CN115835743A - 一种钙钛矿吸光层制备方法和一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种钙钛矿吸光层制备方法和一种太阳能电池及其制备方法，其中钙钛矿吸光层的制备采用三步涂布法，具体包括：在加热的基板上先后进行第一前驱体溶液和第二前驱体溶液的涂布，两者发生化学反应反应并快速结晶。在本发明中，钙钛矿的化学反应及钙钛矿晶体的结晶过程均在第二步涂布后发生，钙钛矿吸光薄膜的均匀性容易得到控制，适合生产大面积的钙钛矿电池及组件。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种钙钛矿吸光层制备方法和一种太阳能电池及其制备方法。
背景技术
现有的钙钛矿吸光层的旋涂制备方法一般是将前驱体混合配制为溶液，旋涂后将溶剂烘干即得到钙钛矿吸光层，缺点是在配置溶液及涂布过程中就发生了部分的化学反应和结晶，整个工艺过程可控性较差，不适合制备大面积的钙钛矿电池及组件。
发明内容
基于此，有必要提供一种钙钛矿吸光层制备方法和一种太阳能电池及其制备方法，以便解决现有技术中钙钛矿吸光层制备可控性差进而导致钙钛矿太阳能电池性能受损的问题。
为了实现上述目的，一方面，本发明提供了一种钙钛矿吸光层制备方法，包括以下步骤：
S1.将第一金属卤化物、第一有机溶剂、第二金属卤化物混合搅拌，得到第一前驱体溶液；其中，第一金属卤化物为PbI2，第二金属卤化物为CsI、PbCl2、RbI、KI、RbCl或CsCl中的一种或多种；第一有机溶剂为DMF和/或DMSO；
S2.将第一有机卤化物和第二有机溶剂混合搅拌，得到第二前驱体溶液；其中，第一有机卤化物为FAI、MAI或MACl中的一种或多种，第二有机溶剂为异丙醇；FA为甲脒离子；MA为甲胺离子；
S3.将第二有机卤化物和第三有机溶剂混合搅拌，得到第三前驱体溶液；其中，第二有机卤化物为为有机铵盐；第三有机溶剂为异丙醇；
S4.将基板加热至60～75℃，在基板上进行第一前驱体溶液的涂布；
第一前驱体溶液的涂布完成后，可选择下列两种方式中的一种进行继续处理：
方式a)快速进行第二前驱体溶液的涂布，第二前驱体溶液的涂布完成后对基板进行退火，得到钙钛矿层；
方式b)同时进行对基板的退火和第二前驱体溶液的涂布，得到钙钛矿层；
退火温度为140～155℃，退火时间为13～20min。
S5.进行第三前驱体溶液的涂布，涂布完成后在钙钛矿层上形成2D钙钛矿结构，最终得到钙钛矿吸光层。
优选地，在S1中，第一金属卤化物的质量与第一有机溶剂的体积的比例为(600～700)g：1000mL；第二金属卤化物溶液与第一有机溶剂的体积比为50：1000；第二金属卤化物中溶质的质量与溶液的体积比为(50～60g)：50mL；
在S2中，第一有机卤化物的质量与第二有机溶剂的体积的比例为106g：1000mL；
在S3中，第二有机卤化物的质量和第三有机溶剂的体积的比例为(0.3～0.5)g：1000mL；
在S4中，退火升温方案为：使用局部红外灯管进行加热或者采用加热板进行加热；其中使用局部红外灯管进行加热的升温速率为50～70℃/s，升温时间为2～3s；采用加热板进行加热的升温速率为不小于5℃/s，升温时间为小于30s。
优选地，在S1中，当第一有机溶液为DMF和DMSO的混合物时，两者的体积比为9：1；
在S2中，当第一有机卤化物为FAI、MAI和MACl的混合物时，三者的质量比为90：7：9；
在S1～S3中，混合搅拌时间为大于12h，混合搅拌温度为常温。
本发明还提供了一种太阳能电池，该太阳能电池的结构由下至上依次包括：第一透明导电薄膜、复合空穴传输层、钙钛矿吸光层、复合电子传输层和第二透明导电薄膜；
钙钛矿吸光层为根据上述实施例中制备所得的钙钛矿吸光层，厚度为800～1200nm。
