为空穴注入层材料的光电器件，实施例1的光电器件100的外量子效率可以长时间保持稳定。

由实施例1-3与对比例2对比可知，醇与铜源中的铜离子的摩尔比过小时，碳包覆氧化亚铜的碳层厚度较小，光电器件100的外量子效率的稳定性较差。

由实施例1-3与对比例3对比可知，醇与铜源中的铜离子的摩尔比过大时，碳包覆氧化亚铜的碳层厚度较大，光电器件100的外量子效率虽然可以长时间保持稳定，但是光电器件100的外量子效率较低。

以上对本申请实施例所提供的光电器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims

1.一种光电器件，包括阳极、空穴注入层、发光层及阴极，其特征在于：所述空穴注入层的材料包括碳包覆氧化亚铜颗粒。

2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述碳包覆氧化亚铜颗粒包括氧化亚铜颗粒及包覆在所述氧化亚铜颗粒表面的碳层，所述碳层的厚度范围为0.5-2nm。

3.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述空穴注入层的材料为碳包覆氧化亚铜颗粒。

4.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于：所述阳极为金属氧化物电极或复合电极，所述金属氧化物电极选自ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO及AMO中的至少一种，所述复合电极为AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO₂/Ag/TiO₂、TiO₂/Al/TiO₂、ZnS/Ag/ZnS或ZnS/Al/ZnS；

5.一种碳包覆氧化亚铜颗粒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述使用紫外光照射所述前驱体溶液前还包括：向所述前驱体溶液中鼓入惰性气体。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述铜源选自硫酸铜、硝酸铜、氯化铜及醋酸铜中的至少一种；和/或

所述醇选自甲醇、乙醇、乙二醇及异丙醇中的至少一种。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述醇与所述铜源中的铜离子的摩尔比的范围为(500：1)-(1000：1)。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述使用紫外光照射所述前驱体溶液的时间范围为1-3h。

10.一种光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上形成阳极；

提供由权利要求5-9任意一项所述的制备方法制得的碳包覆氧化亚铜颗粒，将所述碳包覆氧化亚铜颗粒分散于有机溶剂中，得到碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述阳极上，得到空穴注入层；

在所述空穴注入层上依次形成层叠的发光层及阴极；

或者，所述制备方法包括如下步骤：

提供基板，在所述基板上依次形成层叠的阴极及发光层；

提供由权利要求5-9任意一项所述的制备方法制得的碳包覆氧化亚铜颗粒，将所述碳包覆氧化亚铜颗粒分散于有机溶剂中，得到碳包覆氧化亚铜分散液，将所述碳包覆氧化亚铜分散液设置在所述发光层上，得到空穴注入层；

在所述空穴注入层上形成阳极。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述碳包覆氧化亚铜分散液中碳包覆氧化亚铜的浓度范围为20-50mg/mL。