CN115835531A - 一种hdi板直接通盲共镀的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种HDI板直接通盲共镀的方法，包括以下步骤：介质层压合→镭射前棕化→外层镭射→钻通孔→除胶渣→外PTH(正)→外层填孔→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀；其中，介质层选用1067pp（环氧树脂半固化片），厚度为55um；外层镭射步骤中，加工出等腰柱形的盲孔，盲孔高度与介质层厚度相同；钻通孔步骤中加工出穿透整个基板的通孔；外PTH(正)步骤中，采用化学镀铜的方式，使得不导电的酚醛树脂沉积导电的薄铜；外层填孔步骤中，通过附加直流电源电镀方式进行氧化还原反应，使得通孔和盲孔表面的薄铜加工至管控数值。
Description
技术领域
本发明涉及高密度互联板(HDI)制作领域，特别涉及一种HDI板直接通盲共镀方法。
背景技术
在现有的蚀刻技术条件下，进行通盲共镀碱性蚀刻板时，由于压合的介质层选用1080pp且偏厚为75um，其电镀生产面的铜层偏厚达到35um，造成了需要增加多道工序去完成，目前的生产流程中往往需要将通孔和盲孔分开电镀，具体为：介质层压合压合→镭射前棕化（6-7.5um）→外层镭射→除胶渣（减去2um）→外PTH(正)（减去2um）→外层填孔（镀铜厚度24um）→减铜（减去20um）→钻备用靶→钻通孔→外PTH(负)→外层板电（镀铜8um）→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀（需蚀刻铜厚：底铜10+镀铜8+R值3um=21），极大地降低了生产效率，同时品质风险也随之提高，因此如何降低风险及提高生产效率即为本发明所要解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的，在于提供一种HDI板直接通盲共镀方法。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种HDI板直接通盲共镀的方法，包括以下步骤：
介质层压合→镭射前棕化→外层镭射→钻通孔→除胶渣→外PTH(正)→外层填孔→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀；
其中，介质层选用1067pp（环氧树脂半固化片），厚度为55um；
外层镭射步骤中，加工出等腰柱形的盲孔，盲孔高度与介质层厚度相同；
钻通孔步骤中加工出穿透整个基板的通孔；
外PTH(正)步骤中，采用化学镀铜的方式，使得不导电的酚醛树脂沉积导电的薄铜；
外层填孔步骤中，通过附加直流电源电镀方式进行氧化还原反应，使得通孔和盲孔表面的薄铜加工至管控数值。
作为本发明的优选技术方案，进一步的：
前述的HDI板直接通盲共镀的方法，外层填孔步骤中，电镀铜厚度控制为15um。
前述的HDI板直接通盲共镀的方法，外层填孔步骤中，药水参数：铜离子浓度：180±20g/L，硫酸浓度：70-110g/L；电流参数根据镀铜厚度调整。
采用本发明所设计的制作方法，与现有技术相比具有如下有益效果：，
首先，原有流程：介质层压合压合→镭射前棕化（6-7.5um）→外层镭射→除胶渣（减去2um）→外PTH(正)（减去2um）→外层填孔（镀铜厚度24um）→减铜（减去20um）→钻备用靶→钻通孔→外PTH(负)→外层板电（镀铜8um）→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀（需蚀刻铜厚：底铜10+镀铜8+R值3um=21）
本发明流程：介质层压合→镭射前棕化→外层镭射→钻通孔→除胶渣→外PTH(正)→外层填孔（镀铜15um）→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀（需蚀刻铜厚：底铜3+镀铜15+R值3um=21）
其中，碱性蚀刻厚度指的是填孔后的镀铜厚度+铜箔厚度（底铜）+R值（均匀性差异）；
由上述对比能够看出，本发明提供的HDI板直接通盲共镀方法，其流程较业界常规工艺缩短了多个流程，降低了物料、水电气及人力的成本，也提高了生产效率，生产周期至少可提升1-1.5天。
再者，关于盲孔填平和通孔共镀电镀原理，盲孔填平过程中利用盲孔底部与顶部的电位差，吸附不同药剂，加速底部铜离子沉积并抑制顶部铜离子，实现盲孔填平；此填平过程中，通孔的灌孔率呈现降低趋势；介质层厚度的缩减可有效降低填平时间，提高通孔的灌孔率，以满足通孔孔铜加厚和盲孔填平的管控数值；
本发明提供的HDI板直接通盲共镀方法，不仅能够保证dimple值小于20um，同时，避免通盲分开多次电镀铜厚均匀性差导致碱性蚀刻困难，从流程上直接降低碱性蚀刻难度。
附图说明
图1为HDI板直接通盲共镀后基板的结构示意图。
其中：1-通孔，2-盲孔，3-铜层，4-介质层。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“TOP面”、“BOT面”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或者元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
如图1所示，本实施例提供了一种HDI板直接通盲共镀的方法，包括以下步骤：
介质层压合→镭射前棕化→外层镭射→钻通孔→除胶渣→外PTH(正)→外层填孔→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀；
其中，介质层选用1067pp（环氧树脂半固化片），厚度为55um；
外层镭射步骤中，加工出等腰柱形的盲孔，盲孔高度与介质层厚度相同；
钻通孔步骤中加工出穿透整个基板的通孔；
外PTH(正)步骤中，采用化学镀铜的方式，使得不导电的酚醛树脂沉积导电的薄铜；
外层填孔步骤中，通过附加直流电源电镀方式进行氧化还原反应，使得通孔和盲孔表面的薄铜加工至管控数值。
前述的HDI板直接通盲共镀的方法，外层填孔步骤中，电镀铜厚度控制为15um。
外层填孔步骤中，药水参数：铜离子浓度：180±20g/L，硫酸浓度：70-110g/L；电流参数根据镀铜厚度调整。
需要特别说明的是，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式，以上实施例仅表达了本技术方案的优选实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术方案。
Claims (3)
1.一种HDI板直接通盲共镀的方法，其特征在于，包括以下步骤：
介质层压合→镭射前棕化→外层镭射→钻通孔→除胶渣→外PTH(正)→外层填孔→负片线路→图电→蚀刻预捞→外层碱蚀；
其中，介质层选用1067pp（环氧树脂半固化片），厚度为55um；
所述外层镭射步骤中，加工出等腰柱形的盲孔，盲孔高度与介质层厚度相同；
所述钻通孔步骤中加工出穿透整个基板的通孔；
所述外PTH(正)步骤中，采用化学镀铜的方式，使得不导电的酚醛树脂沉积导电的薄铜；
所述外层填孔步骤中，通过附加直流电源电镀方式进行氧化还原反应，使得通孔和盲孔表面的薄铜加工至管控数值。
2.根据权利要求1所述的HDI板直接通盲共镀的方法，其特征在于：
所述外层填孔步骤中，电镀铜厚度控制为15um。
3.根据权利要求2所述的HDI板直接通盲共镀的方法，其特征在于：
所述外层填孔步骤中，药水参数：铜离子浓度：180±20g/L，硫酸浓度：70-110g/L；
电流参数根据镀铜厚度调整。
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| CN109068490A (zh) * | 2018-09-30 | 2018-12-21 | 东莞联桥电子有限公司 | 一种hdi基板加工工艺 |
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