优选地，第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜的材料为AZO、ITO、FTO、IWO、ICO、ATO或IMO中的一种或多种；
第一透明导电薄膜的厚度为80～120nm；第二透明导电薄膜的厚度为70～110nm；
复合空穴传输层的结构材料自下而上依次为NiMgO和MoS2；其中NiMgO的厚度为10～30nm，MoS2的厚度为2～5nm；
复合电子传输层的结构材料自下而上依次为LiF、C60和PCBM或者LiF、C60和SnO2；其中LiF的厚度为1～2nm，C60的厚度为8～15nm，PCBM的厚度为50～80nm，SnO2的厚度为50～80nm。
本发明还提供了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)对玻璃基板进行清洗和干燥；
(2)在清洁和干燥后的玻璃基板上制备第一透明导电薄膜；
(3)对覆有第一透明导电薄膜的玻璃基板进行激光划线；
(4)对步骤(3)处理后的玻璃基板进行清洗，对清洗后的玻璃基板进行紫外臭氧处理；
(5)在步骤4)所得玻璃基板上的第一透明导电薄膜表面制备复合空穴传输层；
(6)在复合空穴传输层上制备钙钛矿吸光层；
(7)在钙钛矿吸光层上制备复合电子传输层；
(8)对玻璃基板上包括复合空穴传输层、钙钛矿吸光层和复合电子传输层的复合膜层进行激光划线；
(9)在步骤(8)处理后的复合电子传输层上制备第二透明导电薄膜；
(10)对玻璃基板上包括复合空穴传输层、钙钛矿吸光层、复合电子传输层和第二透明导电薄膜的复合膜层进行激光划线，得到太阳能子电池；
(11)对太阳能子电池进行测试和封装，得到太阳能电池。
优选地，当第一透明导电薄膜为ITO薄膜时，步骤(2)包括如下步骤：
在清洁和干燥后的玻璃基板上通过一体磁控溅射系统制备ITO薄膜作为导电电极；其中ITO膜层厚度约为80-120nm，方阻小于10ohm/square；
采用直流溅射的方式沉积ITO薄膜时，工艺温度为200-250℃，氧气含量为0.2-0.4％。
优选地，步骤(4)中对清洗后的玻璃基板进行紫外臭氧处理的方法包括：
经过清洗的基板整体进入磁控溅射设备；磁控溅射设备在镀膜单元前设置了等离子处理腔体；
在等离子处理腔内使用波长为184.9nm和253.7nm两种紫外光源对基板进行处理；处理过程中以恒定的流量向腔体通入氧气；处理时间为10-20分钟；处理过程中保持腔体压力在1-10Pa。
优选地，步骤(5)包括如下步骤：
先在磁控溅射设备的镀膜单元中，使用射频溅射NiMgO靶材的方式或者在氧气和氩气混合的气氛下反应溅射NiMg合金靶材，在步骤4)所得玻璃基板上第一透明导电薄膜表面进行NiMgO镀膜；
然后在纯的氩气气氛下，使用射频溅射MoS2靶材在NiMgO镀膜表面进行进行MoS2镀膜，完成复合空穴传输层的制备。
优选地，步骤(7)包括如下步骤：
使用真空蒸发设备钙钛矿吸光层上制备复合电子传输层，按顺序依次蒸发LiF、C60和PCBM或LiF、C60和SnO2。
本发明相比现有技术的有益效果为：
1)本发明采用三步涂布法，在加热的基板上先后进行第一前驱体溶液和第二前驱体溶液的涂布，两者发生化学反应反应并快速结晶。在本发明中，钙钛矿的化学反应及钙钛矿晶体的结晶过程均在第二步涂布后发生，钙钛矿吸光薄膜的均匀性容易得到控制，适合生产大面积的钙钛矿电池及组件。此外，第三步涂布在钙钛矿层上面形成2D钙钛矿结构，该2D钙钛矿结构的主要作用是对前两次涂布形成的3D钙钛矿结构表面的缺陷进行钝化，减少载流子的复合中心，以此提高钙钛矿电池的转换效率。
