CN108738379B - 金属化孔的形成方法、电路板的制造方法及电路板 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种金属化孔的形成方法、电路板的制造方法及电路板，属于电路板制造技术领域。该方法包括：在PCB本体上钻通孔，该PCB本体包括多个信号层和至少一个惰性层，多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，该第一信号层和该第二信号层为待连接的两个信号层，该惰性层由惰性材料形成；之后可以采用第一导电材料在该通孔内壁中不属于惰性层的区域形成导电层。由于该惰性层位于该第一信号层远离第二信号层的一侧，而该第一导电材料形成的导电层不会沉积在该惰性层上，因此可以避免该导电层中出现残端，故该金属化孔形成后无需再通过背钻操作去除残端，提高了PCB板的加工效率和良率。

Description

金属化孔的形成方法、电路板的制造方法及电路板

技术领域

本申请涉及电路板制造技术领域，特别涉及一种金属化孔的形成方法、电路板的制造方法及电路板。

背景技术

印制电路板(Printed Circuit Board，PCB)是电子元器件的支撑体，也是电子元器件之间电气连接的载体。在多层PCB板中，一般采用金属化孔(Plated through hole，PTH)实现不同信号层的电连接。例如图1所示的PCB板00中的信号层02和信号层03之间可以通过PTH 01进行连接。

相关技术中，在形成PTH时，一般是直接在PCB板上钻通孔，然后在该通孔内壁进行化学沉铜和电镀，以形成用于连接各信号层的导电层010。进一步的，为了避免信号传输的损耗，还需要采用背钻的方法将该PTH 01中不用于信号传输的部分(也称为残端或者Stub)切除。例如图1中，假设信号层02和03均无需与信号层04连接，则可以采用钻孔设备在该PTH01的一端钻入预设深度的背钻孔011，以将该PTH 01中的残端012切除。

但是，在实际应用中，由于受到加工精度的影响，同一批次的各个PCB板的厚度也会存在差异。当采用同一预设深度对同一批次的各个PCB板进行背钻操作时，对于厚度小于设计厚度的PCB板，可能导致其中的信号层被钻穿，PCB板无法正常使用；而对于厚度大于设计厚度的PCB板，则可能出现残端012残留，信号传输损耗过大的问题。

发明内容

为了解决相关技术中在形成金属化孔时残端长度不易控制的问题，本申请提供了一种金属化孔的形成方法、电路板的制造方法及电路板。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种金属化孔的形成方法，该方法包括：

在PCB本体上钻通孔，该PCB本体包括多个信号层和至少一个惰性层，其中任意两个相邻的信号层之间形成有绝缘层，该多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，该第一信号层和该第二信号层为该多个信号层中待连接的两个信号层，该惰性层由惰性材料形成；之后，可以采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成用于连接该第一信号层和该第二信号层的导电层，该第一可沉积区域为该通孔内壁中能够沉积第一导电材料的区域，该第一可沉积区域不包括该惰性层所在的区域。

由于该惰性层位于该第一信号层远离第二信号层的一侧，且该导电层未形成在该惰性层上，因此可以避免该金属化孔中出现残端，保证信号层之间的信号传输质量。

可选的，若该待连接的第一信号层和第二信号层之间未形成惰性层，则采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层的过程具体可以包括：

将该第一导电材料沉积在该通孔内壁的第一可沉积区域，然后对沉积在该第一可沉积区域的第一导电材料进行电镀，以形成该导电层。该金属化孔形成后无需再进行背钻操作，简化了PCB板的加工工艺流程，提高了加工效率。

可选的，若该第一信号层和该第二信号层之间形成有惰性层，该采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层的过程具体可以包括：

采用第二导电材料在该通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层，该第二可沉积区域为能沉积第二导电材料的区域，且该第二可沉积区域包括该惰性层所在的区域；然后在该通孔的第一端钻入预设深度的背钻孔，该第一信号层相对于该第二信号层靠近该通孔的第一端，该预设深度大于目标界面与目标端面之间的距离，该目标端面为该通孔的第一端的端面，该目标界面为该第一信号层远离该惰性层的一面；之后可以采用第一导电材料在该背钻孔内壁上的第三可沉积区域形成第二导电膜层，该第三可沉积区域不包括该惰性层所在的区域；最后通过对该第一导电膜层和该第二导电膜层进行电镀即可形成该导电层。