值得说明的是，若第一前驱体溶液的涂布完成后同时进行对基板的退火和第二前驱体溶液的涂布，得到钙钛矿层，即将加热退火与第二步涂布过程合并，及第二步涂布发生在加热退火的基板上。此时要求加热快速，避免溶剂在第二步涂布时的大量挥发，因此选择退火与第二步涂布并行的方案时，本发明将退火的升温速率优选设置为50～70℃/s，以此控制钙钛矿的化学反应及钙钛矿晶体的结晶过程。
2)本发明中的复合空穴传输层，MoS2对NiO及钙钛矿层有一定的钝化作用，且对能级间的能量差有一定的缓冲作用。由于MoS2与价带顶的能量值(5.3eV)，位于钙钛矿材料(5.4-5.9eV)和NiMgO(5.0-5.2eV)之间，对于载流子的传输起到减小传输势垒的缓冲作用。插入MoS薄层(2-5nm)的电池结构，更加利于载流子的传输与收集，改善电池的转换效率。另外，由于缓冲层的插入，扩大了钙钛矿层及NiMgO的工艺窗口，有利于钙钛矿太阳能电池的规模化量产。
3)本发明中的复合电子传输层，考虑到C60直接与钙钛矿材料接触时，会在接触表面产生一定数量的单层界面复合中心。而在复合电子传输层中，LiF是作为钝化缓冲层出现的。超薄LiF可以有效的钝化C60与钙钛矿接触面的表面复合中心及缺陷，减少器件的漏电流，提高电池的并联电阻和填充因子，进而提高转换效率。超薄LiF层(1-2nm)的使用在减小复合的前提下，由于隧穿效应，不会给电子传输带来额外的传输势垒。此外，LiF和C60相互配合，加强了对钙钛矿表面缺陷的钝化作用，起到减小漏电流和提高填充因子的作用。
4)本发明整个制备过程及材料选择立足于生产。比如：复合空穴传输层制备及清洗(紫外-臭氧)集成在磁控溅射设备中；三步涂布集成在涂布机台上；复合电子传输层制备集成在蒸发镀膜机台中实现了单一功能层在单一设备上进行制备，使大规模的低成本量产成为可能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的太阳能电池的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
实施例1钙钛矿吸光层的制备方法：
使用在线涂布设备在基板上按照次序分别进行三种前驱体溶液的涂布。
其中，前驱体溶液1是由PbI2、DMF/DMSO(DMF:DMSO＝9:1)、CsI组成功的混合液，组分配比为：PbI2(600-700g)+1000mL DMF/DMSO(DMF:DMSO＝体积比9:1)+CsI(50mL)；
前驱体溶液2是由FAI、MAI、MACl和IPA组成的混合液。四种溶液通过流量泵进行抽取并在混液槽进行充分的混合搅拌，组分配比为：FAI(90g)+MAI(7g)+MACl(9g)+IPA(1000mL)；
前驱体溶液3由PMAI或聚醚胺D-400(A-PPG)和IPA混合构成，两种溶液通过流量泵进行抽取并在混液槽进行充分的混合搅拌。
在基板70℃的条件下进行前驱体溶液1的涂布，涂布完成后快速进行前驱体溶液2的涂布，涂布完成后对基板进行150℃的退火，并保持15分钟左右。退火完成后继续进行前驱体溶液3的涂布。涂布过程中，各原料的量均由流量泵进行精确控制，而涂布的材料厚度则由涂布机的涂布参数及基板传输的工艺速度进行综合控制，整体钙钛矿吸光层厚度控制在800-1200nm左右。
完成第一步和第二步的快速涂布后，前驱体1中的PbI2、CsI(PbCl2、RbI、KI)和前驱体2中的FAI、MAI、MACl等在退火时发生化学反应，形成钙钛矿(FAx，MA(1-x))(Pby，CS(1-y))I3。x介于0.90～0.93之间，y介于0.85～0.95之间。PMAI较大的极性会在使PMAI与钙钛矿的八面体结构之间形成强的相互作用，减少3D结构钙钛矿层表面的悬挂键，减少复合中心，提高电池的开路电压、填充因子和短路电流，进而较大幅度的提高电池的光电转换效率。由于PMAI与钙钛矿的作用仅仅限于表面层，将前驱体2形成的薄层称为2D钙钛矿层，实质上就是引入了钝化材料，形成钝化层，其中2D钙钛矿的厚度是3D钙钛矿层厚度的0.5％～1.0％。
实施例2太阳能电池的制备方法：
本实施例的太阳能电池结构根据工艺的先后分为：Substrate(基板)；TCO(透明导电氧化物层)；复合空穴传输层：HTL01(空穴传输层01)，HTL02(空穴传输层02)；Perovskite(钙钛矿吸光层)；复合电子传输层：ETL01(电子传输层01)，ETL02(电子传输层02)，ETL03(电子传输层03)；TCO(透明导电氧化物层)。如图1所示，提供太阳能电池的结构示意图。
1)玻璃基板清洗：
采用普通的浮法玻璃，常规厚度为3.2mm。玻璃基板的厚度会影响到光线透过率进而在一定程度上影响器件的性能，同时较薄的基板对制备的过程设备会有较高的要求。通常光伏行业使用3.2mm的浮法玻璃较多。玻璃基板通过在线清洗机进行清洗。具体过程为滚刷机械擦拭、化学药剂超声、去离子水喷淋，高压风刀干燥及去静电等，玻璃基板清洁干燥后备用。
2)ITO镀膜：
清洁后的玻璃基板通过一体磁控溅射系统制备ITO薄膜作为导电电极。ITO膜层厚度约为80-120nm，方阻小于10ohm/square。采用直流溅射的方式沉积ITO薄膜，工艺温度200-250℃，氧气含量0.2-0.4％。
3)P1划线：
使用在线激光划线设备，对镀完ITO的玻璃进行激光划线。使用波长为1064nm的纳秒红外激光器，激光划线的宽度约为25-35um，ITO子区域宽度约为5-7mm。激光刻线的同时使用高效吸尘装置对划线位置进行除尘，避免灰尘对划线工艺造成影响。
4)P1后清洗：
划线后的基板经过ITO清洗线进行过清洗。具体的清洗流程为高压气体对划线位置进行吹扫并吸尘；在去离子水的环境中机械滚刷进行擦拭；去离子水高压喷淋；高压风刀干燥及去静电。清洁完成的基板备用。
5)紫外臭氧预处理：
经过清洗的基板整体进入磁控溅射设备，该磁控溅射设备在镀膜单元前设置了等离子处理腔体，腔体内使用波长为184.9nm和253.7nm两种紫外光源对基板进行处理。处理过程中以恒定的流量向炉体通入氧气，处理时间一般控制10-20分钟，处理过程中保持腔体压力在1-10Pa。紫外臭氧处理主要是对基板表面进行清洗和改性，具体的是O3条件下，基板表面的有机物质被氧化去除。
6)复合空穴传输层制备：
完成紫外臭氧预处理的ITO基板进入在线的磁控溅射设备进行NiMgO和MoS2镀膜。NiMgO工艺既可以使用射频溅射NiMgO靶材的方式进行，也可以在氧气氩气混合的气氛下反应溅射NiMg合金靶材进行。射频NiMgO溅射过程中，气压在0.3-0.6Pa，氧含量0.5％-1.0％，工艺温度约为200-300℃，NiMgO的厚度约为10-30nm。Mg摩尔含量约为10％上下。MoS2工艺使用射频溅射MoS2靶材的方式进行镀膜，工艺在纯的氩气气氛下进行，溅射气压0.5-0.9Pa，工艺温度大约在200-300℃，膜层厚度2-5nm。
7)见实施例1；
8)复合电子传输层制备：
使用真空蒸发设备进行复合电子传输层的制备，按顺序依次蒸发电子传输层1LiF，约为1-2nm；电子传输层2C60，约为8-15nm；电子传输层3PCBM，约为50-80nm。
9)P2划线：
使用在线激光划线设备，对HTL01/HTL02/Perovskite/ETL01/ETL02/ETL03的复合膜层进行划线。使用波长为532nm的皮秒绿光激光器。激光划线的宽度约为25-35um。激光刻线的同时使用高效吸尘装置对划线位置进行除尘。避免灰尘对划线工艺造成影响。
10)ITO镀膜：
在线RPD设备对P2后的基板进行ITO镀膜。RPD镀膜的工艺温度控制在100℃以内，ITO膜层的厚度控制在70-110nm左右。