由于该PCB本体中可以包括多个惰性层，对于待连接的信号层之间形成有惰性层的情况，可以通过沉积两种不同的导电材料，实现该PCB本体中任意两个信号层之间的连接。

可选的，若该第一信号层和该第二信号层之间形成有惰性层，该采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层的过程还可包括：

采用第二导电材料在该通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层，该第二导电材料能够沉积在该通孔内壁中属于惰性层的区域；在该通孔的第二端钻入预设深度的背钻孔，该第二信号层相对于该第一信号层靠近该通孔的第二端，该预设深度小于目标界面与目标端面之间的距离，该目标端面为该通孔的第二端的端面，该目标界面为该第一信号层远离该惰性层的一面；

之后，可以采用抗腐蚀导电材料在该背钻孔内壁和该通孔内壁形成抗腐蚀导电膜层，然后去除该通孔中的第一导电膜层，以及附着在该第一导电膜层上的抗腐蚀导电膜层；进一步的，再采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成第二导电膜层，最后对该抗腐蚀导电膜层和该第二导电膜层进行电镀即可形成该导电层。

其中，去除第一导电膜层，以及附着在该第一导电膜层上的抗腐蚀导电膜层时，可以采用微蚀法、激光烧蚀法或者表面化学反应的方法。

可选的，该惰性材料可以为聚四氟乙烯；该第一导电材料可以为钯系沉铜材料；该第二导电材料可以为非钯系沉铜材料；该抗腐蚀导电材料可以包括：碳粉、石墨或者导电高分子材料中的至少一种。

可选的，在采用第一导电材料在该通孔内壁形成导电层之前，还可以对该通孔进行预处理，该预处理可以包括去钻污处理和/或清洗处理，其中去钻污处理具体可以为：通过高锰酸钾溶液去除通孔内的钻屑，该清洗处理具体可以为：通过等离子清洗机对通孔内的污染物进行清洗。通过该预处理操作可以为后续导电层的形成提供一个良好的粘结界面。

第二方面，提供了一种电路板的制造方法，该方法可以包括：

在基板上形成多个信号层和至少一个惰性层，得到PCB本体；然后即可采用如第一方面所示的方法在该PCB本体上形成金属化孔。

其中，该PCB本体中任意两个相邻的信号层之间形成有绝缘层；该多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，该第二信号层和该第一信号层为该多个信号层中待连接的两个信号层，该惰性层由惰性材料形成。

第三方面，提供了一种电路板，该电路板可以采用如第二方面所示的方法制造形成。

综上所述，本申请提供了一种金属化孔的形成方法、电路板的制造方法及电路板，该方法在PCB本体上钻通孔后，可以采用第一导电材料在该通孔内壁不属于惰性层的区域形成用于连接第一信号层和第二信号层的导电层。其中，该PCB本体包括多个信号层，该多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，该第一信号层和该第二信号层为该多个信号层中待连接的两个信号层，该惰性层由惰性材料形成。由于该惰性层位于第一信号层远离第二信号层的一侧，而该导电层未形成在惰性层上，因此可以有效避免该金属化孔中出现残端，故该金属化孔形成后无需再通过背钻操作去除残端，提高了PCB板的加工效率和良率。

附图说明

图1是相关技术中在PCB上形成金属化孔的结构示意图；

图2-1是本发明的一个实施例提供的一种金属化孔的形成方法的流程图；

图2-2是本发明的一个实施例提供的一种在PCB本体上钻通孔的示意图；

图2-3是本发明的一个实施例提供的一种在通孔内壁上形成导电层的示意图；

图3是本发明的一个实施例提供的一种形成导电层的方法流程图；

图4-1是本发明的一个实施例提供的另一种形成导电层的方法流程图；

图4-2是本发明的一个实施例提供的一种在通孔内壁形成第一导电膜层的示意图；

图4-3是本发明的一个实施例提供的一种背钻孔的示意图；

图4-4是本发明的一个实施例提供的一种在背钻孔内壁形成第二导电膜层的示意图；

图5-1是本发明的一个实施例提供的又一种形成导电层的方法流程图；

图5-2是本发明的一个实施例提供的另一种背钻孔的示意图；

图5-3是本发明的一个实施例提供的一种形成抗腐蚀导电膜层的示意图；

图5-4是本发明的一个实施例提供的一种去除通孔内第一导电膜层的示意图；

图5-5是本发明的一个实施例提供的一种在通孔内形成第二导电膜层的示意图；

图6是本发明的一个实施例提供的一种电路板的制造方法的流程图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

图2-1是本发明的一个实施例提供的一种金属化孔的形成方法的流程图，参考图2-1，该方法可以包括：

步骤101、在PCB本体上钻通孔。

图2-2是本发明的一个实施例提供的一种PCB本体的结构示意图，参考图2-2可知，该PCB本体可以包括多个信号层01和至少一个惰性层02，其中，多个信号层是指至少两个信号层。该多个信号层中任意两个相邻的信号层之间形成有绝缘层03。该多个信号层中，第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，该第一信号层和该第二信号层为该多个信号层中待连接的两个信号层。该惰性层由惰性材料形成，该惰性材料可以为聚四氟乙烯(也称为特氟龙)。并且，该惰性材料一般为绝缘材料，因此该惰性层也可以作为相邻两个信号层之间的绝缘层。

示例的，假设在图2-2所示的PCB本体中，信号层011和信号层012待连接，则该信号层012远离该信号层011的一侧可以形成有惰性层021；若信号层013与信号层014待连接，则该信号层013远离该信号层014的一侧可以形成有惰性层022。

在本发明的一个实施例中，操作人员获取到PCB本体后，可以根据预先确定的钻孔位置和孔径大小，通过钻孔设备在该PCB本体上钻通孔。示例的，如图2-2所示，可以采用钻孔设备在该PCB本体上钻出通孔10。

步骤102、采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层。

该第一可沉积区域为该通孔内壁中能够沉积第一导电材料的区域，在本申请中，由于该第一导电材料为不能沉积在该惰性材料上的导电材料，因此该第一可沉积区域不包括该惰性层所在的区域。在该通孔内壁形成导电层后，该导电层可以实现该第一信号层和第二信号层的电连接。其中，该第一导电材料可以为钯系沉铜材料或者导电高分子材料等，该钯系沉铜材料是指含有胶体钯、硫酸铜、硫酸和氯离子等材料的沉铜溶液。在形成导电层时，可以先通过表面化学反应、浸润、喷涂、溅射或者吸附等方式在该通孔内壁形成导电膜层，然后再对该导电膜层进行电镀以形成导电层。其中，该表面化学反应包括但不限于化学钯沉铜以及导电高分子等材料镀导电膜的工艺。

示例的，如图2-3所示，可以采用第一导电材料在该通孔10的内壁形成导电层1a，由于该第一导电材料无法沉积在惰性材料上，因此如图2-3所示，该导电层1a仅形成在该通孔10内壁上的第一可沉积区域。通过该导电层1a，可以实现对信号层011和信号层012的连接，并且可以实现对信号层014和信号层013的连接。由于信号层012远离该信号层011的一层形成有惰性层021，信号层013远离信号层014的一侧形成有惰性层022，该导电层不会沉积在该两个惰性层上，因此可以有效避免金属化孔中出现多余的残端，保证了信号层之间的信号传输质量。

需要说明的是，在实际应用中，在采用第一导电材料在该通孔内壁形成导电层之前，还需要对该通孔进行预处理，该预处理一般可以包括去钻污处理和/或清洗处理。其中，该去钻污处理可以为：通过高锰酸钾溶液去除通孔内的钻屑，该清洗处理可以为：采用等离子清洗机对通孔内壁的污染物进行清洗。对通孔进行预处理后，可以为后续导电层的形成提供一个良好的粘结界面，保证金属化孔的质量。