11)P3划线：
使用在线激光划线设备，对HTL01/HTL02/Perovskite/ETL01/ETL02/ETL03/ITO的复合膜层进行划线。使用波长为532nm的皮秒绿光激光器，激光划线的宽度约为25-35um。P3工艺保证整个电池组的死区宽度小于150um。激光刻线的同时使用高效吸尘装置对划线位置进行除尘，避免灰尘对划线工艺造成影响。
P3划线工艺结束后对电池片进行测试封装等常规操作。
对于100mm*100mm的电池组件，未封装时的测试数据为：开路电压Voc＝1.14V，短路电流密度Jsc＝19.30mA/cm2，填充因子FF＝79.5％，光电转换效率efficiency＝17.5％。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种钙钛矿吸光层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.将第一金属卤化物、第一有机溶剂、第二金属卤化物混合搅拌，得到第一前驱体溶液；其中，第一金属卤化物为PbI2，第二金属卤化物为CsI、PbCl2、RbI、KI、RbCl或CsCl中的一种或多种；第一有机溶剂为DMF和/或DMSO；
S2.将第一有机卤化物和第二有机溶剂混合搅拌，得到第二前驱体溶液；其中，第一有机卤化物为FAI、MAI或MACl中的一种或多种，第二有机溶剂为异丙醇；所述FA为甲脒离子；所述MA为甲胺离子；
S3.将第二有机卤化物和第三有机溶剂混合搅拌，得到第三前驱体溶液；其中，第二有机卤化物为有机铵盐；第三有机溶剂为异丙醇；
S4.将基板加热至60～75℃，在所述基板上进行第一前驱体溶液的涂布；
第一前驱体溶液的涂布完成后，可选择下列两种方式中的一种进行继续处理：
方式a)快速进行第二前驱体溶液的涂布，第二前驱体溶液的涂布完成后对所述基板进行退火，得到钙钛矿层；
方式b)同时进行对所述基板的退火和第二前驱体溶液的涂布，得到钙钛矿层；
退火温度为140～155℃，退火时间为13～20min。
S5.进行所述第三前驱体溶液的涂布，涂布完成后在所述钙钛矿层上形成2D钙钛矿结构，最终得到钙钛矿吸光层。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在S1中，第一金属卤化物的质量与第一有机溶剂的体积的比例为(600～700)g：1000mL；第二金属卤化物溶液与第一有机溶剂的体积比为50：1000，其中第二金属卤化物中溶质的质量与溶液的体积的比例为(50～60g)：50mL；
在S2中，第一有机卤化物的质量与第二有机溶剂的体积的比例为106g：1000mL；
在S3中，第二有机卤化物的质量和第三有机溶剂的体积的比例为(0.3～0.5)g：1000mL；
在S4中，退火升温方案为：使用局部红外灯管进行加热或者采用加热板进行加热；其中使用局部红外灯管进行加热的升温速率为50～70℃/s，升温时间为2～3s；采用加热板进行加热的升温速率为不小于5℃/s，升温时间为小于30s。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在S1中，当第一有机溶液为DMF和DMSO的混合物时，两者的体积比为9：1；
在S2中，当第一有机卤化物为FAI、MAI和MACl的混合物时，三者的质量比为90：7：9；
在S1～S3中，混合搅拌时间为大于12h，混合搅拌温度为常温。
4.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池中包括权利要求1所述的钙钛矿吸光层，所述太阳能电池的结构由下至上依次包括：第一透明导电薄膜、复合空穴传输层、钙钛矿吸光层、复合电子传输层和第二透明导电薄膜；