在本申请中，上述步骤102具体可以通过多种方式实现。一方面，当该第一信号层和该第二信号层之间未形成惰性层时，参考图3，上述步骤102具体可以包括：

1021a、将第一导电材料沉积在该通孔内壁的第一可沉积区域。

若待连接的两个信号层之间未形成有惰性层，则可以直接将该第一导电材料沉积在该通孔内壁的第一可沉积区域。例如，可以采用表面化学反应、浸润、喷涂、溅射或者吸附等方式，将该钯系沉铜材料沉积在该通孔内壁的第一可沉积区域，使该通孔内壁形成导电薄膜。示例的，对于图2-2所示的PCB本体，由于待连接的信号层011和信号层012之间未形成有惰性层，待连接的信号层013和信号层014之间也未形成有惰性层，因此可以直接在该通孔10内壁的第一可沉积区域沉积该第一导电材料，以形成导电薄膜。由于该第一导电材料一般为沉铜材料，因此该导电薄膜即为导电铜膜。

1022a、对沉积在该第一可沉积区域的第一导电材料进行电镀，以形成该导电层。

进一步的，可以对该导电薄膜进行电镀，以形成导电层，得到用于连接该第一信号层和第二信号层的金属化孔。其中，电镀是指利用电解原理在导电薄膜上镀上一层金属或合金的过程。通过电镀可以增加孔壁铜层的厚度，避免该铜层因氧化而被破坏。

示例的，如图2-3所示，对第一导电材料进行电镀后形成的导电层011仅附着在第一可沉积区域，而该通孔10内壁上属于惰性层的区域则未形成导电层。也即是，该用于连接第一信号层和第二信号层的导电层中不存在残端，该金属化孔形成后无需再进行背钻操作，有效简化了PCB板的加工工艺流程，提高了PCB板的加工效率和良率。

另一方面，若该第一信号层和该第二信号层之间形成有惰性层，则参考图4-1，上述步骤102具体可以包括：

1021b、采用第二导电材料在通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层。

若待连接的两个信号层之间形成有惰性层，则由于第一导电材料无法沉积在该惰性层上，因此需要先采用能够沉积在惰性层上的第二导电材料在该通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层，以保证两个信号层的有效连接。该第二可沉积区域为能沉积第二导电材料的区域，由于该第二导电材料能够沉积在惰性材料上，因此该第二可沉积区域包括该惰性层所在的区域。其中该第二导电材料可以为非钯系沉铜材料。该非钯系沉铜材料是指不包含胶体钯的沉铜溶液，例如可以为黑孔液或者导电高分子溶液等。其中，黑孔液一般由精细的石墨或碳黑粉、液体分散介质(例如去离子水)和表面活性剂等材料组成。

示例的，如图4-2所示，若信号层011和信号层016待连接，信号层014和信号层015待连接，则由于该信号层011和信号层016之间形成有惰性层021和023，信号层014和信号层015之间形成有惰性层022，因此在该PCB本体上钻出通孔20和通孔30后，可以先采用第二导电材料在通孔20的内壁上形成第一导电膜层1b，并在通孔30的内壁上形成第一导电膜层1c。其中，通孔20中形成的导电层可以用于连接信号层014和信号层015，通孔30中形成的导电层可以用于连接信号层011和信号层016。

1022b、在该通孔的第一端，钻入预设深度的背钻孔，该第一信号层相对于该第二信号层靠近该通孔的第一端，该预设深度大于目标界面与目标端面之间的距离。

其中，该目标端面为该通孔第一端的端面，该目标界面为该第一信号层远离该惰性层的一面。也即是，对该通孔进行背钻时，需要钻穿待连接的第一信号层。需要说明的是，该背钻孔和通孔同轴心，且背钻孔的直径大于通孔的直径，以保证通孔经过背钻后，背钻孔的内壁上只有PCB本体中的树脂、填料、玻璃纤维、信号层和惰性层等材料，而原来形成的第一导电膜层被钻除。

示例的，如图4-3所示，由于信号层015远离信号层014的一侧形成有惰性层023，因此可以将信号层015确定为该两个信号层中的第一信号层。进一步的，可以将该第一信号层015远离第二信号层014的一侧所对应的端口确定为该通孔20的第一端，并在该通孔20的第一端钻入预设深度h1的背钻孔201。从图4-3中可以看出，该预设深度h1大于目标界面15a(即第一信号层015远离惰性层023的一面)与通孔20第一端的端面之间的距离h2。也即是，在对该通孔20的第一端进行背钻时，需要钻穿该第一信号层015。

相应的，对于通孔30，参考图4-3，由于信号层016远离信号层011的一侧形成有惰性层022，因此可以将信号层016确定为该两个信号层中的第一信号层。进一步的，可以将该第一信号层016远离第二信号层011的一侧所对应的端口确定为该通孔30的第一端，并在该通孔30的第一端钻入预设深度h3的背钻孔301。从图4-3中可以看出，该预设深度h3大于目标界面16a(即第一信号层016远离惰性层022的一面)与通孔30第一端的端面之间的距离h4。也即是，在对该通孔30的第一端进行背钻时，需要钻穿该第一信号层016。

1023b、采用第一导电材料在该背钻孔内壁上的第三可沉积区域形成第二导电膜层。

进一步的，可以采用第一导电材料在该背钻孔内壁上的第三可沉积区域形成第二导电膜层，由于该第一导电材料无法沉积在惰性材料上，因此该第三可沉积区域不包括惰性层所在的区域。并且，由于该背钻孔是对通孔进行背钻得到的，因此该背钻孔内壁上的第三可沉积区域在原通孔内壁的正投影位于该第一可沉积区域之内。

示例的，参考图4-4，可以采用第一导电材料在该背钻孔201内壁的第三可沉积区域形成第二导电膜层10b，并在该背钻孔301内壁的第三可沉积区域形成第二导电膜层10c。由于该背钻孔钻穿了待连接的第一信号层，而该第一信号层远离第二信号层的一侧又形成有惰性层。因此，在该背钻孔内壁沉积第一导电材料时，可以保证该第一导电材料能够沉积在第一信号层的截面上，实现与第二信号层的连接，且该第一导电材料不会沉积在惰性层上，因此即可避免出现多余的残端，保证了信号层之间的信号传输质量。

1024b、对该第一导电膜层和该第二导电膜层进行电镀以形成该导电层。

最后，可以对该通孔内壁剩余的第一导电膜层，以及该背钻孔内壁的第二导电膜层进行电镀，以形成该用于连接第一信号层和第二信号层的导电层。此时，参考图4-4，每个过孔内可以包括金属化孔和非金属化孔两种形态的过孔结构。

再一方面，不论该第一信号层和该第二信号层之间是否形成有惰性层，参考图5-1，上述步骤102还可以包括：

1021c、采用第二导电材料在通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层。

该形成第一导电膜层的具体过程可以参考上述步骤1021b，此处不再赘述。

1022c、在该通孔的第二端，钻入预设深度的背钻孔，该第二信号层相对于该第一信号层靠近该通孔的第二端，该预设深度小于目标界面与目标端面之间的距离。

该目标端面为该通孔第二端的端面，该目标界面为该第一信号层远离该惰性层的一面。也即是，对该通孔进行背钻时，不需要钻穿待连接的第一信号层。示例的，如图5-2所示，假设待连接的信号层为信号层011和信号层016，由于信号层016远离信号层011的一侧形成有惰性层022，因此可以将信号层016确定为该两个信号层中的第一信号层。进一步的，可以将该第二信号层011远离第一信号层016的一侧所对应的端口确定为该通孔30的第二端，并在该通孔30的第二端钻入预设深度h5的背钻孔302。从图5-2中可以看出，该预设深度h5小于目标界面16a(即第一信号层016远离惰性层022的一面)与通孔30第二端的端面之间的距离h6。也即是，在对该通孔30的第二端进行背钻时，不需要钻穿该待连接的第一信号层016。