所述钙钛矿吸光层为通过如权利要求1-3任一项所述的钙钛矿吸光层制备方法制备所得；所述钙钛矿吸光层的厚度为800～1200nm。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜的材料为AZO、ITO、FTO、IWO、ICO、ATO或IMO中的一种或多种；
所述第一透明导电薄膜的厚度为80～120nm；所述第二透明导电薄膜的厚度为70～110nm；
所述复合空穴传输层的结构材料自下而上依次为NiMgO和MoS2；其中NiMgO的厚度为10～30nm，MoS2的厚度为2～5nm；
所述复合电子传输层的结构材料自下而上依次为LiF、C60和PCBM或者LiF、C60和SnO2；其中LiF的厚度为1～2nm，C60的厚度为8～15nm，PCBM的厚度为50～80nm，SnO2的厚度为50～80nm。
6.一种如权利要求4或5所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对玻璃基板进行清洗和干燥；
(2)在清洁和干燥后的玻璃基板上制备第一透明导电薄膜；
(3)对覆有透明导电薄膜的玻璃基板进行激光划线；
(4)对步骤(3)处理后的玻璃基板进行清洗，对清洗后的玻璃基板进行紫外臭氧处理；
(5)在步骤(4)所得玻璃基板上的第一透明导电薄膜表面制备复合空穴传输层；
(6)在复合空穴传输层上制备钙钛矿吸光层；
(7)在所述钙钛矿吸光层上制备复合电子传输层；
(8)对玻璃基板上包括复合空穴传输层、钙钛矿吸光层和复合电子传输层的复合膜层进行激光划线；
(9)在步骤(8)处理后的复合电子传输层上制备第二透明导电薄膜；
(10)对玻璃基板上包括复合空穴传输层、钙钛矿吸光层、复合电子传输层和第二透明导电薄膜的复合膜层进行激光划线，得到太阳能子电池；
(11)对太阳能子电池进行测试和封装，得到太阳能电池。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，当第一透明导电薄膜为ITO薄膜时，步骤(2)包括如下步骤：
在清洁和干燥后的玻璃基板上通过一体磁控溅射系统制备ITO薄膜作为导电电极；其中ITO膜层厚度约为80-120nm，方阻小于10ohm/square；
采用直流溅射的方式沉积ITO薄膜时，工艺温度为200-250℃，氧气含量为0.2-0.4％。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中对清洗后的玻璃基板进行紫外臭氧处理的方法包括：
经过清洗的基板整体进入磁控溅射设备；所述磁控溅射设备在镀膜单元前设置了等离子处理腔体；
在等离子处理腔内使用波长为184.9nm和253.7nm两种紫外光源对基板进行处理；处理过程中以恒定的流量向腔体通入氧气；处理时间为10-20分钟；处理过程中保持腔体压力在1-10Pa。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(5)包括如下步骤：
先在磁控溅射设备的镀膜单元中，使用射频溅射NiMgO靶材的方式或者在氧气和氩气混合的气氛下反应溅射NiMg合金靶材，在步骤(4)所得玻璃基板上第一透明导电薄膜表面进行NiMgO镀膜；
然后在纯的氩气气氛下，使用射频溅射MoS2靶材在NiMgO镀膜表面进行MoS2镀膜，完成复合空穴传输层的制备。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤(7)包括如下步骤：
使用真空蒸发设备所述钙钛矿吸光层上制备复合电子传输层，按顺序依次蒸发LiF、C60和PCBM或LiF、C60和SnO2。
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