继续参考图5-2，假设信号层011和信号层012待连接，信号层014和信号层013待连接，则对于该信号层011和信号层012，可以在通孔20的一端钻入预设深度h7的背钻孔202，该预设深度h7小于目标界面12a(即第一信号层012远离惰性层021的一面)与通孔20端面之间的距离h8；对于信号层014和信号层013，可以在通孔20的另一端钻入预设深度h9的背钻孔203，该预设深度h9小于目标界面13a(即第一信号层013远离惰性层022的一面)与通孔20端面之间的距离h0。

1023c、采用抗腐蚀导电材料在该背钻孔内壁和该通孔内壁形成抗腐蚀导电膜层。

该抗腐蚀导电材料可以沉积在惰性层上，该抗腐蚀导电材料具体可以包括：碳粉、石墨和导电高分子材料中的至少一种。在实际应用中，可以采用表面化学反应、浸润、喷涂、溅射或者吸附等方式，在该背钻孔内壁和该通孔内壁形成抗腐蚀导电膜层。

示例的，如图5-3所示，可以在背钻孔302以及通孔30的内壁形成抗腐蚀导电膜层3a；可以在背钻孔202、通孔20以及背钻孔203的内壁形成抗腐蚀导电膜层2a。

需要说明的是，在本申请中，该抗腐蚀导电材料的密度较低，颗粒较为松散，强腐蚀性材料(例如硫酸溶液或者过硫酸钠溶液)能够透过该抗腐蚀导电材料与该抗腐蚀导电材料所附着的基材接触。因此，当该抗腐蚀导电材料所附着的基材为抗腐蚀性能较差的材料(例如铜膜)时，强腐蚀性材料能够将该基材腐蚀掉，并使得附着在该基材上的抗腐蚀导电材料脱落；而当该抗腐蚀导电材料所附着的基材为抗腐蚀性能较好的材料(例如树脂)时，该强腐蚀性材料则不会对该抗腐蚀导电材料造成影响。

1024c、去除该通孔中的第一导电膜层，以及附着在该第一导电膜层上的抗腐蚀导电膜层。

由于通孔内壁上的第一导电膜层一般为导电铜膜，该导电铜膜的抗腐蚀性能较差，因此可以采用微蚀法、激光烧蚀法或者表面化学反应方法(该表面化学反应可以是指置换反应，例如可以通过化学锡置换化学铜，再通过硝酸除锡)去除该通孔中的第一导电膜层，以及附着在该第一导电膜层上的抗腐蚀导电膜层；而PCB本体中的绝缘层一般由树脂、填料和玻璃纤维等抗腐蚀性能较好的材料组成，形成惰性层的聚四氟乙烯的抗腐蚀性能也较好，因此经过上述微蚀法、激光烧蚀法或者表面化学反应方法后，背钻孔内直接附着于PCB基材上的抗腐蚀导电膜层会保留下来。

示例的，参考图5-4，去除第一导电膜层后，通孔20两端的背钻孔202和背钻孔203的内壁上还保留有部分抗腐蚀导电膜层2a；同样的，通孔30一端的背钻孔302的内壁上保留有部分抗腐蚀导电膜层3a。

1025c、采用第一导电材料在该通孔内壁的第一可沉积区域形成第二导电膜层。

进一步的，可以参考上述步骤1023b所示的方法，在该通孔内壁的第一可沉积区域形成第二导电膜层。示例的，参考图5-5，可以采用第一导电材料在通孔20内壁的第一可沉积区域形成第二导电膜层2b，并在通孔30内壁的第一可沉积区域形成第二导电膜层3b。

需要说明的是，在实际应用中，还可以直接在该通孔和背钻孔构成的过孔内沉积第一导电材料，此时该第二导电膜层除了形成在通孔内壁的第一可沉积区域，还可以附着在该背钻孔内壁的抗腐蚀导电膜层上。

1026c、对该抗腐蚀导电膜层和该第二导电膜层进行电镀以形成该导电层。

最后，可以对该通孔内壁的第二导电膜层，以及该背钻孔内壁的抗腐蚀导电膜层进行电镀，以形成该用于连接第一信号层和第二信号层的导电层。

在本申请中，由于PCB本体中的信号层一般是由铜箔形成的，在上述步骤1024c中采用微蚀法等方法去除第一导电膜层时，可能会使得该背钻孔内壁上附着在该信号层上的部分抗腐蚀导电膜层也被去除，破坏该背钻孔内壁上的抗腐蚀导电膜层的完整性。但由于后续的电镀操作能够在该抗腐蚀导电膜层以及信号层的截面再形成一层金属或者合金，因此可以保证最终形成在该背钻孔内壁上的导电层的完整性，保证信号层之间的有效连接。

在上述图4-1以及图5-1所示的方法中，虽然也存在背钻操作，但由于在图4-1所示的方法中，背钻深度只要大于目标界面与目标端面之间的距离即可，在图5-1所示的方法中，背钻深度只要小于目标界面与目标端面之间的距离即可，该方法对背钻深度的精度要求较低，因此PCB板的厚度差异对加工精度的影响也较小，故可以有效提高PCB板的加工良率。

从图4-4和图5-5中还可以看出，采用本申请提供的方法形成金属化孔之后，每个过孔内沉积的导电层可以形成多个金属化孔，每个金属化孔可以实现不同信号层之间的电连接。例如图4-4中导电层10b可以实现信号层011与信号层012之间的连接，还可以与第一导电膜层1b共同实现信号层014与信号层015的电连接；图5-5中导电层2b可以实现信号层015与信号层016的连接，还可以与导电层2a实现信号层011和信号层012的连接。因此本申请提供的方法可以有效提高PCB板中过孔设计的灵活性，以及提高PCB板中每个过孔的信号传输容量。并且，采用本申请提供的方法在PCB本体上形成金属化孔后，该PCB本体上的过孔两端均可对压连接器，有效提高了PCB板的设计灵活性。

进一步的，由于本申请中每个过孔可以实现多个信号层的连接，因此可以避免出现相关技术中，由于加工工艺的限制需要重复设置多个信号层的情况，进而可以有效降低PCB板的厚度以及金属化孔的厚径比。

需要说明的是，在实际应用中，在背钻孔内壁上形成第二导电膜层之前，以及在背钻孔内壁和通孔内壁形成抗腐蚀导电膜层之前，均需要对该背钻孔和/或通孔进行预处理，该预处理的具体内容可以参考上述步骤102，此处不再赘述。

还需说明的是，本申请提供的金属化孔的形成方法的步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减。任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。

综上所述，本申请提供了一种金属化孔的形成方法，该方法可以采用第一导电材料在通孔内壁中不属于惰性层的区域形成导电层，由于PCB本体中待连接的第一信号层和第二信号层中，第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，因此采用该方法在通孔内壁形成导电层后，可以有效避免该金属化孔中出现多余的残端，保证了该导电层所连接的两个信号层之间的信号传输质量，并且该金属化孔的形成方法简化了PCB板制造时的工艺流程，降低了PCB板的制造难度，有效提高了PCB板的加工效率和良率。

需要说明的是，本申请中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。

本申请还提供了一种电路板的制造方法，参考图6，该方法可以包括：

步骤401、在基板上形成多个信号层和至少一个惰性层，得到PCB本体，其中任意两个相邻的信号层之间形成有绝缘层；该多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，该第二信号层和该第一信号层为该多个信号层中待连接的两个信号层，该惰性层由惰性材料形成。

其中，该基板可以为含有树脂、填料和玻璃纤维等材料的板材，该信号层可以为铜箔，该绝缘层的材质可以与该基板的材质相同。该信号层、绝缘层以及惰性层可以以压合的方式形成在基板上。

步骤402、在该PCB本体上形成金属化孔。

在本发明的一个实施例中，可以采用上述图2-1所示的方法形成该金属化孔，在形成该金属化孔的过程中，具体可以采用如图3、图4-1或者图5-1所示的方法形成该金属化孔中的导电层。

本申请还提供了一种电路板，该电路板可以采用如图6所示的方法制造形成。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种金属化孔的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在印制电路板PCB本体上钻通孔，所述PCB本体包括多个信号层和至少一个惰性层，其中任意两个相邻的信号层之间形成有绝缘层，所述多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，所述第一信号层和所述第二信号层为所述多个信号层中待连接的两个信号层，所述惰性层由惰性材料形成；

采用第一导电材料在所述通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层，所述导电层用于连接所述第一信号层和所述第二信号层，所述第一可沉积区域为能沉积所述第一导电材料的区域，所述第一可沉积区域不包括所述惰性层所在的区域；

其中，所述采用第一导电材料在所述通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层，包括：

采用第二导电材料在所述通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层，所述第二可沉积区域为能沉积所述第二导电材料的区域，所述第二可沉积区域包括所述惰性层所在的区域；

在所述通孔的第二端钻入预设深度的背钻孔，所述第二信号层相对于所述第一信号层靠近所述通孔的第二端，所述预设深度小于目标界面与目标端面之间的距离，所述目标端面为所述通孔的第二端的端面，所述目标界面为所述第一信号层远离所述惰性层的一面；

采用抗腐蚀导电材料在所述背钻孔内壁和所述通孔内壁形成抗腐蚀导电膜层；

去除所述通孔中的所述第一导电膜层，以及附着在所述第一导电膜层上的所述抗腐蚀导电膜层；

采用所述第一导电材料在所述通孔内壁的所述第一可沉积区域形成第二导电膜层；

对所述抗腐蚀导电膜层和所述第二导电膜层进行电镀以形成所述导电层；

或者，在所述第一信号层和所述第二信号层之间形成有惰性层时，所述采用第一导电材料在所述通孔内壁的第一可沉积区域形成导电层，包括：

采用第二导电材料在所述通孔内壁的第二可沉积区域形成第一导电膜层，所述第二可沉积区域为能沉积所述第二导电材料的区域，所述第二可沉积区域包括所述第一信号层和所述第二信号层之间形成的惰性层所在的区域；

在所述通孔的第一端钻入预设深度的背钻孔，所述第一信号层相对于所述第二信号层靠近所述通孔的第一端，所述预设深度大于目标界面与目标端面之间的距离，所述目标端面为所述通孔的第一端的端面，所述目标界面为所述第一信号层靠近所述第二信号层的一面；

采用所述第一导电材料在所述背钻孔内壁上的第三可沉积区域形成第二导电膜层，所述第三可沉积区域不包括所述第一信号层和所述第二信号层之间形成的惰性层所在的区域；

对所述第一导电膜层和所述第二导电膜层进行电镀以形成所述导电层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述惰性材料为聚四氟乙烯；

所述第一导电材料为钯系沉铜材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二导电材料为非钯系沉铜材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述抗腐蚀导电材料包括：碳粉、石墨和导电高分子材料中的至少一种。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，在采用第一导电材料在所述通孔内壁形成导电层之前，所述方法还包括：

对所述通孔进行预处理，所述预处理包括去钻污处理和/或清洗处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述通孔中的第一导电膜层，以及附着在所述第一导电膜层上的抗腐蚀导电膜层，包括：

采用微蚀法、激光烧蚀法或者表面化学反应方法去除所述通孔中的第一导电膜层，以及附着在所述第一导电膜层上的抗腐蚀导电膜层。

7.一种电路板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成多个信号层和至少一个惰性层，得到印制电路板PCB本体，其中任意两个相邻的信号层之间形成有绝缘层；所述多个信号层中第一信号层远离第二信号层的一侧形成有惰性层，所述第二信号层和所述第一信号层为所述多个信号层中待连接的两个信号层，所述惰性层由惰性材料形成；

采用如权利要求1至6任一所述的方法在所述PCB本体上形成金属化孔。

8.一种电路板，其特征在于，

所述电路板采用如权利要求7所述的方法制造形成。

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